KR20190110356A - Semiconductor device package - Google Patents

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Abstract

According to the present invention, a semiconductor device package includes: a semiconductor device; a wavelength conversion layer disposed on the semiconductor device; a resin unit disposed between the wavelength conversion layer and the semiconductor device; and a reflecting member disposed surrounding the resin unit. The semiconductor device includes: a semiconductor structure comprising a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first and second conductive semiconductor layers; a first bonding unit electrically connected to the first conductive semiconductor layer; a second bonding unit electrically connected to the second conductive semiconductor layer; and a first light transmitting member disposed on the semiconductor structure. The first light transmitting member further includes a top surface, a bottom surface, and a side surfaces disposed between the top and bottom surfaces. The reflective member further includes a first region overlapping the first and second bonding units in a first direction, and a second region overlapping the first light transmitting member in the first direction. The second region of the reflective member further includes an inner surface adjacent to the semiconductor device and an outer surface exposed to the outside. The shortest distance between the inner surface of the second region of the reflective member and the first light transmitting member is gradually increased toward the second direction perpendicular to the first direction. The second direction is the direction toward the wavelength conversion layer from the semiconductor device, and the first region comes into contact with the first and second bonding units. Thus, a luminous flux and directivity of the semiconductor device package can be improved.

Description

반도체 소자 패키지{Semiconductor device package}Semiconductor device package

본 발명은 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device package and a method for manufacturing the semiconductor device package.

GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaP, AlGaInP, InP 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점이 있기 때문에 발광소자, 수광소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용되고 있다. 특히 반도체의 3-5족 또는 2-6족 등의 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조절함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안정성, 환경 친화성의 장점을 가진다.Light-emitting devices and light-receiving devices have many advantages, such as GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaP, AlGaInP, InP, etc. And various diodes. In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using compound semiconductor materials such as group 3-5 or group 2-6 of semiconductors have been developed using thin film growth technology and device materials. It can realize various colors such as blue, ultraviolet and ultraviolet rays, and it is possible to realize efficient white light by using fluorescent material or adjusting color, and it has low power consumption, semi-permanent life, and quick response compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps. It has the advantages of speed, stability and environmental friendliness.

뿐만 아니라, 광 검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안정성, 환경친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가지므로 전력 제어 또는 초고조파 회로나 통신용 모듈에서 용이하게 이용할 수 있다. 따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold cathcode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas 나 화재를 감지하는 센서, 의료용 기기 등 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용회로나 기타 전력제어장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.In addition, when a light receiving device such as a photo detector or a solar cell is also manufactured using a group 3-5 or 2-6 compound semiconductor material of a semiconductor, the development of device materials absorbs light in various wavelength ranges to generate a photocurrent. By absorbing light in various wavelength ranges from the gamma ray to the radio wavelength range, light in various wavelength ranges from the gamma ray to the radio wavelength range can be used. In addition, it has the advantages of fast response speed, stability, environmental friendliness and easy adjustment of device materials, so it can be easily used in power control or microwave circuits or communication modules. Accordingly, the semiconductor device may replace a light emitting diode backlight, a fluorescent lamp, or an incandescent bulb, which replaces a cold cathcode fluorescence lamp (CCFL) constituting a backlight module of an optical communication means, a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device. Applications include white light emitting diode lighting devices, automotive headlights and traffic lights, sensors to detect gas or fire, and medical devices. In addition, the semiconductor device may be extended to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

최근에는 반도체소자의 광속, 광추출 효율 등을 개선하기 위한 반도체소자 패키지의 구조에 대한 다양한 개발이 이루어지고 있다.Recently, various developments have been made on the structure of a semiconductor device package for improving the luminous flux, light extraction efficiency, and the like of the semiconductor device.

GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaP, AlGaInP, InP 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점이 있기 때문에 발광소자, 수광소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용되고 있다. 특히 반도체의 3-5족 또는 2-6족 등의 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조절함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안정성, 환경 친화성의 장점을 가진다.Light-emitting devices and light-receiving devices have many advantages, such as GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaP, AlGaInP, InP, etc. And various diodes. In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using compound semiconductor materials such as group 3-5 or group 2-6 of semiconductors have been developed using thin film growth technology and device materials. It can realize various colors such as blue, ultraviolet and ultraviolet rays, and it is possible to realize efficient white light by using fluorescent material or adjusting color, and it has low power consumption, semi-permanent life, and quick response compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps. It has the advantages of speed, stability and environmental friendliness.

뿐만 아니라, 광 검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안정성, 환경친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가지므로 전력 제어 또는 초고조파 회로나 통신용 모듈에서 용이하게 이용할 수 있다. 따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold cathcode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas 나 화재를 감지하는 센서, 의료용 기기 등 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용회로나 기타 전력제어장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.In addition, when a light receiving device such as a photo detector or a solar cell is also manufactured using a group 3-5 or 2-6 compound semiconductor material of a semiconductor, the development of device materials absorbs light in various wavelength ranges to generate a photocurrent. By absorbing light in various wavelength ranges from the gamma ray to the radio wavelength range, light in various wavelength ranges from the gamma ray to the radio wavelength range can be used. In addition, it has the advantages of fast response speed, stability, environmental friendliness and easy adjustment of device materials, so it can be easily used in power control or microwave circuits or communication modules. Accordingly, the semiconductor device may replace a light emitting diode backlight, a fluorescent lamp, or an incandescent bulb, which replaces a cold cathcode fluorescence lamp (CCFL) constituting a backlight module of an optical communication means, a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device. Applications include white light emitting diode lighting devices, automotive headlights and traffic lights, sensors to detect gas or fire, and medical devices. In addition, the semiconductor device may be extended to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

최근에는 반도체소자의 광속, 광추출 효율 등을 개선하기 위한 반도체소자 패키지의 구조에 대한 다양한 개발이 이루어지고 있다.Recently, various developments have been made on the structure of a semiconductor device package for improving the luminous flux, light extraction efficiency, and the like of the semiconductor device.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체 구조물, 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 본딩부, 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 본딩부, 및 상기 반도체 구조물 상에 배치되는 제1 투광부재를 포함하는 반도체 소자, 상기 반도체 소자 상에 배치되는 파장변환층, 상기 파장변환층과 상기 반도체 소자 사이에 배치되는 수지부 및 상기 수지부를 둘러싸며 배치되는 반사부재를 포함하고, 상기 제1 투광부재는 상면, 하면 및 상기 상면과 상기 하면 사이에 배치된 측면을 더 포함하고, 상기 반사부재는 상기 제1 및 제2 본딩부와 제1 방향으로 중첩되는 제1 영역, 및 상기 제1 투광부재와 상기 제1 방향으로 중첩되는 제2 영역을 더 포함하고, 상기 반사부재의 제2 영역은 상기 반도체 소자에 인접한 내측면 및 외부로 노출되는 외측면을 더 포함하고, 상기 반사부재의 제2 영역의 내측면과 상기 제1 투광부재 사이의 최단거리는 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 향할수록 점진적으로 증가하고, 상기 제2 방향은 상기 반도체 소자에서 상기 파장변환층을 향하는 방향이고, 상기 제1 영역은 상기 제1 본딩부 및 상기 제2 본딩부와 접한다.In accordance with another aspect of the present invention, a semiconductor device package includes a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer. A semiconductor structure comprising an active layer disposed between, a first bonding portion electrically connected to the first conductive semiconductor layer, a second bonding portion electrically connected to the second conductive semiconductor layer, and on the semiconductor structure A semiconductor device including a first light transmitting member disposed on the semiconductor device; a wavelength conversion layer disposed on the semiconductor device; a resin part disposed between the wavelength conversion layer and the semiconductor device; and a reflection member disposed to surround the resin part. And the first light transmitting member further comprises an upper surface, a lower surface, and a side surface disposed between the upper surface and the lower surface, and the reflective member is formed with the first and second bonding portions. A first region overlapping in one direction, and a second region overlapping with the first light transmitting member in the first direction, wherein the second region of the reflecting member is exposed to the inner side and the outer side adjacent to the semiconductor element; Further comprising an outer side surface, wherein the shortest distance between the inner side surface of the second region of the reflective member and the first light transmitting member is gradually increased toward the second direction perpendicular to the first direction, and the second direction Is a direction toward the wavelength conversion layer in the semiconductor device, and the first region is in contact with the first bonding portion and the second bonding portion.

일 실시 예에 따르면, 상기 파장변환층 상에 배치되는 제2 투광부재를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, it may further include a second light transmitting member disposed on the wavelength conversion layer.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 투광부재는, 상기 제1 투광부재와 서로 다른 굴절률을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the second light transmitting member may include a refractive index different from that of the first light transmitting member.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 투광부재, 상기 파장변환층 및 상기 반사부재의 외 측면은 동일 평면 상에 배치될 수 있다.According to one embodiment, the outer side surfaces of the second light transmitting member, the wavelength conversion layer and the reflective member may be disposed on the same plane.

일 실시 예에 따르면, 상기 파장변환층의 상기 제1 방향 길이는 상기 반도체소자의 상기 제1 방향 길이보다 클 수 있다.In example embodiments, the first direction length of the wavelength conversion layer may be greater than the first direction length of the semiconductor device.

일 실시 예에 따르면, 상기 수지부는, 상기 반도체 소자의 외 측면으로부터 상기 제1 방향으로의 최대거리가 1㎛ 이상 내지 300㎛ 이하일 수 있다.According to an embodiment, the resin part may have a maximum distance from the outer side surface of the semiconductor element in the first direction to 1 μm or more and 300 μm or less.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 투광부재의 상기 제2 방향으로의 길이 대비 상기 파장변환층의 상기 제2 방향으로의 길이 비율은 0.3 이상 내지 0.6 이하일 수 있다.According to one embodiment, the ratio of the length of the wavelength conversion layer in the second direction to the length of the second light transmitting member in the second direction may be 0.3 or more and 0.6 or less.

일 실시 예에 따르면, 상기 수지부는, 상기 반도체 소자와 중첩되는 상기 제2 방향으로의 길이가 1㎛ 이상 내지 300㎛ 이하일 수 있다.According to an embodiment, the resin part may have a length in the second direction overlapping with the semiconductor element may be 1 μm or more and 300 μm or less.

일 실시 예에 따르면, 상기 반사부재는, 상기 파장변환층과 상기 제1방향으로 중첩되는 제3 영역을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the reflective member may further include a third region overlapping the wavelength conversion layer in the first direction.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 투광부재는, 상기 파장변환층과 접하는 일면에 제1 리세스를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the second light transmitting member may include a first recess on one surface in contact with the wavelength conversion layer.

일 실시 예에 따르면, 상기 파장변환층은 상기 제1 리세스 내에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the wavelength conversion layer may be disposed in the first recess.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 투광부재는, 상기 파장변환층과 접하는 일면에 복수 개의 제2 리세스를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, the second light transmitting member may include a plurality of second recesses on one surface in contact with the wavelength conversion layer.

일 실시 예에 따르면, 상기 파장변환층의 일부 영역이 상기 복수 개의 제2 리세스 내에 배치될 수 있다.According to an embodiment, a portion of the wavelength conversion layer may be disposed in the plurality of second recesses.

일 실시 예에 따르면, 상기 복수 개의 제2 리세스는, 상기 제1방향으로의 길이가 1㎛ 이상 내지 500㎛ 이하일 수 있다.According to an embodiment, the plurality of second recesses may have a length in the first direction of 1 μm or more and 500 μm or less.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부의 하면은, 상기 반사부재의 하면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the lower surfaces of the first bonding portion and the second bonding portion may be disposed on the same plane as the lower surface of the reflective member.

본 발명에 의하면, 반도체 소자 패키지의 광속 및 지향각을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the luminous flux and the directing angle of the semiconductor device package can be improved.

본 발명에 의하면, 반도체 소자를 기판 상에 배치시키지 않아, 반도체 소자 패키지의 높이를 감소시킬 수 있다.According to the present invention, the height of the semiconductor device package can be reduced without placing the semiconductor device on the substrate.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명의 제1 내지 제4 실시 예에 따른 반도체 소자의 단면을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도이다.
도 9는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 제1 내지 제4 실시 예에 따른 반도체 소자를 하부에서 바라본 도면이다.
도 11a 내지 도 11f은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to example embodiments of the present invention.
2 is a perspective view of a semiconductor device package according to a first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the semiconductor device package taken along the line AA ′ according to the first embodiment of the present invention.
4 is a perspective view of a semiconductor device package according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view of the semiconductor device package taken along the AA ′ line. Referring to FIG.
6 is a perspective view of a semiconductor device package according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view of a semiconductor device package taken along a line AA ′ according to the third embodiment of the present invention.
8 is a perspective view of a semiconductor device package according to a fourth embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view of the semiconductor device package according to the fourth exemplary embodiment cut along the AA ′ line.
10 is a view of the semiconductor device according to the first to fourth embodiments of the present invention viewed from below.
11A to 11F are diagrams for describing a method of manufacturing a semiconductor device package according to the second embodiment of the present invention.

본 발명의 전술한 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 이하의 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.Details of the above-described objects and technical configurations of the present invention and the resulting effects thereof will be more clearly understood from the following detailed description.

본 발명의 설명에 있어서, 이하 사용되는 제1, 제2 등과 같은 용어는 동일 또는 상응하는 구성 요소들을 구별하기 위한 식별 기호에 불과하며, 동일 또는 상응하는 구성요소들이 제1, 제2등의 용어에 의하여 한정되는 것은 아니다.In the description of the present invention, terms such as first and second which are used hereinafter are merely identification symbols for distinguishing the same or corresponding components, and the same or corresponding components are used as the first and second terms. It is not limited to.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. “포함한다” 또는 “가진다” 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함으로 지정하기 위한 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들이 부가될 수 있는 것으로 해석될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. The terms “comprises” or “having” are intended to indicate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof is present on the specification and that one or more other features, numbers, or steps are present. It is to be understood that the acts, components, parts or combinations thereof may be added.

이하 사용되는 “포함한다(Comprises)” 및/또는 “포함하는(comprising)”은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.As used herein, “comprises” and / or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements, or Does not exclude additional

본 발명의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(On)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the present invention, each layer (film), region, pattern or structure is "on" or "under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. "Formed in" includes both those formed directly or through another layer. Criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 내지 제4 실시 예에 따른 반도체 소자(110)의 단면을 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도이며, 도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view of a semiconductor device 110 according to the first to fourth embodiments of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of a semiconductor device package according to the first embodiment of the present invention, and FIG. A cross-sectional view of the semiconductor device package according to the first exemplary embodiment is cut along the AA ′ line.

도 2 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)는 반도체 소자(110), 수지부(120), 파장변환층(130), 제2 투광부재(140) 및 반사부재(150)를 포함한다.2 to 3, the semiconductor device package 100 according to the first embodiment of the present invention may include the semiconductor device 110, the resin part 120, the wavelength conversion layer 130, and the second light transmitting member 140. ) And a reflective member 150.

본 발명에 있어서, 반도체 소자 패키지(100)는 CSP(Chip Scale Package)일 수 있다. 반도체 소자 패키지(100)는 발광 소자 외에도 수광 소자 등의 각종 전자 소자를 포함할 수 있으며, 실시 예에 따라, 반도체 소자(110)는 UV 발광 소자 또는 청색 발광 소자일 수 있다. 반도체 소자(110)는 전자와 정공이 재결합함으로써 빛을 방출하게 되고, 이때 빛의 파장은 물질 고유의 에너지 밴드 갭에 의해 결정되며, 자외선 대역부터 가시광 대역의 파장 범위 내에서 발광할 수 있다.In the present invention, the semiconductor device package 100 may be a chip scale package (CSP). The semiconductor device package 100 may include various electronic devices, such as a light receiving device, in addition to the light emitting device. In some embodiments, the semiconductor device 110 may be a UV light emitting device or a blue light emitting device. The semiconductor device 110 emits light by recombination of electrons and holes, wherein the wavelength of the light is determined by an energy band gap inherent to the material, and may emit light within a wavelength range of the ultraviolet band to the visible light band.

도 1을 참조하면, 반도체 소자(110)는 플립 칩(flip chip) 타입의 발광 소자일 수 있다. 플립 칩 타입의 반도체 소자(110)는 6면 방향으로 빛이 방출되는 투과형 플립 칩 반도체 소자(110)일 수 있다.Referring to FIG. 1, the semiconductor device 110 may be a flip chip type light emitting device. The flip chip type semiconductor device 110 may be a transmissive flip chip semiconductor device 110 in which light is emitted in six plane directions.

본 발명에 따른 반도체 소자(110)는 제1 투광부재(114), 반도체 구조물(113), 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)을 포함할 수 있다. The semiconductor device 110 according to the present invention may include a first light transmitting member 114, a semiconductor structure 113, a first bonding portion 117, and a second bonding portion 118.

제1 투광부재(114)는 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다.The first light transmitting member 114 may be selected from the group consisting of sapphire substrate (Al 2 O 3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge.

또한, 제1 투광부재(114)는 상면, 하면 및 상면과 하면 사이에 배치된 측면을 더 포함할 수 있다.In addition, the first light transmitting member 114 may further include a top surface, a bottom surface and a side surface disposed between the top surface and the bottom surface.

반도체구조물(113)은 제1도전형반도체층(113a), 제2도전형 반도체층(113c), 제1도전형반도체층(113a)과 제2도전형반도체층(113c) 사이에 배치된 활성층(113b)을 포함할 수 있다.The semiconductor structure 113 includes an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer 113a, the second conductive semiconductor layer 113c, the first conductive semiconductor layer 113a and the second conductive semiconductor layer 113c. And may include 113b.

반도체구조물(113)은 화합물반도체로 제공될 수 있다. 실시 예에 따라, 반도체구조물(113)은 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예를 들어, 반도체구조물(113)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.The semiconductor structure 113 may be provided as a compound semiconductor. According to an embodiment, the semiconductor structure 113 may be provided as a Group 2-6 or Group 3-5 compound semiconductor. For example, the semiconductor structure 113 includes at least two elements selected from aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), phosphorus (P), arsenic (As), and nitrogen (N). Can be.

제1 및 제2도전형반도체층(113a, 113c)은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(113a, 113c)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. The first and second conductive semiconductor layers 113a and 113c may be implemented as at least one of the compound semiconductors of Groups 3-5 or 2-6. The first and second conductivity-type semiconductor layers 113a and 113c are semiconductors having a composition formula of, for example, InxAlyGa1-x-yN (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). It can be formed of a material.

예를 들어, 제1 및 제2 도전형 반도체층(113a, 113c)은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. For example, the first and second conductive semiconductor layers 113a and 113c may include at least one selected from the group consisting of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like. It may include one.

제1 도전형 반도체층(113a)은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(113c)은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. The first conductive semiconductor layer 113a may be an n-type semiconductor layer doped with n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, Te, and the like. The second conductive semiconductor layer 113c may include Mg, Zn, Ca, It may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant such as Sr, Ba.

활성층(113b)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 실시 예에 따라, 활성층(113b)은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. The active layer 113b may be implemented with a compound semiconductor. According to an embodiment, the active layer 113b may be implemented with at least one of the compound semiconductors of Groups 3-5 or 2-6.

활성층(113b)이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 활성층(113b)은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. When the active layer 113b is implemented with a multi-well structure, the active layer 113b may include a plurality of well layers and a plurality of barrier layers that are alternately arranged, and InxAlyGa1-x-yN (0 ≦ x ≦ 1, 0 It can be arranged with a semiconductor material having a composition formula of ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1).

예를 들어, 활성층(113b)은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, the active layer 113b includes InGaN / GaN, GaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaAs, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, InP / GaAs It may include at least one selected from the group.

본 발명에 있어서, 반도체 소자(110)는 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)을 포함할 수 있다. 실시 예에 따라, 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)은 반도체 구조물(113)의 일면에 배치될 수 있다.In the present invention, the semiconductor device 110 may include a first bonding portion 117 and a second bonding portion 118. In some embodiments, the first bonding portion 117 and the second bonding portion 118 may be disposed on one surface of the semiconductor structure 113.

이때, 일면은 반도체구조물(113)이 외부에서 전류를 주입 받기 위해 반도체구조물(113)이 부착되거나 배치되는 면일 수 있다.In this case, one surface may be a surface on which the semiconductor structure 113 is attached or disposed so that the semiconductor structure 113 receives an electric current from the outside.

실시 예에 따라, 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)은 서로 이격된 거리에 배치될 수 있으며, 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)을 통해 반도체 소자(110)로 전류가 흐를 수 있다.In some embodiments, the first bonding portion 117 and the second bonding portion 118 may be disposed at a distance from each other, and the semiconductor device may be formed through the first bonding portion 117 and the second bonding portion 118. Current 110 may flow.

실시 예에 따라, 제1 본딩부(117)은 제1 패드본딩부(111)과 제1 가지본딩부(115)을 포함할 수 있다. In some embodiments, the first bonding unit 117 may include a first pad bonding unit 111 and a first branch bonding unit 115.

여기서, 제1 본딩부(117)은 상기 제1도전형반도체층(113a)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2 본딩부(118)은 제2 패드본딩부(112)과 제2 가지본딩부(116)을 포함할 수 있다. Here, the first bonding portion 117 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 113a, and the second bonding portion 118 may include the second pad bonding portion 112 and the second branch bonding portion ( 116).

또한, 제2 본딩부(118)은 상기 제2도전형반도체층(113c)에 전기적으로 연결될 수 있다. In addition, the second bonding part 118 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 113c.

본 발명에 따르면, 제1 가지본딩부(115)과 제2 가지본딩부(116)에 의해 제1 패드본딩부(111)과 제2 패드본딩부(112)을 통하여 공급되는 전원이 반도체구조물(113) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.According to the present invention, the power supplied by the first branch bonding unit 115 and the second branch bonding unit 116 through the first pad bonding unit 111 and the second pad bonding unit 112 is a semiconductor structure ( 113) can be spread and provided throughout.

실시 예에 따라, 제1 본딩부(117)과 제2 본딩부(118)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 본딩부(117)과 제2 본딩부(118)은 오믹 본딩부일 수 있다. In some embodiments, the first bonding portion 117 and the second bonding portion 118 may be formed in a single layer or a multilayer structure. For example, the first bonding unit 117 and the second bonding unit 118 may be ohmic bonding units.

또한, 제1 본딩부(117)과 제2 본딩부(118)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.In addition, the first bonding portion 117 and the second bonding portion 118 are ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr. At least one of Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, or an alloy of two or more of these materials.

한편, 반도체구조물(113)에 보호층(미도시)이 더 제공될 수도 있다. 이때 보호층은 반도체구조물(113)의 상면에 제공될 수 있다. Meanwhile, a protective layer (not shown) may be further provided on the semiconductor structure 113. In this case, the protective layer may be provided on the upper surface of the semiconductor structure 113.

또한, 보호층은 반도체구조물(113)의 측면에 제공될 수도 있으며, 보호층은 제1 패드본딩부(111)과 제2 패드본딩부(112)이 노출되도록 제공될 수 있다. In addition, the protective layer may be provided on the side of the semiconductor structure 113, the protective layer may be provided so that the first pad bonding portion 111 and the second pad bonding portion 112 is exposed.

아울러, 보호층은 제1 투광부재(114)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.In addition, the protective layer may be selectively provided on the circumference and the lower surface of the first light transmitting member 114.

예를 들어, 보호층은 절연물질로 제공될 수 있으며, SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the protective layer may be provided as an insulating material, and may be formed of at least one material selected from the group consisting of SixOy, SiOxNy, SixNy, and AlxOy.

본 발명에 따르면, 반도체 소자(110)는, 활성층(113b)에서 생성된 빛이 반도체 소자(110)의 6면 방향으로 발광될 수 있다. According to the present invention, in the semiconductor device 110, light generated in the active layer 113b may emit light in six plane directions of the semiconductor device 110.

또한, 활성층(113b)에서 생성된 빛이 반도체 소자(110)의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.In addition, light generated in the active layer 113b may be emitted in six plane directions through the top, bottom, and four side surfaces of the semiconductor device 110.

본 발명에 있어서, 반도체 소자 패키지(100)는 제1 본딩부(117) 및 제2 본딩부(118)가 배치될 수 있는 기판(미도시)을 추가로 포함할 수 있으나, 필수적으로 배치시키지 않을 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자 패키지(100)의 제2 방향 길이가 감소하여 소형화될 수 있다.In the present invention, the semiconductor device package 100 may further include a substrate (not shown) on which the first bonding portion 117 and the second bonding portion 118 may be disposed, but not necessarily disposed. Can be. Accordingly, the length of the second direction of the semiconductor device package 100 may be reduced and miniaturized.

또한, 기판을 배치시키지 않음으로써 반도체 소자(110)로부터 발생되는 열이 빠르게 방출되어, 열 저항이 감소할 수 있으며, 공정 과정에서 제조 원가가 절감되어 경제적일 수 있다.In addition, by disposing the substrate, heat generated from the semiconductor device 110 may be quickly released, and thermal resistance may be reduced, and manufacturing cost may be reduced and economical during the process.

다시 도 2 및 도 3을 참조하여 제1 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)를 설명하면, 반도체 소자(110) 상에 파장변환층(130)이 배치되고, 파장변환층(130)과 반도체 소자(110) 사이에 반도체 소자(110)의 네 측면 및 상면을 감싸는 수지부(120)이 배치될 수 있으며, 수지부(120)를 둘러싸며 배치되는 반사부재(150)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3 again, the semiconductor device package 100 according to the first embodiment will be described. The wavelength conversion layer 130 is disposed on the semiconductor device 110, and the wavelength conversion layer 130 and the semiconductor are provided. The resin part 120 surrounding four side surfaces and the top surface of the semiconductor device 110 may be disposed between the devices 110, and may include a reflective member 150 that surrounds the resin part 120.

실시 예에 따라, 반사 부재(150)는 제1 및 제2 본딩부(117, 118)와 제1 방향으로 중첩되는 제1 영역 및 제1 투광부재(114)와 제1 방향으로 중첩되는 제2 영역을 더 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the reflective member 150 may include a first region overlapping with the first and second bonding parts 117 and 118 in a first direction, and a second overlapping with the first light transmitting member 114 in the first direction. It may further include a region.

이에 따라, 반사 부재(150)는 반도체 소자(110)의 측면 광을 반사하며, 반사된 광은 다시 반도체 소자(110)로 유입되거나, 제2 투광부재(140)의 일면으로 출사될 수 있다.Accordingly, the reflective member 150 reflects side light of the semiconductor device 110, and the reflected light may be introduced into the semiconductor device 110 again or may be emitted to one surface of the second light transmitting member 140.

아울러, 반사부재(150)의 제1 영역은 제1 본딩부(117) 및 제2 본딩부(118)와 접할 수 있다.In addition, the first region of the reflective member 150 may contact the first bonding portion 117 and the second bonding portion 118.

또한, 도시하지 않았으나, 반사 부재(150)는 제1 본딩부(117) 및 제2 본딩부(118) 사이에도 배치되어, 반도체 소자(110)의 하면에서 방출되는 광을 반사하여, 반도체 소자 패키지(100)의 광속 특성을 향상시킬 수 있다.In addition, although not shown, the reflective member 150 is also disposed between the first bonding portion 117 and the second bonding portion 118 to reflect light emitted from the bottom surface of the semiconductor element 110, thereby providing a semiconductor device package. The luminous flux characteristic of 100 can be improved.

한편, 반사 부재(150)의 일면은 반도체 소자(110)가 포함하는 제1 본딩부(117) 및 제2 본딩부(118)의 하면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.Meanwhile, one surface of the reflective member 150 may be disposed on the same plane as the lower surfaces of the first bonding portion 117 and the second bonding portion 118 included in the semiconductor device 110.

또한, 반사부재(150)는 제1 본딩부(117) 및 제2 본딩부(118)와 제1 방향으로 중첩되는 제1영역 및 제1 투광부재(114)와 제1 방향으로 중첩되는 제2 영역을 포함할 수 있다.In addition, the reflective member 150 may include a first region overlapping the first bonding portion 117 and the second bonding portion 118 in the first direction and a second overlapping the first light transmitting member 114 in the first direction. It can include an area.

여기서, 제1 방향은 반도체 소자(110)에서 반사부재(150)의 외 측면을 향하는 방향일 수 있다.Here, the first direction may be a direction toward the outer side surface of the reflective member 150 in the semiconductor device 110.

실시 예에 따라, 반사부재(150)의 배치에 따라, 파장변환층(130)의 측면이 노출될 수 있으며, 반도체 소자 패키지(100)의 지향각이 증가되며, 신뢰성을 개선시킬 수 있다.According to an embodiment, according to the arrangement of the reflective member 150, the side surface of the wavelength conversion layer 130 may be exposed, the directivity angle of the semiconductor device package 100 may be increased, and reliability may be improved.

반사부재(150)는 White/Black Silicone(Silicone Molding Compound, SMC), White/Black EMC(Epoxy Molding Compound), White Ceramic 중 적어도 하나로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 반사 부재는 TiO2 또는 SiO2와 같은 반사 물질을 포함할 수 있다. The reflective member 150 may be formed of at least one of white / black silicone (Silicone Molding Compound (SMC)), white / black epoxy molding compound (EMC), and white ceramic, but is not limited thereto. For example, the reflective member may include a reflective material such as TiO 2 or SiO 2.

한편, 반사 부재(150)는 캐비티(cavity)를 포함할 수 있고, 캐비티(cavity) 내에 반도체 소자(110)가 배치될 수 있다.The reflective member 150 may include a cavity, and the semiconductor device 110 may be disposed in the cavity.

또한, 반사부재(150)의 제2 영역은 반도체 소자(110)에 인접한 내 측면 및 외부로 노출되는 외 측면을 더 포함하고, 반사부재(150)의 제2 영역의 내 측면과 제1 투광부재(114) 사이의 최단 거리는 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 향할수록 점진적으로 증가할 수 있다.In addition, the second region of the reflective member 150 further includes an inner side adjacent to the semiconductor element 110 and an outer side exposed to the outside, the inner side and the first light transmitting member of the second region of the reflective member 150. The shortest distance between the portions 114 may increase gradually toward the second direction perpendicular to the first direction.

여기서, 제2 방향은 반도체 소자(110)에서 파장변환층(130)을 향하는 방향일 수 있다.Here, the second direction may be a direction toward the wavelength conversion layer 130 in the semiconductor device 110.

그에 따라, 점진적으로 증가하는 경사면을 통해 반도체 소자(110)의 측면에서 방출된 광이 반사되어 광 추출 효율이 증가할 수 있다.Accordingly, light emitted from the side surface of the semiconductor device 110 may be reflected through the gradually increasing inclined surface to increase light extraction efficiency.

파장변환층(130)은 반도체 소자(110) 상에 배치되어 반도체 소자(110)로부터 입사된 광이 외부로 방출되는 경우, 외부로 방출되는 광의 파장을 변환할 수 있다.The wavelength conversion layer 130 may be disposed on the semiconductor device 110 to convert wavelengths of light emitted to the outside when the light incident from the semiconductor device 110 is emitted to the outside.

제1 실시 예에 따라, 파장변환층(130)은 반도체 소자(110)의 제1 방향 길이보다 클 수 있으며, 반도체 소자(110)로부터 입사되는 광을 효율적으로 추출할 수 있다.According to the first embodiment, the wavelength conversion layer 130 may be larger than the length of the first direction of the semiconductor device 110, and may efficiently extract light incident from the semiconductor device 110.

그에 따라, 파장변환층(130)은 수지부(120)과 제2 투광부재(140) 사이에 배치되며, 반도체 소자(110)로부터 입사된 빛을 산란시키기 위해, 산란 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 파장변환층(130)은 TiO2와 같은 광 산란입자를 포함할 수 있다.Accordingly, the wavelength conversion layer 130 may be disposed between the resin part 120 and the second light transmitting member 140 and may include a scattering material to scatter light incident from the semiconductor device 110. For example, the wavelength conversion layer 130 may include light scattering particles such as TiO 2.

실시 예에 따라, 파장변환층(130)에 포함되는 산란 물질에 의하여 반도체 소자(110)가 방출하는 빛이 산란되어 분산됨에 따라 파장변환층(130)의 측면 방향으로 추출되는 광량이 증가될 수 있다.According to an embodiment, as the light emitted from the semiconductor device 110 is scattered and dispersed by the scattering material included in the wavelength conversion layer 130, the amount of light extracted in the lateral direction of the wavelength conversion layer 130 may be increased. have.

또한, 파장변환층(130)은 파장 변환 물질을 포함할 수 있으며, 반도체 소자(110)로부터 입사된 빛을 파장 변환하여 방출할 수 있다.In addition, the wavelength conversion layer 130 may include a wavelength conversion material, and may convert and emit light incident from the semiconductor device 110.

파장변환층(130)은 반도체 소자(110)로부터 청색대역의 빛을 입사 받고 황색 대역의 빛을 방출할 수 있다. 예를 들어, 형광체는 YAG계, TAG계, Silicate계, Sulfide계 또는 Nitride계 중 어느 하나의 형광 물질을 포함할 수 있다.The wavelength conversion layer 130 may receive light in a blue band from the semiconductor device 110 and emit light in a yellow band. For example, the phosphor may include one of YAG-based, TAG-based, Silicate-based, Sulfide-based, or Nitride-based fluorescent materials.

아울러, 파장변환층(130)는 청색대역의 빛과 황색대역의 빛에 의한 백색광을 방출할 수 있으며, 파장변환층(130)이 노출된 네 측면 방향 및 상부 방향으로 백색 광을 방출할 수 있다.In addition, the wavelength conversion layer 130 may emit white light by the light of the blue band and the light of the yellow band, and may emit white light in four side directions and the upper direction of the wavelength conversion layer 130 is exposed. .

한편, 앞서 언급한 바와 같이, 반도체 소자 패키지(100)는 파장변환층(130) 상에 제2 투광부재(140)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, as mentioned above, the semiconductor device package 100 may further include a second light transmitting member 140 on the wavelength conversion layer 130.

제1 실시 예에 따르면, 제2 투광 부재(140)를 배치함으로써, 반도체 소자(110) 및 파장변환층(130)을 열과 외부 충격으로부터 보호할 수 있다.According to the first embodiment, by arranging the second light transmitting member 140, the semiconductor device 110 and the wavelength conversion layer 130 may be protected from heat and external shock.

또한, 제2 투광부재(140)은 파장변환층(130) 상에 배치되고, 파장변환층(130)의 측면에는 배치되지 않을 수 있다. 그에 따라, 파장변환층(130)의 상부 영역에서 파장 변환된 빛의 일부는 파장변환층(130)을 투과하여 제2 투광부재(140)의 상부 방향으로 방출될 수 있다.In addition, the second light transmitting member 140 may be disposed on the wavelength conversion layer 130 and may not be disposed on the side surface of the wavelength conversion layer 130. Accordingly, some of the wavelength-converted light in the upper region of the wavelength conversion layer 130 may pass through the wavelength conversion layer 130 to be emitted toward the upper portion of the second light transmitting member 140.

또한, 제2 투광부재(140)는 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지 및 아크릴 수지 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.In addition, the second light transmitting member 140 may include at least one or more of an epoxy resin, a silicone resin, a polyimide resin, a urea resin, and an acrylic resin, but is not limited thereto.

아울러, 제2투광부재(140)는 수지물 내에 열 확산제가 첨가될 수 있다. 이러한, 열 확산제는 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 과 같은 물질을 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 황화물 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.In addition, the second light transmitting member 140 may be a heat spreading agent is added to the resin material. Such a heat spreader may include, but is not limited to, at least one of an oxide, nitride, fluoride, and sulfide having a material such as Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr.

또한, 열 확산제는 소정 크기의 분말 입자, 알갱이, 필러(filler), 첨가제로 정의될 수 있다.In addition, the heat spreader may be defined as powder particles, granules, fillers, additives of a predetermined size.

실시 예에 따라, 제2 투광부재(140)와 제1 투광부재(114)가 서로 다른 굴절률을 포함함으로써, 반도체 소자 패키지(100)의 색 균일도가 개선될 수 있다.According to an embodiment, since the second light transmitting member 140 and the first light transmitting member 114 include different refractive indices, color uniformity of the semiconductor device package 100 may be improved.

또한, 제2 투광부재(140)는 제1 투광부재(114)와 같은 굴절률을 포함할 수 있으며, 사용자의 설계에 따라 제2 투광부재(140) 및 제1 투광부재(114)의 굴절률이 선택될 수 있다.In addition, the second light transmitting member 140 may include the same refractive index as the first light transmitting member 114, the refractive index of the second light transmitting member 140 and the first light transmitting member 114 is selected according to the user's design. Can be.

실시 예에 따라, 제2투광부재(140)의 굴절률이 제1 투광부재(114)의 굴절률보다 작은 경우, 반도체 소자 패키지(100)에서 외부로 방출되는 광의 추출 효율을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment, when the refractive index of the second light transmitting member 140 is smaller than the refractive index of the first light transmitting member 114, the extraction efficiency of light emitted to the outside from the semiconductor device package 100 may be improved.

이와 같이 제2투광부재(140)와 제1투광부재(114)가 서로 다른 굴절률을 포함함으로써, 반도체 소자 패키지의 색 균일도가 개선될 수 있다.As such, since the second light transmitting member 140 and the first light transmitting member 114 include different refractive indices, color uniformity of the semiconductor device package may be improved.

또한, 제2 투광부재(140)의 제2 방향 길이(D1) 대비 파장변환층(130)의 제2 방향 길이(D2) 비율은 0.3 이상 내지 0.6 이하일 수 있으며, 이에 따라, 반도체 소자 패키지(100)의 광 방출 효율이 증가될 수 있다. 예를 들어, 제2 투광부재(140)의 제2 방향 길이(D1)가 30㎛ 인 경우, 파장변환층(130)의 제2 방향 길이(D2)는 10㎛ 일 수 있으며, 제2 투광부재(140)의 제2 방향 길이(D1)가 300㎛ 인 경우, 파장변환층(130)의 제2 방향 길이(D2)는 200㎛ 일 수 있다.In addition, the ratio of the second direction length D2 of the wavelength conversion layer 130 to the second direction length D1 of the second light transmitting member 140 may be 0.3 or more and 0.6 or less, and accordingly, the semiconductor device package 100 ), The light emission efficiency can be increased. For example, when the second direction length D1 of the second light transmitting member 140 is 30 μm, the second direction length D2 of the wavelength conversion layer 130 may be 10 μm, and the second light transmitting member may be used. When the second direction length D1 of 140 is 300 μm, the second direction length D2 of the wavelength conversion layer 130 may be 200 μm.

실시 예에 따라, 제2 투광부재(140)의 제2 방향 길이(D1)가 30um 이상인 경우, 파장이 변환된 광이 외부로 충분히 발현되므로, 반도체 소자 패키지(100)의 광속특성을 확보할 수 있다.According to an embodiment, when the second direction length D1 of the second light transmitting member 140 is 30 μm or more, since the light whose wavelength is converted is sufficiently expressed to the outside, the luminous flux characteristics of the semiconductor device package 100 may be secured. have.

한편, 제2투광부재(140)의 제2방향 길이(D1)가 300um 이하인 경우, 반도체 소자 패키지(100)는 보다 작게 제작 가능하여, 반도체 소자 패키지(100)의 공정 단가 및 공정 수율을 확보할 수 있다.On the other hand, when the second direction length D1 of the second light transmitting member 140 is 300 μm or less, the semiconductor device package 100 may be made smaller, thereby securing the process cost and the process yield of the semiconductor device package 100. Can be.

아울러, 제2 투광부재(140)은 파장변환층(130)으로부터 입사되는 빛의 손실을 줄이기 위해 투명한 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어 제2 투광부재(140)은 유리 재질로 이루어질 수 있다.In addition, the second light transmitting member 140 may be made of a transparent material to reduce the loss of light incident from the wavelength conversion layer 130. For example, the second light transmitting member 140 may be made of glass.

한편, 제2 투광부재(140)과 파장변환층(130)의 측면은 동일한 평면 상에 배치될 수 있다.Meanwhile, side surfaces of the second light transmitting member 140 and the wavelength conversion layer 130 may be disposed on the same plane.

앞서 언급한 바와 같이, 반도체 소자 패키지(100)는 반도체 소자(110)의 네 측면 및 상면을 감싸고, 파장변환층(130)의 하면에 배치되는 수지부(120)를 더 포함할 수 있다.As mentioned above, the semiconductor device package 100 may further include a resin part 120 surrounding four side surfaces and an upper surface of the semiconductor device 110 and disposed on a bottom surface of the wavelength conversion layer 130.

실시 예에 따라, 수지부(120)를 배치함으로써, 반도체 소자(110) 및 파장변환층(130)이 견고하게 부착될 수 있다.또한, 수지부(120)은 반도체 소자(110)에서 방출하는 빛의 손실을 줄이기 위한 투명한 실리콘, 에폭시, 유리 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.In some embodiments, the semiconductor device 110 and the wavelength conversion layer 130 may be firmly attached to each other by disposing the resin part 120. In addition, the resin part 120 may emit from the semiconductor device 110. It may be made of transparent silicone, epoxy, glass, etc. to reduce the loss of light, but is not limited thereto.

또한, 수지부(120)의 반도체 소자(110)의 외 측면으로부터 제1 방향으로의 최대거리(T1)는 1㎛ 이상 내지 300㎛ 이하일 수 있다.In addition, the maximum distance T1 from the outer side surface of the semiconductor element 110 of the resin part 120 in the first direction may be 1 μm or more and 300 μm or less.

이러한 수지부(120)의 제1 방향 거리(T1)가 1㎛ 이상인 경우, 노출된 파장변환층(130)의 네 측면으로 확산되는 광속이 증가하여 반도체 소자 패키지(100)의 측면 방향으로 방출되는 빛의 방출 효율이 증가할 수 있다.When the first directional distance T1 of the resin part 120 is 1 μm or more, the light beams diffused to four sides of the exposed wavelength conversion layer 130 are increased to be emitted toward the side surface of the semiconductor device package 100. The emission efficiency of light can be increased.

한편, 수지부(120)의 제1 방향 거리(T1)가 300㎛ 이하인 경우, 반도체 소자 패키지(100)를 소형으로 제작할 수 있어, 공정 수율을 확보할 수 있다.On the other hand, when the 1st direction distance T1 of the resin part 120 is 300 micrometers or less, the semiconductor element package 100 can be manufactured small and a process yield can be ensured.

또한, 반도체 소자(110)와 파장변환층(130) 사이에 배치되는 수지부(120)의 제2 방향 거리(D3)는 1㎛ 이상 내지 300㎛ 이하일 수 있다.In addition, the second direction distance D3 of the resin part 120 disposed between the semiconductor device 110 and the wavelength conversion layer 130 may be 1 μm or more and 300 μm or less.

수지부(120)의 제2 방향 거리(D3)가 1㎛ 이상일 경우, 반도체 소자(110)와 파장변환층(130) 사이의 결합력이 증가하여 반도체 소자 패키지(100)의 신뢰성을 확보할 수 있다.When the second directional distance D3 of the resin part 120 is 1 μm or more, the coupling force between the semiconductor device 110 and the wavelength conversion layer 130 may be increased to ensure reliability of the semiconductor device package 100. .

한편, 수지부(120)의 제2 방향 거리(D3)가 50㎛ 이하일 경우, 복수의 반도체 소자 패키지(100)를 제조하기 위한 공정 수율이 향상될 수 있다.Meanwhile, when the second direction distance D3 of the resin part 120 is 50 μm or less, a process yield for manufacturing the plurality of semiconductor device packages 100 may be improved.

한편, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명된 제1 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)는 파장변환층(130)의 측면이 노출된 경우를 기준으로 설명하였다. 그러나, 제2 내지 제4 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)에 의하면 파장변환층(130)이 반사부재(150) 또는 제2 투광부재(140)의 내측에 배치될 수 있다.Meanwhile, the semiconductor device package 100 according to the first embodiment described with reference to FIGS. 2 and 3 has been described with reference to a case where the side surface of the wavelength conversion layer 130 is exposed. However, according to the semiconductor device package 100 according to the second to fourth embodiments, the wavelength conversion layer 130 may be disposed inside the reflective member 150 or the second light transmitting member 140.

도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)의 사시도이고, 도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.4 is a perspective view of a semiconductor device package 100 according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of the semiconductor device package 100 according to the second embodiment of the present invention. The figure shown.

도 4 및 도 5를 참조하면, 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)는 반도체 소자(110), 수지부(120), 파장변환층(130), 제2 투광부재(140) 및 반사부재(150)를 포함한다.4 and 5, the semiconductor device package 100 according to the second embodiment may include the semiconductor device 110, the resin part 120, the wavelength conversion layer 130, the second light transmitting member 140, and the reflection. The member 150 is included.

제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)의 반도체 소자(110), 수지부(120) 및 제2 투광부재(140)는 제1 실시 예의 구성과 동일하므로 설명을 생략하기로 한다.Since the semiconductor device 110, the resin part 120, and the second light transmitting member 140 of the semiconductor device package 100 according to the second embodiment are the same as those of the first embodiment, description thereof will be omitted.

제2 실시 예에 따른 반사 부재(150)는 파장변환층(130)과 제1 방향으로 중첩되는 제3 영역을 더 포함할 수 있다.The reflective member 150 according to the second embodiment may further include a third region overlapping the wavelength conversion layer 130 in the first direction.

이에 따라, 반사 부재(150)는 파장변환층(130)의 측면 광을 반사하며, 반사된 광은 다시 파장변환층(130)으로 유입되거나, 제2 투광부재(140)의 일면으로 출사될 수 있다.Accordingly, the reflective member 150 reflects side light of the wavelength conversion layer 130, and the reflected light may be introduced into the wavelength conversion layer 130 again or may be emitted to one surface of the second light transmitting member 140. have.

즉, 반사부재(150)의 제3 영역은 파장변환층(130)과 접하고, 반사부재(150)의 제1 영역은 제1 본딩부(117) 및 제2 본딩부(118)와 접할 수 있다.That is, the third region of the reflective member 150 may be in contact with the wavelength conversion layer 130, and the first region of the reflective member 150 may be in contact with the first bonding part 117 and the second bonding part 118. .

또한, 도 6을 참조하면, 반사 부재(150)가 파장변환층(130)의 네 측면을 둘러싸며 배치되는 것을 확인할 수 있다.In addition, referring to FIG. 6, it can be seen that the reflective member 150 is disposed surrounding four side surfaces of the wavelength conversion layer 130.

한편, 파장변환층(130)을 둘러싸고 있는 반사부재(150)의 제1 방향으로의 거리(T2)는 1㎛ 이상 내지 500㎛ 일 수 있다.Meanwhile, the distance T2 in the first direction of the reflective member 150 surrounding the wavelength conversion layer 130 may be 1 μm or more and 500 μm.

이러한 반사부재(150)의 제1 방향으로의 길이(T2)가 1㎛ 이상인 경우, 반사부재(150)가 외부 온도에 따라 변형되는 파장변환층(130)을 보호할 수 있어 신뢰성을 확보할 수 있다. When the length T2 of the reflective member 150 in the first direction is 1 μm or more, the reflective member 150 may protect the wavelength conversion layer 130 which is deformed according to the external temperature, thereby ensuring reliability. have.

또한, 반사부재(150)의 제1 방향으로의 길이(T2)가 500㎛ 이하인 경우, 반도체 소자 패키지(100)의 지향각이 증가할 수 있다.In addition, when the length T2 of the reflective member 150 in the first direction is 500 μm or less, the orientation angle of the semiconductor device package 100 may increase.

이러한, 제2 실시 예에 따른 반사부재(150)는 제1 실시 예에 따른 반사부재(150)와 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.The reflective member 150 according to the second embodiment may be made of the same material as the reflective member 150 according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

즉, 제2 실시 예에 따른 파장변환층(130)은 수지부(120) 상에 배치되며, 반사부재(150)가 반도체 소자(110), 수지부(120) 및 파장변환층(130)의 측면을 감싸며 배치되고, 그에 따라, 파장변환층(130)의 측면이 외부로 노출되지 않아, 온도에 따른 파장변환층(130)의 손상을 방지할 수 있다.That is, the wavelength conversion layer 130 according to the second embodiment is disposed on the resin part 120, and the reflective member 150 is formed of the semiconductor element 110, the resin part 120, and the wavelength conversion layer 130. It is disposed surrounding the side, and thus, the side of the wavelength conversion layer 130 is not exposed to the outside, it is possible to prevent damage to the wavelength conversion layer 130 according to the temperature.

예를 들어, 본 발명의 반도체 소자 패키지(100)는 약 -40℃ 이상 내지 125℃ 이하의 온도에서 파장변환층(130)의 크랙을 방지하며, 최대 약 150℃까지 파장변환층(130)이 변형되지 않아, 반도체 소자 패키지(100)의 신뢰성을 확보할 수 있다.For example, the semiconductor device package 100 of the present invention prevents cracking of the wavelength conversion layer 130 at a temperature of about −40 ° C. or more and 125 ° C. or less, and the wavelength conversion layer 130 may be up to about 150 ° C. Since it is not deformed, the reliability of the semiconductor device package 100 can be secured.

또한, 파장변환층(130)은 반도체 소자(110) 상에 배치되어 반도체 소자(110)로부터 입사된 광이 외부로 방출되는 경우, 외부로 방출되는 광의 파장을 변환할 수 있다.In addition, when the wavelength conversion layer 130 is disposed on the semiconductor device 110 and the light incident from the semiconductor device 110 is emitted to the outside, the wavelength conversion layer 130 may convert the wavelength of the light emitted to the outside.

한편, 이러한, 제2 실시 예에 따른 파장변환층(130)도 제1 실시 예에 따른 파장변환층(130)와 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, the wavelength conversion layer 130 according to the second embodiment may also be made of the same material as the wavelength conversion layer 130 according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

한편, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명된 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)는 반사부재(150)가 파장변환층(130)의 측면을 감싸는 경우를 기준으로 설명하였다. 그러나, 제3 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)에 의하면 파장변환층(130)이 제2 투광부재(140)의 내측에 배치될 수 있다.Meanwhile, the semiconductor device package 100 according to the second embodiment described with reference to FIGS. 4 and 5 has been described with reference to a case in which the reflective member 150 surrounds the side surface of the wavelength conversion layer 130. However, according to the semiconductor device package 100 according to the third exemplary embodiment, the wavelength conversion layer 130 may be disposed inside the second light transmitting member 140.

도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도이고, 도 7은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.FIG. 6 is a perspective view of a semiconductor device package according to a third exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the semiconductor device package taken along the line AA ′ of the present invention.

도 6 및 도 7을 참조하면, 제3 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)는 반도체 소자(110), 수지부(120), 파장변환층(130), 제2 투광부재(140) 및 반사부재(150)를 포함한다.6 and 7, the semiconductor device package 100 according to the third embodiment may include the semiconductor device 110, the resin part 120, the wavelength conversion layer 130, the second light transmitting member 140, and the reflection. The member 150 is included.

제3 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)의 반도체 소자(110), 수지부(120) 및 반사부재(150)는 제1 실시 예의 구성과 동일하므로 설명을 생략하기로 한다.Since the semiconductor device 110, the resin part 120, and the reflective member 150 of the semiconductor device package 100 according to the third embodiment are the same as those of the first embodiment, description thereof will be omitted.

제3 실시 예에 따른 파장변환층(130)은 수지부(120) 상에 배치되며, 제2 투광부재(140)가 파장변환층(130)과 접하는 일면에 제1 리세스(131)를 포함할 수 있으며, 그에 따라, 제2 투광부재(140)는 파장변환층(130)과 제1 방향으로 중첩되는 제4 영역을 포함할 수 있다.The wavelength conversion layer 130 according to the third embodiment is disposed on the resin part 120 and includes a first recess 131 on one surface of the second light transmitting member 140 in contact with the wavelength conversion layer 130. As a result, the second light transmitting member 140 may include a fourth region overlapping the wavelength conversion layer 130 in the first direction.

또한, 파장변환층(130)은 제1 리세스(131) 내에 배치되어, 측면이 외부로 노출되지 않아, 온도에 따른 파장변환층(130)의 손상을 방지할 수 있다.In addition, the wavelength conversion layer 130 is disposed in the first recess 131, the side surface is not exposed to the outside, it is possible to prevent damage to the wavelength conversion layer 130 according to the temperature.

예를 들어, 본 발명의 반도체 소자 패키지(100)는 약 -40℃ 이상 내지 125℃ 이하의 온도에서 파장변환층(130)의 크랙을 방지하며, 최대 약 150℃까지 파장변환층(130)이 변형되지 않아, 반도체 소자 패키지(100)의 신뢰성을 확보할 수 있다.For example, the semiconductor device package 100 of the present invention prevents cracking of the wavelength conversion layer 130 at a temperature of about −40 ° C. or more and 125 ° C. or less, and the wavelength conversion layer 130 may be up to about 150 ° C. Since it is not deformed, the reliability of the semiconductor device package 100 can be secured.

한편, 이러한, 제3 실시 예에 따른 파장변환층(130)도 제1 실시 예에 따른 파장변환층(130)와 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, the wavelength conversion layer 130 according to the third embodiment may also be made of the same material as the wavelength conversion layer 130 according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

한편, 제2 투광부재(140)가 포함하는 제1 리세스(131)의 내측면으로부터 제1 방향으로의 길이(T3)는 1㎛ 이상 500㎛ 이하일 수 있다.Meanwhile, the length T3 in the first direction from the inner surface of the first recess 131 included in the second light transmitting member 140 may be 1 μm or more and 500 μm or less.

파장변환층(130)의 상면 및 측면을 감싸고 있는 제2 투광부재(140) 외측면의 제1 방향으로의 길이(T3)가 1㎛ 이상인 경우, 제2 투광부재(140)가 외부 온도에 따라 변형되는 파장변환층(130)을 보호할 수 있다.When the length T3 in the first direction of the outer surface of the second light transmitting member 140 surrounding the top and side surfaces of the wavelength conversion layer 130 is 1 μm or more, the second light transmitting member 140 may depend on the external temperature. The wavelength conversion layer 130 may be protected.

또한, 제2 투광부재(140)의 재질에 따라(예. 유리), 제2 투광부재(140)에 제1 리세스(131)를 형성하는 과정에서 크랙이 발생하는 위험을 줄일 수 있어, 공정 수율이 향상될 수 있다.In addition, according to the material of the second light transmitting member 140 (eg, glass), the risk of occurrence of cracks in the process of forming the first recess 131 in the second light transmitting member 140 may be reduced. Yield can be improved.

또한, 제2 투광부재(140) 외측면의 제1 방향으로의 길이(T3)가 500㎛ 이하인 경우, 반도체 소자 패키지(100)의 광속이 증가하여 광 추출 효율이 향상될 수 있다.In addition, when the length T3 of the outer side of the second light transmitting member 140 in the first direction is 500 μm or less, the luminous flux of the semiconductor device package 100 may be increased to improve light extraction efficiency.

한편, 이러한, 제3 실시 예에 따른 제2 투광부재(140)도 제1 실시 예에 따른 제2 투광부재(140)와 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, the second light transmitting member 140 according to the third embodiment may also be made of the same material as the second light transmitting member 140 according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

한편, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명된 제3 실시 예에 다른 반도체 소자 패키지(100)는 제2 투광부재(140)의 제1 리세스(131) 내에 파장변환층(130)이 배치되는 경우를 기준으로 설명하였다. 그러나, 제4 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)에 의하면, 제2 투광부재(140) 하부 구조를 변형하여 제2 투광부재(140)의 내측에 배치되는 파장변환층(130)의 결합력을 증대시킬 수 있다.Meanwhile, in the semiconductor device package 100 according to the third embodiment described with reference to FIGS. 6 and 7, the wavelength conversion layer 130 is disposed in the first recess 131 of the second light transmitting member 140. The description is based on the case. However, according to the semiconductor device package 100 according to the fourth exemplary embodiment, the bonding force of the wavelength conversion layer 130 disposed inside the second light transmitting member 140 may be modified by modifying the lower structure of the second light transmitting member 140. You can increase it.

도 8은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도이고, 도 9는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.FIG. 8 is a perspective view of a semiconductor device package according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view of the semiconductor device package taken along the line A-A ′ according to the fourth embodiment of the present invention.

도 8 및 도 9를 참조하면, 제4 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)는 반도체 소자(110), 수지부(120), 파장변환층(130), 제2 투광부재(140) 및 반사부재(150)를 포함한다.8 and 9, the semiconductor device package 100 according to the fourth embodiment may include a semiconductor device 110, a resin part 120, a wavelength conversion layer 130, a second light transmitting member 140, and reflections. The member 150 is included.

제4 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)의 반도체 소자(110), 수지부(120) 및 반사부재(150)는 제1 실시 예의 구성과 동일하므로 설명을 생략하기로 한다.Since the semiconductor device 110, the resin part 120, and the reflective member 150 of the semiconductor device package 100 according to the fourth embodiment are the same as those of the first embodiment, description thereof will be omitted.

제4 실시 예에 따른 파장변환층(130)은 수지부(120) 상에 배치되며, 제2 투광부재(140)이 파장변환층(130)과 접하는 일면에 복수 개의 제2 리세스(133)를 포함할 수 있다.The wavelength conversion layer 130 according to the fourth embodiment is disposed on the resin part 120, and the plurality of second recesses 133 are disposed on one surface of the second light transmitting member 140 in contact with the wavelength conversion layer 130. It may include.

이와 같이, 제2 투광부재(140)의 하면에 복수 개의 제2 리세스(133)을 형성함으로서 반도체 소자(110)로부터 입사되는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 아울러, 복수 개의 제2 리세스(133)를 형성함에 따라, 파장변환층(130)의 상면 및 측면과 접촉 면적을 넓혀 결합력을 향상시켜 반도체 소자 패키지(100)의 신뢰성을 확보할 수 있고, 산란에 의한 광 효율을 향상시킬 수 있다.As such, by forming the plurality of second recesses 133 on the lower surface of the second light transmitting member 140, light extraction efficiency incident from the semiconductor device 110 may be improved. In addition, as the plurality of second recesses 133 are formed, the contact area is increased by increasing the contact area with the top and side surfaces of the wavelength conversion layer 130, thereby securing the reliability of the semiconductor device package 100 and scattering. The light efficiency by this can be improved.

또한, 파장변환층(130)은 복수 개의 제2 리세스(133) 내에 배치되어, 측면이 외부로 노출되지 않아, 온도에 따른 파장변환층(130)의 손상을 방지할 수 있다.In addition, the wavelength conversion layer 130 is disposed in the plurality of second recesses 133, and the side surfaces thereof are not exposed to the outside, thereby preventing damage to the wavelength conversion layer 130 due to temperature.

예를 들어, 본 발명의 반도체 소자 패키지(100)는 약 -40℃ 이상 내지 125℃ 이하의 온도에서 파장변환층(130)의 크랙을 방지하며, 최대 약 150℃까지 파장변환층(130)이 변형되지 않아, 반도체 소자 패키지(100)의 신뢰성을 확보할 수 있다.For example, the semiconductor device package 100 of the present invention prevents cracking of the wavelength conversion layer 130 at a temperature of about −40 ° C. or more and 125 ° C. or less, and the wavelength conversion layer 130 may be up to about 150 ° C. Since it is not deformed, the reliability of the semiconductor device package 100 can be secured.

한편, 이러한, 제4 실시 예에 따른 파장변환층(130)도 제1 실시 예에 따른 파장변환층(130)와 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, the wavelength conversion layer 130 according to the fourth embodiment may also be made of the same material as the wavelength conversion layer 130 according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

제4 실시 예에 따라, 파장변환층(130)의 상면 및 네 측면을 감싸고 있는 복수 개의 제2 리세스(133)의 제1 방향으로의 길이(T4)는 1㎛ 이상 500㎛ 이하일 수 있다.According to the fourth embodiment, the length T4 in the first direction of the plurality of second recesses 133 surrounding the top surface and the four side surfaces of the wavelength conversion layer 130 may be 1 μm or more and 500 μm or less.

복수 개의 제2 리세스(133)의 제1 방향으로의 길이(T4)가 1㎛ 이상인 경우, 제2 투광부재(140)가 외부 온도에 따라 변형되는 파장변환층(130)을 보호할 수 있으며, 반도체 소자(110)로부터 입사되는 광의 지향각을 증가시킬 수 있다.When the length T4 of the plurality of second recesses 133 in the first direction is 1 μm or more, the second light transmitting member 140 may protect the wavelength conversion layer 130 which is deformed according to an external temperature. The directivity angle of the light incident from the semiconductor device 110 may be increased.

또항, 제2 투광부재(140)의 재질에 따라(예. 유리), 제2 투광부재(140)에 제2 리세스(133)를 형성하는 과정에서 크랙이 발생하는 위험을 줄일 수 있어, 공정 수율이 향상될 수 있다.In addition, according to the material of the second light transmitting member 140 (eg, glass), the risk of occurrence of cracks in the process of forming the second recess 133 in the second light transmitting member 140 may be reduced. Yield can be improved.

또한, 복수 개의 제2 리세스(133)의 제1 방향으로의 길이(T4)가 500㎛ 이하일 경우, 반도체 소자 패키지(100)의 광속이 증가하여 광 효율이 증대될 뿐만 아니라, 제2 리세스(133) 내에 파장변환층(130)이 본딩되는 공정에서 발생하는 응력을 견딜 수 있어 신뢰성을 확보할 수 있다.In addition, when the length T4 of the plurality of second recesses 133 in the first direction is 500 μm or less, the luminous flux of the semiconductor device package 100 is increased to increase the light efficiency, as well as the second recesses. It can withstand the stress generated in the process of bonding the wavelength conversion layer 130 in the (133) can ensure the reliability.

한편, 이러한, 제4 실시 예에 따른 제2 투광부재(140)도 제1 실시 예에 따른 제2 투광부재(140)와 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, the second light transmitting member 140 according to the fourth embodiment may also be made of the same material as the second light transmitting member 140 according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

한편, 도 10은 제1 내지 제4 실시 예에 따른 반도체 소자를 하부에서 바라본 도면이다. 도 10을 참조하면, 반도체 소자 패키지(100)는 도 10과 같이 반사부재(150)가 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)을 포함하는 반도체 소자(110)의 네 측면을 감싸는 형태로 배치될 수 있다.10 is a bottom view of the semiconductor device according to the first to fourth embodiments. Referring to FIG. 10, as shown in FIG. 10, the semiconductor device package 100 may include four side surfaces of the semiconductor device 110 including the reflective member 150 including the first bonding portion 117 and the second bonding portion 118. It may be arranged in a wrapping form.

또한, 도 10에 도시하지 않았으나, 반사부재(150)는 제1 본딩부(117) 및 제 2 본딩부 사이에도 배치되어, 반도체 소자(110)의 하면에서 방출되는 광을 반사할 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, although not shown in FIG. 10, the reflective member 150 may also be disposed between the first bonding portion 117 and the second bonding portion to reflect light emitted from the bottom surface of the semiconductor device 110. Accordingly, light extraction efficiency of the semiconductor device package 100 may be improved.

한편, 도 11을 참조하여 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)의 제조 공정에 대해 설명하도록 한다.Meanwhile, a manufacturing process of the semiconductor device package 100 according to the second embodiment will be described with reference to FIG. 11.

도 11a 내지 도 11f는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.11A to 11F are diagrams for describing a method of manufacturing a semiconductor device package according to the second embodiment of the present invention.

도 11a 및 도 11b를 참조하면, 제2 투광부재(140) 상에 파장변환층(130)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 파장변환층(130)을 제2 투광부재(140) 상부 전체 영역에 주입하고, 이를 식각하여, 반도체 소자 패키지(100)에 포함되는 개별 파장변환층(130)을 형성할 수 있다.11A and 11B, the wavelength conversion layer 130 may be formed on the second light transmitting member 140. For example, the wavelength conversion layer 130 may be injected into the entire region of the upper portion of the second light transmitting member 140 and etched to form individual wavelength conversion layers 130 included in the semiconductor device package 100. .

보다 구체적으로, 습식 식각 공정 또는 건식 식각(Dry etch) 공정을 이용하여 파장변환층(130)을 식각 할 수 있다. 식각 공정을 위하여 파장변환층(130) 상에 패터닝 된 마스크를 구비할 수 있다.More specifically, the wavelength conversion layer 130 may be etched by using a wet etching process or a dry etch process. A patterned mask may be provided on the wavelength conversion layer 130 for an etching process.

도 11c 및 도 11d를 참조하면, 파장변환층(130) 상에 수지부(120)을 형성하는 본딩 물질을 주입하고, 수지부(120) 상에 반도체 소자(110)가 접합될 수 있다.11C and 11D, a bonding material for forming the resin part 120 may be injected onto the wavelength conversion layer 130, and the semiconductor device 110 may be bonded to the resin part 120.

이에 따라, 수지부(120)은 반도체 소자(110)의 상면 및 네 측면을 감싸는 형태로 형성되며, 수직 단면은 필렛(fillet) 구조로 형성될 수 있다Accordingly, the resin part 120 may be formed to surround the top surface and the four side surfaces of the semiconductor device 110, and the vertical cross section may have a fillet structure.

도 11e를 참조하면, 파장변환층(130), 수지부(120) 및 반도체 소자(120)를 포함하는 구성 사이에 반사부재(150)를 주입하여 복수 개의 반도체 소자 패키지(100)를 완성할 수 있다.Referring to FIG. 11E, a plurality of semiconductor device packages 100 may be completed by injecting a reflective member 150 between components including the wavelength conversion layer 130, the resin part 120, and the semiconductor device 120. have.

도 11f를 참조하면, 반사부재(150) 주입하여 복수 개의 반도체 소자 패키지(100)를 형성하고, 다이싱 공정을 통해 개별 반도체 소자 패키지(100)로 분리 시킬 수 있다.Referring to FIG. 11F, the reflective member 150 may be injected to form a plurality of semiconductor device packages 100, and may be separated into individual semiconductor device packages 100 through a dicing process.

완성된 개별 반도체 소자 패키지(100)는 뒤집어서 실리콘 테이프 또는 글루(Glue)를 이용하여 기판에 부착되거나, 기판 없이 접착 물질을 이용하여 기구적, 전기적으로 연결할 수 있다.The completed individual semiconductor device package 100 may be inverted and attached to a substrate using silicon tape or glue, or mechanically and electrically connected using an adhesive material without the substrate.

이와 같은 과정으로 완성된 반도체 소자 패키지(100)는 반사부재(150)가 제2 투광부재(140) 영역까지 감싸지 않아, 광속이 향상될 뿐만 아니라, 지향각이 증가할 수 있다.In the semiconductor device package 100 completed as described above, the reflective member 150 does not cover the region of the second light transmitting member 140, so that the luminous flux is not only improved but also the orientation angle may be increased.

또한, 반도체 소자 패키지(100)가 웨이퍼 레벨 패키지(Wafer Level Package) 방식으로 제작되어 제작 수율이 증가하고, 제작 공정 비용이 감소될 수 있다.In addition, the semiconductor device package 100 may be manufactured in a wafer level package to increase manufacturing yield and reduce manufacturing process cost.

한편, 이상에서 설명된 본 발명에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. Meanwhile, a plurality of light emitting device packages according to the present invention described above may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, or the like, which is an optical member, may be disposed on an optical path of the light emitting device package.

또한, 본 발명에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 장치로 구현될 수 있다.In addition, it may be implemented as a light source device including a light emitting device package according to the present invention.

또한, 광원 장치는 기판과 본 발명에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광원 장치는, 램프, 헤드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 출력되는 광이 필요한 제품에 다양하게 적용될 수 있다.In addition, the light source device includes a light source module including a substrate and a light emitting device package according to the present invention, a radiator for dissipating heat from the light source module, and a power supply unit for processing or converting an electrical signal provided from the outside and providing the light source module to the light source module. It may include. For example, the light source device may include a lamp, a head lamp, or a street lamp. In addition, the light source device according to the embodiment may be variously applied to a product requiring light to be output.

또한, 광원 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 반도체 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.In addition, the light source device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module emitting light and including a semiconductor element, a light guide plate disposed in front of the reflector and guiding light emitted from the light emitting module to the front; An optical sheet including prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel, and disposed in front of the display panel It may include a color filter. The bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.

광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광 소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp includes a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector reflecting light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, a front, and reflected by the reflector. It may include a lens for refracting the light forward, and a shade for blocking or reflecting a portion of the light reflected by the reflector toward the lens to achieve a light distribution pattern desired by the designer.

이상과 같이 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 기술적 사상과 필수적 특징을 유지한 채로 다른 형태로도 실시될 수 있음을 인지할 수 있을 것이다Although the present invention has been described as described above, it will be appreciated by those skilled in the art that the present invention may be implemented in other forms while maintaining the technical spirit and essential features of the present invention.

본 발명의 범위는 특허청구범위에 의하여 규정 되어질 것이지만, 특허청구범위 기재사항으로부터 직접적으로 도출되는 구성은 물론 그와 등가인 구성으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태 또한 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention will be defined by the claims, but all changes or modifications derived from the configuration equivalent to those derived directly from the claims description as well as equivalent configurations are also included in the scope of the present invention. Should be interpreted as

100: 반도체 소자 패키지
110: 반도체 소자
120: 수지부
130: 파장변환층
131: 제1 리세스
133: 제2 리세스
140: 제2 투광부재
150: 반사부재100: semiconductor device package
110: semiconductor device
120: resin
130: wavelength conversion layer
131: first recess
133: second recess
140: second light transmitting member
150: reflective member

Claims (15)

제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체 구조물, 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 본딩부, 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 본딩부, 및 상기 반도체 구조물 상에 배치되는 제1 투광부재를 포함하는 반도체 소자;
상기 반도체 소자 상에 배치되는 파장변환층;
상기 파장변환층과 상기 반도체 소자 사이에 배치되는 수지부; 및
상기 수지부를 둘러싸며 배치되는 반사부재; 를 포함하고,
상기 제1 투광부재는 상면, 하면 및 상기 상면과 상기 하면 사이에 배치된 측면을 더 포함하고,
상기 반사부재는 상기 제1 및 제2 본딩부와 제1 방향으로 중첩되는 제1 영역, 및 상기 제1 투광부재와 상기 제1 방향으로 중첩되는 제2 영역을 더 포함하고,
상기 반사부재의 제2 영역은 상기 반도체 소자에 인접한 내측면 및 외부로 노출되는 외측면을 더 포함하고,
상기 반사부재의 제2 영역의 내측면과 상기 제1 투광부재 사이의 최단거리는 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 향할수록 점진적으로 증가하고,
상기 제2 방향은 상기 반도체 소자에서 상기 파장변환층을 향하는 방향이고,
상기 제1 영역은 상기 제1 본딩부 및 상기 제2 본딩부와 접하는 반도체 소자 패키지.A semiconductor structure comprising a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, the first conductivity type semiconductor layer electrically connected with the first conductivity type semiconductor layer. A semiconductor device including a first bonding part connected to the second bonding part, a second bonding part electrically connected to the second conductive semiconductor layer, and a first light transmitting member disposed on the semiconductor structure;
A wavelength conversion layer disposed on the semiconductor device;
A resin part disposed between the wavelength conversion layer and the semiconductor element; And
A reflection member disposed surrounding the resin portion; Including,
The first light transmitting member further includes a top surface, a bottom surface and a side surface disposed between the top surface and the bottom surface,
The reflective member further includes a first region overlapping the first and second bonding parts in a first direction, and a second region overlapping the first light transmitting member in the first direction,
The second region of the reflective member further includes an inner surface adjacent to the semiconductor element and an outer surface exposed to the outside,
The shortest distance between the inner surface of the second region of the reflective member and the first light transmitting member is gradually increased toward the second direction perpendicular to the first direction,
The second direction is a direction toward the wavelength conversion layer in the semiconductor device,
The first region may be in contact with the first bonding portion and the second bonding portion. 제1항에 있어서,
상기 파장변환층 상에 배치되는 제2 투광부재를 더 포함하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 1,
The semiconductor device package further comprises a second light transmitting member disposed on the wavelength conversion layer. 제2항에 있어서,
상기 제2 투광부재는,
상기 제1 투광부재와 서로 다른 굴절률을 포함하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 2,
The second light transmitting member,
A semiconductor device package comprising a refractive index different from the first light transmitting member. 제2항에 있어서,
상기 제2 투광부재, 상기 파장변환층 및 상기 반사부재의 외 측면은 동일 평면 상에 배치되는 반도체 소자 패키지.The method of claim 2,
The outer side surface of the second light transmitting member, the wavelength conversion layer and the reflective member is disposed on the same plane. 제1항에 있어서,
상기 파장변환층의 상기 제1 방향 길이는 상기 반도체소자의 상기 제1 방향 길이보다 큰 반도체 소자 패키지.The method of claim 1,
And the first direction length of the wavelength conversion layer is greater than the first direction length of the semiconductor device. 제1항에 있어서,
상기 수지부는,
상기 반도체 소자의 외 측면으로부터 상기 제1 방향으로의 최대거리가 1㎛ 이상 내지 300㎛ 이하인 반도체 소자 패키지.The method of claim 1,
The resin portion,
A semiconductor device package having a maximum distance from an outer side surface of the semiconductor device in the first direction to 1 μm or more and 300 μm or less. 제2항에 있어서,
상기 제2 투광부재의 상기 제2 방향으로의 길이 대비 상기 파장변환층의 상기 제2 방향으로의 길이 비율은 0.3 이상 내지 0.6 이하인 반도체 소자 패키지.The method of claim 2,
And a ratio of the length of the second light transmitting member in the second direction to the length in the second direction is 0.3 or more and 0.6 or less. 제1항에 있어서,
상기 수지부는,
상기 반도체 소자와 중첩되는 상기 제2 방향으로의 길이가 1㎛ 이상 내지 300㎛ 이하인 반도체 소자 패키지.The method of claim 1,
The resin portion,
A semiconductor device package having a length in the second direction overlapping with the semiconductor device is 1 µm or more and 300 µm or less. 제1항에 있어서,
상기 반사부재는,
상기 파장변환층과 상기 제1방향으로 중첩되는 제3 영역을 더 포함하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 1,
The reflective member,
And a third region overlapping the wavelength conversion layer in the first direction. 제1항에 있어서,
상기 제2 투광부재는,
상기 파장변환층과 접하는 일면에 제1 리세스를 포함하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 1,
The second light transmitting member,
A semiconductor device package comprising a first recess on one surface in contact with the wavelength conversion layer. 제10항에 있어서,
상기 파장변환층은 상기 제1 리세스 내에 배치되는 반도체 소자 패키지.The method of claim 10,
The wavelength conversion layer is a semiconductor device package disposed in the first recess. 제1항에 있어서,
상기 제2 투광부재는,
상기 파장변환층과 접하는 일면에 복수 개의 제2 리세스를 포함하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 1,
The second light transmitting member,
A semiconductor device package comprising a plurality of second recesses on one surface in contact with the wavelength conversion layer. 제12항에 있어서,
상기 파장변환층의 일부 영역이 상기 복수 개의 제2 리세스 내에 배치되는 반도체 소자 패키지.The method of claim 12,
Partial regions of the wavelength conversion layer are disposed in the plurality of second recesses. 제12항에 있어서,
상기 복수 개의 제2 리세스는,
상기 제1방향으로 제1 방향의 길이가 1㎛ 이상 내지 500㎛ 이하인 반도체 소자 패키지.The method of claim 12,
The plurality of second recesses,
The semiconductor device package of claim 1, wherein the first direction has a length of 1 μm or more and 500 μm or less. 제1항에 있어서,
상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부의 하면은,
상기 반사부재의 하면과 동일 평면 상에 배치되는 반도체 소자 패키지.The method of claim 1,
Lower surfaces of the first bonding portion and the second bonding portion,
A semiconductor device package disposed on the same plane as the lower surface of the reflective member.
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