KR101512135B1 - 복수기판 처리장치 - Google Patents

복수기판 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101512135B1
KR101512135B1 KR20080104107A KR20080104107A KR101512135B1 KR 101512135 B1 KR101512135 B1 KR 101512135B1 KR 20080104107 A KR20080104107 A KR 20080104107A KR 20080104107 A KR20080104107 A KR 20080104107A KR 101512135 B1 KR101512135 B1 KR 101512135B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
substrate support
edge
substrates
support
Prior art date
Application number
KR20080104107A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100045072A (ko
Inventor
황희
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 원익아이피에스 filed Critical 주식회사 원익아이피에스
Priority to KR20080104107A priority Critical patent/KR101512135B1/ko
Publication of KR20100045072A publication Critical patent/KR20100045072A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101512135B1 publication Critical patent/KR101512135B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

복수기판 처리장치를 개시한다. 챔버는 내부에 반응 공간을 갖는다. 기판 지지대는 챔버 내에 회전 및 승강 가능하게 설치되며, 상면에 회전중심 둘레를 따라 복수의 기판들이 안착되게 기판 안착부들을 구비한다. 기판 지지핀들은 기판 안착부들에 안착되는 기판들을 하측에서 지지하도록 형성되고, 각 하단이 기판 지지대를 관통하여 돌출되게 형성된다. 에지 링은 기판 안착부들에 안착된 기판들의 각 가장자리 위에 얹혀지게 형성되고, 하단이 기판 지지대를 관통하여 돌출되게 형성된다. 지지핀 홀더는 기판 지지대의 하측에서 기판 지지핀들의 각 하단과 에지 링의 하단과 접촉되게 형성되어, 기판 지지대의 상승 또는 하강시 기판 지지핀들과 함께 에지 링이 기판 안착부들에 대해 근접 또는 이격되게 한다. 따라서, 복수의 기판들에 대한 공정 수행 중 기판이 기판 안착부로부터 이탈되는 것을 방지하고, 기판의 가장자리에 박막이 증착되는 것을 방지하며, 기판의 하면과 기판 안착부의 상면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
반도체, 복수기판, 처리

Description

복수기판 처리장치{Apparatus for treatment of plural substrates}
본 발명은 반도체 소자를 제조하기 위한 기판 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 복수의 기판들에 대해 한꺼번에 공정을 처리할 수 있는 복수기판 처리장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위하여, 기판 상에 증착, 식각 등 여러 공정을 거치게 된다. 상기 공정은 일반적으로 기판 처리장치의 챔버(chamber) 내에서 행하여진다. 예컨대, 화학기상증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) 공정의 경우, 기판 처리장치는 챔버와 함께, 챔버 내에 기판 지지대와, 가스 분사부를 구비한다.
기판 지지대는 상면에 기판을 안착하는 기판 안착부를 구비하며, 발열수단에 의하여 가열 가능하다. 그리고, 기판 지지대는 회전구동수단에 의해 회전 가능하거나, 승강구동수단에 의해 승강 가능하다. 가스 분사부는 기판 지지대 상측에 배치되어서, 회전하는 기판 지지대 쪽으로 증착 가스를 분사함으로써, 상기 기판 지지대의 기판 안착부에 안착된 기판에 박막이 증착되도록 한다.
한편, 생산성을 향상시키기 위해, 복수의 기판들을 챔버 내에 한꺼번에 공급하여 공정 처리하는 복수기판 처리장치가 제안되고 있다. 여기서, 복수기판 처리 장치는 기판들을 기판 지지대의 상면에 기판 지지대의 회전중심 둘레를 따라 배열시켜 안착하도록 기판 안착부들을 구비한다.
그런데, 종래의 복수기판 처리장치에서는 기판 안착부에 안착되어 있는 기판들은 자중에 의해 기판 안착부들에 각각 놓여지는 것이 일반적이다. 이에 따라, 기판 지지대가 급격하게 회전하는 과정에서 원심력에 의하거나, 승강하는 과정에서 진동 등에 의해, 기판이 기판 안착부에 완전히 밀착되지 않을 가능성이 있다.
이 밖에, 챔버 내에서 급격한 가스 흐름 변화나, 고온 환경에서의 공정 수행에 의한 기판 열변형 등과 같은 다양한 원인에 의해, 기판이 기판 안착부에 완전히 밀착되지 않을 가능성도 있다.
이로 인해, 기판의 하면과 기판 안착부의 상면 사이에 미세 공간이 형성되어, 상기 공간으로 증착 가스가 침투하여 기판의 하면 또는 기판 안착부의 상면을 오염시킬 수 있다. 또한, 기판 가장자리에도 박막이 증착될 수 있으므로, 반도체 공정 상 기판 가장자리에 박막이 증착되지 않아야 할 경우에는, 불필요하게 증착된 부분을 제거하기 위한 공정이 추가되어야 하는 문제가 있을 수 있다. 이는 생산성 저하의 원인이 될 수 있다.
본 발명의 과제는 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 복수의 기판들에 대한 공정 수행 중 기판이 기판 안착부로부터 이탈되는 것을 방지하고, 기판의 가장자리에 박막이 증착되는 것을 방지하며, 기판의 하면과 기판 안착부의 상면이 오염되는 것을 방지할 수 있는 복수기판 처리장치를 제공함에 있다.
상기의 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 복수기판 처리장치는 내부에 반응 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버 내에 회전 및 승강 가능하게 설치되며, 상면에 회전중심 둘레를 따라 복수의 기판들이 안착되게 기판 안착부들을 구비한 기판 지지대; 상기 기판 안착부들에 안착되는 기판들을 하측에서 지지하도록 형성되고, 각 하단이 상기 기판 지지대를 관통하여 돌출되게 형성된 기판 지지핀들; 상기 기판 안착부들에 안착된 기판들의 각 가장자리 위에 얹혀지게 형성되고, 하단이 상기 기판 지지대를 관통하여 돌출되게 형성된 에지 링; 및 상기 기판 지지대의 하측에서 상기 기판 지지핀들의 각 하단과 상기 에지 링의 하단과 접촉되게 형성되어, 상기 기판 지지대의 상승 또는 하강시 상기 기판 지지핀들과 함께 상기 에지 링이 상기 기판 안착부들에 대해 근접 또는 이격되게 하는 지지핀 홀더;를 구비한다.
본 발명에 따르면, 공정 수행 중에 기판들이 기판 안착부들 밖으로 벗어나는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 기판 안착부들에 안착된 기판들의 각 가장자리로 증착 가스가 유입되는 것을 차단할 수 있다. 따라서, 기판들의 각 가장자리에 박막이 증착되는 것을 방지할 수 있고, 기판의 하면 또는 기판 안착부의 상면을 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
그리고, 본 발명에 따르면, 기판 지지대의 제조시 또는 조립시 기판 안착부들의 각 높낮이 오차가 발생하더라도, 에지 링들이 서로 독립되게 동작하므로, 기판 안착부들에 안착된 모든 기판들의 각 가장자리를 틈새 없이 덮을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 기판 지지대의 승강시 에지 링이 기판 지지핀들과 함께 지지핀 홀더에 의해 승강할 수 있으므로, 에지 링을 승강시키기 위한 별도의 구동수단이 필요하지 않을 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 바람직한 실시예에 따른 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 복수기판 처리장치에 대한 개략적인 구성도이다. 그리고, 도 2는 도 1에 도시된 복수기판 처리장치에 있어서, 기판 지지대와, 에지 링, 및 기판 지지핀을 발췌하여 도시한 분해 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 복수기판 처리장치(100)는 복수의 기판(W)들을 챔버(110) 내에 한꺼번에 공급하여 공정 처리하기 위한 것으로, 챔버(110)와, 기판 지지대(130)와, 기판 지지핀(140)과, 에지 링(150), 및 지지핀 홀더(160)를 포함하여 구성된다.
챔버(110)는 내부에 반응 공간을 갖는다. 여기서, 반응이란 반도체 제조 공 정 또는 액정 패널 제조 공정 반응을 포함한다. 즉, 챔버(110)는 내부 공간에서 반도체 제조 공정 또는 액정 패널 제조 공정이 진행되는 것으로, 일 예로서 화학기상증착(CVD) 공정을 수행하는 진공 챔버일 수 있다.
상기 챔버(110) 내의 상측에는 가스 분사부(120)가 배치될 수 있다. 가스 분사부(120)는 기판 지지대(130) 쪽으로 공정 가스, 예컨대 증착 가스를 분사함으로써, 기판 지지대(130)에 안착된 기판(W)들에 박막이 증착될 수 있게 한다.
기판 지지대(130)는 복수의 기판(W)들이 안착되어 지지되게 하는 것이다. 여기서, 기판(W)은 웨이퍼 및 유리기판을 통칭할 수 있다. 기판 지지대(130)는 챔버(110)의 내부 공간에 회전 및 승강 가능하게 설치된다. 여기서, 기판 지지대(130)는 회전구동수단(미도시)에 의해 회전 가능하게 되고, 승강구동수단(미도시)에 의해 승강 가능할 수 있다.
기판 지지대(130)에는 상면에 회전중심 둘레를 따라 복수의 기판(W)들이 안착되게 기판 안착부(131)들이 마련된다. 기판 안착부(131)는 기판(W)이 안착될 수 있는 다양한 구조로 각각 이루어질 수 있는데, 그 일 예로 기판(W)이 위에서 수용될 수 있게 기판 지지대(130)의 상면으로부터 오목한 형상을 가질 수 있다.
기판 지지핀(140)은 복수 개로 구비되며, 복수 개의 기판 지지핀(140)들은 기판 안착부(131)들에 안착되는 기판(W)들을 하측에서 지지하도록 형성되고, 각 하단이 기판 지지대(130)를 관통하여 돌출되게 형성된다.
상기 기판 지지핀(140)들은 챔버(110) 내로 기판(W)이 용이하게 로딩 또는 언로딩될 수 있게 한다. 즉, 기판 지지핀(140)들은 챔버(110) 내로 기판(W)이 공 급될 때, 기판 안착부(131)로부터 상승해 있는 상태에서 기판(W)을 얹은 후 하강하여 기판 안착부(131)에 로딩되게 한다. 또한, 기판 지지핀(140)들은 챔버(110)로부터 기판(W)이 배출될 때, 기판 안착부(131)에 하강해 있는 상태에서 기판(W)을 얹은 채 상승하여 기판 안착부(131)로부터 언로딩되게 한다.
에지 링(150)은 기판 안착부(131)들에 안착된 기판(W)들의 각 가장자리 위에 얹혀지게 형성되고, 하단이 기판 지지대(130)를 관통하여 돌출되게 형성된다. 에지 링(150)은 기판 안착부(131)들에 자중에 의해 안착되어 있는 기판(W)들을 기판 안착부(131)들 밖으로 벗어나는 것을 방지할 수 있게 한다. 그리고, 에지 링(150)은 기판 안착부(131)들에 안착된 기판(W)들의 각 가장자리로 증착 가스가 유입되는 것을 차단할 수 있게 한다.
이에 따라, 기판(W)들의 각 가장자리에 박막이 증착되는 것을 방지할 수 있다. 아울러, 기판(W)의 하면과 기판 안착부(131)의 상면 사이로 증착 가스가 침투하는 것을 막아서, 기판(W)의 하면 또는 기판 안착부(131)의 상면을 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
지지핀 홀더(160)는 기판 지지대(130)의 하측에서 기판 지지핀(140)들의 각 하단과 에지 링(150)의 하단과 접촉되게 형성된다. 지지핀 홀더(160)는 기판 지지대(130)의 상승 또는 하강시 기판 지지핀(140)들과 함께 에지 링(150)이 기판 안착부(131)들에 대해 근접 또는 이격되게 한다.
즉, 기판 지지대(130)가 하강하면, 기판 지지핀(140)들의 각 하단과 에지 링(150)의 하단이 지지핀 홀더(160)에 접촉되면서 기판 지지핀(140)들과 에지 링(150)이 기판 안착부(131)들로부터 상승하여 이격될 수 있다. 이와 반대로, 기판 지지대(130)가 상승하면, 기판 지지핀(140)들의 각 하단과 에지 링(150)의 하단이 지지핀 홀더(160)에 접촉된 상태로부터 분리되면서 기판 지지핀(140)들과 에지 링(150)이 자중에 의해 기판 안착부(131)들로 하강하여 근접될 수 있다.
이처럼 기판 지지대(130)의 승강시 에지 링(150)이 기판 지지핀(140)들과 함께 지지핀 홀더(160)에 의해 승강할 수 있으므로, 에지 링(150)을 승강시키기 위한 별도의 구동수단이 필요치 않을 수 있다.
한편, 에지 링(150)은 기판 안착부(131)들에 안착되는 기판(W)들에 하나씩 대응되게 복수 개로 구비되어, 에지 링(150)들이 서로 독립되게 기판 안착부(131)들에 대해 근접 또는 이격되게 동작하는 것이 바람직하다. 즉, 에지 링(150)들은 서로 분리되고, 기판 안착부(131)들에 안착된 기판(W)들에 일대일 대응되어 기판(W)들의 각 가장자리를 덮을 수 있는 구조로 형성됨이 바람직하다.
이에 따라, 기판 지지대(130)의 제조시 또는 조립시 기판 안착부(131)들의 각 높낮이 오차가 발생하더라도, 에지 링(150)들이 서로 독립되게 동작하여 기판 안착부(131)들에 안착된 모든 기판(W)들의 각 가장자리를 틈새 없이 덮을 수 있게 된다.
또한, 비교 예로서 에지 링들이 모두 연결된 구조라면, 자중에 의해 가장자리 부위가 처지는 현상이 발생하게 되므로, 이를 방지하기 위해 두껍게 해야 한다. 그러면, 챔버 내에 에지 링의 설치 공간이 더 많이 확보되어야 하고, 에지 링의 승 강을 위해 더 큰 구동력이 요구된다. 게다가, 에지 링의 제조 비용도 상승할 수 있다. 하지만, 본 실시예에서처럼 에지 링(150)들이 서로 분리된 구조라면, 에지 링(150)들의 각 두께를 비교 예에 비해 얇게 할 수 있으므로, 전술한 문제가 해소될 수 있다.
상기 에지 링(150)이 기판 지지대(130)의 하측으로 돌출된 길이는 기판 지지핀(140)이 기판 지지대(130)의 하측으로 돌출된 길이보다 길게 설정됨이 바람직하다. 이는 기판 안착부(131)에 기판(W)을 로딩 또는 언로딩하기 위해 기판 지지핀(140)들이 상승한 상태에서, 에지 링(150)과 기판 지지핀(140) 사이에 간격이 생기게 하여, 그 사이로 기판(W)이 용이하게 공급 또는 배출될 수 있도록 하기 위함이다. 상기 에지 링(150)은 세라믹 계열의 재질로 이루어질 수 있다.
한편, 기판 지지핀(140)은 기판 지지대(130)에 상하로 관통 형성된 지지핀용 홀(131)에 끼워져 승강 운동을 안내 받을 수 있다. 여기서, 기판 지지핀(140)은 상단에 지지핀용 홀(131)의 직경보다 큰 직경을 갖는 헤드(141)가 구비되어, 하단이 지지핀 홀더(160)로부터 분리된 상태에서 기판 지지대(130)로부터 아래로 빠지지 않을 수 있다. 그리고, 기판 지지핀(140)은 기판 안착부(131)마다 기판(W)을 안정적으로 지지하기 위해 적어도 3개 이상씩 구비됨이 바람직하다.
상기 에지 링(150)은 기판(W)의 가장자리 위를 덮게 형성된 링 몸체(151)와, 링 몸체(151)의 하단으로부터 돌출 형성된 복수의 링 다리(152)들을 구비할 수 있다. 여기서, 링 몸체(151)는 기판(W)이 원형 판으로 이루어진 경우, 원형 기판의 가장자리 둘레를 덮을 수 있게 원형 링으로 이루어질 수 있다.
그리고, 링 다리(152)들은 기판 지지대(130)에 상하로 관통 형성된 에지 링용 홀(132)에 끼워져 승간 운동을 안내 받을 수 있다. 링 다리(152)들은 링 몸체(151)가 안정적으로 승강할 수 있게 적어도 3개 이상으로 구비된다. 이 경우, 링 다리(152)들은 기판(W)이 기판 지지핀(140)들 위에 로딩되거나 언로딩되는 과정에서 간섭을 일으키지 않게 배열됨이 바람직하다. 예컨대, 링 다리(152)들이 3개로 구비된다면, 2개의 링 다리들은 기판(W)이 로딩 또는 언로딩되는 방향을 기준으로 좌우로 최대한 멀리 떨어져 위치되고, 나머지 1개의 링 다리가 2개의 링 다리들 사이에 위치할 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 제1 실시예에 따른 복수기판 처리장치(100)의 동작에 대해 도 3 및 도 4를 참조하여 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(130)의 기판 안착부(131)들에 기판(W)들을 로딩하기 위해, 기판 지지대(130)을 하강시킨다. 그러면, 기판 지지핀(140)들의 각 단부 및 에지 링(150)의 단부가 지지핀 홀더(160)에 접촉되면서 지지핀 홀더(160)에 의해 기판 지지핀(140)들과 에지 링(150)이 상승하여 기판 안착부(131)로부터 이격된다. 이 상태에서, 기판 지지핀(140)들과 에지 링(150) 사이로 기판(W)들을 공급하여 기판 지지핀(140)들 위에 얹혀지게 한다.
이후, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(130)를 상승시킨다. 그러면, 기판 지지핀(140)들의 각 단부 및 에지 링(150)의 단부가 지지핀 홀더(160)로부터 분리되면서, 자중에 의해 기판 지지핀(140)들과 에지 링(150)이 하강하여 기판 안착부(131)들로부터 근접된다. 이때, 기판 지지핀(140)들이 하강하여 기판 안착부(131)들에 기판(W)들이 각각 안착되고, 에지 링(150)이 하강하여 기판(W)의 가장자리들 위에 놓여져 덮게 된다.
이후, 기판 지지대(130)를 회전시켜가며 가스 분사부(120)로부터 증착 가스를 분사시켜 기판(W)들에 박막이 증착되게 한다. 이 과정에서, 기판 지지대(130)가 급격하게 회전함으로 인한 원심력이나, 챔버(110) 내에서 급격한 가스 흐름 변화나, 고온 환경에서의 공정 수행에 의한 기판 열변형 등이 발생하더라도, 기판(W)들은 에지 링(150)에 의해 기판 안착부(131)들 밖으로 벗어나지 않을 수 있다. 그리고, 에지 링(150)에 의해 기판 안착부(131)들에 안착된 기판(W)들의 각 가장자리로 증착 가스가 유입되는 것이 차단될 수 있다. 이에 따라, 기판(W)들의 각 가장자리에 박막 증착이 방지되고, 기판(W)의 하면 또는 기판 안착부(131)의 상면 오염이 방지될 수 있다.
기판(W)들에 증착이 완료되면, 기판(W)들을 언로딩하기 위해 기판 지지대(130)를 하강시킨다. 그러면, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 지지핀(140)들과 에지 링(150)이 상승하여 기판 안착부(131)로부터 이격된다. 이 상태에서, 기판 지지핀(140)들 위에 얹혀진 기판(W)들을 챔버(110) 밖으로 배출한다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 복수기판 처리장치에 대한 개략적인 구성도이다. 여기서, 앞서 도시한 도면에서와 동일한 참조번호는 동일한 기능을 하 는 동일한 구성요소를 나타내므로, 상세한 설명은 생략하기로 한다. 이하 실시예들에서도 마찬가지이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 복수기판 처리장치(200)는 기판 지지대(130)에 가스 유로(234)와 가스 배출구(235)들이 형성된 구조를 갖는다. 가스 유로(234)는 챔버(110)의 내부 압력보다 높은 압력의 불활성 가스가 외부로부터 기판 지지대(130) 내로 공급되게 형성된다. 그리고, 가스 유로(234)는 가스 배출구(235)들과 연통되게 형성되어, 외부로부터 공급된 불활성 가스가 가스 배출구(235)들로 배출될 수 있게 한다.
가스 배출구(235)들은 가스 유로(234)로 공급된 불활성 가스가 기판 안착부(131)들에 안착된 기판(W)들의 각 가장자리 옆으로 배출되게 형성된다. 여기서, 가스 배출구(235)는 기판 안착부(131)마다 그 가장자리 주변에 적어도 하나 이상으로 형성될 수 있다. 가스 배출구(235)로부터 배출되는 불활성 가스는 증착 가스와 반응하지 않고 기판(W)의 가장자리와 에지 링(150) 사이로 확산되어 이들 사이에 챔버(110)의 내부 압력보다 높은 압력이 발생할 수 있게 한다. 이에 따라, 기판 안착부(131)들에 안착된 기판(W)들의 각 가장자리와 에지 링(150) 사이로 증착 가스가 유입되는 것을 차단하는 효과를 더욱 높일 수 있게 된다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 복수기판 처리장치에 대한 개략적인 구성도이다. 도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 복수기판 처리장치(300)는 가스 배출구(235)에 퍼지 링(purge ring, 370)을 구비한다. 퍼지 링(370)은 가스 배출 구(235)로부터 배출되는 가스 흐름을 조절할 수 있게 한다. 즉, 퍼지 링(370)은 그 크기와 형상에 따라 가스 배출구(235)를 통해 배출되는 가스 배출량 또는 가스 흐름 경로 등을 조절할 수 있게 한다. 이에 따라, 기판 안착부(131)들에 안착된 기판(W)들의 각 가장자리와 에지 링(150) 사이로 증착 가스가 유입되는 것을 보다 효과적으로 차단할 수 있게 된다. 상기 퍼지 링(370)은 별도로 제조되어 가스 배출구(234)에 설치되거나, 기판 지지대(130)와 일체로 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 복수기판 처리장치에 대한 개략적인 구성도이다. 도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 복수기판 처리장치(400)는 기판 지지대(130)에 우회로(434)가 형성된다.
우회로(434)는 챔버(110) 내로 공급되는 퍼지 가스가 기판 안착부(131)들에 안착된 기판(W)들의 각 가장자리 옆으로 우회하여 지나갈 수 있게 기판 지지대(130)에 관통되어 형성된다. 여기서, 우회로(434)는 기판 안착부(131)마다 그 가장자리 주변에 적어도 하나 이상으로 형성될 수 있다.
챔버(110) 내의 퍼지 가스가 우회로(434)를 통해 기판(W)들의 각 가장자리와 에지 링(150) 사이로 지나감에 따라, 기판 안착부(131)들에 안착된 기판(W)들의 각 가장자리와 에지 링(150) 사이로 증착 가스가 유입되는 것을 차단하는 효과를 더욱 높일 수 있게 된다. 한편, 상기 우회로(434)에도 전술한 본 발명의 제3 실시예의 퍼지 링(370)이 더 구비되는 것도 가능하다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 복수기판 처리장치에 대한 개략적인 구성도이다. 도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 복수기판 처리장치(500)는 지지핀 홀더(560)가 승강 가능하게 되어 있다. 지지핀 홀더(560)는 승강구동수단(580)에 의해 승강할 수 있다. 지지핀 홀더(560)가 승강함에 따라, 기판 지지핀(140)들과 에지 링(150)이 각각 승강할 수 있게 된다.
즉, 지지핀 홀더(560)가 상승하면, 기판 지지핀(140)들의 각 단부와 에지 링(150)의 단부가 지지핀 홀더(560)와 접촉되면서 기판 지지핀(140)들과 에지 링(150)이 기판 안착부(131)들로부터 상승하여 이격될 수 있다. 이와 반대로, 지지핀 홀더(560)가 하강하면, 기판 지지핀(140)들의 각 하단과 에지 링(150)의 하단이 지지핀 홀더(560)에 접촉된 상태로부터 분리되면서 기판 지지핀(140)들과 에지 링(150)이 자중에 의해 기판 안착부(131)들로 하강하여 근접될 수 있다.
한편, 본 실시예에서, 기판 지지대(130)도 승강 가능하게 됨으로써, 기판 지지대(130)와 지지핀 홀더(560)를 동시에 또는 개별적으로 승강시킴에 따라, 기판 지지핀(140)들과 에지 링(150)을 승강시키는 것도 가능하다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 복수기판 처리장치에 대한 구성도.
도 2는 도 1에 도시된 복수기판 처리장치에 있어서, 기판 지지대와, 에지 링, 및 기판 지지핀을 발췌하여 도시한 분해 사시도.
도 3 및 도 4는 도 1에 도시된 복수기판 처리장치의 동작 예를 설명하기 위한 도면.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 복수기판 처리장치에 대한 구성도.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 복수기판 처리장치에 대한 구성도.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 복수기판 처리장치에 대한 구성도.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 복수기판 처리장치에 대한 구성도.
〈도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명〉
110..챔버 120..가스 분사부
130..기판 지지대 131..기판 안착부
140..기판 지지핀 150..에지 링
160,560,,지지핀 홀더 235..가스 배출구
370..퍼지 링 W..기판

Claims (8)

  1. 내부에 반응 공간을 갖는 챔버;
    상기 챔버 내에 회전 및 승강 가능하게 설치되며, 상면에 회전중심 둘레를 따라 복수의 기판들이 안착되게 기판 안착부들을 구비한 기판 지지대;
    상기 기판 안착부들에 안착되는 기판들을 하측에서 지지하도록 형성되고, 각 하단이 상기 기판 지지대를 관통하여 돌출되게 형성된 기판 지지핀들;
    상기 기판 안착부들에 안착된 기판들의 각 가장자리 위에 얹혀지게 형성되고, 하단이 상기 기판 지지대를 관통하여 돌출되게 형성된 에지 링; 및
    상기 기판 지지대의 하측에서 상기 기판 지지핀들의 각 하단과 상기 에지 링의 하단과 접촉되게 형성되며, 상기 기판 지지대의 상승 또는 하강시 상기 기판 지지핀들과 함께 상기 에지 링이 상기 기판 안착부들에 대해 근접 또는 이격되게 하는 지지핀 홀더;를 구비하는 복수기판 처리장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기판 지지대의 상승시 상기 기판 지지핀들과 함께 상기 에지 링이 자중에 의해 상기 기판 안착부들로 근접되고, 상기 기판 지지대의 하강시 상기 기판 지지핀들과 함께 상기 에지 링이 상기 지지핀 홀더에 의해 상기 기판 안착부들로부터 이격되는 것을 특징으로 하는 복수기판 처리장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 에지 링은 상기 기판 안착부들에 안착되는 기판들에 하나씩 대응되게 복수 개로 구비되어, 서로 독립되게 상기 기판 안착부들에 대해 근접 또는 이격되는 것을 특징으로 하는 복수기판 처리장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 에지 링이 상기 기판 지지대의 하측으로 돌출된 길이는 상기 기판 지지핀이 상기 기판 지지대의 하측으로 돌출된 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 복수기판 처리장치.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지대에는, 상기 챔버의 내부 압력보다 높은 압력의 불활성 가스가 외부로부터 공급되게 가스 유로가 형성되고, 상기 가스 유로로 공급된 불활성 가스가 상기 기판 안착부들에 안착된 기판들의 각 가장자리 옆으로 배출되게 가스 배출구들이 형성된 것을 특징으로 하는 복수기판 처리장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 가스 배출구에는 가스 흐름을 조절할 수 있게 퍼지 링(purge ring)이 더 구비된 것을 특징으로 하는 복수기판 처리장치.
  7. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지대에는, 상기 챔버 내로 공급되는 퍼지 가스가 상기 기판 안착부들에 안착된 기판들의 각 가장자리 옆으로 우회하여 지나갈 수 있게 우회로가 관통되어 형성된 것을 특징으로 하는 복수기판 처리장치.
  8. 내부에 반응 공간을 갖는 챔버;
    상기 챔버 내에 회전 가능하게 설치되며, 상면에 회전중심 둘레를 따라 복수의 기판들이 안착되게 기판 안착부들을 구비한 기판 지지대;
    상기 기판 안착부들에 안착되는 기판들을 하측에서 지지하도록 형성되고, 각 하단이 상기 기판 지지대를 관통하여 돌출되게 형성된 기판 지지핀들;
    상기 기판 안착부들에 안착된 기판들의 각 가장자리 위에 얹혀지게 형성되고, 하단이 상기 기판 지지대를 관통하여 돌출되게 형성된 에지 링; 및
    상기 기판 지지대의 하측에서 상기 기판 지지핀들의 각 하단과 상기 에지 링의 하단과 접촉되게 형성되고 승강 가능하게 되며, 상승 또는 하강시 상기 기판 지지핀들과 함께 상기 에지 링이 상기 기판 안착부들에 대해 이격 또는 근접되게 하는 지지핀 홀더;를 구비하는 복수기판 처리장치.
KR20080104107A 2008-10-23 2008-10-23 복수기판 처리장치 KR101512135B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20080104107A KR101512135B1 (ko) 2008-10-23 2008-10-23 복수기판 처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20080104107A KR101512135B1 (ko) 2008-10-23 2008-10-23 복수기판 처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100045072A KR20100045072A (ko) 2010-05-03
KR101512135B1 true KR101512135B1 (ko) 2015-04-14

Family

ID=42272871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20080104107A KR101512135B1 (ko) 2008-10-23 2008-10-23 복수기판 처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101512135B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6879258B2 (ja) * 2018-04-03 2021-06-02 株式会社ダイフク 物品搬送装置
KR102429979B1 (ko) * 2018-11-08 2022-08-08 주식회사 원익아이피에스 공정 온도 조절이 가능한 기판 처리 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05226295A (ja) * 1992-01-31 1993-09-03 Sharp Corp Ｔｆｔ―ｌｃｄのドライエッチング装置
KR20040098150A (ko) * 2003-05-13 2004-11-20 삼성전자주식회사 클램프 링의 이동장치가 개선된 반도체 제조설비
KR20040103714A (ko) * 2003-06-02 2004-12-09 주성엔지니어링(주) 기판의 로딩 장치 및 이를 이용한 기판의 로딩 방법
KR20060067039A (ko) * 2004-12-14 2006-06-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 플라즈마 화학 기상 증착 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05226295A (ja) * 1992-01-31 1993-09-03 Sharp Corp Ｔｆｔ―ｌｃｄのドライエッチング装置
KR20040098150A (ko) * 2003-05-13 2004-11-20 삼성전자주식회사 클램프 링의 이동장치가 개선된 반도체 제조설비
KR20040103714A (ko) * 2003-06-02 2004-12-09 주성엔지니어링(주) 기판의 로딩 장치 및 이를 이용한 기판의 로딩 방법
KR20060067039A (ko) * 2004-12-14 2006-06-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 플라즈마 화학 기상 증착 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100045072A (ko) 2010-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102097109B1 (ko) 증착 장치
CN112962084B (zh) 基板处理装置
KR102003108B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101557016B1 (ko) 기판 처리장치
KR102459790B1 (ko) 플라즈마 프로세싱 시스템들에서 사용하기 위한 캐리어 플레이트
WO2010016499A1 (ja) 載置台構造
US10763152B2 (en) Substrate support unit, heat treatment unit, and substrate treating apparatus including the same
KR20070070095A (ko) 반도체 처리용 종형 보트 및 종형 열처리 장치
US10157768B2 (en) Substrate processing apparatus, transfer method, and susceptor
KR102489864B1 (ko) 기판 처리 장치 및 적재대
KR101463592B1 (ko) 기판 처리장치
KR20090012098A (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
CN112185882B (zh) 基板处理装置和基板的交接方法
KR20090118676A (ko) 기판처리장치
KR20070098025A (ko) 반도체 소자 제조용 장비
KR101512135B1 (ko) 복수기판 처리장치
KR101356537B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101421645B1 (ko) 기판처리장치
JP4777173B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
KR20100031896A (ko) 반도체 소자 형성 장치 및 반도체 소자 형성 방법
KR200453917Y1 (ko) 기판 처리 장치
CN111058015B (zh) 基板处理装置、基板的输入方法以及基板处理方法
JP2004063661A (ja) 半導体製造装置
KR100557850B1 (ko) 반도체 제조공정의 웨이퍼 이송방법 및 웨이퍼 이송장치
KR101915460B1 (ko) 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180319

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190311

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200309

Year of fee payment: 6