KR102568849B1 - self-assembled conductive bonding compound for LED chip bonding having excellent printability, LED chip-circuit board bonding module comprising the same and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물, 이를 포함하는 LED 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 LED 칩과 회로기판을 240 ~ 260℃의 온도에서 전기적, 물리적 및 화학적으로 접합시킬 수 있는 인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물, 이를 포함하는 LED 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a self-fusing conductive connection composition for bonding LED chips with excellent printability, an LED chip-circuit board bonding module including the same, and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a 240 to 260 It relates to a self-fusion type conductive connection composition for bonding LED chips with excellent printability that can be electrically, physically and chemically bonded at a temperature of °C, an LED chip-circuit board bonding module including the same, and a manufacturing method thereof.

Description

인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물, 이를 포함하는 LED 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법{self-assembled conductive bonding compound for LED chip bonding having excellent printability, LED chip-circuit board bonding module comprising the same and manufacturing method thereof}Self-assembled conductive bonding compound for LED chip bonding having excellent printability, LED chip-circuit board bonding module including the same, and manufacturing method thereof module comprising the same and manufacturing method thereof}

본 발명은 인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물, 이를 포함하는 LED 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 LED 칩과 회로기판을 240 ~ 260℃의 온도에서 전기적, 물리적 및 화학적으로 접합시킬 수 있는 인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물, 이를 포함하는 LED 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a self-fusing conductive connection composition for bonding LED chips with excellent printability, an LED chip-circuit board bonding module including the same, and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a 240 to 260 It relates to a self-fusion type conductive connection composition for bonding LED chips with excellent printability that can be electrically, physically and chemically bonded at a temperature of °C, an LED chip-circuit board bonding module including the same, and a manufacturing method thereof.

일반적으로, 발광 다이오드(이하, LED) 칩(chip)의 패키징(packaging) 공정을 수행하는 과정 중 하나로서 LED 칩과 기판 또는 리드프레임을 연결하여 전기적으로 접속시키는 공정이 수행되며, LED 칩과 기판 또는 리드프레임을 연결하여 전기적으로 접속시키는 방법으로 와이어 본딩(Wire Bonding) 방법, 솔더페이스트(solder paste)를 이용한 솔더링 방법, 플립 칩 본딩(flip chip bonding) 방법(= LED 칩 하단의 전극패드와 기판의 전극을 열압착하여 붙이는 방식) 등이 수행되고 있다.In general, as one of the processes of performing a packaging process of a light emitting diode (hereinafter referred to as LED) chip, a process of electrically connecting an LED chip and a substrate or a lead frame by connecting it is performed, and the LED chip and the substrate Alternatively, as a method of connecting lead frames electrically, wire bonding method, soldering method using solder paste, flip chip bonding method (= electrode pad at the bottom of the LED chip and substrate) The method of attaching the electrodes by thermocompression bonding), etc. are being performed.

와이어 본딩(Wire Bonding) 방법은 금(Au)을 사용하여 와이어(Wire) 형태로 LED 칩과 기판 또는 리드프레임을 연결하는 방법으로, 금 와이어의 가격이 비쌀 뿐만 아니라, 마이크로 크기의 칩을 하나씩 연결하는 공정측면에서도 비용과 생산성 저하 등의 문제가 있다. 따라서, 일반적으로 솔더페이스트(solder paste)를 이용한 솔더링 방법이나 플립칩 본딩 방법을 이용하여 LED 칩과 기판 또는 리드프레임을 연결하는 실정이다.The wire bonding method is a method of connecting an LED chip and a board or lead frame in the form of a wire using gold (Au). The gold wire is not only expensive, but also connects micro-sized chips one by one. In terms of the process, there are problems such as cost and productivity decrease. Therefore, in general, a soldering method using a solder paste or a flip chip bonding method is used to connect the LED chip and the board or lead frame.

최근에는 도전볼을 이용한 이방 도전성 필름(이하 ACF)을 적용하여 기판과 LED Chip을 접속시키려는 시도가 이루어지고 있다Recently, attempts have been made to connect the board and the LED chip by applying an anisotropic conductive film (ACF) using a conductive ball.

ACF는 수㎛ 크기의 도전볼을 경화성 수지에 고르게 분산하여 만든 필름이며, 전자부품에 접속용 접합제로 사용 시 전기적 연결이 필요한 전극 사이에 위치 시킨 후 가열 및 가압하여 전극과 전극사이에 위치하여 도전볼과 전극이 물리적으로 접촉하는 접점을 통하여 전기적 접속을 구현한다. 따라서 전극의 전체 면적에 접합하여 접속하는 솔더페이스트 대비 전기적 특성이 저하되는 단점이 있다. ACF is a film made by evenly dispersing several μm-sized conductive balls in curable resin. When used as a bonding agent for connecting electronic parts, it is placed between electrodes that require electrical connection, then heated and pressurized to conduct electricity between electrodes. Electrical connection is realized through the contact point where the ball and the electrode physically contact. Therefore, there is a disadvantage in that electrical characteristics are lowered compared to solder paste that is connected by bonding to the entire area of the electrode.

뿐만 아니라 ACF는 고가의 금속인 금을 매우 작은 수㎛ 크기의 균일한 플라스틱 볼에 도금을 통해서 만들어지며, 몇몇 특정 제조사에서만 만들어 공급되는 도전볼을 사용하기 때문에 일반적으로 LED 칩(Chip) 접속공정에 사용되는 솔더페이스트(solder paste) 대비 매우 고가이다. 뿐만 아니라 일반적으로 ACF는 수mm 폭의 회로를 접속시키는데 사용되어 가열가압 장비 또한 그에 맞춰져 있으므로 디스플레이(display) 패널 크기에 적용 시 새로운 장비 투자가 필요하다는 단점이 있다.In addition, ACF is made by plating gold, an expensive metal, on a very small, uniform plastic ball with a size of several micrometers. It is very expensive compared to the used solder paste. In addition, ACF is generally used to connect circuits with a width of several mm, and heating and press equipment is also tailored thereto, so there is a disadvantage in that new equipment investment is required when applied to the size of a display panel.

한편, 현재 디스플레이 분야에서 화질이 우수할 뿐만 아니라 화면 응답 속도가 우수한 OLED(Organic Light Emitting Diodes)가 현재 가장 유망한 기술로 여겨지고 있으며, OLED 기술을 이어갈 차세대 기술로 미니-마이크로(Mini-micro) LED 기술이 각광을 받고 있다.On the other hand, OLED (Organic Light Emitting Diodes), which not only has excellent picture quality but also excellent screen response speed, is currently considered the most promising technology in the display field, and mini-micro LED technology is a next-generation technology that will continue OLED technology. This is getting popular.

미니-마이크로 LED는 OLED를 보다 두께가 얇고, 더 높은 전력효율, 더 높은 해상도를 구현할 수 있으며, 버닝(Burn in) 현상을 개선할 수 있는 장점이 있다.Mini-micro LED has the advantage of being able to implement a thinner OLED, higher power efficiency, and higher resolution, and improving the burn-in phenomenon.

미니-마이크로 LED는 앞서 언급한 칩(chip)의 크기가 300㎛ 이상인 LED와 달리 칩의 크기가 대략 30 ~ 300㎛으로, 대략 20 ~ 250㎛의 극미세 피치(pitch ; 미니-마이크로 LED칩에 형성된 단자의 중심선과 이웃하는 단자의 중심선 간의 거리)가 형성되어 있다.Mini-micro LED has a chip size of about 30 ~ 300㎛, unlike the aforementioned LED whose chip size is 300㎛ or more, and a very fine pitch of about 20 ~ 250㎛; mini-micro LED chip The distance between the center line of the formed terminal and the center line of the adjacent terminal) is formed.

미니-마이크로 LED 칩과 기판을 연결하여 전기적으로 접속시키기 위해 앞서 언급한 일반적인 솔더페이스트를 이용한 솔더링 방법(= LED 칩에 형성된 단자에 극소량의 페이스트를 도포하여 기판 또는 리드프레임을 연결하는 방법)을 이용하게 된다면, 미니-마이크로 LED 칩의 피치가 좁기 때문에 쇼트(short)가 발생하는 문제점이 있다. 또한, 플립 칩 본딩 방법을 이용하여, 미니-마이크로 LED 칩과 기판 또는 리드프레임을 연결하는 경우에는 플립 칩 본딩 방법이 고온의 열압착 공정이 수행되기 때문에 미니-마이크로 LED 칩의 손상이 발생하는 문제가 있다. In order to electrically connect the mini-micro LED chip and the board, the above-mentioned soldering method using a general solder paste (= a method of applying a very small amount of paste to the terminal formed on the LED chip to connect the board or lead frame) is used. If so, there is a problem in that a short occurs because the pitch of the mini-micro LED chip is narrow. In addition, when the mini-micro LED chip and the board or lead frame are connected using the flip-chip bonding method, the mini-micro LED chip is damaged because the flip-chip bonding method performs a high-temperature thermal compression process. there is

따라서, 극미세 피치가 형성된 미니-마이크로 LED 칩을 기판 또는 리드프레임에 연결할 때, LED 칩에 손상이 없이 연결가능한 접속 소재 및 접촉방법이 필요한 실정이다.Therefore, when connecting a mini-micro LED chip having a very fine pitch to a substrate or a lead frame, there is a need for a connection material and a contact method that can be connected without damaging the LED chip.

한국 등록특허번호 제10-1618878호(공개일 : 2011.06.16)Korean Registered Patent No. 10-1618878 (published date: 2011.06.16)

본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로, LED 칩과 회로기판을 240 ~ 260℃의 온도에서 본딩하는데 있어서, 접착력이 우수할 뿐만 아니라, 전기적 특성도 우수하고, 인쇄성, 절연성 및 자가융착성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물, 이를 포함하는 LED 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.The present invention has been devised in view of the above points, and in bonding an LED chip and a circuit board at a temperature of 240 to 260 ° C, not only excellent adhesive strength, but also excellent electrical characteristics, printability, insulation and self An object of the present invention is to provide a self-fusing type conductive connection composition for bonding LED chips with excellent adhesion, an LED chip-circuit board bonding module including the same, and a manufacturing method thereof.

상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물은 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지, 180 ~ 230℃의 융점을 가지는 도전성 입자, 환원제 및 반응성 희석제를 포함할 수 있다.In order to solve the above problems, the self-fusion type conductive connection composition for LED chip bonding with excellent printability of the present invention is an alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin containing an organic functional group, conductive particles having a melting point of 180 to 230 ° C, a reducing agent and a reactive Diluents may be included.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어서, 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the organic functional group-containing alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin may include a compound represented by Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

상기 화학식 1에 있어서, R1, R2, R11, R12, R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기이고, E는 C3 ~ C30의 알킬렌기이며, A1 및 A2는 각각 독립적으로 이고, R15 및 R16은 각각 독립적으로 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기이며, R17은 또는 이고, R18은 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기이며, G1 및 G2는 각각 독립적으로 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2CH2-이고, A5 및 A6은 각각 독립적으로 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2-이며, n은 1 ~ 10을 만족하는 유리수이다.In Formula 1, R 1 , R 2 , R 11 , R 12 , R 13 and R 14 are each independently a hydrogen atom, a C1 to C12 linear alkyl group, or a C3 to C12 branched alkyl group, and E is C3 ~ C30 alkylene group, A 1 and A 2 are each independently And, R 15 and R 16 are each independently a hydrogen atom, a C1 to C12 linear alkyl group or a C3 to C12 branched alkyl group, and R 17 is or And, R 18 is a hydrogen atom, a C1 ~ C12 linear alkyl group or a C3 ~ C12 branched alkyl group, G 1 and G 2 are each independently -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - or -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, A 5 and A 6 are each independently -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - or -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, n is a rational number that satisfies 1 to 10.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어서, 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the organic functional group-containing alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin may include a compound represented by Formula 2 below.

[화학식 2][Formula 2]

상기 화학식 2에 있어서, A7는 이고, A8는 이며, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기이고, E는 C3 ~ C30의 알킬렌기이며, A1, A2, A3 및 A4는 각각 독립적으로 이고, R15 및 R16은 각각 독립적으로 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기이며, R17은 또는 이고, R18은 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기이며, G1 및 G2는 각각 독립적으로 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2CH2-이고, A5 및 A6은 각각 독립적으로 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2-이며, n, m 및 l은 각각 독립적으로 1 ~ 10을 만족하는 유리수이다.In Formula 2, A 7 is , and A 8 is And, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 and R 14 are each independently a hydrogen atom, A C1 ~ C12 straight chain alkyl group or a C3 ~ C12 branched alkyl group, E is a C3 ~ C30 alkylene group, A 1 , A 2 , A 3 and A 4 are each independently And, R 15 and R 16 are each independently a hydrogen atom, a C1 to C12 linear alkyl group or a C3 to C12 branched alkyl group, and R 17 is or And, R 18 is a hydrogen atom, a C1 ~ C12 linear alkyl group or a C3 ~ C12 branched alkyl group, G 1 and G 2 are each independently -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - or -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, A 5 and A 6 are each independently -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - or -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, n, m and l are rational numbers each independently satisfying 1 to 10.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어서, 환원제는 카복시기(carboxyl group)를 1개 이상 가지는 아비에트산(abietic acid), 프로피온산(propionic acid), 다이메틸올프로피온산(Dimethylol propionic acid), 옥살산(oxalic acid), 말론산(malonic acid), 말레산(maleic acid), 숙신산(succinic acid), 글루타르산(glutaric acid), 아디프산(adipic acid), 피멜산(pimelic acid), 수베르산(suberic acid), 세바스산(sebacic acid), 이타콘산(itaconic acid), 시트르산(citric acid), 활성화 로진 및 비활성화 로진 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the reducing agent is abietic acid, propionic acid, dimethylol propionic acid, oxalic acid having at least one carboxyl group. acid), malonic acid, maleic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid ( suberic acid), sebacic acid, itaconic acid, citric acid, activated rosin, and deactivated rosin.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어서, 환원제는 아디프산 및 숙신산을 1 : 0.71 ~ 1.07 중량비로 포함할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the reducing agent may include adipic acid and succinic acid in a weight ratio of 1:0.71 to 1.07.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어서, 반응성 희석제는 지방족 에폭시 수지를 포함할 수 있다.In one preferred embodiment of the present invention, the reactive diluent may include an aliphatic epoxy resin.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어서, 자가융착형 도전접속 조성물은 전체 중량%에 대하여, 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지 6.86 ~ 10.3 중량%, 도전성 입자 64.0 ~ 96.0 중량%, 환원제 5.44 ~ 8.16 중량% 및 반응성 희석제 3.24 ~ 4.88 중량%로 포함할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the self-fusion type conductive connection composition contains 6.86 to 10.3% by weight of an organic functional group-containing alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin, 64.0 to 96.0% by weight of conductive particles, and 5.44 to 8.16% by weight of a reducing agent, based on the total weight%. % by weight and 3.24 to 4.88% by weight of the reactive diluent.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어서, 자가융착형 도전접속 조성물은 칙소제를 더 포함할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the self-fusion type conductive connection composition may further include a thixotropic agent.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어서, 도전성 입자의 입경은 2 ~ 75㎛일 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the particle diameter of the conductive particles may be 2 ~ 75㎛.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어서, 자가융착형 도전접속 조성물은 LED 칩과 회로기판을 접합할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the self-fusing type conductive connection composition can bond an LED chip and a circuit board.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어서, 자가융착형 도전접속 조성물은 페이스트(paste)일 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the self-fusion type conductive connection composition may be a paste.

한편, 본 발명의 LED 칩-회로기판 본딩 모듈은 일면에 복수의 제1단자가 형성된 적어도 하나 이상의 LED 칩, 상기 제1단자에 대향하여 일면에 복수의 제2단자가 형성된 회로기판 및 상기 LED 칩과 상기 회로기판 사이에 개재되어 LED 칩과 회로기판을 전기적으로 연결하는 본 발명의 자가융착형 도전접속 조성물을 포함할 수 있다.On the other hand, the LED chip-circuit board bonding module of the present invention includes at least one LED chip having a plurality of first terminals formed on one surface, a circuit board having a plurality of second terminals formed on one surface opposite to the first terminals, and the LED chip. and the self-fusion type conductive connection composition of the present invention interposed between the circuit board to electrically connect the LED chip and the circuit board.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어서, 회로기판은 유리회로기판, 인쇄회로기판(PCB), 금속 인쇄회로기판(Metal PCB) 또는 연성인쇄회로기판(FPCB)일 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the circuit board may be a glass circuit board, a printed circuit board (PCB), a metal printed circuit board (Metal PCB) or a flexible printed circuit board (FPCB).

나아가, 본 발명의 LED 칩-회로기판 본딩 모듈을 제조하는 방법은 일면에 복수의 제1단자가 형성된 적어도 하나 이상의 LED 칩과 일면에 복수의 제2단자가 형성된 회로기판을 준비하는 제1단계, 회로기판의 복수의 제2단자가 형성된 일면에 본 발명의 자가융착형 도전접속 조성물을 인쇄하는 제2단계, 상기 복수의 제2단자에 대향하여 상기 LED 칩의 복수의 제1단자를 마주보게 배치시키고, 상기 자가융착형 도전접속 조성물 일면에 LED 칩을 가접착시키는 제3단계 및 상기 자가융착형 도전접속 조성물을 240 ~ 260℃의 온도로 열처리하는 제4단계를 포함할 수 있다.Furthermore, the method of manufacturing the LED chip-circuit board bonding module of the present invention is a first step of preparing at least one LED chip having a plurality of first terminals formed on one surface and a circuit board having a plurality of second terminals formed on one surface, A second step of printing the self-fusing type conductive connection composition of the present invention on one surface of a circuit board on which a plurality of second terminals are formed, and arranging the plurality of first terminals of the LED chip facing the plurality of second terminals. and a third step of temporarily attaching an LED chip to one surface of the self-fusion-type conductive connection composition and a fourth step of heat-treating the self-fusion-type conductive connection composition at a temperature of 240 to 260 ° C.

본 발명의 인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물은 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지를 포함함으로서, 유리와 같은 무기 피착 기재뿐만 아니라, LED 칩 및 회로기판에 형성된 단자에 사용되는 금속과의 접착력이 우수하고, 인쇄성, 디스펜싱 특성, 절연성 및 자가융착성이 우수하다.The self-fusing conductive connection composition for bonding LED chips with excellent printability of the present invention includes an alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin containing an organic functional group, and is used for terminals formed on LED chips and circuit boards as well as inorganic substrates such as glass. It has excellent adhesion with the metal to be used, and excellent printability, dispensing characteristics, insulation and self-adhesiveness.

또한, 본 발명의 LED 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법은 안정적인 전기적 도통 특성을 구현할 뿐만 아니라, LED 칩에 압력을 가하지 않으므로서, LED 칩에 가해지는 물리적 데미지를 최소화할 수 있다.In addition, the LED chip-circuit board bonding module and its manufacturing method of the present invention not only implement stable electrical conduction characteristics, but also minimize physical damage applied to the LED chip by not applying pressure to the LED chip.

도 1은 본 발명의 자가융착형 도전접속 조성물(Self-assembled conductive bonding compound)의 도통 구현방식을 개략적으로 나타내고, 도전성 입자가 열처리 과정에서 용융되어, LED 칩의 제1단자들과 회로기판의 제2단자들에 각각 분산응집되어, LED 칩과 회로기판 간의 전기적 도통이 이루어진 것을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일구현예에 따른 LED 칩의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일구현예에 따른 LED 칩-회로기판 본딩 모듈의 단면도이다.1 schematically shows a method of implementing conduction of a self-assembled conductive bonding compound of the present invention, and conductive particles are melted in a heat treatment process to form first terminals of an LED chip and a circuit board. It is a view showing that electrical conduction between the LED chip and the circuit board is made by dispersing and aggregating each of the two terminals.
2 is a cross-sectional view of an LED chip according to a preferred embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of an LED chip-circuit board bonding module according to a preferred embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부가한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. This invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly describe the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and the same reference numerals are added to the same or similar components throughout the specification.

도 1을 참조하여 본 발명의 인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물의 도통 구현방식을 설명하면, 본 발명의 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물(Self-assembled conductive bonding compound)(100)은 압력의 가함이 없이 열처리 만으로 도전성 입자(conductive particle)(1)가 용융되고, 용융된 도전성 입자(1)는 LED 칩(20)의 제1단자(전극 부위 ; electrode)(21)와 회로기판(10)의 제2단자(전극 부위 ; electrode)(11)에만 선택적으로 자가 융착하는 효과가 발생한다. 이 때, 본 발명의 자가융착형 도전접속 조성물(100)의 도전성 입자(1)를 제외한 구성 성분 부분에는 잔류된 도전성 입자(1)가 없어 접착력이 우수하고, 접속저항은 낮을 뿐만 아니라 절연성이 우수하다.Referring to FIG. 1, the conduction implementation method of the self-fusion conductive bonding composition for bonding LED chips having excellent printability according to the present invention will be described. ) (100), the conductive particle (1) is melted only by heat treatment without applying pressure, and the melted conductive particle (1) is the first terminal (electrode portion; electrode) (21 ) and the second terminal (electrode portion; electrode) 11 of the circuit board 10, the effect of selective self-fusion occurs. At this time, there is no conductive particle 1 remaining in the component parts except for the conductive particle 1 of the self-fusion type conductive connection composition 100 of the present invention, so the adhesive strength is excellent, the connection resistance is low, and the insulation property is excellent. do.

또한, 도 2를 참조하면, 본 발명의 LED 칩(20)은 칩의 크기(a)가 20 ~ 300㎛, 바람직하게는 30 ~ 250㎛, 더욱 바람직하게는 40 ~ 200㎛, 더더욱 바람직하게는 40 ~ 200㎛인 LED 칩으로서, LED 칩(20)의 피치(pitch)(b)는 10 ~ 200㎛, 바람직하게는 15 ~ 150㎛, 더욱 바람직하게는 20 ~ 100㎛, 더더욱 바람직하게는 20 ~ 70㎛, 더더더욱 바람직하게는 20 ~ 50㎛일 수 있다. 피치(b)는 LED 칩(20)에 형성된 제1단자(21)의 중심선과 이웃하는 제1단자(21)의 중심선 간의 거리(pitch)를 나타낸다.In addition, referring to FIG. 2, the LED chip 20 of the present invention has a chip size (a) of 20 to 300 μm, preferably 30 to 250 μm, more preferably 40 to 200 μm, still more preferably As an LED chip of 40 ~ 200㎛, the pitch (pitch) (b) of the LED chip 20 is 10 ~ 200㎛, preferably 15 ~ 150㎛, more preferably 20 ~ 100㎛, still more preferably 20 ~ 70 μm, more preferably 20 ~ 50 μm. The pitch (b) represents the distance (pitch) between the center line of the first terminal 21 formed on the LED chip 20 and the center line of the adjacent first terminal 21 .

또한, LED 칩(20)에 형성된 제1단자(21)의 크기(d)는 5 ~ 100㎛, 바람직하게는 10 ~ 100㎛, 더욱 바람직하게는 10 ~ 70㎛, 더더욱 바람직하게는 10 ~ 30㎛일 수 있다. 또한, LED 칩(20)에 형성된 제1단자(21)의 높이(c)는 0.1 ~ 4㎛, 바람직하게는 1 ~ 3㎛일 수 있다.In addition, the size (d) of the first terminal 21 formed on the LED chip 20 is 5 to 100 μm, preferably 10 to 100 μm, more preferably 10 to 70 μm, still more preferably 10 to 30 μm. μm. In addition, the height (c) of the first terminal 21 formed on the LED chip 20 may be 0.1 to 4 μm, preferably 1 to 3 μm.

본 발명의 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물은 LED 칩과 회로기판을 접합할 수 있다. 또한, 본 발명의 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물은 페이스트(paste) 또는 필름(film)의 형태를 가질 수 있고 바람직하게는 페이스트의 형태를 가질 수 있다.The self-fusion type conductive connection composition for bonding LED chips of the present invention can bond LED chips and circuit boards. In addition, the self-fusion type conductive connection composition for bonding LED chips of the present invention may have a paste or film form, and preferably may have a paste form.

본 발명의 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물은 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지 및 도전성 입자를 포함한다.The self-fusion type conductive connection composition for LED chip bonding of the present invention includes an alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin containing an organic functional group and conductive particles.

먼저, 본 발명의 유기관능기(organofunctional group) 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지는 수첨 에폭시 수지, 다이머(dimer) 및 유기관능기 함유 알콕시 실란이 반응 및 합성하여 제조된 수지로서, 본 발명의 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물은 유기관능기(organofunctional group) 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지를 포함함으로서, PCB, FPCB와 같이 유기소재로 된 회로기판 뿐만 아니라, 유리와 같은 무기 피착 기재, LED 칩 및 회로기판에 형성된 단자에 사용되는 금속과의 접착력이 우수하고, 인쇄성, 디스펜싱 특성, 절연성 및 자가융착성이 우수할 수 있다.First, the organofunctional group-containing alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin of the present invention is a resin prepared by reacting and synthesizing a hydrogenated epoxy resin, a dimer, and an organic functional group-containing alkoxysilane, and is used for bonding LED chips of the present invention. The self-fusing type conductive connection composition contains an alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin containing an organofunctional group, so that it can be applied not only to circuit boards made of organic materials such as PCBs and FPCBs, but also to inorganic substrates such as glass, LED chips, and circuit boards. Adhesion with the metal used for the terminal formed in the terminal may be excellent, and printability, dispensing characteristics, insulation, and self-adhesiveness may be excellent.

또한, 본 발명의 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In addition, the organic functional group-containing alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin of the present invention may include a compound represented by Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

상기 화학식 1에 있어서, R1, R2, R11, R12, R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기, 바람직하게는 수소원자 또는 C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기, 더욱 바람직하게는 수소원자 또는 C1 ~ C3의 직쇄형 알킬기이다.In Formula 1, R 1 , R 2 , R 11 , R 12 , R 13 and R 14 are each independently a hydrogen atom, a C1 to C12 linear alkyl group or a C3 to C12 branched alkyl group, preferably hydrogen. It is an atom or a C1-C12 linear alkyl group, more preferably a hydrogen atom or a C1-C3 linear alkyl group.

또한, 상기 화학식 1에 있어서, E는 C3 ~ C30의 알킬렌기, 바람직하게는 C10 ~ C20의 알킬렌기, 더욱 바람직하게는 C16 ~ C18의 알킬렌기이다.In Formula 1, E is a C3-C30 alkylene group, preferably a C10-C20 alkylene group, more preferably a C16-C18 alkylene group.

또한, 상기 화학식 1에 있어서, A1 및 A2는 각각 독립적으로 이다.In addition, in Formula 1, A 1 and A 2 are each independently am.

또한, 상기 화학식 1에 있어서, R15 및 R16은 각각 독립적으로 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기, 바람직하게는 수소원자 또는 C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기, 더욱 바람직하게는 수소원자 또는 C1 ~ C3의 직쇄형 알킬기이다.In Formula 1, R 15 and R 16 are each independently a hydrogen atom, a C1 to C12 straight-chain alkyl group, or a C3 to C12 branched alkyl group, preferably a hydrogen atom or a C1-C12 straight-chain alkyl group, More preferably, it is a hydrogen atom or a C1-C3 linear alkyl group.

또한, 상기 화학식 1에 있어서, R17은 또는 , 바람직하게는 이다. In addition, in Formula 1, R 17 is or , preferably am.

또한, 상기 화학식 1에 있어서, R18은 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기, 바람직하게는 수소원자 또는 C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기, 더욱 바람직하게는 수소원자 또는 C1 ~ C3의 직쇄형 알킬기이다.In Formula 1, R 18 is a hydrogen atom, a C1-C12 straight-chain alkyl group or a C3-C12 branched alkyl group, preferably a hydrogen atom or a C1-C12 straight-chain alkyl group, more preferably a hydrogen atom. or a C1-C3 straight-chain alkyl group.

또한, 상기 화학식 1에 있어서, G1 및 G2는 각각 독립적으로 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2CH2-, 바람직하게는 -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2-이다.In Formula 1, G 1 and G 2 are each independently -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - or -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, preferably -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - or -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -.

또한, 상기 화학식 1에 있어서, A5 및 A6은 각각 독립적으로 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2-, 바람직하게는 -CH2-, -CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2-이다.In Formula 1, A 5 and A 6 are each independently -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - or - CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, preferably -CH 2 -, -CH 2 CH 2 - or -CH 2 CH 2 CH 2 -.

또한, 상기 화학식 1에 있어서, n은 1 ~ 10, 바람직하게는 1 ~ 5을 만족하는 유리수이다.In addition, in Formula 1, n is a rational number that satisfies 1 to 10, preferably 1 to 5.

또한, 본 발명의 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In addition, the organic functional group-containing alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin of the present invention may include a compound represented by Formula 2 below.

[화학식 2][Formula 2]

상기 화학식 2에 있어서, A7는 이다.In Formula 2, A 7 is am.

또한, 상기 화학식 2에 있어서, A8는 이다.In addition, in Formula 2, A 8 is am.

또한, 상기 화학식 2에 있어서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기, 바람직하게는 수소원자 또는 C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기, 더욱 바람직하게는 수소원자 또는 C1 ~ C3의 직쇄형 알킬기이다.In Formula 2, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 and R 14 are Each independently a hydrogen atom, a C1-C12 straight-chain alkyl group or a C3-C12 branched alkyl group, preferably a hydrogen atom or a C1-C12 straight-chain alkyl group, more preferably a hydrogen atom or a C1-C3 straight-chain alkyl group am.

또한, 상기 화학식 2에 있어서, E는 C3 ~ C30의 알킬렌기, 바람직하게는 C10 ~ C20의 알킬렌기, 더욱 바람직하게는 C16 ~ C18의 알킬렌기이다.In Formula 2, E is a C3-C30 alkylene group, preferably a C10-C20 alkylene group, more preferably a C16-C18 alkylene group.

또한, 상기 화학식 2에 있어서, A1, A2, A3 및 A4는 각각 독립적으로 이다.In addition, in Formula 2, A 1 , A 2 , A 3 and A 4 are each independently am.

또한, 상기 화학식 2에 있어서, R15 및 R16은 각각 독립적으로 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기, 바람직하게는 수소원자 또는 C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기, 더욱 바람직하게는 수소원자 또는 C1 ~ C3의 직쇄형 알킬기이다.In Formula 2, R 15 and R 16 are each independently a hydrogen atom, a C1 to C12 linear alkyl group, or a C3 to C12 branched alkyl group, preferably a hydrogen atom or a C1 to C12 linear alkyl group, More preferably, it is a hydrogen atom or a C1-C3 linear alkyl group.

또한, 상기 화학식 2에 있어서, R17은 또는 , 바람직하게는 이다. In addition, in Formula 2, R 17 is or , preferably am.

또한, 상기 화학식 2에 있어서, R18은 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기, 바람직하게는 수소원자 또는 C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기, 더욱 바람직하게는 수소원자 또는 C1 ~ C3의 직쇄형 알킬기이다.In Formula 2, R 18 is a hydrogen atom, a C1-C12 straight-chain alkyl group or a C3-C12 branched alkyl group, preferably a hydrogen atom or a C1-C12 straight-chain alkyl group, more preferably a hydrogen atom. or a C1-C3 straight-chain alkyl group.

또한, 상기 화학식 2에 있어서, G1 및 G2는 각각 독립적으로 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2CH2-, 바람직하게는 -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2-이다.In Formula 2, G 1 and G 2 are each independently -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - or -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, preferably -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - or -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -.

또한, 상기 화학식 2에 있어서, A5 및 A6은 각각 독립적으로 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2-, 바람직하게는 -CH2-, -CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2-이다.In Formula 2, A 5 and A 6 are each independently -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - or - CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, preferably -CH 2 -, -CH 2 CH 2 - or -CH 2 CH 2 CH 2 -.

또한, 상기 화학식 2에 있어서, n, m 및 l은 각각 독립적으로 1 ~ 10, 바람직하게는 1 ~ 5을 만족하는 유리수이다.In Formula 2, n, m and l are rational numbers independently of 1 to 10, preferably 1 to 5.

또한, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 가장 바람직하게 하기 화학식 2-1로 표시되는 화합물일 수 있다.In addition, the compound represented by Chemical Formula 2 may be most preferably a compound represented by Chemical Formula 2-1 below.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

상기 화학식 2-1에 있어서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1 ~ C3의 직쇄형 알킬기이고, E는 C16 ~ C18의 알킬렌기이며, A1, A2, A3 및 A4는 각각 독립적으로 이고, R15 및 R16은 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1 ~ C3의 직쇄형 알킬기이며, R17은 이고, R18은 수소원자 또는 C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기, 더욱 바람직하게는 수소원자 또는 C1 ~ C3의 직쇄형 알킬기이며, G1 및 G2는 각각 독립적으로 -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2-이고, A5 및 A6은 각각 독립적으로 -CH2-, -CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2-이며, n, m 및 l은 각각 독립적으로 1 ~ 5을 만족하는 유리수이다.In Formula 2-1, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 and R 14 are Each independently represents a hydrogen atom or a C1-C3 linear alkyl group, E is a C16-C18 alkylene group, A 1 , A 2 , A 3 and A 4 are each independently And, R 15 and R 16 are each independently a hydrogen atom or a C1 to C3 linear alkyl group, and R 17 is And, R 18 is a hydrogen atom or a C1 ~ C12 linear alkyl group, more preferably a hydrogen atom or a C1 ~ C3 linear alkyl group, G 1 and G 2 are each independently -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - or -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, and A 5 and A 6 are each independently -CH 2 -, -CH 2 CH 2 - or -CH 2 CH 2 CH 2 -, and n, m and l are rational numbers each independently satisfying 1 to 5.

또한, 본 발명의 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지는 본 발명의 자가융착형 도전접속 조성물 전체 중량%에 대하여, 6.86 ~ 10.3 중량%, 바람직하게는 7.72 ~ 9.43 중량%, 더욱 바람직하게는 8.15 ~ 9.01 중량%로 포함할 수 있으며, 만일 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지가 6.86 중량% 미만으로 포함하면 본 발명의 자가융착형 도전접속 조성물이 쇼트(short) 불량이 발생하는 문제가 있을 수 있고, 10.3 중량%를 초과하여 포함한다면 본 발명의 자가융착형 도전접속 조성물 포함하는 LED 칩-회로기판 본딩 모듈이 전기적 특성 저하 및 공정성에서 불량이 발생하는 문제가 있을 수 있다.In addition, the organic functional group-containing alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin of the present invention is 6.86 to 10.3% by weight, preferably 7.72 to 9.43% by weight, more preferably 8.15 ~ 9.01% by weight, and if the organic functional group-containing alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin is included in less than 6.86% by weight, the self-bonding conductive connection composition of the present invention may have a problem of short circuit failure. And, if it contains more than 10.3% by weight, the LED chip-circuit board bonding module including the self-fusing type conductive connection composition of the present invention may have problems in that electrical characteristics deteriorate and defects occur in fairness.

다음으로, 본 발명의 도전성 입자는 LED 칩과 회로기판을 전기적으로 도통시키는 물질로서, 180 ~ 230℃의 융점, 바람직하게는 190 ~ 225℃의 융점, 더욱 바람직하게는 210 ~ 220℃의 융점을 가질 수 있다.Next, the conductive particle of the present invention is a material that electrically conducts the LED chip and the circuit board, and has a melting point of 180 to 230 ° C, preferably 190 to 225 ° C, more preferably 210 to 220 ° C. can have

또한, 본 발명의 도전성 입자는 본 발명의 자가융착형 도전접속 조성물 전체 중량%에 대하여, 64.0 ~ 96.0 중량%, 바람직하게는 72.0 ~ 88.0 중량%, 더욱 바람직하게는 76.0 ~ 84.0 중량%로 포함할 수 있으며, 만일 도전성 입자가 64.0 중량% 미만으로 포함하면 미도통의 문제가 있을 수 있고, 96.0 중량%를 초과하여 포함한다면 쇼트(short)가 발생하는 문제가 발생할 수 있다.In addition, the conductive particles of the present invention may be included in an amount of 64.0 to 96.0% by weight, preferably 72.0 to 88.0% by weight, and more preferably 76.0 to 84.0% by weight, based on the total weight% of the self-fusion type conductive connection composition of the present invention. If the conductive particles are included in less than 64.0% by weight, there may be a non-conductive problem, and if they are included in more than 96.0% by weight, a short circuit may occur.

본 발명의 도전성 입자는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 인듐(In), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni) 및 이들의 합금 중에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는 구리(Cu), 주석(Sn) 및 은(Ag)의 합금을 포함할 수 있다.The conductive particles of the present invention are selected from among bismuth (Bi), tin (Sn), indium (In), silver (Ag), copper (Cu), zinc (Zn), antimony (Sb), nickel (Ni), and alloys thereof. It may include one or more selected types, and preferably may include an alloy of copper (Cu), tin (Sn), and silver (Ag).

또한, 본 발명의 도전성 입자의 입경은 2 ~ 75㎛, 바람직하게는 3 ~ 45㎛, 더욱 바람직하게는 4 ~ 25㎛, 더더욱 바람직하게는 5 ~ 15㎛일 수 있다. 만일, 도전성 입자의 입경이 2㎛ 미만일 경우 점도가 높아져서 인쇄성의 문제가 발생할 수 있고, 75㎛를 초과하면 LED 칩 대비하여 입자의 크기가 커서 초과하면 LED 칩 실장에 문제가 있을 수 있다.In addition, the particle diameter of the conductive particles of the present invention may be 2 to 75 μm, preferably 3 to 45 μm, more preferably 4 to 25 μm, and still more preferably 5 to 15 μm. If the particle size of the conductive particles is less than 2 μm, the viscosity may increase and printability problems may occur, and if the particle size exceeds 75 μm, the size of the particles is large compared to the LED chip, and if the particle size exceeds 75 μm, there may be a problem in mounting the LED chip.

한편, 본 발명의 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물은 환원제를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the self-fusion type conductive connection composition for bonding LED chips according to the present invention may further include a reducing agent.

본 발명의 환원제는 로진계 환원제, 유기산계 환원제, 금속성 환원제 및 아민염 환원제 중에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는 유기산계 환원제를 포함할 수 있고, 더욱 바람직하게는 카복시기(carboxyl group)를 1개 이상 가지는 아비에트산(abietic acid), 프로피온산(propionic acid), 다이메틸올프로피온산(Dimethylol propionic acid), 옥살산(oxalic acid), 말론산(malonic acid), 말레산(maleic acid), 숙신산(succinic acid), 글루타르산(glutaric acid), 아디프산(adipic acid), 피멜산(pimelic acid), 수베르산(suberic acid), 세바스산(sebacic acid), 이타콘산(itaconic acid), 시트르산(citric acid), 활성화 로진 및 비활성화 로진 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있고, 더더욱 바람직하게는 숙신산(succinic acid) 및 아디프산(adipic acid)을 포함할 수 있다.The reducing agent of the present invention may include at least one selected from a rosin-based reducing agent, an organic acid-based reducing agent, a metallic reducing agent, and an amine salt reducing agent, preferably an organic acid-based reducing agent, and more preferably a carboxy group ( Abietic acid, propionic acid, dimethylol propionic acid, oxalic acid, malonic acid, maleic acid having one or more carboxyl groups ), succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, sebacic acid, itaconic acid acid), citric acid, activated rosin, and deactivated rosin, and more preferably succinic acid and adipic acid.

또한, 본 발명의 환원제는 아디프산 및 숙신산을 포함할 때, 아디프산 및 숙신산을 1 : 0.71 ~ 1.07 중량비, 바람직하게는 1 : 0.8 ~ 0.98 중량비, 더욱 바람직하게는 1 : 0.84 ~ 0.94 중량비로 포함할 수 있고, 만일 아디프산 및 숙신산을 1 : 0.71 중량비 미만으로 포함한다면 환원력 부족에 의한 자가응집의 부족의 문제가 있을 수 있고, 1 : 1.07 중량비를 초과하여 포함한다면 경화속도가 빨라져 솔더볼 발생의 문제가 있을 수 있다.In addition, when the reducing agent of the present invention includes adipic acid and succinic acid, the weight ratio of adipic acid and succinic acid is 1: 0.71 to 1.07, preferably 1: 0.8 to 0.98 weight ratio, more preferably 1: 0.84 to 0.94 weight ratio If adipic acid and succinic acid are included in a weight ratio of less than 1:0.71, there may be a problem of insufficient self-agglomeration due to lack of reducing power, and if the weight ratio exceeds 1:1.07, the curing speed is accelerated and the solder ball There may be issues with generation.

본 발명의 환원제는 본 발명의 자가융착형 도전접속 조성물 전체 중량%에 대하여, 5.44 ~ 8.16 중량%, 바람직하게는 6.12 ~ 7.48 중량%, 더욱 바람직하게는 6.46 ~ 7.14 중량%로 포함할 수 있으며, 만일 환원제가 5.44 중량% 미만으로 포함하면 환원이 안되어 전기적인 문제가 있을 수 있고, 8.16 중량%를 초과하여 포함한다면 점도가 높아질 뿐만 아니라 경시성의 문제가 발생할 수 있다. The reducing agent of the present invention may be included in an amount of 5.44 to 8.16% by weight, preferably 6.12 to 7.48% by weight, more preferably 6.46 to 7.14% by weight, based on the total weight% of the self-fusion type conductive connection composition of the present invention, If the reducing agent is included in less than 5.44% by weight, reduction may not occur, resulting in electrical problems, and if it is included in more than 8.16% by weight, viscosity may increase as well as problems with aging.

나아가, 본 발명의 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물은 반응성 희석제를 더 포함할 수 있다.Furthermore, the self-fusion type conductive connection composition for bonding LED chips according to the present invention may further include a reactive diluent.

본 발명의 반응성 희석제는 페이스트의 형상 및 인쇄성을 유지하면서 점도 조절을 하는 역할을 하는 물질로서, 본 발명의 반응성 희석제로 지방족 에폭시 수지를 포함할 수 있다.The reactive diluent of the present invention is a material that serves to control the viscosity while maintaining the shape and printability of the paste, and may include an aliphatic epoxy resin as the reactive diluent of the present invention.

본 발명의 지방족 에폭시 수지로는 에폭시 당량이 200 ~ 1000g/eq인 것이 바람직하고, 솔비톨 폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤 폴리글리시딜 에테르, 펜타에리스리톨 폴리글리시딜 에테르, 디글리세롤 폴 리글리시딜 에테르, 트리글리시딜 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트, 글리세롤 폴리글리시딜 에테르, 트 리메틸올프로판 폴리글리시딜 에테르, 네오펜틸글리콜 디글리시딜 에테르, 1,6-헥산디올 디글리시딜 에테르, 하이드로게네이티드 비스페놀A 디글리시딜 에테르, 에틸렌글리콜 디글리시딜 에테르, 폴리에틸렌글리콜 디글리시딜 에테르, 프로필렌글리콜 디글리시딜 에테르, 폴리프로필렌글리콜 디글리시딜 에테르 및 이의 유도체 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있고, 구체적 예로서는, 나가세 케미컬사 제조의 EX 시리즈인, EX-611, EX-612, EX512, EX-521, EX-411, EX-421, EX-301, EX-313, EX-314, EX-321, EX-211, EX-212, EX-252, EX-821, EX-830, EX-831, EX-841, EX-920, EX-921, EX-931 등과, AIR PRODUCT사의 EPODIL 748, EPODIL 750 등을 포함할 수 있다.The aliphatic epoxy resin of the present invention preferably has an epoxy equivalent of 200 to 1000 g/eq, and sorbitol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, pentaerythritol polyglycidyl ether, and diglycerol polyglycidyl ether. Ether, triglycidyl tris(2-hydroxyethyl)isocyanurate, glycerol polyglycidyl ether, trimethylolpropane polyglycidyl ether, neopentylglycol diglycidyl ether, 1,6-hexane Diol Diglycidyl Ether, Hydrogenated Bisphenol A Diglycidyl Ether, Ethylene Glycol Diglycidyl Ether, Polyethylene Glycol Diglycidyl Ether, Propylene Glycol Diglycidyl Ether, Polypropylene Glycol Diglycidyl Ether and at least one selected from derivatives thereof, and specific examples include the EX series manufactured by Nagase Chemical Co., Ltd., EX-611, EX-612, EX512, EX-521, EX-411, EX-421, EX- 301, EX-313, EX-314, EX-321, EX-211, EX-212, EX-252, EX-821, EX-830, EX-831, EX-841, EX-920, EX-921, EX-931 and the like, and EPODIL 748 and EPODIL 750 from AIR PRODUCTS may be included.

또한, 본 발명의 반응성 희석제는 본 발명의 자가융착형 도전접속 조성물 전체 중량%에 대하여, 3.24 ~ 4.88 중량%, 바람직하게는 3.65 ~ 4.47 중량%, 더욱 바람직하게는 3.85 ~ 4.27 중량%로 포함할 수 있으며, 만일 반응성 희석제가 3.24 중량% 미만으로 포함하면 점도 상승으로 인해 인쇄성에 문제가 있을 수 있고, 4.88 중량%를 초과하여 포함한다면 점도가 너무 낮아져서 페이스트의 상분리 문제가 발생할 수 있다.In addition, the reactive diluent of the present invention may be included in an amount of 3.24 to 4.88% by weight, preferably 3.65 to 4.47% by weight, more preferably 3.85 to 4.27% by weight, based on the total weight% of the self-fusion type conductive connection composition of the present invention. If the reactive diluent is included in less than 3.24% by weight, there may be a problem in printability due to an increase in viscosity, and if it is included in more than 4.88% by weight, the viscosity may be too low, causing a phase separation problem of the paste.

한편, 본 발명의 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물은 칙소제를 더 포함할 수 있다.On the other hand, the self-fusion type conductive connection composition for bonding LED chips of the present invention may further include a thixotropic agent.

본 발명의 칙소제는 인쇄성 향상을 위해 포함될 수 있는 물질로서, 본 발명의 자가융착형 도전접속 조성물 전체 중량%에 대하여, 0.44 ~ 0.68 중량%, 바람직하게는 0.50 ~ 0.62 중량%, 더욱 바람직하게는 0.53 ~ 0.59 중량%로 포함할 수 있다.The thixotropic agent of the present invention is a material that can be included to improve printability, and is 0.44 to 0.68% by weight, preferably 0.50 to 0.62% by weight, more preferably May include 0.53 ~ 0.59% by weight.

또한, 본 발명의 칙소제는 수소첨가 캐스터 오일(hydrogenated castor oil), 카나우바 왁스(carnauba wax), 칸데릴라 왁스(Candelilla wax), 아마이드 왁스(amide wax), 아크릴레이트 올리고머(acrylate oligomer) 및 실리카계 화합물(Silica compounds)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는 카나우바 왁스(carnauba wax)를 포함할 수 있다.In addition, the thixotropic agent of the present invention is hydrogenated castor oil, carnauba wax, candelilla wax, amide wax, acrylate oligomer and silica It may include one or more selected from the group consisting of silica compounds, and preferably may include carnauba wax.

또한, 본 발명의 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물을 240 ~ 260℃의 온도에서 열처리 후, 2 ~ 4 kgf/cm의 접착력을 가질 수 있다.In addition, after heat treatment at a temperature of 240 to 260 ° C., the self-fusion type conductive connection composition for bonding LED chips according to the present invention may have an adhesive strength of 2 to 4 kgf/cm.

또한, 본 발명의 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물은 240 ~ 260℃의 온도에서 열처리 후, 0.1 ~ 1 Ω/cm의 접속저항을 가질 수 있다In addition, the self-fusion type conductive connection composition for LED chip bonding of the present invention may have a connection resistance of 0.1 to 1 Ω/cm after heat treatment at a temperature of 240 to 260 ° C.

나아가, 본 발명은 본 발명의 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물을 포함하는 LED 칩-회로기판 본딩 모듈을 제공한다.Furthermore, the present invention provides an LED chip-circuit board bonding module comprising the self-fusion type conductive connection composition for bonding LED chips of the present invention.

도 3을 참조하여 설명하면, 본 발명의 LED 칩-회로기판 본딩 모듈은 일면에 복수의 제1단자(21)가 형성된 적어도 하나 이상의 LED 칩(20), 상기 제1단자(21)에 대향하여 일면에 복수의 제2단자(11)가 형성된 회로기판(10) 및 상기 LED 칩(20)과 상기 회로기판(10) 사이에 개재되어 LED 칩(20)과 회로기판(10)를 전기적으로 연결하는 자가융착형 도전접속 조성물(100)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the LED chip-circuit board bonding module of the present invention is formed by at least one or more LED chips 20 having a plurality of first terminals 21 formed on one surface, and facing the first terminals 21. A circuit board 10 on which a plurality of second terminals 11 are formed on one surface and interposed between the LED chip 20 and the circuit board 10 to electrically connect the LED chip 20 and the circuit board 10 It may include a self-fusion type conductive connection composition (100).

이 때, LED 칩(20)은 앞서 언급한 도 2에 기재된 LED 칩(20)일 수 있으며, 회로기판(10)은 유리회로기판, 인쇄회로기판(PCB), 금속 인쇄회로기판(Metal PCB) 또는 연성인쇄회로기판(FPCB)일 수 있다. 이 때, 금속 인쇄회로기판(Metal PCB)으로 사용될 수 있는 소재로는 규소, 아연, 알루미늄, 구리 등이 사용될 수 있다.At this time, the LED chip 20 may be the LED chip 20 described in FIG. 2 mentioned above, and the circuit board 10 may be a glass circuit board, a printed circuit board (PCB), or a metal printed circuit board (Metal PCB). Or it may be a flexible printed circuit board (FPCB). At this time, silicon, zinc, aluminum, copper, etc. may be used as a material that can be used as a metal printed circuit board (Metal PCB).

한편, 본 발명의 LED 칩-회로기판 본딩 모듈을 제조하는 방법은 제1단계 내지 제4단계를 포함한다. Meanwhile, the method of manufacturing the LED chip-circuit board bonding module of the present invention includes first to fourth steps.

먼저, 본 발명의 LED 칩-회로기판 본딩 모듈을 제조하는 방법의 제1단계는 일면에 복수의 제1단자가 형성된 적어도 하나 이상의 LED 칩과 일면에 복수의 제2단자가 형성된 회로기판을 준비할 수 있다.First, the first step of the method of manufacturing the LED chip-circuit board bonding module of the present invention is to prepare at least one LED chip having a plurality of first terminals formed on one surface and a circuit board having a plurality of second terminals formed on one surface. can

다음으로, 본 발명의 LED 칩-회로기판 본딩 모듈을 제조하는 방법의 제2단계는 회로기판의 복수의 제2단자가 형성된 일면에 본 발명의 자가융착형 도전접속 조성물을 인쇄할 수 있다. 이 때, 인쇄는 20 ~ 30℃의 온도, 바람직하게는 23 ~ 27℃의 온도에서 수행할 수 있다. Next, in the second step of the method of manufacturing the LED chip-circuit board bonding module of the present invention, the self-fusion type conductive connection composition of the present invention can be printed on one side of the circuit board on which a plurality of second terminals are formed. At this time, printing may be performed at a temperature of 20 to 30 °C, preferably at a temperature of 23 to 27 °C.

다음으로, 본 발명의 LED 칩-회로기판 본딩 모듈을 제조하는 방법의 제3단계는 복수의 제2단자에 대향하여 LED 칩의 복수의 제1단자를 마주보게 배치시키고, 자가융착형 도전접속 조성물 일면에 LED 칩을 가접착시킬 수 있다. 이 때, 가접착은 20 ~ 30℃의 온도, 바람직하게는 23 ~ 27℃의 온도에서 수행할 수 있다. Next, in the third step of the method of manufacturing the LED chip-circuit board bonding module of the present invention, the plurality of first terminals of the LED chip are disposed facing the plurality of second terminals, and the self-fusion type conductive connection composition An LED chip may be temporarily bonded to one surface. At this time, the temporary bonding may be performed at a temperature of 20 to 30 °C, preferably at a temperature of 23 to 27 °C.

마지막으로, 본 발명의 LED 칩-회로기판 본딩 모듈을 제조하는 방법의 제4단계는 자가융착형 도전접속 조성물을 열처리할 수 있다. 열처리는 히팅 툴(Heating tool)을 이용하여, 240 ~ 260℃, 바람직하게는 245 ~ 255℃에서 0.5분 ~ 15분, 바람직하게는 1 ~ 10분, 더욱 바람직하게는 3 ~ 8분동안 가열하여 수행할 수 있다. 만일, 열처리 온도가 240℃ 미만일 경우에는 도전성 입자가 미융착 되는 문제가 있을 수 있고, 260℃를 초과하면 수지의 과경화 또는 열화로 인해 접착력이 저하될 수 있다.Finally, in the fourth step of the method of manufacturing the LED chip-circuit board bonding module of the present invention, the self-fusing type conductive connection composition may be heat treated. The heat treatment is performed by heating for 0.5 to 15 minutes, preferably 1 to 10 minutes, and more preferably 3 to 8 minutes at 240 to 260° C., preferably 245 to 255° C., using a heating tool. can be done If the heat treatment temperature is less than 240° C., conductive particles may not be fused, and if it exceeds 260° C., adhesive strength may decrease due to overcuring or deterioration of the resin.

히팅 툴은 본 발명의 자가융착형 도전접속 조성물에 열을 가하여 도전성 입자들을 용융시킬 수 있는 수단이라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 가열 오븐 또는 리플로우 건조단 등을 포함할 수 있다.The heating tool is not particularly limited as long as it is a means capable of melting the conductive particles by applying heat to the self-fusion type conductive connection composition of the present invention, and may include, for example, a heating oven or a reflow drying stage.

이상에서 본 발명에 대하여 구현예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명의 구현예를 한정하는 것이 아니며, 본 발명의 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 구현예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the present invention has been described with a focus on embodiments, but this is only an example and does not limit the embodiments of the present invention, and those skilled in the art to which the embodiments of the present invention belong will appreciate the essential characteristics of the present invention. It will be appreciated that various modifications and applications not exemplified above are possible within a range that does not deviate. For example, each component specifically shown in the embodiment of the present invention can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention as defined in the appended claims.

실시예 1 : LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물의 제조 Example 1: Preparation of Self-Fusion Type Conductive Connection Composition for Bonding LED Chips

유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지 8.58 중량%, 217℃의 융점을 가지는 도전성 입자(입경 : 5 ~ 15㎛, Sn3.0%Ag0.5%Cu(SAC305)) 80.0 중량%, 환원제인 아디프산 3.6 중량%, 환원제인 숙신산 3.2 중량%, 반응성 희석제인 지방족 에폭시 수지(나가세 케미컬사, EX-920) 4.06 중량%, 칙소제인 카나우바 왁스 0.56 중량%를 혼합하여, 절연화 처리한 후 페이스트 형태를 가지는 자가융착형 도전접속 조성물을 제조하였다.8.58% by weight of alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin containing organic functional groups, 80.0% by weight of conductive particles (particle diameter: 5 to 15㎛, Sn3.0%Ag0.5%Cu (SAC305)) having a melting point of 217 ° C, adip as a reducing agent 3.6% by weight of acid, 3.2% by weight of succinic acid as a reducing agent, 4.06% by weight of aliphatic epoxy resin (Nagase Chemical Co., Ltd., EX-920) as a reactive diluent, and 0.56% by weight of carnauba wax as a thixotropic agent are mixed, insulated, and then paste. A self-fusion type conductive connection composition having a shape was prepared.

이 때, 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지로서 하기 화학식 1-1로 표시되는 화합물을 사용하였다.At this time, a compound represented by Formula 1-1 was used as an organic functional group-containing alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

상기 화학식 1-1에 있어서, R1및 R2는 수소원자이고, R11, R12, R13 및 R14는 메틸기이며, E는 C17의 알킬렌기이고, A1 및 A2는 (* 표시는 O와 결합되는 결합부위를 뜻한다.)이며, R15 및 R16은 메틸기이고, R17은 (* 표시는 Si와 결합되는 결합부위를 뜻한다.)이며, R18은 수소원자이고, G1는 -CH2CH2CH2-이며, A5 및 A6은 -CH2-이고, n은 1을 만족하는 유리수이다.In Formula 1-1, R 1 and R 2 are hydrogen atoms, R 11 , R 12 , R 13 and R 14 are methyl groups, E is a C17 alkylene group, and A 1 and A 2 are (* indicates a binding site bonded to O.), R 15 and R 16 are methyl groups, and R 17 is (* indicates a bonding site bonded to Si.), R 18 is a hydrogen atom, G 1 is -CH 2 CH 2 CH 2 -, A 5 and A 6 are -CH 2 -, and n is a rational number that satisfies 1.

실시예 2 ~ 5 : LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물의 제조Examples 2 to 5: Preparation of Self-Fusion Type Conductive Connection Composition for Bonding LED Chips

실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 조성물을 제조하였다. 다만, 하기 표 1와 같이 혼합되는 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지 및 도전성 입자의 중량%를 달리하여 자가융착형 도전접속 조성물을 제조하였다.A self-fusion type conductive connection composition was prepared in the same manner as in Example 1. However, as shown in Table 1 below, self-fusing type conductive connection compositions were prepared by varying the weight % of the organic functional group-containing alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin and the conductive particles.

실시예 6 ~ 9 : LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물의 제조 Examples 6 to 9: Preparation of Self-Fusion Type Conductive Connection Composition for Bonding LED Chips

실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 조성물을 제조하였다. 다만, 하기 표 2와 같이 환원제로 혼합되는 아디프산 및 숙신산의 중량%를 달리하여 자가융착형 도전접속 조성물을 제조하였다.A self-fusion type conductive connection composition was prepared in the same manner as in Example 1. However, as shown in Table 2 below, a self-fusion type conductive connection composition was prepared by varying the weight % of adipic acid and succinic acid mixed with a reducing agent.

비교예 1 : LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물의 제조Comparative Example 1: Preparation of Self-Fusion Type Conductive Connection Composition for Bonding LED Chips

실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 조성물 제조하였다. 다만, 실시예 1과 달리 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지가 아닌 비스페놀A형 에폭시 수지(YD128, 국도화학)를 사용하여 자가융착형 도전접속 조성물을 제조하였다.A self-fusion type conductive connection composition was prepared in the same manner as in Example 1. However, unlike Example 1, a self-fusion type conductive connection composition was prepared using a bisphenol A-type epoxy resin (YD128, Kukdo Chemical) instead of an organic functional group-modified alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin.

비교예 2 : LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물의 제조Comparative Example 2: Preparation of Self-Fusion Type Conductive Connection Composition for Bonding LED Chips

실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 조성물을 제조하였다. 다만, 실시예 1과 달리 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지가 아닌 비스페놀 F형 에폭시 수지(YDF-170, 국도화학)를 사용하여 자가융착형 도전접속 조성물을 제조하였다.A self-fusion type conductive connection composition was prepared in the same manner as in Example 1. However, unlike Example 1, a self-fusion type conductive connection composition was prepared using a bisphenol F-type epoxy resin (YDF-170, Kukdo Chemical) instead of an organic functional group-containing alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin.

비교예 3 : LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물의 제조Comparative Example 3: Preparation of Self-Fusion Type Conductive Connection Composition for Bonding LED Chips

실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 조성물을 제조하였다. 다만, 실시예 1과 달리 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지가 아닌 NBR 변성 에폭시 수지(KR-415, 국도화학)를 사용하여 자가융착형 도전접속 조성물을 제조하였다.A self-fusion type conductive connection composition was prepared in the same manner as in Example 1. However, unlike Example 1, a self-fusion-type conductive connection composition was prepared using NBR-modified epoxy resin (KR-415, Kukdo Chemical) instead of an organic functional group-modified alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin.

비교예 4 : LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물의 제조Comparative Example 4: Preparation of Self-Fusion Type Conductive Connection Composition for Bonding LED Chips

실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 조성물을 제조하였다. 다만, 실시예 1과 달리 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지가 아닌 CTBN 변성 에폭시 수지(KR-170, 국도화학)를 사용하여 자가융착형 도전접속 조성물을 제조하였다.A self-fusion type conductive connection composition was prepared in the same manner as in Example 1. However, unlike Example 1, a self-fusing type conductive connection composition was prepared using CTBN-modified epoxy resin (KR-170, Kukdo Chemical) instead of an organic functional group-modified alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin.

실험예 1Experimental Example 1

실시예 1 ~ 9 및 비교예 1 ~ 4에서 제조된 자가융착형 도전접속 조성물을 각각 다음과 같은 물성평가법을 기준으로 하여 평가를 실시하고, 그 결과를 표 2에 나타내었다.The self-fusion type conductive connection compositions prepared in Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4 were evaluated based on the following physical property evaluation methods, respectively, and the results are shown in Table 2.

(1) LED 칩-회로기판 본딩 모듈의 제조(1) Manufacture of LED chip-circuit board bonding module

일면에 2개의 제1단자가 형성된 LED 칩(LED 칩의 크기 : 125 ㎛, 제1단자의 크기 : 50 ㎛, LED 칩에 형성된 제1단자의 중심선과 이웃하는 제1단자의 중심선 간의 거리(pitch) : 75 ㎛, 제1단자 높이 : 1 ㎛)과 일면에 2개의 제2단자가 형성된 회로기판(회로기판의 크기 : 4cm, 제2단자의 크기 : 50 ㎛, 회로기판에 형성된 제2단자의 중심선과 이웃하는 제2단자의 중심선 간의 거리(pitch) : 75㎛, 제2단자 높이 : 8 ㎛)을 준비하였다.LED chip having two first terminals formed on one side (size of LED chip: 125 μm, size of first terminal: 50 μm, distance between the center line of the first terminal formed on the LED chip and the center line of the adjacent first terminal (pitch ): 75 μm, height of the first terminal: 1 μm) and a circuit board having two second terminals formed on one side (size of the circuit board: 4 cm, size of the second terminal: 50 μm, the second terminal formed on the circuit board A distance (pitch) between the center line and the center line of the adjacent second terminal: 75 μm, height of the second terminal: 8 μm) was prepared.

실시예 1 ~ 9 및 비교예 1 ~ 4에서 제조한 자가융착형 도전접속 조성물을 각각 회로기판에 50 ㎛의 두께로 인쇄하고, 이어서 회로기판의 제2단자에 대향하게 LED 칩의 제1단자를 마주보게 배치시키고, 실시예 1 ~ 9 및 비교예 1 ~ 4에서 제조한 자가융착형 도전접속 조성물 각각의 일면에 LED 칩을 가접착시켰다. 그 후, 250℃의 리플로우 오븐에 8분간 열처리(경화 및 자가융착)하여 LED 칩-회로기판 본딩 모듈을 제조하였다.The self-fusing type conductive connection compositions prepared in Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4 were printed on a circuit board to a thickness of 50 μm, respectively, and then the first terminal of the LED chip facing the second terminal of the circuit board They were placed facing each other, and LED chips were temporarily bonded to one side of each of the self-fusion type conductive connection compositions prepared in Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4. Thereafter, heat treatment (curing and self-fusion) was performed in a reflow oven at 250° C. for 8 minutes to manufacture an LED chip-circuit board bonding module.

(2) 접속저항 측정(Ω/cm) (2) Connection resistance measurement (Ω/cm)

제조된 LED 칩-회로기판 본딩 모듈 각각에 측정기(Keithley 사 2000 Multimeter)를 이용하여 4-probe 방식으로 시험 전류 1 mA를 인가하여 초기 접속 저항을 측정하여 그 평균값을 계산하였다. A test current of 1 mA was applied to each of the manufactured LED chip-circuit board bonding modules in a 4-probe method using a measuring instrument (Keithley's 2000 Multimeter) to measure the initial connection resistance, and the average value was calculated.

(3) 접착력 측정(kgf/cm)(3) Adhesion measurement (kgf/cm)

제조된 LED 칩-회로기판 본딩 모듈 각각에 Dage4000(Nordson 사) 장치를 사용하여, 0.5mm/초의 속도로 전단강도를 측정하여 접착력을 측정하였다.Using a Dage4000 (Nordson Co.) device for each of the manufactured LED chip-circuit board bonding modules, shear strength was measured at a speed of 0.5 mm/sec to measure adhesive force.

(4) 절연성 측정(4) Insulation measurement

제조된 LED 칩-회로기판 본딩 모듈 각각에 멀티테스터기(HIOKI社, 3244-60 CARD HITESTER)를 이용하여, 단자간의 전기적 도통 유무를 확인하여 절연성을 측정하였다.Using a multi-tester (Hioki Co., 3244-60 CARD HITESTER) for each of the manufactured LED chip-circuit board bonding modules, electrical continuity between terminals was checked to measure insulation.

(5) 자가융착성 측정(5) Measurement of self-adhesion

제조된 LED 칩-회로기판 본딩 모듈 각각에 멀티테스터기(HIOKI社, 3244-60 CARD HITESTER)를 이용하여, 조성물에 의해 연결된 LED 칩 및 회로기판의 단자의 전기적 도통 유무를 확인 및 고배율 현미경으로 확인하여 자가융착성을 측정하였다.Using a multi-tester (Hioki Co., 3244-60 CARD HITESTER) for each of the manufactured LED chip-circuit board bonding modules, check the electrical continuity of the terminals of the LED chip and circuit board connected by the composition and check with a high-magnification microscope Self-adhesiveness was measured.

(6) 인쇄성 측정(6) Measurement of printability

제조된 LED 칩-회로기판 본딩 모듈 각각에 외관을 육안(또는 현미경)으로 확인하여 인쇄성을 측정하였다.Printability was measured by checking the appearance of each of the manufactured LED chip-circuit board bonding modules with the naked eye (or microscope).

(7) 점도 측정(7) Viscosity measurement

Malcom 사의 PCU-205를 이용하여, JIS 측정법에 의거하여 25℃의 온도 범위에서 실시예 1 ~ 9 및 비교예 1 ~ 4에서 제조된 자가융착형 도전접속 페이스트의 점도를 측정하였다.Using Malcom's PCU-205, based on the JIS measurement method, the viscosity of the self-fusion type conductive connection paste prepared in Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4 was measured at a temperature range of 25 ° C.

(8) 경시성 측정(8) Time-lapse measurement

실시예 1 ~ 9 및 비교예 1 ~ 4에서 제조된 자가융착형 도전접속 조성물 각각을 상온에서 하루동안 방치한 후에 외관을 육안(또는 현미경)으로 확인하고, 상온에서 하루동안 방치한 실시예 1 ~ 9 및 비교예 1 ~ 4에서 제조된 자가융착형 도전접속 조성물 각각을 사용하여 LED 칩-회로기판 본딩 모듈의 제조하는 과정에 있어서의 외관 및 자가융착성을 육안(또는 현미경)으로 확인하여 경시성을 측정하였다.After leaving each of the self-fusion type conductive connection compositions prepared in Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4 at room temperature for one day, the appearance was checked with the naked eye (or microscope), and left at room temperature for one day. 9 and Comparative Examples 1 to 4 by using each of the self-fusing type conductive connection compositions prepared in the manufacturing process of the LED chip-circuit board bonding module by visually checking the appearance and self-fusing properties (or microscopic) was measured.

상기 표 3에서 확인할 수 있듯이, 실시예 1에서 제조한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물은 다른 실시예 및 비교예에서 제조한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물보다 접속저항, 절연성, 자가융착성이 우수할 뿐만 아니라 접착력이 우수함을 확인할 수 있었다.As can be seen from Table 3, the self-fusion type conductive connection composition for LED chip bonding prepared in Example 1 has better connection resistance, insulation, It was confirmed that not only the self-melting property was excellent, but also the adhesive strength was excellent.

구체적으로, 실시예 1에서 제조된 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물과 비교하여, 비교예 1 및 2에서 제조한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물은 접착력이 현저히 저하될 뿐만 아니라, 자가융착성이 저하되고, 비교예 3 및 4에서 제조한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물은 인쇄성이 현저히 나빠 접속저항, 접착력, 절연성 및 자가융착성의 측정이 불가함을 확인할 수 있었다. Specifically, compared to the self-fusion-type conductive connection composition for LED chip bonding prepared in Example 1, the self-fusion-type conductive connection composition for LED chip bonding prepared in Comparative Examples 1 and 2 not only has significantly lowered adhesive strength, It was confirmed that the self-fusing property was lowered, and the self-fusing type conductive connection composition for LED chip bonding prepared in Comparative Examples 3 and 4 had significantly poor printability, and measurement of connection resistance, adhesive strength, insulation, and self-fusing property was impossible.

본 발명의 단순한 변형이나 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해서 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.Simple modifications or changes of the present invention can be easily performed by those skilled in the art, and all such modifications or changes can be considered to be included in the scope of the present invention.

1 : 도전성 입자
10 : 회로기판
11 : 제2단자
20 : LED 칩
21 : 제1단자
100 : 자가융착형 도전접속 조성물1: conductive particles
10: circuit board
11: 2nd terminal
20: LED chip
21: 1st terminal
100: self-fusion type conductive connection composition

Claims (14)

유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지; 180 ~ 230℃의 융점을 가지는 도전성 입자; 환원제; 및 반응성 희석제; 를 포함하고,
상기 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물;
[화학식 1]

[화학식 2]

상기 화학식 1에 있어서, R1, R2, R11, R12, R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기이고, E는 C3 ~ C30의 알킬렌기이며, A1 및 A2는 각각 독립적으로 이고, R15 및 R16은 각각 독립적으로 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기이며, R17은 또는 이고, R18은 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기이며, G1 및 G2는 각각 독립적으로 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2CH2-이고, A5 및 A6은 각각 독립적으로 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2-이며, n은 1 ~ 10을 만족하는 유리수이고,
상기 화학식 2에 있어서, A7는 이고, A8는 이며, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기이고, E는 C3 ~ C30의 알킬렌기이며, A1, A2, A3 및 A4는 각각 독립적으로 이고, R15 및 R16은 각각 독립적으로 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기이며, R17은 또는 이고, R18은 수소원자, C1 ~ C12의 직쇄형 알킬기 또는 C3 ~ C12의 분쇄형 알킬기이며, G1 및 G2는 각각 독립적으로 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2CH2-이고, A5 및 A6은 각각 독립적으로 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2-이며, n, m 및 l은 각각 독립적으로 1 ~ 10을 만족하는 유리수이다.
organic functional group-containing alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin; Conductive particles having a melting point of 180 ~ 230 ℃; reducing agent; and reactive diluents; including,
The organic functional group-containing alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin comprises a compound represented by the following formula (1) or a compound represented by the following formula (2);
[Formula 1]

[Formula 2]

In Formula 1, R 1 , R 2 , R 11 , R 12 , R 13 and R 14 are each independently a hydrogen atom, a C1 to C12 linear alkyl group, or a C3 to C12 branched alkyl group, and E is C3 ~ C30 alkylene group, A 1 and A 2 are each independently And, R 15 and R 16 are each independently a hydrogen atom, a C1 to C12 linear alkyl group or a C3 to C12 branched alkyl group, and R 17 is or And, R 18 is a hydrogen atom, a C1 ~ C12 linear alkyl group or a C3 ~ C12 branched alkyl group, G 1 and G 2 are each independently -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - or -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, A 5 and A 6 are each independently -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - or -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, n is a rational number that satisfies 1 to 10,
In Formula 2, A 7 is , and A 8 is And, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 and R 14 are each independently a hydrogen atom, A C1 ~ C12 straight chain alkyl group or a C3 ~ C12 branched alkyl group, E is a C3 ~ C30 alkylene group, A 1 , A 2 , A 3 and A 4 are each independently And, R 15 and R 16 are each independently a hydrogen atom, a C1 to C12 linear alkyl group or a C3 to C12 branched alkyl group, and R 17 is or And, R 18 is a hydrogen atom, a C1 ~ C12 linear alkyl group or a C3 ~ C12 branched alkyl group, G 1 and G 2 are each independently -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - or -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, A 5 and A 6 are each independently -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - or -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, n, m and l are rational numbers each independently satisfying 1 to 10.
 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 환원제는 카복시기(carboxyl group)를 1개 이상 가지는 아비에트산(abietic acid), 프로피온산(propionic acid), 다이메틸올프로피온산(Dimethylol propionic acid), 옥살산(oxalic acid), 말론산(malonic acid), 말레산(maleic acid), 숙신산(succinic acid), 글루타르산(glutaric acid), 아디프산(adipic acid), 피멜산(pimelic acid), 수베르산(suberic acid), 세바스산(sebacic acid), 이타콘산(itaconic acid), 시트르산(citric acid), 활성화 로진 및 비활성화 로진 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물.
According to claim 1,
The reducing agent is abietic acid, propionic acid, dimethylol propionic acid, oxalic acid, and malonic acid having at least one carboxyl group. , maleic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, sebacic acid ), itaconic acid (itaconic acid), citric acid (citric acid), a self-fusion type conductive connection composition for bonding LED chips with excellent printability, characterized in that it comprises at least one selected from activated rosin and deactivated rosin.
 제4항에 있어서,
상기 환원제는 아디프산 및 숙신산을 1 : 0.71 ~ 1.07 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물.
According to claim 4,
The reducing agent comprises adipic acid and succinic acid in a weight ratio of 1: 0.71 to 1.07.
 제1항에 있어서,
상기 반응성 희석제는 지방족 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물.
According to claim 1,
The reactive diluent is a self-fusion type conductive connection composition for bonding LED chips having excellent printability, characterized in that it comprises an aliphatic epoxy resin.
 제1항에 있어서,
상기 자가융착형 도전접속 조성물은 전체 중량%에 대하여, 유기관능기 함유 알콕시실란 변성 수첨 에폭시 수지 6.86 ~ 10.3 중량%, 도전성 입자 64.0 ~ 96.0 중량%, 환원제 5.44 ~ 8.16 중량% 및 반응성 희석제 3.24 ~ 4.88 중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물.
According to claim 1,
The self-fusion type conductive connection composition contains 6.86 to 10.3% by weight of an alkoxysilane-modified hydrogenated epoxy resin containing organic functional groups, 64.0 to 96.0% by weight of conductive particles, 5.44 to 8.16% by weight of a reducing agent, and 3.24 to 4.88% by weight of a reactive diluent, based on the total weight%. A self-fusion type conductive connection composition for bonding LED chips having excellent printability, characterized in that it contains %.
 제1항에 있어서,
상기 자가융착형 도전접속 조성물은 칙소제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물.
According to claim 1,
The self-fusion type conductive connection composition is a self-fusion type conductive connection composition for bonding LED chips having excellent printability, characterized in that it further comprises a thixotropic agent.
 제1항에 있어서,
상기 도전성 입자의 입경은 2 ~ 75㎛인 것을 특징으로 하는 인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물.
According to claim 1,
Self-fusing type conductive connection composition for bonding LED chips having excellent printability, characterized in that the particle diameter of the conductive particles is 2 to 75 μm.
 제1항에 있어서,
상기 자가융착형 도전접속 조성물은 LED 칩과 회로기판을 접합하는 것을 특징으로 하는 인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물.
According to claim 1,
The self-fusion-type conductive connection composition is a self-fusion-type conductive connection composition for bonding LED chips having excellent printability, characterized in that for bonding an LED chip and a circuit board.
 제1항에 있어서,
상기 자가융착형 도전접속 조성물은 페이스트(paste)인 것을 특징으로 하는 인쇄성이 우수한 LED 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물.
According to claim 1,
The self-fusion-type conductive connection composition is a self-fusion-type conductive connection composition for bonding LED chips having excellent printability, characterized in that it is a paste.
 일면에 복수의 제1단자가 형성된 적어도 하나 이상의 LED 칩;
상기 제1단자에 대향하여 일면에 복수의 제2단자가 형성된 회로기판; 및
상기 LED 칩과 상기 회로기판 사이에 개재되어 LED 칩과 회로기판을 전기적으로 연결하는 제1항, 제4항 내지 제11항 중 어느 한 항의 자가융착형 도전접속 조성물;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 칩-회로기판 본딩 모듈.
At least one LED chip having a plurality of first terminals formed on one surface;
a circuit board having a plurality of second terminals formed on one surface facing the first terminal; and
The self-fusion type conductive connection composition according to any one of claims 1, 4 to 11 interposed between the LED chip and the circuit board to electrically connect the LED chip and the circuit board;
LED chip-circuit board bonding module comprising a.
 제12항에 있어서,
상기 회로기판은 유리회로기판, 인쇄회로기판(PCB), 금속 인쇄회로기판(Metal PCB) 또는 연성인쇄회로기판(FPCB)인 것을 특징으로 하는 LED 칩-회로기판 본딩 모듈.
According to claim 12,
The circuit board is a LED chip-circuit board bonding module, characterized in that a glass circuit board, a printed circuit board (PCB), a metal printed circuit board (Metal PCB) or a flexible printed circuit board (FPCB).
 일면에 복수의 제1단자가 형성된 적어도 하나 이상의 LED 칩과 일면에 복수의 제2단자가 형성된 회로기판을 준비하는 제1단계;
회로기판의 복수의 제2단자가 형성된 일면에 제1항, 제4항 내지 제11항 중 어느 한 항의 자가융착형 도전접속 조성물을 인쇄하는 제2단계;
상기 복수의 제2단자에 대향하여 상기 LED 칩의 복수의 제1단자를 마주보게 배치시키고, 상기 자가융착형 도전접속 조성물 일면에 LED 칩을 가접착시키는 제3단계; 및
상기 자가융착형 도전접속 조성물을 240 ~ 260℃의 온도로 열처리하는 제4단계;
를 포함하는 LED 칩-회로기판 본딩 모듈을 제조하는 방법.
A first step of preparing at least one LED chip having a plurality of first terminals formed on one surface and a circuit board having a plurality of second terminals formed on one surface;
A second step of printing the self-fusion type conductive connection composition of any one of claims 1, 4 to 11 on one side of the circuit board on which the plurality of second terminals are formed;
a third step of arranging the plurality of first terminals of the LED chip to face the plurality of second terminals and temporarily bonding the LED chip to one surface of the self-fusion type conductive connection composition; and
a fourth step of heat-treating the self-fusion type conductive connection composition at a temperature of 240 to 260°C;
A method for manufacturing a LED chip-circuit board bonding module comprising a.
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