KR102465469B1 - 이온 밀링 전처리 시스템의 스테이지 가스관 접속 구조 - Google Patents

이온 밀링 전처리 시스템의 스테이지 가스관 접속 구조 Download PDF

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Abstract

본 발명은 이온 밀링 전처리 시스템에서 이온 건의 내부에 아르곤 가스를 공급하는 스테이지 가스관의 접속 구조에 대한 것이다. 본 발명에 따른 접속 구조에서는 스테이지 도어가 챔버를 밀폐시키면 스테이지 가스관이 접속홈에 접속되되 스테이지 가스관과 접속홈 사이의 간격이 일정하게 유지되고 스테이지 도어가 챔버를 개방시키면 스테이지 가스관이 접속홈에서 분리되므로, 이온 건의 성능이 일정하게 유지되고 청소 등 유지 보수가 편리하다는 특징을 갖는다.

Description

이온 밀링 전처리 시스템의 스테이지 가스관 접속 구조 {Stage gas pipe connection structure for ion milling pre-treatment system}
본 발명은 이온 밀링 전처리 시스템에서 이온 건의 내부에 가스를 공급하는 스테이지 가스관의 접속 구조에 대한 것으로서, 더욱 구체적으로는 스테이지 가스관과 접속홈 사이의 간격이 일정하게 유지되므로 이온 건의 성능이 일정하게 유지되고 청소 등 유지 보수가 편리한 접속 구조에 대한 것이다.
이온 밀링(ion milling)은 본래 화학적 연마가 어려운 세라믹이나 반도체 시료를 연마하기 위해 시작되었으나, 현재는 이들 소재는 물론이고 금속 등 여러 재료들의 연마에 이용되는 가장 일반적인 방법이다. 특히, 이차전지, 커넥터, MLCC 등과 같이 다양한 소재의 연구 개발에서 단면 관찰은 필수적인 것으로서, 이를 분석하기 위해 이온 밀링이 더욱 증가하고 있다.
이온 밀링은 이온 건(ion gun)에서 발생된 이온빔(ion beam)을 시료(specimen)에 조사하여 이루어진다. 이온 건의 내부에 아르곤(Ar) 등의 가스가 주입되면 캐소드와 아노드 사이의 전위차 등에 의해 이온이 발생되고, 이 이온이 가속되어 시료에 조사된다.
기존의 원통 할로우형 이온 건은 가스를 이온 건의 내부 관로를 통해서 주입하였다. 그러나, 챔버의 내부 공간이 작아지고 이온 건이 소형화되면서 가스관이 이온 건의 외부에 설치되었고, 외부 가스관의 선단에는 절연관이 움직일 수 있는 구조로 설치되었으며, 이 절연관이 이온 건에 접속되었다.
도 1은 외부 가스관을 갖는 이온 밀링 시스템의 외관을 보여주고 도 2는 그 내부 구조를 보여준다. 그리고, 도 3은 가스관이 이온 건에 연결된 구조를 보여준다.
상기 이온 밀링 시스템(1)은 챔버(2)와, 챔버(2)에 설치된 이온 건(3)과, 밀링 작업 대상인 시료를 고정하는 스테이지(4)와, 가스를 이온 건의 내부에 주입하는 가스관(5)과, 제어부(6), 및 CCD 카메라(7) 등을 구비한다.
그러나, 이온 건(3)의 성능이 일정하게 유지되기 위해서는 가스가 일정하게 주입되어야 하고 이를 위해서는 가스관(5)의 선단에 설치된 절연관(5a)과 이온 건(3) 사이의 간격이 일정하게 유지되어야 하는데, 절연관(5a)과 이온 건(3) 사이의 간격을 일정하게 유지하기가 어렵다는 문제점을 갖고 있다.
아울러, 상기 시스템(1)은 일정 시간, 예를 들어 100 시간 마다 내부를 청소(cleaning)해야 하는데, 이를 위해서는 절연관(5a)을 이온 건(3)으로부터 분리하고, 이어서 고압 케이블(도면에 미도시)을 커넥터(도면에 미도시)에서 분리한 후, 이온 건(3)을 챔버(2)에서 분리해야 한다. 이와 같이, 외부 가스관(5)을 갖는 이온 밀링 시스템(1)은 청소 작업이 매우 복잡하고 어렵다는 문제점도 갖고 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 가스를 이온 건의 내부에 주입하는 스테이지 가스관과 접속홈 사이의 간격이 일정하게 유지되므로 이온 건의 성능이 일정하게 유지되고 청소 등 유지 보수가 편리한, 이온 밀링 전처리 시스템의 스테이지 가스관 접속 구조를 제공하고자 하는 목적을 갖고 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 스테이지 가스관 접속 구조는, 내부에 이온 건(10)이 설치된 챔버(20); 챔버(20)에 대해서 슬라이딩되면서 챔버(20)를 개폐하는 스테이지 도어(30); 이온 건(10)의 외통(11)에 형성된 접속홈(12); 및, 스테이지 도어(30)에 설치되어 스테이지 도어(30)와 함께 슬라이딩되면서 접속홈(12)에 접속되거나 접속홈(12)에서 분리되는 스테이지 가스관(50);을 포함할 수 있다.
스테이지 도어(30)가 전진하도록 슬라이딩되어 챔버(20)를 밀폐하면 스테이지 가스관(50)이 접속홈(12)에 접속되어 가스를 이온 건(10)의 내부에 공급하고 스테이지 도어(30)가 후진하도록 슬라이딩되어 챔버(20)를 개방하면 스테이지 가스관(50)이 접속홈(12)에서 분리된다.
스테이지 가스관(50)은 선단에 설치된 절연관(55)을 포함할 수 있다. 절연관(55)은 전기적 절연체로 이루어질 수 있다. 스테이지 도어(30)가 전진하도록 슬라이딩되어 챔버(20)를 밀폐하면 절연관(55)이 접속홈(12)에 접속되어 가스를 이온 건(10)의 내부에 공급하되, 절연관(55)의 끝단과 접속홈(12)은 소정 간격으로 이격된다. 그리고, 스테이지 도어(30)가 후진하도록 슬라이딩되어 챔버(20)를 개방하면 절연관(55)이 접속홈(12)에서 분리된다.
접속홈(12)의 바닥면에는 제1 주입공(13)이 형성되고, 애노드(16)에는 제2 주입공(17)이 형성된다. 제1 주입공(13)과 제2 주입공(17)은 서로 연결되어 통하며, 제2 주입공(17)은 제1 주입공(13) 보다 그 직경이 0.3mm ~ 0.8mm 큰 것이 바람직하다.
상기 바닥면은 제1 주입공(13)을 향한 하향 경사면으로 이루어진 것이 바람직하다. 그리고, 상기 직경 차이(0.3mm ~ 0.8mm)가 존재하는 조건 하에서, 스테이지 도어(30)가 챔버(20)를 밀폐했을 때 절연관(55)의 끝단과 상기 하향 경사면의 가장 윗부분 사이의 간격(g)은 0.9mm ~ 1.3mm인 것이 바람직하다.
상기 스테이지 도어(30)는, 가스 공급관이 접속되는 접속 포트(39); 및, 접속 포트(39)를 스테이지 가스관(50)에 연결하도록 스테이지 도어(30)의 내부에 형성된 내부 유로;를 포함할 수 있다. 가스는 가스 공급관과 접속 포트(39)와 내부 유로 및 스테이지 가스관(50)을 순차적으로 경유하여 이온 건(10)에 공급될 수 있다.
상기 접속 구조는 상기 슬라이딩을 위한 가이드 봉(38)과 가이드 홈(29)을 포함할 수 있다. 가이드 봉(38)은 적어도 두 개가 서로 평행하도록 설치되되 스테이지 도어(30)에서 챔버(20)쪽을 향해서 길게 연장되도록 설치된다. 그리고, 가이드 홈(29)은 가이드 봉(38)과 대응되도록 챔버(20)에 형성된다.
바람직하게, 상기 가이드 봉(38) 중 적어도 어느 하나의 선단에는 돌기(38a)가 형성되고 가이드 홈(29)의 입구에는 스토퍼(29a)가 설치될 수 있다.
스테이지 도어(30)가 후방으로 슬라이딩될 때 돌기(38a)가 스토퍼(29a)에 걸리는 것에 의해 가이드 봉(38)과 가이드 홈(29)의 분리가 방지될 수 있다.
본 발명에 따른 스테이지 가스관 접속구조는 스테이지 가스관(50)과 접속홈(12) 사이의 간격이 일정하게 유지되므로 이온 건의 성능이 일정하게 유지되고 청소 등 유지 보수가 편리하다는 장점을 갖는다.
도 1은 종래 기술에 따른 이온 밀링 전처리 시스템의 외관을 보여주는 사시도.
도 2는 도 1의 시스템의 내부 구조를 보여주는 사시도.
도 3은 도 1의 시스템에 구비된 챔버와, 챔버에 설치된 이온 건과, 이온 건의 내부에 가스를 주입하는 가스관을 보여주는 사시도.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이온 밀링 전처리 시스템의 챔버와, 챔버에 설치된 이온 건, 및 스테이지 도어를 보여주는 결합 사시도.
도 5는 도 4의 분해 사시도.
도 6은 스테이지 도어와, 스테이지 도어에 설치된 가스관을 보여주는 사시도.
도 7은 도 5의 A 부분을 확대하여 보여주는 도면.
도 8은 스테이지 도어가 챔버를 밀폐하도록 설치되어, 가스관이 접속홈에 접속된 상태를 보여주는 평면도.
도 9는 도 8의 B 부분의 내부를 확대해서 보여주는 단면도.
도 10은 스테이지 도어가 챔버로부터 분리되어, 가스관이 접속홈에서 분리된 상태를 보여주는 평면도.
이하, 첨부된 도면들을 참조로 본 발명에 대해서 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 실시예들에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
한편, 아래 도면에서 동일한 도면 참조부호는 동일하거나 실질적으로 동일한 구성요소를 나타낸다. 그리고, 도면에서 x, y, z축은 도면의 이해와 설명의 편의를 위해 기재된 카르테시안 좌표축으로서, x, y, z축은 서로에 대해 수직을 이룬다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이온 밀링 전처리 시스템의 챔버와, 챔버에 설치된 스테이지 도어, 및 이온 건을 보여주는 결합 사시도이다. 그리고, 도 5는 도 4의 분해 사시도이다.
챔버(20)는 대략 정육면체(또는 직육면체) 박스 형상을 갖는다. 상기 정육면체의 면 중에서 측면(21)에는 이온 건(10)이 설치되고, 측면(21)과 마주보는 측면에는 패러데이컵(도 8의 61)이 설치되며, 상기 두 측면 사이의 측면(23)에는 스테이지 도어(30)가 설치되고, 측면(23)과 마주보는 측면에는 진공 펌프(도면에 미도시)가 설치되며, 윗면에는 CCD 카메라(도면에 미도시)가 설치되고, 아랫면에는 페닝게이지가 설치되어 챔버 내부의 진공도를 실시간으로 표시한다. 그리고, 이온 건(10), 패러데이컵(61), 스테이지 도어(30), 진공 펌프, CCD 카메라, 및 페닝 게이지에 의해서 챔버(20)의 내부는 밀폐된 공간을 이룬다. 그리고, 이러한 구성 요소를 구비하는 챔버(20)는 이온 밀링 전처리 시스템에 설치된다.
스테이지 도어(30)는 챔버(20)에 대해서 슬라이딩되면서 챔버(20)를 개폐한다. 스테이지 도어(30)는 도어 몸체(31)와, 도어 몸체(31)의 내측면에 설치된 베이스 베드(41)와, 베이스 베드(41) 상에서 설치된 y축 이송베드(43)와, y축 이송베드(43)의 위에 설치된 R축(45)과, R축(45)의 위에 설치된 시료대 고정판(47), 및 y축 방향을 따라 길게 형성된 가이드 봉(38)을 구비한다.
도어 몸체(31)는 관통부(27)를 개폐할 수 있는 넓이와 형상을 가진 평판형 부재이다. 도어 몸체(31)의 내측면에는 관통부(27)를 밀폐하기 위한 오링(도면에 미도시)이 설치될 수 있다. 따라서, 도어 몸체(31)가 측면(23)에 밀착되는 것에 의해 챔버(20) 내부가 밀폐되고 도어 몸체(31)가 측면(23)에서 분리되는 것에 의해 챔버(20) 내부가 개방된다.
베이스 베드(41)는 도어 몸체(31)의 내측면에 결합된 것으로서, 그 길이 방향(y축 방향)을 따라 길게 형성된다. 베이스 베드(41)의 윗면에는 레일(42)이 y축 방향으로 형성되고, 레일(42)에는 y축 이송베드(43)가 슬라이딩 가능하도록 설치된다.
y축 이송베드(43)에는 이송 스크류(44)가 설치되고, 이송 스크류(44)는 스텝모터(49)에 의해 정,역방향으로 회전된다. 스텝모터(49)가 정,역방향으로 회전되면 이송 스크류(44)가 정,역방향으로 회전되고, 이에 따라 y축 이송베드(43)가 y축 방향으로 전진 또는 후진하게 된다.
R축(45)은 y축 이송베드(43) 상에서 회전 가능하도록 설치된다. R축(45)의 회전은 y축 이송베드(43)와 수직을 이루는 축(z축)을 중심으로 이루어진다. R축(45)의 회전은 스텝모터(49)에 의해서 이루어질 수 있다.
시료대 고정판(47)은 R축(45)의 위에 설치되는 것으로서, 시료대(도면에 미도시)를 고정하기 위한 것이다. 시료(도면에 미도시)는 시료대에 고정되는데, 이러한 시료대의 구조는 공지되어 있으므로 여기서는 설명을 생략하기로 한다.
가이드 봉(38)은 도어 몸체(31)의 내측면에서 길게 연장된 봉으로서, 적어도 두 개가 서로 평행하도록 설치된다. 가이드 봉(38)은 가이드 홈(29)에 삽입되어 슬라이딩될 수 있는데, 가이드 봉(38)과 가이드 홈(29)에 의해서 스테이지 도어(30)가 챔버(20)에 대해 슬라이딩하면서 전진 또는 후진할 수 있다.
적어도 두 개의 가이드 봉(38) 중에서 적어도 어느 하나의 선단에는 돌기(38a)가 형성될 수 있다. 그리고, 도 7에 나타난 바와 같이, 가이드 홈(29)의 입구에는 스토퍼(29a)가 설치될 수 있다. 스테이지 도어(30)가 후진할 때 돌기(38a)가 스토퍼(29a)에 걸리는 것에 의해서 가이드 봉(38)이 가이드 홈(29)에서 분리되는 것이 방지된다.
예를 들어, 스토퍼(29a)는 가이드 홈(29)의 입구에 설치되되 버튼(도면에 미도시) 등에 의해 회동되거나 선형이동되도록 할 수 있다. 따라서, 가이드 봉(38)이 상기 입구에 삽입될 때에는 버튼을 가압하여 스토퍼(29a)가 후퇴되도록 함으로써 스토퍼(29a)와 돌기(38a)가 간섭되지 않도록 하고 삽입이 완료된 후에는 원상태로 복귀되도록 할 수 있다.
스테이지 가스관(50)은 이온 건(10)의 내부에 가스, 예를 들어 아르곤 가스(Ar)를 주입하기 위한 관으로서, 도어 몸체(31)의 내측면에서 y축 방향(스테이지 도어의 슬라이딩 방향)으로 길게 연장되도록 설치된다.
스테이지 가스관(50)은 그 선단에 설치된 절연관(55)을 포함할 수 있다. 절연관(55)은 전기적 절연 소재로 이루어진다. 스테이지 가스관(50)을 통해 공급된 가스는 절연관(55)을 통해서 이온 건(10)의 내부에 주입된다.
바람직하게, 도어 몸체(31)는 가스 공급관(도면에 미도시)이 접속되는 접속포트(39)와, 접속포트(39)와 스테이지 가스관(50)을 연결하도록 도어 몸체(31)의 내부에 형성된 내부 유로를 포함한다. 따라서, 가스는 가스 공급관과 접속포트(39)와 내부 유로와 스테이지 가스관(50) 및 절연관(55)을 순차적으로 경유하여 이온 건(10)에 공급된다.
도 8은 스테이지 도어(30)가 전진하여 챔버(20)를 밀폐한 상태로서, 스테이지 가스관(50)이 이온 건에 연결된 상태를 보여주는 평면도이고, 도 9는 도 8의 B 부분의 내부를 확대해서 보여주는 단면도이다.
이온 건(10)은 외통(11)과, 외통(11)의 내부에 설치된 애노드(16)와 캐소드(18)를 포함할 수 있다. 접속홈(12)은 외통(11)에 형성되는데, 접속홈(12)의 바닥면에는 제1 주입공(13)이 형성된다. 상기 바닥면은 제1 주입공(13)을 향한 하향 경사면으로 이루어질 수 있다.
애노드(16)는 원통 형상의 전극이다. 애노드(16)와 캐소드(18) 사이에는 전위차가 존재하는데, 이온이 전위차에 의해 발생된 후 가속되어 이온 빔이 된다. 이온 빔은 출구(19)를 통해 나온 후 시료에 조사된다.
애노드(16)의 측면에는 제2 주입공(17)이 형성된다. 제2 주입공(17)과 제1 주입공(13)은 서로 연결되어 통한다. 따라서, 절연관(55)을 통해 공급된 가스는 제1,2 주입공(13)(17)을 통해서 애노드(16)의 내부로 주입된다.
제2 주입공(17)의 직경(D2)은 제1 주입공(13)의 직경(D1) 보다 크고, 바람직하게는 제2 주입공(17)은 제1 주입공(13) 보다 그 직경이 0.3mm ~ 0.8mm 크며, 더욱 바람직하게는 제2 주입공(17)의 직경(D2)이 3mm이고 제1 주입공(13)의 직경(D1)이 2.5mm이며 직경 차이(D2-D1)는 0.5mm이다.
상기 직경 차이(D2-D1)가 존재하는 것은 오리피스 형상을 구현하기 위한 구조 때문인데, 상기 직경 차이(D2-D1)가 0.3mm보다 작으면 이온 건 내부가 아닌 절연관(55) 구간에서 방전현상이 발생되기 때문에 바람직하지 않고 직경 차이(D2-D-1)가 0.8mm 보다 크면 이온건 내부에 일정한 압력 조건이 형성되지 않아 불규칙한 이온 빔이 발생하기 때문에 바람직하지 않다.
그리고, 상기 직경 차이(D2-D-1)가 상술한 바와 같이 유지되는 조건 하에서, 상기 하향 경사면의 가장 윗부분과 절연관(55)의 끝단은 소정 간격(g)으로 이격된 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 상기 간격(g)이 0.9mm ~ 1.3mm이며, 가장 바람직하게는 상기 간격(g)이 1mm ~ 1.2mm이다.
상기 간격(g)은 이온 건 내부에 일정한 압력구배를 주기 위해 존재하는 것인데, 상기 간격(g)이 0.9mm 보다 작으면 이온 건의 내부 허용압력이 계속 상승하기 때문에 바람직하지 않고, 상기 간격(g)이 1.3mm 보다 크면 이온 건의 내부 허용압력이 감소되어 이온빔 플라즈마 형성이 안되므로 바람직하지 않다.
위에서 설명한 바와 같이, 스테이지 도어(30)가 전진하여 챔버(20)를 밀폐하면 절연관(55)이 접속홈(12)에 접속되고 간격(g)이 0.9mm ~ 1.3mm로 항상 일정하게 유지되기 때문에 일정한 양의 가스가 이온 건(10)에 주입되고 챔버(20)의 내부 압력을 일정하게 유지할 수 있으며, 이에 따라 이온 건(10)의 성능을 일정하게 유지할 수 있다. 이에 비해, 기존의 접속구조(도 3)에서는 절연관(5a)과 이온 건(3) 사이의 간격이 일정하게 유지되기가 어려웠기 때문에 이온 건의 성능이 일정하게 유지되기가 어려웠다.
한편, 시편을 교체하거나 챔버 내부를 청소할 때에는 스테이지 도어(30)를 뒤로 당겨서 챔버(20)를 개방시킨다. 도 10은 챔버(20)가 개방된 상태를 보여주는 평면도이다. 스테이지 도어(30)를 뒤로 당기면 가이드 봉(38)이 가이드 홈(29)에서 인출되면서 슬라이딩 되고 절연관(55)이 접속홈(12)에서 완전히 분리되는데, 돌기(38a)가 스토퍼(29a)에 걸리게 되면 슬라이딩이 정지된다.
이와 같이, 본 발명에 따른 접속 구조는 절연관(55)과 접속홈(12)의 분리가 용이하다는 장점을 갖는다. 이에 비해, 기존의 접속 구조(도 3)는 절연관(5a)을 이온 건(3)에서 분리하고, 이어서 고압 케이블(도면에 미도시)을 커넥터(도면에 미도시)에서 분리한 후, 이온 건(3)을 챔버(2)에서 분리해야 하므로, 청소 작업이 매우 복잡하고 어렵다는 문제점을 갖고 있다.
1 : 기존의 이온 밀링 전처리 시스템
2 : 챔버 3 : 이온 건
4 : 스테이지 5 : 가스관
5a : 절연관 6 : 제어부
7 : CCD 카메라 10 : 이온 건
11 : 외통 12 : 접속홈
13 : 제1 주입공 16 : 애노드
17 : 제2 주입공 18 : 캐소드
19 : 출구 20 : 챔버
21, 23 : 챔버의 측면 25 : 챔버의 윗면
27 : 관통부 29 : 가이드 홈
29a : 스토퍼 30 : 스테이지 도어
31 : 도어 몸체 38 : 가이드 봉
38a : 돌기 41 : 베이스 베드
42 : 레일 43 : y축 이송베드
44 : 이송 스크류 45 : R축
47 : 시료대 고정판 49 : 스텝모터
50 : 스테이지 가스관 55 : 절연관
D1 : 제1 주입공의 직경 D2 : 제2 주입공의 직경
g : 접속홈의 바닥면 하향 경사면의 가장 윗부분과 절연관 끝단 사이의 간격

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 내부에 이온 건(10)이 설치된 챔버(20);
    챔버(20)에 대해서 슬라이딩되면서 챔버(20)를 개폐하는 스테이지 도어(30);
    이온 건(10)의 외통(11)에 형성된 접속홈(12); 및,
    스테이지 도어(30)에 설치되어 스테이지 도어(30)와 함께 슬라이딩되면서 접속홈(12)에 접속되거나 접속홈(12)에서 분리되는 스테이지 가스관(50);을 포함하고,
    스테이지 도어(30)가 전진하도록 슬라이딩되어 챔버(20)를 밀폐하면 스테이지 가스관(50)이 접속홈(12)에 접속되어 가스를 이온 건(10)의 내부에 공급하고 스테이지 도어(30)가 후진하도록 슬라이딩되어 챔버(20)를 개방하면 스테이지 가스관(50)이 접속홈(12)에서 분리되고,
    스테이지 가스관(50)은 그 선단에 설치된 절연관(55)을 포함하고, 절연관(55)은 전기적 절연체로 이루어지며,
    스테이지 도어(30)가 전진하도록 슬라이딩되어 챔버(20)를 밀폐하면 절연관(55)이 접속홈(12)에 접속되어 가스를 이온 건(10)의 내부에 공급하되 절연관(55)의 끝단과 접속홈(12)은 소정 간격으로 이격되고, 스테이지 도어(30)가 후진하도록 슬라이딩되어 챔버(20)를 개방하면 절연관(55)이 접속홈(12)에서 분리되는 것을 특징으로 하는, 이온 밀링 전처리 시스템의 스테이지 가스관 접속 구조.
  3. 제2항에 있어서,
    접속홈(12)의 바닥면에는 제1 주입공(13)이 형성되고,
    애노드(16)에는 제2 주입공(17)이 형성되며, 제1 주입공(13)과 제2 주입공(17)은 연결되어 통하며, 제2 주입공(17)은 제1 주입공(13) 보다 그 직경이 0.3mm ~ 0.8mm 큰 것을 특징으로 하는, 이온 밀링 전처리 시스템의 스테이지 가스관 접속 구조.
  4. 제3항에 있어서,
    접속홈(12)의 바닥면에는 제1 주입공(13)이 형성되고, 상기 바닥면은 제1 주입공(13)을 향한 하향 경사면으로 이루어지며,
    스테이지 도어(30)가 챔버(20)를 밀폐하면 절연관(55)의 끝단과 상기 하향 경사면의 가장 윗부분 사이의 간격(g)은 0.9mm ~ 1.3mm인 것을 특징으로 하는, 이온 밀링 전처리 시스템의 스테이지 가스관 접속 구조.
  5. 내부에 이온 건(10)이 설치된 챔버(20);
    챔버(20)에 대해서 슬라이딩되면서 챔버(20)를 개폐하는 스테이지 도어(30);
    이온 건(10)의 외통(11)에 형성된 접속홈(12); 및,
    스테이지 도어(30)에 설치되어 스테이지 도어(30)와 함께 슬라이딩되면서 접속홈(12)에 접속되거나 접속홈(12)에서 분리되는 스테이지 가스관(50);을 포함하고,
    스테이지 도어(30)가 전진하도록 슬라이딩되어 챔버(20)를 밀폐하면 스테이지 가스관(50)이 접속홈(12)에 접속되어 가스를 이온 건(10)의 내부에 공급하고 스테이지 도어(30)가 후진하도록 슬라이딩되어 챔버(20)를 개방하면 스테이지 가스관(50)이 접속홈(12)에서 분리되고,
    스테이지 도어(30)는,
    가스 공급관이 접속되는 접속 포트(39); 및,
    접속 포트(39)를 스테이지 가스관(50)에 연결하도록 스테이지 도어(30)의 내부에 형성된 내부 유로;를 포함하고,
    가스는 가스 공급관과 접속 포트(39)와 내부 유로 및 스테이지 가스관(50)을 순차적으로 경유하여 이온 건(10)에 공급되는 것을 특징으로 하는, 이온 밀링 전처리 시스템의 스테이지 가스관 접속 구조.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 슬라이딩을 위한 가이드 봉(38)과 가이드 홈(29)을 포함하고,
    가이드 봉(38)은 적어도 두 개가 서로 평행하도록 설치되되 스테이지 도어(30)에서 챔버(20)쪽을 향해서 길게 연장되도록 설치되고,
    가이드 홈(29)은 가이드 봉(38)과 대응되도록 챔버(20)에 형성된 것을 특징으로 하는, 이온 밀링 전처리 시스템의 스테이지 가스관 접속 구조.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 가이드 봉(38) 중 적어도 어느 하나의 선단에는 돌기(38a)가 형성되고, 가이드 홈(29)의 입구에는 스토퍼(29a)가 설치되며,
    스테이지 도어(30)가 후방으로 슬라이딩될 때 돌기(38a)가 스토퍼(29a)에 걸리는 것에 의해 가이드 봉(38)과 가이드 홈(29)의 분리가 방지되는 것을 특징으로 하는, 이온 밀링 전처리 시스템의 스테이지 가스관 접속 구조.
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