KR102544830B1 - Semiconductor device package - Google Patents

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KR102544830B1
KR102544830B1 KR1020180032230A KR20180032230A KR102544830B1 KR 102544830 B1 KR102544830 B1 KR 102544830B1 KR 1020180032230 A KR1020180032230 A KR 1020180032230A KR 20180032230 A KR20180032230 A KR 20180032230A KR 102544830 B1 KR102544830 B1 KR 102544830B1
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light
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device package
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안관호
이건교
조윤민
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쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
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Abstract

본 발명에 의한 반도체 소자 패키지는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체 구조물, 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 본딩부, 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 본딩부, 및 상기 반도체 구조물 상에 배치되는 제1 투광부재를 포함하는 반도체 소자, 상기 반도체 소자 상에 배치되는 파장변환층, 상기 파장변환층과 상기 반도체 소자 사이에 배치되는 수지부 및 상기 수지부를 둘러싸며 배치되는 반사부재를 포함하고, 상기 제1 투광부재는 상면, 하면 및 상기 상면과 상기 하면 사이에 배치된 측면을 더 포함하고, 상기 반사부재는 상기 제1 및 제2 본딩부와 제1 방향으로 중첩되는 제1 영역, 및 상기 제1 투광부재와 상기 제1 방향으로 중첩되는 제2 영역을 더 포함하고, 상기 반사부재의 제2 영역은 상기 반도체 소자에 인접한 내측면 및 외부로 노출되는 외측면을 더 포함하고, 상기 반사부재의 제2 영역의 내측면과 상기 제1 투광부재 사이의 최단거리는 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 향할수록 점진적으로 증가하고, 상기 제2 방향은 상기 반도체 소자에서 상기 파장변환층을 향하는 방향이고, 상기 제1 영역은 상기 제1 본딩부 및 상기 제2 본딩부와 접한다.A semiconductor device package according to the present invention includes a semiconductor structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer; A semiconductor including a first bonding portion electrically connected to the first conductivity-type semiconductor layer, a second bonding portion electrically connected to the second conductivity-type semiconductor layer, and a first light-transmitting member disposed on the semiconductor structure device, a wavelength conversion layer disposed on the semiconductor device, a resin portion disposed between the wavelength conversion layer and the semiconductor device, and a reflective member disposed surrounding the resin portion, wherein the first light-transmitting member includes an upper surface, A lower surface and a side surface disposed between the upper surface and the lower surface, wherein the reflective member includes a first region overlapping the first and second bonding parts in a first direction, and the first light transmitting member and the first light transmitting member. It further includes a second region overlapping in a direction, the second region of the reflective member further including an inner surface adjacent to the semiconductor element and an outer surface exposed to the outside, the inner surface of the second region of the reflective member and The shortest distance between the first light-transmitting members gradually increases toward a second direction perpendicular to the first direction, the second direction is a direction from the semiconductor device toward the wavelength conversion layer, and the first region It contacts the first bonding part and the second bonding part.

Description

반도체 소자 패키지{Semiconductor device package}Semiconductor device package {Semiconductor device package}

본 발명은 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device package and a method of manufacturing the semiconductor device package.

GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaP, AlGaInP, InP 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점이 있기 때문에 발광소자, 수광소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용되고 있다. 특히 반도체의 3-5족 또는 2-6족 등의 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조절함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안정성, 환경 친화성의 장점을 가진다.Semiconductor devices containing compounds such as GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaP, AlGaInP, and InP have many advantages, such as having wide and easily adjustable band gap energy, and various diodes. In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using compound semiconductor materials such as group 3-5 or group 2-6 of semiconductors have been developed with thin film growth technology and device materials to produce red and green colors. It can implement various colors such as blue and ultraviolet rays, and it is possible to implement white light with high efficiency by using fluorescent materials or adjusting the color. It has the advantages of speed, stability, and environmental friendliness.

뿐만 아니라, 광 검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안정성, 환경친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가지므로 전력 제어 또는 초고조파 회로나 통신용 모듈에서 용이하게 이용할 수 있다. 따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold cathcode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas 나 화재를 감지하는 센서, 의료용 기기 등 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용회로나 기타 전력제어장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.In addition, when light-receiving devices such as photodetectors or solar cells are manufactured using group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor materials, photocurrent is generated by absorbing light in various wavelength ranges through the development of device materials. By doing so, it is possible to absorb light in a wide range of wavelengths from gamma rays to radio wavelength ranges and use light in various wavelength ranges from gamma rays to radio wavelength ranges. In addition, since it has the advantages of fast response speed, stability, environmental friendliness, and easy control of element materials, it can be easily used in power control or ultra-harmonic circuits or communication modules. Therefore, the semiconductor device can replace a transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight that replaces a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device, and can replace a fluorescent lamp or an incandescent bulb. Applications such as white light emitting diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights, sensors that detect gas or fire, and medical devices are expanding. In addition, the application of semiconductor devices can be expanded to high-frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

최근에는 반도체소자의 광속, 광추출 효율 등을 개선하기 위한 반도체소자 패키지의 구조에 대한 다양한 개발이 이루어지고 있다.Recently, various developments have been made on the structure of a semiconductor device package to improve the luminous flux and light extraction efficiency of the semiconductor device.

GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaP, AlGaInP, InP 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점이 있기 때문에 발광소자, 수광소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용되고 있다. 특히 반도체의 3-5족 또는 2-6족 등의 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조절함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안정성, 환경 친화성의 장점을 가진다.Semiconductor devices containing compounds such as GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaP, AlGaInP, and InP have many advantages, such as having wide and easily adjustable band gap energy, and various diodes. In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using compound semiconductor materials such as group 3-5 or group 2-6 of semiconductors have been developed with thin film growth technology and device materials to produce red and green colors. It can implement various colors such as blue and ultraviolet rays, and it is possible to implement white light with high efficiency by using fluorescent materials or adjusting the color. It has the advantages of speed, stability, and environmental friendliness.

뿐만 아니라, 광 검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안정성, 환경친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가지므로 전력 제어 또는 초고조파 회로나 통신용 모듈에서 용이하게 이용할 수 있다. 따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold cathcode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas 나 화재를 감지하는 센서, 의료용 기기 등 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용회로나 기타 전력제어장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.In addition, when light-receiving devices such as photodetectors or solar cells are manufactured using group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor materials, photocurrent is generated by absorbing light in various wavelength ranges through the development of device materials. By doing so, it is possible to absorb light in a wide range of wavelengths from gamma rays to radio wavelength ranges and use light in various wavelength ranges from gamma rays to radio wavelength ranges. In addition, since it has the advantages of fast response speed, stability, environmental friendliness, and easy control of element materials, it can be easily used in power control or ultra-harmonic circuits or communication modules. Therefore, the semiconductor device can replace a transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight that replaces a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device, and can replace a fluorescent lamp or an incandescent bulb. Applications such as white light emitting diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights, sensors that detect gas or fire, and medical devices are expanding. In addition, the application of semiconductor devices can be expanded to high-frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

최근에는 반도체소자의 광속, 광추출 효율 등을 개선하기 위한 반도체소자 패키지의 구조에 대한 다양한 개발이 이루어지고 있다.Recently, various developments have been made on the structure of a semiconductor device package to improve the luminous flux and light extraction efficiency of the semiconductor device.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체 구조물, 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 본딩부, 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 본딩부, 및 상기 반도체 구조물 상에 배치되는 제1 투광부재를 포함하는 반도체 소자, 상기 반도체 소자 상에 배치되는 파장변환층, 상기 파장변환층과 상기 반도체 소자 사이에 배치되는 수지부 및 상기 수지부를 둘러싸며 배치되는 반사부재를 포함하고, 상기 제1 투광부재는 상면, 하면 및 상기 상면과 상기 하면 사이에 배치된 측면을 더 포함하고, 상기 반사부재는 상기 제1 및 제2 본딩부와 제1 방향으로 중첩되는 제1 영역, 및 상기 제1 투광부재와 상기 제1 방향으로 중첩되는 제2 영역을 더 포함하고, 상기 반사부재의 제2 영역은 상기 반도체 소자에 인접한 내측면 및 외부로 노출되는 외측면을 더 포함하고, 상기 반사부재의 제2 영역의 내측면과 상기 제1 투광부재 사이의 최단거리는 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 향할수록 점진적으로 증가하고, 상기 제2 방향은 상기 반도체 소자에서 상기 파장변환층을 향하는 방향이고, 상기 제1 영역은 상기 제1 본딩부 및 상기 제2 본딩부와 접한다.A semiconductor device package according to an embodiment of the present invention for achieving the above technical problem includes a first conductivity-type semiconductor layer, a second conductivity-type semiconductor layer, and the first conductivity-type semiconductor layer and the second conductivity-type semiconductor layer. A semiconductor structure including an active layer disposed therebetween, a first bonding portion electrically connected to the first conductivity-type semiconductor layer, a second bonding portion electrically connected to the second conductivity-type semiconductor layer, and on the semiconductor structure A semiconductor element including a first light-transmitting member disposed on, a wavelength conversion layer disposed on the semiconductor element, a resin part disposed between the wavelength conversion layer and the semiconductor element, and a reflective member disposed surrounding the resin part wherein the first light-transmitting member further includes a top surface, a bottom surface, and a side surface disposed between the top surface and the bottom surface, and the reflective member has a first region overlapping the first and second bonding parts in a first direction. and a second region overlapping the first light-transmitting member in the first direction, wherein the second region of the reflective member further includes an inner surface adjacent to the semiconductor element and an outer surface exposed to the outside, The shortest distance between the inner surface of the second region of the reflective member and the first light transmitting member gradually increases in a second direction perpendicular to the first direction, and the second direction is the wavelength conversion in the semiconductor device. It is a direction toward the layer, and the first area is in contact with the first bonding part and the second bonding part.

일 실시 예에 따르면, 상기 파장변환층 상에 배치되는 제2 투광부재를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, a second light transmitting member disposed on the wavelength conversion layer may be further included.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 투광부재는, 상기 제1 투광부재와 서로 다른 굴절률을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the second light-transmitting member may include a refractive index different from that of the first light-transmitting member.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 투광부재, 상기 파장변환층 및 상기 반사부재의 외 측면은 동일 평면 상에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the second light-transmitting member, the wavelength conversion layer, and outer side surfaces of the reflective member may be disposed on the same plane.

일 실시 예에 따르면, 상기 파장변환층의 상기 제1 방향 길이는 상기 반도체소자의 상기 제1 방향 길이보다 클 수 있다.According to an embodiment, a length of the wavelength conversion layer in the first direction may be greater than a length of the semiconductor device in the first direction.

일 실시 예에 따르면, 상기 수지부는, 상기 반도체 소자의 외 측면으로부터 상기 제1 방향으로의 최대거리가 1㎛ 이상 내지 300㎛ 이하일 수 있다.According to an embodiment, a maximum distance of the resin part from an outer side surface of the semiconductor device in the first direction may be in a range of 1 μm to 300 μm.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 투광부재의 상기 제2 방향으로의 길이 대비 상기 파장변환층의 상기 제2 방향으로의 길이 비율은 0.3 이상 내지 0.6 이하일 수 있다.According to an embodiment, a ratio of the length of the wavelength conversion layer in the second direction to the length of the second light-transmitting member in the second direction may be 0.3 or more to 0.6 or less.

일 실시 예에 따르면, 상기 수지부는, 상기 반도체 소자와 중첩되는 상기 제2 방향으로의 길이가 1㎛ 이상 내지 300㎛ 이하일 수 있다.According to an embodiment, the length of the resin part in the second direction overlapping the semiconductor element may be 1 μm or more and 300 μm or less.

일 실시 예에 따르면, 상기 반사부재는, 상기 파장변환층과 상기 제1방향으로 중첩되는 제3 영역을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the reflective member may further include a third region overlapping the wavelength conversion layer in the first direction.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 투광부재는, 상기 파장변환층과 접하는 일면에 제1 리세스를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the second light transmitting member may include a first recess on one surface in contact with the wavelength conversion layer.

일 실시 예에 따르면, 상기 파장변환층은 상기 제1 리세스 내에 배치될 수 있다.According to one embodiment, the wavelength conversion layer may be disposed in the first recess.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 투광부재는, 상기 파장변환층과 접하는 일면에 복수 개의 제2 리세스를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the second light transmitting member may include a plurality of second recesses on one surface in contact with the wavelength conversion layer.

일 실시 예에 따르면, 상기 파장변환층의 일부 영역이 상기 복수 개의 제2 리세스 내에 배치될 수 있다.According to one embodiment, some regions of the wavelength conversion layer may be disposed within the plurality of second recesses.

일 실시 예에 따르면, 상기 복수 개의 제2 리세스는, 상기 제1방향으로의 길이가 1㎛ 이상 내지 500㎛ 이하일 수 있다.According to one embodiment, the plurality of second recesses may have a length of 1 μm or more to 500 μm or less in the first direction.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부의 하면은, 상기 반사부재의 하면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.According to an embodiment, lower surfaces of the first bonding unit and the second bonding unit may be disposed on the same plane as the lower surface of the reflective member.

본 발명에 의하면, 반도체 소자 패키지의 광속 및 지향각을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the luminous flux and beam angle of a semiconductor device package can be improved.

본 발명에 의하면, 반도체 소자를 기판 상에 배치시키지 않아, 반도체 소자 패키지의 높이를 감소시킬 수 있다.According to the present invention, the height of the semiconductor device package can be reduced without disposing the semiconductor device on the substrate.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

도 1은 본 발명의 제1 내지 제4 실시 예에 따른 반도체 소자의 단면을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도이다.
도 9는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 제1 내지 제4 실시 예에 따른 반도체 소자를 하부에서 바라본 도면이다.
도 11a 내지 도 11f은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to first to fourth embodiments of the present invention.
2 is a perspective view of a semiconductor device package according to a first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the semiconductor device package according to the first embodiment of the present invention taken along line AA'.
4 is a perspective view of a semiconductor device package according to a second embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a semiconductor device package according to a second embodiment of the present invention taken along line AA'.
6 is a perspective view of a semiconductor device package according to a third embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view of a semiconductor device package according to a third embodiment of the present invention taken along line AA'.
8 is a perspective view of a semiconductor device package according to a fourth embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view of a semiconductor device package according to a fourth embodiment of the present invention taken along line AA'.
10 is a bottom view of the semiconductor device according to the first to fourth embodiments of the present invention.
11A to 11F are views for explaining a method of manufacturing a semiconductor device package according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 전술한 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 이하의 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.The foregoing objects and technical configurations of the present invention and the details of the operation and effect thereof will be more clearly understood by the following detailed description.

본 발명의 설명에 있어서, 이하 사용되는 제1, 제2 등과 같은 용어는 동일 또는 상응하는 구성 요소들을 구별하기 위한 식별 기호에 불과하며, 동일 또는 상응하는 구성요소들이 제1, 제2등의 용어에 의하여 한정되는 것은 아니다.In the description of the present invention, terms such as first and second used below are only identification symbols for distinguishing the same or corresponding components, and the same or corresponding components are referred to as first, second, etc. is not limited by

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. “포함한다” 또는 “가진다” 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함으로 지정하기 위한 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들이 부가될 수 있는 것으로 해석될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. Terms such as “include” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, and one or more other features, numbers, or steps , operations, components, parts, or combinations thereof may be interpreted as being capable of being added.

이하 사용되는 “포함한다(Comprises)” 및/또는 “포함하는(comprising)”은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.As used herein, “comprises” and/or “comprising” means that a stated component, step, operation, and/or element refers to the presence or absence of one or more other components, steps, operations, and/or elements; do not rule out additions.

본 발명의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(On)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the present invention, each layer (film), region, pattern or structure may be "on" or "under/under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. The description of "formed on" includes all formed directly or through another layer. The criteria for upper/upper or lower/lower of each layer will be described based on drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 내지 제4 실시 예에 따른 반도체 소자(110)의 단면을 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도이며, 도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view of a semiconductor device 110 according to first to fourth embodiments of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of a semiconductor device package according to the first embodiment of the present invention, and FIG. It is a view showing a cross section of the semiconductor device package according to the first embodiment of the present invention cut along line A-A'.

도 2 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)는 반도체 소자(110), 수지부(120), 파장변환층(130), 제2 투광부재(140) 및 반사부재(150)를 포함한다.2 and 3 , the semiconductor device package 100 according to the first embodiment of the present invention includes a semiconductor device 110, a resin part 120, a wavelength conversion layer 130, and a second light transmitting member 140. ) and a reflective member 150.

본 발명에 있어서, 반도체 소자 패키지(100)는 CSP(Chip Scale Package)일 수 있다. 반도체 소자 패키지(100)는 발광 소자 외에도 수광 소자 등의 각종 전자 소자를 포함할 수 있으며, 실시 예에 따라, 반도체 소자(110)는 UV 발광 소자 또는 청색 발광 소자일 수 있다. 반도체 소자(110)는 전자와 정공이 재결합함으로써 빛을 방출하게 되고, 이때 빛의 파장은 물질 고유의 에너지 밴드 갭에 의해 결정되며, 자외선 대역부터 가시광 대역의 파장 범위 내에서 발광할 수 있다.In the present invention, the semiconductor device package 100 may be a chip scale package (CSP). The semiconductor device package 100 may include various electronic devices such as a light-receiving device in addition to a light-emitting device, and according to embodiments, the semiconductor device 110 may be a UV light-emitting device or a blue light-emitting device. The semiconductor device 110 emits light by recombination of electrons and holes. At this time, the wavelength of light is determined by the energy band gap inherent in the material, and may emit light within a wavelength range from an ultraviolet band to a visible light band.

도 1을 참조하면, 반도체 소자(110)는 플립 칩(flip chip) 타입의 발광 소자일 수 있다. 플립 칩 타입의 반도체 소자(110)는 6면 방향으로 빛이 방출되는 투과형 플립 칩 반도체 소자(110)일 수 있다.Referring to FIG. 1 , the semiconductor device 110 may be a flip chip type light emitting device. The flip chip type semiconductor device 110 may be a transmissive flip chip semiconductor device 110 emitting light in six directions.

본 발명에 따른 반도체 소자(110)는 제1 투광부재(114), 반도체 구조물(113), 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)을 포함할 수 있다. The semiconductor device 110 according to the present invention may include a first light transmitting member 114 , a semiconductor structure 113 , a first bonding part 117 and a second bonding part 118 .

제1 투광부재(114)는 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다.The first light transmitting member 114 may be selected from a group including a sapphire substrate (Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge.

또한, 제1 투광부재(114)는 상면, 하면 및 상면과 하면 사이에 배치된 측면을 더 포함할 수 있다.In addition, the first light transmitting member 114 may further include a top surface, a bottom surface, and a side surface disposed between the top surface and the bottom surface.

반도체구조물(113)은 제1도전형반도체층(113a), 제2도전형 반도체층(113c), 제1도전형반도체층(113a)과 제2도전형반도체층(113c) 사이에 배치된 활성층(113b)을 포함할 수 있다.The semiconductor structure 113 includes a first conductivity type semiconductor layer 113a, a second conductivity type semiconductor layer 113c, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer 113a and the second conductivity type semiconductor layer 113c. (113b).

반도체구조물(113)은 화합물반도체로 제공될 수 있다. 실시 예에 따라, 반도체구조물(113)은 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예를 들어, 반도체구조물(113)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.The semiconductor structure 113 may be provided as a compound semiconductor. Depending on the embodiment, the semiconductor structure 113 may be provided as a Group 2-6 or Group 3-5 compound semiconductor. For example, the semiconductor structure 113 includes at least two or more elements selected from aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), phosphorus (P), arsenic (As), and nitrogen (N). It can be.

제1 및 제2도전형반도체층(113a, 113c)은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(113a, 113c)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. The first and second conductive semiconductor layers 113a and 113c may be implemented with at least one of group 3-5 or group 2-6 compound semiconductors. The first and second conductivity-type semiconductor layers 113a and 113c may have, for example, a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). material may be formed.

예를 들어, 제1 및 제2 도전형 반도체층(113a, 113c)은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. For example, the first and second conductivity-type semiconductor layers 113a and 113c may include at least one selected from a group including GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like. may contain one.

제1 도전형 반도체층(113a)은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(113c)은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. The first conductivity-type semiconductor layer 113a may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te, and the second conductivity-type semiconductor layer 113c may be Mg, Zn, Ca, It may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant such as Sr or Ba.

활성층(113b)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 실시 예에 따라, 활성층(113b)은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. The active layer 113b may be implemented as a compound semiconductor. Depending on the embodiment, the active layer 113b may be implemented with at least one of group 3-5 or group 2-6 compound semiconductors.

활성층(113b)이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 활성층(113b)은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. When the active layer 113b is implemented as a multi-well structure, the active layer 113b may include a plurality of well layers and a plurality of barrier layers alternately disposed, and InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1) may be arranged as a semiconductor material having a composition formula.

예를 들어, 활성층(113b)은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, the active layer 113b includes InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, and InP/GaAs. It may include at least one selected from the group that

본 발명에 있어서, 반도체 소자(110)는 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)을 포함할 수 있다. 실시 예에 따라, 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)은 반도체 구조물(113)의 일면에 배치될 수 있다.In the present invention, the semiconductor device 110 may include a first bonding part 117 and a second bonding part 118 . Depending on the embodiment, the first bonding unit 117 and the second bonding unit 118 may be disposed on one surface of the semiconductor structure 113 .

이때, 일면은 반도체구조물(113)이 외부에서 전류를 주입 받기 위해 반도체구조물(113)이 부착되거나 배치되는 면일 수 있다.In this case, one surface may be a surface on which the semiconductor structure 113 is attached or placed so that the semiconductor structure 113 receives current from the outside.

실시 예에 따라, 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)은 서로 이격된 거리에 배치될 수 있으며, 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)을 통해 반도체 소자(110)로 전류가 흐를 수 있다.Depending on the embodiment, the first bonding unit 117 and the second bonding unit 118 may be disposed at a distance apart from each other, and the semiconductor device is connected through the first bonding unit 117 and the second bonding unit 118. Current can flow to (110).

실시 예에 따라, 제1 본딩부(117)은 제1 패드본딩부(111)과 제1 가지본딩부(115)을 포함할 수 있다. Depending on the embodiment, the first bonding unit 117 may include a first pad bonding unit 111 and a first branch bonding unit 115 .

여기서, 제1 본딩부(117)은 상기 제1도전형반도체층(113a)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2 본딩부(118)은 제2 패드본딩부(112)과 제2 가지본딩부(116)을 포함할 수 있다. Here, the first bonding unit 117 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 113a, and the second bonding unit 118 may include the second pad bonding unit 112 and the second branch bonding unit ( 116) may be included.

또한, 제2 본딩부(118)은 상기 제2도전형반도체층(113c)에 전기적으로 연결될 수 있다. Also, the second bonding part 118 may be electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 113c.

본 발명에 따르면, 제1 가지본딩부(115)과 제2 가지본딩부(116)에 의해 제1 패드본딩부(111)과 제2 패드본딩부(112)을 통하여 공급되는 전원이 반도체구조물(113) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.According to the present invention, the power supplied through the first pad bonding unit 111 and the second pad bonding unit 112 by the first branch bonding unit 115 and the second branch bonding unit 116 is a semiconductor structure ( 113) can be spread throughout and provided.

실시 예에 따라, 제1 본딩부(117)과 제2 본딩부(118)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 본딩부(117)과 제2 본딩부(118)은 오믹 본딩부일 수 있다. Depending on the embodiment, the first bonding unit 117 and the second bonding unit 118 may have a single-layer or multi-layer structure. For example, the first bonding unit 117 and the second bonding unit 118 may be ohmic bonding units.

또한, 제1 본딩부(117)과 제2 본딩부(118)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.In addition, the first bonding unit 117 and the second bonding unit 118 are ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr , Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf may be at least one or an alloy of two or more of these materials.

한편, 반도체구조물(113)에 보호층(미도시)이 더 제공될 수도 있다. 이때 보호층은 반도체구조물(113)의 상면에 제공될 수 있다. Meanwhile, a protective layer (not shown) may be further provided on the semiconductor structure 113 . In this case, the protective layer may be provided on the upper surface of the semiconductor structure 113 .

또한, 보호층은 반도체구조물(113)의 측면에 제공될 수도 있으며, 보호층은 제1 패드본딩부(111)과 제2 패드본딩부(112)이 노출되도록 제공될 수 있다. In addition, the protective layer may be provided on the side surface of the semiconductor structure 113, and the protective layer may be provided so that the first pad bonding portion 111 and the second pad bonding portion 112 are exposed.

아울러, 보호층은 제1 투광부재(114)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.In addition, the protective layer may be selectively provided on the circumference and lower surface of the first light transmitting member 114 .

예를 들어, 보호층은 절연물질로 제공될 수 있으며, SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the protective layer may be provided with an insulating material and may be formed of at least one material selected from a group including SixOy, SiOxNy, SixNy, and AlxOy.

본 발명에 따르면, 반도체 소자(110)는, 활성층(113b)에서 생성된 빛이 반도체 소자(110)의 6면 방향으로 발광될 수 있다. According to the present invention, in the semiconductor device 110, light generated in the active layer 113b may be emitted in directions of six surfaces of the semiconductor device 110.

또한, 활성층(113b)에서 생성된 빛이 반도체 소자(110)의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.In addition, light generated in the active layer 113b may be emitted in six directions through the upper and lower surfaces of the semiconductor device 110 and four side surfaces.

본 발명에 있어서, 반도체 소자 패키지(100)는 제1 본딩부(117) 및 제2 본딩부(118)가 배치될 수 있는 기판(미도시)을 추가로 포함할 수 있으나, 필수적으로 배치시키지 않을 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자 패키지(100)의 제2 방향 길이가 감소하여 소형화될 수 있다.In the present invention, the semiconductor device package 100 may additionally include a substrate (not shown) on which the first bonding unit 117 and the second bonding unit 118 may be disposed, but may not necessarily be disposed thereon. can Accordingly, the length of the semiconductor device package 100 in the second direction can be reduced and miniaturized.

또한, 기판을 배치시키지 않음으로써 반도체 소자(110)로부터 발생되는 열이 빠르게 방출되어, 열 저항이 감소할 수 있으며, 공정 과정에서 제조 원가가 절감되어 경제적일 수 있다.In addition, since heat generated from the semiconductor device 110 is quickly released by not disposing the substrate, thermal resistance may be reduced, and manufacturing cost may be reduced during the process, which may be economical.

다시 도 2 및 도 3을 참조하여 제1 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)를 설명하면, 반도체 소자(110) 상에 파장변환층(130)이 배치되고, 파장변환층(130)과 반도체 소자(110) 사이에 반도체 소자(110)의 네 측면 및 상면을 감싸는 수지부(120)이 배치될 수 있으며, 수지부(120)를 둘러싸며 배치되는 반사부재(150)를 포함할 수 있다.Referring again to FIGS. 2 and 3 to describe the semiconductor device package 100 according to the first embodiment, the wavelength conversion layer 130 is disposed on the semiconductor device 110, and the wavelength conversion layer 130 and the semiconductor device 110 are disposed. A resin part 120 covering four side surfaces and a top surface of the semiconductor element 110 may be disposed between the elements 110 , and a reflective member 150 may be disposed surrounding the resin part 120 .

실시 예에 따라, 반사 부재(150)는 제1 및 제2 본딩부(117, 118)와 제1 방향으로 중첩되는 제1 영역 및 제1 투광부재(114)와 제1 방향으로 중첩되는 제2 영역을 더 포함할 수 있다.Depending on the embodiment, the reflective member 150 may include a first region overlapping the first and second bonding parts 117 and 118 in a first direction, and a second area overlapping the first light transmitting member 114 in a first direction. Further areas may be included.

이에 따라, 반사 부재(150)는 반도체 소자(110)의 측면 광을 반사하며, 반사된 광은 다시 반도체 소자(110)로 유입되거나, 제2 투광부재(140)의 일면으로 출사될 수 있다.Accordingly, the reflective member 150 reflects side light of the semiconductor device 110 , and the reflected light may flow back into the semiconductor device 110 or be emitted to one surface of the second light transmitting member 140 .

아울러, 반사부재(150)의 제1 영역은 제1 본딩부(117) 및 제2 본딩부(118)와 접할 수 있다.In addition, the first region of the reflective member 150 may contact the first bonding part 117 and the second bonding part 118 .

또한, 도시하지 않았으나, 반사 부재(150)는 제1 본딩부(117) 및 제2 본딩부(118) 사이에도 배치되어, 반도체 소자(110)의 하면에서 방출되는 광을 반사하여, 반도체 소자 패키지(100)의 광속 특성을 향상시킬 수 있다.In addition, although not shown, the reflective member 150 is also disposed between the first bonding unit 117 and the second bonding unit 118 to reflect light emitted from the lower surface of the semiconductor device 110 to package the semiconductor device. The luminous flux characteristics of (100) can be improved.

한편, 반사 부재(150)의 일면은 반도체 소자(110)가 포함하는 제1 본딩부(117) 및 제2 본딩부(118)의 하면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.Meanwhile, one surface of the reflective member 150 may be disposed on the same plane as lower surfaces of the first bonding part 117 and the second bonding part 118 included in the semiconductor device 110 .

또한, 반사부재(150)는 제1 본딩부(117) 및 제2 본딩부(118)와 제1 방향으로 중첩되는 제1영역 및 제1 투광부재(114)와 제1 방향으로 중첩되는 제2 영역을 포함할 수 있다.In addition, the reflective member 150 includes a first region overlapping the first bonding portion 117 and the second bonding portion 118 in a first direction, and a second area overlapping the first light transmitting member 114 in a first direction. area can be included.

여기서, 제1 방향은 반도체 소자(110)에서 반사부재(150)의 외 측면을 향하는 방향일 수 있다.Here, the first direction may be a direction toward the outer side of the reflective member 150 in the semiconductor device 110 .

실시 예에 따라, 반사부재(150)의 배치에 따라, 파장변환층(130)의 측면이 노출될 수 있으며, 반도체 소자 패키지(100)의 지향각이 증가되며, 신뢰성을 개선시킬 수 있다.Depending on the embodiment, according to the arrangement of the reflective member 150, the side surface of the wavelength conversion layer 130 may be exposed, the viewing angle of the semiconductor device package 100 may be increased, and reliability may be improved.

반사부재(150)는 White/Black Silicone(Silicone Molding Compound, SMC), White/Black EMC(Epoxy Molding Compound), White Ceramic 중 적어도 하나로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 반사 부재는 TiO2 또는 SiO2와 같은 반사 물질을 포함할 수 있다. The reflective member 150 may be made of at least one of White/Black Silicone (Silicone Molding Compound, SMC), White/Black EMC (Epoxy Molding Compound), and White Ceramic, but is not limited thereto. For example, the reflective member may include a reflective material such as TiO2 or SiO2.

한편, 반사 부재(150)는 캐비티(cavity)를 포함할 수 있고, 캐비티(cavity) 내에 반도체 소자(110)가 배치될 수 있다.Meanwhile, the reflective member 150 may include a cavity, and the semiconductor device 110 may be disposed in the cavity.

또한, 반사부재(150)의 제2 영역은 반도체 소자(110)에 인접한 내 측면 및 외부로 노출되는 외 측면을 더 포함하고, 반사부재(150)의 제2 영역의 내 측면과 제1 투광부재(114) 사이의 최단 거리는 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 향할수록 점진적으로 증가할 수 있다.In addition, the second area of the reflective member 150 further includes an inner side surface adjacent to the semiconductor device 110 and an outer side surface exposed to the outside, and the inner side surface of the second area of the reflective member 150 and the first light transmitting member The shortest distance between (114) may gradually increase toward the second direction perpendicular to the first direction.

여기서, 제2 방향은 반도체 소자(110)에서 파장변환층(130)을 향하는 방향일 수 있다.Here, the second direction may be a direction from the semiconductor element 110 toward the wavelength conversion layer 130 .

그에 따라, 점진적으로 증가하는 경사면을 통해 반도체 소자(110)의 측면에서 방출된 광이 반사되어 광 추출 효율이 증가할 수 있다.Accordingly, the light emitted from the side surface of the semiconductor device 110 is reflected through the gradually increasing slope, so that light extraction efficiency may be increased.

파장변환층(130)은 반도체 소자(110) 상에 배치되어 반도체 소자(110)로부터 입사된 광이 외부로 방출되는 경우, 외부로 방출되는 광의 파장을 변환할 수 있다.The wavelength conversion layer 130 is disposed on the semiconductor element 110 to convert the wavelength of light emitted to the outside when light incident from the semiconductor element 110 is emitted to the outside.

제1 실시 예에 따라, 파장변환층(130)은 반도체 소자(110)의 제1 방향 길이보다 클 수 있으며, 반도체 소자(110)로부터 입사되는 광을 효율적으로 추출할 수 있다.According to the first embodiment, the length of the wavelength conversion layer 130 may be greater than the length of the semiconductor device 110 in the first direction, and light incident from the semiconductor device 110 may be efficiently extracted.

그에 따라, 파장변환층(130)은 수지부(120)과 제2 투광부재(140) 사이에 배치되며, 반도체 소자(110)로부터 입사된 빛을 산란시키기 위해, 산란 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 파장변환층(130)은 TiO2와 같은 광 산란입자를 포함할 수 있다.Accordingly, the wavelength conversion layer 130 is disposed between the resin part 120 and the second light transmitting member 140 and may include a scattering material to scatter light incident from the semiconductor device 110 . For example, the wavelength conversion layer 130 may include light scattering particles such as TiO2.

실시 예에 따라, 파장변환층(130)에 포함되는 산란 물질에 의하여 반도체 소자(110)가 방출하는 빛이 산란되어 분산됨에 따라 파장변환층(130)의 측면 방향으로 추출되는 광량이 증가될 수 있다.Depending on the embodiment, as the light emitted from the semiconductor device 110 is scattered and dispersed by the scattering material included in the wavelength conversion layer 130, the amount of light extracted toward the side of the wavelength conversion layer 130 may increase. there is.

또한, 파장변환층(130)은 파장 변환 물질을 포함할 수 있으며, 반도체 소자(110)로부터 입사된 빛을 파장 변환하여 방출할 수 있다.In addition, the wavelength conversion layer 130 may include a wavelength conversion material, and wavelength-convert light incident from the semiconductor device 110 to be emitted.

파장변환층(130)은 반도체 소자(110)로부터 청색대역의 빛을 입사 받고 황색 대역의 빛을 방출할 수 있다. 예를 들어, 형광체는 YAG계, TAG계, Silicate계, Sulfide계 또는 Nitride계 중 어느 하나의 형광 물질을 포함할 수 있다.The wavelength conversion layer 130 may receive light in a blue band from the semiconductor device 110 and emit light in a yellow band. For example, the phosphor may include any one of YAG-based, TAG-based, silicate-based, sulfide-based, and nitride-based fluorescent materials.

아울러, 파장변환층(130)는 청색대역의 빛과 황색대역의 빛에 의한 백색광을 방출할 수 있으며, 파장변환층(130)이 노출된 네 측면 방향 및 상부 방향으로 백색 광을 방출할 수 있다.In addition, the wavelength conversion layer 130 may emit white light by light in the blue band and light in the yellow band, and may emit white light in four lateral directions and upward directions where the wavelength conversion layer 130 is exposed. .

한편, 앞서 언급한 바와 같이, 반도체 소자 패키지(100)는 파장변환층(130) 상에 제2 투광부재(140)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, as mentioned above, the semiconductor device package 100 may further include a second light transmitting member 140 on the wavelength conversion layer 130 .

제1 실시 예에 따르면, 제2 투광 부재(140)를 배치함으로써, 반도체 소자(110) 및 파장변환층(130)을 열과 외부 충격으로부터 보호할 수 있다.According to the first embodiment, the semiconductor device 110 and the wavelength conversion layer 130 may be protected from heat and external impact by disposing the second light transmitting member 140 .

또한, 제2 투광부재(140)은 파장변환층(130) 상에 배치되고, 파장변환층(130)의 측면에는 배치되지 않을 수 있다. 그에 따라, 파장변환층(130)의 상부 영역에서 파장 변환된 빛의 일부는 파장변환층(130)을 투과하여 제2 투광부재(140)의 상부 방향으로 방출될 수 있다.In addition, the second light transmitting member 140 may be disposed on the wavelength conversion layer 130 and may not be disposed on a side surface of the wavelength conversion layer 130 . Accordingly, some of the wavelength-converted light in the upper region of the wavelength conversion layer 130 may pass through the wavelength conversion layer 130 and be emitted toward the upper portion of the second light transmitting member 140 .

또한, 제2 투광부재(140)는 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지 및 아크릴 수지 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.In addition, the second light transmitting member 140 may include at least one of epoxy resin, silicone resin, polyimide resin, urea resin, and acrylic resin, but is not limited thereto.

아울러, 제2투광부재(140)는 수지물 내에 열 확산제가 첨가될 수 있다. 이러한, 열 확산제는 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 과 같은 물질을 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 황화물 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.In addition, a heat spreader may be added to the second light transmitting member 140 in the resin material. The heat spreader may include at least one of oxides, nitrides, fluorides, and sulfides having materials such as Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr, but is not limited thereto.

또한, 열 확산제는 소정 크기의 분말 입자, 알갱이, 필러(filler), 첨가제로 정의될 수 있다.In addition, the heat spreader may be defined as powder particles, granules, fillers, and additives of a predetermined size.

실시 예에 따라, 제2 투광부재(140)와 제1 투광부재(114)가 서로 다른 굴절률을 포함함으로써, 반도체 소자 패키지(100)의 색 균일도가 개선될 수 있다.According to an embodiment, color uniformity of the semiconductor device package 100 may be improved by including the second light transmitting member 140 and the first light transmitting member 114 having different refractive indices.

또한, 제2 투광부재(140)는 제1 투광부재(114)와 같은 굴절률을 포함할 수 있으며, 사용자의 설계에 따라 제2 투광부재(140) 및 제1 투광부재(114)의 굴절률이 선택될 수 있다.In addition, the second light-transmitting member 140 may have the same refractive index as the first light-transmitting member 114, and the refractive indices of the second light-transmitting member 140 and the first light-transmitting member 114 are selected according to a user's design. It can be.

실시 예에 따라, 제2투광부재(140)의 굴절률이 제1 투광부재(114)의 굴절률보다 작은 경우, 반도체 소자 패키지(100)에서 외부로 방출되는 광의 추출 효율을 향상시킬 수 있다.Depending on the embodiment, when the refractive index of the second light-transmitting member 140 is smaller than the refractive index of the first light-transmitting member 114, extraction efficiency of light emitted from the semiconductor device package 100 to the outside may be improved.

이와 같이 제2투광부재(140)와 제1투광부재(114)가 서로 다른 굴절률을 포함함으로써, 반도체 소자 패키지의 색 균일도가 개선될 수 있다.As the second light-transmitting member 140 and the first light-transmitting member 114 have different refractive indices, color uniformity of the semiconductor device package can be improved.

또한, 제2 투광부재(140)의 제2 방향 길이(D1) 대비 파장변환층(130)의 제2 방향 길이(D2) 비율은 0.3 이상 내지 0.6 이하일 수 있으며, 이에 따라, 반도체 소자 패키지(100)의 광 방출 효율이 증가될 수 있다. 예를 들어, 제2 투광부재(140)의 제2 방향 길이(D1)가 30㎛ 인 경우, 파장변환층(130)의 제2 방향 길이(D2)는 10㎛ 일 수 있으며, 제2 투광부재(140)의 제2 방향 길이(D1)가 300㎛ 인 경우, 파장변환층(130)의 제2 방향 길이(D2)는 200㎛ 일 수 있다.In addition, the ratio of the length D2 of the wavelength conversion layer 130 in the second direction to the length D1 of the second light transmitting member 140 in the second direction may be 0.3 or more to 0.6 or less, and thus, the semiconductor device package 100 ) can increase the light emission efficiency. For example, when the length D1 of the second light transmitting member 140 in the second direction is 30 μm, the length D2 of the wavelength conversion layer 130 in the second direction may be 10 μm, and the second light transmitting member When the length D1 of the second direction of 140 is 300 μm, the length D2 of the wavelength conversion layer 130 in the second direction may be 200 μm.

실시 예에 따라, 제2 투광부재(140)의 제2 방향 길이(D1)가 30um 이상인 경우, 파장이 변환된 광이 외부로 충분히 발현되므로, 반도체 소자 패키지(100)의 광속특성을 확보할 수 있다.Depending on the embodiment, when the length D1 of the second light transmitting member 140 in the second direction is 30 μm or more, since the wavelength-converted light is sufficiently expressed to the outside, the luminous flux characteristics of the semiconductor device package 100 can be secured. there is.

한편, 제2투광부재(140)의 제2방향 길이(D1)가 300um 이하인 경우, 반도체 소자 패키지(100)는 보다 작게 제작 가능하여, 반도체 소자 패키지(100)의 공정 단가 및 공정 수율을 확보할 수 있다.On the other hand, when the length D1 of the second light transmitting member 140 in the second direction is 300 μm or less, the semiconductor device package 100 can be manufactured in a smaller size, thereby securing the process unit cost and process yield of the semiconductor device package 100. can

아울러, 제2 투광부재(140)은 파장변환층(130)으로부터 입사되는 빛의 손실을 줄이기 위해 투명한 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어 제2 투광부재(140)은 유리 재질로 이루어질 수 있다.In addition, the second light transmitting member 140 may be made of a transparent material to reduce loss of light incident from the wavelength conversion layer 130 . For example, the second light transmitting member 140 may be made of a glass material.

한편, 제2 투광부재(140)과 파장변환층(130)의 측면은 동일한 평면 상에 배치될 수 있다.Meanwhile, side surfaces of the second light transmitting member 140 and the wavelength conversion layer 130 may be disposed on the same plane.

앞서 언급한 바와 같이, 반도체 소자 패키지(100)는 반도체 소자(110)의 네 측면 및 상면을 감싸고, 파장변환층(130)의 하면에 배치되는 수지부(120)를 더 포함할 수 있다.As mentioned above, the semiconductor device package 100 may further include a resin part 120 disposed on a lower surface of the wavelength conversion layer 130 and covering four side surfaces and an upper surface of the semiconductor device 110 .

실시 예에 따라, 수지부(120)를 배치함으로써, 반도체 소자(110) 및 파장변환층(130)이 견고하게 부착될 수 있다.또한, 수지부(120)은 반도체 소자(110)에서 방출하는 빛의 손실을 줄이기 위한 투명한 실리콘, 에폭시, 유리 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.Depending on the embodiment, by disposing the resin part 120, the semiconductor element 110 and the wavelength conversion layer 130 may be firmly attached. In addition, the resin part 120 may emit radiation from the semiconductor element 110. It may be made of transparent silicone, epoxy, glass, etc. to reduce light loss, but is not limited thereto.

또한, 수지부(120)의 반도체 소자(110)의 외 측면으로부터 제1 방향으로의 최대거리(T1)는 1㎛ 이상 내지 300㎛ 이하일 수 있다.In addition, the maximum distance T1 of the resin part 120 from the outer side of the semiconductor element 110 in the first direction may be 1 μm or more and 300 μm or less.

이러한 수지부(120)의 제1 방향 거리(T1)가 1㎛ 이상인 경우, 노출된 파장변환층(130)의 네 측면으로 확산되는 광속이 증가하여 반도체 소자 패키지(100)의 측면 방향으로 방출되는 빛의 방출 효율이 증가할 수 있다.When the distance T1 of the resin part 120 in the first direction is 1 μm or more, the light flux diffused to the four side surfaces of the exposed wavelength conversion layer 130 increases and is emitted in the side direction of the semiconductor device package 100. The light emission efficiency can be increased.

한편, 수지부(120)의 제1 방향 거리(T1)가 300㎛ 이하인 경우, 반도체 소자 패키지(100)를 소형으로 제작할 수 있어, 공정 수율을 확보할 수 있다.Meanwhile, when the distance T1 of the resin part 120 in the first direction is 300 μm or less, the semiconductor device package 100 can be manufactured in a small size, and the process yield can be secured.

또한, 반도체 소자(110)와 파장변환층(130) 사이에 배치되는 수지부(120)의 제2 방향 거리(D3)는 1㎛ 이상 내지 300㎛ 이하일 수 있다.In addition, a distance D3 of the resin part 120 disposed between the semiconductor element 110 and the wavelength conversion layer 130 in the second direction may be 1 μm or more and 300 μm or less.

수지부(120)의 제2 방향 거리(D3)가 1㎛ 이상일 경우, 반도체 소자(110)와 파장변환층(130) 사이의 결합력이 증가하여 반도체 소자 패키지(100)의 신뢰성을 확보할 수 있다.When the distance D3 of the resin part 120 in the second direction is greater than or equal to 1 μm, the bonding force between the semiconductor element 110 and the wavelength conversion layer 130 increases, thereby securing reliability of the semiconductor element package 100. .

한편, 수지부(120)의 제2 방향 거리(D3)가 50㎛ 이하일 경우, 복수의 반도체 소자 패키지(100)를 제조하기 위한 공정 수율이 향상될 수 있다.Meanwhile, when the distance D3 of the resin part 120 in the second direction is 50 μm or less, a process yield for manufacturing the plurality of semiconductor device packages 100 may be improved.

한편, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명된 제1 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)는 파장변환층(130)의 측면이 노출된 경우를 기준으로 설명하였다. 그러나, 제2 내지 제4 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)에 의하면 파장변환층(130)이 반사부재(150) 또는 제2 투광부재(140)의 내측에 배치될 수 있다.Meanwhile, the semiconductor device package 100 according to the first embodiment described with reference to FIGS. 2 and 3 has been described based on the case where the side surface of the wavelength conversion layer 130 is exposed. However, according to the semiconductor device packages 100 according to the second to fourth embodiments, the wavelength conversion layer 130 may be disposed inside the reflective member 150 or the second light transmitting member 140 .

도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)의 사시도이고, 도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.4 is a perspective view of the semiconductor device package 100 according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-section of the semiconductor device package 100 according to the second embodiment of the present invention taken along line A-A'. is the drawing shown.

도 4 및 도 5를 참조하면, 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)는 반도체 소자(110), 수지부(120), 파장변환층(130), 제2 투광부재(140) 및 반사부재(150)를 포함한다.4 and 5 , the semiconductor device package 100 according to the second embodiment includes a semiconductor device 110, a resin part 120, a wavelength conversion layer 130, a second light transmitting member 140, and a reflection It includes member 150.

제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)의 반도체 소자(110), 수지부(120) 및 제2 투광부재(140)는 제1 실시 예의 구성과 동일하므로 설명을 생략하기로 한다.Since the semiconductor device 110, the resin part 120, and the second light transmitting member 140 of the semiconductor device package 100 according to the second embodiment are the same as those of the first embodiment, a description thereof will be omitted.

제2 실시 예에 따른 반사 부재(150)는 파장변환층(130)과 제1 방향으로 중첩되는 제3 영역을 더 포함할 수 있다.The reflective member 150 according to the second embodiment may further include a third region overlapping the wavelength conversion layer 130 in the first direction.

이에 따라, 반사 부재(150)는 파장변환층(130)의 측면 광을 반사하며, 반사된 광은 다시 파장변환층(130)으로 유입되거나, 제2 투광부재(140)의 일면으로 출사될 수 있다.Accordingly, the reflective member 150 reflects side light of the wavelength conversion layer 130, and the reflected light may be introduced into the wavelength conversion layer 130 again or emitted to one side of the second light transmitting member 140. there is.

즉, 반사부재(150)의 제3 영역은 파장변환층(130)과 접하고, 반사부재(150)의 제1 영역은 제1 본딩부(117) 및 제2 본딩부(118)와 접할 수 있다.That is, the third region of the reflective member 150 may contact the wavelength conversion layer 130, and the first region of the reflective member 150 may contact the first bonding part 117 and the second bonding part 118. .

또한, 도 6을 참조하면, 반사 부재(150)가 파장변환층(130)의 네 측면을 둘러싸며 배치되는 것을 확인할 수 있다.Also, referring to FIG. 6 , it can be seen that the reflective member 150 is disposed surrounding the four side surfaces of the wavelength conversion layer 130 .

한편, 파장변환층(130)을 둘러싸고 있는 반사부재(150)의 제1 방향으로의 거리(T2)는 1㎛ 이상 내지 500㎛ 일 수 있다.Meanwhile, the distance T2 of the reflective member 150 surrounding the wavelength conversion layer 130 in the first direction may be 1 μm or more to 500 μm.

이러한 반사부재(150)의 제1 방향으로의 길이(T2)가 1㎛ 이상인 경우, 반사부재(150)가 외부 온도에 따라 변형되는 파장변환층(130)을 보호할 수 있어 신뢰성을 확보할 수 있다. When the length T2 of the reflective member 150 in the first direction is 1 μm or more, the reflective member 150 can protect the wavelength conversion layer 130 that is deformed according to the external temperature, thereby ensuring reliability. there is.

또한, 반사부재(150)의 제1 방향으로의 길이(T2)가 500㎛ 이하인 경우, 반도체 소자 패키지(100)의 지향각이 증가할 수 있다.Also, when the length T2 of the reflective member 150 in the first direction is 500 μm or less, the viewing angle of the semiconductor device package 100 may increase.

이러한, 제2 실시 예에 따른 반사부재(150)는 제1 실시 예에 따른 반사부재(150)와 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.The reflective member 150 according to the second embodiment may be made of the same material as the reflective member 150 according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

즉, 제2 실시 예에 따른 파장변환층(130)은 수지부(120) 상에 배치되며, 반사부재(150)가 반도체 소자(110), 수지부(120) 및 파장변환층(130)의 측면을 감싸며 배치되고, 그에 따라, 파장변환층(130)의 측면이 외부로 노출되지 않아, 온도에 따른 파장변환층(130)의 손상을 방지할 수 있다.That is, the wavelength conversion layer 130 according to the second embodiment is disposed on the resin part 120, and the reflective member 150 is the semiconductor element 110, the resin part 120, and the wavelength conversion layer 130. It is disposed while covering the side surface, and thus, the side surface of the wavelength conversion layer 130 is not exposed to the outside, and damage to the wavelength conversion layer 130 due to temperature can be prevented.

예를 들어, 본 발명의 반도체 소자 패키지(100)는 약 -40℃ 이상 내지 125℃ 이하의 온도에서 파장변환층(130)의 크랙을 방지하며, 최대 약 150℃까지 파장변환층(130)이 변형되지 않아, 반도체 소자 패키지(100)의 신뢰성을 확보할 수 있다.For example, the semiconductor device package 100 of the present invention prevents cracks of the wavelength conversion layer 130 at a temperature of about -40 ° C or more to about 125 ° C or less, and the wavelength conversion layer 130 is formed up to about 150 ° C. Since it is not deformed, the reliability of the semiconductor device package 100 can be secured.

또한, 파장변환층(130)은 반도체 소자(110) 상에 배치되어 반도체 소자(110)로부터 입사된 광이 외부로 방출되는 경우, 외부로 방출되는 광의 파장을 변환할 수 있다.In addition, the wavelength conversion layer 130 is disposed on the semiconductor element 110 to convert the wavelength of light emitted to the outside when light incident from the semiconductor element 110 is emitted to the outside.

한편, 이러한, 제2 실시 예에 따른 파장변환층(130)도 제1 실시 예에 따른 파장변환층(130)와 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, the wavelength conversion layer 130 according to the second embodiment may also be made of the same material as the wavelength conversion layer 130 according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

한편, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명된 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)는 반사부재(150)가 파장변환층(130)의 측면을 감싸는 경우를 기준으로 설명하였다. 그러나, 제3 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)에 의하면 파장변환층(130)이 제2 투광부재(140)의 내측에 배치될 수 있다.Meanwhile, the semiconductor device package 100 according to the second embodiment described with reference to FIGS. 4 and 5 has been described based on the case where the reflective member 150 surrounds the side surface of the wavelength conversion layer 130 . However, according to the semiconductor device package 100 according to the third embodiment, the wavelength conversion layer 130 may be disposed inside the second light transmitting member 140 .

도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도이고, 도 7은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.6 is a perspective view of a semiconductor device package according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the semiconductor device package according to a third embodiment of the present invention taken along the line AA'.

도 6 및 도 7을 참조하면, 제3 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)는 반도체 소자(110), 수지부(120), 파장변환층(130), 제2 투광부재(140) 및 반사부재(150)를 포함한다.Referring to FIGS. 6 and 7 , a semiconductor device package 100 according to a third embodiment includes a semiconductor device 110, a resin part 120, a wavelength conversion layer 130, a second light transmitting member 140, and a reflection It includes member 150.

제3 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)의 반도체 소자(110), 수지부(120) 및 반사부재(150)는 제1 실시 예의 구성과 동일하므로 설명을 생략하기로 한다.Since the semiconductor device 110, the resin part 120, and the reflective member 150 of the semiconductor device package 100 according to the third embodiment are the same as those of the first embodiment, a description thereof will be omitted.

제3 실시 예에 따른 파장변환층(130)은 수지부(120) 상에 배치되며, 제2 투광부재(140)가 파장변환층(130)과 접하는 일면에 제1 리세스(131)를 포함할 수 있으며, 그에 따라, 제2 투광부재(140)는 파장변환층(130)과 제1 방향으로 중첩되는 제4 영역을 포함할 수 있다.The wavelength conversion layer 130 according to the third embodiment is disposed on the resin part 120 and includes a first recess 131 on one surface where the second light transmitting member 140 contacts the wavelength conversion layer 130. Accordingly, the second light transmitting member 140 may include a fourth region overlapping the wavelength conversion layer 130 in the first direction.

또한, 파장변환층(130)은 제1 리세스(131) 내에 배치되어, 측면이 외부로 노출되지 않아, 온도에 따른 파장변환층(130)의 손상을 방지할 수 있다.In addition, since the wavelength conversion layer 130 is disposed in the first recess 131 and the side surface is not exposed to the outside, damage to the wavelength conversion layer 130 due to temperature may be prevented.

예를 들어, 본 발명의 반도체 소자 패키지(100)는 약 -40℃ 이상 내지 125℃ 이하의 온도에서 파장변환층(130)의 크랙을 방지하며, 최대 약 150℃까지 파장변환층(130)이 변형되지 않아, 반도체 소자 패키지(100)의 신뢰성을 확보할 수 있다.For example, the semiconductor device package 100 of the present invention prevents cracks of the wavelength conversion layer 130 at a temperature of about -40 ° C or more to about 125 ° C or less, and the wavelength conversion layer 130 is formed up to about 150 ° C. Since it is not deformed, the reliability of the semiconductor device package 100 can be secured.

한편, 이러한, 제3 실시 예에 따른 파장변환층(130)도 제1 실시 예에 따른 파장변환층(130)와 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, the wavelength conversion layer 130 according to the third embodiment may also be made of the same material as the wavelength conversion layer 130 according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

한편, 제2 투광부재(140)가 포함하는 제1 리세스(131)의 내측면으로부터 제1 방향으로의 길이(T3)는 1㎛ 이상 500㎛ 이하일 수 있다.Meanwhile, a length T3 in the first direction from the inner surface of the first recess 131 included in the second light transmitting member 140 may be 1 μm or more and 500 μm or less.

파장변환층(130)의 상면 및 측면을 감싸고 있는 제2 투광부재(140) 외측면의 제1 방향으로의 길이(T3)가 1㎛ 이상인 경우, 제2 투광부재(140)가 외부 온도에 따라 변형되는 파장변환층(130)을 보호할 수 있다.When the length T3 in the first direction of the outer surface of the second light transmitting member 140 surrounding the top and side surfaces of the wavelength conversion layer 130 is 1 μm or more, the second light transmitting member 140 is configured to operate according to the external temperature. The deformed wavelength conversion layer 130 may be protected.

또한, 제2 투광부재(140)의 재질에 따라(예. 유리), 제2 투광부재(140)에 제1 리세스(131)를 형성하는 과정에서 크랙이 발생하는 위험을 줄일 수 있어, 공정 수율이 향상될 수 있다.In addition, depending on the material of the second light transmitting member 140 (eg glass), the risk of cracks occurring in the process of forming the first recess 131 in the second light transmitting member 140 can be reduced, thereby reducing the process Yield can be improved.

또한, 제2 투광부재(140) 외측면의 제1 방향으로의 길이(T3)가 500㎛ 이하인 경우, 반도체 소자 패키지(100)의 광속이 증가하여 광 추출 효율이 향상될 수 있다.In addition, when the length T3 of the outer surface of the second light transmitting member 140 in the first direction is 500 μm or less, the light flux of the semiconductor device package 100 may increase, thereby improving light extraction efficiency.

한편, 이러한, 제3 실시 예에 따른 제2 투광부재(140)도 제1 실시 예에 따른 제2 투광부재(140)와 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, the second light transmitting member 140 according to the third embodiment may also be made of the same material as the second light transmitting member 140 according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

한편, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명된 제3 실시 예에 다른 반도체 소자 패키지(100)는 제2 투광부재(140)의 제1 리세스(131) 내에 파장변환층(130)이 배치되는 경우를 기준으로 설명하였다. 그러나, 제4 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)에 의하면, 제2 투광부재(140) 하부 구조를 변형하여 제2 투광부재(140)의 내측에 배치되는 파장변환층(130)의 결합력을 증대시킬 수 있다.Meanwhile, in the semiconductor device package 100 according to the third embodiment described with reference to FIGS. 6 and 7 , the wavelength conversion layer 130 is disposed in the first recess 131 of the second light transmitting member 140. It was explained on a case by case basis. However, according to the semiconductor device package 100 according to the fourth embodiment, the bonding strength of the wavelength conversion layer 130 disposed inside the second light transmitting member 140 is reduced by modifying the lower structure of the second light transmitting member 140. can increase

도 8은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도이고, 도 9는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.FIG. 8 is a perspective view of a semiconductor device package according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view of the semiconductor device package according to the fourth embodiment of the present invention taken along line A-A'.

도 8 및 도 9를 참조하면, 제4 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)는 반도체 소자(110), 수지부(120), 파장변환층(130), 제2 투광부재(140) 및 반사부재(150)를 포함한다.Referring to FIGS. 8 and 9 , a semiconductor device package 100 according to a fourth embodiment includes a semiconductor device 110, a resin part 120, a wavelength conversion layer 130, a second light transmitting member 140, and a reflection It includes member 150.

제4 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)의 반도체 소자(110), 수지부(120) 및 반사부재(150)는 제1 실시 예의 구성과 동일하므로 설명을 생략하기로 한다.Since the semiconductor device 110, the resin part 120, and the reflective member 150 of the semiconductor device package 100 according to the fourth embodiment are the same as those of the first embodiment, a description thereof will be omitted.

제4 실시 예에 따른 파장변환층(130)은 수지부(120) 상에 배치되며, 제2 투광부재(140)이 파장변환층(130)과 접하는 일면에 복수 개의 제2 리세스(133)를 포함할 수 있다.The wavelength conversion layer 130 according to the fourth embodiment is disposed on the resin part 120 and includes a plurality of second recesses 133 on one surface where the second light transmitting member 140 contacts the wavelength conversion layer 130. can include

이와 같이, 제2 투광부재(140)의 하면에 복수 개의 제2 리세스(133)을 형성함으로서 반도체 소자(110)로부터 입사되는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 아울러, 복수 개의 제2 리세스(133)를 형성함에 따라, 파장변환층(130)의 상면 및 측면과 접촉 면적을 넓혀 결합력을 향상시켜 반도체 소자 패키지(100)의 신뢰성을 확보할 수 있고, 산란에 의한 광 효율을 향상시킬 수 있다.As such, by forming a plurality of second recesses 133 on the lower surface of the second light transmitting member 140 , light extraction efficiency incident from the semiconductor device 110 may be improved. In addition, as the plurality of second recesses 133 are formed, the contact area with the upper and side surfaces of the wavelength conversion layer 130 is increased to improve bonding force, thereby securing reliability of the semiconductor device package 100 and scattering. It is possible to improve the light efficiency by.

또한, 파장변환층(130)은 복수 개의 제2 리세스(133) 내에 배치되어, 측면이 외부로 노출되지 않아, 온도에 따른 파장변환층(130)의 손상을 방지할 수 있다.In addition, since the wavelength conversion layer 130 is disposed in the plurality of second recesses 133 and the side surfaces are not exposed to the outside, damage to the wavelength conversion layer 130 due to temperature can be prevented.

예를 들어, 본 발명의 반도체 소자 패키지(100)는 약 -40℃ 이상 내지 125℃ 이하의 온도에서 파장변환층(130)의 크랙을 방지하며, 최대 약 150℃까지 파장변환층(130)이 변형되지 않아, 반도체 소자 패키지(100)의 신뢰성을 확보할 수 있다.For example, the semiconductor device package 100 of the present invention prevents cracks of the wavelength conversion layer 130 at a temperature of about -40 ° C or more to about 125 ° C or less, and the wavelength conversion layer 130 is formed up to about 150 ° C. Since it is not deformed, the reliability of the semiconductor device package 100 can be secured.

한편, 이러한, 제4 실시 예에 따른 파장변환층(130)도 제1 실시 예에 따른 파장변환층(130)와 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, the wavelength conversion layer 130 according to the fourth embodiment may also be made of the same material as the wavelength conversion layer 130 according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

제4 실시 예에 따라, 파장변환층(130)의 상면 및 네 측면을 감싸고 있는 복수 개의 제2 리세스(133)의 제1 방향으로의 길이(T4)는 1㎛ 이상 500㎛ 이하일 수 있다.According to the fourth embodiment, the length T4 of the plurality of second recesses 133 surrounding the top and four side surfaces of the wavelength conversion layer 130 in the first direction may be 1 μm or more and 500 μm or less.

복수 개의 제2 리세스(133)의 제1 방향으로의 길이(T4)가 1㎛ 이상인 경우, 제2 투광부재(140)가 외부 온도에 따라 변형되는 파장변환층(130)을 보호할 수 있으며, 반도체 소자(110)로부터 입사되는 광의 지향각을 증가시킬 수 있다.When the length T4 of the plurality of second recesses 133 in the first direction is 1 μm or more, the second light transmitting member 140 can protect the wavelength conversion layer 130 that is deformed according to the external temperature. , the beam angle of light incident from the semiconductor device 110 may be increased.

또항, 제2 투광부재(140)의 재질에 따라(예. 유리), 제2 투광부재(140)에 제2 리세스(133)를 형성하는 과정에서 크랙이 발생하는 위험을 줄일 수 있어, 공정 수율이 향상될 수 있다.In addition, depending on the material of the second light-transmitting member 140 (eg, glass), the risk of cracks occurring in the process of forming the second recess 133 in the second light-transmitting member 140 can be reduced, thereby reducing the process Yield can be improved.

또한, 복수 개의 제2 리세스(133)의 제1 방향으로의 길이(T4)가 500㎛ 이하일 경우, 반도체 소자 패키지(100)의 광속이 증가하여 광 효율이 증대될 뿐만 아니라, 제2 리세스(133) 내에 파장변환층(130)이 본딩되는 공정에서 발생하는 응력을 견딜 수 있어 신뢰성을 확보할 수 있다.In addition, when the length T4 of the plurality of second recesses 133 in the first direction is 500 μm or less, the luminous flux of the semiconductor device package 100 increases to increase light efficiency, and the second recess It can withstand the stress generated in the bonding process of the wavelength conversion layer 130 within the 133, so that reliability can be secured.

한편, 이러한, 제4 실시 예에 따른 제2 투광부재(140)도 제1 실시 예에 따른 제2 투광부재(140)와 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, the second light transmitting member 140 according to the fourth embodiment may also be made of the same material as the second light transmitting member 140 according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

한편, 도 10은 제1 내지 제4 실시 예에 따른 반도체 소자를 하부에서 바라본 도면이다. 도 10을 참조하면, 반도체 소자 패키지(100)는 도 10과 같이 반사부재(150)가 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)을 포함하는 반도체 소자(110)의 네 측면을 감싸는 형태로 배치될 수 있다.Meanwhile, FIG. 10 is a bottom view of semiconductor devices according to the first to fourth embodiments. Referring to FIG. 10 , in the semiconductor device package 100 , as shown in FIG. 10 , the reflective member 150 covers four sides of the semiconductor device 110 including the first bonding portion 117 and the second bonding portion 118 . It can be arranged in an enveloping form.

또한, 도 10에 도시하지 않았으나, 반사부재(150)는 제1 본딩부(117) 및 제 2 본딩부 사이에도 배치되어, 반도체 소자(110)의 하면에서 방출되는 광을 반사할 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.Also, although not shown in FIG. 10 , the reflective member 150 may be disposed between the first bonding unit 117 and the second bonding unit to reflect light emitted from the lower surface of the semiconductor device 110 . Accordingly, light extraction efficiency of the semiconductor device package 100 may be improved.

한편, 도 11을 참조하여 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)의 제조 공정에 대해 설명하도록 한다.Meanwhile, a manufacturing process of the semiconductor device package 100 according to the second embodiment will be described with reference to FIG. 11 .

도 11a 내지 도 11f는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.11A to 11F are diagrams for explaining a method of manufacturing a semiconductor device package according to a second embodiment of the present invention.

도 11a 및 도 11b를 참조하면, 제2 투광부재(140) 상에 파장변환층(130)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 파장변환층(130)을 제2 투광부재(140) 상부 전체 영역에 주입하고, 이를 식각하여, 반도체 소자 패키지(100)에 포함되는 개별 파장변환층(130)을 형성할 수 있다.Referring to FIGS. 11A and 11B , a wavelength conversion layer 130 may be formed on the second light transmitting member 140 . For example, the individual wavelength conversion layers 130 included in the semiconductor device package 100 may be formed by injecting the wavelength conversion layer 130 into the entire upper region of the second light transmitting member 140 and etching it. .

보다 구체적으로, 습식 식각 공정 또는 건식 식각(Dry etch) 공정을 이용하여 파장변환층(130)을 식각 할 수 있다. 식각 공정을 위하여 파장변환층(130) 상에 패터닝 된 마스크를 구비할 수 있다.More specifically, the wavelength conversion layer 130 may be etched using a wet etching process or a dry etching process. A patterned mask may be provided on the wavelength conversion layer 130 for an etching process.

도 11c 및 도 11d를 참조하면, 파장변환층(130) 상에 수지부(120)을 형성하는 본딩 물질을 주입하고, 수지부(120) 상에 반도체 소자(110)가 접합될 수 있다.Referring to FIGS. 11C and 11D , a bonding material for forming the resin portion 120 may be injected onto the wavelength conversion layer 130 , and the semiconductor device 110 may be bonded to the resin portion 120 .

이에 따라, 수지부(120)은 반도체 소자(110)의 상면 및 네 측면을 감싸는 형태로 형성되며, 수직 단면은 필렛(fillet) 구조로 형성될 수 있다Accordingly, the resin part 120 is formed to surround the upper surface and the four side surfaces of the semiconductor element 110, and the vertical section may be formed in a fillet structure.

도 11e를 참조하면, 파장변환층(130), 수지부(120) 및 반도체 소자(120)를 포함하는 구성 사이에 반사부재(150)를 주입하여 복수 개의 반도체 소자 패키지(100)를 완성할 수 있다.Referring to FIG. 11E , a plurality of semiconductor device packages 100 may be completed by injecting a reflective member 150 between components including the wavelength conversion layer 130, the resin part 120, and the semiconductor device 120. there is.

도 11f를 참조하면, 반사부재(150) 주입하여 복수 개의 반도체 소자 패키지(100)를 형성하고, 다이싱 공정을 통해 개별 반도체 소자 패키지(100)로 분리 시킬 수 있다.Referring to FIG. 11F , a plurality of semiconductor device packages 100 may be formed by injecting a reflective member 150 and separated into individual semiconductor device packages 100 through a dicing process.

완성된 개별 반도체 소자 패키지(100)는 뒤집어서 실리콘 테이프 또는 글루(Glue)를 이용하여 기판에 부착되거나, 기판 없이 접착 물질을 이용하여 기구적, 전기적으로 연결할 수 있다.The completed individual semiconductor device package 100 may be turned inside out and attached to a substrate using silicon tape or glue, or mechanically and electrically connected using an adhesive material without a substrate.

이와 같은 과정으로 완성된 반도체 소자 패키지(100)는 반사부재(150)가 제2 투광부재(140) 영역까지 감싸지 않아, 광속이 향상될 뿐만 아니라, 지향각이 증가할 수 있다.In the semiconductor device package 100 completed through this process, the reflective member 150 does not cover the area of the second light transmitting member 140, so that not only the luminous flux can be improved, but also the angle of view can be increased.

또한, 반도체 소자 패키지(100)가 웨이퍼 레벨 패키지(Wafer Level Package) 방식으로 제작되어 제작 수율이 증가하고, 제작 공정 비용이 감소될 수 있다.In addition, since the semiconductor device package 100 is manufactured using a wafer level package method, manufacturing yield may be increased and manufacturing process costs may be reduced.

한편, 이상에서 설명된 본 발명에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. Meanwhile, a plurality of light emitting device packages according to the present invention described above may be arrayed on a substrate, and optical members such as a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like may be disposed on a light path of the light emitting device package.

또한, 본 발명에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 장치로 구현될 수 있다.In addition, it may be implemented as a light source device including the light emitting device package according to the present invention.

또한, 광원 장치는 기판과 본 발명에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광원 장치는, 램프, 헤드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 출력되는 광이 필요한 제품에 다양하게 적용될 수 있다.In addition, the light source device includes a light source module including a substrate and a light emitting device package according to the present invention, a radiator for dissipating heat from the light source module, and a power supply unit for processing or converting an electrical signal received from the outside and providing it to the light source module. can include For example, the light source device may include a lamp, a head lamp, or a street light. In addition, the light source device according to the embodiment may be variously applied to products requiring output light.

또한, 광원 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 반도체 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.In addition, the light source device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module including a semiconductor element emitting light, a light guide plate disposed in front of the reflector and guiding light emitted from the light emitting module forward, An optical sheet including prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying image signals to the display panel, disposed in front of the display panel A color filter may be included. Here, the bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.

광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광 소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the headlamp includes a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector for reflecting light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, and a reflector for reflecting light emitted from the light emitting module. It may include a lens that refracts light forward, and a shade that blocks or reflects a part of the light reflected by the reflector and directed to the lens to achieve a light distribution pattern desired by a designer.

이상과 같이 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 기술적 사상과 필수적 특징을 유지한 채로 다른 형태로도 실시될 수 있음을 인지할 수 있을 것이다Although the present invention has been described as above, those skilled in the art to which the present invention pertains will recognize that it can be implemented in other forms while maintaining the technical spirit and essential characteristics of the present invention.

본 발명의 범위는 특허청구범위에 의하여 규정 되어질 것이지만, 특허청구범위 기재사항으로부터 직접적으로 도출되는 구성은 물론 그와 등가인 구성으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태 또한 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention will be defined by the claims, but all changes or modifications derived from configurations directly derived from the claims as well as equivalent configurations are also included in the scope of the present invention. should be interpreted as

100: 반도체 소자 패키지
110: 반도체 소자
120: 수지부
130: 파장변환층
131: 제1 리세스
133: 제2 리세스
140: 제2 투광부재
150: 반사부재100: semiconductor device package
110: semiconductor element
120: resin part
130: wavelength conversion layer
131: first recess
133: second recess
140: second light transmitting member
150: reflective member

Claims (15)

제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체 구조물, 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 본딩부, 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 본딩부, 및 상기 반도체 구조물 상에 배치되는 제1 투광부재를 포함하는 반도체 소자;
상기 반도체 소자 상에 배치되는 파장변환층;
상기 파장변환층 상에 배치되는 제2 투광부재;
상기 파장변환층과 상기 반도체 소자 사이에 배치되는 수지부; 및
상기 수지부를 둘러싸며 배치되는 반사부재; 를 포함하고,
상기 제1 투광부재는 상면, 하면, 및 상기 상면과 상기 하면 사이에 배치된 측면을 포함하고,
상기 반사부재는 상기 제1 및 제2 본딩부와 제1 방향으로 중첩되는 제1 영역, 및 상기 제1 투광부재와 상기 제1 방향으로 중첩되는 제2 영역을 포함하고,
상기 반사부재의 제2 영역은 상기 반도체 소자에 인접한 내측면 및 외부로 노출되는 외측면을 포함하고,
상기 제1 영역은 상기 제1 본딩부 및 상기 제2 본딩부와 접하고,
상기 제2 투광부재는 상기 제1 투광부재와 서로 다른 굴절률을 포함하고,
상기 반사부재는 상기 파장변환층과 상기 제1 방향으로 중첩되는 제3 영역을 더 포함하고,
상기 파장변환층의 하면과 상기 반도체 소자의 상면 사이의 거리는 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 1㎛ 이상 내지 50㎛ 이하이며, 상기 제2 방향은 상기 반도체 소자에서 상기 파장변환층을 향하는 방향인 반도체 소자 패키지.A semiconductor structure including a first conductivity-type semiconductor layer, a second conductivity-type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity-type semiconductor layer and the second conductivity-type semiconductor layer, the first conductivity-type semiconductor layer and the electrical a semiconductor device including a first bonding portion connected to a first bonding portion, a second bonding portion electrically connected to the second conductive semiconductor layer, and a first light-transmitting member disposed on the semiconductor structure;
a wavelength conversion layer disposed on the semiconductor device;
a second light transmitting member disposed on the wavelength conversion layer;
a resin part disposed between the wavelength conversion layer and the semiconductor element; and
a reflective member disposed surrounding the resin part; including,
The first light transmitting member includes an upper surface, a lower surface, and a side surface disposed between the upper surface and the lower surface,
The reflective member includes a first area overlapping the first and second bonding parts in a first direction, and a second area overlapping the first light transmitting member in the first direction,
The second region of the reflective member includes an inner surface adjacent to the semiconductor element and an outer surface exposed to the outside,
The first region is in contact with the first bonding part and the second bonding part,
The second light-transmitting member includes a refractive index different from that of the first light-transmitting member,
The reflective member further includes a third region overlapping the wavelength conversion layer in the first direction,
The distance between the lower surface of the wavelength conversion layer and the upper surface of the semiconductor element is 1 μm to 50 μm in a second direction perpendicular to the first direction, and the second direction is from the semiconductor element toward the wavelength conversion layer. Directional semiconductor device package. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 반사부재의 제2 영역의 내측면과 상기 제1 투광부재 사이의 최단거리는 상기 제2 방향으로 향할수록 점진적으로 증가하는 반도체 소자 패키지.According to claim 1,
The semiconductor device package of claim 1 , wherein a shortest distance between an inner surface of the second region of the reflective member and the first light transmitting member gradually increases toward the second direction. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 파장변환층의 상기 제1 방향 길이는 상기 반도체소자의 상기 제1 방향 길이보다 큰 반도체 소자 패키지.According to claim 1,
A semiconductor device package wherein a length of the wavelength conversion layer in the first direction is greater than a length of the semiconductor device in the first direction. 제1항에 있어서,
상기 수지부는,
상기 반도체 소자의 외측면으로부터 상기 제1 방향으로의 최대거리가 1㎛ 이상 내지 300㎛ 이하인 반도체 소자 패키지.According to claim 1,
The resin part,
A semiconductor device package wherein a maximum distance in the first direction from an outer surface of the semiconductor device is 1 μm or more and 300 μm or less. 제1항에 있어서,
상기 제2 투광부재의 상기 제2 방향으로의 길이 대비 상기 파장변환층의 상기 제2 방향으로의 길이 비율은 0.3 이상 내지 0.6 이하인 반도체 소자 패키지.According to claim 1,
A semiconductor device package wherein a ratio of a length of the second light-transmitting member in the second direction to a length of the wavelength conversion layer in the second direction is 0.3 or more and 0.6 or less. 제1항에 있어서,
상기 수지부는,
상기 반도체 소자와 중첩되는 상기 제2 방향으로의 길이가 1㎛ 이상 내지 300㎛ 이하인 반도체 소자 패키지.According to claim 1,
The resin part,
A semiconductor device package having a length of 1 μm or more to 300 μm or less in the second direction overlapping the semiconductor device. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2 투광부재는,
상기 파장변환층과 접하는 일면에 제1 리세스를 더 포함하는 반도체 소자 패키지.According to claim 1,
The second light transmitting member,
A semiconductor device package further comprising a first recess on one surface in contact with the wavelength conversion layer. 제10항에 있어서,
상기 파장변환층은 상기 제1 리세스 내에 배치되는 반도체 소자 패키지.According to claim 10,
The wavelength conversion layer is disposed in the first recess semiconductor device package. 제1항에 있어서,
상기 제2 투광부재는,
상기 파장변환층과 접하는 일면에 복수 개의 제2 리세스를 더 포함하는 반도체 소자 패키지.According to claim 1,
The second light transmitting member,
A semiconductor device package further comprising a plurality of second recesses on one surface in contact with the wavelength conversion layer. 제12항에 있어서,
상기 파장변환층의 일부 영역이 상기 복수 개의 제2 리세스 내에 배치되는 반도체 소자 패키지.According to claim 12,
A semiconductor device package in which a partial region of the wavelength conversion layer is disposed within the plurality of second recesses. 제12항에 있어서,
상기 복수 개의 제2 리세스는,
상기 제1 방향으로 제1 방향의 길이가 1㎛ 이상 내지 500㎛ 이하인 반도체 소자 패키지.According to claim 12,
The plurality of second recesses,
A semiconductor device package having a length of 1 μm or more to 500 μm or less in the first direction. 제1항에 있어서,
상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부의 하면은,
상기 반사부재의 하면과 동일 평면 상에 배치되는 반도체 소자 패키지.According to claim 1,
The lower surfaces of the first bonding part and the second bonding part,
A semiconductor device package disposed on the same plane as the lower surface of the reflective member.
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