KR102482417B1 - 동박적층필름 및 이를 포함하는 전자소자 - Google Patents
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Abstract
동박적층필름 및 이를 포함하는 전자소자가 개시된다. 상기 동박적층필름은 함불소 기재; 상기 함불소 기재 상에 배치된 타이(tie)층; 및 상기 타이(tie)층 상에 배치된 구리층;을 포함하고, 상기 타이층이 금속-산소(M-O) 결합 해리에너지(M-O bond dissociation energy)가 400 kJ/mol 이상인 금속을 포함하는 금속층 또는 금속 합금층이고, 상기 타이층의 두께가 10 nm 내지 100 nm일 수 있다.
Description
동박적층필름 및 이를 포함하는 전자소자에 관한 것이다.
동박적층필름은 기재와 전도성 동박과의 적층체이다. 동박적층필름은 전자기기의 소형화 및 경량화 추세와 함께 사용량이 증가하고 있다. 최근 5G 이동 통신기기의 개발로 인해 GHz 대역의 신호 전송속도가 일반화되고 있다. 이러한 신호의 고주파화 경향에 따라 인쇄 회로 또는 안테나 소자에 사용되는 기재에 대하여 고주파수에서 유전특성을 향상시키고자 하는 연구가 진행되고 있다. 이러한 요구에 맞추어 기재 표면에 코팅층을 형성하는 방법이 이용되고 있다. 그러나 이러한 코팅층이 형성된 기재는 기재 표면의 도포성 및 기재와 동박 간에 상온 접착력 및/또는 고온 접착력이 저하될 수 있다. 그 결과, 패턴 에칭성 및 산 또는 염기 하에 내화학성이 저하되는 경항이 있다. 따라서 고주파수에서 향상된 유전특성과 함께 기재 표면의 도포성 및 기재와 동박 간에 우수한 상온 접착력 및 고온 접착력을 갖는 동박적층필름에 대한 요구가 여전히 있다.
일 측면은 고주파수에서 향상된 유전특성과 함께 기재 표면의 도포성 및 기재와 동박 간에 우수한 상온 접착력 및 고온 접착력을 갖는 동박적층필름이 제공된다.
다른 측면은 상기 동박적층필름을 포함하는 전자소자가 제공된다.
일 측면에 따라,
함불소 기재;
상기 함불소 기재 상에 배치된 타이(tie)층; 및
상기 타이(tie)층 상에 배치된 구리층;을 포함하고,
상기 타이층은 금속-산소(M-O) 결합 해리에너지(M-O bond dissociation energy)가 400 kJ/mol 이상인 금속을 포함하는 금속층 또는 금속 합금층이고,
상기 타이층의 두께는 10 nm 내지 100 nm인, 동박적층필름이 제공된다.
상기 함불소 기재에 대한 수접촉각은 120° 이하일 수 있다.
상기 함불소 기재에 대한 다이오도메탄 접촉각은 90° 이하일 수 있다.
상기 함불소 기재의 표면에너지는 11 dyne/cm 내지 25 dyne/cm일 수 있다.
상기 함불소 기재 표면의 불소 함량은 60 원자% 내지 75 원자%일 수 있다.
상기 타이층은 W, Ti, Sn, Cr, Al, 및 Mo로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 금속 합금을 포함할 수 있다.
상기 타이층은 Ni를 더 포함하고 상기 Ni의 함량이 50 중량% 이하일 수 있다.
상온(25 ℃)에서 3일간 방치한 후에 측정한 상기 불소층이 배치된 폴리이미드계 기재에 대한 구리 시드층 및 구리 도금층의 박리강도는 0.65 kgf/cm 이상일 수 있다.
150 ℃ 이상의 온도에서 2회 이상 열처리하고 1일간 방치한 후에 측정한 상기 불소층이 배치된 폴리이미드계 기재에 대한 구리 시드층 및 구리 도금층의 박리강도는 0.35 kgf/cm 이상일 수 있다.
상기 구리 도금층의 두께는 12 μm 이하일 수 있다.
다른 측면에 따라,
전술한 동박적층필름을 포함하는 전자소자가 제공된다.
상기 전자소자는 안테나 소자 또는 안테나 케이블을 포함할 수 있다.
일 측면에 따른 동박적층필름은 함불소 기재; 상기 함불소 기재 상에 배치된 타이(tie)층; 및 상기 타이(tie)층 상에 배치된 구리층을 포함한다. 상기 타이층은 금속-산소(M-O) 결합 해리에너지(M-O bond dissociation energy)가 400 kJ/mol 이상인 금속을 포함하는 금속층 또는 금속 합금층이고, 상기 타이층의 두께는 10 nm 내지 100 nm일 수 있다. 상기 동박적층필름은 고주파수에서 향상된 유전특성과 함께 기재 표면의 도포성 및 기재와 동박 간에 우수한 상온 접착력 및 고온 접착력을 가질 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 동박적층필름의 단면 모식도이다.
도 2는 다른 일 구현예에 따른 양면 동박적층필름의 단면 모식도이다.
도 2는 다른 일 구현예에 따른 양면 동박적층필름의 단면 모식도이다.
이하, 본 발명의 실시예와 도면을 참조하여 동박적층필름 및 이를 포함하는 전자소자에 관해 상세히 설명한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 제시한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가지는 자에 있어서 자명할 것이다.
달리 정의하지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술분야의 숙련자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 상충되는 경우, 정의를 포함하는 본 명세서가 우선할 것이다.
본 명세서에서 설명되는 것과 유사하거나 동등한 방법 및 재료가 본 발명의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료가 본 명세서에 기재된다.
본 명세서에서 "포함"이라는 용어는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 "및/또는"이라는 용어는 관련 기재된 하나 이상의 항목들의 임의의 조합 및 모든 조합을 포함하는 것을 의미한다. 본 명세서에서 "또는"이라는 용어는 "및/또는"을 의미한다. 본 명세서에서 구성요소들의 앞에 "적어도 1종", 또는 "하나 이상"이라는 표현은 전체 구성요소들의 목록을 보완할 수 있고 상기 기재의 개별 구성요소들을 보완할 수 있는 것을 의미하지 않는다.
본 명세서에서 "폴리이미드계 기재"는 "폴리이미드 기재" 및 "폴리이미드 함유 유도체 기재"를 포함하는 것을 의미한다.
본 명세서에서 일 구성요소가 다른 구성요소의 "상에" 배치되어 있다고 언급되는 경우, 일 구성요소는 다른 구성요소 위에 직접 배치될 수 있거나 상기 구성요소들 사이에 개재된 구성요소들이 존재할 수 있을 수 있다. 반면에, 일 구성요소가 다른 구성요소 "상에 직접" 배치되어 있다고 언급되는 경우, 개재된 구성요소들이 존재하지 않을 수 있다.
전자소자 중, 안테나 소자는 통상적으로 기재 상에 무선신호에 의한 전기적 흐름이 이루어지는 금속층, 예를 들어 동박을 라미네이트하는 방식으로 제조된다.
안테나의 신호수신과 관련하여 발생하는 손실은 기재의 유전율에 의한 손실 및 무선신호, 즉 전기신호가 금속층을 흐르는 경우 전기적 저항에 의하여 물리적으로 발행되는 신호손실을 들 수 있다. 고주파수 대역을 갖는 무선신호는 상대적으로 저주파수 대역을 갖는 무선신호와 비교하여 무선신호에 의한 전기적 흐름이 금속층 표면으로 더욱 집중되는 현상이 발생한다. 또한 라미네이트 방식의 동박적층필름은 안테나 소자의 굴곡진 영역에서 동박에 물리적 응력이 발생하여 그 표면에 크랙이 발생한다. 그 결과, 전송손실이 발생할 수 있다. 이러한 문제를 해결하고자 기재 표면에 유전특성을 향상시키는 물질을 도포하는 방법이 행해지고 있다. 그러나 이러한 방법은 기재 표면의 도포성 및 기재와 동박 간에 접착력이 저하되는 문제가 있다.
이러한 점에 착안하여 본 발명의 발명자들은 다음과 같은 동박적층필름을 제안하고자 한다.
일 구현예에 따른 동박적층필름은 함불소 기재; 상기 함불소 기재 상에 배치된 타이(tie)층; 및 상기 타이(tie)층 상에 배치된 구리층;을 포함하고, 상기 타이층은 금속-산소(M-O) 결합 해리에너지(M-O bond dissociation energy)가 400 kJ/mol 이상인 금속을 포함하는 금속층 또는 금속 합금층이고, 상기 타이층의 두께는 10 nm 내지 100 nm일 수 있다.
본 명세서에서 '함불소 기재'는 불소를 포함하는 기재를 의미하며, 구체적으로 불소 원자를 함유한 수지를 포함하는 기재를 의미한다. 이 때, 함불소 기재는 기재 자체가 불소 원자를 함유한 수지일 수 있거나 기재 내에 다른 수지와 함께 불소 원자를 포함하는 수지가 함유되어 있을 수 있거나 또는 기재 표면에 불소 원자를 포함하는 수지가 표면처리 또는 코팅되어 형성될 수도 있다. 기재 내에 다른 수지와 함께 불소 원자를 포함하는 수지가 함유되어 있는 경우의 예로는, 폴리이미드 수지와 함께 불소 원자를 포함하는 수지가 혼합되어 기재를 형성할 수 있거나 기재 내에 포함된 유무기 입자 표면에 불소 원자를 포함하는 수지가 코팅되어 있거나 또는 유무기 입자 자체 내에 불소 원자를 포함하는 수지가 혼합되어 포함되는 경우를 모두 포함한다. 기재 표면에 불소 원자를 포함하는 수지가 표면처리 또는 코팅되어 형성되는 경우의 예로는 기재의 일 면 또는 양 면에 불소 원자를 포함하는 수지가 일부 또는 전부에 표면처리 또는 코팅되어 형성되는 경우를 모두 포함한다. 상기 구리층은 구리 시드층 및 구리 도금층 순서대로 배치된 층으로 구성될 수 있다.
상기 동박적층필름은 고주파수에서 향상된 유전특성과 함께 기재 표면의 도포성을 향상시키면서 함불소 기재와 구리 시드층 및 구리 도금층 간에 우수한 상온 접착력 및 고온 접착력을 가질 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 동박적층필름(10)의 단면 모식도이다. 도 2는 일 구현예에 따른 양면 동박적층필름(20)의 단면 모식도이다.
도 1을 참조하면, 일 구현예에 따른 동박적층필름(10)은 함불소 기재로서 불소층(5)이 배치된 폴리이미드계 기재(1), 불소층(5)이 배치된 폴리이미드계 기재(1) 상면에 타이(tie)층(2), 구리 시드층(3), 및 구리 도금층(4)이 순서대로 배치되어 있다. 도 2를 참조하면, 다른 일 구현예에 따른 동박적층필름(20)은 함불소 기재로서 불소층(15)이 배치된 폴리이미드계 기재(11), 불소층(15)이 배치된 폴리이미드계 기재(11) 상면에 타이층(12), 구리 시드층(13), 및 구리 도금층(14)이 순서대로 배치된 제1면(21)과, 함불소 기재로서 불소층(15')이 배치된 폴리이미드계 기재(11) 하면에 타이층(12'), 구리 시드층(13'), 및 구리 도금층(14')이 순서대로 배치된 제2면(22)으로 구성되어 있다.
이하, 동박적층필름(10, 20)을 구성하는 함불소 기재로서 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11), 타이층(2, 12, 12'), 구리 시드층(3, 13, 13'), 및 구리 도금층(4, 14, 14')에 대하여 기술한다.
<함불소 기재로서 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)>
일 구현예에 따른 동박적층필름(10)의 함불소 기재는 불소층(5, 15, 15’)이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)일 수 있다.
폴리이미드계 기재(1, 11)는 변성-폴리이미드(modified PI; m-PI) 기재일 수 있다. 상기 변성-폴리이미드 기재는 극성이 큰 치환기를 감소시킨 수지 기재이다. 무선신호를 회로에 흘릴 때 회로 주변의 전계에 변화가 일어난다. 이러한 전계 변화는 수지 기재 내부 분극의 완화시간에 근접하게 되면 전기 변위에 지연이 발생한다. 이 때, 수지 기재 내부에 분자마찰이 일어나 열이 발생되고 발생한 열은 유전 특성에 영향을 준다. 따라서 상기 기재로서 극성이 큰 치환기를 감소시킨 변성-폴리이미드 기재를 사용한다.
폴리이미드계 기재(1, 11)의 일 면 또는 양 면에 불소층(5, 15, 15')이 배치될 수 있다. 불소층(5, 15, 15')은 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 퍼플루오로알콕시(PFA), 플루오리네이티드 에틸렌프로필렌(FEP), 클로로트리플루오로에틸렌(CTFE), 테트라플루오로에틸렌/클로로트리플루오로에틸렌(TFE/CTFE), 에틸렌클로로트리플루오로에틸렌(ECTFE), 및 폴리플루오린화비닐리덴(PVDF)로부터 선택된 1종 이상의 불소수지를 포함할 수 있다. 예를 들어, 불소층(5, 15, 15')은 퍼플루오로알콕시(PFA)일 수 있다.
불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)의 두께는 25 ㎛ 내지 100 ㎛일 수 있다. 예를 들어, 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)의 두께는 25 ㎛ 내지 90 ㎛일 수 있거나 25 ㎛ 내지 80 ㎛일 수 있거나 있거나 25 ㎛ 내지 70 ㎛일 수 있거나 25 ㎛ 내지 60 ㎛일 수 있거나 25 ㎛ 내지 50 ㎛일 수 있다. 불소층(5, 15, 15')의 두께는 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)의 두께 100%를 기준으로 하여 50% 이하일 수 있다. 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)의 두께가 25 ㎛ 미만이면 동박적층필름(10, 20) 제조시 생산성이 저하될 수 있으며, 100 ㎛를 초과하면 박막화가 이루어지지 않을 수 있다.
불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)에 대한 수접촉각은 120° 이하일 수 있다. 예를 들어, 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)에 대한 수접촉각은 107° 내지 120°일 수 있다.
불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)에 대한 다이오도메탄 접촉각은 90°이하일 수 있다. 예를 들어, 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)에 대한 다이오도메탄 접촉각은 77° 내지 90°일 수 있다.
불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)의 표면에너지는 11 dyne/cm 내지 25 dyne/cm일 수 있다.
불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)에 대한 수접촉각, 다이오도메탄 접촉각, 및 표면에너지 범위를 만족하는 경우, 적절한 도포성을 확보함으로써 폴리이미드계 기재(1, 11)의 양면에 배치된 불소층(5, 15, 15')의 두께 편차를 ±10% 이하로 하여 컬 발생이 억제될 수 있다. 그 결과, 폴리이미드계 기재(1, 11) 표면 위에 안정적인 구리 시드층(3, 13, 13') 및 구리 도금층(4, 14, 14')을 형성할 수 있다.
불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11) 표면의 불소 함량은 60 원자% 내지 75 원자%일 수 있다. 상기 불소 함량 범위 내에서 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)는 낮은 유전율, 낮은 유전손실, 및 낮은 전송손실을 가질 수 있다. 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)는 주파수 20 GHz에서 2.8 이하의 유전율(Dk) 및 0.003 이하의 유전손실(Df)을 가질 수 있다. 예를 들어, 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)는 주파수 20 GHz에서 0.01 내지 2.8의 유전율(Dk) 및 0.00001 내지 0.003의 유전손실(Df)을 가질 수 있다.
불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)의 열팽창계수(CTE)는 25 ppm/℃ 이하일 수 있다. 예를 들어, 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)의 열팽창계수(CTE)는 0.01 ppm/℃ 내지 25 ppm/℃일 수 있다. 이러한 열팽창계수(CTE)를 갖는 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)는 구리 시드층(3, 13, 13') 및 구리 도금층(4, 14, 14')을 포함하는 동박과 함께 동박적층필름(10, 20) 제조시 구리 시드층(3, 13, 13') 및 구리 도금층(4, 14, 14')으로 구성된 구리층의 CTE (16 ~ 20 ppm)와 기재의 열팽창계수(CTE) 차이가 크지 않아서 잔류응력의 발생량이 적어 휨 발생이 없고 수축에 의한 뒤틀림, 휨 문제가 발생하지 않는다.
필요에 따라, 후술하는 타이층(2, 12, 12')을 배치하기 전, 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11) 위에 반응가스 자체를 이온화시킨 이온빔을 조사하여 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)에 대한 표면처리를 할 수 있다. 그 결과, 불소층(5, 15, 15') 표면에 -OH, -CHO, -COOH와 같은 관능기를 생성하여 상온 및 고온에서 폴리이미드계 기재(1, 11)와 후술하는 구리 시드층(3, 13, 13') 및 구리 도금층(4, 14, 14')과의 접착력이 우수한 동박적층필름(10, 20)을 제공할 수 있다.
이온빔을 이용한 표면처리는 질소(N2), 산소(O2), 아르곤(Ar), 제논(Xe), 및 헬륨(He)으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 반응가스를 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 반응가스는 산소(O2)만으로 이루어지거나, 아르곤-산소(Ar-O2), 또는 아르곤-질소(Ar-N2)의 혼합가스일 수 있고, 이 경우 상온 및 고온에서 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)와 후술하는 구리 시드층(3, 13, 13') 및 구리 도금층(4, 14, 14')과의 접착력이 크게 향상될 수 있다.
또한 반응가스로 아르곤(Ar)을 혼합하여 사용하는 경우, 전체 반응가스 총 부피기준으로 아르곤(Ar)이 0.1 부피% 내지 50 부피%로 포함될 수 있거나 0.1 부피% 내지 30 부피%로 포함될 수 있거나 0.1 부피% 내지 25 부피%로 포함될 수 있다. 아르곤(Ar)을 상기 부피범위내에서 혼합하여 사용한다면, 상온 및 고온에서 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)와 후술하는 구리 시드층(3, 13, 13') 및 구리 도금층(4, 14, 14')과의 접착력이 크게 향상될 수 있다.
상기 반응가스의 주입량은, 예를 들어, 1 sccm 내지 100 sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)일 수 있거나 50 sccm 내지 100 sccm일 수 있거나 60 sccm 내지 80 sccm일 수 있다. 이 범위 내에서 안정적으로 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11) 표면에 이온빔을 조사할 수 있는 효과가 있다.
상기 이온빔의 조사량은 한정되지는 않으나, 예를 들어 1×10 ions/cm2 내지 1×1017 ions/cm2일 수 있고, 이 범위에서 폴리이미드층의 표면에 이온빔 조사 효과를 극대화할 수 있다.
또한 이온빔의 조사시간은 한정되지 않으며, 목적에 따라 적절히 조절할 수 있다.
이온빔 조사하는 방법으로는 롤투롤(Roll-to-Roll) 공정을 통해서 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 롤투롤 공정은 2 내지 10 mpm (meters per minute)으로 연속하여 공급되는 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11) 표면에 이온빔을 MD(Machine Direction)방향으로 1 내지 50 초 범위로 조사될 수 있다. 이 범위 내에서 동박적층필름(10, 20)의 폴리이미드계 기재(1, 11)와 후술하는 구리 시드층(3, 13, 13'), 및 구리 도금층(4, 14, 14')과의 상온 접착력 및 고온 접착력이 우수하고, 우수한 효율성을 가질 수 있다.
상기 이온빔을 인가하기 위한 전력(power)은 0.1 kW 내지 5 kW일 수 있거나 0.1 kW 내지 3 kW일 수 있거나 0.5 kW 내지 2 kW일 수 있다. 이 범위 내에서 상온 및 고온에서 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)와 후술하는 구리 시드층(3, 13, 13') 및 구리 도금층(4, 14, 14')과의 접착력이 크게 향상될 수 있다.
<타이층(2, 12, 12')>
불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11) 상에 타이층(2, 12, 12')이 배치된다. 타이층(2, 12, 12')은 주기율표 4족, 6족, 13족, 및 14족 금속 원소로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 타이층(2, 12, 12')은 주기율표 4족, 6족, 13족, 및 14족 금속 원소로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 합금을 포함할 수 있다.
타이층(2, 12, 12')은 금속-산소(M-O) 결합 해리에너지(M-O bond dissociation energy)가 400 kJ/mol 이상인 금속을 포함하는 금속층 또는 금속 합금층일 수 있다. 상기 금속-산소(M-O) 결합 해리에너지를 갖는 금속 원소는 산소와의 결합이 비교적 안정하다. 그 결과, 타이층(2, 12, 12')과 불소층(5, 15, 15') 계면에 안정적인 금속 산화물 또는 합금 산화물을 확보하여 접착력이 향상되고 전기전도도가 높은 타이층(2, 12, 12')을 적용함으로써 전송손실을 최소화할 수 있다.
타이층(2, 12, 12')은 W, Ti, Sn, Cr, Al, 및 Mo로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 금속 합금을 포함할 수 있다. 상기 금속 또는 금속 합금은 산소와의 결합이 비교적 안정하며, 강자성체 특성을 띠는 Ni 단독 금속 타이층과 비교하여 낮은 전송손실을 가질 수 있기에 타이층(2, 12, 12') 표면의 전기전도도가 향상될 수 있다.
타이층(2, 12, 12')은 Ni를 더 포함하고 상기 Ni의 함량은 50 중량% 이하일 수 있다. 타이층(2, 12, 12')은 상기 W, Ti, Sn, Cr, Al, 및 Mo로부터 선택된 금속과 Ni으로 합금을 형성하고 상기 합금 내 Ni의 함량은 50 중량% 이하일 수 있다. 상기 Ni의 함량이 50 중량% 초과라면, 높은 전송손실이 발생할 수 있으며 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11)와 구리 시드층(3, 13, 13') 및 구리 도금층(4, 14, 14') 간에 상온 접착력 및 고온 접착력이 저하될 수 있다.
타이층(2, 12, 12')의 두께는 10 nm 내지 100 nm일 수 있다. 예를 들어, 타이층(2, 12, 12')의 두께는 12 nm 내지 50 nm일 수 있거나 12 nm 내지 40 nm일 수 있다. 타이층(2, 12, 12')의 두께가 10 nm 미만이라면, 두께가 얇아 기재와의 계면에서 충분한 금속산화물 또는 합금 산화물을 형성할 수 없기에 상온 및 고온 접착력 확보가 어려울 수 있다. 타이층(2, 12, 12')의 두께가 100 nm 초과라면, 회로를 형성하기 위한 에칭 공정에서 타이층(2, 12, 12')의 에칭이 잘되지 않아서 잔류하게 되어 회로 불량을 유발할 수 있으며 상온 접착력 또한 저하될 수 있다.
<구리 시드층(3, 13, 13') 및 구리 도금층(4, 14, 14')>
타이층(2, 12, 12') 상에 구리 시드층(3, 13, 13')이 배치된다. 구리 시드층(3, 13, 13')은 스퍼터층일 수 있다. 상기 구리 스퍼터 시드층은 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11) 자체의 표면조도를 유지하면서 낮은 전송손실을 갖게 할 수 있다. 스퍼터링 방법으로는 물리기상증착(PVD), 화학기상증착(CVD), 저압화학기상증착(LPCVD), 진공증착 등의 방법을 이용할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 당해 스퍼터링 방법으로 사용할 수 있는 모든 스퍼터링 방법을 이용할 수 있다. 예를 들어, 스퍼터링 방법으로 물리기상증착(PVD) 방법을 이용할 수 있다.
구리 시드층(3, 13, 13')의 두께는 800 Å 내지 4000 Å일 수 있다. 예를 들어, 구리 시드층(3, 13, 13')의 두께는 850 Å 내지 3500 Å일 수 있거나 900 Å 내지 3000 Å일 수 있거나 950 Å 내지 2500 Å일 수 있거나 1000 Å 내지 2000 Å 일 수 있거나 1000 Å 내지 1500 Å일 수 있다. 구리 시드층(3, 13, 13')이 상기 두께 범위를 갖는다면 성막시 도전성을 확보할 수 있으며 낮은 표면조도(Rz)를 가지면서 낮은 전송손실을 갖는 동박적층필름(10, 20)을 제공할 수 있다.
구리 시드층(3, 13, 13') 상에 구리 도금층(4, 14, 14')이 위치한다. 구리 도금층(4, 14, 14')을 형성하는 방법으로는 무전해 도금법 또는 전해 도금법을 이용할 수 있다. 예를 들어, 구리 도금층(4, 14, 14')은 전해 도금법을 이용할 수 있다.
상기 구리 전해 도금층의 형성방법은 당해 기술분야에서 사용가능한 모든 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 황산구리 및 황산을 기본물질로 하는 전해 도금액으로 전해도금을 실시하여 구리 시드층(3, 13, 13')의 일 면에 구리 전해 도금층을 형성할 수 있다. 추가로, 상기 전해 도금액에 생산성 및 표면 균일성을 위하여 광택제, 레벨러, 보정제, 또는 완화제 등의 첨가제가 첨가될 수 있다.
구리 도금층(4, 14, 14')의 두께는 12 ㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 구리 도금층(4, 14, 14')의 두께는 0.1 ㎛ 내지 12.0 ㎛일 수 있거나 1.0 ㎛ 내지 12.0 ㎛일 수 있거나 2.0 ㎛ 내지 12.0 ㎛일 수 있거나 4.0 ㎛ 내지 12.0 ㎛일 수 있거나 6.0 ㎛ 내지 12.0 ㎛일 수 있다.
<동박적층필름(10, 20)>
일 구현예에 따른 동박적층필름(10, 20)은 함불소 기재로서 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11) 및 불소층(5, 15, 15')이 배치된 폴리이미드계 기재(1, 11) 상에 금속-산소(M-O) 결합 해리에너지(M-O bond dissociation energy)가 400 kJ/mol 이상인 금속을 포함하는 금속층 또는 금속 합금층인 타이층(2, 12, 12')을 포함하고, 타이층(2, 12, 12')의 두께가 10 nm 내지 100 nm일 수 있다. 동박적층필름(10, 20)은 고주파수에서 향상된 유전특성과 함께 기재 표면의 도포성 및 기재와 동박 간에 우수한 상온 접착력 및 고온 접착력을 가질 수 있다.
일 구현예에 따른 동박적층필름(10, 20)은 상온(25 ℃)에서 3일간 방치한 후에 측정한 상기 불소층이 배치된 폴리이미드계 기재에 대한 구리 시드층 및 구리 도금층의 박리강도가 0.65 kgf/cm 이상일 수 있다.
일 구현예에 따른 동박적층필름(10, 20)은 150 ℃ 이상의 온도에서 2회 이상 열처리하고 1일간 방치한 후에 측정한 상기 불소층이 배치된 폴리이미드계 기재에 대한 구리 시드층 및 구리 도금층의 박리강도가 0.35 kgf/cm 이상일 수 있다. 예를 들어, 동박적층필름(10, 20)은 150 ℃에서 2시간 제1차 열처리한 다음, 상온에서 30분간 방치하고, 150 ℃에서 2시간동안 제2차 열처리 및 240 ℃에서 10분간 제3차 열처리한 후, 상온(25 ℃)에서 1일간 방치한 후에 측정한 상기 불소층이 배치된 폴리이미드계 기재에 대한 구리 시드층 및 구리 도금층의 박리강도가 0.35 kgf/cm 이상일 수 있다.
<전자소자>
다른 일 구현예에 따른 전자소자는 동박적층필름(10, 20)을 포함할 수 있다.
상기 전자소자는 안테나 소자 또는 안테나 케이블을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 안테나 소자는 휴대폰 또는 디스플레이용 안테나 소자일 수 있다. 또한, 상기 전기 소자는 네트워크 서버, 5G용 IOT(사물인터넷) 가전 제품, 레이다(Radar), USB 등의 회로 기판을 포함할 수 있다.
이하, 실시예와 비교예를 통하여 본 발명의 구성 및 그에 따른 효과를 보다 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 본 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되지 않는다는 것은 자명한 사실일 것이다.
[실시예]
실시예 1: 동박적층필름
도 2에서 보이는 바와 같은 동박적층필름(20)을 다음과 같이 제조하였다.
기재로서 양면에 각각 약 12.5 ㎛ 두께의 불소 코팅층(15, 15')이 배치된 폴리이미드 필름(11)(PI첨단소재 제조, 총 두께: 50 ㎛, 주파수 20 GHz에서 유전율(Dk): 2.8, 유전손실(Df): 0.003, CTE: ≤ 25 ppm/℃)을 준비하였다. 불소 코팅층(15)이 배치된 폴리이미드 필름(11)의 제1면(21)에 롤투롤 타입의 스퍼터링 장치 내 이온빔소스를 이용하여 이온빔 처리를 수행하였다. 이온빔 처리는 10-6 Torr 압력조건에서 불활성 가스 Ar를 30 sccm으로 주입하고 인가전력 1.0 kV 조건 하에 수행하였다. 그리고나서 이온빔 처리된 불소 코팅층(15)의 상면에 물리기상증착법(PVD)으로 순도 99.995%의 몰리브덴(Mo, Mo-O bond dissociation energy: 400 kJ/mol)을 이용하여 약 20 nm 두께로 타이(tie)층(12)을 형성하였다. 그리고나서 타이(tie)층(12)의 상면에 물리기상증착법(PVD)으로 순도 99.995%의 구리를 이용하여 약 100 nm두께로 구리 시드층(13)을 형성하였다. 그리고나서 불소 코팅층(15')이 배치된 폴리이미드 필름(11)의 제2면(22)에 상술한 바와 동일한 방법으로 이온빔 처리, 타이층(12') 및 구리 시드층(13')을 형성하였다. 이후, 각각의 구리 시드층(13, 13') 상에 전해 구리 도금법으로 약 12㎛ 두께의 구리 도금층을 각각 형성하였다. 전해 구리 도금에 사용된 전해 구리 도금액은 Cu2+ 농도 28 g/L, 황산 195 g/L의 용액으로서, 추가로 광택제로서 3-N, N-디메틸아미노디티오카바모일-1-프로판술폰산 0.01g/L와 보정제(Atotech사 제품)를 포함한 것을 이용하였다. 전해 구리 도금은 34 ℃, 전류밀도 1.0 A/dm2에서 시작하여 점차 증가시켜 2.86 A/dm2까지 전류 단계별로 인가하였다.
실시예 2: 동박적층필름
이온빔 처리된 불소 코팅층(15)의 상면에 물리기상증착법(PVD)으로 순도 99.995%의 몰리브덴(Mo, Mo-O bond dissociation energy: 400 kJ/mol)을 이용하여 약 12 nm 두께로 타이(tie)층(12)을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름을 제조하였다.
실시예 3: 동박적층필름
이온빔 처리된 불소 코팅층(15)의 상면에 물리기상증착법(PVD)으로 순도 99.995%의 몰리브덴(Mo, Mo-O bond dissociation energy: 400 kJ/mol)을 이용하여 약 25 nm 두께로 타이(tie)층(12)을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름을 제조하였다.
실시예 4: 동박적층필름
이온빔 처리된 불소 코팅층(15)의 상면에 물리기상증착법(PVD)으로 순도 99.995%의 몰리브덴(Mo, Mo-O bond dissociation energy: 400 kJ/mol)을 이용하여 약 40 nm 두께로 타이(tie)층(12)을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름을 제조하였다.
실시예 5: 동박적층필름
이온빔 처리된 불소 코팅층(15)의 상면에 물리기상증착법(PVD)으로 몰리브덴(Mo, Mo-O bond dissociation energy: 400 kJ/mol)과 니켈(Ni, Ni-O bond dissociation energy: 360 kJ/mol)의 중량비를 70:30 (순도: 99.9% 이상)으로 하여 약 20 nm 두께로 타이(tie)층(12)을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름(20)을 제조하였다.
실시예 6: 동박적층필름
이온빔 처리된 불소 코팅층(15)의 상면에 물리기상증착법(PVD)으로 텅스텐(W, W-O bond dissociation energy: 710 kJ/mol)과 티타늄(Ti, Ti-O bond dissociation energy: 670 kJ/mol)의 중량비를 90:10 (순도: 99.9% 이상)으로 하여 약 20 nm 두께로 타이(tie)층(12)을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름(20)을 제조하였다.
실시예 7: 동박적층필름
이온빔 처리된 불소 코팅층(15)의 상면에 물리기상증착법(PVD)으로 몰리브덴(Mo, Mo-O bond dissociation energy: 400 kJ/mol)과 티타늄(Ti, Ti-O bond dissociation energy: 670 kJ/mol)의 중량비를 50:50 (순도: 99.9% 이상)으로 하여 약 20 nm 두께로 타이(tie)층(12)을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름(20)을 제조하였다.
실시예 8: 동박적층필름
불소 코팅층(15)이 배치된 폴리이미드 필름(11)의 제1면(21)에 롤투롤 타입의 스퍼터링 장치를 이용하여 이온빔 처리를 수행할 때, 이온빔 처리는 10-6 Torr 압력조건에서 반응가스 Ar와 O2를 30:9 유량(sccm)비로 주입하고 인가전력 1.0 kV 조건 하에 수행한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일한 방법으로 동박적층필름(20)을 제조하였다.
실시예 9: 동박적층필름
불소 코팅층(15)이 배치된 폴리이미드 필름(11)의 제1면(21)에 롤투롤 타입의 스퍼터링 장치를 이용하여 이온빔 처리를 수행할 때, 이온빔 처리는 10-6 Torr 압력조건에서 반응가스 Ar와 N2를 30:9 유량(sccm)비로 주입하고 인가전력 1.0 kV 조건 하에 수행한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일한 방법으로 동박적층필름(20)을 제조하였다.
실시예 10: 동박적층필름
불소 코팅층(15)이 배치된 폴리이미드 필름(11)의 제1면(21)에 롤투롤 타입의 스퍼터링 장치를 이용하여 이온빔 처리를 수행할 때, 이온빔 처리는 10-6 Torr 압력조건에서 반응가스 O2를 9 sccm으로 주입하고 인가전력 1.0 kV 조건 하에 수행한 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 방법으로 동박적층필름(20)을 제조하였다.
실시예 11: 동박적층필름
불소 코팅층(15)이 배치된 폴리이미드 필름(11)의 제1면(21)에 롤투롤 타입의 스퍼터링 장치를 이용하여 이온빔 처리를 수행할 때, 이온빔 처리는 10-6 Torr 압력조건에서 반응가스 N2를 9 sccm으로 주입하고 인가전력 1.0 kV 조건 하에 수행한 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 방법으로 동박적층필름(20)을 제조하였다.
비교예 1: 동박적층필름
이온빔 처리된 불소 코팅층(15)의 상면에 물리기상증착법(PVD)으로 순도 99.995%의 니켈(Ni, Ni-O bond dissociation energy: 360 kJ/mol)을 이용하여 약 20 nm 두께로 타이(tie)층(12)을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름(20)을 제조하였다.
비교예 2: 동박적층필름
이온빔 처리된 불소 코팅층(15)의 상면에 물리기상증착법(PVD)으로 니켈(Ni, Ni-O bond dissociation energy: 360 kJ/mol)과 크롬(Cr, Cr-O bond dissociation energy: 480 kJ/mol)의 중량비를 80:20 (순도: 99.9% 이상)으로 하여 약 20 nm 두께로 타이(tie)층(12)을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름(20)을 제조하였다.
비교예 3: 동박적층필름
이온빔 처리된 불소 코팅층(15)의 상면에 물리기상증착법(PVD)으로 니켈(Ni, Ni-O bond dissociation energy: 360 kJ/mol)과 구리(Cu, Cu-O bond dissociation energy: 280 kJ/mol)의 중량비를 65:35 (순도: 99.9% 이상)로 하여 약 20 nm 두께로 타이(tie)층(12)을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름(20)을 제조하였다.
비교예 4: 동박적층필름
이온빔 처리된 불소 코팅층(15)의 상면에 물리기상증착법(PVD)으로 몰리브덴(Mo, Mo-O bond dissociation energy: 400 kJ/mol)과 니켈(Ni, Ni-O bond dissociation energy: 360 kJ/mol)의 중량비를 30:70 (순도: 99.9% 이상)으로 하여 약 20 nm 두께로 타이(tie)층(12)을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름(20)을 제조하였다.
비교예 5: 동박적층필름
이온빔 처리된 불소 코팅층(15)의 상면에 물리기상증착법(PVD)으로 순도 99.995%의 몰리브덴(Mo, Mo-O bond dissociation energy: 400 kJ/mol)을 이용하여 약 8 nm 두께로 타이(tie)층(12)을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름을 제조하였다.
비교예 6: 동박적층필름
불소 코팅층(15)이 배치된 폴리이미드 필름(11)의 제1면(21) 및 제2면(22)에 이온빔 처리를 하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 방법으로 동박적층필름을 제조하였다.
평가예 1: 물성 평가
실시예 1~11 및 비교예 1~6에 의해 제조된 동박적층필름에 대한 물성을 다음과 같은 측정방법을 이용하여 평가하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
(1) 기재 표면의 수접촉각(deg), 다이오도메탄 접촉각(deg.), 표면에너지(dyne/cm)
실시예 5, 실시예 8 내지 실시예 11, 및 비교예 6에 의해 제조된 동박적층필름의 불소 코팅층이 배치된 폴리이미드 필름 기재 표면에 25 ℃ 및 50 RH% 분위기 하에 탈이온화수 및 다이오도메탄(diiodomethane)을 각각 10 번씩 떨어뜨린 후에, 접촉각계(Drop Master 300, ㈜쿄와사)를 사용하여 수접촉각 및 다이오도메탄 접촉각의 평균값을 구하였다. 그리고나서 Owens-Wendt-Rabel-Kaelble 방법에 따라 상기 접촉각들의 수치를 대입하여 표면에너지를 구하였다.
(2) 기재 표면의 불소 함량 - XPS 분석
실시예 5, 실시예 10, 실시예 11, 및 비교예 6에 의해 제조된 동박적층필름의 이온빔으로 표면처리된 불소 코팅층이 배치된 폴리이미드 필름 또는 이온빔으로 표면처리되지 않은 불소 코팅층이 배치된 폴리이미드 필름 표면에 대하여 X선 광전자 분광법 (X-ray photoelectron spectroscopy; XPS) 분석을 하였다. XPS 분석은 ThermoFisher사 K-Alpha를 사용하였다.
(3) 상온 접착력(kgf/cm)
실시예 1 내지 실시예 7, 및 비교예 1 내지 비교예 5에 의해 제조된 동박적층필름을 소정의 크기로 잘라 샘플을 준비하였다. 상기 샘플 표면에 폭 3 mm 회로패턴을 형성한 후 상기 회로패턴이 형성된 면의 반대면을 전면 에칭하였다. 그리고나서 상기 샘플을 상온(25 ℃)에서 3 일간 방치한 후, 박리강도 시험기(Shimazu사 제조, AG-50NIS)를 이용하여 50 mm/min 인장속도 및 180°각도로 박리하여 불소 코팅층이 배치된 폴리이미드 필름에 대한 구리 시드층 및 구리 도금층의 박리강도를 측정하였다.
(4) 고온 접착력(kgf/cm)
실시예 1 내지 실시예 7, 및 비교예 1 내지 비교예 5에 의해 제조된 동박적층필름을 소정의 크기로 잘라 샘플을 준비하였다. 상기 샘플 표면에 폭 3 mm 회로패턴을 형성한 후 상기 회로패턴이 형성된 면의 반대면을 전면 에칭하였다. 그리고나서 상기 샘플을 150 ℃에서 2시간 제1차 열처리한 다음, 상온에서 30분간 방치하였다. 그리고나서 상기 샘플을 150 ℃에서 2시간동안 제2차 열처리한 다음 240 ℃에서 10분간 제3차 열처리하였다. 마지막으로 상기 샘플을 상온(25 ℃)에서 1일간 방치한 후, 박리강도 시험기(Shimazu사 제조, AG-50NIS)를 이용하여 50 mm/min 인장속도 및 180°각도로 박리하여 불소 코팅층이 배치된 폴리이미드 필름에 대한 구리 시드층 및 구리 도금층의 박리강도를 측정하였다.
| 구분 | 수접촉각 (deg) |
다이오도메탄 접촉각 (deg) |
표면에너지 (dyne/cm) |
불소 함량 (원자%) |
접착력(kgf/cm) | |
| 상온 | 고온 | |||||
| 실시예 1 | - | - | - | 0.7 | 0.35 | |
| 실시예 2 | - | - | - | 0.75 | 0.15 | |
| 실시예 3 | - | - | - | 0.71 | 0.20 | |
| 실시예 4 | - | - | - | 0.80 | 0.23 | |
| 실시예 5 | 108.7 | 77.7 | 18.8 | 73.82 | 0.69 | 0.37 |
| 실시예 6 | - | - | - | - | 0.77 | 0.64 |
| 실시예 7 | - | - | - | - | 0.68 | 0.54 |
| 실시예 8 | 107.3 | 82.0 | 16.5 | - | - | - |
| 실시예 9 | 110.8 | 79.6 | 17.9 | - | - | - |
| 실시예 10 | 108.6 | 84.5 | 14.4 | 65.13 | - | - |
| 실시예 11 | 109.2 | 79.5 | 14.8 | 64.92 | - | - |
| 비교예 1 | - | - | - | - | 0.48 | 0.46 |
| 비교예 2 | - | - | - | - | 0.58 | 0.52 |
| 비교예 3 | - | - | - | - | 0.55 | 0.5 |
| 비교예 4 | - | - | - | - | 0.47 | 0.38 |
| 비교예 5 | - | - | - | - | 0.63 | 0.22 |
| 비교예 6 | 118.2 | 94.3 | 10.9 | 68.42 | - | - |
표 1에서 보이는 바와 같이, 실시예 5, 실시예 8 내지 실시예 11에 의해 제조된 동박적층필름의 기재 표면에 대한 수접촉각, 다이오도메탄 접촉각은 107.3°~ 110.8°및 77.7°~ 84.5°이었고, 비교예 6에 의해 제조된 동박적층필름의 기재 표면과 비교하여 낮았다. 실시예 5, 실시예 8 내지 실시예 11에 의해 제조된 동박적층필름의 기재 표면에 대한 표면에너지는 14.4 dyne/cm 내지 18.8 dyne/cm이었고, 비교예 6에 의해 제조된 동박적층필름의 기재 표면과 비교하여 높았다. 실시예 1 내지 실시예 7에 의해 제조된 동박적층필름은 기재 표면의 불소 함량이 64.92 원자% 내지 73.82 원자%이었다.
이로부터, 실시예 5, 실시예 8 내지 실시예 11에 의해 제조된 동박적층필름의 기재 표면에 대하여 적절한 도포성을 확보하여 상기 기재 상에 안정적인 타이층, 구리 시드층, 및 구리 도금층이 형성되었음을 확인할 수 있다.
실시예 1 내지 실시예 7에 의해 제조된 동박적층필름의 상온 접착력은 0.68 kgf/cm이상이었고, 비교예 1 내지 비교예 5에 의해 제조된 동박적층필름과 비교하여 높았다. 실시예 1, 실시예 5 내지 실시예 7에 의해 제조된 동박적층필름의 고온 접착력은 0.35 kgf/cm 이상이었고, 비교예 5에 의해 제조된 동박적층필름과 비교하여 높았다.
실시예 1 내지 7에 의해 제조된 동박적층필름은 금속-산소(M-O) 결합 해리에너지(M-O bond dissociation energy)가 400 kJ/mol 이상인 금속을 포함하는 금속층 또는 금속 합금층으로 구성된 타이층을 포함하며, 타이층의 두께가 10 nm 이상 50 nm이하의 동박적층필름이다. 이로 인해, 상기 타이층과 불소 코팅층이 배치된 폴리이미드 기재필름 표면의 관능기와 반응하여 상온 접착력이 향상되었음을 확인할 수 있다. 또한 실시예 1, 실시예 5 내지 실시예 7에 의해 제조된 동박적층필름도 동일한 이유로 고온 접착력이 향상되었음을 확인할 수 있다. 이로써, 실시예 1 내지 7에 의해 제조된 동박적층필름은 소형화된 5G 이동 통신기기와 같은 전자소자 내부 및/또는 외부에 적용할 수 있음을 알 수 있다.
1, 11: 폴리이미드계 (필름) 기재, 2, 12, 12': 타이층,
3, 13, 13': 구리 시드층,
4, 14, 14': 구리 도금층, 5, 15, 15': 불소(코팅)층,
10, 20: 동박적층필름, 21: 제1면, 22: 제2면
3, 13, 13': 구리 시드층,
4, 14, 14': 구리 도금층, 5, 15, 15': 불소(코팅)층,
10, 20: 동박적층필름, 21: 제1면, 22: 제2면
Claims (12)
- 함불소 기재;
상기 함불소 기재 상에 배치된 타이(tie)층; 및
상기 타이(tie)층 상에 배치된 구리층;을 포함하고,
상기 타이층이 금속-산소(M-O) 결합 해리에너지(M-O bond dissociation energy)가 400 kJ/mol 이상인 금속을 포함하는 금속층 또는 금속 합금층이고,
상기 타이층의 두께가 10 nm 내지 100 nm이고,
상기 타이층이 W, Ti, Sn, Al, 및 Mo로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 금속 합금을 포함하는, 동박적층필름. - 제1항에 있어서,
상기 함불소 기재에 대한 수접촉각이 120°이하인, 동박적층필름. - 제1항에 있어서,
상기 함불소 기재에 대한 다이오도메탄 접촉각이 90°이하인, 동박적층필름. - 제1항에 있어서,
상기 함불소 기재의 표면에너지가 11 dyne/cm 내지 25 dyne/cm인, 동박적층필름. - 제1항에 있어서,
상기 함불소 기재 표면의 불소 함량이 60 원자% 내지 75 원자%인, 동박적층필름. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 타이층이 Ni를 더 포함하고 상기 Ni의 함량이 50중량% 이하인, 동박적층필름. - 제1항에 있어서,
상온(25 ℃)에서 3일간 방치한 후에 측정한 상기 함불소 기재에 대한 구리 시드층 및 구리 도금층의 박리강도가 0.65 kgf/cm 이상인, 동박적층필름. - 제1항에 있어서,
150 ℃ 이상의 온도에서 2회 이상 열처리하고 1일간 방치한 후에 측정한 상기 함불소 기재에 대한 구리 시드층 및 구리 도금층의 박리강도가 0.35 kgf/cm 이상인, 동박적층필름. - 제1항에 있어서,
상기 구리층의 두께가 12 μm 이하인, 동박적층필름. - 제1항 내지 제5항 및 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 동박적층필름을 포함하는 전자소자.
- 제11항에 있어서,
상기 전자소자는 안테나 소자 또는 안테나 케이블을 포함하는, 전자소자.
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