KR102456804B1 - 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상, 1,1-디클로로에탄 및 디클로로메테인으로 이루어지며, 교반기에 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 투입하는 원료투입단계, 상기 원료투입단계를 거친 교반기에 1,1-디클로로에탄을 투입하고 교반하는 제1교반단계 및 상기 제1교반단계를 거친 교반기에 디클로로메테인을 투입하고 교반하는 제2교반단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물 및 그 제조방법에 관한 기술로서, PCB(Printed Circuit Board)와 같은 전자부품에 적용되었을 때 절연성을 부여하며, 전자부품에 잔존하는 지방성분에 대해 우수한 세척력을 나타내고 전자부품에 잔존하는 미세먼지를 제거하여 오작동을 방지하고, 적절한 휘발성을 나타내어 전자부품에 백화현상이나 트레킹 현상을 유발하지 않을 뿐만 아니라, 오존층 파괴성분과 같은 유해물질을 방출하지 않는 효과가 있다.
Description
본 발명은 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 PCB(Printed Circuit Board)와 같은 전자부품에 적용되었을 때 절연성을 부여하며, 전자부품에 잔존하는 지방성분에 대해 우수한 세척력을 나타내고 전자부품에 잔존하는 미세먼지를 제거하여 오작동을 방지하고, 적절한 휘발성을 나타내어 전자부품에 백화현상이나 트레킹 현상을 유발하지 않을 뿐만 아니라, 오존층 파괴성분과 같은 유해물질을 방출하지 않는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래에는 반도체용 PCB, 실리콘기판, 액정용 유리기판 및 포토마스크용 석영기판 등과 같은 전자부품의 세정은 주로 과산화수소수와 황산의 혼합액, 과산화수소수와 염산과 물의 혼합액, 과산화수소수와 암모니아수와 물의 혼합액등, 과산화수소를 베이스로하는 농후한 약액을 사용해서 고온에서 세정한 후에 초순수에 의해 헹구는 RCA세정법으로 이루어졌다.
RCA세정법은 반도체와 같은 전자부품의 표면에 금속분말을 제거하기 위해 유효한 방법이며 동시에 전자부품의 표면에 부착된 미립자도 제거할 수 있다.
그러나, 상기의 RCA세정법은 과산화수소수, 고농도의 산 및 알칼리 등을 다량으로 사용하기 때문에 제조비용이 높고, 헹구는데 사용되는 초순수의 비용, 폐액처리비용 및 약품증기를 배기하고 새로운 청정공기를 제조하는 공조(空調)비용 등이 발생하여 처리과정에서 고비용이 소모되는 문제점이 있었다.
상기의 문제점을 해소하기 위해, 전자부품의 표면에 자연산화막을 제거하는 공정에서는, 불화수소산계의 약액에 의한 실온(室溫)처리가 채용되고 있는데, 특히,실리콘웨이퍼의 세정에 있어서, 희박한 불화수소산에 의한 세정에 의해 마무리하는 소위 '불산라스트' 세정이 많이 채용되고 있다.
불화수소산세정의 주목적은, 산화성의 약액 처리공정이나 헹굼 공정에서 발생하는, 혹은 정치(靜置)중에 발생하는 전자부품의 표면에 자연산화막 제거에 있으나, 동시에 자연산화막 속에 도입된 금속불순물도 제거할 수 있는 장점이 있다.
그러나, 상기와 같은 불화수소산세정방법은 전자부품 표면에 부착되어 있는 미립자를 제거할 수 없기 때문에, 반드시 다른 세정공정, 예를 들면, 암모니아와 과산화수소를 함유하는 세정수에 의한 소위 APM세정 등을 추가로 진행해야하는 문제점이 있으며, 세정 후에 환경오염을 유발하는 성분이 생성되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, PCB와 같은 전자부품에 적용되었을 때 절연성을 부여하며, 전자부품에 잔존하는 지방성분에 대해 우수한 세척력을 나타내고, 전자부품에 잔존하는 미세먼지를 제거하여 오작동을 방지하는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 적절한 휘발성을 나타내어 전자부품에 백화현상이나 트레킹 현상을 유발하지 않고, 오존층 파괴성분과 같은 유해물질을 방출하지 않는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의한 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물은, 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상, 1,1-디클로로에탄 및 디클로로메테인으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 바람직하게는, 상기 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물은 상기 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 1,1-디클로로에탄 25 내지 40 중량부 및 디클로로메테인 25 내지 40 중량부로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 전자부품용 세척제 조성물의 제조방법은 교반기에 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 투입하는 원료투입단계, 상기 원료투입단계를 거친 교반기에 1,1-디클로로에탄을 투입하고 교반하는 제1교반단계 및 상기 제1교반단계를 거친 교반기에 디클로로메테인을 투입하고 교반하는 제2교반단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 바람직하게는, 상기 제1교반단계는, 상기 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 1,1-디클로로에탄 25 내지 40 중량부를 혼합하는 것을 특징으로 한다.
또한, 바람직하게는, 상기 제2교반단계는, 상기 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 디클로로메테인 25 내지 40 중량부를 혼합하는 것을 특징으로 한다.
또한, 바람직하게는, 상기 제1 교반단계 및 상기 제2교반단계는, 20 내지 40℃의 온도에서 5 내지 15분 동안 교반되는 것을 특징으로 한다.
또한, 바람직하게는, 상기 제1교반단계 및 상기 제2교반단계는, 700 내지 900rpm의 회전속도로 교반되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상, 1,1-디클로로에탄 및 디클로로메테인으로 이루어지는 전자부품용 세척제 조성물 및 그 제조방법을 제공하여, PCB와 같은 전자부품에 적용되었을 때 절연성을 부여하며, 전자부품에 잔존하는 지방성분에 대해 우수한 세척력을 나타내고, 전자부품에 잔존하는 미세먼지를 제거하여 오작동을 방지하는 효과가 있다.
또한, 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소의 경우, 적절한 휘발성을 나타내므로 전자부품에 백화현상이나 트레킹 현상을 유발하지 않고, 오존층 파괴성분과 같은 유해물질을 방출하지 않는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 세척제 조성물을 이용하여 세척된 PCB의 표면을 전자현미경으로 촬영하여 나타낸 사진이다.
도 3은 본 발명의 세척제 조성물로 세척된 PCB를 50℃ 오븐에서 5 내지 15분 동안 방치한 후에 적외선 열화상 카메라로 촬영하여 나타낸 사진이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 세척제 조성물을 이용하여 세척된 PCB의 표면을 전자현미경으로 촬영하여 나타낸 사진이다.
도 3은 본 발명의 세척제 조성물로 세척된 PCB를 50℃ 오븐에서 5 내지 15분 동안 방치한 후에 적외선 열화상 카메라로 촬영하여 나타낸 사진이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예와 각 성분의 물성을 상세하게 설명하되, 이는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이지, 이로 인해 본 발명의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.
본 발명에 따른 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물은 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상, 1,1-디클로로에탄 및 디클로로메테인으로 이루어지며, 수첨 처리 중질 나프타(hydrotreated heavy naphtha)란, 나프타를 가압 수소 기류 중에서 촉매 하에 수소 첨가된 나프타를 뜻한다.
상기 수첨 처리 중질 나프타 및 이소파라핀 탄화수소는 본 발명에 따른 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물의 베이스가 되는 성분으로 세척제 조성물에 절연성을 부여하는 역할을 하는데, 상기의 수첨 처리 중질 나프타, 또는 이소파라핀 탄화수소가 함유된 세척제 조성물로 세척된 전자부품은 23,000V 이상의 절연성을 나타낸다.
또한, 상기 수첨 처리 중질 나프타 및 이소파라핀 탄화수소는 휘발성을 나타내므로, 본 발명에 따른 세척제로 PCB 등과 같은 전자부품을 세척한 후에 전자부품의 표면에 세척제의 잔유물이 줄어들게 하는 역할을 한다.
또한, 상기 수첨 처리 중질 나프타와 이소파라핀 탄화수소는 본 발명에 따른 세척제 조성물의 비전도성을 증가시키며, 상기 1,1-디클로로에탄과 반응을 통해 본 발명에 따른 세척제 조성물이 전자부품의 표면에 잔존하는 지방성분에 잘 녹게하는 역할을 한다.
또한, 보다 상세하게는, 상기 절연성을 갖는 세척제 조성물은 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 1,1-디클로로에탄 25 내지 40 중량부 및 디클로로메테인 25 내지 40 중량부로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 1,1-디클로로에탄의 경우, 녹는점이 -96.7℃이고, 끓는점이 57.3℃인 무색의 액체로, 전자부품의 표면에 잔족하는 지방성분을 녹이는 역할을 하여, 본 발명에 따른 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물에 세척력을 부여하는 역할을 한다.
또한, 상기 1,1-디클로로에탄은 본 발명에 따른 세척제 조성물로 전자부품을 세척한 후에 전자부품의 표면에 잔존하는 잔유물의 양을 줄여주는 역할을 함에 따라 25 내지 40 중량부가 함유됨이 바람직하다.
이때, 상기 1,1-디클로로에탄의 함량이 25 중량부 미만이면, 세척제 조성물의 세척효율이 저하될 수 있으며, 반면에 상기 1,1-디클로로에탄의 함량이 40 중량부를 초과하게 되면 세척력은 향상되나, 전자부품의 표면에 부식현상이 발생할 수 있으므로 바람직하지 않다.
또한, 더욱 상세하게는, 상기 세척제 조성물은, 상술한 세척력 및 부식억제 효과에서 가장 우수한 효과를 나타내는 범위로서, 상기 1,1-디클로로에탄은 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 1,1-디클로로에탄 33.3 중량부가 혼합됨이 가장 바람직할 수 있다.
또한, 상기 디클로로메테인의 경우, 냉매제의 일종으로 전자부품에 함유된 오염물로 인한 온도상승을 2 내지 5℃ 정도 감소시키는 역할을 하여 전자부품이 열에 의해 변형되거나 부식되는 것을 억제하는 역할을 한다.
또한, 상기 디클로로메테인은 비부식성을 나타내며, 복합적인 스케일 성분이나 지방성분을 잘 녹이기 때문에, 전자부품의 표면에 잔존하는 지방질의 오염물질을 제거하는 역할을 하며, 휘발성을 나타내어 세척제 조성물로 전자부품을 세척한 후에는 전자부품의 표면에 잔유물을 남기지 않는다.
또한, 상기 디클로로메테인은 상기 1,1-디클로로에탄에 잘 녹기 때문에 본 발명에 따른 세정제 조성물이 안정한 형태로 제조되도록 하는 역할을 한다.
또한, 상기 디클로로메테인은 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 25 내지 40 중량부가 함유됨이 바람직하다.
이때, 상기 디클로로메테인의 함량이 25 중량부 미만이면, 상기에 나열한 효과가 미미해지며, 상기 디클로로메테인의 함량이 40 중량부를 초과하게 되면 오존층파괴물질 사용제한 한계범위를 벗어나게 되어 오존층을 파괴하는 성분이 다량방출되며, 전자부품의 열에 의한 변형효과를 증가시켜 PCB와 같은 전자부품에서는 층분리 현상이 발생할 수 있으므로 바람직하지 않다.
또한, 더욱 상세하게는, 상기 세척제 조성물의 경우, 상술한 전자부품의 온도감소, 세척력 및 전자부품 변형억제 등에서 가장 우수한 효과를 나타내는 범위로서, 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 디클로로메테인 33.3 중량부가 혼합됨이 가장 바람직할 수 있다.
다음으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물의 제조방법은 원료투입단계(S101), 제1교반단계(S103) 및 제2교반단계(S105)를 포함하여 이루어진다.
상세하게는, 교반기에 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 투입하는 원료투입단계(S101), 상기 원료투입단계(S101)를 거친 교반기에 1,1-디클로로에탄을 투입하고 교반하는 제1교반단계(S103) 및 상기 제1교반단계(S103)를 거친 교반기에 디클로로메테인을 투입하고 교반하는 제2교반단계(S105)로 이루어진다.
상기 원료투입단계(S101)는 교반기에 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 투입하는 단계로서, 보다 상세하게는, 수첨 처리 중질 나프타 및/또는 이소파라핀 탄화수소를 20 내지 40℃의 온도로 가열된 교반기에 투입하고, 교반기를 700 내지 900rpm의 속도로 5 내지 15 동안 회전시켜, 상기 수첨 처리 중질 나프타 및/또는 이소파라핀 탄화수소가 후술할 제1교반단계를 통해 투입되는 1,1-디클로로에탄과의 효율적으로 반응할 수 있도록 처리하는 단계다.
상기 제1교반단계(S103)는 상기 원료투입단계(S101)를 거친 교반기에 1,1-디클로로에탄을 투입하고 교반하는 단계로서, 교반 시에 20 내지 40℃의 온도에서 5 내지 15분 동안 700 내지 900rpm의 회전속도로 교반함이 바람직하다.
이는, 반응물이 충분히 혼합되기 위한 최적의 조건으로서, 20℃ 미만의 온도에서 5분 미만으로 교반시킬 경우, 수첨 처리 중질 나프타 및/또는 이소파라핀 탄화수소와, 상기 1,1-디클로로에탄이 고르게 혼합되지 못하여, 충분한 반응 효율을 얻을 수 없어 바람직하지 않으며, 반면 40℃ 초과의 온도에서 15분 초과하여 반응시킬 경우, 높은 온도로 인해 오히려 반응 효율이 떨어져 경제적이지 못한 문제점이 존재함에 따라 바람직하지 않다.
또한, 상기 교반기 회전속도가 700rpm 이하면 교반과정이 제대로 진행되지 않아 교반시간이 길어지며, 상기 교반속도가 900rpm을 초과하게 되면, 상기 수첨 처리 중질 나프타 및/또는 이소파라핀 탄화수소와 상기 1,1-디클로로에탄의 마찰계수가 한계수치를 초과하게 되는 문제점이 발생하여 바람직하지 않다.
또한, 상기 제1교반단계(S103)에서 1,1-디클로로에탄은 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 25 내지 40중량부가 혼합됨이 바람직하다.
이때, 상기 1,1-디클로로에탄의 함량이 25 중량부 미만이면, 세척제 조성물의 세척효율이 저하될 수 있으며, 반면에 상기 1,1-디클로로에탄의 함량이 40 중량부를 초과하게 되면 세척력은 향상되나, 전자부품의 표면에 부식현상이 발생할 수 있으므로 바람직하지 않다.
또한, 상기 제1교반단계(S103)에서 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상에 1,1-디클로로에탄과 디클로로메테인을 한번에 혼합하게 되면, 각 성분이 고르게 혼합되지 않기 때문에, 수첨 처리 중질 나프타 및/또는 이소파라핀 탄화수소에 상기 1,1-디클로로에탄을 우선적으로 혼합하고, 후술할 제2교반단계(S105)를 통해 디클로로메테인을 추가적으로 투입하여 교반하는 것이 바람직하다.
상기 제2교반단계(S105)는 상기 제1교반단계(S103)를 거친 교반기에 디클로로메테인을 투입하고 교반하는 단계로, 상세하게는, 상기 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 디클로로메테인 25 내지 40 중량부를 투입함이 바람직하다.
상기 디클로로메테인의 함량이 25 중량부 미만이면, 상기에 나열한 효과가 미미해지며, 상기 디클로로메테인의 함량이 40 중량부를 초과하게 되면 오존층파괴물질 사용제한 한계범위를 벗어나게 되어 오존층을 파괴하는 성분이 다량방출되며, 전자부품의 열에 의한 변형효과를 증가시켜 PCB와 같은 전자부품에서는 층분리 현상이 발생할 수 있으므로 바람직하지 않다.
아울러, 상기 제2교반단계(S105)는 20 내지 40℃의 온도에서 5 내지 15분 동안 700 내지 900rpm의 회전속도로 교반됨이 바람직하다.
이는, 반응물이 충분히 혼합되기 위한 최적의 조건으로서, 20℃ 미만의 온도에서 5분 미만으로 교반시킬 경우, 수첨 처리 중질 나프타 및/또는 이소파라핀 탄화수소와, 상기 1,1-디클로로에탄 및 디클로로메테인이 고르게 혼합되지 못하여, 충분한 반응 효율을 얻을 수 없어 바람직하지 않으며, 반면 40℃ 초과의 온도에서 15분 초과하여 반응시킬 경우, 높은 온도로 인해 오히려 반응 효율이 떨어져 경제적이지 못한 문제점이 존재함에 따라 바람직하지 않다.
또한, 상기 교반기 회전속도가 700rpm 이하면 교반과정이 제대로 진행되지 않아 교반시간이 길어지며, 상기 교반속도가 900rpm을 초과하게 되면, 상기 수첨 처리 중질 나프타 및/또는 이소파라핀 탄화수소와 상기 1,1-디클로로에탄 및 상기 디클로로메테인의 마찰계수가 한계수치를 초과하게 되는 문제점이 발생하여 바람직하지 않다.
이상으로 본 발명에 따른 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물의 제조방법에 대한 설명을 마친다.
이하에서는, 본 발명에 따른 전자부품용 세척제 조성물의 제조방법 및 그 제조방법을 통해 제조된 세척제 조성물의 세정효과를 실시예를 들어 설명하기로 한다.
<실시예 1>
수첨 처리 중질 나프타 및 이소파라핀 탄화수소 100 중량부를 교반기에 투입하고, 30℃의 온도에서 800rpm의 속도로 10분간 교반시켜 원료투입단계를 진행하였으며, 상기 원료투입단계를 거친 상기 교반기에 1,1-디클로로에탄 33.3 중량부를 투입하고, 30℃의 온도에서 800rpm의 속도로 10분간 교반시켜 제1교반단계를 진행하였으며, 상기 제1교반단계를 거친 교반기에 디클로로메테인 33.3 중량부를 투입하고, 30℃의 온도에서 800rpm의 속도로 10분 동안 제2교반단계를 최종 진행함으로써, 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물을 제조하였다.
<비교예 1>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 수첨 처리 중질 나프타 및 이소파라핀 탄화수소 100 중량부에 대하여 1,1-디클로로에탄 76 중량부, 디클로로메테인 24 중량부를 혼합하여 세척제 조성물을 제조하였다.
<비교예 2>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 수첨 처리 중질 나프타 및 이소파라핀 탄화수소 100 중량부에 대하여 1,1-디클로로에탄 24 중량부, 디클로로메테인 76 중량부를 혼합하여 세척제 조성물을 제조하였다.
상기 실시예 1과, 비교예 1 및 2를 통해 제조된 세척제 조성물로 가로 150mm×세로 150mm인 PCB를 세척하였으며, 세척된 PCB의 절연파괴전압, ODS 규제물질(오존층 파괴성분) 방출여부, 인화점 및 동판부식성 여부를 측정였으며, 그 결과는 표 1에 나타내었다.
위의 표 1에 나타난 것처럼, 본 발명에 따른 실시예 1을 통해 제조된 세척제 조성물은 비교예 1 및 2 대비하여, 23kV 이상의 우수한 절연파괴전압을 나타낼 뿐만 아니라, ODS 규제물질과 같은 환경오염물질을 방출하지 않아 인체에 유해하지 않으므로 친환경성을 나타내는 것이 확인되었다.
또한, 실시예 1의 경우,40℃ 이상으로 인화점이 높아 보다 안정성이 향상될 뿐만 아니라, 동판에 대해 비부식성을 나타냄이 확인되었다.
또한, 상기 실시예 1을 통해 제조된 세척제 조성물로 PCB(가로 150mm×세로 150mm) 표면을 세척하되, 세척 전후 PCB 표면에서 검출되는 각 성분의 검출량 변화를 하기 표 2에 나타내었다.
(단, 세척 후에 각 성분의 감소량이 60%를 초과할 경우에는 ○, 감소량이 20 내지 60% 경우에는 △, 감소량이 20% 미만일 경우에는 ×로 표기함.)
위의 표 2에 나타난 것처럼, 본 발명의 실시예 1을 통해 제조된 세척제 조성물은 PCB 표면에 부착된 오염물질인 각 성분의 검출량이 최소 20% 이상 감소되도록 제거함은 물론, 도 2에 도시된 바와 같이, PCB 표면의 오염물질을 효과적으로 제거함에 따라 우수한 세척효과를 나타냄이 입증되었다.
또한, 1) 오염물질이 존재하지 않는 PCB와, 2) 철 분말로 오염된 PCB 및 3)철 분말로 오염되되, 본 발명의 실시예 1을 통해 제조된 세척제 조성물로 세척된 PCB 각각을 50℃ 오븐에서 5 내지 15분 동안 방치한 후에 PCB 표면의 온도변화를 측정하여, 하기의 표 3에 나타내었다.
단, 도 3에 도시된 바와 같이, PCB 표면의 온도변화는 1 내지 5의 지점을 임의로 선정하여 측정하였다.
상기 표 3에 나타난 것처럼, 철 분말로 오염되되, 본 발명의 실시예 1을 통해 제조된 세척제 조성물로 세척된 PCB의 경우, PCB 표면에 먼지 등의 이물질 제거효율이 우수함은 물론, 철 분말로 오염된 PCB 대비하여 PCB의 표면온도를 2 내지 5℃ 낮추는 효과가 우수함이 확인되었다.
즉, 본 발명에 따른 세척제 조성물의 경우, 전자부품이 열에 의해 변형 및 부식되는 것을 방지하고 전자제품을 보호하는 효과가 있음을 확인할 수 있다.
이상으로 본 발명에 따른 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물 및 그 제조방법에 관한 설명을 마치며, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다.
S101 : 원료투입단계
S103 : 제1교반단계
S105 : 제2교반단계
S103 : 제1교반단계
S105 : 제2교반단계
Claims (7)
- 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 1,1-디클로로에탄 25 내지 40 중량부 및 디클로로메테인 25 내지 40 중량부로 이루어지되,
상기 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상에 상기 1,1-디클로로에탄 및 디클로로메테인을 순차적으로 투입하여 혼합 교반하는 것을 특징으로 하는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물.
- 삭제
- 20 내지 40℃의 온도로 가열된 교반기에 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 투입하고, 상기 교반기를 700 내지 900rpm의 속도로 5 내지 15 동안 회전시키는 원료투입단계;
상기 원료투입단계를 거친 교반기에 상기 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 1,1-디클로로에탄 25 내지 40 중량부를 투입하고 교반하는 제1교반단계; 및
상기 제1교반단계를 거친 교반기에 상기 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 디클로로메테인 25 내지 40 중량부를 투입하고 교반하는 제2교반단계;로 이루어지고,
상기 제1교반단계 및 상기 제2교반단계는,
20 내지 40℃의 온도에서 5 내지 15분 동안 교반되되, 700 내지 900rpm의 회전속도로 교반되는 것을 특징으로 하는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물의 제조방법. - 삭제
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- 삭제
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