KR102571588B1 - Printed Circuit Board and manufacturing method for the same - Google Patents

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Abstract

인쇄회로기판이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판은, 비아홀이 형성된 절연층, 절연층에 형성되고 비아홀의 일측에 배치된 제1 패드 및 비아홀에 채워지며 제1 패드에 연결되는 비아를 포함하고, 비아는 금속 재질이고 비아의 측면 및 제1 패드와 접하는 면 중 적어도 어느 하나에는 금속기지 복합재료(metal matrix composite)로 이루어지는 복합재료 영역이 형성된다.A printed circuit board is disclosed. A printed circuit board according to an embodiment of the present invention includes an insulating layer having a via hole, a first pad formed in the insulating layer and disposed on one side of the via hole, and a via filled in the via hole and connected to the first pad, the via is a metal material, and a composite material region made of a metal matrix composite is formed on at least one of a side surface of the via and a surface in contact with the first pad.

Description

인쇄회로기판 및 그 제조방법{Printed Circuit Board and manufacturing method for the same}Printed Circuit Board and manufacturing method for the same

본 발명은 인쇄회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a printed circuit board and a manufacturing method thereof.

모바일 기기 및 노트북 등과 같은 전자기기의 소형화 및 박막화에 따라, 소형 및 박형 인쇄회로기판에 대한 요구가 증가하고 있다. With the miniaturization and thinning of electronic devices such as mobile devices and laptop computers, there is an increasing demand for small and thin printed circuit boards.

박형 인쇄회로기판 내의 층간을 연결하는 마이크로 비아를 형성하기 위하여, 마이크로 비아홀에 대한 효율적인 가공 기술이 요구되고 있다. 더불어, 마이크로 비아홀에 채워지는 배선 물질에 대해서도, 우수한 전기적 및 기계적 특성이 요구되고 있다.In order to form micro vias connecting layers in a thin printed circuit board, an efficient processing technology for micro via holes is required. In addition, excellent electrical and mechanical properties are required for wiring materials filled in micro via holes.

일본 공개특허 제2002-359446호Japanese Laid-open Patent No. 2002-359446

본 발명의 일 측면에 따르면, 비아홀이 형성된 절연층, 절연층에 형성되고 비아홀의 일측에 배치된 제1 패드 및 비아홀에 채워지며 제1 패드에 연결되는 비아를 포함하고, 비아는 금속 재질이고 비아의 측면 및 제1 패드와 접하는 면 중 적어도 어느 하나에는 금속기지 복합재료(metal matrix composite)로 이루어지는 복합재료 영역이 형성된 인쇄회로기판이 제공된다.According to one aspect of the present invention, an insulating layer having a via hole, a first pad formed on the insulating layer and disposed on one side of the via hole, and a via filled in the via hole and connected to the first pad, wherein the via is made of a metal material and the via A printed circuit board having a composite material region made of a metal matrix composite is formed on at least one of a side surface of the surface and a surface in contact with the first pad.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 일면에 제1 패드가 형성된 절연층을 준비하는 단계, 샌드 블라스트(Sand blast) 가공으로 절연층을 선택적으로 제거하여 제1 패드가 노출되는 비아홀을 형성하는 단계, 비아홀을 금속 재질로 채워서 비아를 형성하는 단계를 포함하고, 비아의 측면 및 제1 패드와 접하는 면 중 적어도 어느 하나에, 샌드 블라스트 가공에 사용되는 연마재 입자와 비아의 금속 재질을 결합시켜서 금속기지 복합재료(metal matrix composite)로 이루어지는 복합재료 영역을 형성하는 인쇄회로기판 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, preparing an insulating layer having a first pad formed on one surface, forming a via hole through which the first pad is exposed by selectively removing the insulating layer by sand blast processing, via hole A metal matrix composite material comprising the step of forming a via by filling the via with a metal material, and bonding the abrasive particles used for sandblasting and the metal material of the via to at least one of the side surface of the via and the surface in contact with the first pad. A printed circuit board manufacturing method for forming a composite material region made of (metal matrix composite) is provided.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판을 나타낸 도면.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판의 복합재료 영역을 예시한 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법 순서를 예시한 도면.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법을 설명하는 도면.1 is a view showing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 are views illustrating a composite material area of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating a sequence of a manufacturing method of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.
5 to 8 are diagrams for explaining a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 인쇄회로기판 및 그 제조방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Embodiments of a printed circuit board and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals and Redundant descriptions will be omitted.

또한, 이하 사용되는 제1, 제2 등과 같은 용어는 동일 또는 상응하는 구성 요소들을 구별하기 위한 식별 기호에 불과하며, 동일 또는 상응하는 구성 요소들이 제1, 제2 등의 용어에 의하여 한정되는 것은 아니다.In addition, terms such as first and second used below are only identification symbols for distinguishing the same or corresponding components, and the same or corresponding components are not limited by terms such as first and second. no.

또한, 결합이라 함은, 각 구성 요소 간의 접촉 관계에 있어, 각 구성 요소 간에 물리적으로 직접 접촉되는 경우만을 뜻하는 것이 아니라, 다른 구성이 각 구성 요소 사이에 개재되어, 그 다른 구성에 구성 요소가 각각 접촉되어 있는 경우까지 포괄하는 개념으로 사용하도록 한다.In addition, coupling does not mean only the case of direct physical contact between each component in the contact relationship between each component, but another configuration intervenes between each component so that the component is in the other configuration. It should be used as a concept that encompasses even the case of contact with each other.

인쇄회로기판printed circuit board

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판을 나타낸 도면이다.1 is a diagram showing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판은, 절연층(10), 제1 패드(20) 및 비아(30)를 포함하고, 비아(30)에 금속기지 복합재료(metal matrix composite)로 이루어지는 복합재료 영역이 형성된다.Referring to FIG. 1, a printed circuit board according to an embodiment of the present invention includes an insulating layer 10, a first pad 20, and a via 30, and a metal matrix composite material ( A composite material region consisting of a metal matrix composite is formed.

절연층(10)은 절연 재료가 적층되어 형성되며, 절연층(10)에는 패드를 포함하는 회로패턴이 형성될 수 있다. 회로패턴의 층간 연결을 위하여, 절연층(10)에는 비아(30)가 채워지는 비아홀(12)이 형성될 수 있다.The insulating layer 10 is formed by stacking insulating materials, and a circuit pattern including a pad may be formed on the insulating layer 10 . In order to connect circuit patterns between layers, via holes 12 filled with vias 30 may be formed in the insulating layer 10 .

도 1을 참조하면, 절연층(10)을 상하로 관통하는 비아홀(12)이 형성되고, 절연층(10)의 양면에 각각 배치된 제1 패드(20) 및 제2 패드(40)가 비아(30)를 통하여 연결될 수 있다. Referring to FIG. 1 , via holes 12 vertically penetrating the insulating layer 10 are formed, and the first pads 20 and the second pads 40 respectively disposed on both sides of the insulating layer 10 form vias. It can be connected through (30).

절연층(10)은 열경화성 수지, 감광성 수지 등의 알려진 다양한 절연 재료를 포함하여 이루어질 수 있다. 강도, 열팽창율 등의 기계적 특성 및 전기적 특성을 향상시키 위해, 절연층(10)은 섬유재(11b), 필러(11a) 등의 다양한 보강재를 포함할 수 있다. The insulating layer 10 may include various known insulating materials such as thermosetting resin and photosensitive resin. In order to improve mechanical and electrical properties such as strength and coefficient of thermal expansion, the insulating layer 10 may include various reinforcing materials such as a fiber material 11b and a filler 11a.

또한, 절연층(10)은 다른 절연층(5) 상에 또는 여러 절연층이 있는 빌드업 층의 일부로서 형성될 수 있다.Also, the insulating layer 10 can be formed on another insulating layer 5 or as part of a build-up layer with several insulating layers.

제1 패드(20)는 회로패턴의 일부로 절연층(10)에 형성되고 비아홀(12)의 일측에 배치되어 비아(30)와 연결된다. 제1 패드(20)는 도금 등의 알려진 다양한 회로패턴의 형성방법에 의해 형성될 수 있다.The first pad 20 is formed on the insulating layer 10 as a part of the circuit pattern and is disposed on one side of the via hole 12 to be connected to the via 30 . The first pad 20 may be formed by various known circuit pattern formation methods such as plating.

도 1을 참조하면, 제1 패드(20)는 절연층(10)의 일면에 매립된 형태로 형성될 수 있다. 한편, 제1 패드(20)는 절연층(10)에 매립되지 않고, 절연층(10)의 일면 상에 형성될 수 있으면 그 배치 및 형태가 한정되지 않는다.Referring to FIG. 1 , the first pad 20 may be formed in a form buried in one surface of the insulating layer 10 . Meanwhile, the arrangement and shape of the first pad 20 are not limited as long as they can be formed on one surface of the insulating layer 10 without being buried in the insulating layer 10 .

비아(30)는 절연층(10)의 비아홀(12)에 채워지고 제1 패드(20)와 연결된다. 비아(30)는 일측에 제1 패드(20)와 타측의 제2 패드(40)를 연결하여, 절연층(10)의 일면과 타면의 층간 연결을 형성한다.The via 30 fills the via hole 12 of the insulating layer 10 and is connected to the first pad 20 . The via 30 connects the first pad 20 on one side and the second pad 40 on the other side to form an interlayer connection between one surface and the other surface of the insulating layer 10 .

본 실시예의 비아(30)는 금속 재질이고, 비아(30)의 외면 일부에 금속기지 복합재료(metal matrix composite)로 이루어지는 복합재료 영역이 형성된다. 금속기지 복합재료는 금속계 합금을 기지로 하고 다양한 강화재 등을 분산시킨 소재로서, 개개의 구성 재료보다 우수한 특성을 얻을 수 있다.The via 30 in this embodiment is made of a metal material, and a composite material region made of a metal matrix composite is formed on a part of the outer surface of the via 30 . The metal matrix composite material is a material in which a metal-based alloy is used as a base and various reinforcing materials are dispersed, and properties superior to those of individual constituent materials can be obtained.

도 1을 참조하면, 비아(30)의 측면, 비아(30)와 제1 패드(20)와 접하는 면 또는 이 둘 모두에 금속기지 복합재료로 이루어지는 복합재료 영역이 형성될 수 있다. 이 때, 절연층(10)의 타면에 형성된 제2 패드(40)와 비아(30)가 만나는 면은 복합재료 영역이 형성되지 않을 수 있다. 즉, 도 1을 기준으로, 비아(30)의 측면 및 하면에는 복합재료 영역이 형성되고, 비아(30)의 상면에는 복합재료 영역이 없이 비아(30)를 이루는 금속과 제2 패드(40)가 연결될 수 있다.Referring to FIG. 1 , a composite material region made of a metal matrix composite material may be formed on a side surface of the via 30 , a surface in contact with the via 30 and the first pad 20 , or both. In this case, a composite material region may not be formed on a surface where the second pad 40 formed on the other surface of the insulating layer 10 and the via 30 meet. That is, based on FIG. 1, composite material regions are formed on the side and bottom surfaces of the vias 30, and the metal constituting the vias 30 and the second pad 40 have no composite material regions on the upper surfaces of the vias 30. can be connected.

도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판의 복합재료 영역을 예시한 도면이다. 도 2는 탄화규소가 0.1 중량% 비율로 포함된 복합재료 영역을 나타내고, 도 3은 탄화규소가 3 중량% 비율로 포함된 복합재료 영역을 나타낸다.2 and 3 are views illustrating a composite material region of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a composite material region containing 0.1% by weight of silicon carbide, and FIG. 3 shows a composite material region including 3% by weight of silicon carbide.

도 2 및 도 3을 참조하면, 비아(30)의 외면을 이루는 금속 사이에 복수의 입자(1)가 분산되어 금속기지 복합재료가 형성되고 이 부분이 복합재료 영역이 될 수 있다. 비아(30)의 측면 및 제1 패드(20)와 접하는 면 중 적어도 어느 하나에서, 복수의 금속 입자(1)가 금속 사이에 분산 배치된 복합재료 영역이 형성된다. 특히, 복수의 금속 간 입자(1)는, 금속 재질의 비아(30)에서 서로 이격된 점상 형태를 가질 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3 , a metal matrix composite material is formed by dispersing a plurality of particles 1 between metal constituting the outer surface of the via 30 , and this portion may be a composite material region. A composite material region in which a plurality of metal particles 1 are dispersed and disposed between metals is formed on at least one of a side surface of the via 30 and a surface in contact with the first pad 20 . In particular, the plurality of intermetallic particles 1 may have a dotted shape spaced apart from each other in the via 30 made of metal.

예를 들어, 비아(30)는 구리로 이루어지고, 금속 간 입자(1)는 탄화규소일 수 있다. 이에 따라, 복합재료 영역은 구리-탄화규소(Cu-SiC) 금속기지 복합재료를 포함하여 이루어질 수 있다.For example, the via 30 may be made of copper, and the intermetallic particle 1 may be silicon carbide. Accordingly, the composite material region may include a copper-silicon carbide (Cu-SiC) metal matrix composite material.

구체적으로, 구리-탄화규소(Cu-SiC) 금속기지 복합재료에서, 탄화규소 입자는 0.001 내지 50 μm 크기를 가지며 분산된 형태로 배치될 수 있다. Specifically, in the copper-silicon carbide (Cu-SiC) metal matrix composite material, the silicon carbide particles have a size of 0.001 to 50 μm and may be disposed in a dispersed form.

이 때, 탄화규소는 0.1 내지 3 중량%의 비율로 구리-탄화규소(Cu-SiC) 금속기지 복합재료에 포함될 수 있다. 구리-탄화규소(Cu-SiC) 금속기지 복합재료에서 탄화규소 함량이 증가할수록 기계적 강도가 향상되고 열팽창계수가 감소되는 경향을 가진다. 그런데, 탄화규소 함량이 증가할수록 열전도도 및 전기전도도가 조금씩 감소하는 경향을 보이고, 특히 5중량%을 넘으면 크게 감소하는 경향을 보인다. 따라서, 기계적 특성 및 전기적 특성을 고려하여 탄화규소 함량을 0.1 내지 3 중량%의 비율로 유지함이 바람직하다.In this case, silicon carbide may be included in the copper-silicon carbide (Cu-SiC) metal matrix composite in an amount of 0.1 to 3% by weight. In copper-silicon carbide (Cu-SiC) metal matrix composites, as the content of silicon carbide increases, the mechanical strength improves and the coefficient of thermal expansion tends to decrease. However, as the silicon carbide content increases, the thermal conductivity and electrical conductivity tend to decrease little by little, and in particular, when the content exceeds 5% by weight, it tends to greatly decrease. Therefore, it is preferable to maintain the silicon carbide content at a rate of 0.1 to 3% by weight in consideration of mechanical and electrical properties.

인쇄회로기판 제조방법Printed circuit board manufacturing method

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법 순서를 예시한 도면이고, 도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법을 설명하는 도면이다.4 is a diagram illustrating a manufacturing method sequence of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 5 to 8 are views explaining a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.

도 4 내지 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법은 절연층(10)을 준비하는 단계(S110), 비아홀(12)을 형성하는 단계(S120) 및 비아(30)를 형성하는 단계(S130)를 포함한다.4 to 8, the method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention includes preparing an insulating layer 10 (S110), forming a via hole 12 (S120), and via (30) and forming step (S130).

절연층(10)을 준비하는 단계(S110)는, 일면에 제1 패드(20)가 형성된 절연층(10)을 준비한다.In the step of preparing the insulating layer 10 (S110), the insulating layer 10 having the first pad 20 formed on one surface thereof is prepared.

도 5 및 도 6을 참조하면, 절연수지(5)에 금속층(6, 7)이 형성된 금속 적층판을 준비하고, 금속 적층판의 일면에 제1 패드(20)를 형성할 수 있다. 제1 패드(20)는 금속 적층판의 금속층(7)을 시드층으로 하여 도금으로 형성될 수 있다.Referring to FIGS. 5 and 6 , a metal laminate having the metal layers 6 and 7 formed on an insulating resin 5 may be prepared, and a first pad 20 may be formed on one surface of the metal laminate. The first pad 20 may be formed by plating using the metal layer 7 of the metal laminate as a seed layer.

제1 패드(20)가 형성된 금속 적층판의 일면에 절연층(10)을 적층하여, 절연층(10)의 일면에 제1 패드(20)를 형성할 수 있다.The first pad 20 may be formed on one surface of the insulating layer 10 by stacking the insulating layer 10 on one surface of the metal laminate plate on which the first pad 20 is formed.

한편, 본 실시예에는 금속 적층판에 제1 패드를 형성하고 절연층을 적층하여 절연층을 준비하는 방법을 예시하였으나 이에 한정되지 않으며, 절연층의 일면에 제1 패드를 형성하는 다양한 방법을 포함한다. 제1 패드의 형성은 금속 적층판의 금속층을 시드층으로 이용한 도금 이외에 다양한 도금법에 의해 형성될 수 있다. 또한, 제1 패드는 도금법 이외에 알려진 다양한 회로패턴 형성방법(예를 들어, 금속 페이스트 소결 등)으로 형성될 수 있다.Meanwhile, in this embodiment, a method of preparing an insulating layer by forming a first pad on a metal laminate and laminating an insulating layer is exemplified, but is not limited thereto, and includes various methods of forming the first pad on one surface of the insulating layer. . The first pad may be formed by various plating methods other than plating using the metal layer of the metal laminate as a seed layer. In addition, the first pad may be formed by various known circuit pattern forming methods (eg, metal paste sintering, etc.) other than the plating method.

비아홀(12)을 형성하는 단계(S120)는, 샌드 블라스트(Sand blast) 가공으로 절연층(10)을 선택적으로 제거하여 제1 패드(20)가 노출되는 비아홀(12)을 형성한다.In the step of forming the via hole 12 (S120), the via hole 12 through which the first pad 20 is exposed is formed by selectively removing the insulating layer 10 by sand blasting.

샌드 블라스트 가공은, 노즐에서 연마재를 분사하여 소재 표면을 다듬거나 절삭하는 가공 방법이다. 과거에는 모래를 연삭재로 분사했기 때문에 샌드 블라스트라는 이름이 붙었으나, 현재는 알루미나(산화 알루미늄) 또는 탄화 규소 등의 세라믹 분말, 글래스 비드, 플라스틱 파우더 등의 다양한 입자를 연삭재로 사용할 수 있다. 샌드 블라스트의 종류에는 연마재와 물을 혼합한 뒤 노즐에서 분사하여 가공하는 습식 샌드 블라스트(Wet blast)와, 에어를 이용해 연마재만 노즐에서 분사하여 가공하는 건식 샌드블라스트(Air blast)가 있다.Sandblasting is a processing method in which abrasives are sprayed from a nozzle to polish or cut the surface of a material. In the past, sand was blasted as an abrasive, hence the name sandblast. Currently, various particles such as ceramic powder such as alumina (aluminum oxide) or silicon carbide, glass beads, and plastic powder can be used as an abrasive. Types of sandblasting include wet sandblasting in which abrasives and water are mixed and then sprayed from a nozzle for processing, and dry sandblasting in which only abrasives are sprayed from a nozzle using air for processing.

본 실시예에서는 탄화 규소를 샌드 블라스트 가공의 연마재로 사용할 수 있다. 탄화 규소를 제1 패드(20)가 아래에 배치된 절연층(10) 부분으로 분사하여, 절연층(10)에 홀 가공을 하고 제1 패드(20)를 노출시키는 비아홀(12)을 형성할 수 있다.In this embodiment, silicon carbide can be used as an abrasive for sandblasting. Silicon carbide is sprayed onto the portion of the insulating layer 10 where the first pad 20 is disposed below to form a hole in the insulating layer 10 and a via hole 12 exposing the first pad 20. can

도 7을 참조하면, 탄화 규소를 연마재로 사용한 샌드 블라스트 가공 이후에 가공이 이루어진 부분, 즉 비아홀(12)의 내벽 및 제1 패드(20)의 상면에는 연마재인 탄화 규소가 잔존하게 된다.Referring to FIG. 7 , after sandblasting using silicon carbide as an abrasive, silicon carbide as an abrasive remains on the processed portion, that is, on the inner wall of the via hole 12 and the upper surface of the first pad 20 .

비아(30)를 형성하는 단계(S130)는, 비아홀(12)을 금속 재질로 채워서 비아(30)를 형성한다. 이 때, 비아홀(12)에 샌드 블라스트 가공에 사용되는 입자(연마재, 1)를 제거하지 않고 잔존시키고, 잔존하는 입자(1)와 비아(30)를 이루는 금속 재질과 결합시켜서 금속기지 복합재료를 형성할 수 있다.In the step of forming the via 30 ( S130 ), the via hole 12 is filled with a metal material to form the via 30 . At this time, the particles (abrasive material, 1) used in the sandblasting process remain in the via hole 12 without being removed, and the remaining particles 1 and the metal material constituting the via 30 are combined to form a metal matrix composite material. can form

예를 들어, 샌드 블라스트 가공으로 비아홀(12)을 형성한 후에 디스미어 처리를 하지 않고, 비아홀(12)의 내부를 도금으로 금속을 채울 수 있다. 이 때, 도금에 의하여 비아홀(12) 내부에 잔존하는 연마재 입자와 금속 재질이 결합되어, 금속기지 복합재료를 형성할 수 있다.For example, after forming the via hole 12 by sandblasting, the inside of the via hole 12 can be filled with metal by plating without desmearing. At this time, the abrasive particles remaining in the via hole 12 and the metal material are combined by plating, thereby forming a metal matrix composite material.

도 8을 참조하면, 본 실시예의 연마재 입자(1)인 탄화규소는, 비아(30)의 측면, 비아(30)가 제1 패드(20)와 접하는 면 또는 이 둘에 잔존될 수 있다. 이에 따라, 연마재인 탄화규소와 비아(30)의 금속 재질을 결합시켜서 금속기지 복합재료로 이루어지는 복합재료 영역을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 8 , silicon carbide, which is the abrasive particle 1 of the present embodiment, may remain on the side surface of the via 30, the surface where the via 30 contacts the first pad 20, or both. Accordingly, a composite material region composed of a metal matrix composite material may be formed by combining silicon carbide, which is an abrasive, with the metal material of the via 30 .

특히, 비아(30)는 구리로 이루어질 수 있고, 복합재료 영역에는 구리-탄화규소(Cu-SiC) 금속기지 복합재료가 형성될 수 있다.In particular, the via 30 may be made of copper, and a copper-silicon carbide (Cu-SiC) metal matrix composite material may be formed in the composite material region.

한편, 절연층(10)의 타면에 비아(30)와 연결되는 제2 패드(40)가 형성될 수 있다. 이 때, 절연층(10)의 타면에 형성된 제2 패드(40)와 비아(30)가 만나는 면은 복합재료 영역이 형성되지 않을 수 있다. 즉, 비아(30)의 측면 및 하면에는 복합재료 영역이 형성되고, 비아(30)의 상면에는 복합재료 영역이 없이 비아(30)를 이루는 금속과 제2 패드(40)가 연결될 수 있다.Meanwhile, a second pad 40 connected to the via 30 may be formed on the other surface of the insulating layer 10 . In this case, a composite material region may not be formed on a surface where the second pad 40 formed on the other surface of the insulating layer 10 and the via 30 meet. That is, composite material regions are formed on the side and bottom surfaces of the vias 30 , and the metal constituting the vias 30 and the second pad 40 may be connected without the composite material regions on the upper surfaces of the vias 30 .

이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.Although one embodiment of the present invention has been described above, those skilled in the art can add, change, delete, or add components within the scope not departing from the spirit of the present invention described in the claims. The present invention can be variously modified and changed by the like, and this will also be said to be included within the scope of the present invention.

1: 탄화규소 입자
10: 절연층
12: 비아홀
20: 제1 패드
30: 비아
40: 제2 패드1: silicon carbide particles
10: insulating layer
12: via hole
20: first pad
30: via
40: second pad

Claims (12)

비아홀이 형성된 절연층;
상기 절연층에 형성되고, 상기 비아홀의 일측에 배치된 제1 패드; 및
상기 비아홀에 채워지며, 상기 제1 패드에 연결되는 비아를 포함하고,
상기 비아는 금속 재질이고, 상기 비아의 측면 및 상기 제1 패드와 접하는 면에는 금속기지 복합재료(metal matrix composite)로 이루어지는 복합재료 영역이 형성된 인쇄회로기판.
an insulating layer in which via holes are formed;
a first pad formed on the insulating layer and disposed on one side of the via hole; and
A via filled in the via hole and connected to the first pad;
The via is made of a metal material, and a composite material region formed of a metal matrix composite is formed on a side surface of the via and a surface in contact with the first pad.
 제1항에 있어서,
상기 복합재료 영역에서, 복수의 금속 간 입자가 상기 비아의 측면 및 상기 제1 패드와 접하는 면에 분산된 형태를 가지는 인쇄회로기판.
According to claim 1,
In the composite material region, a printed circuit board having a form in which a plurality of intermetallic particles are dispersed on side surfaces of the vias and surfaces in contact with the first pad.
 제2항에 있어서,
상기 복수의 금속 간 입자는, 금속 재질의 상기 비아에서 서로 이격된 점상 형태를 가지는 인쇄회로기판.
According to claim 2,
The plurality of intermetallic particles have a dotted shape spaced apart from each other in the vias made of a metal material.
 제1항에 있어서,
상기 비아는 구리를 포함하여 이루어지고,
상기 복합재료 영역은, 구리-탄화규소(Cu-SiC) 금속기지 복합재료를 포함하여 이루어지는 인쇄회로기판.
According to claim 1,
The via is made of copper,
The composite material region is a printed circuit board comprising a copper-silicon carbide (Cu-SiC) metal matrix composite material.
 제4항에 있어서,
상기 구리-탄화규소(Cu-SiC) 금속기지 복합재료는,
분산된 0.001 내지 50 μm 크기의 탄화규소 입자를 포함하는 인쇄회로기판.
According to claim 4,
The copper-silicon carbide (Cu-SiC) metal matrix composite material,
A printed circuit board comprising dispersed silicon carbide particles having a size of 0.001 to 50 μm.
 제4항에 있어서,
상기 구리-탄화규소(Cu-SiC) 금속기지 복합재료에서,
탄화규소는 0.1 내지 3 중량%를 가지는 인쇄회로기판.
According to claim 4,
In the copper-silicon carbide (Cu-SiC) metal matrix composite material,
Silicon carbide is a printed circuit board having 0.1 to 3% by weight.
 제1항에 있어서,
상기 절연층에 형성되고, 상기 비아홀의 타측에 배치된 제2 패드를 더 포함하고,
상기 비아가 상기 제2 패드와 접하는 면은 상기 금속기지 복합재료를 포함하지 않는 인쇄회로기판.
According to claim 1,
A second pad formed on the insulating layer and disposed on the other side of the via hole;
A surface of the via in contact with the second pad does not include the metal matrix composite material.
 일면에 제1 패드가 형성된 절연층을 준비하는 단계;
샌드 블라스트(Sand blast) 가공으로 상기 절연층을 선택적으로 제거하여, 상기 제1 패드가 노출되는 비아홀을 형성하는 단계;
상기 비아홀을 금속 재질로 채워서 비아를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 비아의 측면 및 상기 제1 패드와 접하는 면 중 적어도 어느 하나에, 샌드 블라스트 가공에 사용되는 연마재 입자와 상기 비아의 금속 재질을 결합시켜서 금속기지 복합재료(metal matrix composite)로 이루어지는 복합재료 영역을 형성하는 인쇄회로기판 제조방법.
preparing an insulating layer having a first pad formed on one surface thereof;
forming a via hole through which the first pad is exposed by selectively removing the insulating layer through a sand blast process;
Forming a via by filling the via hole with a metal material;
A composite material region made of a metal matrix composite by combining abrasive particles used for sandblasting and a metal material of the via on at least one of the side surface of the via and the surface in contact with the first pad, Forming a printed circuit board manufacturing method.
 제8항에 있어서,
상기 비아를 형성하는 단계는, 상기 비아홀의 내부를 도금하고,
상기 도금에 의해, 상기 비아홀 내부에 잔존하는 상기 연마재 입자와 상기 금속 재질이 결합되어 상기 금속기지 복합재료를 형성하는 인쇄회로기판 제조방법.
According to claim 8,
In the forming of the via, the inside of the via hole is plated,
The method of manufacturing a printed circuit board in which the abrasive particles remaining in the via hole and the metal material are combined by the plating to form the metal matrix composite material.
 제8항에 있어서,
상기 비아는 구리를 포함하여 이루어지고, 상기 연마재 입자는 탄화규소 입자를 포함하고,
상기 복합재료 영역은, 구리-탄화규소(Cu-SiC) 금속기지 복합재료를 포함하여 이루어지는 인쇄회로기판 제조방법.
According to claim 8,
The vias include copper, the abrasive particles include silicon carbide particles,
The composite material region is a printed circuit board manufacturing method comprising a copper-silicon carbide (Cu-SiC) metal matrix composite material.
 제8항에 있어서,
상기 절연층을 준비하는 단계는,
금속 적층판의 일면에 상기 제1 패드를 형성하는 단계;
상기 금속 적층판의 일면에 절연층을 적층하는 단계를 포함하는 인쇄회로기판 제조방법.
According to claim 8,
Preparing the insulating layer,
forming the first pad on one surface of the metal laminate;
A method of manufacturing a printed circuit board comprising the step of laminating an insulating layer on one surface of the metal laminate.
 제8항에 있어서,
상기 절연층의 타면에 상기 비아와 연결되는 제2 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 인쇄회로기판 제조방법.
According to claim 8,
The method of manufacturing a printed circuit board further comprising forming a second pad connected to the via on the other surface of the insulating layer.
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