KR102623188B1 - 색안정성 확보를 위해 나노-섬 구조체를 구비하는 유기 발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 유기 발광 소자는 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures)가 형성된 기판 및 기판 상에 형성된 유기 발광 구조체를 포함하고, 여기서 기판은 무기물층이 형성되고 형성된 무기물층이 기설정된 온도 및 습도 조건의 환경에 노출되어 나노-섬 구조체가 형성될 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 발광 소자에 구비된 기판의 일측면에 나노-섬 구조체를 형성하는 기술적 사상에 관한 것이다.
유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)의 외부 양자 효율은 이론적으로 하기 수학식1과 같이 산출이 된다.
[수학식1]
여기서, 은 외부 양자 효율, 은 내부 양자 효율, 은 광추출 효율, 는 엑시톤(exciton)의 생성량, 는 엑시톤의 방사 붕괴 효율(efficiency of radiative decay of excitons)를 의미한다.
수학식1에 의거하였을 때, 밖으로 나오는 외부 양자 효율을 높이기 위해서는 내부 양자 효율이 높아야 한다. 내부 양자 효율을 높이기 위해선 엑시톤의 생성량이 많아야 하며 이를 위해선 이상적인 전하 밸런스(charge balance)를 갖춰야 한다. 또한 전하 밸런스를 이상적으로 맞출 경우 계면에서의 열화를 억제할 수 있어 수명 향상에 도움이 된다. 이와 같은 이유로 유기 발광 소자의 전하 밸런스를 맞추고 소자를 최적화 시키는 작업은 상당한 중요성을 갖는다.
유기 발광 소자의 전하 밸런스를 맞추기 위해서는 전극에서 주입되는 캐리어(carrier)들이 엑시톤을 형성하고 재결합(recombination)하는 재결합 존(recombination zone)이 발광층(emission layer, EML)의 중앙부분에서 형성되어야 한다. 이 때, 재결합 존은 전자와 정공의 주입특성에 영향을 받는다. 계면 간 에너지 장벽이 0.3 eV 내외로 이상적이라고 했을 때, 전자와 정공의 주입특성은 각각의 물질이 갖는 이동성(mobility)에 따른 차이를 보인다.
이와 같이 재료에 따른 이동도나 주입특성의 차이를 보상하기 위해 두께 최적화를 통해 효율을 극대화하는 경우 내부 양자효율이 100%까지도 얻어진다는 보고가 많다.
하지만, 이러한 경우에도 외부양자효율은 20%를 넘기가 어려운데, 이는 빛이 소자를 빠져 나오면서, 도파관 모드(waveguide mode), 기판 모드(substrate mode), 표면 플라즈몬 소자 모드(surface plasomon polariton mode), 흡수 모드(absorption) 등의 모드를 통해 소실이 되기 때문이다. 이를 통해 소실되는 빛의 양은 80%에 육박한다.
이에, 종래에는 소실되는 빛을 최소화하기 위해, 광확산 필름, 고굴절 기판, 내부 광산란층 적용 등 다양한 외광 추출 기법들이 연구되고 있으며, 이 밖에도 디스플레이 패널 업체들은 미소 공진 구조를 적용한 유기 발광 소자를 통해 고해상도 소형 디스플레이의 외광 효율을 극대화하고 있다.
다만, 이러한 기술들은 전면으로의 빛이 강화되고 측면으로는 빛이 약해지게 되므로, 이러한 시야각 특성 열화에 대한 문제를 해결하기 위해 전방위 산란체의 도입을 고민해야 하는데, 실제로 나노 기공성 필름(nanoporous film)을 도입하여 미소 공진 소자에서의 시야각 특성의 열화를 억제했다는 연구 결과들이 발표된 바 있다.
그러나, 이러한 연구들은 제조 공정이 복잡하므로 실제 공정 상에 적용하기 어렵다는 문제가 있다.
본 발명은 무기물을 이용하여 형성되는 나노-섬 구조체를 유기 발광 소자의 전방위 산란체로 활용하여 시야각 특성을 개선할 수 있는 유기 발광 소자 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 나노-섬 구조체로 인해 유기 발광 소자 내에서 전방위로 빛이 반사되어 색 변이 및 광분포 특성을 개선할 수 있는 유기 발광 소자 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자는 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures)가 형성된 기판 및 기판 상에 형성된 유기 발광 구조체를 포함하고, 기판은 무기물층이 형성되고, 형성된 무기물층이 기설정된 온도 및 습도 조건의 환경에 노출되어 나노-섬 구조체가 형성될 수 있다.
일측에 따르면, 무기물층은 염화 세슘(CsCl), 플루오린화 세슘(CsF), 아이오딘화 세슘(CsI), 브롬화 세슘(CsBr), 염화 칼슘(CaCl2) 및 염화 란탄(LaCl3) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일측에 따르면, 나노-섬 구조체는 형성된 무기물층의 두께에 따라 피치(pitch) 및 깊이(depth)가 조절될 수 있다.
일측에 따르면, 무기물층은 25nm 내지 200nm의 두께로 기판 상에 형성될 수 있다.
일측에 따르면, 기판은 형성된 무기물층이 5℃ 내지 40℃의 온도 및 30% 내지 100%의 습도 조건의 환경에 노출되어 나노-섬 구조체가 형성될 수 있다.
일측에 따르면, 유기 발광 구조체는 제1 전극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 제2 전극 및 캡핑층이 적층되어 형성될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은 기판 상에 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures)를 형성하는 단계 및 나노-섬 구조체가 형성된 기판 상에 유기 발광 구조체를 형성하는 단계를 포함하고, 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는 기판 상에 형성된 무기물층이 기설정된 온도 및 습도 조건의 환경에 노출되어 나노-섬 구조체가 형성될 수 있다.
일측에 따르면, 무기물층은 염화 세슘(CsCl), 플루오린화 세슘(CsF), 아이오딘화 세슘(CsI), 브롬화 세슘(CsBr), 염화 칼슘(CaCl2) 및 염화 란탄(LaCl3) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일측에 따르면, 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는 25nm 내지 200nm의 두께로 기판 상에 무기물층을 형성할 수 있다.
일측에 따르면, 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는 형성된 무기물층이 5℃ 내지 40℃의 온도 및 30% 내지 100%의 습도 조건의 환경에 노출되어 나노-섬 구조체가 형성될 수 있다.
일실시예에 따르면, 본 발명은 나노-섬 구조체를 유기 발광 소자의 전방위 산란체로 활용하여 시야각 특성을 개선할 수 있다.
일실시예에 따르면, 본 발명은 나노-섬 구조체로 인해 유기 발광 소자 내에서 전방위로 빛이 반사되어 색 변이 및 광분포 특성을 개선할 수 있다.
도 1은 일실시예에 따른 유기 발광 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구현예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 소자 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 내지 도 4g는 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 광학 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 내지 도 5d는 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 무기물층 두께 변화에 따른 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7a 내지 도 7b는 일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구현예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 소자 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 내지 도 4g는 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 광학 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 내지 도 5d는 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 무기물층 두께 변화에 따른 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7a 내지 도 7b는 일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시예들을 도면에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 특정한 개시형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.
제1 또는 제2 등의 용어를 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만, 예를 들면 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 표현들, 예를 들면 "~사이에"와 "바로~사이에" 또는 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함으로 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 특허출원의 범위가 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 일실시예에 따른 유기 발광 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 일실시예에 따른 유기 발광 소자(100)는 나노-섬 구조체를 유기 발광 소자의 전방위 산란체로 활용하여 시야각 특성을 개선할 수 있다.
또한, 유기 발광 소자(100)는 나노-섬 구조체로 인해 유기 발광 소자 내에서 전방위로 빛이 반사되어 색 변이 및 광분포 특성을 개선할 수 있다.
이를 위해, 유기 발광 소자(100)는 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures, NI)가 형성된 기판(110)과, 기판(110) 상에 형성된 유기 발광 구조체(120)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 일실시예에 따른 기판(110)은 무기물층(111)이 형성되고, 형성된 무기물층(111)이 기설정된 온도 및 습도 조건의 환경에 노출되어 나노-섬 구조체(NI)가 형성될 수 있다.
예를 들면, 기판(110)은 글래스 기판(glass substrate)일 수 있으며, 무기물층(111)은 염화 세슘(CsCl), 플루오린화 세슘(CsF), 아이오딘화 세슘(CsI), 브롬화 세슘(CsBr), 염화 칼슘(CaCl2) 및 염화 란탄(LaCl3) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는 무기물층(111)은 염화 세슘층일 수 있다.
일측에 따르면, 나노-섬 구조체(NI)는 형성된 무기물층(111)의 두께에 따라 피치(pitch) 및 깊이(depth)가 조절될 수 있으며, 바람직하게는 무기물층(111)은 25nm 내지 200nm의 두께로 기판(110) 상에 형성될 수 있다.
또한, 기판(110)은 형성된 무기물층(111)이 5℃ 내지 40℃의 온도 및 30% 내지 100%의 습도 조건의 환경에 노출되어 나노-섬 구조체(NI)가 형성될 수 있다. 바람직하게는, 나노-섬 구조체(NI)는 27℃의 온도 조건과 50%의 습도 조건에서 형성될 수 있다.
구체적으로, 나노-섬 구조체(NI)는 기판(110)의 일측면에 열증착된 염화 세슘층, 즉 무기물층(111)이 5℃ 이상에서 40℃이하의 온도 범위와, 30% 이상에서 100% 미만의 습도 범위 내의 환경에 노출됨에 따라 발생되는 무기물층(111)의 디웨팅(dewetting)을 통해 형성될 수 있으며, 이때 나노-섬 구조체(NI)는 반구형, 타원형 및 부정형 중 적어도 하나의 형상으로 형성될 수 있다.
일측에 따르면, 유기 발광 구조체(120)는 제1 전극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 제2 전극 및 캡핑층이 적층되어 형성될 수 있다.
예를 들면, 유기 발광 구조체(120)는 전면 발광소자(일례로, 전면 공진소자) 또는 배면 발광소자(일례로, 배면 공진소자)일 수 있다.
일측에 따르면, 나노-섬 구조체(NI)는 유기 발광 구조체(120)가 전면 발광소자인 경우에 기판(110)의 상부, 즉 기판(110)과 유기 발광 구조체(120) 사이에 형성될 수 있다. 또한, 나노-섬 구조체(NI)는 유기 발광 구조체(120)가 배면 발광소자인 경우에 기판(110)의 하부에 형성될 수 있다.
일실시예에 따른 유기 발광 구조체(120)는 이후 실시예 도 2를 통해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
도 2는 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구현예를 설명하기 위한 도면이다.
다시 말해, 도 2는 도 1을 통해 설명한 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구현 예시를 설명하기 위한 도면으로, 이하에서 도 2를 통해 설명하는 내용 중 도 1을 통해 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 2를 참조하면, 일실시예에 따른 유기 발광 소자(200)는 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(NI)가 형성된 기판(210)과, 기판(210) 상에 형성된 유기 발광 구조체(220)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 기판(210)은 무기물층(211)이 형성되고, 형성된 무기물층(211)이 기설정된 온도 및 습도 조건의 환경에 노출되어 나노-섬 구조체(NI)가 형성될 수 있다.
또한, 유기 발광 구조체(220)는 제1 전극(221), 정공 주입층(222), 정공 수송층(223), 발광층(224), 전자 수송층(225), 전자 주입층(226), 제2 전극(227) 및 캡핑층(228)이 적층되어 형성될 수 있다.
예를 들면, 제1 전극(221)은 애노드(anode) 전극이고, 제2 전극(227)은 캐소드 전극(cathode) 전극일 수 있다.
보다 구체적으로, 제1 전극(221)은 발광층(224)에 정공을 제공하는 전극으로서, 투과형 전극, 반사형 전극 또는 이들의 적층 구조로 형성될 수 있다.
투과형 전극 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화 아연(ZnO), 금속산화물/금속/금속산화물 다중층, 그래핀(graphene), 카본 나노 튜브(carbon nano tube) 및 폴리에틸렌디옥시티오펜:폴리스티렌설포네이트(PEDOT:PSS) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
반사형 전극 물질로는 Ag/ITO, Ag/IZO, 알루미늄-리튬(Al-Li), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag), 알루미늄/은(Al/Ag), 리튬 플로라이드/알루미늄(LiF/Al), 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag), 이터븀 (Yb), 플래티넘(Pt), 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu), 바륨(Ba), 은(Ag), 은나노와이어(AgNWs), 인듐(In), 루테늄(Ru), 납(Pd), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 칼슘(Ca) 및 세슘(Cs) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
바람직하게, 제1 전극(221)은 고 반사성 전극으로서, 알루미늄/은(Al/Ag)의 다층 구조로 형성될 수 있다.
제1 전극(221) 상에 형성되는 정공 주입층(222)은 제1 전극(221)으로부터 주입된 정공을 발광층(224)으로 주입하는 역할을 할 수 있다.
정공 주입층(222)으로는 공지의 정공 주입층용 물질이 사용될 수 있고, 예를 들면, 정공 주입층(222)은 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate), NPB(N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'diamine), TPD(N,N'-bis(3-methlyphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'- biphenyl]-4,4'-diamine), TAPC(1,1- Bis[4-[N,N'-di(p-tolyl)amino]phenyl]cyclohexane), HMTPD((3-tolyl)amino]3,3'-dimethylbiphenyl), TCTA(Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine), P3HT(Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)), 2TNATA(4,4',4′''-tris(N-(2-naphthyl)-N-phenyl-amino)-triphenylamine), m-MTDATA (4,4',4''-Tris[phenyl(m-tolyl)amino]triphenylamine), DNTPD(N,N' -bis-[4-(di-m-tolylamino)phenyl]-N,N'-diphenylbiphenyl-4,4' -diamine), NPD(N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(α-NPD)), DPPD(N,N' -diphenyl-p-phenylenediamine), 4BTPD (2,2'-bis(4-ditolylaminophenyl)-1,1'-biphenyl), 3BTPD (2,2' -bis(3-ditolylaminophenyl)-1,1'-biphenyl) 및 DTASi (bis[4-(p,p'-ditolylamino)-phenyl]diphenylsilane)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 정공 주입층(222)은 스핀 코팅법을 이용하여 형성될 수 있으며, 코팅 조건은 정공 주입층(222)의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공 주입층(120)의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2,000rpm 내지 5,000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 적절히 선택될 수 있다.
즉, 정공 주입층(222)은 용액 공정으로 형성됨으로써, 대면적 공정이 가능하고, 공정 시간을 단축시킬 수 있으며, 제1 전극(221) 및 제2 전극(227)의 반도체 특성에 대한 제한을 감소시킬 수 있다.
정공 수송층(223)은 제1 전극으로부터 주입되는 정공을 발광층(224)으로 이동시키는 역할을 하며, VB-FNPD(9,9-Bis[4-[(4-ethenylphenyl)methoxy]phenyl]-N2, N7-di-1-naphthalenyl-N2,N7-diphenyl-9H-Fluorene-2,7-diamine), VNPB(N4,N4'-Di(naphthalen-1-yl)-N4,N4'-bis(4-vinylphenyl)biphenyl-4,4'-diamine), TFB(Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl) diphenylamine)]), PTAA(Poly[bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine]), Poly-TPD(Poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine]), Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-diphenyl)-N,N'-di(p-butylphenyl)-1,4-diamino-benzene)] end capped with dimethylphenyl, Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-co-(N,N' -bis{4-butylphenyl}-benzidine-N,N'-{1,4-diphenylene})], Poly[(9,9-dihexylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-(N,N'bis{p-butylphenyl}-1,4-diaminophenylene)], Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-(N,N'-bis{p-butylphenyl}-1,1'-biphenylene-4,4'-diamine)] 및 Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(pbutylphenyl)) diphenylamine)] 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 정공 수송층(223)은 N0-bis(naphthalen-1-yl)-N, N0-bis(phenyl)benzidine (NPB)을 포함할 수 있다.
발광층(224)은 제1 전극(221)으로부터 주입되어 정공 수송층(223)을 경유한 정공과 제2 전극(227)으로부터 주입되어 전자 수송층(225)을 경유한 전자가 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 변하면서 발광하는 층으로서, 단층 또는 복층으로 구성될 수 있다.
예를 들면, 발광층(224)은 호스트(host)에 발광 도펀트(dopant)를 더 부가하여 제조될 수 있으며, 형광 발광형 호스트의 재료로는 트리스(8-히드록시-퀴놀리나토)알루미늄 (Alq3), 9,10-디(나프티-2-일)안트라센 (AND), 3-Tert-부틸-9,10-디(나프티-2-일)안트라센 (TBADN), 4,4'-비스(2,2-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디메틸페닐 (DPVBi), 4,4'-비스Bis(2,2-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디메틸페닐 (p-DMDPVBi), Tert(9,9-디아릴플루오렌)s (TDAF), 2-(9,9'-스피로비플루오렌-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌 (BSDF), 2,7-비스(9,9'-스피로비플루오렌-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌(TSDF), 비스(9,9-디아릴플루오렌)s (BDAF) 및 4,4'-비스(2,2-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디-(tert-부틸)페닐 (p-TDPVBi) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 인광형 호스트의 재료로는 1,3-비스(카바졸-9-일)벤젠 (mCP), 1,3,5-트리스(카바졸-9-일)벤젠 (tCP), 4,4',4"-리스(카바졸-9-일)트리페닐아민 (TCTA), 4,4'-비스(카바졸-9-일)비페닐 (CBP), 4,4'-비스Bis(9-카바졸일)-2,2'-디메틸-비페닐 (CBDP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9-디메틸-플루오렌 (DMFL-CBP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9-비스bis(9-페닐-9H-카바졸)플루오렌 (FL-4CBP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9-디-톨일-플루오렌 (DPFL-CBP) 및 9,9-비스(9-페닐-9H-카바졸)플루오렌 (FL-2CBP) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 발광층(224)은 호스트 재료로서 beryllium bisbenzo[h]quinolin-10-olate (Bebq2) 및 도펀트 재로로서 bis[2,4-dimethyl-6-(4-methyl-2-quinolinyl-κN)phenyl-κC] (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato-κO3 (Ir(mphmq)2tmd)를 포함할 수 있다.
전자 수송층(225)은 제2 전극(160)으로부터 주입된 전자를 발광층(224)으로 이동시키는 역할을 할 수 있으며, 예를 들면, 전자 수송층(225)은 TPBi(2,2',2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)), Alq3(Tris(8-hydroxyquinoline) Aluminum), PCBM(Phenyl-C61-butyric acid methyl ester), TAZ(3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-(4-tertbutylphenyl)-1,2,4-triazole), BPhen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), BAlq(Bis(8-hydroxy-2-methylquinoline)-(4-phenylphenoxy)aluminum), TSPO1 (diphenylphosphine oxide-4-(triphenylsilyl)phenyl), B4PyMPM [bis-4,6-(3,5-di-4-pyridylphenyl)-2-methylpyrimidine], TmPyPB (Two pyridine-containing triphenylbenzene derivatives of 1,3,5-tri(m-pyrid- 3-yl-phenyl)benzene), 3TPYMB (tris-[3-(3-pyridyl)mesityl] borane), TpPyPB (1,3,5-tri( p -pyrid-3-yl-phenyl)benzene), TPPB (1,3,5-tris[3,5-bis(3-pyridinyl)phenyl]benzene) 및 BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 전자 수송층(225)은 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen)을 포함할 수 있다.
한편, 정공 수송층(223)은 발광층(224)과의 인접면에 형성되는 전자 누설 제어층을 더 포함하고, 전자 수송층(225)은 발광층(224)과의 인접면에 형성되는 정공 누설 제어층을 더 포함할 수 있으며, 여기서 전자 누설 제어층과 정공 누설 제어층은 HOMO 상태밀도(HOMO-Density of States) 및 LUMO 상태밀도(LUMO- Density of States)와 같은 소정 물성이 특정 범위로 제어되어 고효율, 저전압 및 장수명 특성을 갖는 유기 발광 구조체를 구현할 수 있다.
구체적으로, 일실시예에 따른 유기 발광 구조체는 전자 누설 제어층과 정공 누설 제어층의 HOMO-LUMO 상태밀도와 발광층(224)에 함유된 호스트(host) 재료의 HOMO-LUMO 상태밀도 간의 겹침 여부(예, 중첩율)가 소정범위로 조절될 수 있다.
예를 들면, LUMO 상태밀도를 기준으로, 호스트의 LUMO 상태밀도와 정공 누설 제어층의 LUMO 상태밀도는 서로 중첩되고, 호스트의 LUMO 상태밀도와 전자-누설 제어층의 LUMO 상태밀도는 비중첩 되도록 조절될 수 있다.
즉, 전자는 LUMO 에너지 준위를 따라 이동하게 되고, LUMO 상태밀도 관점에서 정공 누설 제어층과 호스트 간의 LUMO 상태밀도가 서로 중첩될 경우, 정공 누설 제어층으로부터 호스트로의 상태밀도(LUMO 상태밀도) 겹침을 통해 신속한 전자전달 효과를 나타내어 유기 전계 발광 소자의 효율 증대를 도모할수 있다. 또한 전자 누설 제어층과 호스트 간의 LUMO 상태밀도 겹침(중첩)이 없을 경우, 발광층(224)으로 이동한 전자가 전자 누설 제어층으로 확산되거나 이동하는 현상을 억제시켜 전자 블로킹(blocking) 효과를 나타낼 수 있으며, 이에 따라 전자가 발광층(224)을 넘어 정공 수송층(30)으로 이동할 경우 나타나는, 산화에 의한 비가역적 분해 반응과 이로 인한 유기 발광 소자의 수명저하를 막아 장수명 특성을 발휘할 수 있다.
예를 들면, 전자 누설 제어층은 아릴렌기, 헤테로아릴렌기, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 니트로기 및 아미노기로 구성된 군 중 적어도 하나를 포함하고, 정공 누설 제어층은 모이어티(일례로, EDG기, EWG기)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 주입층(226)은 제2 전극(227)으로부터 주입된 전자를 발광층(224)으로 주입시키는 역할을 할 수 있다.
예를 들면, 전자 주입층(226)은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물, 희토류 금속 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체 또는 이들 중 임의의 조합 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 바람직하게는, 전자 주입층(226)은 lithium quinolate(Liq)를 포함할 수 있다.
제2 전극(227)은 전원 전압에 공통 연결되어 전자 수송층으로 전자를 주입시키는 역할을 할 수 있다.
예를 들면, 제2 전극(227)은 금속 물질, 이온화된 금속 물질, 합금 물질, 소정의 액체 속에서 콜로이드(colloid) 상태인 금속 잉크 물질 및 투명 금속 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
금속 물질의 구체적인 예로서는 리튬플로라이드/알루미늄(LiF/Al), 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag), 이터븀 (Yb), 플래티넘(Pt), 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu), 바륨(Ba), 은(Ag), 은나노와이어 (AgNWs), 인듐(In), 루테늄(Ru), 납(Pd), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 칼슘 (Ca) 및 세슘(Cs) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 금속 물질로 탄소(C), 전도성 고분자 또는 이들의 조합이 사용될 수도 있다.
탄소(C) 물질로는 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 전도성 고분자 물질로는 폴리에틸렌디옥시티오펜:폴리스티렌설포네이트(PEDOT:PSS)를 포함할 수 있다.
또한, 투명 금속 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluorine-doped Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide) 및 AZO(Aluminum doped Zinc Oxide) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 제2 전극(227)은 마그네슘-은(Mg-Ag)으로 형성될 수 있다.
캡핑층(228)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium), NPB 및 삼산화몰리브덴(MoO3) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 캡핑층(228)은 삼산화몰리브덴(MoO3) 기반의 무기 캡핑층으로 형성될 수 있다.
일측에 따르면, 유기 발광 구조체(221 내지 228)는 전하 생성층을 더 포함할 수 있으며, 바람직하게는, 전하 생성층은 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene hexacarbonitrile(HAT-CN)를 포함할 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 소자 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 참조부호 310은 기존 유기 발광 소자(Reference)와 일실시예에 따른 유기 발광 소자(Device A, B, C)의 전압 - 전류 밀도(voltage - current density) 특성을 도시하고, 참조부호 320은 기존 유기 발광 소자(Reference)와 일실시예에 따른 유기 발광 소자(Device A, B, C)의 휘도 - 전류 밀도(luminance - current density) 특성을 도시하며, 참조부호 330은 기존 유기 발광 소자(Reference)와 일실시예에 따른 유기 발광 소자(Device A, B, C)의 휘도 - 외부 양자 효율(luminance - EQE) 특성을 도시한다.
구체적으로, 기존 유기 발광 소자(Reference)는 일반적인 증착 방식으로 제작된 전면 공진 소자를 의미하고, 일실시예에 따른 유기 발광 소자(Device A, B, C)는 무기물층의 두께를 서로 다르게 하여 서로 다른 형상의 나노-섬 구조체가 형성된 일실시예에 따른 유기 발광 소자를 의미한다.
여기서, Device A는 25nm 내지 75nm 두께로 형성된 무기물층을 통해 나노-섬 구조체가 형성된 유기 발광 소자를 의미하고, Device B는 75nm 내지 125nm 두께로 형성된 무기물층을 통해 나노-섬 구조체가 형성된 유기 발광 소자를 의미하며, Device C는 125nm 내지 175nm 두께로 형성된 무기물층을 통해 나노-섬 구조체가 형성된 유기 발광 소자를 의미한다.
참조부호 310 내지 330에 따르면, 기존 유기 발광 소자(Reference)와 일실시예에 따른 유기 발광 소자(Device A, B, C)의 소자 특성은 하기 표1과 같이 정리될 수 있다.
| Item | Reference | Device A | Device B | Device C | |
| 구동 전압(Oprating voltage)(V) | 1000 cd/m2 | 4.4 | 4.6 | 4.7 | 5.3 |
| 전류 효율(Current efficiency)(cd/A) | Max | 58.6(1.00) | 26.0(0.44) | 18.2(0.31) | 17.0(0.29) |
| 1000 cd/m2 | 55.9(1.00) | 25.9(0.46) | 18.2(0.32) | 16.5(0.30) | |
| 전력 효율(Power efficiency)(lm/W) | Max | 47.5(1.00) | 20.0(0.42) | 14.7(0.31) | 14.4(0.30) |
| 1000 cd/m2 | 29.3(1.00) | 16.7(0.57) | 11.1(0.38) | 9.0(0.31) | |
| 외부 양자 효율(EQE)(%) | Max | 19.2(1.00) | 13.0(0.68) | 9.6(0.50) | 9.0(0.47) |
| 1000 cd/m2 | 18.2(1.00) | 13.0(0.72) | 9.6(0.53) | 8.6(0.47) | |
도 4a 내지 도 4g는 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 광학 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 내지 도 4g를 참조하면, 참조부호 410은 기존 유기 발광 소자(Reference)와 일실시예에 따른 유기 발광 소자(Device A, B, C)의 파장 - 강도 특성(wavelength - intensity)(즉, 각 EL(angular EL) 스펙트럼 변화) 특성을 도시하고, 참조부호 420은 기존 유기 발광 소자(Reference)와 일실시예에 따른 유기 발광 소자(Device A, B, C)의 시야각 - 컬러 시프트(viewing angle - color shift) 특성을 도시하며, 참조부호 430은 기존 유기 발광 소자(Reference)와 일실시예에 따른 유기 발광 소자(Device A, B, C)의 각도 루미네선스 분포(angular luminance distribution) 특성을 도시한다.
또한, 참조부호 440 내지 470 각각은 기존 유기 발광 소자(Reference)와 일실시예에 따른 유기 발광 소자(Device A, B, C)의 0° 내지 60° 범위의 각도에 따른 파장 - 강도 특성(wavelength - intensity)을 도시한다.
참조부호 410 내지 470에 따르면, 기존 유기 발광 소자(Reference)와 일실시예에 따른 유기 발광 소자(Device A, B, C)의 광학 특성은 하기 표2와 같이 정리될 수 있다.
| Item | Reference | Device A | Device B | Device C | |
| (x, y)a | 1000 cd/m2 | (0.642, 0.358) | (0.639, 0.360) | (0.637, 0.362) | (0.633, 0.366) |
| 반치폭(FWHM)(nm) | 1000 cd/m2 | 34.3 | 39.6 | 42.5 | 44.4 |
| 피크 파장(Peak wavelength)(nm) | 1000 cd/m2 | 606 | 605 | 605 | 604 |
| 컬러 시프트(Color shiftb,c) | 1000 cd/m2 | 0.059 | 0.018 | 0.013 | 0.005 |
| a: CIE 1931 color coordinates b: measured from 0°to 60° c: CIE 1976 chromaticity |
|||||
즉, 일실시예에 따른 유기 발광 소자(Device A, B, C)는 나노-섬 구조체를 적용함으로써, 소자 내 난반사로 인하여 전방위로 빛이 반사되어 시야각에 따른 색 변이 및 광분포를 개선할 수 있음을 확인할 수 있다.
또한, 일실시예에 따른 유기 발광 소자(Device A, B, C)는 나노-섬 구조체를 적용함으로써, 기존 유기 발광 소자(Reference) 대비 반치폭(FWHM)이 증가하는 것을 확인할 수 있으며, 이는 나노 구조 적용에 따라 미소 공진 효과가 감소한 결과로 나타났다.
한편, 일실시예에 따른 유기 발광 소자는 배면 공진 소자로 구현된 경우에도, 참조부호 410 내지 470의 전면 공진 소자 대비 효율 감소가 거의 없는 것으로 나타났다. 즉, 일실시예에 따른 유기 발광 소자는 전면 발광 소자 및 배면 발광 소자 모두에서 효율적으로 시야각을 개선할 수 있다.
도 5a 내지 도 5d는 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 무기물층 두께 변화에 따른 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 내지 도 5d를 참조하면, 참조부호 510은 50nm 두께로 형성된 무기물층을 통해 형성된 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 나노-섬 구조체를 도시하고, 참조부호 520은 100nm 두께로 형성된 무기물층을 통해 형성된 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 나노-섬 구조체를 도시한다.
또한, 참조부호 530은 150nm 두께로 형성된 무기물층을 통해 형성된 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 나노-섬 구조체를 도시하고, 참조부호 540은 200nm 두께로 형성된 무기물층을 통해 형성된 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 나노-섬 구조체를 도시한다.
한편, 참조부호 510 내지 540에 도시된 나노-섬 구조체는 5℃ 내지 40℃의 온도 및 30% 내지 100%의 습도 조건의 환경에 서로 다른 두께로 형성된 무기물층이 20분(min)간 노출되어 형성될 수 있다.
참조부호 510 내지 540에 따르면, 일실시예에 따른 유기 발광 소자는 무기물층의 두께에 따라, 구형, 타원형 및 부정형과 같이 다양한 형상과, 크기를 갖는 나노-섬 구조체가 형성되는 것을 확인할 수 있다.
도 6은 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
다시 말해, 도 6은 도 1 내지 도 5d를 통해 설명한 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조예를 설명하기 위한 도면으로, 이하에서 도 6을 통해 설명하는 내용 중 도 1 내지 도 5d를 통해 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 610 단계에서 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은 기판 상에 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures)를 형성할 수 있다.
구체적으로, 610 단계에서 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은 기판 상에 형성된 무기물층이 기설정된 온도 및 습도 조건의 환경에 노출되어 나노-섬 구조체가 형성될 수 있다.
일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법은 이후 실시예 도 7a 내지 7b를 통해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
다음으로, 620 단계에서 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은 나노-섬 구조체가 형성된 기판 상에 유기 발광 구조체를 형성할 수 있다.
일측에 따르면, 620 단계에서 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은 제1 전극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 제2 전극 및 캡핑층을 순차적으로 적층하여 유기 발광 구조체를 형성할 수 있다.
도 7a 내지 도 7b는 일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
다시 말해, 이하에서 도 7a 내지 도 7b를 통해 설명하는 내용은 도 6의 610 단계에서 수행될 수 있다.
도 7a 내지 도 7b를 참조하면, 710 단계에서 일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법은 기판(711) 상에 무기물층(712)을 형성할 수 있다.
예를 들면, 무기물층(712)은 염화 세슘(CsCl), 플루오린화 세슘(CsF), 아이오딘화 세슘(CsI), 브롬화 세슘(CsBr), 염화 칼슘(CaCl2) 및 염화 란탄(LaCl3) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는 무기물층(712)은 염화 세슘층일 수 있다.
일측에 따르면, 무기물층(712)은 기판(711)에 형성된 무기물층(712)의 두께에 따라 이하에서 설명하는 나노-섬 구조체의 피치(pitch) 및 깊이(depth)가 조절될 수 있다.
예를 들면, 710 단계에서 일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법은 25nm 내지 200nm의 두께로 기판(711) 상에 무기물층(712)을 형성할 수 있다.
다음으로, 720 단계에서 일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법은 무기물층(712)이 형성된 기판(711)을 기설정된 온도 및 습도 조건의 환경에 노출하여 나노-섬 구조체(NI)를 형성할 수 있다.
다시 말해, 720 단계에서 일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법은 소정의 두께로 형성된 무기물층(712)이 기설정된 온도 및 습도 조건의 환경에 노출되어, 나노-섬 구조체(NI)가 형성될 수 있다.
예를 들면, 720 단계에서 일실시예에 따른 나노-섬 구조체의 제조방법은 형성된 무기물층(720)이 5℃ 내지 40℃의 온도 및 30% 내지 100%의 습도 조건의 환경에 노출되어 나노-섬 구조체(NI)가 형성될 수 있다.
결국, 본 발명을 이용하면, 나노-섬 구조체를 유기 발광 소자의 전방위 산란체로 활용하여 시야각 특성을 개선할 수 있다.
또한, 본 발명을 이용하면, 나노-섬 구조체로 인해 유기 발광 소자 내에서 전방위로 빛이 반사되어 색 변이 및 광분포 특성을 개선할 수 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들면, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 장치, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
100: 유기 발광 소자 110: 기판
111: 무기물층 120: 유기 발광 구조체
NI: 나노-섬 구조체
111: 무기물층 120: 유기 발광 구조체
NI: 나노-섬 구조체
Claims (10)
- 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures)가 형성된 기판 및
상기 기판 상에 형성된 유기 발광 구조체
를 포함하고,
상기 기판은,
염화 세슘(CsCl), 플루오린화 세슘(CsF), 아이오딘화 세슘(CsI), 브롬화 세슘(CsBr), 염화 칼슘(CaCl2) 및 염화 란탄(LaCl3) 중 적어도 하나를 포함하는 무기물층이 형성되고, 상기 형성된 무기물층이 5℃내지 40℃의 온도 및 30% 내지 100%의 습도 조건의 환경에 노출되어 상기 나노-섬 구조체가 형성되는
유기 발광 소자. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 나노-섬 구조체는,
상기 형성된 무기물층의 두께에 따라 피치(pitch) 및 깊이(depth)가 조절되는
유기 발광 소자. - 제3항에 있어서,
상기 무기물층은,
25nm 내지 200nm의 두께로 상기 기판 상에 형성되는
유기 발광 소자. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 유기 발광 구조체는,
제1 전극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 제2 전극 및 캡핑층이 적층되어 형성되는
유기 발광 소자. - 기판 상에 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures)를 형성하는 단계 및
상기 나노-섬 구조체가 형성된 기판 상에 유기 발광 구조체를 형성하는 단계
를 포함하고,
상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는,
상기 기판 상에 염화 세슘(CsCl), 플루오린화 세슘(CsF), 아이오딘화 세슘(CsI), 브롬화 세슘(CsBr), 염화 칼슘(CaCl2) 및 염화 란탄(LaCl3) 중 적어도 하나를 포함하는 무기물층을 형성하고, 상기 형성된 무기물층을 5℃내지 40℃의 온도 및 30% 내지 100%의 습도 조건의 환경에 노출하여 상기 나노-섬 구조체를 형성하는
유기 발광 소자의 제조방법. - 삭제
- 제7항에 있어서,
상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는,
25nm 내지 200nm의 두께로 상기 기판 상에 상기 무기물층을 형성하는
유기 발광 소자의 제조방법. - 삭제
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2021
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