KR102126219B1 - 전자부품용 친환경 세정제 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전자부품용 세정제에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전자부품에 잔존하는 지방성분 및 미세입자 등 오염물질에 대한 세정력이 우수하고, 절연성 및 휘발성을 가지며, 유해물질을 방출하지 않는 친환경 세정제 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 전자부품용 세정제에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전자부품에 잔존하는 지방성분 및 미세입자 등 오염물질에 대한 세정력이 우수하고, 절연성 및 휘발성을 가지며, 유해물질을 방출하지 않는 친환경 세정제 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
전자부품은 사용 시간이 경과함에 따라 각종 고장이 발생하게 된다. 이러한 고장의 원인은 환경의 영향 및 열에 의한 부품의 열화 등이 있으며, 전자부품 내로 유입되는 먼지가 쌓이면서 고장이 발생하기도 한다. 특히, 전자부품에 쌓인 먼지가 습기를 머금게 되면 전자부품이 발열 및 발화될 수 있어 사고를 유발한다.
한편, 종래 반도체용 인쇄회로기판(printed circuit board, PCB), 실리콘기판, 액정용 유리기판 및 포토마스크용 석영기판 등의 전자부품의 세정방법으로서, 과산화수소를 베이스로 하는 세정제를 사용하여 유기물 및 무기물의 오염물질을 제거하는 RCA 세정법이 일반적이다.
보다 구체적으로, 상기 세정제로서 과산화수소수와 황산의 혼합액, 과산화수소수와 염산과 물의 혼합액 및 과산화수소수와 암모니아수와 물의 혼합액 등을 사용하여 고온에서 전자제품을 세정한 후, 초순수(ultrapure water)로 헹굼으로써 전자부품을 세정한다.
상기 RCA 세정법은 반도체 등의 전자부품 표면의 금속불순물뿐만 아니라, 표면에 부착된 미립자를 효과적으로 제거할 수 있는 방법이다.
그러나, RCA 세정법은 과산화수소수, 고농도의 산 및 알칼리 등을 다량으로 사용하기 때문에 세정제의 제조비용이 높으며, 헹구는데 사용되는 초순수 비용, 폐액 처리비용 및 약품 증기를 배기하고 새로운 청정공기를 제조하는 공조비용 등이 발생함에 따라, 처리에 소요되는 비용이 높은 문제점이 있었다.
상기의 문제점을 해소하기 위해, 과산화수소가 아닌 불화수소산계의 세정제를 이용한 실온처리를 통해 전자부품 표면의 자연 산화막을 제거하는 세정법이 사용되고 있으며, 특히 실리콘웨이퍼 세정의 경우 불화수소산을 이용한 불산(HF)라스트 세정법이 많이 사용되고 있다.
상기 불화수소산을 이용한 세정의 주요 목적은 산화성 약액 처리공정, 헹굼 공정, 또는 정치(靜置)중에 전자부품 표면에 발생하는 자연 산화막의 제거에 있으나, 상기 세정과 동시에 자연 산화막 속에 도입된 금속불순물을 함께 제거할 수 있어 효과적이다.
그러나, 불화수소산 세정법을 통해 상기의 금속불순물은 제거 가능하나, 전자부품 표면에 부착되어 있는 미립자를 제거할 수 없기 때문에, 이를 제거하기 위한 추가의 세정 공정이 필수적이다.
구체적으로 불화수소산 세정 이후, 암모니아와 과산화수소를 함유하는 세정수를 이용한 APM(ammonia peroxide mixture)세정 공정 등을 추가로 수행해야하며, 이러한 세정법은 환경오염을 유발하는 성분이 생성되는 문제점이 있다.
이에, 친환경 세정제로서 금속불순물과 미립자 등의 오염물질에 대한 세정력이 우수하며, 저비용의 전자부품용 세정제의 개발이 필요한 실정이다.
본 발명의 목적은 전자부품에 잔존하는 지방성분 및 미세먼지 등의 미립자에 대해 우수한 세정력을 가지는 세정제를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 절연성 및 휘발성을 가지며 오존층 파괴성분과 같은 유해물질을 방출하지 않는 친환경 세정제 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 전자부품용 친환경 세정제에 관한 것으로, 구체적으로는 트랜스-1,2-디클로로에텐, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 및 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜을 포함하는 전자부품용 친환경 세정제 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 일 양태에서, 전자부품용 친환경 세정제 조성물은 트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부에 대하여, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 25 내지 40 중량부 및 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜 25 내지 40 중량부를 포함하는 것일 수 있다.
또한 본 발명은 트랜스-1,2-디클로로에텐 및 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄을 혼합하여 제1혼합물을 제조하는 단계; 및 상기 제1혼합물에 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜을 투입하여 제2혼합물을 제조하는 단계;를 포함하는 전자부품용 친환경 세정제의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 양태에서, 상기 제1혼합물 제조단계는 트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부에 대하여 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 25 내지 40 중량부를 혼합하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 양태에서, 상기 제2혼합물 제조단계는 트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부에 대하여 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜 25 내지 40 중량부를 혼합하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 양태에서, 상기 제1혼합물 제조단계 및 제2혼합물 제조단계는 20 내지 40℃에서 5 내지 15 분간 수행하는 것일 수 있다.
본 발명에 따른 전자부품용 친환경 세정제는 전자부품에 잔존하는 지방성분뿐 아니라, 표면에 부착된 미세먼지를 포함한 미립자에 대한 세정력이 우수하여 전자부품의 오작동을 방지하는 효과가 탁월하다.
또한, 본 발명에 따른 전자부품용 친환경 세정제는 휘발성을 가짐에 따라 세정 후에 전자부품에 잔존하여 기판을 부식시키지 않으며, 세정제가 수분을 함유한 공기 및 먼지 등과 접촉하여 발생되는 백화 현상 및 트레킹 현상을 유발하지 않는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 전자부품용 친환경 세정제는 전자부품에 절연성을 부여하며, 오존층 파괴성분과 같은 유해물질을 방출하지 않아 환경오염을 유발하지 않는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 전자 부품용 친환경 세정제의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자부품용 친환경 세정제로 세정된 인쇄회로기판 표면을 전자현미경으로 촬영한 사진이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자부품용 친환경 세정제로 세정된 인쇄회로기판을 적외선 열화상 카메라로 촬영한 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자부품용 친환경 세정제로 세정된 인쇄회로기판 표면을 전자현미경으로 촬영한 사진이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자부품용 친환경 세정제로 세정된 인쇄회로기판을 적외선 열화상 카메라로 촬영한 사진이다.
이하 첨부된 도면들을 포함한 구체예 또는 실시예를 통해 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 구체예 또는 실시예는 본 발명을 상세히 설명하기 위한 하나의 참조일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 여러 형태로 구현될 수 있다.
또한 달리 정의되지 않는 한, 모든 기술적 용어 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 당업자 중 하나에 의해 일반적으로 이해되는 의미와 동일한 의미를 갖는다. 본 발명에서 설명에 사용되는 용어는 단지 특정 구체예를 효과적으로 기술하기 위함이고 본 발명을 제한하는 것으로 의도되지 않는다.
또한 명세서 및 첨부된 특허청구범위에서 사용되는 단수 형태는 문맥에서 특별한 지시가 없는 한 복수 형태도 포함하는 것으로 의도할 수 있다.
본 발명은 전자부품용 친환경 세정제에 관한 것으로, 트랜스-1,2-디클로로에텐, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 및 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 트랜스-1,2-디클로로에텐은 본 발명의 전자부품용 친환경 세정제의 베이스가 되는 성분으로, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 및 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜과 함께 사용하는 경우, 우수한 세정력과 휘발성을 가지며 전자부품에 절연성을 부여하는 효과가 우수하다.
일반적으로 절연성 세정제가 인화점 이상에서 공기와 접촉될 경우에는 인화될 수 있으므로 높은 인화점을 가져야 하는데, 본 발명의 세정제는 절연성을 가지면서 동시에 인화점이 40℃ 이상, 구체적으로는 45 내지 70℃로서 안전성이 우수하다.
특히, 본 발명의 전자부품용 친환경 세정제는 전자부품에 절연성을 부여하고 비전도성을 증가시킴에 따라, 세정 후의 전자부품의 절연파괴전압이 20,000 V 이상, 보다 구체적으로 25,000 V 내지 80,000 V의 우수한 절연파괴전압을 가진다.
본 발명의 일 양태에서, 상기 전자부품용 친환경 세정제 조성물은 트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부에 대하여, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 25 내지 40 중량부 및 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜 25 내지 40 중량부를 포함하는 것일 수 있다.
1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄을 상기 범위로 포함하는 경우, 전자부품에 잔존하는 유기물, 구체적으로는 비교적 세척이 어려운 지방성분을 용해시키는 효과가 우수하여 세정력이 보다 향상되는 효과가 있다.
또한, 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜을 상기 범위로 포함하는 경우, 오존층을 파괴하는 오존파괴물질을 방출하지 않으면서 오염물질로 인한 전자부품의 온도 상승을 방지하는 효과가 우수하다.
구체적으로, 세정 후 전자부품의 온도를 2 내지 5℃ 감소시키는 효과가 있으며, 이를 통해 전자부품이 열에 의해 변형 및 부식되는 것을 방지하고 전자제품을 보호하는 장점이 있다.
또한, 상기 트랜스-1,2-디클로로에텐, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 및 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜은 상용성이 우수하여 세정제의 안정성이 높다.
본 발명의 일 양태에서, 상기 전자부품용 친환경 세정제 조성물은 트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부에 대하여, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 30 내지 35 중량부 및 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜 30 내지 35 중량부를 포함하는 것일 수 있다.
일반적으로 세정력이 매우 강한 경우 전자부품의 부식이 유발될 수 있으나, 본 발명의 세정제는 트랜스-1,2-디클로로에텐, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜을 상기 범위로 포함함에 따라, 전자부품의 부식은 방지하면서도 지방성분 및 미세먼지를 포함한 미립자에 대한 세정력이 현저히 우수하다.
또한 본 발명의 세정제를 사용하여 전자부품을 세정하는 경우, 세정 후 잔존하는 미량의 세정제가 휘발성을 가지고 자연 증발됨에 따라 전자부품의 부식을 방지하는 효과가 우수하다.
보다 구체적으로, 세정제가 세정 후 전자부품에 잔존하는 경우, 수분을 함유한 공기 및 먼지 등과 접촉하여 전자부품의 백화 현상 및 트레킹 현상을 유발하게 되는데, 본 발명의 세정제는 휘발성을 가짐에 따라 상기 백화 현상 및 트레킹 현상을 유발하지 않으며, 전자부품의 성능저하를 방지하는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 전자부품용 친환경 세정제 조성물은 필요에 따라 통상적인 첨가제를 추가로 더 포함할 수 있고, 상기 첨가제의 구체적인 종류나 함량에 대해서는 특별한 제한이 없다.
또한 본 발명은 트랜스-1,2-디클로로에텐 및 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄을 혼합하여 제1혼합물을 제조하는 단계; 및 상기 제1혼합물에 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜을 투입하여 제2혼합물을 제조하는 단계;를 포함하는 전자부품용 친환경 세정제의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 양태에 따른 전자 부품용 친환경 세정제 제조방법의 흐름도를 도 1에 도시하였으며, 구체적으로 상기 제1혼합물 제조단계 및 제2혼합물 제조단계를 포함함에 따라, 제저되는 전자부품용 친환경 세정제 내 트랜스-1,2-디클로로에텐, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 및 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜 성분이 고르게 혼합되어, 세정제의 안정성이 매우 우수하다.
보다 구체적으로, 트랜스-1,2-디클로로에텐, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 및 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜을 한번에 혼합하는 경우, 각 성분이 용이하게 혼합되지 않을 뿐만 아니라, 이 후 제조되는 세정제는 시간이 지남에 따라 상분리가 발생한다.
즉, 본 발명의 전자부품용 친환경 세정제는 상기 제1혼합물 제조단계 및 제2혼합물 제조단계를 포함함에 따라, 세정제의 제조가 용이하고 안정성이 우수하여, 전자부품 자체의 열로 인해 세정이 고온에서 수행되는 경우에도 세정제가 분리되지 않고 안정성을 유지할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 일 양태에서, 상기 제1혼합물 제조단계는 트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부에 대하여 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 25 내지 40 중량부, 구체적으로 30 내지 35 중량부를 혼합하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 범위로 트랜스-1,2-디클로로에텐과 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄을 혼합함으로써, 이 후 제조되는 세정제가 전자부품에 절연성을 부여하는 효과가 우수하고 우수한 절연파괴전압을 나타낸다.
또한, 전자부품에 잔존하는 유기물, 구체적으로는 비교적 세척이 어려운 지방성분과 미세먼지를 포함하는 미립자를 동시에 제거하는 효과가 우수하여 세정력이 현저히 우수하다.
본 발명의 일 양태에서, 제2혼합물 제조단계는 제1혼합물에 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜을 혼합하는 단계로, 상기의 트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부에 대하여 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜 25 내지 40 중량부, 구체적으로 30 내지 35 중량부를 혼합하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 범위로 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜을 혼합함으로써, 세정제가 오존파괴물질을 방출하지 않아 친환경성을 나타내며, 오염물질로 인한 전자부품의 온도 상승을 방지하는 효과가 우수하다. 이에 따라, 열로 인한 전자부품의 변형 및 부식을 방지하고 전자제품을 보호하는 장점이 있다.
본 발명의 일 양태에서, 상기 제1혼합물 제조단계 및 제2혼합물 제조단계는 20 내지 40℃에서 5 내지 15 분간, 구체적으로 25 내지 35℃에서 5 내지 10 분간 수행하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 제조 온도 범위에서 제1혼합물과 제2혼합물을 각각 제조함에 따라, 상기의 짧은 제조 시간 내에 트랜스-1,2-디클로로에텐, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 및 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜이 고르게 혼합될 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 일 양태에서, 상기 제1혼합물 제조단계 및 제2혼합물 제조단계는 700 내지 900 rpm, 구체적으로 750 내지 850 rpm으로 교반하여 제조하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이는 구체적으로, 제1혼합물 및 제2혼합물이 상기 범위의 교반 속도로 혼합되어 제조됨에 따라 제조 시간을 단축시킬 수 있으면서 동시에, 제1혼합물 내 트랜스-1,2-디클로로에텐과 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 및 제2혼합물 내 제1혼합물과 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜이 각각 한계수치를 초과하지 않고 적절한 마찰계수로 용이하게 혼합될 수 있어 바람직하다.
이하 실시예 및 비교예를 바탕으로 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 더욱 상세히 설명하기 위한 하나의 예시일 뿐, 본 발명이 하기 실시예 및 비교예에 의해 제한되는 것은 아니다.
(평가)
1. 절연파괴전압(KV)
KS C IEC 60156을 이용하여 측정하였다.
2. 오존파괴물질(ozone depleting substances, ODS 규제물질) 방출 여부
HP 6890 가스 크로마토그래프(gas chromatograph, GC)를 이용하여 측정하였 다.
3. 인화점(℃)
KS M 2010을 이용하여 측정하였다.
4. 세정력
인쇄회로기판 표면에 잔존하는 유기물 및 무기물을 확인하기 위하여 세정 전 및 세정 후의 탄소, 나트륨, 마그네슘, 알루미늄, 규소, 황, 염소, 칼륨, 칼슘, 주석 및 바륨 각 성분의 함량을 ICP-MS(Thermo Fisher Scientific, iCAP Qc Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometer)를 이용하여 측정하였다. 상기 각 성분 감소량의 백분율을 계산하여, 이들의 평균값이 70%를 초과하는 경우 ◎, 50 내지 70%인 경우 ○, 20% 이상 내지 50% 미만인 경우 △, 20% 미만일 경우 ×로 표기하였다.
5. 비부식성
세정 후 인쇄회로기판 표면의 부식을 확인하여, 표면적의 10% 이상이 부식된 경우 ×, 10% 미만이면 △, 부식이 발생하지 않으면 ○로 표기하였다.
5. 온도 감소(℃)
철 분말 1 g을 이용하여 150 mm × 150 mm의 동판 인쇄회로기판을 오염시키고 50℃ 오븐에서 5, 10, 15 분간 방치한 후, 각 시간별 동판의 표면 온도를 측정하여 평균값을 계산하였다. 이어서, 세정제 500 mL를 이용하여 오염된 동판을 60 초간 세척하고 50℃ 오븐에서 5, 10, 15 분간 방치한 후, 각 시간별 인쇄회로기판의 표면 온도를 측정하여 평균값을 계산하였다. 이 때, 상기 표면 온도의 측정은 동판의 5 개의 지점을 임의로 선정하여 측정한 후, 평균값을 계산하였다.
[실시예 1]
트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부를 반응기에 투입하고 30℃에서 800 rpm으로 10 분간 분산시킨 후, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 10 중량부를 투입하여 10 분간 교반하여 제1혼합물을 제조하였다.
이어서, 상기 제1혼합물에 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜 50 중량부를 투입하고 30℃에서 800rpm으로 10 분간 교반하여 절연성을 갖는 전자부품용 세정제를 제조하였다.
제조된 세정제 100 mL를 이용하여 150 mm × 150 mm의 동판 인쇄회로기판을 5 초간 세척 후 공기로 건조시켰다. 세정된 동판의 절연파괴전압, 오존파괴물질(ODS 규제물질) 방출 여부, 인화점, 세정력, 비부식성 및 온도 감소 여부를 평가하여 하기 표 1에 나타내었다.
[실시예 2]
상기 실시예 1에서 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄을 25 중량부, 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜을 40 중량부로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 절연성을 갖는 전자부품용 세정제를 제조하였으며, 평가 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[실시예 3]
상기 실시예 1에서 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄을 33.3 중량부, 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜을 33.3 중량부로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 절연성을 갖는 전자부품용 세정제를 제조하였으며, 평가 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[실시예 4]
상기 실시예 1에서 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄을 50 중량부, 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜을 10 중량부로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 절연성을 갖는 전자부품용 세정제를 제조하였으며, 평가 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[실시예 5]
상기 실시예 1에서 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄을 76 중량부, 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜을 24 중량부로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 절연성을 갖는 전자부품용 세정제를 제조하였으며, 평가 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[비교예 1]
트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부를 반응기에 투입하고 30℃에서 800 rpm으로 10 분간 분산시킨 후, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 33.3 중량부를 투입하여 10 분간 교반하여 전자부품용 세정제를 제조하였다.
제조된 전자부품용 세정제의 평가 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[비교예 2]
트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부를 반응기에 투입하고 30℃에서 800 rpm으로 10 분간 분산시킨 후, 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜을 100 중량부를 투입하여 10 분간 교반하여 전자부품용 세정제를 제조하였다.
제조된 전자부품용 세정제의 평가 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[비교예 3]
반응기에 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 10 중량% 및 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜 90 중량%로 투입하여 30℃에서 800rpm으로 10 분간 교반하여 전자부품용 세정제를 제조하였다.
제조된 전자부품용 세정제의 평가 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[비교예 4]
트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부를 반응기에 투입하고 30℃에서 800 rpm으로 10 분간 분산시킨 후, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 50 중량부를 투입하여 10 분간 교반하여 제1혼합물을 제조하였다.
이어서, 상기 제1혼합물에 3,3-이염화-1,1,1,2,2-펜타플루오로프로판 50 중량부를 투입하고 30℃에서 800rpm으로 10 분간 교반하여 전자부품용 세정제를 제조하였다.
제조된 전자부품용 세정제의 평가 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
| 절연파괴전압 (KV) |
ODS 규제물질 방출여부 | 인화점 (℃) |
세정력 | 비부식성 | |
| 실시예 1 | 35 | 무 | 70 | ○ | ○ |
| 실시예 2 | 28 | 무 | 47 | ◎ | ○ |
| 실시예 3 | 30 | 무 | 50 | ◎ | ○ |
| 실시예 4 | 26 | 무 | 45 | ○ | ○ |
| 실시예 5 | 24 | 무 | 30 | ○ | △ |
| 비교예 1 | 16 | 무 | 20 | △ | × |
| 비교예 2 | 22 | 유 | 55 | × | △ |
| 비교예 3 | 21 | 유 | 60 | × | × |
| 비교예 4 | 20 | 무 | 40 | × | × |
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 내지 5의 세정제는 우수한 절연파괴전압을 가지며 ODS 규제물질과 같은 환경오염물질을 방출하지 않아 친환경성을 나타내는 것을 확인하였다.
구체적으로, 실시예 1 내지 4의 세정제는 인화점이 높을 뿐만 아니라, 매우 우수한 세정력 및 비부식성을 동시에 나타내었다.
또한, 실시예 1 내지 5의 온도 감소 평과 결과, 세정 후 동판의 표면 온도가 2 내지 5℃ 감소되는 것을 확인하였으며, 특히 실시예 3의 경우 세정 전 38℃에서 세정 후 33℃로 가장 큰 온도 감소변화를 나타내었다.
또한, 도 2 및 3에 도시된 바와 같이, 실시예 3의 세정제로 세정한 동판은 표면의 오염물질이 효과적으로 제거되었으며, 표면 온도가 낮은 것을 사진을 통해 확인할 수 있었다.
이를 통해, 본 발명의 실시예에 따른 세정제는 절연성과 친환경성을 가지는 동시에, 전자부품 표면의 오염물질 제거효율 및 온도 감소 효과가 매우 우수한 것을 확인하였다.
반면, 비교예 1 내지 4는 절연파괴 전압이 낮을 뿐만 아니라. 세정력이 좋지 않고 부식성을 나타내는 것을 확인하였다.
S101 : 제1혼합물 제조단계 S102 : 제2혼합물 제조단계
Claims (8)
- 트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 25 내지 40 중량부 및 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜 25 내지 40 중량부를 포함하는 전자부품에 잔존하는 지방성분 및 표면에 부착된 미립자 세정용 친환경 세정제 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 전자부품에 잔존하는 지방성분 및 표면에 부착된 미립자 세정용 친환경 세정제 조성물은 트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부에 대하여, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 30 내지 35 중량부 및 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜 30 내지 35 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품에 잔존하는 지방성분 및 표면에 부착된 미립자 세정용 친환경 세정제 조성물. - 트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부 및 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 25 내지 40 중량부를 혼합하여 제1혼합물을 제조하는 단계; 및
상기 제1혼합물에 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜 25 내지 40 중량부를 투입하여 제2혼합물을 제조하는 단계;
를 포함하는 전자부품에 잔존하는 지방성분 및 표면에 부착된 미립자 세정용 친환경 세정제 제조방법. - 제3항에 있어서,
상기 제1혼합물 제조단계는 트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부에 대하여 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 30 내지 35 중량부를 혼합하는 것인 전자부품에 잔존하는 지방성분 및 표면에 부착된 미립자 세정용 친환경 세정제 제조방법. - 제3항에 있어서,
상기 제2혼합물 제조단계는 트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부에 대하여 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜 30 내지 35 중량부를 혼합하는 것인 전자부품에 잔존하는 지방성분 및 표면에 부착된 미립자 세정용 친환경 세정제 제조방법. - 제3항에 있어서,
상기 제1혼합물 제조단계 및 제2혼합물 제조단계는 20 내지 40℃에서 5 내지 15 분간 수행하는 것을 특징으로 하는 전자부품에 잔존하는 지방성분 및 표면에 부착된 미립자 세정용 친환경 세정제 제조방법. - 트랜스-1,2-디클로로에텐 100 중량부 및 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄 25 내지 40 중량부를 혼합하여 제1혼합물을 제조하는 단계;
상기 제1혼합물에 트랜스-1-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜 25 내지 40 중량부를 투입하여 전자부품용 세정제인 제2혼합물을 제조하는 단계; 및
상기 전자부품용 세정제로 전자부품을 세정하는 단계;
를 포함하는 전자부품에 잔존하는 지방성분 및 표면에 부착된 미립자를 세정하는 방법. - 제7항에 있어서,
상기 전자부품은 동판 인쇄회로기판인, 전자부품에 잔존하는 지방성분 및 표면에 부착된 미립자를 세정하는 방법.
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100907568B1 (ko) | 2009-04-16 | 2009-07-14 | 에스피텍 주식회사 | 땜납 플럭스 제거용 세정제 및 땜납 플럭스 세정 방법 |
| JP2010248443A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Central Glass Co Ltd | １，１，１，３，３−ペンタフルオロブタンを含む共沸様組成物 |
| JP2013518140A (ja) * | 2010-01-22 | 2013-05-20 | アルケマ フランス | ヒドロクロロフルオロオレフィン−ベースの洗浄組成物 |
| KR20130069389A (ko) * | 2011-11-17 | 2013-06-26 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | 1-클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜을 포함하는 공비성 조성물 |
-
2019
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100907568B1 (ko) | 2009-04-16 | 2009-07-14 | 에스피텍 주식회사 | 땜납 플럭스 제거용 세정제 및 땜납 플럭스 세정 방법 |
| JP2010248443A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Central Glass Co Ltd | １，１，１，３，３−ペンタフルオロブタンを含む共沸様組成物 |
| JP2013518140A (ja) * | 2010-01-22 | 2013-05-20 | アルケマ フランス | ヒドロクロロフルオロオレフィン−ベースの洗浄組成物 |
| KR20130069389A (ko) * | 2011-11-17 | 2013-06-26 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | 1-클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜을 포함하는 공비성 조성물 |
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