KR20190096964A - Lead frame material, manufacturing method thereof and semiconductor package - Google Patents

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타츠야 나카츠가와
요시아키 코바야시
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후루카와 덴끼고교 가부시키가이샤
후루카와 세이미쓰 긴조쿠 고교 가부시키가이샤
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Abstract

도전성 기체(1)와, 상기 도전성 기체(1)가 적어도 한쪽 면 상에, 직접 또는 중간층을 통해 복수의 조화 입자의 돌기물(4)로 형성된 적어도 1층의 조화층(2)을 포함하는 조화 피막(3)을 구비하고, 상기 돌기물(4)은, 상기 조화 피막(3)의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭이, 상기 최대폭의 측정 위치보다 상기 도전성 기체(1)측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭에 비해 1~5배가 되는 형상을 가지는 리드 프레임재(10).Harmonic including a conductive base 1 and at least one roughened layer 2 formed of a plurality of roughened particles projections 4 on at least one surface, directly or through an intermediate layer. The film 3 is provided, and the said projection 4 has the largest width when measured by the thickness direction cross section of the said roughening film 3 located in the said conductive base 1 side rather than the measurement position of the said largest width. The lead frame member 10 which has a shape which becomes 1 to 5 times compared with the minimum width when measured by the lower part.

Description

리드 프레임재 및 이의 제조 방법 및 반도체 패키지Lead frame material, manufacturing method thereof and semiconductor package

본 발명은, 반도체 소자와 표면 처리층을 가지는 리드 프레임을 서로 전기적으로 접속하고, 이들을 몰드 수지로 봉지해서 이루어지는 수지 봉지형 반도체 장치에 이용하는데 바람직한 리드 프레임재 및 이의 제조 방법 및 반도체 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a lead frame member suitable for use in a resin encapsulated semiconductor device formed by electrically connecting a semiconductor element and a lead frame having a surface treatment layer to each other and encapsulating them with a mold resin, and a manufacturing method thereof and a semiconductor package thereof. .

이 종류의 수지 봉지형 반도체 장치는, 와이어 등에 의해 서로 전기적으로 접속된 반도체 소자와 리드 프레임을 몰드 수지로 봉지한 구조를 가진다. 이러한 수지 봉지형 반도체 장치는, 리드 프레임에 외장 도금과 같은 표면 처리를 하고, 예를 들면 Sn-Pb합금 또는 Sn-Bi합금 등의 Sn합금으로 표면 피막을 형성해 제조하는 것이 일반적이다.This type of resin-encapsulated semiconductor device has a structure in which a semiconductor device and a lead frame electrically connected to each other by a wire or the like are sealed with a mold resin. Such a resin-encapsulated semiconductor device is generally manufactured by surface treatment such as exterior plating on a lead frame, and forming a surface film with a Sn alloy such as a Sn-Pb alloy or a Sn-Bi alloy.

따라서, 최근에는 조립 공정의 간략화 및 코스트 다운을 위해, 미리 리드 프레임의 표면에 프린트 기판에의 땜납 등에 의한 실장에 있어서, 땜납과의 젖음성을 높이는 사양의 도금(예를 들면Ni/Pd/Au)을 하는 리드 프레임(Pre-Plated Frame)이 채용되기 시작하고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).Therefore, in recent years, in order to simplify the assembly process and reduce the cost, plating of a specification that improves the wettability with the solder in mounting by soldering on the printed board or the like on the surface of the lead frame in advance (for example, Ni / Pd / Au) The lead frame (Pre-Plated Frame) which does the following has be employ | adopted (for example, refer patent document 1).

또한, 한편 수지 봉지형 반도체 장치에 있어서의 리드 프레임과 몰드 수지의 밀착성을 높이기 위해 리드 프레임의 도금 표면을 조화(粗化)하는 기술이 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).On the other hand, in order to improve the adhesiveness of the lead frame and mold resin in a resin-sealed semiconductor device, the technique of roughening the plating surface of a lead frame is proposed (for example, refer patent document 2).

도금 표면을 조화하는 기술은, 리드 프레임에 조화 도금하여 표면을 조화함으로써, (1) 몰드 수지가 조화된 도금 피막의 요철에 들어가 강고한 기계적 접합을 형성하는 효과(앵커 효과), (2) 몰드 수지와 도금 표면의 접촉 면적이 향상됨에 따른 화학적 접합의 향상 등을 기대하는 것이다.The technique of roughening a plating surface is roughening plating to a lead frame and roughening the surface, so that (1) mold resin enters the unevenness of the roughened plating film and forms a strong mechanical joint (anchor effect), (2) mold It is expected to improve the chemical bonding as the contact area between the resin and the plating surface is improved.

리드 프레임의 표면을 조화함으로써, 리드 프레임에 대한 몰드 수지의 밀착성이 향상되고, 리드 프레임과 몰드 수지 사이의 박리가 억제되는 결과, 수지 봉지형 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.By harmonizing the surface of the lead frame, the adhesion of the mold resin to the lead frame is improved, and peeling between the lead frame and the mold resin is suppressed, and as a result, the reliability of the resin-encapsulated semiconductor device can be improved.

특허문헌 1: 특개평 4-115558호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-115558 특허문헌 2: 특개평 6-029439호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-029439

리드 프레임의 표면을 조화함으로써, 확실히 종래의 수지 봉지형 반도체 장치에 비하면, 리드 프레임에 대한 몰드 수지의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 그렇지만, 최근 신뢰성에 대한 요구 레벨이 이전에 비해 보다 한층 엄격해지고 있으며, 고온 고습의 내구성 시험, 예를 들면 온도 85℃, 습도 85%의 환경에서 168시간 방치하는 가혹한 조건 하에서 고온 고습 시험을 한 경우에도, 신뢰성의 합격 기준을 통과할 필요가 있다. 한편, 특허문헌 1과 같이 리드 프레임의 표면을 단지 조화했을 뿐인 종래의 구성은, 수지와 리드 프레임 사이에 간극이 생겨 신뢰성의 합격 기준을 통과하지 못하는 경우가 있었다. 이것은 수지 봉지형 반도체 장치로서 최근에는 QFN(Quad Flat Non-Leaded Package) 타입 및 SOP(Small Outline Package) 타입 등의 패키지가 많이 이용됨에 따라 리드 프레임에 대한 수지의 밀착성에 대한 요구 레벨이 보다 한층 높아졌기 때문이라고 생각할 수 있다. 이와 같이 수지 봉지형 반도체 장치에서는, 리드 프레임에 대한 수지의 밀착성에 관해서는 상술한 바와 같은 가혹한 조건 하에서도 양호한 밀착성을 유지하는 것이 요구되어 온 점에서 더욱 개선할 필요가 있었다.By harmonizing the surface of a lead frame, the adhesiveness of the mold resin with respect to a lead frame can be improved reliably compared with the conventional resin encapsulated semiconductor device. However, in recent years, the level of demand for reliability has become more stringent than before, and the durability test of high temperature and high humidity, for example, when the high temperature and high humidity test is conducted under severe conditions of 168 hours in an environment of 85 ° C and 85% humidity In addition, it is necessary to pass the acceptance criteria of reliability. On the other hand, the conventional structure which just harmonized the surface of a lead frame like patent document 1 may have a clearance gap between resin and a lead frame, and may not pass the acceptance criterion of reliability. This is a resin-encapsulated semiconductor device, and as the package of QFN (Quad Flat Non-Leaded Package) type and Small Outline Package (SOP) type is used in recent years, the level of demand for adhesion of resin to lead frame has been increased. I can think of it. As described above, in the resin-encapsulated semiconductor device, the adhesiveness of the resin to the lead frame has been required to be further improved in that it is required to maintain good adhesiveness even under the severe conditions as described above.

본 발명은 특히 상술한 가혹한 조건 하에서 고온 고습 시험을 한 경우에도 양호한 수지 밀착성을 유지할 수 있는 리드 프레임 표면을 형성하는데 바람직한 리드 프레임재 및 이의 제조 방법 및 고신뢰성을 갖는 반도체 패키지를 제공하는 것을 과제로 한다.An object of the present invention is to provide a lead frame member, a method for producing the same, and a semiconductor package having high reliability, which are suitable for forming a lead frame surface capable of maintaining good resin adhesion even when subjected to high temperature and high humidity test under particularly severe conditions described above. do.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 검토하여, 도전성 기체 상에 형성되는 조화 피막의 조화층을 구성하는 조화 입자의 돌기물의 단면 형상이 수지 밀착성에 크게 영향을 준다고 생각하여, 리드 프레임재의 표면에 형성한 돌기물에 기인한 요철 표면(특히 오목부)에 수지가 충전 형성됨으로써 생기는, 이른바 앵커 효과에 기인해 생기는 양호한 밀착성이, 상기 가혹한 조건 하에서 고온 고습 시험을 한 경우에도 유지할 수 있는지에 대해 조사했다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors examined in order to solve the said subject, and think that the cross-sectional shape of the protrusion of the roughening particle which comprises the roughening layer of the roughening film formed on a conductive base greatly affects resin adhesiveness, and forms it on the surface of a lead frame material. It was examined whether the good adhesiveness caused by the so-called anchor effect caused by the filling of resin on the uneven surface (especially the recessed portion) caused by a projection can be maintained even when the high temperature and high humidity test was performed under the above-mentioned harsh conditions. .

그리고, 본 발명자들은, 도전성 기체 상에 형성된 조화 피막의 조화층을 형성하는 돌기물을, 조화 피막의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭이, 최대폭의 측정 위치보다 도전성 기체 측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭에 비해 1~5배가 되는 형상을 가지도록 제어함으로써, 특히 조화 입자의 돌기물의 최소폭의 개소에 있어서, 수지의 팽창이나 수축 등에 의해 응력이 집중함으로써 생기기 쉬운 수지의 전단에 의한 박리 현상을 유효하게 억제할 수 있다는 지견을 얻었다. 그 결과, 앵커 효과에 기인한 양호한 밀착성을 조화층에 의해 극대화할 수 있고, 게다가 조화층을 형성하는 돌기물을 상기 형상으로 제어함으로써, 종래에는 견딜 수 없었던 고온 고습의 내구성 시험, 예를 들면 온도 85℃, 습도 85%의 환경에서 168시간 방치하는 가혹한 조건 하에서 고온 고습 시험을 한 경우에도, 리드 프레임에 대한 양호한 수지 밀착성을 유지할 수 있는 것을 발견했다.And the inventors of the present invention, the lower portion where the maximum width when the projection forming the roughening layer of the roughening film formed on the conductive base in the thickness direction cross section of the roughening film is located on the conductive base side than the measurement position of the maximum width Shearing of the resin which is likely to occur due to concentration of stress due to expansion or contraction of the resin, particularly at the location of the minimum width of the protrusion of the roughened particles, by controlling to have a shape that is 1 to 5 times the minimum width measured at The knowledge that the peeling phenomenon by can be suppressed effectively was acquired. As a result, good adhesion due to the anchor effect can be maximized by the roughening layer, and furthermore, by controlling the projections forming the roughening layer in the above-described shape, a durability test of high temperature and high humidity, for example, which has not been tolerated conventionally, for example, temperature It was found that even when the high temperature and high humidity test was carried out under the harsh conditions of standing at 168 hours in an environment of 85 ° C. and 85% humidity, good resin adhesion to the lead frame could be maintained.

즉, 본 발명의 요지 구성은 이하와 같다.That is, the summary structure of this invention is as follows.

(1) 도전성 기체와, 상기 도전성 기체 중 적어도 한쪽 면 상에, 직접 또는 중간층을 통해 복수의 조화 입자의 돌기물로 형성된 적어도 1층의 조화층을 포함하는 조화 피막을 구비하고,(1) A roughening film including a conductive base and at least one roughened layer formed of projections of a plurality of roughened particles on at least one surface of the conductive base directly or via an intermediate layer,

상기 돌기물은, 상기 조화 피막의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭이, 상기 최대폭의 측정 위치보다 상기 도전성 기체 측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭에 비해 1~5배가 되는 형상을 가지는 리드 프레임재.The projections are shaped such that the maximum width when measured in the thickness direction cross section of the roughened film is 1 to 5 times larger than the minimum width when measured at the lower portion located on the conductive base side than the measurement position of the maximum width. Lead frame member having.

(2) 상기 도전성 기체는, 동, 동 합금, 철, 철 합금, 알루미늄 또는 알루미늄 합금인, 상기 (1)에 기재된 리드 프레임재.(2) The lead frame material according to the above (1), wherein the conductive base is copper, copper alloy, iron, iron alloy, aluminum, or aluminum alloy.

(3) 상기 조화층은, 동, 동 합금, 니켈, 니켈 합금, 팔라듐, 팔라듐 합금, 은, 은 합금, 주석, 주석 합금, 아연, 아연 합금, 로듐, 로듐 합금, 루테늄, 루테늄 합금, 이리듐 및 이리듐 합금의 군으로부터 선택되는 금속 또는 합금을 포함하는, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 리드 프레임재.(3) The roughened layer may be copper, copper alloy, nickel, nickel alloy, palladium, palladium alloy, silver, silver alloy, tin, tin alloy, zinc, zinc alloy, rhodium, rhodium alloy, ruthenium, ruthenium alloy, iridium and The lead frame material as described in said (1) or (2) containing the metal or alloy selected from the group of an iridium alloy.

(4) 상기 조화 피막의 표면 중 적어도 일부 상에, 적어도 1층의 표면 피복층을 포함하는 표면 피막을 더욱 구비하고, 상기 표면 피복층이, 팔라듐, 팔라듐 합금, 로듐, 로듐 합금, 루테늄, 루테늄 합금, 백금, 백금 합금, 이리듐, 이리듐 합금, 금, 금 합금, 은 및 은 합금의 군으로부터 선택되는 금속 또는 합금을 포함하는, 상기 (1)~(3) 중 어느 하나에 기재된 리드 프레임재.(4) A surface coating including at least one surface coating layer is further provided on at least a part of the surface of the roughening coating, wherein the surface coating layer is a palladium, palladium alloy, rhodium, rhodium alloy, ruthenium, ruthenium alloy, The lead frame material in any one of said (1)-(3) containing the metal or alloy selected from the group of a platinum, a platinum alloy, an iridium, an iridium alloy, gold, a gold alloy, silver, and a silver alloy.

(5) 상기 중간층은, 니켈, 니켈 합금, 코발트, 코발트 합금, 동 또는 동 합금인, 상기 (4)에 기재된 리드 프레임재.(5) The lead frame material according to the above (4), wherein the intermediate layer is nickel, a nickel alloy, cobalt, a cobalt alloy, copper, or a copper alloy.

(6) 도전성 기체 중 적어도 한쪽 면 상에, 직접 또는 중간층을 통해, 전기 도금에 의해 복수의 조화 입자의 돌기물로 형성된 적어도 1층의 조화층을 포함하는 조화 피막을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 돌기물은, 상기 조화 피막의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭이, 상기 최대폭의 측정 위치보다 상기 도전성 기체 측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭에 비해 1~5배가 되는 형상을 가지는 리드 프레임재의 제조 방법.(6) forming a roughened film including at least one roughened layer formed of projections of a plurality of roughened particles by electroplating on at least one surface of the conductive base, directly or through an intermediate layer, The projections are shaped such that the maximum width when measured in the thickness direction cross section of the roughened film is 1 to 5 times larger than the minimum width when measured at the lower portion located on the conductive base side than the measurement position of the maximum width. Method for producing a lead frame member having a.

(7) 상기 (1)~(5) 중 어느 하나에 기재된 리드 프레임재를 가지는 반도체 패키지.(7) The semiconductor package which has the lead frame material in any one of said (1)-(5).

본 발명의 리드 프레임재는, 도전성 기체와, 상기 도전성 기체 중 적어도 한쪽 면 상에 직접 또는 중간층을 통해 복수의 조화 입자의 돌기물로 형성된 적어도 1층의 조화층을 포함하는 조화 피막을 구비하고, 상기 돌기물은, 상기 조화 피막의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭이, 상기 최대폭의 측정 위치보다 상기 도전성 기체 측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭에 비해 1~5배가 되는 형상을 가짐으로써, 고온 고습의 내구성 시험, 예를 들면 온도 85℃, 습도 85%의 환경에서 168시간 방치하는 가혹한 조건 하에서 고온 고습 시험을 한 경우에도, 리드 프레임에 대한 양호한 수지 밀착성을 거의 열화시키지 않고 유지할 수 있어, 이 리드 프레임재를 이용해 구성한 반도체 패키지는 고 신뢰성을 실현할 수 있다.The lead frame material of this invention is equipped with the roughening film which consists of a conductive base and at least 1st roughening layer formed from the protrusion of some roughening particle on the at least one surface of the said conductive base directly or via an intermediate | middle layer, The said The projection has a shape in which the maximum width when measured in the thickness direction cross section of the roughened film is 1 to 5 times larger than the minimum width when measured at the lower portion located on the conductive base side than the measurement position of the maximum width. By having a high temperature and high humidity durability test, for example, even if the high temperature and high humidity test is carried out under the harsh conditions of 168 hours in a temperature of 85 ° C. and an humidity of 85%, the good resin adhesion to the lead frame is maintained almost without deterioration. In this way, the semiconductor package constructed using this lead frame material can realize high reliability.

도 1은, 본 발명에 따른 대표적인 리드 프레임재의 개략 단면도이다.
도 2는, 조화층의 비표면적을 산출하는 방법을 설명하기 위한 도이다.
도 3은, 1층의 조화층을 구성하는 돌기물의 최대폭 Wmax과 최소폭 Wmin을 설명하기 위한 도이다.
도 4는, 본 발명에 따른 다른 리드 프레임재의 개략 단면도이다.
도 5는, 2층의 조화층을 구성하는 돌기물의 최대폭 Wmax과 최소폭 Wmin을 설명하기 위한 도이다.
1 is a schematic cross-sectional view of a representative lead frame member according to the present invention.
2 is a diagram for explaining a method of calculating the specific surface area of a roughened layer.
FIG. 3 is a diagram for explaining the maximum width Wmax and the minimum width Wmin of the protrusions constituting the roughened layer of one layer.
4 is a schematic cross-sectional view of another lead frame member according to the present invention.
FIG. 5 is a diagram for explaining the maximum width Wmax and the minimum width Wmin of the protrusions constituting the two-layer roughening layer. FIG.

이어서, 본 발명에 따른 리드 프레임재에 대해서 구체적인 실시 형태의 예를 들어 도면을 참조하면서 이하에서 설명한다. 도 1은 본 발명에 따른 대표적인 리드 프레임재의 개략 단면을 도시한 것으로, 도 1의 부호 1은 도전성 기체, 2는 조화층, 3은 조화 피막, 4는 돌기물, 그리고 10은 리드 프레임재이다. 본 발명의 리드 프레임재(10)는, 도전성 기체(1)와 적어도 1층의 조화층(2)을 포함하는 조화 피막(3)을 구비한다.Next, the lead frame material which concerns on this invention is demonstrated below, referring drawings for example of specific embodiment. Fig. 1 shows a schematic cross section of a representative lead frame member according to the present invention, in which 1 is a conductive base, 2 is a roughening layer, 3 is a rough coating, 4 is a projection, and 10 is a lead frame member. The lead frame material 10 of this invention is equipped with the roughening film 3 containing the electroconductive base 1 and the at least 1 roughening layer 2.

(도전성 기체)(Conductive gas)

도전성 기체(1)는, 도전성을 가지는 재료면 좋고, 예를 들면, 동, 동 합금, 철, 철 합금, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등을 들 수 있으며, 동 합금, 철 합금, 또는 알루미늄 합금이 바람직하다. 리드 프레임재에는, 반도체 소자와의 접합 시에 굽힘 가공 등의 변형에 견딜 수 있는 강도가 필요하여 도전율과 강도의 밸런스가 좋은 동 합금의 사용이 특히 바람직하다. 그 중에서도 동 합금으로서는, 예를 들면, CDA(Copper Development Association) 게재 합금인 「C14410(Cu-0.15Sn, 후루카와덴키고교사제, 상품명: EFTEC(등록상표)-3)」, 「C19400(Cu-Fe계 합금 재료, Cu-2.3Fe-0.03P-0.15Zn)」, 「C18045(Cu-0.3Cr-0.25Sn-0.2Zn, 후루카와덴키고교사제, 상품명: EFTEC(등록상표)-64T)」, 「C50710(Cu-2.0Sn-0.2Ni-0.05P), 후루카와덴키고교사제, 상품명: MF202」, 「C70250(Cu-3Ni-0.65Si-0.15Mg), 후루카와덴키고교사제, 상품명: EFTEC(등록상표)-7025」 등을 들 수 있다. 또한, 각 원소의 직전에 나타낸 숫자의 단위는 모두 「질량%」이다. 이들 동 합금과 같이 인장 강도가 350~800N/mm2, 바람직하게는 500~800N/mm2이며, 또한, 도전율이 30~90%IACS, 바람직하게는 50~80%IACS의 동 합금의 조재를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 「%IACS」는 만국 표준 연동(International Annealed Copper Standard)의 저항율 1.7241×10-8Ωm를 100%IACS로 한 경우의 도전율을 나타낸 것으로, 예를 들면 「50%IACS」의 도전율은 만국 표준 연동의 도전율의 50%인 것을 의미한다. 또한, 철 합금의 경우는, 예를 들면 42앨로이(Fe-42 질량%Ni)나 스테인리스강 등을 들 수 있다. 이러한 철 합금을 포함하는 도전성 기체(1)는, 도전율은 그다지 높지 않지만 도전율이 그만큼 요구되지 않으며, 전기신호의 전달을 목적으로 하는 리드 프레임재(10)에 적용할 수 있다. 게다가 알루미늄 합금의 경우는, 예를 들면 A5052 등의 Al-Mg계 합금을 들 수 있다. 수지 봉지형 반도체 장치는, 몰드 수지에 의해 내부에 열이 가득 차기 쉽기 때문에, 도전성 기체를 따라서 내부의 열을 방열하는 것이 중요해진다. 본 발명에서는 도전성 기체의 표면에 조화 피막을 형성함으로써, 조화 피막이 형성되지 않은 경우에 비해 방열 효과를 향상시킬 수 있음과 동시에, 0.05mm까지 도전성 기체의 박판화가 가능해졌다. 도전성 기체의 두께가 0.05mm보다 얇으면 충분한 방열을 달성할 수 없고, 또한, 도전성 기체의 두께가 2mm 이상이면 반도체 장치의 소형화를 달성할 수 없다. 이 때문에 도전성 기체(1)의 두께는 0.05~2mm가 바람직하고, 0.1~1mm가 보다 바람직하다.The conductive base 1 may be a material having conductivity, and examples thereof include copper, copper alloys, iron, iron alloys, aluminum or aluminum alloys, and copper alloys, iron alloys or aluminum alloys are preferable. . The lead frame member is required to have a strength that can withstand deformation, such as bending, at the time of joining with a semiconductor element, and the use of a copper alloy having a good balance of electrical conductivity and strength is particularly preferable. Above all, as the copper alloy, for example, "C14410 (Cu-0.15Sn, manufactured by Furukawa Denki Kogyo Co., Ltd., trade name: EFTEC (registered trademark) -3)", which is a CDA (Copper Development Association) publication alloy, and "C19400 (Cu-Fe). System alloy material, Cu-2.3Fe-0.03P-0.15Zn) "," C18045 (Cu-0.3Cr-0.25Sn-0.2Zn, the product made by Furukawa Denki Kogyo, a brand name: EFTEC (registered trademark) -64T) "," C50710 (Cu-2.0Sn-0.2Ni-0.05P), Furukawa Denki High School Co., Ltd., brand name: MF202, "C70250 (Cu-3Ni-0.65Si-0.15 Mg), Furukawa Denki High School Co., Ltd., brand name: EFTEC (registered trademark)- 7025 ”, etc. are mentioned. In addition, all the units of the number shown immediately before each element are "mass%." Like these copper alloys, a tensile strength of 350 to 800 N / mm 2 , preferably 500 to 800 N / mm 2 , and a material of copper alloy having a conductivity of 30 to 90% IACS, preferably 50 to 80% IACS is obtained. It is preferable to use. In addition, the said "% IACS" shows the conductivity when the resistivity of the International Annealed Copper Standard is 1.7241 x 10 -8 Ωm at 100% IACS. For example, the conductivity of "50% IACS" is universal. It means that it is 50% of the conductivity of the standard linkage. Moreover, in the case of an iron alloy, 42 alloys (Fe-42 mass% Ni), stainless steel, etc. are mentioned, for example. The electroconductive base 1 containing such an iron alloy is not so high in conductivity, but the conductivity is not so demanded, and can be applied to the lead frame member 10 for the purpose of transmitting electric signals. Furthermore, in the case of an aluminum alloy, Al-Mg type alloys, such as A5052, are mentioned, for example. Since the resin-sealed semiconductor device tends to be filled with heat by the mold resin, it is important to dissipate heat inside the conductive gas along the conductive base. In the present invention, by forming the roughened film on the surface of the conductive base, the heat dissipation effect can be improved as compared with the case where the roughened film is not formed, and the thickness of the conductive base can be reduced to 0.05 mm. When the thickness of the conductive base is thinner than 0.05 mm, sufficient heat dissipation cannot be achieved, and when the thickness of the conductive base is 2 mm or more, miniaturization of the semiconductor device cannot be achieved. For this reason, 0.05-2 mm is preferable and, as for the thickness of the electroconductive base 1, 0.1-1 mm is more preferable.

(조화 피막)(Harmonic film)

조화 피막(3)은, 도전성 기체(1) 중 적어도 한쪽 면 상에, 직접 또는 중간층(도시하지 않음)을 통해 복수의 조화 입자의 돌기물(4)로 형성된 적어도 1층의 조화층(2)으로 구성된다. 또한, 조화 피막(3)은 적어도 1층의 조화층(2)으로 구성되면 좋지만, 제조 공정의 번잡성 등을 고려하면, 1~3층의 조화층(2)으로 구성하는 것이 바람직하다. 조화 피막(3)의 형성 방법은, 1층째의 조화층(2-1)을 형성 후에 조성이나 형성 조건 등 하나 이상의 팩터가 1층째의 조화층(2-1)과는 다른 2층째의 조화층(2-2)을 1층째의 조화층(2-1) 상에 적층 형성하는, 이른바 다중 조화에 의해 형성함으로써, 비교적 얇은 막두께로 비표면적을 유효하게 증대시킬 수 있어 보다 바람직하다(도 4 참조). 또한, 본 발명에서는 조화 피막(3)의 막두께는 국소적으로 측정하지 않고, 적어도 형광 X선법(예를 들면 SII사제의 SFT9400(상품명) 등의 막두께 측정 장치)에 의해 콜리메이터 직경 0.2mm 이상으로 임의의 3점으로 측정했을 때의 평균적인 막두께로 나타낸 것으로 한다. 또한, 조화 피막(3)이 복수의 조화층(2)으로 구성되는 경우에는, 전 층의 총 두께를 조화 피막(3)의 두께로 정의하는 것으로 한다. 또한, 조화 피막(3)의 막두께는 특별히 제한은 없지만, 막두께가 크면 클수록 조화에 의한 요철이 커지는 경향이 있다. 그 때문에, 조화 형상을 크게 하기 위해서 조화 피막(3)의 막두께의 하한값은, 바람직하게는 0.2μm 이상, 보다 바람직하게는 0.5μm 이상, 한층 더 바람직하게는 0.8μm 이상이다. 한편, 조화 피막(3)의 막두께가 3μm를 넘으면, 반송 시의 조화 피막(3)의 탈락, 이른바 「가루 떨어짐(powdering)」이 많아질 우려가 있다. 이 때문에, 조화 피막(3)의 막두께의 상한값은, 바람직하게는 3μm 이하, 보다 바람직하게는 2μm 이하, 한층 더 바람직하게는 1.5μm 이하다.The roughened film 3 is formed on at least one surface of the conductive base 1 by at least one roughened layer 2 formed of the projections 4 of the plurality of roughened particles, either directly or through an intermediate layer (not shown). It consists of. In addition, although the roughening film 3 should just be comprised from the at least one roughening layer 2, in consideration of the complexity of a manufacturing process, etc., it is preferable to comprise the roughening layer 2 of 1-3 layers. The formation method of the roughening film 3 is a roughening layer of the 2nd layer from which one or more factors, such as a composition and formation conditions, differ from the 1st roughening layer 2-1 after formation of the 1st layer of roughening layer 2-1. By forming (2-2) by so-called multiple roughening by laminating (1-2) on the first roughening layer 2-1, the specific surface area can be effectively increased with a relatively thin film thickness, which is more preferable (Fig. 4). Reference). In addition, in this invention, the film thickness of the roughening film 3 is not measured locally, but is at least 0.2 mm of collimator diameter by fluorescent X-ray method (for example, film thickness measuring apparatuses, such as SFT9400 (brand name) by SII)). It is assumed that it is expressed by the average film thickness when measured by arbitrary three points. In addition, when the roughening film 3 is comprised from the some roughening layer 2, it is assumed that the total thickness of all the layers is defined as the thickness of the roughening film 3. In addition, the film thickness of the roughening film 3 does not have a restriction | limiting in particular, The larger the film thickness, there exists a tendency for the unevenness | corrugation by roughening to become large. Therefore, in order to enlarge a roughening shape, the lower limit of the film thickness of the roughening film 3 becomes like this. Preferably it is 0.2 micrometer or more, More preferably, it is 0.5 micrometer or more, More preferably, it is 0.8 micrometer or more. On the other hand, when the film thickness of the roughening film 3 exceeds 3 micrometers, there exists a possibility that the fall of the roughening film 3 at the time of conveyance, so-called "powdering" may increase. For this reason, the upper limit of the film thickness of the roughening film 3 becomes like this. Preferably it is 3 micrometers or less, More preferably, it is 2 micrometers or less, More preferably, it is 1.5 micrometers or less.

[조화층][Harmonized layer]

조화층(2)은 복수의 조화 입자의 돌기물(4)로 형성된다. 조화층(2)의 형성 방법으로서는 습식 도금이나 건식 도금 등 여러 가지 방법을 들 수 있지만, 간편하고 염가로 형성할 수 있는 등의 관점에서, 특히 전기 도금에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 조화층(2)은, 예를 들면 동, 동 합금, 니켈, 니켈 합금, 팔라듐, 팔라듐 합금, 은, 은 합금, 주석, 주석 합금, 아연, 아연 합금, 로듐, 로듐 합금, 루테늄, 루테늄 합금, 이리듐 및 이리듐 합금의 군으로부터 선택되는 금속 또는 합금을 포함하는 것이 바람직하다. 조화층(2)은, 특히 조화 피막(3) 상에 후술의 표면 피막(도시하지 않음)을 더욱 형성하는 경우에는, 표면 피막에 대한 밀착성을 향상시키는 관점에서, 동, 동 합금, 니켈 또는 니켈 합금을 포함하는 것이 보다 바람직하다. 동 합금으로서는 동-주석 합금, 동-아연 합금, 니켈 합금으로서는 니켈-아연 합금, 니켈-주석 합금 등을 들 수 있다.The roughened layer 2 is formed of the projections 4 of the plurality of roughened particles. Examples of the method for forming the roughened layer 2 include various methods such as wet plating and dry plating, but it is particularly preferable to form by electroplating from the viewpoint of being easy and inexpensive to form. The roughening layer 2 is, for example, copper, copper alloy, nickel, nickel alloy, palladium, palladium alloy, silver, silver alloy, tin, tin alloy, zinc, zinc alloy, rhodium, rhodium alloy, ruthenium, ruthenium alloy, It is preferred to include a metal or alloy selected from the group of iridium and iridium alloys. The roughening layer 2 is a copper, copper alloy, nickel or nickel from the viewpoint of improving the adhesion to the surface coating, especially when further forming a surface coating (not shown) described later on the roughening coating 3. It is more preferable to include an alloy. Examples of the copper alloy include copper-tin alloys, copper-zinc alloys, and nickel alloys such as nickel-zinc alloys and nickel-tin alloys.

그리고, 본 발명의 구성상 주된 특징은, 조화층(2)을 구성하는 조화 입자의 돌기물(4)의 단면 형상의 적정화를 도모하는 것, 보다 구체적으로는, 도 3에 도시한 바와 같이 돌기물(4)을 조화 피막(3)의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭 Wmax이, 상기 최대폭의 Wmax 측정 위치보다 도전성 기체(1)측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭 Wmin에 비해 1~5배가 되는 형상을 가지도록 제어하는 것에 있다.And the main characteristic in the structure of this invention is aiming at optimizing the cross-sectional shape of the projection 4 of the roughening particle which comprises the roughening layer 2, More specifically, as shown in FIG. The maximum width Wmax when water 4 is measured in the thickness direction cross section of the roughening film 3 is the minimum width Wmin when measured in the lower part located in the conductive base 1 side rather than the Wmax measurement position of the said largest width. It is to control so that it may have a shape 1 to 5 times compared with.

이것은, 본 발명자들이 열심히 연구한 결과, 만일 조화층이 동일한 표면 조도(surface roughness)로 형성되면, 전단 시험에 있어서의 수지의 전단 강도(접합 강도)는 높고, 양호한 수지 밀착성을 얻을 수 있지만, 고온 고습의 내구성 시험, 예를 들면 온도 85℃, 습도 85%의 환경에서 168시간 방치하는 가혹한 조건 하에서 고온 고습 시험을 실시한 후에는 동일한 표면 조도를 가지는 조화층은 전단 강도가 크게 저하되고, 양호한 수지 밀착성을 유지할 수 없는 것이 존재하는 것으로 판명되었다. 이 점에 대해 조사를 한층 더 진행한 결과, 조화층을 형성하는 조화 입자의 돌기물의 단면 형상에 크게 영향을 받는다는 지견을 얻어, 특히 돌기물의 최소폭인 개소에서 수지의 열팽창이나 수축에 의한 응력이 집중되어 밀착성이 낮아지는 것을 알 수 있었다.The inventors have studied diligently and, if the roughened layer is formed with the same surface roughness, the shear strength (bonding strength) of the resin in the shear test is high, and good resin adhesiveness can be obtained, but at a high temperature. After high temperature and humidity test, for example, under high temperature and high humidity test under conditions of 168 hours in a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85%, the roughened layer having the same surface roughness is greatly reduced in shear strength, and good resin adhesion. It turns out that there can't be. As a result of further investigation on this point, it is found that the cross-sectional shape of the projections of the roughened particles forming the roughened layer is greatly influenced. In particular, the stress due to the thermal expansion or contraction of the resin is reduced at the minimum width of the projections. It was found that the adhesion was lowered due to concentration.

이 때문에, 본 발명자들은 한층 더 상세한 검토를 진행한 바, 조화 피막의 조화층을 형성하는 조화 입자의 돌기물의 최대폭과 최소폭의 비율을 1~5, 즉 돌기물을 조화 피막의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭이, 상기 최대폭의 측정 위치보다 도전성 기체 측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭에 비해 1~5배가 되는 형상을 가지도록 제어함으로써, 동일한 정도의 표면 조도를 가지는 조화층에서도, 고온 고습의 내구성 시험, 예를 들면 온도 85℃, 습도 85%의 환경에서 168시간 방치하는 가혹한 조건 하에서 고온 고습 시험을 실시한 후에도 수지의 전단 강도(접합 강도)는 거의 저하되지 않고, 양호한 수지 밀착성을 유지할 수 있는 것을 발견했다.For this reason, the present inventors conducted further examination, and the ratio of the maximum width and minimum width of the protrusion of the roughening particle which forms the roughening layer of a roughening film is 1-5, ie, a projection is made in the thickness direction cross section of a roughening film. Harmonicity having the same degree of surface roughness by controlling the maximum width when measured to have a shape that is 1 to 5 times larger than the minimum width when measured at the lower portion located on the conductive base side than the measured position of the maximum width. Even in the layer, the shear strength (bond strength) of the resin hardly decreases even after performing the high temperature and high humidity durability test, for example, the high temperature and high humidity test under severe conditions left at 168 hours in an environment of 85 ° C. and 85% humidity. It discovered that resin adhesiveness can be maintained.

돌기물에 있어서 최대폭이 최소폭의 1배란, 최대폭과 최소폭이 동일한 것을 나타내며, 돌기물의 형상으로서는, 거의 원주 형상이나 각주 형상의 경우를 들 수 있다. 한편, 돌기물의 최대폭이 최소폭의 5배를 넘으면, 조화층을 형성하는 돌기물의 최소폭의 개소에서 수지의 팽창이나 수축에 의한 응력의 집중이 증대하기 때문에, 앵커 효과를 유효하게 발휘할 수 없고, 돌기물의 최소폭의 개소에 있어서 파단하기 쉬워진다. 이 때문에, 돌기물은 최대폭이 최소폭의 1~5배로 한다. 또한, 몰드 수지가 앵커 효과를 발휘하는 것뿐만 아니라, 수지가 조화층을 형성하는 돌기물의 최소부의 개소에서의 파단을 생기기 어렵게 함으로써, 리드 프레임재에 대해 전단 강도를 향상시키는 것뿐만 아니라, 수직 방향의 인장 강도도 보다 한층 향상시킬 필요가 있는 경우에는, 돌기물의 최소폭에 대한 최대폭의 비율이 1.1~4.9배로 하는 것이 바람직하고, 1.2~4.8배로 하는 것이 보다 바람직하고, 1.5~4.0배로 하는 것이 더욱 바람직하고, 1.5~3.0배로 하는 것이 가장 바람직하다. 또한, 돌기물에 있어서의 표면의 형상이지만, 날카롭고 뾰족하고도 둥글고 매끄러워도 좋고, 돌기물의 최대폭과 최소폭의 비가 중요하다.In the projections, the maximum width is one times the minimum width, indicating that the maximum width and the minimum width are the same, and examples of the shape of the projections include a case of a substantially cylindrical shape or a footnote shape. On the other hand, if the maximum width of the projections exceeds 5 times the minimum width, the concentration of stress due to expansion or contraction of the resin increases at the location of the minimum width of the projections forming the roughened layer, so that the anchor effect cannot be effectively exhibited. Breaking occurs easily at the location of the minimum width of the projection. For this reason, the protrusion has a maximum width of 1 to 5 times the minimum width. In addition, not only the mold resin exerts an anchor effect but also makes it difficult to cause breakage at the minimum portion of the protrusions in which the resin forms the roughening layer, thereby improving the shear strength with respect to the lead frame material, as well as in the vertical direction. When it is necessary to further improve the tensile strength, the ratio of the maximum width to the minimum width of the projections is preferably 1.1 to 4.9 times, more preferably 1.2 to 4.8 times, and even more preferably 1.5 to 4.0 times. It is preferable and it is most preferable to set it as 1.5-3.0 times. Moreover, although it is the shape of the surface in a projection, it may be sharp, pointed, round, and smooth, and the ratio of the maximum width and minimum width of a projection is important.

<돌기물의 최대폭과 최소폭의 정의에 대해><About definition of maximum width and minimum width of projection>

본 발명에 있어서의 돌기물의 최대폭과 최소폭은, 예를 들면 Focused Ion Beam(FIB)나 기계 연마 등의 방법에 의해, 조화층이 형성된 리드 프레임재를 가공함으로써 수직 단면 시료를 제작하고, 이어서 수직 단면 시료의 조화층에 대해 광학 현미경이나 주사형 전자현미경 등에 의한 단면 관찰을 실시하여, 도전성 기체의 표면으로부터 조화층의 표면을 향해 선분을 평행 이동시키고, 조화층을 형성하는 복수의 돌기물에 대해 1개의 돌기물마다 폭을 측정하여 최대값(최대폭) Wmax과 최소값(최소폭) Wmin을 결정한다. 보다 상세하게 설명하면, 도 3에 도시한 바와 같이 도전성 기체(1)로부터 조화층의 방향으로 수선을 긋고, 그 정점으로부터 도전성 기체(1)를 향하는 방향으로 기체와 평행한 선(평행선)을 주사시켰을 때의 돌기물(4)의 최대값을 나타낸 폭을 최대폭으로서 Wmax로 하고, 더욱이 최대폭 Wmax 위치로부터 도전성 기체(1)를 향하는 방향으로 다시 평행선을 주사시켰을 때의 돌기물(4)의 최소값을 나타낸 폭을 최소폭으로서 Wmin으로 결정한다. 그리고, 본 발명에서는 그 비율 Wmax/Wmin의 값이 1~5인 것이 필요하다. 또한, 돌기물(4)의 최소폭 Wmin은, 조화 피막(3)의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 돌기물(4)의 최대폭 Wmax의 측정 위치보다 도전성 기체(1)측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭 Wmin을 의미한다. 이것은 전단 시험에 있어서 도전성 기체(1)측에 위치하는 돌기물(4)의 아래쪽 부분(기단 부분)의 폭에 의해 전단 강도가 좌우된다는 지견에 근거한다. 또한, 돌기물(4)은 임의의 단면을 관찰하기 위해, 조화층(2)의 여러 위치에서 관찰된다. 이것은, 조화층(2)은 기본적으로는 3차원적으로 형성되는 것이 일반적이므로, 돌기물(4)의 최대폭 Wmax과 최소폭 Wmin을 측정하는 조화층(2)으로서는, 1층의 조화층(2)의 경우나, 도 5에 도시한 바와 같이 2층 이상의 조화층(예를 들면 도 5에서는 2층의 조화층(2-1, 2-2))이어도, 또한 돌기물(4)의 최대폭 Wmax과 최소폭 Wmin의 측정이 가능한 경우를 측정 대상으로 하고, 그 이외, 예를 들면 2층 이상의 조화층이고 조화 피막(3)의 최표면 윤곽이 명확하지 않은 경우나, 도전성 기체(1)로부터 도드라져 보이는 조화층(2)의 경우 등은, 본 발명에 있어서 측정의 대상이라고는 할 수 없는 조화층으로 한다. 이들 수법에 따라 임의의 단면에서 1개의 조화층(2)에 존재하는 10개의 돌기물(4)에 대해서, 각각의 최대폭 Wmax과 최소폭 Wmin을 측정하여 최대폭 Wmax의 최소폭 Wmin에 대한 비율 Wmax/Wmin을 산출하고, 그들의 비율의 평균값이 1~5배인 조화층(2)을 가지는 리드 프레임재(10)를 본 발명의 리드 프레임재로서 정의한다.The maximum width and the minimum width of the projections in the present invention are produced by processing a lead frame member on which a roughened layer is formed, for example, by a method such as Focused Ion Beam (FIB) or mechanical polishing. Cross-sectional observation is performed by an optical microscope, a scanning electron microscope, or the like on the roughened layer of the cross-sectional sample, and the line segments are moved in parallel from the surface of the conductive base toward the roughened layer surface, and the plurality of projections forming the roughened layer The width is measured for each projection to determine the maximum value (maximum width) Wmax and the minimum value (minimum width) Wmin. In more detail, as shown in FIG. 3, a line is drawn in the direction of a roughening layer from the conductive base 1, and a line parallel to a base (parallel line) is scanned in the direction toward the conductive base 1 from the apex. The maximum value of the projections 4 at the time of making it the maximum width was made into Wmax, and the minimum value of the projections 4 when the parallel line was again scanned from the position of the maximum width Wmax toward the conductive base 1 was further determined. The width shown is determined as Wmin as the minimum width. And in this invention, the value of the ratio Wmax / Wmin needs to be 1-5. In addition, the minimum width Wmin of the projection 4 is a lower portion located on the conductive base 1 side than the measurement position of the maximum width Wmax of the projection 4 when measured in the thickness direction cross section of the roughening film 3. The minimum width, Wmin, measured at. This is based on the knowledge that the shear strength depends on the width of the lower portion (proximal portion) of the projection 4 located on the conductive base 1 side in the shear test. Further, the projections 4 are observed at various positions of the roughened layer 2 in order to observe any cross section. Since the roughening layer 2 is generally formed three-dimensionally basically, as the roughening layer 2 which measures the maximum width Wmax and the minimum width Wmin of the projection 4, one roughened layer 2 ) Or as two or more roughened layers (for example, two roughened layers 2-1 and 2-2 in FIG. 5), the maximum width Wmax of the projection 4 is shown. And the case where the measurement of the minimum width Wmin is possible, besides being a roughening layer of two or more layers, for example, when the outermost surface contour of the roughening film 3 is not clear, or from the conductive base 1 In the case of the roughened layer 2 which can be seen, it is set as the roughened layer which cannot be called a measurement object in this invention. According to these techniques, for each of the ten protrusions 4 present in one roughened layer 2 in any cross section, the maximum width Wmax and the minimum width Wmin are measured, and the ratio Wmax / to the minimum width Wmin of the maximum width Wmax is measured. Wmin is computed and the lead frame material 10 which has the roughening layer 2 whose average value of these ratios is 1 to 5 times is defined as the lead frame material of this invention.

<돌기물의 최소폭 및 돌기물끼리의 간격에 대해><About minimum width of protrusion and gap between protrusions>

또한, 본 발명에 있어서의 조화층(2)을 형성하는 돌기물(4)의 최소폭 Wmin의 크기에 있어서는, 특별히 규정하지는 않지만, 최소폭 Wmin이 너무 작으면 수지가 조화층(2)의 돌기물(4, 4) 사이의 간극에 흐르기 어려워지는 경향이 있고, 한편, 최소폭 Wmin이 너무 크면 전단 강도를 증대시키는 효과가 작아지는 경향이 있다. 이 때문에, 돌기물(4)의 최소폭 Wmin은 평균적으로 0.2μm~3μm의 범위인 것이 바람직하고, 0.5μm~1μm의 범위인 것이 보다 바람직하다. 또한, 돌기물(4, 4)끼리의 간격에 대해서는 특별히 한정하지 않지만, 돌기물(4, 4)의 정점끼리의 평균 간격으로 하여 0.2~20μm의 범위가 바람직하고, 0.5μm~10μm의 범위가 한층 더 바람직하다.In addition, although it does not specifically define about the magnitude | size of the minimum width Wmin of the protrusion 4 which forms the roughening layer 2 in this invention, If the minimum width Wmin is too small, resin will be the protrusion of the roughening layer 2, It tends to be difficult to flow in the gap between the water 4 and 4, and on the other hand, when the minimum width Wmin is too large, the effect of increasing the shear strength tends to be small. For this reason, it is preferable that the minimum width Wmin of the projection 4 is in the range of 0.2 μm to 3 μm, and more preferably in the range of 0.5 μm to 1 μm. Moreover, although it does not specifically limit about the space | interval of protrusions 4 and 4, The range of 0.2-20 micrometers is preferable as an average space | interval of the vertices of protrusions 4 and 4, and the range of 0.5 micrometer-10 micrometers is It is more preferable.

<조화층의 비표면적에 대해><About specific surface area of harmonic layer>

본 발명의 리드 프레임재(10)는 우선 도전성 기체(이하, 단지 「기체(基體)」라고도 한다.)(1)에 대해서 조화층(2)을 가진다. 이 조화층(2)은 비표면적이 110% 이상인 것이 바람직하다. 이것은 비표면적이 110% 미만이면 충분히 앵커 효과를 얻을 수 없기 때문이다. 또한, 비표면적의 상한에 대해서는 특별히 규제하지는 않지만, 비표면적이 너무 크면 조화의 요철이 너무 커져 조화층이 탈락하기 쉬워지기 때문에, 비표면적은 500% 이하로 하는 것이 바람직하다.The lead frame member 10 of the present invention first has a roughened layer 2 with respect to a conductive substrate (hereinafter, also referred to simply as a "gas"). It is preferable that the roughening layer 2 has a specific surface area of 110% or more. This is because when the specific surface area is less than 110%, the anchoring effect cannot be sufficiently obtained. The upper limit of the specific surface area is not particularly limited. However, when the specific surface area is too large, the roughness of the roughened surface becomes too large and the roughened layer easily falls off. Therefore, the specific surface area is preferably 500% or less.

또한, 비표면적의 산출 방법으로서는, 도 2에 리드 프레임재(10)의 단면을 도시한 바와 같이, 리드 프레임재(10)의 단면에서 보아, 조화 피막(3)의 최표층의 선분 길이(도 2에서는 파선 A로 도시한다.)를 도전성 기체(1)의 표면의 (직선)길이(도 2에서는 굵은 실선 B)로 나눈 비율 A/B의 백분율이 비표면적(%)이 되고, 예를 들면 비접촉식 간섭 현미경 등의 측정 장치(예를 들면 Bruker axs사제)를 이용해 측정할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서의 조화층의 형성 개소는 수지 몰드되는 부분 중 적어도 일부에 형성되면 좋고, 전면 처리는 물론, 부분적으로 조화층(2)이 형성되어도 좋다. 또한, 예를 들면 리드 프레임재(10)가 수지 몰드되는 부분 중 적어도 1/5 이상인 것이 바람직하고, 한층 더 바람직하게는 1/2 이상의 면적에 형성됨으로써 밀착성 향상 효과를 발휘할 수 있다. 수지 몰드되는 전면에 조화층(2)이 형성되는 것이 가장 바람직하다. 이 부분적으로 설치되는 조화층(2)의 형상으로서는 스트라이프 형상, 점 형상, 링 형상 등 여러 가지 형태를 취하는 것이 가능하다. 게다가 수지 몰드가 한쪽 면뿐인 제품에 있어서는, 예를 들면 한쪽 면만 조화층(2)을 형성하는 것도 가능하다.In addition, as a calculation method of a specific surface area, as shown in the cross section of the lead frame material 10 in FIG. 2, the line segment length of the outermost layer of the roughening film 3 is shown from the cross section of the lead frame material 10 (FIG. The percentage of ratio A / B obtained by dividing by dashed line A in FIG. 2 by the (straight line) length of the surface of the conductive base 1 (bold solid line B in FIG. 2) becomes the specific surface area (%). It can measure using a measuring apparatus (for example, Bruker axs company), such as a non-contact interference microscope. In addition, the formation location of the roughening layer in this invention should just be formed in at least one part of the part to be resin-molded, and the roughening layer 2 may be formed in part as well as the whole surface process. For example, it is preferable that the lead frame material 10 is at least 1/5 or more of the part by which resin mold is carried out, More preferably, it is formed in the area of 1/2 or more, and can exhibit an adhesive improvement effect. It is most preferable that the roughening layer 2 is formed in the whole surface to be resin-molded. As the shape of the roughening layer 2 provided in this part, it is possible to take various forms, such as stripe shape, a point shape, and ring shape. In addition, in the product whose resin mold has only one side, it is also possible to form the roughening layer 2 only on one side, for example.

(중간층)(Middle floor)

또한, 본 발명의 리드 프레임재(10)는, 도전성 기체(1)와 조화 피막(3) 사이에, 예를 들면 도전성 기체(1)를 구성하는 조성 성분의 확산 억제나 밀착성의 개선을 위해서 중간층을 형성해도 좋다. 중간층은 예를 들면 니켈, 니켈 합금, 코발트, 코발트 합금, 동 또는 동 합금을 들 수 있다.In addition, the lead frame member 10 of the present invention is an intermediate layer between the conductive base 1 and the roughened film 3, for example, to suppress diffusion of compositional components constituting the conductive base 1 and to improve adhesion. May be formed. The intermediate layer may be nickel, nickel alloy, cobalt, cobalt alloy, copper or copper alloy, for example.

(표면 피막)(Surface coating)

또한, 본 발명의 리드 프레임재(10)는, 조화 피막(3)의 표면 중 적어도 일부 상에 직접 또는 중간층을 통해 적어도 1층의 표면 피복층을 포함하는 표면 피막을 한층 더 구비하는 것이 바람직하고, 표면 피복층은, 팔라듐, 팔라듐 합금, 로듐, 로듐 합금, 루테늄, 루테늄 합금, 백금, 백금 합금, 이리듐, 이리듐 합금, 금, 금 합금, 은 및 은 합금의 군으로부터 선택되는 금속 또는 합금을 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the lead frame member 10 of the present invention preferably further includes a surface coating including at least one surface coating layer on at least part of the surface of the roughening coating 3 directly or through an intermediate layer. The surface coating layer includes a metal or an alloy selected from the group of palladium, palladium alloy, rhodium, rhodium alloy, ruthenium, ruthenium alloy, platinum, platinum alloy, iridium, iridium alloy, gold, gold alloy, silver and silver alloy desirable.

[표면 피복층][Surface coating layer]

표면 피복층을 구성하는 각종 합금으로서는, 예를 들면 팔라듐 합금으로서는 팔라듐-은 합금, 로듐 합금으로서는 로듐-팔라듐 합금, 루테늄 합금으로서는 루테늄-이리듐 합금, 백금 합금으로서는 백금-금 합금, 이리듐 합금으로서는 백금-이리듐 합금, 금 합금으로서는 금-은 합금, 은 합금으로서는 은-주석 합금 등을 들 수 있다. 표면 피막은 1종류여도 좋지만, 2층 이상이 바람직하다. 표면 피막을 구성하는 표면 피복층이 2층 이상인 경우의 대표적인 층 구성으로서는, 조화 피막(3)측부터 적층 순서로, Pd/Au, Rh/Au, Pd/Ag/Au, Pd/Rh/Au, Ru/Pd/Au 등을 들 수 있다. 이와 같이 조화 피막 상에 표면 피막층을 형성함으로써, 리드 프레임의 발열에 대해서 내열성이 향상함과 동시에, 조화 피막의 조화층을 형성하는 조화 입자의 돌기물의 강도가 향상되고, 돌기물의 파단을 막아, 한층 더 앵커 효과를 발휘할 수 있다. 또한 표면 피막에 대한 밀착성을 향상시키는 관점에서, 조화층이 동, 니켈의 2층에 대해서 표면 피막층이 Pd/Au의 2층 또는 Rh/Au의 2층인 것이 보다 바람직하고, 조화층의 층 구성으로서 아래쪽 조화층이 동, 위쪽 조화층이 니켈의 2층에 대해서, 표면 피막층의 층 구성으로서 아래쪽 표면 피막층이 Pd로 위쪽 표면 피복층이 Au의 2층, 또는 아래쪽 표면 피막층이 Rh로 위쪽 표면 피복층이 Au의 2층인 것이 한층 더 바람직하다. 이들 표면 피복의 막두께는 너무 두꺼우면 조화 피막(3)의 표면 요철을 묻어 상술한 본 발명의 효과를 충분히 발휘할 수 없게 될 우려가 있는 것 외에, 표면 피막이 주로 귀금속 재료로 구성된다는 점에서 코스트의 상승을 부를 가능성이 있다. 이 때문에, 각 표면 피복층의 막두께는 적층된 표면 피복층의 총 막두께(표면 피막의 막두께)로서 1μm 이하인 것이 바람직하고, 0.03 이하인 것이 보다 바람직하다.As various alloys constituting the surface coating layer, for example, a palladium alloy is a palladium-silver alloy, a rhodium alloy is a rhodium-palladium alloy, a ruthenium alloy is a ruthenium-iridium alloy, a platinum alloy is a platinum-gold alloy, and an iridium alloy is platinum-iridium As an alloy and a gold alloy, a gold-silver alloy, a silver-silver alloy, etc. are mentioned. Although one type of surface coating may be sufficient, two or more layers are preferable. As typical layer constitutions in the case where the surface coating layers constituting the surface coating are two or more layers, Pd / Au, Rh / Au, Pd / Ag / Au, Pd / Rh / Au, Ru in the laminating order from the roughening coating 3 side. / Pd / Au etc. are mentioned. By forming the surface coating layer on the roughening film in this way, the heat resistance of the heat generation of the lead frame is improved, and the strength of the projections of the roughening particles forming the roughening layer of the roughening coating is improved, and the breakage of the projections is further prevented. It can exert more anchor effect. Moreover, from a viewpoint of improving adhesiveness with respect to a surface coating, it is more preferable that a roughening layer is two layers of Pd / Au or two layers of Rh / Au with respect to two layers of copper and nickel, As a laminated constitution of a roughening layer The lower roughening layer is copper, and the upper roughening layer is two layers of nickel. The lower surface coating layer is Pd, the upper surface coating layer is two layers of Au, or the lower surface coating layer is Rh, and the upper surface coating layer is Au. It is further more preferable that it is 2 layers of. If the film thickness of these surface coatings is too thick, the surface roughness of the roughening film 3 may be buried, and the effect of the present invention described above may not be sufficiently exhibited. In addition, the surface film is mainly composed of precious metal materials. There is a possibility to call a rise. For this reason, it is preferable that it is 1 micrometer or less as a total film thickness (film thickness of surface coating) of the laminated surface coating layer, and, as for the film thickness of each surface coating layer, it is more preferable that it is 0.03 or less.

(리드 프레임재의 제조 방법에 대해)(About a manufacturing method of the lead frame material)

이어서, 본 발명의 리드 프레임재(10)의 제조 방법을 이하에서 설명한다. 도전성 기체(1)를 준비하고, 이 도전성 기체(1)에 대해 음극 전해 탈지 공정 및 산세 공정을 한다. 이어서, 필요에 따라 전기 도금에 의해 중간층을 형성한 후에, 전기 도금에 의해 적어도 1층의 조화층(2)을 포함하는 조화 피막(3)을 형성하고, 그 후 다시 필요에 따라 전기 도금에 의해 적어도 1층의 표면 피복층을 포함하는 표면 피막을 형성함으로써 리드 프레임재(10)를 제조할 수 있다. 구체적인 제조 조건의 대표예로서, 표 1에 음극 전해 탈지 조건, 표 2에 산세 조건, 표 3에 각종 중간층의 형성 조건, 표 4에 각종 조화층(2)의 형성 조건, 그리고, 표 5에 각종 표면 피복층의 형성 조건을 각각 나타낸다. 상술한 리드 프레임재(10)의 제조 방법에서는 중간층, 조화층(2) 및 표면 피복층을, 모두 전기 도금으로 제조한 경우를 예시했다. 조화층(2)은 전류 밀도, 교반, 온도, 처리 시간 등에 의해 비교적 용이하게 돌기물의 형상을 제어할 수 있으면서 간편하다는 점에서 전기 도금법으로 형성하는 것이 바람직하고, 게다가 중간층이나 표면 피복층에 대해서도 전기 도금법과 같은 습식 도금법에 따라 형성하는 것이 생산성의 관점에서 바람직하지만, 건식 도금법이나 다른 제조 방법으로 제조해도 좋고, 특별히 한정은 하지 않는다.Next, the manufacturing method of the lead frame material 10 of this invention is demonstrated below. The conductive base 1 is prepared, and a cathode electrolytic degreasing step and a pickling step are performed on the conductive base 1. Subsequently, after forming an intermediate | middle layer by electroplating as needed, the roughening film 3 containing the at least 1 roughening layer 2 is formed by electroplating, and then again by electroplating as needed. The lead frame material 10 can be manufactured by forming the surface film containing at least one surface coating layer. As representative examples of specific manufacturing conditions, cathodic electrolytic degreasing conditions in Table 1, pickling conditions in Table 2, formation conditions of various intermediate layers in Table 3, formation conditions of various roughening layers 2 in Table 4, and various in Table 5 Formation conditions of a surface coating layer are shown, respectively. In the manufacturing method of the lead frame material 10 mentioned above, the case where all the intermediate | middle layer, the roughening layer 2, and the surface coating layer were manufactured by electroplating was illustrated. The roughened layer 2 is preferably formed by an electroplating method in that the shape of the projection can be controlled relatively easily by current density, stirring, temperature, processing time and the like, and is also preferably formed by the electroplating method for the intermediate layer or the surface coating layer. Although it is preferable to form according to the wet plating method as described above from a viewpoint of productivity, you may manufacture by a dry plating method or another manufacturing method, and there is no limitation in particular.

Figure pct00001
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Figure pct00002
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Figure pct00003
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Figure pct00004
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Figure pct00005
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실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 근거해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다. 미리 시험편 사이즈 40mm×40mm로 절단한 판두께 0.2mm의 표 6에 나타낸 각종 도전성 기체를 준비하고, 전술한 표 1에 나타낸 조건으로 음극 전해 탈지를 실시했다. 이어서 표 2에 나타낸 조건으로 도전성 기체의 산세를 실시한 후에, 표 6에 나타낸 층 구성으로 적어도 1층의 조화층을 도전성 기체의 표면에 형성해 리드 프레임재의 시험편을 얻었다. 또한, 조화층의 형성은 비표면적뿐만 아니라 단면에 있어서의 조화층의 돌기물에 있어서의 최대폭의 최소폭에 대한 비율도 제어했다. 실시예 1~30 중, 실시예 11~13에 대해서는 조화 피막이 아래쪽 조화층에 추가로 위쪽 조화층을 형성해 2층의 조화층으로 구성되어 있으며, 또한, 실시예 22~24에 대해서는 도전성 기체와 조화 피막 사이에 중간층이 한층 더 형성되어 있으며, 그리고, 실시예 29 및 30에 대해서는 조화 피막이 아래쪽 조화층에에 추가로 위쪽 조화층을 형성해 2층의 조화층으로 구성됨과 동시에, 아래쪽 표면 피복층과 위쪽 표면 피복층의 2층을 포함하는 표면 피막이 한층 더 형성된다. 참고를 위해, 비교예 1로서, 조화층의 비표면적이 550%으로 매우 크기는 하지만, 조화층을 형성하는 돌기물의 최대폭의 최소폭에 대한 비율을 제어하지 않고 본 발명의 범위 외(5.2배)인 리드 프레임재의 시험편을 제작했다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although this invention is demonstrated in more detail based on an Example, this invention is not limited to these. Various electroconductive bases shown in Table 6 of the plate thickness 0.2mm cut | disconnected to the test piece size 40mm * 40mm previously were prepared, and cathodic electrolytic degreasing was performed on the conditions shown in Table 1 mentioned above. Subsequently, after pickling of a conductive base under the conditions shown in Table 2, at least one roughened layer was formed on the surface of the conductive base in the layer configuration shown in Table 6 to obtain a test piece of the lead frame member. In addition, formation of a roughening layer controlled not only the specific surface area but the ratio with respect to the minimum width | variety of the largest width in the protrusion of the roughening layer in a cross section. In Examples 1-30, the roughening film forms an upper roughening layer further on the lower roughening layer about Examples 11-13, and is comprised by two roughening layers, and about Examples 22-24, roughening with a conductive base An intermediate layer is further formed between the coatings, and in Examples 29 and 30, the roughening coating is formed on the lower roughening layer in addition to the upper roughening layer, and is composed of two roughening layers. The surface coating including two layers of the coating layer is further formed. For reference, as Comparative Example 1, although the specific surface area of the roughened layer is very large (550%), the ratio of the minimum width of the maximum width of the protrusions forming the roughened layer is not controlled (5.2 times). The test piece of in lead frame material was produced.

상기 각 시험편에 있어서, 수지 몰드를 코타키세이키사제 트랜스퍼 몰드 시험 장치(제품명: Model FTS)에서, 금형 온도 130℃몰드 후 유지 시간 90초, 주입 압력 6.865MPa의 조건 하에서 주입 성형하고, 접촉 면적 10mm2의 퓨린 유사 시험편(purine-like test piece)을 형성했다. 그 각 시험편을 고온 고습 시험(85℃, 85%RH로, 168시간 유지)에 투입하고, 그 시험편에 대해서 수지 밀착성 및 가루 떨어짐성에 대해 이하에 나타낸 조건으로 평가했다. 그들 평가 결과를 표 7에 나타낸다.In each of the above test pieces, the resin mold was injection-molded under a condition of a holding time of 90 seconds and an injection pressure of 6.865 MPa after a mold temperature of 130 ° C. in a transfer mold test apparatus (trade name: Model FTS) manufactured by Kotaki Seiki Co., Ltd. Two purine-like test pieces were formed. Each test piece was put into the high temperature, high humidity test (85 degreeC, 85% RH, hold | maintain for 168 hours), and the test piece was evaluated on the resin adhesiveness and the powder fallability on the conditions shown below. The evaluation results are shown in Table 7.

(수지 밀착성 평가)(Resin adhesion evaluation)

평가 수지: G630L, 스미토모베이클라이트사제(상품명)Evaluation resin: G630L, Sumitomo Bakelite company (brand name)

평가 조건:장치:4000Plus, 노드슨·어드밴스드·테크놀로지사제(상품명),Evaluation condition: A device: 4000Plus, product made in Nordson Advanced Technology Co., Ltd. (brand name),

로드 셀: 50kg   Load cell: 50kg

측정 레인지: 10kg   Measuring range: 10 kg

테스트 스피드: 100μm/s   Test speed: 100 μm / s

테스트 높이: 10μm   Test height: 10μm

수지 밀착성의 평가 결과를 표 7에 나타낸다. 또한, 표 7에 나타낸 수지 밀착성의 평가는 전단 강도(박리 강도)가 평균적으로 9.8MPa 이상인 경우를 수지 밀착성이 우수하다고 하여 「A」라고 하고, 전단 강도(박리 강도)가 평균적으로 4.9MPa 이상 9.8MPa 미만인 경우를 수지 밀착성이 양호하다고 하여 「B」라고 하고, 그리고 전단 강도(박리 강도)가 평균적으로 4.9MPa 미만인 경우를 수지 밀착성이 떨어진다고 하여 「C」로 하여 나타냈다. 수지 밀착성은, 「초기의 전단 강도」와 「고온 고습 시험 후의 전단 강도」 모두를 측정함으로써 각각 평가했다. 「고온 고습 시험 후의 전단 강도」는, 각 시험편을 수지 몰드한 후에 온도 85℃, 습도 85%의 환경에서 168시간 방치한 후의 값이다. 또한, 「초기의 전단 강도」란, 각 시험편을 수지 몰드한 직후(고온 고습 시험 전)의 전단 강도이다.Table 7 shows the evaluation results of the resin adhesiveness. In addition, evaluation of resin adhesiveness shown in Table 7 is called "A" in the case that shear strength (peel strength) is 9.8 MPa or more on average, and is excellent in resin adhesiveness, and shear strength (peel strength) is 4.9 MPa or more 9.8 on average. The case where it was less than MPa was called "B" because resin adhesiveness was favorable, and the case where shear strength (peel strength) was less than 4.9 MPa on average was shown as "C" because resin adhesiveness was inferior. Resin adhesiveness was evaluated by measuring both "initial shear strength" and "shear strength after a high temperature, high humidity test." "The shear strength after a high temperature, high humidity test" is a value after leaving each test piece to mold for 168 hours in the environment of 85 degreeC and 85% of humidity after resin-molding. In addition, "initial shear strength" is a shear strength immediately after resin-molding each test piece (before a high temperature, high humidity test).

(가루 떨어짐성 평가)(Powder drop evaluation)

가루 떨어짐성은 눈으로 감응 평가했다. 그 평가 결과를 표 7에 나타낸다. 또한, 표 7에 나타낸 가루 떨어짐성은, 표면으로부터의 가루 떨어짐을 인정할 수 없는 경우를 「A(우수)」라고 하고, 가루 떨어짐이 조금 발생한 경우를 「B(양호)」라고 하고, 그리고 가루 떨어짐이 매우 많이 발생한 경우를 「C(불가)」로 하여 나타내며, 「A」 및 「B」는 실용에 이용하는 레벨이다.Powder degradability evaluated sensitivity visually. The evaluation results are shown in Table 7. In addition, the powder falling property shown in Table 7 is called "A (excellent)" when the powder fall-off from the surface cannot be recognized, "B (good)" when a little powder fall occurs, and powder fall is The case where it generate | occur | produces very much is shown as "C (impossible)", and "A" and "B" are the levels used practically.

Figure pct00006
Figure pct00006

Figure pct00007
Figure pct00007

표 7의 평가 결과로부터 실시예 1~30은 모두 초기의 전단 강도 및 고온 고습 시험 후의 전단 강도가 「A」 또는 「B」이고, 양호한 수지 밀착성을 유지하고 있으며, 또한 가루 떨어짐성도 「A」 또는 「B」로 실용에 이용하는 레벨이었다. 이에 대해 조화층의 비표면적이 550%으로 매우 크기는 하지만, 조화층을 형성하는 돌기물의 최대폭의 최소폭에 대한 비율을 제어하지 않고, 본 발명의 범위 외(5.2배)인 비교예 1은, 초기의 전단 강도에 대해서는 「A」로 수지 밀착성이 우수하지만, 고온 고습 시험 후의 전단 강도가 「C」가 되어 수지 밀착성이 크게 열화하고, 게다가 가루 떨어짐성도 「C」로 떨어져 실용에 이용하는 레벨은 아니었다.From the evaluation result of Table 7, all of Examples 1-30 have initial shear strength and the shear strength after high-temperature, high-humidity test of "A" or "B", and maintain favorable resin adhesiveness, and also the powder fall-off property is "A" or It was the level used for practical use in "B". In contrast, although the specific surface area of the roughened layer is very large at 550%, Comparative Example 1, which is outside the scope of the present invention (5.2 times) without controlling the ratio to the minimum width of the maximum width of the protrusions forming the roughened layer, Regarding the initial shear strength, the resin adhesiveness was excellent in "A", but the shear strength after the high temperature and high humidity test became "C", the resin adhesiveness deteriorated largely, and the powder fall-off property also dropped to "C", and it was not a level used for practical use. .

본 발명의 리드 프레임재는 고온 고습의 내구성 시험, 예를 들면 온도 85℃, 습도 85%의 환경에서 168시간 방치하는 가혹한 조건 하에서 고온 고습 시험을 한 경우에도, 리드 프레임에 대한 양호한 수지 밀착성을 거의 열화시키지 않고 유지할 수 있어, 이 리드 프레임재를 이용해 구성한 반도체 패키지는 고 신뢰성을 실현할 수 있다.The lead frame member of the present invention almost deteriorates good resin adhesion to the lead frame even when subjected to a high temperature and high humidity durability test, for example, in a high temperature and high humidity test under severe conditions of 168 hours in an environment of 85 ° C. and 85% humidity. It can hold | maintain without making it, and the semiconductor package comprised using this lead frame material can implement | achieve high reliability.

1: 도전성 기체(conductive substrate)
2: 조화층(roughened layer)
2-1: 제1 조화층(기재측으로부터 1층째의 조화층)
2-2: 제2 조화층(기재측으로부터 2층째의 조화층)
3, 3-1: 조화 피막(roughended film)
4, 4-1: 돌기물(projection)
10, 10A: 리드 프레임재
A: 조화 피막의 최표면의 단면 선분 길이
B: 도전성 기체의 표면의 단면 선분 길이
1: conductive substrate
2: roughened layer
2-1: 1st harmonic layer (harmonic layer of the 1st layer from a base material side)
2-2: 2nd harmonic layer (2nd harmonic layer from base material side)
3, 3-1: roughened film
4, 4-1: projection
10, 10A: lead frame material
A: cross-sectional line length of the outermost surface of the roughening film
B: cross-sectional line length of the surface of the conductive substrate

Claims (7)

도전성 기체와,
상기 도전성 기체(conductive substrate) 중 적어도 한쪽 면 상에, 직접 또는 중간층을 통해 복수의 조화 입자의 돌기물로 형성된 적어도 1층의 조화층(roughened layer)을 포함하는 조화 피막(roughended film)을 구비하고,
상기 돌기물은, 상기 조화 피막의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭이, 상기 최대폭의 측정 위치보다 상기 도전성 기체 측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭에 비해 1~5배가 되는 형상을 가지는, 리드 프레임재.
With a conductive base,
A roughened film comprising at least one roughened layer formed on at least one side of the conductive substrate, either directly or through a middle layer, of a plurality of roughened particles projections; ,
The projections are shaped such that the maximum width when measured in the thickness direction cross section of the roughened film is 1 to 5 times larger than the minimum width when measured at the lower portion located on the conductive base side than the measurement position of the maximum width. Lead frame material having a.
청구항 1에 있어서, 상기 도전성 기체는, 동, 동 합금, 철, 철 합금, 알루미늄 또는 알루미늄 합금인, 리드 프레임재.
The lead frame material according to claim 1, wherein the conductive base is copper, copper alloy, iron, iron alloy, aluminum or aluminum alloy.
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 조화층은, 동, 동 합금, 니켈, 니켈 합금, 팔라듐, 팔라듐 합금, 은, 은 합금, 주석, 주석 합금, 아연, 아연 합금, 로듐, 로듐 합금, 루테늄, 루테늄 합금, 이리듐 및 이리듐 합금의 군으로부터 선택되는 금속 또는 합금을 포함하는, 리드 프레임재.
The said roughening layer is copper, copper alloy, nickel, nickel alloy, palladium, palladium alloy, silver, silver alloy, tin, tin alloy, zinc, zinc alloy, rhodium, rhodium alloy, ruthenium, ruthenium. A lead frame material comprising a metal or an alloy selected from the group of alloys, iridium and iridium alloys.
청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조화 피막의 표면 중 적어도 일부 상에, 적어도 1층의 표면 피복층을 포함하는 표면 피막을 더욱 구비하고, 상기 표면 피복층이, 팔라듐, 팔라듐 합금, 로듐, 로듐 합금, 루테늄, 루테늄 합금, 백금, 백금 합금, 이리듐, 이리듐 합금, 금, 금 합금, 은 및 은 합금의 군으로부터 선택되는 금속 또는 합금을 포함하는, 리드 프레임재.
The surface coating including at least one surface coating layer is further provided on at least one part of the surface of the said roughening film, The said surface coating layer is a palladium, a palladium alloy, rhodium, A lead frame material comprising a metal or an alloy selected from the group of rhodium alloys, ruthenium, ruthenium alloys, platinum, platinum alloys, iridium, iridium alloys, gold, gold alloys, silver and silver alloys.
청구항 4에 있어서, 상기 중간층은, 니켈, 니켈 합금, 코발트, 코발트 합금, 동 또는 동 합금인, 리드 프레임재.
The lead frame material according to claim 4, wherein the intermediate layer is nickel, nickel alloy, cobalt, cobalt alloy, copper or copper alloy.
도전성 기체 중 적어도 한쪽 면 상에, 직접 또는 중간층을 통해, 전기 도금에 의해 복수의 조화 입자의 돌기물로 형성된 적어도 1층의 조화층을 포함하는 조화 피막을 형성하는 공정을 포함하고,
상기 돌기물은, 상기 조화 피막의 두께 방향 단면에서 측정했을 때의 최대폭이, 상기 최대폭의 측정 위치보다 상기 도전성 기체 측에 위치하는 아래쪽 부분에서 측정했을 때의 최소폭에 비해 1~5배가 되는 형상을 가지는 리드 프레임재의 제조 방법.
Forming a roughened film including at least one roughened layer formed of projections of a plurality of roughened particles by electroplating on at least one side of the conductive base, directly or through an intermediate layer,
The projections are shaped such that the maximum width when measured in the thickness direction cross section of the roughened film is 1 to 5 times larger than the minimum width when measured at the lower portion located on the conductive base side than the measurement position of the maximum width. Method for producing a lead frame member having a.
청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 리드 프레임재를 갖는 반도체 패키지.
The semiconductor package which has the lead frame material in any one of Claims 1-5.
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