KR102454462B1 - Chuck plate, chuck structure having the chuck plate, and bonding apparatus having the chuck structure - Google Patents

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Abstract

척 구조물의 척 플레이트는 가열 플레이트 상에 놓여지며, 상면에 웨이퍼를 지지하며, 상기 웨이퍼가 가열되도록 상기 가열 플레이트에서 발생한 열을 상기 웨이퍼로 전달하고, 진공력으로 상기 웨이퍼를 흡착하기 위해 상하를 관통하는 진공홀들 및 상기 가열 플레이트에 진공 흡착되도록 하부면에 구비되며 상기 가열 플레이트의 상부면에 의해 한정되어 공간을 형성하는 진공 홈을 가질 수 있다. The chuck plate of the chuck structure is placed on a heating plate, supports a wafer on its upper surface, transfers heat generated from the heating plate to the wafer to heat the wafer, and penetrates up and down to adsorb the wafer by vacuum force. and vacuum grooves provided on the lower surface to be vacuum-adsorbed by the heating plate and defined by the upper surface of the heating plate to form a space.

Description

척 플레이트, 상기 척 플레이트를 갖는 척 구조물 및 척 구조물을 갖는 본딩 장치{Chuck plate, chuck structure having the chuck plate, and bonding apparatus having the chuck structure}Chuck plate, chuck structure having the chuck plate, and bonding apparatus having the chuck structure

본 발명은 척 플레이트, 상기 척 플레이트를 갖는 척 구조물 및 척 구조물을 갖는 본딩 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼를 고정하기 위한 척 플레이트, 상기 척 플레이트를 갖는 척 구조물 및 척 구조물을 갖는 본딩 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chuck plate, a chuck structure having the chuck plate, and a bonding apparatus having a chuck structure, and more particularly, a chuck plate for fixing a wafer, a chuck structure having the chuck plate, and a bonding apparatus having a chuck structure is about

최근, 반도체 패키지를 비롯한 전자 부품의 소형화 요구에 대응하기 위해 복수의 전자 부품을 적층시켜 적층 칩 패키지를 형성하는 기술이 개발되었다. Recently, in order to respond to the demand for miniaturization of electronic components including semiconductor packages, a technology for forming a stacked chip package by stacking a plurality of electronic components has been developed.

상기 적층 칩 패키지는 패키지 기판 위에 칩들이 적층된 반도체 패키지로서, 고집적화를 이룰 수 있다. 상기 적층 칩 패키지는 칩 레벨(chip level) 또는 웨이퍼 레벨(wafer level)에서 제조가 이루어진다.The stacked chip package is a semiconductor package in which chips are stacked on a package substrate, and can achieve high integration. The stacked chip package is manufactured at a chip level or a wafer level.

상기 칩 레벨 또는 웨이퍼 레벨에서 적층 칩 패키지를 제조하기 위하여 칩과 칩 또는 웨이퍼와 웨이퍼 또는 칩과 웨이퍼에 열과 압력을 가하여 본딩하기 위한 작업이 수행되는데, 이러한 작업을 수행하는 장치를 본딩 장치라 한다. 상기 본딩 장치는 척 구조물로 상기 웨이퍼를 지지한 상태에서 본딩 헤드로 상기 칩을 상기 웨이퍼 상에 적층하여 상기 웨이퍼와 칩을 본딩 헤드로 열압착한다. In order to manufacture a stacked chip package at the chip level or the wafer level, a bonding operation is performed by applying heat and pressure to the chip and the chip or the wafer and the wafer or the chip and the wafer, and a device for performing this operation is called a bonding apparatus. The bonding apparatus stacks the chip on the wafer with a bonding head in a state in which the wafer is supported by a chuck structure, and thermocompresses the wafer and the chip with the bonding head.

상기 척 구조물은 발열체를 내장하는 가열 플레이트 및 상기 가열 플레이트에서 발생한 열을 상기 웨이퍼로 전달하는 척 플레이트로 이루어진다. The chuck structure includes a heating plate having a built-in heating element and a chuck plate transferring heat generated from the heating plate to the wafer.

상기 척 플레이트는 열전도율이 높은 질화알루미늄 재질로 이루어지므로, 상기 웨이퍼를 급속으로 용이하게 가열할 수 있다. 그러나, 상기 척 플레이트의 열전도율이 높으므로, 상기 본딩 공정 중 상기 웨이퍼를 상시 예열시에는 상기 웨이퍼와 상기 칩 사이의 솔더링 물질이 뭉게지는 현상이 발생한다. 따라서, 상기 웨이퍼와 상기 칩 사이에 본딩 불량이 발생할 수 있다. Since the chuck plate is made of an aluminum nitride material having high thermal conductivity, the wafer can be quickly and easily heated. However, since the chuck plate has high thermal conductivity, when the wafer is always preheated during the bonding process, a soldering material between the wafer and the chip is crushed. Accordingly, a bonding defect may occur between the wafer and the chip.

상기 척 구조물은 상기 웨이퍼를 진공 흡착하기 위해 진공홀들을 갖는다. 상기 진공홀들은 상기 척 구조물의 중심을 기준으로 방사상으로 형성되므로, 최외각에 위치하는 진공홀들 사이의 간격이 상대적으로 넓다. 따라서, 상기 척 구조물의 가장자리 부위의 진공 흡착력이 상대적으로 낮아 상기 웨이퍼가 상기 척 구조물에 완전히 밀착되지 않을 수 있다. The chuck structure has vacuum holes for vacuum adsorbing the wafer. Since the vacuum holes are formed radially with respect to the center of the chuck structure, the distance between the vacuum holes located at the outermost sides is relatively wide. Therefore, the vacuum adsorption force of the edge portion of the chuck structure is relatively low, so that the wafer may not be completely in close contact with the chuck structure.

본 발명은 상대적으로 열 전도율이 낮으며, 최외각에 위치하는 진공홀들의 간격이 상대적으로 좁게 구비되는 척 플레이트를 제공한다. The present invention provides a chuck plate having relatively low thermal conductivity and having a relatively narrow interval between vacuum holes positioned at the outermost side.

본 발명은 상기 척 플레이트를 갖는 척 구조물을 제공한다. The present invention provides a chuck structure having the chuck plate.

본 발명은 상기 척 구조물을 갖는 본딩 장치를 제공한다. The present invention provides a bonding device having the chuck structure.

본 발명에 따른 척 플레이트는 가열 플레이트 상에 놓여지며, 상면에 웨이퍼를 지지하며, 상기 웨이퍼가 가열되도록 상기 가열 플레이트에서 발생한 열을 상기 웨이퍼로 전달하고, 진공력으로 상기 웨이퍼를 흡착하기 위해 상하를 관통하는 진공홀들 및 상기 가열 플레이트에 진공 흡착되도록 하부면에 구비되며 상기 가열 플레이트의 상부면에 의해 한정되어 공간을 형성하는 진공 홈을 가질 수 있다. The chuck plate according to the present invention is placed on a heating plate, supports a wafer on its upper surface, transfers heat generated from the heating plate to the wafer to heat the wafer, and moves up and down to adsorb the wafer by vacuum force. It may have vacuum holes passing through and a vacuum groove provided on a lower surface to be vacuum-adsorbed by the heating plate and defined by the upper surface of the heating plate to form a space.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 척 플레이트가 질화알루미늄의 열전도율보다 낮은 열전도율을 갖도록 상기 척 플레이트는 산화알루미늄에 티타늄이 첨가된 재질로 이루어질 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the chuck plate may be made of a material in which titanium is added to aluminum oxide so that the chuck plate has a lower thermal conductivity than that of aluminum nitride.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 척 플레이트에서 상기 산화알루미늄 100 중량부에 대해 상기 티타늄 10 내지 20 중량부가 첨가될 수 있다. According to embodiments of the present invention, 10 to 20 parts by weight of the titanium may be added based on 100 parts by weight of the aluminum oxide in the chuck plate.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 척 플레이트의 열전도율은 5 내지 20 W/m·k 일 수 있다. According to embodiments of the present invention, the thermal conductivity of the chuck plate may be 5 to 20 W/m·k.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 척 플레이트의 가장자리에서도 상기 웨이퍼가 밀착되도록 하기 위해 상기 척 플레이트의 최외각에 위치하는 진공홀들의 간격이 상기 최외각보다 내측에 위치하는 진공홀들의 간격보다 좁게 배치될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the distance between the vacuum holes positioned at the outermost side of the chuck plate is greater than the distance between the vacuum holes positioned at the inner side of the chuck plate so that the wafer is closely adhered even to the edge of the chuck plate. It can be arranged narrowly.

본 발명에 따른 척 구조물은, 외부로부터 인가되는 전원에 의해 열을 발생하는 발열체를 내장하며, 진공력을 제공하기 위해 상부면까지 연장하는 제1 진공 라인 및 제2 진공 라인을 갖는 가열 플레이트 및 상기 가열 플레이트 상에 놓여지며, 상면에 웨이퍼를 지지하며, 상기 웨이퍼가 가열되도록 상기 가열 플레이트에서 발생한 열을 상기 웨이퍼로 전달하고, 상기 진공력으로 상기 웨이퍼를 흡착하기 위해 상기 제1 진공 라인과 연결되는 제3 진공 라인 및 상기 가열 플레이트에 진공 흡착되도록 하부면에 상기 제2 진공 라인과 연결되도록 구비되며, 상기 가열 플레이트의 상부면에 의해 한정되어 공간을 형성하는 진공 홈을 갖는 척 플레이트를 포함할 수 있다. The chuck structure according to the present invention includes a heating plate having a first vacuum line and a second vacuum line extending to an upper surface in order to provide a vacuum force and a heating element that generates heat by power applied from the outside, and the It is placed on a heating plate, supports the wafer on the upper surface, transfers heat generated from the heating plate to the wafer so that the wafer is heated, and is connected to the first vacuum line to adsorb the wafer by the vacuum force a third vacuum line and a chuck plate provided to be connected to the second vacuum line on a lower surface so as to be vacuum-adsorbed by the heating plate, and having a vacuum groove defined by an upper surface of the heating plate to form a space; have.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 제3 진공 라인은, 상기 척 플레이트의 하부면에 상기 제1 진공 라인과 연결되도록 구비되며, 상기 척 플레이트의 하부면과 상기 가열 플레이트의 상부면에 의해 한정되어 공간을 형성하는 진공 홈 및 상기 척 플레이트를 관통하여 상기 진공 홈이 형성된 하부면에서부터 상기 척 플레이트의 상부면까지 연장하는 다수의 진공 홀들을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the third vacuum line is provided on a lower surface of the chuck plate to be connected to the first vacuum line, and is formed by a lower surface of the chuck plate and an upper surface of the heating plate. It may include a vacuum groove defined to form a space and a plurality of vacuum holes penetrating the chuck plate and extending from a lower surface in which the vacuum groove is formed to an upper surface of the chuck plate.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 제1 진공 라인은, 상기 가열 플레이트의 상부면에 상기 제3 진공 라인과 연결되도록 구비되며, 상기 척 플레이트의 하부면과 상기 가열 플레이트의 상부면에 의해 한정되어 공간을 형성하는 진공 홈 및 상기 가열 플레이트를 관통하여 하부면에서부터 상기 진공 홈이 형성된 상부면까지 연장하는 다수의 진공 홀들을 포함할 수 있다. According to embodiments of the present invention, the first vacuum line is provided to be connected to the third vacuum line on the upper surface of the heating plate, and is formed by the lower surface of the chuck plate and the upper surface of the heating plate. It may include a vacuum groove defined to form a space and a plurality of vacuum holes extending from a lower surface to an upper surface in which the vacuum groove is formed through the heating plate.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 가열 플레이트의 상부면과 상기 척 플레이트의 하부면 중 어느 한 면에는 정렬 핀이 구비되고, 나머지 한 면에는 상기 정렬 핀을 수용하여 상기 가열 플레이트와 상기 척 플레이트를 정렬하기 위한 수용홈이 구비될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, an alignment pin is provided on one of the upper surface of the heating plate and the lower surface of the chuck plate, and the other surface receives the alignment pin to accommodate the heating plate and the chuck. Receiving grooves for aligning the plates may be provided.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 척 구조물은, 상기 가열 플레이트의 상면 가장자리를 따라 형성된 홈에 걸리며 상기 가열 플레이트의 둘레를 가이드하는 가이드 링 및 상기 척 플레이트의 상부면 가장자리를 덮은 상태로 상기 가이드 링에 고정되며, 상기 척 플레이트를 상기 가열 플레이트에 밀착시키는 고정시키는 클램프를 더 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the chuck structure is caught in the groove formed along the upper surface edge of the heating plate and covers the guide ring for guiding the circumference of the heating plate and the upper surface edge of the chuck plate. It is fixed to the guide ring, and may further include a clamp for fixing the chuck plate in close contact with the heating plate.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 클램프의 상면과 상기 척 플레이트의 상면이 동일한 높이에 위치하도록 상기 클램프는 상기 척 플레이트의 상면 가장자리를 따라 형성된 홈에 놓여질 수 있다. According to embodiments of the present invention, the clamp may be placed in a groove formed along an edge of the upper surface of the chuck plate so that the upper surface of the clamp and the upper surface of the chuck plate are positioned at the same height.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 가열 플레이트 및 상기 척 플레이트의 측면을 통한 열손실을 방지하기 위해 상기 가이드 링 및 상기 클램프는 상기 척 플레이트보다 열전도율이 낮은 재질로 이루어질 수 있다. According to embodiments of the present invention, the guide ring and the clamp may be made of a material having lower thermal conductivity than the chuck plate in order to prevent heat loss through the side surfaces of the heating plate and the chuck plate.

본 발명에 따른 본딩 장치는, 외부로부터 인가되는 전원에 의해 열을 발생하는 발열체를 내장하며, 진공력을 제공하기 위해 상부면까지 연장하는 제1 진공 라인 및 제2 진공 라인을 갖는 가열 플레이트 및 상기 가열 플레이트 상에 놓여지며, 상면에 웨이퍼를 지지하며, 상기 웨이퍼가 가열되도록 상기 가열 플레이트에서 발생한 열을 상기 웨이퍼로 전달하고, 상기 진공력으로 상기 웨이퍼를 흡착하기 위해 상기 제1 진공 라인과 연결되는 제3 진공 라인 및 상기 가열 플레이트에 진공 흡착되도록 하부면에 상기 제2 진공 라인과 연결되도록 구비되며, 상기 가열 플레이트의 상부면에 의해 한정되어 공간을 형성하는 진공 홈을 갖는 척 플레이트를 포함하는 척 구조물 및 상기 척 구조물 상에 구비되며, 칩을 고정 및 가열하여 상기 웨이퍼에 본딩하는 본딩 헤드로 이루어질 수 있다. The bonding apparatus according to the present invention includes a heating plate having a first vacuum line and a second vacuum line extending to an upper surface to provide a vacuum force, and a heating plate having a built-in heating element that generates heat by power applied from the outside, and the It is placed on a heating plate, supports the wafer on the upper surface, transfers heat generated from the heating plate to the wafer so that the wafer is heated, and is connected to the first vacuum line to adsorb the wafer by the vacuum force A chuck comprising a third vacuum line and a chuck plate provided to be connected to the second vacuum line on a lower surface so as to be vacuum-adsorbed by the heating plate and having a vacuum groove defined by an upper surface of the heating plate to form a space A bonding head provided on the structure and the chuck structure and bonding the wafer to the wafer by fixing and heating the chip.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 본딩 헤드는, 베이스 블록과, 상기 베이스 블록 상에 구비되고, 외부로부터 인가되는 전원에 의해 열을 발생하여 칩을 가열하기 위한 발열체를 내장하며, 진공력을 제공하기 위해 상부면까지 연장하는 제4 진공 라인 및 제5 진공 라인을 갖는 가열 블록; 및 상기 가열 블록 상에 상기 제4 진공 라인의 진공력에 의해 고정되며, 상기 칩을 진공력으로 고정하기 위해 상기 제5 진공 라인과 연결되는 진공홀을 갖는 흡착판을 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the bonding head includes a base block and a heating element provided on the base block, and a heating element for heating the chip by generating heat by power applied from the outside, and vacuum force a heating block having a fourth vacuum line and a fifth vacuum line extending to the upper surface to provide and a suction plate fixed on the heating block by the vacuum force of the fourth vacuum line and having a vacuum hole connected to the fifth vacuum line to fix the chip by the vacuum force.

본 발명에 따른 척 플레이트는 산화알루미늄에 티타늄이 첨가된 재질로 이루어지므로, 상기 척 플레이트의 열전도율이 질화알루미늄보다 낮다. 따라서, 웨이퍼와 칩의 본딩 공정 중 상기 웨이퍼를 상시 예열하더라도 상기 웨이퍼와 상기 칩 사이의 솔더링 물질이 뭉게지는 현상이 방지할 수 있다. 그러므로, 상기 웨이퍼와 상기 칩 사이에 본딩 불량이 발생할 수 있다. Since the chuck plate according to the present invention is made of a material in which titanium is added to aluminum oxide, the thermal conductivity of the chuck plate is lower than that of aluminum nitride. Accordingly, it is possible to prevent the soldering material between the wafer and the chip from being crushed even though the wafer is always preheated during the bonding process between the wafer and the chip. Therefore, a bonding defect may occur between the wafer and the chip.

상기 척 플레이트는 최외각에 위치하는 진공홀들 사이의 간격이 상기 최외각 내측에 위치하는 진공홀들 사이의 간격보다 상대적으로 좁다. 따라서, 상기 척 구조물의 가장자리 부위에서도 상기 웨이퍼가 상기 척 구조물에 완전히 밀착될 수 있다. In the chuck plate, a distance between the vacuum holes positioned at the outermost shell is relatively narrower than a gap between the vacuum holes positioned on the outermost inner side of the chuck plate. Accordingly, the wafer may be completely in close contact with the chuck structure even at an edge portion of the chuck structure.

상기 척 플레이트는 진공력으로 가열 플레이트와 밀착될 수 있다. 따라서, 상기 척 플레이트는 별도의 체결 부재 없이 상기 가열 플레이트에 고정될 수 있다. The chuck plate may be in close contact with the heating plate by vacuum force. Accordingly, the chuck plate may be fixed to the heating plate without a separate fastening member.

또한, 상기 진공력만을 해제하여 상기 가열 플레이트와 상기 척 플레이트를 분리하여 교체할 수 있다. 그러므로, 상기 척 구조물에 대한 유지 보수를 신속하게 수행할 수 있다. In addition, by releasing only the vacuum force, the heating plate and the chuck plate may be separated and replaced. Therefore, it is possible to quickly perform maintenance on the chuck structure.

상기 척 구조물은 상기 가열 플레이트에서 발생한 열을 척 플레이트를 통해 웨이퍼로 전달한다. 상기 척 플레이트가 전달하는 열에 의해 상기 웨이퍼가 항상 일정한 온도로 가열될 수 있다. 따라서, 상기 칩을 상기 웨이퍼에 효과적으로 본딩할 수 있다. The chuck structure transfers heat generated by the heating plate to the wafer through the chuck plate. The wafer may be always heated to a constant temperature by the heat transferred by the chuck plate. Accordingly, the chip can be effectively bonded to the wafer.

본 발명에 따른 본딩 장치는 상기 척 구조물을 이용하여 상기 웨이퍼에 상기 칩을 안정적으로 본딩할 수 있다. The bonding apparatus according to the present invention may stably bond the chip to the wafer using the chuck structure.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 척 구조물을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 척 구조물의 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 척 플레이트를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 척 플레이트를 설명하기 위한 저면도이다.
도 5도 1에 도시된 A 부분을 확대한 확대 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 본딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 본딩 헤드를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 8은 도 7에 도시된 본딩 헤드에서 가열 블록의 개구를 설명하기 위한 평면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가열 블록의 개구를 설명하기 위한 단면도이다.
도 10은 도 9에 도시된 가열 블록의 개구를 설명하기 위한 평면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가열 블록의 개구를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a chuck structure according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of the chuck structure shown in FIG. 1 .
FIG. 3 is a plan view illustrating the chuck plate shown in FIG. 1 .
FIG. 4 is a bottom view for explaining the chuck plate shown in FIG. 1 .
5 is an enlarged cross-sectional view of part A shown in FIG. 1 .
6 is a schematic cross-sectional view for explaining a bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.
7 is a schematic cross-sectional view for explaining the bonding head shown in FIG.
FIG. 8 is a plan view for explaining the opening of the heating block in the bonding head shown in FIG. 7 .
9 is a cross-sectional view for explaining an opening of a heating block according to another embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a plan view for explaining the opening of the heating block shown in FIG. 9 .
11 is a cross-sectional view for explaining an opening of a heating block according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 척 플레이트, 상기 척 플레이트를 갖는 척 구조물 및 척 구조물을 갖는 본딩 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a chuck plate, a chuck structure having the chuck plate, and a bonding apparatus having the chuck structure according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Since the present invention can have various changes and can have various forms, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing each figure, like reference numerals have been used for like elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged than the actual size for clarity of the present invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, a second component may also be referred to as a first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or a combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It is to be understood that it does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 척 구조물을 설명하기 위한 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 척 구조물의 평면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 척 플레이트를 설명하기 위한 평면도이고, 도 4는 도 1에 도시된 척 플레이트를 설명하기 위한 저면도이고, 도 5도 1에 도시된 A 부분을 확대한 확대 단면도이다. 1 is a cross-sectional view for explaining a chuck structure according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the chuck structure shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view for explaining the chuck plate shown in FIG. , FIG. 4 is a bottom view for explaining the chuck plate shown in FIG. 1 , and is an enlarged cross-sectional view of part A shown in FIG. 5 .

도 1 내지 도 5를 참조하면, 척 구조물(100)은 웨이퍼(10)를 지지한다. 이때, 웨이퍼(10)에는 회로 패턴이 형성될 수 있다. 1 to 5 , the chuck structure 100 supports the wafer 10 . In this case, a circuit pattern may be formed on the wafer 10 .

척 구조물(100)은 가열 플레이트(110), 척 플레이트(120), 가이드 링(130), 클램프(140), 전원케이블(150) 및 온도 센서(160)를 포함한다. The chuck structure 100 includes a heating plate 110 , a chuck plate 120 , a guide ring 130 , a clamp 140 , a power cable 150 , and a temperature sensor 160 .

가열 플레이트(110)는 대략 원판 형태를 가지며, 외부로부터 인가되는 전원에 의해 열을 발생하는 발열체(112)를 내장한다. The heating plate 110 has a substantially circular plate shape, and contains a heating element 112 that generates heat by power applied from the outside.

발열체(112)는 가열 플레이트(110)의 내측면에 일정한 패턴을 이루도록 구비될 수 있다. 발열체(112)의 예로는 전극층, 발열 코일 등을 들 수 있다. The heating element 112 may be provided to form a predetermined pattern on the inner surface of the heating plate 110 . Examples of the heating element 112 include an electrode layer, a heating coil, and the like.

가열 플레이트(110)는 상부면까지 연장하는 제1 진공 라인(114) 및 제2 진공 라인(115)을 갖는다. 제1 진공 라인(114)과 제2 진공 라인(115)은 각각 가열 플레이트(110)의 하부면 또는 측면에서 상기 상부면까지 연장할 수 있다. 제1 진공 라인(114)과 제2 진공 라인(115)은 각각 서로 연결되지 않는다. 제1 진공 라인(114)은 진공 펌프(미도시)와 연결되며, 웨이퍼(10)를 흡착하기 위한 진공력을 제공한다. 제2 진공 라인(115)은 진공 펌프(미도시)와 연결되며, 척 플레이트(120)를 흡착하기 위한 진공력을 제공한다. The heating plate 110 has a first vacuum line 114 and a second vacuum line 115 extending to the top surface. The first vacuum line 114 and the second vacuum line 115 may extend from a lower surface or a side surface of the heating plate 110 to the upper surface, respectively. The first vacuum line 114 and the second vacuum line 115 are not connected to each other, respectively. The first vacuum line 114 is connected to a vacuum pump (not shown), and provides a vacuum force for adsorbing the wafer 10 . The second vacuum line 115 is connected to a vacuum pump (not shown) and provides a vacuum force for adsorbing the chuck plate 120 .

가열 플레이트(110)는 상부면에 정렬 핀(116)을 갖는다. 정렬 핀(116)은 가열 플레이트(110)의 척 플레이트(120)를 정렬하기 위한 것으로, 복수 개가 구비될 수 있다. 정렬 핀(116)은 가열 플레이트(110)의 상부면 가장자리에 배치될 수 있다. The heating plate 110 has an alignment pin 116 on its top surface. The alignment pins 116 are for aligning the chuck plate 120 of the heating plate 110 , and a plurality of alignment pins 116 may be provided. The alignment pin 116 may be disposed on the edge of the upper surface of the heating plate 110 .

또한, 가열 플레이트(110)는 상부면 가장자리를 따라 형성된 홈(118)을 갖는다. 홈(118)은 가이드 링(130)을 고정하는데 이용될 수 있다. In addition, the heating plate 110 has a groove 118 formed along the top surface edge. The groove 118 may be used to fix the guide ring 130 .

척 플레이트(120)는 대략 원판 형태를 가지며, 가열 플레이트(110) 상에 놓여진다. 척 플레이트(120)는 상부면에 웨이퍼(10)를 지지한다. The chuck plate 120 has a substantially disk shape and is placed on the heating plate 110 . The chuck plate 120 supports the wafer 10 on its upper surface.

척 플레이트(120)는 웨이퍼(10)를 흡착하기 위해 제1 진공 라인(114)과 연결되는 제3 진공 라인(122)을 갖는다. The chuck plate 120 has a third vacuum line 122 connected to the first vacuum line 114 for adsorbing the wafer 10 .

제3 진공 라인(122)은 진공 홈(122a) 및 다수의 진공 홀(122b)들을 갖는다. The third vacuum line 122 has a vacuum groove 122a and a plurality of vacuum holes 122b.

진공 홈(122a)은 척 플레이트(120)의 하부면에 형성된다. 예를 들면, 진공 홈(122a)은 척 플레이트(120)의 하부면 중심을 기준으로 동심원 형태를 갖는 홈들과 방사상으로 연장하는 홈들이 결합된 형상을 갖거나, 원형 홈 형상을 가질 수 있다. 이때, 진공 홈(122a)은 상기 진공력의 누설을 방지하기 위해 척 플레이트(120)의 하부면 가장자리까지 연장하지 않는다. The vacuum groove 122a is formed in the lower surface of the chuck plate 120 . For example, the vacuum groove 122a may have a shape in which concentric grooves and radially extending grooves are combined with respect to the center of the lower surface of the chuck plate 120 , or may have a circular groove shape. At this time, the vacuum groove 122a does not extend to the edge of the lower surface of the chuck plate 120 in order to prevent leakage of the vacuum force.

척 플레이트(120)는 가열 플레이트(110) 상에 놓여지면서 진공 홈(122a)은 가열 플레이트(110)의 상부면에 의해 한정되어 공간을 형성한다. 또한, 진공 홈(122a)은 제1 진공 라인(114)과 연결된다. While the chuck plate 120 is placed on the heating plate 110 , the vacuum groove 122a is defined by the upper surface of the heating plate 110 to form a space. Also, the vacuum groove 122a is connected to the first vacuum line 114 .

진공 홀(122b)들은 척 플레이트(120)를 관통하여 진공 홈(122a)이 형성된 하부면에서 척 플레이트(120)의 상부면까지 연장한다. 진공 홀(122b)은 서로 이격되도록 배열된다. 예를 들면, 진공 홀(122b)들은 동심원 형상 또는 방사 형상으로 배열될 수 있다. The vacuum holes 122b penetrate the chuck plate 120 and extend from the lower surface where the vacuum groove 122a is formed to the upper surface of the chuck plate 120 . The vacuum holes 122b are arranged to be spaced apart from each other. For example, the vacuum holes 122b may be arranged in a concentric circle shape or a radial shape.

따라서, 제3 진공 라인(122)은 제1 진공 라인(114)과 연결되며, 제1 진공 라인(114)을 통해 제공되는 진공력으로 웨이퍼(10)를 흡착할 수 있다. Accordingly, the third vacuum line 122 is connected to the first vacuum line 114 , and the wafer 10 may be adsorbed by the vacuum force provided through the first vacuum line 114 .

한편, 척 플레이트(120)에서 최외각에 위치하는 진공 홀(122b)들 사이의 간격은 상기 최외각보다 내측에 위치하는 진공 홀(122b)들의 간격보다 상대적으로 좁게 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 최외각에 위치하는 진공 홀(122b)들 사이의 각도는 상기 최외각보다 내측에 위치하는 진공 홀(122b)들 사이의 각도의 절반일 수 있다. 예를 들면, 상기 최외각에 위치하는 진공 홀(122b)들 사이의 각도는 약 15도이고, 상기 최외각보다 내측에 위치하는 진공 홀(122b)들 사이의 각도는 약 30도 일 수 있다. Meanwhile, in the chuck plate 120 , a distance between the vacuum holes 122b positioned at the outermost shell may be relatively narrower than a gap between the vacuum holes 122b positioned inside the outermost shell. Specifically, the angle between the vacuum holes 122b positioned at the outermost shell may be half of the angle between the vacuum holes 122b positioned inside the outermost shell. For example, the angle between the vacuum holes 122b positioned at the outermost shell may be about 15 degrees, and the angle between the vacuum holes 122b positioned inside the outermost shell may be about 30 degrees.

따라서, 척 플레이트(120)의 가장자리에서도 진공 홀(112b)을 통한 진공력이 안정적으로 제공될 수 있다. 그러므로, 척 플레이트(120)의 가장자리에서도 웨이퍼(10)가 척 플레이트(120)에 밀착될 수 있으며, 웨이퍼(10)가 들뜨는 것을 방지할 수 있다. Accordingly, the vacuum force through the vacuum hole 112b may be stably provided even at the edge of the chuck plate 120 . Therefore, even at the edge of the chuck plate 120 , the wafer 10 may be in close contact with the chuck plate 120 , and lifting of the wafer 10 may be prevented.

또한, 척 플레이트(120)는 가열 플레이트(110)에 진공 흡착되도록 하부면에 제2 진공 라인(115)과 연결되도록 구비되는 진공 홈(123)을 갖는다. In addition, the chuck plate 120 has a vacuum groove 123 provided to be connected to the second vacuum line 115 on the lower surface so as to be vacuum-adsorbed to the heating plate 110 .

진공 홈(123)은 척 플레이트(120)의 하부면에 형성된다. 예를 들면, 진공 홈(123)은 척 플레이트(120)의 하부면 중심을 기준으로 동심원 형태를 갖는 홈들과 방사상으로 연장하는 홈들이 결합된 형상을 갖거나, 원형 홈 형상을 가질 수 있다. 이때, 진공 홈(123)은 상기 진공력의 누설을 방지하기 위해 척 플레이트(120)의 하부면 가장자리까지 연장하지 않는다. 또한, 도 4에 도시된 바와 같이 진공 홈(123)은 제3 진공 라인(122)과 서로 연결되지 않도록 형성될 수 있다. The vacuum groove 123 is formed in the lower surface of the chuck plate 120 . For example, the vacuum groove 123 may have a shape in which concentric grooves and radially extending grooves are combined with respect to the center of the lower surface of the chuck plate 120 , or may have a circular groove shape. At this time, the vacuum groove 123 does not extend to the edge of the lower surface of the chuck plate 120 in order to prevent leakage of the vacuum force. In addition, as shown in FIG. 4 , the vacuum groove 123 may be formed so as not to be connected to the third vacuum line 122 .

척 플레이트(120)는 가열 플레이트(110) 상에 놓여지면서 진공 홈(123)은 가열 플레이트(110)의 상부면에 의해 한정되어 공간을 형성한다. 또한, 진공 홈(123)은 제2 진공 라인(115)과 연결된다. While the chuck plate 120 is placed on the heating plate 110 , the vacuum groove 123 is defined by the upper surface of the heating plate 110 to form a space. Also, the vacuum groove 123 is connected to the second vacuum line 115 .

진공 홈(123)은 제2 진공 라인(115)과 연결되며, 제2 진공 라인(115)을 통해 제공되는 진공력으로 척 플레이트(120)가 가열 플레이트(110) 상에 밀착되어 고정될 수 있다. 그러므로, 척 플레이트(120)의 뒤틀림이나 벤딩을 최소화하여 척 플레이트(120) 상의 웨이퍼(10)를 평탄하게 지지할 수 있다. The vacuum groove 123 is connected to the second vacuum line 115 , and the chuck plate 120 may be fixed in close contact with the heating plate 110 by vacuum force provided through the second vacuum line 115 . . Therefore, the wafer 10 on the chuck plate 120 may be supported flatly by minimizing distortion or bending of the chuck plate 120 .

가열 플레이트(110)와 척 플레이트(120)는 제2 진공 라인(115) 및 진공 홈(123)을 통해 제공되는 상기 진공력에 의해 밀착된 상태를 유지할 수 있다. 그러므로, 가열 플레이트(110)와 척 플레이트(120)를 체결하기 위한 별도의 체결 부재가 불필요하다. The heating plate 110 and the chuck plate 120 may maintain a close contact state by the vacuum force provided through the second vacuum line 115 and the vacuum groove 123 . Therefore, a separate fastening member for fastening the heating plate 110 and the chuck plate 120 is unnecessary.

또한, 제1 진공 라인(114)과 제2 진공 라인(115)을 통해 제공되는 상기 진공력을 해제하여 가열 플레이트(110)와 척 플레이트(120)를 분리하여 교체할 수 있다. 그러므로, 척 구조물(100)의 유지 보수를 신속하게 수행할 수 있다. In addition, by releasing the vacuum force provided through the first vacuum line 114 and the second vacuum line 115 , the heating plate 110 and the chuck plate 120 may be separated and replaced. Therefore, the maintenance of the chuck structure 100 can be performed quickly.

한편, 가열 플레이트(110)의 상부면과 척 플레이트(120)의 하부면은 각각 약 10 ㎛를 초과하는 평탄도를 갖는 경우, 가열 플레이트(110)와 척 플레이트(120) 사이에 미세한 간격이 존재할 수 있다. 따라서, 가열 플레이트(110)와 척 플레이트(120) 사이를 통해 상기 진공력이 누설될 수 있다. On the other hand, when the upper surface of the heating plate 110 and the lower surface of the chuck plate 120 each have a flatness exceeding about 10 μm, a minute gap exists between the heating plate 110 and the chuck plate 120 . can Accordingly, the vacuum force may leak between the heating plate 110 and the chuck plate 120 .

가열 플레이트(110)의 상부면과 척 플레이트(120)의 하부면은 각각 약 10 ㎛ 이하, 바람직하게는 7 ㎛ 이하의 평탄도를 갖는다. 이 경우, 가열 플레이트(110)와 척 플레이트(120)가 밀착될 수 있고, 가열 플레이트(110)와 척 플레이트(120) 사이를 통해 상기 진공력이 누설되는 것을 방지할 수 있다. The upper surface of the heating plate 110 and the lower surface of the chuck plate 120 each have a flatness of about 10 μm or less, preferably 7 μm or less. In this case, the heating plate 110 and the chuck plate 120 may be in close contact, and the vacuum force may be prevented from leaking through the space between the heating plate 110 and the chuck plate 120 .

척 플레이트(120)는 가열 플레이트(110)에서 발생한 열을 웨이퍼(10)로 전달한다. 이때, 칩(미도시)과 웨이퍼(10)의 본딩이 용이하게 이루어지도록 웨이퍼(10)는 약 140 내지 150 ℃의 온도로 유지될 수 있다. The chuck plate 120 transfers heat generated by the heating plate 110 to the wafer 10 . In this case, the wafer 10 may be maintained at a temperature of about 140 to 150° C. so that bonding between the chip (not shown) and the wafer 10 is easily performed.

가열 플레이트(110)는 세라믹 재질로 이루어질 수 있다. 상기 세라믹 재질의 예로는 질화알루미늄(AlN)을 들 수 있다. 상기 질화알루미늄은 높은 열전도율을 가지므로, 가열 플레이트(110)는 발열체(112)에서 발생한 열을 균일하게 전달될 수 있다. 또한, 가열 플레이트(110)는 척 플레이트(120)의 온도 분포를 균일하게 하여 웨이퍼(10)를 균일하게 가열할 수 있다. The heating plate 110 may be made of a ceramic material. An example of the ceramic material may be aluminum nitride (AlN). Since the aluminum nitride has high thermal conductivity, the heating plate 110 may uniformly transfer heat generated by the heating element 112 . In addition, the heating plate 110 may uniformly heat the wafer 10 by making the temperature distribution of the chuck plate 120 uniform.

척 플레이트(120)는 세라믹 재질에 티타늄이 첨가되어 이루어질 수 있다. 예를 들면, 척 플레이트(120)는 상기 산화알루미늄(Al2O3)에 티타늄이 첨가될 수 있다. 상기 산화알루미늄(Al2O3)에 티타늄이 첨가되는 경우, 척 플레이트(120)의 열 전도율을 더욱 낮출 수 있다. The chuck plate 120 may be formed by adding titanium to a ceramic material. For example, in the chuck plate 120 , titanium may be added to the aluminum oxide (Al2O3). When titanium is added to the aluminum oxide (Al2O3), the thermal conductivity of the chuck plate 120 may be further reduced.

척 플레이트(120)에서 상기 산화알루미늄 100 중량부에 대해 상기 티타늄이 약 10 중량부 미만으로 첨가되는 경우, 척 플레이트(120)의 기공율 증가가 미미하고 척 플레이트(120)의 열 전도율이 순수 산화알루미늄과 유사할 수 있다.When the titanium is added in an amount of less than about 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the aluminum oxide in the chuck plate 120 , the increase in the porosity of the chuck plate 120 is insignificant and the thermal conductivity of the chuck plate 120 is pure aluminum oxide. may be similar to

척 플레이트(120)에서 상기 산화알루미늄 100 중량부에 대해 상기 티타늄이 약 20 중량부를 초과하여 첨가되는 경우, 척 플레이트(120)의 기공율이 과도하게 증가하여 열전도율이 크게 낮아진다. 그리고, 척 플레이트(120)의 소결 밀도가 감소하여 척 플레이트(120)의 강도가 낮아지고 척 플레이트(120)의 기공을 통해 진공력이 손실될 수 있다. When the amount of titanium exceeds about 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the aluminum oxide in the chuck plate 120 , the porosity of the chuck plate 120 is excessively increased and thermal conductivity is greatly reduced. In addition, since the sintering density of the chuck plate 120 is reduced, the strength of the chuck plate 120 may be lowered, and vacuum force may be lost through the pores of the chuck plate 120 .

척 플레이트(120)에서 상기 산화알루미늄 100 중량부에 대해 상기 티타늄이 약 10 내지 20 중량부가 첨가되는 경우, 척 플레이트(120)의 기공을 통해 진공력이 거의 손실되지 않을 정도로 척 플레이트(120)의 기공율이 증가하고 척 플레이트(120)의 열전도율도 낮아진다. 또한, 척 플레이트(120)의 소결 밀도가 약 3.8g/㎤로 순수 산화알루미늄의 소결 밀도인 약 3.9g/㎤ 보다 약간 낮아 척 플레이트(120)의 강도가 낮아지지 않는다.When about 10 to 20 parts by weight of the titanium is added based on 100 parts by weight of the aluminum oxide in the chuck plate 120 , the vacuum force is hardly lost through the pores of the chuck plate 120 . The porosity increases and the thermal conductivity of the chuck plate 120 also decreases. In addition, the sintered density of the chuck plate 120 is about 3.8 g/cm 3 , which is slightly lower than the sintered density of pure aluminum oxide of about 3.9 g/cm 3 , so that the strength of the chuck plate 120 is not lowered.

따라서, 척 플레이트(120)는 상기 산화알루미늄 100 중량부에 대해 약 10 내지 20 중량부의 티타늄이 첨가되어 이루어질 수 있다. Accordingly, the chuck plate 120 may be formed by adding about 10 to 20 parts by weight of titanium based on 100 parts by weight of the aluminum oxide.

척 플레이트(120)의 열전도율이 약 5 W/m·k 미만인 경우, 척 플레이트(120)의 열전도율이 상대적으로 낮다. 따라서, 가열 플레이트(110)에서 발생된 열을 웨이퍼(10)로 충분히 전달하지 못하거나, 가열 플레이트(110)에서 발생된 열을 웨이퍼(10)로 전달하는데 많은 시간이 소요될 수 있다. 다만, 상기 칩의 본딩을 위해 본딩 헤드가 웨이퍼(10)와 상기 칩을 약 450도의 고온으로 열압착하더라도 척 플레이트(120)가 급속하게 가열되는 것을 막을 수 있다.When the thermal conductivity of the chuck plate 120 is less than about 5 W/m·k, the thermal conductivity of the chuck plate 120 is relatively low. Accordingly, heat generated from the heating plate 110 may not be sufficiently transferred to the wafer 10 , or it may take a lot of time to transfer heat generated from the heating plate 110 to the wafer 10 . However, even if the bonding head thermocompresses the wafer 10 and the chip at a high temperature of about 450 degrees for bonding the chip, the chuck plate 120 may be prevented from being rapidly heated.

척 플레이트(120)의 열전도율이 약 20 W/m·k를 초과하는 경우, 척 플레이트(120)의 열전도율이 상대적으로 높다. 따라서, 가열 플레이트(110)에서 발생된 열을 웨이퍼(10)로 과도하게 전달되어 웨이퍼(10)와 상기 칩 사이의 솔더링 물질이 뭉개질 수 있다. 또한, 상기 본딩 헤드가 웨이퍼(10)와 상기 칩을 약 450도의 고온으로 열압착하는 경우, 척 플레이트(120)가 비교적 급속하게 가열되어 웨이퍼(10)와 상기 칩 사이의 솔더링 물질이 더 잘 뭉개질 수 있다. When the thermal conductivity of the chuck plate 120 exceeds about 20 W/m·k, the thermal conductivity of the chuck plate 120 is relatively high. Accordingly, heat generated from the heating plate 110 may be excessively transferred to the wafer 10 , so that the soldering material between the wafer 10 and the chip may be crushed. In addition, when the bonding head thermocompresses the wafer 10 and the chip at a high temperature of about 450 degrees, the chuck plate 120 is heated relatively rapidly so that the soldering material between the wafer 10 and the chip is more crushed. can get

척 플레이트(120)의 열전도율은 약 5 내지 20 W/m·k 인 경우, 척 플레이트(120)는 열 플레이트(110)에서 발생된 열을 웨이퍼(10)로 상기 솔더링 물질이 뭉개지지 않을 정도로 적절히 전달할 수 있다. 또한, 상기 칩의 본딩을 위해 본딩 헤드가 웨이퍼(10)와 상기 칩을 약 450도의 고온으로 열압착하더라도 척 플레이트(120)가 급속하게 가열되는 것을 막을 수 있다. 따라서, 웨이퍼(10)와 상기 칩 사이의 솔더링 물질이 뭉개지는 것을 방지할 수 있다. When the thermal conductivity of the chuck plate 120 is about 5 to 20 W/m·k, the chuck plate 120 transfers the heat generated from the thermal plate 110 to the wafer 10 so that the soldering material is not crushed. can transmit In addition, even if the bonding head thermocompresses the wafer 10 and the chip at a high temperature of about 450 degrees for bonding the chip, the chuck plate 120 can be prevented from being rapidly heated. Accordingly, it is possible to prevent the soldering material between the wafer 10 and the chip from being crushed.

따라서, 웨이퍼(10)와 상기 칩의 본딩을 위해 웨이퍼(10)를 상시 예열하더라도 웨이퍼(10)와 상기 칩 사이의 솔더링 물질이 뭉게지는 현상을 방지할 수 있다. 그러므로, 웨이퍼(10)와 상기 칩 사이에 본딩 불량을 방지할 수 있다 .Accordingly, even if the wafer 10 is always preheated for bonding the wafer 10 and the chip, it is possible to prevent the soldering material between the wafer 10 and the chip from being crushed. Therefore, a bonding defect between the wafer 10 and the chip can be prevented.

한편, 척 플레이트(120)는 상기 질화알루미늄보다 열전도율이 낮은 산화알루미늄(Al2O3)으로만 이루어질 수도 있다. Meanwhile, the chuck plate 120 may be made of only aluminum oxide (Al2O3) having a lower thermal conductivity than the aluminum nitride.

척 플레이트(120)는 정렬 핀(116)을 수용하기 위한 수용홈(124)을 갖는다. 수용홈(124)은 가열 플레이트(110)의 정렬 핀(116)과 대응하는 위치에 형성될 수 있다. 예를 들면 수용홈(124)도 척 플레이트(120)의 가장자리에 배치될 수 있다. The chuck plate 120 has a receiving groove 124 for receiving the alignment pin 116 . The receiving groove 124 may be formed at a position corresponding to the alignment pin 116 of the heating plate 110 . For example, the receiving groove 124 may also be disposed on the edge of the chuck plate 120 .

척 플레이트(120)가 가열 플레이트(110)의 상부면에 안착될 때, 가열 플레이트(110)의 정렬 핀(116)이 척 플레이트(120)의 수용홈(124)에 삽입될 수 있다. 따라서, 가열 플레이트(110)와 척 플레이트(120)가 정확하게 정렬될 수 있다. When the chuck plate 120 is seated on the upper surface of the heating plate 110 , the alignment pins 116 of the heating plate 110 may be inserted into the receiving groove 124 of the chuck plate 120 . Accordingly, the heating plate 110 and the chuck plate 120 may be accurately aligned.

상기에서 가열 플레이트(110)에 정렬 핀(116)이 구비되고, 척 플레이트(120)에 수용홈(124)이 형성되는 것으로 설명되었지만, 가열 플레이트(110)에 수용홈이 형성되고, 척 플레이트(120)에 정렬 핀이 구비될 수도 있다. Although the alignment pin 116 is provided in the heating plate 110 and the receiving groove 124 is formed in the chuck plate 120 in the above, the receiving groove is formed in the heating plate 110, and the chuck plate ( 120) may be provided with an alignment pin.

또한, 척 플레이트(120)는 상부면 가장자리를 따라 형성된 홈(126)을 갖는다. 홈(126)은 클램프(140)가 안착되는데 이용될 수 있다. In addition, the chuck plate 120 has a groove 126 formed along the upper surface edge. The groove 126 may be used to seat the clamp 140 .

가이드 링(130)은 가열 플레이트(110)의 상면 가장자리를 따라 형성된 홈(118)에 걸리며 가열 플레이트(110)의 둘레를 가이드한다.The guide ring 130 is caught in the groove 118 formed along the top edge of the heating plate 110 and guides the circumference of the heating plate 110 .

구체적으로, 가이드 링(130)은 걸림턱(132)을 가지며, 걸림턱(132)이 홈(118)에 걸림으로서 가이드 링(130)이 가열 플레이트(110)에 장착된다. Specifically, the guide ring 130 has a locking jaw 132 , and the guide ring 130 is mounted on the heating plate 110 as the locking jaw 132 is caught in the groove 118 .

한편, 가이드 링(130)의 상면과 가열 플레이트(110)의 상면은 동일한 높이에 위치할 수 있다. 이 경우, 가열 플레이트(110)에 가이드 링(130)을 장착한 상태에서 척 플레이트(120)를 가열 플레이트(110)의 상부면에 용이하게 안착시킬 수 있다. Meanwhile, the upper surface of the guide ring 130 and the upper surface of the heating plate 110 may be located at the same height. In this case, the chuck plate 120 can be easily seated on the upper surface of the heating plate 110 while the guide ring 130 is mounted on the heating plate 110 .

또한, 가이드 링(130)의 상면이 가열 플레이트(110)의 상면보다 높게 위치하는 경우, 척 플레이트(120)를 가열 플레이트(110)의 상부면에 안착할 때 가이드 링(130)을 정렬 기준으로 이용할 수 있다. In addition, when the upper surface of the guide ring 130 is positioned higher than the upper surface of the heating plate 110 , when the chuck plate 120 is seated on the upper surface of the heating plate 110 , the guide ring 130 is used as an alignment reference. Available.

클램프(140)는 척 플레이트(120)의 상부면 가장자리를 덮은 상태로 가이드 링에 고정된다. 클램프(140)는 체결 나사(142)에 의해 가이드 링(130)에 고정될 수 있다. The clamp 140 is fixed to the guide ring while covering the edge of the upper surface of the chuck plate 120 . The clamp 140 may be fixed to the guide ring 130 by a fastening screw 142 .

일 예로, 클램프(140)는 다수개가 구비되어 척 플레이트(120)의 상부면 가장자리를 부분적으로 덮을 수 있다. 다른 예로, 클램프(140)가 대략 링 형태를 가지며, 척 플레이트(120)의 상부면 가장자리를 전체적으로 덮을 수도 있다. For example, a plurality of clamps 140 may be provided to partially cover the edge of the upper surface of the chuck plate 120 . As another example, the clamp 140 may have a substantially ring shape and may entirely cover an edge of the upper surface of the chuck plate 120 .

클램프(140)가 척 플레이트(120)의 상부면 가장자리를 덮은 상태로 가이드 링(130)에 고정되므로, 클램프(140)가 척 플레이트(120)를 하방으로 가압할 수 있다. 따라서, 클램프(140)는 척 플레이트(120)를 가열 플레이트(110)에 밀착시킬 수 있다. Since the clamp 140 is fixed to the guide ring 130 while covering the upper surface edge of the chuck plate 120 , the clamp 140 may press the chuck plate 120 downward. Accordingly, the clamp 140 may attach the chuck plate 120 to the heating plate 110 .

클램프(140)는 걸림턱(144)을 가지며, 걸림턱(144)이 척 플레이트(120)의 홈(126)에 놓여질 수 있다. 따라서, 클램프(140)의 상면과 척 플레이트(120)의 상면을 동일한 높이에 위치시킬 수 있다. 그러므로, 클램프(140)의 방해없이 웨이퍼(10)를 척 플레이트(120)의 상부면으로 안정적으로 이송할 때 안착할 수 있다. The clamp 140 has a locking jaw 144 , and the locking jaw 144 may be placed in the groove 126 of the chuck plate 120 . Accordingly, the upper surface of the clamp 140 and the upper surface of the chuck plate 120 may be positioned at the same height. Therefore, when the wafer 10 is stably transferred to the upper surface of the chuck plate 120 without interference of the clamp 140 , it can be seated.

가이드 링(130) 및 클램프(140)는 가열 플레이트(110)보다 낮은 열전도율을 갖는 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 가이드 링(130) 및 클램프(140)는 산화알루미늄(Al2O3) 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 가이드 링(130) 및 클램프(140)는 척 플레이트(120)와 동일한 재질로 이루어질 수 있다. The guide ring 130 and the clamp 140 may be made of a material having a lower thermal conductivity than the heating plate 110 . For example, the guide ring 130 and the clamp 140 may be made of an aluminum oxide (Al2O3) material. In addition, the guide ring 130 and the clamp 140 may be made of the same material as the chuck plate 120 .

가이드 링(130) 및 클램프(140)의 열전도율이 가열 플레이트(110)의 열전도율보다 낮으므로, 가이드 링(130) 및 클램프(140)는 가열 플레이트(110)의 측면을 통한 열손실을 방지할 수 있다. Since the thermal conductivity of the guide ring 130 and the clamp 140 is lower than the thermal conductivity of the heating plate 110 , the guide ring 130 and the clamp 140 can prevent heat loss through the side of the heating plate 110 . have.

전원케이블(150)은 가열 플레이트(110)의 내부까지 연장하여 발열체(112)와 연결되며, 발열체(112)가 열을 발생시키기 위한 전원을 제공한다. The power cable 150 extends to the inside of the heating plate 110 and is connected to the heating element 112 , and provides power for the heating element 112 to generate heat.

온도 센서(160)는 외부에서 가열 플레이트(110)의 내부까지 연장하며, 발열체(112)에 의해 가열되는 가열 플레이트(110)의 온도를 측정한다. 온도 센서(160)에서 측정된 온도를 이용하여 발열체(112)의 온도를 제어할 수 있다. 발열체(112)의 온도를 제어함으로써 가열 플레이트(110)의 온도를 조절할 수 있다. The temperature sensor 160 extends from the outside to the inside of the heating plate 110 , and measures the temperature of the heating plate 110 heated by the heating element 112 . The temperature of the heating element 112 may be controlled using the temperature measured by the temperature sensor 160 . The temperature of the heating plate 110 may be adjusted by controlling the temperature of the heating element 112 .

온도 센서(160)의 예로는 열전대를 들 수 있다. An example of the temperature sensor 160 may be a thermocouple.

척 구조물(100)은 가열 플레이트(110)에서 발생한 열을 척 플레이트(120)를 통해 웨이퍼(10)로 전달한다. 척 플레이트(120)가 전달하는 열에 의해 웨이퍼(10)가 항상 일정한 온도로 가열될 수 있다. 따라서, 상기 칩을 웨이퍼(10)에 효과적으로 본딩할 수 있다. The chuck structure 100 transfers heat generated from the heating plate 110 to the wafer 10 through the chuck plate 120 . The wafer 10 may be always heated to a constant temperature by the heat transferred by the chuck plate 120 . Accordingly, the chip can be effectively bonded to the wafer 10 .

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 본딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining a bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본딩 장치(300)는 척 구조물(100) 및 본딩 헤드(200)를 포함한다. Referring to FIG. 6 , the bonding apparatus 300 includes a chuck structure 100 and a bonding head 200 .

척 구조물(100)은 가열 플레이트(110), 척 플레이트(120), 가이드 링(130), 클램프(140), 전원케이블(150) 및 온도 센서(160)를 포함하며, 척 구조물(100)에 대한 구체적인 설명은 도 1 내지 도 5를 참조한 설명과 실질적으로 동일하므로 생략한다. The chuck structure 100 includes a heating plate 110 , a chuck plate 120 , a guide ring 130 , a clamp 140 , a power cable 150 , and a temperature sensor 160 , and is connected to the chuck structure 100 . A detailed description thereof will be omitted because it is substantially the same as the description with reference to FIGS. 1 to 5 .

척 구조물(100)은 가열 플레이트(110)에서 발생한 열을 척 플레이트(120)를 통해 웨이퍼(10)로 전달하므로, 척 구조물(100)에 지지된 웨이퍼(10)가 항상 일정한 온도로 가열될 수 있다. 따라서, 본딩 헤드(200)가 칩(20)을 웨이퍼(10)에 신속하게 본딩할 수 있다. Since the chuck structure 100 transfers heat generated from the heating plate 110 to the wafer 10 through the chuck plate 120 , the wafer 10 supported by the chuck structure 100 can be always heated to a constant temperature. have. Accordingly, the bonding head 200 can quickly bond the chip 20 to the wafer 10 .

도 7은 도 6에 도시된 본딩 헤드를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 8은 도 7에 도시된 본딩 헤드에서 가열 블록의 개구를 설명하기 위한 평면도이다. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for explaining the bonding head shown in FIG. 6 , and FIG. 8 is a plan view for explaining the opening of the heating block in the bonding head shown in FIG. 7 .

도 7 및 도 8을 참조하면, 본딩 헤드(200)는 칩(20)을 척 구조물(100)에 의해 지지된 웨이퍼(10)로 이송하여 웨이퍼(10)에 본딩하기 위한 것으로, 베이스 블록(210), 가열 블록(220) 및 흡착판(230)을 포함한다. 도시되지는 않았지만, 본딩 헤드(200)는 칩(20)의 이송을 위해 수평 이동, 상하 이동, 회전, 반전 등이 가능하도록 구비될 수 있다. 7 and 8 , the bonding head 200 transfers the chip 20 to the wafer 10 supported by the chuck structure 100 and bonds to the wafer 10 , and the base block 210 ), a heating block 220 and a suction plate 230 . Although not shown, the bonding head 200 may be provided to enable horizontal movement, vertical movement, rotation, inversion, etc. for the transfer of the chip 20 .

또한, 본딩 헤드(200)는 칩(20)과 웨이퍼(10)의 본딩을 위해 흡착판(230)이 하방을 향하도록 배치될 수 있다. In addition, the bonding head 200 may be disposed such that the suction plate 230 faces downward for bonding the chip 20 and the wafer 10 .

베이스 블록(210)은 제1 블록(212) 및 제2 블록(214)을 포함한다.The base block 210 includes a first block 212 and a second block 214 .

제1 블록(212)은 금속 재질로 이루어진다. 상기 금속 재질의 예로는 스테인리스 스틸 재질일 수 있다. The first block 212 is made of a metal material. An example of the metal material may be a stainless steel material.

제2 블록(214)은 제1 블록(212) 상에 구비된다. 제2 블록(214)은 가열 블록(220)보다 낮은 열전도율을 갖는 세라믹 재질로 이루어질 수 있다. 상기 세라믹 재질의 예로는 산화알루미늄(Al2O3)을 들 수 있다. 제2 블록(214)의 열전도율이 가열 블록(220)의 열전도율보다 낮으므로, 제2 블록(214)은 가열 블록(220)에서 발생한 열이 제1 블록(212)으로 전달되는 것을 감소시킬 수 있다. The second block 214 is provided on the first block 212 . The second block 214 may be made of a ceramic material having a lower thermal conductivity than the heating block 220 . An example of the ceramic material may be aluminum oxide (Al2O3). Since the thermal conductivity of the second block 214 is lower than that of the heating block 220 , the second block 214 may reduce the transfer of heat generated in the heating block 220 to the first block 212 . .

또한, 베이스 블록(210)은 제3 블록(216)을 더 포함한다.In addition, the base block 210 further includes a third block 216 .

제3 블록(216)은 제1 블록(212)과 제2 블록(214) 사이에 구비된다. 제3 블록(216)은 버퍼 블록으로 작용하여 제2 블록(214)의 열이 제1 블록(212)으로 전달되는 것을 감소시킨다. 제3 블록(216)은 세라믹 재질로 이루어질 수 있으며, 상기 세라믹 재질의 예로는 산화알루미늄을 들 수 있다.The third block 216 is provided between the first block 212 and the second block 214 . The third block 216 acts as a buffer block to reduce the transfer of heat from the second block 214 to the first block 212 . The third block 216 may be made of a ceramic material, and an example of the ceramic material may be aluminum oxide.

가열 블록(220)은 베이스 블록(210), 구체적으로 제2 블록(214) 상에 구비된다. 가열 블록(220)은 발열체(222)를 내장한다. 발열체(222)는 금속 재질로 이루어질 수 있다. 발열체(222)는 외부로부터 인가되는 전원에 의해 열을 발생하고, 상기 열을 이용하여 흡착판(230)에 흡착되는 칩(20)을 가열한다. 상기 열을 이용하여 칩(20)의 범프를 녹일 수 있다. 예를 들면, 칩(20)의 범프를 녹이기 위해 발열체(222)는 칩(20)을 순간적으로 약 450 ℃까지 가열할 수 있다. The heating block 220 is provided on the base block 210 , specifically, the second block 214 . The heating block 220 contains a heating element 222 . The heating element 222 may be made of a metal material. The heating element 222 generates heat by power applied from the outside, and heats the chip 20 adsorbed to the suction plate 230 using the heat. The heat may be used to melt the bumps of the chip 20 . For example, in order to melt the bump of the chip 20 , the heating element 222 may instantaneously heat the chip 20 to about 450°C.

가열 블록(220)을 절연성과 열전도율이 우수한 세라믹 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 가열 블록(220)은 질화알루미늄(AlN) 재질일 수 있다. 이때, 상기 열전도율은 약 170 W/m·k 이상일 수 있다. The heating block 220 may be made of a ceramic material having excellent insulation and thermal conductivity. For example, the heating block 220 may be made of aluminum nitride (AlN). In this case, the thermal conductivity may be about 170 W/m·k or more.

가열 블록(220)의 열전도율이 우수하므로, 발열체(222)에서 발생된 열을 이용하여 칩(20)을 신속하게 가열시킬 수 있다. Since the heating block 220 has excellent thermal conductivity, the chip 20 can be quickly heated using the heat generated by the heating element 222 .

가열 블록(220)은 진공력을 제공하기 위해 상부면까지 연장하는 제4 진공 라인(224) 및 제5 진공 라인(226)을 갖는다. The heating block 220 has a fourth vacuum line 224 and a fifth vacuum line 226 extending to the top surface to provide a vacuum force.

제4 진공 라인(224)과 제5 진공 라인(226)은 서로 연결되지 않으며, 상기 진공력이 각각 제공된다. 예를 들면, 제4 진공 라인(224)은 가열 블록(220)의 가장자리 부위의 상하를 관통하고, 제5 진공 라인(226)은 가열 블록(221)의 중앙 부위의 상하를 관통한다. 특히 제4 진공 라인(224)은 가열 블록(220)의 상부면에 일정 길이로 형성된 홈(225)과 연결될 수 있다. 따라서, 제4 진공 라인(224)을 통해 제공된 진공력이 보다 넓은 범위에서 작용할 수 있다. The fourth vacuum line 224 and the fifth vacuum line 226 are not connected to each other, and the vacuum force is respectively provided. For example, the fourth vacuum line 224 passes through the upper and lower portions of the edge portion of the heating block 220 , and the fifth vacuum line 226 passes through the upper and lower portions of the central portion of the heating block 221 . In particular, the fourth vacuum line 224 may be connected to a groove 225 formed with a predetermined length in the upper surface of the heating block 220 . Accordingly, the vacuum force provided through the fourth vacuum line 224 may act in a wider range.

일 예로, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 제4 진공 라인(224)과 제5 진공 라인(226)은 베이스 블록(210)까지 연장되어 구비될 수 있다. 다른 예로, 도시되지는 않았지만, 제4 진공 라인(224)과 제5 진공 라인(226)은 베이스 블록(210)까지 연장되지 않고 가열 블록(220)에만 구비될 수도 있다. For example, as shown in FIGS. 7 and 8 , the fourth vacuum line 224 and the fifth vacuum line 226 may extend to the base block 210 . As another example, although not shown, the fourth vacuum line 224 and the fifth vacuum line 226 may be provided only in the heating block 220 without extending to the base block 210 .

흡착판(230)은 가열 블록(220) 상에 구비된다. 흡착판(230)은 제4 진공 라인(224)의 진공력에 의해 가열 블록(220)의 상부면에 고정된다. 제4 진공 라인(224)으로 진공력을 제공하거나 상기 진공력을 해제함으로써 흡착판(230)을 교체할 수 있다. 따라서, 흡착판(230)이 손상되거나 칩(20)의 사이즈가 변경되는 경우, 흡착판(230)만을 선택적으로 교체할 수 있다. The suction plate 230 is provided on the heating block 220 . The suction plate 230 is fixed to the upper surface of the heating block 220 by the vacuum force of the fourth vacuum line 224 . The suction plate 230 may be replaced by providing a vacuum force to the fourth vacuum line 224 or releasing the vacuum force. Accordingly, when the suction plate 230 is damaged or the size of the chip 20 is changed, only the suction plate 230 can be selectively replaced.

또한, 흡착판(230)은 진공홀(232)을 갖는다. 진공홀(232)은 가열 블록(220)의 제5 진공 라인(226)과 연결된다. 따라서, 제5 진공 라인(226)을 통해 제공되는 진공력으로 흡착판(230) 상에 놓여지는 칩(20)을 고정할 수 있다.In addition, the suction plate 230 has a vacuum hole 232 . The vacuum hole 232 is connected to the fifth vacuum line 226 of the heating block 220 . Accordingly, the chip 20 placed on the suction plate 230 may be fixed by the vacuum force provided through the fifth vacuum line 226 .

흡착판(230)으로 칩(20)을 고정한 상태에서 본딩 헤드(200)가 이동하여 칩(20)을 웨이퍼(10) 상에 적층할 수 있다. 또한, 흡착판(230)으로 웨이퍼(10)를 향해 칩(20)을 가압할 수 있다. In a state in which the chip 20 is fixed by the suction plate 230 , the bonding head 200 may move to stack the chip 20 on the wafer 10 . Also, the chip 20 may be pressed toward the wafer 10 by the suction plate 230 .

본딩 헤드(200)는 냉각 라인(240)을 더 포함한다. The bonding head 200 further includes a cooling line 240 .

냉각 라인(240)은 가열 블록(220)을 냉각하여 칩(20)을 냉각시킨다. 칩(20)이 냉각됨에 따라 칩(20)의 범프가 냉각되어 솔더를 형성할 수 있다. 이때, 냉각 라인(240)에 의해 칩(20)은 약 100℃로 냉각될 수 있다. The cooling line 240 cools the heating block 220 to cool the chip 20 . As the chip 20 is cooled, the bumps of the chip 20 may be cooled to form solder. At this time, the chip 20 may be cooled to about 100° C. by the cooling line 240 .

구체적으로, 냉각 라인(240)은 제1 냉각 라인(242)과 제2 냉각 라인(244)을 포함한다.Specifically, the cooling line 240 includes a first cooling line 242 and a second cooling line 244 .

제1 냉각 라인(242)은 베이스 블록(210)에서 제2 블록(214)의 상부면까지 연장한다. 제1 냉각 라인(242)을 통해 냉각 유체를 가열 블록(220)으로 제공한다. 상기 냉각 유체의 예로는 공기, 가스 등을 들 수 있다. 상기 냉각 유체는 가열 블록(220)과 직접 접촉하여 가열 블록(220)을 냉각한다.The first cooling line 242 extends from the base block 210 to the top surface of the second block 214 . A cooling fluid is provided to the heating block 220 via a first cooling line 242 . Examples of the cooling fluid include air, gas, and the like. The cooling fluid is in direct contact with the heating block 220 to cool the heating block 220 .

제2 냉각 라인(244)은 베이스 블록(210)에서 제1 블록(212)의 내부에 구비되며, 제1 블록(212)을 냉각한다. 제1 블록(212)이 냉각됨에 따라 열전도를 통해 제3 블록(216), 제2 블록(214) 및 가열 블록(220)이 냉각될 수 있다. 따라서, 제2 냉각 라인(244)은 보조적으로 가열 블록(220)을 냉각할 수 있다. The second cooling line 244 is provided inside the first block 212 in the base block 210 and cools the first block 212 . As the first block 212 is cooled, the third block 216 , the second block 214 and the heating block 220 may be cooled through heat conduction. Accordingly, the second cooling line 244 may auxiliary cool the heating block 220 .

제1 냉각 라인(242)을 이용하여 가열 블록(220)을 주로 냉각하고, 제2 냉각 라인(244)을 이용하여 보조적으로 냉각한다. 따라서, 냉각 라인(240)을 이용하여 가열 블록(220)을 신속하게 냉각할 수 있다. 가열 블록(220)이 냉각됨에 따라 흡착판(230)에 고정된 칩(20)의 범프를 신속하게 냉각하여 상기 솔더를 형성할 수 있다The heating block 220 is mainly cooled using the first cooling line 242 , and auxiliary cooling is performed using the second cooling line 244 . Accordingly, the heating block 220 can be rapidly cooled using the cooling line 240 . As the heating block 220 cools, the solder can be formed by rapidly cooling the bumps of the chip 20 fixed to the suction plate 230 .

한편, 가열 블록(220)은 냉각 라인(240), 구체적으로, 제1 냉각 라인(242)을 부분적으로 노출하는 개구(227)를 갖는다. 예를 들면 개구(227)는 가열 블록(220)의 상하를 관통하면서 측면까지 연장하는 홈일 수 있다. Meanwhile, the heating block 220 has an opening 227 partially exposing the cooling line 240 , specifically, the first cooling line 242 . For example, the opening 227 may be a groove extending to the side while penetrating the top and bottom of the heating block 220 .

개구(227)는 베이스 블록(210)의 상부면까지 연장한 다수의 제1 냉각 라인(242)들 중에서 일부를 선택적으로 노출하거나, 제1 냉각 라인(242)들 각각을 부분적으로 노출할 수 있다. The opening 227 may selectively expose some of the plurality of first cooling lines 242 extending to the upper surface of the base block 210 , or partially expose each of the first cooling lines 242 . .

특히, 개구(227)가 다수의 제1 냉각 라인(242)들 중에서 일부를 선택적으로 노출하는 경우, 개구(227)들이 가열 블록(220)의 일측에 배치되면, 가열 블록(220)과 흡착판(230)의 온도 분포가 불균일하게 된다. 따라서, 칩(20)에 형성되는 솔더의 품질이 저하될 수 있다. In particular, when the opening 227 selectively exposes some of the plurality of first cooling lines 242 , when the openings 227 are disposed on one side of the heating block 220 , the heating block 220 and the suction plate ( 230) becomes non-uniform. Accordingly, the quality of the solder formed on the chip 20 may be deteriorated.

그러므로, 개구(227)가 다수의 제1 냉각 라인(242)들 중에서 일부를 선택적으로 노출하는 경우, 개구(227)들은 가열 블록(220)의 중심을 기준으로 대칭되도록 배치될 수 있다. 이 경우, 가열 블록(220)과 흡착판(230)의 온도 분포를 상대적으로 균일하게 함으로써 칩(20)에 형성되는 솔더의 품질이 향상시킬 수 있다. Therefore, when the opening 227 selectively exposes some of the plurality of first cooling lines 242 , the openings 227 may be arranged to be symmetrical with respect to the center of the heating block 220 . In this case, the quality of solder formed on the chip 20 may be improved by making the temperature distribution between the heating block 220 and the suction plate 230 relatively uniform.

제1 냉각 라인(242)을 통해 제공된 냉각 유체 중 일부는 가열 블록(220)으로 제공되어 가열 블록(220)을 냉각하고, 상기 냉각 유체 중 나머지는 개구(227)를 통해 흡착판(230)으로 제공되어 흡착(230)을 직접 냉각한다. 즉, 제1 냉각 라인(242)을 통해 제공된 냉각 유체는 가열 블록(220)을 냉각하여 흡착판(230)을 냉각하면서 흡착판(230)을 직접 냉각할 수 있다. 또한, 제1 냉각 라인(242)을 통해 제공된 냉각 유체는 가열 블록(220)과 흡착판(230)을 냉각한 후 개구(227)를 통해 외부로 배출될 수 있다. A portion of the cooling fluid provided through the first cooling line 242 is provided to the heating block 220 to cool the heating block 220 , and the remainder of the cooling fluid is provided to the suction plate 230 through the opening 227 . to directly cool the adsorption 230 . That is, the cooling fluid provided through the first cooling line 242 may directly cool the suction plate 230 while cooling the suction plate 230 by cooling the heating block 220 . Also, the cooling fluid provided through the first cooling line 242 may be discharged to the outside through the opening 227 after cooling the heating block 220 and the suction plate 230 .

따라서, 흡착판(230)에 고정된 칩(20)의 범프를 보다 신속하게 냉각할 수 있다. 그러므로, 가열 블록(220)에 의해 녹은 칩(20)의 범프를 급속으로 냉각하여 양호한 형상의 솔더를 형성할 수 있다. Accordingly, the bump of the chip 20 fixed to the suction plate 230 can be cooled more quickly. Therefore, it is possible to rapidly cool the bumps of the molten chip 20 by the heating block 220 to form a solder having a good shape.

한편, 개구(227)가 가열 블록(220)의 상하를 관통하면서 측면까지 연장하는 홈 형태를 가지므로, 가열 블록(220)을 가공하여 개구(227)를 형성하기가 용이하다. On the other hand, since the opening 227 has a groove shape extending to the side while penetrating the top and bottom of the heating block 220 , it is easy to process the heating block 220 to form the opening 227 .

또한, 개구(227)가 가열 블록(220)의 상하를 관통하면서 측면까지 연장하는 홈 형태를 가지므로, 개구(227)에 의해 흡착판(230)이 상대적으로 많이 노출될 수 있다. 따라서, 제1 냉각 라인(242)을 통해 제공된 냉각 유체가 개구(227)를 통해 외부로 배출되면서 흡착판(230)과 접촉하는 면적이 늘어날 수 있다. 그러므로, 제1 냉각 라인(242)을 통해 제공된 냉각 유체에 의해 흡착판(230)이 직접 냉각되는 효과를 보다 높일 수 있다. In addition, since the opening 227 has a groove shape extending to the side while penetrating the top and bottom of the heating block 220 , the suction plate 230 may be exposed relatively much by the opening 227 . Accordingly, as the cooling fluid provided through the first cooling line 242 is discharged to the outside through the opening 227 , an area in contact with the suction plate 230 may increase. Therefore, the effect that the suction plate 230 is directly cooled by the cooling fluid provided through the first cooling line 242 may be further enhanced.

개구(227)가 제1 냉각 라인(242)의 영역 중 약 30% 미만을 노출하는 경우, 제1 냉각 라인(242)을 통해 제공된 냉각 유체가 흡착판(230)을 직접 냉각하는 효과가 상대적으로 저하될 수 있다. 따라서, 제1 냉각 라인(242)을 통해 제공된 냉각 유체가 칩(20)의 범프를 급속으로 냉각하기 어렵다.When the opening 227 exposes less than about 30% of the area of the first cooling line 242 , the cooling fluid provided through the first cooling line 242 directly cools the sucker 230 is relatively less effective. can be Accordingly, it is difficult for the cooling fluid provided through the first cooling line 242 to rapidly cool the bumps of the chip 20 .

개구(227)가 제1 냉각 라인(242)의 영역 중 약 70%를 초과하여 노출하는 경우, 제1 냉각 라인(242)을 통해 제공된 냉각 유체가 흡착판(230)을 직접 냉각하는 효과는 상대적으로 높아지지만 제1 냉각 라인(242)을 통해 제공된 냉각 유체가 가열 블록(220)을 냉각하는 효과가 상대적으로 저하될 수 있다. 제1 냉각 라인(242)을 통해 제공된 냉각 유체가 흡착판(230)을 직접 냉각하더라도 가열 블록(220)의 열이 흡착판(230)으로 전달될 수 있으므로, 칩(20)의 범프를 급속으로 냉각하기 어렵다. 또한, 개구(227)의 영역이 증가할수록 가열 블록(220)의 영역이 감소하므로, 가열 블록(220)의 발열량이 감소할 수 있다. 따라서, 칩(20)의 범프를 급속으로 녹이기 어렵다. When the opening 227 exposes more than about 70% of the area of the first cooling line 242, the effect that the cooling fluid provided through the first cooling line 242 directly cools the sucker 230 is relatively Although high, the cooling fluid provided through the first cooling line 242 cools the heating block 220 may be relatively reduced. Even if the cooling fluid provided through the first cooling line 242 directly cools the suction plate 230 , the heat of the heating block 220 can be transferred to the suction plate 230 , so that the bump of the chip 20 is rapidly cooled difficult. In addition, since the area of the heating block 220 decreases as the area of the opening 227 increases, the amount of heat generated by the heating block 220 may decrease. Therefore, it is difficult to rapidly melt the bumps of the chip 20 .

그러므로, 개구(227)는 제1 냉각 라인(242)의 영역 중 약 30% 내지 70%를 노출할 수 있다.Therefore, the opening 227 may expose between about 30% and 70% of the area of the first cooling line 242 .

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가열 블록의 개구를 설명하기 위한 단면도이고, 도 10은 도 9에 도시된 가열 블록의 개구를 설명하기 위한 평면도이다. 9 is a cross-sectional view illustrating an opening of a heating block according to another embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a plan view illustrating an opening of the heating block shown in FIG. 9 .

도 9 및 도 10을 참조하면, 가열 블록(220)은 제1 냉각 라인(242)을 부분적으로 노출하는 개구(228)를 갖는다. 예를 들면, 개구(228)는 상하를 관통하는 관통홀일 수 있다. 이때, 제1 냉각 라인(242)을 통해 제공된 냉각 유체는 제1 냉각 라인(242)을 따라 순환하거나, 가열 블록(220)과 흡착판(230) 사이 또는 가열 블록(220)과 베이스 블록(210)의 제2 블록(214) 사이를 통해 외부로 배출될 수 있다. 9 and 10 , the heating block 220 has an opening 228 partially exposing the first cooling line 242 . For example, the opening 228 may be a through hole penetrating up and down. At this time, the cooling fluid provided through the first cooling line 242 circulates along the first cooling line 242 , or between the heating block 220 and the suction plate 230 , or between the heating block 220 and the base block 210 . It may be discharged to the outside through between the second blocks 214 of the.

개구(228)는 제1 냉각 라인(242)의 영역 중 약 30% 내지 70%를 노출할 수 있다.The opening 228 may expose between about 30% and 70% of the area of the first cooling line 242 .

도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가열 블록의 개구를 설명하기 위한 단면도이다.11 is a cross-sectional view for explaining an opening of a heating block according to another embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 가열 블록(220)은 제1 냉각 라인(242)을 부분적으로 노출하는 개구(228)를 갖는다. 예를 들면, 개구(228)는 상하를 관통하는 관통홀일 수 있다. Referring to FIG. 11 , the heating block 220 has an opening 228 partially exposing the first cooling line 242 . For example, the opening 228 may be a through hole penetrating up and down.

또한, 개구(228)와 연결되는 연결홈(229)이 더 형성될 수 있다. 연결홈(229)은 가열 블록(220)의 상부면과 흡착판(230)의 하부면 중 적어도 하나에 구비될 수 있다. In addition, a connection groove 229 connected to the opening 228 may be further formed. The connection groove 229 may be provided on at least one of the upper surface of the heating block 220 and the lower surface of the suction plate 230 .

일 예로, 연결홈(229)은 도 5에 도시된 바와 같이 가열 블록(220)의 상부면에 형성될 수 있다. 다른 예로, 연결홈(229)은 흡착판(230)의 하부면에 형성될 수도 있다. 또 다른 예로, 연결홈(229)은 가열 블록(220)의 상부면과 흡착판(230)의 하부면에 각각 형성될 수도 있다. For example, the connection groove 229 may be formed on the upper surface of the heating block 220 as shown in FIG. 5 . As another example, the connection groove 229 may be formed on the lower surface of the suction plate 230 . As another example, the connection grooves 229 may be respectively formed on the upper surface of the heating block 220 and the lower surface of the suction plate 230 .

제1 냉각 라인(242)을 통해 제공된 냉각 유체는 연결홈(229)을 통해 외부로 배출될 수 있다. The cooling fluid provided through the first cooling line 242 may be discharged to the outside through the connection groove 229 .

한편, 도시되지는 않았지만, 연결홈(229)은 가열 블록(220)의 하부면과 베이스 블록(210)의 상부면 중 적어도 하나에 개구(228)와 연결되도록 구비될 수도 있다. Meanwhile, although not shown, the connection groove 229 may be provided to be connected to the opening 228 in at least one of the lower surface of the heating block 220 and the upper surface of the base block 210 .

본딩 헤드(200)는 온도 센서를 더 포함할 수 있다. 상기 온도 센서는 가열 블록(220)의 내부에 구비되며, 가열 블록(220)의 온도를 감지한다. 상기 온도 센서의 감지 결과에 따라 발열체(222)에 제공되는 전원의 온오프 및 냉각 라인(240)의 냉각 유체의 분사, 냉매 온도 및 순환을 제어할 수 있다. The bonding head 200 may further include a temperature sensor. The temperature sensor is provided inside the heating block 220 and senses the temperature of the heating block 220 . According to the detection result of the temperature sensor, it is possible to control the on/off of the power provided to the heating element 222 and the injection of the cooling fluid in the cooling line 240 , the refrigerant temperature and circulation.

한편, 상기 온도 센서는 흡착판(230)에 구비될 수도 있다. Meanwhile, the temperature sensor may be provided on the suction plate 230 .

본딩 헤드(200)는 칩(20)을 이송하여 웨이퍼(10)에 밀착시킨 상태에서 가열 블록(220)으로 칩(20)의 가열하여 칩(20)의 범프를 녹인 후 냉각 라인(240)을 이용하여 상기 칩(20)을 냉각시킴으로써 칩(20)을 웨이퍼(10)에 본딩한다. 본딩 헤드(200)가 칩(20)을 급속으로 가열하고 급속으로 냉각하므로, 웨이퍼(10)와 칩(20) 사이에 우수한 품질과 양호한 형상의 솔더를 형성할 수 있다. The bonding head 200 transfers the chip 20 and heats the chip 20 with the heating block 220 in a state in which it is in close contact with the wafer 10 to melt the bumps of the chip 20 and then cools the cooling line 240 . The chip 20 is bonded to the wafer 10 by cooling the chip 20 using Since the bonding head 200 rapidly heats and cools the chip 20 , it is possible to form solder of excellent quality and good shape between the wafer 10 and the chip 20 .

본딩 헤드(200)는 상기 칩(20)의 가열과 냉각을 신속하게 수행할 수 있으므로, 칩(20)을 웨이퍼(10)에 본딩하는 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다. Since the bonding head 200 can rapidly heat and cool the chip 20 , the efficiency of a process of bonding the chip 20 to the wafer 10 can be improved.

본딩 장치(300)는 척 구조물(100)을 이용하여 웨이퍼(10)를 고정하여 일정 온도로 가열한 상태에서 본딩 헤드(100)로 칩(10)을 이송하여 웨이퍼(10)에 밀착시킨 후, 본딩 헤드(100)로 칩(10)의 가열하여 칩(10)의 범프를 녹인 후 칩(10)을 냉각시킴으로써 칩(10)을 웨이퍼(10)에 본딩한다. 따라서, 칩(10)과 웨이퍼(10) 사이에 우수한 품질과 양호한 형상의 솔더를 형성할 수 있다. 또한, 칩(10)의 가열과 냉각을 신속하게 수행할 수 있으므로, 본딩 장치(300)를 이용한 칩(10)을 웨이퍼(10)에 본딩하는 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다. The bonding apparatus 300 fixes the wafer 10 using the chuck structure 100 and transfers the chip 10 to the bonding head 100 in a state in which it is heated to a predetermined temperature, and adheres to the wafer 10, After the chip 10 is heated with the bonding head 100 to melt the bumps of the chip 10 , the chip 10 is cooled to bond the chip 10 to the wafer 10 . Accordingly, it is possible to form solder of good quality and good shape between the chip 10 and the wafer 10 . In addition, since heating and cooling of the chip 10 can be performed quickly, the efficiency of a process of bonding the chip 10 to the wafer 10 using the bonding apparatus 300 can be improved.

본딩 헤드(100)는 칩(10)을 이송하여 웨이퍼(10) 상에 적층시킬 수 있다. 따라서, 본딩 장치(300)가 별도의 칩 이송 수단을 구비할 필요가 없으므로, 본딩 장치(300)의 구조를 단순화할 수 있다. The bonding head 100 may transfer the chip 10 and stack it on the wafer 10 . Accordingly, since the bonding apparatus 300 does not need to include a separate chip transfer means, the structure of the bonding apparatus 300 may be simplified.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 척 플레이트, 상기 척 플레이트를 갖는 척 구조물 및 척 구조물을 갖는 본딩 장치는 웨이퍼를 흡착하기 위한 진공력으로 가열 플레이트와 척 플레이트를 밀착시킬 수 있다. 상기 진공력만을 해제하여 상기 가열 플레이트와 상기 척 플레이트를 분리할 수 수리 또는 교체가 가능하므로, 상기 척 구조물에 대한 유지 보수를 신속하게 수행할 수 있다. As described above, in the chuck plate, the chuck structure having the chuck plate, and the bonding apparatus having the chuck structure according to the present invention, the heating plate and the chuck plate can be brought into close contact with the vacuum force for adsorbing the wafer. Since the heating plate and the chuck plate can be separated and repaired or replaced by releasing only the vacuum force, maintenance of the chuck structure can be performed quickly.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You will understand that you can.

100 : 척 구조물 110 : 가열 플레이트
120 : 척 플레이트 130 : 가이드 링
140 : 클램프 200 : 본딩 헤드
210 : 베이스 블록 220 : 가열 블록
230 : 흡착판 300 : 본딩 장치
10 : 웨이퍼 20 : 칩100: chuck structure 110: heating plate
120: chuck plate 130: guide ring
140: clamp 200: bonding head
210: base block 220: heating block
230: suction plate 300: bonding device
10: wafer 20: chip

Claims (14)

가열 플레이트 상에 놓여지며, 상면에 웨이퍼를 지지하며,
상기 웨이퍼가 가열되도록 상기 가열 플레이트에서 발생한 열을 상기 웨이퍼로 전달하고, 진공력으로 상기 웨이퍼를 흡착하기 위해 상하를 관통하는 진공홀들; 및
상기 가열 플레이트에 진공 흡착되도록 하부면에 구비되며 상기 가열 플레이트의 상부면에 의해 한정되어 공간을 형성하는 진공 홈;을 갖고,
산화알루미늄에 티타늄이 첨가된 재질로 소결 공정을 통하여 형성된 것을 특징으로 하는 척 플레이트.placed on a heating plate, supporting the wafer on the upper surface,
vacuum holes passing up and down to transfer heat generated by the heating plate to the wafer so that the wafer is heated, and to adsorb the wafer by vacuum force; and
a vacuum groove provided on the lower surface to be vacuum-adsorbed to the heating plate and defined by the upper surface of the heating plate to form a space;
A chuck plate, characterized in that it is formed through a sintering process with a material in which titanium is added to aluminum oxide. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 척 플레이트에서 상기 산화알루미늄 100 중량부에 대해 상기 티타늄 10 내지 20 중량부가 첨가되는 것을 특징으로 하는 척 플레이트.The chuck plate according to claim 1, wherein 10 to 20 parts by weight of the titanium is added based on 100 parts by weight of the aluminum oxide in the chuck plate. 제1항에 있어서, 상기 척 플레이트의 열전도율은 5 내지 20 W/m·k 인 것을 특징으로 하는 척 플레이트.The chuck plate according to claim 1, wherein the chuck plate has a thermal conductivity of 5 to 20 W/m·k. 제1항에 있어서, 상기 척 플레이트의 가장자리에서도 상기 웨이퍼가 밀착되도록 하기 위해 상기 척 플레이트의 최외각에 위치하는 진공홀들의 간격이 상기 최외각보다 내측에 위치하는 진공홀들의 간격보다 좁게 배치되는 것을 특징으로 하는 척 플레이트. The method of claim 1 , wherein the vacuum holes positioned at the outermost side of the chuck plate are arranged to be narrower than the distance between the vacuum holes positioned at the inner side of the chuck plate so that the wafer is closely adhered even to the edge of the chuck plate. Chuck plate characterized. 외부로부터 인가되는 전원에 의해 열을 발생하는 발열체를 내장하며, 진공력을 제공하기 위해 상부면까지 연장하는 제1 진공 라인 및 제2 진공 라인을 갖는 가열 플레이트; 및
상기 가열 플레이트 상에 놓여지며, 상면에 웨이퍼를 지지하며, 상기 웨이퍼가 가열되도록 상기 가열 플레이트에서 발생한 열을 상기 웨이퍼로 전달하고, 상기 진공력으로 상기 웨이퍼를 흡착하기 위해 상기 제1 진공 라인과 연결되는 제3 진공 라인 및 상기 가열 플레이트에 진공 흡착되도록 하부면에 상기 제2 진공 라인과 연결되도록 구비되며, 상기 가열 플레이트의 상부면에 의해 한정되어 공간을 형성하는 진공 홈을 갖는 척 플레이트를 포함하고,
상기 척 플레이트는 산화알루미늄에 티타늄이 첨가된 재질로 소결 공정을 통하여 형성된 것을 특징으로 하는 척 구조물. a heating plate having a first vacuum line and a second vacuum line that has a built-in heating element that generates heat by power applied from the outside, and extends to an upper surface to provide a vacuum force; and
It is placed on the heating plate, supports the wafer on the upper surface, transfers heat generated by the heating plate to the wafer to heat the wafer, and connects with the first vacuum line to adsorb the wafer by the vacuum force a third vacuum line and a chuck plate provided to be connected to the second vacuum line on a lower surface so as to be vacuum-adsorbed by the heating plate, and having a vacuum groove defined by an upper surface of the heating plate to form a space, ,
The chuck plate is a chuck structure, characterized in that formed through a sintering process of a material in which titanium is added to aluminum oxide. 제6항에 있어서, 상기 제3 진공 라인은,
상기 척 플레이트의 하부면에 상기 제1 진공 라인과 연결되도록 구비되며, 상기 척 플레이트의 하부면과 상기 가열 플레이트의 상부면에 의해 한정되어 공간을 형성하는 진공 홈; 및
상기 척 플레이트를 관통하여 상기 진공 홈이 형성된 하부면에서부터 상기 척 플레이트의 상부면까지 연장하는 다수의 진공 홀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 척 구조물. According to claim 6, The third vacuum line,
a vacuum groove provided on a lower surface of the chuck plate to be connected to the first vacuum line and defined by a lower surface of the chuck plate and an upper surface of the heating plate to form a space; and
and a plurality of vacuum holes passing through the chuck plate and extending from a lower surface in which the vacuum groove is formed to an upper surface of the chuck plate. 삭제delete 제6항에 있어서, 상기 가열 플레이트의 상부면과 상기 척 플레이트의 하부면 중 어느 한 면에는 정렬 핀이 구비되고, 나머지 한 면에는 상기 정렬 핀을 수용하여 상기 가열 플레이트와 상기 척 플레이트를 정렬하기 위한 수용홈이 구비되는 것을 특징으로 하는 척 구조물. The method of claim 6, wherein an alignment pin is provided on one of the upper surface of the heating plate and the lower surface of the chuck plate, and the other surface receives the alignment pin to align the heating plate and the chuck plate. Chuck structure, characterized in that provided with a receiving groove for. 제6항에 있어서, 상기 가열 플레이트의 상면 가장자리를 따라 형성된 홈에 걸리며 상기 가열 플레이트의 둘레를 가이드하는 가이드 링: 및
상기 척 플레이트의 상부면 가장자리를 덮은 상태로 상기 가이드 링에 고정되며, 상기 척 플레이트를 상기 가열 플레이트에 밀착시키는 고정시키는 클램프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 척 구조물. The guide ring according to claim 6, wherein the guide ring is caught in a groove formed along an edge of the upper surface of the heating plate and guides the circumference of the heating plate; and
and a clamp fixed to the guide ring while covering an edge of an upper surface of the chuck plate and fixing the chuck plate to be in close contact with the heating plate. 제10항에 있어서, 상기 클램프의 상면과 상기 척 플레이트의 상면이 동일한 높이에 위치하도록 상기 클램프는 상기 척 플레이트의 상면 가장자리를 따라 형성된 홈에 놓여지는 것을 특징으로 하는 척 구조물. 11. The chuck structure of claim 10, wherein the clamp is placed in a groove formed along an edge of the upper surface of the chuck plate so that an upper surface of the clamp and an upper surface of the chuck plate are positioned at the same height. 제10항에 있어서, 상기 가열 플레이트 및 상기 척 플레이트의 측면을 통한 열손실을 방지하기 위해 상기 가이드 링 및 상기 클램프는 상기 척 플레이트보다 열전도율이 낮은 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 척 구조물. 11. The chuck structure of claim 10, wherein the guide ring and the clamp are made of a material having a lower thermal conductivity than the chuck plate to prevent heat loss through the heating plate and side surfaces of the chuck plate. 외부로부터 인가되는 전원에 의해 열을 발생하는 발열체를 내장하며, 진공력을 제공하기 위해 상부면까지 연장하는 제1 진공 라인 및 제2 진공 라인을 갖는 가열 플레이트 및 상기 가열 플레이트 상에 놓여지며, 상면에 웨이퍼를 지지하며, 상기 웨이퍼가 가열되도록 상기 가열 플레이트에서 발생한 열을 상기 웨이퍼로 전달하고, 상기 진공력으로 상기 웨이퍼를 흡착하기 위해 상기 제1 진공 라인과 연결되는 제3 진공 라인 및 상기 가열 플레이트에 진공 흡착되도록 하부면에 상기 제2 진공 라인과 연결되도록 구비되며, 상기 가열 플레이트의 상부면에 의해 한정되어 공간을 형성하는 진공 홈을 갖는 척 플레이트를 포함하는 척 구조물; 및
상기 척 구조물 상에 구비되며, 칩을 고정 및 가열하여 상기 웨이퍼에 본딩하는 본딩 헤드로 이루어지고,
상기 척 플레이트는 산화알루미늄에 티타늄이 첨가된 재질로 소결 공정을 통하여 형성된 것을 특징으로 하는 본딩 장치. It contains a heating element that generates heat by power applied from the outside, and is placed on the heating plate and has a first vacuum line and a second vacuum line extending to the upper surface to provide vacuum force, and the upper surface a third vacuum line and the heating plate connected to the first vacuum line to support the wafer in a chuck structure including a chuck plate provided on a lower surface to be connected to the second vacuum line so as to be vacuum-adsorbed to the vacuum plate and having a vacuum groove defined by an upper surface of the heating plate to form a space; and
It is provided on the chuck structure and consists of a bonding head for fixing and heating a chip to bond to the wafer,
The chuck plate is a bonding device, characterized in that formed through a sintering process of a material in which titanium is added to aluminum oxide. 제13항에 있어서, 상기 본딩 헤드는,
베이스 블록;
상기 베이스 블록 상에 구비되고, 외부로부터 인가되는 전원에 의해 열을 발생하여 칩을 가열하기 위한 발열체를 내장하며, 진공력을 제공하기 위해 상부면까지 연장하는 제4 진공 라인 및 제5 진공 라인을 갖는 가열 블록; 및
상기 가열 블록 상에 상기 제4 진공 라인의 진공력에 의해 고정되며, 상기 칩을 진공력으로 고정하기 위해 상기 제5 진공 라인과 연결되는 진공홀을 갖는 흡착판을 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 장치. The method of claim 13, wherein the bonding head,
base block;
A fourth vacuum line and a fifth vacuum line that is provided on the base block and that includes a heating element for heating the chip by generating heat by power applied from the outside, and extending to the upper surface to provide vacuum force having a heating block; and
and a suction plate fixed on the heating block by the vacuum force of the fourth vacuum line and having a vacuum hole connected to the fifth vacuum line to fix the chip by the vacuum force.
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