KR102523240B1 - Light emitting device package - Google Patents

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Abstract

실시 예는, 발광소자; 상기 발광소자의 상면을 커버하고 제1파장변환입자를 포함하는 제1파장변환층; 및 상기 발광소자의 측면을 커버하고 제2파장변환입자를 포함하는 제2파장변환층을 포함하고, 상기 제1파장변환층의 굴절률은 상기 제2파장변환층의 굴절률보다 낮은 발광소자 패키지를 개시한다.An embodiment is a light emitting device; a first wavelength conversion layer covering an upper surface of the light emitting device and including first wavelength conversion particles; and a second wavelength conversion layer covering a side surface of the light emitting device and including second wavelength conversion particles, wherein the first wavelength conversion layer has a refractive index lower than that of the second wavelength conversion layer. do.

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}Light emitting device package {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}

실시 예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package.

발광소자(Light Emitting Device, LED)는 전기에너지를 빛 에너지로 변환하는 화합물 반도체 소자로서, 화합물반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.A light emitting device (LED) is a compound semiconductor device that converts electrical energy into light energy, and various colors can be realized by adjusting the composition ratio of the compound semiconductor.

질화물반도체 발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 갖고 있다. 따라서, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Nitride semiconductor light emitting devices have advantages of low power consumption, semi-permanent lifespan, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to existing light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Therefore, a light emitting diode backlight that replaces a Cold Cathode Fluorescence Lamp (CCFL) constituting the backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting diode lighting device that can replace a fluorescent lamp or an incandescent bulb, and an automobile headlight and traffic lights.

CSP(Chip Scale Package) 타입의 발광소자 패키지는 발광소자에 직접 형광체층을 형성하여 제작할 수 있다. 형광체층은 일반적으로 페닐계 실리콘을 사용한다. 그러나, 페닐계 실리콘은 상대적으로 경도가 높아 크랙(crack)이 발생하는 문제가 있다.A chip scale package (CSP) type light emitting device package may be manufactured by directly forming a phosphor layer on a light emitting device. The phosphor layer generally uses phenyl-based silicon. However, phenyl-based silicone has a problem in that cracks occur due to its relatively high hardness.

실시 예는 크랙을 방지하여 신뢰성을 개선할 수 있는 발광소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of improving reliability by preventing cracks.

본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 발광소자; 상기 발광소자의 상면을 커버하고 제1파장변환입자를 포함하는 제1파장변환층; 및 상기 발광소자의 측면을 커버하고 제2파장변환입자를 포함하는 제2파장변환층을 포함하고, 상기 제1파장변환층의 굴절률은 상기 제2파장변환층의 굴절률보다 낮다.A light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes a light emitting device; a first wavelength conversion layer covering an upper surface of the light emitting device and including first wavelength conversion particles; and a second wavelength conversion layer covering a side surface of the light emitting device and including second wavelength conversion particles, wherein a refractive index of the first wavelength conversion layer is lower than a refractive index of the second wavelength conversion layer.

상기 제1파장변환층의 경도는 상기 제2파장변환층의 경도보다 낮을 수 있다.A hardness of the first wavelength conversion layer may be lower than a hardness of the second wavelength conversion layer.

상기 제1파장변환층과 제2파장변환층 사이에 형성되는 요철부를 포함할 수 있다.An uneven portion formed between the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer may be included.

상기 제1파장변환입자의 함량은 상기 제2파장변환입자의 함량보다 많을 수 있다.The content of the first wavelength converting particles may be greater than the content of the second wavelength converting particles.

상기 제1파장변환층은 메틸계 실리콘을 포함할 수 있다.The first wavelength conversion layer may include methyl-based silicon.

상기 발광소자는 플립칩일 수 있다.The light emitting device may be a flip chip.

상기 발광소자는, 제1반도체층, 활성층, 및 제2반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 일 측에서 상기 제2반도체층 및 활성층을 관통하여 제1반도체층과 전기적으로 연결되는 제1전극 패드; 및 상기 발광 구조물의 일 측에서 제2반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극 패드를 포함할 수 있다.The light emitting device may include a light emitting structure including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer; a first electrode pad electrically connected to the first semiconductor layer through the second semiconductor layer and the active layer at one side of the light emitting structure; and a second electrode pad electrically connected to the second semiconductor layer at one side of the light emitting structure.

실시 예에 따르면, 형광체층의 크랙을 방지하여 신뢰성을 개선할 수 있다.According to the embodiment, it is possible to improve reliability by preventing cracks in the phosphor layer.

또한, 발광소자 패키지의 상부면과 측면에서 방출되는 광의 색온도 편차를 개선할 수 있으며, 발광소자 패키지의 광속을 향상시킬 수 있다.In addition, a color temperature deviation of light emitted from the top and side surfaces of the light emitting device package may be improved, and the luminous flux of the light emitting device package may be improved.

본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.Various advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above description, and will be more easily understood in the process of describing specific embodiments of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 개념도이고,
도 2는 도 1의 제1변형예이고,
도 3은 도 1의 제2변형예이고,
도 4는 도 1의 발광소자 패키지의 색온도를 측정한 그래프이고,
도 5는 종래 발광소자 패키지의 개념도이고,
도 6은 종래 발광소자 패키지의 색온도차를 측정한 그래프이고,
도 7은 도 1의 발광소자의 개념도이고,
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
1 is a conceptual diagram of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention;
Figure 2 is a first modified example of Figure 1,
Figure 3 is a second modified example of Figure 1,
Figure 4 is a graph measuring the color temperature of the light emitting device package of Figure 1,
5 is a conceptual diagram of a conventional light emitting device package;
6 is a graph measuring the color temperature difference of a conventional light emitting device package,
7 is a conceptual diagram of the light emitting device of FIG. 1;
8A to 8C are flowcharts for explaining a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예를 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명 실시 예를 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시 예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can make various changes and have various embodiments, specific embodiments will be illustrated and described in the drawings. However, this is not intended to limit the embodiments of the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all changes, equivalents, or substitutes included in the spirit and technical scope of the embodiments.

제 1, 제 2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 실시 예의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 2 구성 요소는 제 1 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 1 구성 요소도 제 2 구성 요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.Terms including ordinal numbers, such as first and second, may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. These terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a second element may be named a first element without departing from the scope of rights of an embodiment, and similarly, the first element may also be named a second element. The terms and/or include any combination of a plurality of related recited items or any of a plurality of related recited items.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명 실시 예를 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in this application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the embodiments of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "include" or "have" are intended to designate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features It should be understood that the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.

실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment, in the case where an element is described as being formed “on or under” of another element, on or under (on or under) or under) includes both elements formed by directly contacting each other or by indirectly placing one or more other elements between the two elements. In addition, when expressed as "on or under", it may include the meaning of not only the upward direction but also the downward direction based on one element.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or corresponding components regardless of reference numerals are given the same reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 개념도이고, 도 2는 도 1의 제1변형예이고, 도 3은 도 1의 제2변형예이고, 도 4는 도 1의 발광소자 패키지의 색온도를 측정한 그래프이다.1 is a conceptual diagram of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a first modified example of FIG. 1 , FIG. 3 is a second modified example of FIG. 1 , and FIG. 4 is a light emitting device of FIG. 1 This is a graph measuring the color temperature of the package.

도 1을 참고하면, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(10)는 발광소자(100), 발광소자(100)의 상면을 커버하고 제1파장변환입자(P1)를 포함하는 제1파장변환층(210), 및 발광소자(100)의 측면을 커버하고 제2 파장변환입자(P2)를 포함하는 제2파장변환층(220)을 포함한다. 발광소자 패키지(10)는 칩 스케일 패키지(CSP, Chip Scale Package)일 수 있다.Referring to FIG. 1 , the light emitting device package 10 according to the embodiment covers the light emitting device 100 and the upper surface of the light emitting device 100 and includes a first wavelength converting particle P1. 210), and a second wavelength conversion layer 220 covering the side of the light emitting device 100 and including the second wavelength conversion particles P2. The light emitting device package 10 may be a chip scale package (CSP, Chip Scale Package).

발광소자(100)의 상면에서 출사된 제1광(L1)은 제1파장변환층(210)에 의해 백색광으로 변환되고, 발광소자(100)의 측면에서 출사된 제2광(L2)은 제2파장변환층(220)에 의해 백색광으로 변환될 수 있다.The first light L1 emitted from the upper surface of the light emitting element 100 is converted into white light by the first wavelength conversion layer 210, and the second light L2 emitted from the side surface of the light emitting element 100 is converted into white light by the first wavelength conversion layer 210. It can be converted into white light by the second wavelength conversion layer 220 .

발광소자(100)는 자외선 파장대의 광 또는 청색 파장대의 광을 방출할 수 있다. 발광소자(100)는 일 측에 n형 전극과 p형 전극이 배치된 플립칩 구조일 수 있다. 발광소자(100)의 구조에 대해서는 후술한다.The light emitting device 100 may emit light of an ultraviolet wavelength band or light of a blue wavelength band. The light emitting device 100 may have a flip chip structure in which an n-type electrode and a p-type electrode are disposed on one side. The structure of the light emitting device 100 will be described later.

제1파장변환층(210)과 제2파장변환층(220)은 발광소자(100)의 상면과 측면을 각각 커버할 수 있다. 상면은 발광소자(100)의 주발광면일 수 있고 측면은 발광소자(100)의 두께 방향면일 수 있다. The first wavelength conversion layer 210 and the second wavelength conversion layer 220 may respectively cover the upper and side surfaces of the light emitting device 100 . The upper surface may be a main light emitting surface of the light emitting device 100 and the side surface may be a thickness direction surface of the light emitting device 100 .

제1파장변환층(210)과 제2파장변환층(220)은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 광 투과성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 및 아크릴 수지 중 어느 하나 이상일 수 있다. 일 예로, 고분자 수지는 실리콘 수지일 수 있다.The first wavelength conversion layer 210 and the second wavelength conversion layer 220 may include a polymer resin. The polymer resin may be any one or more of a light-transmitting epoxy resin, a silicone resin, a polyimide resin, a urea resin, and an acrylic resin. For example, the polymer resin may be a silicone resin.

제1파장변환층(210)에 분산된 제1파장변환입자(P1)와 제2파장변환층(220)에 분산된 제2파장변환입자(P2)는 발광소자(100)에서 방출된 광을 흡수하여 백색광으로 변환할 수 있다. The first wavelength converting particles P1 dispersed in the first wavelength converting layer 210 and the second wavelength converting particles P2 dispersed in the second wavelength converting layer 220 convert the light emitted from the light emitting device 100 into It can be absorbed and converted to white light.

제1파장변환층(210)의 굴절률은 제2파장변환층(220)의 굴절률보다 낮을 수 있다. 일 예로, 제1파장변환층(210)의 굴절률은 1.41 내지 1.43일 수 있고, 제2파장변환층(220)의 굴절률은 1.51 내지 1.54일 수 있다.The refractive index of the first wavelength conversion layer 210 may be lower than the refractive index of the second wavelength conversion layer 220 . For example, the refractive index of the first wavelength conversion layer 210 may be 1.41 to 1.43, and the refractive index of the second wavelength conversion layer 220 may be 1.51 to 1.54.

제1파장변환층(210)의 경도는 제2파장변환층(220)의 경도보다 낮을 수 있다. 일 예로, 제1파장변환층(210)은 경도가 ShoreA10 내지 A70일 수 있고, 제2파장변환층(220)은 경도가 ShoreD30 내지 D70일 수 있다. ShoreD 경도는 ASTM D2240 방법으로 측정할 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The hardness of the first wavelength conversion layer 210 may be lower than that of the second wavelength conversion layer 220 . For example, the first wavelength conversion layer 210 may have a hardness of ShoreA10 to A70, and the second wavelength conversion layer 220 may have a hardness of ShoreD30 to D70. ShoreD hardness can be measured by the ASTM D2240 method, but is not limited thereto.

제1파장변환층(210)의 열팽창계수(CTE)는 제2파장변환층(220)의 열팽창계수보다 높을 수 있다. 일 예로, 제1파장변환층(210)의 열팽창계수는 300 내지 400일 수 있고, 제2파장변환층(220)의 열팽창계수는 110 내지 210일 수 있다.A coefficient of thermal expansion (CTE) of the first wavelength conversion layer 210 may be higher than that of the second wavelength conversion layer 220 . For example, the thermal expansion coefficient of the first wavelength conversion layer 210 may be 300 to 400, and the thermal expansion coefficient of the second wavelength conversion layer 220 may be 110 to 210.

제1파장변환층(210)은 메틸계 실리콘이고, 제2파장변환층(220)은 페닐계 실리콘일 수 있다. 메틸계 실리콘은 실리콘 화합물이 알킬기 또는 메틸기를 갖는 것으로 정의할 수 있고, 페닐계 실리콘은 실리콘 화합물이 아릴기 또는 페닐기를 갖는 것으로 정의할 수 있다. The first wavelength conversion layer 210 may be methyl-based silicon, and the second wavelength conversion layer 220 may be phenyl-based silicon. Methyl-based silicone may be defined as a silicone compound having an alkyl group or a methyl group, and phenyl-based silicone may be defined as a silicone compound having an aryl group or a phenyl group.

알킬기(메틸기)는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기 또는 탄소수 3 내지 20, 탄소수 3 내지 16 또는 탄소수 4 내지 12의 시클로알킬기를 의미할 수 있다. 상기 알킬기는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환될 수 있다. An alkyl group (methyl group), unless otherwise specified, is a linear or branched chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms, or 3 to 20 carbon atoms and 1 to 4 carbon atoms. It may mean a cycloalkyl group having 3 to 16 or 4 to 12 carbon atoms. The alkyl group may be optionally substituted by one or more substituents.

또한, 아릴기(페닐기)는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 벤젠을 포함하거나 또는 2개 이상의 벤젠이 축합되거나 결합되어 있는 구조를 포함하는 화합물 또는 그 유도체로부터 유래하는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 아릴기는, 예를 들면, 탄소수 6 내지 22, 바람직하게는 탄소수 6 내지 16, 보다 바람직하게는 탄소수 6 내지 13의 아릴기일 수 있으며, 페닐기, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 벤질기, 톨릴기, 크실릴기(xylyl group) 또는 나프틸기 등일 수 있다.In addition, an aryl group (phenyl group) may mean a monovalent residue derived from a compound containing benzene or a structure in which two or more benzenes are condensed or bonded, or a derivative thereof, unless otherwise specified. . The aryl group may be, for example, an aryl group having 6 to 22 carbon atoms, preferably 6 to 16 carbon atoms, and more preferably 6 to 13 carbon atoms, and may include a phenyl group, a phenylethyl group, a phenylpropyl group, a benzyl group, a tolyl group, a large It may be a silyl group (xylyl group) or a naphthyl group.

메틸계 실리콘은 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane)일 수 있고, 페닐계 실리콘은 폴리메틸페닐실록산(polymethylphenylsiloxane)일 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 메틸계 실리콘은 알킬기 또는 메틸기를 포함하면서 전술한 조건(굴절률, 경도, 열팽창계수) 중 적어도 하나를 만족하는 실리콘을 모두 포함하는 개념일 수 있다. 또한, 페닐계 실리콘은 아릴기 또는 페닐기를 포함하면서 전술한 조건 중 적어도 하나를 만족하는 실리콘을 모두 포함할 수 있는 것이다.The methyl-based silicone may be polydimethylsiloxane, and the phenyl-based silicone may be polymethylphenylsiloxane. However, it is not necessarily limited thereto, and the methyl-based silicone may be a concept including all silicones including an alkyl group or a methyl group and satisfying at least one of the above conditions (refractive index, hardness, thermal expansion coefficient). In addition, the phenyl-based silicone may include all silicones including an aryl group or a phenyl group and satisfying at least one of the above conditions.

제1 파장변환입자(P1)와 제2 파장변환입자(P2)는 형광체, QD(Quantum Dot) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 이하에서는 파장변환입자를 형광체로 설명한다.The first wavelength conversion particle P1 and the second wavelength conversion particle P2 may include at least one of a phosphor and a quantum dot (QD). Hereinafter, the wavelength conversion particle will be described as a phosphor.

제1형광체(P1)와 제2형광체(P2)는 YAG계, TAG계, Silicate계, Sulfide계 또는 Nitride계 중 어느 하나의 형광물질이 포함될 수 있으나, 실시 예는 형광체의 종류에 제한되지 않는다.The first phosphor P1 and the second phosphor P2 may include any one of YAG-based, TAG-based, silicate-based, sulfide-based, and nitride-based phosphors, but the embodiment is not limited to the type of phosphor.

YAG 및 TAG계 형광물질에는 (Y, Tb, Lu, Sc, La, Gd, Sm)3(Al, Ga, In, Si, Fe)5(O, S)12:Ce 중에서 선택하여 사용가능하며, Silicate계 형광물질에는 (Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4: (Eu, F, Cl) 중에서 선택 사용 가능하다.YAG and TAG fluorescent materials can be selected from (Y, Tb, Lu, Sc, La, Gd, Sm) 3 (Al, Ga, In, Si, Fe) 5 (O, S) 12 :Ce, Silicate-based fluorescent materials can be selected from (Sr, Ba, Ca, Mg) 2 SiO 4 : (Eu, F, Cl).

또한, Sulfide계 형광물질에는 (Ca,Sr)S:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu 중에서 선택하여 사용가능하며, Nitride계 형광체는 (Sr, Ca, Si, Al, O)N:Eu (예, CaAlSiN4:Eu β-SiAlON:Eu) 또는 Ca-α SiAlON:Eu계인 (Cax,My)(Si,Al)12(O,N)16일 수 있다. 여기서 M 은 Eu, Tb, Yb 또는 Er 중 적어도 하나의 물질이며 0.05<(x+y)<0.3, 0.02<x<0.27 and 0.03<y<0.3을 만족하는 형광체 성분 중에서 선택하여 사용할 수 있다.In addition, sulfide-based phosphors can be selected from (Ca,Sr)S:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga) 2 S 4 :Eu, and nitride-based phosphors can be used (Sr, Ca, Si , Al, O) N:Eu (eg, CaAlSiN4:Eu β-SiAlON:Eu) or Ca-α SiAlON:Eu based (Ca x ,M y )(Si,Al) 12 (O,N) 16 . Here, M is at least one of Eu, Tb, Yb, or Er, and may be selected from phosphor components satisfying 0.05<(x+y)<0.3, 0.02<x<0.27 and 0.03<y<0.3.

적색 형광체는, N(예, CaAlSiN3:Eu)을 포함하는 질화물(Nitride)계 형광체이거나 KSF(K2SiF6) 형광체일 수 있다.The red phosphor may be a nitride-based phosphor including N (eg, CaAlSiN 3 :Eu) or a KSF (K 2 SiF 6 ) phosphor.

제1파장변환층(210)과 제2파장변환층(220) 사이에는 경계면(S)이 형성될 수 있다. 제1파장변환층(210)과 제2파장변환층(220)은 별도로 제작되기 때문이다.A boundary surface S may be formed between the first wavelength conversion layer 210 and the second wavelength conversion layer 220 . This is because the first wavelength conversion layer 210 and the second wavelength conversion layer 220 are separately manufactured.

도 2를 참고하면, 경계면에는 요철부(S1)가 형성될 수 있다. 요철부(S1)는 TiO2와 같이 산란성이 높은 입자를 포함할 수 있다. 이러한 구성에 의해 제2파장변환층(220)에서 제1파장변환층(210)을 통과하는 광(L3)은 굴절 또는 반사되는 확률이 감소하여 휘도를 향상시킬 수 있다. 또한, 요철부(S1)에 의해 제1파장변환층(210)과 제2파장변환층(220)의 결합력이 향상될 수 있다.Referring to FIG. 2 , an uneven portion S1 may be formed on the boundary surface. The uneven portion S1 may include particles having high scattering properties, such as TiO 2 . With this configuration, the probability of refraction or reflection of the light L3 passing through the first wavelength conversion layer 210 from the second wavelength conversion layer 220 is reduced, thereby improving luminance. In addition, bonding force between the first wavelength conversion layer 210 and the second wavelength conversion layer 220 may be improved by the uneven portion S1.

도 3을 참고하면, 제1파장변환층(210)의 두께는 측면으로 갈수록 얇아질 수 있다. 즉, 제1파장변환층(210)은 렌즈 형상일 수도 있다. 그러나, 제1파장변환층(210)은 일정한 두께를 갖는 필름 형태일 수도 있다.Referring to FIG. 3 , the thickness of the first wavelength conversion layer 210 may decrease toward the side. That is, the first wavelength conversion layer 210 may have a lens shape. However, the first wavelength conversion layer 210 may be in the form of a film having a constant thickness.

다시 도 1을 참고하면, 제1형광체(P1)의 함량은 제2형광체(P2)의 함량보다 많을 수 있다. 일반적으로 발광소자 패키지(10)의 상부면에서 방출된 광의 색온도는 측면에서 방출된 광의 색온도보다 높을 수 있다. Referring back to FIG. 1 , the content of the first phosphor P1 may be greater than that of the second phosphor P2. In general, the color temperature of light emitted from the upper surface of the light emitting device package 10 may be higher than that of light emitted from the side surface.

형광체의 함량이 많아질수록 색온도는 낮아질 수 있다. 따라서, 실시 예는 제1형광체(P1)의 함량을 높임으로써 제1파장변환층(210)에 의해 변환된 백색광의 색온도와 제2파장변환층(220)에 의해 변환된 백색광의 색온도 편차를 줄일 수 있다. 이는 제1파장변환층(210)과 제2파장변환층(220)을 별도로 제작함으로써 가능해질 수 있다.As the content of the phosphor increases, the color temperature may decrease. Therefore, the embodiment reduces the difference between the color temperature of white light converted by the first wavelength conversion layer 210 and the color temperature of white light converted by the second wavelength conversion layer 220 by increasing the content of the first phosphor P1. can This can be made possible by separately manufacturing the first wavelength conversion layer 210 and the second wavelength conversion layer 220 .

색온도가 5000K 이상인 쿨 화이트(Cool white) 발광소자 패키지를 제작하는 경우, 제1형광체(P1)의 함량은 고분자 수지 100wt%을 기준으로 120wt% 내지 140wt%일 수 있다. 또한, 제2형광체(P2)의 함량은 고분자 수지 100wt%을 기준으로 80wt% 내지 120wt%일 수 있다. 파장변환층(200)에서 형광체의 함량은 고분자 수지의 함량보다 높을 수 있다.In the case of manufacturing a cool white light emitting device package having a color temperature of 5000K or more, the content of the first phosphor P1 may be 120wt% to 140wt% based on 100wt% of the polymer resin. In addition, the content of the second phosphor (P2) may be 80wt% to 120wt% based on 100wt% of the polymer resin. The content of the phosphor in the wavelength conversion layer 200 may be higher than that of the polymer resin.

색온도가 5000K 이하인 웜 화이트(Warm white) 발광소자 패키지를 제작하는 경우, 제1형광체(P1)의 함량은 고분자 수지 100wt%을 기준으로 220wt% 내지 240wt%일 수 있다. 또한, 제2형광체(P2)의 함량은 고분자 수지 100wt%을 기준으로 180wt% 내지 220wt%일 수 있다.In the case of manufacturing a warm white light emitting device package having a color temperature of 5000K or less, the content of the first phosphor P1 may be 220wt% to 240wt% based on 100wt% of the polymer resin. In addition, the content of the second phosphor (P2) may be 180wt% to 220wt% based on 100wt% of the polymer resin.

제1파장변환층(210)의 광축 방향 두께(D1)는 50㎛ 이상 100㎛일 수 있다. 제1파장변환층(210)의 두께(D1)가 50㎛미만인 경우에는 CIE 색좌표상 백색광을 구현하기 어려운 문제가 있으며, 100㎛를 초과하는 경우에는 광속이 감소하는 문제가 있다. 광축과 수직한 제2파장변환층(220)의 폭(W1)은 100㎛일 수 있다. 따라서, 제1파장변환층(210)의 광축 방향 두께(D1)와 제2파장변환층(220)의 폭(W1)의 비는 0.5:1 내지 1:1일 수 있다.The thickness D1 of the first wavelength conversion layer 210 in the optical axis direction may be 50 μm or more and 100 μm. When the thickness D1 of the first wavelength conversion layer 210 is less than 50 μm, it is difficult to implement white light on the CIE color coordinates, and when it exceeds 100 μm, there is a problem in that light flux decreases. A width W1 of the second wavelength conversion layer 220 perpendicular to the optical axis may be 100 μm. Accordingly, the ratio of the thickness D1 of the first wavelength conversion layer 210 in the direction of the optical axis to the width W1 of the second wavelength conversion layer 220 may be 0.5:1 to 1:1.

도 4를 참고하면, 발광소자 패키지의 상부면에서 방출된 광 및 측면에서 방출된 광의 색온도는 거의 유사한 것을 알 수 있다. 구체적으로 제1파장변환층을 통해 방출된 광(예: 광축 0도를 기준으로 ±50도 이하의 각도를 갖는 광)의 색온도와 제2파장변환층을 통해 방출된 광(예: 광축 0도를 기준으로 ± 50도 내지 ± 90도의 각도를 갖는 광)의 색온도의 차는 500K이하일 수 있다.Referring to FIG. 4 , it can be seen that the color temperatures of the light emitted from the upper surface and the light emitted from the side surface of the light emitting device package are almost the same. Specifically, the color temperature of light emitted through the first wavelength conversion layer (eg, light having an angle of ±50 degrees or less based on the 0 degree optical axis) and the light emitted through the second wavelength conversion layer (eg, 0 degree optical axis) The difference in color temperature of light having an angle of ± 50 degrees to ± 90 degrees based on ) may be 500K or less.

도 5는 종래 발광소자 패키지의 개념도이고, 도 6은 종래 발광소자 패키지의 색온도차 및 광속 변화를 측정한 그래프이다.5 is a conceptual diagram of a conventional light emitting device package, and FIG. 6 is a graph in which color temperature difference and luminous flux change of a conventional light emitting device package are measured.

도 5를 참고하면, 종래 발광소자 패키지는 발광소자(100)의 상면과 측면에 동시에 파장변환층(20)을 형성할 수 있다. 즉, 파장변환층(20)에는 동일한 함량의 형광체가 분산된다.Referring to FIG. 5 , in a conventional light emitting device package, a wavelength conversion layer 20 may be formed on the top and side surfaces of the light emitting device 100 at the same time. That is, phosphors of the same content are dispersed in the wavelength conversion layer 20 .

도 5의 (a)를 참고하면 실험예 1의 발광소자 패키지는 파장변환층(20) 상면의 두께(D2)가 100㎛이고 측면의 폭(W2)이 200㎛이고, 도 5의 (b)를 참고하면 실험예 2의 발광소자 패키지는 파장변환층 상면의 두께(D3)가 200㎛이고 측면의 폭(W3)이 200㎛이고, 도 5의 (c)를 참고하면 실험예 3의 발광소자 패키지는 파장변환층 상면의 두께(D4)가 300㎛이고 측면의 폭(W4)이 200㎛이다. Referring to (a) of FIG. 5, the light emitting device package of Experimental Example 1 has a thickness D2 of the upper surface of the wavelength conversion layer 20 of 100 μm and a width W2 of the side surface of 200 μm, and FIG. Referring to , the light emitting device package of Experimental Example 2 has a thickness (D3) of the upper surface of the wavelength conversion layer of 200 μm and a side width (W3) of 200 μm, and referring to FIG. 5 (c), the light emitting device of Experimental Example 3 In the package, the thickness D4 of the top surface of the wavelength conversion layer is 300 μm and the width W4 of the side surface is 200 μm.

하기 표 1은 실험예 1 내지 3의 색온도차(△CCT) 및 광속(Lm)을 측정한 결과이다. 여기서, 색온도차란 파장변환층의 상부면에서 출사된 광의 색온도와 측면에서 출사된 광의 색온도의 편차로 정의할 수 있다.Table 1 below shows the results of measuring the color temperature difference (ΔCCT) and luminous flux (Lm) of Experimental Examples 1 to 3. Here, the color temperature difference may be defined as a difference between a color temperature of light emitted from an upper surface of the wavelength conversion layer and a color temperature of light emitted from a side surface of the wavelength conversion layer.

△CCT△CCT LmLm 실험예 1Experimental Example 1 19091909 156.7156.7 실험예 2Experimental Example 2 11911191 148.7148.7 실험예 3Experimental Example 3 367367 143.4143.4

표 1, 도 5, 및 도 6을 참고하면, 실험예 1의 경우 광속은 높으나 색온도차가 큼을 알 수 있다. 실험예 3의 경우 색온도차는 개선되었으나 광속이 감소하였음을 알 수 있다.Referring to Table 1, FIGS. 5 and 6 , in the case of Experimental Example 1, it can be seen that the luminous flux is high but the color temperature difference is large. In the case of Experimental Example 3, it can be seen that the color temperature difference is improved, but the luminous flux is reduced.

실험 결과, 파장변환층의 상부면 두께가 증가할수록 투과율이 감소하여 광속이 저하되는 문제가 있음을 알 수 있다. 또한, 광속 저하를 방지하기 위해 상부면의 두께를 얇게 하면 상부면과 측면에서의 색온도차(△CCT)가 커지는 문제가 있음을 확인할 수 있다.As a result of the experiment, it can be seen that as the thickness of the upper surface of the wavelength conversion layer increases, the transmittance decreases and thus the light flux decreases. In addition, it can be confirmed that there is a problem in that the color temperature difference (ΔCCT) between the upper surface and the side surface becomes larger when the thickness of the upper surface is reduced to prevent the decrease in light flux.

즉, 파장변환층의 상부면과 측면을 동시에 제작하는 경우 형광체의 함량이 동일하기 때문에, 광속과 색온도 편차를 동시에 개선하기 어렵다. 이에 반해, 실시 예는 상부면과 측면의 형광체 양을 다르게 제작하므로 상부면의 두께를 줄여 광도를 유지 또는 향상시키면서도 색온도차를 개선할 수 있는 효과가 있다.That is, when the upper surface and the side surface of the wavelength conversion layer are simultaneously manufactured, since the content of the phosphor is the same, it is difficult to simultaneously improve the luminous flux and the color temperature deviation. On the other hand, in the embodiment, since the amount of phosphors on the upper surface and the side surface are made differently, the thickness of the upper surface is reduced to maintain or improve the luminous intensity and improve the color temperature difference.

도 7은 도 1의 발광소자의 개념도이다.7 is a conceptual diagram of the light emitting device of FIG. 1 .

실시 예의 발광소자(100)는 기판(110)의 하부에 배치되는 발광 구조물(150), 발광 구조물(150)의 일 측에 배치되는 한 쌍의 전극 패드(171, 172)를 포함한다.The light emitting device 100 of the embodiment includes a light emitting structure 150 disposed under a substrate 110 and a pair of electrode pads 171 and 172 disposed on one side of the light emitting structure 150 .

기판(110)은 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함한다. 기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼일 수 있다. 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 및 Ge 중 선택된 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 필요에 따라 기판(110)은 제거될 수 있다.The substrate 110 includes a conductive substrate or an insulating substrate. The substrate 110 may be a material suitable for growing semiconductor materials or a carrier wafer. The substrate 110 may be formed of a material selected from among sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge, but is not limited thereto. The substrate 110 may be removed as needed.

제1반도체층(120)과 기판(110) 사이에는 버퍼층(미도시)이 더 구비될 수 있다. 버퍼층은 기판(110) 상에 구비된 발광 구조물(150)과 기판(110)의 격자 부정합을 완화할 수 있다.A buffer layer (not shown) may be further provided between the first semiconductor layer 120 and the substrate 110 . The buffer layer may alleviate lattice mismatch between the light emitting structure 150 provided on the substrate 110 and the substrate 110 .

버퍼층은 Ⅲ족과 Ⅴ족 원소가 결합된 형태이거나 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층에는 도펀트가 도핑될 수도 있으나, 이에 한정하지 않는다.The buffer layer may include a combination of Group III and V elements, or may include any one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. A dopant may be doped in the buffer layer, but is not limited thereto.

버퍼층은 기판(110) 상에 단결정으로 성장할 수 있으며, 단결정으로 성장한 버퍼층은 제1반도체층(120)의 결정성을 향상시킬 수 있다.The buffer layer may be grown on the substrate 110 as a single crystal, and the buffer layer grown as a single crystal may improve crystallinity of the first semiconductor layer 120 .

발광 구조물(150)은 제1반도체층(120), 활성층(130), 및 제2반도체층(140)을 포함한다. 일반적으로 상기와 같은 발광 구조물(150)은 기판(110)과 함께 절단하여 복수 개로 분리될 수 있다.The light emitting structure 150 includes a first semiconductor layer 120 , an active layer 130 , and a second semiconductor layer 140 . In general, the light emitting structure 150 as described above may be separated into a plurality of pieces by cutting together with the substrate 110 .

제1반도체층(120)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1반도체층(120)에 제1도펀트가 도핑될 수 있다. 제1반도체층(120)은 Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있다. 그리고, 제1도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te와 같은 n형 도펀트일 수 있다. 제1도펀트가 n형 도펀트인 경우, 제1도펀트가 도핑된 제1반도체층(120)은 n형 반도체층일 수 있다.The first semiconductor layer 120 may be implemented with a compound semiconductor such as group III-V or group II-VI, and the first semiconductor layer 120 may be doped with a first dopant. The first semiconductor layer 120 is a semiconductor material having a composition formula of In x1 Al y1 Ga 1-x1-y1 N (0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1), for example It may be selected from GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, and the like. Also, the first dopant may be an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te. When the first dopant is an n-type dopant, the first semiconductor layer 120 doped with the first dopant may be an n-type semiconductor layer.

활성층(130)은 제1반도체층(120)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2반도체층(140)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 만나는 층이다. 활성층(130)은 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.The active layer 130 is a layer where electrons (or holes) injected through the first semiconductor layer 120 and holes (or electrons) injected through the second semiconductor layer 140 meet. The active layer 130 transitions to a lower energy level as electrons and holes recombine, and can generate light having a wavelength corresponding to the transition.

활성층(130)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 활성층(130)의 구조는 이에 한정하지 않는다. The active layer 130 may have a structure of any one of a single well structure, a multi-well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure, and the active layer 130 The structure of is not limited to this.

제2반도체층(140)은 활성층(130) 상에 형성되며, Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2반도체층(140)에 제2도펀트가 도핑될 수 있다. 제2반도체층(140)은 Inx5Aly2Ga1 -x5- y2N (0≤x5≤1, 0≤y2≤1, 0≤x5+y2≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제2도펀트가 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트인 경우, 제2도펀트가 도핑된 제2반도체층(140)은 p형 반도체층일 수 있다.The second semiconductor layer 140 is formed on the active layer 130 and may be implemented with a compound semiconductor such as group III-V or group II-VI, and the second semiconductor layer 140 is doped with a second dopant. can The second semiconductor layer 140 is a semiconductor material having a composition formula of In x5 Al y2 Ga 1 -x5- y2 N (0≤x5≤1, 0≤y2≤1, 0≤x5+y2≤1) or AlInN, AlGaAs , GaP, GaAs, GaAsP, may be formed of a material selected from AlGaInP. When the second dopant is a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba, the second semiconductor layer 140 doped with the second dopant may be a p-type semiconductor layer.

활성층(130)과 제2반도체층(140) 사이에는 전자 차단층(EBL)이 배치될 수 있다. 전자 차단층은 제1반도체층(120)에서 공급된 전자가 제2반도체층(140)으로 빠져나가는 흐름을 차단하여, 활성층(130) 내에서 전자와 정공이 재결합할 확률을 높일 수 있다. 전자 차단층의 에너지 밴드갭은 활성층(130) 및/또는 제2반도체층(140)의 에너지 밴드갭보다 클 수 있다.An electron blocking layer (EBL) may be disposed between the active layer 130 and the second semiconductor layer 140 . The electron blocking layer blocks the flow of electrons supplied from the first semiconductor layer 120 to the second semiconductor layer 140, thereby increasing the probability of recombination of electrons and holes in the active layer 130. An energy bandgap of the electron blocking layer may be larger than that of the active layer 130 and/or the second semiconductor layer 140 .

전자 차단층은 Inx1Aly1Ga1 -x1-y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The electron blocking layer is a semiconductor material having a composition formula of In x1 Al y1 Ga 1 -x1-y1 N (0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1), for example AlGaN, InGaN, It may be selected from InAlGaN and the like, but is not limited thereto.

발광 구조물(150)은 제2반도체층(140)에서 제1반도체층(120) 방향으로 형성된 관통홀(H)을 포함한다. 절연층(160)은 발광 구조물(150)의 측면 및 관통홀(H) 상에 형성될 수 있다. 이때, 절연층(160)은 제2반도체층(140)의 일면을 노출할 수 있다.The light emitting structure 150 includes a through hole H formed in a direction from the second semiconductor layer 140 to the first semiconductor layer 120 . The insulating layer 160 may be formed on the side surface of the light emitting structure 150 and the through hole H. At this time, the insulating layer 160 may expose one surface of the second semiconductor layer 140 .

전극층(141)은 제2반도체층(140)의 일면에 배치될 수 있다. 전극층(141)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다.The electrode layer 141 may be disposed on one surface of the second semiconductor layer 140 . The electrode layer 141 is made of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), or indium gallium tin oxide (IGTO). , aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO. may, but is not limited to these materials.

또한, 전극층(141)은 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi 중에서 선택된 금속층을 더 포함할 수 있다.In addition, the electrode layer 141 is In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al , Ni, Cu, and may further include a metal layer selected from WTi.

제1전극패드(171)는 제1반도체층(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로 제1전극패드(171)는 관통홀(H)를 통해 제1반도체층(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1전극패드(171)는 제1솔더범프(181)와 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode pad 171 may be electrically connected to the first semiconductor layer 120 . Specifically, the first electrode pad 171 may be electrically connected to the first semiconductor layer 120 through the through hole H. The first electrode pad 171 may be electrically connected to the first solder bump 181 .

제2전극패드(172)는 제2반도체층(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로 제2전극패드(172)는 절연층(160)을 관통하여 전극층(141)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2전극패드(172)는 제2솔더범프(182)와 전기적으로 연결될 수 있다.The second electrode pad 172 may be electrically connected to the second semiconductor layer 140 . In detail, the second electrode pad 172 may pass through the insulating layer 160 and be electrically connected to the electrode layer 141 . The second electrode pad 172 may be electrically connected to the second solder bump 182 .

도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.8A to 8C are flowcharts for explaining a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

발광소자 패키지의 제조방법은, 복수 개의 발광소자(100)의 측면에 제2파장변환층(220)을 형성하는 단계와, 복수 개의 발광소자(100)와 제2파장변환층(220)의 상면에 제1파장변환층(210)을 형성하는 단계, 및 제2파장변환층(220)을 절단하여 복수 개의 발광소자 패키지(10)를 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a light emitting device package includes forming a second wavelength conversion layer 220 on a side surface of a plurality of light emitting devices 100, and an upper surface of the plurality of light emitting devices 100 and the second wavelength conversion layer 220. forming the first wavelength conversion layer 210, and cutting the second wavelength conversion layer 220 to form a plurality of light emitting device packages 10.

도 8a를 참고하면, 제2파장변환층을 형성하는 단계는, 접착 테이프(30) 상에 복수 개의 발광소자(100)를 이격 배치한다. 이때, 접착 테이프는 메틸계 실리콘을 포함할 수 있다. 페닐계 실리콘은 상대적으로 점성이 약하기 때문이다.Referring to FIG. 8A , in the step of forming the second wavelength conversion layer, a plurality of light emitting devices 100 are spaced apart on an adhesive tape 30 . In this case, the adhesive tape may include methyl-based silicone. This is because phenyl-based silicone is relatively weak in viscosity.

이후, 복수 개의 발광소자(100) 사이에 제2형광체가 분산된 고분자 수지를 충진하고 이를 경화시켜 제2파장변환층(220)을 형성할 수 있다. 이때, 고분자 수지는 페닐계 실리콘 수지일 수 있다. 메틸계 실리콘의 경우 접착 테이프와 박리가 어렵기 때문이다. 이때, 필요에 따라 제2파장변환층(220)의 상면에 요철 패턴을 형성하거나 광 산란 입자를 분사할 수도 있다.Thereafter, the second wavelength conversion layer 220 may be formed by filling the polymer resin in which the second phosphor is dispersed between the plurality of light emitting devices 100 and curing the polymer resin. At this time, the polymer resin may be a phenyl-based silicone resin. This is because it is difficult to peel off the adhesive tape in the case of methyl-based silicone. In this case, a concavo-convex pattern may be formed on the upper surface of the second wavelength conversion layer 220 or light scattering particles may be sprayed, if necessary.

도 8b를 참고하면, 제1파장변환층을 형성하는 단계는, 복수 개의 발광소자(100) 및 제2파장변환층(220)의 상면에 제1파장변환층(210)을 형성한다. 제1파장변환층(210)은 제1형광체가 분산된 고분자 수지를 충진하고 이를 경화시켜 제작할 수 있다. Referring to FIG. 8B , in the step of forming the first wavelength conversion layer, the first wavelength conversion layer 210 is formed on upper surfaces of the plurality of light emitting devices 100 and the second wavelength conversion layer 220 . The first wavelength conversion layer 210 may be manufactured by filling a polymer resin in which the first phosphor is dispersed and curing the polymer resin.

이때, 제1파장변환층(210)을 구성하는 고분자 수지는 메틸계 실리콘을 포함할 수 있다. 따라서, 경도가 낮아 크랙 발생이 저하될 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 형광체 필름을 부착하여 제조할 수도 있다. In this case, the polymer resin constituting the first wavelength conversion layer 210 may include methyl-based silicon. Therefore, crack generation may be reduced due to low hardness. However, it is not necessarily limited thereto and may be manufactured by attaching a phosphor film.

이후, 접착 테이프(30)를 박리할 수 있다. 전술한 바와 같이 접착 테이프(30)는 메틸계 실리콘을 포함하고 제2파장변환층(220)은 페닐계 실리콘을 포함하므로 용이하게 박리할 수 있다.After that, the adhesive tape 30 can be peeled off. As described above, since the adhesive tape 30 includes methyl-based silicon and the second wavelength conversion layer 220 includes phenyl-based silicon, it can be easily peeled off.

도 8c를 참고하면, 발광소자 패키지를 형성하는 단계는, 제2파장변환층(220)을 절단하여 복수 개의 발광소자 패키지(10)를 제작할 수 있다.Referring to FIG. 8C , in the step of forming the light emitting device package, a plurality of light emitting device packages 10 may be manufactured by cutting the second wavelength conversion layer 220 .

실시 예의 발광소자 패키지는 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등의 광학 부재를 더 포함하여 이루어져 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또한, 실시 예의 발광소자 패키지는 표시 장치, 조명 장치, 지시 장치에 더 적용될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may further include an optical member such as a light guide plate, a prism sheet, or a diffusion sheet to function as a backlight unit. In addition, the light emitting device package of the embodiment may be further applied to a display device, a lighting device, and a pointing device.

이 때, 표시 장치는 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 광학 시트, 디스플레이 패널, 화상 신호 출력 회로 및 컬러 필터를 포함할 수 있다. 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.In this case, the display device may include a bottom cover, a reflector, a light emitting module, a light guide plate, an optical sheet, a display panel, an image signal output circuit, and a color filter. The bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.

반사판은 바텀 커버 상에 배치되고, 발광 모듈은 광을 방출한다. 도광판은 반사판의 전방에 배치되어 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하고, 광학 시트는 프리즘 시트 등을 포함하여 이루어져 도광판의 전방에 배치된다. 디스플레이 패널은 광학 시트 전방에 배치되고, 화상 신호 출력 회로는 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하며, 컬러 필터는 디스플레이 패널의 전방에 배치된다. A reflector is disposed on the bottom cover, and the light emitting module emits light. The light guide plate is disposed in front of the reflector to guide light emitted from the light emitting module forward, and the optical sheet includes a prism sheet and is disposed in front of the light guide plate. A display panel is disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit supplies image signals to the display panel, and a color filter is disposed in front of the display panel.

그리고, 조명 장치는 기판과 실시 예의 발광 소자를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열부 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 더욱이 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등 등을 포함할 수 있다.In addition, the lighting device may include a light source module including a substrate and a light emitting device according to an embodiment, a heat dissipation unit dissipating heat from the light source module, and a power supply unit processing or converting an electrical signal received from the outside and providing the electrical signal to the light source module. . Furthermore, the lighting device may include a lamp, a head lamp, or a street lamp.

이상에서 설명한 본 발명 실시 예는 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 실시 예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명 실시 예가 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The embodiments of the present invention described above are not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes are possible within a range that does not deviate from the technical spirit of the embodiments. It will be clear to those skilled in the art.

100: 발광소자
210: 제1파장변환층
220: 제2파장변환층
100: light emitting element
210: first wavelength conversion layer
220: second wavelength conversion layer

Claims (7)

발광소자;
상기 발광소자의 상면을 커버하고 제1파장변환입자를 포함하는 제1파장변환층; 및
상기 발광소자의 측면을 커버하고 제2파장변환입자를 포함하는 제2파장변환층을 포함하고,
상기 제1파장변환층의 굴절률은 상기 제2파장변환층의 굴절률보다 낮고,
상기 제1파장변환층은 메틸계 실리콘을 포함하고 상기 제2파장변환층은 페닐계 실리콘을 포함하고,
상기 제1파장변환층은 상기 발광소자의 상면에 접촉하고, 상기 제2파장변환층은 상기 발광소자의 측면에 접촉하고,
상기 제1파장변환층의 경도는 상기 제2파장변환층의 경도보다 낮은 발광소자 패키지.
light emitting device;
a first wavelength conversion layer covering an upper surface of the light emitting device and including first wavelength conversion particles; and
A second wavelength conversion layer covering a side surface of the light emitting element and including second wavelength conversion particles;
The refractive index of the first wavelength conversion layer is lower than the refractive index of the second wavelength conversion layer,
The first wavelength conversion layer includes methyl-based silicon and the second wavelength conversion layer includes phenyl-based silicon,
The first wavelength conversion layer is in contact with the upper surface of the light emitting element, the second wavelength conversion layer is in contact with the side surface of the light emitting element,
Hardness of the first wavelength conversion layer is lower than hardness of the second wavelength conversion layer light emitting device package.
제1항에 있어서,
상기 제1파장변환층과 제2파장변환층 사이에 형성되는 요철부를 포함하는 발광소자 패키지.
According to claim 1,
A light emitting device package comprising a concave-convex portion formed between the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer.
제1항에 있어서,
상기 제1파장변환입자의 함량은 상기 제2파장변환입자의 함량보다 많은 발광소자 패키지.
According to claim 1,
The light emitting device package wherein the content of the first wavelength converting particles is greater than the content of the second wavelength converting particles.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 발광소자는,
제1반도체층, 활성층, 및 제2반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 발광 구조물의 일 측에서 상기 제2반도체층 및 활성층을 관통하여 제1반도체층과 전기적으로 연결되는 제1전극 패드; 및
상기 발광 구조물의 일 측에서 제2반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극 패드를 포함하는 발광소자 패키지.
According to claim 1,
The light emitting element,
A light emitting structure including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer;
a first electrode pad electrically connected to the first semiconductor layer through the second semiconductor layer and the active layer at one side of the light emitting structure; and
A light emitting device package including a second electrode pad electrically connected to a second semiconductor layer at one side of the light emitting structure.
삭제delete 삭제delete
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