KR102486362B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 상부에 기판이 놓여지며, 복수의 리프트핀홀들이 상하방향으로 관통형성되는 서셉터; 각각의 상기 리프트핀홀들을 따라 이동하며, 상기 기판이 상기 서셉터에 놓여진 안착상태 및 상기 기판이 상기 서셉터로부터 이격되는 대기상태로 전환가능한 복수의 리프트핀들; 상기 서셉터의 하부에 설치되어 상기 서셉터의 하부면을 덮으며, 외부로부터 격리된 이동공간이 내부에 형성되는 플로우 실드; 그리고 상기 플로우 실드에 각각 형성된 복수의 베이스홀들에 각각 설치되어 각각의 리프트핀들의 하단부에 연결되며, 상기 리프트핀들을 각각 지지한 상태에서 상기 베이스홀들을 따라 각각 이동가능한 리프트핀베이스들을 포함한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 리프트핀의 오염을 방지할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조과정에서, 리프트핀들은 챔버에서 서셉터 상으로 반도체 기판을 리프팅 및 하강시키기 위해 사용된다. 로봇 암이 기판을 챔버의 내부로 운송하며, 서셉터를 통해 상부로 돌출된 리프트핀들 상에 기판이 놓인다. 이어서, 리프트핀들이 하강하여 기판이 서셉터의 상부에 놓여진다.
기판에 대한 공정이 완료된 후, 리프트핀들은 상승하여 기판을 서셉터로부터 리프팅하며, 로봇 암은 공정이 완료된 기판을 챔버로부터 인출하기 위해 기판 아래에 삽입된다. 이후, 리프트핀들이 하강하여 기판이 로봇 암 상에 놓여지며, 로봇 암은 기판을 챔버로부터 인출한다.
한국공개특허공보 2011-0036915호(2011.04.12.)
본 발명의 목적은 리프트핀의 오염을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 서셉터의 하부 또는 리프트핀이 공정가스에 노출되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 서셉터 또는 리프트핀의 수명을 연장할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 상부에 기판이 놓여지며, 복수의 리프트핀홀들이 상하방향으로 관통형성되는 서셉터; 각각의 상기 리프트핀홀들을 따라 이동하며, 상기 기판이 상기 서셉터에 놓여진 안착상태 및 상기 기판이 상기 서셉터로부터 이격되는 대기상태로 전환가능한 복수의 리프트핀들; 상기 서셉터의 하부에 설치되어 상기 서셉터의 하부면을 덮으며, 외부로부터 격리된 이동공간이 내부에 형성되는 플로우 실드; 그리고 상기 플로우 실드에 각각 형성된 복수의 베이스홀들에 각각 설치되어 각각의 리프트핀들의 하단부에 연결되며, 상기 리프트핀들을 각각 지지한 상태에서 상기 베이스홀들을 따라 각각 이동가능한 리프트핀베이스들을 포함한다.
상기 리프트핀이 상기 안착상태인 경우 상기 리프트핀베이스는 상기 플로우 실드에 의해 지지되는 지지상태에 위치하며, 상기 리프트핀이 상기 대기상태인 경우 상기 리프트핀베이스는 상기 챔버의 바닥면에 의해 지지되는 해제상태에 위치할 수 있다.
상기 리프트핀베이스는 상하방향으로 연장된 몸체 및 상기 몸체의 외주면으로부터 돌출된 지지돌기를 가지며, 상기 플로우 실드는 상기 리프트핀베이스가 상기 지지상태에 위치한 상태에서 상기 지지돌기가 안착되는 안착홈이 내측면에 형성될 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 서셉터를 지지하는 지지축; 그리고 상기 지지축의 둘레에 설치되어 상기 플로우 실드를 지지하며, 외부로부터 격리되어 상기 이동공간에 연통된 공급공간이 내측에 형성되는 실드축을 더 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 공급공간에 비활성가스를 공급하는 공급포트를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 플로우 쉴드를 통해 서셉터의 하부 또는 리프트핀을 공정가스로부터 격리하여 공정가스에 노출되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 플로우 쉴드의 내부에 비활성가스를 공급하여 서셉터의 하부 또는 리프트핀이 오염되는 것을 방지할 수 있으며, 이를 통해 서셉터 또는 리프트핀의 수명을 연장할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시한 서셉터의 이동 및 챔버 내부의 공정가스 흐름을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3 및 도 4는 도 1에 도시한 서셉터의 이동에 따른 리프트핀의 위치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 도 1에 도시한 플로우 실드의 내부에 공급된 비활성가스 흐름을 개략적으로 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도 1 내지 도 5를 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예들은 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 챔버(12)는 기판(S)에 대한 공정이 진행되는 내부공간을 가지며, 상부가 개방된 상태에서 샤워헤드(13) 및 챔버덮개(14)가 챔버(12)의 상부에 설치되어 챔버(12)의 내부공간을 외부로부터 격리한다.
서셉터(22)는 챔버(12)의 내부공간에 설치되며, 상부에 기판(S)이 놓여진다. 서셉터(22)는 기판(S)과 대응되는 원형 디스크(disk) 형상일 수 있으나 이와 다를 수 있다. 서셉터(22)는 공정진행시 기판(S)을 기설정된 온도로 가열할 수 있으며, 히터(도시안함)가 서셉터(22) 내부에 설치될 수 있다.
서셉터(22)는 지지축(24)을 통해 지지되며, 지지축(24)은 챔버(12)의 바닥벽에 형성된 배기구를 관통하여 설치되고 별도의 승강장치(도시안함)에 연결되어 서셉터(22)와 함께 승강할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시한 서셉터의 이동 및 챔버 내부의 공정가스 흐름을 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 공정진행시 지지축(24)이 상승하여 서셉터(22)가 샤워헤드(13)에 접근한다.
샤워헤드(13)는 기판(S)의 상부에 설치되어 원격플라즈마공급장치(RPS)(16)에 연결되며, 공정진행시 원격플라즈마공급장치(16)로부터 공급된 플라즈마 상태의 공정가스를 기판(S)에 공급한다. 공정가스는 서셉터(22)(또는 기판(S))의 가장자리를 향해 흐른 후 챔버(12)의 바닥벽에 형성된 배기구를 통해 챔버(12) 외부로 배출될 수 있다.
기판(S)은 리프트핀들(36)에 의해 지지될 수 있으며, 리프트핀들(36)은 리프트핀베이스(38)에 의해 지지될 수 있다. 리프트핀들(36)은 리프트핀베이스(38)와 함께 승강하며, 기판(S)을 서셉터(22)로부터 리프팅하거나(대기상태, 도 1 참고) 기판(S)을 서셉터(22)의 상부에 안착시킬 수 있다(안착상태, 도 2 참고).
도 3 및 도 4는 도 1에 도시한 서셉터의 이동에 따른 리프트핀의 위치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 더욱 구체적으로, 서셉터(22)는 복수의 리프트핀홀(12a)을 가지며, 예를 들어, 리프트핀홀(12a)은 서셉터(22)의 중심을 기준으로 동심원 상에 위치하고 등각배치될 수 있다. 리프트핀들(36)은 리프트핀홀(12a) 상에 각각 설치되어 리프트핀홀(12a)을 따라 상승/하강할 수 있으며, 상승한 상태에서 기판(S)은 서셉터(22)로부터 리프팅(이격)되고(도 3 참고) 하강한 상태에서 기판(S)은 서셉터(22)의 상부에 놓여진다(도 4 참고).
플로우 실드(32)는 서셉터(22)의 하부에 설치되어 서셉터(22)의 하부면을 덮으며, 외부로부터 격리된 이동공간(32a)을 내부에 형성한다. 도 4에 도시한 바와 같이, 플로우 실드(32)는 공정진행시 서셉터(22)의 외부(또는 하부)로 노출된 리프트핀(36)을 이동공간(32a) 내에 수용하며, 서셉터(22)의 하부 또는 리프트핀(36)이 플라즈마 상태의 공정가스에 노출되는 것을 방지하여 오염을 최소화할 수 있다.
종래 서셉터 및 리프트핀들은 공정가스에 노출되었으며, 이로 인해 서셉터 및 리프트핀들은 부산물 등으로 인해 오염되어 차후 공정에 악영향을 미칠 뿐만 아니라, 부산물 등은 리프트핀에 누적되어 리프트핀의 이동에 장애를 일으켰다.
플로우 실드(32)는 리프트핀홀(12a)에 각각 대응되는 위치에 형성된 베이스홀(33)을 가진다. 앞서 설명한 바와 같이, 리프트핀(36)은 리프트핀베이스(38)에 의해 지지되며, 리프트핀베이스(38)는 베이스홀(33) 상에 각각 설치되어 베이스홀(33)을 따라 상승/하강할 수 있다. 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 서셉터(22)가 하강한 경우 리프트핀베이스(38)는 챔버(12)의 바닥면에 의해 지지되어 상승하여(해제상태) 리프트핀베이스(38)의 상부는 플로우 실드(32)의 내측면으로부터 돌출되며, 서셉터가 상승한 경우 리프트핀베이스(38)는 자중에 의해 하강하여 플로우 실드(32)에 의해 지지되고(지지상태) 리프트핀베이스(38)의 하부는 플로우 실드(32)의 외측면으로부터 돌출된다.
리프트핀베이스(38)는 몸체의 상단에 위치하고 몸체의 외주면으로부터 돌출된 지지돌기(38a)를 가지며, 플로우 실드(32)는 내측면으로부터 함몰되어 베이스홀(33)의 상단에 위치하는 안착홈(32b)을 가진다. 안착홈(32b)은 베이스홀(33)에 비해 큰 단면적을 가지며, 지지돌기(38a)에 대응되는 형상을 가진다. 앞서 설명한 바와 같이, 서셉터가 상승한 경우 리프트핀베이스(38)는 자중에 의해 하강하나, 지지돌기(38a)가 베이스홀(33)에 비해 단면적이 크므로, 플로우 실드(32)에 의해 지지될 수 있으며 지지돌기(38a)는 안착홈(32b)에 삽입된다. 다만, 필요여부에 따라 안착홈(323b)은 생략될 수 있다.
한편, 지지판(19)이 챔버(12)의 바닥벽에 설치될 수 있으며, 리프트핀베이스(38)에 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 지지판(19)은 서셉터(22)가 하강한 경우 리프트핀베이스(38)를 지지할 수 있으며, 지지판(19)을 통해 챔버(12)의 바닥벽을 보강하고 손상을 방지할 수 있다.
도 5는 도 1에 도시한 플로우 실드의 내부에 공급된 비활성가스 흐름을 개략적으로 나타내는 도면이다. 플로우 실드(32)는 지지축(24)에 대응되는 부분에 개구가 형성되며, 지지축(24)은 개구를 관통한다. 실드축(34)은 중공 형상이고 지지축(24)의 둘레에 이격배치되며, 플로우 실드(32)를 지지한 상태에서 지지축(24)과 함께 승강할 수 있다. 따라서, 지지축(24)과 실드축(34) 사이에 공급공간이 형성되며, 공급공간은 외부로부터 격리된 상태에서 이동공간(32a)에 연통된다.
공급포트(24a)는 지지축(24)의 하부에 연결되어 실드축(34)과 연결될 수 있으며, 외부로부터 비활성가스(예를 들어, 질소 등)가 공급될 수 있다. 도 5에 도시한 바와 같이, 공급포트(24a)는 공급공간에 비활성가스를 공급할 수 있으며, 이를 통해 공급공간 및 이동공간(32a)의 압력을 기판(S)에 대한 공정압력 보다 높게 조절할 수 있다. 따라서, 공정진행시 플라즈마 상태의 공정가스는 공급공간 또는 이동공간(32a)으로 유입될 수 없으며, 서셉터(22)의 하부 또는 리프트핀들(36)은 공정가스로부터 격리되어 오염 등의 위험에 노출되지 않을 수 있다. 또한, 이를 통해 서셉터 또는 리프트핀의 수명을 연장할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 공급포트(24a)의 배치로 인해 실드축(34)이 제공되었으나, 필요여부에 따라 실드축(34)은 생략될 수 있으며, 플로우 실드(32)는 지지축(24) 등에 의해 지지될 수 있다.
본 발명을 바람직한 실시예들을 통하여 상세하게 설명하였으나, 이와 다른 형태의 실시예들도 가능하다. 그러므로, 이하에 기재된 청구항들의 기술적 사상과 범위는 바람직한 실시예들에 한정되지 않는다.

Claims (5)

  1. 상부에 기판이 놓여지며, 복수의 리프트핀홀들이 상하방향으로 관통형성되는 서셉터;
    각각의 상기 리프트핀홀들을 따라 이동하며, 상기 기판이 상기 서셉터에 놓여진 안착상태 및 상기 기판이 상기 서셉터로부터 이격되는 대기상태로 전환가능한 복수의 리프트핀들;
    상기 서셉터의 하부에 설치되어 상기 서셉터의 하부면을 덮으며, 외부로부터 격리된 이동공간이 내부에 형성되는 플로우 실드;
    상기 플로우 실드에 각각 형성된 복수의 베이스홀들에 각각 설치되어 각각의 리프트핀들의 하단부에 연결되며, 상기 리프트핀들을 각각 지지한 상태에서 상기 베이스홀들을 따라 각각 이동가능한 리프트핀베이스들;
    상기 서셉터를 지지하는 지지축;
    상기 지지축의 둘레에 설치되어 상기 플로우 실드를 지지하며, 외부로부터 격리되어 상기 이동공간에 연통된 공급공간이 내측에 형성되는 실드축; 및
    상기 공급공간에 비활성가스를 공급하는 공급포트를 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 서셉터가 내부공간에 설치되는 챔버를 더 포함하며,
    상기 리프트핀이 상기 안착상태인 경우 상기 리프트핀베이스는 상기 플로우 실드에 의해 지지되는 지지상태에 위치하며,
    상기 리프트핀이 상기 대기상태인 경우 상기 리프트핀베이스는 상기 챔버의 바닥면에 의해 지지되는 해제상태에 위치하는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 리프트핀베이스는 상하방향으로 연장된 몸체 및 상기 몸체의 외주면으로부터 돌출된 지지돌기를 가지며,
    상기 플로우 실드는 상기 리프트핀베이스가 상기 지지상태에 위치한 상태에서 상기 지지돌기가 안착되는 안착홈이 내측면에 형성되는, 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115116927A (zh) * 2022-06-27 2022-09-27 北京北方华创微电子装备有限公司 一种工艺腔室

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102435A (ja) 1999-07-28 2001-04-13 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
JP2003077963A (ja) 2001-08-31 2003-03-14 Ibiden Co Ltd ウエハプローバ用チャックトップ
US20030169553A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Applied Materials, Inc. High temperature DC chucking and RF biasing cable with high voltage isolation for biasable electrostatic chuck applications
US20100101491A1 (en) * 2008-10-29 2010-04-29 Asm Japan K.K. Wafer lift pins suspended and supported at underside of susceptor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8459566B2 (en) 2009-08-12 2013-06-11 Jennifer H. Hamilton Hidden tag for providing information about associated goods and services
US10049862B2 (en) * 2015-04-17 2018-08-14 Lam Research Corporation Chamber with vertical support stem for symmetric conductance and RF delivery

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102435A (ja) 1999-07-28 2001-04-13 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
JP2003077963A (ja) 2001-08-31 2003-03-14 Ibiden Co Ltd ウエハプローバ用チャックトップ
US20030169553A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Applied Materials, Inc. High temperature DC chucking and RF biasing cable with high voltage isolation for biasable electrostatic chuck applications
US20100101491A1 (en) * 2008-10-29 2010-04-29 Asm Japan K.K. Wafer lift pins suspended and supported at underside of susceptor

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