JPWO2020235292A1 - Lead frame materials and their manufacturing methods, as well as lead frames and electrical and electronic components - Google Patents
Lead frame materials and their manufacturing methods, as well as lead frames and electrical and electronic components Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020235292A1 JPWO2020235292A1 JP2020542341A JP2020542341A JPWO2020235292A1 JP WO2020235292 A1 JPWO2020235292 A1 JP WO2020235292A1 JP 2020542341 A JP2020542341 A JP 2020542341A JP 2020542341 A JP2020542341 A JP 2020542341A JP WO2020235292 A1 JPWO2020235292 A1 JP WO2020235292A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- based layer
- lead frame
- base material
- alloy
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 180
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 100
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 99
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 228
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 137
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 89
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 24
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 21
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 18
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 abstract description 19
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 16
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 14
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 8
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001887 electron backscatter diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017980 Ag—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N silver cyanide Chemical compound [Ag+].N#[C-] LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940098221 silver cyanide Drugs 0.000 description 1
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本発明のリードフレーム材１０は、ＣｒおよびＮｉの少なくとも一種を含有する鉄基合金からなる板状の基材５が、両面および端面を有し、基材５の両面のうちの少なくとも片面に、厚さが０．０５〜１．００μｍの範囲である第１のＮｉ系層１１と、厚さが０．０１〜０．３０μｍの範囲である第１のＣｕ系層１２と、厚さが０．３０〜２．００μｍの範囲である第１のＡｇ系層１３とを順に積層形成してなる表面被膜７を備え、基材５の端面に、第２のＮｉ系層１４、第２のＣｕ系層、および第２のＡｇ系層のうち、少なくとも第２のＮｉ系層１４を形成してなる端面被膜７を備え、基材５に対する被膜の密着性および加熱密着性に優れ、ワイヤボンディング性および半田濡れ性にも優れ、さらに端面での腐食変色も有効に抑制することができる。In the lead frame material 10 of the present invention, a plate-shaped base material 5 made of an iron-based alloy containing at least one of Cr and Ni has both sides and end faces, and at least one side of both sides of the base material 5 has a plate-like base material 5. A first Ni-based layer 11 having a thickness in the range of 0.05 to 1.00 μm, a first Cu-based layer 12 having a thickness in the range of 0.01 to 0.30 μm, and a thickness of 0. A surface coating 7 formed by sequentially laminating and forming a first Ag-based layer 13 in the range of .30 to 2.00 μm is provided, and a second Ni-based layer 14 and a second Cu are provided on the end faces of the base material 5. Among the system layer and the second Ag-based layer, the end face coating 7 formed by forming at least the second Ni-based layer 14 is provided, and the coating has excellent adhesion to the base material 5 and heat adhesion, and has wire bonding properties. It is also excellent in solder wettability, and can effectively suppress corrosion discoloration on the end face.
Description
本発明は、例えばワイヤなどによって半導体素子（半導体チップ）に電気的に接続され、モールド樹脂によって封止して形成される樹脂封止型半導体デバイス（半導体パッケージ）のような電気電子部品のリードフレームとして用いられるリードフレーム材およびその製造方法、ならびにリードフレームおよび電気電子部品に関する。 According to the present invention, for example, a lead frame of an electric / electronic component such as a resin-sealed semiconductor device (semiconductor package) formed by being electrically connected to a semiconductor element (semiconductor chip) by a wire or the like and sealed by a mold resin. The present invention relates to a lead frame material used as a material, a method for manufacturing the same, and a lead frame and electrical and electronic components.
電気電子部品、例えば半導体デバイスに用いられるリードフレームは、性能、形状および加工方法による要求から、導電性を持った条材（以下導電性条材）が基材として使用されていることが多く、通常は、電気伝導性に優れた銅または銅合金を使用するのが一般的である。 Lead frames used for electrical and electronic parts, for example, semiconductor devices, are often made of conductive strips (hereinafter referred to as conductive strips) as a base material due to the requirements of performance, shape and processing method. Generally, copper or a copper alloy having excellent electrical conductivity is generally used.
しかしながら、近年では、デバイスの低背化や小型化が進んできており、これに伴って、リードフレームに対しても薄肉化が要求されるようになり、例えば０．１０ｍｍ以下の極薄板厚のリードフレームを作製するには、基材として、高強度を有するステンレス鋼を用いるのが有用である。 However, in recent years, the height and size of devices have been reduced, and along with this, the lead frame is also required to be thinned. For example, an ultrathin plate thickness of 0.10 mm or less is required. In order to produce a lead frame, it is useful to use stainless steel having high strength as a base material.
例えば、特許文献１には、ステンレス鋼の基材上にＮｉめっきを施したリードフレームが開示されている。また、低背化に関わらず、リード部分が細長く形成されるような形状では、従来の銅合金では強度が足りずに変形してしまう恐れがあり、そのような用途においても、ステンレス鋼製のリードフレームを使用するのが好ましい。 For example, Patent Document 1 discloses a lead frame in which Ni plating is applied on a stainless steel base material. In addition, regardless of the height reduction, if the lead portion is formed to be elongated, the conventional copper alloy may be deformed due to insufficient strength, and even in such applications, it is made of stainless steel. It is preferable to use a lead frame.
さらに、コネクターやスイッチ、端子などの電気接点などの用途では、銅合金やステンレス鋼などの耐食性や機械的強度に優れる基材に、電気特性とはんだ付け性に優れる銀を被覆した複合接点材料が多用されている。このうち、基材にステンレス鋼を用いて表面に通電性を持たせる目的でＡｇめっきを施した可動接点部品は、基材に銅合金を用いたものに比べて、機械的特性や疲労寿命に優れるため、接点の小型化が可能になり、長寿命のタクティルプッシュスイッチや検出スイッチなどに適用可能であることを、例えば本出願人は、特許文献２において提案した。
Furthermore, for applications such as electrical contacts such as connectors, switches, and terminals, composite contact materials such as copper alloys and stainless steel coated with silver, which has excellent electrical properties and solderability, are used on a base material with excellent corrosion resistance and mechanical strength. It is often used. Of these, movable contact parts that are made of stainless steel as the base material and are Ag-plated for the purpose of making the surface conductive have better mechanical properties and fatigue life than those that use copper alloy as the base material. For example, the applicant has proposed in
表面にＡｇめっき等を形成しためっき付きステンレス鋼製基材を、電気接点などの用途に使用される場合、通常は、ステンレス鋼からなる条材上に、Ａｇめっき等を形成した後に、プレス加工により所望の形状に打ち抜くのが一般的である。 When a plated stainless steel base material having Ag plating or the like formed on its surface is used for applications such as electrical contacts, it is usually pressed after forming Ag plating or the like on a strip made of stainless steel. It is common to punch into a desired shape.
一方、表面にＡｇめっき等を形成しためっき付きステンレス鋼製基材を、リードフレームなどの用途に使用される場合、ステンレス鋼からなる条材上に、Ａｇめっき等を形成した後に、プレス加工により所望の形状に打ち抜く例もなくはないが、多くは、スタンピング法またはエッチング法にて、所望の形状に加工した後に、基材の表面にＡｇめっき等を形成する、いわゆる、後めっき法で行われている。 On the other hand, when a plated stainless steel base material having Ag plating or the like formed on its surface is used for a lead frame or the like, after Ag plating or the like is formed on a strip made of stainless steel, it is pressed. There is no example of punching into a desired shape, but most of them are performed by a so-called post-plating method in which Ag plating or the like is formed on the surface of a base material after being processed into a desired shape by a stamping method or an etching method. It has been plated.
特許文献１に記載のリードフレームのように、ステンレス鋼製の基材上に、例えば耐食性を有するＮｉめっきのみを形成した構成だと、ダイパッドに支持された半導体部品とインナーリードの接続に用いられるワイヤボンディング性が悪いといった問題がある。 Like the lead frame described in Patent Document 1, a configuration in which only Ni plating having corrosion resistance is formed on a stainless steel base material is used for connecting a semiconductor component supported by a die pad and an inner lead. There is a problem that the wire bonding property is poor.
そのため、リードフレームの表面に、Ｎｉめっきを形成した後に、ワイヤボンディング性が良いＡｇめっきを積層形成することも考えられるが、この場合、半導体デバイス製造時に樹脂封止を行うモールド工程で加熱を受け、表面から結晶粒界を通じて酸素が侵入し、Ａｇ／Ｎｉ界面が酸化され、界面から剥離するといった問題が新たに生じるおそれがある。 Therefore, it is conceivable that after Ni plating is formed on the surface of the lead frame, Ag plating having good wire bonding property is laminated and formed, but in this case, it is heated in the molding process of resin sealing at the time of manufacturing the semiconductor device. Oxygen may enter from the surface through the grain boundaries, and the Ag / Ni interface may be oxidized and peeled off from the interface.
また、ステンレス鋼製の条材を、スタンピング加工やエッチング加工を施した後に、いったんロールに巻き取り、その後、ロールから巻き出した条材（基材）に対して連続的にめっきが施される場合、搬送時における条材（基材）の反りによって、密着性が低下しやすく、また、基材の端面を十分に被覆していなかったため、基材の端面で、基材中のＦｅ成分の拡散により腐食変色が生じるといった問題もある。 In addition, the stainless steel strip is stamped or etched, then wound on a roll, and then the strip (base material) unwound from the roll is continuously plated. In this case, the adhesion is likely to decrease due to the warp of the strip material (base material) during transportation, and the end face of the base material is not sufficiently covered, so that the end face of the base material contains Fe components in the base material. There is also a problem that corrosion discoloration occurs due to diffusion.
そこで、本発明の目的は、クロム（Ｃｒ）およびニッケル（Ｎｉ）の少なくとも一種を含有する鉄基合金からなる板状のリードフレームの両面と端面のそれぞれに、適正な被膜を形成することにより、基材に対する被膜の密着性および加熱密着性に優れるとともに、ワイヤボンディング性および半田濡れ性にも優れ、さらに、端面での腐食変色も有効に抑制することができるリードフレーム材およびその製造方法ならびにリードフレームおよび電気電子部品を提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is to form appropriate coatings on both sides and end faces of a plate-shaped lead frame made of an iron-based alloy containing at least one of chromium (Cr) and nickel (Ni). A lead frame material that has excellent adhesion to the base material and heat adhesion, wire bonding and solder wettability, and can effectively suppress corrosion discoloration at the end face, its manufacturing method, and leads. To provide frames and electrical and electronic components.
上記目的を達成するため、本発明の要旨構成は、以下の通りである。
（１）クロム（Ｃｒ）およびニッケル（Ｎｉ）の少なくとも一種を含有する鉄基合金からなる板状の基材が、両面および端面を有し、前記基材の両面のうちの少なくとも片面に、ＮｉまたはＮｉ合金からなり、厚さが０．０５〜１．００μｍの範囲である第１のＮｉ系層と、銅（Ｃｕ）またはＣｕ合金からなり、厚さが０．０１〜０．３０μｍの範囲である第１のＣｕ系層と、銀（Ａｇ）またはＡｇ合金からなり、厚さが０．３０〜２．００μｍの範囲である第１のＡｇ系層とを順に積層形成してなる表面被膜を備え、前記基材の端面に、ＮｉまたはＮｉ合金からなる第２のＮｉ系層、ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２のＣｕ系層、および銀（Ａｇ）またはＡｇ合金からなる第２のＡｇ系層のうち、少なくとも第２のＮｉ系層を形成してなる端面被膜を備える、リードフレーム材。
（２）前記端面被膜が、前記第２のＮｉ系層と、前記第２のＣｕ系層と、前記第２のＡｇ系層とを順に積層形成してなる、上記（１）に記載のリードフレーム材。
（３）前記端面被膜の結晶粒径が、前記表面被膜の結晶粒径よりも大きい、上記（１）または（２）に記載のリードフレーム材。
（４）前記端面被膜の結晶粒径が、前記表面被膜の結晶粒径に対する比が、１．１〜２．０の範囲である、上記（３）に記載のリードフレーム材。
（５）前記基材の厚さが０．０２〜０．１０ｍｍである、上記（１）〜（４）のいずれか１項に記載のリードフレーム材。
（６）上記（１）〜（５）のいずれか１項に記載のリードフレーム材からなるリードフレーム。
（７）上記（６）に記載のリードフレームを有する電気電子部品。
（８）クロム（Ｃｒ）およびニッケル（Ｎｉ）の少なくとも一種を含有する鉄基合金からなる条材に、プレス加工またはエッチング加工を施すことによって、両面および端面を有するリードフレーム材用基材を形成する成形工程と、前記基材の両面のうちの少なくとも片面に、ＮｉまたはＮｉ合金からなり、厚さが０．０５〜１．００μｍの範囲である第１のＮｉ系層を形成する下地層形成工程と、前記第１のＮｉ系層上に、銅（Ｃｕ）またはＣｕ合金からなり、厚さが０．０１〜０．３０μｍの範囲である第１のＣｕ系層を形成する中間層形成工程と、前記第１のＣｕ系層上に、銀（Ａｇ）またはＡｇ合金からなり、厚さが０．３０〜２．００μｍの範囲である第１のＡｇ系層を形成する表層形成工程とを有し、前記下地層形成工程では、前記第１のＮｉ系層の形成だけではなく、前記基材の端面に、ＮｉまたはＮｉ合金からなる第２のＮｉ系層も形成する、リードフレーム材の製造方法。
（９）前記中間層形成工程では、前記第１のＣｕ系層の形成だけではなく、前記第２のＮｉ系層上に、ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２のＣｕ系層も形成し、かつ、前記表層形成工程では、前記第１のＡｇ系層の形成だけではなく、前記第２のＣｕ系層上に、ＡｇまたはＡｇ合金からなる第２のＡｇ系層も形成する、上記（８）に記載のリードフレーム材の製造方法。In order to achieve the above object, the gist structure of the present invention is as follows.
(1) A plate-shaped base material made of an iron-based alloy containing at least one of chromium (Cr) and nickel (Ni) has both sides and end faces, and Ni on at least one side of both sides of the base material. Alternatively, a first Ni-based layer made of a Ni alloy and having a thickness in the range of 0.05 to 1.00 μm and a copper (Cu) or Cu alloy having a thickness in the range of 0.01 to 0.30 μm. A surface coating formed by sequentially laminating a first Cu-based layer, which is made of silver (Ag) or Ag alloy, and a first Ag-based layer having a thickness in the range of 0.30 to 2.00 μm. A second Ni-based layer made of Ni or a Ni alloy, a second Cu-based layer made of Cu or a Cu alloy, and a second Ag made of silver (Ag) or an Ag alloy on the end face of the base material. A lead frame material having an end face coating formed by forming at least a second Ni-based layer among the system layers.
(2) The lead according to (1) above, wherein the end face coating is formed by laminating the second Ni-based layer, the second Cu-based layer, and the second Ag-based layer in this order. Frame material.
(3) The lead frame material according to (1) or (2) above, wherein the crystal grain size of the end face coating is larger than the crystal grain size of the surface coating.
(4) The lead frame material according to (3) above, wherein the ratio of the crystal grain size of the end face coating to the crystal grain size of the surface coating is in the range of 1.1 to 2.0.
(5) The lead frame material according to any one of (1) to (4) above, wherein the thickness of the base material is 0.02 to 0.10 mm.
(6) A lead frame made of the lead frame material according to any one of (1) to (5) above.
(7) An electrical / electronic component having the lead frame according to (6) above.
(8) A base material for a lead frame material having both sides and end faces is formed by pressing or etching a strip made of an iron-based alloy containing at least one of chromium (Cr) and nickel (Ni). And the formation of a base layer that forms a first Ni-based layer made of Ni or Ni alloy and having a thickness in the range of 0.05 to 1.00 μm on at least one of both sides of the base material. Step and intermediate layer forming step of forming a first Cu-based layer made of copper (Cu) or Cu alloy and having a thickness in the range of 0.01 to 0.30 μm on the first Ni-based layer. And a surface layer forming step of forming a first Ag-based layer made of silver (Ag) or Ag alloy and having a thickness in the range of 0.30 to 2.00 μm on the first Cu-based layer. A lead frame material that has, in the base layer forming step, not only forms the first Ni-based layer, but also forms a second Ni-based layer made of Ni or a Ni alloy on the end face of the base material. Production method.
(9) In the intermediate layer forming step, not only the first Cu-based layer is formed, but also a second Cu-based layer made of Cu or a Cu alloy is formed on the second Ni-based layer, and In the surface layer forming step, not only the first Ag-based layer is formed, but also a second Ag-based layer made of Ag or an Ag alloy is formed on the second Cu-based layer. The method for manufacturing a lead frame material according to.
本発明のリードフレーム材は、クロム（Ｃｒ）およびニッケル（Ｎｉ）の少なくとも一種を含有する鉄基合金からなる板状の基材が、両面および端面を有し、前記基材の両面のうちの少なくとも片面に、ＮｉまたはＮｉ合金からなり、厚さが０．０５〜１．００μｍの範囲である第１のＮｉ系層と、銅（Ｃｕ）またはＣｕ合金からなり、厚さが０．０１〜０．３０μｍの範囲である第１のＣｕ系層と、銀（Ａｇ）またはＡｇ合金からなり、厚さが０．３０〜２．００μｍの範囲である第１のＡｇ系層とを順に積層形成してなる表面被膜を備え、前記基材の端面に、ＮｉまたはＮｉ合金からなる第２のＮｉ系層、ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２のＣｕ系層、および銀（Ａｇ）またはＡｇ合金からなる第２のＡｇ系層のうち、少なくとも第２のＮｉ系層を形成してなる端面被膜を備えることにより、基材に対する被膜の密着性および加熱密着性に優れるとともに、ワイヤボンディング性および半田濡れ性にも優れ、さらに、端面での腐食変色も有効に抑制することができる。 In the lead frame material of the present invention, a plate-shaped base material made of an iron-based alloy containing at least one of chromium (Cr) and nickel (Ni) has both sides and end faces, and the lead frame material has both sides and end faces. On at least one side, a first Ni-based layer made of Ni or Ni alloy with a thickness in the range of 0.05 to 1.00 μm and copper (Cu) or Cu alloy with a thickness of 0.01 to 0.01 to A first Cu-based layer having a thickness in the range of 0.30 μm and a first Ag-based layer made of silver (Ag) or Ag alloy and having a thickness in the range of 0.30 to 2.00 μm are laminated in this order. A second Ni-based layer made of Ni or a Ni alloy, a second Cu-based layer made of Cu or a Cu alloy, and a silver (Ag) or Ag alloy from the end face of the base material. By providing an end face coating formed by forming at least a second Ni-based layer among the second Ag-based layers, the coating adhesion to the substrate and heat adhesion are excellent, and wire bonding property and solder wetting are also provided. It is also excellent in properties, and further, corrosion discoloration on the end face can be effectively suppressed.
また、本発明のリードフレーム材の製造方法は、クロム（Ｃｒ）およびニッケル（Ｎｉ）の少なくとも一種を含有する鉄基合金からなる条材に、プレス加工またはエッチング加工を施すことによって、両面および端面を有するリードフレーム材用基材を形成する成形工程と、前記基材の両面のうちの少なくとも片面に、ＮｉまたはＮｉ合金からなり、厚さが０．０５〜１．００μｍの範囲である第１のＮｉ系層を形成する下地層形成工程と、前記第１のＮｉ系層上に、銅（Ｃｕ）またはＣｕ合金からなり、厚さが０．０１〜０．３０μｍの範囲である第１のＣｕ系層を形成する中間層形成工程と、前記第１のＣｕ系層上に、銀（Ａｇ）またはＡｇ合金からなり、厚さが０．３０〜２．００μｍの範囲である第１のＡｇ系層を形成する表層形成工程とを有し、前記下地層形成工程では、前記第１のＮｉ系層の形成だけではなく、前記基材の端面に、ＮｉまたはＮｉ合金からなる第２のＮｉ系層も形成することにより、上述した顕著な効果を奏するリードフレーム材を製造することができる。 Further, in the method for producing a lead frame material of the present invention, a strip material made of an iron-based alloy containing at least one of chromium (Cr) and nickel (Ni) is pressed or etched to form both sides and end faces. A first step of forming a base material for a lead frame material having a thickness of 0.05 to 1.00 μm, which is made of Ni or Ni alloy on at least one of both sides of the base material. A first step of forming a base layer for forming a Ni-based layer, and a first layer made of copper (Cu) or a Cu alloy on the first Ni-based layer and having a thickness in the range of 0.01 to 0.30 μm. An intermediate layer forming step for forming a Cu-based layer, and a first Ag made of silver (Ag) or an Ag alloy on the first Cu-based layer and having a thickness in the range of 0.30 to 2.00 μm. It has a surface layer forming step of forming a system layer, and in the base layer forming step, not only the formation of the first Ni-based layer but also a second Ni made of Ni or a Ni alloy is formed on the end face of the base material. By forming the system layer as well, it is possible to manufacture a lead frame material having the above-mentioned remarkable effect.
さらに、本発明の電気電子部品は、上述したリードフレーム材を用いて作製したリードフレームを有することにより、例えば半導体デバイス製造時に樹脂封止を行うモールド工程で加熱を受けたとしても、リードフレームを構成する、基材に対する被膜の加熱密着性に優れており、また、ワイヤボンディング性および半田濡れ性にも優れ、さらに、端面での腐食変色も有効に抑制することができるため、信頼性が向上する。 Further, the electrical and electronic components of the present invention have a lead frame manufactured by using the above-mentioned lead frame material, so that the lead frame can be formed even if it is heated in a molding process of resin sealing at the time of manufacturing a semiconductor device, for example. The film has excellent heat adhesion to the base material, wire bonding and solder wettability, and corrosion discoloration on the end face can be effectively suppressed, resulting in improved reliability. To do.
以下、本発明のリードフレーム材の好ましい実施形態について、詳細に説明する。
＜リードフレーム材＞
本発明に従うリードフレーム材は、クロム（Ｃｒ）およびニッケル（Ｎｉ）の少なくとも一種を含有する鉄基合金からなる板状の基材が、両面および端面を有し、前記基材の両面のうちの少なくとも片面に、ＮｉまたはＮｉ合金からなり、厚さが０．０５〜１．００μｍの範囲である第１のＮｉ系層と、銅（Ｃｕ）またはＣｕ合金からなり、厚さが０．０１〜０．３０μｍの範囲である第１のＣｕ系層と、銀（Ａｇ）またはＡｇ合金からなり、厚さが０．３０〜２．００μｍの範囲である第１のＡｇ系層とを順に積層形成してなる表面被膜を備え、前記基材の端面に、ＮｉまたはＮｉ合金からなる第２のＮｉ系層、ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２のＣｕ系層、および銀（Ａｇ）またはＡｇ合金からなる第２のＡｇ系層のうち、少なくとも第２のＮｉ系層を形成してなる端面被膜を備える、リードフレーム材である。Hereinafter, preferred embodiments of the lead frame material of the present invention will be described in detail.
<Lead frame material>
In the lead frame material according to the present invention, a plate-shaped base material made of an iron-based alloy containing at least one of chromium (Cr) and nickel (Ni) has both sides and end faces, and the lead frame material has both sides and end faces. On at least one side, a first Ni-based layer made of Ni or Ni alloy with a thickness in the range of 0.05 to 1.00 μm and copper (Cu) or Cu alloy with a thickness of 0.01 to 0.01 to A first Cu-based layer having a thickness in the range of 0.30 μm and a first Ag-based layer made of silver (Ag) or Ag alloy and having a thickness in the range of 0.30 to 2.00 μm are laminated in this order. A second Ni-based layer made of Ni or a Ni alloy, a second Cu-based layer made of Cu or a Cu alloy, and a silver (Ag) or Ag alloy on the end face of the base material. A lead frame material having an end face coating formed by forming at least a second Ni-based layer among the second Ag-based layers.
図１は、本発明の一の実施形態であるリードフレーム材を示した概略平面図、図２は、図１のＩ−Ｉ線上の断面図、図３は、図２に示す四角枠で囲ったＸ断面領域のリードフレーム材の表面部分を拡大し、表面被膜の構成（積層構造）を模式的に示す断面図、そして、図４は、図２に示す四角枠で囲ったＹ断面領域のリードフレーム材の端面部分を拡大し、端面被膜の構成（積層構造）を模式的に示す断面図である。
図示するリードフレーム材１０は、半導体チップ（図示せず）を搭載するダイパッド１の周囲に、複数本のインナーリード２が互いに離隔して配置され、このインナーリード２はダムバー部３を介してアウターリード４と連結して構成されたものである。
リードフレーム材１０は、基材５と表面被膜６と端面被膜７とを主として備えている。1 is a schematic plan view showing a lead frame material according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. 1, and FIG. 3 is surrounded by a square frame shown in FIG. A cross-sectional view schematically showing the structure (laminated structure) of the surface coating by enlarging the surface portion of the lead frame material in the X cross-sectional region, and FIG. 4 shows the Y cross-sectional region surrounded by the square frame shown in FIG. It is sectional drawing which enlarges the end face part of the lead frame material, and shows typically the structure (laminated structure) of the end face coating.
In the
The
（基材）
基材５は、図３に示すように、表面８と裏面（図示せず）の２つの面である両面と、両面同士を連結する端面９とを有し、板状をなしている。基材５は、クロム（Ｃｒ）およびニッケル（Ｎｉ）の少なくとも一種を含有する鉄基合金からなっている。Ｎｉを含有する鉄基合金としては、例えば、４２アロイ（Ｆｅ−４２質量％Ｎｉ）等が挙げられ、また、Ｃｒ（およびＮｉ）を含有する鉄基合金としては、例えば、ＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０４等のステンレス鋼が挙げられる。(Base material)
As shown in FIG. 3, the
鉄基合金は、例えば０．１０ｍｍ以下の板厚まで薄肉化したリードフレームに使用される場合であっても、リードフレームとして十分な強度を有することが必要であることから、鉄基合金の引張強度としては、銅系合金の引張強度よりも高いことが好ましく、具体的には５２０ＭＰａ以上であることが好ましい。 Even when the iron-based alloy is used for a lead frame thinned to a plate thickness of 0.10 mm or less, for example, it is necessary to have sufficient strength as a lead frame. The strength is preferably higher than the tensile strength of the copper-based alloy, and specifically, it is preferably 520 MPa or more.
なお、基材５の厚さは、特に限定はしないが、デバイスの低背化や小型化に伴うリードフレームの薄肉化を図る観点から、０．０２〜０．１０ｍｍとすることが好ましく、好ましくは、０．０３ｍｍ〜０．０５ｍｍである。基材５の厚さが０．０２ｍｍ未満だと、リードフレームとして十分な強度が得られなくなるからである。
The thickness of the
（表面被膜）
表面被膜６は、基材５の両面のうちの少なくとも片面に形成され、基材５の両面のうちの少なくとも片面（図３では表面８）に、下地層である第１のＮｉ系層１１と、中間層である第１のＣｕ系層１２と、表層である第１のＡｇ系層１３とを順に積層することによって形成したものである。(Surface coating)
The
ところで、従来のリードフレーム材では、ステンレス鋼製の基材５の表面に、耐食性を有するＮｉ系層を形成しただけだと、ダイパッドに支持された半導体部品とインナーリードの接続に用いられるワイヤボンディング性が悪いといった欠点があった。そのため、ステンレス鋼製の基材５の表面に、Ｎｉ系層と、ワイヤボンディング性が良いＡｇ系層との２層で表面被膜を構成することが考えられるが、かかる構成を有する表面被膜を形成した場合には、半導体デバイス製造時に樹脂封止を行うモールド工程で加熱を受け、表面から結晶粒界を通じて酸素が侵入し、Ａｇ系層／Ｎｉ系層の界面が酸化され、界面から剥離する、いわゆる加熱剥離の問題があり、加えて、スタンピング加工やエッチング加工後にフープによって連続的にめっき加工がされる場合に搬送時の基材の反りによって密着性が低下するといった問題もあった。上記問題のうち、加熱剥離の問題は、表面側から侵入した酸素によってＮｉが酸化されることが直接の原因であると考えられる。
By the way, in the conventional lead frame material, if only a Ni-based layer having corrosion resistance is formed on the surface of a stainless
このため、本発明のリードフレーム材は、表面被膜を、第１のＮｉ系層１１と、第１のＣｕ系層１２と、第１のＡｇ系層１３とを順に積層して３層構造で形成することによって、第１のＡｇ系層１３／第１のＮｉ系層１１の界面にＡｇおよびＮｉとなじみのよい第１のＣｕ系層１２をバリア層（中間層）として設けることで、表面から侵入した酸素を、第１のＣｕ系層１２中のＣｕ原子でトラップして、第１のＮｉ系層１１の界面での酸化を有効に防止することができる結果として、加熱剥離が生じにくくなるとともに、搬送時の基材の反り等による密着性の低下も抑制することができる。
Therefore, the lead frame material of the present invention has a three-layer structure in which a first Ni-based
第１のＮｉ系層１１は、ＮｉまたはＮｉ合金からなっている。第１のＮｉ系層１１は、基材５から中間層１２への元素の熱拡散を防止し、優れた耐食性を付与するとともに、基材５と中間層１２との間の密着性を向上させることができる。Ｎｉ合金としては、特に限定されないが、例えばＮｉ−Ｐ系、Ｎｉ−Ｆｅ系などが挙げられる。
The first Ni-based
第１のＮｉ系層１１の厚さとしては、厚さが０．０５〜１．００μｍの範囲であることが必要である。厚さが０．０５μｍ未満だと、上述したように、耐食性や密着性の向上効果が十分に得られないからであり、また、厚さが１．００μｍ超えだと、チップ実装後にリード部分を曲げ加工して所望の形状に加工する際に、めっき割れの起点になるとともに、Ｎｉが、中間層である第１のＣｕ系層１２と、表層である第１のＡｇ系層１３中を拡散して、はんだ付け性を悪化させるからである。
The thickness of the first Ni-based
第１のＣｕ系層１２は、銅（Ｃｕ）またはＣｕ合金からなっている。第１のＣｕ系層１２は、第１のＮｉ系層１１と第１のＡｇ系層１３との間の密着性を向上させるために形成したものである。Ｎｉ系層１１とＣｕ系層１２との間、Ｃｕ系層１２とＡｇ系層１３との間で固溶体を形成することでＮｉ系層１１に直接Ａｇ系層１３を成膜した場合に比べて密着力を向上できる。Ｃｕ合金としては、特に限定されないが、例えばＣｕ−Ｚｎ系などが挙げられる。
The first Cu-based
第１のＣｕ系層１２の厚さとしては、厚さが０．０１〜０．３０μｍの範囲であることが必要である。厚さが０．０１μｍ未満だと、密着性の向上効果が十分に得られないからであり、また、厚さが０．３０μｍ超えだと、第１のＣｕ系層１２から第１のＡｇ系層１３へのＣｕ拡散が顕著になり、第１のＡｇ系層１３の変色などを引き起こすためである。
The thickness of the first Cu-based
第１のＡｇ系層１３は、銀（Ａｇ）またはＡｇ合金からなっている。第１のＡｇ系層１３は、電気特性やはんだ付け性、ワイヤボンディング性を向上させるために形成したものである。Ａｇ合金としては、特に限定されないが、例えばＡｇ−Ｓｎ系などが挙げられる。
The first Ag-based
第１のＡｇ系層１３の厚さとしては、厚さが０．３０〜２．００μｍの範囲であることが必要である。厚さが０．３０μｍ未満だと、電気特性やはんだ付け性の向上効果が十分に得られないからであり、また、厚さが２．００μｍ超えだと、めっき密着性が低下するためだからである。
The thickness of the first Ag-based
（端面被覆）
端面被膜７は、基材５の端面９に、ＮｉまたはＮｉ合金からなる第２のＮｉ系層、ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２のＣｕ系層（図示せず）、および銀（Ａｇ）またはＡｇ合金からなる第２のＡｇ系層（図示せず）のうち、少なくとも第２のＮｉ系層１４、図４では第２のＮｉ系層１４のみを形成したものである。従来のリードフレーム材では、基材の端面を十分に被覆していなかったため、基材中のＦｅ成分が、基材の端面まで拡散して腐食変色が生じるといった問題もあった。このため、本発明のリードフレーム材は、端面被膜７の形成により、また、基材５中のＦｅ成分が、基材５の端面９まで拡散しても、基材５の端面９が端面被膜７で完全に覆われているため、腐食変色を有効に抑制することが可能になる。(End face coating)
The
また、端面被膜７は、第２のＮｉ系層１４と、第２のＣｕ系層と、第２のＡｇ系層とを順に積層形成してなることが好ましい。このように端面被膜７を、第２のＮｉ系層１４と、第２のＣｕ系層と、第２のＡｇ系層とを順に積層形成して３層で構成することによって、腐食変色の抑制だけではなく、半田付け性をより一層向上させることができる。
Further, it is preferable that the
また、端面被膜７の結晶粒径ＤＥは、表面被膜６の結晶粒径ＤＳと同等以上にすることが好ましく、特に、表面被膜６の結晶粒径ＤＳよりも大きくすることがより好ましい。端面被膜７の結晶粒径ＤＥを、表面被膜６の結晶粒径ＤＳと同等以上にすることによって、めっき密着性が向上するとともに、表面へのＦｅ成分拡散を防止し、耐食性の向上が達成できる。端面被膜７の結晶粒径ＤＥは、具体的には表面被膜６の結晶粒径ＤＳに対する比（ＤＥ／ＤＳ比）が、１．１〜２．０の範囲であることが好適である。The crystal grain diameter D E of the
＜リードフレーム材の製造方法＞
次に、本発明のリードフレーム材の製造方法の一例を以下で説明する。
本発明のリードフレーム材の製造方法は、成形工程、脱脂工程、活性化工程、下地層形成工程、中間層形成工程および表層形成工程を少なくとも有する。なお、上述したいずれか一の工程と次の工程の間は、必要に応じて水洗工程を有するのが好ましい。<Manufacturing method of lead frame material>
Next, an example of the method for manufacturing the lead frame material of the present invention will be described below.
The method for producing a lead frame material of the present invention includes at least a molding step, a degreasing step, an activation step, a base layer forming step, an intermediate layer forming step, and a surface layer forming step. It is preferable to have a washing step as necessary between any one of the steps described above and the next step.
（成形工程）
成形工程は、クロム（Ｃｒ）およびニッケル（Ｎｉ）の少なくとも一種を含有する鉄基合金からなる条材に、プレス加工またはエッチング加工を施すことによって、両面および端面を有するリードフレーム材用基材を形成する。(Molding process)
In the molding process, a strip material made of an iron-based alloy containing at least one of chromium (Cr) and nickel (Ni) is pressed or etched to obtain a base material for a lead frame material having both sides and end faces. Form.
（脱脂工程）
脱脂工程は、
一例として、カソード電解脱脂工程で用いる液組成および処理条件を以下に示す。
［電解脱脂処理の液組成および処理条件］
処理液：オルソケイ酸ソーダ１００ｇ／リットル
処理温度：６０℃
陰極電流密度：２．５Ａ／ｄｍ２
処理時間：１０秒(Degreasing process)
The degreasing process is
As an example, the liquid composition and treatment conditions used in the cathode electrolytic degreasing step are shown below.
[Liquid composition and treatment conditions for electrolytic degreasing treatment]
Treatment liquid: Soda orthosilicate 100 g / liter Treatment temperature: 60 ° C
Cathode current density: 2.5A / dm 2
Processing time: 10 seconds
（活性化工程）
活性化工程は、
一例として、活性化工程で用いる液組成及び処理条件を以下に示す。
［活性化処理の液組成および処理条件］
処理液：１０％塩酸
処理温度：３０℃
浸漬処理時間：１０秒(Activation process)
The activation process is
As an example, the liquid composition and treatment conditions used in the activation step are shown below.
[Liquid composition and treatment conditions for activation treatment]
Treatment liquid: 10% hydrochloric acid Treatment temperature: 30 ° C
Immersion processing time: 10 seconds
（下地層形成工程）
下地層形成工程は、前記基材の両面のうちの少なくとも片面に、ＮｉまたはＮｉ合金からなり、厚さが０．０５〜１．００μｍの範囲である第１のＮｉ系層を形成する。
また、下地層形成工程では、前記第１のＮｉ系層の形成だけではなく、前記基材の端面に、ＮｉまたはＮｉ合金からなる第２のＮｉ系層も形成する。
一例として、下地層形成工程で用いる液組成および処理条件を以下に示す。(Underground layer forming process)
In the base layer forming step, a first Ni-based layer made of Ni or a Ni alloy and having a thickness in the range of 0.05 to 1.00 μm is formed on at least one of both surfaces of the base material.
Further, in the base layer forming step, not only the first Ni-based layer is formed, but also a second Ni-based layer made of Ni or a Ni alloy is formed on the end face of the base material.
As an example, the liquid composition and treatment conditions used in the base layer forming step are shown below.
［下地層形成処理の液組成および処理条件］
処理液：塩化ニッケル２５０ｇ／リットル、
遊離塩酸５０ｇ／リットル
処理温度：４０℃
電流密度：５Ａ／ｄｍ２
めっき厚：０．０１〜０．２μｍ
処理時間：めっき厚毎に時間を調整[Liquid composition and treatment conditions for base layer formation treatment]
Treatment liquid: Nickel chloride 250 g / liter,
Free hydrochloric acid 50 g / liter Treatment temperature: 40 ° C
Current density: 5A / dm 2
Plating thickness: 0.01-0.2 μm
Processing time: Adjust the time for each plating thickness
（中間層形成工程）
中間層形成工程は、前記第１のＮｉ系層上に、銅（Ｃｕ）またはＣｕ合金からなり、厚さが０．０１〜０．３０μｍの範囲である第１のＣｕ系層を形成する。(Intermediate layer forming process)
In the intermediate layer forming step, a first Cu-based layer made of copper (Cu) or a Cu alloy and having a thickness in the range of 0.01 to 0.30 μm is formed on the first Ni-based layer.
また、中間層形成工程では、前記第１のＣｕ系層の形成だけではなく、前記第２のＮｉ系層上に、ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２のＣｕ系層も形成することができる。
一例として、中間層形成工程で用いる液組成および処理条件を以下に示す。Further, in the intermediate layer forming step, not only the first Cu-based layer can be formed, but also a second Cu-based layer made of Cu or a Cu alloy can be formed on the second Ni-based layer.
As an example, the liquid composition and treatment conditions used in the intermediate layer forming step are shown below.
［中間層形成処理の液組成および処理条件］
処理液：硫酸銅１５０ｇ／リットル、
遊離硫酸１００ｇ／リットル、
遊離塩酸５０ｇ／リットル
処理温度：３０℃
電流密度：５Ａ／ｄｍ２
めっき厚：０．０５〜０．３μｍ
処理時間：めっき厚毎に時間を調整[Liquid composition and treatment conditions for intermediate layer formation treatment]
Treatment liquid: copper sulfate 150 g / liter,
Free sulfuric acid 100 g / liter,
Free hydrochloric acid 50 g / liter Treatment temperature: 30 ° C
Current density: 5A / dm 2
Plating thickness: 0.05 to 0.3 μm
Processing time: Adjust the time for each plating thickness
（表層形成工程）
表層形成工程は、前記第１のＣｕ系層上に、銀（Ａｇ）またはＡｇ合金からなり、厚さが０．３０〜２．００μｍの範囲である第１のＡｇ系層を形成する。
また、表層形成工程では、第１のＡｇ系層の形成だけではなく、第２のＣｕ系層上に、ＡｇまたはＡｇ合金からなる第２のＡｇ系層も形成することができる。
一例として、表層形成工程で用いる液組成および処理条件を以下に示す。(Surface layer forming process)
In the surface layer forming step, a first Ag-based layer made of silver (Ag) or an Ag alloy and having a thickness in the range of 0.30 to 2.00 μm is formed on the first Cu-based layer.
Further, in the surface layer forming step, not only the first Ag-based layer can be formed, but also the second Ag-based layer made of Ag or an Ag alloy can be formed on the second Cu-based layer.
As an example, the liquid composition and treatment conditions used in the surface layer forming step are shown below.
［表層形成処理の液組成および処理条件］
処理液：シアン化銀５０ｇ／リットル、
シアン化カリウム５０ｇ／リットル、
炭酸カリウム３０ｇ／リットル、
添加剤（ここではチオ硫酸ナトリウム ０．５ｇ／リットル）
処理温度：４０℃
電流密度：０．０５〜１５Ａ／ｄｍ２の範囲で変化させて結晶粒径を調整
めっき厚：０．５〜２．０μｍ
処理時間：めっき厚毎に時間を調整[Liquid composition and treatment conditions for surface layer formation treatment]
Treatment liquid: silver cyanide 50 g / liter,
Potassium cyanide 50 g / liter,
Potassium carbonate 30 g / liter,
Additive (here, sodium thiosulfate 0.5 g / liter)
Processing temperature: 40 ° C
Current density: Adjust the crystal grain size by changing in the range of 0.05 to 15 A / dm 2.
Plating thickness: 0.5-2.0 μm
Processing time: Adjust the time for each plating thickness
［その他の工程］
ところで、リードフレームに半導体チップを接続するダイボンディング用樹脂は、低弾性化に伴って、リードフレームに樹脂が染み出す、いわゆるエポキシブリードアウト（ＥＢＯ）と呼ばれる現象が生じやすく、ＥＢＯの発生により樹脂密着性が低下し、パッケージの信頼性低下の原因となる。
このため、このような場合には、表層形成工程後に、必要に応じて、エポキシブリードアウト防止処理（ＥＢＯ処理）工程を行ってもよい。[Other processes]
By the way, the die bonding resin for connecting a semiconductor chip to a lead frame tends to cause a phenomenon called epoxy bleed-out (EBO) in which the resin exudes to the lead frame as the elasticity is lowered. Adhesion is reduced, which causes a decrease in package reliability.
Therefore, in such a case, an epoxy bleed-out prevention treatment (EBO treatment) step may be performed after the surface layer forming step, if necessary.
＜リードフレーム材の用途＞
本発明のリードフレーム材の用途としては、例えば、上述したリードフレーム材からなるリードフレームを有し、例えばワイヤなどによって半導体素子（半導体チップ）に電気的に接続され、モールド樹脂によって封止して形成される樹脂封止型半導体デバイス（半導体パッケージ）のような電気電子部品が挙げられる。<Use of lead frame material>
As an application of the lead frame material of the present invention, for example, it has a lead frame made of the above-mentioned lead frame material, is electrically connected to a semiconductor element (semiconductor chip) by, for example, a wire, and is sealed with a mold resin. Examples thereof include electrical and electronic components such as resin-sealed semiconductor devices (semiconductor packages) that are formed.
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の概念および特許請求の範囲に含まれるあらゆる態様を含み、本発明の範囲内で種々に改変することができる。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, but includes all aspects included in the concept of the present invention and claims, and varies within the scope of the present invention. Can be modified to.
以下に、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited thereto.
（実施例１〜８）
実施例１〜８は、幅が１００ｍｍおよび厚さが表１に示す厚さであり、ＳＵＳ３０１からなる基材を、下記に示す製造方法Ａを行うことによって、表１に示すＮｉ/Ｃｕ/Ａｇの３層めっきからなる表面被膜、およびＮｉめっきのみからなる端面被膜を形成したリードフレーム材を作製した。表面被膜は、基材の両面に形成した。(Examples 1 to 8)
In Examples 1 to 8, the width is 100 mm and the thickness is the thickness shown in Table 1, and the base material made of SUS301 is subjected to the production method A shown below to obtain Ni / Cu / Ag shown in Table 1. A lead frame material having a surface coating made of three-layer plating and an end face coating made of only Ni plating was produced. The surface coating was formed on both sides of the base material.
［製造方法Ａ］
基材にスタンピング加工を施すことにより、所望のリードフレーム形状の基材に成形した後、電解脱脂工程、水洗工程、活性化工程、水洗工程、Ｎｉめっき（下地層）形成工程、水洗、Ｃｕめっき（中間層）形成工程、水洗工程、Ａｇめっき（表層）形成工程、水洗工程、水洗工程および乾燥工程を施す。[Manufacturing method A]
By stamping the base material, it is formed into a base material having a desired lead frame shape, and then electrolytic degreasing step, water washing step, activation step, water washing step, Ni plating (base layer) forming step, water washing, Cu plating. (Intermediate layer) forming step, washing step, Ag plating (surface layer) forming step, washing step, washing step and drying step are performed.
（実施例９〜１６）
実施例９〜１６は、幅が１００ｍｍおよび厚さが表１に示す厚さであり、表１に示す材質（種類）からなる基材を、下記に示す製造方法Ｂを行うことによって、表１に示すＮｉ/Ｃｕ/Ａｇの３層めっきからなる表面被膜、およびＮｉ/Ｃｕ/Ａｇの３層めっきからなる端面被膜を有するリードフレーム材を作製した。表面被膜は、基材の両面に形成した。(Examples 9 to 16)
In Examples 9 to 16, the width is 100 mm and the thickness is the thickness shown in Table 1, and the base material made of the material (type) shown in Table 1 is subjected to the production method B shown below to obtain Table 1. A lead frame material having a surface coating made of Ni / Cu / Ag three-layer plating and an end face coating made of Ni / Cu / Ag three-layer plating was produced. The surface coating was formed on both sides of the base material.
［製造方法Ｂ］
基材にスタンピング加工を施すことにより、所望のリードフレーム形状の基材に成形した後、電解脱脂工程、水洗工程、活性化工程、水洗工程、Ｎｉめっき（下地層）形成工程、水洗、Ｃｕめっき（中間層）形成工程、水洗工程、Ａｇめっき（表層）形成工程、水洗工程、エポキシブリードアウト防止処理（ＥＢＯ処理）工程、水洗工程および乾燥工程を施す。[Manufacturing method B]
By stamping the base material, it is formed into a base material having a desired lead frame shape, and then electrolytic degreasing step, water washing step, activation step, water washing step, Ni plating (base layer) forming step, water washing, Cu plating. (Intermediate layer) forming step, washing step, Ag plating (surface layer) forming step, washing step, epoxy bleed-out prevention treatment (EBO treatment) step, washing step and drying step are performed.
（実施例１７〜２４）
実施例１７〜２４は、幅が１００ｍｍおよび厚さが表１に示す厚さであり、表１に示す材質（種類）からなる基材を、下記に示す製造方法Ｃを行うことによって、表１に示すＮｉ/Ｃｕ/Ａｇの３層めっきからなる表面被膜、およびＮｉめっきのみまたはＮｉ/Ｃｕ/Ａｇの３層めっきからなる端面被膜を有するリードフレーム材を作製した。表面被膜は基材の両面に形成した。(Examples 17 to 24)
In Examples 17 to 24, the width is 100 mm and the thickness is the thickness shown in Table 1, and the base material made of the material (type) shown in Table 1 is subjected to the production method C shown below to obtain Table 1. A lead frame material having a surface coating made of Ni / Cu / Ag three-layer plating and an end face coating made of Ni plating only or Ni / Cu / Ag three-layer plating was prepared. The surface coating was formed on both sides of the base material.
［製造方法Ｃ］
基材にエッチング加工を施すことにより、所望のリードフレーム形状の基材に成形した後、電解脱脂工程、水洗工程、活性化工程、水洗工程、Ｎｉめっき（下地層）形成工程、水洗、Ｃｕめっき（中間層）形成工程、水洗工程、Ａｇめっき（表層）形成工程、水洗工程を施す。なお、必要に応じてエポキシブリードアウト防止処理（ＥＢＯ処理）工程と水洗工程を乾燥工程の前に行う。[Manufacturing method C]
After molding into a base material having a desired lead frame shape by etching the base material, electrolytic degreasing step, water washing step, activation step, water washing step, Ni plating (base layer) forming step, water washing, Cu plating (Intermediate layer) forming step, washing step, Ag plating (surface layer) forming step, washing step are performed. If necessary, the epoxy bleed-out prevention treatment (EBO treatment) step and the water washing step are performed before the drying step.
（比較例１）
比較例１は、幅が１００ｍｍおよび厚さが０．０５ｍｍであり、ＳＵＳ３０１からなる基材にスタンピング加工を施すことにより、所望のリードフレーム形状の基材に成形してリードフレーム材を作製した。このリードフレーム材は、表面被膜および端面被膜を有していない。(Comparative Example 1)
In Comparative Example 1, a lead frame material having a width of 100 mm and a thickness of 0.05 mm was formed into a base material having a desired lead frame shape by stamping a base material made of SUS301. This lead frame material has no surface coating and end face coating.
（比較例２および３）
比較例２および比較例３は、幅が１００ｍｍおよび厚さが０．０５ｍｍであり、ＳＵＳ３０１からなる基材を、上記に示す製造方法Ａを行うことによって、表１に示すＮｉ単層めっきからなる表面被膜、およびＮｉ単層めっきからなる端面被膜を有するリードフレーム材を作製した。表面被膜は基材の両面に形成した。(Comparative Examples 2 and 3)
Comparative Examples 2 and 3 have a width of 100 mm and a thickness of 0.05 mm, and the base material made of SUS301 is made of Ni single-layer plating shown in Table 1 by performing the manufacturing method A shown above. A lead frame material having a surface coating and an end face coating composed of Ni single-layer plating was produced. The surface coating was formed on both sides of the base material.
（比較例４〜１１）
比較例４〜１１は、幅が１００ｍｍおよび厚さが０．０５ｍｍであり、ＳＵＳ３０１からなる基材を、上記に示す製造方法Ｂを行い、比較例４〜７が、表１に示す表面被膜および端面被膜を有するリードフレーム材、比較例８〜１１が、表１に示す表面被膜を有し、端面被膜は形成しないリードフレーム材を作製した。表面被膜は基材の両面に形成した。(Comparative Examples 4 to 11)
Comparative Examples 4 to 11 have a width of 100 mm and a thickness of 0.05 mm, and a substrate made of SUS301 is subjected to the production method B shown above, and Comparative Examples 4 to 7 show the surface coating and the surface coating shown in Table 1. Lead frame materials having an end face coating, Comparative Examples 8 to 11, produced lead frame materials having the surface coating shown in Table 1 and not forming an end face coating. The surface coating was formed on both sides of the base material.
（比較例１２および１３）
比較例１２および１３は、幅が１００ｍｍおよび厚さが０．０５ｍｍであり、ＳＵＳ３０１からなる基材を、上記に示す製造方法Ｃを行うことによって、表１に示すＮｉ/Ｃｕ/Ａｇの３層めっきからなる表面被膜を有するリードフレーム材を作製した。このリードフレーム材は、端面被膜を有していない。表面被膜は基材の両面に形成した。(Comparative Examples 12 and 13)
Comparative Examples 12 and 13 have a width of 100 mm and a thickness of 0.05 mm, and a base material made of SUS301 was subjected to the production method C shown above to obtain three layers of Ni / Cu / Ag shown in Table 1. A lead frame material having a surface coating made of plating was produced. This lead frame material does not have an end face coating. The surface coating was formed on both sides of the base material.
（比較例１４〜１９）
比較例１４〜１９は、幅が１００ｍｍおよび厚さが０．０５ｍｍであり、ＳＵＳ３０１からなる基材を、上記に示す製造方法Ｂを行うことによって、表１に示す表面被膜および端面被膜を有するリードフレーム材を作製した。表面被膜は基材の両面に形成した。(Comparative Examples 14 to 19)
In Comparative Examples 14 to 19, a lead having a width of 100 mm and a thickness of 0.05 mm and having a surface coating and an end face coating shown in Table 1 by subjecting a substrate made of SUS301 to the production method B shown above. A frame material was produced. The surface coating was formed on both sides of the base material.
作製した上記各供試材（リードフレーム材）について下記の性能評価を行った。 The following performance evaluation was performed on each of the above-mentioned test materials (lead frame materials) produced.
＜評価方法＞
（各被膜の結晶粒径の算出方法）
めっき皮膜の結晶粒径の測定は、断面試料作製装置（クロスセクションポリッシャ：日本電子株式会社製）にてリードフレームに対して垂直断面試料を作製し、電子線後方散乱回折法（EBSD：Electron Backscatter Diffraction）にて観察し、面積法にて求める。具体的には視野範囲内に２０個以上の結晶粒が入るような矩形測定領域を設定し、矩形測定領域を区画する縦横の線分から、矩形測定領域の面積を求める。次に、矩形測定領域内にある結晶粒は、矩形測定領域を区画する縦横の線分で分断されていない結晶粒を１個と数え、矩形測定領域を区画する線分で分断された結晶粒を１／２個と数え、矩形測定領域の面積を、矩形測定領域内で数えた結晶粒の個数の総和で除することにより、結晶粒１個当たりの平均（断）面積を算出する。そして、平均（断）面積から、結晶粒が真円形状であるとしたときの直径を結晶粒径（μｍ）として算出した。各被膜の結晶粒径を表１に示す。<Evaluation method>
(Calculation method of crystal grain size of each film)
To measure the crystal grain size of the plating film, prepare a cross-section sample perpendicular to the lead frame with a cross-section sample preparation device (cross-section polisher: manufactured by Nippon Denshi Co., Ltd.), and perform electron backscatter diffraction (EBSD). Observe by Diffraction) and obtain by the area method. Specifically, a rectangular measurement area is set so that 20 or more crystal grains can be contained in the visual field range, and the area of the rectangular measurement area is obtained from the vertical and horizontal line segments that divide the rectangular measurement area. Next, the crystal grains in the rectangular measurement area are counted as one crystal grain that is not divided by the vertical and horizontal line segments that divide the rectangular measurement area, and the crystal grains that are divided by the line segment that divides the rectangular measurement area. Is counted as 1/2, and the area of the rectangular measurement area is divided by the total number of crystal grains counted in the rectangular measurement area to calculate the average (cut) area per crystal grain. Then, from the average (cut) area, the diameter when the crystal grains were assumed to have a perfect circular shape was calculated as the crystal grain size (μm). The crystal grain size of each coating is shown in Table 1.
（各（めっき）層の厚さの測定方法）
各供試材に形成した、表面被膜を構成する各層（下地層、中間層、表層）の厚さは、
蛍光Ｘ線膜厚計（日立ハイテクサイエンス：ＦＴ９４００）で測定する他に、断面試料作製装置（クロスセクションポリッシャ：日本電子株式会社製）にてリードフレームに対して垂直断面試料を作製し、電子線後方散乱回折法（EBSD：Electron Backscatter Diffraction）にて観察し、直接間接法により測定した。また、端面被膜は、表面被膜の各層の厚さと同様の測定方法で、合計厚さとして測定した。(Measuring method of thickness of each (plating) layer)
The thickness of each layer (base layer, intermediate layer, surface layer) forming the surface coating formed on each test material is
In addition to measuring with a fluorescent X-ray film thickness meter (Hitachi High-Tech Science: FT9400), a cross-section sample preparation device (cross section polisher: manufactured by Nippon Denshi Co., Ltd.) is used to prepare a cross-section sample perpendicular to the lead frame, and an electron beam is used. It was observed by the backscatter diffraction method (EBSD) and measured by the direct indirect method. The end face coating was measured as the total thickness by the same measuring method as the thickness of each layer of the surface coating.
（性能評価）
［密着性］
密着性は、乾燥工程後のサンプルに対してＪＩＳ Ｈ ８５０４：１９９９で規定する引き剥がし試験を行い、基材に対する表面被膜の剥離が認められない場合を「〇」、基材に対する表面被膜の剥離が認められる場合を「×」として評価した。密着性の評価結果を表１に示す。(Performance evaluation)
[Adhesion]
For the adhesion, the peeling test specified in JIS H 8504: 1999 was performed on the sample after the drying step, and when the peeling of the surface coating on the base material was not observed, "○" was given, and the peeling of the surface coating on the base material was performed. Was evaluated as "x". The evaluation results of adhesion are shown in Table 1.
［加熱密着性］
加熱密着性は、３００℃に設定した大気加熱炉中で５分の条件で加熱を行い、そののちにＪＩＳ Ｈ ８５０４：１９９９で規定する引き剥がし試験を行い、基材に対する表面被膜の剥離が認められない場合を「〇」、基材に対する表面被膜の剥離が認められる場合を「×」として評価した。また、加熱密着性の評価で「〇」であったサンプルについては、さらに、３５０℃に設定した大気加熱炉中で５分の条件で加熱を行い、基材に対する表面被膜の剥離が認められない場合を「◎」として評価した。加熱密着性の評価結果を表１に示す。[Heat adhesion]
For heat adhesion, heating was performed in an atmospheric heating furnace set at 300 ° C. for 5 minutes, and then a peeling test specified in JIS H8504: 1999 was conducted, and peeling of the surface coating on the substrate was observed. The case where it was not possible was evaluated as "◯", and the case where peeling of the surface coating on the substrate was observed was evaluated as "x". In addition, the sample that was "○" in the evaluation of heat adhesion was further heated in an atmospheric heating furnace set at 350 ° C. under the condition of 5 minutes, and no peeling of the surface coating on the substrate was observed. The case was evaluated as "◎". Table 1 shows the evaluation results of heat adhesion.
［ワイヤボンディング（ＷＢ）性］
ワイヤボンディング（ＷＢ）性は、樹脂モールド工程における熱履歴を模擬して１５０℃に設定したエアバス中で３時間の大気加熱を行った後、下記の条件にてワイヤボンディングを１０点実施する。１０点テスト後に接合強度測定を行い、その（強度−３σ）の値が２９．４ｍＮ以上のものを「優」と判定して、表１中に「◎」印を付し、２９．４ｍＮ未満であるがエラー無く接合可能なものを「良」と判定して、表１中に「○」印を付し、そして、１点でもエラーが発生するかもしくはまったく接合しないものを「不可」と判定して、表１中に「×」印を付した。
＜ワイヤボンディング性の測定条件＞
ワイヤボンダ：ＳＷＢ−ＦＡ−ＣＵＢ−１０、（株）新川製
ワイヤ：２５μｍ 金ワイヤボンディング温度：１５０℃
キャピラリ：１５７０−１５−４３７ＧＭ
１ｓｔ条件：１０ｍｓｅｃ．、４５Ｂｉｔ、４５ｇ
２ｎｄ条件：１０ｍｓｅｃ．、１００Ｂｉｔ、１３０ｇ
ワイヤボンディング（ＷＢ）性は、「○」以上である場合を、実用レベルであるとして評価した。[Wire bonding (WB) property]
As for the wire bonding (WB) property, 10 points of wire bonding are carried out under the following conditions after performing atmospheric heating for 3 hours in an air bath set at 150 ° C. by simulating the heat history in the resin molding process. After the 10-point test, the joint strength was measured, and those with a value of (strength-3σ) of 29.4 mN or more were judged as "excellent", marked with "◎" in Table 1, and less than 29.4 mN. However, those that can be joined without error are judged as "good", marked with "○" in Table 1, and those that cause an error at even one point or do not join at all are marked as "impossible". Judgment was made, and an "x" mark was added in Table 1.
<Measurement conditions for wire bonding>
Wire bonder: SWB-FA-CUB-10, Shinkawa Co., Ltd. Wire: 25 μm Gold wire bonding temperature: 150 ° C
Capillaries: 1570-15-437GM
1st condition: 10 msec. , 45 Bit, 45 g
2nd condition: 10 msec. , 100 Bit, 130 g
The wire bonding (WB) property was evaluated as being at a practical level when it was “◯” or higher.
［はんだ濡れ性］
はんだ濡れ性は、樹脂モールド工程における熱履歴を模擬して、大気加熱炉中で３時間の加熱を行った後、ソルダーチェッカー（ＳＡＴ−５１００（商品名、（株）レスカ製））を用いてはんだ濡れ時間を評価した。測定条件の詳細は、以下の条件とし、はんだ濡れ時間が３秒未満である場合を「優」であると判定し、「◎」印を付し、３秒以上１０秒未満であるものを「良」であると判定し、「○」印を付し、そして、１０秒以上浸漬してもはんだが濡れ上がらず接合しなかったものをなかったものを「不可」と判定し、「×」印を付した。
＜半田濡れ性の測定条件＞
はんだ種類：Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ
温度：２５０℃
フラックス：イソプロピルアルコール−２５％ロジン
浸漬速度：２５ｍｍ／ｓｅｃ．
浸漬時間：１０秒
浸漬深さ：１０ｍｍ
はんだ濡れ性は、「○」以上である場合を、実用レベルであるとして評価した。[Solder wettability]
For solder wettability, the heat history in the resin molding process is simulated, and after heating in an atmospheric heating furnace for 3 hours, a solder checker (SAT-5100 (trade name, manufactured by Resuka Co., Ltd.)) is used. The solder wetting time was evaluated. The details of the measurement conditions are as follows. If the solder wetting time is less than 3 seconds, it is judged to be "excellent", marked with "◎", and if it is 3 seconds or more and less than 10 seconds, it is "excellent". It is judged as "good", marked with "○", and if there is no solder that does not get wet and does not join even after being immersed for 10 seconds or more, it is judged as "impossible" and "x". Marked.
<Solder wettability measurement conditions>
Solder type: Sn-3Ag-0.5Cu
Temperature: 250 ° C
Flux: Isopropyl alcohol-25% Rosin Immersion rate: 25 mm / sec.
Immersion time: 10 seconds Immersion depth: 10 mm
When the solder wettability was "○" or higher, it was evaluated as a practical level.
［端面での耐食性（端面変色）］
端面での耐食性（端面変色）は、めっき後もしくはチップ実装後のリードフレームに対して、１０５℃で１００％ＲＨのプレッシャクッカー試験を９６時間実施し、端面をデジタルマイクロスコープで拡大して観察する。端面での変色がなかった場合を「〇」、端面での変色があった場合を「×」として評価した。表１に端面変色を評価した結果を示す。[Corrosion resistance on end face (end face discoloration)]
For corrosion resistance (end face discoloration) on the end face, a pressure cooker test of 100% RH at 105 ° C. is carried out for 96 hours on the lead frame after plating or chip mounting, and the end face is magnified and observed with a digital microscope. .. The case where there was no discoloration on the end face was evaluated as "○", and the case where there was discoloration on the end face was evaluated as "x". Table 1 shows the results of evaluating the end face discoloration.
表１に示す結果から、基材に、第１のＮｉ系層、第１のＣｕ系層および第１のＡｇ系層の３層からなる表面被膜と、第２のＮｉ系層の１層、または第２のＮｉ系層、第２のＣｕ系層および第２のＡｇ系層の３層からなる端面被膜とを形成した実施例１〜２４はいずれも、密着性、加熱密着性、ワイヤボンディング性（ＷＢ性）、半田濡れ性および端面変色が合格レベルであることがわかる。
一方、基材（ＳＵＳ３０１）のみからなり、表面被膜および端面被膜を形成しない比較例１のリードフレーム材は、ワイヤボンディング性（ＷＢ性）、半田濡れ性および端面変色がいずれも劣っていた。
基材（ＳＵＳ３０１）に、第１のＮｉ系層の１層のみからなる表面被膜と、第２のＮｉ系層の１層のみからなる端面被膜とを形成した比較例２および３のリードフレーム材は、いずれもＷＢ性および半田濡れ性が劣っていた。
基材（ＳＵＳ３０１）に、第１のＮｉ系層および第１のＡｇ系層の２層からなる表面被膜と、第２のＮｉ系層および第２のＡｇ系層の２層からなる端面被膜とを形成した比較例４〜７のリードフレーム材は、いずれも加熱密着性が劣っていた。
基材（ＳＵＳ３０１）に、第１のＮｉ系層および第１のＣｕ系層を形成せずに、第１のＡｇ系層のみからなる表面被膜を形成し、端面被膜は形成しない比較例８および９のリードフレーム材、および、基材（ＳＵＳ３０１）に、第１のＮｉ系層を形成せずに、第１のＣｕ系層および第１のＡｇ系層の２層からなる表面被膜を形成し、端面被膜は形成しない比較例１０および１１のリードフレーム材は、いずれも密着性、加熱密着性およびワイヤボンディング性（ＷＢ性）が劣り、加えて、端面変色が生じていた。
基材（ＳＵＳ３０１）に、第１のＮｉ系層、第１のＣｕ系層および第１のＡｇ系層の３層からなる表面被膜を形成し、端面被膜は形成しない比較例１２および１３のリードフレーム材は、いずれも端面変色が生じていた。
基材（ＳＵＳ３０１）に、第１のＮｉ系層、第１のＣｕ系層および第１のＡｇ系層の３層からなる表面被膜と、第２のＮｉ系層、第２のＣｕ系層および第２のＡｇ系層の３層からなる端面被膜を形成したものの、表面被膜を構成する、第１のＮｉ系層、第１のＣｕ系層および第１のＡｇ系層のいずれかの層の厚さが適正範囲外である比較例１４〜１９のリードフレーム材は、密着性、加熱密着性、ワイヤボンディング性（ＷＢ性）、半田濡れ性および端面変色の少なくとも一つの特性が劣っていた。From the results shown in Table 1, the base material includes a surface coating composed of three layers, a first Ni-based layer, a first Cu-based layer, and a first Ag-based layer, and one layer of the second Ni-based layer. Alternatively, all of Examples 1 to 24 in which an end face coating composed of three layers of a second Ni-based layer, a second Cu-based layer, and a second Ag-based layer are formed have adhesion, heat adhesion, and wire bonding. It can be seen that the properties (WB properties), solder wettability, and end face discoloration are acceptable levels.
On the other hand, the lead frame material of Comparative Example 1 composed of only the base material (SUS301) and not forming the surface coating and the end face coating was inferior in wire bonding property (WB property), solder wettability and end face discoloration.
Lead frame materials of Comparative Examples 2 and 3 in which a surface coating consisting of only one layer of the first Ni-based layer and an end face coating consisting of only one layer of the second Ni-based layer were formed on the base material (SUS301). Was inferior in WB property and solder wettability.
The base material (SUS301) has a surface coating composed of two layers of a first Ni-based layer and a first Ag-based layer, and an end face coating composed of two layers of a second Ni-based layer and a second Ag-based layer. The lead frame materials of Comparative Examples 4 to 7 in which the above was formed were all inferior in heat adhesion.
Comparative Example 8 and Comparative Example 8 in which a surface coating consisting of only the first Ag-based layer was formed without forming the first Ni-based layer and the first Cu-based layer on the base material (SUS301), and no end face coating was formed. A surface coating composed of two layers, a first Cu-based layer and a first Ag-based layer, is formed on the
Leads of Comparative Examples 12 and 13 in which a surface coating composed of three layers of a first Ni-based layer, a first Cu-based layer and a first Ag-based layer was formed on the base material (SUS301), and no end face coating was formed. All of the frame materials had end face discoloration.
On the base material (SUS301), a surface coating composed of three layers, a first Ni-based layer, a first Cu-based layer, and a first Ag-based layer, a second Ni-based layer, a second Cu-based layer, and Although an end face coating composed of three layers of the second Ag-based layer was formed, any one of the first Ni-based layer, the first Cu-based layer, and the first Ag-based layer constituting the surface coating. The lead frame materials of Comparative Examples 14 to 19 having a thickness outside the appropriate range were inferior in at least one property of adhesion, heat adhesion, wire bonding (WB property), solder wettability, and end face discoloration.
１ ダイパッド
２ インナーリード
３ ダムバー部
４ アウターリード
５ 基材
６ 表面被膜
７ 端面被膜
８ 基材の表面
９ 基材の端面
１０ リードフレーム材
１１ 第１のＮｉ系層
１２ 第１のＣｕ系層
１３ 第１のＡｇ系層
１４ 第２のＮｉ系層1
Claims (9)
前記基材の両面のうちの少なくとも片面に、
ＮｉまたはＮｉ合金からなり、厚さが０．０５〜１．００μｍの範囲である第１のＮｉ系層と、
銅（Ｃｕ）またはＣｕ合金からなり、厚さが０．０１〜０．３０μｍの範囲である第１のＣｕ系層と、
銀（Ａｇ）またはＡｇ合金からなり、厚さが０．３０〜２．００μｍの範囲である第１のＡｇ系層とを順に積層形成してなる表面被膜を備え、
前記基材の端面に、
ＮｉまたはＮｉ合金からなる第２のＮｉ系層、ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２のＣｕ系層、および銀（Ａｇ）またはＡｇ合金からなる第２のＡｇ系層のうち、少なくとも第２のＮｉ系層を形成してなる端面被膜を備える、リードフレーム材。A plate-like substrate made of an iron-based alloy containing at least one of chromium (Cr) and nickel (Ni) has both sides and end faces.
On at least one of the two sides of the substrate,
A first Ni-based layer made of Ni or a Ni alloy and having a thickness in the range of 0.05 to 1.00 μm, and
A first Cu-based layer made of copper (Cu) or Cu alloy and having a thickness in the range of 0.01 to 0.30 μm,
A surface coating made of silver (Ag) or an Ag alloy and formed by sequentially laminating a first Ag-based layer having a thickness in the range of 0.30 to 2.00 μm is provided.
On the end face of the base material,
At least the second Ni of the second Ni-based layer made of Ni or Ni alloy, the second Cu-based layer made of Cu or Cu alloy, and the second Ag-based layer made of silver (Ag) or Ag alloy. A lead frame material having an end face coating formed by forming a system layer.
前記基材の両面のうちの少なくとも片面に、ＮｉまたはＮｉ合金からなり、厚さが０．０５〜１．００μｍの範囲である第１のＮｉ系層を形成する下地層形成工程と、
前記第１のＮｉ系層上に、銅（Ｃｕ）またはＣｕ合金からなり、厚さが０．０１〜０．３０μｍの範囲である第１のＣｕ系層を形成する中間層形成工程と、
前記第１のＣｕ系層上に、銀（Ａｇ）またはＡｇ合金からなり、厚さが０．３０〜２．００μｍの範囲である第１のＡｇ系層を形成する表層形成工程と
を有し、
前記下地層形成工程では、前記第１のＮｉ系層の形成だけではなく、前記基材の端面に、ＮｉまたはＮｉ合金からなる第２のＮｉ系層も形成する、リードフレーム材の製造方法。A molding step of forming a base material for a lead frame material having both sides and end faces by pressing or etching a strip made of an iron-based alloy containing at least one of chromium (Cr) and nickel (Ni). When,
A base layer forming step of forming a first Ni-based layer made of Ni or a Ni alloy and having a thickness in the range of 0.05 to 1.00 μm on at least one of both sides of the base material.
An intermediate layer forming step of forming a first Cu-based layer made of copper (Cu) or a Cu alloy and having a thickness in the range of 0.01 to 0.30 μm on the first Ni-based layer.
It has a surface layer forming step of forming a first Ag-based layer made of silver (Ag) or Ag alloy and having a thickness in the range of 0.30 to 2.00 μm on the first Cu-based layer. ,
A method for producing a lead frame material, wherein in the base layer forming step, not only the first Ni-based layer is formed, but also a second Ni-based layer made of Ni or a Ni alloy is formed on the end face of the base material.
前記表層形成工程では、前記第１のＡｇ系層の形成だけではなく、前記第２のＣｕ系層上に、ＡｇまたはＡｇ合金からなる第２のＡｇ系層も形成する、請求項８に記載のリードフレーム材の製造方法。In the intermediate layer forming step, not only the first Cu-based layer is formed, but also a second Cu-based layer made of Cu or a Cu alloy is formed on the second Ni-based layer, and
The eighth aspect of the present invention, wherein in the surface layer forming step, not only the first Ag-based layer is formed, but also a second Ag-based layer made of Ag or an Ag alloy is formed on the second Cu-based layer. How to manufacture lead frame material.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019096481 | 2019-05-23 | ||
| JP2019096481 | 2019-05-23 | ||
| PCT/JP2020/017505 WO2020235292A1 (en) | 2019-05-23 | 2020-04-23 | Lead frame member, manufacturing method thereof, lead frame and electrical or electronic component |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP6827150B1 JP6827150B1 (en) | 2021-02-10 |
| JPWO2020235292A1 true JPWO2020235292A1 (en) | 2021-06-10 |
Family
ID=73458398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020542341A Active JP6827150B1 (en) | 2019-05-23 | 2020-04-23 | Lead frame material and its manufacturing method, lead frame and electrical and electronic parts |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6827150B1 (en) |
| WO (1) | WO2020235292A1 (en) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5936426B2 (en) * | 1978-03-31 | 1984-09-04 | ヤマハ株式会社 | IC lead frame |
| JP2005174788A (en) * | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Push-on switch |
| CN102667989B (en) * | 2010-02-12 | 2016-05-04 | 古河电气工业株式会社 | Silver-clad composite material, its manufacture method and movable contact component for movable contact component |
| JP2011187687A (en) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Panasonic Corp | Lead frame for semiconductor device, and method of manufacturing the same |
-
2020
- 2020-04-23 WO PCT/JP2020/017505 patent/WO2020235292A1/en active Application Filing
- 2020-04-23 JP JP2020542341A patent/JP6827150B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020235292A1 (en) | 2020-11-26 |
| JP6827150B1 (en) | 2021-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI411081B (en) | Lead frame and method for manufacturing the same | |
| JP4402132B2 (en) | Reflow Sn plating material and electronic component using the same | |
| JP4940081B2 (en) | Reflow Sn plating material and electronic component using the same | |
| JP6789965B2 (en) | Lead frame material and its manufacturing method | |
| JP5578960B2 (en) | Lead frame for optical semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2020155748A (en) | Lead frame | |
| WO2017179447A1 (en) | Lead frame material and method for producing same | |
| WO2018123708A1 (en) | Lead frame member and method for manufacturing same, and semiconductor package | |
| JP6685112B2 (en) | Lead frame, lead frame package, and manufacturing method thereof | |
| JP2024024647A (en) | Metal component | |
| JP2008088477A (en) | Reflow-sn-plated copper alloy material having excellent whisker resistance | |
| KR102565186B1 (en) | Conductive materials, molded articles and electronic components | |
| JP6827150B1 (en) | Lead frame material and its manufacturing method, lead frame and electrical and electronic parts | |
| JP7119574B2 (en) | Lead frame and manufacturing method thereof | |
| JP7032239B2 (en) | Lead frame material and its manufacturing method and semiconductor package | |
| JPH10284667A (en) | Material for electric electronic device component having superior corrosion resistance and oxidation resistance | |
| JP2020155749A (en) | Lead frame | |
| JP6805217B2 (en) | Conductive materials, molded products and electronic components | |
| JPS61201762A (en) | Manufacture of bar material for electronic equipment part | |
| JPH048883B2 (en) | ||
| JP2020155747A (en) | Lead frame | |
| JP2020155746A (en) | Lead frame | |
| JP2024101669A (en) | Metal component | |
| JP2022085602A (en) | Plating material and electronic component | |
| JPH0987899A (en) | Production of copper alloy material for electronic apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200804 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20200804 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20200828 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200908 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201222 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210118 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6827150 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |