KR102509764B1 - 반도체 디바이스에서의 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 - Google Patents

반도체 디바이스에서의 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 Download PDF

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Abstract

파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 시스템 및 방법은 웨이퍼를 제공하는 단계 - 웨이퍼는 복수의 다층 반도체 디바이스가 그 위에 형성되고, 동일하도록 의도된 웨이퍼 배치로부터 선택됨 - ; 복수의 측정 파라미터 세트를 사용하여, 웨이퍼의 적어도 제 1 층과 제 2 층 사이의 다수의 사이트에서 오정렬을 측정하기 위해 오정렬 계측 도구를 사용하는 단계로서, 이에 의해 측정 파라미터 세트 각각에 대해 측정된 오정렬 데이터를 생성하는 단계; 측정 파라미터 세트 각각에 대해 웨이퍼에 대한 측정된 오정렬 데이터로부터 파라미터 종속 부분 및 평균 오차 부분을 식별 및 제거하는 단계로서, 이에 의해 웨이퍼에 대한 개선된 파라미터-안정적 개선된 오정렬 데이터를 생성하는 단계를 포함한다.

Description

반도체 디바이스에서의 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선
본 명세서에서는 2019년 3월 21일자에 출원되고 발명의 명칭이 "측정 조건에 따른 오버레이 오차 변화를 기반으로 한 동적 정확도 최적화(DYNAMIC ACCURACY OPTIMIZATION BASED ON OVERLAY ERROR VARIATION WITH MEASUREMENT CONDITIONS)"인 미국 가특허 출원 제 62/821,596 호를 참조하며, 이의 개시 내용은 본 명세서에서 참조로 포함되고 이의 우선권이 본 명세서에서 주장된다.
본 발명은 일반적으로 반도체 디바이스의 제조에서 오정렬(misregistration)의 측정에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에서 오정렬을 측정하기 위한 다양한 방법 및 시스템이 알려져 있다.
본 발명은 반도체 디바이스의 제조에서 오정렬을 측정하기 위한 개선된 방법 및 시스템을 제공하고자 한다.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 방법이 제공되며, 상기 방법은 웨이퍼를 제공하는 단계 - 웨이퍼는 복수의 다층 반도체 디바이스가 그 위에 형성되고, 동일하도록 의도된 웨이퍼 배치로부터 선택됨 - ; 복수의 측정 파라미터 세트를 사용하여, 웨이퍼의 적어도 제 1 층과 제 2 층 사이의 다수의 사이트에서 오정렬을 측정하기 위해 오정렬 계측 도구를 사용하는 단계로서, 이에 의해 측정 파라미터 세트 각각에 대해 측정된 오정렬 데이터를 생성하는 단계; 측정 파라미터 세트 각각에 대해 웨이퍼에 대한 측정된 오정렬 데이터로부터 파라미터 종속 부분 및 평균 오차 부분을 식별 및 제거하는 단계로서, 이에 의해 웨이퍼에 대한 개선된 파라미터-안정적 개선된 오정렬 데이터를 생성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 측정 파라미터 세트는 오정렬 측정에 사용되는 광의 적어도 다수 파장을 포함한다.
바람직하게, 파라미터 종속 부분 및 평균 오차 부분을 식별하는 단계는 측정 파라미터 세트 각각에 대해 측정된 오정렬 데이터에 대한 파라미터 종속 부분을 식별하는 단계, 측정 파라미터 세트 각각에 대해 측정된 오정렬 데이터의 파라미터 종속 부분의 적어도 하나의 주성분을 식별하는 단계, 측정 파라미터 세트 각각에 대해 측정된 오정렬 데이터의 파라미터 종속 부분의 적어도 하나의 주성분에 대한 가중 계수를 식별하는 단계 및 적어도 하나의 평균 오차 부분을 식별하는 단계 - 평균 오차 부분 각각은 측정 파라미터 세트 각각에 대해 측정된 오정렬 데이터의 파라미터 종속 부분의 적어도 하나의 주성분 각각에 대응함 - 를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 방법은 또한 측정 파라미터 세트 각각에 대해 적어도 하나의 추가 웨이퍼 - 동일하도록 의도된 웨이퍼 배치로부터 선택됨 - 에 대한 측정된 오정렬 데이터로부터 파라미터 종속 부분 및 평균 오차 부분을 식별 및 제거하기 위해 파라미터 종속 부분 및 평균 오차 부분을 사용하는 단계로서, 이에 의해 적어도 하나의 추가 웨이퍼에 대한 개선된 파라미터-안정적 개선된 오정렬 데이터를 생성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 오정렬 계측 도구는 이미징 오정렬 계측 도구이다. 대안적으로, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 오정렬 계측 도구는 산란계측 오정렬 계측 도구이다.
바람직하게, 측정 파라미터 세트 각각에 대해 측정된 오정렬 데이터의 파라미터 종속 부분의 적어도 하나의 주성분은 주성분 분석을 사용하여 식별된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 평균 오차 부분은 기준 오정렬 값을 사용하여 식별된다. 바람직하게, 기준 오정렬 값은 웨이퍼를 측정하는 기준 오정렬 계측 도구를 사용함으로써 생성된다. 바람직하게, 기준 오정렬 도구는 전자빔 오정렬 계측 도구이다.
대안적으로, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 평균 오차 부분은 통계적 모델을 사용하여 식별된다. 바람직하게, 통계적 모델은 웨이퍼의 다수의 오정렬 측정으로부터 컴파일된다. 바람직하게, 통계적 모델은 모델링된 부분 및 모델링되지 않은 부분을 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 측정 파라미터 세트는 오정렬 측정에서의 초점 가변성, 오정렬 측정에 사용되는 개구수, 오정렬 측정에 사용되는 광의 입사각 및 오정렬 측정에 사용되는 광의 편광 중 적어도 하나를 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 시스템이 제공되며, 상기 시스템은 복수의 측정 파라미터 세트를 사용하여, 웨이퍼 - 웨이퍼는 복수의 다층 반도체 디바이스가 그 위에 형성되고, 동일하도록 의도된 웨이퍼 배치로부터 선택됨 - 의 적어도 제 1 층과 제 2 층 사이의 다수의 사이트에서 오정렬을 측정하여, 이에 의해 측정 파라미터 세트 각각에 대해 측정된 오정렬 데이터를 생성하도록 동작 가능한 오정렬 계측 도구; 및 측정 파라미터 세트 각각에 대해 웨이퍼에 대한 측정된 오정렬 데이터로부터 파라미터 종속 부분 및 평균 오차 부분을 식별 및 제거하여, 이에 의해 웨이퍼에 대한 개선된 파라미터-안정적 개선된 오정렬 데이터를 생성하도록 동작 가능한 오정렬 데이터 분석기를 포함한다.
본 발명은 도면과 함께 취해진 다음의 상세한 설명으로부터 더 완전하게 이해되고 인식될 것이다.
도 1은 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 시스템의 단순화된 개략도이다.
도 2는 도 1의 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 시스템에 의해 유용한 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 방법을 도시하는 단순화된 흐름도이다.
도 1 및 도 2를 참조하여 이하에서 설명되는 시스템 및 방법은 반도체 디바이스를 위한 제조 공정의 일부를 형성하고, 도 1 및 도 2를 참조하여 이하에서 설명되는 시스템 및 방법에 의해 측정된 오정렬은 제조되는 반도체 디바이스의 다양한 층을 보다 밀접하게 정렬하기 위해 반도체 디바이스의 제조 공정을 조정하는 데 사용된다는 것이 이해된다.
이제 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 시스템(parameter-stable misregistration measurement amelioration system; PSMMAS)(100)의 단순화된 개략도인 도 1 및 PSMMAS(100)에 의해 유용한 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 방법(parameter-stable misregistration measurement amelioration method; PSMMAM)(200)을 도시하는 단순화된 흐름도인 도 2를 참조한다.
도 1에 도시된 바와 같이, PSMMAS(100)는 오정렬 계측 도구(110) 및 오정렬 데이터 분석기(120)를 포함한다. 오정렬 계측 도구(110)는 복수의 측정 파라미터 세트를 사용하여 오정렬을 측정하는 능력을 갖는 임의의 적절한 오정렬 계측 도구, 예컨대, 이미징 오정렬 계측 도구 또는 산란계측 오정렬 계측 도구일 수 있다. 바람직하게, 파라미터는 오정렬 측정에 사용되는 광의 다수 파장을 포함한다. PSMMAS(100)의 일부를 형성하는 전형적인 이미징 오정렬 계측 도구는 캘리포니아주 밀피타스에 소재한 KLA Corporation으로부터 상업적으로 입수 가능한 Archer™ 700이다. PSMMAS(100)의 일부를 형성하는 전형적인 산란계측 오정렬 계측 도구는 캘리포니아주 밀피타스에 소재한 KLA Corporation으로부터 상업적으로 입수 가능한 ATL100™이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 단계(202)에서, 웨이퍼가 제공되며, 웨이퍼는 복수의 다층 반도체 디바이스가 그 위에 형성되고, 동일하도록 의도된 웨이퍼 배치로부터 선택되며, 오정렬 계측 도구(110)는 바람직하게는 광의 다수 파장을 포함하는 다수의 측정 파라미터 세트 λ를 사용하여 웨이퍼의 적어도 제 1 층과 제 2 층 사이의 다수의 사이트 s에서 오버레이라고도 하는 오정렬을 측정하고, 이에 의해 각각의 사이트에 대해 그리고 파라미터 세트 각각에 대해 측정된 오정렬 데이터 OVL(λ,s)을 생성한다. 동일하도록 의도된 웨이퍼 배치 내의 웨이퍼 각각은 동일한 제조 단계를 거치고 동일하도록 의도된 웨이퍼 배치 내의 다른 모든 웨이퍼 상의 대응하는 반도체 디바이스와 동일하도록 의도된 반도체 디바이스를 포함한다는 것이 이해된다.
일반적으로, 단계(202)에서 측정된 웨이퍼는 측정된 사이트 각각에 포함된 몇 개의 변형 n을 갖는 특징을 포함한다. 따라서, 측정된 오정렬 데이터 OVL(λ,s)은 수학식 1에 설명된 바와 같이 제 1 층과 제 2 층 간의 오정렬의 성분 OVL0(s) 뿐만 아니라 각각의 변형 고유벡터의 성분
Figure 112021118891555-pct00001
을 모두 포함할 수 있다.
Figure 112021118891555-pct00002
여기서 k는 변형을 나타내는 인덱스이고, αk(s)는 각각의 변형 고유벡터
Figure 112021118891555-pct00003
에 대한 가중 계수이다. 웨이퍼의 오정렬 OVL0(s)과 달리, 각각의 변형 고유벡터의 항
Figure 112021118891555-pct00004
은 오정렬 측정에 사용되는 광의 파장과 같은 파라미터에 따라 달라진다. 각각의 변형 고유벡터
Figure 112021118891555-pct00005
는 수학식 2에서 볼 수 있는 바와 같이 파라미터 종속 부분의 항 εk(λ,s) 및 평균 오차 부분의 항 μk(s) 모두를 포함한다.
Figure 112021118891555-pct00006
파라미터 종속 부분 εk(λ,s) 및 평균 오차 부분 μk(s) 모두는 동일한 k번째 변형의 결과임을 유념한다. 따라서, 파라미터 종속 부분 εk(λ,s) 및 평균 오차 부분 μk(s) 모두는 k번째 변형의 진폭에 비례하므로, 파라미터 종속 부분 εk(λ,s) 및 평균 오차 부분 μk(s)는 서로 수학적으로 관련된다.
수학식 1 및 수학식 2를 해결하고 이에 따라 제 1 층과 제 2 층 사이의 오정렬 OVL0(s)을 식별하기 위해, PSMMAM(200)은 도 2a 및 도 2b를 추가로 참조하여 이하에서 설명되는 바와 같이 추가 수학식을 해결하도록 진행한다.
다음 단계(204)에서, 수학식 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 오정렬 데이터 분석기(120)는 단계(202)에서 생성된 측정된 오정렬 데이터 OVL(λ,s)의 각각의 사이트 s에 대해 그리고 파라미터 세트 λ 각각에 대해 파라미터 종속 부분 OVLε(λ,s)을 식별하고, 측정된 오정렬 데이터 OVL(λ,s)의 각각의 사이트 s 에 대해 평균 오차 부분 OVLμ(s)를 식별한다.
Figure 112021118891555-pct00007
수학식 3에서, 평균 오차 부분 OVLμ(s)는 웨이퍼의 오정렬 OVL0(s) 및 측정된 오정렬 데이터 OVL(λ,s)과 관련된 평균 오차 부분 모두를 포함한다는 점에 유념한다.
다음 단계(206)에서, 오정렬 데이터 분석기(120)는 단계(202)에서 측정된 각각의 사이트 s에 포함된 n개의 변형에 대응하는 주성분 세트 {εk(λ,s)}를 식별하기 위해, 측정된 오정렬 데이터 OVL(λ,s)의 파라미터 종속 부분 세트 {OVLε(λ,s)}에 대해 주성분 분석(principal component analysis; PCA)을 사용한다.
다음 단계(208)에서, 오정렬 데이터 분석기(120)는 수학식 4에 정의된 바와 같이 메트릭 M1을 최소화하는 가중 계수 αk(s)의 값을 식별함으로써 수학식 1에 대한 적절한 가중 계수 αk(s)를 식별한다.
Figure 112021118891555-pct00008
정규 직교 주성분 세트 {εk(λ,s)}의 경우, 수학식 4는 {εk(λ,s)}에 대한 {OVLε(λ,s)}의 투영을 나타낸다.
다음 단계(210)에서, 오정렬 데이터 분석기(120)는 각각의 측정된 사이트 s에 대해 단계(206)에서 식별된 주성분 εk(λ,s) 각각에 대응하는 평균 오차 부분 μk를 식별한다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 평균 오차 부분 μk(s)는 수학식 5를 사용하여 식별된다.
Figure 112021118891555-pct00009
여기서 OVLR(s)은 단계(202)에서 측정된 웨이퍼의 각각의 사이트에 대한 기준 오정렬 값이고, PSMMAM(200)은 단계(202)에서 측정된 모든 사이트 s에 대해 수학식 5의 왼쪽과 오른쪽 사이에서 최상의 일치를 초래하는 평균 오차 부분 μk(s)를 식별한다.
바람직하게, 기준 오정렬 OVLR(s)은 단계(202)에서 측정되는 웨이퍼의 오정렬을 측정하는 기준 오정렬 계측 도구를 사용함으로써 생성된다. 전형적인 기준 오정렬 계측 도구는 미국 캘리포니아주 밀피타스에 소재한 KLA Corporation으로부터 상업적으로 입수 가능한 eDR7xxx™와 같은 전자빔 오정렬 계측 도구이다. 다른 적절한 기준 오정렬 계측 도구는 특히 광학 도구, SEM 도구, TEM 도구 및 AFM 도구를 포함한다.
본 발명의 대안적인 실시예에서, 통계적 모델이 단계(202)에서 측정된 웨이퍼의 다수의, 바람직하게는 적어도 200개의, 오정렬 측정으로부터 컴파일된다. 전형적으로, 오정렬 측정 각각은 실제 디바이스 오정렬에 대응하는 모델링된 부분 및 변형에 대응하는 모델링되지 않은 부분을 포함한다. 평균 오차 부분 μk(s)는 수학식 6에 정의된 바와 같이, 메트릭 M2를 최소화하는 평균 오차 부분 μk(s)의 값을 식별함으로써 식별된다.
Figure 112021118891555-pct00010
여기서 OVLμ|U(s)는 통계적 모델에 포함된 각각의 사이트의 오정렬의 평균 오차 부분의 모델링되지 않은 부분이고, αk|U(s)는 가중 계수 αk(s)의 모델링되지 않은 부분이다.
다음 단계(212)에서, 오정렬 데이터 분석기(120)는 오정렬 측정에 사용된 파라미터 각각에 대해 웨이퍼에 대한 단계(202)에서 생성된 측정된 오정렬 데이터 OVL(λ,s)로부터 파라미터 종속 부분 εk(λ,s) 및 평균 오차 부분 μk(s)를 제거하여, 이에 의해 웨이퍼에 대한 개선된 파라미터-안정적 개선된 오정렬 데이터 OVL0(s)을 생성한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 파라미터-안정적 개선된 오정렬 데이터 OVL0(s)는 단계(202)에서 측정된 웨이퍼가 선택되었던 동일하도록 의도된 웨이퍼 배치의 제조에 사용되는 적어도 하나의 도구를 조정하는 데 사용된다.
바람직하게, 다음 단계(214)에서, 적어도 하나의 추가 웨이퍼가 제공되며, 추가 웨이퍼는 복수의 다층 반도체 디바이스를 포함하고, 단계(202)에서의 웨이퍼가 제공되었던 동일하도록 의도된 웨이퍼 배치로부터 선택된다. 단계(214)의 일부로서, 오정렬 계측 도구(110)는 복수의 측정 파라미터 세트를 사용하여 웨이퍼의 적어도 제 1 층과 제 2 층 사이의 다수의 사이트에서 오정렬을 측정하여, 이에 의해 파라미터 세트 각각에 대해 측정된 오정렬 데이터를 생성한다. 바람직하게, 파라미터 세트는 광의 다수 파장을 포함한다.
그런 다음, 오정렬 데이터 분석기(120)는 적어도 하나의 추가 웨이퍼에 대한 가중 계수 αk(s)를 정의하기 위해 단계(214)에서 측정된 적어도 하나의 추가 웨이퍼에 대한 파라미터 종속 부분 OVLε(λ,s)을 사용한다. 적어도 하나의 추가 웨이퍼에 대한 가중 계수 αk(s)가 알려져 있으면, 오정렬 데이터 분석기(120)는 단계(210)에서 식별된 하나 이상의 변형 고유벡터
Figure 112021118891555-pct00011
를 사용하여 파라미터 세트 각각에 대해 적어도 하나의 추가 웨이퍼에 대한 단계(214)에서 생성된 측정된 오정렬 데이터 OVL(λ,s)로부터 파라미터 종속 부분 εk(λ,s) 및 평균 오차 부분 μk(s)를 식별 및 제거하여, 이에 의해 하나 이상의 추가 웨이퍼에 대한 개선된 파라미터-안정적 개선된 오정렬 데이터 OVL0(s)을 생성한다. 단계(210)에서 식별된 하나 이상의 변형 고유벡터
Figure 112021118891555-pct00012
는 수학식 2를 참조하여 위에서 설명된 바와 같이 파라미터 종속 부분 εk(λ,s) 및 평균 오차 부분 μk(s)를 포함한다는 것이 이해된다.
본 발명의 대안적인 실시예에서, 단계(202)에서, 오정렬 계측 도구(110)에 의해 사용되는 측정 파라미터 세트는 오정렬 측정에서의 초점 가변성, 오정렬 측정에 사용되는 개구수, 오정렬 측정에 사용되는 광의 입사각 및 오정렬 측정에 사용되는 광의 편광 중 적어도 하나를 포함한다. 그러한 실시예에서, 변경된 적어도 하나의 오정렬 측정 파라미터의 함수로서의 오정렬 측정 데이터의 변화는 바람직하게는 도 2를 참조하여 위에서 설명된 분석과 유사한 방식으로 분석되어, 이에 의해 파라미터-안정적 개선된 오정렬 데이터를 생성한다.
당업자는 본 발명이 위에서 구체적으로 도시되고 설명된 것으로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 본 발명의 범위는 위에서 설명된 다양한 특징의 조합 및 하위 조합뿐만 아니라 이들의 변형을 모두 포함하며, 이들 모두는 선행 기술에 없다.

Claims (28)

  1. 파라미터-안정적 오정렬(misregistration) 측정 개선(amelioration) 방법에 있어서,
    웨이퍼를 제공하는 단계 - 상기 웨이퍼 상에는 복수의 다층 반도체 디바이스들이 형성되어 있고, 상기 웨이퍼는 동일하도록 의도된 웨이퍼들의 배치로부터 선택됨 - ;
    복수의 측정 파라미터들의 세트들을 사용하여, 상기 웨이퍼의 적어도 제1 층과 제2 층 사이의 다중 사이트(site)들에서 오정렬을 측정하기 위해 오정렬 계측 도구를 사용함으로써, 상기 측정 파라미터들의 세트들 각각에 대해 측정된 오정렬 데이터를 생성하는 단계;
    상기 측정 파라미터들의 세트들 각각에 대해 상기 웨이퍼에 대한 상기 측정된 오정렬 데이터로부터 파라미터 종속(parameter-dependent) 부분 및 평균 오차 부분을 식별하고 제거함으로써, 상기 웨이퍼에 대한 개선된 파라미터-안정적 개선된 오정렬 데이터를 생성하는 단계
    를 포함하는 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 측정 파라미터들의 세트들은 오정렬 측정에서 사용되는 광의 적어도 다중 파장들을 포함하는 것인, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 파라미터 종속 부분 및 상기 평균 오차 부분을 식별하는 것은,
    상기 측정 파라미터들의 세트들 각각에 대해 상기 측정된 오정렬 데이터에 대한 파라미터 종속 부분을 식별하는 것;
    상기 측정 파라미터들의 세트들 각각에 대해 상기 오정렬 데이터의 상기 파라미터 종속 부분의 적어도 하나의 주성분을 식별하는 것;
    상기 파라미터들의 세트들 각각에 대해 상기 측정된 오정렬 데이터의 상기 파라미터 종속 부분의 상기 적어도 하나의 주성분에 대한 가중 계수를 식별하는 것; 및
    적어도 하나의 평균 오차 부분을 식별하는 것
    을 포함하고, 상기 평균 오차 부분들 각각은 상기 측정 파라미터들의 세트들 각각에 대해 상기 측정된 오정렬 데이터의 상기 파라미터 종속 부분의 상기 적어도 하나의 주성분 각각에 대응한 것인, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 측정 파라미터들의 세트들 각각에 대해 상기 오정렬 데이터의 상기 파라미터 종속 부분의 상기 적어도 하나의 주성분은 주성분 분석을 사용하여 식별되는 것인, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 측정 파라미터들의 세트들 각각에 대해, 상기 파라미터 종속 부분 및 상기 평균 오차 부분을 사용하여, 상기 동일하도록 의도된 웨이퍼들의 배치로부터 선택된 적어도 하나의 추가적인 웨이퍼에 대한 측정된 오정렬 데이터로부터 파라미터 종속 부분 및 평균 오차 부분을 식별하고 제거함으로써, 상기 적어도 하나의 추가적인 웨이퍼에 대한 개선된 파라미터-안정적 개선된 오정렬 데이터를 생성하는 단계
    를 더 포함하는 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 오정렬 계측 도구는 이미징 오정렬 계측 도구 또는 산란계측 오정렬 계측 도구인 것인, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 평균 오차 부분들은 기준 오정렬 값을 사용하여 식별되며,
    상기 기준 오정렬 값은 상기 웨이퍼를 측정하기 위해 기준 오정렬 계측 도구를 사용함으로써 생성되는 것인, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 방법.
  8. 삭제
  9. 제7항에 있어서,
    상기 기준 오정렬 계측 도구는 전자빔 오정렬 계측 도구인 것인, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 측정 파라미터들의 세트들은,
    오정렬 측정에서의 초점 가변성;
    오정렬 측정에서 사용되는 개구수;
    오정렬 측정에서 사용되는 광의 입사각; 또는
    오정렬 측정에서 사용되는 광의 편광
    중 적어도 하나를 포함하는 것인, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 방법.
  11. 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 시스템에 있어서,
    복수의 측정 파라미터들의 세트들을 사용하여, 웨이퍼 - 상기 웨이퍼 상에는 복수의 다층 반도체 디바이스들이 형성되어 있고, 상기 웨이퍼는 동일하도록 의도된 웨이퍼들의 배치로부터 선택됨 - 의 적어도 제1 층과 제2 층 사이의 다중 사이트들에서 오정렬을 측정함으로써, 상기 파라미터들 각각에 대해 측정된 오정렬 데이터를 생성하도록 동작하는 오정렬 계측 도구; 및
    상기 측정 파라미터들의 세트들 각각에 대해 상기 웨이퍼에 대한 상기 측정된 오정렬 데이터로부터 파라미터 종속 부분 및 평균 오차 부분을 식별하고 제거함으로써, 상기 웨이퍼에 대한 개선된 파라미터-안정적 개선된 오정렬 데이터를 생성하도록 동작하는 오정렬 데이터 분석기
    를 포함하는 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 시스템.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 측정 파라미터들의 세트들은 오정렬 측정에서 사용되는 광의 적어도 다중 파장들을 포함하는 것인, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 시스템.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 오정렬 데이터 분석기는 또한,
    상기 측정 파라미터들의 세트들 각각에 대해 상기 측정된 오정렬 데이터에 대한 파라미터 종속 부분을 식별하고;
    상기 측정 파라미터들의 세트들 각각에 대해 상기 오정렬 데이터의 상기 파라미터 종속 부분의 적어도 하나의 주성분을 식별하고;
    상기 측정 파라미터들의 세트들 각각에 대해 상기 측정된 오정렬 데이터에 대한 상기 파라미터 종속 부분의 상기 적어도 하나의 주성분에 대한 가중 계수를 식별하며;
    적어도 하나의 평균 오차 부분을 식별하도록 동작하고,
    상기 적어도 하나의 평균 오차 부분 각각은 상기 측정 파라미터들의 세트들 각각에 대해 상기 측정된 오정렬 데이터의 상기 파라미터 종속 부분의 상기 적어도 하나의 주성분들 각각에 대응한 것인, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 시스템.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 측정 파라미터들의 세트들 각각에 대해 상기 오정렬 데이터의 상기 파라미터 종속 부분의 상기 적어도 하나의 주성분은 주성분 분석을 사용하여 식별되는 것인, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 시스템.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 분석기는 또한, 상기 측정 파라미터들의 세트들 각각에 대해, 상기 파라미터 종속 부분 및 상기 평균 오차 부분을 사용하여, 상기 동일하도록 의도된 웨이퍼들의 배치로부터 선택된 적어도 하나의 추가적인 웨이퍼에 대한 상기 측정된 오정렬 데이터로부터 파라미터 종속 부분 및 평균 오차 부분을 식별하고 제거함으로써, 상기 적어도 하나의 추가적인 웨이퍼에 대한 개선된 파라미터-안정적 개선된 오정렬 데이터를 생성하도록 동작하는 것인 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 시스템.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 오정렬 계측 도구는 이미징 오정렬 계측 도구 또는 산란계측 오정렬 계측 도구인 것인, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 시스템.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 평균 오차 부분들은 기준 오정렬 값을 사용하여 식별되며,
    상기 기준 오정렬 값은 상기 웨이퍼를 측정하기 위해 기준 오정렬 계측 도구를 사용함으로써 생성되는 것인, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 시스템.
  18. 삭제
  19. 제17항에 있어서,
    상기 기준 오정렬 계측 도구는 전자빔 오정렬 계측 도구인 것인, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 시스템.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 측정 파라미터들의 세트들은,
    오정렬 측정에서의 초점 가변성;
    오정렬 측정에서 사용되는 개구수;
    오정렬 측정에서 사용되는 광의 입사각; 또는
    오정렬 측정에서 사용되는 광의 편광
    중 적어도 하나를 포함하는 것인, 파라미터-안정적 오정렬 측정 개선 시스템.
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 삭제
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