KR20170058775A - Light emitting device package - Google Patents
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Abstract
Description
실시 예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.
발광소자(Light Emitting Device, LED)는 전기에너지를 빛 에너지로 변환하는 화합물 반도체 소자로서, 화합물반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.A light emitting device (LED) is a compound semiconductor device that converts electric energy into light energy. By controlling the composition ratio of the compound semiconductor, various colors can be realized.
질화물반도체 발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 갖고 있다. 따라서, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.The nitride semiconductor light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Accordingly, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting diode lighting device capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp, And traffic lights.
칩 스케일(CSP, Chip Scale Package) 패키지는 플립칩에 직접 형광체층을 형성하여 제작할 수 있다. 칩 스케일 패키지는 패키지의 소형화를 가능하게 하나, 모든 면에서 발광하므로 지향각을 조절할 필요가 있다.Chip Scale Package (CSP) packages can be fabricated by forming a phosphor layer directly on the flip chip. The chip scale package enables miniaturization of the package, but since it emits light in all aspects, it is necessary to adjust the directivity angle.
실시 예는 칩 스케일 패키지의 지향각을 조절할 수 있다.Embodiments can adjust the orientation angle of the chip scale package.
또한, 칩 스케일 패키지의 광속을 향상시킬 수 있다.In addition, the light flux of the chip scale package can be improved.
본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 하부면에 배치되는 제1전극패드 및 제2전극패드를 포함하는 발광소자; 상기 발광소자의 상부면 및 측면을 커버하는 파장변환층; 및 상기 파장변환층의 상부면 및 측면을 커버하는 광속제어층;을 포함하고, 상기 광속제어층의 두께는 상기 파장변환층의 두께와 동일하거나 두꺼울 수 있다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a light emitting device package including: a light emitting device including a first electrode pad and a second electrode pad disposed on a lower surface; A wavelength conversion layer covering an upper surface and a side surface of the light emitting device; And a light flux control layer covering an upper surface and a side surface of the wavelength conversion layer, wherein the thickness of the light flux control layer may be equal to or thicker than the thickness of the wavelength conversion layer.
상기 파장변환층과 광속제어층의 두께 비는 1:1 내지 1:5일 수 있다.The thickness ratio of the wavelength conversion layer and the light flux control layer may be 1: 1 to 1: 5.
상기 파장변환층과 광속제어층의 두께 비는 1:1 내지 1:3일 수 있다.The thickness ratio of the wavelength conversion layer and the light flux control layer may be 1: 1 to 1: 3.
상기 광속제어층의 하부에 배치되는 반사층을 포함할 수 있다.And a reflective layer disposed below the light flux control layer.
상기 광속제어층은 출사광의 지향각을 조절할 수 있다.The light flux controlling layer can adjust the directing angle of the emitted light.
출사광의 지향각은 137°내지 142°를 만족할 수 있다.The directing angle of the outgoing light can be from 137 degrees to 142 degrees.
본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법은, 발광소자를 준비하는 단계; 상기 발광소자의 상부면 및 측면을 커버하는 파장변환층을 형성하는 단계; 및 상기 파장변환층의 상부면 및 측면을 커버하는 광속제어층 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 광속제어층 형성하는 단계는 상기 광속제어층의 두께를 조절하여 출사광의 광속 또는 지향각을 제어한다.A method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes: preparing a light emitting device; Forming a wavelength conversion layer covering a top surface and a side surface of the light emitting device; And forming a light flux control layer covering the upper surface and the side surface of the wavelength conversion layer, wherein the light flux control layer forming step controls the light flux or the directivity angle of emitted light by adjusting the thickness of the light flux control layer .
실시 예에 따르면, 칩 스케일 패키지의 지향각을 조절할 수 있다.According to the embodiment, the directivity angle of the chip scale package can be adjusted.
또한, 칩 스케일 패키지의 광속을 향상시킬 수 있다.In addition, the light flux of the chip scale package can be improved.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.The various and advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above description, and can be more easily understood in the course of describing a specific embodiment of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 개념도이고,
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이고,
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 개념도이고,
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 개념도이고,
도 5는 발광소자의 개념도이고,
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법 순서도이고,
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a conceptual view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention,
2 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention,
3 is a conceptual diagram of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention,
4 is a conceptual view of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention,
5 is a conceptual diagram of a light emitting device,
6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention,
7A to 7E are views for explaining a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예를 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명 실시 예를 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시 예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail. It should be understood, however, that the embodiments of the present invention are not intended to be limited to the specific embodiments but include all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the embodiments.
제 1, 제 2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 실시 예의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 2 구성 요소는 제 1 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 1 구성 요소도 제 2 구성 요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.Terms including ordinals, such as first, second, etc., may be used to describe various elements, but the elements are not limited to these terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the embodiments, the second component may be referred to as a first component, and similarly, the first component may also be referred to as a second component. And / or < / RTI > includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명 실시 예를 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the embodiments of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.
실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiments, in the case where one element is described as being formed "on or under" another element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof will be omitted.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 개념도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.FIG. 1 is a conceptual view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
도 1과 도 2를 참고하면, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(10A)는 발광소자(100), 발광소자(100)의 상부면(101) 및 측면(103)을 커버하는 파장변환층(200), 및 파장변환층(200)의 상부면 및 측면을 커버하는 광속제어층(300)을 포함한다. 발광소자 패키지는 칩 스케일 패키지(CSP, Chip Scale Package)일 수 있다.1 and 2, a light
발광소자(100)는 자외선 파장대의 광 또는 청색 파장대의 광을 방출할 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 발광소자(100)는 녹색광과 청색광을 동시에 방출할 수도 있다. 발광소자(100)는 하부면(102)에 전극 패드(181, 182)가 배치된 플립칩(Flip chip)일 수 있다. 발광소자(100)는 가로 길이가 1600㎛이고 세로 길이가 600㎛인 직사각형 구조일 수 있으나, 반드시 이에 한정하지는 않는다. 발광소자(100)의 구조에 대해서는 후술한다.The
파장변환층(200)은 발광소자(100)의 상부면(101) 및 측면(103)을 커버할 수 있다. 파장변환층(200)은 고분자 수지로 제작될 수 있다. 고분자 수지는 광 투과성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 및 아크릴 수지 중 어느 하나 이상일 수 있다. 일 예로, 고분자 수지는 실리콘 수지일 수 있다.The
파장변환층(200)에 분산된 파장변환입자는 발광소자(100)에서 방출된 광을 흡수하여 백색광으로 변환할 수 있다. 예를 들면, 파장변환입자는 형광체, QD(Quantum Dot) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.The wavelength conversion particles dispersed in the
형광체는 YAG계, TAG계, Silicate계, Sulfide계 또는 Nitride계 중 어느 하나의 형광물질이 포함될 수 있으나, 실시 예는 형광체의 종류에 제한되지 않는다. 발광소자(100)가 UV LED인 경우 형광체는 청색 형광체, 녹색 형광체, 및 적색 형광체가 선택될 수 있다. 발광소자(100)가 청색 LED인 경우 형광체는 녹색 형광체 및 적색 형광체가 선택되거나, 황색 형광체(YAG)가 선택될 수 있다. The phosphor may include any one of a YAG-based, TAG-based, silicate-based, sulfide-based or nitride-based fluorescent material, but the embodiment is not limited to the type of the fluorescent material. When the
YAG 및 TAG계 형광체는 (Y, Tb, Lu, Sc, La, Gd, Sm)3(Al, Ga, In, Si, Fe)5(O, S)12:Ce 중에서 선택하여 사용가능하며, Silicate계 형광물질에는 (Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4: (Eu, F, Cl) 중에서 선택 사용 가능하다.YAG and TAG-based fluorescent material is (Y, Tb, Lu, Sc , La, Gd, Sm) 3 (Al, Ga, In, Si, Fe) 5 (O, S) 12: selected from Ce to be available and, Silicate (Sr, Ba, Ca, Mg) 2 SiO 4 : (Eu, F, Cl) may be used as the fluorescent material.
또한, Sulfide계 형광체는 (Ca,Sr)S:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu 중에서 선택하여 사용가능하며, Nitride계 형광체는 (Sr, Ca, Si, Al, O)N:Eu (예, CaAlSiN4:Eu β-SiAlON:Eu) 또는 Ca-α SiAlON:Eu계인 (Cax,My)(Si,Al)12(O,N)16일 수 있다. 여기서 M 은 Eu, Tb, Yb 또는 Er 중 적어도 하나의 물질이며 0.05<(x+y)<0.3, 0.02<x<0.27 and 0.03<y<0.3을 만족하는 형광체 성분 중에서 선택하여 사용할 수 있다.The phosphor can be selected from (Ca, Sr) S: Eu, (Sr, Ca, Ba) (Al, Ga) 2 S 4 : Eu, Al, O) N: may be Eu sealed (Ca x, M y) ( Si, Al) 12 (O, N) 16: Eu ( for example, CaAlSiN4: Eu β-SiAlON: Eu) or Ca-α SiAlON. Where M is at least one of Eu, Tb, Yb or Er and can be selected from phosphor components satisfying 0.05 <(x + y) <0.3, 0.02 <x <0.27 and 0.03 <y <0.3.
적색 형광체는, N(예, CaAlSiN3:Eu)을 포함하는 질화물(Nitride)계 형광체이거나 KSF(K2SiF6) 형광체일 수 있다.The red phosphor may be a nitride based phosphor containing N (e.g., CaAlSiN 3 : Eu) or a KSF (K 2 SiF 6 ) phosphor.
광속제어층(300)은 파장변환층(200)의 상부면과 측면을 커버할 수 있다. 따라서, 광속제어층(300)은 출사광의 지향각을 조절하거나 광속을 제어할 수 있다. 광속제어층(300)의 상부면 두께(d2)는 파장변환층(200)의 상부면 두께(d1)와 동일하거나 두꺼울 수 있다. 파장변환층(200)의 상부면 두께(d1)와 광속제어층(300)의 상부면 두께(d2)의 비는 1:1 내지 1: 5일 수 있다. 광속제어층(300)의 측면 두께(w2)는 파장변환층(200)의 측면 두께(w1)와 동일하거나 두꺼울 수 있다.The light
광속제어층(300)은 광 투과성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 및 아크릴 수지 중 어느 하나 이상에서 선택될 수 있다. 광속제어층(300)과 파장변환층(200)의 기재는 동일한 재질일 수 있다. 광속제어층(300)과 파장변환층(200)의 굴절율은 실질적으로 동일할 수 있다. 일 예로, 광속제어층(300)과 파장변환층(200)의 굴절율은 1.50 내지 1.60일 수 있다.The light
하기 표 1은 광속제어층의 측면 두께는 고정하고 상부면 두께를 조절하면서 출사광의 색좌표와 광속을 측정한 표이다.Table 1 below is a table in which the color coordinates of the emitted light and the luminous flux are measured while the lateral thickness of the light flux control layer is fixed and the upper surface thickness is adjusted.
표 1을 참고하면, 광속제어층(300)이 없는 비교예에 비해 100㎛ 두께의 광속제어층을 배치하는 경우 광속이 상승하는 것을 알 수 있다. 또한, 실시 예 2 내지 4를 참고하면, 광속제어층(300)의 상부면 두께가 증가할수록 광속은 이에 비례하여 상승하는 것을 알 수 있다. 즉, 광속제어층(300)가 볼륨 에미터(Volume Emitter)로 기능하여 광 추출 효율이 증가할 수 있다.Referring to Table 1, it can be seen that the light flux rises when a light flux control layer with a thickness of 100 mu m is arranged as compared with the comparative example in which the light
그러나, 광속제어층(300)의 두께가 증가할수록 백색광의 Cx 좌표값과 Cy 좌표값이 변화하는 문제가 있다. 광속제어층(300)의 두께가 400㎛인 경우 비교예 기준으로 Cx 좌표가 -0.0125만큼 변화하고, Cy 좌표가 -0.0151만큼 변화하여 CIE 좌표계상 백색광의 색좌표 범위를 벗어날 수 있다.However, as the thickness of the light
따라서, 광속제어층(300)의 두께를 100㎛ 내지 300㎛로 제어하면 광속을 증가시키면서도 백색광의 색좌표 범위를 유지할 수 있다. 따라서, 파장변환층(200)과 광속제어층(300)의 상부면 두께 비는 1:1 내지 1:3을 만족할 수 있다.Therefore, when the thickness of the light
표 2는 광속제어층(300)의 상부면 두께를 조절하여 출사광의 X축 지향각 및 Y축 지향각을 측정한 표이다. 여기서 X축 지향각 및 Y축 지향각은 도 2의 X축과 Y축을 기준으로 회전시켜 측정한 지향각이다.Table 2 is a table in which the X axis directing angle and the Y axis directing angle of emitted light are measured by adjusting the thickness of the upper surface of the light
표 2를 참고하면, 광속제어층(300)의 두께가 증가할수록 X축 지향각과 Y축 지향각이 넓어짐을 알 수 있다. 따라서, 광속제어층(300)의 두께를 제어함으로써 지향각을 제어할 수 있다.Referring to Table 2, it can be seen that as the thickness of the light
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 개념도이고, 도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 개념도이다.FIG. 3 is a conceptual view of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a conceptual view of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
도 3을 참고하면, 파장변환층(200)과 광속제어층(300)의 하부에는 반사층(400)이 배치될 수 있다. 반사층(400)의 두께(d3)는 발광소자 두께의 10% 내지 20%일 수 있다. 일 예로, 반사층(400)의 두께는 10㎛ 내지 20㎛일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우 발광소자 패키지의 하부로 방출되는 광 손실을 방지할 수 있다. Referring to FIG. 3, a
반사층(400)은 외측으로 갈수록 두꺼워질 수 있다. 따라서, 상면이 기울어져 발광소자(100)에서 방출된 광(L1)을 상측으로 반사시킬 수 있다.The
반사층(400)은 기재에 반사 입자가 분산된 구조일 수 있다. 기재는 광 투과성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 및 아크릴 수지 중 어느 하나 이상일 수 있다. 일 예로, 고분자 수지는 실리콘 수지일 수 있다. 반사 입자는 TiO2 또는 SiO2와 같은 입자를 포함할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 반사층은 다양한 반사 물질을 이용하여 제작할 수 있다. 반사층(400)은 파장변환층(200)과 광속제어층(300)을 형성한 후, 하면에 코팅하여 형성할 수 있다.The
도 4를 참고하면, 파장변환층(200)의 상부 테두리는 제1라운드부(R1)를 갖고, 광속제어층(300)의 상부 테두리는 제2라운드부(R2)를 가질 수 있다. 제1라운드부(R1)와 제2라운드부(R2)는 테두리 영역에서 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 제1라운드부(R1)의 곡률은 제2라운드부(R2)의 곡률보다 작을 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 제1라운드부(R1)의 곡률은 제2라운드부(R2)의 곡률과 동일하거나 더 클 수 있다.4, the upper edge of the
도 5는 실시 예에 따른 발광소자의 개념도이다.5 is a conceptual diagram of a light emitting device according to an embodiment.
실시 예의 발광소자(100)는 기판(110)의 하부에 배치되는 발광 구조물(150), 발광 구조물(150)의 일 측에 배치되는 한 쌍의 전극 패드(171, 172)를 포함한다.The
기판(110)은 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함한다. 기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼일 수 있다. 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 및 Ge 중 선택된 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 필요에 따라 기판(110)은 제거될 수 있다.The
제1반도체층(120)과 기판(110) 사이에는 버퍼층(미도시)이 더 구비될 수 있다. 버퍼층은 기판(110) 상에 구비된 발광 구조물(150)과 기판(110)의 격자 부정합을 완화할 수 있다.A buffer layer (not shown) may be further provided between the
버퍼층은 Ⅲ족과 Ⅴ족 원소가 결합된 형태이거나 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층에는 도펀트가 도핑될 수도 있으나, 이에 한정하지 않는다.The buffer layer may be a combination of Group III and Group V elements or may include any one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The buffer layer may be doped with a dopant, but is not limited thereto.
버퍼층은 기판(110) 상에 단결정으로 성장할 수 있으며, 단결정으로 성장한 버퍼층은 제1반도체층(120)의 결정성을 향상시킬 수 있다.The buffer layer can be grown as a single crystal on the
발광 구조물(150)은 제1반도체층(120), 활성층(130), 및 제2반도체층(140)을 포함한다. 일반적으로 상기와 같은 발광 구조물(150)은 기판(110)과 함께 절단하여 복수 개로 분리될 수 있다.The
제1반도체층(120)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1반도체층(120)에 제1도펀트가 도핑될 수 있다. 제1반도체층(120)은 Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있다. 그리고, 제1도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te와 같은 n형 도펀트일 수 있다. 제1도펀트가 n형 도펀트인 경우, 제1도펀트가 도핑된 제1반도체층(120)은 n형 반도체층일 수 있다.The
활성층(130)은 제1반도체층(120)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2반도체층(140)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 만나는 층이다. 활성층(130)은 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.The
활성층(130)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 활성층(130)의 구조는 이에 한정하지 않는다. The
제2반도체층(140)은 활성층(130) 상에 형성되며, Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2반도체층(140)에 제2도펀트가 도핑될 수 있다. 제2반도체층(140)은 Inx5Aly2Ga1 -x5- y2N (0≤x5≤1, 0≤y2≤1, 0≤x5+y2≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제2도펀트가 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트인 경우, 제2도펀트가 도핑된 제2반도체층(140)은 p형 반도체층일 수 있다.The
활성층(130)과 제2반도체층(140) 사이에는 전자 차단층(EBL)이 배치될 수 있다. 전자 차단층은 제1반도체층(120)에서 공급된 전자가 제2반도체층(140)으로 빠져나가는 흐름을 차단하여, 활성층(130) 내에서 전자와 정공이 재결합할 확률을 높일 수 있다. 전자 차단층의 에너지 밴드갭은 활성층(130) 및/또는 제2반도체층(140)의 에너지 밴드갭보다 클 수 있다.An electron blocking layer (EBL) may be disposed between the active layer (130) and the second semiconductor layer (140). The electron blocking layer can block the flow of electrons supplied from the
전자 차단층은 Inx1Aly1Ga1 -x1- y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The electron blocking layer may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x 1 Al y 1 Ga 1 -x 1 -y 1 N (0? X 1 ? 1 , 0? Y 1 ? 1 , 0? X 1 + y 1 ? 1 ), for example, AlGaN, InGaN, InAlGaN, and the like, but is not limited thereto.
발광 구조물(150)은 제2반도체층(140)에서 제1반도체층(120) 방향으로 형성된 관통홀(H)을 포함한다. 절연층(160)은 발광 구조물(150)의 측면 및 관통홀(H) 상에 형성될 수 있다. 이때, 절연층(160)은 제2반도체층(140)의 일면을 노출할 수 있다.The
전극층(141)은 제2반도체층(140)의 일면에 배치될 수 있다. 전극층(141)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다.The
또한, 전극층(141)은 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi 중에서 선택된 금속층을 더 포함할 수 있다.The
제1전극패드(171)는 제1반도체층(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로 제1전극패드(171)는 관통홀(H)를 통해 제1반도체층(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1전극패드(171)는 제1솔더범프(181)와 전기적으로 연결될 수 있다.The
제2전극패드(172)는 제2반도체층(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로 제2전극패드(172)는 절연층(160)을 관통하여 전극층(141)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2전극패드(172)는 제2솔더범프(182)와 전기적으로 연결될 수 있다.The
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법 순서도이고, 도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. FIGS. 7A to 7E illustrate a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
도 6 및 도 7을 참고하면, 발광소자(100)를 준비하는 단계와, 발광소자(100)의 상부면(101) 및 측면(103)을 커버하는 파장변환층(200)을 형성하는 단계, 및 파장변환층(200)의 상부면(101) 및 측면(103)을 커버하는 광속제어층(300) 형성하는 단계;를 포함한다.6 and 7, a step of preparing the
파장변환층(200)을 형성하는 단계는, 도 7a와 같이 기판 상에 복수 개의 발광소자(100)를 배치한다. 발광소자(100)는 도 5에서 설명한 구조가 그대로 적용될 수 있다. 이후, 발광소자(100)를 덮도록 파장변환층(200)을 형성한다. 파장변환층(200)은 파장변환입자를 포함할 수 있다. 파장변환입자는 형광체, QD(Quantum Dot) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 이후, 도 7b와 같이 발광소자(100) 사이의 영역을 제거하여 발광소자(100)의 상면과 측면(103)에 파장변환층(200)을 형성할 수 있다. In the step of forming the
광속제어층(300)을 형성하는 단계는, 도 7c와 같이 광속제어층(300)을 전체적으로 형성한다. 이때, 광속제어층(300)의 두께를 조절하여 출사광의 광속 및/또는 지향각을 조절할 수 있다. 즉, 광속제어층(300)의 두께를 제어하여 광속 및/또는 지향각을 조절할 수 있으므로 발광소자(100)가 장착되는 최종 제품에서 요구하는 스펙을 만족하도록 광속제어층(300)의 두께를 적절히 조절할 수 있다. 두께 조절은 별도의 레벨링을 통해 이루어질 수 있다.In the step of forming the light
이후, 도 7d와 같이 파장변환층(200) 사이 영역을 제거하여 복수 개의 발광소자 패키지를 제작할 수 있다. 이후, 도 7e와 같이 파장변환층(200)과 광속제어층(300)의 하부면을 일부 제거하고 반사층(400)을 형성할 수 있다. 7D, a plurality of light emitting device packages may be fabricated by removing the region between the wavelength conversion layers 200. Referring to FIG. Thereafter, as shown in FIG. 7E, the lower surface of the
실시 예의 발광소자 패키지는 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등의 광학 부재를 더 포함하여 이루어져 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또한, 실시 예의 발광소자 패키지는 표시 장치, 조명 장치, 지시 장치에 더 적용될 수 있다.The light emitting device package of the embodiment further includes optical members such as a light guide plate, a prism sheet, and a diffusion sheet, and can function as a backlight unit. Further, the light emitting device package of the embodiment can be further applied to a display device, a lighting device, and a pointing device.
이 때, 표시 장치는 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 광학 시트, 디스플레이 패널, 화상 신호 출력 회로 및 컬러 필터를 포함할 수 있다. 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.At this time, the display device may include a bottom cover, a reflector, a light emitting module, a light guide plate, an optical sheet, a display panel, an image signal output circuit, and a color filter. The bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.
반사판은 바텀 커버 상에 배치되고, 발광 모듈은 광을 방출한다. 도광판은 반사판의 전방에 배치되어 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하고, 광학 시트는 프리즘 시트 등을 포함하여 이루어져 도광판의 전방에 배치된다. 디스플레이 패널은 광학 시트 전방에 배치되고, 화상 신호 출력 회로는 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하며, 컬러 필터는 디스플레이 패널의 전방에 배치된다. The reflector is disposed on the bottom cover, and the light emitting module emits light. The light guide plate is disposed in front of the reflection plate to guide light emitted from the light emitting module forward, and the optical sheet includes a prism sheet or the like and is disposed in front of the light guide plate. The display panel is disposed in front of the optical sheet, and the image signal output circuit supplies an image signal to the display panel, and the color filter is disposed in front of the display panel.
그리고, 조명 장치는 기판과 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열부 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 더욱이 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등 등을 포함할 수 있다.The lighting device may include a light source module including a substrate and a light emitting device package of the embodiment, a heat dissipation unit for dissipating heat of the light source module, and a power supply unit for processing or converting an electrical signal provided from the outside, have. Further, the lighting device may include a lamp, a head lamp, or a street lamp or the like.
또한, 이동 단말의 카메라 플래시는 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 광원 모듈을 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이 발광소자 패키지는 카메라의 화각과 대응되는 지향각을 갖고 있으므로 광의 손실이 적은 장점이 있다. In addition, the camera flash of the mobile terminal may include a light source module including the light emitting device package of the embodiment. As described above, since the light emitting device package has the directivity angle corresponding to the angle of view of the camera, there is an advantage that the light loss is small.
이상에서 설명한 본 발명 실시 예는 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 실시 예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명 실시 예가 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various changes, substitutions, and alterations can be made hereto without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. Will be apparent to those of ordinary skill in the art.
100: 발광소자
200: 파장변환층
300: 광속제어층
400: 반사층100: Light emitting element
200: wavelength conversion layer
300: luminous flux control layer
400: reflective layer
Claims (7)
상기 발광소자의 상부면 및 측면을 커버하는 파장변환층; 및
상기 파장변환층의 상부면 및 측면을 커버하는 광속제어층;을 포함하고,
상기 광속제어층의 두께는 상기 파장변환층의 두께와 동일하거나 두꺼운 발광소자 패키지.
A light emitting element;
A wavelength conversion layer covering an upper surface and a side surface of the light emitting device; And
And a light flux control layer covering an upper surface and a side surface of the wavelength conversion layer,
Wherein the thickness of the light flux control layer is equal to or thicker than the thickness of the wavelength conversion layer.
상기 파장변환층과 광속제어층의 상부면 두께 비는 1:1 내지 1:5인 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
And the upper surface thickness ratio of the wavelength conversion layer and the light flux control layer is 1: 1 to 1: 5.
상기 파장변환층과 광속제어층의 상부면 두께 비는 1:1 내지 1:3인 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
And the upper surface thickness ratio of the wavelength conversion layer and the light flux control layer is 1: 1 to 1: 3.
상기 파장변환층 및 광속제어층의 하부에 배치되는 반사층을 포함하는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
And a reflective layer disposed below the wavelength conversion layer and the light flux control layer.
상기 광속제어층은 출사광의 지향각을 조절하는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the light flux control layer adjusts a directivity angle of emitted light.
출사광의 지향각은 137°내지 142°를 만족하는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
And the directing angle of the emitted light satisfies 137 ° to 142 °.
상기 발광소자의 상부면 및 측면을 커버하는 파장변환층을 형성하는 단계; 및
상기 파장변환층의 상부면 및 측면을 커버하는 광속제어층 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 광속제어층 형성하는 단계는 상기 광속제어층의 두께를 조절하여 출사광의 광속 또는 지향각을 제어하는 발광소자 패키지 제조방법.Preparing a light emitting element;
Forming a wavelength conversion layer covering a top surface and a side surface of the light emitting device; And
And forming a light flux control layer covering the upper surface and the side surface of the wavelength conversion layer,
Wherein the light flux control layer forming step controls the light flux or the directivity angle of the emitted light by adjusting the thickness of the light flux control layer.
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|---|---|---|---|
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