KR102547610B1

KR102547610B1 - 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법

Info

Publication number: KR102547610B1
Application number: KR1020220050561A
Authority: KR
Inventors: 문정훈
Original assignee: (주)제이앤티씨
Priority date: 2022-04-25
Filing date: 2022-04-25
Publication date: 2023-06-27

Abstract

본 발명은 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법에 관한 것으로서, 딥소켓하우징의 가공과정에 가공스트레스로 인한 가공금형의 내구성 저하를 방지함과 더불어 생산성을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.
즉, 본 발명은 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법에 있어서, 딥소켓하우징의 성형을 위한 판재를 공급하는 단계로 이루어진 판재공급과정과 상기 판재공급과정을 통하여 공급된 판재를 반복 타격하여 원형딥관체를 가공성형하는 단계로 이루어진 원형딥관체가공과정, 상기 원형딥관체가공과정을 통하여 가공성형된 원형딥관체의 상단과 하단 중 어느 일측 이상을 타격하여 원형딥관체의 상단에서 외측으로 접어져 가공성형되는 플랜지를 가공성형하는 단계로 이루어진 플랜지성형과정, 상기 플랜지성형과정을 통하여 가공성형된 원형딥관체를 타원딥관체로 가공성형하는 단계로 이루어진 타원딥관체성형과정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 것이다.
따라서, 본 발명은 딥소켓하우징의 가공과정에 있어 가공스트레스로 인한 가공금형의 내구성저하가 방지되는 효과와 더불어 생산성이 향상되는 효과를 갖는 것이다.

Description

전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법{Electronic device deep drawing socket connector processing method}

본 발명은 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법에 있어서, 원형딥관체가공과정을 통하여 가공성형된 원형딥관체의 상단과 하단 중 어느 일측 이상을 타격하여 원형딥관체의 상단에서 외측으로 접어져 가공성형되는 플랜지를 가공성형하는 단계로 이루어진 플랜지성형과정과 상기 플랜지성형과정을 통하여 가공성형된 원형딥관체를 타원딥관체로 가공성형하는 단계로 이루어진 타원딥관체성형과정으로 이루어져 딥소켓하우징의 가공과정에 가공스트레스로 인한 가공금형의 내구성 저하를 방지함과 더불어 생산성을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.

일반적으로, 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터는 소켓하우징을 용접 또는 조립구조가 아닌 딥드로잉에 의하여 일체로 형성한 것이다.

이상과 같은 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법은 딥소켓하우징의 성형을 위한 판재를 공급하는 단계로 이루어진 판재공급과정과 상기 판재공급과정을 통하여 공급된 판재를 반복 타격하여 원형딥관체를 가공성형하는 단계로 이루어진 원형딥관체가공과정, 상기 원형딥관체가공과정을 통하여 가공된 원형딥관체를 타원딥관체로 가공성형하는 단계로 이루어진 타원딥관체성형과정 및 상기 타원딥관체성형과정 및 상기 원형딥관체가공과정을 통하여 가공성형된 원형딥관체의 상단과 하단 중 어느 일측 이상을 타격하여 원형딥관체의 상단에서 외측으로 접어져 가공성형되는 플랜지를 가공성형하는 단계로 이루어진 플랜지성형과정으로 이루어지는 것이다.

이와 같은 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법을 통한 딥드로잉 소켓하우징의 가공은 딥드로잉을 통하여 용접 또는 조립이 아닌 드로잉을 통하여 내구성이 향상되고 생산공정이 단순화된 딥드로잉 소켓하우징이 제공되는 것이다.

그러나, 상기한 바와 같은 종래의 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법은 원형딥관체가공과정을 통하여 가공형성된 원형딥관체를 타원딥관체성형과정을 통하여 타원딥관체로 가공하는 과정에 굽힘 변형이 많은 장직경의 양측 단보다 굽힘 변형이 적은 단직경의 상하면이 변형과정에 연신이 상대적으로 많이 이루어져 장직경의 양측 단보다 단직경의 상하면 타원딥관체의 두께가 얇게 형성되게 되는 것이다.

이상과 같이 타원딥관체의 장직경인 양측단보다 단 직경인 상하면이 두께가 얇은 상태에서 타원딥관체의 상단 또는 하단을 타격하는 플랜지성형과정을 통하여 플랜지를 성형하게 되면 플랜지가 성형되는 장직경인 양측단의 가공하중이 단직경인 상하면보다 크게 형성되어 플랜지 성형이 균일하게 이루어지지 않고 금형이 부분적인 스트레스를 받아 손상이 발생하며 작업이 지연되는 문제점이 있었다.

대한민국 특허출원 제10-2018-00791440호

이에, 본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법에 있어, 원형딥관체를 타원딥관체성형과정을 통하여 타원딥관체로 가공하는 과정에 굽힘 변형이 많은 장직경의 양측 단보다 굽힘 변형이 적은 단직경의 상하면이 변형과정에 연신이 상대적으로 많이 이루어져 장직경의 양측 단보다 단직경의 상하면 타원딥관체의 두께가 얇게 형성되고 이로 인하여 타원딥관체의 상단 또는 하단을 타격하는 플랜지성형과정을 통하여 플랜지를 성형하게 되면 플랜지가 성형되는 장직경인 양측단의 가공하중이 단직경인 상하면보다 크게 형성되어 플랜지 성형이 균일하게 이루어지지 않고 금형이 부분적인 스트레스를 받아 손상이 발생하며 작업이 지연되는 문제점을 해결하고자 하는 것이다.

즉, 본 발명은 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법에 있어서, 딥소켓하우징의 성형을 위한 판재를 공급하는 단계로 이루어진 판재공급과정과 상기 판재공급과정을 통하여 공급된 판재를 반복 타격하여 원형딥관체를 가공성형하는 단계로 이루어진 원형딥관체가공과정, 상기 원형딥관체가공과정을 통하여 가공성형된 원형딥관체의 상단과 하단 중 어느 일측 이상을 타격하여 원형딥관체의 상단에서 외측으로 접어져 가공성형되는 플랜지를 가공성형하는 단계로 이루어진 플랜지성형과정, 상기 플랜지성형과정을 통하여 가공성형된 원형딥관체를 타원딥관체로 가공성형하는 단계로 이루어진 타원딥관체성형과정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 것이다.

본 발명은 판재공급과정의 판재는 연속되는 띠형태로 공급되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.

본 발명은 원형딥관체가공과정의 원형딥관체는 그 돌출단부가 막혀진 상태로 가공성형되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.

본 발명은 원형딥관체가공과정을 통하여 형성된 원형딥관체의 딥관체의 막혀지 돌출단부는 플랜지성형과정 이후의 가공과정에 폐쇄단부제거과정을 통하여 절단제거되어 개구되게 가공이 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.

본 발명은 타원딥관체성형과정 이후에 타원딥관체의 단부 또는 측벽에 천공 또는 절단의 프레스가공과정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.

따라서, 본 발명은 원형딥관체가공과정을 통하여 가공성형된 원형딥관체의 상단과 하단 중 어느 일측 이상을 타격하여 원형딥관체의 상단에서 외측으로 접어져 가공성형되는 플랜지를 가공성형하는 단계로 이루어진 플랜지성형과정과 상기 플랜지성형과정을 통하여 가공성형된 원형딥관체를 타원딥관체로 가공성형하는 단계로 이루어진 타원딥관체성형과정으로 이루어짐으로써, 딥소켓하우징의 가공과정에 있어 가공스트레스로 인한 가공금형의 내구성저하가 방지되는 효과와 더불어 생산성이 향상되는 효과를 갖는 것이다.

도 1 은 종래의 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법의 순서도.
도 2 는 종래 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법의 상세 예시도.
도 3 은 종래 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공 단부 예시도..
도 4 는 본 발명의 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공 순서도.
도 5 는 본 발명의 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공 상세 예시도.
도 6은 본 발명의 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공 다른 실시 가공 순서도.

이하, 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명은 가공스트레스로 인한 가공금형의 내구성 저하를 방지함과 더불어 생산성을 향상시킬 수 있도록 한 것으로서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.

즉, 본 발명은 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법에 있어서, 판재공급과정(100)과 원형딥관체가공과정(200), 플랜지성형과정(300) 및 타원딥관체성형과정(400)로 이루어지는 것이다.

여기서, 상기 판재공급과정(100)과 딥소켓하우징의 성형을 위한 판재를 공급하는 단계로 이루어진 것이다.

상기 판재공급과정(100)의 판재는 연속되는 띠형태로 공급되어 이루어지는 것이다.

그리고, 상기 원형딥관체가공과정(200) 상기 판재공급과정(100)을 통하여 공급된 판재를 반복 타격하여 원형딥관체를 가공성형하는 단계로 이루어진 것이다.

상기 원형딥관체가공과정(200)의 원형딥관체는 그 돌출단부가 막혀진 상태로 가공성형되어 이루어지는 것이다.

또한, 상기 플랜지성형과정(300) 상기 원형딥관체가공과정(200)을 통하여 가공성형된 원형딥관체의 상단과 하단 중 어느 일측 이상을 타격하여 원형딥관체의 상단에서 외측으로 접어져 가공성형되는 플랜지를 가공성형하는 단계로 이루어진 것이다.

또한, 상기 타원딥관체성형과정(400) 상기 플랜지성형과정(300)을 통하여 가공성형된 원형딥관체를 타원딥관체로 가공성형하는 단계로 이루어진 것이다.

한편, 상기 원형딥관체가공과정(200)을 통하여 형성된 원형딥관체의 딥관체의 막혀지 돌출단부는 플랜지성형과정(300) 이후의 가공과정에 폐쇄단부제거과정(510)을 통하여 절단제거되어 개구되게 가공이 이루어지는 것이다.

상기 타원딥관체성형과정(400) 이후에 타원딥관체의 단부 또는 측벽에 천공 또는 절단의 프레스가공과정(520)이 이루어지는 것이다.

이하, 본 발명의 적용실시에 따른 작용효과에 대하여 설명하면 다음과 같다.

상기한 바와 같이 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법에 있어서, 딥소켓하우징의 성형을 위한 판재를 공급하는 단계로 이루어진 판재공급과정(100)과 상기 판재공급과정(100)을 통하여 공급된 판재를 반복 타격하여 원형딥관체를 가공성형하는 단계로 이루어진 원형딥관체가공과정(200), 상기 원형딥관체가공과정(200)을 통하여 가공성형된 원형딥관체의 상단과 하단 중 어느 일측 이상을 타격하여 원형딥관체의 상단에서 외측으로 접어져 가공성형되는 플랜지를 가공성형하는 단계로 이루어진 플랜지성형과정(300), 상기 플랜지성형과정(300)을 통하여 가공성형된 원형딥관체를 타원딥관체로 가공성형하는 단계로 이루어진 타원딥관체성형과정(400)으로 이루어진 본 발명을 적용하여 실시하게 되면, 딥소켓하우징의 가공과정에 있어 가공스트레스로 인한 가공금형의 내구성저하가 방지되고 생산성이 향상되는 것이다.

특히, 본 발명은 원형딥관체가공과정(200)을 통하여 가공성형된 원형딥관체의 전체적인 두께가 균일하게 형성된 상태에서 원형딥관체의 상단과 하단 중 어느 한 곳 이상을 타격하는 플랜지성형과정(300)을 통하여 플랜지를 성형하면서 전체적으로 균일한 가공하중이 발생하여 전체적으로 균일한 성형에 의하여 플랜지가 성형되고 금형에도 균일한 하중이 작용되어 금형에 부분 집중하중이 작용되지 않아 내구성 향상되고 플랜지 가공의 작업속도도 향상되는 것이다.

또한, 상기 플랜지성형과정(300)을 통하여 가공성형된 원형딥관체를 측면에서 가압하는 타원딥관체로 가공성형하는 단계로 이루어진 타원딥관체성형과정(400)를 통하여 가공하게 되면 타원딥관체로의 성형이 용이하고 신속하게 이루어지는 것이다.

100 : 판재공급과정과
200 : 원형딥관체가공과정
300 : 플랜지성형과정
400 : 타원딥관체성형과정
510 : 폐쇄단부제거과정
520 : 프레스가공과정

Claims

전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법에 있어서;
판재공급과정을 통하여 공급된 판재를 반복 타격하여 원형딥관체를 가공성형하는 단계로 이루어진 원형딥관체가공과정과
상기 원형딥관체가공과정을 통하여 가공성형된 원형딥관체의 상단과 하단 중 어느 일측 이상을 타격하여 원형딥관체의 상단에서 외측으로 접어져 가공성형되는 플랜지를 가공성형하는 단계로 이루어진 플랜지성형과정,
상기 플랜지성형과정을 통하여 가공성형된 원형딥관체를 타원딥관체로 가공성형하는 단계로 이루어진 타원딥관체성형과정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법.
제 1 항에 있어서;
판재공급과정의 판재는 연속되는 띠형태로 공급되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법.
제 1 항에 있어서;
원형딥관체가공과정의 원형딥관체는 그 돌출단부가 막혀진 상태로 가공성형되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법.
제 1 항에 있어서;
원형딥관체가공과정을 통하여 형성된 원형딥관체의 딥관체의 막혀지 돌출단부는 플랜지성형과정 이후의 가공과정에 폐쇄단부제거과정을 통하여 절단제거되어 개구되게 가공이 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법.
제 1 항에 있어서;
타원딥관체성형과정 이후에 타원딥관체의 단부 또는 측벽에 천공 또는 절단의 프레스가공과정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자기기 딥드로잉 소켓 커넥터 가공방법.