KR102529195B1 - 디웨팅에 기반하는 나노-섬 구조체를 구비하는 유기 발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

디웨팅에 기반하는 나노-섬 구조체를 구비하는 유기 발광 소자 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 유기 발광 소자는 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures)가 형성된 기판 및 기판 상에 형성된 유기 발광 구조체를 포함하고, 여기서 기판은 제2 금속층이 형성되고, 형성된 제2 금속층에 대한 열처리로 인해 발생되는 제2 금속층의 디웨팅(dewetting) 현상을 통해 나노-섬 구조체가 형성될 수 있다.

Description

디웨팅에 기반하는 나노-섬 구조체를 구비하는 유기 발광 소자 및 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING NANO-ISLAND STRUCTURES BASED ON DEWETTING AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 유기 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 발광 소자에 구비된 기판과 유기 발광 구조체의 인접면에 나노-섬 구조체를 형성하는 기술적 사상에 관한 것이다.
유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)의 외부 양자 효율은 이론적으로 하기 수학식1과 같이 산출이 된다.
[수학식1]
Figure 112021080876163-pat00001
여기서,
Figure 112021080876163-pat00002
은 외부 양자 효율,
Figure 112021080876163-pat00003
은 내부 양자 효율,
Figure 112021080876163-pat00004
은 광추출 효율,
Figure 112021080876163-pat00005
는 엑시톤(exciton)의 생성량,
Figure 112021080876163-pat00006
는 엑시톤의 방사 붕괴 효율(efficiency of radiative decay of excitons)를 의미한다.
수학식1에 의거하였을 때, 밖으로 나오는 외부 양자 효율을 높이기 위해서는 내부 양자 효율이 높아야 한다. 내부 양자 효율을 높이기 위해선 엑시톤의 생성량이 많아야 하며 이를 위해선 이상적인 전하 밸런스(charge balance)를 갖춰야 한다. 또한 전하 밸런스를 이상적으로 맞출 경우 계면에서의 열화를 억제할 수 있어 수명 향상에 도움이 된다. 이와 같은 이유로 유기 발광 소자의 전하 밸런스를 맞추고 소자를 최적화 시키는 작업은 상당한 중요성을 갖는다.
유기 발광 소자의 전하 밸런스를 맞추기 위해서는 전극에서 주입되는 캐리어(carrier)들이 엑시톤을 형성하고 재결합(recombination)하는 재결합 존(recombination zone)이 발광층(emission layer, EML)의 중앙부분에서 형성되어야 한다. 이 때, 재결합 존은 전자와 정공의 주입특성에 영향을 받는다. 계면 간 에너지 장벽이 0.3 eV 내외로 이상적이라고 했을 때, 전자와 정공의 주입특성은 각각의 물질이 갖는 이동성(mobility)에 따른 차이를 보인다.
이와 같이 재료에 따른 이동도나 주입특성의 차이를 보상하기 위해 두께 최적화를 통해 효율을 극대화하는 경우 내부 양자효율이 100%까지도 얻어진다는 보고가 많다.
하지만, 이러한 경우에도 외부양자효율은 20%를 넘기가 어려운데, 이는 빛이 소자를 빠져 나오면서, 도파관 모드(waveguide mode), 기판 모드(substrate mode), 표면 플라즈몬 소자 모드(surface plasomon polariton mode), 흡수 모드(absorption) 등의 모드를 통해 소실이 되기 때문이다. 이를 통해 소실되는 빛의 양은 80%에 육박하므로, 유기 발광 소자의 발광 효율 향상을 위해 이러한 소실되는 빛을 최소화하는 기술이 필요한 실정이다.
한국등록특허 제10-1973287호, "복합체를 포함하는 정공 수송층을 구비하는 유기 발광 소자" 한국공개특허 제10-2018-0132275호, "계면 보호층(IPL: Interface Protection Layer)을 포함하는 유기 전계 발광소자"
본 발명은 디웨팅을 통해 기판과 유기 발광 구조체의 인접면 상에 나노-섬 구조체를 형성하여 표면 플라즈몬(surface plasmon)으로 인해 소실되는 빛을 최소화함으로써 발광 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 소자 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 나노-섬 구조체가 형성된 표면에 금속 물질이 추가적으로 형성되어 유기 발광 소자의 단락(short) 발생의 가능성을 최소화할 수 있는 유기 발광 소자 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자는 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures)가 형성된 기판 및 기판 상에 형성된 유기 발광 구조체를 포함하고, 기판은 제2 금속층이 형성되고, 형성된 제2 금속층에 대한 열처리로 인해 발생되는 제2 금속층의 디웨팅(dewetting)을 통해 나노-섬 구조체가 형성될 수 있다.
일측에 따르면, 기판은 제2 금속층 하부에 적층 형성되는 제1 금속층을 더 포함할 수 있다.
일측에 따르면, 제1 금속층은 알루미늄(Al) 금속을 포함하고, 상기 제2 금속층은 은(Ag) 금속을 포함할 수 있다.
일측에 따르면, 나노-섬 구조체는 제2 금속층의 두께에 따라 피치(pitch) 및 깊이(depth)가 조절될 수 있다.
일측에 따르면, 기판은 5nm 내지 500nm의 두께로 형성된 제2 금속층의 디웨팅을 통해 나노-섬 구조체가 형성될 수 있다.
일측에 따르면, 기판은 100℃ 내지 300℃의 온도에서 5분 내지 120분간 수행되는 열처리로 인해 발생되는 제2 금속층의 디웨팅을 통해 나노-섬 구조체가 형성될 수 있다.
일측에 따르면, 기판은 나노-섬 구조체가 형성된 표면 상에 제3 금속 물질이 증착될 수 있다.
일측에 따르면, 유기 발광 구조체는 제1 전극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 제2 전극 및 캡핑층이 적층되어 형성될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은 기판 상에 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures)를 형성하는 단계 및 나노-섬 구조체가 형성된 기판 상에 유기 발광 구조체를 형성하는 단계를 포함하고, 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는 기판 상에 형성되는 제1 금속층과 제2 금속층에 대한 열처리로 인해 발생되는 제2 금속층의 디웨팅(dewetting) 현상을 통해 나노-섬 구조체가 형성될 수 있다.
일측에 따르면, 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는 제2 금속층 하부에 제1 금속층을 형성할 수 있다.
일측에 따르면, 제1 금속층은 알루미늄(Al) 금속을 포함하고, 제2 금속층은 은(Ag) 금속을 포함할 수 있다.
일측에 따르면, 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는 5nm 내지 500nm의 두께로 형성된 제2 금속층의 디웨팅을 통해 나노-섬 구조체가 형성될 수 있다.
일측에 따르면, 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는 100℃ 내지 300℃의 온도에서 5분 내지 120분간 수행되는 열처리로 인해 발생되는 제2 금속층의 디웨팅을 통해 나노-섬 구조체가 형성될 수 있다.
일측에 따르면, 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는 나노-섬 구조체가 형성된 기판의 표면 상에 제3 금속 물질이 증착될 수 있다.
일실시예에 따르면, 본 발명은 디웨팅을 통해 기판과 유기 발광 구조체의 인접면 상에 나노-섬 구조체를 형성하여 표면 플라즈몬(surface plasmon)으로 인해 소실되는 빛을 최소화함으로써 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
일실시예에 따르면, 본 발명은 나노-섬 구조체가 형성된 표면에 금속 물질이 추가적으로 형성되어 유기 발광 소자의 단락(short) 발생의 가능성을 최소화할 수 있다.
도 1은 일실시예에 따른 유기 발광 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구현예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 내지 도 3d는 일실시예에 따른 유기 발광 소자에서 제2 금속층의 두께 변화에 따른 소자 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 내지 도 4b는 일실시예에 따른 유기 발광 소자에서 제3 금속물질의 증착에 따른 소자 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 내지 도 6c는 일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시예들을 도면에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 특정한 개시형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.
제1 또는 제2 등의 용어를 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만, 예를 들면 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 표현들, 예를 들면 "~사이에"와 "바로~사이에" 또는 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함으로 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 특허출원의 범위가 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 일실시예에 따른 유기 발광 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 일실시예에 따른 유기 발광 소자(100)는 디웨팅을 통해 기판과 유기 발광 구조체의 인접면 상에 나노-섬 구조체를 형성하여 표면 플라즈몬(surface plasmon)으로 인해 소실되는 빛을 최소화함으로써 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 유기 발광 소자(100)는 나노-섬 구조체가 형성된 표면에 금속 물질이 추가적으로 형성되어 유기 발광 소자의 단락(short) 발생의 가능성을 최소화할 수 있다.
이를 위해, 유기 발광 소자(100)는 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures, NI)가 형성된 기판(110)과, 기판(110) 상에 형성된 유기 발광 구조체(120)를 포함할 수 있다.
예를 들면, 기판(110)은 글래스 기판(glass substrate)일 수 있으며, 유기 발광 구조체(120)는 제1 전극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 제2 전극 및 캡핑층이 적층되어 형성될 수 있다.
또한, 유기 발광 구조체(120)의 제1 전극은 애노드 전극(anode)이고, 제2 전극은 캐소드 전극(cathode)일 수 있다.
일실시예에 따른 유기 발광 구조체(120)는 이후 실시예 도 2를 통해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
일실시예에 따른 기판(110)은 제2 금속층(112)이 형성되고, 형성된 제2 금속층(112)에 대한 열처리로 인해 발생되는 제2 금속층(112)의 디웨팅(dewetting)을 통해 나노-섬 구조체(NI)가 형성될 수 있다.
즉, 일실시예에 따른 유기 발광 소자(100)는 유기 발광 구조체(120)의 최하부에 위치하는 반사막 제1 전극(애노드 전극) 하부에 디웨팅을 이용하여 울퉁불퉁한 나노-섬 구조체(NI) 형성함으로써, 표면 플라즈몬으로 소실되는 빛의 일부를 꺼낼 수 있다.
일측에 따르면, 기판(110)은 제2 금속층(112) 하부에 형성되는 제1 금속층(111)을 더 포함할 수 있으며, 여기서 제1 금속층(111)은 제2 금속층(112)의 디웨팅 정도에 따라 생략될 수 있다.
예를 들면, 제1 금속층(111) 및 제2 금속층(112)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 비스무트(Bi), 칼슘(Ca), 코발트(Co), 크롬(Cr), 구리(Cu), 철(Fe), 갈륨(Ga), 가돌리늄(Gd), 불화수소(Hf), 인듐(In), 마그네슘(Mg), 망가니즈(Mn), 몰리브덴(Mo), 나이오븀(Nb), 네오디뮴(Nd), 니켈(Ni), 납(Pb), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 황(S), 안티모니(Sb), 셀레늄(Se), 규소(Si), 사마륨(Sm), 주석(Sn), 탄탈럼(Ta), 텔루륨(Te), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 이트륨(Y), 이터븀(Yb), 아연(Zn) 및 지르코늄(Zr) 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
바람직하게는, 제1 금속층(111)은 알루미늄(Al) 금속을 포함하고, 제2 금속층(112)은 은(Ag) 금속을 포함할 수 있다.
다시 말해, 기판(110)은 제1 금속층(111) 물질로 알루미늄(Al)을 적용하고, 제2 금속층(112) 물질로 은(Ag)을 적용할 수 있으며, 이때, 제1 금속층(111) 물질로 적용된 알루미늄(Al)은 제2 금속층(112) 물질로 적용된 은(Ag)에 비해 청색에 대한 높은 반사율 특성을 갖고 있으므로, 제1 전극(애노드 전극)에 의해 흡수되는 빛의 양을 최소화시켜 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
일측에 따르면, 나노-섬 구조체(NI)는 제2 금속층(112)의 두께에 따라 피치(pitch) 및 깊이(depth)가 조절될 수 있다. 예를 들면, 나노-섬 구조체(NI)는 5nm 내지 500nm의 두께로 형성될 수 있다.
바람직하게는, 기판(110)은 10nm의 두께로 형성된 제2 금속층(112)의 디웨팅을 통해 나노-섬 구조체(NI)가 형성될 수 있다.
일측에 따르면, 기판(110)은 100℃ 내지 300℃의 온도에서 5분 내지 120분간 수행되는 열처리로 인해 발생되는 제2 금속층(112)의 디웨팅을 통해 나노-섬 구조체(NI)가 형성될 수 있다.
한편, 기판(110)은 나노-섬 구조체가 형성된 표면 상에 제3 금속 물질이 증착될 수 있다.
예를 들면, 제3 금속 물질은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 비스무트(Bi), 칼슘(Ca), 코발트(Co), 크롬(Cr), 구리(Cu), 철(Fe), 갈륨(Ga), 가돌리늄(Gd), 불화수소(Hf), 인듐(In), 마그네슘(Mg), 망가니즈(Mn), 몰리브덴(Mo), 나이오븀(Nb), 네오디뮴(Nd), 니켈(Ni), 납(Pb), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 황(S), 안티모니(Sb), 셀레늄(Se), 규소(Si), 사마륨(Sm), 주석(Sn), 탄탈럼(Ta), 텔루륨(Te), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 이트륨(Y), 이터븀(Yb), 아연(Zn) 및 지르코늄(Zr) 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있으나, 바람직하게는 제3 금속 물질은 은(Ag) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 하나일 수 있다.
다시 말해, 기판(110)은 제3 금속 물질을 추가 증착함으로써, 나노-섬 구조체가 형성된 표면을 보다 완만하게 할 수 있으며, 제3 금속 물질을 증착하지 않았을 때와 비교하여 유기 발광 소자(100)의 단락(short) 발생의 가능성을 최소화할 수 있다.
도 2는 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구현예를 설명하기 위한 도면이다.
다시 말해, 도 2는 도 1을 통해 설명한 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구현 예시를 설명하기 위한 도면으로, 이하에서 도 2를 통해 설명하는 내용 중 도 1을 통해 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 2를 참조하면, 일실시예에 따른 유기 발광 소자(200)는 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(NI)가 형성된 기판(210)과, 기판(210) 상에 형성된 유기 발광 구조체(220)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 기판(210)은 제2 금속층(212)이 순차적으로 형성되고, 형성된 제2 금속층(212)에 대한 열처리로 인해 발생되는 제2 금속층(212)의 디웨팅(dewetting) 현상을 통해 나노-섬 구조체(NI)가 형성될 수 있다.
일측에 따르면, 기판(210)은 제2 금속층(212) 하부에 형성되는 제1 금속층(211)을 더 포함할 수도 있다.
또한, 유기 발광 구조체(120)는 제1 전극(221), 정공 주입층(222), 정공 수송층(223), 발광층(224), 전자 수송층(225), 전자 주입층(226), 제2 전극(227) 및 캡핑층(228)이 적층되어 형성될 수 있다.
예를 들면, 제1 전극(221)은 고반사성의 애노드(anode) 전극이고, 제2 전극(227)은 캐소드 전극(cathode) 전극일 수 있다.
보다 구체적으로, 제1 전극(221)은 발광층(224)에 정공을 제공하는 전극으로서, 투과형 전극, 반사형 전극 또는 이들의 적층 구조로 형성될 수 있다.
투과형 전극 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화 아연(ZnO), 금속산화물/금속/금속산화물 다중층, 그래핀(graphene), 카본 나노 튜브(carbon nano tube) 및 폴리에틸렌디옥시티오펜:폴리스티렌설포네이트(PEDOT:PSS) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
반사형 전극 물질로는 Ag/ITO, Ag/IZO, 알루미늄-리튬(Al-Li), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag), 알루미늄/은(Al/Ag), 리튬 플로라이드/알루미늄(LiF/Al), 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag), 이터븀 (Yb), 플래티넘(Pt), 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu), 바륨(Ba), 은(Ag), 은나노와이어(AgNWs), 인듐(In), 루테늄(Ru), 납(Pd), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 칼슘(Ca) 및 세슘(Cs) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
바람직하게, 제1 전극(221)은 고 반사성 전극으로서, 알루미늄/은(Al/Ag)의 다층 구조로 형성될 수 있다.
제1 전극(221) 상에 형성되는 정공 주입층(222)은 제1 전극(221)으로부터 주입된 정공을 발광층(224)으로 주입하는 역할을 할 수 있다.
정공 주입층(222)으로는 공지의 정공 주입층용 물질이 사용될 수 있고, 예를 들면, 정공 주입층(222)은 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate), NPB(N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'diamine), TPD(N,N'-bis(3-methlyphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'- biphenyl]-4,4'-diamine), TAPC(1,1- Bis[4-[N,N'-di(p-tolyl)amino]phenyl]cyclohexane), HMTPD((3-tolyl)amino]3,3'-dimethylbiphenyl), TCTA(Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine), P3HT(Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)), 2TNATA(4,4',4′''-tris(N-(2-naphthyl)-N-phenyl-amino)-triphenylamine), m-MTDATA (4,4',4''-Tris[phenyl(m-tolyl)amino]triphenylamine), DNTPD(N,N' -bis-[4-(di-m-tolylamino)phenyl]-N,N'-diphenylbiphenyl-4,4' -diamine), NPD(N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(α-NPD)), DPPD(N,N' -diphenyl-p-phenylenediamine), 4BTPD (2,2'-bis(4-ditolylaminophenyl)-1,1'-biphenyl), 3BTPD (2,2' -bis(3-ditolylaminophenyl)-1,1'-biphenyl) 및 DTASi (bis[4-(p,p'-ditolylamino)-phenyl]diphenylsilane)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 정공 주입층(222)은 스핀 코팅법을 이용하여 형성될 수 있으며, 코팅 조건은 정공 주입층(222)의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공 주입층(120)의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2,000rpm 내지 5,000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 적절히 선택될 수 있다.
즉, 정공 주입층(222)은 용액 공정으로 형성됨으로써, 대면적 공정이 가능하고, 공정 시간을 단축시킬 수 있으며, 제1 전극(221) 및 제2 전극(227)의 반도체 특성에 대한 제한을 감소시킬 수 있다.
정공 수송층(223)은 제1 전극으로부터 주입되는 정공을 발광층(224)으로 이동시키는 역할을 하며, VB-FNPD(9,9-Bis[4-[(4-ethenylphenyl)methoxy]phenyl]-N2, N7-di-1-naphthalenyl-N2,N7-diphenyl-9H-Fluorene-2,7-diamine), VNPB(N4,N4'-Di(naphthalen-1-yl)-N4,N4'-bis(4-vinylphenyl)biphenyl-4,4'-diamine), TFB(Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl) diphenylamine)]), PTAA(Poly[bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine]), Poly-TPD(Poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine]), Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-diphenyl)-N,N'-di(p-butylphenyl)-1,4-diamino-benzene)] end capped with dimethylphenyl, Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-co-(N,N' -bis{4-butylphenyl}-benzidine-N,N'-{1,4-diphenylene})], Poly[(9,9-dihexylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-(N,N'bis{p-butylphenyl}-1,4-diaminophenylene)], Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-(N,N'-bis{p-butylphenyl}-1,1'-biphenylene-4,4'-diamine)] 및 Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(pbutylphenyl)) diphenylamine)] 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 정공 수송층(223)은 N0-bis(naphthalen-1-yl)-N, N0-bis(phenyl)benzidine (NPB)을 포함할 수 있다.
발광층(224)은 제1 전극(221)으로부터 주입되어 정공 수송층(223)을 경유한 정공과 제2 전극(227)으로부터 주입되어 전자 수송층(225)을 경유한 전자가 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 변하면서 발광하는 층으로서, 단층 또는 복층으로 구성될 수 있다.
예를 들면, 발광층(224)은 호스트(host)에 발광 도펀트 (dopant)를 더 부가하여 제조될 수 있으며, 형광 발광형 호스트의 재료로는 트리스(8-히드록시-퀴놀리나토)알루미늄 (Alq3), 9,10-디(나프티-2-일)안트라센 (AND), 3-Tert-부틸-9,10-디(나프티-2-일)안트라센 (TBADN), 4,4'-비스(2,2-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디메틸페닐 (DPVBi), 4,4'-비스Bis(2,2-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디메틸페닐 (p-DMDPVBi), Tert(9,9-디아릴플루오렌)s (TDAF), 2-(9,9'-스피로비플루오렌-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌 (BSDF), 2,7-비스(9,9'-스피로비플루오렌-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌(TSDF), 비스(9,9-디아릴플루오렌)s (BDAF) 및 4,4'-비스(2,2-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디-(tert-부틸)페닐 (p-TDPVBi) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 인광형 호스트의 재료로는 1,3-비스(카바졸-9-일)벤젠 (mCP), 1,3,5-트리스(카바졸-9-일)벤젠 (tCP), 4,4',4"-리스(카바졸-9-일)트리페닐아민 (TCTA), 4,4'-비스(카바졸-9-일)비페닐 (CBP), 4,4'-비스Bis(9-카바졸일)-2,2'-디메틸-비페닐 (CBDP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9-디메틸-플루오렌 (DMFL-CBP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9-비스bis(9-페닐-9H-카바졸)플루오렌 (FL-4CBP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9-디-톨일-플루오렌 (DPFL-CBP) 및 9,9-비스(9-페닐-9H-카바졸)플루오렌 (FL-2CBP) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 발광층(224)은 호스트 재료로서 beryllium bisbenzo[h]quinolin-10-olate (Bebq2) 및 도펀트 재로로서 bis[2,4-dimethyl-6-(4-methyl-2-quinolinyl-κN)phenyl-κC] (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato-κO3 (Ir(mphmq)2tmd)를 포함할 수 있다.
전자 수송층(225)은 제2 전극(160)으로부터 주입된 전자를 발광층(224)으로 이동시키는 역할을 할 수 있으며, 예를 들면, 전자 수송층(225)은 TPBi(2,2',2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)), Alq3(Tris(8-hydroxyquinoline) Aluminum), PCBM(Phenyl-C61-butyric acid methyl ester), TAZ(3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-(4-tertbutylphenyl)-1,2,4-triazole), BPhen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), BAlq(Bis(8-hydroxy-2-methylquinoline)-(4-phenylphenoxy)aluminum), TSPO1 (diphenylphosphine oxide-4-(triphenylsilyl)phenyl), B4PyMPM [bis-4,6-(3,5-di-4-pyridylphenyl)-2-methylpyrimidine], TmPyPB (Two pyridine-containing triphenylbenzene derivatives of 1,3,5-tri(m-pyrid- 3-yl-phenyl)benzene), 3TPYMB (tris-[3-(3-pyridyl)mesityl] borane), TpPyPB (1,3,5-tri( p -pyrid-3-yl-phenyl)benzene), TPPB (1,3,5-tris[3,5-bis(3-pyridinyl)phenyl]benzene) 및 BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 전자 수송층(225)은 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen)을 포함할 수 있다.
한편, 정공 수송층(223)은 발광층(224)과의 인접면에 형성되는 전자 누설 제어층을 더 포함하고, 전자 수송층(225)은 발광층(224)과의 인접면에 형성되는 정공 누설 제어층을 더 포함할 수 있으며, 여기서 전자 누설 제어층과 정공 누설 제어층은 HOMO 상태밀도(HOMO-Density of States) 및 LUMO 상태밀도(LUMO- Density of States)와 같은 소정 물성이 특정 범위로 제어되어 고효율, 저전압 및 장수명 특성을 갖는 유기 발광 구조체를 구현할 수 있다.
구체적으로, 일실시예에 따른 유기 발광 구조체는 전자 누설 제어층과 정공 누설 제어층의 HOMO-LUMO 상태밀도와 발광층(224)에 함유된 호스트(host) 재료의 HOMO-LUMO 상태밀도 간의 겹침 여부(예, 중첩율)가 소정범위로 조절될 수 있다.
예를 들면, LUMO 상태밀도를 기준으로, 호스트의 LUMO 상태밀도와 정공 누설 제어층의 LUMO 상태밀도는 서로 중첩되고, 호스트의 LUMO 상태밀도와 전자-누설 제어층의 LUMO 상태밀도는 비중첩 되도록 조절될 수 있다.
즉, 전자는 LUMO 에너지 준위를 따라 이동하게 되고, LUMO 상태밀도 관점에서 정공 누설 제어층과 호스트 간의 LUMO 상태밀도가 서로 중첩될 경우, 정공 누설 제어층으로부터 호스트로의 상태밀도(LUMO 상태밀도) 겹침을 통해 신속한 전자전달 효과를 나타내어 유기 전계 발광 소자의 효율 증대를 도모할수 있다. 또한 전자 누설 제어층과 호스트 간의 LUMO 상태밀도 겹침(중첩)이 없을 경우, 발광층(224)으로 이동한 전자가 전자 누설 제어층으로 확산되거나 이동하는 현상을 억제시켜 전자 블로킹(blocking) 효과를 나타낼 수 있으며, 이에 따라 전자가 발광층(224)을 넘어 정공 수송층(30)으로 이동할 경우 나타나는, 산화에 의한 비가역적 분해 반응과 이로 인한 유기 발광 소자의 수명저하를 막아 장수명 특성을 발휘할 수 있다.
예를 들면, 전자 누설 제어층은 아릴렌기, 헤테로아릴렌기, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 니트로기 및 아미노기로 구성된 군 중 적어도 하나를 포함하고, 정공 누설 제어층은 모이어티(일례로, EDG기, EWG기)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 주입층(226)은 제2 전극(227)으로부터 주입된 전자를 발광층(224)으로 주입시키는 역할을 할 수 있다.
예를 들면, 전자 주입층(226)은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물, 희토류 금속 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체 또는 이들 중 임의의 조합 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 바람직하게는, 전자 주입층(226)은 lithium quinolate(Liq)를 포함할 수 있다.
제2 전극(227)은 전원 전압에 공통 연결되어 전자 수송층으로 전자를 주입시키는 역할을 할 수 있다.
예를 들면, 제2 전극(227)은 금속 물질, 이온화된 금속 물질, 합금 물질, 소정의 액체 속에서 콜로이드(colloid) 상태인 금속 잉크 물질 및 투명 금속 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
금속 물질의 구체적인 예로서는 리튬플로라이드/알루미늄(LiF/Al), 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag), 이터븀 (Yb), 플래티넘(Pt), 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu), 바륨(Ba), 은(Ag), 은나노와이어 (AgNWs), 인듐(In), 루테늄(Ru), 납(Pd), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 칼슘 (Ca) 및 세슘(Cs) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 금속 물질로 탄소(C), 전도성 고분자 또는 이들의 조합이 사용될 수도 있다.
탄소(C) 물질로는 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 전도성 고분자 물질로는 폴리에틸렌디옥시티오펜:폴리스티렌설포네이트(PEDOT:PSS)를 포함할 수 있다.
또한, 투명 금속 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluorine-doped Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide) 및 AZO(Aluminum doped Zinc Oxide) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 제2 전극(227)은 마그네슘-은(Mg-Ag)으로 형성될 수 있다.
캡핑층(228)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium), NPB 및 삼산화몰리브덴(MoO3) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 캡핑층(228)은 삼산화몰리브덴(MoO3) 기반의 무기 캡핑층으로 형성될 수 있다.
일측에 따르면, 유기 발광 구조체(221 내지 228)는 전하 생성층을 더 포함할 수 있으며, 바람직하게는, 전하 생성층은 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene hexacarbonitrile(HAT-CN)를 포함할 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 일실시예에 따른 유기 발광 소자에서 제2 금속층의 두께 변화에 따른 소자 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 내지 도 3d를 참조하면, 참조부호 310 내지 320은 5nm의 두께로 증착된 제2 금속층에 대한 열처리를 통해 형성된 나노-섬 구조체를 구비하는 기판의 정면도와 측면도를 도시하고, 참조부호 330 내지 340은 10nm의 두께로 증착된 제2 금속층에 대한 열처리를 통해 형성된 나노-섬 구조체를 구비하는 기판의 정면도와 측면도를 도시한다.
참조부호 310 내지 340에 따르면, 일실시예에 따른 나노-섬 구조체는 제2 금속층을 5nm의 두께로 증착하는 경우에 깊이가 49.5nm 내지 56.8nm로 제어되고, 제2 금속층을 10nm의 두께로 증착하는 경우에 피치가 92.4nm 내지 129.9nm, 깊이가 64.5nm 내지 79.1nm로 제어되는 것을 확인할 수 있다.
즉, 일실시예에 따른 나노-섬 구조체는 제2 금속층의 두께에 따라 크기(피치 및 깊이)가 조절되는 것을 확인할 수 있다.
또한, 일실시예에 따른 나노-섬 구조체는 제2 금속층을 10nm의 두께로 증착하였을 때가 5nm로 증착하였을 때보다 디웨팅이 보다 명확하게 발생된 것을 확인할 수 있다.
도 4a 내지 도 4b는 일실시예에 따른 유기 발광 소자에서 제3 금속물질의 증착에 따른 소자 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 내지 도 4b를 참조하면, 참조부호 410 내지 420은 나노-섬 구조체가 형성된 표면 상에 제3 금속 물질을 증착한 기판의 정면도와 측면도를 도시한다.
참조부호 410 내지 420에 따르면, 일실시예에 따른 기판은 나노-섬 구조체가 형성된 표면 상에 제3 금속 물질을 추가 증착함으로써, 나노-섬 구조체가 형성된 표면을 보다 완만하게 구현하는 것을 확인할 수 있으며, 이를 통해 유기 발광 소자(100)의 단락(short) 발생의 가능성을 최소화할 수 있다.
도 5는 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
다시 말해, 도 5는 도 1 내지 도 4b를 통해 설명한 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조예를 설명하기 위한 도면으로, 이하에서 도 5를 통해 설명하는 내용 중 도 1 내지 도 4b를 통해 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 510 단계에서 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은 기판 상에 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures)를 형성할 수 있다.
구체적으로, 510 단계에서 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은 기판 상에 형성되는 제2 금속층에 대한 열처리로 인해 발생되는 제2 금속층의 디웨팅(dewetting)을 통해 나노-섬 구조체가 형성될 수 있다.
일측에 따르면, 510 단계에서 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은 제2 금속층 하부에 형성되는 제1 금속층을 형성할 수도 있으며, 여기서 제1 금속층은 제2 금속층의 디웨팅 정도에 따라 생략될 수 있다.
예를 들면, 제1 금속층은 알루미늄(Al) 금속을 포함하고, 제2 금속층은 은(Ag) 금속을 포함할 수 있다.
일측에 따르면, 510 단계에서 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은 나노-섬 구조체가 형성된 기판의 표면 상에 제3 금속 물질이 증착될 수 있다.
다시 말해, 기판(110)은 제3 금속 물질을 추가 증착함으로써, 나노-섬 구조체가 형성된 표면을 보다 완만하게 할 수 있으며, 제3 금속 물질을 증착하지 않았을 때와 비교하여 유기 발광 소자(100)의 단락(short) 발생의 가능성을 최소화할 수 있다.
일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법은 이후 실시예 도 6을 통해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
다음으로, 520 단계에서 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은 나노-섬 구조체가 형성된 기판 상에 유기 발광 구조체를 형성할 수 있다.
구체적으로, 520 단계에서 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은 제1 전극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 제2 전극 및 캡핑층을 순차적으로 적층하여 유기 발광 구조체를 형성할 수 있다.
도 6a 내지 도 6c는 일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
다시 말해, 이하에서 도 6a 내지 도 6c를 통해 설명하는 내용은 도 5의 510 단계에서 수행될 수 있다.
도 6a 내지 도 6b를 참조하면, 610 단계에서 일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법은 기판(611) 상에 알루미늄(Al) 금속을 포함하는 제1 금속층(612)을 형성할 수 있다.
일측에 따르면, 일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법에서 610 단계는 제2 금속층(613)의 디웨팅 정도에 따라 생략될 수도 있다.
다음으로, 620 단계에서 일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법은 제1 금속층(612) 상에 은(Ag) 금속을 포함하는 제2 금속층(613)을 형성할 수 있다.
일측에 따르면, 620 단계에서 일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법은 610 단계가 생략되면 기판(611) 상에 제2 금속층(613)을 형성할 수도 있다.
한편, 620 단계에서 일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법은 제2 금속층(613)의 두께에 따라 이하에서 설명하는 나노-섬 구조체의 피치(pitch) 및 깊이(depth)가 조절될 수 있다. 바람직하게는, 제2 금속층(613)은 5nm 내지 500nm의 두께로 형성될 수 있다.
다음으로, 630 단계에서 일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법은 100℃ 내지 300℃의 온도에서 5분 내지 120분간 수행되는 열처리로 인해 발생되는 제2 금속층(613)의 디웨팅을 통해 나노-섬 구조체(NI)가 형성될 수 있다.
결국, 본 발명을 이용하면, 디웨팅을 통해 기판과 유기 발광 구조체의 인접면 상에 나노-섬 구조체를 형성하여 표면 플라즈몬(surface plasmon)으로 인해 소실되는 빛을 최소화함으로써 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명을 이용하면, 나노-섬 구조체가 형성된 표면에 금속 물질이 추가적으로 형성되어 유기 발광 소자의 단락(short) 발생의 가능성을 최소화할 수 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들면, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 장치, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
100: 유기 발광 소자 110: 기판
111: 제1 금속층 112: 제2 금속층
120: 유기 발광 구조체 NI: 나노-섬 구조체

Claims (14)

  1. 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures)가 형성된 기판 및
    상기 기판 상에 형성된 유기 발광 구조체
    를 포함하고,
    상기 기판은,
    제2 금속층이 5nm 내지 500nm의 두께로 형성되고, 상기 형성된 제2 금속층에 대한 열처리로 인해 발생되는 상기 제2 금속층의 디웨팅(dewetting)을 통해 5nm 내지 500nm의 두께로 비균일한 간격으로 랜덤하게 배치되는 상기 나노-섬 구조체가 형성되고,
    상기 나노-섬 구조체가 형성된 기판의 표면 상에 제3 금속 물질이 증착되되,
    상기 제3 금속 물질은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 비스무트(Bi), 칼슘(Ca), 코발트(Co), 크롬(Cr), 구리(Cu), 철(Fe), 갈륨(Ga), 가돌리늄(Gd), 불화수소(Hf), 인듐(In), 마그네슘(Mg), 망가니즈(Mn), 몰리브덴(Mo), 나이오븀(Nb), 네오디뮴(Nd), 니켈(Ni), 납(Pb), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 황(S), 안티모니(Sb), 셀레늄(Se), 규소(Si), 사마륨(Sm), 주석(Sn), 탄탈럼(Ta), 텔루륨(Te), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 이트륨(Y), 이터븀(Yb), 아연(Zn) 및 지르코늄(Zr) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는
    유기 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판은,
    상기 제2 금속층 하부에 형성되는 제1 금속층을 더 포함하는
    유기 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 금속층은 알루미늄(Al) 금속을 포함하고, 상기 제2 금속층은 은(Ag) 금속을 포함하는
    유기 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 나노-섬 구조체는,
    상기 제2 금속층의 두께에 따라 피치(pitch) 및 깊이(depth)가 조절되는
    유기 발광 소자.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판은,
    100℃ 내지 300℃의 온도에서 5분 내지 120분간 수행되는 상기 열처리로 인해 발생되는 상기 제2 금속층의 디웨팅을 통해 상기 나노-섬 구조체가 형성되는
    유기 발광 소자.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 유기 발광 구조체는,
    제1 전극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 제2 전극 및 캡핑층이 적층되어 형성되는
    유기 발광 소자.
  9. 기판 상에 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures)를 형성하는 단계 및
    상기 나노-섬 구조체가 형성된 기판 상에 유기 발광 구조체를 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 5nm 내지 500nm의 두께로 형성되는 제2 금속층에 대한 열처리로 인해 발생되는 상기 제2 금속층의 디웨팅(dewetting) 현상을 통해 상기 나노-섬 구조체가 5nm 내지 500nm의 두께로 비균일한 간격으로 랜덤하게 배치되도록 형성되고,
    상기 나노-섬 구조체가 형성된 기판의 표면 상에 제3 금속 물질이 증착되되,
    상기 제3 금속 물질은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 비스무트(Bi), 칼슘(Ca), 코발트(Co), 크롬(Cr), 구리(Cu), 철(Fe), 갈륨(Ga), 가돌리늄(Gd), 불화수소(Hf), 인듐(In), 마그네슘(Mg), 망가니즈(Mn), 몰리브덴(Mo), 나이오븀(Nb), 네오디뮴(Nd), 니켈(Ni), 납(Pb), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 황(S), 안티모니(Sb), 셀레늄(Se), 규소(Si), 사마륨(Sm), 주석(Sn), 탄탈럼(Ta), 텔루륨(Te), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 이트륨(Y), 이터븀(Yb), 아연(Zn) 및 지르코늄(Zr) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는
    유기 발광 소자의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는,
    상기 제2 금속층 하부에 제1 금속층을 형성하는
    유기 발광 소자의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 금속층은 알루미늄(Al) 금속을 포함하고, 상기 제2 금속층은 은(Ag) 금속을 포함하는
    유기 발광 소자의 제조방법.
  12. 삭제
  13. 제9항에 있어서,
    상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는,
    100℃ 내지 300℃의 온도에서 5분 내지 120분간 수행되는 상기 열처리로 인해 발생되는 상기 제2 금속층의 디웨팅을 통해 상기 나노-섬 구조체가 형성되는
    유기 발광 소자의 제조방법.
  14. 삭제
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