KR102555932B1 - 실록산 조성물 및 이 조성물을 실리콘 함유 필름을 증착시키기 위해 사용하는 방법 - Google Patents

실록산 조성물 및 이 조성물을 실리콘 함유 필름을 증착시키기 위해 사용하는 방법 Download PDF

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Abstract

실록산 함유 조성물 및 방법이 개시된다. 개시된 방법은 기판 상에 유전체 필름을 증착시키는 방법에 관한 것으로, 방법은 a) 기판을 반응 챔버에 배치하는 단계; b) 사이클릭 실리콘 함유 화합물 및 산화제를 포함하는 공정 가스를 도입하는 단계; 및 c) 사이클릭 실리콘 함유 화합물 및 산화제가 반응하여 기판 표면 상에 유동성 필름 형성하도록 하는 조건 하에서 기판을 공정 가스에 노출시키는 단계를 포함한다. 방법은 유동성 필름을 고체 유전체 물질(예를 들어, 실리콘 옥사이드 필름)으로 변환시키는 것을 추가로 포함할 수 있다. 특정 구체예에서, 필름의 변환은 증착된 상태의 필름을 열, 플라즈마 어닐링에 의한 어닐링 및/또는 UV 경화에 의해 달성될 수 있다.

Description

실록산 조성물 및 이 조성물을 실리콘 함유 필름을 증착시키기 위해 사용하는 방법
[0001] 가스 상 중합(gas phase polymerization)과 함께 유동성 화학 기상 증착 공정을 사용하여 실리콘 옥사이드 필름을 증착시키는 것은 당업계에 공지되어 있다. 예를 들어, 선행 기술은 트리실릴아민(TSA)과 같은 화합물을 사용하여 Si, H, N 함유 올리고머를 증착시키고, 이를 후속하여 오존 노출을 사용하여 SiOx 필름으로 산화시키는 데 초점을 맞추고 있다. 이에 대한 예는 미국 공개 번호 제2014/0073144호; 미국 공개 번호 제2013/230987호; 미국 특허 제7,521,378호, 미국 제7,557,420호 및 제8,575,040호; 및 미국 특허 제7,825,040호에 개시되어 있다. 이러한 공정은 항상 고온 수증기 처리 및 >1000℃ 열 어닐링이 요구된다.
[0002] 미국 특허 제7825038호 B2에 개시된 기판 상에 실리콘 옥사이드 층을 증착시키는 방법은 증착 챔버에 기판을 제공하는 단계, 증착 챔버 외부에서 원자 산소 전구체를 생성하는 단계, 및 원자 산소 전구체를 챔버에 도입하는 단계를 포함한다. 증착은 또한 증착 챔버에 실리콘 전구체를 도입하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서 실리콘 전구체 및 원자 산소 전구체가 챔버에서 먼저 혼합된다. 옥타메틸트리실록산(OMTS), 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS) 및 테트라메틸사이클로 테트라실록산(TOMCATS)과 같은 전구체가 이 적용에 적용되었다.
[0003] 미국 특허 번호 제7998536호, 제7989033호 및 문헌(Yim, K. S. (2009) "Novel silicon precursors to make ultra low-k films with high mechanical properties by plasma enhanced chemical vapor deposition")은 저-k, Si-C 함유 필름을 형성하기 위한 전구체 및 공정을 개시한다.
[0004] 미국 특허 제9362107호 B2는 패턴화된 기판 상에 유동성 저-k 유전체 필름을 형성하는 방법을 개시하였다. 필름은 실리콘 및 탄소 성분이 실리콘 및 탄소 함유 전구체로부터 유래하는 반면 산소는 원격 플라즈마 영역에서 활성화된 산소 함유 전구체로부터 유래될 수 있는, 실리콘-탄소-산소(Si-C-O) 층일 수 있다. 증착 직후, 실리콘-탄소-산소 층은 경화 전에 수소 및 질소 함유 전구체, 예컨대 암모니아에 노출시켜 처리된다. 처리는 실리콘-탄소-산소 층에서 잔류 수분을 제거할 수 있고, 경화 및 후속 가공 중에 격자를 더 탄력적으로 만들 수 있다. 처리는 후속 가공 동안 실리콘-탄소-산소 층의 수축을 감소시킬 수 있다. 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS) 및 테트라메틸사이클로테트라실록산(TOMCATS)과 같은 전구체가 이 적용에 요구되었다.
[0005] 공지된 전구체 및 증착 공정은 수분을 흡수하고 유전 상수를 증가시키는 친수성 필름을 증착시킬 수 있다.
[0006] 이전에 확인된 특허 및 특허 출원의 개시는 본원에 참조로 포함된다.
발명의 요약
[0007] 본 발명은 사이클릭 실록산 조성물 및 실리콘 함유 필름을 증착시키는 방법을 제공함으로써 공지된 전구체 및 공정과 관련된 문제를 해결하고, 일 구체예에서는 반도체의 다양한 피쳐들 사이의 갭을 채우기 위한 필름을 제공한다.
[0008] 보다 구체적으로, 본 발명은 기판 상에 실리콘 함유 필름을 형성하기 위한 유동성 화학 기상 증착 방법을 포함한다. 이 방법은 기판을 반응 챔버에 배치하고, 하기 화학식 I로 표시되는 적어도 하나의 사이클릭 실록산 화합물, 및 적어도 하나의 활성화된 화학종을 챔버에 도입하는 단계를 포함한다:
Figure 112021004620683-pct00001
화학식 I
상기 식에서, R1-4는 독립적으로 수소, 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬 기, 선형 또는 분지형 C3 내지 C10 알케닐 기, 선형 또는 분지형 C3 내지 C10 알키닐 기, 디-C1 내지 C6-알킬아미노 기, 및 C6 내지 C10 아릴 기로부터 선택되고, n = 1, 2, 3, 4이다. 반응기 조건은 실리콘 함유 화합물 및 활성화된 화학종이 반응하고 기판 상에 유동성 필름으로서 응축하게 되도록 제어된다. 적어도 하나의 활성화된 화학종은 반응 챔버에 대해 원격으로 활성화된다.
[0009] 일부 경우에, 유동성 필름은 Si-C 및 Si-O 결합 중 적어도 하나를 갖는다. 유동성 필름은 기판 표면 피쳐의 높은 종횡비 갭을 채운다. 이후, 유동성 필름은 예를 들어, 플라즈마, UV 및/또는 열 어닐링에 의해 최종 실리콘 옥사이드 필름으로 변환된다. 본 발명의 방법은 3:1 내지 10:1 또는 보다 큰 범위의 종횡비를 갖는 갭을 포함하여 높은 종횡비 갭을 채우기 위해 사용될 수 있다.
[0010] 활성화된 화학종은 원격 플라즈마 소스, 원격 마이크로파 소스, 또는 원격 열선 시스템을 사용하여 생성될 수 있다.
[0011] 일 구체예에 따르면, 적어도 하나의 활성화된 화학종은 수증기, 오존, 산소, 산소/헬륨, 산소/아르곤, 질소 산화물, 이산화탄소, 과산화수소, 유기 과산화물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 화학종에 대한 플라즈마 소스, 또는 원격 마이크로파 소스의 작용에 의해 생성된 산화제이다.
[0012] 다른 구체예에 따르면, 적어도 하나의 활성화된 화학종은 질소, 질소와 헬륨의 혼합물, 질소와 아르곤의 혼합물, 암모니아, 암모니아와 헬륨의 혼합물, 암모니아와 아르곤의 혼합물, 헬륨, 아르곤, 수소, 수소와 헬륨의 혼합물, 수소와 아르곤의 혼합물, 암모니아와 수소의 혼합물, 유기 아민, 및 이들의 혼합물로부터 선택된 화학종에 대한 플라즈마 소스, 또는 원격 마이크로파 소스의 작용에 의해 생성된다.
[0013] 다른 구체예에 따르면, 적어도 하나의 사이클릭 실록산 화합물은 2,2,5,5-테트라메틸-1-옥사-2,5-디실라사이클로펜탄 및 2,2,6,6-테트라메틸-1-옥사-2,6-디실라사이클로헥산 중 하나 또는 둘 모두를 포함한다.
[0014] 상기 단계가 수행된 후, 유동성 필름은 플라즈마, UV 방사선 및 열 어닐링으로 이루어진 군으로부터 선택된 처리로 처리될 수 있다. 유동성 필름을 이러한 처리로 처리하는 것은 유동성 필름을 유전체 물질로 변환시킨다.
[0015] 앞서 언급한 바와 같이, 본 발명의 일부 구체예는 유전체로 기판 상의 갭을 채우기 위한 목적으로 유전체 필름을 형성하는 상기 방법을 사용하는 것에 관한 것이다. 이러한 구체예에서 실리콘 함유 화합물 및 산화제는 반응하여 유동성 필름이 유전체 물질로 변환되기 전에 갭에 유동성 필름을 형성한다.
[0016] 또 다른 구체예에서, 실리콘 함유 필름은 플라즈마 보조 반응을 통해 갭에 증착된다. 이러한 구체예에서, 산화제는 반응 챔버에 도입되어 플라즈마 보조 반응 및 실리콘 함유 필름의 갭 내로의 증착이 수행되고, 실리콘 함유 필름은 산화제에 노출되어 Si-O 및 Si-C 결합 중 적어도 하나를 포함하는 유동성 필름이 갭에 형성된다. 이후, 증착된 상태의 필름이 유전체 물질로 변환된다.
[0017] 본 발명의 또 다른 양태는 본 발명의 방법에 의해 얻어진 필름에 관한 것이다.
[0018] 또 다른 구체예는 기판 상에 필름을 유동성 화학 기상 증착시키기 위한 조성물로서, 조성물이 2,2,5,5-테트라메틸-1-옥사-2,5-디실라사이클로펜탄을 포함하고, 10 ppm 미만의 할라이드 이온 불순물을 갖고, 할라이드 이온은 클로라이드, 플루오라이드, 브로마이드 및 아이오다이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 조성물에 관한 것이다.
[0019] 또 다른 구체예는 기판 상에 필름을 유동성 화학 기상 증착시키기 위한 조성물로서, 조성물이 2,2,5,5-테트라메틸-1-옥사-2,5-디실라사이클로펜탄을 포함하고, 10 ppm 미만의 금속 이온 불순물을 갖고, 금속 이온은 Al3+, Fe2+, Fe3+, Ni2+ 및 Cr3+로 이루어진 군으로부터 선택되는 조성물에 관한 것이다.
[0020] 또 다른 구체예는 기판 상에 필름을 유동성 화학 기상 증착시키기 위한 조성물로서, 조성물이 2,2,6,6-테트라메틸-1-옥사-2,6-디실라사이클로헥산을 포함하고, 10 ppm 미만의 할라이드 이온 불순물을 갖고, 할라이드 이온은 클로라이드, 플루오라이드, 브로마이드 및 아이오다이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 조성물에 관한 것이다.
[0021] 또 다른 구체예는 기판 상에 필름을 유동성 화학 기상 증착시키기 위한 조성물로서, 조성물이 2,2,6,6-테트라메틸-1-옥사-2,6-디실라사이클로헥산을 포함하고, 10 ppm 미만의 금속 이온 불순물을 갖고, 금속 이온은 Al3+, Fe2+, Fe3+, Ni2+ 및 Cr3+로 이루어진 군으로부터 선택되는 조성물에 관한 것이다.
[0022] 본 발명의 다양한 양태는 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
[0023] 도 1은 실시예 1에 따라 증착된 열 어닐링 후 유기실리케이트 유리 필름을 갖는 패턴화된 웨이퍼의 SEM 사진이다.
[0024] 도 2는 UV 경화 단계를 수행한 도 1에 도시된 패턴화된 웨이퍼의 SEM 사진이다.
[0025] 도 3은 열 어닐링 또는 UV 경화 전 실시예 1에 따른 증착된 상태의 필름의 FTIR 그래프이다.
[0026] 도 4는 열 어닐링 후 UV 경화 전 실시예 1에 따른 증착된 상태의 필름의 FTIR 그래프이다.
[0027] 도 5는 열 어닐링 후 및 또한 UV 경화 후 실시예 1에 따른 증착된 상태의 필름의 FTIR 그래프이다.
상세한 설명
[0028] 이어지는 상세한 설명은 단지 바람직한 예시적인 구체예를 제공하며, 본 발명의 범위, 적용 가능성 또는 구성을 제한하려는 것은 아니다. 오히려, 바람직한 예시적인 구체예의 이어지는 상세한 설명은 당업자에게 본 발명의 바람직한 예시적인 구체예를 구현하기 위한 가능한 설명을 제공할 것이다. 첨부된 청구 범위에 기재된 바와 같이, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 요소의 기능 및 배열에서 다양한 변경이 이루어질 수 있다.
[0029] 청구 범위에서, 문자는 청구된 방법 단계(예를 들어, a, b 및 c)를 식별하는 데 사용될 수 있다. 이러한 문자는 방법 단계를 지칭하는 데 도움을 주기 위해 사용되며, 청구된 단계가 수행되는 순서를 나타내기 위한 것이 아니다(그러한 순서가 청구 범위에 구체적으로 언급되지 않는 한, 그리고 그러한 순서가 청구 범위에 구체적으로 언급된 경우에만).
[0030] 유동성 유전체 코팅은 미국 특허 제7,888,233호, 제7,582,555호 및 미국 특허 제7,915,139호 B1에 기술된 공정과 같은 당업계에 공지되어 있는 것과 유사한 공정을 사용하여 달성될 수 있으며, 전술한 모든 문헌은 본원에 참조로 포함된다. 코팅될 기판은 증착 챔버에 배치된다. 기판의 온도는 챔버의 벽보다 낮도록 제어될 수 있다. 기판 온도는 150℃ 미만의 온도, 바람직하게는 80℃ 미만, 및 가장 바람직하게는 60℃ 미만 및 -30℃ 초과의 온도로 유지된다. 본 발명의 바람직한 예시적인 기판 온도는 -30℃ 내지 0℃, 0℃ 내지 20℃, 10℃ 내지 30℃, 20℃ 내지 40℃, 30℃ 내지 60℃, 40℃ 내지 80℃, 70℃ 내지 150℃의 범위이다. 기판은 그 위에 폭이 100 ㎛ 미만, 바람직하게는 폭이 1 ㎛ 미만, 및 가장 바람직하게는 폭이 0.5 ㎛ 미만인 작은 크기의 피쳐를 임의로 갖는다. 존재하는 경우, 피쳐의 종횡비(깊이 대 폭 비)는 0.1 초과:1, 및 바람직하게는 1 초과:1, 및 가장 바람직하게는 2 초과:1이다.
[0031] 기판은 단결정 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼, 알루미늄 옥사이드(사파이어) 웨이퍼, 유리 시트, 금속 호일, 유기 폴리머 필름 또는 폴리머, 유리, 실리콘 또는 금속 3 차원 물품일 수 있다. 기판은 실리콘 옥사이드, 실리콘 니트라이드, 비정질 탄소, 실리콘 옥시카바이드, 실리콘 옥시니트라이드, 실리콘 카바이드, 갈륨 아르세나이드, 갈륨 니트라이드 등의 필름을 포함하는 당업계에 잘 알려진 다양한 물질로 코팅될 수 있다. 이러한 코팅은 기판을 완전히 코팅할 수 있고, 다양한 물질의 다중 층일 수 있으며, 부분적으로 에칭되어 하부 물질 층을 노출시킬 수 있다. 표면은 또한 그 위에 패턴으로 노출되고 기판을 부분적으로 코팅하도록 현상된 포토레지스트 물질을 가질 수 있다.
[0032] 임의의 적합한 사이클릭 실록산 전구체가 본 발명에 따라 사용될 수 있지만, 적합한 실리콘 전구체의 예는 하기 화학식 I로 표시되는 구조를 갖는 적어도 하나의 화합물을 포함한다:
Figure 112021004620683-pct00002
화학식 I
상기 식에서, R1-4는 독립적으로 수소, 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬 기, 선형 또는 분지형 C3 내지 C10 알케닐 기, 선형 또는 분지형 C3 내지 C10 알키닐 기, 디-C1 내지 C6-알킬아미노 기, 및 C6 내지 C10 아릴 기로부터 선택되고, n = 1, 2, 3, 4이다. 바람직하게는 R1-4는 독립적으로 수소 및 메틸로부터 선택된다. 화학식 I을 갖는 예시적인 화합물은 2,2,5,5-테트라메틸-1-옥사-2,5-디실라사이클로펜탄, 2,2,6,6-테트라메틸-1-옥사-2,6-디실라사이클로헥산을 포함하나, 이로 제한되지 않는다.
[0033] 본원에 기재된 실리콘 전구체 화합물은 다양한 방식으로 반응 챔버, 예컨대 플라즈마 강화 CVD 반응기로 전달될 수 있다. 일 구체예에서, 액체 전달 시스템이 이용될 수 있다. 대안적인 구체예에서, 예를 들어, MSP Corporation(Shoreview, MN)에서 제조한 터보 기화기와 같은 결합된 액체 전달 및 플래시 기화 공정 유닛을 사용하여 저휘발성 물질을 체적으로 전달할 수 있도록 할 수 있고, 이는 전구체의 열 분해없이 재현 가능한 이송 및 증착을 유도한다. 액체 전달 포뮬레이션(formulation)에서, 본원에 기재된 전구체는 순수한 액체 형태로 전달될 수 있거나, 대안적으로, 이를 포함하는 용매 포뮬레이션 또는 조성물에 사용될 수 있다. 따라서, 특정 구체예에서, 전구체 포뮬레이션은 기판 상에 필름을 형성하기 위해 주어진 최종 사용 용도에서 바람직하고 유리할 수 있는 적합한 특성의 용매 성분(들)을 포함할 수 있다.
[0034] 증착은 직접 플라즈마 또는 원격 플라즈마 소스를 사용하여 수행될 수 있다. 원격 플라즈마 소스의 경우, 이중 플레넘 샤워헤드(dual plenum showerhead)가 사용되어 실리콘 전구체의 증기와 샤워헤드 내부의 라디칼 사이의 사전 혼합을 방지하고, 이에 따라 입자 생성을 피할 수 있다. 라디칼 수명 및 라디칼 투과를 최대화하기 위해 테프론 코팅이 실행될 수 있다. 원격 플라즈마 소스는 예를 들어 마이크로파 플라즈마 소스일 수 있다.
[0035] 실리콘 전구체 화합물은 바람직하게는 할라이드 이온, 예컨대 클로라이드, 또는 금속 이온, 예컨대 알루미늄, 철, 니켈, 크롬을 실질적으로 함유하지 않는다. 할라이드 이온(또는 할라이드), 예컨대 클로라이드 및 플루오라이드, 브로마이드, 아이오다이드와 관련하고, 금속 이온, 예컨대 Al3+, Fe2+, Fe3+, Ni2+, 및 Cr3+과 관련하여 본원에서 사용되는 용어 "실질적으로 함유하지 않는"은 10 ppm 미만(중량 기준) 또는 5 ppm 미만(중량 기준), 바람직하게는 3 ppm 미만, 및 더욱 바람직하게는 1 ppm 미만, 및 가장 바람직하게는 0 ppm(예를 들어, 약 0 ppm 초과 내지 약 1 ppm 미만)을 의미한다. 클로라이드 또는 금속 이온은 실리콘 전구체의 분해 촉매 역할을 하는 것으로 알려져 있다. 최종 생성물에서 유의한 수준의 클로라이드는 실리콘 전구체의 분해를 야기할 수 있다. 실리콘 전구체의 점진적인 분해는 필름 증착 공정에 직접적인 영향을 주어 반도체 제조업체가 필름 사양을 충족하기 어렵게 만든다. 또한, 저장 수명 또는 안정성이 실리콘 전구체의 더 높은 분해율에 의해 부정적인 영향을 받아 1-2 년의 저장 수명을 보장하기 어렵게 만든다. 더욱이, 일부 실리콘 전구체는 수소 및 실란과 같은 분해시 가연성 및/또는 발화성 가스를 형성하는 것으로 알려져 있다. 따라서, 실리콘 전구체의 분해 가속화는 이러한 가연성 및/또는 발화성 가스상(gaseous) 부산물의 형성과 관련된 안전성 및 성능 문제를 제공한다.
[0036] 할라이드를 실질적으로 함유하지 않는 본 발명에 따른 조성물은 (1) 화학 합성 동안 클로라이드 소스를 감소 또는 제거하고/하거나, (2) 최종 정제된 생성물이 실질적으로 클로라이드를 함유하지 않도록 미정제 생성물로부터 클로라이드를 제거하기 위한 효과적인 정제 공정을 수행함으로써 달성될 수 있다. 클로라이드 소스는 할라이드, 예컨대, 클로로디실란, 브로모디실란 또는 아이오도실란을 함유하지 않는 시약을 사용함으로써 합성 중에 감소될 수 있으므로 할라이드 이온을 함유하는 부산물의 생성을 피할 수 있다. 또한, 전술한 시약은 생성된 미정제 생성물이 클로라이드 불순물을 실질적으로 함유하지 않도록 클로라이드 불순물을 실질적으로 함유하지 않아야 한다. 유사한 방식으로, 합성은 허용 불가능할 정도로 높은 수준의 할라이드 오염을 함유하는 할라이드 기반 용매, 촉매 또는 용매를 사용하지 않아야 한다. 미정제 생성물은 또한 할라이드, 예컨대 클로라이드를 실질적으로 함유하지 않는 최종 생성물을 제공하기 위해 다양한 정제 방법에 의해 처리될 수 있다. 이러한 방법은 선행 기술에 잘 기술되어 있고, 증류 또는 흡착과 같은 정제 공정을 포함할 수 있지만 이로 제한되는 것은 아니다. 증류는 일반적으로 비등점의 차이를 이용하여 요망하는 생성물로부터 불순물을 분리하는 데 사용된다. 흡착은 또한 성분들의 차별적인 흡착 성질을 이용하여 최종 생성물이 실질적으로 할라이드를 함유하지 않도록 분리를 수행하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 상업적으로 입수 가능한 MgO-Al2O3 블렌드와 같은 흡착제는 할라이드, 예컨대 클로라이드를 제거하기 위해 사용될 수 있다.
[0037] 본원에 기재된 필름 또는 코팅을 형성하기 위해 사용되는 방법은 유동성 화학 증착 공정이다. 본원에 개시된 방법에 적합한 증착 공정의 예는 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD), 원격 플라즈마 화학 기상 증착(RPCVD), 열선 화학 기상 증착(HWCVD) 또는 플라즈마 강화 사이클릭 CVD(PECCVD) 공정을 포함하나, 이로 제한되는 것은 아니다. 본원에서 사용되는 용어 "유동성 화학 기상 증착 공정"은 기판이 하나 이상의 휘발성 전구체에 노출되어 기판 표면에서 반응 및/또는 분해되어 유동성 올리고머 실리콘 함유 화학종을 제공한 후, 추가 처리시 고체 필름 또는 물질을 생성하는 임의의 공정을 지칭한다. 본원에서 사용되는 전구체, 시약 및 소스는 때때로 "가스상"으로 기술될 수 있지만, 전구체가 직접 기화, 버블링 또는 승화를 통해 반응기 내로 불활성 가스와 함께 또는 불활성 가스 없이 이송되는 액체 또는 고체 중 어느 하나일 수 있는 것으로 이해된다. 일부 경우에, 기화된 전구체는 플라즈마 발생기를 통과할 수 있다. 일 구체예에서, 필름은 플라즈마-기반(예를 들어, 원격 발생 또는 동일 반응계) CVD 공정을 이용하여 증착된다. 본원에서 사용되는 용어 "반응기"는 반응 챔버 또는 증착 챔버를 제한 없이 포함한다.
[0038] 특정 구체예에서, 기판은 필름의 하나 이상의 성질에 영향을 주기 위해 하나 이상의 증착전 처리, 이로 제한되지는 않지만, 예컨대, 플라즈마 처리, 열 처리, 화학 처리, 자외선 광 노출, 전자 빔 노출, 및 이들의 조합에 노출될 수 있다. 이러한 증착전 처리는 불활성, 산화 및/또는 환원으로부터 선택된 대기 하에서 일어날 수 있다.
[0039] 에너지는 반응을 유도하고 기판 상에 실리콘 함유 필름 또는 코팅을 형성하기 위해 화합물, 질소 함유 소스, 산소 소스, 그 밖의 전구체 또는 이들의 조합 중 적어도 하나에 적용된다. 이러한 에너지는, 이로 제한되지는 않지만, 열, 플라즈마, 펄스화 플라즈마, 헬리콘 플라즈마, 고밀도 플라즈마, 유도 결합 플라즈마, X-선, e-빔, 광자, 원격 플라즈마 방법, 및 이들의 조합에 의해 제공될 수 있다. 특정 구체예에서, 2차 RF 주파수 공급원이 기판 표면에 플라즈마 특징을 개질시키기 위해 사용될 수 있다. 증착이 플라즈마를 포함하는 구체예에서, 플라즈마-발생 공정은 플라즈마가 반응기에서 직접 발생되는 직접 플라즈마-발생 공정, 또는 대안적으로, 플라즈마가 반응기 외측에서 발생되고 반응기 내측으로 공급되는 원격 플라즈마-발생 공정을 포함할 수 있다.
[0040] 앞서 언급된 바와 같이, 방법은 표면 피쳐를 포함하는 기판의 표면 중 적어도 일부 상에 필름을 증착시킨다. 기판은 반응기에 배치되고, 기판은 약 -20℃ 내지 약 100℃ 범위의 하나 이상의 온도에서 유지된다. 일 특정 구체예에서, 기판의 온도는 챔버의 벽보다 낮다. 기판 온도는 150℃ 미만의 온도, 바람직하게는 60℃ 미만, 및 가장 바람직하게는 40℃ 미만 및 -20℃ 초과의 온도에서 유지된다.
[0041] 앞서 언급된 바와 같이, 기판은 하나 이상의 표면 피쳐, 예컨대 갭을 포함한다. 일 특정 구체예에서, 표면 피쳐(들)는 100 ㎛ 또는 그 미만의 폭, 또는 1 ㎛ 또는 그 미만의 폭, 또는 0.5 ㎛의 폭을 갖는다. 이러한 또는 다른 구체예에서, 표면 피쳐의 종횡비(깊이 대 폭 비)는, 존재하는 경우, 0.1:1 또는 그 초과, 또는 1:1 또는 그 초과, 또는 10:1 또는 그 초과, 또는 20:1 또는 그 초과, 또는 40:1 또는 그 초과이다. 기판은 단결정 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드의 웨이퍼, 알루미늄 옥사이드(사파이어)의 웨이퍼, 유리 시트, 금속 호일, 유기 폴리머 필름일 수 있거나, 폴리머, 유리, 실리콘 또는 금속 3-차원 물품일 수 있다. 기판은 실리콘 옥사이드, 실리콘 니트라이드, 비정질 탄소, 실리콘 옥시카바이드, 실리콘 옥시니트라이드, 실리콘 카바이드, 갈륨 아르세나이드, 및 갈륨 니트라이드 등의 필름을 포함하는 당해 기술 분야에 잘 알려진 다양한 물질들로 코팅될 수 있다. 이러한 코팅은 기판을 완전히 코팅할 수 있고, 다양한 물질의 다중 층일 수 있으며, 부분적으로 에칭되어 하부 물질 층을 노출시킬 수 있다. 표면은 또한 그 위에 패턴으로 노출되고 기판을 부분적으로 코팅하도록 현상된 포토레지스트 물질을 가질 수 있다.
[0042] 특정 구체예에서, 반응기의 압력은 대기압 미만 또는 50 torr 또는 그 미만, 또는 10 torr 또는 그 미만의 압력이다. 바람직한 구체예에서, 반응기의 압력은 약 0.1 torr 내지 약 10 torr의 범위에서 유지된다. 다른 구체예에서, 반응기의 압력은 열 어닐링시 유동성 실리콘 옥사이드에 더 적은 수축을 제공하도록 약 10 torr 내지 약 30 torr의 범위에서 유지된다.
[0043] 일반적인 양태에서, 본 발명은 상기 발명의 요약에 기재된 바와 같은 방법 및 조성물에 관한 것이다.
[0044] 다른 양태에서, 실리콘 함유 필름을 증착시키기 위한 방법으로서, 방법이
표면 피처를 포함하는 기판을 반응기에 배치하는 단계로서, 기판은 약 -20℃ 내지 약 150℃ 범위의 하나 이상의 온도에서 유지되고, 반응기의 압력은 100 torr 또는 그 미만으로 유지되는 단계;
하기 화학식 I로 표시되는 구조를 갖는 적어도 하나의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 도입하는 단계;
Figure 112021004620683-pct00003
화학식 I
(상기 식에서, R1-4는 독립적으로 수소, 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬 기, 선형 또는 분지형 C3 내지 C10 알케닐 기, 선형 또는 분지형 C3 내지 C10 알키닐 기, 디-C1 내지 C6-알킬아미노 기, 및 C6 내지 C10 아릴 기로부터 선택되고, n = 1, 2, 3, 4이다. 바람직하게는, R1-4는 독립적으로 수소 및 메틸로부터 선택됨),
활성화된 산소 소스를 반응기에 제공하여 적어도 하나의 화합물과 반응하여 필름을 형성하고, 표면 피쳐의 적어도 일부를 덮고, 산소 소스는 예를 들어 인-시튜 플라즈마 또는 원격 플라즈마에 의해 활성화되는 단계;
필름을 약 100℃ 내지 1000℃의 하나 이상의 온도에서 어닐링하고, 임의로 이 열 어닐링 단계에 후속하여 추가 어닐링을 위해 코팅을 UV 방사선에 노출시키는 단계; 및
임의로 기판을 약 100℃ 내지 약 1000℃ 범위의 하나 이상의 온도에서 산소 소스로 처리하여 표면 피처의 적어도 일부 상에 실리콘 함유 필름을 형성하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다. 특정 구체 예에서, 산소 소스는 수증기, 물 플라즈마, 오존, 산소, 산소 플라즈마, 산소/헬륨 플라즈마, 산소/아르곤 플라즈마, 질소 산화물 플라즈마, 이산화탄소 플라즈마, 과산화수소, 유기 과산화물 및 이들의 혼합무로 이루어진 군으로부터 선택된다. 이러한 또는 다른 구체예에서, 방법 단계는 표면 피쳐가 실리콘 함유 필름으로 채워질 때까지 반복된다. 수증기가 산소 소스로서 사용되는 구체예에서, 기판 온도는 약 -20℃ 내지 약 40℃ 또는 약 -10℃ 내지 약 25℃ 범위이다.
[0045] 또 다른 양태에서, 실리콘 니트라이드, 탄소-도핑된 실리콘 니트라이드, 실리콘 옥시니트라이드, 및 탄소-도핑된 실리콘 옥시니트라이드 필름으로 이루어진 군으로부터 선택된 실리콘 함유 필름을 증착시키기 위한 방법으로서, 방법이
표면 피처를 포함하는 기판을, 약 -20℃ 내지 약 150℃ 범위의 온도로 가열되고, 100 torr 또는 그 미만의 압력으로 유지되는 반응기에 배치하는 단계;
하기 화학식 I로 표시되는 구조를 갖는 적어도 하나의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 도입하는 단계;
Figure 112021004620683-pct00004
화학식 I
(상기 식에서, R1-4는 독립적으로 수소, 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬 기, 선형 또는 분지형 C3 내지 C10 알케닐 기, 선형 또는 분지형 C3 내지 C10 알키닐 기, 디-C1 내지 C6-알킬아미노 기, 및 C6 내지 C10 아릴 기로부터 선택되고, n = 1, 2, 3, 4이다. 바람직하게는, R1-4는 독립적으로 수소 및 메틸로부터 선택됨),
플라즈마 소스를 원격으로 또는 인-시튜로 반응기에 제공함으로써 화합물과 반응시켜 표면 피쳐의 적어도 일부 상에 코팅을 형성시키는 단계로서, 일 특정 구체예에서, 화합물과 반응하여 코팅을 형성하는 플라즈마 소스는 질소 플라즈마; 질소와 헬륨을 포함하는 플라즈마; 질소와 아르곤을 포함하는 플라즈마; 암모니아 플라즈마; 암모니아와 헬륨을 포함하는 플라즈마; 암모니아와 아르곤을 포함하는 플라즈마; 헬륨 플라즈마; 아르곤 플라즈마; 수소 플라즈마; 수소와 헬륨을 포함하는 플라즈마; 수소와 아르곤을 포함하는 플라즈마; 암모니아와 수소를 포함하는 플라즈마; 유기 아민 플라즈마; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 단계;
코팅을 약 100℃ 내지 1000℃, 또는 약 100℃ 내지 400℃ 범위의 하나 이상의 온도에서 어닐링하여 표면 피쳐의 적어도 일부에 실리콘 함유 필름을 형성하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다. 이 열 어닐링 단계는 임의로 추가 어닐링을 위해 코팅을 UV 방사선에 노출시키는 것이 뒤따를 수 있다. 유동성 플라즈마 강화 CVD 방법의 경우, 표면 피쳐가 치밀화된 필름(들)으로 채워질 때까지 상기 단계를 반복할 수 있다.
[0046] 본 발명의 전구체 및 그 안에 포함된 하나 이상의 성분을 함유하는 다른 관련 포뮬레이션은 유리, 플라스틱 또는 금속 컨테이너(container) 또는 당업계에 공지된 다른 적합한 컨테이너, 예컨대 미국 특허 제4,828,131호; 제6,077,356호; 제6,526,824호; 제7,124,913호; 및 제7,261,118호(이들 모두는 그 전체가 본원에 참고로 포함됨)에서 개시된 컨테이너에 저장되고, 이송되고, 전달될 수 있다.
[0047] 플라스틱 또는 유리 라이닝된 금속 용기 또는 컨테이너가 또한 사용될 수 있다. 바람직하게는, 물질은 헤드 공간에 불활성 가스를 갖는 밀폐된 고순도 스테인리스 강 또는 니켈 합금 용기로부터 저장되고 전달된다. 가장 바람직하게는, 물질은 용기의 증기 공간과 연통하는 배출구 및 다운 튜브가 장착된 밀폐된 고순도 스테인리스 강 또는 니켈 합금 용기에서 저장되고 전달되고; 생성물이 다운 튜브에서 액체로서 또는 증기 상과 연통하는 출구 연결부에서 증기로서 전달되도록 한다. 후자의 경우, 다운 튜브가 용기 내로 운반 기체를 도입하여 혼합물의 기화를 촉진하기 위해 임의로 사용될 수 있다. 이 구체예에서, 다운 튜브 및 증기 배출구 연결부에는 고 무결성 팩리스 밸브(high integrity packless valve)가 장착된다. 액체의 전달이 본원에 기술된 이러한 포뮬레이션의 성분들의 분할을 피하기 위해 바람직하지만, 본 발명의 포뮬레이션은 포뮬레이션이 증기 혼합물로서 전달될 수 있을만큼 충분히 가깝게 성분들의 증기압과 일치한다는 점에 유의해야 한다. 스테인리스 강은 바람직하게는 UNS 합금 번호 S31600, S31603, S30400, S30403, S31700, S31703, S31500, S31803, S32750 및 S31254로부터 선택될 수 있다. 니켈 합금은 바람직하게는 UNS 합금 번호 N06625, N10665, N06022, N10276 및 N06007로부터 선택될 수 있다. 가장 바람직하게는, 용기는 코팅되지 않은 내부 전기 연마된, 또는 플루오로폴리머로 내부 코팅된 합금 S31603 또는 N06022로 제조된다.
[0048] 본원에 기술된 포뮬레이션은 유동성 실리콘 옥사이드 필름의 빠르고 균일 한 증착을 제공하기 위해 사용될 수 있다. 본원에 기재된 포뮬레이션은 물 및 임의의 조용매, 계면 활성제 및 그 밖의 첨가제를 함유하는 또 다른 반응물과 함께 사용되고, 기판 상에 증착될 수 있다. 이러한 반응 포뮬레이션의 분배 또는 전달은 직접 액체 주입, 분무, 침지, 공동 응축 또는 원심 스핀 코팅에 의해 달성될 수 있다. 이후, 포뮬레이션은 고체 필름 또는 바디(body)가 얻어질 때까지 반응하게 된다. 불활성 가스, 진공, 열 또는 외부 에너지 소스(광, 열, 플라즈마, e-빔 등)을 사용하여 용매 및 미반응 물을 포함하여 미반응 휘발성 화학종을 제거하여 필름의 응축을 촉진할 수 있다. 본 발명의 포뮬레이션은 바람직하게는 증착 챔버에 포함된 기판에, 물 및 임의로 조용매, 및 공정 유체, 예컨대, 가스, 증기, 에어로졸, 미스트 또는 이들의 조합으로서 또한 첨가되는 다른 첨가제와 함께 공정 유체, 예컨대 비제한적으로 가스 상, 액체 방울, 미스트, 안개, 에어로졸, 승화 고체 또는 이들의 조합과 함께 전달될 수 있다. 바람직하게는, 본 발명의 포뮬레이션은 기판의 표면 상에 응축된 필름으로 응축되거나 용해되며, 이는 유리하게는 챔버 벽의 온도보다 낮은 온도에서 유지될 수 있다. 본 발명의 공동 혼합된 증착 전구체 및 촉매는 기판 표면에서 균일한 속도로 반응하여 반응 생성물을 비휘발성 필름으로 제공할 수 있다. 미반응 전구체, 물 및 선택적 조용매 및 첨가제는 안정한 고체 실리콘 함유 필름이 얻어질 때까지 가스 퍼지, 진공, 가열, 추가되는 외부 방사선(광, 플라즈마, 전자 빔 등)에 의해 제거될 수 있다.
[0049] 설명 전체에 걸쳐, 용어 "실리콘 옥사이드"는 화학량론적 또는 비화학량론적 실리콘 옥사이드, 탄소 도핑된 실리콘 옥사이드, 실리콘 카복시니트라이드 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 실리콘 및 산소를 포함하는 필름을 지칭한다. 본원에 기술된 화학식 I 또는 II을 갖는 실리콘 전구체 및 공정을 사용하여 형성된 실리콘 함유 또는 실리콘 니트라이드 필름의 예는 화학식 SixOyCzNvHw을 가지며, 여기서 원자 중량% 기준으로, Si는 약 10% 내지 약 50% 범위이고; O는 약 0% 내지 약 70% 범위이며; C는 약 0% 내지 약 40% 범위이고; N은 약 10% 내지 약 75% 또는 약 10% 내지 60% 범위이고; 및 H는 약 0 % 내지 약 10% 범위이며, x+y+z+v+w = 100 원자 중량%이다(예를 들어, x-선 광전자 분광법(XPS) 또는 2차 이온 질량 분광법(SIMS)에 의해 결정됨).
[0050] 설명 전반에 걸쳐, 본 명세서에서 사용되는 용어 "피쳐"는 바이알, 트렌치 등을 갖는 반도체 기판 또는 일부 제작된 반도체 기판을 지칭한다.
[0051] 본 발명의 특정 구체예는 하기 실시예에 의해 예시된다. 이러한 실시예는 첨부된 청구 범위의 범위를 제한하지 않아야 한다.
실시예
[0052] 유동성 화학 기상 증착(FCVD) 필름을 중간 저항률(8-12 Ωcm) 단결정 실리콘 웨이퍼 기판 및 Si 패턴 웨이퍼 상에 증착시켰다. 패턴 웨이퍼의 경우, 바람직한 패턴 폭은 5:1~20:1의 종횡비로 20~100nm이다. 증착은 이중 플레넘 샤워헤드를 사용하여 Applied Materials Precision 5000 시스템의 변경된 FCVD 챔버에서 수행되었다. 챔버에는 직접 액체 주입(DLI) 전달 기능이 장착되었다. 전구체는 전구체의 비등점에 따라 전달 온도가 달라지는 액체였다. 초기 유동성 실리콘 옥사이드 필름을 증착시키기 위해, 전형적인 액체 전구체 유량은 약 100 내지 약 5000 mg/분, 바람직하게는 1000 내지 2000 mg/분 범위였고; 챔버 압력은 약 0.75 내지 12 Torr, 바람직하게는 0.5 내지 2 Torr 범위였다. 특히, 원격 전력은 2 내지 8 Torr에서 작동하는 2.455 GHz의 주파수로 0 내지 3000 W의 MKS 마이크로파 발생기에 의해 제공되었다. 증착된 유동성 필름의 밀도를 높이기 위해, 필름을 100~1000℃, 바람직하게는 300~400℃에서 변경된 PECVD 챔버를 사용하여 진공에서 열 어닐링 및/또는 UV 경화하였다. SCI 반사계 또는 Woollam 엘립소미터(ellipsometer)에 의해 632 nm에서 두께 및 굴절률(RI)을 측정하였다. 전형적인 필름 두께는 약 10 내지 약 2000 nm 범위였다. 실리콘 기반 필름의 수소 함량의 결합 성질(Si-H 및 C-H)은 Nicolet 투과 푸리에 변환 적외선 분광법(FTIR) 도구로 측정 및 분석되었다. X-선 광전자 분광법(XPS) 분석을 수행하여 필름의 원소 조성을 결정하였다. 유전 상수, 누설 전류 및 항복장(breakdown field)을 포함하는 전기적 성질 측정을 위해 수은 프로브가 채택되었다. Al 패턴 웨이퍼에 대한 유동성 및 갭 채우기 효과가 2.0 nm 해상도에서 Hitachi S-4800 시스템을 사용하는 단면 주사 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰되었다.
[0053] 2,2,5,5-테트라메틸-2,5-디실라-1-옥사사이클로펜탄(TMDSOCH)이 원격 플라즈마 소스(RPS)를 이용한 유동성 SiOC 필름 증착에 사용되었다. TMDSOCH 유량은 2100 mg/min, 산소 유량은 3000 sccm, 압력은 2.5 Torr였다. 기판 온도는 40℃였다. 마이크로파 전력은 2000 W였다. 증착된 상태의 필름을 300℃에서 5분 동안 열 어닐링한 후, 400℃에서 4분 동안 UV 경화시켰다. 증착된 상태의 필름의 두께 및 굴절률은 1675.8 nm 및 1.431이었고, 열 어닐링 후 두께 및 굴절률은 1249.9 nm 및 1.423이었으며, 이는 상승된 온도에서 일부 휘발성 올리고머의 손실을 나타낸다. XPS로 측정된 열 어닐링된 필름의 원소 조성은 30.6% C, 40.0% O 및 29.4% Si이었다. 열 어닐링 후 필름의 유전 상수는 3.50이었으며 이는 댕글링 결합(dangling bond)로 인한 수분 흡수에 기인한다. UV 경화 후 두께 및 굴절률은 968.3 nm 및 1.349이었고, 이는 필름이 UV 경화에 의해 개질되고 약간의 다공성이 도입되었음을 나타낸다. XPS로 측정된 열 어닐링 및 UV 경화 후 필름의 원소 조성은 21.6% C, 45.4% O 및 33.0% Si이었고, 이는 UV 경화로 필름에서 탄소 손실이 있음을 나타낸다. UV 경화 필름의 유전 상수는 2.56이었다. 단면 SEM은 패턴화된 웨이퍼에서 우수한 갭-채우기가 달성되었음을 나타내었다. 도 1 및 도 2는 양호한 갭-채우기를 보여준다. 필름은 열 어닐링되고 UV 경화되었다. 도 3은 (a) 증착된 상태의 필름, (b) 열 어닐링 후 필름 및 (c) 열 어닐링 및 UV 경화 후 필름에 대한 FTIR 스펙트럼을 보여준다.
[0054] 본 발명의 원리가 바람직한 구체예와 관련하여 상기에서 설명되었지만, 이러한 설명은 본 발명의 범위를 제한하는 것이 아니라 단지 예로서 이루어진 것임을 분명히 이해해야 한다.

Claims (18)

  1. 기판 상에 실리콘 함유 필름을 형성하기 위한 유동성 화학 기상 증착 방법으로서, 상기 방법이
    상기 기판을 반응 챔버에 배치하고, 하기 화학식 I로 표시되는 적어도 하나의 사이클릭 실록산 화합물, 및 적어도 하나의 활성화된 화학종을 상기 챔버에 도입하는 단계를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 사이클릭 실록산 화합물 및 상기 활성화된 화학종이 반응하고 상기 기판 상에 유동성 필름으로서 응축하게 되도록 반응기 조건이 제어되고, 상기 적어도 하나의 활성화된 화학종은 상기 반응 챔버에 대해 원격으로 활성화되는 방법:
    Figure 112023026831199-pct00005

    화학식 I
    상기 식에서, R1-4는 독립적으로 수소, 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬 기, 선형 또는 분지형 C3 내지 C10 알케닐 기, 선형 또는 분지형 C3 내지 C10 알키닐 기, 디-C1 내지 C6-알킬아미노 기, 및 C6 내지 C10 아릴 기로부터 선택되고, n = 1, 2, 3, 4이다.
  2. 제1항에 있어서, 기판이 그 사이에 높은 종횡비 갭을 갖는 표면 피쳐를 포함하고, 높은 종횡비 갭이 3:1 내지 10:1 범위의 깊이 대 폭 종횡비를 갖고, 상기 적어도 하나의 사이클릭 실록산 화합물 및 활성화된 화학종이 반응하여 상기 갭 내에 유동성 필름을 형성하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 활성화된 화학종이 원격 플라즈마 소스, 원격 마이크로파 소스, 또는 원격 열선 시스템을 사용하여 생성되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 적어도 하나의 활성화된 화학종이 수증기, 오존, 산소, 산소/헬륨, 산소/아르곤, 질소 산화물, 이산화탄소, 과산화수소, 유기 과산화물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 화학종에 대한 플라즈마 소스, 또는 원격 마이크로파 소스의 작용에 의해 생성된 산화제인 방법.
  5. 제1항에 있어서, 적어도 하나의 사이클릭 실록산 화합물이 2,2,5,5-테트라메틸-1-옥사-2,5-디실라사이클로펜탄 및 2,2,6,6-테트라메틸-1-옥사-2,6-디실라사이클로헥산 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 유동성 필름을 플라즈마, UV 방사선 및 열 어닐링으로 이루어진 군으로부터 선택된 처리로 처리하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 유동성 필름을 상기 처리로 처리하는 단계가 상기 유동성 필름을 유전체 물질로 변환시키는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 적어도 하나의 활성화된 화학종이 질소, 질소와 헬륨의 혼합물, 질소와 아르곤의 혼합물, 암모니아, 암모니아와 헬륨의 혼합물, 암모니아와 아르곤의 혼합물, 헬륨, 아르곤, 수소, 수소와 헬륨의 혼합물, 수소와 아르곤의 혼합물, 암모니아와 수소의 혼합물, 유기 아민, 및 이들의 혼합물로부터 선택된 화학종에 대한 플라즈마 소스, 또는 원격 마이크로파 소스의 작용에 의해 생성되는 방법.
  9. 제1항의 방법에 의해 형성된 필름.
  10. 기판 상에 필름을 유동성 화학 기상 증착시키기 위한 조성물로서, 상기 조성물이 2,2,5,5-테트라메틸-1-옥사-2,5-디실라사이클로펜탄을 포함하고, 10 ppm 미만의 할라이드 이온 불순물을 포함하고, 상기 할라이드 이온은 클로라이드, 플루오라이드, 브로마이드, 및 아이오다이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 조성물이 1 ppm 미만의 할라이드 이온 불순물을 포함하는 조성물.
  12. 제10항에 있어서, 조성물이 10 ppm 미만의 금속 이온 불순물을 포함하고, 상기 금속 이온은 Al3+, Fe2+, Fe3+, Ni2+ 및 Cr3+로 이루어진 군으로부터 선택되는 조성물.
  13. 제12항에 있어서, 조성물이 1 ppm 미만의 금속 이온 불순물을 포함하는 조성물.
  14. 기판 상에 필름을 유동성 화학 기상 증착시키기 위한 조성물로서, 상기 조성물이 2,2,6,6-테트라메틸-1-옥사-2,6-디실라사이클로헥산을 포함하고, 10 ppm 미만의 할라이드 이온 불순물을 포함하고, 상기 할라이드 이온은 클로라이드, 플루오라이드, 브로마이드, 및 아이오다이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 조성물.
  15. 제14항에 있어서, 조성물이 1 ppm 미만의 할라이드 이온 불순물을 포함하는 조성물.
  16. 제14항에 있어서, 조성물이 10 ppm 미만의 금속 이온 불순물을 포함하고, 상기 금속 이온은 Al3+, Fe2+, Fe3+, Ni2+ 및 Cr3+로 이루어진 군으로부터 선택되는 조성물.
  17. 제16항에 있어서, 조성물이 1 ppm 미만의 금속 이온 불순물을 포함하는 조성물.
  18. 삭제
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