KR102432533B1 - Apparatus and Method for treating substrate and Apparatus for supporting substrate - Google Patents

Apparatus and Method for treating substrate and Apparatus for supporting substrate Download PDF

Info

Publication number
KR102432533B1
KR102432533B1 KR1020210113195A KR20210113195A KR102432533B1 KR 102432533 B1 KR102432533 B1 KR 102432533B1 KR 1020210113195 A KR1020210113195 A KR 1020210113195A KR 20210113195 A KR20210113195 A KR 20210113195A KR 102432533 B1 KR102432533 B1 KR 102432533B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
magnet
support plate
support
base
Prior art date
Application number
KR1020210113195A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210107599A (en
Inventor
김일영
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020210113195A priority Critical patent/KR102432533B1/en
Publication of KR20210107599A publication Critical patent/KR20210107599A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102432533B1 publication Critical patent/KR102432533B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 지지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
기판을 지지하는 장치는 기판이 놓여지는 지지면을 가지는 지지 플레이트, 상기 지지면으로 기판을 인수 및 인계하는 리프트핀, 상기 리프트핀을 승하강시키는 핀 구동 부재, 그리고 상기 지지 플레이트를 승하강시키는 승하강 메카니즘을 포함한다. 이로 인해 기판이 들어올려지거나 내려놓일 때 기판이 튕기거나, 정위치를 이탈하는 것을 방지할 수 있다.The present invention relates to an apparatus and method for supporting a substrate.
An apparatus for supporting a substrate includes a support plate having a support surface on which a substrate is placed, a lift pin for receiving and handing over the substrate to the support surface, a pin driving member for raising and lowering the lift pin, and a lift for raising and lowering the support plate. a lowering mechanism. Due to this, it is possible to prevent the substrate from bouncing or deviated from its original position when the substrate is lifted or laid down.

Figure 112021098850221-pat00011
Figure 112021098850221-pat00011

Description

기판 지지 장치 및 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate and Apparatus for supporting substrate}BACKGROUND ART A substrate supporting apparatus and a substrate processing apparatus and method having the same

본 발명은 기판을 지지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for supporting a substrate.

일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 다양한 공정은 서로 다른 환경에서 진행되어야 하며, 다른 분위기를 조성하기 위해 서로 독립된 공간을 필요로 한다.In general, in order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. These various processes must be carried out in different environments and require separate spaces to create different atmospheres.

각 공정이 진행되는 공간에는 기판을 지지하는 장치가 위치되며, 지지 장치는 반송 로봇으로부터 기판을 주고 받는다. 일반적으로 지지 장치는 플레이트 및 리프트핀을 포함한다. 리프트핀은 플레이트의 상부로 돌출되게 승강되거나, 플레이트의 내부로 삽입되게 하강되게 이동된다. 리프트핀은 플레이트로부터 기판을 들어 올릴 때에 승강 이동되고, 플레이트에 기판을 내려 놓을 때에 하강 이동된다. A device supporting the substrate is located in the space where each process is performed, and the supporting device sends and receives the substrate from the transfer robot. In general, the support device includes a plate and a lift pin. The lift pins are moved so as to protrude from the top of the plate or to be inserted into the plate. The lift pin moves up and down when lifting the substrate from the plate, and moves down when placing the substrate on the plate.

리프트 핀의 승하강 속도는 기판 처리의 쓰루풋에 영향을 끼치며, 그 승하강 속도가 빠를수록 기판 처리의 쓰루풋은 향상된다.The elevating speed of the lift pin affects the throughput of the substrate processing, and the higher the elevating speed is, the higher the substrate processing throughput is.

그러나 리프트 핀의 승하강 속도가 빠를수록 기판이 들어 올려질 때나 내려 놓을 때에 도 1과 같이 기판의 튕김 현상이 커지며, 기판이 정 위치를 벗어나게 된다. 이에 따라 기판을 픽업하거나 반송하는 과정에서 기판이 낙하되거나 손상되는 등 많은 문제가 발생된다.However, as the speed of the lift pin is increased, the bouncing phenomenon of the substrate increases as shown in FIG. 1 when the substrate is lifted or put down, and the substrate is out of position. Accordingly, many problems occur, such as the substrate being dropped or damaged in the process of picking up or transporting the substrate.

본 발명은 기판을 신속하게 들어올리거나 내려놓을 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an apparatus and method for quickly lifting or lowering a substrate.

또한 본 발명은 기판의 튕기거나 정위치를 벗어나지 않도록 기판을 들어 올리거나 내려놓을 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of lifting or lowering a substrate so that the substrate does not bounce or deviate from its original position.

본 발명의 실시예는 기판을 지지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to apparatus and methods for supporting a substrate.

기판을 지지하는 장치는 기판이 놓여지는 지지면을 가지는 지지 플레이트, 상기 지지면으로 기판을 인수 및 인계하는 리프트핀, 상기 리프트핀을 승하강시키는 핀 구동 부재, 그리고 상기 지지 플레이트를 승하강시키는 승하강 메카니즘을 포함한다. An apparatus for supporting a substrate includes a support plate having a support surface on which a substrate is placed, a lift pin for receiving and handing over the substrate to the support surface, a pin driving member for raising and lowering the lift pin, and a lift for raising and lowering the support plate. a lowering mechanism.

상기 승하강 메카니즘은 상기 지지 플레이트의 하강시에는 자력에 의한 반발력(또는 완충력)을 제공할 수 있고, 자력으로 상기 지지 플레이트를 상승시킬 수 있다.The elevating mechanism may provide a repulsive force (or buffering force) by magnetic force when the support plate is lowered, and may raise the support plate by magnetic force.

상기 승하강 메카니즘는 상기 지지 플레이트에 결합되는 제1자석 및 상기 제1자석에 마주하도록 상기 제1자석의 아래에 위치되는 제2자석을 가지는 베이스를 포함하되, 상기 제1자석과 상기 제2자석은 서로 동일 극성을 가지도록 제공될 수 있다,The elevating mechanism includes a base having a first magnet coupled to the support plate and a second magnet positioned under the first magnet to face the first magnet, wherein the first magnet and the second magnet are may be provided to have the same polarity as each other,

또한 상기 승하강 메카니즘는 상기 지지 플레이트에 결합되며 상기 지지 플레이트를 승하강시키는 탄성력을 제공하는 탄성 부재 및 상기 탄성 부재를 지지하는 베이스를 포함할 수 있다.In addition, the elevating mechanism may include an elastic member coupled to the support plate and providing an elastic force for elevating and lowering the support plate and a base supporting the elastic member.

상기 승하강 메카니즘는 상기 지지 플레이트에 결합되는 제1자석, 상기 제1자석의 아래에서 상기 제1자석에 마주하도록 위치되는 제2자석을 가지는 베이스, 상기 제1자석과 상기 제2자석 중 어느 하나에 전원을 제공하는 전원 부재를 포함하되, 상기 제1자석과 상기 제2자석 중 어느 하나는 전자석으로 제공되고, 다른 하나는 영구 자석으로 제공되며, 상기 전원 부재는 상기 제1자석과 상기 제2자석 중 전자석으로 제공되는 자석에 상기 전원을 제공할 수 있다. 상기 장치는, 상기 핀 구동 부재 및 상기 전원 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 리프트핀에 놓여진 기판이 상기 지지면에 놓여질 때 상기 제1자석과 상기 제2자석 간에 인력이 제공되고, 상기 지지면에 놓여진 기판이 상기 리프트핀에 의해 들어 올려질 때 상기 제1자석과 상기 제2자석 간에 척력이 제공되도록 상기 핀 구동 부재 및 상기 전원 부재를 제어할 수 있다. ,The elevating mechanism includes a first magnet coupled to the support plate, a base having a second magnet positioned to face the first magnet under the first magnet, and one of the first magnet and the second magnet. a power member for providing power, wherein one of the first magnet and the second magnet is provided as an electromagnet, the other is provided as a permanent magnet, and the power member includes the first magnet and the second magnet The power may be provided to a magnet provided as a heavy electromagnet. The apparatus further comprises a controller for controlling the pin driving member and the power member, wherein the controller provides an attractive force between the first magnet and the second magnet when the substrate placed on the lift pin is placed on the support surface. and control the pin driving member and the power supply member to provide a repulsive force between the first magnet and the second magnet when the substrate placed on the support surface is lifted by the lift pin. ,

상기 베이스는 위치가 고정될 수 있다. 상기 장치는 상기 지지 플레이트의 승하강 위치를 제한하는 위치 제한 부재를 더 포함하되, 상기 위치 제한 부재는 상기 지지 플레이트의 승강 위치를 제한하는 상부 스토퍼를 포함할 수 있다. 상기 위치 제한 부재는. 상기 지지 플레이트의 하강 위치를 제한하는 하부 스토퍼를 더 포함할 수 있다. ,The base may have a fixed position. The device may further include a position limiting member for limiting the lifting/lowering position of the support plate, wherein the position limiting member may include an upper stopper for limiting the lifting/lowering position of the support plate. The position limiting member. It may further include a lower stopper limiting the lowering position of the support plate. ,

상기 장치는, 상하 방향을 향하는 길이 방향을 가지며, 상기 상부 스토퍼, 상기 지지 플레이트, 상기 하부 스토퍼, 그리고 상기 베이스가 결합되는 지지축을 더 포함하되, 위에서 아래로 갈수록 상기 상부 스토퍼, 상기 지지 플레이트, 상기 하부 스토퍼, 그리고 상기 베이스는 순차적으로 위치될 수 있다. 상기 지지 플레이트는 기판이 놓이는 지지 바디와 상기 지지 바디 및 상기 지지축에 결합되며, 상기 지지축을 따라 승하강 가능하게 제공되는 연결 바디를 포함하고, 상기 승하강 메카니즘에 포함되는 상기 제1자석은 상기 연결 바디에 제공될 수 있다. The device has a longitudinal direction in an up-down direction, and further includes a support shaft to which the upper stopper, the support plate, the lower stopper, and the base are coupled, the upper stopper, the support plate, and the The lower stopper and the base may be sequentially positioned. The support plate includes a support body on which the substrate is placed, and a connection body coupled to the support body and the support shaft, and provided to be elevated along the support shaft, and the first magnet included in the elevating mechanism is the A connection body may be provided.

상기 승하강 메카니즘은 기판이 상기 지지 플레이트에 놓일 때, 놓이는 기판의 무게에 의해 상기 지지 플레이트가 하강되는 메카니즘을 제공할 수 있다. The elevating mechanism may provide a mechanism in which the support plate is lowered by the weight of the placed substrate when the substrate is placed on the support plate.

상기 장치는 상기 지지 플레이트에 놓여진 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 부재를 더 포함할 수 있다. The apparatus may further include a temperature control member for controlling the temperature of the substrate placed on the support plate.

또한 기판을 처리하는 장치는 기판을 보관하는 버퍼 챔버, 기판을 액 처리하는 액 처리 챔버, 기판을 열 처리하는 열 처리 챔버, 그리고 상기 버퍼 챔버, 상기 액 처리 챔버, 그리고 상기 열 처리 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 챔버를 포함하되, 상기 버퍼 챔버는 기판이 놓여지는 지지면을 가지는 지지 플레이트, 상기 지지면으로 기판을 인수 및 인계하는 리프트핀, 상기 리프트핀을 승하강시키는 핀 구동 부재, 그리고 상기 지지 플레이트를 승하강시키는 승하강 메카니즘을 포함한다. In addition, the apparatus for processing a substrate includes a buffer chamber for storing the substrate, a liquid processing chamber for liquid processing the substrate, a thermal processing chamber for thermally processing the substrate, and a substrate between the buffer chamber, the liquid processing chamber, and the thermal processing chamber. a transfer chamber for transferring, wherein the buffer chamber includes a support plate having a support surface on which a substrate is placed, a lift pin for receiving and handing over the substrate to the support surface, a pin driving member for raising and lowering the lift pin, and the support surface It includes an elevating mechanism for elevating the plate.

상기 승하강 메카니즘는 상기 지지 플레이트에 결합되는 제1자석 및 상기 제1자석에 마주하도록 상기 제1자석의 아래에 위치되는 제2자석을 가지는 베이스를 포함하되, 상기 제1자석과 상기 제2자석은 서로 동일 극성을 가지도록 제공될 수 있다. The elevating mechanism includes a base having a first magnet coupled to the support plate and a second magnet positioned under the first magnet to face the first magnet, wherein the first magnet and the second magnet are They may be provided to have the same polarity.

상기 승하강 메카니즘는, 상기 지지 플레이트에 결합되며 상기 지지 플레이트를 승하강시키는 탄성력을 제공하는 탄성 부재 및 상기 탄성 부재를 지지하는 베이스를 포함할 수 있다. The elevating mechanism may include an elastic member coupled to the support plate and providing an elastic force for elevating and lowering the support plate and a base supporting the elastic member.

상기 승하강 메카니즘는 상기 지지 플레이트에 결합되는 제1자석, 상기 제1자석의 아래에서 상기 제1자석에 마주하도록 위치되는 제2자석을 가지는 베이스, 그리고 상기 제1자석과 상기 제2자석 중 어느 하나에 전원을 제공하는 전원 부재를 포함하되, 상기 제1자석과 상기 제2자석 중 어느 하나는 전자석으로 제공되고, 다른 하나는 영구 자석으로 제공되며, 상기 전원 부재는 상기 제1자석과 상기 제2자석 중 전자석으로 제공되는 자석에 상기 전원을 제공할 수 있다. The elevating mechanism includes a first magnet coupled to the support plate, a base having a second magnet positioned to face the first magnet under the first magnet, and any one of the first magnet and the second magnet A power supply member for providing power to, wherein any one of the first magnet and the second magnet is provided as an electromagnet, the other is provided as a permanent magnet, and the power member includes the first magnet and the second magnet The power may be provided to a magnet provided as an electromagnet among magnets.

상기 베이스는 위치가 고정되고, 상기 버퍼 챔버는 상기 지지 플레이트의 승하강 위치를 제한하는 위치 제한 부재를 더 포함하되, 상기 위치 제한 부재는 상기 지지 플레이트의 승강 위치를 제한하는 상부 스토퍼와 상기 지지 플레이트의 하강 위치를 제한하는 하부 스토퍼를 포함할 수 있다.The base has a fixed position, and the buffer chamber further includes a position limiting member for limiting an elevation position of the support plate, wherein the position limiting member includes an upper stopper for limiting the elevation position of the support plate and the support plate It may include a lower stopper to limit the lowering position of the.

상기 버퍼 챔버는 내부에 상기 상부 스토퍼, 상기 지지 플레이트, 상기 하부 스토퍼, 그리고 상기 베이스가 위치되는 버퍼 공간을 가지는 하우징을 더 포함하되, 위에서 아래로 갈수록 상기 상부 스토퍼, 상기 지지 플레이트, 상기 하부 스토퍼, 그리고 상기 베이스는 순차적으로 위치될 수 있다. The buffer chamber further includes a housing having therein the upper stopper, the support plate, the lower stopper, and a buffer space in which the base is located, the upper stopper, the support plate, the lower stopper, And the base may be sequentially positioned.

기판을 처리하는 방법은 리프트 핀을 승하강하여 지지 플레이트로부터 상기 기판을 들어올리거나 상기 지지 플레이트에 상기 기판을 내려 놓되, 상기 리프트 핀이 승하강하는 동안에 상기 지지 플레이트가 상기 리프트 핀과 동일한 방향으로 승하강되는 동시 이동 단계를 포함한다. A method of processing a substrate includes lifting the substrate from a support plate by elevating a lift pin or placing the substrate on the support plate, wherein the support plate elevates and lowers in the same direction as the lift pin while the lift pin is raised and lowered. Simultaneous movement steps are included.

상기 동시 승하강 단계에서 상기 리프트 핀은 상기 지지 플레이트보다 더 빠르게 승하강될 수 있다. In the simultaneous lifting and lowering step, the lift pin may be raised and lowered faster than the support plate.

상기 지지 플레이트의 하강은 상기 기판이 상기 지지 플레이트에 내려 놓일 때 상기 기판의 무게의 의해 이루어질 수 있다. The lowering of the support plate may be performed by the weight of the substrate when the substrate is placed on the support plate.

상기 리프트 핀에 의해 상기 지지 플레이트로부터 상기 기판이 들어 올려지면, 상기 지지 플레이트는 자력에 의해 승강될 수 있다. When the substrate is lifted from the support plate by the lift pins, the support plate may be lifted by magnetic force.

상기 리프트 핀에 의해 상기 지지 플레이트로부터 상기 기판이 들어 올려지면, 상기 지지 플레이트는 탄성력에 의해 승강될 수 있다. When the substrate is lifted from the support plate by the lift pin, the support plate may be lifted by an elastic force.

상기 지지 플레이트의 승강 높이는 스토퍼에 의해 제한되고, 상기 기판의 승강 높이 범주는 상기 지지 플레이트보다 넓게 제공될 수 있다. The lift height of the support plate may be limited by a stopper, and the range of the lift height of the substrate may be wider than that of the support plate.

상기 기판은 지지 플레이트에 놓여 냉각될 수 있다. The substrate may be cooled by placing it on a support plate.

본 발명의 실시예에 의하면, 플레이트는 리프트핀이 이동되는 방향으로 함께 이동된다. 이로 인해 기판이 들어올려지거나 내려놓일 때 기판이 튕기거나, 정위치를 이탈하는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the plates are moved together in the direction in which the lift pins are moved. Due to this, it is possible to prevent the substrate from bouncing or deviated from its original position when the substrate is lifted or laid down.

또한 본 발명은 기판의 튕김 및 정위치 이탈을 방지하므로, 기판을 신속하게 들어올리거나 내려놓을 수 있다.In addition, since the present invention prevents bouncing and displacement of the substrate, the substrate can be quickly raised or lowered.

도 1은 일반적으로 기판을 신속하게 내려놓을 때 기판의 튕김을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 8은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 도 4의 냉각 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 10은 도 9의 냉각 플레이트 및 지지축을 보여주는 사시도이다.
도 11은 도 10의 냉각 플레이트 및 지지축을 보여주는 단면도이다.
도 12는 도 11의 냉각 플레이트 내에 제공되는 유로를 보여주는 도면이다.
도 13 내지 도 17은 도 11의 냉각 플레이트에 기판이 인수인계 과정을 보여주는 도면들이다.
도 18은 냉각 플레이트에 기판이 내려놓이는 중의 기판 속도를 보여주는 그래프이다.
도 19는 냉각 플레이트로부터 기판이 들어올리는 중의 기판 속도를 보여주는 그래프이다.
도 20 및 도 21은 도 11의 승하강 메카니즘의 다른 실시예를 보여주는 도면들이다.
도 22 및 도 23은 도 11의 승하강 메카니즘의 또 다른 실시예를 보여주는 도면들이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram generally showing the bouncing of a substrate when it is put down quickly.
2 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 2 .
4 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 .
FIG. 5 is a view showing an example of a hand of the transport robot of FIG. 4 .
6 is a plan view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 4 .
7 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 6 .
8 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 4 .
9 is a perspective view illustrating the cooling unit of FIG. 4 .
10 is a perspective view illustrating the cooling plate and the support shaft of FIG. 9 .
11 is a cross-sectional view illustrating the cooling plate and the support shaft of FIG. 10 .
12 is a view showing a flow path provided in the cooling plate of FIG. 11 .
13 to 17 are views illustrating a process of taking over a substrate to the cooling plate of FIG. 11 .
18 is a graph showing the substrate speed while the substrate is being placed on a cooling plate.
19 is a graph showing substrate velocity during substrate lifting from a cooling plate.
20 and 21 are views showing another embodiment of the elevating mechanism of FIG. 11 .
22 and 23 are views showing another embodiment of the elevating mechanism of FIG. 11 .

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.2 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 2 , and FIG. 4 is the substrate processing apparatus of FIG. 2 is a plan view of

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.2 to 4 , the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20 , a processing module 30 , and an interface module 40 . According to an embodiment, the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12 , and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as a first direction 12 . A second direction 14 is referred to, and a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16 .

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is accommodated to the processing module 30 , and accommodates the processed substrate W in the container 10 . The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14 . The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24 . With reference to the index frame 24 , the load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 . The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22 . A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14 .

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a closed container 10 such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The container 10 may be placed in the load port 22 by a transfer means (not shown) or an operator, such as an Overhead Transfer, an Overhead Conveyor, or an Automatic Guided Vehicle. can

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 2200 is provided inside the index frame 24 . A guide rail 2300 having a longitudinal direction in the second direction 14 is provided in the index frame 24 , and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300 . The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16 , and moves in the third direction 16 . It may be provided to be movable along with it.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 2의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has an application block 30a and a developing block 30b. The application block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a development process on the substrate W. A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 2, two application blocks 30a are provided, and two development blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed below the developing blocks 30b. According to an example, the two application blocks 30a may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure. Also, the two developing blocks 30b may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure.

도 4를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 4 , the application block 30a includes a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , a liquid processing chamber 3600 , and a buffer chamber 3800 . The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an anti-reflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid treatment chamber 3600 in the application block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The transfer chamber 3400 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The transfer chamber 3400 is provided with a transfer robot 3422 . The transfer robot 3422 transfers a substrate between the heat treatment chamber 3200 , the liquid treatment chamber 3600 , and the buffer chamber 3800 . According to an example, the transfer robot 3422 has a hand 3420 on which the substrate W is placed, and the hand 3420 moves forward and backward, rotates about the third direction 16 , and the third direction. It may be provided movably along (16). A guide rail 3300 having a longitudinal direction parallel to the first direction 12 is provided in the transfer chamber 3400 , and the transfer robot 3422 may be provided movably on the guide rail 3300 . .

도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. FIG. 5 is a view showing an example of a hand of the transport robot of FIG. 4 . Referring to FIG. 7 , the hand 3420 has a base 3428 and a support protrusion 3429 . The base 3428 may have an annular ring shape in which a portion of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter greater than the diameter of the substrate W. As shown in FIG. A support protrusion 3429 extends from the base 3428 inward thereof. A plurality of support protrusions 3429 are provided, and support an edge region of the substrate W. As shown in FIG. According to an example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

열처리 챔버(3202)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3202)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3202)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.A plurality of heat treatment chambers 3202 are provided. The heat treatment chambers 3202 are arranged in a row along the first direction 12 . The thermal treatment chambers 3202 are located at one side of the transfer chamber 3400 .

도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 열처리 챔버(3202)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 6 is a plan view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 4 , and FIG. 7 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 6 . 6 and 7 , the heat treatment chamber 3202 includes a housing 3210 , a cooling unit 3220 , a heating unit 3230 , and a conveying plate 3240 .

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is provided in the shape of a substantially rectangular parallelepiped. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3210 . The inlet may remain open. Optionally, a door (not shown) may be provided to open and close the inlet. A cooling unit 3220 , a heating unit 3230 , and a conveying plate 3240 are provided in the housing 3210 . The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the second direction 14 . According to an example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 3230 .

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222 . The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. The cooling plate 3222 is provided with a cooling member 3224 . According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 가열판(3232), 커버(3234), 그리고 히터(3233)를 가진다. 가열판(3232)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열판(3232)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열판(3232)에는 히터(3233)가 설치된다. 히터(3233)는 전류가 인가되는 발열저항체로 제공될 수 있다. 가열판(3232)에는 제3 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3238)들이 제공된다. 리프트 핀(3238)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열판(3232) 상에 내려놓거나 가열판(3232)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3238)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(3234)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다. 커버(3234)는 가열판(3232)의 상부에 위치되며 구동기(3236)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(3234)가 가열판(3232)에 접촉되면, 커버(3234)와 가열판(3232)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다. The heating unit 3230 has a heating plate 3232 , a cover 3234 , and a heater 3233 . The heating plate 3232 has a generally circular shape when viewed from the top. The heating plate 3232 has a larger diameter than the substrate W. A heater 3233 is installed on the heating plate 3232 . The heater 3233 may be provided as a heating resistor to which current is applied. The heating plate 3232 is provided with lift pins 3238 drivable in the vertical direction along the third direction 16 . The lift pin 3238 receives the substrate W from the transfer means outside the heating unit 3230 and puts it down on the heating plate 3232 or lifts the substrate W from the heating plate 3232 to the outside of the heating unit 3230 hand over by means of transport. According to an example, three lift pins 3238 may be provided. The cover 3234 has an open space therein. The cover 3234 is positioned on the heating plate 3232 and is moved in the vertical direction by the driver 3236 . When the cover 3234 is in contact with the heating plate 3232 , the space surrounded by the cover 3234 and the heating plate 3232 is provided as a heating space for heating the substrate W .

반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. The transport plate 3240 is provided in a substantially circular plate shape, and has a diameter corresponding to that of the substrate W. As shown in FIG. A notch 3244 is formed at an edge of the conveying plate 3240 . The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hand 3420 of the transfer robot 3422 described above. In addition, the notch 3244 is provided in a number corresponding to the protrusions 3429 formed on the hand 3420 , and is formed at positions corresponding to the protrusions 3429 . When the upper and lower positions of the hand 3420 and the carrier plate 3240 are changed in a position where the hand 3420 and the carrier plate 3240 are vertically aligned, the substrate W between the hand 3420 and the carrier plate 3240 is transmission takes place The transport plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 , and may be moved between the first region 3212 and the second region 3214 along the guide rail 3249 by a driver 3246 . A plurality of slit-shaped guide grooves 3242 are provided in the carrying plate 3240 . The guide groove 3242 extends from the end of the carrying plate 3240 to the inside of the carrying plate 3240 . The length direction of the guide grooves 3242 is provided along the second direction 14 , and the guide grooves 3242 are spaced apart from each other along the first direction 12 . The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pins 1340 from interfering with each other when the substrate W is transferred between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230 .

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated in a state where the substrate W is placed directly on the support plate 1320 , and the substrate W is cooled by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed and the cooling plate 3222 . made in contact with The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is well achieved. According to an example, the transport plate 3240 may be provided with a metal material.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heating unit 3230 provided in some of the heat treatment chambers 3200 may supply a gas while heating the substrate W to improve the adhesion rate of the photoresist to the substrate W. According to an example, the gas may be hexamethyldisilane gas.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. A plurality of liquid processing chambers 3600 are provided. Some of the liquid processing chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed on one side of the transfer chamber 3402 . The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12 . Some of the liquid processing chambers 3600 are provided adjacent to the index module 20 . Hereinafter, these liquid treatment chambers will be referred to as a front liquid treating chamber 3602 (front liquid treating chamber). Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided adjacent to the interface module 40 . Hereinafter, these liquid treatment chambers will be referred to as rear heat treating chambers 3604 (rear heat treating chambers).

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front stage liquid processing chamber 3602 applies the first liquid on the substrate W, and the rear stage liquid processing chamber 3604 applies the second liquid on the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different types of liquid. According to one embodiment, the first liquid is an anti-reflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate W on which the anti-reflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an anti-reflection film. In this case, the anti-reflection film may be applied on the photoresist-coated substrate (W). Optionally, the first liquid and the second liquid are the same type of liquid, and they may both be photoresist.

도 8은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 8을 참조하면, 액 처리 챔버(3600)는 하우징(3610), 컵(3620), 기판 지지 유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 기판 지지 유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 기판 지지 유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(3640)은 액 처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급 유닛은 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 8 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 4 . Referring to FIG. 8 , the liquid processing chamber 3600 includes a housing 3610 , a cup 3620 , a substrate support unit 3640 , and a liquid supply unit. The housing 3610 is provided in the shape of a substantially rectangular parallelepiped. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3610 . The inlet may be opened and closed by a door (not shown). The cup 3620 , the substrate support unit 3640 , and the liquid supply unit are provided in the housing 3610 . A fan filter unit 3670 that forms a downdraft in the housing 3260 may be provided on an upper wall of the housing 3610 . The cup 3620 has a processing space with an open top. The substrate support unit 3640 is disposed in the processing space and supports the substrate W. The substrate support unit 3640 is provided so that the substrate W is rotatable during liquid processing. The liquid supply unit supplies the liquid to the substrate W supported by the substrate support unit 3640 .

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , and a liquid treatment chamber 3600 . Since the heat treatment chamber 3200 and the transfer chamber 3400 of the developing block 30b are provided in a structure and arrangement substantially similar to the heat treatment chamber 3200 and the transfer chamber 3400 of the application block 30a, a description thereof is omitted.

현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다. In the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as the developing chamber 3600 for processing the substrate by supplying a developer in the same manner.

다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. Referring back to FIGS. 3 and 4 , the interface module 40 connects the processing module 30 to the external exposure apparatus 50 . The interface module 40 includes an interface frame 4100 , an additional process chamber 4200 , an interface buffer 4400 , and a transfer member 4600 .

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit may be provided at an upper end of the interface frame 4100 to form a descending air flow therein. The additional process chamber 4200 , the interface buffer 4400 , and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the application block 30a, is loaded into the exposure apparatus 50 . Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 50 , is loaded into the developing block 30b. According to one example, the additional process is an edge exposure process of exposing an edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a bottom surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W can A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, the additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the transfer chamber 3400 along the longitudinal extension line, and the interface buffer 4400 may be disposed on the other side.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The transfer member 4600 transfers the substrate W between the application block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the conveying member 4600 includes a first robot 4602 and a second robot 4606 . The first robot 4602 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 uses the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transfer the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which a substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along three directions (16).

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hands of the index robot 2200 , the first robot 4602 , and the second robot 4606 may all have the same shape as the hand 3420 of the transfer robot 3422 . Optionally, the hand of the robot directly exchanging the substrate W with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robot 3422, and the hands of the other robot are provided in a different shape. can be

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to an embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange the substrate W with the heating unit 3230 of the shear heat treatment chamber 3200 provided in the application block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer robot 3422 provided in the application block 30a and the developing block 30b may be provided to directly transfer the substrate W with the transfer plate 3240 located in the heat treatment chamber 3200 .

버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. A plurality of buffer chambers 3800 is provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400 . Hereinafter, these buffer chambers will be referred to as a front buffer 3802 (front buffer). The front-end buffers 3802 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Another portion of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 hereinafter. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804 (rear buffer). The rear end buffers 3804 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Each of the front-end buffers 3802 and the back-end buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. As shown in FIG. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is loaded or unloaded by the index robot 2200 and the transfer robot 3422 . The substrate W stored in the downstream buffer 3804 is carried in or carried out by the transfer robot 3422 and the first robot 4602 .

버퍼 챔버들(3802, 3804) 각각은 기판의 공정 처리 전과 공정 처리 후에 기판을 일시적으로 보관하며, 기판을 냉각할 수 있는 냉각 유닛(1000)으로 제공될 수 있다. 냉각 유닛(1000)은 도포 모듈 및 현상 모듈 각각에 대응되게 위치되도록 복수 개로 제공될 수 있다. Each of the buffer chambers 3802 and 3804 may temporarily store a substrate before and after processing the substrate, and may be provided as a cooling unit 1000 capable of cooling the substrate. A plurality of cooling units 1000 may be provided to correspond to each of the application module and the developing module.

도 9는 도 4의 냉각 유닛을 보여주는 사시도이다. 도 9를 참조하면, 냉각 유닛(1000)은 하우징(1100), 냉각 플레이트(1200), 리프트 부재(1300), 지지축(1400), 승하강 메카니즘(1500), 그리고 위치 제한 부재(1600)를 포함한다. 9 is a perspective view illustrating the cooling unit of FIG. 4 . Referring to FIG. 9 , the cooling unit 1000 includes a housing 1100 , a cooling plate 1200 , a lift member 1300 , a support shaft 1400 , an elevating mechanism 1500 , and a position limiting member 1600 . include

하우징(1100)은 내부에 버퍼 공간을 가진다. 버퍼 공간은 기판(W)이 임시적으로 보관되는 공간으로 기능한다. 하우징(1100)은 양측부가 개방된 직육면체 형상을 가진다. 하우징(1100)의 개방면은 기판(W)이 반입 또는 반출되는 통로로 기능한다. 일 예에 의하면, 버퍼 공간은 적층된 복수 개의 구획 공간으로 제공되며, 이들 중 일부는 도포 모듈에 대응되게 위치되고, 다른 일부는 현상 모듈에 대응되게 위치될 수 있다.The housing 1100 has a buffer space therein. The buffer space functions as a space in which the substrate W is temporarily stored. The housing 1100 has a rectangular parallelepiped shape with both sides open. The open surface of the housing 1100 functions as a passage through which the substrate W is brought in or taken out. According to an example, the buffer space may be provided as a plurality of stacked partition spaces, some of which may be positioned to correspond to the application module, and other parts to be positioned to correspond to the developing module.

도 10은 도 9의 냉각 플레이트(1200) 및 지지축(1400)을 보여주는 사시도이고, 도 11은 도 10의 냉각 플레이트(1200) 및 지지축(1400)을 보여주는 단면도이다. 도 10 및 도 11을 참조하면, 지지축(1400)은 각 구획 공간에 위치된다. 지지축(1400)은 상하 방향을 향하는 길이 방향의 바 형상을 가진다. 지지축(1400)은 복수의 냉각 플레이트(1200)를 지지하는 축으로 제공된다. 지지축(1400)은 기판(W)의 반송 경로에 간섭되지 않도록 하우징(1100)의 내측면에 인접하게 위치된다. FIG. 10 is a perspective view illustrating the cooling plate 1200 and the support shaft 1400 of FIG. 9 , and FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating the cooling plate 1200 and the support shaft 1400 of FIG. 10 . 10 and 11, the support shaft 1400 is located in each compartment space. The support shaft 1400 has a bar shape in the longitudinal direction in the vertical direction. The support shaft 1400 is provided as a shaft supporting the plurality of cooling plates 1200 . The support shaft 1400 is positioned adjacent to the inner surface of the housing 1100 so as not to interfere with the transport path of the substrate W.

냉각 플레이트(1200)는 복수 개로 제공되며, 구획 공간에서 적층되게 위치된다. 서로 인접한 냉각 플레이트(1200) 간에는 소정 간격으로 이격되게 위치된다. 냉각 플레이트(1200)는 기판(W)을 지지하는 지지 플레이트(1200)로 기능한다. 본 실시예의 냉각 플레이트(1200)는 기판(W)을 냉각 처리하는 것으로 설명한다. 그러나 냉각 플레이트(1200)는 이에 한정되지 않으며, 기판(W)을 지지하는 장치라면 다양하게 적용 가능하다. 냉각 플레이트(1200)는 기판(W)에 대응되는 판 형상을 가진다. 냉각 플레이트(1200)에는 기판(W)이 냉각 플레이트(1200)의 내부에는 도 12와 같은 유로(1225)가 형성된다. 유로(1225)는 냉각수가 흐르는 통로로 제공된다. 냉각 플레이트(1200)에는 리프트 핀(1320)이 통과되는 핀 홀이 형성된다. 핀 홀은 복수 개로 제공되며, 유로를 벗어난 위치에 제공된다. 예컨대, 핀 홀은 냉각 플레이트(1200)의 측단을 포함하도록 제공될 수 있다. 핀 홀은 냉각 플레이트(1200)의 노치로 제공될 수 있다. The cooling plate 1200 is provided in plurality, and is positioned to be stacked in the partition space. The cooling plates 1200 adjacent to each other are spaced apart from each other by a predetermined interval. The cooling plate 1200 functions as a support plate 1200 supporting the substrate W. As shown in FIG. The cooling plate 1200 of this embodiment will be described as cooling the substrate W. However, the cooling plate 1200 is not limited thereto, and may be variously applied as long as it is a device supporting the substrate W . The cooling plate 1200 has a plate shape corresponding to the substrate W. The cooling plate 1200 has a substrate W, and a flow path 1225 as shown in FIG. 12 is formed inside the cooling plate 1200 . The passage 1225 is provided as a passage through which the cooling water flows. A pin hole through which the lift pin 1320 passes is formed in the cooling plate 1200 . A plurality of pin holes are provided, and are provided at a position out of the flow path. For example, the pin hole may be provided to include a side end of the cooling plate 1200 . The pin hole may be provided as a notch of the cooling plate 1200 .

냉각 플레이트(1200)는 지지 바디(1220) 및 연결 바디(1240)를 가진다. 지지 바디(1220)는 기판(W)이 놓이는 지지면을 가진다. 연결 바디(1240)는 지지 바디(1220)에 고정 결합되며, 지지축(1400) 상에서 이동 가능하도록 지지축(1400)에 연결된다. 예컨대, 지지축(1400) 상에는 연결 바디(1240)가 수직 방향으로 이동 가능한 레인이 설치될 수 있다. The cooling plate 1200 has a support body 1220 and a connection body 1240 . The support body 1220 has a support surface on which the substrate W is placed. The connection body 1240 is fixedly coupled to the support body 1220 , and is connected to the support shaft 1400 to be movable on the support shaft 1400 . For example, a lane in which the connection body 1240 is vertically movable may be installed on the support shaft 1400 .

리프트 부재(1300)는 냉각 플레이트(1200)에 기판(W)을 내려놓거나 냉각 플레이트(1200)로부터 기판(W)을 들어올리도록 기판(W)을 승하강시킨다. 리프트 부재(1300)는 리프트 핀(1320) 및 핀 구동 부재(1340)를 포함한다. 리프트 핀(1320)은 핀 홀과 일대일 대응되는 개수로 제공되며, 각각의 핀홀과 마주하게 위치된다. 각각의 리프트 핀(1320)은 핀 구동 부재(1320)에 의해 승강 위치와 하강 위치로 이동된다. 승강 위치는 리프트 핀(1320)의 상단이 냉각 플레이트(1200)보다 높은 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(1320)의 상단이 냉각 플레이트(1200)보다 낮은 위치이다. 예컨대, 핀 구동 부재(1320)는 실린더일 수 있다.The lift member 1300 raises and lowers the substrate W to place the substrate W on the cooling plate 1200 or lift the substrate W from the cooling plate 1200 . The lift member 1300 includes a lift pin 1320 and a pin driving member 1340 . The lift pins 1320 are provided in a number corresponding to the pinholes one-to-one, and are positioned to face each pinhole. Each lift pin 1320 is moved to an elevating position and a lowering position by the pin driving member 1320 . The lifting position is a position where the upper end of the lift pin 1320 is higher than the cooling plate 1200 , and the lowering position is a position where the upper end of the lift pin 1320 is lower than the cooling plate 1200 . For example, the pin driving member 1320 may be a cylinder.

승하강 메카니즘(1500)은 냉각 플레이트(1200)를 승하강시킨다. 승하강 메카니즘(1500)은 별도의 제어 조작없이 냉각 플레이트(1200)를 승하강시킬 수 있다. 승하강 메카니즘(1500)은 베이스(1520), 제1자석(1540), 그리고 제2자석(1560)을 포함한다. 베이스(1520)는 연결 바디(1240)와 마주하게 위치되며, 위치가 고정되도록 지지축(1400)에 고정 결합된다. 베이스(1520)는 연결 바디(1240)와 수직 방향으로 마주하게 위치된다. 베이스(1520)는 연결 바디(1240)의 아래에 위치된다. 제1자석(1540)은 연결 바디(1240)에 설치되고, 제2자석(1560)은 베이스(1520)에 설치된다. 제1자석(1540)과 제2자석(1560)은 연결 바디(1240) 및 베이스(1520) 각각에 내설되거나 서로 간에 마주하도록 위치될 수 있다. 일 예에 의하면, 제1자석(1540)과 제2자석(1560)은 서로 동일 극성을 가지는 영구 자석으로 제공될 수 있다. 제1자석(1540)과 제2자석(1560)은 서로 간에 척력이 작용될 수 있다. 이에 따라 연결 바디(1240)와 베이스(1520) 간에는 척력이 적용될 수 있다. 제1자석(1540)과 제2자석(1560) 간의 척력은 냉각 플레이트(1200)에 놓이는 기판(W)의 무게보다 작게 제공될 수 있다. 이에 따라 냉각 플레이트(1200)는 기판(W)이 놓이지 않은 상태에서 설정 위치에 위치되고, 기판(W)이 놓인 상태에서 하중 위치로 위치될 수 있다. The elevating mechanism 1500 elevates the cooling plate 1200 . The elevating mechanism 1500 may elevate the cooling plate 1200 without a separate control operation. The elevating mechanism 1500 includes a base 1520 , a first magnet 1540 , and a second magnet 1560 . The base 1520 is positioned to face the connection body 1240 and is fixedly coupled to the support shaft 1400 so that the position is fixed. The base 1520 is positioned to face the connection body 1240 in a vertical direction. The base 1520 is located below the connection body 1240 . The first magnet 1540 is installed on the connection body 1240 , and the second magnet 1560 is installed on the base 1520 . The first magnet 1540 and the second magnet 1560 may be built into each of the connection body 1240 and the base 1520 or positioned to face each other. According to an example, the first magnet 1540 and the second magnet 1560 may be provided as permanent magnets having the same polarity. A repulsive force may be applied to the first magnet 1540 and the second magnet 1560 . Accordingly, a repulsive force may be applied between the connection body 1240 and the base 1520 . The repulsive force between the first magnet 1540 and the second magnet 1560 may be provided to be less than the weight of the substrate W placed on the cooling plate 1200 . Accordingly, the cooling plate 1200 may be positioned at a set position in a state in which the substrate W is not placed, and may be positioned in a load position in a state in which the substrate W is placed.

위치 제한 부재(1600)는 냉각 플레이트(1200)의 높이를 제한한다. 위치 제한 부재(1600)는 냉각 플레이트(1200)의 승강 위치와 하강 위치 각각을 제한한다. 위치 제한 부재(1600)는 상부 스토퍼(1620) 및 하부 스토퍼(1640)를 포함한다. 상부 스토퍼(1620) 및 하부 스토퍼(1640) 각각은 지지축(1400)에 고정 설치된다. 상부 스토퍼(1620)는 연결 바디(1240)의 상부에 위치되고, 하부 스토퍼(1640)는 연결 바디(1240)의 하부에 위치된다. 위에서 바라볼 때 상부 스토퍼(1620), 하부 스토퍼(1640), 그리고 연결 바디(1240)는 서로 중첩되게 위치될 수 있다. 상부 스토퍼(1620)는 연결 바디(1240)가 일정 높이 이상으로 승강되면, 연결 바디(1240)와 충돌하여 그 승강 높이를 제한한다. 하부 스토퍼(1640)는 연결 바디(1240)가 일정 높이 이하로 하강되면, 연결 바디(1240)와 충돌하여 그 하강 높이를 제한한다. 일 예에 의하면, 위에서 아래 방향을 따라 상부 스토퍼(1620), 연결 바디(1240), 하부 스토퍼(1640), 그리고 베이스(1520)는 순차적으로 배열되게 위치될 수 있다.The position limiting member 1600 limits the height of the cooling plate 1200 . The position limiting member 1600 limits each of the lifting and lowering positions of the cooling plate 1200 . The position limiting member 1600 includes an upper stopper 1620 and a lower stopper 1640 . Each of the upper stopper 1620 and the lower stopper 1640 is fixedly installed on the support shaft 1400 . The upper stopper 1620 is located above the connection body 1240 , and the lower stopper 1640 is located below the connection body 1240 . When viewed from above, the upper stopper 1620 , the lower stopper 1640 , and the connection body 1240 may be positioned to overlap each other. When the connection body 1240 is elevated above a certain height, the upper stopper 1620 collides with the connection body 1240 to limit the elevation of the connection body 1240 . When the connection body 1240 is lowered to a certain height or less, the lower stopper 1640 collides with the connection body 1240 to limit the descending height thereof. According to an example, the upper stopper 1620 , the connection body 1240 , the lower stopper 1640 , and the base 1520 may be sequentially arranged in a direction from top to bottom.

다음은 상술한 냉각 플레이트(1200)에 기판(W)을 들어올리거나 내려놓는 과정을 설명한다. 기판(W)을 들어올리거나 내려놓는 과정에서 리프트 핀(1320)과 냉각 플레이트(1200)는 서로 동일한 방향으로 동시 이동된다.Next, a process of lifting or lowering the substrate W on the cooling plate 1200 will be described. In the process of lifting or lowering the substrate W, the lift pins 1320 and the cooling plate 1200 are simultaneously moved in the same direction.

도 13 내지 도 17은 도 11의 냉각 플레이트에 기판이 인수인계 과정을 보여주는 도면들이다. 도 13 내지 도 17을 참조하면, 기판(W)은 버퍼 챔버에 반입되고, 리프트 핀(1320)은 승강하여 승강 위치로 이동된다. 리프트 핀(1320)에 기판(W)이 놓여지면 리프트 핀(1320)은 하강하여 하강 위치로 이동된다. 리프트 핀(1320)이 하강하는 중에 리프트 핀(1320)의 상단은 냉각 플레이트(1200)의 지지면보다 높은 높이에서 낮은 높이로 이동되고, 기판(W)의 하중은 리프트 핀(1320)에서 냉각 플레이트(1200)로 전달된다. 승하강 메카니즘(1500)의 척력은 기판(W)의 무게보다 작게 제공되므로, 냉각 플레이트(1200)에 기판(W)의 하중이 전달되면, 냉각 플레이트(1200)는 기판(W)을 지지한 상태로 하강된다. 냉각 플레이트(1200)는 일정 높이를 하강한 후에 정지된다. 리프트 핀(1320)은 냉각 플레이트(1200)보다 빠른 속도로 이동된다. 즉 기판(W)은 리프트 핀(1320)에 의해 제1속도(V1)로 하강되고, 이어서 냉각 플레이트(1200)에 의해 제2속도(V2)로 하강된다. 제2속도(V2)는 제1속도(V1)보다 느린 속도로 제공된다. 13 to 17 are views illustrating a process of taking over a substrate to the cooling plate of FIG. 11 . 13 to 17 , the substrate W is loaded into the buffer chamber, and the lift pins 1320 are lifted and moved to the lift position. When the substrate W is placed on the lift pins 1320 , the lift pins 1320 descend and move to a lowered position. While the lift pin 1320 is descending, the upper end of the lift pin 1320 is moved from a height higher than the support surface of the cooling plate 1200 to a lower height, and the load of the substrate W is transferred from the lift pin 1320 to the cooling plate ( 1200). Since the repulsive force of the elevating mechanism 1500 is provided to be smaller than the weight of the substrate W, when the load of the substrate W is transmitted to the cooling plate 1200, the cooling plate 1200 supports the substrate W. is lowered to The cooling plate 1200 is stopped after descending a predetermined height. The lift pins 1320 move at a faster speed than the cooling plate 1200 . That is, the substrate W is lowered by the lift pin 1320 at the first speed V 1 , and then is lowered at the second speed V 2 by the cooling plate 1200 . The second speed V 2 is provided at a rate slower than the first speed V 1 .

따라서 기판(W)은 제1속도(V1)로 하강되는 중에 정지되지 않고, 제1속도(V1)에서 제2속도(V2)로 감속된 후에 정지된다. 이에 따라 기판(W)에는 제1속도(V1)가 아닌 제2속도(V2)로 충돌압에 발생되며, 기판(W)에 가해지는 충격을 최소화할 수 있다. Therefore, the substrate W is not stopped while being lowered to the first speed V 1 , but is stopped after being decelerated from the first speed V 1 to the second speed V 2 . Accordingly, the impact pressure is generated in the substrate W at the second speed V 2 instead of the first speed V 1 , and the impact applied to the substrate W can be minimized.

기판(W)의 냉각 처리가 완료되면, 리프트 핀(1320)은 승강하여 기판(W)을 냉각 플레이트(1200)로부터 들어올린다. 리프트 핀(1320)은 제1속도(V1)로 승강 이동되고, 냉각 플레이트(1200)에 놓여진 기판(W)은 리프트 핀(1320)에 의해 들어 올려진다. 리프트 핀(1320)의 상단이 냉각 플레이트(1200)의 지지면에 동일한 높이를 가지면, 기판(W)의 하중이 리프트 핀(1320)과 냉각 플레이트(1200) 각각으로 분산된다. 이에 따라 냉각 플레이트(1200)는 승강 이동되며, 기판(W)은 제2속도(V2)로 승강된다. 이어서 리프트 핀(1320)은 냉각 플레이트(1200)보다 빠른 속도로 이동되며, 기판(W)은 리프트 핀(1320)으로 인계되며, 제1속도(V1)로 승강된다. When the cooling process of the substrate W is completed, the lift pins 1320 move up and down to lift the substrate W from the cooling plate 1200 . The lift pins 1320 are moved up and down at the first speed V 1 , and the substrate W placed on the cooling plate 1200 is lifted by the lift pins 1320 . When the upper end of the lift pin 1320 has the same height as the support surface of the cooling plate 1200 , the load of the substrate W is distributed to the lift pins 1320 and the cooling plate 1200 , respectively. Accordingly, the cooling plate 1200 is moved up and down, and the substrate W is moved up and down at the second speed V 2 . Subsequently, the lift pins 1320 move at a faster speed than the cooling plate 1200 , and the substrate W is transferred to the lift pins 1320 , and is raised and lowered at the first speed V 1 .

따라서 기판(W)은 정지된 상태에서 제1속도(V1)로 승강되지 않고, 정지된 상태에서 제2속도(V2)로 가속된 후에 제1속도(V1)로 가속된다. 이에 따라 기판(W)에는 제1속도(V1)가 아닌 제2속도(V2)로 충돌압에 발생되며, 기판(W)에 가해지는 충격을 최소화할 수 있다. Therefore, the substrate W is not lifted from the stationary state to the first speed V 1 , but accelerated from the stationary state to the second speed V 2 , and then accelerated to the first speed V 1 . Accordingly, the impact pressure is generated in the substrate W at the second speed V 2 instead of the first speed V 1 , and the impact applied to the substrate W can be minimized.

상술한 실시예에는 승하강 메카니즘(1500)이 제1자석(1540)과 제2자석(1560)으로 제공되며, 연결 바디(1240)와 베이스(1520) 간에 척력을 발생시켜 냉각 플레이트(1200)의 위치를 결정하는 것으로 설명하였다. In the above-described embodiment, the elevating mechanism 1500 is provided as a first magnet 1540 and a second magnet 1560, and generates a repulsive force between the connection body 1240 and the base 1520 to form the cooling plate 1200. It was described as determining the location.

그러나 승하강 메카니즘(1500)은 연결 바디(1240)와 베이스(1520) 간에 탄성력을 발생시켜 냉각 플레이트(1200)의 위치를 결정할 수 있다. 승하강 메카니즘(1500)은 베이스(1520)와 연결 바디(1240)를 연결하는 탄성 부재(1570)를 더 포함할 수 있다. 탄성 부재(1570)은 스프링(1570)을 포함할 수 있다. 도 20 및 도 21와 같이, 탄성력은 냉각 플레이트(1200)에 놓이는 기판(W)의 무제보다 작게 제공될 수 있다. However, the elevating mechanism 1500 may determine the position of the cooling plate 1200 by generating an elastic force between the connection body 1240 and the base 1520 . The elevating mechanism 1500 may further include an elastic member 1570 connecting the base 1520 and the connection body 1240 . The elastic member 1570 may include a spring 1570 . 20 and 21 , the elastic force may be provided less than the blank of the substrate W placed on the cooling plate 1200 .

또한 승하강 메카니즘(1500)은 제1자석(1540)과 제2자석(1560)은 각각 동일 극성을 가지는 영구 자석으로 설명하였다. 그러나 도 22 및 도 23과 같이, 제1자석(1540)과 제2자석(1560) 중 어느 하나는 영구 자석이고, 다른 하나는 전자석으로 제공될 수 있다. 승하강 메카니즘(1500)은 제1자석(1540)과 제2자석(1560) 간에 인력 또는 척력을 제공하는 전원 부재(1590)를 더 포함할 수 있다. 이러한 전원 부재(1590)는 핀 구동 부재(1320)와 함께 제어기(1700)에 의해 제어될 수 있다.In addition, the elevating mechanism 1500 has been described as a permanent magnet in which the first magnet 1540 and the second magnet 1560 have the same polarity, respectively. However, as shown in FIGS. 22 and 23 , one of the first magnet 1540 and the second magnet 1560 may be a permanent magnet, and the other may be provided as an electromagnet. The elevating mechanism 1500 may further include a power supply member 1590 that provides attractive or repulsive force between the first magnet 1540 and the second magnet 1560 . The power member 1590 may be controlled by the controller 1700 together with the pin driving member 1320 .

제어기(1700)는 리프트 핀(1320)에 놓여진 기판(W)이 지지면에 놓여질 때 제1자석(1540)과 제2자석(1560) 간에 인력을 제공하여 냉각 플레이트(1200)를 제2속도(V2)로 하강되도록 제어할 수 있다. 또한 제어기(1700)는 지지면에 놓여진 기판(W)을 리프트 핀(1320)에 의해 들어올릴 때 제1자석(1540)과 제2자석(1560) 간에 척력을 제공하여 냉각 플레이트(1200)를 제2속도(V2)로 승강되도록 제어할 수 있다. When the substrate W placed on the lift pins 1320 is placed on the support surface, the controller 1700 provides an attractive force between the first magnet 1540 and the second magnet 1560 to set the cooling plate 1200 at a second speed ( V 2 ) can be controlled to descend. In addition, the controller 1700 provides a repulsive force between the first magnet 1540 and the second magnet 1560 when the substrate W placed on the support surface is lifted by the lift pin 1320 to provide the cooling plate 1200 . It can be controlled to ascend and descend at two speeds (V 2 ).

1100: 하우징 1200: 냉각 플레이트
1300: 리프트 부재 1400: 지지축
1500: 승하강 메카니즘 1600: 위치 제한 부재1100: housing 1200: cooling plate
1300: lift member 1400: support shaft
1500: elevating mechanism 1600: position limiting member

Claims (20)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
로드 포트가 제공되는 인덱스 모듈;
기판이 처리되는 처리 모듈; 및
상기 인덱스 모듈과 상기 처리 모듈 사이에 위치하고, 기판이 보관되는 버퍼 챔버를 포함하되,
상기 버퍼 챔버에는,
기판이 놓여지는 지지면을 가지는 지지 플레이트;
상기 지지면으로 기판을 인수 및 인계하는 리프트핀;
상기 리프트핀을 승하강시키는 핀 구동 부재; 및
상기 지지 플레이트를 승하강시키는 승하강 메카니즘을 포함하되,
상기 승하강 메카니즘은,
상기 지지 플레이트에 결합되는 제1자석; 및
상기 제1자석과 마주하도록 상기 제1자석의 아래에 위치하는 제2자석을 가지는 베이스를 포함하고,
상기 지지 플레이트와 상기 베이스는 각각 복수 개로 제공되며, 각각의 상기 지지 플레이트와 상기 베이스는 순차적으로 서로 이격되어 적층되는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
an index module provided with a load port;
a processing module in which the substrate is processed; and
A buffer chamber positioned between the index module and the processing module, in which a substrate is stored,
In the buffer chamber,
a support plate having a support surface on which a substrate is placed;
a lift pin for taking over and handing over the substrate to the support surface;
a pin driving member for elevating and lowering the lift pin; and
Including an elevating mechanism for elevating the support plate,
The elevating mechanism is
a first magnet coupled to the support plate; and
and a base having a second magnet positioned below the first magnet to face the first magnet,
The support plate and the base are provided in plurality, respectively, and each of the support plate and the base are sequentially spaced apart from each other and stacked. 제1항에 있어서,
상기 제1자석과 상기 제2자석은 영구 자석으로 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The first magnet and the second magnet are provided as permanent magnets. 제2항에 있어서,
상기 제1자석과 상기 제2자석은 서로 동일 극성을 가지는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The first magnet and the second magnet have the same polarity. 제3항에 있어서,
상기 지지 플레이트는,
기판이 상기 지지 플레이트에 놓일 때, 기판의 자중에 의해 하강되는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The support plate is
A substrate processing apparatus that is lowered by the weight of the substrate when the substrate is placed on the support plate. 제4항에 있어서,
상기 지지 플레이트는,
기판이 상기 지지 플레이트에서 위 방향으로 이격될 때, 상기 제1자석과 상기 제2자석 간의 척력에 의해 승강되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The support plate is
The substrate processing apparatus is lifted by a repulsive force between the first magnet and the second magnet when the substrate is spaced apart from the support plate in the upward direction. 제1항에 있어서,
상기 제1자석과 상기 제2자석 중 어느 하나는 전자석으로 제공되고, 다른 하나는 영구 자석으로 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
One of the first magnet and the second magnet is provided as an electromagnet, and the other is provided as a permanent magnet. 제6항에 있어서,
상기 승하강 메카니즘은,
상기 전자석에 전원을 제공하는 전원 부재를 더 포함하고,
상기 전원 부재는,
상기 전자석에 상기 전원을 제공하는 기판 처리 장치.7. The method of claim 6,
The elevating mechanism is
Further comprising a power member for providing power to the electromagnet,
The power member is
A substrate processing apparatus for providing the power to the electromagnet. 제7항에 있어서,
상기 장치는,
상기 핀 구동 부재 및 상기 전원 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는,
상기 리프트핀에 놓인 기판이 상기 지지면에 놓일 때, 상기 제1자석과 상기 제2자석 간에 인력이 제공되고, 상기 지지면에 놓인 기판이 상기 리프트핀에 의해 위 방향으로 이동할 때, 상기 제1자석과 상기 제2자석 간에 척력이 제공되도록 상기 핀 구동 부재와 상기 전원 부재를 제어하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
The device is
Further comprising a controller for controlling the pin driving member and the power member,
The controller is
When the substrate placed on the lift pin is placed on the support surface, an attractive force is provided between the first magnet and the second magnet, and when the substrate placed on the support surface is moved upward by the lift pin, the first A substrate processing apparatus for controlling the pin driving member and the power supply member to provide a repulsive force between the magnet and the second magnet. 제1항에 있어서,
상기 베이스는 위치가 고정되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The base is a substrate processing apparatus having a fixed position. 제9항에 있어서,
상기 장치는,
상기 지지 플레이트의 승하강 위치를 제한하는 위치 제한 부재를 더 포함하되,
상기 위치 제한 부재는,
상기 지지 플레이트의 승강 위치를 제한하는 상부 스토퍼; 및
상기 지지 플레이트의 하강 위치를 제한하는 하부 스토퍼를 포함하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The device is
Further comprising a position limiting member for limiting the elevating position of the support plate,
The position limiting member,
an upper stopper limiting the lifting position of the support plate; and
and a lower stopper limiting a lowering position of the support plate. 제10항에 있어서,
상기 장치는,
상하 방향을 향하는 길이 방향을 가지며, 상기 상부 스토퍼, 상기 지지 플레이트, 상기 하부 스토퍼, 그리고 상기 베이스가 결합되는 지지축을 더 포함하되,
위에서 아래로 갈수록 상기 상부 스토퍼, 상기 지지 플레이트, 상기 하부 스토퍼, 그리고 상기 베이스는 순차적으로 위치되는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
The device is
It has a longitudinal direction in the vertical direction, and further comprising a support shaft to which the upper stopper, the support plate, the lower stopper, and the base are coupled,
The upper stopper, the support plate, the lower stopper, and the base are sequentially positioned from top to bottom. 제11항에 있어서,
상기 지지 플레이트는,
기판이 놓이는 지지 바디; 및
상기 지지 바디 및 상기 지지축에 결합되며, 상기 지지축을 따라 승하강 가능하게 제공되는 연결 바디를 포함하고,
상기 제1자석은 상기 연결 바디에 제공되는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
The support plate is
a support body on which the substrate rests; and
A connection body coupled to the support body and the support shaft and provided to be elevated along the support shaft,
The first magnet is a substrate processing apparatus provided on the connection body. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 장치는,
상기 지지 플레이트에 놓인 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.13. The method according to any one of claims 1 to 12,
The device is
The substrate processing apparatus further comprising a temperature control member for controlling the temperature of the substrate placed on the support plate. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 보관하는 버퍼 챔버;
기판을 액 처리하는 액 처리 챔버;
기판을 열 처리하는 열 처리 챔버; 및
상기 버퍼 챔버, 상기 액 처리 챔버, 그리고 상기 열 처리 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 챔버를 포함하되,
상기 버퍼 챔버에는,
기판이 놓여지는 지지면을 가지는 지지 플레이트;
상기 지지 플레이트의 지지면으로부터 기판을 인수 및 인계하는 리프트핀;
상기 리프트핀을 승하강시키는 핀 구동 부재; 및
상기 지지 플레이트를 승하강시키는 승하강 메카니즘을 포함하되,
상기 승하강 메카니즘은,
상기 지지 플레이트에 결합되는 제1자석; 및
상기 제1자석과 마주하도록 상기 제1자석의 아래에 위치하는 제2자석을 가지는 베이스를 포함하고,
상기 지지 플레이트와 상기 베이스는 각각 복수 개로 제공되며, 각각의 상기 지지 플레이트와 상기 베이스는 순차적으로 서로 이격되어 적층되는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a buffer chamber for holding the substrate;
a liquid processing chamber for liquid processing the substrate;
a thermal processing chamber for thermally processing the substrate; and
a transfer chamber for transferring a substrate between the buffer chamber, the liquid processing chamber, and the thermal processing chamber;
In the buffer chamber,
a support plate having a support surface on which a substrate is placed;
a lift pin for taking over and taking over the substrate from the support surface of the support plate;
a pin driving member for elevating and lowering the lift pin; and
Including an elevating mechanism for elevating the support plate,
The elevating mechanism is
a first magnet coupled to the support plate; and
and a base having a second magnet positioned below the first magnet to face the first magnet,
The support plate and the base are provided in plurality, respectively, and each of the support plate and the base are sequentially spaced apart from each other and stacked. 제14항에 있어서,
상기 제1자석과 상기 제2자석은 영구 자석으로 제공되고,
상기 제1자석과 상기 제2자석은 서로 동일 극성을 가지는 기판 처리 장치.15. The method of claim 14,
The first magnet and the second magnet are provided as permanent magnets,
The first magnet and the second magnet have the same polarity. 제15항에 있어서,
상기 지지 플레이트는,
기판이 상기 지지 플레이트에 놓일 때, 기판의 자중에 의해 하강되고,
기판이 상기 지지 플레이트에서 위 방향으로 이격될 때, 상기 제1자석과 상기 제2자석 간의 척력에 의해 승강되는 기판 처리 장치.16. The method of claim 15,
The support plate is
When the substrate is placed on the support plate, it is lowered by the weight of the substrate,
The substrate processing apparatus is lifted by a repulsive force between the first magnet and the second magnet when the substrate is spaced apart from the support plate in the upward direction. 제14항에 있어서,
상기 제1자석과 상기 제2자석 중 어느 하나는 전자석으로 제공되고, 다른 하나는 영구 자석으로 제공되는 기판 처리 장치.15. The method of claim 14,
One of the first magnet and the second magnet is provided as an electromagnet, and the other is provided as a permanent magnet. 제17항에 있어서,
상기 승하강 메카니즘은,
상기 전자석에 전원을 제공하는 전원 부재를 더 포함하고,
상기 전원 부재는,
상기 전자석에 상기 전원을 제공하는 기판 처리 장치.18. The method of claim 17,
The elevating mechanism is
Further comprising a power member for providing power to the electromagnet,
The power member is
A substrate processing apparatus for providing the power to the electromagnet. 제18항에 있어서,
상기 장치는,
상기 핀 구동 부재 및 상기 전원 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는,
상기 리프트핀에 놓인 기판이 상기 지지면에 놓일 때, 상기 제1자석과 상기 제2자석 간에 인력이 제공되고, 상기 지지면에 놓인 기판이 상기 리프트핀에 의해 위 방향으로 이동할 때, 상기 제1자석과 상기 제2자석 간에 척력이 제공되도록 상기 핀 구동 부재와 상기 전원 부재를 제어하는 기판 처리 장치.19. The method of claim 18,
The device is
Further comprising a controller for controlling the pin driving member and the power member,
The controller is
When the substrate placed on the lift pin is placed on the support surface, an attractive force is provided between the first magnet and the second magnet, and when the substrate placed on the support surface is moved upward by the lift pin, the first A substrate processing apparatus for controlling the pin driving member and the power supply member to provide a repulsive force between the magnet and the second magnet. 제14항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이스는 위치가 고정되는 기판 처리 장치.20. The method according to any one of claims 14 to 19,
The base is a substrate processing apparatus having a fixed position.
KR1020210113195A 2019-04-18 2021-08-26 Apparatus and Method for treating substrate and Apparatus for supporting substrate KR102432533B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210113195A KR102432533B1 (en) 2019-04-18 2021-08-26 Apparatus and Method for treating substrate and Apparatus for supporting substrate

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190045702A KR20200122691A (en) 2019-04-18 2019-04-18 Apparatus and Method for treating substrate and Apparatus for supporting substrate
KR1020210113195A KR102432533B1 (en) 2019-04-18 2021-08-26 Apparatus and Method for treating substrate and Apparatus for supporting substrate

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190045702A Division KR20200122691A (en) 2019-04-18 2019-04-18 Apparatus and Method for treating substrate and Apparatus for supporting substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210107599A KR20210107599A (en) 2021-09-01
KR102432533B1 true KR102432533B1 (en) 2022-08-18

Family

ID=73018551

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190045702A KR20200122691A (en) 2019-04-18 2019-04-18 Apparatus and Method for treating substrate and Apparatus for supporting substrate
KR1020210113195A KR102432533B1 (en) 2019-04-18 2021-08-26 Apparatus and Method for treating substrate and Apparatus for supporting substrate

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190045702A KR20200122691A (en) 2019-04-18 2019-04-18 Apparatus and Method for treating substrate and Apparatus for supporting substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR20200122691A (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012133255A (en) * 2010-12-24 2012-07-12 Nsk Technology Co Ltd Exposure device
JP2016186962A (en) * 2015-03-27 2016-10-27 東京エレクトロン株式会社 Heat treatment apparatus, abnormality detection method in heat treatment and computer readable storage medium

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060108975A (en) * 2005-04-14 2006-10-19 삼성전자주식회사 Wafer loading apparatus for preventing local defocus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012133255A (en) * 2010-12-24 2012-07-12 Nsk Technology Co Ltd Exposure device
JP2016186962A (en) * 2015-03-27 2016-10-27 東京エレクトロン株式会社 Heat treatment apparatus, abnormality detection method in heat treatment and computer readable storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210107599A (en) 2021-09-01
KR20200122691A (en) 2020-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108122817B (en) Substrate supporting unit, heat treatment unit and substrate processing apparatus including the same
KR20160017699A (en) Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
CN114334715A (en) Cooling unit, substrate processing apparatus using the same, and substrate processing method using the same
KR102616246B1 (en) Substrate processing apparatus supplying and recovering processing liquid
KR102432533B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate and Apparatus for supporting substrate
KR102607731B1 (en) Method for lifting substrate and apparatus for treating substrate
KR102633336B1 (en) Apparatus for treating substrate
US20210134620A1 (en) Supporting unit, apparatus having the same and method for treating substrate using the same
KR102010265B1 (en) Apparatus and method for treating substrates
KR102303595B1 (en) Supporting Unit And Apparatus For Treating Substrate
KR102289939B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102583261B1 (en) Apparatus and method for treating substrates
KR102315664B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
US20240103388A1 (en) Heating unit, apparatus and facility for processing substrates with same
KR20200042255A (en) Method for cooling hot plate, Apparatus and Method for treating substrate
KR102315666B1 (en) Transferring unit and Apparatus for treating substrate
KR102594076B1 (en) Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate
KR20220094021A (en) Transfer unit and substrate treating apparatus including the same
KR102280034B1 (en) Transfer unit and Apparatus for treaitngsubstrate
KR102281045B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20220094018A (en) Transfer unit and substrate treating apparatus including the same
KR20220094022A (en) Transfer unit and substrate treating apparatus including the same
KR102072999B1 (en) substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20220094023A (en) Transfer unit and substrate treating apparatus including the same
KR20220011261A (en) Supporting unut and method for lifting substrate using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant