KR102419954B1 - 세라믹스, 프로브 안내 부품, 프로브 카드 및 패키지 검사용 소켓 - Google Patents

세라믹스, 프로브 안내 부품, 프로브 카드 및 패키지 검사용 소켓 Download PDF

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KR102419954B1
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sic
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와타루 야마기시
가즈마사 모리
슌이치 에토
šœ이치 에토
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가부시키가이샤 페로텍 머티리얼 테크놀로지즈
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Abstract

질량%로, BN：20.0~55.0%, SiC：5.0~40.0%, ZrO2 및/또는 Si3N4：3.0~60.0%로 구성되는 세라믹스. 이 세라믹스는, -50~500℃에 있어서의 열팽창 계수가 1.0×10-6~5.0×10-6/℃이며, 저대전성(체적 저항률로 106~1014Ω·cm) 및 쾌삭성이 뛰어나므로, 예를 들면, 프로브 카드의 프로브를 안내하는 프로브 안내 부품, 패키지 검사용 소켓 등에 이용하는데 적합하다.

Description

세라믹스, 프로브 안내 부품, 프로브 카드 및 패키지 검사용 소켓
본 발명은, 세라믹스, 프로브 안내 부품, 프로브 카드 및 패키지 검사용 소켓에 관한 것이다.
전자 부품 등의 정밀 기기를 제조하는 공정에 있어서는, 정전기 방전에 의한 제조물에 대한 데미지, 불량 발생 등을 억제하기 위해, 또한, 환경 중에 부유하고 있는 파티클의 정전기 흡착을 방지하기 위해, 정전기 대책을 실시한 저대전성 재료가 이용되고 있다.
예를 들면, IC칩의 검사 공정에 있어서는, 프로브 카드가 이용된다. 도 1에는, 프로브 카드의 구성을 예시한 단면도를 나타내고, 도 2에는, 프로브 가이드의 구성을 예시한 상면도를 나타낸다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 프로브 카드(10)는, 침형의 프로브(11)와, 각 프로브(11)를 삽입 통과시키기 위한 복수의 관통 구멍(12a)을 갖는 프로브 가이드(프로브 안내 부품)(12)를 구비하는 검사 지그이다. 그리고, IC칩(14)의 검사는, 복수의 프로브(11)를 실리콘 웨이퍼(13) 상에 형성된 IC칩(14)에 접촉시킴으로써 행해진다. 이 때, 프로브 가이드(12)에는, 정전기 대책을 실시한 저대전성 재료가 이용되고 있다.
일반적인 저대전성 재료로서는, 체적 저항률로 106~1012Ω·cm 정도의 재료, 예를 들면, 도전성 필러를 첨가한 수지(특허문헌 1, 2 등), 도전성 세라믹스를 분산 소결시킨 세라믹스 소결체(특허문헌 3~5 등) 등이 널리 이용되고 있다.
일본국 특허공개 2005-226031호 공보 국제 공개 제2002/082592호 일본국 특허공개 2013-136503호 공보 일본국 특허공개 2008-094688호 공보 일본국 특허공개 2006-199586호 공보
근래의 디바이스의 미세화나 고성능화에 수반하여, 그것을 제조하는 장치에 이용되는 정전기 대책재에는, 저대전성뿐만 아니라, 쾌삭성, 내열성, 기계 특성, 열팽창률 등의 각종 성능의 향상이 요구되고 있다.
예를 들면, IC칩의 검사 공정의 검사 효율은, IC칩에 동시에 접촉할 수 있는 프로브의 개수에 의존한다. 이 때문에, 근래, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)에 의해, 수만 개의 미소한 프로브를 고밀도로 세워 설치한 프로브 카드가 실용화되어 가고 있다. 전술의 도 2에 나타내는 바와 같이, 프로브 가이드(12)에는, 프로브 카드(10)의 각 프로브(11)에 대응하는 위치에 관통 구멍(12a)을 설치할 필요가 있다. 프로브 카드(10)의 프로브(11)의 설치 위치나 형상 등은, 그 검사 장치의 사양에 따라 다양하고, 그것에 따라서, 관통 구멍(12a)의 설치 위치나 형상등도 다양하다. 예를 들면, 프로브(11)가 핀 형상인 경우는, 관통 구멍(12a)으로서는 원형의 구멍이 채용된다. 구멍의 내경이나 구멍의 피치도 프로브(11)의 종류나 배치에 따르는데, 예를 들면, 직경 50μm의 관통 구멍을 60μm 피치(관통 구멍 간의 벽두께는 10μm 정도)로 설치하는 경우가 있다. 이러한 작은 관통 구멍을 수만 개 설치할 필요가 있기 때문에, 쾌삭성이 필요하게 된다.
프로브 가이드에는, 검사를 다양한 온도 환경에서 행하기 위해서, 내열성이 뛰어난 것이 요구된다. 프로브 가이드에는, 실리콘 웨이퍼와 같은 정도의 열팽창률인 것도 요구된다. 프로브 가이드에는, 검사 시의 접촉 등에 견디기 위해, 기계적 특성이 뛰어난 것도 요구된다. 이상, 주로, 프로브 가이드에 대해 설명했는데, 뛰어난 저대전성과, 쾌삭성이 요구되는 용도로서는, 패키지 검사용 소켓 등의 검사용 소켓이 있다.
여기서, 특허문헌 1 및 2에 기재되는 도전성 필러를 첨가한 수지의 경우, 강성이나 내열성(사용 온도)이 낮은 점에서, 검사 지그로서 이용하는 경우에 프로브수(내하중)나 검사 온도역이 한정된다. 또한, 이러한 수지는, 저열전도율이며 고열팽창률이기 때문에, 가공 중의 열에 의해 소재가 팽창하므로, 가공 후에 원하는 치수 정밀도를 얻을 수 없는 경우가 있다.
한편, Al2O3를 주상(主相)으로 하는 세라믹스(특허문헌 3), ZrO2를 주상으로 하는 세라믹스(특허문헌 4 및 5)의 경우, 저대전성이 뛰어나지만, 경도가 너무 높기 때문에, 미세 가공, 특히, 기계 가공에 의한 절삭이 곤란하다. 이 때문에, 예를 들면, 이러한 재료를 이용하여 프로브 가이드를 제작하는 경우에는, 극단적으로 제조 시간이 장기화된다는 문제가 있다.
본 발명은, 저대전성(체적 저항률로 106~1014Ω·cm) 및 쾌삭성이 뛰어난 세라믹스, 그 세라믹스를 이용한 프로브 안내 부품, 프로브 카드 및 검사용 소켓을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기의 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 하기의 지견을 얻었다.
(a) 본 발명자들은, 우선, 세라믹스 소결체의 쾌삭성을 향상시키기 위한 주상에 대해 검토한 결과, Al2O3를 주상으로 하는 세라믹스, ZrO2를 주상으로 하는 세라믹스의 경우, 경도가 너무 높기 때문에, 미세 가공이 곤란한 반면, BN을 주상으로 하는 세라믹스 소결체는, 뛰어난 쾌삭성을 갖는 것을 알 수 있었다. 따라서, 세라믹스의 주상은 BN으로 하는 것이 좋다.
(b) 그러나, BN은, 체적 저항률이 1015Ω·cm 오더로 너무 높기 때문에, 검사 공정에서 계속 사용했을 때에 전하가 축적된다. 축적된 전하를 천천히 방출할 수 없기 때문에, 정전기 방전을 일으킨다. 그 결과, 검사 대상물에 전류가 순간적으로 흘러 버려, 경우에 따라서는 검사 대상물이 파손된다는 문제가 있다. 따라서, 세라믹스 소결체의 체적 저항률을 106~1014Ω·cm의 범위로 제어하여 저대전성을 부여하기 위해서는, 세라믹스 소결체의 모재에 103Ω·cm 이하 정도의 입자를 분산시키는 것이 유효하다. 이 분산 입자로서는, 특히, SiC, WC, C, TiN, TiO2 등이 있다. 그러나, WC, C, TiN, TiO2의 경우, SiC에 비해 단체의 체적 저항률이 낮다. 따라서, BN을 주상으로 하는 세라믹스에 적정량의 SiC를 분산시키는 것이 좋다.
(c) BN을 주상으로 하는 세라믹스에 적정량의 SiC를 분산시킨 것만으로는, 기계 특성이 떨어지는 경우가 있으므로, SiC와 함께, ZrO2 및/또는 Si3N4를 분산시키는 것이 유효하다.
(d) 쾌삭성과 기계 특성을 양립시키려면, 치밀한 세라믹스 소결체가 바람직하다. 그러기 위해서는, 가압 분위기 하에서 소성을 행하는, 핫 프레스 소성법을 이용하여 제작하는 것이 좋다.
본 발명은, 상기의 지견에 의거하여 이루어진 것이며, 하기의 발명을 요지로 한다.
(1) 질량%로,
BN：20.0~55.0%,
SiC：5.0~40.0%,
ZrO2 및/또는 Si3N4：3.0~60.0%로 구성되는 세라믹스.
(2) -50~500℃에 있어서의 열팽창 계수가 1.0×10-6~5.0×10-6/℃인, 상기 (1)의 세라믹스.
(3) 체적 저항률이 106~1014Ω·cm인, 상기 (1) 또는 (2)의 세라믹스.
(4) 흡수율이 0.5% 이하인, 상기 (1)~(3) 중 어느 하나의 세라믹스.
(5) 프로브 카드의 프로브를 안내하는 프로브 안내 부품으로서,
상기 (1)~(4) 중 어느 하나의 세라믹스를 이용한 판형의 본체부와,
상기 본체부에, 상기 프로브를 삽입 통과시키는 복수의 관통 구멍 및/또는 슬릿을 구비하는, 프로브 안내 부품.
(6) 복수의 프로브와,
상기 (5)의 프로브 안내 부품을 구비하는, 프로브 카드.
(7) 상기 (1)~(4) 중 어느 하나의 세라믹스를 이용한, 패키지 검사용 소켓.
본 발명에 의하면, 저대전성(체적 저항률로 106~1014Ω·cm) 및 쾌삭성이 뛰어난 세라믹스를 얻을 수 있으므로, 프로브 안내 부품, 프로브 카드 및 검사용 소켓으로서 특히 유용하다.
도 1은, 프로브 카드의 구성을 예시한 단면도이다.
도 2는, 프로브 가이드의 구성을 예시한 상면도이다.
도 3은, 실시예 1의 미세화 시험 후의 사진이다.
도 4는, 비교예 6의 미세화 시험 후의 사진이다.
1. 세라믹스
본 발명에 따른 세라믹스는, 질량%로, BN：20.0~55.0%, SiC：5.0~40.0%, ZrO2 및/또는 Si3N4：3.0~60.0%로 구성된다. 이하, 함유량에 대한 「%」는 「질량%」를 의미한다.
BN：20.0~55.0%
본 발명에 따른 세라믹스는, 초경공구로 가공할 수 있는 정도의 쾌삭성 재료인 것이 요구되므로, 세라믹스에 뛰어난 쾌삭성을 부여하기 위해서, 필수의 성분으로서, 20.0% 이상의 BN을 함유시킨다. 그러나, BN의 함유량이 55.0%를 초과하면, 재료 강도가 저하하여, 관통 구멍의 가공 시에 관통 구멍 간의 벽이 무너진다는 문제가 발생한다. 따라서, BN의 함유량은, 20.0~55.0%로 한다. 하한은 25.0%로 하는 것이 바람직하고, 30.0%로 하는 것이 보다 바람직하다. 상한은, 50.0%로 하는 것이 바람직하고, 45.0%로 하는 것이 보다 바람직하다.
또한, BN에는, 육방정계 BN(h-BN)과, 입방정계 BN(c-BN)이 있는데, c-BN은, 고경도이기 때문에, h-BN을 이용하는 것이 좋다. BN의 입경은, 특별히 제약은 없는데, 너무 크면 재료 강도의 저하를 발생시키는 경우가 있기 때문에, 평균 입경으로 5μm 미만인 것이 바람직하다.
SiC：5.0~40.0%
SiC는, 세라믹스의 체적 저항률을 106~1014Ω·cm의 범위로 제어하기 위해서 필수의 성분이다. 따라서, SiC의 함유량을 5.0% 이상으로 한다. 단, SiC의 함유량이 40.0%를 초과하면, 체적 저항률이 106Ω·cm를 밑돌아 버려 저대전성 재료로서 적합한 체적 저항률이 아니게 되어 버릴뿐만 아니라, 재료 경도가 너무 상승하여 쾌삭성이 손상된다는 문제가 발생한다. 따라서, SiC의 함유량은, 5.0~40.0%로 한다. 하한은 10.0%로 하는 것이 바람직하고, 15.0%로 하는 것이 보다 바람직하다. 상한은, 35.0%로 하는 것이 바람직하고, 30.0%로 하는 것이 보다 바람직하다.
또한, SiC의 입경은, 특별히 제약은 없는데, 너무 크면, 체적 저항률의 편차가 커지기 때문에, 평균 입경으로 2.0μm 미만인 것이 바람직하다. 또한, BN을 주체로 하는 세라믹스 중에 분산 상태로 존재하고 있는 것이 바람직하다. 분산 상태는, EDX(Energy dispersive X-ray spectrometry)에 의해, Si의 원소 분석을 행함으로써 확인할 수 있다.
ZrO2 및/또는 Si3N4：3.0~60.0%
ZrO2 및 Si3N4는, 모두 세라믹스의 기계적 특성을 향상시키기 위해서 필수의 성분이다. 따라서, ZrO2 및/또는 Si3N4의 함유량을 3.0% 이상으로 한다. 단, ZrO2 및/또는 Si3N4의 함유량이 60.0%를 초과하면, 경도가 너무 상승하여, 쾌삭성이 열화되고, 고정밀도로 미세 구멍을 형성할 수 없게 된다. 따라서, ZrO2 및/또는 Si3N4의 함유량은, 3.0~60.0%로 한다. 하한은 5.0%로 하는 것이 바람직하고, 10.0%로 하는 것이 보다 바람직하다. 상한은, 55.0%로 하는 것이 바람직하고, 50.0%로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, ZrO2 및 Si3N4의 양쪽을 포함하는 경우에는, 합계의 함유량을 3.0~60.0%로 한다.
또한, ZrO2 및/또는 Si3N4의 입경은, 특별히 제약은 없는데, 너무 크면, 기계적 특성의 편차가 커지기 때문에, 평균 입경으로 2μm 미만인 것이 바람직하다. 또한, BN을 주체로 하는 세라믹스 중에 분산 상태로 존재하고 있는 것이 바람직하다. 분산 상태는, EDX에 의한 원소 분석에 의해 확인할 수 있다.
본 발명에 따른 세라믹스에는, 상기의 각 성분 외, 치밀한 세라믹스를 얻기 위해서 필요한 소결조제가 포함된다. 소결조제로서는, 예를 들면, 산화알루미늄(알루미나, Al2O3), 산화마그네슘(마그네시아, MgO), 산화이트륨(이트리어, Y2O3), 및 란타노이드 금속의 산화물 및 스피넬 등의 복합 산화물로부터 선택되는 1종 이상을 들 수 있다. 이들 중에서도 바람직한 것은, 알루미나와 이트리어의 혼합물, 또는 추가로 마그네시아를 함유시킨 혼합물이다.
소결조제의 함유량은, 특별히 제약은 없는데, 1.0~15.0%로 하는 것이 바람직하다. 배합량이 너무 적으면 소결이 불충분하게 되어, 소결체인 세라믹스의 강도가 저하한다. 한편, 배합량이 너무 많으면, 강도가 낮은 유리나 결정 등으로 구성되는 입계상이 증가하여, 역시 세라믹스의 강도 저하를 초래한다. 또한, 입계상은 체적 저항률이 높은 점에서, 배합량이 너무 많으면 세라믹스의 체적 저항률의 증가를 초래하여, 저대전성에 악영향을 미친다. 소결조제의 함유량은, 3.0% 이상으로 하는 것이 바람직하고, 5.0% 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 소결조제의 함유량은, 12.0% 이하로 하는 것이 바람직하고, 10.0% 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 각 성분의 함유량(질량%)은, ICP 발광 분광 분석법에 의해 측정할 수 있다.
-50~500℃에 있어서의 열팽창 계수：1.0×10-6~5.0×10-6/℃
본 발명에 따른 세라믹스를 프로브 가이드에 이용하는 경우에는, 각 IC칩이 탑재되는 실리콘 웨이퍼의 열팽창 계수와 같은 정도인 것이 요구된다. 이것은, 검사 시의 온도가 변화했을 때에, 실리콘 웨이퍼의 열팽창에 따라서 IC칩의 위치가 변동한다. 이 때, 프로브 가이드가, 실리콘 웨이퍼와 같은 정도의 열팽창 계수를 갖고 있으면, 실리콘 웨이퍼의 팽창, 수축에 동조하여 이동하므로, 고정밀도의 검사를 유지할 수 있다. 이 점, 본 발명에 따른 세라믹스가 검사용 소켓에 이용되는 경우도 동일하다. 따라서, -50~500℃에 있어서의 열팽창 계수는, 1.0×10-6~5.0×10-6/℃인 것을 기준으로 한다.
체적 저항률：106~1014Ω·cm
본 발명에 따른 세라믹스는, 저대전성을 갖는 것을 특징으로 하고 있으며, 체적 저항률이 106~1014Ω·cm인 것을 기준으로 한다.
흡수율：0.5% 이하
본 발명에 따른 세라믹스는, 필요한 기계적 특성을 얻기 위해서 치밀한 것을 요한다. 기공의 잔류가 많으면 충분한 기계적 특성을 얻을 수 없는 경우가 있으므로, 흡수율이 0.5% 이하인 것을 기준으로 한다.
굽힘 강도：200MPa 이상
본 발명에 따른 세라믹스는, 프로브 가이드에 사용했을 때에는, 검사 시에 프로브 등과의 접촉이나 하중에 견딜 수 있도록, 충분한 기계적 특성을 갖고 있는 것이 요구된다. 이 점, 본 발명에 따른 세라믹스가 검사용 소켓에 이용되는 경우도 동일하다. 이 때문에, 굽힘 강도는, 200MPa 이상인 것을 기준으로 한다.
쾌삭성
쾌삭성은, 초경 마이크로 드릴에 의한 절삭 가공에 의해, 직경 50μm 및 직경 100μm의 관통 구멍을 60μm 피치로 1000개(8개×125열) 설치했을 때의 가공 정밀도를, 화상 측정기(예를 들면 (주)미쓰도요 제조 퀵 비전)로 관찰함으로써 평가한다. 이 때, 가공 정밀도가 ±3.0μm 이하인 경우에 쾌삭성이 양호하다고 판단한다.
2. 세라믹스의 제조 방법
이하, 본 발명에 따른 세라믹스의 제조 방법의 예에 대해 설명한다.
BN, SiC, 및, ZrO2 및/또는 Si3N4의 분말을 소결조제와 함께, 볼 밀 등의 공지의 방법으로 혼합한다. 즉, 용기 내에서 각 분말과 함께, 용매와, 세라믹스제 또는 철심이 있는 수지제 볼과 함께 혼합하여 슬러리화한다. 이 때, 용매에는 물 또는 알코올을 이용할 수 있다. 또한, 필요에 따라 분산제나 바인더 등의 첨가물을 이용해도 된다.
얻어진 슬러리를 스프레이 드라이나 감압 증발기 등의 공지의 방법으로 조립(造粒)한다. 즉 스프레이 드라이어로 분무 건조시켜 과립화 혹은, 감압 증발기로 건조시켜 분말화한다.
얻어진 분말을 고온 고압 하에서, 예를 들면 핫 프레스 또는 HIP(열간 등방압 가압법) 등의 공지의 방법으로 소결하여, 세라믹스 소결체를 얻는다. 핫 프레스의 경우, 질소 분위기 혹은 가압 질소 중에서 소성해도 된다. 또한, 소성 온도는 1400~1900℃의 범위가 좋다. 온도가 너무 낮으면 소결이 불충분하게 되고, 너무 높으면 산화물 성분의 용출 등의 문제가 발생한다.
가압력은 15~50MPa의 범위가 적당하다. 또한, 가압력 지속 시간은 온도나 치수에 따르지만 통상 1~4시간 정도이다. 또한, HIP의 경우에 있어서도, 온도나 가압력 등의 소성 조건을 적절히 설정하면 된다. 이 외, 상압 소성법이나 분위기 가압 소성법 등의 공지의 소성 방법을 채용해도 된다.
실시예
본 발명의 효과를 확인하기 위해, 배합비를 변화시킨, BN(h-BN), SiC, 및, ZrO2 및/또는 Si3N4의 분말을, 소결조제(알루미나와 이트리어의 혼합물, 또는 추가로 마그네시아를 함유시킨 혼합물)와 함께, 물, 분산제, 수지, 세라믹스제의 볼과 함께 혼합하여, 얻어진 슬러리를 스프레이 드라이어로 분무 건조시켜 과립형으로 하였다. 얻어진 과립을 흑연제의 다이스(몰드)에 충전하여, 질소 분위기 중 30MPa의 압력을 가하면서 1700℃에서 2시간 핫 프레스 소성을 행하여, 세로 150×가로 150×두께 30mm의 시험재를 얻었다.
참고를 위하여, 시판의 탄소섬유를 첨가한 수지(비교예 8), 시판의 Al2O3를 주상으로 하는 세라믹스(비교예 9), 시판의 ZrO2를 주상으로 하는 세라믹스(비교예 10)를 시험재로서 준비하였다.
얻어진 시험재로부터 시험편을 채취하여, 각종의 시험을 행하였다.
＜체적 저항률＞
상기의 시험재의 체적 저항률을 JIS C2141에 따라 구하였다.
＜열팽창률＞
상기 시험재의 -50~500℃에 있어서의 열팽창 계수를 JIS R1618에 따라 구하였다.
＜흡수율＞
상기의 시험재의 흡수율을 JIS C2141에 따라 구하였다.
＜굽힘 강도＞
상기의 시험재의 3점 굽힘 강도를 JIS R1601에 따라 구하였다.
＜쾌삭성＞
쾌삭성은, 초경 마이크로 드릴에 의한 절삭 가공에 의해, 직경 50μm 및 직경 100μm의 관통 구멍을 60μm 피치로 1000개(8개×125열) 설치했을 때의 가공 정밀도(가공성 정밀도가 ±3.0μm 이하인 경우를 양호라고 판단한다.)를 육안 관찰에 의해 평가하였다. 이 때, 가공 정밀도가 ±3.0μm 이하인 경우에 쾌삭성이 양호하다고 판단하여, 「○」로 하고, 가공 정밀도가 ±3.0μm 초과인 경우를 「△」, 드릴이 꺾이거나 하여, 천공 가공 그 자체를 할 수 없는 경우를 「×」로 하여, 표 1에 기입하였다.
[표 1]
Figure 112020049791028-pct00001
도 3에는, 실시예 1의 미세화 시험 후의 사진을 나타내고, 도 4에는, 비교예 6의 미세화 시험 후의 사진을 나타내고 있다.
표 1에 나타내는 바와 같이, 비교예 1~3은, BN을 주상으로 하고, ZrO2 및/또는 Si3N4를 포함하는 예인데, SiC가 적거나, 포함되지 않기 때문에, 체적 저항률이 너무 높아졌다. 비교예 4는, BN이 너무 적기 때문에, 경질인 SiC가 너무 많기 때문에, 미세 가공 시험에 있어서, 쾌삭성이 열화되어 있었다. 비교예 5, 6은, SiC가 아닌, C를 포함시킨 것인데, 비교예 5에서는, 체적 저항률이 너무 높아지고, 비교예 6에서는, 쾌삭성이 열화되어 있었다. 비교예 7은, Si3N4를 주상으로 하고, TiO2를 포함하는 예인데, 체적 저항률이 너무 높은 데다가, 쾌삭성도 열화되어 있었다. 비교예 8~10은, 모두 쾌삭성이 열화되어 있었다.
이것에 대해, 실시예 1~16은, 체적 저항률 및 쾌삭성 모두 양호하였다. 실시예 16은, 요구되는 성능을 만족하고 있지만, 흡수율이 0.8로 높고, 굽힘 강도가 약간 떨어져 있었다. 또한, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 비교예 6에서는, 절삭 가공 시에 관통 구멍 간의 벽에 무너짐이 발생했지만, 실시예 1에서는, 그러한 무너짐이 없고, 고정밀도로 관통 구멍을 형성할 수 있었다.
본 발명에 따르면, 저대전성(체적 저항률로 106~1014Ω·cm) 및 쾌삭성이 뛰어난 세라믹스를 얻을 수 있으므로, 프로브 안내 부품, 프로브 카드 및 검사용 소켓으로서 특히 유용하다.

Claims (7)

  1. 프로브 카드의 프로브를 안내하는 프로브 안내 부품으로서,
    세라믹스를 이용한 판형의 본체부와,
    상기 본체부에, 상기 프로브를 삽입 통과시키는 복수의 관통 구멍 및/또는 슬릿을 구비하고,
    상기 세라믹스가, 질량%로,
    BN：20.0~55.0%,
    SiC：5.0~40.0%,
    ZrO2 및/또는 Si3N4：3.0~60.0%를 포함하는, 프로브 안내 부품.
  2. 청구항 1에 있어서,
    -50~500℃에 있어서의 열팽창 계수가 1.0×10-6~5.0×10-6/℃인, 프로브 안내 부품.
  3. 청구항 1에 있어서,
    체적 저항률이 106~1014Ω·cm인, 프로브 안내 부품.
  4. 청구항 1에 있어서,
    흡수율이 0.5% 이하인, 프로브 안내 부품.
  5. 복수의 프로브와,
    청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 프로브 안내 부품을 구비하는, 프로브 카드.
  6. 질량%로,
    BN：20.0~55.0%,
    SiC：5.0~40.0%,
    ZrO2 및/또는 Si3N4：3.0~60.0%를 포함하는 세라믹스를 이용한, 패키지 검사용 소켓.
  7. 삭제
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