KR102463287B1 - Substrate rotating apparatus, substrate rotating method, lithography apparatus, and method of manufacturing article - Google Patents

Substrate rotating apparatus, substrate rotating method, lithography apparatus, and method of manufacturing article Download PDF

Info

Publication number
KR102463287B1
KR102463287B1 KR1020190069188A KR20190069188A KR102463287B1 KR 102463287 B1 KR102463287 B1 KR 102463287B1 KR 1020190069188 A KR1020190069188 A KR 1020190069188A KR 20190069188 A KR20190069188 A KR 20190069188A KR 102463287 B1 KR102463287 B1 KR 102463287B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
board
suction
rotating
holding
Prior art date
Application number
KR1020190069188A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190143372A (en
Inventor
야스히로 모테기
다케노부 고바야시
다카오 미우라
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20190143372A publication Critical patent/KR20190143372A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102463287B1 publication Critical patent/KR102463287B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판 스테이지의 대형화를 억제하면서, 또한, 스루풋의 관점에서 유리한 기판 회전 장치를 제공한다. 보유 지지면 상에서 기판을 보유 지지하는 기판 스테이지와, 기판의 상면을 흡인하고, 기판의 상면에 대해서 기체를 분출함으로써, 기판을 기판 스테이지로부터 부상시킨 상태에서 지지하는 흡인부와, 흡인부에 의해 지지된 기판을 보유 지지면에 직교하는 축 주위로 회전시키는 구동 기구를 구비한다.There is provided a substrate rotating apparatus advantageous in terms of throughput while suppressing an increase in the size of the substrate stage. A substrate stage for holding the substrate on the holding surface, a suction unit for supporting the substrate in a floating state from the substrate stage by sucking the upper surface of the substrate and blowing gas to the upper surface of the substrate, and supported by the suction unit and a drive mechanism that rotates the substrate to be rotated about an axis orthogonal to the holding surface.

Description

기판 회전 장치, 기판 회전 방법, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법{SUBSTRATE ROTATING APPARATUS, SUBSTRATE ROTATING METHOD, LITHOGRAPHY APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}SUBSTRATE ROTATING APPARATUS, SUBSTRATE ROTATING METHOD, LITHOGRAPHY APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

본 발명은, 기판 회전 장치, 기판 회전 방법, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate rotating apparatus, a substrate rotating method, a lithographic apparatus, and a method of manufacturing an article.

반도체 디바이스나 액정 표시 장치 등의 물품을 제조하는 공정의 하나인 리소그래피 공정에 있어서, 투영 광학계를 통해 기판 상의 노광 영역에 마스크의 패턴을 전사하는 노광 장치가 사용되고 있다. 1개의 기판에 대해서, 복수 종류의 패턴을 전사하는 경우가 있다. 이에 반하여, 일본 특허공개 제2013-219068호 공보에서는, 기판 스테이지 상에서 기판을 회전시키는 기구를 마련함으로써, 노광 장치 내에서 기판을 회전시키는 시스템을 개시하고 있다.DESCRIPTION OF RELATED ART In the lithography process which is one of the processes of manufacturing articles, such as a semiconductor device and a liquid crystal display device, the exposure apparatus which transfers the pattern of a mask to the exposure area|region on a board|substrate through a projection optical system is used. With respect to one board|substrate, several types of patterns may be transcribe|transferred. On the other hand, Japanese Patent Laid-Open No. 2013-219068 discloses a system for rotating a substrate in an exposure apparatus by providing a mechanism for rotating the substrate on a substrate stage.

그러나, 기판 스테이지 상에서 기판을 회전시키는 경우, 기판 스테이지 상에 기판을 회전시키기 위한 공간이 필요해지기 때문에, 기판 스테이지가 대형화될 수 있다. 또한, 기판 스테이지가 대형화되면, 기판 스테이지의 구동 속도가 저하되기 때문에, 스루풋이 저하될 수 있다.However, in the case of rotating the substrate on the substrate stage, since a space for rotating the substrate on the substrate stage is required, the substrate stage may be enlarged. Further, when the substrate stage becomes large, the driving speed of the substrate stage decreases, so that the throughput may decrease.

그래서, 본 발명은, 예를 들어 기판 스테이지의 대형화를 억제하면서, 또한, 스루풋의 관점에서 유리한 기판 회전 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Then, for example, an object of this invention is to provide the board|substrate rotating apparatus advantageous from a viewpoint of a throughput while suppressing the enlargement of a board|substrate stage.

본 발명은, 보유 지지면 상에서 기판을 보유 지지하는 기판 스테이지와, 기판의 상면을 흡인하고, 기판의 상면에 대해서 기체를 분출함으로써, 기판을 기판 스테이지로부터 부상시킨 상태에서 지지하는 흡인부와, 흡인부에 의해 지지된 기판을 보유 지지면에 직교하는 축 주위로 회전시키는 구동 기구를 구비한다.The present invention relates to a substrate stage for holding a substrate on a holding surface, a suction unit for supporting the substrate in a floating state from the substrate stage by sucking the upper surface of the substrate and blowing gas to the upper surface of the substrate; and a drive mechanism for rotating the substrate supported by the portion about an axis orthogonal to the holding surface.

본 발명의 추가 특징은 첨부 도면을 참조하여 이하의 예시적인 실시 형태의 설명으로부터 명백해질 것이다.Further features of the present invention will become apparent from the following description of exemplary embodiments with reference to the accompanying drawings.

도 1은, 제1 실시 형태에 따른 기판 회전 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2는, 제1 실시 형태에 따른 흡인부를 설명하는 도면이다.
도 3은, 제1 실시 형태에 따른 기판의 회전 처리가 적용될 수 있는 패턴 레이아웃의 일례이다.
도 4는, 제1 실시 형태에 따른 기판의 회전 처리의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 5는, 제1 실시 형태에 따른 기판의 회전 처리를 나타내는 도면이다.
도 6은, 제2 실시 형태에 따른 흡인부의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 7은, 제2 실시 형태에 따른 기판의 회전 처리를 나타내는 도면이다.
도 8은, 제1 및 제2 실시 형태에 따른 기판 회전 장치를 적용한 노광 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram which shows the structure of the board|substrate rotating apparatus which concerns on 1st Embodiment.
It is a figure explaining the suction part which concerns on 1st Embodiment.
3 is an example of a pattern layout to which the rotation processing of the substrate according to the first embodiment can be applied.
Fig. 4 is a flowchart showing the flow of rotation processing of the substrate according to the first embodiment.
5 is a diagram showing a rotation process of the substrate according to the first embodiment.
6 is a schematic diagram showing the configuration of a suction unit according to the second embodiment.
7 is a diagram illustrating a rotation process of a substrate according to the second embodiment.
8 is a schematic diagram showing the configuration of an exposure apparatus to which the substrate rotating apparatus according to the first and second embodiments is applied.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일한 부재 내지 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, with reference to an accompanying drawing, preferable embodiment of this invention is described. In addition, in each figure, the same reference number is attached|subjected about the same member thru|or element, and overlapping description is abbreviate|omitted.

(제1 실시 형태)(First embodiment)

본 발명에 따른 제1 실시 형태의 기판 회전 장치(100)에 대하여 설명한다. 도 1은, 제1 실시 형태에 따른 기판 회전 장치(100)의 구성을 나타내는 개략도이다. 도 1의 (A)는, 기판 회전 장치(100)를 +Z 방향에서 본 상면도이다. 도 1의 (B)는, 기판 회전 장치(100)를 -Y 방향에서 본 단면도이다. 이하의 실시 형태에서는, 마스크의 패턴을 기판에 전사하는 노광 장치에 기판 회전 장치(100)를 적용하는 예를 설명하지만, 그에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치나, 하전 입자선을 기판에 조사하여 당해 기판에 패턴을 형성하는 묘화 장치 등의 다른 리소그래피 장치에 있어서도, 본 발명의 기판 회전 장치를 적용할 수 있다.A substrate rotating apparatus 100 of a first embodiment according to the present invention will be described. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a substrate rotating apparatus 100 according to a first embodiment. FIG. 1A is a top view of the substrate rotating apparatus 100 viewed from the +Z direction. FIG. 1B is a cross-sectional view of the substrate rotating apparatus 100 viewed from the -Y direction. Although the following embodiment demonstrates the example which applies the substrate rotation apparatus 100 to the exposure apparatus which transfers the pattern of a mask to a board|substrate, it is not limited to this. For example, also in other lithographic apparatuses such as an imprint apparatus for forming a pattern of an imprint material on a substrate using a mold, or a drawing apparatus for forming a pattern on the substrate by irradiating the substrate with a charged particle beam, the substrate of the present invention A rotating device may be applied.

제1 실시 형태의 기판 회전 장치(100)는, 노광 장치의 내부에 있어서, 기판을 회전시키기 위해서 사용될 수 있다. 기판 회전 장치(100)는, 보유 지지면 상에서 기판 P를 보유 지지하여 이동하는 기판 스테이지(1)와, 기판 P를 기판 스테이지(1)로부터 부상시켜 지지하는 흡인부(10)를 포함한다. 이하, 기판 스테이지(1)가 기판 P를 보유 지지하는 보유 지지면을 따르는 평면 내에서 서로 직교하는 방향을 X축 및 Y축이라 하고, X축 및 Y축에 수직인 방향을 Z축이라 한다. 또한, X축, Y축, 및 Z축 주위의 회전 방향을 각각 θx, θy, 및 θz 방향이라 하여 설명을 행한다.The substrate rotation apparatus 100 of the first embodiment can be used to rotate a substrate inside the exposure apparatus. The substrate rotating apparatus 100 includes a substrate stage 1 that holds and moves a substrate P on a holding surface, and a suction unit 10 that floats and supports the substrate P from the substrate stage 1 . Hereinafter, directions orthogonal to each other in a plane along the holding surface on which the substrate stage 1 holds the substrate P are referred to as X and Y axes, and directions perpendicular to the X and Y axes are referred to as Z axes. Incidentally, the rotation directions around the X-axis, Y-axis, and Z-axis will be described as θx, θy, and θz directions, respectively.

기판 스테이지(1)는, 노광 대상물인 직사각형(각형)의 유리 기판 P를 보유 지지하고, 수평면(XY 평면)을 따라 이동한다. 기판 스테이지(1)는, 리니어 모터 등의 구동계(도시생략)에 의해 구동된다. 기판 스테이지(1) 상에는 기판 스테이지(1)와 함께 이동하는 미러(6x) 및 미러(6y)가 마련되어 있다. 이 미러(6x) 및 미러(6y)에 대향하는 위치에는 각각 X 방향을 계측하기 위한 레이저 간섭계(4x), 및 Y 방향을 계측하기 위한 레이저 간섭계(4y)가 마련되어 있다. 기판 스테이지(1)의 X 방향 및 Y 방향의 위치는, 레이저 간섭계(4x) 및 레이저 간섭계(4y)에 의해 계측된다. 기판 스테이지(1)는, 레이저 간섭계(4x) 및 레이저 간섭계(4y)의 계측 결과에 기초하여 구동한다. 기판 스테이지(1)는 승강부(3), 척 베이스(5), 보유 지지 부재(2), 및 구동 기구(7)를 구비할 수 있다.The substrate stage 1 holds a rectangular (square) glass substrate P as an exposure target, and moves along a horizontal plane (XY plane). The substrate stage 1 is driven by a drive system (not shown) such as a linear motor. A mirror 6x and a mirror 6y that move together with the substrate stage 1 are provided on the substrate stage 1 . A laser interferometer 4x for measuring the X direction and a laser interferometer 4y for measuring the Y direction are provided at positions opposite to the mirror 6x and the mirror 6y, respectively. The positions of the substrate stage 1 in the X direction and the Y direction are measured by a laser interferometer 4x and a laser interferometer 4y. The substrate stage 1 is driven based on the measurement results of the laser interferometer 4x and the laser interferometer 4y. The substrate stage 1 may include a lifting unit 3 , a chuck base 5 , a holding member 2 , and a driving mechanism 7 .

승강부(3)는, 기판 스테이지(1)의 보유 지지면에 직교하는 방향(Z 방향)을 따라서 승강 가능하다. 승강부(3)는, 기판 스테이지(1) 상에 적재된 기판 P를 흡인부(10)가 기판 P를 흡인 가능한 위치(전달 위치)로 이동시킨다. 승강부(3)는, 기판 P와 접촉하는 면에 기판 P를 흡착 유지하는 제1 흡착부(도시생략)를 구비할 수 있다. 또한, 승강부(3) 선단부의 표면에는, 흡인부(10)와의 거리를 계측하기 위한 센서(3a)가 배치되어 있다. 척 베이스(5)는, 기판 스테이지(1) 상에 적재된 기판 P를 흡착 보유 지지한다. 보유 지지 부재(2)는, 기판 스테이지(1)의 중앙부에 배치되고, 기판 P의 하면의 중앙부를 흡착 유지한다. 보유 지지 부재(2)는, 구동 기구(7)에 의해, Z 방향의 승강 구동, θz 방향의 회전 구동이 가능하다. 보유 지지 부재(2)는, 기판 P의 하면과의 접촉면에, 흡착 패드 등의 제2 흡착부(2a)를 복수 구비한다.The lifting unit 3 can be raised and lowered along a direction (Z direction) orthogonal to the holding surface of the substrate stage 1 . The elevation part 3 moves the board|substrate P mounted on the board|substrate stage 1 to the position (transfer position) where the suction part 10 can attract|suck the board|substrate P. The lifting unit 3 may include a first adsorption unit (not shown) for adsorbing and holding the substrate P on the surface in contact with the substrate P. Moreover, on the surface of the front-end|tip part of the lifting part 3, the sensor 3a for measuring the distance with the attraction|suction part 10 is arrange|positioned. The chuck base 5 adsorbs and holds the substrate P mounted on the substrate stage 1 . The holding member 2 is arrange|positioned at the center part of the substrate stage 1, and adsorb|sucks hold|maintains the center part of the lower surface of the board|substrate P. The holding member 2 can be driven up and down in the Z direction and rotationally driven in the θz direction by the drive mechanism 7 . The holding member 2 is provided with two or more 2nd adsorption|suction parts 2a, such as a suction pad, in the contact surface with the lower surface of the board|substrate P.

흡인부(10)는, 노광 장치 내이며, 기판 스테이지(1)에 대해서, 상측(+Z측)에 배치된다. 흡인부(10)는, 기판 P의 상면을 흡인하며, 또한, 기판 P의 상면에 대해서, 기체를 분출함으로써, 기판 P를 기판 스테이지(1)로부터 부상시킨 상태에서, 기판 P의 상면과 접촉하지 않고 기판 P를 지지한다.The attraction|suction part 10 is inside the exposure apparatus, and is arrange|positioned with respect to the board|substrate stage 1 upper side (+Z side). The suction unit 10 sucks the upper surface of the substrate P, and blows gas to the upper surface of the substrate P, so that the substrate P is floated from the substrate stage 1 and does not come into contact with the upper surface of the substrate P and support the substrate P.

도 2는, 제1 실시 형태에 따른 흡인부(10)를 설명하는 도면이다. 본 도면은, 흡인부(10)를 -Z 방향에서 본 도면이다. 흡인부(10)의 표면은, 기판 P를 흡인하기 위한 무수한 미소 구멍(10b)을 형성한 다공질 패드(10a)로 되어 있다. 흡인부(10)는, 다공질 패드(10a)로부터 기체를 분출하고, 미소 구멍(10b)으로부터 흡인함으로써, 흡인부(10)로부터 이격하는 힘과 흡인부(10)로 끌어 당겨지는 힘의 균형을 취하여, 기판 P의 상면과 접촉하지 않고, 기판 P를 부상시킨 상태에서 지지한다. 또한, 흡인부(10)로 끌어 당겨지는 힘과 중력의 균형을 취하여, 기판 P를 부상 지지해도 된다. 본 명세서에 있어서, 「부상 지지」란, 흡인부(10)가, 기판 P를 기판 스테이지(1)로부터 부상시킨 상태에서, 다공질 패드(10a)와 기판 P의 상면이 접촉하지 않고 기판 P를 지지하는 것을 말한다.2 : is a figure explaining the suction part 10 which concerns on 1st Embodiment. This figure is the figure which looked at the suction part 10 from -Z direction. The surface of the suction part 10 is made of a porous pad 10a in which countless micropores 10b for sucking the substrate P are formed. The suction unit 10 ejects gas from the porous pad 10a and sucks it from the micropores 10b, so that the balance between the force separating from the suction unit 10 and the force drawn to the suction unit 10 is balanced. It is taken and supported in the state in which the board|substrate P was floated, without contacting with the upper surface of the board|substrate P. Moreover, the board|substrate P may be float-supported by balancing the force pulled by the attraction|suction part 10, and gravity. In this specification, "floating support" means that the suction unit 10 supports the substrate P without contact between the porous pad 10a and the upper surface of the substrate P in a state in which the substrate P is levitated from the substrate stage 1 . say to do

다공질 패드(10a)로서는, 통기성이 좋은 다공질 재료, 예를 들어 다공질 카본, 다공성 SIC 등이 사용된다. 다공질 패드(10a)는, 회전한 기판 P가 수용되는 크기인 것이 바람직하다. 따라서, 기판 P의 전체면에 대해서 기체의 분출 및 흡인을 행하는 경우, 다공질 패드(10a)는, 기판 P의 크기보다도 큰 것이 바람직하다. 회전 중에 있어서도, 기판 P의 전체면에 대해서, 흡인 및 기체의 분출을 행함으로써, 얇은 기판에 대해서도, 휨을 발생시켜 파손시키지 않고, 회전시키는 것이 가능해진다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 흡인부(10) 및 다공질 패드(10a)를, 일례로서 직사각형으로 하고 있지만, 흡인부(10) 및 다공질 패드의 형상은 이에 한정되지는 않는다. 흡인부(10) 및 다공질 패드(10a)는, 원형이어도 되고, 직사각형 이외의 다각형이어도 된다. 기판 P를 회전시킬 때, 기판 스테이지(1)는, 흡인부(10)의 바로 아래이며, 흡인부(10)의 다공질 패드(10a) 내에 기판 P가 들어가는 위치(흡인 위치)로 이동한다.As the porous pad 10a, a porous material with good air permeability, for example, porous carbon, porous SIC, or the like is used. It is preferable that the porous pad 10a has a size in which the rotated substrate P is accommodated. Therefore, in the case where gas is blown out and sucked over the entire surface of the substrate P, the porous pad 10a is preferably larger than the size of the substrate P. Even during rotation, by performing suction and blowing of gas to the entire surface of the substrate P, it becomes possible to rotate the thin substrate without causing curvature and damage. In addition, in this embodiment, although the suction part 10 and the porous pad 10a are made into rectangular shape as an example, the shape of the suction part 10 and the porous pad is not limited to this. The suction part 10 and the porous pad 10a may be circular or polygonal other than a rectangle may be sufficient as them. When the substrate P is rotated, the substrate stage 1 is directly below the suction unit 10 and moves to a position (suction position) where the substrate P enters the porous pad 10a of the suction unit 10 .

다음으로, 제1 실시 형태에 따른 기판 P의 회전 처리에 대하여 설명한다. 도 3은, 제1 실시 형태에 따른 기판의 회전 처리가 적용될 수 있는 패턴 레이아웃의 일례를 나타내는 도면이다. 본 실시 형태에 따른 기판 P의 회전 처리는, 예를 들어 도 3에 도시한 바와 같이, 1개의 기판 P에 대해서, 제1 패턴 A 및 제2 패턴 B의 복수 종류의 패턴을 전사하는 경우에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 제1 패턴 A를 전사한 후, 제2 패턴 B를 전사하기 위해서, 기판 P를 회전시킬 필요가 있다. 본 실시 형태에서는, 노광 장치 내에 있어서 기판 P를 회전시킨다.Next, the rotation process of the board|substrate P which concerns on 1st Embodiment is demonstrated. 3 is a diagram showing an example of a pattern layout to which the rotation processing of the substrate according to the first embodiment can be applied. The rotation processing of the substrate P according to the present embodiment is used in the case of transferring a plurality of types of patterns of the first pattern A and the second pattern B with respect to one substrate P, for example, as shown in FIG. 3 . can In this case, after transferring the first pattern A, in order to transfer the second pattern B, it is necessary to rotate the substrate P. In this embodiment, the board|substrate P is rotated in the exposure apparatus.

도 4는, 제1 실시 형태에 따른 기판 P의 회전 처리의 흐름을 나타내는 흐름도이다. 우선, 기판 P에 대해서 제1 패턴 A의 전사를 행하고, 제1 패턴 A의 전사를 완료시킨다(S401). 이어서, 기판 스테이지(1)를 구동하고, 기판 P를 흡인 위치로 이동시킨다(S402). 도 5는, 제1 실시 형태에 따른 기판 P의 회전 처리를 나타내는 도면이다. 도 5의 (A)는, 기판 스테이지(1)에 의해, 기판 P가 흡인 위치로 이동된 상태를 나타내고 있다.4 is a flowchart showing the flow of rotation processing of the substrate P according to the first embodiment. First, the first pattern A is transferred with respect to the substrate P, and the transfer of the first pattern A is completed (S401). Next, the substrate stage 1 is driven, and the substrate P is moved to the suction position (S402). 5 : is a figure which shows the rotation process of the board|substrate P which concerns on 1st Embodiment. FIG. 5A shows a state in which the substrate P is moved to the suction position by the substrate stage 1 .

도 4로 되돌아가서, 기판 P를 흡인 위치로 이동시키면, 승강부(3) 및 보유 지지 부재(2)를 +Z 방향으로 상승 구동시켜 기판 P를 전달 위치까지 이동시킨다 (S403). 도 5의 (B)는, 기판 P를 전달 위치까지 이동시킨 상태를 나타내고 있다. 이때, 승강부(3) 및 보유 지지 부재(2)는, 제1 흡착부 및 제2 흡착부(2a)에 의해 기판 P의 하면을 흡착 유지하고 있다. 따라서, 기판 P에 휨을 발생시키지 않고, 전달 위치까지 이동시킬 수 있다. 전달 위치는, 예를 들어 기판 P가 승강부(3)에 의해 흡착 유지되어 있는 상태에서, 흡인부(10)가 기판 P를 흡인하고, 승강부(3)로부터 기판 P를 부상시켜 지지하는 것이 가능한 흡인부(10)와 승강부(3)의 거리를 미리 계측함으로써 설정해도 된다. 이 경우, 예를 들어 승강부(3) 선단부의 표면에 구비된 복수의 센서(3a)에 의해, 승강부(3)와 흡인부(10)의 거리를 계측하고, 승강부(3)와 흡인부(10)의 거리가 목표의 값으로 되도록 제어한다.Returning to Fig. 4 , when the substrate P is moved to the suction position, the lifting unit 3 and the holding member 2 are driven upward in the +Z direction to move the substrate P to the transfer position (S403). Fig. 5(B) shows a state in which the substrate P is moved to the transfer position. At this time, the raising/lowering part 3 and the holding member 2 are adsorbing and holding the lower surface of the board|substrate P by the 1st adsorption|suction part and the 2nd adsorption|suction part 2a. Accordingly, it is possible to move the substrate P to the transfer position without causing warpage. The transfer position is, for example, in a state in which the substrate P is adsorbed and held by the lifting unit 3 , the suction unit 10 attracts the substrate P, and the substrate P is lifted from the lifting unit 3 and supported. You may set by measuring in advance the distance between the suction part 10 and the raising/lowering part 3 as possible. In this case, for example, the distance between the elevating unit 3 and the suction unit 10 is measured by a plurality of sensors 3a provided on the surface of the distal end of the elevating unit 3 , and the elevating unit 3 and the suction unit are suctioned. Controlled so that the distance of the part 10 becomes a target value.

도 4로 되돌아가서, 흡인부(10)는, 기판 P가 전달 위치로 이동한 부분에서 (S404, "예"), 기판 P에 대해서 흡인 및 기체의 분출을 개시한다(S405). 흡인 및 기체의 분출에 의한 부상 지지로 기판 P의 위치가 안정되면, 승강부(3)는, 제1 흡착부에 의한 기판 P의 흡착을 정지하고, 하강한다(S406). 이때, 기판 P를 흡착 유지하는 것은 기판 P의 하면의 중앙부를 흡착 유지하는 보유 지지 부재(2)뿐으로 되기 때문에, 보유 지지 부재(2)의 제2 흡착부(2a)는 복수 배치하는 것이 바람직하다. 제2 흡착부(2a)를 복수 배치함으로써, X, Y 방향의 기판 P의 흡착 어긋남을 억제하는 것이 가능해진다.Returning to Fig. 4 , the suction unit 10 starts suctioning and blowing gas with respect to the substrate P at the portion where the substrate P has moved to the delivery position (S404, Yes) (S405). When the position of the board|substrate P is stabilized by the floating support by suction and gas ejection, the raising/lowering part 3 stops adsorption|suction of the board|substrate P by the 1st adsorption|suction part, and descend|falls (S406). At this time, since only the holding member 2 which adsorbs and holds the central part of the lower surface of the substrate P is the only thing which adsorb|sucks hold|maintains the board|substrate P, it is preferable to arrange|position the 2nd adsorption|suction part 2a of the holding member 2 in multiple numbers. . By arranging a plurality of the second adsorption portions 2a, it becomes possible to suppress the adsorption shift of the substrate P in the X and Y directions.

흡인부(10)는, 다공질 패드(10a)로부터의 공기의 분출 압력과 흡인 압력의 밸런스로 기판 P를 부상 지지하고 있다. 그 때문에, 미리 설정한 전달 위치까지 상승한 보유 지지 부재(2) 상의 기판 P와 흡인부(10)의 거리는, 흡인부(10)에 부상 지지된 상태의 기판 P와 흡인부(10)의 거리와 동등하지 않으면, 기판 P는 중심이 휜 상태에서 부상 지지되어 버린다. 따라서, 전달 위치는 기판 P의 중량, 즉, 기판 P의 사이즈나 두께에 따라 변경할 필요가 있다. 또한, 흡인부(10)의 공기 분출 압력과 흡인 압력을 기판 P의 중량에 따라 변경해도 된다. 예를 들어, 기판 P의 중량과 분출 압력과 흡인 압력을 관련지어 도시하지 않은 압력 제어부에 기억하고, 반입된 기판 P의 중량에 따라, 분출 압력과 흡인 압력을 변경해도 된다. 또는, 분출 압력과 흡인 압력은 변경하지 않고, 보유 지지 부재(2) 내부에 댐퍼 기구를 마련하여, 기판 P의 중심이 휘지 않고 부상 지지되는 위치까지 보유 지지 부재(2)의 Z 방향의 위치를 미세 조정하는 방법이어도 된다. 이와 같이 구성함으로써, 기판 P의 중량에 구애되지 않고, 전달 위치를 항상 동일한 위치로 설정하는 것이 가능해진다.The suction part 10 floats and supports the board|substrate P with the balance of the blowing pressure of the air from the porous pad 10a, and a suction pressure. Therefore, the distance between the substrate P and the suction unit 10 on the holding member 2 raised to the preset transfer position is the distance between the substrate P and the suction unit 10 in a state of floating and supported by the suction unit 10 and If it is not equal, the board|substrate P will float and support in the state which the center was bent. Therefore, the transfer position needs to be changed according to the weight of the substrate P, that is, the size or thickness of the substrate P. In addition, you may change the air blowing pressure and suction pressure of the suction part 10 according to the weight of the board|substrate P. As shown in FIG. For example, the weight of the substrate P, the ejection pressure, and the suction pressure may be correlated and stored in a pressure control unit (not shown), and the ejection pressure and the suction pressure may be changed according to the weight of the loaded substrate P. Alternatively, without changing the ejection pressure and the suction pressure, a damper mechanism is provided inside the holding member 2, and the position in the Z direction of the holding member 2 is adjusted to a position where the center of the substrate P is supported by floating without bending. A method of fine adjustment may be used. By comprising in this way, it becomes possible to always set the delivery position to the same position, irrespective of the weight of the board|substrate P.

부상 지지가 성립된 후, 구동 기구(7)에 의한 보유 지지 부재(2)의 θz 방향으로 회전을 개시한다(S407). 도 5의 (C)는, 보유 지지 부재(2)를 회전시키고 있는 상태를 나타내고 있다. 예를 들어, 구동 기구(7)에 구비되어 있는 회전 인코더에 의해 구동 기구(7)의 회전량을 계측하면서, 보유 지지 부재(2)를 회전 구동시킴으로써, 보유 지지 부재(2)의 회전 중심을 중심으로 하여 정확하게 임의의 각도, 기판 P를 회전시킬 수 있다. 이하, 구동 기구(7)에 구비되어 있는 회전 인코더로 회전량을 계측하면서, 보유 지지 부재(2)를 회전 구동시킴으로써, 기판 P를 회전시키는 것을 회전 동작이라고 한다. 본 실시 형태에 있어서는, 일례로서, 기판 P를 90도 회전시킨다.After floating support is established, rotation of the holding member 2 by the drive mechanism 7 is started in the θz direction (S407). Fig. 5C shows a state in which the holding member 2 is rotated. For example, by rotating the holding member 2 while measuring the rotation amount of the driving mechanism 7 with the rotary encoder provided in the driving mechanism 7 , the rotational center of the holding member 2 is determined. It is possible to rotate the substrate P at any angle precisely with respect to the center. Hereinafter, rotating the board|substrate P by rotationally driving the holding member 2, measuring a rotation amount with the rotary encoder with which the drive mechanism 7 was equipped is called rotation operation. In this embodiment, as an example, the board|substrate P is rotated 90 degree|times.

도 4로 되돌아가서, 회전 인코더의 회전량이 90도로 되면(S408, "예") 회전 동작을 종료한다(S409). 기판 P의 회전이 완료된 후, 승강부(3)를 다시 상승시킨다(S410). 승강부(3)가 전달 위치까지 상승되면(S411, "예"), 승강부(3)의 제1 흡착부에 의해, 기판 P를 흡착 유지한다. 승강부(3)의 제1 흡착부에 의해, 기판 P가 흡착 유지되면, 흡인부(10)의 흡인 및 기체의 분출을 정지한다 (S412). 그 후, 승강부(3) 및 보유 지지 부재(2)를 하강 구동시켜, 척 베이스(5) 상에 기판 P가 적재되는 위치까지 기판 P를 이동시키고, 척 베이스(5)에 기판 P를 흡착 유지시킨다(S413).Returning to Fig. 4, when the rotation amount of the rotary encoder reaches 90 degrees (S408, "Yes"), the rotation operation is terminated (S409). After the rotation of the substrate P is completed, the lifting unit 3 is raised again (S410). When the lifting unit 3 is raised to the delivery position (S411, Yes), the substrate P is adsorbed and held by the first adsorption unit of the lifting unit 3 . When the board|substrate P is adsorbed and held by the 1st adsorption|suction part of the raising/lowering part 3, the attraction|suction of the attraction|suction part 10 and blowing of gas are stopped (S412). Thereafter, the lifting unit 3 and the holding member 2 are driven down to move the substrate P to a position where the substrate P is mounted on the chuck base 5 , and the substrate P is adsorbed to the chuck base 5 . maintain (S413).

척 베이스(5)에 의한 기판 P의 흡착 유지가 완료되면, 기판 스테이지(1)를 구동하고, 기판 P를 패턴의 전사 처리 위치로 이동시킨다(S414). 그 후, 기판 P에 대해서 제2 패턴 B의 전사를 개시한다(S415). 기판 스테이지(1) 상에서 기판 P를 회전시키는 경우, 예를 들어 기판 스테이지(1)에 마련된 미러(6x, 6y)를, 기판 P를 회전시킬 때 간섭하지 않는 위치에 배치해야 하기 때문에, 기판 스테이지(1)가 대형화될 수 있다. 그러나, 본 실시 형태에서는, 기판 P를 기판 스테이지(1)로부터 부상시키고, 흡인부(10)에 의해 부상 지지된 상태에서 회전시키기 때문에, 기판 스테이지(1)를 대형화시킬 필요가 없다. 따라서, 본 실시 형태에 따르면, 기판 스테이지를 대형화시키지 않고, 또한, 장치 내에 있어서 예를 들어 정확하게 90도, 기판 P를 회전시키는 것이 가능해진다. 따라서, 기판 스테이지의 대형화를 억제하면서, 또한, 스루풋의 관점에서 유리한 기판 회전 장치를 제공하는 것이 가능해진다.When the adsorption and holding of the substrate P by the chuck base 5 is completed, the substrate stage 1 is driven to move the substrate P to the pattern transfer processing position (S414). Thereafter, the transfer of the second pattern B to the substrate P is started (S415). When the substrate P is rotated on the substrate stage 1, for example, the mirrors 6x and 6y provided on the substrate stage 1 must be placed at a position where they do not interfere when the substrate P is rotated. 1) can be enlarged. However, in this embodiment, since the substrate P is levitated from the substrate stage 1 and rotated while being levitated by the suction unit 10 , there is no need to increase the size of the substrate stage 1 . Therefore, according to this embodiment, it becomes possible to rotate the board|substrate P precisely, for example, 90 degree|times in an apparatus, without making a board|substrate stage enlarged. Accordingly, it becomes possible to provide a substrate rotating apparatus advantageous in terms of throughput while suppressing an increase in the size of the substrate stage.

또한, 흡인부(10)는, 본 실시 형태와 같이, 분출 압력과 흡인 압력을 조합한 타입이어도 되고, 공기를 방사형으로 공급하는 베르누이의 법칙을 이용한 타입이어도 된다. 또한, 흡인부(10)는, 기판 P에 휨을 발생시키지 않고 기판 P를 부상 지지할 수 있으면 되며, 분할하여 배치되어도 된다. 예를 들어, 1개의 흡인부(10)에 대해서 1개의 다공질 패드(10a)가 아니어도 되고, 흡인부(10)는 기판 P의 전체면이 아니라 일부에 대해서 기체의 분출 및 흡인을 행해도 된다. 예를 들어, 흡인부(10)는, 기판 P의 네 코너만을 부상 지지해도 되고, 기판 P의 테두리부만을 부상 지지해도 된다. 흡인부(10) 및 다공질 패드(10a)를 기판 P보다도 작게 하는 것이 가능하다. 또한, 센서(3a)는 흡인부(10)측에 배치되고, 흡인부(10)와 기판 P의 거리를 계측해도 된다.In addition, as in this embodiment, the type which combined the ejection pressure and the suction pressure may be sufficient as the suction part 10, and the type using Bernoulli's law which supplies air radially may be sufficient as it. In addition, the attraction|suction part 10 should just be able to float and support the board|substrate P without generating curvature in the board|substrate P, and may be divided and arrange|positioned. For example, it is not necessary to have one porous pad 10a with respect to one suction part 10, and the suction part 10 may perform gas ejection and suction with respect to a part rather than the whole surface of the substrate P. . For example, the attraction|suction part 10 may float support only the four corners of the board|substrate P, and may float support only the edge part of the board|substrate P. It is possible to make the suction part 10 and the porous pad 10a smaller than the board|substrate P. FIG. In addition, the sensor 3a may be arrange|positioned at the attraction|suction part 10 side, and may measure the distance between the attraction|suction part 10 and the board|substrate P.

(제2 실시 형태)(Second embodiment)

다음으로, 제2 실시 형태에 대하여 설명한다. 제2 실시 형태로서 언급하지 않은 사항은, 전술한 실시 형태에 따른다. 도 6은, 제2 실시 형태에 따른 흡인부(10)의 구성을 나타내는 개략도이다. 제2 실시 형태에 따른 기판 회전 장치의 흡인부(10)는, 구동 기구(20)를 구비한다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 센서(3a)는 흡인부(10)에 구비된다.Next, a second embodiment will be described. Matters not mentioned as the second embodiment depend on the above-described embodiment. 6 is a schematic diagram showing the configuration of the suction unit 10 according to the second embodiment. The suction unit 10 of the substrate rotating apparatus according to the second embodiment includes a drive mechanism 20 . In addition, in the present embodiment, the sensor 3a is provided in the suction unit 10 .

도 6의 (A)는, 제2 실시 형태에 따른 흡인부(10)의 측면도이다. 흡인부(10)는, 구동 기구(20), 및 맞닿음 부재(21)를 구비한다. 구동 기구(20)는, 흡인부(10)의 Z 방향의 승강 구동 및 θz 방향의 회전 구동을 행한다. 도 6의 (B)는, 제2 실시 형태에 따른 흡인부(10)를 -Z 방향에서 본 도면이다. 맞닿음 부재(21)는, 기판 P를 회전시킬 때, 흡인부(10)에 의해 부상 지지된 기판 P가 흡인 위치로부터 어긋나지 않도록, 기판 P의 단부와 맞닿음으로써 기판 P를 지지한다. 따라서, 맞닿음 부재(21)는, 흡인부(10)에 부상 지지된 기판 P의 단부와 맞닿음 가능한 위치에 배치된다. 예를 들어, 본 도면에 도시한 바와 같이, 맞닿음 부재(21)가, L자형인 경우, 2개의 맞닿음 부재(21a, 21b)를 직사각형의 기판 P의 사각 중, 대각선상에 위치하는 2개의 각에 대응하는 위치의 외측에 배치한다. 노광 장치에 있어서의 기판 P의 기판 스테이지(1)에 대한 배치 오차는, X, Y 방향으로 각각 수 ㎜ 정도이다. 맞닿음 부재(21a, 21b)는, 그 배치 오차만큼 외측에 배치한다. 한쪽의 맞닿음 부재(21b)는, 대각선상에 위치하는 맞닿음 부재(21a) 방향 즉, 기판 P의 중심 방향으로 구동 가능하게 되어 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 맞닿음 부재(21a) 및 맞닿음 부재(21b)를 기판 P의 단부에 맞닿게 하고, 기판 P 위치를 고정시키는 것이 가능하게 되어, 기판 P의 수평면(XY 평면) 방향의 움직임을 제한할 수 있다. 따라서, 기판 P를 회전시킬 때 기판 P가 흡인 위치로부터 어긋남을 억제하는 것이 가능해진다.6A is a side view of the suction unit 10 according to the second embodiment. The attraction|suction part 10 is provided with the drive mechanism 20 and the abutting member 21. As shown in FIG. The drive mechanism 20 performs the lifting/lowering drive in the Z direction and rotational drive in the θz direction of the suction unit 10 . Fig. 6B is a view of the suction unit 10 according to the second embodiment as viewed from the -Z direction. When the abutting member 21 rotates the board|substrate P, it supports the board|substrate P by contact|abutting with the edge part of the board|substrate P so that the board|substrate P floated by the attraction|suction part 10 may not shift|deviate from a suction position. Therefore, the abutting member 21 is arrange|positioned in the position which can contact|abut against the edge part of the board|substrate P floated by the attraction|suction part 10. For example, as shown in this figure, when the abutting member 21 is L-shaped, two abutting members 21a, 21b are placed on a diagonal line among the squares of the rectangular substrate P. It is placed outside the position corresponding to the angle of the dog. The arrangement error of the substrate P with respect to the substrate stage 1 in the exposure apparatus is about several mm in the X and Y directions, respectively. The abutting members 21a and 21b are arranged outside by the arrangement error. One abutting member 21b is drivable in the direction of the abutting member 21a located on a diagonal line, ie, the center direction of the board|substrate P. As shown in FIG. By setting it as such a structure, it becomes possible to make the abutting member 21a and the abutting member 21b abut against the edge part of the board|substrate P, and it becomes possible to fix the position of the board|substrate P, and movement in the horizontal plane (XY plane) direction of the board|substrate P. can be limited. Therefore, when rotating the board|substrate P, it becomes possible to suppress the shift|offset|difference of the board|substrate P from a suction position.

또한, 맞닿음 부재(21)는, 기판 P를 회전시킬 때 기판 P가 흡인 위치로부터 어긋나지 않도록 지지할 수 있으면 되며, 이 구성에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 4개의 L자형의 맞닿음 부재(21)를, 기판 P의 사각 각각에 대응하는 위치의 외측에 배치해도 된다. 또한, 4개의 맞닿음 부재(21)를, 직사각형의 기판 P의 각각의 변의 중심과 대응하는 위치의 외측에 배치해도 된다. 이 경우, 맞닿음 부재(21)는, 핀 형상이어도 된다. 또한, 이들 경우에 있어서도, 복수의 맞닿음 부재(21) 중 일부가 구동 가능하도록 구성하는 것이 바람직하다.In addition, when the abutting member 21 rotates the board|substrate P, it should just be able to support so that the board|substrate P may not shift|deviate from a suction position, and is not limited to this structure. For example, you may arrange|position the four L-shaped contact members 21 outside the position corresponding to each square of the board|substrate P. As shown in FIG. Moreover, you may arrange|position the four contact members 21 outside the position corresponding to the center of each side of the rectangular board|substrate P. As shown in FIG. In this case, the contact member 21 may have a pin shape. Moreover, also in these cases, it is preferable to comprise so that a part of the some contact member 21 is driveable.

도 7은, 제2 실시 형태에 따른 기판 P의 회전 처리를 나타내는 도면이다. 또한, 본 도면에 도시한 흡인부(10)에는, 핀 형상의 4개의 맞닿음 부재(21)가, 직사각형의 기판 P의 각각의 변의 중심과 대응하는 위치의 외측에 배치되어 있다. 노광 장치를 포함하는 리소그래피 장치에 있어서는, 기판 P의 반입 및 반출을 위해서 기판 스테이지(1)의 상부에 공간을 비워 둘 필요가 있다. 따라서, 흡인부(10)는, 예를 들어 기판 P의 회전 처리를 실행할 때 이외에는, 기판 P의 반입 및 반출을 행하는 핸드와의 간섭 에어리어 밖에 대기하고 있다. 기판 P를 회전시킬 때는, 흡인부(10)는, 기판 스테이지(1)의 상부의 흡인 위치로 이동하고, 구동 기구(20)에 의해, 전달 위치까지 하강한다. 도 7의 (A)는, 흡인부(10)를 전달 위치까지 하강시킨 상태를 나타내는 도면이다. 이때, 흡인부(10)는, 미러(6x, 6y)와 간섭하지 않는 크기일 필요가 있다. 하강 구동 시에는, 흡인부(10)에 구비된 센서(3a)를 사용하여, 기판 P와 흡인부(10)의 거리를 계측하고, 흡인부(10)와 기판 P의 거리가 목표값이 되도록 제어한다.7 : is a figure which shows the rotation process of the board|substrate P which concerns on 2nd Embodiment. Moreover, in the attraction|suction part 10 shown in this figure, the four pin-shaped contact members 21 are arrange|positioned outside the center of each side of the rectangular board|substrate P and the position corresponding to it. In a lithographic apparatus including an exposure apparatus, it is necessary to leave a space above the substrate stage 1 for loading and unloading the substrate P. Therefore, the attraction|suction part 10 waits outside the interference area with the hand which carries in and carries out the board|substrate P except when performing the rotation process of the board|substrate P, for example. When rotating the board|substrate P, the suction part 10 moves to the suction position of the upper part of the board|substrate stage 1, and the drive mechanism 20 descend|falls to the delivery position. Fig. 7(A) is a diagram showing a state in which the suction unit 10 is lowered to the delivery position. At this time, the suction part 10 needs to have a size that does not interfere with the mirrors 6x and 6y. During the descending driving, the distance between the substrate P and the suction unit 10 is measured using the sensor 3a provided in the suction unit 10 so that the distance between the suction unit 10 and the substrate P becomes a target value. control

전달 위치로 하강이 완료되면, 흡인부(10)는, 기판 P에 대해서 기체의 분출 및 흡인을 개시하고, 기판 P를 부상 지지한다. 흡인부(10)의 하강 구동 후에, 흡인부(10)가 기판 P에 대해서 흡인을 행할 때, 기판 스테이지(1)의 예를 들어 척 베이스(5)로부터 가압 에어를 기판 P의 하면으로 공급함으로써, 기판 P와 기판 스테이지(1)의 박리를 보조해도 된다. 기판 P를 부상 지지한 후, 적어도 2개 이상의 맞닿음 부재(21)를 기판 P의 중심 방향으로 구동하여 기판 P에 모든 맞닿음 부재(21)를 기판 P의 단부와 맞닿게 한다. 도 7의 (B)는, 일부의 맞닿음 부재(21)를 구동하고, 모든 맞닿음 부재(21)가 기판 P의 단부와 맞닿아 있는 상태를 나타내는 도면이다. 이에 의해, 기판 P와 맞닿음 부재(21)가 맞닿고, 흡인부(10)를 회전시킴으로써 기판 P를 회전시키는 것이 가능해진다. 또한, 흡인부(10)에 의해 기판 P를 회전시킬 때 기판 P가 흡인 위치로부터 어긋남을 억제하는 것이 가능해진다.When the descent to the delivery position is completed, the suction unit 10 starts blowing and suctioning the gas with respect to the substrate P, and supports the substrate P by floating. After the downward driving of the suction unit 10, when the suction unit 10 performs suction with respect to the substrate P, by supplying pressurized air from, for example, the chuck base 5 of the substrate stage 1 to the lower surface of the substrate P , the separation of the substrate P and the substrate stage 1 may be aided. After floating and supporting the substrate P, at least two or more abutting members 21 are driven in the center direction of the substrate P to bring all the abutting members 21 into contact with the ends of the substrate P on the substrate P. FIG. 7(B) is a diagram showing a state in which some abutting members 21 are driven, and all of the abutting members 21 are in contact with the edge portion of the substrate P. FIG. Thereby, the board|substrate P and the abutting member 21 contact|abut, and it becomes possible to rotate the board|substrate P by rotating the attraction|suction part 10. Further, when the substrate P is rotated by the suction unit 10, it becomes possible to suppress the displacement of the substrate P from the suction position.

맞닿음 부재(21)에 의해 기판 P의 수평면(XY 평면) 방향을 고정한 후, 구동 기구(20)에 의해 흡인부(10)를 θz 방향으로 회전시킨다. 이에 의해, 맞닿음 부재(21)와 맞닿는 기판 P도, 흡인부(10)의 회전에 따라서, θz 방향으로 회전한다. 이때, 흡인부(10)와 기판 스테이지(1)에 간섭하는 일이 없는 것이 바람직하지만, 간섭의 우려가 있는 물체가 있는 경우에는, 흡인부(10)를 간섭 에어리어 밖에 상승 구동시키고 나서 회전시켜도 된다. 제2 실시예에 있어서는, 흡인부(10)와 기판 P를 동시에 회전시키는 점에서, 흡인부(10)의 크기를 기판 P와 동일 정도의 크기로 하는 것이 가능하다. 그 때문에, 흡인부(10)의 소형화가 가능해진다.After fixing the horizontal plane (XY plane) direction of the board|substrate P by the abutting member 21, the attraction|suction part 10 is rotated by the (theta)z direction by the drive mechanism 20. Thereby, the board|substrate P contacting with the abutting member 21 also rotates in the (theta)z direction with rotation of the attraction|suction part 10. As shown in FIG. At this time, it is preferable not to interfere with the suction unit 10 and the substrate stage 1, but if there is an object that may interfere, the suction unit 10 may be driven upwardly outside the interference area and then rotated. . In the second embodiment, since the suction unit 10 and the substrate P are rotated simultaneously, it is possible to make the size of the suction unit 10 about the same as that of the substrate P. Therefore, the size reduction of the suction part 10 becomes possible.

(리소그래피 장치의 실시 형태)(Embodiment of lithographic apparatus)

도 8을 참조하여, 제1 및 제2 실시 형태에 따른 기판 회전 장치를 적용한 리소그래피 장치에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에서는, 리소그래피 장치로서, 기판을 노광하여 마스크의 패턴을 기판에 전사하는 노광 장치를 사용한다. 도 8은, 제1 및 제2 실시 형태에 따른 기판 회전 장치를 적용한 노광 장치 구성을 나타내는 개략도이다. 노광 장치(50)는, 조명 광학계 IL과, 투영 광학계 PO와, 마스크(55)를 보유 지지하여 이동 가능한 마스크 스테이지 MS와, 기판(56)을 보유 지지하여 이동 가능한 기판 스테이지 WS와, 기판(56)을 노광하는 처리를 제어하는 제어부(51)를 갖는다. 이하의 도면에 있어서, 상하 방향(연직 방향)으로 Z축을 취하고, Z축에 수직인 평면 내에 서로 직교하는 X축 및 Y축을 취하고 있다.A lithographic apparatus to which the substrate rotating apparatus according to the first and second embodiments is applied will be described with reference to FIG. 8 . In this embodiment, as a lithographic apparatus, an exposure apparatus for exposing a substrate to transfer a pattern of a mask onto the substrate is used. Fig. 8 is a schematic diagram showing the configuration of an exposure apparatus to which the substrate rotating apparatus according to the first and second embodiments is applied. The exposure apparatus 50 includes an illumination optical system IL, a projection optical system PO, a mask stage MS that is movable by holding the mask 55 , a substrate stage WS that is movable by holding the substrate 56 , and a substrate 56 . ) has a control unit 51 that controls the process of exposing. In the drawings below, the Z-axis is taken in the vertical direction (vertical direction), and the X-axis and the Y-axis orthogonal to each other in a plane perpendicular to the Z-axis are taken.

조명 광학계 IL은, 광원 및 슬릿(모두 도시생략)을 포함한다. 광원으로부터의 광은, 조명 광학계 IL에 포함되는 슬릿을 통하여, 예를 들어 Y축 방향에 긴 원호형의 조명 영역을 마스크 상에 형성한다. 마스크(55) 및 기판(56)의 각각은, 마스크 스테이지 MS 및 기판 스테이지 WS에 보유 지지되고, 투영 광학계 PO를 통하여, 광학적으로 거의 공액 위치(투영 광학계 PO의 물체면 및 상면의 위치)에 배치되어 있다. 투영 광학계 PO는, 소정의 투영 배율(예를 들어, 1/2배)을 갖고, 마스크(55)에 형성된 패턴을 기판(56)에 투영한다. 그리고, 마스크 스테이지 MS 및 기판 스테이지 WS를, 투영 광학계 PO의 물체면과 평행한 방향(예를 들어, 도 7의 X축 방향)으로, 투영 광학계 PO의 투영 배율에 따른 속도비로 주사한다. 이에 의해, 마스크(55)에 형성된 패턴을 기판(56)에 전사할 수 있다.The illumination optical system IL includes a light source and a slit (both not shown). The light from the light source passes through a slit included in the illumination optical system IL, and forms an illumination region elongated in the Y-axis direction, for example, in a circular arc shape on the mask. Each of the mask 55 and the substrate 56 is held by the mask stage MS and the substrate stage WS, and is optically disposed at a substantially conjugate position (the position of the object plane and the image plane of the projection optical system PO) via the projection optical system PO. has been The projection optical system PO has a predetermined projection magnification (for example, 1/2 times) and projects the pattern formed on the mask 55 onto the substrate 56 . Then, the mask stage MS and the substrate stage WS are scanned in a direction parallel to the object plane of the projection optical system PO (eg, the X-axis direction in FIG. 7 ) at a speed ratio corresponding to the projection magnification of the projection optical system PO. Thereby, the pattern formed on the mask 55 can be transferred to the substrate 56 .

투영 광학계 PO는, 예를 들어 도 7에 도시한 바와 같이, 평면 미러(52)와, 오목면 미러(53)와, 볼록면 미러(54)를 포함한다. 조명 광학계 IL로부터 사출되고, 마스크(55)를 통과한 광은, 평면 미러(52)의 제1면(52a)에서 반사되고, 오목면 미러(53)의 제1면(53a)에 입사한다. 오목면 미러(53)의 제1면(53a)에서 반사한 광은, 볼록면 미러(54)에서 반사되고, 오목면 미러(53)의 제2면(53b)에 입사한다. 오목면 미러(53)의 제2면(53b)에서 반사한 광은, 평면 미러(52)의 제2면(52b)에서 반사되고, 기판 상에 결상한다. 투영 광학계 PO에서는, 볼록면 미러(54)가 광학적인 동공으로 된다.The projection optical system PO includes, for example, a plane mirror 52 , a concave mirror 53 , and a convex mirror 54 as shown in FIG. 7 . The light emitted from the illumination optical system IL and passed through the mask 55 is reflected by the first surface 52a of the flat mirror 52 and is incident on the first surface 53a of the concave mirror 53 . The light reflected by the first surface 53a of the concave mirror 53 is reflected by the convex mirror 54 and is incident on the second surface 53b of the concave mirror 53 . The light reflected by the second surface 53b of the concave mirror 53 is reflected by the second surface 52b of the flat mirror 52 and forms an image on the substrate. In the projection optical system PO, the convex mirror 54 serves as an optical pupil.

상술한 노광 장치의 구성에 있어서, 제1 및 제2 실시 형태에 기재된 기판 회전 장치는, 예를 들어 1개의 기판(56)에 대해서, 복수 종류의 패턴을 전사할 때, 노광 장치 내에서 기판(56)을 회전시키는 경우에 사용될 수 있다. 제1 또는 제2 실시 형태의 기판 회전 장치를 구비한 노광 장치에 사용함으로써, 기판 스테이지를 대형화시키지 않고, 또한, 장치 내에 있어서 예를 들어 정확하게 90도, 기판을 회전시키는 것이 가능해진다. 따라서, 기판 스테이지의 대형화 및 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.In the configuration of the exposure apparatus described above, the substrate rotation apparatus described in the first and second embodiments, for example, when transferring a plurality of types of patterns to one substrate 56, the substrate ( 56) can be used when rotating. By using it for the exposure apparatus provided with the board|substrate rotating apparatus of 1st or 2nd embodiment, it becomes possible to rotate a board|substrate exactly 90 degrees in an apparatus, without making a board|substrate stage enlargement. Accordingly, it is possible to suppress an increase in the size of the substrate stage and a decrease in throughput.

(물품 제조 방법의 실시 형태)(Embodiment of article manufacturing method)

본 실시 형태에 따른 물품의 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스, 표시 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 예를 들어, 물품으로서, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 혹은 형 등이다. 전기 회로 소자로서는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, MRAM과 같은, 휘발성 혹은 불휘발성의 반도체 메모리나, LSI, CCD, 이미지 센서, FPGA와 같은 반도체 소자 등을 들 수 있다. 형으로서는, 임프린트용 몰드 등을 들 수 있다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 기판에 도포된 감광제에 상기 리소그래피 장치(노광 장치나 임프린트 장치, 묘화 장치 등)를 사용하여 기판에 원판의 패턴을 전사하는 공정과, 이러한 공정에서 패턴이 전사된 기판을 가공하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 기판은, 유리, 세라믹스, 금속, 반도체, 수지 등이 사용되고, 필요에 따라서, 그 표면에 기판과는 다른 재료로 이루어지는 부재가 형성되어 있어도 된다. 기판으로서는, 구체적으로 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 등이다.The method for manufacturing an article according to the present embodiment is suitable for manufacturing articles such as semiconductor devices, display devices, and elements having a microstructure, for example. For example, as an article, it is an electric circuit element, an optical element, MEMS, a recording element, a sensor, or a mold|type etc. Examples of the electric circuit element include volatile or nonvolatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. As a type|mold, the mold etc. for imprint are mentioned. The manufacturing method of the article of this embodiment includes a step of transferring a pattern of an original plate onto a substrate by using the lithographic apparatus (exposure apparatus, imprint apparatus, drawing apparatus, etc.) on a photosensitive agent applied to the substrate, and the pattern is transferred in this step It includes the process of processing the substrate. In addition, this manufacturing method includes other well-known processes (oxidation, film-forming, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist peeling, dicing, bonding, packaging, etc.). Glass, ceramics, metal, semiconductor, resin, etc. are used for a board|substrate, and the member which consists of a material different from the board|substrate may be formed in the surface as needed as needed. Specific examples of the substrate include silicon wafers, compound semiconductor wafers, and quartz glass.

본 발명은 예시적인 실시 형태를 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시 형태로 한정되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 이하의 청구범위는 그러한 모든 변형 및 균등 구조 및 기능을 포함하도록 가장 넓게 해석되어야 한다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. The following claims should be construed in the broadest possible manner to cover all such modifications and equivalent structures and functions.

본 출원은 2018년 6월 20일자로 출원된 일본 특허출원 제2018-116625호의 우선권의 이익을 주장하며, 이는 본 명세서에서 그 전체가 참고로서 원용된다.This application claims the benefit of priority of Japanese Patent Application No. 2018-116625 filed on June 20, 2018, which is incorporated herein by reference in its entirety.

Claims (15)

보유 지지면 상에서 기판을 보유 지지하는 기판 스테이지와,
상기 기판의 상면을 흡인하고, 상기 기판의 상면에 대해서 기체를 분출함으로써, 상기 기판을 상기 기판 스테이지로부터 부상시킨 상태에서 지지하는 흡인부와,
상기 흡인부에 의해 지지된 상기 기판을 상기 보유 지지면에 직교하는 축 주위로 회전시키는 구동 기구를 구비하고,
상기 흡인부는, 상기 기판을 흡인하기 위한 미소 구멍이 형성된 다공질 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 회전 장치.a substrate stage for holding the substrate on the holding surface;
a suction unit for supporting the substrate while floating from the substrate stage by sucking the upper surface of the substrate and blowing gas to the upper surface of the substrate;
a drive mechanism for rotating the substrate supported by the suction unit about an axis orthogonal to the holding surface;
The suction unit includes a porous pad having micro-holes for sucking the substrate. 제1항에 있어서,
상기 흡인부는, 상기 기판의 상면과 이격된 상태에서 지지하는 것을 특징으로 하는, 기판 회전 장치.According to claim 1,
The suction unit, the substrate rotating apparatus, characterized in that the support in a state spaced apart from the upper surface of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 다공질 패드는, 상기 기판의 크기와 동일 정도 또는 그보다도 큰 것을 특징으로 하는, 기판 회전 장치.According to claim 1,
The porous pad is a substrate rotating apparatus, characterized in that the same size or larger than the size of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 기판 스테이지는, 상기 흡인부가 상기 기판을 흡인 가능한 위치에 상기 기판을 이동시키기 위해서, 상기 보유 지지면에 직교하는 방향을 따라서 승강 가능한 승강부를 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 회전 장치.The method of claim 1,
The substrate rotating apparatus according to claim 1, wherein the substrate stage includes a lifting and lowering portion capable of lifting and lowering along a direction orthogonal to the holding surface in order to move the substrate to a position where the suction portion can attract the substrate. 제4항에 있어서,
상기 승강부는, 상기 기판과 접촉하는 면에 상기 기판을 흡착 유지하는 제1 흡착부를 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 회전 장치.5. The method of claim 4,
The said lifting part is equipped with the 1st adsorption|suction part which adsorb|sucks and holds the said board|substrate on the surface which contacts the said board|substrate, The board|substrate rotating apparatus characterized by the above-mentioned. 제5항에 있어서,
상기 제1 흡착부는, 상기 흡인부에 의한 상기 기판의 흡인이 개시된 후에 흡착을 정지하는 것을 특징으로 하는, 기판 회전 장치.6. The method of claim 5,
The first adsorption unit stops adsorption after the suction of the substrate by the suction unit starts. 제1항에 있어서,
상기 구동 기구는, 상기 기판 스테이지에 구비되는 것을 특징으로 하는, 기판 회전 장치.According to claim 1,
The said drive mechanism is provided in the said substrate stage, The substrate rotating apparatus characterized by the above-mentioned. 제7항에 있어서,
상기 기판 스테이지는, 상기 기판의 하면의 중앙부를 흡착 유지하는 보유 지지 부재를 구비하고,
상기 구동 기구는, 상기 보유 지지 부재를 회전시킴으로써, 상기 보유 지지 부재에 의해 흡착 유지된 상기 기판을 회전시키는 것을 특징으로 하는, 기판 회전 장치.8. The method of claim 7,
The substrate stage includes a holding member for adsorbing and holding a central portion of a lower surface of the substrate;
The said drive mechanism rotates the said board|substrate adsorbed and held by the said holding member by rotating the said holding member, The board|substrate rotating apparatus characterized by the above-mentioned. 제8항에 있어서,
상기 보유 지지 부재는, 상기 기판의 하면과 접촉하는 면에 복수의 제2 흡착부를 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 회전 장치.9. The method of claim 8,
The said holding member is equipped with the some 2nd adsorption|suction part on the surface which contacts the lower surface of the said board|substrate, The board|substrate rotating apparatus characterized by the above-mentioned. 보유 지지면 상에서 기판을 보유 지지하는 기판 스테이지와,
상기 기판의 상면을 흡인하고, 상기 기판의 상면에 대해서 기체를 분출함으로써, 상기 기판을 상기 기판 스테이지로부터 부상시킨 상태에서 지지하는 흡인부와,
상기 흡인부에 의해 지지된 상기 기판을 상기 보유 지지면에 직교하는 축 주위로 회전시키는 구동 기구를 구비하고,
상기 구동 기구는, 상기 흡인부에 구비되는 것을 특징으로 하는, 기판 회전 장치.a substrate stage for holding the substrate on the holding surface;
a suction unit for supporting the substrate while floating from the substrate stage by sucking the upper surface of the substrate and blowing gas to the upper surface of the substrate;
a drive mechanism for rotating the substrate supported by the suction unit about an axis orthogonal to the holding surface;
The said drive mechanism is provided with the said suction part, The board|substrate rotating apparatus characterized by the above-mentioned. 제10항에 있어서,
상기 흡인부는, 상기 기판의 단부와 맞닿음으로써, 상기 기판을 지지하는 맞닿음 부재를 구비하고,
상기 구동 기구는, 상기 흡인부를 회전시킴으로써, 상기 맞닿음 부재에 의해 지지된 상기 기판을 회전시키는 것을 특징으로 하는, 기판 회전 장치.11. The method of claim 10,
The suction unit includes an abutting member for supporting the substrate by abutting against the end of the substrate;
The drive mechanism rotates the board|substrate supported by the said abutting member by rotating the said suction part, The board|substrate rotating apparatus characterized by the above-mentioned. 보유 지지면 상에서 기판을 보유 지지하는 공정과,
상기 기판의 상면을 흡인부에 의해 흡인함으로써, 상기 기판을 기판 스테이지로부터 부상시킨 상태에서 지지하는 공정과,
상기 지지하는 공정에 있어서 지지된 상기 기판을 상기 보유 지지면에 직교하는 축 주위로 회전시키는 공정을 포함하고,
상기 흡인부는, 상기 기판을 흡인하기 위한 미소 구멍이 형성된 다공질 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 회전 방법.holding the substrate on the holding surface;
a step of supporting the substrate in a floating state from the substrate stage by sucking the upper surface of the substrate by a suction unit;
a step of rotating the substrate supported in the supporting step about an axis orthogonal to the holding surface;
The method for rotating a substrate, wherein the suction unit includes a porous pad having micropores formed therein for sucking the substrate. 보유 지지면 상에서 기판을 보유 지지하는 공정과,
상기 기판의 상면을 흡인부에 의해 흡인함으로써, 상기 기판을 기판 스테이지로부터 부상시킨 상태에서 지지하는 공정과,
상기 지지하는 공정에 있어서 지지된 상기 기판을, 구동 기구에 의해 상기 보유 지지면에 직교하는 축 주위로 회전시키는 공정을 포함하고,
상기 구동 기구는, 상기 흡인부에 구비되는 것을 특징으로 하는, 기판 회전 방법.holding the substrate on the holding surface;
a step of supporting the substrate in a floating state from the substrate stage by sucking the upper surface of the substrate by a suction unit;
a step of rotating the substrate supported in the supporting step about an axis orthogonal to the holding surface by a drive mechanism;
The drive mechanism is provided in the suction part, The substrate rotation method characterized in that it is provided. 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이며,
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 기판 회전 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.A lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate,
A lithographic apparatus, characterized in that it comprises the apparatus for rotating the substrate according to any one of claims 1 to 11. 제14항에 기재된 리소그래피 장치를 사용하여 기판에 패턴을 형성하는 공정과,
상기 공정에서 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 공정을 포함하고,
가공된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는, 물품의 제조 방법.A step of forming a pattern on a substrate using the lithographic apparatus according to claim 14;
Including a process of processing the substrate on which the pattern is formed in the process,
A method of manufacturing an article, characterized in that the article is produced from the processed substrate.
KR1020190069188A 2018-06-20 2019-06-12 Substrate rotating apparatus, substrate rotating method, lithography apparatus, and method of manufacturing article KR102463287B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018116625A JP7110005B2 (en) 2018-06-20 2018-06-20 Substrate rotation apparatus, substrate rotation method, lithographic apparatus, and article manufacturing method
JPJP-P-2018-116625 2018-06-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190143372A KR20190143372A (en) 2019-12-30
KR102463287B1 true KR102463287B1 (en) 2022-11-07

Family

ID=68921315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190069188A KR102463287B1 (en) 2018-06-20 2019-06-12 Substrate rotating apparatus, substrate rotating method, lithography apparatus, and method of manufacturing article

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7110005B2 (en)
KR (1) KR102463287B1 (en)
CN (1) CN110620032A (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027495A (en) 2005-07-19 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd Floating substrate carrier device
JP2014165470A (en) * 2013-02-28 2014-09-08 Nikon Corp Conveyance system and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101083814B1 (en) * 2009-11-25 2011-11-18 주식회사 디엠에스 Apparatus to coat photoresist on substrate
JP5877005B2 (en) * 2011-07-29 2016-03-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus, substrate holding apparatus, and substrate holding method
JP5778054B2 (en) * 2012-02-13 2015-09-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI527747B (en) * 2012-02-28 2016-04-01 炭研軸封精工股份有限公司 Non-contact adsorbing disk
JP2013219068A (en) * 2012-04-04 2013-10-24 Nikon Corp Object driving system, exposure apparatus, flat panel display manufacturing method, device manufacturing method, and object driving method
JP2013221961A (en) * 2012-04-13 2013-10-28 Nikon Corp Exposure method, manufacturing method of flat panel display, device manufacturing method and exposure device
CN108732871B (en) * 2012-11-30 2021-03-30 株式会社尼康 Transfer system, exposure apparatus, device manufacturing method, transfer method, and exposure method
JP2015018904A (en) * 2013-07-10 2015-01-29 株式会社ニコン Mark detection method and device, and exposure method and device
JP6485687B2 (en) * 2014-12-25 2019-03-20 株式会社ニコン Holding apparatus, object support apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP6838880B2 (en) * 2016-07-15 2021-03-03 キヤノン株式会社 Substrate holding device, lithography device, and manufacturing method of goods

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027495A (en) 2005-07-19 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd Floating substrate carrier device
JP2014165470A (en) * 2013-02-28 2014-09-08 Nikon Corp Conveyance system and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019219508A (en) 2019-12-26
CN110620032A (en) 2019-12-27
JP7110005B2 (en) 2022-08-01
KR20190143372A (en) 2019-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI537197B (en) Substrate carrier device, substrate carrying method, substrate supporting member, substrate holding device, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
TWI735438B (en) Object carrier device, exposure apparatus, manufacturing method of flat panel display, device manufacturing method, object carrying method, and exposure method
KR102169388B1 (en) Suction apparatus, carry-in method, conveyance system, light exposure device, and device production method
TW201906070A (en) Substrate holding apparatus, exposing apparatus, and device manufacturing method
WO2018062483A1 (en) Exposure device, flat-panel display manufacturing method, device manufacturing method and exposure method
JP6708233B2 (en) Object moving apparatus, exposure apparatus, flat panel display manufacturing method, and device manufacturing method
KR20090006064A (en) Stage apparatus, exposure apparatus, stage control method, exposure method and device manufacturing method
TW201901313A (en) Conveyance hand, conveyance apparatus, lithography apparatus, manufacturing method of article, and holding mechanism
KR102463287B1 (en) Substrate rotating apparatus, substrate rotating method, lithography apparatus, and method of manufacturing article
JP2015018927A (en) Substrate holding method and device and exposure method and device
JP6838880B2 (en) Substrate holding device, lithography device, and manufacturing method of goods
JP7030416B2 (en) Substrate holding device, lithography device, manufacturing method of goods
JP2007214336A (en) Retaining device, manufacturing method therefor retaining method, stage device, and exposure device
JP6874314B2 (en) Object holding device, exposure device, flat panel display manufacturing method, and device manufacturing method
JP3624057B2 (en) Exposure equipment
WO2007119613A1 (en) Conveyance apparatus, conveyance method, and device production method
JP2008251944A (en) Exposure apparatus
KR20230049547A (en) Positioning apparatus, lithography apparatus and article manufacturing method
CN110520798B (en) Object exchanging apparatus, object processing apparatus, method for manufacturing flat panel display, method for manufacturing device, object exchanging method, and object processing method
JP6015983B2 (en) Object exchange system, exposure apparatus, flat panel display manufacturing method, and device manufacturing method
TW202314401A (en) Stage apparatus, lithography apparatus and article manufacturing method
KR100780863B1 (en) Exposure apparatus and method, and mask stage used in this
JP2023077671A (en) Joint device and joint method
JP3483403B2 (en) Exposure equipment
JP2019061142A (en) Exposure device, transport device, and manufacturing method for article

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant