KR102482396B1 - Lead frame material and its manufacturing method and semiconductor package - Google Patents
Lead frame material and its manufacturing method and semiconductor package Download PDFInfo
- Publication number
- KR102482396B1 KR102482396B1 KR1020197013787A KR20197013787A KR102482396B1 KR 102482396 B1 KR102482396 B1 KR 102482396B1 KR 1020197013787 A KR1020197013787 A KR 1020197013787A KR 20197013787 A KR20197013787 A KR 20197013787A KR 102482396 B1 KR102482396 B1 KR 102482396B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- roughened
- alloy
- layer
- lead frame
- alloys
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/605—Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/16—Electroplating with layers of varying thickness
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
Abstract
도전성 기체(1)와, 상기 도전성 기체(1)가 적어도 한쪽 면 상에, 직접 또는 중간층을 통해 복수의 조화 입자의 돌기물(4)로 형성된 적어도 1층의 조화층(2)을 포함하는 조화 피막(3)을 구비하고, 상기 돌기물(4)은, 상기 조화 피막(3)의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭이, 상기 최대폭의 측정 위치보다 상기 도전성 기체(1)측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭에 비해 1~5배가 되는 형상을 가지는 리드 프레임재(10).A roughening comprising a conductive substrate (1) and at least one roughened layer (2) formed of projections (4) of a plurality of coarsened particles on at least one side of the conductive substrate (1), either directly or through an intermediate layer. A film (3) is provided, and the projection (4) has a maximum width when measured in a cross section in the thickness direction of the roughened film (3), which is located on the side of the conductive substrate (1) from a position where the maximum width is measured. A lead frame material (10) having a shape that is 1 to 5 times larger than the minimum width when measured from the lower part.
Description
본 발명은, 반도체 소자와 표면 처리층을 가지는 리드 프레임을 서로 전기적으로 접속하고, 이들을 몰드 수지로 봉지해서 이루어지는 수지 봉지형 반도체 장치에 이용하는데 바람직한 리드 프레임재 및 이의 제조 방법 및 반도체 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a lead frame material suitable for use in a resin-encapsulated semiconductor device formed by electrically connecting a semiconductor element and a lead frame having a surface treatment layer to each other and sealing them with a mold resin, a manufacturing method thereof, and a semiconductor package. .
이 종류의 수지 봉지형 반도체 장치는, 와이어 등에 의해 서로 전기적으로 접속된 반도체 소자와 리드 프레임을 몰드 수지로 봉지한 구조를 가진다. 이러한 수지 봉지형 반도체 장치는, 리드 프레임에 외장 도금과 같은 표면 처리를 하고, 예를 들면 Sn-Pb합금 또는 Sn-Bi합금 등의 Sn합금으로 표면 피막을 형성해 제조하는 것이 일반적이다.This type of resin-encapsulated semiconductor device has a structure in which a semiconductor element and a lead frame electrically connected to each other by a wire or the like are sealed with a mold resin. Such a resin-encapsulated semiconductor device is generally manufactured by subjecting a lead frame to surface treatment such as exterior plating and forming a surface film with, for example, a Sn alloy such as a Sn-Pb alloy or a Sn-Bi alloy.
따라서, 최근에는 조립 공정의 간략화 및 코스트 다운을 위해, 미리 리드 프레임의 표면에 프린트 기판에의 땜납 등에 의한 실장에 있어서, 땜납과의 젖음성을 높이는 사양의 도금(예를 들면Ni/Pd/Au)을 하는 리드 프레임(Pre-Plated Frame)이 채용되기 시작하고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).Therefore, in recent years, in order to simplify the assembly process and reduce the cost, during mounting by soldering to the printed board on the surface of the lead frame in advance, plating with specifications that enhance wettability with solder (eg Ni/Pd/Au) A lead frame (Pre-Plated Frame) is starting to be adopted (see
또한, 한편 수지 봉지형 반도체 장치에 있어서의 리드 프레임과 몰드 수지의 밀착성을 높이기 위해 리드 프레임의 도금 표면을 조화(粗化)하는 기술이 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).On the other hand, in order to improve the adhesion between the lead frame and the mold resin in a resin-encapsulated semiconductor device, a technique for roughening the plating surface of the lead frame has been proposed (see
도금 표면을 조화하는 기술은, 리드 프레임에 조화 도금하여 표면을 조화함으로써, (1) 몰드 수지가 조화된 도금 피막의 요철에 들어가 강고한 기계적 접합을 형성하는 효과(앵커 효과), (2) 몰드 수지와 도금 표면의 접촉 면적이 향상됨에 따른 화학적 접합의 향상 등을 기대하는 것이다.The technique of roughening the plating surface is by roughening the surface by roughening the lead frame, (1) the mold resin enters the unevenness of the roughened plating film and forms a strong mechanical bond (anchor effect), (2) the mold It is expected to improve chemical bonding as the contact area between the resin and the plating surface is improved.
리드 프레임의 표면을 조화함으로써, 리드 프레임에 대한 몰드 수지의 밀착성이 향상되고, 리드 프레임과 몰드 수지 사이의 박리가 억제되는 결과, 수지 봉지형 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.By roughening the surface of the lead frame, the adhesion of the mold resin to the lead frame is improved, and as a result of suppressing separation between the lead frame and the mold resin, the reliability of the resin-encapsulated semiconductor device can be improved.
리드 프레임의 표면을 조화함으로써, 확실히 종래의 수지 봉지형 반도체 장치에 비하면, 리드 프레임에 대한 몰드 수지의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 그렇지만, 최근 신뢰성에 대한 요구 레벨이 이전에 비해 보다 한층 엄격해지고 있으며, 고온 고습의 내구성 시험, 예를 들면 온도 85℃, 습도 85%의 환경에서 168시간 방치하는 가혹한 조건 하에서 고온 고습 시험을 한 경우에도, 신뢰성의 합격 기준을 통과할 필요가 있다. 한편, 특허문헌 1과 같이 리드 프레임의 표면을 단지 조화했을 뿐인 종래의 구성은, 수지와 리드 프레임 사이에 간극이 생겨 신뢰성의 합격 기준을 통과하지 못하는 경우가 있었다. 이것은 수지 봉지형 반도체 장치로서 최근에는 QFN(Quad Flat Non-Leaded Package) 타입 및 SOP(Small Outline Package) 타입 등의 패키지가 많이 이용됨에 따라 리드 프레임에 대한 수지의 밀착성에 대한 요구 레벨이 보다 한층 높아졌기 때문이라고 생각할 수 있다. 이와 같이 수지 봉지형 반도체 장치에서는, 리드 프레임에 대한 수지의 밀착성에 관해서는 상술한 바와 같은 가혹한 조건 하에서도 양호한 밀착성을 유지하는 것이 요구되어 온 점에서 더욱 개선할 필요가 있었다.By roughening the surface of the lead frame, the adhesion of the mold resin to the lead frame can certainly be improved compared to conventional resin-encapsulated semiconductor devices. However, in recent years, the required level for reliability has become more stringent than before, and high-temperature, high-humidity durability tests, for example, high-temperature, high-humidity tests under severe conditions in which the temperature is 85 ° C and the humidity is 85% for 168 hours. Even so, it is necessary to pass the acceptance criterion of reliability. On the other hand, in the conventional configuration in which the surface of the lead frame is merely roughened, as in
본 발명은 특히 상술한 가혹한 조건 하에서 고온 고습 시험을 한 경우에도 양호한 수지 밀착성을 유지할 수 있는 리드 프레임 표면을 형성하는데 바람직한 리드 프레임재 및 이의 제조 방법 및 고신뢰성을 갖는 반도체 패키지를 제공하는 것을 과제로 한다.An object of the present invention is to provide a lead frame material suitable for forming a lead frame surface capable of maintaining good resin adhesion even when subjected to a high temperature, high humidity test under the above-mentioned severe conditions, a manufacturing method thereof, and a semiconductor package having high reliability. do.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 검토하여, 도전성 기체 상에 형성되는 조화 피막의 조화층을 구성하는 조화 입자의 돌기물의 단면 형상이 수지 밀착성에 크게 영향을 준다고 생각하여, 리드 프레임재의 표면에 형성한 돌기물에 기인한 요철 표면(특히 오목부)에 수지가 충전 형성됨으로써 생기는, 이른바 앵커 효과에 기인해 생기는 양호한 밀착성이, 상기 가혹한 조건 하에서 고온 고습 시험을 한 경우에도 유지할 수 있는지에 대해 조사했다.The present inventors studied to solve the above problems, and considered that the cross-sectional shape of the projections of the roughened particles constituting the roughened layer of the roughened film formed on the conductive substrate greatly affects the resin adhesion, and formed on the surface of the lead frame material. It was investigated whether good adhesion caused by the so-called anchor effect, which occurs when resin is filled and formed on the uneven surface (especially the concave portion) caused by a protrusion, can be maintained even when a high temperature and high humidity test is performed under the above severe conditions. .
그리고, 본 발명자들은, 도전성 기체 상에 형성된 조화 피막의 조화층을 형성하는 돌기물을, 조화 피막의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭이, 최대폭의 측정 위치보다 도전성 기체 측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭에 비해 1~5배가 되는 형상을 가지도록 제어함으로써, 특히 조화 입자의 돌기물의 최소폭의 개소에 있어서, 수지의 팽창이나 수축 등에 의해 응력이 집중함으로써 생기기 쉬운 수지의 전단에 의한 박리 현상을 유효하게 억제할 수 있다는 지견을 얻었다. 그 결과, 앵커 효과에 기인한 양호한 밀착성을 조화층에 의해 극대화할 수 있고, 게다가 조화층을 형성하는 돌기물을 상기 형상으로 제어함으로써, 종래에는 견딜 수 없었던 고온 고습의 내구성 시험, 예를 들면 온도 85℃, 습도 85%의 환경에서 168시간 방치하는 가혹한 조건 하에서 고온 고습 시험을 한 경우에도, 리드 프레임에 대한 양호한 수지 밀착성을 유지할 수 있는 것을 발견했다.Then, the inventors of the present invention found that the lower portion of the protrusion forming the roughened layer of the roughened film formed on the conductive substrate is located on the conductive substrate side than the measurement position of the maximum width when the maximum width is measured in the cross section in the thickness direction of the roughened film. By controlling the shape to have a shape that is 1 to 5 times larger than the minimum width measured in , shearing of the resin, which is likely to occur when stress is concentrated due to expansion or contraction of the resin, particularly in the location of the minimum width of the protrusions of the roughened particles. It was found that the peeling phenomenon due to can be effectively suppressed. As a result, good adhesion due to the anchor effect can be maximized by the roughened layer, and furthermore, by controlling the protrusions forming the roughened layer to the above shape, durability tests of high temperature and high humidity that could not be endured conventionally, such as temperature It was found that good resin adhesion to the lead frame could be maintained even when a high-temperature, high-humidity test was conducted under the severe conditions of being left for 168 hours in an environment of 85°C and 85% humidity.
즉, 본 발명의 요지 구성은 이하와 같다.That is, the gist of the present invention is as follows.
(1) 도전성 기체와, 상기 도전성 기체 중 적어도 한쪽 면 상에, 직접 또는 중간층을 통해 복수의 조화 입자의 돌기물로 형성된 적어도 1층의 조화층을 포함하는 조화 피막을 구비하고,(1) a roughened film comprising a conductive substrate and at least one roughened layer formed of projections of a plurality of coarsened particles directly or via an intermediate layer on at least one surface of the conductive substrate;
상기 돌기물은, 상기 조화 피막의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭이, 상기 최대폭의 측정 위치보다 상기 도전성 기체 측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭에 비해 1~5배가 되는 형상을 가지는 리드 프레임재.The protrusion has a shape in which the maximum width when measured in the cross section of the roughened film in the thickness direction is 1 to 5 times greater than the minimum width when measured at a lower portion located on the conductive substrate side from the measurement position of the maximum width. A lead frame material having
(2) 상기 도전성 기체는, 동, 동 합금, 철, 철 합금, 알루미늄 또는 알루미늄 합금인, 상기 (1)에 기재된 리드 프레임재.(2) The lead frame material according to (1) above, wherein the conductive substrate is copper, copper alloy, iron, iron alloy, aluminum or aluminum alloy.
(3) 상기 조화층은, 동, 동 합금, 니켈, 니켈 합금, 팔라듐, 팔라듐 합금, 은, 은 합금, 주석, 주석 합금, 아연, 아연 합금, 로듐, 로듐 합금, 루테늄, 루테늄 합금, 이리듐 및 이리듐 합금의 군으로부터 선택되는 금속 또는 합금을 포함하는, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 리드 프레임재.(3) The roughened layer is made of copper, copper alloy, nickel, nickel alloy, palladium, palladium alloy, silver, silver alloy, tin, tin alloy, zinc, zinc alloy, rhodium, rhodium alloy, ruthenium, ruthenium alloy, iridium and The lead frame material according to (1) or (2) above, comprising a metal or alloy selected from the group of iridium alloys.
(4) 상기 조화 피막의 표면 중 적어도 일부 상에, 적어도 1층의 표면 피복층을 포함하는 표면 피막을 더욱 구비하고, 상기 표면 피복층이, 팔라듐, 팔라듐 합금, 로듐, 로듐 합금, 루테늄, 루테늄 합금, 백금, 백금 합금, 이리듐, 이리듐 합금, 금, 금 합금, 은 및 은 합금의 군으로부터 선택되는 금속 또는 합금을 포함하는, 상기 (1)~(3) 중 어느 하나에 기재된 리드 프레임재.(4) further comprising a surface coating comprising at least one surface coating layer on at least a part of the surface of the roughened coating, wherein the surface coating layer is made of palladium, palladium alloy, rhodium, rhodium alloy, ruthenium, ruthenium alloy, The lead frame material according to any one of (1) to (3) above, comprising a metal or alloy selected from the group of platinum, platinum alloy, iridium, iridium alloy, gold, gold alloy, silver and silver alloy.
(5) 상기 중간층은, 니켈, 니켈 합금, 코발트, 코발트 합금, 동 또는 동 합금인, 상기 (4)에 기재된 리드 프레임재.(5) The lead frame material according to (4), wherein the intermediate layer is nickel, a nickel alloy, cobalt, a cobalt alloy, copper or a copper alloy.
(6) 도전성 기체 중 적어도 한쪽 면 상에, 직접 또는 중간층을 통해, 전기 도금에 의해 복수의 조화 입자의 돌기물로 형성된 적어도 1층의 조화층을 포함하는 조화 피막을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 돌기물은, 상기 조화 피막의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭이, 상기 최대폭의 측정 위치보다 상기 도전성 기체 측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭에 비해 1~5배가 되는 형상을 가지는 리드 프레임재의 제조 방법.(6) forming a roughened film comprising at least one roughened layer formed of projections of a plurality of roughened particles by electroplating directly or through an intermediate layer on at least one side of the conductive substrate; The protrusion has a shape in which the maximum width when measured in the cross section of the roughened film in the thickness direction is 1 to 5 times greater than the minimum width when measured at a lower portion located on the conductive substrate side from the measurement position of the maximum width. A method for producing a lead frame material having a.
(7) 상기 (1)~(5) 중 어느 하나에 기재된 리드 프레임재를 가지는 반도체 패키지.(7) A semiconductor package comprising the lead frame material according to any one of (1) to (5) above.
본 발명의 리드 프레임재는, 도전성 기체와, 상기 도전성 기체 중 적어도 한쪽 면 상에 직접 또는 중간층을 통해 복수의 조화 입자의 돌기물로 형성된 적어도 1층의 조화층을 포함하는 조화 피막을 구비하고, 상기 돌기물은, 상기 조화 피막의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭이, 상기 최대폭의 측정 위치보다 상기 도전성 기체 측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭에 비해 1~5배가 되는 형상을 가짐으로써, 고온 고습의 내구성 시험, 예를 들면 온도 85℃, 습도 85%의 환경에서 168시간 방치하는 가혹한 조건 하에서 고온 고습 시험을 한 경우에도, 리드 프레임에 대한 양호한 수지 밀착성을 거의 열화시키지 않고 유지할 수 있어, 이 리드 프레임재를 이용해 구성한 반도체 패키지는 고 신뢰성을 실현할 수 있다.The lead frame material of the present invention includes a conductive substrate and a roughened film comprising at least one roughened layer formed of projections of a plurality of roughened particles directly or through an intermediate layer on at least one surface of the conductive substrate, The projection has a shape in which the maximum width when measured in the cross section of the roughened film in the thickness direction is 1 to 5 times larger than the minimum width when measured at a lower portion located on the conductive substrate side from the measurement position of the maximum width. By having, even when a high-temperature, high-humidity durability test is performed, for example, a high-temperature, high-humidity test under severe conditions in which a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% are left for 168 hours, the good resin adhesion to the lead frame is maintained with little deterioration. Therefore, a semiconductor package constructed using this lead frame material can realize high reliability.
도 1은, 본 발명에 따른 대표적인 리드 프레임재의 개략 단면도이다.
도 2는, 조화층의 비표면적을 산출하는 방법을 설명하기 위한 도이다.
도 3은, 1층의 조화층을 구성하는 돌기물의 최대폭 Wmax과 최소폭 Wmin을 설명하기 위한 도이다.
도 4는, 본 발명에 따른 다른 리드 프레임재의 개략 단면도이다.
도 5는, 2층의 조화층을 구성하는 돌기물의 최대폭 Wmax과 최소폭 Wmin을 설명하기 위한 도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a representative lead frame material according to the present invention.
2 is a diagram for explaining a method for calculating the specific surface area of a roughened layer.
Fig. 3 is a diagram for explaining the maximum width Wmax and the minimum width Wmin of the protrusions constituting one roughened layer.
4 is a schematic cross-sectional view of another lead frame material according to the present invention.
5 is a view for explaining the maximum width Wmax and the minimum width Wmin of the protrusions constituting the two-layer roughened layer.
이어서, 본 발명에 따른 리드 프레임재에 대해서 구체적인 실시 형태의 예를 들어 도면을 참조하면서 이하에서 설명한다. 도 1은 본 발명에 따른 대표적인 리드 프레임재의 개략 단면을 도시한 것으로, 도 1의 부호 1은 도전성 기체, 2는 조화층, 3은 조화 피막, 4는 돌기물, 그리고 10은 리드 프레임재이다. 본 발명의 리드 프레임재(10)는, 도전성 기체(1)와 적어도 1층의 조화층(2)을 포함하는 조화 피막(3)을 구비한다.Next, the lead frame material according to the present invention will be described below, giving an example of a specific embodiment with reference to the drawings. 1 shows a schematic cross-section of a representative lead frame material according to the present invention, in which
(도전성 기체)(conductive gas)
도전성 기체(1)는, 도전성을 가지는 재료면 좋고, 예를 들면, 동, 동 합금, 철, 철 합금, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등을 들 수 있으며, 동 합금, 철 합금, 또는 알루미늄 합금이 바람직하다. 리드 프레임재에는, 반도체 소자와의 접합 시에 굽힘 가공 등의 변형에 견딜 수 있는 강도가 필요하여 도전율과 강도의 밸런스가 좋은 동 합금의 사용이 특히 바람직하다. 그 중에서도 동 합금으로서는, 예를 들면, CDA(Copper Development Association) 게재 합금인 「C14410(Cu-0.15Sn, 후루카와덴키고교사제, 상품명: EFTEC(등록상표)-3)」, 「C19400(Cu-Fe계 합금 재료, Cu-2.3Fe-0.03P-0.15Zn)」, 「C18045(Cu-0.3Cr-0.25Sn-0.2Zn, 후루카와덴키고교사제, 상품명: EFTEC(등록상표)-64T)」, 「C50710(Cu-2.0Sn-0.2Ni-0.05P), 후루카와덴키고교사제, 상품명: MF202」, 「C70250(Cu-3Ni-0.65Si-0.15Mg), 후루카와덴키고교사제, 상품명: EFTEC(등록상표)-7025」 등을 들 수 있다. 또한, 각 원소의 직전에 나타낸 숫자의 단위는 모두 「질량%」이다. 이들 동 합금과 같이 인장 강도가 350~800N/mm2, 바람직하게는 500~800N/mm2이며, 또한, 도전율이 30~90%IACS, 바람직하게는 50~80%IACS의 동 합금의 조재를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 「%IACS」는 만국 표준 연동(International Annealed Copper Standard)의 저항율 1.7241×10-8Ωm를 100%IACS로 한 경우의 도전율을 나타낸 것으로, 예를 들면 「50%IACS」의 도전율은 만국 표준 연동의 도전율의 50%인 것을 의미한다. 또한, 철 합금의 경우는, 예를 들면 42앨로이(Fe-42 질량%Ni)나 스테인리스강 등을 들 수 있다. 이러한 철 합금을 포함하는 도전성 기체(1)는, 도전율은 그다지 높지 않지만 도전율이 그만큼 요구되지 않으며, 전기신호의 전달을 목적으로 하는 리드 프레임재(10)에 적용할 수 있다. 게다가 알루미늄 합금의 경우는, 예를 들면 A5052 등의 Al-Mg계 합금을 들 수 있다. 수지 봉지형 반도체 장치는, 몰드 수지에 의해 내부에 열이 가득 차기 쉽기 때문에, 도전성 기체를 따라서 내부의 열을 방열하는 것이 중요해진다. 본 발명에서는 도전성 기체의 표면에 조화 피막을 형성함으로써, 조화 피막이 형성되지 않은 경우에 비해 방열 효과를 향상시킬 수 있음과 동시에, 0.05mm까지 도전성 기체의 박판화가 가능해졌다. 도전성 기체의 두께가 0.05mm보다 얇으면 충분한 방열을 달성할 수 없고, 또한, 도전성 기체의 두께가 2mm 이상이면 반도체 장치의 소형화를 달성할 수 없다. 이 때문에 도전성 기체(1)의 두께는 0.05~2mm가 바람직하고, 0.1~1mm가 보다 바람직하다.The
(조화 피막)(harmonized coating)
조화 피막(3)은, 도전성 기체(1) 중 적어도 한쪽 면 상에, 직접 또는 중간층(도시하지 않음)을 통해 복수의 조화 입자의 돌기물(4)로 형성된 적어도 1층의 조화층(2)으로 구성된다. 또한, 조화 피막(3)은 적어도 1층의 조화층(2)으로 구성되면 좋지만, 제조 공정의 번잡성 등을 고려하면, 1~3층의 조화층(2)으로 구성하는 것이 바람직하다. 조화 피막(3)의 형성 방법은, 1층째의 조화층(2-1)을 형성 후에 조성이나 형성 조건 등 하나 이상의 팩터가 1층째의 조화층(2-1)과는 다른 2층째의 조화층(2-2)을 1층째의 조화층(2-1) 상에 적층 형성하는, 이른바 다중 조화에 의해 형성함으로써, 비교적 얇은 막두께로 비표면적을 유효하게 증대시킬 수 있어 보다 바람직하다(도 4 참조). 또한, 본 발명에서는 조화 피막(3)의 막두께는 국소적으로 측정하지 않고, 적어도 형광 X선법(예를 들면 SII사제의 SFT9400(상품명) 등의 막두께 측정 장치)에 의해 콜리메이터 직경 0.2mm 이상으로 임의의 3점으로 측정했을 때의 평균적인 막두께로 나타낸 것으로 한다. 또한, 조화 피막(3)이 복수의 조화층(2)으로 구성되는 경우에는, 전 층의 총 두께를 조화 피막(3)의 두께로 정의하는 것으로 한다. 또한, 조화 피막(3)의 막두께는 특별히 제한은 없지만, 막두께가 크면 클수록 조화에 의한 요철이 커지는 경향이 있다. 그 때문에, 조화 형상을 크게 하기 위해서 조화 피막(3)의 막두께의 하한값은, 바람직하게는 0.2μm 이상, 보다 바람직하게는 0.5μm 이상, 한층 더 바람직하게는 0.8μm 이상이다. 한편, 조화 피막(3)의 막두께가 3μm를 넘으면, 반송 시의 조화 피막(3)의 탈락, 이른바 「가루 떨어짐(powdering)」이 많아질 우려가 있다. 이 때문에, 조화 피막(3)의 막두께의 상한값은, 바람직하게는 3μm 이하, 보다 바람직하게는 2μm 이하, 한층 더 바람직하게는 1.5μm 이하다.The roughened
[조화층][harmonized layer]
조화층(2)은 복수의 조화 입자의 돌기물(4)로 형성된다. 조화층(2)의 형성 방법으로서는 습식 도금이나 건식 도금 등 여러 가지 방법을 들 수 있지만, 간편하고 염가로 형성할 수 있는 등의 관점에서, 특히 전기 도금에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 조화층(2)은, 예를 들면 동, 동 합금, 니켈, 니켈 합금, 팔라듐, 팔라듐 합금, 은, 은 합금, 주석, 주석 합금, 아연, 아연 합금, 로듐, 로듐 합금, 루테늄, 루테늄 합금, 이리듐 및 이리듐 합금의 군으로부터 선택되는 금속 또는 합금을 포함하는 것이 바람직하다. 조화층(2)은, 특히 조화 피막(3) 상에 후술의 표면 피막(도시하지 않음)을 더욱 형성하는 경우에는, 표면 피막에 대한 밀착성을 향상시키는 관점에서, 동, 동 합금, 니켈 또는 니켈 합금을 포함하는 것이 보다 바람직하다. 동 합금으로서는 동-주석 합금, 동-아연 합금, 니켈 합금으로서는 니켈-아연 합금, 니켈-주석 합금 등을 들 수 있다.The roughened
그리고, 본 발명의 구성상 주된 특징은, 조화층(2)을 구성하는 조화 입자의 돌기물(4)의 단면 형상의 적정화를 도모하는 것, 보다 구체적으로는, 도 3에 도시한 바와 같이 돌기물(4)을 조화 피막(3)의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭 Wmax이, 상기 최대폭의 Wmax 측정 위치보다 도전성 기체(1)측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭 Wmin에 비해 1~5배가 되는 형상을 가지도록 제어하는 것에 있다.And, the main feature of the configuration of the present invention is to optimize the cross-sectional shape of the
이것은, 본 발명자들이 열심히 연구한 결과, 만일 조화층이 동일한 표면 조도(surface roughness)로 형성되면, 전단 시험에 있어서의 수지의 전단 강도(접합 강도)는 높고, 양호한 수지 밀착성을 얻을 수 있지만, 고온 고습의 내구성 시험, 예를 들면 온도 85℃, 습도 85%의 환경에서 168시간 방치하는 가혹한 조건 하에서 고온 고습 시험을 실시한 후에는 동일한 표면 조도를 가지는 조화층은 전단 강도가 크게 저하되고, 양호한 수지 밀착성을 유지할 수 없는 것이 존재하는 것으로 판명되었다. 이 점에 대해 조사를 한층 더 진행한 결과, 조화층을 형성하는 조화 입자의 돌기물의 단면 형상에 크게 영향을 받는다는 지견을 얻어, 특히 돌기물의 최소폭인 개소에서 수지의 열팽창이나 수축에 의한 응력이 집중되어 밀착성이 낮아지는 것을 알 수 있었다.As a result of diligent research by the present inventors, this is because if the roughened layer is formed with the same surface roughness, the shear strength (bonding strength) of the resin in the shear test is high, and good resin adhesion can be obtained, but at high temperature After a high-humidity durability test, for example, a high-temperature and high-humidity test under severe conditions of leaving it for 168 hours in an environment of 85 ° C. and 85% humidity, the roughened layer having the same surface roughness significantly decreased in shear strength and had good resin adhesion. It turns out that there is something that can't be maintained. As a result of further investigation on this point, it was found that the cross-sectional shape of the projections of the roughened particles forming the roughened layer was greatly affected, and in particular, the stress due to thermal expansion and contraction of the resin at the minimum width of the projections was reduced. It was found that the concentration was reduced and the adhesion was lowered.
이 때문에, 본 발명자들은 한층 더 상세한 검토를 진행한 바, 조화 피막의 조화층을 형성하는 조화 입자의 돌기물의 최대폭과 최소폭의 비율을 1~5, 즉 돌기물을 조화 피막의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭이, 상기 최대폭의 측정 위치보다 도전성 기체 측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭에 비해 1~5배가 되는 형상을 가지도록 제어함으로써, 동일한 정도의 표면 조도를 가지는 조화층에서도, 고온 고습의 내구성 시험, 예를 들면 온도 85℃, 습도 85%의 환경에서 168시간 방치하는 가혹한 조건 하에서 고온 고습 시험을 실시한 후에도 수지의 전단 강도(접합 강도)는 거의 저하되지 않고, 양호한 수지 밀착성을 유지할 수 있는 것을 발견했다.For this reason, when the present inventors conducted a further detailed examination, the ratio of the maximum width to the minimum width of the projections of the roughened particles forming the roughened layer of the roughened film was set to 1 to 5, that is, the projections were separated from the cross section in the thickness direction of the roughened film. Roughening with the same degree of surface roughness by controlling the maximum width at the time of measurement to have a shape that is 1 to 5 times larger than the minimum width at the time of measurement at the lower part located on the conductive substrate side from the measurement position of the maximum width. Even in the layer, the shear strength (bonding strength) of the resin hardly decreases even after a durability test at high temperature and high humidity, for example, a high temperature and high humidity test under severe conditions in which it is left for 168 hours in an environment of 85 ° C. and 85% humidity. It discovered that resin adhesiveness could be maintained.
돌기물에 있어서 최대폭이 최소폭의 1배란, 최대폭과 최소폭이 동일한 것을 나타내며, 돌기물의 형상으로서는, 거의 원주 형상이나 각주 형상의 경우를 들 수 있다. 한편, 돌기물의 최대폭이 최소폭의 5배를 넘으면, 조화층을 형성하는 돌기물의 최소폭의 개소에서 수지의 팽창이나 수축에 의한 응력의 집중이 증대하기 때문에, 앵커 효과를 유효하게 발휘할 수 없고, 돌기물의 최소폭의 개소에 있어서 파단하기 쉬워진다. 이 때문에, 돌기물은 최대폭이 최소폭의 1~5배로 한다. 또한, 몰드 수지가 앵커 효과를 발휘하는 것뿐만 아니라, 수지가 조화층을 형성하는 돌기물의 최소부의 개소에서의 파단을 생기기 어렵게 함으로써, 리드 프레임재에 대해 전단 강도를 향상시키는 것뿐만 아니라, 수직 방향의 인장 강도도 보다 한층 향상시킬 필요가 있는 경우에는, 돌기물의 최소폭에 대한 최대폭의 비율이 1.1~4.9배로 하는 것이 바람직하고, 1.2~4.8배로 하는 것이 보다 바람직하고, 1.5~4.0배로 하는 것이 더욱 바람직하고, 1.5~3.0배로 하는 것이 가장 바람직하다. 또한, 돌기물에 있어서의 표면의 형상이지만, 날카롭고 뾰족하고도 둥글고 매끄러워도 좋고, 돌기물의 최대폭과 최소폭의 비가 중요하다.The fact that the maximum width of the projection is 1 times the minimum width indicates that the maximum width and the minimum width are the same, and examples of the shape of the projection include a substantially cylindrical shape or a prismatic shape. On the other hand, if the maximum width of the projections exceeds 5 times the minimum width, the concentration of stress due to expansion or contraction of the resin increases at the minimum width of the projections forming the roughened layer, so the anchor effect cannot be effectively exhibited. It becomes easy to fracture in the location of the minimum width of a projection. For this reason, the maximum width of the projection is 1 to 5 times the minimum width. In addition, the mold resin not only exhibits an anchor effect, but also improves the shear strength with respect to the lead frame material by making it difficult for the resin to break at the minimum portion of the projections forming the roughened layer, and also improves the shear strength in the vertical direction. When it is necessary to further improve the tensile strength of the protrusion, the ratio of the maximum width to the minimum width of the protrusion is preferably 1.1 to 4.9 times, more preferably 1.2 to 4.8 times, and even more preferably 1.5 to 4.0 times. It is preferable, and it is most preferable to make it 1.5 to 3.0 times. Further, the shape of the surface of the projection may be sharp, pointed, round, or smooth, and the ratio of the maximum width to the minimum width of the projection is important.
<돌기물의 최대폭과 최소폭의 정의에 대해><About the definition of the maximum width and minimum width of projections>
본 발명에 있어서의 돌기물의 최대폭과 최소폭은, 예를 들면 Focused Ion Beam(FIB)나 기계 연마 등의 방법에 의해, 조화층이 형성된 리드 프레임재를 가공함으로써 수직 단면 시료를 제작하고, 이어서 수직 단면 시료의 조화층에 대해 광학 현미경이나 주사형 전자현미경 등에 의한 단면 관찰을 실시하여, 도전성 기체의 표면으로부터 조화층의 표면을 향해 선분을 평행 이동시키고, 조화층을 형성하는 복수의 돌기물에 대해 1개의 돌기물마다 폭을 측정하여 최대값(최대폭) Wmax과 최소값(최소폭) Wmin을 결정한다. 보다 상세하게 설명하면, 도 3에 도시한 바와 같이 도전성 기체(1)로부터 조화층의 방향으로 수선을 긋고, 그 정점으로부터 도전성 기체(1)를 향하는 방향으로 기체와 평행한 선(평행선)을 주사시켰을 때의 돌기물(4)의 최대값을 나타낸 폭을 최대폭으로서 Wmax로 하고, 더욱이 최대폭 Wmax 위치로부터 도전성 기체(1)를 향하는 방향으로 다시 평행선을 주사시켰을 때의 돌기물(4)의 최소값을 나타낸 폭을 최소폭으로서 Wmin으로 결정한다. 그리고, 본 발명에서는 그 비율 Wmax/Wmin의 값이 1~5인 것이 필요하다. 또한, 돌기물(4)의 최소폭 Wmin은, 조화 피막(3)의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 돌기물(4)의 최대폭 Wmax의 측정 위치보다 도전성 기체(1)측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭 Wmin을 의미한다. 이것은 전단 시험에 있어서 도전성 기체(1)측에 위치하는 돌기물(4)의 아래쪽 부분(기단 부분)의 폭에 의해 전단 강도가 좌우된다는 지견에 근거한다. 또한, 돌기물(4)은 임의의 단면을 관찰하기 위해, 조화층(2)의 여러 위치에서 관찰된다. 이것은, 조화층(2)은 기본적으로는 3차원적으로 형성되는 것이 일반적이므로, 돌기물(4)의 최대폭 Wmax과 최소폭 Wmin을 측정하는 조화층(2)으로서는, 1층의 조화층(2)의 경우나, 도 5에 도시한 바와 같이 2층 이상의 조화층(예를 들면 도 5에서는 2층의 조화층(2-1, 2-2))이어도, 또한 돌기물(4)의 최대폭 Wmax과 최소폭 Wmin의 측정이 가능한 경우를 측정 대상으로 하고, 그 이외, 예를 들면 2층 이상의 조화층이고 조화 피막(3)의 최표면 윤곽이 명확하지 않은 경우나, 도전성 기체(1)로부터 도드라져 보이는 조화층(2)의 경우 등은, 본 발명에 있어서 측정의 대상이라고는 할 수 없는 조화층으로 한다. 이들 수법에 따라 임의의 단면에서 1개의 조화층(2)에 존재하는 10개의 돌기물(4)에 대해서, 각각의 최대폭 Wmax과 최소폭 Wmin을 측정하여 최대폭 Wmax의 최소폭 Wmin에 대한 비율 Wmax/Wmin을 산출하고, 그들의 비율의 평균값이 1~5배인 조화층(2)을 가지는 리드 프레임재(10)를 본 발명의 리드 프레임재로서 정의한다.The maximum and minimum widths of the projections in the present invention are obtained by processing a lead frame material having a roughened layer by, for example, a method such as Focused Ion Beam (FIB) or mechanical polishing to prepare a vertical cross-section sample, and then Cross-sectional observation of the roughened layer of the cross-section sample is performed using an optical microscope or a scanning electron microscope, and a line segment is moved in parallel from the surface of the conductive substrate toward the surface of the roughened layer, and a plurality of projections forming the roughened layer are observed. The width of each projection is measured to determine the maximum value (maximum width) Wmax and minimum value (minimum width) Wmin. More specifically, as shown in FIG. 3, a perpendicular line is drawn from the
<돌기물의 최소폭 및 돌기물끼리의 간격에 대해><About the minimum width of projections and the distance between projections>
또한, 본 발명에 있어서의 조화층(2)을 형성하는 돌기물(4)의 최소폭 Wmin의 크기에 있어서는, 특별히 규정하지는 않지만, 최소폭 Wmin이 너무 작으면 수지가 조화층(2)의 돌기물(4, 4) 사이의 간극에 흐르기 어려워지는 경향이 있고, 한편, 최소폭 Wmin이 너무 크면 전단 강도를 증대시키는 효과가 작아지는 경향이 있다. 이 때문에, 돌기물(4)의 최소폭 Wmin은 평균적으로 0.2μm~3μm의 범위인 것이 바람직하고, 0.5μm~1μm의 범위인 것이 보다 바람직하다. 또한, 돌기물(4, 4)끼리의 간격에 대해서는 특별히 한정하지 않지만, 돌기물(4, 4)의 정점끼리의 평균 간격으로 하여 0.2~20μm의 범위가 바람직하고, 0.5μm~10μm의 범위가 한층 더 바람직하다.The size of the minimum width Wmin of the
<조화층의 비표면적에 대해><About the specific surface area of the roughened layer>
본 발명의 리드 프레임재(10)는 우선 도전성 기체(이하, 단지 「기체(基體)」라고도 한다.)(1)에 대해서 조화층(2)을 가진다. 이 조화층(2)은 비표면적이 110% 이상인 것이 바람직하다. 이것은 비표면적이 110% 미만이면 충분히 앵커 효과를 얻을 수 없기 때문이다. 또한, 비표면적의 상한에 대해서는 특별히 규제하지는 않지만, 비표면적이 너무 크면 조화의 요철이 너무 커져 조화층이 탈락하기 쉬워지기 때문에, 비표면적은 500% 이하로 하는 것이 바람직하다.The
또한, 비표면적의 산출 방법으로서는, 도 2에 리드 프레임재(10)의 단면을 도시한 바와 같이, 리드 프레임재(10)의 단면에서 보아, 조화 피막(3)의 최표층의 선분 길이(도 2에서는 파선 A로 도시한다.)를 도전성 기체(1)의 표면의 (직선)길이(도 2에서는 굵은 실선 B)로 나눈 비율 A/B의 백분율이 비표면적(%)이 되고, 예를 들면 비접촉식 간섭 현미경 등의 측정 장치(예를 들면 Bruker axs사제)를 이용해 측정할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서의 조화층의 형성 개소는 수지 몰드되는 부분 중 적어도 일부에 형성되면 좋고, 전면 처리는 물론, 부분적으로 조화층(2)이 형성되어도 좋다. 또한, 예를 들면 리드 프레임재(10)가 수지 몰드되는 부분 중 적어도 1/5 이상인 것이 바람직하고, 한층 더 바람직하게는 1/2 이상의 면적에 형성됨으로써 밀착성 향상 효과를 발휘할 수 있다. 수지 몰드되는 전면에 조화층(2)이 형성되는 것이 가장 바람직하다. 이 부분적으로 설치되는 조화층(2)의 형상으로서는 스트라이프 형상, 점 형상, 링 형상 등 여러 가지 형태를 취하는 것이 가능하다. 게다가 수지 몰드가 한쪽 면뿐인 제품에 있어서는, 예를 들면 한쪽 면만 조화층(2)을 형성하는 것도 가능하다.In addition, as a calculation method of the specific surface area, as the cross section of the
(중간층)(middle layer)
또한, 본 발명의 리드 프레임재(10)는, 도전성 기체(1)와 조화 피막(3) 사이에, 예를 들면 도전성 기체(1)를 구성하는 조성 성분의 확산 억제나 밀착성의 개선을 위해서 중간층을 형성해도 좋다. 중간층은 예를 들면 니켈, 니켈 합금, 코발트, 코발트 합금, 동 또는 동 합금을 들 수 있다.In addition, the
(표면 피막)(surface coating)
또한, 본 발명의 리드 프레임재(10)는, 조화 피막(3)의 표면 중 적어도 일부 상에 직접 또는 중간층을 통해 적어도 1층의 표면 피복층을 포함하는 표면 피막을 한층 더 구비하는 것이 바람직하고, 표면 피복층은, 팔라듐, 팔라듐 합금, 로듐, 로듐 합금, 루테늄, 루테늄 합금, 백금, 백금 합금, 이리듐, 이리듐 합금, 금, 금 합금, 은 및 은 합금의 군으로부터 선택되는 금속 또는 합금을 포함하는 것이 바람직하다.Further, the
[표면 피복층][Surface coating layer]
표면 피복층을 구성하는 각종 합금으로서는, 예를 들면 팔라듐 합금으로서는 팔라듐-은 합금, 로듐 합금으로서는 로듐-팔라듐 합금, 루테늄 합금으로서는 루테늄-이리듐 합금, 백금 합금으로서는 백금-금 합금, 이리듐 합금으로서는 백금-이리듐 합금, 금 합금으로서는 금-은 합금, 은 합금으로서는 은-주석 합금 등을 들 수 있다. 표면 피막은 1종류여도 좋지만, 2층 이상이 바람직하다. 표면 피막을 구성하는 표면 피복층이 2층 이상인 경우의 대표적인 층 구성으로서는, 조화 피막(3)측부터 적층 순서로, Pd/Au, Rh/Au, Pd/Ag/Au, Pd/Rh/Au, Ru/Pd/Au 등을 들 수 있다. 이와 같이 조화 피막 상에 표면 피막층을 형성함으로써, 리드 프레임의 발열에 대해서 내열성이 향상함과 동시에, 조화 피막의 조화층을 형성하는 조화 입자의 돌기물의 강도가 향상되고, 돌기물의 파단을 막아, 한층 더 앵커 효과를 발휘할 수 있다. 또한 표면 피막에 대한 밀착성을 향상시키는 관점에서, 조화층이 동, 니켈의 2층에 대해서 표면 피막층이 Pd/Au의 2층 또는 Rh/Au의 2층인 것이 보다 바람직하고, 조화층의 층 구성으로서 아래쪽 조화층이 동, 위쪽 조화층이 니켈의 2층에 대해서, 표면 피막층의 층 구성으로서 아래쪽 표면 피막층이 Pd로 위쪽 표면 피복층이 Au의 2층, 또는 아래쪽 표면 피막층이 Rh로 위쪽 표면 피복층이 Au의 2층인 것이 한층 더 바람직하다. 이들 표면 피복의 막두께는 너무 두꺼우면 조화 피막(3)의 표면 요철을 묻어 상술한 본 발명의 효과를 충분히 발휘할 수 없게 될 우려가 있는 것 외에, 표면 피막이 주로 귀금속 재료로 구성된다는 점에서 코스트의 상승을 부를 가능성이 있다. 이 때문에, 각 표면 피복층의 막두께는 적층된 표면 피복층의 총 막두께(표면 피막의 막두께)로서 1μm 이하인 것이 바람직하고, 0.03 이하인 것이 보다 바람직하다.As various alloys constituting the surface coating layer, for example, a palladium-silver alloy as a palladium alloy, a rhodium-palladium alloy as a rhodium alloy, a ruthenium-iridium alloy as a ruthenium alloy, a platinum-gold alloy as a platinum alloy, and a platinum-iridium alloy as an iridium alloy Examples of alloys and gold alloys include gold-silver alloys and silver alloys such as silver-tin alloys. Although one type of surface film may be sufficient, two or more layers are preferable. As a typical layer structure in the case where the surface coating layer constituting the surface coating is two or more layers, Pd/Au, Rh/Au, Pd/Ag/Au, Pd/Rh/Au, Ru in the order of lamination from the rough coating (3) side. /Pd/Au etc. are mentioned. Thus, by forming a surface film layer on the roughened film, while heat resistance is improved with respect to heat generation of the lead frame, the strength of the projections of the roughened particles forming the roughened layer of the roughened film is improved, and breakage of the projections is prevented. More anchor effect can be exerted. Further, from the viewpoint of improving the adhesion to the surface coating, it is more preferable that the surface coating layer is two layers of Pd/Au or two layers of Rh/Au to the two layers of copper and nickel in the roughened layer, and the layer configuration of the roughened layer is The lower roughened layer is copper, and the upper roughened layer is nickel. The layer composition of the surface coating layer is that the lower surface coating layer is Pd and the upper surface coating layer is two layers of Au, or the lower surface coating layer is Rh and the upper surface coating layer is Au. It is more preferable that it is the second layer of. If the film thickness of these surface coatings is too thick, there is a possibility that the surface irregularities of the roughened
(리드 프레임재의 제조 방법에 대해)(About manufacturing method of lead frame material)
이어서, 본 발명의 리드 프레임재(10)의 제조 방법을 이하에서 설명한다. 도전성 기체(1)를 준비하고, 이 도전성 기체(1)에 대해 음극 전해 탈지 공정 및 산세 공정을 한다. 이어서, 필요에 따라 전기 도금에 의해 중간층을 형성한 후에, 전기 도금에 의해 적어도 1층의 조화층(2)을 포함하는 조화 피막(3)을 형성하고, 그 후 다시 필요에 따라 전기 도금에 의해 적어도 1층의 표면 피복층을 포함하는 표면 피막을 형성함으로써 리드 프레임재(10)를 제조할 수 있다. 구체적인 제조 조건의 대표예로서, 표 1에 음극 전해 탈지 조건, 표 2에 산세 조건, 표 3에 각종 중간층의 형성 조건, 표 4에 각종 조화층(2)의 형성 조건, 그리고, 표 5에 각종 표면 피복층의 형성 조건을 각각 나타낸다. 상술한 리드 프레임재(10)의 제조 방법에서는 중간층, 조화층(2) 및 표면 피복층을, 모두 전기 도금으로 제조한 경우를 예시했다. 조화층(2)은 전류 밀도, 교반, 온도, 처리 시간 등에 의해 비교적 용이하게 돌기물의 형상을 제어할 수 있으면서 간편하다는 점에서 전기 도금법으로 형성하는 것이 바람직하고, 게다가 중간층이나 표면 피복층에 대해서도 전기 도금법과 같은 습식 도금법에 따라 형성하는 것이 생산성의 관점에서 바람직하지만, 건식 도금법이나 다른 제조 방법으로 제조해도 좋고, 특별히 한정은 하지 않는다.Next, the manufacturing method of the
실시예Example
이하, 본 발명을 실시예에 근거해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다. 미리 시험편 사이즈 40mm×40mm로 절단한 판두께 0.2mm의 표 6에 나타낸 각종 도전성 기체를 준비하고, 전술한 표 1에 나타낸 조건으로 음극 전해 탈지를 실시했다. 이어서 표 2에 나타낸 조건으로 도전성 기체의 산세를 실시한 후에, 표 6에 나타낸 층 구성으로 적어도 1층의 조화층을 도전성 기체의 표면에 형성해 리드 프레임재의 시험편을 얻었다. 또한, 조화층의 형성은 비표면적뿐만 아니라 단면에 있어서의 조화층의 돌기물에 있어서의 최대폭의 최소폭에 대한 비율도 제어했다. 실시예 1~30 중, 실시예 11~13에 대해서는 조화 피막이 아래쪽 조화층에 추가로 위쪽 조화층을 형성해 2층의 조화층으로 구성되어 있으며, 또한, 실시예 22~24에 대해서는 도전성 기체와 조화 피막 사이에 중간층이 한층 더 형성되어 있으며, 그리고, 실시예 29 및 30에 대해서는 조화 피막이 아래쪽 조화층에에 추가로 위쪽 조화층을 형성해 2층의 조화층으로 구성됨과 동시에, 아래쪽 표면 피복층과 위쪽 표면 피복층의 2층을 포함하는 표면 피막이 한층 더 형성된다. 참고를 위해, 비교예 1로서, 조화층의 비표면적이 550%으로 매우 크기는 하지만, 조화층을 형성하는 돌기물의 최대폭의 최소폭에 대한 비율을 제어하지 않고 본 발명의 범위 외(5.2배)인 리드 프레임재의 시험편을 제작했다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited thereto. Various conductive substrates shown in Table 6 having a plate thickness of 0.2 mm cut in advance to a test piece size of 40 mm × 40 mm were prepared, and cathodic electrolytic degreasing was performed under the conditions shown in Table 1 above. Subsequently, after pickling the conductive substrate under the conditions shown in Table 2, at least one roughened layer was formed on the surface of the conductive substrate in the layer configuration shown in Table 6 to obtain a lead frame material test piece. In the formation of the roughened layer, not only the specific surface area but also the ratio of the maximum width to the minimum width of the protrusions of the roughened layer in the cross section was controlled. Among Examples 1 to 30, in Examples 11 to 13, the roughened film is composed of two roughened layers by forming an upper roughened layer in addition to the lower roughened layer, and in Examples 22 to 24, the conductive substrate and the roughened layer are formed. An intermediate layer is further formed between the coatings, and in Examples 29 and 30, the roughened coating forms an upper roughened layer in addition to the lower roughened layer, and is composed of two roughened layers, a lower surface coating layer and an upper surface. A surface film comprising two layers of coating layers is further formed. For reference, as Comparative Example 1, although the specific surface area of the roughened layer is very large at 550%, the ratio of the maximum width to the minimum width of the projections forming the roughened layer is not controlled and outside the scope of the present invention (5.2 times) A test piece of the phosphorus lead frame material was produced.
상기 각 시험편에 있어서, 수지 몰드를 코타키세이키사제 트랜스퍼 몰드 시험 장치(제품명: Model FTS)에서, 금형 온도 130℃몰드 후 유지 시간 90초, 주입 압력 6.865MPa의 조건 하에서 주입 성형하고, 접촉 면적 10mm2의 퓨린 유사 시험편(purine-like test piece)을 형성했다. 그 각 시험편을 고온 고습 시험(85℃, 85%RH로, 168시간 유지)에 투입하고, 그 시험편에 대해서 수지 밀착성 및 가루 떨어짐성에 대해 이하에 나타낸 조건으로 평가했다. 그들 평가 결과를 표 7에 나타낸다.In each of the above test pieces, the resin mold was injection-molded using a transfer mold tester (product name: Model FTS) manufactured by Kotaki Seiki Co., Ltd. under the conditions of a mold temperature of 130 ° C., a holding time of 90 seconds after molding, and an injection pressure of 6.865 MPa, and a contact area of 10 mm. A purine-like test piece of 2 was formed. Each test piece was subjected to a high-temperature, high-humidity test (at 85° C., 85% RH, maintained for 168 hours), and the test piece was evaluated for resin adhesion and powder fall-off under the conditions shown below. Table 7 shows those evaluation results.
(수지 밀착성 평가)(Evaluation of resin adhesion)
평가 수지: G630L, 스미토모베이클라이트사제(상품명)Evaluation resin: G630L, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd. (trade name)
평가 조건:장치:4000Plus, 노드슨·어드밴스드·테크놀로지사제(상품명),Evaluation conditions: Apparatus: 4000Plus, manufactured by Nordson Advanced Technology (trade name),
로드 셀: 50kg Load cell: 50kg
측정 레인지: 10kg Measuring range: 10kg
테스트 스피드: 100μm/s Test speed: 100μm/s
테스트 높이: 10μm Test height: 10 μm
수지 밀착성의 평가 결과를 표 7에 나타낸다. 또한, 표 7에 나타낸 수지 밀착성의 평가는 전단 강도(박리 강도)가 평균적으로 9.8MPa 이상인 경우를 수지 밀착성이 우수하다고 하여 「A」라고 하고, 전단 강도(박리 강도)가 평균적으로 4.9MPa 이상 9.8MPa 미만인 경우를 수지 밀착성이 양호하다고 하여 「B」라고 하고, 그리고 전단 강도(박리 강도)가 평균적으로 4.9MPa 미만인 경우를 수지 밀착성이 떨어진다고 하여 「C」로 하여 나타냈다. 수지 밀착성은, 「초기의 전단 강도」와 「고온 고습 시험 후의 전단 강도」 모두를 측정함으로써 각각 평가했다. 「고온 고습 시험 후의 전단 강도」는, 각 시험편을 수지 몰드한 후에 온도 85℃, 습도 85%의 환경에서 168시간 방치한 후의 값이다. 또한, 「초기의 전단 강도」란, 각 시험편을 수지 몰드한 직후(고온 고습 시험 전)의 전단 강도이다.Table 7 shows the evaluation results of resin adhesion. In addition, in the evaluation of resin adhesion shown in Table 7, the case where the shear strength (peel strength) was 9.8 MPa or more on average was considered excellent in resin adhesion and was rated as "A", and the shear strength (peel strength) was 4.9 MPa or more 9.8 on average. A case of less than MPa was designated as "B" as having good resin adhesion, and a case of an average shear strength (peel strength) of less than 4.9 MPa was designated as "C" as poor in resin adhesion. Resin adhesion was evaluated by measuring both "initial shear strength" and "shear strength after high-temperature, high-humidity test", respectively. "Shear strength after high-temperature, high-humidity test" is a value after resin molding of each test piece, and then leaving it to stand for 168 hours in an environment of a temperature of 85°C and a humidity of 85%. In addition, "initial shear strength" is the shear strength immediately after resin-molding each test piece (before a high-temperature, high-humidity test).
(가루 떨어짐성 평가)(Evaluation of powder dropability)
가루 떨어짐성은 눈으로 감응 평가했다. 그 평가 결과를 표 7에 나타낸다. 또한, 표 7에 나타낸 가루 떨어짐성은, 표면으로부터의 가루 떨어짐을 인정할 수 없는 경우를 「A(우수)」라고 하고, 가루 떨어짐이 조금 발생한 경우를 「B(양호)」라고 하고, 그리고 가루 떨어짐이 매우 많이 발생한 경우를 「C(불가)」로 하여 나타내며, 「A」 및 「B」는 실용에 이용하는 레벨이다.The powder fall-off property was sensitized and evaluated visually. The evaluation results are shown in Table 7. In addition, for the powder fall-off properties shown in Table 7, the case where powder fall-off from the surface could not be recognized was rated as "A (excellent)", the case where powder fall-off occurred a little was rated as "B (good)", and the powder fall-off was The case where it occurs very often is indicated as "C (impossible)", and "A" and "B" are levels used for practical use.
표 7의 평가 결과로부터 실시예 1~30은 모두 초기의 전단 강도 및 고온 고습 시험 후의 전단 강도가 「A」 또는 「B」이고, 양호한 수지 밀착성을 유지하고 있으며, 또한 가루 떨어짐성도 「A」 또는 「B」로 실용에 이용하는 레벨이었다. 이에 대해 조화층의 비표면적이 550%으로 매우 크기는 하지만, 조화층을 형성하는 돌기물의 최대폭의 최소폭에 대한 비율을 제어하지 않고, 본 발명의 범위 외(5.2배)인 비교예 1은, 초기의 전단 강도에 대해서는 「A」로 수지 밀착성이 우수하지만, 고온 고습 시험 후의 전단 강도가 「C」가 되어 수지 밀착성이 크게 열화하고, 게다가 가루 떨어짐성도 「C」로 떨어져 실용에 이용하는 레벨은 아니었다.From the evaluation results in Table 7, Examples 1 to 30 all had "A" or "B" in shear strength at the initial stage and shear strength after high-temperature, high-humidity testing, maintaining good resin adhesion, and also exhibiting "A" or "B" powder fall-off properties. It was a level used for practical use as "B". On the other hand, although the specific surface area of the roughened layer is very large at 550%, the ratio of the maximum width to the minimum width of the projections forming the roughened layer is not controlled, and Comparative Example 1, which is outside the scope of the present invention (5.2 times), Regarding the initial shear strength, resin adhesion was excellent at "A", but the shear strength after the high temperature and high humidity test became "C", and the resin adhesion greatly deteriorated, and the powder fall-off property also fell to "C", which was not a level used for practical use. .
본 발명의 리드 프레임재는 고온 고습의 내구성 시험, 예를 들면 온도 85℃, 습도 85%의 환경에서 168시간 방치하는 가혹한 조건 하에서 고온 고습 시험을 한 경우에도, 리드 프레임에 대한 양호한 수지 밀착성을 거의 열화시키지 않고 유지할 수 있어, 이 리드 프레임재를 이용해 구성한 반도체 패키지는 고 신뢰성을 실현할 수 있다.Even when the lead frame material of the present invention is subjected to a high-temperature, high-humidity durability test, for example, a high-temperature, high-humidity test under severe conditions in which it is left in an environment of a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% for 168 hours, good resin adhesion to the lead frame is almost deteriorated. Since it can be maintained without causing it, the semiconductor package constructed using this lead frame material can realize high reliability.
1: 도전성 기체(conductive substrate)
2: 조화층(roughened layer)
2-1: 제1 조화층(기재측으로부터 1층째의 조화층)
2-2: 제2 조화층(기재측으로부터 2층째의 조화층)
3, 3-1: 조화 피막(roughended film)
4, 4-1: 돌기물(projection)
10, 10A: 리드 프레임재
A: 조화 피막의 최표면의 단면 선분 길이
B: 도전성 기체의 표면의 단면 선분 길이1: conductive substrate
2: roughened layer
2-1: 1st roughened layer (1st roughened layer from the base material side)
2-2: 2nd roughened layer (2nd roughened layer from the base material side)
3, 3-1: roughened film
4, 4-1: projection
10, 10A: lead frame material
A: length of the cross-sectional line of the outermost surface of the roughened film
B: Length of cross-sectional line segment of the surface of the conductive substrate
Claims (7)
상기 도전성 기체(conductive substrate) 중 적어도 한쪽 면 상에, 직접 또는 중간층을 통해 복수의 조화 입자의 돌기물로 형성된 적어도 1층의 조화층(roughened layer)을 포함하는 조화 피막(roughended film)을 구비하고,
상기 조화층은 동 또는 니켈의 금속으로 구성되고,
상기 돌기물은, 상기 조화 피막의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭이, 상기 최대폭의 측정 위치보다 상기 도전성 기체 측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭에 비해 1~5배가 되는 형상을 가지며,
상기 조화 피막의 표면 중 적어도 일부 상에, 적어도 1층의 표면 피복층을 포함하는 표면 피막을 더욱 구비하고, 상기 표면 피복층이, 팔라듐, 팔라듐 합금, 로듐, 로듐 합금, 루테늄, 루테늄 합금, 백금, 백금 합금, 이리듐, 이리듐 합금, 금, 금 합금, 은 및 은 합금의 군으로부터 선택되는 금속 또는 합금을 포함하는, 리드 프레임재.
A conductive substrate having a tensile strength of 350 to 800 N/mm 2 , a conductivity of 30 to 90% IACS, a thickness of 0.1 to 2 mm, and being a copper alloy;
On at least one surface of the conductive substrate, a roughened film including at least one roughened layer formed of projections of a plurality of roughened particles directly or through an intermediate layer is provided, ,
The roughened layer is composed of a metal of copper or nickel,
The protrusion has a shape in which the maximum width when measured in the cross section of the roughened film in the thickness direction is 1 to 5 times greater than the minimum width when measured at a lower portion located on the conductive substrate side from the measurement position of the maximum width. has,
A surface coating comprising at least one surface coating layer is further provided on at least a part of the surface of the roughened coating, and the surface coating layer comprises palladium, palladium alloy, rhodium, rhodium alloy, ruthenium, ruthenium alloy, platinum, and platinum. A lead frame material comprising a metal or alloy selected from the group of alloys, iridium, iridium alloys, gold, gold alloys, silver and silver alloys.
The lead frame material according to claim 1, wherein the intermediate layer is nickel, a nickel alloy, cobalt, a cobalt alloy, copper or a copper alloy.
상기 조화층은 동 또는 니켈의 금속으로 구성되고,
상기 돌기물은, 상기 조화 피막의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭이, 상기 최대폭의 측정 위치보다 상기 도전성 기체 측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭에 비해 1~5배가 되는 형상을 가지며,
상기 조화 피막의 표면 중 적어도 일부 상에, 적어도 1층의 표면 피복층을 포함하는 표면 피막을 더욱 구비하고, 상기 표면 피복층이, 팔라듐, 팔라듐 합금, 로듐, 로듐 합금, 루테늄, 루테늄 합금, 백금, 백금 합금, 이리듐, 이리듐 합금, 금, 금 합금, 은 및 은 합금의 군으로부터 선택되는 금속 또는 합금을 포함하는, 리드 프레임재의 제조 방법.
Tensile strength of 350 to 800 N/mm 2 , conductivity of 30 to 90% IACS, thickness of 0.1 to 2 mm, and a plurality of layers by electroplating, directly or through an intermediate layer, on at least one side of a conductive base material of a copper alloy. A step of forming a roughened film comprising at least one roughened layer formed of projections of roughened particles of
The roughened layer is composed of a metal of copper or nickel,
The protrusion has a shape in which the maximum width when measured in the cross section of the roughened film in the thickness direction is 1 to 5 times greater than the minimum width when measured at a lower portion located on the conductive substrate side from the measurement position of the maximum width. has,
A surface coating comprising at least one surface coating layer is further provided on at least a part of the surface of the roughened coating, and the surface coating layer comprises palladium, palladium alloy, rhodium, rhodium alloy, ruthenium, ruthenium alloy, platinum, and platinum. A method for producing a lead frame material comprising a metal or alloy selected from the group of alloys, iridium, iridium alloys, gold, gold alloys, silver and silver alloys.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016253968 | 2016-12-27 | ||
JPJP-P-2016-253968 | 2016-12-27 | ||
PCT/JP2017/045451 WO2018123708A1 (en) | 2016-12-27 | 2017-12-19 | Lead frame member and method for manufacturing same, and semiconductor package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190096964A KR20190096964A (en) | 2019-08-20 |
KR102482396B1 true KR102482396B1 (en) | 2022-12-28 |
Family
ID=62707235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020197013787A KR102482396B1 (en) | 2016-12-27 | 2017-12-19 | Lead frame material and its manufacturing method and semiconductor package |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6479265B2 (en) |
KR (1) | KR102482396B1 (en) |
CN (1) | CN109937479B (en) |
TW (1) | TWI762546B (en) |
WO (1) | WO2018123708A1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6805217B2 (en) * | 2018-10-18 | 2020-12-23 | Jx金属株式会社 | Conductive materials, molded products and electronic components |
JP7014695B2 (en) * | 2018-10-18 | 2022-02-01 | Jx金属株式会社 | Conductive materials, molded products and electronic components |
WO2023286697A1 (en) * | 2021-07-16 | 2023-01-19 | 古河電気工業株式会社 | Lead frame material and method for producing same, and semiconductor package |
KR20240033205A (en) * | 2021-07-16 | 2024-03-12 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | Lead frame material and its manufacturing method and semiconductor package |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011077519A (en) * | 2009-10-01 | 2011-04-14 | Samsung Techwin Co Ltd | Lead frame, and method of manufacturing the same |
JP2013182978A (en) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Renesas Electronics Corp | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
JP2013199082A (en) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Copper foil with carrier, method of manufacturing the same, copper foil with carrier for printed wiring board, and printed wiring board |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2543619B2 (en) | 1990-09-05 | 1996-10-16 | 新光電気工業株式会社 | Lead frame for semiconductor device |
JP3228789B2 (en) | 1992-07-11 | 2001-11-12 | 新光電気工業株式会社 | Method for manufacturing insert member for resin |
JP2732490B2 (en) * | 1994-03-25 | 1998-03-30 | 日鉱金属株式会社 | Manufacturing method of high strength and high conductivity copper alloy for electronic equipment |
US5554569A (en) * | 1994-06-06 | 1996-09-10 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for improving interfacial adhesion between a polymer and a metal |
JP4168077B2 (en) * | 2006-07-21 | 2008-10-22 | 株式会社神戸製鋼所 | Copper alloy sheet for electrical and electronic parts with excellent oxide film adhesion |
KR101241735B1 (en) * | 2008-09-05 | 2013-03-08 | 엘지이노텍 주식회사 | Lead frame and method for manufacturing the same |
JP4892033B2 (en) * | 2009-05-13 | 2012-03-07 | 日立ケーブルプレシジョン株式会社 | Lead frame manufacturing method |
TWI557750B (en) * | 2014-02-05 | 2016-11-11 | Furukawa Electric Co Ltd | Electrical contact material and manufacturing method thereof |
JP5766318B2 (en) * | 2014-02-17 | 2015-08-19 | 株式会社三井ハイテック | Lead frame |
-
2017
- 2017-12-19 JP JP2018518662A patent/JP6479265B2/en active Active
- 2017-12-19 WO PCT/JP2017/045451 patent/WO2018123708A1/en active Application Filing
- 2017-12-19 CN CN201780068101.4A patent/CN109937479B/en active Active
- 2017-12-19 KR KR1020197013787A patent/KR102482396B1/en active IP Right Grant
- 2017-12-25 TW TW106145512A patent/TWI762546B/en active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011077519A (en) * | 2009-10-01 | 2011-04-14 | Samsung Techwin Co Ltd | Lead frame, and method of manufacturing the same |
JP2013182978A (en) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Renesas Electronics Corp | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
JP2013199082A (en) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Copper foil with carrier, method of manufacturing the same, copper foil with carrier for printed wiring board, and printed wiring board |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109937479B (en) | 2023-01-13 |
TWI762546B (en) | 2022-05-01 |
JP6479265B2 (en) | 2019-03-06 |
KR20190096964A (en) | 2019-08-20 |
JPWO2018123708A1 (en) | 2018-12-27 |
TW201830627A (en) | 2018-08-16 |
WO2018123708A1 (en) | 2018-07-05 |
CN109937479A (en) | 2019-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102482396B1 (en) | Lead frame material and its manufacturing method and semiconductor package | |
CN108026657B (en) | Lead frame material and method for producing same | |
KR102471172B1 (en) | Surface treatment material, its manufacturing method, and parts formed using the surface treatment material | |
JP6615350B2 (en) | Surface treatment material and parts produced using the same | |
WO2013088752A1 (en) | Composition for production of contact, contact using same and process for production of contact | |
WO2017179447A1 (en) | Lead frame material and method for producing same | |
KR20200086310A (en) | Precious metal-coated silver wire for ball bonding and manufacturing method thereof, and semiconductor device using precious metal-coated silver wire for ball bonding and manufacturing method thereof | |
WO2018124115A1 (en) | Surface treatment material and article fabricated using same | |
TWI557750B (en) | Electrical contact material and manufacturing method thereof | |
JP2019207905A (en) | Lead frame material, manufacturing method of the same, and semiconductor package | |
JPS61201762A (en) | Manufacture of bar material for electronic equipment part | |
JP6623108B2 (en) | Lead frame material and manufacturing method thereof | |
JP7366480B1 (en) | Lead frame material and its manufacturing method, and semiconductor package using lead frame material | |
JP6827150B1 (en) | Lead frame material and its manufacturing method, lead frame and electrical and electronic parts | |
KR102497060B1 (en) | Conductive materials, molded articles and electronic components | |
JPWO2019181924A1 (en) | Lead frame material, manufacturing method thereof, and semiconductor package using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |