KR102315664B1 - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 높이가 고정되며, 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 처리 용기, 높이가 고정되며, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 기판을 반송하는 반송 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛 및 상기 반송 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은 지지 플레이트, 상기 지지 플레이트으로부터 돌출된 승강 위치와 상기 지지 플레이트 내에 삽입된 하강 위치 간에 이동 가능한 리프트 핀, 상기 리프트 핀의 승하강 속도를 조절하는 구동기, 그리고 상기 지지 플레이트에 놓여진 기판을 진공 흡착하는 감압 부재를 포함하되, 상기 제어기는 상기 리프트 핀이 상기 승강 위치에서 상기 하강 위치로 이동되는 하강 이동 중에 위치별 속도가 상이하도록 상기 구동기를 조절한다. The present invention provides an apparatus and method for processing a substrate. A processing container having a fixed height and having a processing space for processing a substrate therein, a substrate supporting unit having a fixed height and supporting a substrate in the processing space, a conveying unit conveying a substrate to the substrate supporting unit, and the substrate a support unit and a controller for controlling the transfer unit, wherein the substrate support unit includes a support plate, a lift pin movable between an elevating position protruding from the support plate and a lowering position inserted in the support plate, and the elevating of the lift pin. a driver for adjusting a lowering speed, and a pressure reducing member for vacuum adsorbing the substrate placed on the support plate, wherein the controller is configured to have different speeds for each position during a lowering movement of the lift pin from the raising/lowering position to the lowering position. Adjust the actuator.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}Apparatus and Method for treating substrate

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, the photographic process sequentially performs application, exposure, and development steps. The coating process is a process of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. The exposure process is a process of exposing a circuit pattern on a substrate on which a photosensitive film is formed. The developing process is a process of selectively developing an exposed region of a substrate.

일반적으로 도포 공정 및 현상 공정은 기판을 액 처리하는 공정으로, 기판을 지지하는 지지 플레이트와 사용 처리된 액을 회수하는 회수 용기를 필요로 한다. 지지 플레이트는 회수 용기 내에 위치되며, 지지 플레이트와 반송 로봇 간에 기판주고 받기 위해서는 도 1에서 도2와 같이, 지지 플레이트(2)와 회수 용기(4) 간의 상대 위치를 이동시킨다. 예컨대, 지지 플레이트(2)와 반송 로봇 간에 기판을 주고 받는 경우에는 지지 플레이트(2)가 회수 용기(4)로부터 돌출되게 위치되도록 어느 하나를 이동시킨다. In general, a coating process and a developing process are processes for treating a substrate with a liquid, and a support plate for supporting the substrate and a recovery container for recovering the used liquid are required. The support plate is located in the recovery container, and in order to exchange a substrate between the support plate and the transport robot, as shown in FIGS. 1 to 2 , the relative position between the support plate 2 and the recovery container 4 is moved. For example, when a substrate is exchanged between the support plate 2 and the transfer robot, any one of the support plates 2 is moved to protrude from the recovery container 4 .

따라서 지지 플레이트(2)와 회수 용기(4) 중 어느 하나를 이동시키게 되면, 지지 플레이트(2)와 회수 용기(4) 간의 사이 공간이 커지게 된다. 이 경우, 회수 용기(4) 내에 형성되는 배기압에 영향을 끼쳐 공정 부산물 및 분위기가 제대로 배기되지 않는다. Therefore, when either the support plate 2 or the recovery container 4 is moved, the space between the support plate 2 and the recovery container 4 increases. In this case, the exhaust pressure formed in the recovery vessel 4 is affected, so that the process by-products and atmosphere are not properly exhausted.

또한 지지 플레이트(2)와 회수 용기(4)는 기판에 비해 큰 크기를 가지며, 이동 공간에 제약을 가진다.In addition, the support plate 2 and the recovery container 4 have a larger size compared to the substrate, and have restrictions on the movement space.

본 발명은 지지 플레이트와 회수 용기 간에 상대 위치가 변경됨에 따라 발생되는 문제점을 해결할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of solving a problem that occurs when a relative position between a support plate and a recovery container is changed.

또한 본 발명은 지지 플레이트에 기판을 주고 받는 과정에 있어서, 공간 제약이 발생되는 문제점을 해결할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of solving a problem in which a space constraint occurs in a process of transferring a substrate to and from a support plate.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide apparatus and methods for processing substrates.

높이가 고정되며, 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 처리 용기, 높이가 고정되며, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 기판을 반송하는 반송 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛 및 상기 반송 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은 지지 플레이트, 상기 지지 플레이트으로부터 돌출된 승강 위치와 상기 지지 플레이트 내에 삽입된 하강 위치 간에 이동 가능한 리프트 핀, 상기 리프트 핀의 승하강 속도를 조절하는 구동기, 그리고 상기 지지 플레이트에 놓여진 기판을 진공 흡착하는 감압 부재를 포함하되, 상기 제어기는 상기 리프트 핀이 상기 승강 위치에서 상기 하강 위치로 이동되는 하강 이동 중에 위치별 속도가 상이하도록 상기 구동기를 조절한다. A processing container having a fixed height and having a processing space for processing a substrate therein, a substrate supporting unit having a fixed height and supporting a substrate in the processing space, a conveying unit conveying a substrate to the substrate supporting unit, and the substrate a support unit and a controller for controlling the transfer unit, wherein the substrate support unit includes a support plate, a lift pin movable between an elevating position protruding from the support plate and a lowering position inserted in the support plate, and the elevating of the lift pin. a driver for adjusting a lowering speed, and a pressure reducing member for vacuum adsorbing the substrate placed on the support plate, wherein the controller is configured to have different speeds for each position during a lowering movement of the lift pin from the raising/lowering position to the lowering position. Adjust the actuator.

상기 리프트 핀이 하강 이동되는 중에 상기 지지 플레이트에 진공압을 제공할 수 있다. A vacuum pressure may be applied to the support plate while the lift pin moves downward.

상기 승강 위치와 상기 하강 위치의 사이에는 중간 영역이 더 제공되며, 상기 제어기는 상기 리프트 핀이 상기 승강 위치와 상기 중간 영역 간에 제1속도로 하강 이동되고, 상기 중간 영역에서 설정 속도를 가지며, 상기 중간 영역에서 상기 하강 위치 간에 제2속도로 하강 이동되도록 상기 구동기를 제어할 수 있다. An intermediate region is further provided between the lifting position and the lowering position, wherein the controller moves the lift pin down at a first speed between the lifting position and the intermediate region, and has a set speed in the intermediate region; The actuator may be controlled to move down at a second speed between the lowering positions in the intermediate region.

상기 제1속도는 상기 제2속도보다 크게 제공되고, 상기 제2속도는 상기 설정 속도보다 크게 제공될 수 있다. 상기 설정 속도는 0 또는 0에 인접한 속도로 제공될 수 있다. 상기 중간 영역은 상기 리프트 핀에 놓여진 기판이 상기 진공압이 미전달되는 위치를 포함할 수 있다. The first speed may be provided to be greater than the second speed, and the second speed may be provided to be greater than the set speed. The set speed may be provided at zero or a speed close to zero. The intermediate region may include a position where the vacuum pressure is not transmitted to the substrate placed on the lift pin.

기판을 처리하는 방법은 지지 플레이트로부터 돌출된 리프트 핀이 반송 유닛으로부터 상기 기판을 인수받아 상기 지지 플레이트에 상기 기판을 내려놓아, 상기 지지 플레이트에 상기 기판을 진공 흡착하되, 상기 리프트 핀은 승강 위치에서 하강 위치로 하강 이동되어 상기 지지 플레이트에 상기 기판을 내려놓고, 상기 리프트 핀은 하강 이동되는 중에 위치별 속도가 상이하게 제공된다. In the method of processing a substrate, a lift pin protruding from a support plate receives the substrate from a transfer unit, puts the substrate down on the support plate, and vacuum-sucks the substrate to the support plate, wherein the lift pin is in an elevating position. The substrate is lowered to the lowering position to put the substrate down on the support plate, and the lift pins are provided with different speeds for each position while moving down.

상기 리프트 핀이 하강 이동되는 중에는 상기 지지 플레이트의 상면에 형성된 진공홀에 진공압을 제공할 수 있다. 상기 리프트 핀은 상기 승강 위치에서 상기 승강 위치와 상기 하강 위치의 사이 위치인 중간 영역까지 제1속도로 하강 이동되고, 상기 중간 영역에서 설정 속도를 가지며, 상기 중간 영역에서 상기 하강 위치까지 제2속도로 하강 이동될 수 있다. 상기 설정 속도는 상기 제1속도 및 상기 제2속도 각각에 비해 작게 제공될 수 있다. 상기 설정 속도는 0 또는 0과 인접한 속도를 포함할 수 있다. 상기 중간 영역은 상기 리프트 핀에 지지된 상기 기판이 상기 진공압에 영향을 받지 않는 위치를 포함할 수 있다.While the lift pin moves downward, a vacuum pressure may be applied to a vacuum hole formed on an upper surface of the support plate. The lift pin moves downward at a first speed from the lifting position to an intermediate region between the lifting position and the lowering position, has a set speed in the intermediate region, and at a second speed from the intermediate region to the lowering position. can be moved downward. The set speed may be provided to be smaller than each of the first speed and the second speed. The set speed may include zero or a speed close to zero. The intermediate region may include a position where the substrate supported on the lift pin is not affected by the vacuum pressure.

본 발명이 실시예에 의하면, 지지 플레이트와 처리 용기 간의 위치가 고정된 상태로 기판을 인수받을 수 있다. 이로 인해 지지 플레이트와 처리 용기 간의 사이 공간이 커지는 문제점을 해결할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the substrate may be received while the position between the support plate and the processing vessel is fixed. Due to this, it is possible to solve the problem of increasing the space between the support plate and the processing vessel.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 리프트 핀은 중간 영역에서 설정 속도를 가진다. 이로 인해 기판을 내려놓는 과정에서 기판의 슬립을 방지할 수 있다.Also according to an embodiment of the present invention, the lift pin has a set speed in the middle region. Due to this, it is possible to prevent the substrate from slipping during the process of setting the substrate down.

도 1 및 도 2는 기판 인수 인계를 위해 위치가 이동되는 지지 플레이트 및 회수 용기를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 9는 도 5의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9의 지지 플레이트를 보여주는 평면도이다.
도 11은 도 9의 장치를 이용하여 기판을 지지 플레이트에 내려놓는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 12는 도 11에서 리프트 핀의 위치 및 속도를 보여주는 그래프이다.
도 13 내지 도 15는 도 9의 장치를 이용하여 도 11의 과정을 보여주는 도면들이다.1 and 2 are cross-sectional views showing a support plate and a recovery container that are moved to take over the substrate.
3 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 3 .
5 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 3 .
FIG. 6 is a view showing an example of a hand of the transport robot of FIG. 5 .
7 is a plan view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 5 .
FIG. 8 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 7 ;
9 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 5 .
FIG. 10 is a plan view showing the support plate of FIG. 9 .
11 is a flowchart illustrating a process of placing a substrate on a support plate using the apparatus of FIG. 9 .
12 is a graph showing positions and speeds of lift pins in FIG. 11 .
13 to 15 are views illustrating the process of FIG. 11 using the apparatus of FIG. 9 .

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.3 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 3 , and FIG. 5 is the substrate processing apparatus of FIG. 3 is a plan view of

도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.3 to 5 , the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20 , a processing module 30 , and an interface module 40 . According to an embodiment, the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12 , and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as a first direction 12 . A second direction 14 is referred to, and a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16 .

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is accommodated to the processing module 30 , and accommodates the processed substrate W in the container 10 . The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14 . The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24 . With reference to the index frame 24 , the load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 . The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22 . A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14 .

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a closed container 10 such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The container 10 may be placed in the load port 22 by a transfer means (not shown) or an operator, such as an Overhead Transfer, an Overhead Conveyor, or an Automatic Guided Vehicle. can

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 2200 is provided inside the index frame 24 . A guide rail 2300 having a longitudinal direction in the second direction 14 is provided in the index frame 24 , and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300 . The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16 , and moves in the third direction 16 . It may be provided to be movable along with it.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has an application block 30a and a developing block 30b. The application block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a development process on the substrate W. A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 3, two application blocks 30a are provided, and two development blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed below the developing blocks 30b. According to an example, the two application blocks 30a may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure. Also, the two developing blocks 30b may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure.

도 5를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 5 , the application block 30a includes a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , a liquid processing chamber 3600 , and a buffer chamber 3800 . The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid treatment chamber 3600 in the application block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The transfer chamber 3400 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The transfer chamber 3400 is provided with a transfer robot 3422 . The transfer robot 3422 transfers a substrate between the heat treatment chamber 3200 , the liquid processing chamber 3600 , and the buffer chamber 3800 . According to an example, the transfer robot 3422 has a hand 3420 on which the substrate W is placed, and the hand 3420 moves forward and backward, rotates about the third direction 16 , and the third direction. It may be provided movably along (16). A guide rail 3300 having a longitudinal direction parallel to the first direction 12 is provided in the transfer chamber 3400 , and the transfer robot 3422 may be provided movably on the guide rail 3300 . .

도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. FIG. 6 is a view showing an example of a hand of the transport robot of FIG. 5 . Referring to FIG. 6 , the hand 3420 has a base 3428 and a support protrusion 3429 . The base 3428 may have an annular ring shape in which a portion of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter greater than the diameter of the substrate W. As shown in FIG. A support protrusion 3429 extends from the base 3428 inward thereof. A plurality of support protrusions 3429 are provided, and support an edge region of the substrate W. As shown in FIG. According to an example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 도 4와 도 5를 참조하면, 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.A plurality of heat treatment chambers 3200 are provided. 4 and 5 , the heat treatment chambers 3200 are arranged in a row along the first direction 12 . The heat treatment chambers 3200 are located at one side of the transfer chamber 3400 .

도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 7 is a plan view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 5 , and FIG. 8 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 7 . The heat treatment chamber 3200 includes a housing 3210 , a cooling unit 3220 , a heating unit 3230 , and a conveying plate 3240 .

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is provided in the shape of a substantially rectangular parallelepiped. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3210 . The inlet may remain open. A door (not shown) may optionally be provided to open and close the inlet. A cooling unit 3220 , a heating unit 3230 , and a conveying plate 3240 are provided in the housing 3210 . The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the second direction 14 . According to an example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 3230 .

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222 . The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. The cooling plate 3222 is provided with a cooling member 3224 . According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 가열판(3232), 커버(3234), 그리고 히터(3233)를 가진다. 가열판(3232)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열판(3232)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열판(3232)에는 히터(3233)가 설치된다. 히터(3233)는 전류가 인가되는 발열저항체로 제공될 수 있다. 가열판(3232)에는 제3 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3238)들이 제공된다. 리프트 핀(3238)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열판(3232) 상에 내려놓거나 가열판(3232)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3238)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(3234)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다. 커버(3234)는 가열판(3232)의 상부에 위치되며 구동기(3236)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(3234)가 가열판(3232)에 접촉되면, 커버(3234)와 가열판(3232)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다. The heating unit 3230 has a heating plate 3232 , a cover 3234 , and a heater 3233 . The heating plate 3232 has a generally circular shape when viewed from the top. The heating plate 3232 has a larger diameter than the substrate W. A heater 3233 is installed on the heating plate 3232 . The heater 3233 may be provided as a heating resistor to which current is applied. The heating plate 3232 is provided with lift pins 3238 drivable in the vertical direction along the third direction 16 . The lift pin 3238 receives the substrate W from the transfer means outside the heating unit 3230 and puts it down on the heating plate 3232 or lifts the substrate W from the heating plate 3232 to the outside of the heating unit 3230 hand over by means of transport. According to an example, three lift pins 3238 may be provided. The cover 3234 has a space with an open lower portion therein. The cover 3234 is positioned on the heating plate 3232 and is moved in the vertical direction by the driver 3236 . When the cover 3234 is in contact with the heating plate 3232 , the space surrounded by the cover 3234 and the heating plate 3232 is provided as a heating space for heating the substrate W .

반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. The transport plate 3240 is provided in a substantially circular plate shape and has a diameter corresponding to that of the substrate W. As shown in FIG. A notch 3244 is formed at an edge of the conveying plate 3240 . The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424 described above. In addition, the notch 3244 is provided in a number corresponding to the protrusions 3429 formed on the hand 3420 , and is formed at positions corresponding to the protrusions 3429 . When the upper and lower positions of the hand 3420 and the carrier plate 3240 are changed in a position where the hand 3420 and the carrier plate 3240 are vertically aligned, the substrate W between the hand 3420 and the carrier plate 3240 is transmission takes place The transport plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 , and may be moved between the first region 3212 and the second region 3214 along the guide rail 3249 by a driver 3246 . A plurality of slit-shaped guide grooves 3242 are provided in the carrying plate 3240 . The guide groove 3242 extends from the end of the carrying plate 3240 to the inside of the carrying plate 3240 . The length direction of the guide grooves 3242 is provided along the second direction 14 , and the guide grooves 3242 are spaced apart from each other along the first direction 12 . The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pins 1340 from interfering with each other when the substrate W is transferred between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230 .

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated in a state where the substrate W is placed directly on the support plate 1320 , and the substrate W is cooled by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed and the cooling plate 3222 . made in contact with The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is well achieved. According to an example, the transport plate 3240 may be provided with a metal material.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heating unit 3230 provided in some of the heat treatment chambers 3200 may supply a gas while heating the substrate W to improve the adhesion rate of the photoresist to the substrate W. According to an example, the gas may be hexamethyldisilane gas.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. A plurality of liquid processing chambers 3600 are provided. Some of the liquid processing chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. 4 and 5 , the liquid processing chambers 3600 are disposed at one side of the transfer chamber 3402 . The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12 . Some of the liquid processing chambers 3600 are provided adjacent to the index module 20 . Hereinafter, these liquid treatment chambers will be referred to as a front liquid treating chamber 3602 (front liquid treating chamber). Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided adjacent to the interface module 40 . Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treating chambers 3604 (rear heat treating chambers).

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front stage liquid processing chamber 3602 applies the first liquid on the substrate W, and the rear stage liquid processing chamber 3604 applies the second liquid on the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different types of liquid. According to one embodiment, the first liquid is an anti-reflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate W on which the anti-reflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an anti-reflection film. In this case, the anti-reflection film may be applied on the photoresist-coated substrate (W). Optionally, the first liquid and the second liquid are the same type of liquid, and they may both be photoresist.

액 처리 챔버(3602, 3604)은 모두 동일한 구조를 가지며, 전단 액처리 챔버(3602)를 일 예로 설명한다. 도 9는 도 5의 액 처리 챔버의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 전단 액처리 챔버(3602)는 기판 상에 액막을 형성하는 장치(800)로 제공된다. 전단 액처리 챔버(3602,800)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 승강 유닛(890), 액 공급 유닛(840), 그리고 제어기(898)를 포함한다. The liquid processing chambers 3602 and 3604 have the same structure, and the front stage liquid processing chamber 3602 will be described as an example. 9 is a cross-sectional view illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 5 . Referring to FIG. 9 , a front stage liquid processing chamber 3602 is provided as an apparatus 800 for forming a liquid film on a substrate. The front stage liquid processing chambers 3602 and 800 include a housing 810 , an airflow providing unit 820 , a substrate support unit 830 , a processing vessel 850 , an elevation unit 890 , a liquid supply unit 840 , and a controller. (898).

하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.The housing 810 is provided in a rectangular cylindrical shape having a space 812 therein. An opening (not shown) is formed at one side of the housing 810 . The opening functions as an inlet through which the substrate W is carried in and out. A door is installed in the opening, and the door opens and closes the opening. When the substrate processing process is performed, the door closes the opening to seal the inner space 812 of the housing 810 . An inner exhaust port 814 and an outer exhaust port 816 are formed on the lower surface of the housing 810 . The airflow formed in the housing 810 is exhausted to the outside through the inner exhaust port 814 and the outer exhaust port 816 . According to an example, the airflow provided in the processing vessel 850 may be exhausted through the inner exhaust port 814 , and the airflow provided outside the processing vessel 850 may be exhausted through the outer exhaust port 816 .

기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.The airflow providing unit 820 forms a descending airflow in the inner space of the housing 810 . The airflow providing unit 820 includes an airflow supplying line 822 , a fan 824 , and a filter 826 . The airflow supply line 822 is connected to the housing 810 . The air flow supply line 822 supplies external air to the housing 810 . The filter 826 filters 826 the air provided from the airflow supply line 822 . The filter 826 removes impurities contained in the air. The fan 824 is installed on the upper surface of the housing 810 . A fan 824 is located in a central region on the top surface of the housing 810 . The fan 824 forms a downdraft in the interior space of the housing 810 . When air is supplied to the fan 824 from the airflow supply line 822 , the fan 824 supplies air in a downward direction.

기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 지지 플레이트(832), 리프트 핀(890), 회전축(834), 지지 바디(836), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 지지 플레이트(832)는 기판을 지지한다, 도 10은 도 9의 지지 플레이트를 보여주는 평면도이다. 도 10을 참조하면, 지지 플레이트(832)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지 플레이트(832)는 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 지지 플레이트(832)는 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 지지 플레이트(832)의 상면에는 진공홀(884), 핀 홀(886), 그리고 돌기(882)가 형성된다. 진공홀(884)에는 감압 부재(892)가 연결되며, 진공홀(884)에 진공압을 제공한다. 핀 홀(886)은 복수 개로 제공된다. 예컨대, 진공홀(884)은 지지 플레이트(832)의 상면 중심에 위치되고, 핀 홀(886)은 진공홀(884)을 감싸도록 배치될 수 있다. 핀 홀(886)은 3 개일 수 있다. 돌기(882)는 복수 개로 제공된다. 돌기(882)는 지지 플레이트(832)의 상면으로부터 위로 돌출되어 기판(W)에 직접 접촉된다. 이에 따라 기판(W)과 지지 플레이트(832)의 상면이 직접 접촉되는 것을 방지할 수 있으며, 지지 플레이트(832)와 마주하는 기판(W) 영역 전체에 진공압을 제공할 수 있다.The substrate support unit 830 supports the substrate W in the inner space of the housing 810 . The substrate support unit 830 rotates the substrate W. The substrate support unit 830 includes a support plate 832 , a lift pin 890 , a rotation shaft 834 , a support body 836 , and a driver 836 . The support plate 832 supports the substrate. FIG. 10 is a plan view showing the support plate of FIG. 9 . Referring to FIG. 10 , the support plate 832 is provided to have a circular plate shape. The support plate 832 is provided to have a smaller diameter than the substrate W. According to an example, the support plate 832 may chuck the substrate W by vacuum sucking the substrate W. A vacuum hole 884 , a pin hole 886 , and a protrusion 882 are formed on the upper surface of the support plate 832 . A pressure reducing member 892 is connected to the vacuum hole 884 , and provides vacuum pressure to the vacuum hole 884 . A plurality of pin holes 886 are provided. For example, the vacuum hole 884 may be located at the center of the upper surface of the support plate 832 , and the pin hole 886 may be disposed to surround the vacuum hole 884 . There may be three pin holes 886 . A plurality of projections 882 are provided. The protrusion 882 protrudes upward from the upper surface of the support plate 832 and directly contacts the substrate W. As shown in FIG. Accordingly, direct contact between the substrate W and the upper surface of the support plate 832 may be prevented, and vacuum pressure may be applied to the entire region of the substrate W facing the support plate 832 .

리프트 핀(890)은 각 핀 홀(886)에 위치된다. 리프트 핀(890)은 구동기(미도시)에 의해 승하강이 가능하도록 제공된다. 리프트 핀(890)은 구동기에 의해 승강 위치와 하강 위치 간에 승하강된다. 여기서 승강 위치는 리프트 핀(890)의 상단이 지지 플레이트(832)의 상면으로부터 위로 돌출되는 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(890)의 상단이 지지 플레이트(832)의 상면보다 아래 위치일 수 있다. 일 예에 의하면, 승강 위치는 리프트 핀(890)의 상단이 처리 용기의 상단보다 높은 위치일 수 있다. 따라서 리프트 핀(890)과 반송 로봇(3422) 간에 기판(W)을 인수 인계 시 기판 지지 유닛(830)과 처리 용기(850)의 위치는 고정될 수 있다. Lift pins 890 are located in each pin hole 886 . The lift pin 890 is provided to enable elevating and lowering by a driver (not shown). The lift pin 890 is raised and lowered between the lifted position and the lowered position by the actuator. Here, the lifting position is a position where the upper end of the lift pin 890 protrudes upward from the upper surface of the support plate 832 , and the lowering position is a position where the upper end of the lift pin 890 is lower than the upper surface of the support plate 832 . . According to an example, the lifting position may be a position where the upper end of the lift pin 890 is higher than the upper end of the processing container. Accordingly, when the substrate W is transferred between the lift pin 890 and the transfer robot 3422 , the positions of the substrate support unit 830 and the processing container 850 may be fixed.

구동기(미도시)는 리프트 핀(890)의 승하강 속도를 조절한다. 예컨대, 리프트 핀(890)의 속도는 위치에 따라 상이하게 조절될 수 있다. A driver (not shown) adjusts the elevating speed of the lift pin 890 . For example, the speed of the lift pin 890 may be adjusted differently depending on the position.

회전축(834) 및 구동 부재(미도시)는 지지 플레이트(832)을 회전시키는 회전 구동 부재로 제공된다. 회전축(834)은 지지 플레이트(832)의 아래에서 지지 플레이트(832)를 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동 부재(미도시)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동 부재(미도시)는 회전축(834)의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.The rotation shaft 834 and a driving member (not shown) are provided as a rotation driving member for rotating the support plate 832 . The rotation shaft 834 supports the support plate 832 under the support plate 832 . The rotation shaft 834 is provided so that its longitudinal direction faces up and down. The rotating shaft 834 is provided to be rotatable about its central axis. A driving member (not shown) provides a driving force to rotate the rotation shaft 834 . For example, the driving member (not shown) may be a motor capable of varying the rotation speed of the rotation shaft 834 .

처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 포함한다. The processing vessel 850 is located in the interior space 812 of the housing 810 . The processing vessel 850 provides a processing space therein. The processing container 850 is provided to have a cup shape with an open top. The processing vessel 850 includes an inner cup 852 and an outer cup 862 .

내측 컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)에 가까워질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공되고, 이후에 수평 방향으로 연장되게 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다. 내측 컵(852)의 상면 내측 영역에서 수평 방향으로 연장되는 영역은 세정 노즐이 설치되는 위치로 제공될 수 있다.The inner cup 852 is provided in a circular plate shape surrounding the rotation shaft 834 . When viewed from the top, the inner cup 852 is positioned to overlap the inner vent 814 . When viewed from above, the upper surface of the inner cup 852 is provided such that its outer and inner regions are inclined at different angles from each other. According to an example, the outer region of the inner cup 852 faces a downward sloping direction as it moves away from the substrate support unit 830 , and the inner region of the inner cup 852 faces a downward sloping direction as it approaches the substrate support unit 830 . It is provided so as to be extended in the horizontal direction thereafter. A point where the outer region and the inner region of the inner cup 852 meet each other is provided to correspond to the side end of the substrate W in the vertical direction. An area outside the upper surface of the inner cup 852 may be provided as an area through which the treatment liquid flows. A region extending in a horizontal direction from an inner region of the upper surface of the inner cup 852 may be provided as a position where the cleaning nozzle is installed.

외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 그리고 경사벽(870)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다. The outer cup 862 is provided to have a cup shape surrounding the substrate support unit 830 and the inner cup 852 . The outer cup 862 has a bottom wall 864 , a side wall 866 , a top wall 870 , and a sloped wall 870 . The bottom wall 864 is provided to have a circular plate shape having a hollow. A return line 865 is formed in the bottom wall 864 . The recovery line 865 recovers the processing liquid supplied on the substrate W. The treatment liquid recovered by the recovery line 865 may be reused by an external liquid recovery system. The sidewall 866 is provided to have a circular cylindrical shape surrounding the substrate support unit 830 . The side wall 866 extends in a direction perpendicular to the side end of the bottom wall 864 . Sidewall 866 extends upwardly from bottom wall 864 .

경사벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(870)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다. The inclined wall 870 extends from the top of the sidewall 866 in an inward direction of the outer cup 862 . The inclined wall 870 is provided to be closer to the substrate support unit 830 as it goes upward. The inclined wall 870 is provided to have a ring shape. The upper end of the inclined wall 870 is positioned higher than the substrate W supported by the substrate support unit 830 .

액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 처리액 및 프리 웨트액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 프리 웨트 노즐(842) 및 감광액 노즐(844)을 포함한다. The liquid supply unit 840 supplies the processing liquid and the pre-wet liquid on the substrate W. The liquid supply unit 840 includes a free wet nozzle 842 and a photosensitive liquid nozzle 844 .

프리 웨트 노즐(842) 및 감광액 노즐(844)은 아암(848)에 의해 함께 지지되어 함께 이동된다. 아암(848)은 수평 방향으로 이동되어 프리 웨트 노즐(842) 및 감광액 노즐(844)을 공정 위치와 대기 위치로 이동시킬 수 있다. 여기서 공정 위치는 프리 웨트 노즐(842) 및 감광액 노즐(844)이 기판(W)과 마주하는 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치일 수 있다. 예컨대, 프리 웨트 노즐(842) 및 감광액 노즐(844)은 제1방향(12)과 평행한 방향으로 이동될 수 있다.The free wet nozzle 842 and the photoresist nozzle 844 are supported together by an arm 848 and moved together. The arm 848 may be moved in the horizontal direction to move the free wet nozzle 842 and the photoresist nozzle 844 to the process position and the standby position. Here, the process position may be a position where the free wet nozzle 842 and the photoresist nozzle 844 face the substrate W, and the standby position may be a position out of the process position. For example, the free wet nozzle 842 and the photoresist nozzle 844 may move in a direction parallel to the first direction 12 .

프리 웨트 노즐(842)은 기판(W) 상에 프리 웨트액을 공급하고, 감광액 노즐(844)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 예컨대, 프리 웨트액은 기판(W)의 표면을 처리액과 유사 또는 동일한 성질을 변화시킬 수 있는 액일 수 있다. 프리 웨트액은 기판(W)의 표면을 젖음 상태로 변화시킬 수 있다. 처리액은 포토 레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 감광액 노즐(844)은 복수 개로 제공된다. 감광액 노즐(844)은 프리 웨트 노즐(842)을 사이에 두고 양측에 일렬로 배열되게 위치된다. 각각의 감광액 노즐(844)은 서로 다른 종류의 처리액을 토출할 수 있다. 각각의 처리 노즐들(844)은 서로 독립된 라인으로부터 처리액을 공급받는다. The pre-wet nozzle 842 supplies a pre-wet liquid on the substrate W, and the photoresist nozzle 844 supplies a processing liquid on the substrate W. For example, the pre-wet liquid may be a liquid capable of changing the properties of the surface of the substrate W similar to or identical to those of the treatment liquid. The pre-wet liquid may change the surface of the substrate W to a wet state. The treatment liquid may be a photoresist such as a photoresist. A plurality of photoresist nozzles 844 are provided. The photoresist nozzles 844 are positioned to be arranged in a line on both sides with the free wet nozzles 842 interposed therebetween. Each photoresist nozzle 844 may discharge different types of processing liquid. Each of the treatment nozzles 844 is supplied with a treatment liquid from a line independent of each other.

프리 웨트 노즐(842) 및 감광액 노즐(844) 각각은 기판(W)의 중앙 위치에 프리 웨트액 및 처리액을 공급한다. 프리 웨트 노즐(842) 및 감광액 노즐(844) 각각은 그 토출구가 수직한 아래방향을 향하도록 제공된다. Each of the pre-wet nozzle 842 and the photoresist nozzle 844 supplies the pre-wet liquid and the processing liquid to a central position of the substrate W. Each of the free wet nozzle 842 and the photosensitive liquid nozzle 844 is provided such that its discharge port faces vertically downward.

제어기(898)는 구동기(미도시) 및 감압 부재(892)를 제어한다. 제어기(898)는 리프트 핀(890)의 이동 속도를 높이 별로 조절하고, 리프트 핀(890)에 의해 기판(W)이 하강 이동되는 중에 진공홀(884)에 진공압을 제공한다. 제어기(898)는 리프트 핀(890)에 인수된 기판(W)을 지지 플레이트(832)에 내려놓도록 하강 이동되는 과정에서 리프트 핀(890)의 하강 속도가 위치 별로 상이하도록 그 하강 속도를 조절할 수 있다. 일 예에 의하면, 제어기(898)는 승강 위치와 중간 영역 간에 하강 이동 중에는 제1속도(V1)로, 중간 영역에는 설정 속도(VD)로, 그리고 중간 영역과 하강 위치 간에 하강 이동 중에는 제2속도(V2)를 가지도록 구동기(미도시)를 제어할 수 있다. 여기서 중간 영역은 승강 위치와 하강 위치의 사이 영역으로 제공되며, 지정된 위치이거나 일정 범위를 포함하는 위치일 수 있다. 중간 영역은 진공홀에 제공된 진공압이 리프트 핀(890)에 놓여진 기판(W)에 영향을 끼치지 않는 위치일 수 있다. 제1속도(V1)는 제2속도(V2)에 비해 큰 속도이고, 제2속도(V2)는 설정 속도(VD)에 비해 큰 속도일 수 있다. 설정 속도(VD)는 0 또는 0과 인접한 속도일 수 있다.The controller 898 controls the actuator (not shown) and the pressure reducing member 892 . The controller 898 adjusts the moving speed of the lift pin 890 for each height, and provides a vacuum pressure to the vacuum hole 884 while the substrate W is moved downward by the lift pin 890 . The controller 898 adjusts the descending speed of the lift pin 890 so that the lowering speed of the lift pin 890 is different for each position in the process of lowering the substrate W received by the lift pin 890 to put it down on the support plate 832 . can According to an example, the controller 898 controls the first speed V 1 during the lowering movement between the lifting position and the intermediate region, the set speed V D in the middle region, and the second during the lowering movement between the intermediate region and the lowering position. A driver (not shown) may be controlled to have two speeds (V 2 ). Here, the intermediate region is provided as a region between the elevating position and the lowering position, and may be a designated position or a position including a predetermined range. The intermediate region may be a position where the vacuum pressure provided to the vacuum hole does not affect the substrate W placed on the lift pin 890 . A first speed (V 1) may be a second and greater rate than the second speed (V 2), a second speed (V 2) is greater speed than the set speed (V D). The set speed V D may be zero or a speed close to zero.

다음은 상술한 장치를 이용하여 반송 로봇(3422)으로부터 리프트 핀(890)에 인수된 기판(W)을 지지 플레이트(832)에 내려놓는 과정을 설명한다. 반송 로봇(3422)은 지지 플레이트(832)와 마주하는 위치로 이동되면 리프트 핀(890)은 승강 위치로 승강 이동되어 기판(W)을 인수받는다. 리프트 핀(890)은 기판(W)을 지지한 상태로 제1속도(V1)로 하강 이동된다. 리프트 핀(890)은 중간 영역에 도달되면, 설정 속도(VD)를 가진다. 예컨대, 설정 속도(VD)는 0 또는 0에 인접한 속도를 가진다. 중간 영역은 지지 플레이트(832)의 상면으로부터 0.4 내지 1mm 이격된 위치일 수 있다. 따라서 리프트 핀(890)은 중간 영역에서 정지되거나, 0에 가까운 속도로 하강 이동된다. 이후 설정된 시간이 지나거나, 리프트 핀(890)이 중간 영역을 지나면, 제2속도(V2)로 하강 위치까지 하강 이동된다. Next, a process of placing the substrate W received by the lift pins 890 from the transfer robot 3422 on the support plate 832 using the above-described apparatus will be described. When the transfer robot 3422 is moved to a position facing the support plate 832 , the lift pin 890 is moved to the lifting position to receive the substrate W. The lift pin 890 moves downward at the first speed V 1 while supporting the substrate W. When the lift pin 890 reaches the middle region, it has a set speed V D . For example, the set speed V D has zero or a speed close to zero. The middle region may be a position spaced apart from the upper surface of the support plate 832 by 0.4 to 1 mm. Accordingly, the lift pin 890 is stopped in the middle region or moved downward at a speed close to zero. After the set time elapses or when the lift pin 890 passes through the middle region, it moves down to the lowering position at the second speed (V 2 ).

본 실시예에는 리프트 핀(890)에 의해 기판(W)을 지지 플레이트(832)에 내려놓는 과정에서, 중간 영역의 핀 속도가 설정 속도(VD)를 가지도록 조절한다. 이때 중간 영역은 진공압이 제공되지 않는 위치를 가진다. 이에 따라 제1속도(V1) 구간 및 중간 영역은 진공압의 영향이 없는 구간이며, 기판(W)을 빠르게 하강 이동시켜 기판(W)의 로딩 단계 시간을 단축할 수 있다. In the present embodiment, in the process of placing the substrate W on the support plate 832 by the lift pins 890 , the pin speed of the middle region is adjusted to have a set speed V D . At this time, the intermediate region has a position where vacuum pressure is not provided. Accordingly, the first speed (V 1 ) section and the intermediate region are sections that are not affected by vacuum pressure, and the substrate W can be moved down quickly to shorten the loading step time of the substrate W.

또한 중간 영역에서 하강 위치까지는 진공압에 영향을 받는 구간일지라도, 제1속도(V1)보다 느린 제2속도(V2)로 하강 이동되므로, 기판(W)이 하강 이동되는 중에 슬립을 방지할 수 있다. In addition, even in the section affected by vacuum pressure from the middle region to the lowering position, it moves down at a second speed (V 2 ) that is slower than the first speed (V 1 ). can

다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIGS. 3 and 4 , a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400 . Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802 (front buffer). The front-end buffers 3802 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Another portion of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804 (rear buffer). The rear end buffers 3804 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Each of the front-end buffers 3802 and the back-end buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. As shown in FIG. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is loaded or unloaded by the index robot 2200 and the transfer robot 3422 . The substrate W stored in the downstream buffer 3804 is carried in or out by the transfer robot 3422 and the first robot 4602 .

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , and a liquid treatment chamber 3600 . The heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the application block 30a . ) and is provided in a structure and arrangement substantially similar to that of However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as the developing chamber 3600 for processing the substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to the external exposure apparatus 50 . The interface module 40 includes an interface frame 4100 , an additional process chamber 4200 , an interface buffer 4400 , and a transfer member 4600 .

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit for forming a descending airflow therein may be provided at an upper end of the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 , the interface buffer 4400 , and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the application block 30a, is loaded into the exposure apparatus 50 . Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 50 , is loaded into the developing block 30b. According to an example, the additional process is an edge exposure process of exposing an edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a lower surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W can A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, the additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the transfer chamber 3400 along the lengthwise extension line, and the interface buffer 4400 may be disposed on the other side thereof.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The transfer member 4600 transfers the substrate W between the coating block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the conveying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606 . The first robot 4602 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 uses the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transfer the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along three directions (16).

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hands of the index robot 2200 , the first robot 4602 , and the second robot 4606 may all have the same shape as the hands 3420 of the transfer robots 3422 and 3424 . Optionally, the hand of the robot directly exchanging the substrate W with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424, and the hands of the remaining robots have a different shape. can be provided as

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to one embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange the substrate W with the heating unit 3230 of the shear heat treatment chamber 3200 provided in the application block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer robot 3422 provided in the application block 30a and the developing block 30b may be provided to directly transfer the substrate W with the transfer plate 3240 located in the heat treatment chamber 3200 .

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method for processing a substrate using the above-described substrate processing apparatus 1 will be described.

기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. A coating process ( S20 ), an edge exposure process ( S40 ), an exposure process ( S60 ), and a developing process ( S80 ) are sequentially performed on the substrate W .

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The coating process (S20) is a heat treatment process (S21) in the heat treatment chamber 3200, an anti-reflective film application process (S22) in the liquid treatment chamber 3602, a heat treatment process (S23) in the heat treatment chamber 3200, and a liquid treatment after The photoresist film coating process S24 in the chamber 3604 and the heat treatment process S25 in the heat treatment chamber 3200 are sequentially performed.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of the transport path of the substrate W from the container 10 to the exposure apparatus 50 will be described.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다. The index robot 2200 takes the substrate W out of the container 10 and transfers it to the shear buffer 3802 . The transfer robot 3422 transfers the substrate W stored in the front-end buffer 3802 to the front-end heat treatment chamber 3200 . The substrate W is transferred to the heating unit 3230 by the transfer plate 3240 . When the heating process of the substrate in the heating unit 3230 is completed, the transfer plate 3240 transfers the substrate to the cooling unit 3220 . The transfer plate 3240 is in contact with the cooling unit 3220 while supporting the substrate W to perform a cooling process of the substrate W. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the upper part of the cooling unit 3220 , and the transfer robot 3422 takes the substrate W out of the heat treatment chamber 3200 and moves it to the front stage liquid treatment chamber 3602 . return it

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다. An anti-reflection film is applied on the substrate W in the front stage liquid processing chamber 3602 .

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. The transfer robot 3422 unloads the substrate W from the front stage liquid processing chamber 3602 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200 . In the heat treatment chamber 3200 , the above-described heating process and cooling process are sequentially performed, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 takes out the substrate W and transfers it to the downstream liquid treatment chamber 3604 .

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다. Thereafter, a photoresist film is applied on the substrate W in the downstream liquid processing chamber 3604 .

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. The transfer robot 3422 unloads the substrate W from the rear stage liquid processing chamber 3604 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200 . The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200 , and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 transfers the substrate W to the downstream buffer 3804 . The first robot 4602 of the interface module 40 unloads the substrate W from the downstream buffer 3804 and transports it to the auxiliary process chamber 4200 .

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate W in the auxiliary process chamber 4200 .

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the first robot 4602 unloads the substrate W from the auxiliary process chamber 4200 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400 .

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the second robot 4606 unloads the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers it to the exposure apparatus 50 .

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The developing process ( S80 ) is performed by sequentially performing the heat treatment process ( S81 ) in the heat treatment chamber 3200 , the developing process ( S82 ) in the liquid treatment chamber 3600 , and the heat treatment process ( S83 ) in the heat treatment chamber 3200 . do.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Hereinafter, an example of a transport path of the substrate W from the exposure apparatus 50 to the container 10 will be described.

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The second robot 4606 unloads the substrate W from the exposure apparatus 50 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400 .

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다. Thereafter, the first robot 4602 unloads the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers the substrate W to the downstream buffer 3804 . The transfer robot 3422 transports the substrate W to the heat treatment chamber 3200 by unloading the substrate W from the downstream buffer 3804 . In the heat treatment chamber 3200 , a heating process and a cooling process of the substrate W are sequentially performed. When the cooling process is completed, the substrate W is transferred to the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 .

현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. A developing process is performed by supplying a developer onto the substrate W to the developing chamber 3600 .

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. The substrate W is unloaded from the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 and loaded into the heat treatment chamber 3200 . A heating process and a cooling process are sequentially performed on the substrate W in the heat treatment chamber 3200 . When the cooling process is completed, the substrate W is unloaded from the heat treatment chamber 3200 by the transfer robot 3422 and transferred to the front end buffer 3802 .

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the index robot 2200 takes out the substrate W from the shear buffer 3802 and transfers it to the container 10 .

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.The processing block of the above-described substrate processing apparatus 1 has been described as performing a coating processing process and a developing processing process. However, unlike this, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing block 37 without an interface module. In this case, the processing block 37 performs only the coating process, and the film applied on the substrate W may be a spin-on hard mask film (SOH).

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

832: 지지 플레이트 882: 돌기
884: 진공홀 886: 핀 홀
890: 리프트 핀 892: 감압 부재
898: 제어기832: support plate 882: projection
884: vacuum hole 886: pin hole
890: lift pin 892: pressure reducing member
898: controller

Claims (12)

높이가 고정되며, 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
높이가 고정되며, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 기판을 반송하는 반송 유닛과;
상기 기판 지지 유닛 및 상기 반송 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
지지 플레이트와;
상기 지지 플레이트으로부터 돌출된 승강 위치와 상기 지지 플레이트 내에 삽입된 하강 위치 간에 이동 가능한 리프트 핀과;
상기 리프트 핀의 승하강 속도를 조절하는 구동기와;
상기 지지 플레이트에 놓여진 기판을 진공 흡착하는 감압 부재를 포함하되,
상기 제어기는 상기 리프트 핀이 상기 승강 위치에서 상기 하강 위치로 이동되는 동안 상기 지지 플레이트에 진공압이 제공되도록 상기 감압 부재를 제어하고,
상기 승강 위치와 상기 하강 위치의 사이에는 중간 영역이 더 제공되며,
상기 제어기는 상기 리프트 핀이 상기 승강 위치와 상기 중간 영역 간에 제1속도로 하강 이동되고, 상기 중간 영역에서 설정 속도를 가지며, 상기 중간 영역에서 상기 하강 위치 간에 제2속도로 하강 이동되도록 상기 구동기를 제어하며,
상기 제1속도는 상기 제2속도보다 크게 제공되고,
상기 제2속도는 상기 설정 속도보다 크게 제공되는 기판 처리 장치.a processing vessel having a fixed height and having a processing space therein for processing a substrate;
a substrate support unit having a fixed height and supporting a substrate in the processing space;
a transfer unit for transferring the substrate to the substrate support unit;
A controller for controlling the substrate support unit and the transfer unit,
The substrate support unit,
a support plate;
a lift pin movable between a lifting position protruding from the support plate and a lowering position inserted into the support plate;
a driver for adjusting the elevating speed of the lift pin;
and a pressure reducing member for vacuum adsorbing the substrate placed on the support plate,
the controller controls the pressure reducing member to provide a vacuum pressure to the support plate while the lift pin is moved from the raised position to the lowered position;
An intermediate region is further provided between the elevating position and the lowering position,
The controller is configured to operate the actuator such that the lift pin moves down at a first speed between the lifting position and the intermediate region, has a set speed in the intermediate region, and moves down at a second speed between the lowered positions in the intermediate region. control,
The first speed is provided to be greater than the second speed,
The second speed is a substrate processing apparatus provided to be greater than the set speed. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 설정 속도는 0 또는 0에 인접한 속도로 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
wherein the set speed is zero or a speed close to zero. 제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 중간 영역은 상기 리프트 핀에 놓여진 기판이 상기 진공압이 미전달되는 위치를 포함하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 1 or 5,
The intermediate region includes a position to which the vacuum pressure is not transmitted to the substrate placed on the lift pin. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
지지 플레이트로부터 돌출된 리프트 핀이 반송 유닛으로부터 상기 기판을 인수받아 상기 지지 플레이트에 상기 기판을 내려놓아, 상기 지지 플레이트에 상기 기판을 진공 흡착하되,
상기 리프트 핀은 승강 위치에서 하강 위치로 하강 이동되어 상기 지지 플레이트에 상기 기판을 내려놓고,
상기 리프트 핀이 하강 이동되는 중에는 상기 지지 플레이트의 상면에 형성된 진공홀에 진공압을 제공하되,
상기 리프트 핀은 상기 승강 위치에서 상기 승강 위치와 상기 하강 위치의 사이 위치인 중간 영역까지 제1속도로 하강 이동되고,
상기 중간 영역에서 설정 속도를 가지며,
상기 중간 영역에서 상기 하강 위치까지 제2속도로 하강 이동되고,
상기 설정 속도는 상기 제1속도 및 상기 제2속도 각각에 비해 작게 제공되는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate, comprising:
A lift pin protruding from the support plate receives the substrate from the transfer unit and places the substrate on the support plate to vacuum adsorb the substrate to the support plate,
The lift pin is moved downward from the lifting position to the lowering position to place the substrate on the support plate,
While the lift pin is moving downward, a vacuum pressure is provided to the vacuum hole formed on the upper surface of the support plate,
The lift pin moves downward at a first speed from the lifting position to an intermediate region between the lifting position and the lowering position;
has a set speed in the middle region,
moving downward at a second speed from the intermediate region to the descending position;
The set speed is provided to be smaller than each of the first speed and the second speed. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제7항에 있어서,
상기 설정 속도는 0 또는 0과 인접한 속도를 포함하는 기판 처리 방법.8. The method of claim 7,
wherein the set speed includes zero or a speed close to zero. 제7항 또는 제11항에 있어서,
상기 중간 영역은 상기 리프트 핀에 지지된 상기 기판이 상기 진공압에 영향을 받지 않는 위치를 포함하는 기판 처리 방법.
12. The method of claim 7 or 11,
and the intermediate region includes a position where the substrate supported on the lift pins is not affected by the vacuum pressure.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005066490A (en) * 2003-08-25 2005-03-17 Seiko Epson Corp Work setting method, work lifting up method, lifting up apparatus, work sucking table, droplet discharging device, method for producing electro-optical device, electro-optical device, and electronic device
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Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1197324A (en) * 1997-09-18 1999-04-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate thermal processing device
JP6896588B2 (en) * 2017-11-06 2021-06-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Board delivery system and board delivery method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005066490A (en) * 2003-08-25 2005-03-17 Seiko Epson Corp Work setting method, work lifting up method, lifting up apparatus, work sucking table, droplet discharging device, method for producing electro-optical device, electro-optical device, and electronic device
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