KR102516974B1 - 패턴 프로파일 개선 및 부착력(Adhesion) 증진용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 66
- 230000006872 improvement Effects 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 33
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 60
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims description 26
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 26
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 26
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 24
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 20
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 20
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 19
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 claims description 15
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 6
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OTJFQRMIRKXXRS-UHFFFAOYSA-N (hydroxymethylamino)methanol Chemical compound OCNCO OTJFQRMIRKXXRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VLLPVDKADBYKLM-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VLLPVDKADBYKLM-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- SSDIHNAZJDCUQV-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-heptadecafluorooctane-1-sulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F SSDIHNAZJDCUQV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- BFIAIMMAHAIVFT-UHFFFAOYSA-N 1-[bis(2-hydroxybutyl)amino]butan-2-ol Chemical compound CCC(O)CN(CC(O)CC)CC(O)CC BFIAIMMAHAIVFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BWEHWMULPCRPOA-UHFFFAOYSA-M S(=O)(=O)([O-])C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C(C)(C)(C)C=1C(=C(C=CC1)[I+]C1=CC=CC=C1)C(C)(C)C Chemical compound S(=O)(=O)([O-])C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C(C)(C)(C)C=1C(=C(C=CC1)[I+]C1=CC=CC=C1)C(C)(C)C BWEHWMULPCRPOA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- ITBPIKUGMIZTJR-UHFFFAOYSA-N [bis(hydroxymethyl)amino]methanol Chemical compound OCN(CO)CO ITBPIKUGMIZTJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- ORPDKMPYOLFUBA-UHFFFAOYSA-M diphenyliodanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F ORPDKMPYOLFUBA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- SBQIJPBUMNWUKN-UHFFFAOYSA-M diphenyliodanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 SBQIJPBUMNWUKN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N protonated dimethyl amine Natural products CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical group [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- BYMHDFAVNIHUSW-UHFFFAOYSA-M (2-methoxyphenyl)-phenyliodanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound COC1=CC=CC=C1[I+]C1=CC=CC=C1.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F BYMHDFAVNIHUSW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N diphenyliodanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WLGDAKIJYPIYLR-UHFFFAOYSA-M octane-1-sulfonate Chemical compound CCCCCCCCS([O-])(=O)=O WLGDAKIJYPIYLR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 claims 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 51
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 22
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 21
- 238000011161 development Methods 0.000 description 20
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 17
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- QHNYJSVVPJVSJH-UHFFFAOYSA-M (2-methoxyphenyl)-phenyliodanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.COC1=CC=CC=C1[I+]C1=CC=CC=C1 QHNYJSVVPJVSJH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VZGUKKHVUMSOSL-UHFFFAOYSA-M (2,3-ditert-butylphenyl)-phenyliodanium trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C(C)(C)(C)C=1C(=C(C=CC1)[I+]C1=CC=CC=C1)C(C)(C)C VZGUKKHVUMSOSL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-heptadecafluorooctane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- SLPRCRXKVZNQSR-UHFFFAOYSA-N heptan-4-one Chemical compound CCCC(=O)CCC.CCCC(=O)CCC SLPRCRXKVZNQSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- BFVRWGTVFTWBHI-UHFFFAOYSA-N methoxy(phenyl)iodanium Chemical compound CO[I+]C1=CC=CC=C1 BFVRWGTVFTWBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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Abstract
본 발명은, 248nm 파장의 광원으로 노광이 가능한 포토레지스트의 조성물로서, Pattern 쓰러짐(Collapse)이 없는 수직한(Vertical) 프로파일을 구현하기 위하여 화학식 1 내지 화학식 8로 표시되는 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제를 조성물 전체 대비 1 내지 5 중량%로 포함하는 패턴 프로파일 개선 및 부착력(Adhesion) 증진용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 패턴 프로파일을 개선하고 패턴과 기판과의 부착력(Adhesion)을 증진시키기 위한 용도의 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
최근에는 반도체 제조 공정기술의 발전으로 반도체 소자의 소형화 및 고집적화가 요구됨에 따라 수십 nm 이하의 선폭을 갖는 초미세 패턴을 구현하고자 하는 기술이 요구되고 있다. 이러한 초미세 패턴을 형성하기 위한 기술의 진보는 더 작은 파장을 가지는 광원, 광원에 따른 공정 기술 개발, 광원에 적합한 포토레지스트(Photoresist)의 개발 등에 의해 이루어져 왔다.
각종 패턴 형성을 위한 사진식각공정(Photholithography)에서는 포토레지스트가 사용된다. 포토레지스트는 광의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하여 노광 패턴에 대응하는 화상을 얻는 것이 가능한 감광성 수지를 의미한다.
상기 포토레지스트 패턴 형성방법으로는, 네가티브 톤 현상액을 이용하는 것(NTD, Negative Tone Development)과 포지티브 톤 현상액을 이용하는 것(PTD, Positive Tone Development)이 있다.
상기 네가티브 톤 현상액을 이용한 패턴 형성방법은 비노광 영역을 네가티브 톤 현상액으로 선택적 용해 및 제거함으로써 패턴을 형성하는 것이며, 포지티브 톤 현상액을 이용한 패턴 형성방법은 노광 영역을 포지티브 톤 현상액으로 선택적 용해 및 제거함으로써 패턴을 형성하는 것이다.
상기 네가티브 톤 현상액을 이용한 패턴 형성방법은 포지티브 톤 현상액을 이용한 패턴 형성방법과 비교하였을 경우 노광량 부족으로 형성하기 어려운 컨택홀 패턴이나 트렌치 패턴 등에서도 역상의 패턴을 구현함으로써, 동일 패턴 구현 시 패턴의 형성이 용이하고, 노광되지 않은 부분을 제거하기 위한 현상액으로서 유기용매를 사용하므로, 보다 효과적으로 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
한편, 일반적으로 포토레지스트 조성물을 이용한 포토리소그래피 공정은 웨이퍼 상에 포토레지스트를 코팅하는 공정, 코팅된 포토레지스트를 가열하여 용제를 증발시키는 소프트베이킹 공정, 포토마스크를 통과한 광원에 의해 이미지화하는 공정, 현상액을 이용하여 노광부, 비노광부의 용해도 차이에 의해 패턴을 형성하는 공정, 이를 식각하여 회로를 완성하는 공정으로 이루어진다.
상기 포토레지스트 조성물은 엑사이머 레이저 조사에 의해 산을 발생하는 감광제(Photo Acid Generator)와 기초수지 및 기타 첨가제로 이루어져 있다. 기초수지에는 페놀 구조에 수산기가 있는 구조로 폴리스티렌 중합체가 기본적으로 사용이 되며, 감광제로는 특정 파장에서 산(H+)을 발생시킬 수 있으면 모두 가능하며, 주로 설포늄염계, 설포닐디아조계, 벤조설포닐계, 요오드계, 염소계, 카르복실산계 등이 주로 사용되고 있다.
또한, 상기와 같은 공정에 주로 사용하고 있는 광원은 i-선, KrF 엑사이머 레이저, ArF 엑사이머 레이저 광원을 이용한 365 nm 내지 193 nm의 파장 영역이며, 짧은 파장일수록 더욱더 미세한 패턴을 형성할 수 있는 것으로 알려져 있다.
그 중에서도 KrF 레이저(248 nm) 포토레지스트는 이후 ArF 레이저(193 nm) 시스템이 개발되었음에도 꾸준히 광미세 가공을 추구하려는 연구 개발이 진행되고 있다. 그 이유로서는, 차세대 ArF 포토레지스트의 개발이 아직 만족스럽지 못하다는 면도 있지만 KrF 내지 i-Line 포토레지스트를 그대로 사용한다면 반도체 대량생산에 있어서 원가 절감 효과가 크다는 것을 들 수 있다. 이러한 기술 개발에 대응하여 KrF 내지 i-Line 포토레지스트의 성능도 향상되어야 하는데, 대표적인 예를들면 고집적화에 따라 점차 포토레지스트의 두께 감소가 요구되므로 건식 에칭 내성이 보다 강화된 포토레지스트의 개발이 절실히 요구되고 있다. 이외에도 요구되는 특성으로서 높은 해상도, 넓은 DOF(Depth Of Focus) Margin, 무결점의 박막 형성, 기판에 대한 접착력, 높은 Contrast, 빠른 감도, 화학적 안정성 등이 있다.
상기와 같이 KrF 내지 i-Line 포토레지스트 기술에 대한 종래 특허로는, 대한민국 등록특허공보 제10-0047038호 「화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물」, 대한민국 등록특허공보 제10-1363842호 「화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한레지스트 패턴 형성 방법」, 대한민국 등록특허공보 제10-1204915호 「포토레지스트 중합체, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 패턴 형성 방법」, 대한민국 등록특허공보 제10-0273108호 「포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물」, 대한민국 등록특허공보 제10-1655947호 「고해상도 및 고아스펙트비를 갖는 KrF 레이저용 네가티브형 포토레지스트 조성물」, 대한민국 등록특허공보 제10-1977886호 「패턴 프로파일 개선용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물」등이 개시되어 있다.
상기의 특허에도 기술된 바와 같이 KrF 내지 i-Line용 포토레지스트는 해상도와 감도를 좋게 하기 위해 248nm 내지 365nm 파장의 투과도가 좋은 폴리하이드록시스티렌 및 폴리스티렌 중합체를 기본 폴리머로 주로 사용하고 있다.
이러한 폴리하이드록시스티렌 및 폴리스티렌 중합체를 기본으로한 포지티브용 포토레지스트는 경사진(Slope) 패턴모양 또는 풋팅(Footing) 현상 등으로 248nm 내지 365nm 광원을 기본으로 한 공정에서 사용 가능한 범위가 한정이 되어 어려움이 있으며, Photoresist의 두께(Thickness)가 증가 됨에 따라 구현 가능한 해상도(Resolution)가 감소되며, 하부 막질의 종류에 따라 부착력(Adhesion) 부족 등의 문제로 인하여 Pattern 쓰러짐 등의 공정상의 문제가 발생하는 단점이 중요한 이슈가 되고 있다.
본 발명은, 패턴 프로파일 개선 및 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진에 효과가 있는 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제를 적정량을 첨가함으로써 기존의 KrF 내지 i-Line 포지티브 포토레지스트에 비하여 패턴 프로파일이 개선되고 패턴의 붕괴가 발생하지 않아 공정마진 개선이 가능한 KrF 내지 i-Line 광원용 포토레지스트 조성물을 제공하기 위한 목적을 갖는 것이다.
즉, 수직한(Vertical) 프로파일의 확보가 가능하게 되어 패턴 프로파일이 개선되며, 패턴과 하부 막질과의 안정적인 부착력(Adhesion) 확보가 가능하게 되어 패턴의 붕괴가 발생하지 않는 KrF 내지 i-Line 광원용 포토레지스트 조성물을 제공하기 위한 목적을 갖는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1 내지 화학식 7로 표시되는 분자량 100 내지 200인 화학증폭형 레지스트용 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제를 포함하는 KrF 내지 i-Line 광원용 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 2]
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[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
[화학식 7]
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
[화학식 7]
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본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 화학식으로 표시되는 레지스트용 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제 및 유사 구조는 국내/외 다수의 공급자로부터 상업적으로 입수할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 화학식으로 표시되는 레지스트용 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제는 분자량이 100 내지 200인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 레지스트용 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제는 조성물 총 중량에 대하여, 중합체 수지 5 내지 60 중량%, 화학식 1 내지 화학식 7로 표시되는 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제 1 내지 5 중량%, 광산발생제 0.05 내지 10 중량%, 및 산확산방지제 0.01 내지 5 중량% 및 나머지는 용매를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 중합체 수지는 통상적으로 사용되는 포토레지스트 수지면 어느 것이나 가능하며, 아래 수산기가 포함된 페놀 중합체 수지 화학식 8 내지 화학식 12로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 한다.
[화학식 8]
(상기 구조에서, R4는 아래 화학식 a 내지 화학식 p 구조 중에서 선택이 되는 하나의 구조이다.)
<화학식 a>
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<화학식 c>
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[화학식 9]
(상기 구조에서, R5는 R4와 동일하며 화학식 a 내지 화학식 p 구조 중에서 선택이 되는 하나의 구조이다.)
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[화학식 10]
(상기 구조에서, R6과 R7은 화학식 a 내지 화학식 p 구조 중에서 선택이 되는 하나의 또는 그 이상의 구조이다.)
[화학식 11]
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(상기 구조에서, R8과 R9는 화학식 a 내지 화학식 p 구조 중에서 선택이 되는 하나의 또는 그 이상의 구조이다.)
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[화학식 12]
(상기 구조에서, R10, R11, R12는 화학식 a 내지 화학식 p 구조 중에서 선택이 되는 하나의 또는 그 이상의 구조이다.)
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 페놀 중합체 수지는 아래 수산기가 포함된 페놀 중합체 수지 화학식 8 내지 화학식 12로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 광산발생제는 트리페닐술포늄트리플레이트(Triphenylsulfoniumtriflate), 트리페닐술포늄안티몬산염(Triphenylsulfoniumantimonate), 디페닐요도늄트리플레이트(Diphenyliodoniumtriflate), 디페닐요도늄안티몬산염(Diphenyliodoniumantimonate), 메톡시디페닐요도늄트리플레이트(Methoxydiphenyliodoniumtriflate), 디-t-부틸디페닐요도늄트리플레이트(Di-t-buthyldiphenyliodoniumtriflate), 노르보넨디카르복시이미드트리플레이트(Norbornenedicarboxyimidetriflate), 트리페닐술포늄노나플레이트(Triphenylsulfoniumnonaflate), 디페닐요도늄노나플레이트(Diphenyliodoniumnonaflate), 메톡시디페닐요도늄노나플레이트(Methoxydiphenyliodoniumnonaflate), 디-t-부틸디페닐요도늄노나플레이트(Di-t-buthyldiphenyliodoniumnonaflate), N-히드록시숙신이미드노나플레이트(N-hydroxysuccinimidenonaflate), 노르보넨디카르복시이미드노나플레이트(Norbornenedicarboxyimidenonaflate), 트리페닐술포늄퍼플루오르옥탄술포네이트(Triphenylsulfoniumperfluorooctanesulfonate), 디페닐요도눔퍼플루오르옥탄술포네이트(Diphenyliodoniumperfluorooctanesulfonate), 메톡시페닐요도늄퍼플루오르옥탄술포네이트(Methoxydiphenyliodoniumperfluorooctanesulfonate), 디-t-부틸디페닐요도늄퍼플루오르옥탄술포네이트(Methoxydiphenyliodoniumperfluorooctanesulfonate), N-히드록시숙신이미드퍼플루오르옥탄술포네이트(N-hydroxysuccinimideperfluorooctanesulfonate) 및 노르보넨디카르복시이미드퍼플루오르옥탄술포네이트(Norbornenedicarboxyimideperfluorooctanesulfonate)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 산확산방지제는 디메틸아민(Dimethylamine), 디에틸아민(Diethylamine), 트리메틸아민(Trimethylamine), 트리에틸아민(Triethylamine), 트리부틸아민(Tributhylamine), 디메탄올아민(Dimethanolamine), 디에탄올아민(Diethanolamine), 트리메탄올아민(Trimethanolamine), 트리에탄올아민(Triethanolamine) 및 트리부탄올아민(Tributhanolamine)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 패턴 프로파일 개선 및 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진에 효과가 있는 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제를 적정량을 첨가함으로써 기존의 KrF 내지 i-Line 포지티브 포토레지스트에 비하여 패턴 프로파일이 개선되고 패턴의 붕괴가 발생하지 않아 공정마진 개선이 가능한 KrF 내지 i-Line 광원용 포토레지스트 조성물을 제공하는 효과를 나타내는 것이다.
즉, 수직한(Vertical) 프로파일의 확보가 가능하게 되어 패턴 프로파일이 개선되며, 패턴과 하부 막질과의 안정적인 부착력(Adhesion) 확보가 가능하게 되어 패턴의 붕괴가 발생하지 않는 KrF 내지 i-Line 광원용 포토레지스트 조성물을 제공하는 효과를 나타내는 것이다.
다른 식으로 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 숙련된 전문가에 의해서 통상적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로, 본 명세서에서 사용된 명명법 은 본 기술 분야에서 잘 알려져 있고 통상적으로 사용되는 것이다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 발명에서 제시하는 “패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제” 이라 함은 248nm 내지 365nm 광원에 노출을 시키는 과정 이후에 진행이 되는 PEB(Post Exposed Bake) 또는 HB(Hard Bake) 과정에서 열에 의해 분해되는 과정에서 하부막질과의 반을을 통한 부착력 향상이 가능한 첨가제를 의미한다.
본 발명에서 ‘포토레지스트(Photoresist)’라 함은 고분자와 감광제가 섞인 혼합물로 빛에 의해 그 화학적인 성질이 변화하여 어떤 파장의 빛에 노출시키면 특정 용매에 대한 용해도가 바뀌게 되는데, 그 용매에 대한 노광부와 비노광부의 용해 속도에 차이가 나서 일정 시간의 용해 시간이 지나면 미쳐 다 녹지 않은 부분이 남아 패턴 형성이 되는 것을 의미한다.
본 발명에서 ‘광식각(Photolithographic) 공정’이라 함은 상기와 같은 포토레지스트의 성질을 이용하여 반도체가 그려진 설계도를 새겨 넣은 마스크(Mask)를 광원과 실리콘 웨이퍼 위에 코팅된 포토레지스트 막 사이에 넣고 광원을 켜면 마스크에 새겨진 회로가 그대로 포토레지스트에 옮겨지게 되는 것을 의미한다.
본 발명에서 ‘KrF’라 함은 248nm의 파장을 갖는 광원, ‘i-Line’라 함은 365nm의 파장을 갖는 광원을 의미한다.
본 발명의 일 구현 예는, 하기 화학식 1 내지 7로 표시되는 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 프로파일 개선 및 부착력(Adhesion) 증진용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
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[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
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[화학식 7]
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본 발명에 따른 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제를 포함하는 패턴 프로파일 개선 및 부착력(Adhesion) 증진용 포지티브형 포토레지스트 조성물은 조성물 총 중량에 대하여, 중합체 수지 5 내지 60 중량%, 화학식 1 내지 화학식 7로 표시되는 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제 1 내지 5 중량%, 광산발생제 0.05 내지 10 중량%, 및 산확산방지제 0.01 내지 5 중량% 및 나머지는 용매를 포함하는 것을 것일 수 있다.
상기 화학식 1 내지 화학식 7로 표시되는 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제는 조성물 총 중량에 대하여, 1 내지 5 중량%를 포함하는 것이 바람직하다. 만일, 상기 화합물을 0.1 중량% 미만으로 사용할 경우에는 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제의 양이 너무 적어 수직한(Vertical) 프로파일을 확보가 불가능 한 것과 Pattern Collapse(쓰러짐) 문제가 방생하는 등의 부착력 개선에 효과가 없으며, 5 중량%을 초과하여 사용할 경우에는 수직한(Vertical) 프로파일을 확보 및 Pattern Collapse(쓰러짐)문제는 없으나 기타 감도(Sensitivity)가 느려지는 등의 공정마진 감소 등의 원인이 되므로 바람직하지 않다.
상기 중합체 수지는 통상적으로 사용되는 포토레지스트 수지면 어느 것이나 가능하며, 아래 수산기가 포함된 페놀 중합체 수지 화학식 8 내지 화학식 12로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 한다.
[화학식 8]
(상기 구조에서, R4는 아래 화학식 a 내지 화학식 p 구조 중에서 선택이 되는 하나의 구조이다.)
<화학식 a>
<화학식 b>
<화학식 c>
<화학식 d>
<화학식 e>
<화학식 f>
<화학식 g>
<화학식 h>
<화학식 i>
<화학식 j>
<화학식 k>
<화학식 l>
<화학식 m>
<화학식 n>
<화학식 o>
<화학식 p>
[화학식 9]
(상기 구조에서, R5는 R4와 동일하며 화학식 a 내지 화학식 p 구조 중에서 선택이 되는 하나의 구조이다.)
[화학식 10]
(상기 구조에서, R6과 R7은 화학식 a 내지 화학식 p 구조 중에서 선택이 되는 하나의 또는 그 이상의 구조이다.)
[화학식 11]
(상기 구조에서, R8과 R9는 화학식 a 내지 화학식 p 구조 중에서 선택이 되는 하나의 또는 그 이상의 구조이다.)
[화학식 12]
(상기 구조에서, R10, R11, R12는 화학식 a 내지 화학식 p 구조 중에서 선택이 되는 하나의 또는 그 이상의 구조이다.)
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 페놀 중합체 수지는 아래 수산기가 포함된 페놀 중합체 수지 화학식 8 내지 화학식 12로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 한다.
상기 중합체 수지는 조성물 총 중량에 대하여, 중합체 수지 5 내지 60 중량%를 포함하는 것이 바람직하다. 만일, 중합체 수지를 5 중량% 미만으로 사용할 경우에는 프로파일 불량, Scum, Etch 내성 불량 등의 문제점이 있고, 60 중량%을 초과하여 사용할 경우에는 현상부족으로 인한 패터닝(Patterning)불량이 발생되는 문제점이 있을 수 있다.
상기 광산발생제는 트리페닐술포늄트리플레이트(Triphenylsulfoniumtriflate), 트리페닐술포늄안티몬산염(Triphenylsulfoniumantimonate), 디페닐요도늄트리플레이트(Diphenyliodoniumtriflate), 디페닐요도늄안티몬산염(Diphenyliodoniumantimonate), 메톡시디페닐요도늄트리플레이트(Methoxydiphenyliodoniumtriflate), 디-t-부틸디페닐요도늄트리플레이트(Di-t-buthyldiphenyliodoniumtriflate), 노르보넨디카르복시이미드트리플레이트(Norbornenedicarboxyimidetriflate), 트리페닐술포늄노나플레이트(Triphenylsulfoniumnonaflate), 디페닐요도늄노나플레이트(Diphenyliodoniumnonaflate), 메톡시디페닐요도늄노나플레이트(Methoxydiphenyliodoniumnonaflate), 디-t-부틸디페닐요도늄노나플레이트(Di-t-buthyldiphenyliodoniumnonaflate), N-히드록시숙신이미드노나플레이트(N-hydroxysuccinimidenonaflate), 노르보넨디카르복시이미드노나플레이트(Norbornenedicarboxyimidenonaflate), 트리페닐술포늄퍼플루오르옥탄술포네이트(Triphenylsulfoniumperfluorooctanesulfonate), 디페닐요도눔퍼플루오르옥탄술포네이트(Diphenyliodoniumperfluorooctanesulfonate), 메톡시페닐요도늄퍼플루오르옥탄술포네이트(Methoxydiphenyliodoniumperfluorooctanesulfonate), 디-t-부틸디페닐요도늄퍼플루오르옥탄술포네이트(Methoxydiphenyliodoniumperfluorooctanesulfonate), N-히드록시숙신이미드퍼플루오르옥탄술포네이트(N-hydroxysuccinimideperfluorooctanesulfonate) 및 노르보넨디카르복시이미드퍼플루오르옥탄술포네이트(Norbornenedicarboxyimideperfluorooctanesulfonate)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 포함하는 것일 수 있다.
상기 광산발생제는 조성물 총 중량에 대하여, 광산발생제를 0.05 내지 10 중량%를 포함하는 것이 바람직하다. 만일, 광산발생제를 0.05 중량% 미만으로 사용할 경우에는 발생하는 산의 부족으로 패턴 경사면이 심해지는 현상이 발생하며, 10 중량%을 초과할 경우에는 노광원의 빛을 광산발생제가 흡수하여 투과율을 감소시킴으로써 Define이 안 되는 등의 패턴 불량 문제가 발생할 수 있다.
상기 산확산방지제는 디메틸아민(Dimethylamine), 디에틸아민(Diethylamine), 트리메틸아민(Trimethylamine), 트리에틸아민(Triethylamine), 트리부틸아민(Tributhylamine), 디메탄올아민(Dimethanolamine), 디에탄올아민(Diethanolamine), 트리메탄올아민(Trimethanolamine), 트리에탄올아민(Triethanolamine) 및 트리부탄올아민(Tributhanolamine)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 포함하는 것일 수 있다.
상기 산확산방지제는 조성물 총 중량에 대하여, 산확산방지제를 0.01 내지 5 중량%를 포함하는 것이 바람직하다. 만일, 산확산방지제를 0.01 중량% 미만으로 사용할 경우에는 과도한 산 발생으로 패턴의 벽면 또는 모서리 부분의 패턴이 불량(LWR, LER)해지는 등의 패턴의 불량 문제가 발생할 수 있으며, 5 중량%을 초과할 경우에는 패턴 형성이 불가능해지는 경우가 발생할 수 있는 문제점이 있다.
한편, 본 발명의 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제를 포함하는 패턴 프로파일 개선 및 부착력(Adhesion) 증진용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물의 두께는 사용하는 용매의 종류 및 사용량에 따라 2,000Å 내지 200,000Å로 사용이 가능하며, 용매 중량 대비 10 내지 90 중량%로 녹인 후 사용할 수 있다.
상기 용매로는 에틸렌글리콜모노메틸에테르(Ethyleneglycolmonomethylether), 에틸렌글리콜모노에틸에테르(Ethyleneglycolmonoethylether), 메틸셀로솔브아세테이트(Methylcellosolveacetate), 에틸셀로솔브아세테이트(Ethylcellosolveacetate), 디에틸렌글리콜모노메틸에테르(Diethyleneglycolmonomethylether), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(Diethyleneglycolmonoethylether), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PropyleneglycolMonomethylether), 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(Propyleneglycolmethyletheracetate), 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트(Propyleneglycolpropyletheracetate), 디에틸렌글리콜디메틸에테르(Diethyleneglycoldimethylether), 에틸락테이트(Ethyllactate), 톨루엔(Toluene), 자이렌(Xylene), 메틸에틸케톤(Methylethylketone), 사이클로헥사논(Cyclohexanone), 2-헵타논(2-heptanone), 3-헵타논(3-heptanone), 4-헵타논(4-heptanone) 등을 사용 할 수 있으며, 단독 또는 혼합하여 사용 할 수 있다.
진술된 바와 같이, 본 발명으로부터 제공되는 본 발명의 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제를 포함하는 패턴 프로파일 개선 및 부착력(Adhesion) 증진용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물은 화학식 1 내지 화학식 8으로 표시되는 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제에 의하여 노광 에너지에 따른 수직한(Vertical) 프로파일을 얻을 수 있으며, 부착력(Adhesion) 증진에 효과가 있어 기존의 KrF 내지 i-Line PR 대비 공정 마진을 제공 할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 예시하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것으로 해석되지 않는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.
실시예 1
기초수지로 중량평균분자량이 15,000인 페놀 중합체 수지(화학식 11에서 R8은 화학식 a, R9는 화학식 c 이며, 공중합 몰비율 h, i, j가 각각 7, 2, 1인 구조) 100g, 중량평균분자량이 150인 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제 (화학식 1 구조) 3.5g, 광산발생제로 트리페닐술포늄 노나플레이트 4g, 산확산방지제로 트리에탄올아민 0.6g의 조성으로 사용하였고, 용매로는 프로필렌글리콜모노메틸에테르 106.0g, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 106.0g 혼합액을 이용하여 KrF 엑사이머 레이저용 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제조하였다. 상기 제조된 조성물을 스핀 코터를 이용하여 알루미늄(Al)이 코팅된 실리콘 웨이퍼 상에 코팅하고 100℃에서 120초간 소프트 베이킹한 후 목표로 하는 두께 5um를 확인 하였다. 248nm 광원에서 노광 공정을 마치면 120℃에서 90초간 베이킹 공정(PEB)을 진행한 후 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드로 현상하는 공정을 진행하여 패턴을 형성하였다. 그 결과, 감도 118mJ/cm2로 확인 되며, 라인/스페이스 기준 해상도 3.0㎛의 Pattern Slope 경사각이 84.3 O 인 Positive Slope Pattern을 확인하였으며, 패턴 쓰러짐은 확인되지 않았다.
실시예 2
기초수지로 중량평균분자량이 15,000인 페놀 중합체 수지(화학식 11에서 R8은 화학식 a, R9는 화학식 c 이며, 공중합 몰비율 h, i, j가 각각 7, 2, 1인 구조) 100g, 중량평균분자량이 150인 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제 (화학식 1 구조) 5.0g, 광산발생제로 트리페닐술포늄 노나플레이트 4g, 산확산방지제로 트리에탄올아민 0.6g의 조성으로 사용하였고, 용매로는 프로필렌글리콜모노메틸에테르 107.5g, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 107.5g 혼합액을 이용하여 KrF 엑사이머 레이저용 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제조하였다. 상기 제조된 조성물을 스핀 코터를 이용하여 알루미늄(Al)이 코팅된 실리콘 웨이퍼 상에 코팅하고 100℃에서 120초간 소프트 베이킹한 후 목표로 하는 두께 5um를 확인 하였다. 248nm 광원에서 노광 공정을 마치면 120℃에서 90초간 베이킹 공정(PEB)을 진행한 후 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드로 현상하는 공정을 진행하여 패턴을 형성하였다. 그 결과, 감도 117mJ/cm2로 확인 되며, 라인/스페이스 기준 해상도 2.8㎛의 Pattern Slope 경사각이 84.9 O 인 Positive Slope Pattern을 확인하였으며, 패턴 쓰러짐은 확인되지 않았다.
실시예 3
기초수지로 중량평균분자량이 15,000인 페놀 중합체 수지(화학식 11에서 R8은 화학식 a, R9는 화학식 c 이며, 공중합 몰비율 h, i, j가 각각 7, 2, 1인 구조) 100g, 중량평균분자량이 150인 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제 (화학식 1 구조) 7.5g, 광산발생제로 트리페닐술포늄 노나플레이트 4g, 산확산방지제로 트리에탄올아민 0.6g의 조성으로 사용하였고, 용매로는 프로필렌글리콜모노메틸에테르 110.0g, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 110.0g 혼합액을 이용하여 KrF 엑사이머 레이저용 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제조하였다. 상기 제조된 조성물을 스핀 코터를 이용하여 알루미늄(Al)이 코팅된 실리콘 웨이퍼 상에 코팅하고 100℃에서 120초간 소프트 베이킹한 후 목표로 하는 두께 5um를 확인 하였다. 248nm 광원에서 노광 공정을 마치면 120℃에서 90초간 베이킹 공정(PEB)을 진행한 후 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드로 현상하는 공정을 진행하여 패턴을 형성하였다. 그 결과, 감도 115mJ/cm2로 확인 되며, 라인/스페이스 기준 해상도 2.8㎛의 Pattern Slope 경사각이 85.4 O 인 Positive Slope Pattern을 확인하였으며, 패턴 쓰러짐은 확인되지 않았다.
실시예 4
기초수지로 중량평균분자량이 15,000인 페놀 중합체 수지(화학식 11에서 R8은 화학식 a, R9는 화학식 c 이며, 공중합 몰비율 h, i, j가 각각 7, 2, 1인 구조) 100g, 중량평균분자량이 150인 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제 (화학식 1 구조) 10.0g, 광산발생제로 트리페닐술포늄 노나플레이트 4g, 산확산방지제로 트리에탄올아민 0.6g의 조성으로 사용하였고, 용매로는 프로필렌글리콜모노메틸에테르 112.5g, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 112.5g 혼합액을 이용하여 KrF 엑사이머 레이저용 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제조하였다. 상기 제조된 조성물을 스핀 코터를 이용하여 알루미늄(Al)이 코팅된 실리콘 웨이퍼 상에 코팅하고 100℃에서 120초간 소프트 베이킹한 후 목표로 하는 두께 5um를 확인 하였다. 248nm 광원에서 노광 공정을 마치면 120℃에서 90초간 베이킹 공정(PEB)을 진행한 후 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드로 현상하는 공정을 진행하여 패턴을 형성하였다. 그 결과, 감도 112mJ/cm2로 확인 되며, 라인/스페이스 기준 해상도 2.5㎛의 Pattern Slope 경사각이 88.8 O 인 Positive Slope Pattern을 확인하였으며, 패턴 쓰러짐은 확인되지 않았다.
실시예 5
기초수지로 중량평균분자량이 15,000인 페놀 중합체 수지(화학식 11에서 R8은 화학식 a, R9는 화학식 c 이며, 공중합 몰비율 h, i, j가 각각 7, 2, 1인 구조) 100g, 중량평균분자량이 150인 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제 (화학식 1 구조) 12.5g, 광산발생제로 트리페닐술포늄 노나플레이트 4g, 산확산방지제로 트리에탄올아민 0.6g의 조성으로 사용하였고, 용매로는 프로필렌글리콜모노메틸에테르 115.0g, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 115.0g 혼합액을 이용하여 KrF 엑사이머 레이저용 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제조하였다. 상기 제조된 조성물을 스핀 코터를 이용하여 알루미늄(Al)이 코팅된 실리콘 웨이퍼 상에 코팅하고 100℃에서 120초간 소프트 베이킹한 후 목표로 하는 두께 5um를 확인 하였다. 248nm 광원에서 노광 공정을 마치면 120℃에서 90초간 베이킹 공정(PEB)을 진행한 후 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드로 현상하는 공정을 진행하여 패턴을 형성하였다. 그 결과, 감도 110mJ/cm2로 확인 되며, 라인/스페이스 기준 해상도 2.4㎛의 Pattern Slope 경사각이 89.2 O 인 Positive Slope Pattern을 확인하였으며, 패턴 쓰러짐은 확인되지 않았다.
실시예 6
기초수지로 중량평균분자량이 15,000인 페놀 중합체 수지(화학식 11에서 R8은 화학식 a, R9는 화학식 c 이며, 공중합 몰비율 h, i, j가 각각 7, 2, 1인 구조) 100g, 중량평균분자량이 150인 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제 (화학식 1 구조) 13.0g, 광산발생제로 트리페닐술포늄 노나플레이트 4g, 산확산방지제로 트리에탄올아민 0.6g의 조성으로 사용하였고, 용매로는 프로필렌글리콜모노메틸에테르 115.5g, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 115.5g 혼합액을 이용하여 KrF 엑사이머 레이저용 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제조하였다. 상기 제조된 조성물을 스핀 코터를 이용하여 알루미늄(Al)이 코팅된 실리콘 웨이퍼 상에 코팅하고 100℃에서 120초간 소프트 베이킹한 후 목표로 하는 두께 5um를 확인 하였다. 248nm 광원에서 노광 공정을 마치면 120℃에서 90초간 베이킹 공정(PEB)을 진행한 후 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드로 현상하는 공정을 진행하여 패턴을 형성하였다. 그 결과, 감도 109mJ/cm2로 확인 되며, 라인/스페이스 기준 해상도 2.4㎛의 Pattern Slope 경사각이 91.9 O 인 미세한 Negative Slope Pattern을 확인하였으며, 패턴 쓰러짐은 확인되지 않았다.
실시예 7
기초수지로 중량평균분자량이 15,000인 페놀 중합체 수지(화학식 11에서 R8은 화학식 a, R9는 화학식 c 이며, 공중합 몰비율 h, i, j가 각각 7, 2, 1인 구조) 100g, 중량평균분자량이 150인 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제 (화학식 1 구조) 14.0g, 광산발생제로 트리페닐술포늄 노나플레이트 4g, 산확산방지제로 트리에탄올아민 0.6g의 조성으로 사용하였고, 용매로는 프로필렌글리콜모노메틸에테르 116.5g, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 116.5g 혼합액을 이용하여 KrF 엑사이머 레이저용 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제조하였다. 상기 제조된 조성물을 스핀 코터를 이용하여 알루미늄(Al)이 코팅된 실리콘 웨이퍼 상에 코팅하고 100℃에서 120초간 소프트 베이킹한 후 목표로 하는 두께 5um를 확인 하였다. 248nm 광원에서 노광 공정을 마치면 120℃에서 90초간 베이킹 공정(PEB)을 진행한 후 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드로 현상하는 공정을 진행하여 패턴을 형성하였다. 그 결과, 감도 107mJ/cm2로 확인 되며, 라인/스페이스 기준 해상도 2.3㎛의 Pattern Slope 경사각이 92.2 O 인 미세한 Negative Slope Pattern을 확인하였으며, 패턴 쓰러짐은 확인되지 않았다.
실시예 8
기초수지로 중량평균분자량이 15,000인 페놀 중합체 수지(화학식 11에서 R8은 화학식 a, R9는 화학식 c 이며, 공중합 몰비율 h, i, j가 각각 7, 2, 1인 구조) 100g, 중량평균분자량이 150인 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제 (화학식 1 구조) 15.5g, 광산발생제로 트리페닐술포늄 노나플레이트 4g, 산확산방지제로 트리에탄올아민 0.6g의 조성으로 사용하였고, 용매로는 프로필렌글리콜모노메틸에테르 118.0g, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 118.0g 혼합액을 이용하여 KrF 엑사이머 레이저용 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제조하였다. 상기 제조된 조성물을 스핀 코터를 이용하여 알루미늄(Al)이 코팅된 실리콘 웨이퍼 상에 코팅하고 100℃에서 120초간 소프트 베이킹한 후 목표로 하는 두께 5um를 확인 하였다. 248nm 광원에서 노광 공정을 마치면 120℃에서 90초간 베이킹 공정(PEB)을 진행한 후 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드로 현상하는 공정을 진행하여 패턴을 형성하였다. 그 결과, 감도 105mJ/cm2로 확인 되며, 라인/스페이스 기준 해상도 2.3㎛의 Pattern Slope 경사각이 94.8 O 인 미세한 Negative Slope Pattern을 확인하였으며, 패턴 쓰러짐은 확인되지 않았다.
실시예 9
기초수지로 중량평균분자량이 15,000인 페놀 중합체 수지(화학식 11에서 R8은 화학식 a, R9는 화학식 c 이며, 공중합 몰비율 h, i, j가 각각 7, 2, 1인 구조) 100g, 중량평균분자량이 150인 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제 (화학식 1 구조) 17.5g, 광산발생제로 트리페닐술포늄 노나플레이트 4g, 산확산방지제로 트리에탄올아민 0.6g의 조성으로 사용하였고, 용매로는 프로필렌글리콜모노메틸에테르 119.0g, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 119.0g 혼합액을 이용하여 KrF 엑사이머 레이저용 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제조하였다. 상기 제조된 조성물을 스핀 코터를 이용하여 알루미늄(Al)이 코팅된 실리콘 웨이퍼 상에 코팅하고 100℃에서 120초간 소프트 베이킹한 후 목표로 하는 두께 5um를 확인 하였다. 248nm 광원에서 노광 공정을 마치면 120℃에서 90초간 베이킹 공정(PEB)을 진행한 후 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드로 현상하는 공정을 진행하여 패턴을 형성하였다. 그 결과, 감도 104mJ/cm2로 확인 되며, 라인/스페이스 기준 해상도 2.3㎛의 Pattern Slope 경사각이 95.1 O 인 미세한 Negative Slope Pattern을 확인하였으며, 패턴 쓰러짐은 확인되지 않았다.
비교예 1
상기 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제를 첨가하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실험을 진행하였다. 그 결과, 감도 125mJ/cm2로 확인 되며, 라인/스페이스 기준 해상도 3.5㎛의 Pattern 확인이 가능하나 Pattern Collaps 발생이 확인되었다.
비교예 2
기초수지로 중량평균분자량이 15,000인 페놀 중합체 수지(화학식 11에서 R8은 화학식 a, R9는 화학식 c 이며, 공중합 몰비율 h, i, j가 각각 7, 2, 1인 구조) 100g, 중량평균분자량이 150인 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제 (화학식 1 구조) 2.5g, 광산발생제로 트리페닐술포늄 노나플레이트 4g, 산확산방지제로 트리에탄올아민 0.6g의 조성으로 사용하였고, 용매로는 프로필렌글리콜모노메틸에테르 105.0g, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 105.0g 혼합액을 이용하여 KrF 엑사이머 레이저용 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제조하였다. 상기 제조된 조성물을 스핀 코터를 이용하여 알루미늄(Al)이 코팅된 실리콘 웨이퍼 상에 코팅하고 100℃에서 120초간 소프트 베이킹한 후 목표로 하는 두께 5um를 확인 하였다. 248nm 광원에서 노광 공정을 마치면 120℃에서 90초간 베이킹 공정(PEB)을 진행한 후 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드로 현상하는 공정을 진행하여 패턴을 형성하였다. 그 결과, 감도 120mJ/cm2로 확인 되며, 라인/스페이스 기준 해상도 3.0㎛의 Pattern 확인이 가능하나 Pattern Collaps 발생이 확인되었다.
비교예 3
기초수지로 중량평균분자량이 15,000인 페놀 중합체 수지(화학식 11에서 R8은 화학식 a, R9는 화학식 c 이며, 공중합 몰비율 h, i, j가 각각 7, 2, 1인 구조) 100g, 중량평균분자량이 150인 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제 (화학식 1 구조) 20.0g, 광산발생제로 트리페닐술포늄 노나플레이트 4g, 산확산방지제로 트리에탄올아민 0.6g의 조성으로 사용하였고, 용매로는 프로필렌글리콜모노메틸에테르 119.5g, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 119.5g 혼합액을 이용하여 KrF 엑사이머 레이저용 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제조하였다. 상기 제조된 조성물을 스핀 코터를 이용하여 알루미늄(Al)이 코팅된 실리콘 웨이퍼 상에 코팅하고 100℃에서 120초간 소프트 베이킹한 후 목표로 하는 두께 5um를 확인 하였다. 248nm 광원에서 노광 공정을 마치면 120℃에서 90초간 베이킹 공정(PEB)을 진행한 후 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드로 현상하는 공정을 진행하여 패턴을 형성하였다. 그 결과, 감도 101mJ/cm2로 확인 되며, 라인/스페이스 기준 해상도 2.2㎛의 Pattern Slope 경사각이 96.6 O 인 미세한 Negative Slope Pattern을 확인하였으며, 패턴 쓰러짐은 확인되지 않았다.
특성 측정
상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1과 같이 제조된 패턴 프로파일 개선 및 부착력(Adhesion) 증진용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물에 대한 특성을 측정하였다.
해상도와 부착력(Adhesion)은 패턴의 선폭(Critical Dimension)을 관찰할 수 있는 크리티칼디멘션-주사현미경(CD-SEM)을 사용하여 측정하였으며, L/S (Line, Space) 기준으로 최소 선폭(해상도)을 관찰하여 확인하였다. 또한, 감도는 최소 선폭(해상도)을 확인할 수 있는 에너지(Energy)를 감도로 측정하였다.
이와 같이 측정한 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
| 첨가제 (중량%) |
감도 (mJ/cm2) |
해상도 (㎛) |
Pattern Angle ( O ) |
Pattern Collapse 여부 | |
| 실시예 1 | 1.093 | 119 | 3.0 | 84.3 | 정상적인 Profile 형성 |
| 실시예 2 | 1.540 | 117 | 2.8 | 84.9 | 정상적인 Profile 형성 |
| 실시예 3 | 2.258 | 115 | 2.8 | 85.4 | 정상적인 Profile 형성 |
| 실시예 4 | 2.945 | 112 | 2.5 | 88.8 | 정상적인 Profile 형성 |
| 실시예 5 | 3.601 | 110 | 2.4 | 89.2 | 정상적인 Profile 형성 |
| 실시예 6 | 3.729 | 109 | 2.4 | 91.9 | 정상적인 Profile 형성 |
| 실시예 7 | 3.982 | 108 | 2.3 | 92.2 | 정상적인 Profile 형성 |
| 실시예 8 | 4.353 | 105 | 2.3 | 94.8 | 정상적인 Profile 형성 |
| 실시예 9 | 4.860 | 104 | 2.3 | 95.1 | 정상적인 Profile 형성 |
| 비교예 1 | 0.000 | 125 | 3.5 | - | 쓰러짐 발생 |
| 비교예 2 | 0.788 | 120 | 3.0 | - | 쓰러짐 발생 |
| 비교예 3 | 5.501 | 101 | 2.2 | 96.6 | 정상적인 Profile 형성 |
상기와 표 1에서 확인할 수 있듯이, 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제의 추가에 따른 평가 결과 실시예 1 내지 실시예 9는 비교예 1 및 비교예 2보다 감도가 개선되는 것이 확인되었으며, 최소 선폭 사이즈인 해상도 또한 개선되는 것이 확인되었다. 그리고 수직한 Pattern Slope 또한 개선되는 것이 확인되었다.
실시예의 패턴과 하부 막질과의 부착력(Adhesion) 증진을 위한 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제의 함량이 1 내지 5 중량%일 경우 감도, 해상도, Pattern Angle이 종합적으로 우수한 결과를 나타내는 것으로 확인되었으며, 특히 실시예 4 내지 실시예 7의 경우와 같이 2.9 내지 4.0 중량%일 경우 감도, 해상도, Pattern Angle이 종합적으로 우수한 결과를 나타내는 것으로 확인되었다. 크리티칼디멘션-주사현미경(CD-SEM)을 사용하여 확인한 결과 비교예 2 및 비교예 3의 경우 비교예 1과 비교해서 감도, 최소 선폭 사이즈인 해상도에서 개선이 되나 일부 영역에서 Pattern Collapse가 확인되었다.
본 발명의 단순한 변형 또는 변경은 모두 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
Claims (5)
- 248nm 파장의 광원으로 노광이 가능한 포토레지스트의 조성물로서, Pattern 쓰러짐(Collapse)이 없는 수직한(Vertical) 프로파일을 구현하기 위하여, 조성물 총 중량에 대하여, 중합체 수지 5 내지 60 중량%, 하기 화학식 1 내지 화학식 7로 표시되는 다가 알코올(Polyhydric alcohol) 첨가제 1 내지 5 중량%, 광산발생제 0.05 내지 10 중량%, 및 산확산방지제 0.01 내지 5 중량% 및 잔량의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 프로파일 개선 및 부착력(Adhesion) 증진용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물.
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
[화학식 7]
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 중합체 수지는 아래 수산기가 포함된 페놀 중합체 수지 화학식 9 내지 화학식 13으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 패턴 프로파일 개선 및 부착력(Adhesion) 증진용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물.
[화학식 8]
(상기 구조에서, R4는 아래 화학식 a 내지 화학식 p 구조 중에서 선택이 되는 하나의 구조이다.)
<화학식 a>
<화학식 b>
<화학식 c>
<화학식 d>
<화학식 e>
<화학식 f>
<화학식 g>
<화학식 h>
<화학식 i>
<화학식 j>
<화학식 k>
<화학식 l>
<화학식 m>
<화학식 n>
<화학식 o>
<화학식 p>
[화학식 9]
(상기 구조에서, R5는 R4와 동일하며 화학식 a 내지 화학식 p 구조 중에서 선택이 되는 하나의 구조이다.)
[화학식 10]
(상기 구조에서, R6과 R7은 화학식 a 내지 화학식 p 구조 중에서 선택이 되는 하나의 또는 그 이상의 구조이다.)
[화학식 11]
(상기 구조에서, R8과 R9는 화학식 a 내지 화학식 p 구조 중에서 선택이 되는 하나의 또는 그 이상의 구조이다.)
[화학식 12]
(상기 구조에서, R10, R11, R12는 화학식 a 내지 화학식 p 구조 중에서 선택이 되는 하나의 또는 그 이상의 구조이다.)
- 제1항에 있어서, 상기 광산발생제는 트리페닐술포늄트리플레이트(Triphenylsulfoniumtriflate), 트리페닐술포늄안티몬산염(Triphenylsulfoniumantimonate), 디페닐요도늄트리플레이트(Diphenyliodoniumtriflate), 디페닐요도늄안티몬산염(Diphenyliodoniumantimonate), 메톡시디페닐요도늄트리플레이트(Methoxydiphenyliodoniumtriflate), 디-t-부틸디페닐요도늄트리플레이트(Di-t-buthyldiphenyliodoniumtriflate), 2,6-디니트로벤질술포네이트(2,6-dinitrobenzylsulponate), 피로갈롤트리스알킬술포네이트(Pyrogalloltrisalkylsulfonate), 노르보넨디카르복시이미드트리플레이트(Norbornenedicarboxyimidetriflate), 트리페닐술포늄노나플레이트(Triphenylsulfoniumnonaflate), 디페닐요도늄노나플레이트(Diphenyliodoniumnonaflate), 메톡시디페닐요도늄노나플레이트(Methoxydiphenyliodoniumnonaflate), 디-t-부틸디페닐요도늄노나플레이트(Di-t-buthyldiphenyliodoniumnonaflate), N-히드록시숙신이미드노나플레이트(N-hydroxysuccinimidenonaflate), 노르보넨디카르복시이미드노나플레이트(Norbornenedicarboxyimidenonaflate), 트리페닐술포늄퍼플루오르옥탄술포네이트(Triphenylsulfoniumperfluorooctanesulfonate), 디페닐요도눔퍼플루오르옥탄술포네이트(Diphenyliodoniumperfluorooctanesulfonate), 메톡시페닐요도늄퍼플루오르옥탄술포네이트(Methoxydiphenyliodoniumperfluorooctanesulfonate), 디-t-부틸디페닐요도늄퍼플루오르옥탄술포네이트(Methoxydiphenyliodoniumperfluorooctanesulfonate), N-히드록시숙신이미드퍼플루오르옥탄술포네이트(N-hydroxysuccinimideperfluorooctanesulfonate) 및 노르보넨디카르복시이미드퍼플루오르옥탄술포네이트(Norbornenedicarboxyimideperfluorooctanesulfonate)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 프로파일 개선 및 부착력(Adhesion) 증진용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 산확산방지제는 디메틸아민(Dimethylamine), 디에틸아민(Diethylamine), 트리메틸아민(Trimethylamine), 트리에틸아민(Triethylamine), 트리부틸아민(Tributhylamine), 디메탄올아민(Dimethanolamine), 디에탄올아민(Diethanolamine), 트리메탄올아민(Trimethanolamine), 트리에탄올아민(Triethanolamine) 및 트리부탄올아민(Tributhanolamine)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 프로파일 개선 및 부착력(Adhesion) 증진용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220133202A KR102516974B1 (ko) | 2022-10-17 | 2022-10-17 | 패턴 프로파일 개선 및 부착력(Adhesion) 증진용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물 |
| PCT/KR2022/016245 WO2024085292A1 (ko) | 2022-10-17 | 2022-10-24 | 패턴 프로파일 개선 및 부착력(adhesion) 증진용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020220133202A KR102516974B1 (ko) | 2022-10-17 | 2022-10-17 | 패턴 프로파일 개선 및 부착력(Adhesion) 증진용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR102516974B1 true KR102516974B1 (ko) | 2023-04-04 |
Family
ID=85929148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220133202A KR102516974B1 (ko) | 2022-10-17 | 2022-10-17 | 패턴 프로파일 개선 및 부착력(Adhesion) 증진용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102516974B1 (ko) |
| WO (1) | WO2024085292A1 (ko) |
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-
2022
- 2022-10-17 KR KR1020220133202A patent/KR102516974B1/ko active IP Right Grant
- 2022-10-24 WO PCT/KR2022/016245 patent/WO2024085292A1/ko unknown
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| WO2024085292A1 (ko) | 2024-04-25 |
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