KR102505829B1 - 신축성 표시 장치 및 신축성 표시 장치 제조 방법 - Google Patents

신축성 표시 장치 및 신축성 표시 장치 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102505829B1
KR102505829B1 KR1020200172922A KR20200172922A KR102505829B1 KR 102505829 B1 KR102505829 B1 KR 102505829B1 KR 1020200172922 A KR1020200172922 A KR 1020200172922A KR 20200172922 A KR20200172922 A KR 20200172922A KR 102505829 B1 KR102505829 B1 KR 102505829B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
polymer
encapsulation layer
functional group
inorganic compound
Prior art date
Application number
KR1020200172922A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220083061A (ko
Inventor
조상호
성명모
백경열
Original Assignee
한국과학기술연구원
한양대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술연구원, 한양대학교 산학협력단 filed Critical 한국과학기술연구원
Priority to KR1020200172922A priority Critical patent/KR102505829B1/ko
Publication of KR20220083061A publication Critical patent/KR20220083061A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102505829B1 publication Critical patent/KR102505829B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C08L101/02—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따르면, 신축성을 갖는 기판; 상기 기판 상에 순차적으로 적층되어 제공되는 적어도 1개 이상의 화소부; 상기 기판과 상기 화소부 사이에 제공되는 제1 봉지층; 및 상기 화소부를 커버하는 제2 봉지층을 포함하고, 상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 상기 기판의 적어도 일부 영역을 노출하는 형태로 제공되고, 상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 사슬 상에 극성 작용기를 포함하는 고분자층; 및 상기 고분자층의 두께 방향으로 침투된 무기 화합물을 포함하고, 상기 무기 화합물은 상기 고분자층의 사슬 상의 상기 극성 작용기와 결합하여 상기 고분자층의 사슬 사이에 제공되는, 신축성 표시 장치가 제공된다.

Description

신축성 표시 장치 및 신축성 표시 장치 제조 방법{STRETCHABLE DISPLY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 신축성 표시 장치 및 신축성 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.
신축성 있고 유연한 전자 장치는 비틀림, 접힘, 굽힘, 압축 및 비평면 표면 특성으로 인해 차세대 웨어러블, 지능형 및 통합 전자 시스템으로 기대되고 있다. 최근 상용화된 접이식 전자 장치를 넘어 급성장하는 디스플레이 시장 수요의 패러다임은 초탄성 신축성 장치로 이동하고 있다. 이러한 신축성 장치에 대한 시장 예측은 에너지, 의료 및 군사 부문 애플리케이션에 대하여 2023년까지 미화 7 억 6,300 만 달러에 달한다.
이러한 수요를 충족시키기 위해 가혹한 변형을 견딜 수 있는 새로운 구성(예: 메쉬, 사문석, 물결 모양, 종이 접기 및 키리가미)을 가진 장치들이 개발되고 있다. 다만, 단순한 구부리거나 구르는 것에 비해 디스플레이를 늘리면 전면과 후면에 10배 더 많은 기계적 스트레스가 가해지고 쉽게 전기적 및 기계적 고장을 일으킬 수 있는데 이러한 기계적 스트레스를 견딜 수 있는 장치의 개발은 아직 요원하다.
본 발명은 수분 침투 방지 효과가 뛰어나고 가요성이 우수한 필름 구조체를 포함하는 스트레칭 가능한 가요성 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 신축성을 갖는 기판; 상기 기판 상에 순차적으로 적층되어 제공되는 적어도 1개 이상의 화소부; 상기 기판과 상기 화소부 사이에 제공되는 제1 봉지층; 및 상기 화소부를 커버하는 제2 봉지층을 포함하고, 상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 상기 기판의 적어도 일부 영역을 노출하는 형태로 제공되고, 상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 사슬 상에 극성 작용기를 포함하는 고분자층; 및 상기 고분자층의 두께 방향으로 침투된 무기 화합물을 포함하고, 상기 무기 화합물은 상기 고분자층의 사슬 상의 상기 극성 작용기와 결합하여 상기 고분자층의 사슬 사이에 제공되는, 신축성 표시 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 고분자층의 상기 극성 작용기는 -O-(ether), -C(O)O-(ester), -C(O)NH-(amide), -OC(O)O-(carbonate), -OH(alcohol), -SH(thiol), -NH2(amine), -NHC(O)NH-(urea), -OC(O)NH-(urethane), 및 -C(O)NH-C(O)-(imide)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 신축성 표시 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 고분자층의 상기 극성 작용기는 분자 내 C=O 결합을 포함하고, 상기 무기 화합물은 무기 화합물 전구체 형태로 상기 고분자층 내부에 침투된 후 상기 C=O 결합과 반응하여 상기 고분자층 내 확산 및 반응함으로써 제공되는, 신축성 표시 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 고분자층의 상기 극성 작용기는 분자 내 에테르(-O-) 결합을 포함하고, 상기 무기 화합물은 무기 화합물 전구체 형태로 상기 고분자층 내부에 침투된 후 상기 에테르(-O-) 결합과 반응하여 상기 고분자층 내 확산 및 반응함으로써 제공되는, 신축성 표시 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 고분자층의 상기 극성 작용기는 분자 내 하이드록시(-OH) 작용기를 포함하고, 상기 무기 화합물은 무기 화합물 전구체 형태로 상기 고분자층 내부에 침투된 후 상기 하이드록시(-OH) 작용기와 반응하여 상기 고분자층 내 확산 및 반응함으로써 제공되는, 신축성 표시 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 고분자층의 상기 극성 작용기는 분자 내 아민(-NH2) 작용기를 포함하고, 상기 무기 화합물은 무기 화합물 전구체 형태로 상기 고분자층 내부에 침투된 후 상기 아민(-NH2) 작용기와 반응하여 상기 고분자층 내 확산 및 반응함으로써 제공되는, 신축성 표시 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 고분자층의 상기 극성 작용기는 분자 내 싸이올(-SH) 작용기를 포함하고, 상기 무기 화합물은 무기 화합물 전구체 형태로 상기 고분자층 내부에 침투된 후 상기 싸이올(-SH) 작용기와 반응하여 상기 고분자층 내 확산 및 반응함으로써 제공되는, 신축성 표시 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 고분자층은 아크릴계 고분자, 에스터계 고분자, 카보네이트계 고분자, 이미드계 고분자, 에테르계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 신축성 표시 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판에 포함되는 고분자는 -C-C-, -C=C-, -CF2-CF2-, 또는 -SiO-의 기능기 함량이 상기 극성 작용기 함량보다 많은, 신축성 표시 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 복수 개의 상기 화소부는 상기 기판 상에 서로 이격되어 제공되고, 상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 상기 기판 상의 상기 화소부가 제공된 영역에만 선택적으로 제공되는, 신축성 표시 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판을 제공하는 제1 단계; 상기 기판 상에 제1 고분자 필름을 제공하고, 상기 제1 고분자 필름 상에 무기 화합물을 침투시켜 제1 봉지층을 제조하는 제2 단계; 상기 제1 봉지층 상에 화소부를 제공하는 제3 단계; 상기 화소부를 커버하는 제2 고분자 필름을 제공하고, 상기 제2 고분자 필름 상에 무기 화합물을 침투시켜 제2 봉지층을 제조하는 제4 단계를 포함하고, 상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 상기 기판의 적어도 일부 영역을 노출하는 형태로 제공되고, 상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 각각 사슬 상에 극성 작용기를 포함하는 고분자층; 및 상기 고분자층의 두께 방향으로 침투된 상기 무기 화합물을 포함하고, 상기 무기 화합물은 상기 고분자층의 사슬 상의 상기 극성 작용기와 결합하여 상기 고분자층의 사슬 사이에 제공되는, 신축성 표시 장치 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판에 포함되는 고분자는 -C-C-, -C=C-, -CF2-CF2-, 또는 -SiO-의 기능기 함량이 상기 극성 작용기 함량보다 크고, 상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층 각각에 포함된 상기 고분자층은 상기 극성 작용기 함량이 -C-C-, -C=C-, -CF2-CF2-, 또는 -SiO-의 기능기 함량보다 크고, 상기 무기 화합물은 상기 기판, 상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층 중 상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층에 선택적으로 침투되어 제공되는, 신축성 표시 장치 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 가요성 및 수분 침투 방지 효과가 우수한 필름 구조체를 포함하는 표시 장치를 제공할 수 있고, 표시 장치는 반복하여 스트레칭하여도 봉지층 박리 및 수분 침투 등의 문제가 없는 우수한 내구성을 가질 수 있다.
또한 본 발명에 따르면 상술한 신축성을 갖는 표시 장치를 선택적인 무기 화합물 침투가 가능한 공정을 이용하여 효율적으로 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 따른 표시 장치의 내부 구조를 나타낸 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 확대 단면도이다.
도 4는 도 3의 A1 영역을 확대 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 어느 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 상(on)에 형성되었다고 할 경우, 상기 형성된 방향은 상부 방향만 한정되지 않으며 측면이나 하부 방향으로 형성된 것을 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 '상면'과 '하면'는 본 발명의 기술적 사상을 이해하기 쉽도록 설명하기 위하여 상대적인 개념으로 사용된 것이다. 따라서, '상면'과 '하면'은 특정한 방향, 위치 또는 구성 요소를 지칭하는 것이 아니고 서로 호환될 수 있다. 예를 들어, '상면'이 '하면'이라고 해석될 수도 있고 '하면'이 '상면'으로 해석될 수도 있다. 따라서, '상면'을 '제1'이라고 표현하고 '하면'을 '제2'라고 표현할 수도 있고, '하면'을 '제1'로 표현하고 '상면’을 '제2'라고 표현할 수도 있다. 그러나, 하나의 실시예 내에서는 '상면'과 '하면'이 혼용되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에는 무기 화합물이 침투된 고분자층을 포함하는 봉지층이 제공되고, 이에 따라 가요성 및 수분 침투 방지 능력이 우수하다. 이에 따라, 내구성이 우수한 표시 장치를 제공할 수 있다. 이하에서 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 보다 자세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이다. 도 2는 도 1에 따른 표시 장치의 내부 구조를 나타낸 평면도이다.
본 발명에 따른 표시 장치(DD)는 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 복수의 화소들을 포함할 수 있으며, 표시 영역(DA)에서는 영상이 출력될 수 있다. 표시 영역(DA)은 직선의 변을 포함하는 닫친 형태의 다각형, 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 원, 타원 등, 직선과 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 반원, 반타원 등 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 표시 영역(DA)은 둥근 모서리를 갖는 직사각 형상으로 제공될 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 일측에 배치될 수 있다. 도 1에 따르면, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 위쪽 및 아래쪽에만 배치되나, 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)의 배치 형태가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 필요에 따라서는 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)의 배치를 달리 구성할 수 있다.
표시 영역(DA)은 복수의 화소들(PXL)이 제공되어 영상이 표시되는 영역이다. 표시 영역(DA)은 기판(SUB)의 형상에 대응하는 형상으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 표시 영역(DA)은 기판(SUB)의 형상과 마찬가지로 직선의 변을 포함하는 닫힌 형태의 다각형, 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 원, 타원, 등, 직선과 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 반원, 반타원, 등 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 표시 영역(DA)이 직선으로 이루어진 변을 갖는 경우, 상기 각 형상의 모서리 중 적어도 일부는 곡선으로 이루어질 수 있다.
화소부(PXL)는 기판(SUB)의 표시 영역(DA) 상에 제공된다. 각 화소부(PXL)는 영상을 표시하는 최소 단위로서 복수 개로 제공될 수 있다. 화소부(PXL)는 백색광 및/또는 컬러광을 출사할 수 있다. 각 화소부(PXL)는 적색, 녹색, 및 청색 중 어느 하나의 색을 출사할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 시안, 마젠타, 옐로우 등의 색을 출사할 수 있다.
화소부(PXL)는 유기 발광층을 포함하는 발광 소자일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 발명의 개념이 유지되는 한도 내에서 액정 소자, 전기 영동 소자, 전기 습윤 소자 등 다양한 형태로 구현될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 비표시 영역(NDA)은 그 일부로부터 돌출된 부가 영역을 더 포함할 수 있다. 부가 영역은 비표시 영역(NDA)을 이루는 변들로부터 돌출될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 부가 영역에는 기판(SUB)의 단변들 중 하나에 대응하는 변으로부터 돌출된 것을 개시하였다. 그러나, 부가 영역은 장변들 중 하나의 변으로부터 돌출될 수 있으며, 또는 네 변들 중 두 변 이상으로부터 돌출된 형태로 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 부가 영역에는 데이터 구동부가 제공되거나 연결될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 구성 요소가 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 본 발명의 표시 장치는 적어도 일부가 가요성(flexibility)을 가질 수 있으며, 가요성을 가지는 부분에서 접힐 수 있다. 즉, 표시 장치는 가요성을 가지며 일 방향으로 접힌 벤딩부(bent area)과 벤딩부의 적어도 일측에 제공되며 접히지 않고 편평한 플랫 영역(flat area)을 포함할 수 있다. 플랫 영역은 가요성을 가지거나 가지지 않을 수 있다.
기판(SUB)은 대략적으로 사각형 형상, 그 중에서도 직사각을 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 기판(SUB)은 제1 방향(DR1)으로 서로 평행한 한 쌍의 단변들과 제2 방향(DR2)으로 서로 평행한 한 쌍의 장변들을 포함할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 설명의 편의를 위해 기판(SUB)의 변들은 하나의 단변부터 순차적으로 연결된 네 변을 제1 변(S1) 내지 제4 변(S4)으로 지칭한다.
그러나, 기판(SUB)의 형상은 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어 기판(SUB)은 직선의 변을 포함하는 닫힌 형태의 다각형, 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 원, 타원, 등, 직선과 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 반원, 반타원, 등 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 기판(SUB)이 직선으로 이루어진 변을 갖는 경우, 상기 각 형상의 모서리 중 적어도 일부는 곡선으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(SUB)이 직사각 형상을 가질 때, 서로 인접한 직선 변들이 만나는 부분이 소정 곡률을 가지는 곡선으로 대체될 수 있다. 즉, 직사각 형상의 꼭지점 부분은 서로 인접한 그 양단이 서로 인접한 두 직선 변들에 연결되고 소정의 곡률을 갖는 곡선 변으로 이루어질 수 있다. 상기 곡률은 위치에 따라 달리 설정될 수 있다. 예를 들어, 상기 곡률은 곡선이 시작되는 위치 및 곡선의 길이 등에 따라 변경될 수 있다.
배선부(LP)는 데이터 배선들(DL)을 포함하며, 구동부와 화소들(PXL)을 연결한다. 데이터 배선들(DL)은 화소들(PXL)과 구동부를 연결할 수 있으며, 이를 위해 화소들(PXL)로부터 대략적으로 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 데이터 배선들(DL)은 부가 영역의 제2 방향(DR2)의 단부인 패드 영역까지 연장될 수 있으며, 단부에는 컨택 전극들이 제공될 수 있다. 화소들(PXL)은 배선들에 연결된 컨택 전극들을 통해 칩 온 필름 등으로 구현된 구동부에 연결될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 확대 단면도이다.
먼저, 표시 장치를 지지하기 위하여 기판(SUB)이 제공된다. 기판(SUB)은 유리, 수지(resin) 등과 같은 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(SUB)은 휘거나 접힘이 가능하도록 가요성(flexibility)을 갖는 재료로 이루어질 수 있다. 따라서, 기판(SUB)의 비표시 영역에 제공되는 벤딩부뿐만 아니라, 기판(SUB)의 다른 영역도 휘거나 접힐 수 있다. 예컨대, 화소(PXL)가 제공되는 표시 영역이 휘거나 접힐 수 있다. 아울러, 기판(SUB)은 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
기판(SUB)은 경우에 따라 -C-C-, -C=C-, CF2-CF2- 등의 기능기가 주를 이루고, 극성 작용기의 포함량이 적은 고분자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판은 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리(p-페닐렌)(poly(p-phenylene)), 폴리(p-페닐렌 바이닐렌)(poly(p-phenylene vinylene)), 폴리스타이렌(polystyrene), 폴리테라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene) (PTFE), 폴리(바이닐 플루오라이드)(poly(vinyl fluoride)), 폴리(퍼플루오로알콕시 알케인)(poly(perfluoroalkoxy alkane) (PFA)) 등으로 구성될 수 있다.
기판(SUB)이 상술한 물질을 포함하는 때, 기판(SUB)의 일면 상에는 무기 화합물을 포함하는 버퍼층이 형성될 수 있다. 버퍼층은 예를 들어 무기 화합물의 ALD(Atomic Layer Deposition) 방법으로 기판(SUB)의 일면 상에 제공될 수 있다. 구체적으로는 버퍼층은 기판(SUB)의 표시부와 만나는 면의 반대편 면에 제공될 수 있다. 이러한 기판(SUB) 상의 버퍼층은 봉지층(SL) 제공 과정에서 함께 제공될 수 있다. 다만 경우에 따라서는 버퍼층은 기판(SUB)과 표시부 사이에 제공될 수도 있다. 이 경우에는 버퍼층은 봉지층 제공 과정에서 함께 제공되는 것이 아니라 기판(SUB) 상에 표시부를 적층하기 전에 제공될 수 있다. 이러한 버퍼층은 스위칭 및 구동 트랜지스터들에 불순물이 확산되는 것을 막을 수 있다.
기판(SUB) 상에는 제1 봉지층(SL1)이 제공된다. 제1 봉지층(SL1)은 기판(SUB)과 화소부(PXL) 사이에 제공되어 기판(SUB)과 화소부(PXL) 사이로 수분 또는 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있다.
제1 봉지층(SL)은 여러 층으로 구성되는 종래 기술의 TFE(Thin Film Encapsulation)와 달리, 단일 층으로 제공될 수 있다. 종래 기술에 따르면, 표시부(DP)로 수분이 침투하는 것을 방지하기 위해 제공되는 TFE는 유기층과 무기층이 교번적으로 적층된 복층 형태로 제공되곤 하였다. 그러나, 이러한 복층의 TFE는 유연성이 상대적으로 떨어진다는 단점이 있다. 따라서, 가요성 표시 장치에 적용하였을 때 반복되는 굽힘과 접힘에 따라 발생되는 스트레스로 TFE가 파손될 우려가 있다. 파손된 TFE로는 수분이 침투할 수 있다. 단일층으로 제공되는 제1 봉지층(SL1)은 상술한 파손의 문제가 없다.
제1 봉지층(SL)은 고분자층 내에 무기 화합물이 침투한 구조를 가질 수 있다. 구체적으로 제1 봉지층(SL)은 사슬 상에 극성 작용기를 포함하는 고분자층 및 고분자층의 두께 방향으로 침투된 무기 화합물을 포함한다. 이때 무기 화합물은 고분자층의 사슬 상의 극성 작용기와 결합하여 고분자층의 사슬 사이에 제공된다. 고분자층과 무기 화합물을 포함하는 제1 봉지층(SL)의 구조에 대한 더 자세한 내용은 후술하고자 한다.
제1 봉지층(SL) 상에는 화소부(PXL)가 제공된다. 화소부(PXL)는 트랜지스터 및 발광부를 포함할 수 있으며, 인가되는 신호에 따라 빛을 방출할 수 있다.
화소부(PXL)에는 먼저 액티브 패턴(ACT)이 제공될 수 있다. 액티브 패턴(ACT)은 반도체 소재로 형성된다. 액티브 패턴(ACT)은 각각 소스 영역, 드레인 영역, 및 소스 영역과 드레인 영역 사이에 제공된 채널 영역을 포함할 수 있다. 액티브 패턴(ACT)은 폴리 실리콘, 아몰퍼스 실리콘, 산화물 반도체 등으로 이루어진 반도체 패턴일 수 있다. 채널 영역는 불순물로 도핑되지 않은 반도체 패턴으로서, 진성 반도체일 수 있다. 소스 영역 및 드레인 영역은 불순물이 도핑된 반도체 패턴일 수 있다. 불순물로는 n형 불순물, p형 불순물, 기타 금속과 같은 불순물이 사용될 수 있다.
액티브 패턴(ACT) 상에는 제1 패시베이션층(PSV1)이 제공된다. 제1 패시베이션층(PSV1)은 무기 재료로 이루어진 무기 절연막일 수 있으며 유기 재료로 이루어진 유기 절연막일 수도 있다. 무기 재료로는 폴리실록산, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘산질화물 등의 무기 절연 물질이 이용될 수 있다. 유기 재료는 폴리아크릴계 화합물, 폴리이미드계 화합물, 테프론과 같은 불소계 탄소 화합물, 벤조시클로부텐 화합물 등과 같은 유기 절연 물질일 수 있다.
제1 패시베이션층(PSV1) 상에는 게이트 전극(GE)이 제공된다. 게이트 전극(GE)은 액티브 패턴(ACT)의 채널 영역에 대응되는 영역을 커버하도록 형성된다.
게이트 전극(GE)은 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(GE)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu)와 같은 금속 중 적어도 하나, 또는 금속들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트 전극(GE)은 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 금속들 및 합금들 중 2 이상 물질이 적층된 다중막으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 도시하지는 않았으나 게이트 배선들을 비롯한 다른 배선들이 게이트 전극(GE)과 동일한 층에 동일한 재료로 제공될 수 있다. 여기서, 게이트 배선들과 같은 다른 배선들은 각 화소(PXL) 내의 트랜지스터의 일부, 예를 들어 게이트 전극(GE)과 직접 또는 간접적으로 연결될 수 있다.
게이트 전극(GE) 및 커패시터 하부 전극(LE) 상에는 제2 패시베이션층(PSV2)이 제공된다. 제2 패시베이션층(PSV2)은 무기 재료로 이루어진 무기 절연막일 수 있다. 무기 재료로는 폴리실록산, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘산질화물 등이 이용될 수 있다. 제2 패시베이션층(PSV2) 상에는 제3 패시베이션층(PSV3)이 제공된다. 제3 패시베이션층(PSV3)은 무기 재료로 이루어진 무기 절연막일 수 있다. 무기 재료로는 폴리실록산, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘산질화물 등이 이용될 수 있다. 도면에는 도시되어 있지 않으나, 제1 패시베이션층(PSV1)과 제2 패시베이션층(PSV2) 사이에는 커패시터 하부 전극이 제공될 수 있고 제2 패시베이션층(PSV2)과 제3 패시베이션층(PSV) 사이에는 커패시터 상부 전극이 제공될 수 있다.
제3 패시베이션층(PSV3) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공된다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 제3 패시베이션층(PSV3), 제2 패시베이션층(PSV2) 및 제1 패시베이션층(PSV1)에 형성된 컨택 홀을 통해 액티브 패턴(ACT)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 접촉한다.
소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu)와 같은 금속 중 적어도 하나, 또는 금속들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 금속들 및 합금들 중 2 이상 물질이 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 도시하지는 않았으나 데이터 배선들이나 제1 전원 배선들이 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 동일한 층에 동일한 재료로 제공될 수 있다. 여기서, 데이터 배선들이나 제1 전원 배선들은 직접 또는 간접적으로 각 화소(PXL) 내의 트랜지스터의 일부, 예를 들어 소스 전극(SE) 및/또는 드레인 전극(DE)과 직접 또는 간접적으로 연결될 수 있다.
소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE) 상에는 제4 패시베이션층(PSV4)이 제공될 수 있다. 제4 패시베이션층(PSV4)은 무기 재료로 이루어진 무기 절연막일 수 있다. 무기 재료로는 폴리실록산, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘산질화물 등이 이용될 수 있다. 제4 패시베이션층(PSV4)은 실시예에 따라 생략될 수 있다.
제4 패시베이션층(PSV4) 상에는 제1 절연층(INS1)이 제공될 수 있다. 제4 패시베이션층(PSV4)이 생략되는 경우, 제1 절연층(INS1)은 제3 패시베이션층(PSV3) 상에 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 기판(SUB) 상에는 적어도 하나의 화소(PXL)가 제공된다. 각 화소는 제1 절연층(INS1)과 제2 절연층(INS2) 사이에 제공되는 제1 전극(EL1) 및 상기 제2 절연층(INS2) 상에 제공되는 제2 전극(EL2)을 가질 수 있다. 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2) 중 적어도 하나에는 금속층이 제공될 수 있다. 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2)은 각각 애노드와 캐쏘드일 수 있다.
제1 전극(EL1)은, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 이들의 합금 등의 금속막 및/또는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 제1 전극(EL1)은 한 종의 금속으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 두 종 이상의 금속, 예를 들어, Ag와 Mg의 합금으로 이루어질 수도 있다.
제1 전극(EL1)은 기판(SUB)의 하부 방향으로 영상을 제공하고자 하는 경우, 투명 도전성막으로 형성될 수 있으며, 기판(SUB)의 상부 방향으로 영상을 제공하고자 하는 경우, 금속 반사막 및/또는 투명 도전막으로 형성될 수 있다.
제1 전극(EL1) 등이 형성된 기판(SUB) 상에는 각 화소(PXL)에 대응하도록 화소(PXL) 영역을 구획하는 제2 절연층(INS2)이 제공된다. 제2 절연층(INS2)은 유기 재료로 이루어진 유기 절연막일 수 있다. 유기 재료로는 폴리아크릴계 화합물, 폴리이미드계 화합물, 테프론과 같은 불소계 탄소 화합물, 벤조시클로부텐 화합물 등과 같은 유기 절연 물질이 이용될 수 있다. 제2 절연층(INS2)은 제1 전극(EL1)의 상면을 노출하며 화소(PXL)의 둘레를 따라 기판(SUB)으로부터 돌출된다.
제2 절연층(INS2)에 의해 둘러싸인 화소(PXL) 영역에는 유기 발광층(OL) 이 제공될 수 있다.
유기 발광층(OL)은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 저분자 물질로는 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 포함할 수 있다. 이러한 물질들은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다. 고분자 물질로는 PEDOT, PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등을 포함할 수 있다.
유기 발광층(OL)은 단일층으로 제공될 수 있으나, 다양한 기능층을 포함하는 다중층으로 제공될 수 있다. 유기 발광층(OL)이 다중층으로 제공되는 경우, 홀 주입층(Hole Injection Layer), 홀 수송층(Hole Transport Layer), 발광층(Emission Layer), 전자 수송층(Electron Transport Layer), 전자 주입층(Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있다. 이러한 유기 발광층(OL)은 증착(evaporation), 스크린 인쇄, 잉크젯 인쇄방법, 레이저열전사방법(LITI; Laser induced thermal imaging) 등으로 형성할 수 있다.
물론 유기 발광층(OL)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다. 그리고 유기 발광층(OL)의 적어도 일부는 복수 개의 제1 전극(EL1)들에 걸쳐서 일체로 형성될 수 있으며, 복수 개의 제1 전극(EL1)들 각각에 대응하도록 개별적으로 제공될 수도 있다.
유기 발광층(OL) 상에는 제2 전극(EL2)이 제공된다. 제2 전극(EL2)은 화소(PXL)마다 제공될 수도 있으나, 표시 영역(DA)의 대부분을 커버하도록 제공될 수 있으며 복수 개의 화소들(PXL)에 의해 공유될 수 있다.
제2 전극(EL2)은 실시예에 따라 애노드나 캐소드 중 하나로 사용될 수 있으며, 제1 전극(EL1)이 애노드인 경우 제2 전극(EL2)은 캐소드로, 제1 전극(EL1)이 캐소드인 경우 제2 전극(EL2)은 애노드로 사용될 수 있다.
제2 전극(EL2)은, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 등의 금속막 및/또는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등의 투명 도전성막으로 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제2 전극(EL2)은 금속 박막을 포함하는 이중막 이상의 다중막으로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, ITO/Ag/ITO 의 삼중막으로 이루어질 수 있다.
제2 전극(EL2)은 기판(SUB)의 하부 방향으로 영상을 제공하고자 하는 경우, 금속 반사막 및/또는 투명 도전성막으로 형성될 수 있으며, 기판(SUB)의 상부 방향으로 영상을 제공하고자 하는 경우, 또는 투명 도전막으로 형성될 수 있다.
제2 전극(EL2) 상에는 제2 봉지층(SL2)이 제공된다.
제2 봉지층(SL2)은 제2 전극(EL2)을 비롯한 화소부(PXL)의 상면 및 측면을 커버하는 형태로 제공되며, 단일 층으로 제공될 수 있다. 제2 봉지층(SL2)이 제공됨에 따라 외부로부터 화소부(PXL)로 수분이 침투하는 것을 막을 수 있다.
제2 봉지층(SL2)은 상술한 수분 침투 방지 기능을 나타내기 위해 사슬 상에 극성 작용기를 포함하는 고분자층, 및 고분자층의 두께 방향으로 침투된 무기 화합물(IP)을 포함한다. 고분자층 내에 무기 화합물(IP)이 침투한 영역을 침투층(SL_D)이라고 지칭할 수 있는데, 침투층(SL_D)은 제2 봉지층(SL2)의 두께 방향으로 적어도 제2 봉지층(SL2) 표면으로부터 안쪽까지 제공될 수 있다. 침투층(SL_D)의 두께는 제2 봉지층(SL2)의 두께 이하일 수 있다.
제2 봉지층(SL2)은 필름 구조를 가질 수 있다. 제2 봉지층(SL2)은 광학적으로 투명하여 화소부(PXL)로부터 출사되는 빛을 반사하거나 왜곡하지 않으면서도, 화소부(PXL)로 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
제2 봉지층(SL2)은 여러 층으로 구성되는 종래 기술의 TFE(Thin Film Encapsulation)와 달리, 단일 층으로 제공될 수 있다. 종래 기술에 따르면, 화소부(PXL)로 수분이 침투하는 것을 방지하기 위해 제공되는 TFE는 유기층과 무기층이 교번적으로 적층된 복층 형태로 제공되곤 하였다. 그러나, 이러한 복층의 TFE는 유연성이 상대적으로 떨어진다는 단점이 있다. 따라서, 가요성 표시 장치에 적용하였을 때 반복되는 굽힘과 접힘에 따라 발생되는 스트레스로 TFE가 파손될 우려가 있다. 파손된 TFE로는 수분이 침투할 수 있다.
제2 봉지층(SL2)은 이에 비하여 단일 층으로 제공되기 때문에 가요성이 뛰어나고, 이에 따라 반복되는 굽힘과 접힘, 인장(Stretching)에도 파손될 우려가 없다. 또한, 제2 봉지층(SL2)은 단일층으로 제공되기 때문에 복층으로 제공되는 봉지층 또는 TFE보다 화소부(PXL)로부터 출사되는 빛이 손실 또는 왜곡없이 투과될 수 있다.
제1 봉지층(SL1)과 제2 봉지층(SL2)은 도면에서 확인할 수 있듯이, 화소부(PXL)를 하면, 측면, 상면을 둘러싸는 형태로 제공될 수 있다. 이에 따라 화소부(PXL)로 수분 또는 산소가 침투하는 것을 완전히 차단할 수 있다. 또한, 제1 봉지층(SL1)과 제2 봉지층(SL2)은 고분자층 및 고분자층에 침투한 무기 화합물을 포함하는 구조를 갖는데, 이러한 구조의 제1 봉지층(SL1)과 제2 봉지층(SL2)은 신축성이 있고, 휘거나 늘어나더라도 파손되지 않고 수밀성 및 기밀성을 유지할 수 있다.
제1 봉지층(SL1)과 제2 봉지층(SL2)은 기판(SUB) 상에서 화소부(PXL)를 커버하도록 선택적으로 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(SUB) 상에 복수 개의 화소부(PXL)가 제공되는 경우, 제1 봉지층(SL1)과 제2 봉지층(SL2)은 화소부(PXL)가 제공된 영역에 대응되게 선택적으로 제공되고, 화소부(PXL)가 제공되지 않은 영역에는 제1 봉지층(SL1) 및 제2 봉지층(SL2)도 제공되지 않을 수 있다. 이와 같이 제1 봉지층(SL1) 및 제2 봉지층(SL2)이 기판(SUB)의 일부 영역에만 제공됨에 따라 화소부(PXL)가 제공된 영역에서 기판(SUB)의 외부 스트레스에 따른 인장-수축이 억제될 수 있다. 이에 따라 외부 스트레스에 의한 화소부(PXL) 파손 또는 제1 봉지층(SL1), 제2 봉지층(SL2) 파손이 방지될 수 있다. 이에 대한 더 자세한 내용은 후술하고자 한다.
이상에서는 제1 봉지층(SL1)과 제2 봉지층(SL2)을 포함하는 표시 장치의 구조에 대하여 살펴보았다. 이하에서는 제1 봉지층(SL1)과 제2 봉지층(SL2)의 화학적 구조에 대하여 더 자세히 살펴보고자 한다.
도 4는 도 3의 A1 영역을 확대 도시한 단면도이다.
이하에서는 A1 영역에 위치한 제2 봉지층(SL2)에 대하여 설명하지만, 제2 봉지층(SL2)에 관한 기술적 사항은 제1 봉지층(SL1)에도 동일하게 적용될 수 있다. 다만, 제1 봉지층(SL1)과 제2 봉지층(SL2)을 제공함에 있어서 통상의 기술자는 발명의 범위 내에서 구체적 제공 형태, 화학적 조성 등을 독립적으로 조정할 수 있다.
제2 봉지층(SL2)에 포함된 고분자층은 복수 개의 고분자 사슬(POL)에 의해 형성된 층일 수 있다. 이때 복수 개의 고분자 사슬(POL)은 사슬 상에 극성 작용기를 포함한다. 극성 작용기는 -O-(ether), -C(O)O-(ester), -C(O)NH-(amide), -OC(O)O-(carbonate), -OH(alcohol), -SH(thiol), -NH2(amine), -NHC(O)NH-(urea), -OC(O)NH-(urethane), 및 -C(O)NH-C(O)-(imide)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
제2 봉지층(SL2)에 포함된 고분자층의 극성 작용기는 분자 내 C=O 결합을 포함할 수 있다. C=O 결합은 고분자층에 침투한 무기 화합물과 반응하여 무기 화합물이 고분자층 내에서 보다 빠르고 널리 확산된 후, 반응할 수 있도록 한다. 예를 들어, 무기 화합물(IP)은 트리메틸알루미늄 상태로 고분자층에 침투된 후 C=O 결합과 반응하여 빠르게 확산될 수 있다. 또한, 제공된 트리메틸알루미늄은 추가로 도입된 수분 또는 오존 등과 반응할 수 있다. 따라서, 제2 봉지층(SL2)을 형성하기 위하여 수분/오존의 순차적 주입 반복을 수행할 수 있다. 산화 알루미늄 형태로 고분자층 내에 고정될 수 있다. 무기 화합물(IP)이 이렇게 고분자층 내에 고정됨에 따라 무기 화합물(IP)을 포함하는 고분자층은 침투층(SL_D)을 이룰 수 있다.
제2 봉지층(SL2)에 포함된 고분자층의 극성 작용기는 하이드록시(-OH) 작용기, 아민(-NH2) 작용기, 싸이올(-SH) 작용기로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기 화합물 전구체와 반응할 수 있는데 무기 화합물 전구체는 이들 작용기에 루이스 산으로 기능하여 전자를 공여하고 산화될 수 있다. 이에 따라 무기 화합물 전구체와 하이드록시(-OH) 작용기, 아민(-NH2) 작용기, 싸이올(-SH) 작용기 사이에는 강한 정전기적 인력이 작용하고 이에 따라 무기 화합물 전구체가 고분자층 내로 더 빠르게 널리 확산될 수 있다.
제2 봉지층(SL2)을 구성함에 있어서 임의의 고분자로 제2 봉지층(SL2)을 형성할 수 있는 것은 아니다. 구체적으로 극성 작용기 함량이 적은 고분자를 이용할 경우, 무기 화합물이 침투되어 형성되는 침투층(SL_D)을 포함하는 제2 봉지층(SL2)을 제공하기 어렵다. 예를 들어, 무기 화합물 전구체와 반응하기 어려운 -C-C-, -C=C-, CF2-CF2-, 또는 -SiO- 등의 기능기가 주를 이루는 고분자를 이용할 경우, 제2 봉지층(SL2)을 형성하기 어렵다. 여기에 해당되는 고분자 화합물은 예를 들어 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리(p-페닐렌)(poly(p-phenylene)), 폴리(p-페닐렌 바이닐렌)(poly(p-phenylene vinylene)), 폴리스타이렌(polystyrene), 폴리테라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene) (PTFE), 폴리(바이닐 플루오라이드)(poly(vinyl fluoride)), 폴리(퍼플루오로알콕시 알케인)(poly(perfluoroalkoxy alkane) (PFA))에서 선택된 적어도 하나일 수 있다. 이들 고분자 화합물에 대하여 무기 화합물(IP) 침투를 시도할 경우, 무기 화합물(IP)이 고분자층 내부로 침투하여 침투층(SL_D)이 형성되는 것이 아니라, 고분자층 표면에 증착될 수 있다. 이 경우, 고분자층과 무기 화합물층이 일체로 제공되지 않으므로, 반복되는 기계적 스트레스로 인해 두 층이 박리될 수 있다.
침투층(SL_D)에 대하여 더 자세히 살펴보면, 침투층(SL_D)은 고분자 사슬(POL) 사이 사이에 무기 화합물(IP)이 고정된 형태를 가질 수 있다. 이때 고분자 사슬(POL) 사이에 제공된 무기 화합물(IP)은 고분자 사슬(POL) 상의 극성 작용기에 의해 고정된다. 구체적으로 고분자 사슬(POL) 상의 극성 작용기와 무기 화합물(IP) 사이에는 공유결합, 수소 결합, 쌍극자 결합 등의 결합력이 제공될 수 있다. 침투층(SL_D) 내에서 극성 작용기와 무기 화합물(IP)이 결합함에 따라 침투층(SL_D)은 제2 봉지층(SL2)과 일체로서 제공될 수 있다. 구체적으로 종래 기술에 따르면 유기물 층/무기물 층/유기물 층을 교번적으로 적층하여 TFE를 제공했는데, 본 발명에 따르면 침투층(SL_D)과 제2 봉지층(SL2)이 일체로 제공될 수 있다. 이에 따라, 굽힘(Bending)에 따른 기계적 스트레스가 제2 봉지층(SL2)에 반복적으로 인가되어도 제2 봉지층(SL2)이 파단될 우려가 없다. 또한, 단층으로 제2 봉지층(SL2)을 제공함에 따라 광학적 투명성이 개선될 수 있다.
침투층(SL_D)은 고분자 사슬(POL) 사이사이에 무기 화합물(IP)이 제공되어, 수분 침투를 방지하는데, 구체적으로 고분자 사슬(POL) 사이에 제공된 무기 화합물(IP)은 고분자층 내부의 빈 공간을 없애고, 이에 따라 물 분자가 고분자 사슬(POL) 사이를 빠져나와 제2 봉지층(SL2) 안쪽으로 침투하는 것을 방지한다. 이러한 제2 봉지층(SL2)은 10-6 g m-2 day-1 이하의 WVTR(water vapor transmission rate)을 나타낼 수 있다. 제2 봉지층(SL2)이 상술한 범위의 낮은 WVTR 수치를 나타냄에 따라 제2 봉지층(SL2)을 포함하는 표시 장치 수명이 대폭 향상되어 습도가 높은 환경에서도 10,000 시간 이상 안정적으로 구동될 수 있다.
침투층(SL_D)의 두께는 약 10nm 내지 약 500nm일 수 있다. 침투층(SL_D)의 두께는 제2 봉지층(SL2)의 두께를 고려하여 결정할 수 있다. 침투층(SL_D)의 두께는 아울러, 고분자층의 조성에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 고분자층은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI), 및 나일론 6(Nylon 6)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있는데, 이때 고분자층에 포함된 고분자의 종류에 따라 무기 화합물(IP)의 상기 고분자층 침투 깊이가 달라진다. 이는 고분자층을 구성하는 고분자 화합물의 종류에 따라 무기 화합물(IP)과의 화학적 상호 작용 양상이 달라질 수 있기 때문이다. 아울러, 고분자 화합물의 종류에 따라 고분자층의 수분 침투 방지 성능이 다르기 때문에 고분자 화합물에 따라서 필요로 하는 침투층(SL_D)의 두께가 달라질 수 있다. 따라서 고분자 화합물의 종류에 따라 무기 화합물(IP)의 침투 용이성(침투 깊이)가 달라지고, 필요로 하는 침투층(SL_D) 두께도 달라지므로, 고분자 화합물의 종류를 고려하여 정교하게 제2 봉지층(SL2) 형성 공정을 설계하는 것이 필요하다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5를 참고하면, 기판(SUB) 상에 복수 개의 화소부(PXL)가 제공되며 각각의 화소부(PXL)는 제1 봉지층(SL1) 및 제2 봉지층(SL2)에 의해 커버된다. 제1 봉지층(SL1) 및 제2 봉지층(SL2)은 개별 화소부(PXL)를 커버하며, 서로 인접한 두 화소부(PXL) 사이에는 제1 봉지층(SL1) 및 제2 봉지층(SL2)이 제공되지 않은 영역이 존재할 수 있다. 이에 따라, 기판(SUB)의 일부 영역, 구체적으로 서로 인접한 두 화소부(PXL) 사이의 영역은 제1 봉지층(SL1) 및/또는 제2 봉지층(SL2)에 의해 커버되지 않고 노출될 수 있다.
제1 봉지층(SL1) 및 제2 봉지층(SL2)이 기판(SUB) 상의 일부 영역에만 제공됨에 따라, 기판(SUB), 제1 봉지층(SL1), 제2 봉지층(SL2)을 포함하는 표시 장치의 신축성이 표시 장치 내 영역에 따라 달라질 수 있다. 구체적으로, 제1 봉지층(SL1) 및 제2 봉지층(SL2)에 의해 커버된 영역(D1)과 제1 봉지층(SL1) 및 제2 봉지층(SL2)이 제공되지 않은 영역(D2)의 신축률이 달라질 수 있다.
제1 봉지층(SL1) 및 제2 봉지층(SL2)에 의해 커버된 영역(D1)의 경우 촘촘하게 제공된 고분자층 및/또는 무기 화합물이 기판(SUB) 상에 제공되고, 이들과 기판(SUB)간 작용하는 인력에 의해 기판(SUB)의 인장 또는 수축이 억제될 수 있다. 반면 제1 봉지층(SL1) 및 제2 봉지층(SL2)이 제공되지 않은 영역(D2)은 유연한 기판의 특성이 억제되지 않아 상대적으로 더 많이 인장 또는 수축될 수 있다.
따라서, 표시 장치에 외력이 가해졌을 때, 제1 봉지층(SL1) 및 제2 봉지층(SL2)에 의해 커버된 영역(D1)을 덜 변형되고, 제1 봉지층(SL1) 및 제2 봉지층(SL2)이 제공되지 않은 영역(D2)은 상대적으로 더 많이 변형될 수 있다. 제1 봉지층(SL1) 및 제2 봉지층(SL2)이 제공되지 않은 영역(D2)의 경우 유연한 기판(SUB)만 제공되므로 변형에 의해 파손될 우려가 없다. 또한, 제1 봉지층(SL1) 및 제2 봉지층(SL2)에 의해 커버된 영역(D1)의 경우 상대적으로 기판(SUB)의 변형이 억제되므로, 기판(SUB) 상에 적층된 화소부(PXL)가 인장 또는 수축에 의해 파손될 우려가 없다.
이상에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 구조에 대하여 살펴보았다. 이하에서는 표시 장치 제조 방법에 대하여 더 자세히 살펴보고자 한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 6을 참고하면, 표시 장치 제조 방법은 기판을 제공하는 제1 단계(S100), 기판 상에 제1 고분자 필름을 제공하고, 제1 고분자 필름 상에 무기 화합물을 침투시켜 제1 봉지층을 제조하는 제2 단계(S200), 제1 봉지층 상에 화소부를 제공하는 제3 단계(S300), 화소부를 커버하는 제2 고분자 필름을 제공하고, 제2 고분자 필름 상에 무기 화합물을 침투시켜 제2 봉지층을 제조하는 제4 단계(S400)를 포함한다. 이때 제1 봉지층 및 제2 봉지층은 상기 기판의 적어도 일부 영역을 노출하는 형태로 제공되고, 제1 봉지층 및 제2 봉지층은 각각 사슬 상에 극성 작용기를 포함하는 고분자층; 및 상기 고분자층의 두께 방향으로 침투된 상기 무기 화합물을 포함하고, 상기 무기 화합물은 상기 고분자층의 사슬 상의 상기 극성 작용기와 결합하여 상기 고분자층의 사슬 사이에 제공된다.
먼저 제1 단계(S100)에 따르면 기판을 제공한다. 기판은 표시 장치의 기판 및 공정 수행을 위해 기판에 제공되는 부가 구성요소를 포함하는 의미일 수 있다. 제1 단계(S100)에서 기판은 반응 공정이 수행되는 챔버 등에 제공될 수 있다. 기판을 제공하는 방법은 기판부의 크기에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 흡착, 컨베이어 방식 등 다양한 방법을 이용하여 기판을 챔버 내에 제공할 수 있다.
다음으로, 제2 단계(S200)에 따르면 기판 상에 제1 고분자 필름을 제공하고 제1 고분자 필름 상에 무기 화합물을 침투시켜 제1 봉지층을 제조한다. 제1 고분자 필름은 화소부를 제공할 영역을 고려하여 기판 상의 일부 영역에만 제공할 수 있다.
제2 단계(S200)에서 제1 고분자 필름은 잉크젯 프린팅, 플라즈마 폴리머 또는 iCVD 등 다양한 방법을 이용하여 기판 상에 제공할 수 있다. 잉크젯 프린팅은 상압에서 공정이 가능하고 마스크가 필요 없으며 제조 단가가 낮다는 장점이 있다. 플라즈마 폴리머(plasma polymerization)와 iCVD(initiated chemical vapor deposition)은 기상 증착법으로 마스크를 이용하여 선택영역에 증착을 수행한다. 다만, 제1 고분자 필름을 제공하는 방법은 상술한 방법 외에도 다양할 수 있다.
제2 단계(S200)에서 제1 고분자 필름을 제공한 후에는 제1 고분자 필름 내에 무기 화합물을 침투시켜 제1 봉지층을 제조한다. 무기 화합물 침투는 무기 화합물 전구체 가스를 제1 고분자 필름이 제공된 챔버 내에 제공함으로써 수행될 수 있다. 이때 무기 화합물을 침투시키는 공정은 약 50℃ 내지 약 120℃에서 수행될 수 있다. 다만, 공정 수행 온도는 고분자층을 구성하는 고분자 화합물의 종류에 따라 다르게 결정할 수 있다. 예를 들어, 고분자층을 구성하는 고분자 화합물이 PET(Polyethylene terephthalate)인 경우, 상대적으로 무기 화합물의 확산이 용이하기 때문에 상대적으로 낮은 온도인 50 ℃ 내지 100℃에서 봉지층 형성 공정을 수행할 수 있다.
봉지층 형성 공정에서 무기 화합물을 무기 화합물 전구체 형태로 고분자층 내부에 제공하고, 고분자층 내부에서 무기 화합물이 C=O 결합과 반응하도록 함으로써, 무기 화합물과 고분자층 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다. 구체적으로 산화물 형태의 무기 화합물은 고분자층의 극성 작용기와 강하게 결합할 수 있을 뿐만 아니라, 기체 상태의 무기 화합물 전구체에서 고체 상태의 산화물로 변환된 이후에는 고분자 사슬 사이를 빠져나가기가 어려워 고분자층과 무기 화합물이 일체로 제공될 수 있다.
제2 단계(S200)에서 상술한 것과 같이 기판 및 제1 고분자 필름을 챔버에 넣고 무기 화합물 침투를 수행하여도, 제1 고분자 필름에만 선택적으로 무기 화합물이 침투하고 기판 내에는 무기 화합물이 침투하지 않을 수 있다. 이러한 선택적인 무기 화합물 침투는 기판을 구성하는 고분자와 제1 고분자 필름을 구성하는 고분자의 조성 차이에 기인할 수 있다. 구체적으로, 기판에 포함되는 고분자는 -C-C-, -C=C-, -CF2-CF2-, 또는 -SiO-의 기능기 함량이 극성 작용기 함량보다 많을 수 있다. 반면, 제1 고분자 필름에 제공된 고분자층은 극성 작용기 함량이 -C-C-, -C=C-, -CF2-CF2-, 또는 -SiO-의 기능기 함량보다 많을 수 있다. -C-C-, -C=C-, CF2-CF2-, 또는 -SiO- 등의 기능기는 무기 화합물 전구체와 반응하기 어렵다. 따라서, 이들의 함량이 상대적으로 적은 제1 고분자 필름은 무기 화합물 전구체와 반응하여 무기 화합물이 침투된 제1 봉지층을 이루고, 기판의 경우에는 무기 화합물 전구체와 반응하지 않고 남아있을 수 있다.
다음으로, 제3 단계(S300)에 따르면, 제1 봉지층 상에 화소부를 제공한다. 화소부는 앞서 검토한 것과 같이 트랜지스터 및 OLED 등의 발광 부재를 포함할 수 있다. 이들은 증착, 엣칭 등 종래에 사용되는 공정을 이용하여 제공될 수 있다. 화소부는 앞서 검토한 것과 같이 제1 봉지층이 제공된 영역 내에 제공될 수 있다.
다음으로, 제4 단계(S400)에 따르면 화소부를 커버하도록 제2 고분자 필름을 제공하고, 제2 고분자 필름 상에 무기 화합물을 침투시켜 제2 봉지층을 제조한다. 제2 고분자 필름 및 제2 봉지층 제조 공정은 앞서 검토한 제1 고분자 필름 및 제1 봉지층 제조 공정과 유사하게 수행될 수 있다. 제2 봉지층 제조 공정 역시 상대적으로 저온인 50℃ 내지 120℃에서 수행될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면 봉지층 제조 공정에서 고온의 스퍼터링, 증착 공정이 불필요하며 이에 따라 봉지층 형성 공정 중 유기 발광층이 변성될 우려가 없다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (12)

  1. 신축성을 갖는 기판;
    상기 기판 상에 순차적으로 적층되어 제공되는 적어도 1개 이상의 화소부;
    상기 기판과 상기 화소부 사이에 제공되는 제1 봉지층; 및
    상기 화소부를 커버하는 제2 봉지층을 포함하고,
    상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 상기 기판의 적어도 일부 영역을 노출하는 형태로 제공되고,
    상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 사슬 상에 극성 작용기를 포함하는 고분자층; 및 상기 고분자층의 두께 방향으로 침투된 무기 화합물을 포함하고,
    상기 무기 화합물은 상기 고분자층의 사슬 상의 상기 극성 작용기와 결합하여 상기 고분자층의 사슬 사이에 제공되어 상기 제1 봉지층과 상기 제2 봉지층은 단층으로 제공되고, 단층의 상기 제2 봉지층으로 커버되는, 신축성 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고분자층의 상기 극성 작용기는 -O-(ether), -C(O)O-(ester), -C(O)NH-(amide), -OC(O)O-(carbonate), -OH(alcohol), -SH(thiol), -NH2(amine), -NHC(O)NH-(urea), -OC(O)NH-(urethane), 및 -C(O)NH-C(O)-(imide)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 신축성 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 고분자층의 상기 극성 작용기는 분자 내 C=O 결합을 포함하고,
    상기 무기 화합물은 무기 화합물 전구체 형태로 상기 고분자층 내부에 침투된 후 상기 C=O 결합과 반응하여 상기 고분자층 내 확산 및 반응함으로써 제공되는, 신축성 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 고분자층의 상기 극성 작용기는 분자 내 에테르(-O-) 결합을 포함하고,
    상기 무기 화합물은 무기 화합물 전구체 형태로 상기 고분자층 내부에 침투된 후 상기 에테르(-O-) 결합과 반응하여 상기 고분자층 내 확산 및 반응함으로써 제공되는, 신축성 표시 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 고분자층의 상기 극성 작용기는 분자 내 하이드록시(-OH) 작용기를 포함하고,
    상기 무기 화합물은 무기 화합물 전구체 형태로 상기 고분자층 내부에 침투된 후 상기 하이드록시(-OH) 작용기와 반응하여 상기 고분자층 내 확산 및 반응함으로써 제공되는, 신축성 표시 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 고분자층의 상기 극성 작용기는 분자 내 아민(-NH2) 작용기를 포함하고,
    상기 무기 화합물은 무기 화합물 전구체 형태로 상기 고분자층 내부에 침투된 후 상기 아민(-NH2) 작용기와 반응하여 상기 고분자층 내 확산 및 반응함으로써 제공되는, 신축성 표시 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 고분자층의 상기 극성 작용기는 분자 내 싸이올(-SH) 작용기를 포함하고,
    상기 무기 화합물은 무기 화합물 전구체 형태로 상기 고분자층 내부에 침투된 후 상기 싸이올(-SH) 작용기와 반응하여 상기 고분자층 내 확산 및 반응함으로써 제공되는, 신축성 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 고분자층은 아크릴계 고분자, 에스터계 고분자, 카보네이트계 고분자, 이미드계 고분자, 에테르계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 신축성 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기판에 포함되는 고분자는 -C-C-, -C=C-, -CF2-CF2-, 또는 -SiO-의 기능기 함량이 상기 극성 작용기 함량보다 많은, 신축성 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    복수 개의 상기 화소부는 상기 기판 상에 서로 이격되어 제공되고,
    상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 상기 기판 상의 상기 화소부가 제공된 영역에만 선택적으로 제공되는, 신축성 표시 장치.
  11. 기판을 제공하는 제1 단계;
    상기 기판 상에 제1 고분자 필름을 제공하고, 상기 제1 고분자 필름 상에 무기 화합물을 침투시켜 제1 봉지층을 제조하는 제2 단계;
    상기 제1 봉지층 상에 화소부를 제공하는 제3 단계;
    상기 화소부를 커버하는 제2 고분자 필름을 제공하고, 상기 제2 고분자 필름 상에 전구체 가스 형태의 무기 화합물을 침투시켜 제2 봉지층을 제조하는 제4 단계를 포함하고,
    상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 상기 기판의 적어도 일부 영역을 노출하는 형태로 제공되고,
    상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 각각 사슬 상에 극성 작용기를 포함하는 고분자층; 및 상기 고분자층의 두께 방향으로 침투된 상기 무기 화합물을 포함하고, 상기 무기 화합물은 상기 고분자층의 사슬 상의 상기 극성 작용기와 결합하여 상기 고분자층의 사슬 사이에 제공되는, 신축성 표시 장치 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기판에 포함되는 고분자는 -C-C-, -C=C-, -CF2-CF2-, 또는 -SiO-의 기능기 함량이 상기 극성 작용기 함량보다 크고,
    상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층 각각에 포함된 상기 고분자층은 상기 극성 작용기 함량이 고분자는 -C-C-, -C=C-, -CF2-CF2-, 또는 -SiO-의 기능기 함량보다 크고,
    상기 무기 화합물은 상기 기판, 상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층 중 상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층에 선택적으로 침투되어 제공되는, 신축성 표시 장치 제조 방법.
KR1020200172922A 2020-12-11 2020-12-11 신축성 표시 장치 및 신축성 표시 장치 제조 방법 KR102505829B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200172922A KR102505829B1 (ko) 2020-12-11 2020-12-11 신축성 표시 장치 및 신축성 표시 장치 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200172922A KR102505829B1 (ko) 2020-12-11 2020-12-11 신축성 표시 장치 및 신축성 표시 장치 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220083061A KR20220083061A (ko) 2022-06-20
KR102505829B1 true KR102505829B1 (ko) 2023-03-06

Family

ID=82249944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200172922A KR102505829B1 (ko) 2020-12-11 2020-12-11 신축성 표시 장치 및 신축성 표시 장치 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102505829B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016117439A1 (ja) 2015-01-20 2016-07-28 コニカミノルタ株式会社 面発光モジュール
JP2018088414A (ja) * 2013-05-24 2018-06-07 パナソニック株式会社 封止膜、有機ｅｌデバイス、可撓性基板、および、封止膜の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101574842B1 (ko) * 2012-03-16 2015-12-08 세종대학교산학협력단 양자점- 고분자 복합체 입자, 상기 복합체 입자를 포함하는 광학요소, 및 상기 광학요소의 제조방법
US10385237B2 (en) * 2015-06-09 2019-08-20 Lg Chem, Ltd. Organic electronic device
KR101878572B1 (ko) * 2015-12-31 2018-07-16 서울대학교산학협력단 접착제를 사용하지 않는 다층구조의 수분 및 기체 고차단성 유연필름 및 그 제조방법
WO2019159830A1 (ja) * 2018-02-16 2019-08-22 三井化学株式会社 画像表示装置封止材および画像表示装置封止シート
KR20200069118A (ko) * 2018-12-06 2020-06-16 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200119454A (ko) * 2019-04-09 2020-10-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018088414A (ja) * 2013-05-24 2018-06-07 パナソニック株式会社 封止膜、有機ｅｌデバイス、可撓性基板、および、封止膜の製造方法
WO2016117439A1 (ja) 2015-01-20 2016-07-28 コニカミノルタ株式会社 面発光モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220083061A (ko) 2022-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11245090B2 (en) Display device with structure for preventing organic material overflow
KR102493484B1 (ko) 표시 장치
US10886306B2 (en) Display device with overlapping lines spaced apart from an insulating layer
CN108074957B (zh) 显示装置
KR20230154412A (ko) 표시 장치
CN108288635A (zh) 显示装置
TWI535001B (zh) 有機發光顯示設備
US11320709B2 (en) Flexible display device which can be folded or rolled
US10256435B2 (en) Display device
KR20160081687A (ko) 표시 장치
US7898175B2 (en) Organic light emitting display apparatus with an enhanced viewing angle
US10192940B2 (en) Double sided organic light-emitting display apparatus and its manufacturing method thereof
JP2019095507A (ja) 表示装置
US7898164B2 (en) Organic light emitting device comprising microcavity portions containing films with different optical lengths
CN111799308A (zh) 显示装置
KR102505829B1 (ko) 신축성 표시 장치 및 신축성 표시 장치 제조 방법
KR102558965B1 (ko) 신축성 표시 장치 및 신축성 표시 장치 제조 방법
US8502443B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR102610213B1 (ko) 표시 장치 제조 방법 및 제조 장치
KR102584458B1 (ko) 필름 구조체 및 이를 포함하는 표시 장치
US10879321B2 (en) Display device
KR20230111656A (ko) 디스플레이 장치
KR20230142023A (ko) 디스플레이 장치
CN116916686A (zh) 柔性显示面板以及电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant