JP2024024647A - metal parts - Google Patents

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Abstract

【課題】高温環境下での半導体装置の信頼性を向上させる金属部品を提供する。【解決手段】金属部品１は、半導体装置の製造に用いられる金属部品であって、導電性を有する基材２と、基材の表面２ａの全面または一部に形成される貴金属めっき層３と、を備える。貴金属めっき層は、表面３ａに凹凸形状を有し、凹凸形状における凸部３ｂのアスペクト比が０．３以上である。【選択図】図２The present invention provides a metal component that improves the reliability of a semiconductor device in a high-temperature environment. A metal component 1 is a metal component used in manufacturing a semiconductor device, and includes a conductive base material 2 and a noble metal plating layer 3 formed on the entire surface or a part of a surface 2a of the base material. , is provided. The noble metal plating layer has an uneven shape on the surface 3a, and the aspect ratio of the convex portions 3b in the uneven shape is 0.3 or more. [Selection diagram] Figure 2

Description

開示の実施形態は、金属部品に関する。 TECHNICAL FIELD The disclosed embodiments relate to metal parts.

従来、半導体装置の製造に用いられるリードフレーム等の金属部品において、金属基材の表面の一部または全面に貴金属めっき層を形成する技術が知られている。中でも、Ｃｕを主体とした金属基材の一部にＡｇめっき層を形成した金属部品は、高い放熱性と導電性から、信頼性が要求される半導体装置に広く採用されている（特許文献１参照）。 2. Description of the Related Art Conventionally, in metal parts such as lead frames used in the manufacture of semiconductor devices, a technique is known in which a noble metal plating layer is formed on a part or the entire surface of a metal base material. Among these, metal parts in which an Ag plating layer is formed on a part of a metal base material mainly made of Cu are widely used in semiconductor devices that require reliability due to their high heat dissipation and conductivity (Patent Document 1) reference).

特開平０５－００３２７７号公報Japanese Patent Application Publication No. 05-003277

半導体装置は、半導体素子や金属部品等を樹脂で封止しており、金属と樹脂との界面が存在している。金属と樹脂とでは熱膨張係数が大きく異なるため、実装時や駆動時の熱により、金属と樹脂との界面における応力が増加し、かかる封止樹脂とめっき層との間の接着強度が低下する場合がある。これにより、封止樹脂とめっき層との間に剥離が生じ、半導体装置の信頼性が低下してしまう恐れがあった。 In a semiconductor device, semiconductor elements, metal parts, and the like are sealed with resin, and an interface between the metal and the resin exists. Since the thermal expansion coefficients of metal and resin are significantly different, the heat generated during mounting and driving increases stress at the interface between metal and resin, reducing the adhesive strength between the sealing resin and the plating layer. There are cases. This may cause peeling between the sealing resin and the plating layer, reducing the reliability of the semiconductor device.

実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、高温環境下での半導体装置の信頼性を向上させることができる金属部品を提供することを目的とする。 One aspect of the embodiment has been made in view of the above, and aims to provide a metal component that can improve the reliability of a semiconductor device in a high-temperature environment.

実施形態の一態様に係る金属部品は、半導体装置の製造に用いられる金属部品において、導電性を有する基材と、前記基材の表面の全面または一部に形成される貴金属めっき層と、を備える。また、前記貴金属めっき層は、表面に凹凸形状を有し、前記凹凸形状における凸部のアスペクト比が０．３以上である。 A metal component according to one aspect of the embodiment is a metal component used for manufacturing a semiconductor device, and includes a conductive base material and a noble metal plating layer formed on the entire surface or a part of the surface of the base material. Be prepared. Further, the noble metal plating layer has an uneven shape on the surface, and the aspect ratio of the convex portion in the uneven shape is 0.3 or more.

実施形態の一態様によれば、高温環境下での半導体装置の信頼性を向上させることができる。 According to one aspect of the embodiment, reliability of a semiconductor device in a high-temperature environment can be improved.

図１は、実施形態に係るリードフレームの模式図および実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a lead frame according to an embodiment and a cross-sectional view showing a semiconductor device according to the embodiment. 図２は、実施形態に係るリードフレームの拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view of the lead frame according to the embodiment. 図３は、シア強度試験の試験用サンプルについて説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a test sample for a shear strength test. 図４は、比較例１、２および実施例１に係るリードフレームの室温環境下および高温環境下でのシア強度を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the shear strength of lead frames according to Comparative Examples 1 and 2 and Example 1 under a room temperature environment and a high temperature environment. 図５は、比較例２および実施例２～６に係るリードフレームの高温環境下でのシア強度と、表面粗さＲａとの関係を示す図、および比較例２および実施例２～６に係るリードフレームの高温環境下でのシア強度と、表面積増加率との関係を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the shear strength in a high temperature environment and the surface roughness Ra of lead frames according to Comparative Example 2 and Examples 2 to 6, and FIG. FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the shear strength of a lead frame in a high-temperature environment and the surface area increase rate. 図６は、比較例２および実施例２～６に係るリードフレームの高温環境下でのシア強度と、アスペクト比との関係を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the shear strength in a high temperature environment and the aspect ratio of lead frames according to Comparative Example 2 and Examples 2 to 6. 図７は、実施形態に係るリードフレームにおけるアスペクト比と高温環境下でのシア強度との相関関係を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the correlation between the aspect ratio and shear strength in a high temperature environment in the lead frame according to the embodiment. 図８は、比較例３に係るリードフレームに形成されためっき層の熱処理前および熱処理後の表面形態および断面形態を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing the surface morphology and cross-sectional morphology of the plating layer formed on the lead frame according to Comparative Example 3 before and after heat treatment. 図９は、実施例２に係るリードフレームに形成されためっき層の熱処理前および熱処理後の表面形態および断面形態を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing the surface morphology and cross-sectional morphology of the plating layer formed on the lead frame according to Example 2 before and after heat treatment. 図１０は、実施例１に係るリードフレームの熱履歴によるシア強度の推移について示す図である。FIG. 10 is a diagram showing changes in shear strength depending on the thermal history of the lead frame according to Example 1.

以下、添付図面を参照して、本願の開示する半導体装置の製造に用いられる金属部品のうち、その一例としてリードフレームについて説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a lead frame will be described as an example of metal parts used for manufacturing a semiconductor device disclosed in the present application with reference to the accompanying drawings. Note that the present disclosure is not limited to the embodiments described below.

また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。 Furthermore, it should be noted that the drawings are schematic, and the dimensional relationship of each element, the ratio of each element, etc. may differ from reality. Furthermore, drawings may include portions with different dimensional relationships and ratios.

従来、半導体装置の製造に用いられるリードフレーム等の金属部品において、金属基材の表面の一部または全面にＡｇめっき層などの貴金属めっき層を形成する技術が知られている。Ａｇめっき層を金属基材の表面に形成することにより、金属基材と半導体素子およびボンディングワイヤとの間の接合強度を向上させることができることから、半導体装置の信頼性を向上させることができる。 2. Description of the Related Art Conventionally, in metal components such as lead frames used in the manufacture of semiconductor devices, a technique is known in which a noble metal plating layer such as an Ag plating layer is formed on a part or the entire surface of a metal base material. By forming the Ag plating layer on the surface of the metal base material, the bonding strength between the metal base material, the semiconductor element, and the bonding wire can be improved, and therefore the reliability of the semiconductor device can be improved.

中でも、Ｃｕを主体とした金属基材の表面の一部にＡｇめっき層を形成したリードフレームは、高い放熱性と導電性を有し、信頼性が要求される半導体装置に広く採用されている。 Among these, lead frames, which have a Ag plating layer formed on part of the surface of a metal base material mainly made of Cu, have high heat dissipation and conductivity, and are widely used in semiconductor devices that require reliability. .

半導体装置は、半導体素子や金属部品等を樹脂で封止しており、金属と樹脂との界面が存在している。金属と樹脂とでは熱膨張係数が大きく異なるため、実装時や駆動時の熱により、金属と樹脂との界面で応力が増加する。 In a semiconductor device, semiconductor elements, metal parts, and the like are sealed with resin, and an interface between the metal and the resin exists. Since the thermal expansion coefficients of metal and resin are significantly different, stress increases at the interface between metal and resin due to heat during mounting and driving.

特に、実装時のはんだリフロー温度は樹脂のガラス転移温度よりも高く、かかる封止樹脂と金属部品との間の接着強度を極端に低下させてしまう。これにより、樹脂との接着強度が低い貴金属めっき層が応力に耐え切れず、封止樹脂との間に剥離が生じ、半導体装置の信頼性が低下してしまう恐れがあった。 In particular, the solder reflow temperature during mounting is higher than the glass transition temperature of the resin, which extremely reduces the adhesive strength between the sealing resin and the metal component. As a result, the noble metal plating layer, which has a low adhesive strength with the resin, cannot withstand the stress, and peeling occurs between the noble metal plating layer and the sealing resin, which may reduce the reliability of the semiconductor device.

そこで、上述の問題点を克服し、高温環境下での半導体装置の信頼性を向上させることができる技術の実現が期待されている。 Therefore, there are expectations for the realization of a technology that can overcome the above-mentioned problems and improve the reliability of semiconductor devices in high-temperature environments.

＜リードフレームおよび半導体装置＞
最初に、図１を参照しながら、実施形態に係るリードフレーム１および半導体装置１００について説明する。図１の（ａ）は、実施形態に係るリードフレーム１の模式図であり、図１の（ｂ）は、実施形態に係る半導体装置１００を示す断面図である。 <Lead frames and semiconductor devices>
First, a lead frame 1 and a semiconductor device 100 according to an embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1A is a schematic diagram of a lead frame 1 according to an embodiment, and FIG. 1B is a cross-sectional view showing a semiconductor device 100 according to an embodiment.

図１の（ａ）に示すリードフレーム１は、ＱＦＰ（Quad Flat Package）タイプの半導体装置１００の製造に用いられるリードフレームについて示している。なお、本開示の技術は、その他のタイプ、たとえばＳＯＰ（Small Outline Package）や半導体装置の裏面にリードが露出するＱＦＮ（Quad Flat Non-lead package）などの半導体装置の製造に用いられるリードフレームに適用してもよい。 A lead frame 1 shown in FIG. 1A is a lead frame used for manufacturing a QFP (Quad Flat Package) type semiconductor device 100. Note that the technology of the present disclosure can be applied to other types of lead frames used in manufacturing semiconductor devices, such as SOP (Small Outline Package) and QFN (Quad Flat Non-lead package) in which leads are exposed on the back side of the semiconductor device. May be applied.

実施形態に係るリードフレーム１は、たとえば平面視で帯形状を有し、長手方向に沿って複数の単位リードフレーム１０が並んで形成されている。かかる単位リードフレーム１０は、リードフレーム１を用いて製造される半導体装置１００の一つ一つに対応する部位である。なお、リードフレーム１の長手方向に沿ってだけでなく、幅方向にも沿って複数の単位リードフレーム１０が並んで形成されていてもよい。 The lead frame 1 according to the embodiment has, for example, a band shape in plan view, and is formed with a plurality of unit lead frames 10 lined up along the longitudinal direction. The unit lead frame 10 is a portion corresponding to each semiconductor device 100 manufactured using the lead frame 1. Note that a plurality of unit lead frames 10 may be formed side by side not only along the longitudinal direction of the lead frame 1 but also along the width direction.

図１の（ａ）に示すように、単位リードフレーム１０は、ダイパッド１１と、複数のリード１２と、ダムバー１３とを有する。なお、図１の（ａ）には図示していないが、リードフレーム１における長辺側の側面にパイロット孔が並んで設けられていてもよい。 As shown in FIG. 1A, the unit lead frame 10 includes a die pad 11, a plurality of leads 12, and a dam bar 13. Although not shown in FIG. 1A, pilot holes may be provided side by side on the longer side of the lead frame 1.

ダイパッド１１は、たとえば、単位リードフレーム１０の中央部分に設けられる。かかるダイパッド１１のおもて面側には、図１の（ｂ）に示すように、半導体素子１０１が搭載可能である。 The die pad 11 is provided, for example, in the central portion of the unit lead frame 10. A semiconductor element 101 can be mounted on the front surface side of the die pad 11, as shown in FIG. 1(b).

ダイパッド１１は、ダイパッド支持部１１ａによって単位リードフレーム１０の外縁部との間が連結され、単位リードフレーム１０に支持される。かかるダイパッド支持部１１ａは、たとえば、ダイパッド１１の四隅にそれぞれ設けられる。 The die pad 11 is connected to the outer edge of the unit lead frame 10 by a die pad support portion 11a, and is supported by the unit lead frame 10. The die pad support portions 11a are provided at each of the four corners of the die pad 11, for example.

複数のリード１２は、ダイパッド１１の周囲に並んで配置されており、それぞれの先端部１２ａが単位リードフレーム１０の外縁部からダイパッド１１に向かって伸びている。かかるリード１２は、図１の（ｂ）に示すように、半導体装置１００の接続端子として機能する。 The plurality of leads 12 are arranged side by side around the die pad 11, and each tip end 12a extends toward the die pad 11 from the outer edge of the unit lead frame 10. The leads 12 function as connection terminals of the semiconductor device 100, as shown in FIG. 1(b).

リード１２は、先端部１２ａおよび基端部１２ｂを有する。図１の（ｂ）に示すように、半導体装置１００において、リード１２の先端部１２ａにはＣｕやＣｕ合金、Ａｕ、Ａｕ合金などで構成されるボンディングワイヤ１０２が接続される。そのため、リードフレーム１には、ボンディングワイヤ１０２との高い接合特性が求められる。ダムバー１３は、隣接するリード１２同士の間を接続する。 The lead 12 has a distal end 12a and a proximal end 12b. As shown in FIG. 1B, in the semiconductor device 100, a bonding wire 102 made of Cu, Cu alloy, Au, Au alloy, or the like is connected to the tip 12a of the lead 12. Therefore, the lead frame 1 is required to have high bonding characteristics with the bonding wire 102. The dam bar 13 connects adjacent leads 12 to each other.

半導体装置１００は、リードフレーム１、半導体素子１０１およびボンディングワイヤ１０２に加えて、封止樹脂１０３を有する。封止樹脂１０３は、たとえば、エポキシ樹脂などで構成され、モールド工程などにより所定の形状に成型される。封止樹脂１０３は、半導体素子１０１やボンディングワイヤ１０２、ダイパッド１１の表面、リード１２の先端部１２ａなどを封止する。 The semiconductor device 100 includes a lead frame 1, a semiconductor element 101, a bonding wire 102, and a sealing resin 103. The sealing resin 103 is made of, for example, epoxy resin, and is molded into a predetermined shape by a molding process or the like. The sealing resin 103 seals the semiconductor element 101, the bonding wire 102, the surface of the die pad 11, the tip portion 12a of the lead 12, and the like.

また、リード１２の基端部１２ｂは、半導体装置１００の外部端子（アウターリード）として機能し、基板にはんだ接合される。また、ダイパッド１１の裏面が封止樹脂１０３から露出するタイプやヒートスラグを設けるタイプの半導体装置１００においては、それらの裏面が基板にはんだ接合される。そのため、リードフレーム１には、はんだに対する高い濡れ性が求められる。 Further, the base end portion 12b of the lead 12 functions as an external terminal (outer lead) of the semiconductor device 100, and is soldered to the substrate. Further, in the semiconductor device 100 of the type in which the back surface of the die pad 11 is exposed from the sealing resin 103 or the type in which a heat slug is provided, the back surface is soldered to the substrate. Therefore, the lead frame 1 is required to have high solder wettability.

なお、ダムバー１３は、封止樹脂１０３を成型するモールド工程において、使用している樹脂が基端部１２ｂ（アウターリード）側に漏れ出さないためのダムの機能を有し、半導体装置１００の製造工程において最終的に切断される。 Note that the dam bar 13 has a dam function to prevent the resin being used from leaking to the base end portion 12b (outer lead) side during the molding process of molding the sealing resin 103, and is used during the manufacturing of the semiconductor device 100. It is finally cut in the process.

ここで、実施形態に係るリードフレーム１では、ダイパッド１１およびリード１２の先端部１２ａにめっき層３が形成される。かかるめっき層３は、貴金属めっき層の一例であり、たとえば、Ａｇ（銀）を主成分として構成される。 Here, in the lead frame 1 according to the embodiment, the plating layer 3 is formed on the die pad 11 and the tip portion 12a of the lead 12. This plating layer 3 is an example of a noble metal plating layer, and is composed of, for example, Ag (silver) as a main component.

これにより、リードフレーム１とボンディングワイヤ１０２との間の接合強度を向上させることができる。さらに、リードフレーム１とはんだとの間の接合強度を向上させることができることから、リードフレーム１と半導体素子１０１との間の接合強度を向上させることができる。 Thereby, the bonding strength between the lead frame 1 and the bonding wire 102 can be improved. Furthermore, since the bonding strength between the lead frame 1 and the solder can be improved, the bonding strength between the lead frame 1 and the semiconductor element 101 can be improved.

＜リードフレームの詳細＞
つづいて、実施形態に係るリードフレーム１の詳細について、図２を参照しながら説明する。図２は、実施形態に係るリードフレーム１の拡大断面図である。 <Lead frame details>
Next, details of the lead frame 1 according to the embodiment will be described with reference to FIG. 2. FIG. 2 is an enlarged sectional view of the lead frame 1 according to the embodiment.

図２に示すように、実施形態に係るリードフレーム１は、基材２と、めっき層３とを備える。基材２は、導電性を有する材料（たとえば、銅や銅合金、鉄ニッケル合金などの金属材料）で構成される。 As shown in FIG. 2, the lead frame 1 according to the embodiment includes a base material 2 and a plating layer 3. The base material 2 is made of a conductive material (for example, a metal material such as copper, copper alloy, iron-nickel alloy, etc.).

めっき層３は、基材２の表面２ａに形成され、実施形態ではＡｇを主成分とするめっき層である。さらに、めっき層３は、図２に示すように、表面３ａに凹凸形状を有する。すなわち、めっき層３の表面３ａは、複数の凸部３ｂを有する。 The plating layer 3 is formed on the surface 2a of the base material 2, and in the embodiment is a plating layer containing Ag as a main component. Furthermore, as shown in FIG. 2, the plating layer 3 has an uneven shape on the surface 3a. That is, the surface 3a of the plating layer 3 has a plurality of convex portions 3b.

なお、基材２とめっき層３との間に、金属拡散防止や耐熱性向上を目的として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ等を主成分とするめっき層を、下地めっき層として少なくとも一層形成してもよい。また、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ等を主成分とするめっき層をめっき層３の表面に形成してもよい。 In addition, between the base material 2 and the plating layer 3, at least one plating layer containing Cu, Ni, Pd, Au, Ag, etc. as a main component is provided as a base plating layer for the purpose of preventing metal diffusion and improving heat resistance. may be formed. Further, a plating layer mainly composed of Au, Pt, Pd, Ag, etc. may be formed on the surface of the plating layer 3.

ここで、実施形態では、めっき層３の表面３ａに形成される凸部３ｂのアスペクト比（すなわち、凸部３ｂの幅に対する凸部３ｂの高さの割合）が０．３以上であるとよい。これにより、半導体装置１００が高温環境下にさらされる際（たとえば、リフロー工程でプリント基板等に実装される際）に生じる、封止樹脂１０３とめっき層３との間における接着強度の低下を最小限に抑えることができる。 Here, in the embodiment, the aspect ratio of the protrusions 3b formed on the surface 3a of the plating layer 3 (that is, the ratio of the height of the protrusions 3b to the width of the protrusions 3b) is preferably 0.3 or more. . This minimizes the decrease in adhesive strength between the sealing resin 103 and the plating layer 3 that occurs when the semiconductor device 100 is exposed to a high temperature environment (for example, when mounted on a printed circuit board etc. in a reflow process). can be kept to a minimum.

したがって、実施形態によれば、高温環境下での半導体装置１００の信頼性を向上させることができる。 Therefore, according to the embodiment, the reliability of the semiconductor device 100 in a high temperature environment can be improved.

また、実施形態では、めっき層３の表面３ａに形成される凸部３ｂのアスペクト比が０．５以上であるとさらによい。これにより、半導体装置１００が高温環境下にさらされる際に生じる、封止樹脂１０３とめっき層３との間における接着強度の低下をさらに抑えることができる。 Further, in the embodiment, it is further preferable that the aspect ratio of the convex portions 3b formed on the surface 3a of the plating layer 3 is 0.5 or more. Thereby, it is possible to further suppress a decrease in adhesive strength between the sealing resin 103 and the plating layer 3, which occurs when the semiconductor device 100 is exposed to a high-temperature environment.

したがって、実施形態によれば、高温環境下での半導体装置１００の信頼性をさらに向上させることができる。 Therefore, according to the embodiment, the reliability of the semiconductor device 100 in a high temperature environment can be further improved.

なお、実施形態において、めっき層３の表面３ａに形成される凸部３ｂのアスペクト比は、１．２以下であるとよい。これにより、表面３ａに凹凸形状を有するめっき層３を簡便に形成することができることから、リードフレーム１の製造コストを低減することができる。 In the embodiment, the aspect ratio of the convex portions 3b formed on the surface 3a of the plating layer 3 is preferably 1.2 or less. Thereby, the plating layer 3 having an uneven shape on the surface 3a can be easily formed, so that the manufacturing cost of the lead frame 1 can be reduced.

また、実施形態では、基材２に形成されためっき層３を封止樹脂１０３で封止し、２６０（℃）に加熱した際のめっき層３と封止樹脂１０３との間のシア強度が、２（ＭＰａ）以上であるとよい。 Further, in the embodiment, the shear strength between the plating layer 3 and the sealing resin 103 when the plating layer 3 formed on the base material 2 is sealed with the sealing resin 103 and heated to 260 (° C.) is , 2 (MPa) or more.

このように、半導体装置１００が高温環境下にさらされる際の封止樹脂１０３とめっき層３との間の接着強度（すなわち、シア強度）を所定の値以上にすることにより、高温環境下での半導体装置１００の信頼性をさらに向上させることができる。 In this way, by setting the adhesive strength (i.e., shear strength) between the sealing resin 103 and the plating layer 3 to a predetermined value or more when the semiconductor device 100 is exposed to a high temperature environment, the semiconductor device 100 can be exposed to a high temperature environment. The reliability of the semiconductor device 100 can be further improved.

また、実施形態では、基材２に形成されためっき層３を封止樹脂１０３で封止し、２６０（℃）に加熱した際のめっき層３と封止樹脂１０３との間のシア強度が、加熱前のめっき層３と封止樹脂１０３との間のシア強度の１０（％）以上であるとよい。 Further, in the embodiment, the shear strength between the plating layer 3 and the sealing resin 103 when the plating layer 3 formed on the base material 2 is sealed with the sealing resin 103 and heated to 260 (° C.) is The shear strength between the plating layer 3 and the sealing resin 103 before heating is preferably 10 (%) or more.

このように、半導体装置１００が高温環境下にさらされる際に生じる、封止樹脂１０３とめっき層３との間の接着強度（すなわち、シア強度）の残存率を所定の比率以上にすることにより、高温環境下での半導体装置１００の信頼性をさらに向上させることができる。 In this way, by increasing the residual rate of adhesive strength (i.e., shear strength) between the sealing resin 103 and the plating layer 3, which occurs when the semiconductor device 100 is exposed to a high-temperature environment, to a predetermined ratio or more. , the reliability of the semiconductor device 100 in a high-temperature environment can be further improved.

また、実施形態では、めっき層３に対するステッチプル強度試験において、プル強度が５．０（ｇ）以上であるとよい。このように、めっき層３とボンディングワイヤ１０２との間の接合強度に関する試験であるステッチプル強度試験において、接合強度を所定の値以上にすることにより、半導体装置１００の信頼性をさらに向上させることができる。 Further, in the embodiment, in a stitch pull strength test for the plating layer 3, it is preferable that the pull strength is 5.0 (g) or more. In this way, the reliability of the semiconductor device 100 can be further improved by increasing the bonding strength to a predetermined value or higher in the stitch pull strength test, which is a test regarding the bonding strength between the plating layer 3 and the bonding wire 102. I can do it.

以下、実施例および比較例を参照しながら本開示の内容をより詳細に説明するが、本開示は下記の実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the contents of the present disclosure will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present disclosure is not limited to the Examples below.

＜評価１＞
［実施例１］
最初に、銅を主成分とするリードフレームの基材を準備した。次に、基材の脱脂及び酸洗浄を行った後、電解めっき処理によって、基材の表面に、電解めっき処理でＡｇめっき層を形成した。 <Evaluation 1>
[Example 1]
First, a lead frame base material containing copper as a main component was prepared. Next, after degreasing and acid washing the base material, an Ag plating layer was formed on the surface of the base material by electrolytic plating treatment.

この電解めっき処理におけるめっき浴は、硝酸塩や有機酸塩などの電導塩をベースとした浴に、Ｋ（ＡｇＣＮ２）：１２０（ｇ／Ｌ）、粗化添加剤：８０（ｍｌ／Ｌ）を添加して建浴した。そして、電解めっき処理の処理条件を、浴温：６１（℃）、電流密度：７０（Ａ／ｄｍ２）とし、Ａｇめっき層を５μｍの厚みで形成した。 The plating bath used in this electrolytic plating process is a bath based on conductive salts such as nitrates and organic acid salts, K (AgCN 2 ): 120 (g/L), and roughening additive: 80 (ml/L). I added it and prepared a bath. Then, the electrolytic plating treatment conditions were bath temperature: 61 (° C.), current density: 70 (A/dm 2 ), and an Ag plating layer was formed with a thickness of 5 μm.

かかる条件で電解めっき処理を施すことにより、Ａｇめっき層の表面が凹凸形状であるＡｇめっき層が形成された。また、かかる凹凸形状における凸部のアスペクト比は、０．５５であった。これにより、実施例１のリードフレームを得た。 By performing the electrolytic plating treatment under these conditions, an Ag plating layer having an uneven surface was formed. Further, the aspect ratio of the convex portions in this uneven shape was 0.55. Thereby, the lead frame of Example 1 was obtained.

なお、本開示において、表面に形成される凸部のアスペクト比は、株式会社キーエンス製の形状解析レーザ顕微鏡ＶＫ－Ｘ２１０を用い、室温環境下で測定した。また、かかるアスペクト比の値は、Ｎ＝２０の平均値を用いた。 In the present disclosure, the aspect ratio of the convex portions formed on the surface was measured at room temperature using a shape analysis laser microscope VK-X210 manufactured by Keyence Corporation. Moreover, the average value of N=20 was used as the value of the aspect ratio.

［実施例２～１４］
上述の実施例１と同様な方法を用いて、表面に凹凸形状が形成されたＡｇめっき層を有する実施例２～１４のリードフレームを得た。なお、実施例２～１４では、Ａｇめっき層に形成される凸部のアスペクト比がさまざまな値となるように、電解めっき処理の条件を適宜調整した。 [Examples 2 to 14]
Using the same method as in Example 1 above, lead frames of Examples 2 to 14 having Ag plating layers with irregularities formed on the surface were obtained. In Examples 2 to 14, the conditions of the electrolytic plating treatment were adjusted as appropriate so that the aspect ratios of the convex portions formed on the Ag plating layer varied.

［比較例１］
最初に、銅を主成分とするリードフレームの基材を準備した。次に、基材の脱脂及び酸洗浄を行った。これにより、比較例１のリードフレームを得た。すなわち、比較例１のリードフレームは、表面にＡｇめっき層が形成されず、銅の基材がそのまま露出するリードフレームである。 [Comparative example 1]
First, a lead frame base material containing copper as a main component was prepared. Next, the base material was degreased and washed with acid. As a result, a lead frame of Comparative Example 1 was obtained. That is, the lead frame of Comparative Example 1 is a lead frame in which an Ag plating layer is not formed on the surface and the copper base material is exposed as it is.

［比較例２］
最初に、銅を主成分とするリードフレームの基材を準備した。次に、基材の脱脂及び酸洗浄を行った後、電解めっき処理によって、基材の表面に、電解めっき処理でＡｇめっき層を形成した。 [Comparative example 2]
First, a lead frame base material containing copper as a main component was prepared. Next, after degreasing and acid washing the base material, an Ag plating layer was formed on the surface of the base material by electrolytic plating treatment.

この電解めっき処理におけるめっき浴は、硝酸塩や有機酸塩などの電導塩をベースとした浴に、Ｋ（ＡｇＣＮ２）：１２０（ｇ／Ｌ）を添加して建浴した。そして、電解めっき処理の処理条件を、浴温：６５（℃）、電流密度：７０（Ａ／ｄｍ２）とし、Ａｇめっき層を５μｍの厚みで形成した。 A plating bath for this electrolytic plating process was prepared by adding K(AgCN 2 ): 120 (g/L) to a bath based on a conductive salt such as a nitrate or an organic acid salt. Then, the electrolytic plating treatment conditions were bath temperature: 65 (° C.), current density: 70 (A/dm 2 ), and an Ag plating layer was formed with a thickness of 5 μm.

かかる条件で電解めっき処理を施すことにより、Ａｇめっき層の表面が平滑なＡｇめっき層が形成された。すなわち、比較例２のＡｇめっき層では、凸部のアスペクト比がほぼゼロであった。これにより、比較例２のリードフレームを得た。 By performing the electrolytic plating treatment under these conditions, an Ag plating layer with a smooth surface was formed. That is, in the Ag plating layer of Comparative Example 2, the aspect ratio of the protrusions was approximately zero. Thereby, a lead frame of Comparative Example 2 was obtained.

つづいて、上記にて得られた実施例１～１４および比較例１、２のリードフレームのシア強度を評価した。図３は、シア強度試験の試験用サンプルについて説明するための図である。まず、図３に示すように、実施例１～１４および比較例１、２のリードフレームの表面に、エポキシ樹脂（ＥＭＥ－Ｇ６３１Ｈ）からなる樹脂カップを成形した。 Subsequently, the shear strength of the lead frames of Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 and 2 obtained above was evaluated. FIG. 3 is a diagram for explaining a test sample for a shear strength test. First, as shown in FIG. 3, resin cups made of epoxy resin (EME-G631H) were molded on the surfaces of the lead frames of Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 and 2.

かかる樹脂カップの成形条件は、成形温度：１８０（℃）、成形時間：９０（秒）、キュア温度：１８０（℃）、キュア時間：４（時間）であった。 The molding conditions for this resin cup were molding temperature: 180 (°C), molding time: 90 (seconds), curing temperature: 180 (°C), and curing time: 4 (hours).

次に、ＳＥＭＩ標準規格Ｇ６９－０９９６により規定される手順に従って、カップシア試験を実施した。具体的には、各試験用サンプルの樹脂カップに図示しないゲージを押しつけて、図３の矢印方向に移動させ、せん断強さを測定した。かかる測定の際のゲージの高さ（シア高さ）は１００（μｍ）、ゲージの速度（シア速度）は１００（μｍ／ｓ）であった。 A cup shear test was then conducted according to the procedure specified by SEMI standard G69-0996. Specifically, a gauge (not shown) was pressed against the resin cup of each test sample and moved in the direction of the arrow in FIG. 3 to measure the shear strength. The height of the gauge (shear height) during this measurement was 100 (μm), and the speed of the gauge (shear speed) was 100 (μm/s).

図４の（ａ）は、比較例１、２および実施例１に係るリードフレームの室温環境下でのシア強度を示す図である。図４の（ａ）に示すように、平滑なＡｇめっき層が形成された比較例２と、凸部が０．３以上のアスペクト比を有するＡｇめっき層が形成された実施例１との比較により、実施例１のリードフレームは、室温環境下において、シア強度が増加していることがわかる。 FIG. 4A is a diagram showing the shear strength of the lead frames according to Comparative Examples 1 and 2 and Example 1 in a room temperature environment. As shown in FIG. 4(a), comparison between Comparative Example 2 in which a smooth Ag plating layer was formed and Example 1 in which a Ag plating layer in which the convex portions had an aspect ratio of 0.3 or more was formed. It can be seen that the lead frame of Example 1 has increased shear strength in a room temperature environment.

したがって、実施形態によれば、室温環境下での半導体装置の信頼性を向上させることができる。 Therefore, according to the embodiment, the reliability of the semiconductor device in a room temperature environment can be improved.

なお、銀と比べて銅は封止樹脂に対して良好な密着性を示すことから、図４の（ａ）に示すように、室温環境下では、比較例１のリードフレームのシア強度は良好な値を示している。 In addition, since copper exhibits better adhesion to the sealing resin than silver, the shear strength of the lead frame of Comparative Example 1 was good at room temperature, as shown in Figure 4 (a). It shows the value.

図４の（ｂ）は、比較例１、２および実施例１に係るリードフレームの高温環境下でのシア強度を示す図である。かかる測定結果は、２６０（℃）の環境下で実施したシア強度試験の結果である。 FIG. 4B is a diagram showing the shear strength of the lead frames according to Comparative Examples 1 and 2 and Example 1 in a high-temperature environment. These measurement results are the results of a shear strength test conducted in an environment of 260 (° C.).

図４の（ｂ）に示すように、高温環境下では、比較例１、２のリードフレームは、シア強度が大きく低下しているのに対し、実施例１のリードフレームでは、シア強度の低下が最小限に押さえ込まれている。 As shown in FIG. 4(b), under high-temperature environments, the shear strength of the lead frames of Comparative Examples 1 and 2 decreases significantly, whereas the shear strength of the lead frame of Example 1 decreases. is kept to a minimum.

具体的には、比較例１のリードフレームは、室温環境下に対して高温環境下ではシア強度が約６（％）まで低下している。また、比較例２のリードフレームは、室温環境下に対して高温環境下ではシア強度が約５（％）まで低下している。一方で、実施例１のリードフレームは、室温環境下に対して高温環境下ではシア強度が約１５（％）の低下に留まっている。 Specifically, in the lead frame of Comparative Example 1, the shear strength is reduced to about 6 (%) in a high temperature environment compared to a room temperature environment. Further, in the lead frame of Comparative Example 2, the shear strength is reduced to about 5 (%) in a high temperature environment compared to a room temperature environment. On the other hand, in the lead frame of Example 1, the shear strength was only about 15% lower in a high temperature environment than in a room temperature environment.

このように、比較例１、２と実施例１との比較により、実施例１のリードフレームは、高温環境下において、封止樹脂とめっき層との間における接着強度の低下が最小限に抑えられている。したがって、実施形態によれば、高温環境下での半導体装置の信頼性を向上させることができる。 As described above, a comparison between Comparative Examples 1 and 2 and Example 1 shows that the lead frame of Example 1 minimizes the decrease in adhesive strength between the sealing resin and the plating layer in a high-temperature environment. It is being Therefore, according to the embodiment, the reliability of the semiconductor device in a high temperature environment can be improved.

つづいて、実施例２～６および比較例２のリードフレームの表面粗さＲａおよび表面積増加率を評価した。かかるリードフレームの表面粗さＲａおよび表面積増加率は、株式会社キーエンス製の形状解析レーザ顕微鏡ＶＫ－Ｘ２１０を用い、室温環境下で測定した。 Subsequently, the surface roughness Ra and surface area increase rate of the lead frames of Examples 2 to 6 and Comparative Example 2 were evaluated. The surface roughness Ra and surface area increase rate of the lead frame were measured at room temperature using a shape analysis laser microscope VK-X210 manufactured by Keyence Corporation.

図５の（ａ）は、比較例２および実施例２～６に係るリードフレームの高温環境下（２６０℃）でのシア強度と、表面粗さＲａとの関係を示す図である。図５の（ａ）に示す実施例２～６の比較により、めっき層の表面粗さＲａが高いリードフレームであっても、高温環境下のシア強度は向上していないことがわかる。 FIG. 5(a) is a diagram showing the relationship between shear strength and surface roughness Ra in a high temperature environment (260° C.) of lead frames according to Comparative Example 2 and Examples 2 to 6. A comparison of Examples 2 to 6 shown in FIG. 5(a) shows that even lead frames with high surface roughness Ra of the plating layer do not have improved shear strength in a high temperature environment.

すなわち、実施形態において、めっき層の表面粗さＲａと高温環境下のシア強度とは、相関性が低いことが明らかとなった。 That is, in the embodiment, it has become clear that the surface roughness Ra of the plating layer and the shear strength under a high temperature environment have a low correlation.

図５の（ｂ）は、比較例２および実施例２～６に係るリードフレームの高温環境下（２６０℃）でのシア強度と、表面積増加率との関係を示す図である。図５の（ｂ）に示す実施例２～６の比較により、めっき層の表面積増加率が高いリードフレームであっても、高温環境下のシア強度は向上していないことがわかる。 FIG. 5(b) is a diagram showing the relationship between shear strength and surface area increase rate in a high temperature environment (260° C.) of lead frames according to Comparative Example 2 and Examples 2 to 6. A comparison of Examples 2 to 6 shown in FIG. 5(b) shows that even in lead frames in which the surface area increase rate of the plating layer is high, the shear strength under a high temperature environment is not improved.

すなわち、実施形態において、めっき層の表面積増加率と高温環境下のシア強度とは、相関性が低いことが明らかとなった。 That is, in the embodiment, it has become clear that the surface area increase rate of the plating layer and the shear strength in a high temperature environment have a low correlation.

図６は、比較例２および実施例２～６に係るリードフレームの高温環境下でのシア強度と、アスペクト比との関係を示す図である。図６に示す実施例２～６の比較により、めっき層に形成される凸部のアスペクト比が高いリードフレームでは、高温環境下のシア強度が向上していることがわかる。 FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the shear strength in a high temperature environment and the aspect ratio of lead frames according to Comparative Example 2 and Examples 2 to 6. A comparison of Examples 2 to 6 shown in FIG. 6 shows that lead frames in which the aspect ratio of the convex portions formed in the plating layer is high have improved shear strength in a high-temperature environment.

すなわち、実施形態において、めっき層に形成される凸部のアスペクト比と高温環境下のシア強度とは、相関性が高いことが明らかとなった。 That is, in the embodiment, it has become clear that the aspect ratio of the convex portions formed in the plating layer and the shear strength in a high temperature environment are highly correlated.

図７は、実施形態に係るリードフレームにおけるアスペクト比と高温環境下でのシア強度との相関関係を示す図である。図７に示す結果から、めっき層に形成される凸部のアスペクト比と高温環境下のシア強度とは、高い相関性を有することが明らかとなった。 FIG. 7 is a diagram showing the correlation between the aspect ratio and shear strength in a high temperature environment in the lead frame according to the embodiment. The results shown in FIG. 7 revealed that the aspect ratio of the convex portions formed in the plating layer and the shear strength in a high temperature environment have a high correlation.

ここまで説明したように、実施形態では、めっき層の表面粗さや表面積増加率ではなく、凸部のアスペクト比に着目してめっき層の表面形態を改質することとした。 As described above, in the embodiment, the surface morphology of the plating layer is modified by focusing on the aspect ratio of the convex portions, rather than the surface roughness or surface area increase rate of the plating layer.

そして、実施形態では、凸部のアスペクト比が０．３以上であるめっき層をリードフレームに形成することにより、高温環境下のシア強度を増加させることができることから、高温環境下での半導体装置の信頼性を向上させることができる。 In the embodiment, by forming a plating layer in which the aspect ratio of the convex portion is 0.3 or more on the lead frame, the shear strength in a high temperature environment can be increased. reliability can be improved.

＜評価２＞
［比較例３］
最初に、銅を主成分とするリードフレームの基材を準備した。次に、基材の脱脂及び酸洗浄を行った後、電解めっき処理によって、基材の表面に、電解めっき処理でＡｇめっき層を形成した。 <Evaluation 2>
[Comparative example 3]
First, a lead frame base material containing copper as a main component was prepared. Next, after degreasing and acid washing the base material, an Ag plating layer was formed on the surface of the base material by electrolytic plating treatment.

この電解めっき処理におけるめっき浴は、硝酸塩や有機酸塩などの電導塩をベースとした浴に、Ｋ（ＡｇＣＮ２）：１２０（ｇ／Ｌ）を添加して建浴した。そして、電解めっき処理の処理条件を、浴温：６５（℃）、電流密度：９０（Ａ／ｄｍ２）とし、Ａｇめっき層を５μｍの厚みで形成した。 A plating bath for this electrolytic plating process was prepared by adding K(AgCN 2 ): 120 (g/L) to a bath based on a conductive salt such as a nitrate or an organic acid salt. Then, the electrolytic plating treatment conditions were bath temperature: 65 (° C.), current density: 90 (A/dm 2 ), and an Ag plating layer was formed with a thickness of 5 μm.

かかる条件で電解めっき処理を施すことにより、Ａｇめっき層の表面が粗化されている（無光沢である）Ａｇめっき層が形成された。また、比較例３のＡｇめっき層では、凸部のアスペクト比が０．３未満であった。これにより、比較例３のリードフレームを得た。 By performing the electrolytic plating treatment under these conditions, an Ag plating layer with a roughened (matte) surface was formed. Furthermore, in the Ag plating layer of Comparative Example 3, the aspect ratio of the convex portions was less than 0.3. As a result, a lead frame of Comparative Example 3 was obtained.

つづいて、上記にて得られた比較例３および実施例２のリードフレームに対して、市販の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）（株式会社日立ハイテクフィールディング製、日立超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡Ｓ－４８００）を用いて、表面形態および表面近傍の断面形態を評価した。 Subsequently, the lead frames of Comparative Example 3 and Example 2 obtained above were examined using a commercially available scanning electron microscope (SEM) (Hitachi High-Resolution Field Emission Scanning Electron Microscope S manufactured by Hitachi High-Tech Fielding Co., Ltd.). -4800) to evaluate the surface morphology and cross-sectional morphology near the surface.

なお、かかる表面形態および表面近傍の断面形態の評価は、熱処理前と、所定の熱処理（４００（℃）、１０分間）の後との両方で行った。 The surface morphology and the cross-sectional morphology near the surface were evaluated both before heat treatment and after predetermined heat treatment (400 (° C.), 10 minutes).

図８は、比較例３に係るリードフレームに形成されためっき層の熱処理前および熱処理後の表面形態および断面形態を示す図である。図８に示すように、比較例３のリードフレームにおいて、熱処理後のめっき層では再結晶化が進むため、表面の形態が大きく変化していることがわかる。 FIG. 8 is a diagram showing the surface morphology and cross-sectional morphology of the plating layer formed on the lead frame according to Comparative Example 3 before and after heat treatment. As shown in FIG. 8, it can be seen that in the lead frame of Comparative Example 3, recrystallization progresses in the plating layer after heat treatment, so the surface morphology changes significantly.

すなわち、比較例３のリードフレームを用いた半導体装置では、かかる表面形態の大きな変化に起因して、高温環境下においてめっき層と封止樹脂との剥離が生じる恐れがあるため、高温環境下での信頼性が悪化する恐れがある。 In other words, in the semiconductor device using the lead frame of Comparative Example 3, there is a risk that the plating layer and the sealing resin will peel off in a high-temperature environment due to such a large change in surface morphology. reliability may deteriorate.

図９は、実施例２に係るリードフレームに形成されためっき層の熱処理前および熱処理後の表面形態および断面形態を示す図である。図９に示すように、実施例２のリードフレームでは、熱処理後でも表面の形態はほとんど変化していないことがわかる。 FIG. 9 is a diagram showing the surface morphology and cross-sectional morphology of the plating layer formed on the lead frame according to Example 2 before and after heat treatment. As shown in FIG. 9, it can be seen that the surface morphology of the lead frame of Example 2 hardly changes even after the heat treatment.

また、図９に示す実施例２のリードフレームでは、熱処理前のアスペクト比が０．５４であったのに対し、熱処理後のアスペクト比が０．５３であった。すなわち、変形例２のリードフレームでは、熱処理後でもアスペクト比はほとんど変化していないことがわかる。 Further, in the lead frame of Example 2 shown in FIG. 9, the aspect ratio before heat treatment was 0.54, but the aspect ratio after heat treatment was 0.53. That is, it can be seen that in the lead frame of Modification Example 2, the aspect ratio hardly changes even after the heat treatment.

このように、実施例２のリードフレームは、熱履歴が加わった後でも表面形態が大きく変化せず、さらに凸部の高いアスペクト比が維持されていることから、封止樹脂とめっき層との間における接着強度の低下を最小限に抑えることができる。 In this way, the surface morphology of the lead frame of Example 2 does not change significantly even after being subjected to thermal history, and the high aspect ratio of the convex portions is maintained, so the relationship between the sealing resin and the plating layer is The decrease in adhesive strength between the two can be minimized.

＜評価３＞
次に、測定温度が変化した場合のシア強度の推移（すなわち、リードフレームに加わる熱履歴が変化した場合のシア強度の推移）について評価した。具体的には、図３に示した樹脂カップが表面に形成された実施例１のリードフレームに対して、１６０（℃）～４００（℃）の間の所定の温度で１０分間保持した後のシア強度をそれぞれ測定した。結果を図１０に示す。 <Evaluation 3>
Next, the transition of shear strength when the measurement temperature changed (that is, the transition of shear strength when the thermal history applied to the lead frame changed) was evaluated. Specifically, the lead frame of Example 1 on which the resin cup shown in FIG. The shear strength of each was measured. The results are shown in FIG.

図１０は、実施例１に係るリードフレームの熱履歴によるシア強度の推移について示す図である。図１０に示すように、実施例１に係るリードフレームでは、１６０（℃）～４００（℃）の範囲で熱履歴が加わった場合にも、熱環境下のシア強度が維持されていることがわかる。 FIG. 10 is a diagram showing changes in shear strength depending on the thermal history of the lead frame according to Example 1. As shown in FIG. 10, the lead frame according to Example 1 maintains shear strength in a thermal environment even when subjected to thermal history in the range of 160 (°C) to 400 (°C). Recognize.

したがって、実施形態によれば、１６０（℃）～４００（℃）の範囲で熱履歴が加わった場合にも、封止樹脂とめっき層との間における接着強度の低下を最小限に抑えることができる。 Therefore, according to the embodiment, even when heat history is applied in the range of 160 (°C) to 400 (°C), the decrease in adhesive strength between the sealing resin and the plating layer can be minimized. can.

＜評価４＞
次に、実施例１および比較例２のリードフレームを用いて半導体装置を組み立てた際の組立評価と、実施例１および比較例２のリードフレームを用いて組み立てられた半導体装置の信頼性評価とを実施した。結果を表１に示す。 <Rating 4>
Next, we will discuss assembly evaluation when semiconductor devices were assembled using the lead frames of Example 1 and Comparative Example 2, and reliability evaluation of semiconductor devices assembled using the lead frames of Example 1 and Comparative Example 2. was carried out. The results are shown in Table 1.

Figure 2024024647000002
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表１に示すように、比較例２のリードフレームを用いた場合の組み立て評価と、実施例１のリードフレームを用いた場合の組み立て評価とは、いずれもすべての項目で良好な結果であった。 As shown in Table 1, both the assembly evaluation using the lead frame of Comparative Example 2 and the assembly evaluation using the lead frame of Example 1 had good results in all items. .

さらに、凹凸形状を有する表面に対しては低い値になりやすいステッチプル強度試験のプル強度に関しては、平滑な表面を有する比較例２のリードフレームよりも、凹凸形状を有する実施例１のリードフレームの方が良好な結果（Ｍｉｎ．５．５（ｇ））であった。これにより、実施形態では、半導体装置をさらに安定的に組み立てることができる。 Furthermore, regarding the pull strength of the stitch pull strength test, which tends to be lower for surfaces with uneven shapes, the lead frame of Example 1, which has an uneven surface, has a higher pull strength than the lead frame of Comparative Example 2, which has a smooth surface. The result was better (Min. 5.5 (g)). Thereby, in the embodiment, the semiconductor device can be assembled more stably.

なお、本開示におけるステッチプル強度試験は、以下のように評価した。まず、めっき層の表面にステッチ状にボンディングワイヤを接合した。次に、このステッチ状のボンディングワイヤにフックを引っ掛けて１７０μｍ／ｓの速度で引張試験を行い、かかる引張試験における引張強度をステッチプル強度試験の結果とした。 Note that the stitch pull strength test in the present disclosure was evaluated as follows. First, a bonding wire was bonded to the surface of the plating layer in a stitched manner. Next, a hook was hooked onto this stitch-like bonding wire to perform a tensile test at a speed of 170 μm/s, and the tensile strength in this tensile test was taken as the result of the stitch pull strength test.

また、表１に示すように、比較例２のリードフレームを用いた半導体装置の信頼性評価は良好な結果でなかったのに対し、実施例１のリードフレームを用いた半導体装置の信頼性評価は良好な結果であった。 In addition, as shown in Table 1, the reliability evaluation of the semiconductor device using the lead frame of Comparative Example 2 did not give good results, whereas the reliability evaluation of the semiconductor device using the lead frame of Example 1 The results were good.

すなわち、実施形態では、表面に形成される凸部のアスペクト比が０．３以上であるめっき層を用いることにより、半導体装置に高い信頼性を付与することができる。 That is, in the embodiment, high reliability can be imparted to the semiconductor device by using a plating layer in which the aspect ratio of the convex portions formed on the surface is 0.3 or more.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。例えば、上記の実施形態では、Ａｇを主成分とするめっき層について示したが、本開示はかかる例に限られず、Ａｇ以外の貴金属元素を主成分とするめっき層において、表面に形成される凸部のアスペクト比を０．３以上にしてもよい。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes can be made without departing from the spirit thereof. For example, in the above embodiment, a plating layer containing Ag as the main component was described, but the present disclosure is not limited to such an example, and the present disclosure is not limited to such an example. The aspect ratio of the portion may be 0.3 or more.

以上のように、実施形態に係る金属部品（リードフレーム１）は、半導体装置の製造に用いられる金属部品において、基材２と、貴金属めっき層（めっき層３）と、を備える。基材２は、導電性を有する。貴金属めっき層（めっき層３）は、基材２の表面の全面または一部に形成される。また、貴金属めっき層（めっき層３）は、表面３ａに凹凸形状を有し、凹凸形状における凸部３ｂのアスペクト比が０．３以上である。これにより、高温環境下での半導体装置１００の信頼性を向上させることができる。 As described above, the metal component (lead frame 1) according to the embodiment is a metal component used for manufacturing a semiconductor device, and includes a base material 2 and a noble metal plating layer (plating layer 3). The base material 2 has electrical conductivity. The noble metal plating layer (plating layer 3) is formed on the entire surface or a part of the surface of the base material 2. Further, the noble metal plating layer (plating layer 3) has an uneven shape on the surface 3a, and the aspect ratio of the convex portions 3b in the uneven shape is 0.3 or more. Thereby, the reliability of the semiconductor device 100 in a high temperature environment can be improved.

また、実施形態に係る金属部品（リードフレーム１）において、貴金属めっき層（めっき層３）は、Ａｇを主成分として含有する。これにより、リードフレーム１とボンディングワイヤ１０２との間の接合強度を向上させることができるとともに、リードフレーム１と半導体素子１０１との間の接合強度を向上させることができる。 Moreover, in the metal component (lead frame 1) according to the embodiment, the noble metal plating layer (plating layer 3) contains Ag as a main component. Thereby, the bonding strength between the lead frame 1 and the bonding wire 102 can be improved, and the bonding strength between the lead frame 1 and the semiconductor element 101 can be improved.

また、実施形態に係る金属部品（リードフレーム１）において、凸部３ｂのアスペクト比が０．５以上である。これにより、高温環境下での半導体装置１００の信頼性をさらに向上させることができる。 Further, in the metal component (lead frame 1) according to the embodiment, the aspect ratio of the convex portion 3b is 0.5 or more. Thereby, the reliability of the semiconductor device 100 in a high temperature environment can be further improved.

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。 Further advantages and modifications can be easily deduced by those skilled in the art. Therefore, the broader aspects of the invention are not limited to the specific details and representative embodiments shown and described above. Accordingly, various changes may be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

１ リードフレーム（金属部品の一例）
２ 基材
２ａ 表面
３ めっき層（貴金属めっき層の一例）
３ａ 表面
３ｂ 凸部
１００ 半導体装置
１０１ 半導体素子
１０２ ボンディングワイヤ
１０３ 封止樹脂 1 Lead frame (an example of metal parts)
2 Base material 2a Surface 3 Plating layer (an example of a noble metal plating layer)
3a Surface 3b Convex portion 100 Semiconductor device 101 Semiconductor element 102 Bonding wire 103 Sealing resin

Claims (3)

半導体装置の製造に用いられる金属部品において、
導電性を有する基材と、
前記基材の表面の全面または一部に形成される貴金属めっき層と、
を備え、
前記貴金属めっき層は、表面に凹凸形状を有し、前記凹凸形状における凸部のアスペクト比が０．３以上である
金属部品。 In metal parts used in the manufacture of semiconductor devices,
A base material having conductivity;
A noble metal plating layer formed on the entire surface or a part of the surface of the base material,
Equipped with
The noble metal plating layer has an uneven shape on the surface, and the aspect ratio of the convex portion in the uneven shape is 0.3 or more. A metal part. 前記貴金属めっき層は、Ａｇを主成分として含有する
請求項１に記載の金属部品。 The metal component according to claim 1, wherein the noble metal plating layer contains Ag as a main component. 前記凸部のアスペクト比が０．５以上である
請求項１または２に記載の金属部品。 The metal component according to claim 1 or 2, wherein the aspect ratio of the convex portion is 0.5 or more.
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