KR102513088B1 - 팬-아웃 센서 패키지 - Google Patents
팬-아웃 센서 패키지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102513088B1 KR102513088B1 KR1020180143302A KR20180143302A KR102513088B1 KR 102513088 B1 KR102513088 B1 KR 102513088B1 KR 1020180143302 A KR1020180143302 A KR 1020180143302A KR 20180143302 A KR20180143302 A KR 20180143302A KR 102513088 B1 KR102513088 B1 KR 102513088B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- fan
- disposed
- active surface
- redistribution layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 54
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 36
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 29
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 14
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 102
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 and the like Chemical compound 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 3
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000032365 Electromagnetic interference Diseases 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 101001134276 Homo sapiens S-methyl-5'-thioadenosine phosphorylase Proteins 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 102100022050 Protein canopy homolog 2 Human genes 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body (electrodes)
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body (electrodes) consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Layout of the interconnection structure
-
- H01L27/14627—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
- H10F39/8063—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
- H01L2224/0237—Disposition of the redistribution layers
- H01L2224/02379—Fan-out arrangement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
도 2는 전자기기의 일례를 개략적으로 나타낸 사시도다.
도 3a 및 도 3b는 팬-인 반도체 패키지의 패키징 전후를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 4는 팬-인 반도체 패키지의 패키징 과정을 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 5는 팬-인 반도체 패키지가 인쇄회로기판 상에 실장되어 최종적으로 전자기기의 메인보드에 실장된 경우를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 6은 팬-인 반도체 패키지가 인쇄회로기판 내에 내장되어 최종적으로 전자기기의 메인보드에 실장된 경우를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 7은 팬-아웃 반도체 패키지의 개략적은 모습을 나타낸 단면도다.
도 8은 팬-아웃 반도체 패키지가 전자기기의 메인보드에 실장된 경우를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 9는 팬-아웃 센서 패키지의 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 10은 도 9의 팬-아웃 센서 패키지의 연결부재의 배치를 개략적으로 나타낸 평면도다.
도 11 내지 도 13은 도 9의 팬-아웃 센서 패키지의 제조 일례를 개략적으로 나타낸 공정도다.
도 14는 도 9의 팬-아웃 센서 패키지가 적용된 카메라 모듈의 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 15는 팬-아웃 센서 패키지의 다른 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
Claims (10)
- 제1면 및 상기 제1면의 반대측인 제2면을 갖는 광학부재;
상기 광학부재의 상기 제1면 상에 배치되며, 재배선층 및 상기 재배선층과 동일 레벨에 위치하되 상기 재배선층과 전기적으로 절연된 패턴층을 포함하는 연결부재;
상기 연결부재 상에, 광학영역이 배치된 중심부 및 상기 중심부를 둘러싸며 상기 재배선층과 전기적으로 연결된 접속패드가 배치된 주변부를 갖는 활성면이 상기 광학부재의 상기 제1면과 마주하도록, 배치된 센서칩; 및
상기 연결부재 상에 배치되며, 상기 활성면의 상기 주변부의 적어도 일부를 덮는 절연부재; 를 포함하며,
상기 센서칩의 상기 활성면에서 바라 보았을 때, 상기 패턴층은 상기 활성면의 상기 중심부 및 상기 주변부 사이의 영역에 대응되는 영역에 배치되며,
상기 재배선층 및 상기 패턴층은 서로 동일한 금속물질을 포함하는,
팬-아웃 센서 패키지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 절연부재는 상기 패턴층에 의하여 상기 활성면의 상기 중심부에 대응되는 영역으로의 흐름이 막힌,
팬-아웃 센서 패키지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 재배선층 및 상기 패턴층은 상기 활성면과 각각 물리적으로 소정거리 이격된,
팬-아웃 센서 패키지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 패턴층은 상기 활성면의 상기 중심부에 대응되는 영역을 연속적으로 둘러싸는 하나 이상의 링 형상의 패턴을 포함하는,
팬-아웃 센서 패키지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 연결부재는 상기 광학부재의 상기 제1면 상에 배치된 절연층 및 상기 절연층 상에 배치된 상기 재배선층 및 상기 패턴층을 포함하며,
상기 연결부재는 상기 절연층의 상기 활성면의 상기 중심부에 대응되는 영역을 관통하는 관통부를 가지며,
상기 관통부는 상기 광학부재의 상기 제1면의 적어도 일부를 오픈시키는,
팬-아웃 센서 패키지.
- 제 5 항에 있어서,
상기 연결부재는 상기 절연층의 상기 활성면의 상기 중심부 및 상기 주변부 사이의 영역에 대응되는 상기 영역을 관통하는 홈부를 더 가지며,
상기 홈부는 상기 광학부재의 상기 제1면의 적어도 일부를 오픈시키며,
상기 홈부의 적어도 일부는 상기 절연부재로 채워진,
팬-아웃 센서 패키지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 연결부재 상에 배치되며, 상기 재배선층 및 상기 접속패드를 전기적으로 연결하며, 상기 절연부재에 적어도 일부가 매립된 접속부재; 를 더 포함하며,
상기 연결부재 및 상기 활성면은 물리적으로 소정거리 이격된,
팬-아웃 센서 패키지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 연결부재 상에 배치되며, 상기 재배선층의 적어도 일부를 오픈시키는 제1개구를 갖는 수지층;
상기 수지층의 상기 제1개구의 적어도 일부를 채우며, 상기 오픈된 재배선층과 전기적으로 연결된 제1전기연결금속;
상기 수지층 상에 배치되며, 상기 센서칩의 적어도 일부를 덮으며, 상기 제1전기연결금속의 적어도 일부를 오픈시키는 제2개구를 갖는 봉합재; 및
상기 봉합재의 상기 제2개구의 적어도 일부를 채우며, 상기 오픈된 제1전기연결금속과 전기적으로 연결된 제2전기연결금속; 을 더 포함하는,
팬-아웃 센서 패키지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 광학부재의 상기 제2면 상에 배치되는 적외선 차단층을 더 포함하고,,
상기 광학영역은 마이크로 렌즈를 포함하는,
팬-아웃 센서 패키지.
- 제1면 및 상기 제1면의 반대측인 제2면을 갖는 광학부재;
상기 광학부재의 상기 제1면 상에 배치되며, 재배선층 및 상기 재배선층과 동일 레벨에 위치하되 상기 재배선층과 전기적으로 절연된 패턴층을 포함하는 연결부재;
상기 연결부재 상에, 광학영역이 배치된 중심부 및 상기 중심부를 둘러싸며 상기 재배선층과 전기적으로 연결된 접속패드가 배치된 주변부를 갖는 활성면이 상기 광학부재의 상기 제1면과 마주하도록, 배치된 센서칩; 및
상기 연결부재 상에 배치되며, 상기 활성면의 상기 주변부의 적어도 일부를 덮는 절연부재; 를 포함하며,
상기 센서칩의 상기 활성면에서 바라 보았을 때, 상기 패턴층은 상기 활성면의 상기 중심부 및 상기 주변부 사이의 영역에 대응되는 영역에 배치되며,
상기 재배선층 및 상기 패턴층은 상기 활성면과 각각 물리적으로 소정거리 이격된,
팬-아웃 센서 패키지.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180143302A KR102513088B1 (ko) | 2018-11-20 | 2018-11-20 | 팬-아웃 센서 패키지 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180143302A KR102513088B1 (ko) | 2018-11-20 | 2018-11-20 | 팬-아웃 센서 패키지 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200058774A KR20200058774A (ko) | 2020-05-28 |
KR102513088B1 true KR102513088B1 (ko) | 2023-03-23 |
Family
ID=70920365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180143302A Active KR102513088B1 (ko) | 2018-11-20 | 2018-11-20 | 팬-아웃 센서 패키지 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102513088B1 (ko) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170121666A (ko) * | 2016-04-25 | 2017-11-02 | 삼성전기주식회사 | 팬-아웃 반도체 패키지 |
KR102003390B1 (ko) * | 2016-06-20 | 2019-07-24 | 삼성전자주식회사 | 팬-아웃 반도체 패키지 |
KR102004801B1 (ko) * | 2016-11-17 | 2019-07-29 | 삼성전기주식회사 | 팬-아웃 반도체 패키지 |
-
2018
- 2018-11-20 KR KR1020180143302A patent/KR102513088B1/ko active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200058774A (ko) | 2020-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10580812B2 (en) | Fan-out sensor package and camera module including the same | |
TWI670841B (zh) | 扇出型感測器封裝以及包含該封裝的光學指紋感測器模組 | |
US11037971B2 (en) | Fan-out sensor package and optical fingerprint sensor module including the same | |
KR102052804B1 (ko) | 팬-아웃 센서 패키지 | |
KR102524812B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
KR102005351B1 (ko) | 팬-아웃 센서 패키지 | |
KR102530320B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
KR102586890B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
KR102016495B1 (ko) | 팬-아웃 센서 패키지 | |
KR102509645B1 (ko) | 팬-아웃 반도체 패키지 | |
KR102547250B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
JP2018078274A (ja) | イメージセンサー装置及びそれを含むイメージセンサーモジュール | |
KR102509644B1 (ko) | 패키지 모듈 | |
KR102570902B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
TWI697989B (zh) | 扇出型感測器封裝 | |
CN111146188A (zh) | 半导体封装件 | |
KR20200129671A (ko) | 패키지 온 패키지 및 이를 포함하는 패키지 연결 시스템 | |
KR102555814B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
KR102513088B1 (ko) | 팬-아웃 센서 패키지 | |
KR102620892B1 (ko) | 팬-아웃 반도체 패키지 | |
KR102070085B1 (ko) | 반도체 패키지 기판의 휨 감소 방법 및 휨이 감소된 반도체 패키지 기판 | |
KR102499040B1 (ko) | 반도체 패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20181120 |
|
PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 20190603 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20210504 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20181120 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20220711 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20230111 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20230320 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20230321 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |