KR102475319B1 - 챔버 라이너 - Google Patents

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알렌 케이. 라우
가쿠 후루타
수영 최
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Abstract

본원에서 설명된 실시예들은 일반적으로, 고 RF(radio frequency) 전력을 활용하여 기판을 처리하기 위한 장치 및 방법들에 관한 것이다. 고 RF 전력은 기판 상에 더 바람직한 특성들을 갖는 막들의 증착을 가능하게 한다. 제1 복수의 절연 부재들이 복수의 브래킷들 상에 배치되고 그리고 챔버 바디로부터 측방향으로 내부쪽으로 연장된다. 제2 복수의 절연 부재들이 챔버 바디 상에 배치되고 그리고 제1 복수의 절연 부재들로부터 챔버 바디의 지지 표면까지 연장된다. 절연 부재들은 플라즈마와 챔버 바디 사이에서의 아킹의 발생을 감소시킨다.

Description

챔버 라이너
[0001] 본원에 개시된 실시예들은 일반적으로, 반도체 제조 장비 분야에 관한 것으로, 더 구체적으로는 제조 처리 동안 플라즈마의 아킹(arcing)을 감소시키기 위한 장치에 관한 것이다.
[0002] PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 처리를 위한 종래의 처리 챔버들에는 고 RF(radio frequency) 전력을 활용하기에 적절한 장치가 부족하다. 예컨대, 종래의 처리 챔버들은 최대 RF 전력을 약 4 kW로 제한한다. 약 5 kW를 초과하는 RF 전력의 사용은 플라즈마에서 플리커링(flickering) 또는 아킹이 발생하게 한다. 그러나, 더 높은 RF 전력(예컨대, 약 5 kW 초과)은 바람직한 특성들을 갖는 막들의 증착을 가능하게 한다.
[0003] 따라서, 아킹을 감소시키기 위한, 처리 챔버들을 위한 개선된 장치가 당해 기술분야에 필요하다.
[0004] 일 실시예에서, 처리 볼륨을 정의하는 챔버 바디를 포함하는 장치가 제공된다. 지지 표면이 챔버 바디 내에 형성된다. 덮개가 챔버 바디에 커플링되고, 샤워헤드가 처리 볼륨 내에 배치된다. 복수의 브래킷들이 챔버 바디에 커플링되고 그리고 챔버 바디로부터 측방향으로 내부쪽으로 연장된다. 지지 페디스털이 처리 볼륨 내에서 샤워헤드 반대편에 배치된다. 제1 복수의 절연 부재들이 복수의 브래킷들 상에 배치된다. 제1 복수의 절연 부재들의 각각의 절연 부재는 챔버 바디로부터 측방향으로 내부쪽으로 연장된다. 제2 복수의 절연 부재들이 챔버 바디 상에 배치된다. 제2 복수의 절연 부재들의 각각의 절연 부재는 제1 복수의 절연 부재들로부터 챔버 바디의 지지 표면까지 연장된다.
[0005] 다른 실시예에서, 내부에 처리 볼륨을 정의하는 챔버 바디를 포함하는 장치가 제공된다. 챔버 바디는 최하부 및 최하부 반대편의 지지 표면을 갖는다. 제1 측벽이 최하부로부터 지지 표면까지 연장된다. 제2 측벽이 최하부로부터 지지 표면으로, 제1 측벽 반대편에서 연장된다. 제3 측벽이 제1 측벽과 제2 측벽 사이에서 최하부로부터 지지 표면까지 연장된다. 제4 측벽이 제1 측벽과 제2 측벽 사이에서 최하부로부터 지지 표면까지 연장된다. 제4 측벽은 제3 측벽 반대편에 있다. 지지 페디스털이 처리 볼륨 내에 배치된다. 샤워헤드가 처리 볼륨 내에서 지지 페디스털 반대편에 배치된다. 제1 브래킷이 최하부와 지지 표면 사이에서 제1 측벽에 커플링된다. 제2 브래킷이 제2 측벽에 커플링되고, 제1 브래킷과 실질적으로 동일 평면 상에 있다. 제3 브래킷이 제3 측벽에 커플링되고, 제1 브래킷 및 제2 브래킷과 실질적으로 동일 평면 상에 있다. 제4 브래킷이 제4 측벽에 커플링되고, 제1 브래킷, 제2 브래킷, 및 제3 브래킷과 실질적으로 동일 평면 상에 있다. 제1 복수의 절연 부재들의 절연 부재는 제1 브래킷, 제2 브래킷, 제3 브래킷, 및 제4 브래킷 각각 상에 배치된다. 제2 복수의 절연 부재들은 제1 브래킷, 제2 브래킷, 제3 브래킷, 및 제4 브래킷 중 하나로부터 챔버 바디의 지지 표면까지 연장된다.
[0006] 또 다른 실시예에서, 내부에 처리 볼륨을 정의하는 챔버 바디를 포함하는 장치가 제공된다. 챔버 바디는 지지 표면, 제1 측벽, 제1 측벽 반대편의 제2 측벽, 제1 측벽과 제2 측벽 사이의 제3 측벽, 및 제1 측벽과 제2 측벽 사이의 제4 측벽을 갖는다. 제4 측벽은 제3 측벽 반대편에 있다. 각각의 측벽은 인접한 측벽과 실질적으로 직각을 갖는 코너를 형성한다. 복수의 브래킷들이 챔버 바디에 커플링되고 그리고 챔버 바디로부터 측방향으로 내부쪽으로 연장된다. 제1 복수의 절연 부재들이 복수의 브래킷들 상에 배치된다. 제2 복수의 절연 부재들이 챔버 바디에 커플링된다. 제2 복수의 절연 부재들의 각각의 절연 부재는 제1 복수의 절연 부재들로부터 지지 표면까지 연장된다. 제3 복수의 절연 부재들이 챔버 바디의 각각의 코너에서 챔버 바디에 커플링된다.
[0007] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하며, 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있다는 것이 주목되어야 한다.
[0008] 도 1은 본 개시내용의 일 실시예에 따른 처리 챔버의 개략적인 측단면도를 예시한다.
[0009] 도 2는 본 개시내용의 일 실시예에 따른 처리 챔버의 평면 단면도를 예시한다.
[0010] 도 3은 본 개시내용의 일 실시예에 따른 처리 챔버의 사시도를 예시한다.
[0011] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가의 언급없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있음이 고려된다.
[0012] 본원에서 설명된 실시예들은 일반적으로, 고 RF(radio frequency) 전력을 활용하여 기판을 처리하기 위한 장치 및 방법들에 관한 것이다. 고 RF 전력은 기판 상에 더 바람직한 특성들을 갖는 막들의 증착을 가능하게 한다. 제1 복수의 절연 부재들이 복수의 브래킷들 상에 배치되고 그리고 챔버 바디로부터 측방향으로 내부쪽으로 연장된다. 제2 복수의 절연 부재들이 챔버 바디 상에 배치되고 그리고 제1 복수의 절연 부재들로부터 챔버 바디의 지지 표면까지 연장된다. 절연 부재들은 플라즈마와 챔버 바디 사이에서의 아킹의 발생을 감소시킨다.
[0013] 본원에서 설명된 처리들 및 장치는 게이트 절연체 실리콘 옥사이드(GISiO) 막들을 증착하는 데 사용될 수 있다. GISiO 막들은 실란(SiH4) 및 아산화질소(N2O)를 사용하여 또는 테트라에틸 오소실리케이트(TEOS)(Si(OC2H5)4) 및 산소(O2)를 사용하여 증착될 수 있다. 다른 재료들을 활용하는 다른 처리들이 또한, 본원에서 설명된 실시예들로부터 이익을 얻을 수 있다는 것이 고려된다.
[0014] 도 1은 본 개시내용의 일 실시예에 따른 처리 챔버(100)의 개략적인 측단면도를 예시한다. 처리 챔버(100)는 챔버 바디(102), 및 챔버 바디(102)에 커플링된 덮개(112)를 포함한다. 챔버 바디(102)는 최하부(138), 및 최하부(138)와 덮개(112)에 실질적으로 수직하고 그리고 최하부(138)와 덮개(112) 사이에서 연장되는 제1 측벽(170)을 갖는다. 제2 측벽(172)이 제1 측벽(170) 반대편에 배치된다. 제2 측벽(172)은 제1 측벽(170)에 실질적으로 평행하고 최하부(138)와 덮개(112) 사이에서 연장된다. 최하부(138)는 제1 측벽(170)과 제2 측벽(172)에 실질적으로 수직하고 그리고 제1 측벽(170)과 제2 측벽(172) 사이에서 연장된다. 제3 측벽과 제4 측벽(도 2와 관련하여 상세히 설명됨)은 서로 평행하고 제1 측벽(170)과 제2 측벽(172) 사이에서 연장된다. 챔버 바디(102)의 제2 측벽(172)을 관통해 슬릿 밸브 개구(144)가 형성된다.
[0015] 챔버 바디(102)와 덮개(112)는 그 내부에 처리 볼륨(148)을 정의한다. 가스 소스(104)는 도관(108)을 통해 처리 볼륨(148)과 유체 연통한다. 도관(108)은 전기 전도성 재료, 이를테면, 알루미늄 또는 그 합금들로 제조된다. 원격 플라즈마 소스(106)가 가스 소스(104)와 처리 볼륨(148) 사이에서 도관(108)에 커플링된다. RF(radio frequency) 전력 소스(110)가 원격 플라즈마 소스(106)에 커플링되어, 가스 소스(104)로부터 처리 가스들을 활성화하는 RF 전력을 제공한다. RF 전력 소스(110)는 덮개(112)에 전기적으로 커플링되며, 이는 챔버 바디(102)로부터 RF 전력 소스(110)로의 RF 전류 리턴 경로를 제공한다. RF 전력 소스(110)는 약 3 kW 내지 약 20 kW, 이를테면, 약 12 kW 내지 약 19 kW, 예컨대 약 18 kW의 RF 전력을 생성한다. 기판들의 처리 사이에서, 세정 가스가 원격 플라즈마 소스(106)에 제공되고, 그에 따라, 원격 플라즈마가 생성되고 처리 챔버(100)의 컴포넌트들을 세정하기 위해 제공될 수 있다.
[0016] 지지 표면(152)이 챔버 바디(102)에 형성된다. 지지 표면(152)은, 제1 측벽(170) 및 제2 측벽(172)(및 제3 및 제4 측벽들)을 포함한, 챔버 바디의 각각의 측벽에 형성된다. 지지 표면(152)은 최하부(138) 반대편에 있고, 제1 측벽(170)과 제2 측벽(172)에 실질적으로 수직한다. 기판 지지부(136)가 처리 볼륨(148) 내에 배치된다. 기판 지지부(136)는 처리 동안 기판(124)을 지지한다. 일 실시예에서, 기판 지지부(136)는 세라믹 재료로 제조된다. 다른 실시예에서, 기판 지지부(136)는 실리콘 카바이드 재료와 같은 실리콘 함유 재료로 코팅된 흑연 재료로 제조된다.
[0017] 기판 지지부(136)는 액추에이터(140)를 통해 처리 볼륨(148) 내에서 이동가능하다. 예컨대, 처리 동안, 기판 지지부(136)는, 기판(124)이 슬릿 밸브 개구(144) 위에 포지셔닝되도록, 상승된 포지션에 있다. 처리가 완료되면, 액추에이터(140)는, 기판 지지부(136)가 슬릿 밸브 개구(144) 아래에 있도록 기판 지지부(136)를 하강된 포지션으로 이동시킨다. 기판 지지부(136)의 하강된 포지션은 기판 지지부(136)로의 또는 기판 지지부(136)로부터의 기판(124)의 이송을 가능하게 한다.
[0018] 하나 이상의 리프트 핀(lift pin)들(130, 132)이 기판 지지부(136)를 관통해 배치된다. 하나 이상의 리프트 핀들(130, 132)은, 기판(124)이 리프트 핀들(130, 132) 상에서 엘리베이팅될(elevated) 때, 기판(124)의 휘어짐(bowing)을 감소시키기 위해 길이들이 상이하다. 예컨대, 하나 이상의 내측 리프트 핀들(132)은, 기판 지지부(136)에서 내측 리프트 핀들(132)의 측방향 외부쪽에 배치된 하나 이상의 외측 리프트 핀들(130)보다 더 짧다. 따라서, 기판(124)이 리프트 핀들(130, 132) 상에서 엘리베이팅될 때, 내측 리프트 핀들(132) 상에 포지셔닝된 기판(124)의 내측 부분은 외측 리프트 핀들(130) 상에 포지셔닝된 기판(124)의 외측 부분에 비해 처진다(sag).
[0019] 샤워헤드(116)가 처리 볼륨(148) 내에서 기판 지지부(136) 반대편에 배치된다. 샤워헤드(116)는 하나 이상의 지지부들(120)을 통해 배킹 플레이트(backing plate)(114)에 커플링된다. 하나 이상의 절연체들(122), 이를테면, 절연체 및 O-링 시일이 배킹 플레이트(114)를 챔버 바디로부터 전기 절연시킨다. 하나 이상의 절연체들(122)은 챔버 바디(102)의 지지 표면(152) 상에 배치되고 배킹 플레이트(114)를 지지한다. 일 실시예에서, 하나 이상의 절연체들(122)은 유전체 재료로 제조된다. 배킹 플레이트(114), 배킹 플레이트 (114) 반대편의 샤워헤드(116), 및 하나 이상의 지지부들(120)에 의해 볼륨(118)이 정의된다. 복수의 통로들(156)이 샤워헤드(116)를 관통해 형성된다. 볼륨(118)은 복수의 통로들(156)을 통해 처리 볼륨(148)과 유체 연통한다.
[0020] 하나 이상의 브래킷들(142)이 제1 측벽(170) 및 제2 측벽(172) 상에 배치되고 이들에 커플링된다. 하나 이상의 브래킷들(142)은 제1 측벽(170) 및 제2 측벽(172)으로부터 측방향으로 내부쪽으로 연장된다. 복수의 브래킷들(142)은 제1 측벽(170) 및 제2 측벽(172) 상에 배치되고 제1 측벽(170) 및 제2 측벽(172)으로부터 챔버 바디(102)의 지지 표면(152)과 슬릿 밸브 개구(144) 사이로 연장된다. 일 실시예에서, 하나 이상의 브래킷들(142)은 전기 전도성 재료, 이를테면, 알루미늄 재료 또는 그 합금들로 제조된다. 따라서, 하나 이상의 브래킷들(142)은, RF 전류가 하나 이상의 브래킷들(142)로부터 측벽들(170, 172)로 연속적으로 흐를 수 있도록, 제1 측벽(170) 및 제2 측벽(172)을 포함한, 챔버 바디(102)의 측벽들에 전기적으로 연결된다.
[0021] 하나 이상의 브래킷들(142) 상에 하나 이상의 제1 절연 부재들(160)이 배치된다. 제1 절연 부재들(160)은 제1 측벽(170) 및 제2 측벽(172)으로부터 측방향으로 연장된다. 제1 측벽(170) 및 제2 측벽(172) 상에 하나 이상의 제2 절연 부재들(162)이 배치된다. 제2 절연 부재들(162)은 제1 절연 부재들(160)로부터 챔버 바디(102)의 지지 표면(152)까지 연장된다. 일 실시예에서, 제2 절연 부재들(162)은 하나 이상의 세라믹 패스너들(146)에 의해 챔버 바디(102)의 측벽들(170, 172)에 커플링된다. 일 실시예에서, 제1 절연 부재들(160) 및 제2 절연 부재들(162)은 세라믹 재료, 이를테면, 알루미늄 옥사이드(Al2O3)로 제조된다. 다른 실시예에서, 제1 절연 부재들(160) 및 제2 절연 부재들(162)은 폴리머 재료로 제조된다.
[0022] 도 1에서 별개의 절연 부재들로 예시되었지만, 일 실시예에서, 제1 절연 부재들(160)과 제2 절연 부재들(162)은 하나 이상의 브래킷들(142) 및 측벽들(170, 172) 둘 모두 상에 배치된 연속적인 절연 부재일 수 있다. 처리 동안, 기판(124) 상에 증착되는 막의 특성들을 개선하기 위해 고 RF 전력을 활용하는 것이 바람직하다. 예컨대, 약 3.5 kW 내지 약 20 kW, 예컨대 약 18 kW의 RF 전력을 사용하는 것은, 더 높은 이온 에너지 및 이온 충격으로 인해, 바람직한 막 특성들, 이를테면, 개선된 밀도, 증가된 항복 전압, 감소된 누설 전류, 및 더 낮은 습식 에칭 레이트를 갖는 막을 생성할 수 있다. 약 18 kW의 RF 전력을 활용하는 것은 약 5 kW의 RF 전력을 활용하여 증착된 막들에 대해 약 7.8 MV/cm로부터 약 8.5 MV/cm로의 항복 전압 증가를 유발한다.
[0023] 더 높은 RF 전력(예컨대, 약 4.1 kW 초과)이 막 특성들을 개선하지만, 처리 볼륨 내에서의 아킹의 발생을 또한 증가시키며, 이는 증착된 막 및 기판(124)을 손상시킨다. 하나 이상의 브래킷들(142) 상에 배치된 제1 절연 부재들(160)은 하나 이상의 브래킷들(142)과 처리 볼륨(148) 내의 플라즈마 사이의 아킹을 실질적으로 감소시킨다. 유사하게, 제2 절연 부재들(162)은, 제1 측벽(170) 및 제2 측벽(172)을 포함한, 챔버 바디(102)의 측벽들과 처리 볼륨(148) 내의 플라즈마 사이의 아킹을 실질적으로 감소시킨다. 하나 이상의 브래킷들(142) 및 제1 절연 부재들(160)은 또한, 처리 볼륨(148) 내의 플라즈마를 샤워헤드(116)와 지지부(136) 사이로 한정하는 것을 돕는다.
[0024] 아킹의 발생을 더욱 감소시키기 위해, RF 전력이 증가됨에 따라 처리 볼륨(148) 내의 압력이 증가된다. RF 전력이 증가됨에 따라, 처리 볼륨(148)에서의 아킹의 발생이 또한 증가한다. 아킹의 발생을 감소시키기 위해, 처리 볼륨(148) 내의 압력이 증가된다. 예컨대, 처리 볼륨(148) 내의 압력은 약 650 mTorr 내지 약 1000 mTorr로부터 약 1000 mTorr 내지 약 2000 mTorr, 예컨대 약 1100 mTorr 내지 약 1600 mTorr, 이를테면, 1500 mTorr로 증가될 수 있다.
[0025] 섀도우 프레임(128)이 처리 볼륨(148) 내에 이동가능하게 배치된다. 기판 지지부(136)가 하강된 포지션에 있을 때, 섀도우 프레임(128)은 제1 절연 부재들(160) 상에 놓이고 하나 이상의 브래킷들(142)에 의해 지지된다. 기판 지지부(136)가 상승된 포지션으로 엘리베이팅될 때, 섀도우 프레임(128)은 기판(124)의 외측 에지 및 기판 지지부(136)의 외측 에지에 의해 맞물리고(engaged) 기판(124)의 외측 에지 및 기판 지지부(136)의 외측 에지 상에 놓인다. 기판 지지부(136)가 상승된 포지션에 있을 때, 섀도우 프레임(128)은 제1 절연 부재들(160)로부터 이격된다. 섀도우 프레임(128)은 소스 재료의 증착을 기판(124)의 원하는 부분으로 한정하도록 구성된다.
[0026] 도 2는 본 개시내용의 일 실시예에 따른 처리 챔버(100)의 평면 단면도를 예시한다. 챔버 바디(102)는 제1 측벽(170), 제2 측벽(172), 제3 측벽(202), 및 제4 측벽(204)을 포함한다. 제3 측벽(202)은 제1 측벽(170)과 제2 측벽(172)에 실질적으로 수직하고 그리고 제1 측벽(170)과 제2 측벽(172) 사이에서 연장된다. 제4 측벽(204)은 제3 측벽(202) 반대편에 배치되고, 제1 측벽(170)과 제2 측벽(172)에 실질적으로 수직하고 그리고 제1 측벽(170)과 제2 측벽(172) 사이에서 연장된다. 측벽들(170, 172, 202, 및 204) 각각은 인접한 측벽(170, 172, 202, 및 204)과 실질적으로 직각을 갖는 코너(208)를 형성한다.
[0027] 하나 이상의 제1 절연 부재들(160)이 측벽들(170, 172, 202, 및 204) 각각에 커플링되고 측벽들(170, 172, 202, 및 204) 각각으로부터 측방향으로 내부쪽으로 연장된다. 제1 절연 부재들(160) 각각은, 각각의 개개의 측벽(170, 172, 202, 및 204)에 커플링되고 그로부터 연장되는 브래킷, 이를테면, 도 1에 예시된 하나 이상의 브래킷들(142)에 의해 지지된다.
[0028] 제2 절연 부재들(162)은 챔버 바디(102)의 각각의 측벽(170, 172, 202, 및 204) 상에 배치된다. 하나 이상의 제3 절연 부재들(206)이 측벽들(170, 172, 202, 및 204)에 의해 형성된 각각의 코너에 배치된다. 제3 절연 부재들(206)은 측벽들(170, 172, 202, 및 204) 상에 배치되고, 챔버 바디(102)의 지지 표면(152)으로부터 최하부(138)까지 연장된다.
[0029] 일 실시예에서, 제2 절연 부재들(162)의 두께는 제3 절연 부재들(206)의 두께보다 더 두껍다. 일 실시예에서, 제3 절연 부재들(206)은 세라믹 재료, 이를테면, 알루미늄 옥사이드(Al2O3)로 제조된다. 처리 동안, 제3 절연 부재들(206)은 측벽들(170, 172, 202, 및 204)에 의해 형성된 코너들과 도 1에 예시된 처리 볼륨(148)의 플라즈마 사이의 아킹을 감소시키는 데 도움이 된다.
[0030] 도 3은 본 개시내용의 일 실시예에 따른 처리 챔버(100)의 사시도를 예시한다. 도 3은 측벽들(170, 172, 202, 및 204)에 의해 형성된 코너들(208)에 배치된 하나 이상의 제3 절연 부재들(206)을 더 명확하게 예시한다. 브래킷들(142), 제1 절연 부재들(160), 제2 절연 부재들(162)은 측벽들(170, 172, 202, 및 204) 상에서 슬릿 밸브 개구(144) 위에 배치된다. 제3 절연 부재들은 챔버 바디(102)의 최하부(138)와 지지 표면(152) 사이에서 연장된다. 제1 절연 부재들(160) 아래의 하나 이상의 브래킷들, 이를테면, 도 1에 예시된 하나 이상의 브래킷들(142)은 명확성을 위해 도 3에서 생략되었다.
[0031] 요약하면, 본 개시내용의 실시예들은 플라즈마 처리 장치에 대한 개선된 아크 보호 및 방지를 제공한다. 본원에서 설명된 절연 부재들은 증가된 RF 전력(예컨대, 약 15 kW)이 처리 동안 사용되는 것을 가능하게 한다. 결국, 더 높은 RF 전력은, 개선된 막 특성들을 나타내는 막들, 이를테면, 증가된 항복 전압을 나타내는 막들이 증착되는 것을 가능하게 한다. 증가된 RF 전압은 기판 상에 증착되는 막의 특성들, 이를테면, 개선된 밀도, 감소된 누설 전류, 및 더 낮은 습식 에칭 레이트를 추가로 개선한다. 절연 부재들은 또한, 처리 볼륨에 대한 플라즈마를 샤워헤드와 지지 페디스털 사이로 한정하는 데 도움이 된다. 절연 부재들과 함께 아킹 발생을 감소시키기 위해, 처리 볼륨 내의 압력이 또한 증가된다.
[0032] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (20)

  1. 처리 볼륨을 정의하는 챔버 바디 ― 상기 챔버 바디는 상기 챔버 바디 내에 형성된 지지 표면 및 내부쪽으로 향하는 표면(inwardly facing surface)을 가짐 ―;
    상기 챔버 바디에 커플링된 덮개;
    상기 처리 볼륨 내에 배치된 샤워헤드;
    상기 챔버 바디에 커플링되고 그리고 상기 챔버 바디로부터 측방향으로 내부쪽으로 연장되는 복수의 브래킷들;
    상기 처리 볼륨 내에서 상기 샤워헤드 반대편에 배치된 지지 페디스털;
    상기 복수의 브래킷들 상에 배치되고 그리고 상기 챔버 바디로부터 측방향으로 내부쪽으로 연장되는 제1 복수의 전기 절연 부재들; 및
    상기 챔버 바디 상에 배치된 제2 복수의 전기 절연 부재들을 포함하며,
    상기 제2 복수의 전기 절연 부재들의 각각의 절연 부재는 상기 제1 복수의 전기 절연 부재들 중 하나로부터 그리고 상기 챔버 바디의 내부쪽으로 향하는 표면을 따라, 상기 챔버 바디의 내부쪽으로 향하는 표면과 상기 챔버 바디의 지지 표면의 교차부까지 연장되고,
    상기 복수의 브래킷들 및 상기 제1 복수의 전기 절연 부재들은 상이한 재료들을 포함하고, 그리고
    상기 지지 페디스털의 기판 지지 표면은 상기 복수의 브래킷들의 위 및 아래 둘 모두에 포지셔닝가능한,
    장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 브래킷들의 각각의 브래킷은 알루미늄 재료를 포함하는,
    장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 복수의 전기 절연 부재들의 각각의 전기 절연 부재 및 상기 제2 복수의 전기 절연 부재들의 각각의 전기 절연 부재는 폴리머 재료를 포함하는,
    장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 복수의 전기 절연 부재들은 하나 이상의 세라믹 패스너들을 통해 상기 챔버 바디에 커플링되는,
    장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버 바디를 관통해 형성된 슬릿 밸브 개구를 더 포함하며,
    상기 복수의 브래킷들은 상기 챔버 바디 상에서 상기 슬릿 밸브 개구와 상기 지지 표면 사이에 배치되는,
    장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 브래킷들은, 상기 처리 볼륨 내의 RF 리턴 경로를 조절하도록 상기 챔버 바디 상에 포지셔닝되는,
    장치.
  7. 처리 볼륨을 정의하는 챔버 바디 ― 상기 챔버 바디는 최하부 및 상기 최하부 반대편의 지지 표면을 가짐 ―;
    상기 최하부로부터 상기 지지 표면까지 연장되는 제1 측벽;
    상기 최하부로부터 상기 지지 표면까지 연장되는, 상기 제1 측벽 반대편의 제2 측벽;
    상기 제1 측벽과 상기 제2 측벽 사이에서 상기 최하부로부터 상기 지지 표면까지 연장되는 제3 측벽;
    상기 제1 측벽과 상기 제2 측벽 사이에서 상기 최하부로부터 상기 지지 표면까지 연장되는, 상기 제3 측벽 반대편의 제4 측벽;
    상기 처리 볼륨 내에 배치된 지지 페디스털;
    상기 처리 볼륨 내에서 상기 지지 페디스털 반대편에 배치된 샤워헤드;
    상기 최하부와 상기 지지 표면 사이에서 상기 제1 측벽에 커플링되고 그리고 상기 제1 측벽으로부터 상기 처리 볼륨의 내부쪽으로 연장되는 제1 브래킷;
    상기 제2 측벽에 커플링되고 그리고 상기 제2 측벽으로부터 상기 처리 볼륨의 내부쪽으로 연장되는 제2 브래킷 ― 상기 제2 브래킷은 상기 제1 브래킷과 실질적으로 동일 평면 상에 있음 ―;
    상기 제3 측벽에 커플링되고 그리고 상기 제3 측벽으로부터 상기 처리 볼륨의 내부쪽으로 연장되는 제3 브래킷 ― 상기 제3 브래킷은 상기 제1 브래킷 및 상기 제2 브래킷과 실질적으로 동일 평면 상에 있음 ―;
    상기 제4 측벽에 커플링되고 그리고 상기 제4 측벽으로부터 상기 처리 볼륨의 내부쪽으로 연장되는 제4 브래킷 ― 상기 제4 브래킷은 상기 제1 브래킷, 상기 제2 브래킷, 및 상기 제3 브래킷과 실질적으로 동일 평면 상에 있음 ―;
    제1 복수의 전기 절연 부재들 ― 상기 제1 복수의 전기 절연 부재들 중 하나는 상기 제1 브래킷, 상기 제2 브래킷, 상기 제3 브래킷, 및 상기 제4 브래킷 각각 상에 배치됨 ―; 및
    제2 복수의 전기 절연 부재들 ― 상기 제2 복수의 전기 절연 부재들의 각각의 전기 절연 부재는 상기 제1 브래킷, 상기 제2 브래킷, 상기 제3 브래킷, 및 상기 제4 브래킷 중 하나로부터 상기 챔버 바디의 지지 표면까지 연장됨 ― 을 포함하는,
    장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 브래킷, 상기 제2 브래킷, 상기 제3 브래킷, 및 상기 제4 브래킷 각각은 알루미늄 재료를 포함하는,
    장치.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 복수의 전기 절연 부재들의 각각의 절연 부재 및 상기 제2 복수의 전기 절연 부재들의 각각의 절연 부재는 폴리머 재료를 포함하는,
    장치.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 챔버 바디에 형성된 슬릿 밸브 개구를 더 포함하며,
    상기 제1 복수의 전기 절연 부재들은 상기 슬릿 밸브 개구와 상기 지지 표면 사이에서 상기 챔버 바디에 커플링되는,
    장치.
  11. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 브래킷, 상기 제2 브래킷, 상기 제3 브래킷, 및 상기 제4 브래킷은 상기 처리 볼륨 내의 RF 리턴 경로를 조절하도록 상기 챔버 바디 상에 포지셔닝되는,
    장치.
  12. 내부에 처리 볼륨을 정의하는 챔버 바디 ― 상기 챔버 바디는 지지 표면, 제1 측벽, 상기 제1 측벽 반대편의 제2 측벽, 상기 제1 측벽과 상기 제2 측벽 사이의 제3 측벽, 및 상기 제1 측벽과 상기 제2 측벽 사이의, 상기 제3 측벽 반대편의 제4 측벽을 갖고, 각각의 측벽은 인접한 측벽과 실질적으로 직각을 갖는 코너를 형성함 ―;
    상기 챔버 바디에 커플링되고 그리고 상기 챔버 바디로부터 측방향으로 내부쪽으로 연장되는 복수의 브래킷들;
    상기 복수의 브래킷들 상에 배치된 제1 복수의 전기 절연 부재들;
    상기 챔버 바디에 커플링된 제2 복수의 전기 절연 부재들 ― 상기 제2 복수의 전기 절연 부재들의 각각의 전기 절연 부재는 상기 제1 복수의 전기 절연 부재들로부터 상기 지지 표면까지 연장됨 ―; 및
    상기 챔버 바디의 각각의 코너에서 상기 챔버 바디에 커플링된 제3 복수의 전기 절연 부재들을 포함하며,
    상기 제1 복수의 전기 절연 부재들 및 상기 제2 복수의 전기 절연 부재들 중 적어도 일부들은 상기 처리 볼륨의 일부를 경계로 하고, 그리고 상기 제2 복수의 전기 절연 부재들은 상기 챔버 바디와 직접 접촉하고, 그리고
    상기 처리 볼륨 내에 배치된 기판 지지부의 기판 지지 표면은 상기 복수의 브래킷들 위에 포지셔닝되는,
    장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 복수의 브래킷들의 각각의 브래킷은 알루미늄 재료를 포함하는,
    장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 복수의 전기 절연 부재들, 상기 제2 복수의 전기 절연 부재들, 및 상기 제3 복수의 전기 절연 부재들의 각각의 절연 부재는 폴리머 재료를 포함하는,
    장치.
  15. 제12 항에 있어서,
    상기 복수의 브래킷들은, 상기 처리 볼륨 내의 RF 리턴 경로를 조절하도록 상기 챔버 바디 상에 포지셔닝되는,
    장치.
  16. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 복수의 전기 절연 부재들은 하나 이상의 세라믹 패스너들을 통해 상기 챔버 바디에 커플링되는,
    장치.
  17. 제12 항에 있어서,
    상기 챔버 바디를 관통해 형성된 슬릿 밸브 개구를 더 포함하며,
    상기 복수의 브래킷들은 상기 슬릿 밸브 개구와 상기 지지 표면 사이에 배치되는,
    장치.
  18. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 복수의 전기 절연 부재들의 각각의 절연 부재 및 상기 제2 복수의 전기 절연 부재들의 각각의 절연 부재는 세라믹 재료를 포함하는,
    장치.
  19. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 복수의 전기 절연 부재들의 각각의 절연 부재 및 상기 제2 복수의 전기 절연 부재들의 각각의 절연 부재는 세라믹 재료를 포함하는,
    장치.
  20. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 복수의 전기 절연 부재들, 상기 제2 복수의 전기 절연 부재들, 및 상기 제3 복수의 전기 절연 부재들의 각각의 절연 부재는 세라믹 재료를 포함하는,
    장치.
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