KR102404042B1 - Processing liquid supply apparatus, substrate processing apparatus, and processing liquid supply method - Google Patents

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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

용해 모듈을 통과한 처리액 중의 파티클량을 저감시키는 기술을 제공한다. 처리액 공급 유닛 (3) 은, 필터 (31a ∼ 31d) 에 의해 여과된 처리액을 복수의 처리 유닛 (2) 에 공급하는 장치이다. 필터 (31a ∼ 31d) 에 접속된 1 차측 공급 배관 (32) 에는, 공급 밸브 (33) 가 개재 장착되어 있다. 또, 1 차측 공급 배관 (32) 에 있어서의 공급 밸브 (33) 의 1 차측에는, 배액 배관 (41) 이 접속되어 있다. 그리고 배액 배관 (41) 에는, 배액 밸브 (42) 가 개재 장착되어 있다. 제어부 (52) 는, 처리액 중의 파티클량에 따라, 공급 밸브 (33) 를 폐쇄하고, 배액 밸브 (42) 를 개방함으로써, 용해 모듈 (30) 및 1 차측 공급 배관 (32) 및 배액 배관 (41) 을 통해 처리액을 배액한다.A technique for reducing the amount of particles in a treatment liquid that has passed through a dissolution module is provided. The processing liquid supply unit 3 is a device that supplies the processing liquid filtered by the filters 31a to 31d to the plurality of processing units 2 . A supply valve 33 is interposed in the primary-side supply pipe 32 connected to the filters 31a to 31d. Moreover, the drain pipe 41 is connected to the primary side of the supply valve 33 in the primary side supply pipe 32 . A drain valve 42 is interposed in the drain pipe 41 . The control unit 52 closes the supply valve 33 and opens the drain valve 42 according to the amount of particles in the processing liquid, whereby the dissolution module 30 and the primary side supply pipe 32 and the drain pipe 41 are opened. ) to drain the treatment solution.

Figure R1020207023419
Figure R1020207023419

Description

처리액 공급 장치, 기판 처리 장치 및 처리액 공급 방법Processing liquid supply apparatus, substrate processing apparatus, and processing liquid supply method

본 발명은, 처리 대상의 기판을 처리하는 처리부에 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 유리 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED (Field Emission Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등의 기판이 포함된다.The present invention relates to a processing liquid supply apparatus and a processing liquid supply method for supplying a processing liquid to a processing unit that processes a substrate to be processed. The substrate to be treated includes, for example, a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a substrate for a plasma display, a substrate for a field emission display (FED), a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk , substrates such as a substrate for a photomask, a ceramic substrate, and a substrate for a solar cell are included.

반도체 장치나 액정 표시 장치의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치가 사용된다. 기판을 1 장씩 처리하는 매엽형의 기판 처리 장치는, 예를 들어, 기판을 수평하게 유지하여 회전시키는 스핀 척과, 이 스핀 척에 유지된 기판을 향해 처리액을 토출하는 처리액 노즐을 갖는 처리부를, 본체부에 구비하고 있다. 처리액 노즐에 처리액을 공급하기 위해, 기판 처리 장치에는, 본체부와는 별도로 처리액 공급 장치가 구비된다. 처리액 노즐에는, 처리액 공급 장치로부터 연장되는 처리액 공급 배관이 접속되어 있고, 이 처리액 공급 배관을 통해 처리액 공급 장치의 처리액 탱크에 저류된 처리액이 공급된다 (예를 들어, 특허문헌 1).In the manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, the substrate processing apparatus which processes board|substrates, such as a semiconductor wafer, with a processing liquid is used. A single-wafer substrate processing apparatus for processing substrates one by one includes, for example, a processing unit having a spin chuck for rotating and holding a substrate horizontally, and a processing liquid nozzle for discharging processing liquid toward the substrate held by the spin chuck. , provided in the body part. In order to supply the processing liquid to the processing liquid nozzle, the substrate processing apparatus is provided with a processing liquid supplying device separately from the main body. A processing liquid supply pipe extending from the processing liquid supply device is connected to the processing liquid nozzle, and the processing liquid stored in the processing liquid tank of the processing liquid supply apparatus is supplied through the processing liquid supply pipe (for example, in the patent Literature 1).

또, 용해 모듈에 의해 소정의 가스를 용해시킨 처리액으로 기판을 처리하는 것도 실시되고 있다. 예를 들어, 순수를 주성분으로 하는 린스액으로 기판을 처리할 때, 그 순수에 탄산 가스를 소정 농도로 용해시킨 탄산수가 사용되는 경우가 있다 (예를 들어, 특허문헌 2). 탄산수로 기판을 린스 처리함으로써, 기판의 대전이 방지된다.Moreover, it is also implemented to process a board|substrate with the processing liquid which melt|dissolved predetermined gas by the dissolution module. For example, when treating a substrate with a rinse liquid containing pure water as a main component, carbonated water obtained by dissolving carbon dioxide gas at a predetermined concentration in the pure water is sometimes used (eg, Patent Document 2). By rinsing the substrate with carbonated water, charging of the substrate is prevented.

일본 공개특허공보 2006-351709호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-351709 일본 공개특허공보 2016-157895호Japanese Patent Laid-Open No. 2016-157895

그러나, 상기 용해 모듈의 장시간 사용에 의한 경년 열화 등의 이유로 인해, 용해 모듈을 통과한 처리액 중에 파티클 (이물질) 이 발생하는 것이 우려되고 있다. 반도체 구조의 미세화에 수반하여, 처리액 중의 파티클의 제거가 강하게 요구되고 있는 점에서, 용해 모듈을 통과한 처리액 중의 파티클량을 저감시키는 기술이 요구되고 있다.However, there is a concern that particles (foreign substances) are generated in the treatment liquid that has passed through the dissolution module due to reasons such as aging deterioration due to long-term use of the dissolution module. Since the removal of particles in the processing liquid is strongly demanded with the miniaturization of the semiconductor structure, a technique for reducing the amount of particles in the processing liquid that has passed through the dissolution module is required.

그래서, 본 발명은, 용해 모듈을 통과한 처리액 중의 파티클량을 저감시킬 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.Then, an object of this invention is to provide the technique which can reduce the amount of particles in the processing liquid which has passed through the dissolution module.

상기 과제를 해결하기 위해, 제 1 양태는, 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치로서, 처리액의 원액에 기체를 용해시키는 용해 모듈과, 그 일방단이 상기 용해 모듈의 2 차측에 접속되어 있는 1 차측 공급 배관과, 상기 1 차측 공급 배관의 타방단에 접속되고, 상기 처리액을 여과하는 필터와, 상기 필터의 2 차측에 접속되고, 상기 필터를 통과한 상기 처리액이 통과하는 유로를 형성하는 2 차측 공급 배관과, 상기 1 차측 공급 배관에 접속되어 있고, 상기 처리액을 배액부에 보내는 배액 배관과, 상기 1 차측 공급 배관에 형성되고, 상기 용해 모듈과 상기 필터가 연통되는 상태와, 상기 용해 모듈과 상기 배액부가 연통되는 상태 사이에서 전환하는 전환부와, 상기 전환부의 1 차측에 형성되고, 상기 1 차측 공급 배관을 통과하는 상기 처리액 중의 파티클량을 측정하는 파티클 측정부와, 상기 파티클 측정부에 의해 측정된 상기 파티클량에 따라, 상기 전환부에 의한 전환 동작을 제어하는 제어부를 구비한다.In order to solve the above problem, a first aspect is a treatment liquid supply device for supplying a treatment liquid, comprising: a dissolution module for dissolving a gas in a stock solution of the treatment liquid, and one end of which is connected to a secondary side of the dissolution module a primary supply pipe, a filter connected to the other end of the primary supply pipe and filtering the processing liquid; and a flow path connected to the secondary side of the filter and passing the processing liquid passing through the filter a secondary side supply pipe that is connected to the primary side supply pipe, and a drainage pipe that sends the processing liquid to a drainage unit, is formed in the primary side supply pipe, and the dissolution module and the filter communicate with each other; a switching part for switching between the state in which the dissolution module and the draining part are in communication; and a control unit for controlling a switching operation by the switching unit according to the amount of particles measured by the particle measuring unit.

제 2 양태는, 제 1 양태의 처리액 공급 장치로서, 상기 파티클 측정부는, 상기 1 차측 공급 배관에 있어서의 상기 배액 배관이 접속된 부분보다 1 차측을 통과하는 상기 처리액 중의 상기 파티클량을 측정한다.A second aspect is the processing liquid supply apparatus according to the first aspect, wherein the particle measuring unit measures the amount of particles in the processing liquid passing through a primary side of the primary supply piping connected to the drainage piping. do.

제 3 양태는, 제 1 양태 또는 제 2 양태의 처리액 공급 장치로서, 상기 전환부는, 상기 1 차측 공급 배관에 개재 장착되고, 상기 1 차측 공급 배관 내의 유로를 개폐하는 공급 밸브와, 상기 배액 배관에 개재 장착되고, 상기 배액 배관 내의 유로를 개폐하는 배액 밸브를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 공급 밸브 및 상기 배액 밸브의 개폐 동작을 제어한다.A third aspect is the processing liquid supply device according to the first or second aspect, wherein the switching unit includes a supply valve interposed in the primary supply pipe and configured to open and close a flow path in the primary supply pipe, and the drain pipe; and a drain valve interposed in the ventilator to open and close a flow path in the drain pipe, wherein the control unit controls opening and closing operations of the supply valve and the drain valve.

제 4 양태는, 제 3 양태의 처리액 공급 장치로서, 상기 제어부는, 상기 공급 밸브를 폐쇄하며 또한 상기 배액 밸브를 개방한 상태에서, 상기 파티클 측정부에 의해 측정되는 상기 파티클량에 따라, 출력 장치에 의해 외부로 통지를 출력한다.A fourth aspect is the processing liquid supply device according to the third aspect, wherein the control unit outputs an output according to the amount of particles measured by the particle measuring unit in a state in which the supply valve is closed and the drain valve is opened. Outputs a notification to the outside by the device.

제 5 양태는, 제 3 양태 또는 제 4 양태의 처리액 공급 장치로서, 상기 1 차측 공급 배관은 상기 전환부의 2 차측에 있어서 복수의 분기 배관으로 분기되어 있고, 그 복수의 분기 배관 각각에 1 개의 상기 필터가 각각 접속되어 있다.A fifth aspect is the processing liquid supply apparatus according to the third or fourth aspect, wherein the primary supply pipe is branched into a plurality of branch pipes on a secondary side of the switching unit, and one The filters are respectively connected.

제 6 양태는, 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 제 1 양태 내지 제 5 양태 중 어느 하나의 처리액 공급 장치와, 상기 처리액 공급 장치의 상기 필터에 의해 여과된 상기 처리액으로 기판을 처리하는 처리부를 구비한다.A sixth aspect is a substrate processing apparatus for processing a substrate, wherein the substrate is treated with the processing liquid supply apparatus according to any one of the first to fifth aspects and the processing liquid filtered by the filter of the processing liquid supply apparatus A processing unit is provided.

제 7 양태는, 처리액을 공급하는 처리액 공급 방법으로서, (a) 용해 모듈에 의해 처리액의 원액에 기체를 용해시키는 공정과, (b) 상기 기체가 용해된 상기 처리액을 상기 용해 모듈로부터 1 차측 공급 배관에 공급하는 공정과, (c) 상기 1 차측 공급 배관을 통과한 상기 처리액을 상기 1 차측 공급 배관에 접속된 필터로 여과하는 공정과, (d) 상기 1 차측 공급 배관을 통과하는 상기 처리액 중의 파티클량을 측정하는 공정과, (e) 상기 공정 (d) 에서 측정된 상기 파티클량에 따라, 상기 공정 (c) 에 있어서의 상기 필터에 대한 상기 처리액의 공급을 정지함과 함께, 상기 용해 모듈을 통과한 상기 처리액을 상기 1 차측 공급 배관으로부터 분기되는 배액 배관을 통해 배액부에 보내는 공정을 포함한다.A seventh aspect is a treatment liquid supply method for supplying a treatment liquid, comprising the steps of: (a) dissolving a gas in a stock solution of a treatment liquid by a dissolution module; (b) dissolving the treatment liquid in which the gas is dissolved into the dissolution module a step of supplying the primary supply pipe from the measuring the amount of particles in the processing liquid passing through; (e) stopping the supply of the processing liquid to the filter in the step (c) according to the amount of particles measured in the step (d) and sending the treatment liquid that has passed through the dissolution module to the drainage unit through a drainage pipe branching from the primary side supply pipe.

제 1 양태의 처리액 공급 장치에 의하면, 용해 모듈을 통과한 처리액 중의 파티클량이 저감될 때까지 처리액을 배출할 수 있다. 이로써, 용해 모듈을 통과한 처리액 중의 파티클량을 저감시킬 수 있다. 또, 필터에 대한 처리액의 공급을 정지하고, 1 차측 공급 배관을 배수 배관에 연통시킴으로써, 1 차측 공급 배관 내의 파티클을 포함하는 처리액을, 필터를 통하지 않고 배출할 수 있다. 이로써, 파티클을 포함하는 처리액이 필터를 통과하는 것을 저감시킬 수 있기 때문에, 필터의 장수명화를 도모할 수 있다. 또, 파티클을 포함하는 처리액이, 필터의 2 차측으로 확산되는 것을 저감시킬 수 있다.According to the processing liquid supply device of the first aspect, the processing liquid can be discharged until the amount of particles in the processing liquid that has passed through the dissolution module is reduced. Thereby, the amount of particles in the processing liquid that has passed through the dissolution module can be reduced. In addition, by stopping the supply of the processing liquid to the filter and connecting the primary supply pipe to the drain pipe, the processing liquid including particles in the primary supply pipe can be discharged without passing through the filter. Thereby, since it is possible to reduce the passage of the processing liquid containing particles through the filter, the life of the filter can be increased. In addition, it is possible to reduce the diffusion of the processing liquid containing particles to the secondary side of the filter.

제 2 양태의 처리액 공급 장치에 의하면, 1 차측 공급 배관에 있어서, 배액 배관을 향하는 처리액 중의 파티클량을 측정할 수 있다. 이 때문에, 배액 처리 중에 파티클량이 저감되어 있는지 여부를 확인할 수 있다.According to the processing liquid supply apparatus of the second aspect, the amount of particles in the processing liquid directed to the drainage piping in the primary supply piping can be measured. For this reason, it can be confirmed whether the amount of particles is reduced during the drainage process.

제 3 양태의 처리액 공급 장치에 의하면, 제어부가, 측정된 파티클량에 기초하여, 공급 밸브 및 배액 밸브를 자동적으로 개폐 제어하여 배액 처리를 실시하기 때문에, 작업자 부담을 경감시킬 수 있다.According to the processing liquid supply apparatus of the third aspect, the control unit automatically opens and closes the supply valve and the drain valve based on the measured amount of particles to perform the drainage process, thereby reducing the burden on the operator.

제 4 양태의 처리액 공급 장치에 의하면, 배액 처리 중에 측정된 파티클량에 따라 외부로 통지를 실시함으로써, 파츠의 보수·교환 시기 등을 작업자가 적절히 인지할 수 있다.According to the processing liquid supply device of the fourth aspect, by notifying the outside according to the amount of particles measured during the drainage processing, the operator can appropriately recognize when parts are repaired or replaced.

제 5 양태의 처리액 공급 장치에 의하면, 복수의 필터의 1 차측에서 배액을 실시함으로써, 고농도의 파티클이 필터 각각을 통과하는 것을 저감시킬 수 있다. 이 때문에, 각 필터의 장수명화를 도모할 수 있음과 함께, 파티클이 각 필터의 2 차측으로 확산되는 것을 저감시킬 수 있다.According to the processing liquid supply apparatus of the fifth aspect, by performing drainage on the primary side of the plurality of filters, it is possible to reduce the passage of high-concentration particles through each of the filters. For this reason, while being able to achieve long life of each filter, spreading|diffusion of a particle to the secondary side of each filter can be reduced.

제 6 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 용해 모듈을 통과한 처리액 중의 파티클량이 저감될 때까지 처리액을 배출할 수 있다. 이로써, 용해 모듈을 통과한 처리액 중의 파티클량을 저감시킬 수 있다. 또, 필터에 대한 처리액의 공급을 정지하고, 1 차측 공급 배관을 배수 배관에 연통시킴으로써, 1 차측 공급 배관 내의 파티클을 포함하는 처리액을, 필터를 통하지 않고 배출할 수 있다. 이로써, 필터의 장수명화를 도모할 수 있다. 또, 파티클과 함께, 파티클을 포함하는 처리액이, 처리부에 공급되는 것을 저감시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the sixth aspect, the processing liquid can be discharged until the amount of particles in the processing liquid that has passed through the dissolution module is reduced. Thereby, the amount of particles in the processing liquid that has passed through the dissolution module can be reduced. In addition, by stopping the supply of the processing liquid to the filter and connecting the primary supply pipe to the drain pipe, the processing liquid including particles in the primary supply pipe can be discharged without passing through the filter. Thereby, the life span of a filter can be attained. In addition, it is possible to reduce the supply of the processing liquid containing the particles together with the particles to the processing unit.

제 7 양태의 처리액 공급 방법에 의하면, 용해 모듈을 통과한 처리액 중의 파티클량이 저감될 때까지 처리액을 배출할 수 있다. 이로써, 용해 모듈을 통과한 처리액 중의 파티클량을 저감시킬 수 있다. 또, 필터에 대한 처리액의 공급을 정지하고, 1 차측 공급 배관을 배수 배관에 연통시킴으로써, 1 차측 공급 배관 내의 파티클을 포함하는 처리액을, 필터를 통하지 않고 배출할 수 있다. 이로써, 파티클을 포함하는 처리액이 필터를 통과하는 것을 저감시킬 수 있기 때문에, 필터의 장수명화를 도모할 수 있다. 또, 파티클을 포함하는 처리액이, 필터의 2 차측으로 확산되는 것을 저감시킬 수 있다.According to the processing liquid supply method of the seventh aspect, the processing liquid can be discharged until the amount of particles in the processing liquid that has passed through the dissolution module is reduced. Thereby, the amount of particles in the processing liquid that has passed through the dissolution module can be reduced. In addition, by stopping the supply of the processing liquid to the filter and connecting the primary supply pipe to the drain pipe, the processing liquid including particles in the primary supply pipe can be discharged without passing through the filter. Thereby, since it is possible to reduce the passage of the processing liquid containing particles through the filter, the life of the filter can be increased. In addition, it is possible to reduce the diffusion of the processing liquid containing particles to the secondary side of the filter.

도 1 은, 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 2 는, 기판 처리 장치 (1) 의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 3 은, 처리액 공급 유닛 (3) 의 배액 처리시의 동작을 설명하기 위한 플로 차트이다.
도 4 는, 제어부 (52) 에 의한 배액 처리시의 제어 내용을 설명하기 위한 타임 차트이다.
1 : is a figure which shows typically the substrate processing apparatus 1 of embodiment.
FIG. 2 is a block diagram for explaining the electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus 1 .
3 is a flowchart for explaining the operation of the processing liquid supply unit 3 during drainage processing.
4 : is a time chart for demonstrating the control content at the time of the drainage process by the control part 52. As shown in FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 이 실시형태에 기재되어 있는 구성 요소는 어디까지나 예시로, 본 발명의 범위를 그것들로만 한정하는 취지의 것은 아니다. 도면에 있어서는, 이해를 용이하게 하기 위해, 필요에 따라 각 부의 치수나 수가 과장 또는 간략화되어 도시되어 있는 경우가 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring an accompanying drawing. In addition, the components described in this embodiment are merely examples, and are not intended to limit the scope of the present invention to only them. In the drawings, in order to facilitate understanding, the dimension and number of each part may be exaggerated or simplified if necessary.

<1. 실시형태> <1. Embodiment>

도 1 은, 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 를 모식적으로 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 기판의 일례로서의 반도체 웨이퍼 (W) (이하, 간단히 「웨이퍼 (W)」라고 한다) 를 처리한다. 기판 처리 장치 (1) 는, 복수의 처리 유닛 (2) (처리부) 과, 각 처리 유닛 (2) 에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛 (3) (처리액 공급 장치) 을 구비하고 있다. 여기서는, 4 개의 처리 유닛 (2) 에 대해 1 개의 처리액 공급 유닛 (3) 으로부터 처리액이 공급되고 있지만, 각 처리 유닛에 대해 전용의 처리액 공급 유닛이 형성되어 있어도 된다.1 : is a figure which shows typically the substrate processing apparatus 1 of embodiment. The substrate processing apparatus 1 processes a semiconductor wafer W (hereinafter, simply referred to as "wafer W") as an example of a substrate. The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of processing units 2 (processing units) and a processing liquid supply unit 3 (processing liquid supply apparatus) configured to supply a processing liquid to each processing unit 2 . Here, the processing liquid is supplied from one processing liquid supply unit 3 to the four processing units 2 , but a dedicated processing liquid supply unit may be provided for each processing unit.

처리 유닛 (2) 은, 웨이퍼 (W) 를 1 장씩 처리액으로 처리하는 매엽형의 장치이다. 처리 유닛 (2) 은, 웨이퍼 (W) 를 수평하게 유지하여 회전시키는 스핀 척 (4) 과, 처리액으로서의 처리액을 웨이퍼 (W) 에 공급하는 노즐 (5) 을 구비하고 있다.The processing unit 2 is a single-wafer-type apparatus that processes the wafers W one by one with a processing liquid. The processing unit 2 includes a spin chuck 4 for rotating and holding the wafer W horizontally, and a nozzle 5 for supplying a processing liquid as a processing liquid to the wafer W.

스핀 척 (4) 은, 웨이퍼 (W) 를 거의 수평하게 유지하여 연직 축선 둘레로 회전 가능한 스핀 베이스 (8) 와, 이 스핀 베이스 (8) 를 연직 축선 둘레로 회전시키는 회전 구동 기구 (9) 를 포함한다. 노즐 (5) 은, 웨이퍼 (W) 상에서의 처리액의 착액 위치가 고정된 고정 노즐로 되어 있어도 되고, 착액 위치가 웨이퍼 (W) 의 회전 중심으로부터 웨이퍼 (W) 의 둘레 가장자리에 이르는 범위에서 이동되는 가동 노즐 (스캔 노즐) 로 되어 있어도 된다. 노즐 (5) 에는, 처리액 공급 유닛 (3) 으로부터 처리액이 공급된다.The spin chuck 4 includes a spin base 8 rotatable about a vertical axis while holding the wafer W substantially horizontally, and a rotation drive mechanism 9 for rotating the spin base 8 about a vertical axis. include The nozzle 5 may be a fixed nozzle in which the liquid landing position of the processing liquid on the wafer W is fixed, and the liquid landing position moves in a range from the rotation center of the wafer W to the peripheral edge of the wafer W. It may be a movable nozzle (scan nozzle) used. The processing liquid is supplied to the nozzle 5 from the processing liquid supply unit 3 .

처리액 공급 유닛 (3) 은, 용해 모듈 (30), 필터 (31a ∼ 31d), 1 차측 공급 배관 (32), 공급 밸브 (33), 2 차측 공급 배관 (34a ∼ 34d), 펌프 (35), 급기 밸브 (36), 배액 배관 (41), 배액 밸브 (42), 파티클 측정부 (51), 제어부 (52), 토출 밸브 (53a ∼ 53d) 를 구비하고 있다.The processing liquid supply unit 3 includes a dissolution module 30 , filters 31a to 31d , a primary side supply pipe 32 , a supply valve 33 , secondary side supply pipes 34a to 34d , and a pump 35 . , an air supply valve 36 , a drain pipe 41 , a drain valve 42 , a particle measurement unit 51 , a control unit 52 , and discharge valves 53a to 53d .

용해 모듈 (30) 은, 탄산 가스 (CO2) 와 처리액의 원액인 순수 (DIW) 를 혼합한 탄산수를 생성하는 장치이다. 용해 모듈 (30) 에는, 순수원으로부터 순수가 공급됨과 함께, 탄산 가스원 (봄베 등) 으로부터 탄산 가스가 공급된다. 순수의 공급은, 순수원과 용해 모듈 (30) 을 연결하는 배관에 형성된 펌프 (35) 에 의해 실시된다. 또, 탄산 가스의 공급은, 용해 모듈 (30) 과 탄산 가스원을 연결하는 배관에 개재 장착된 급기 밸브 (36) 에 의해 제어된다. 용해 모듈 (30) 은, 예를 들어 중공사막을 구비하고 있고, 그 중공사막을 개재하여 순수에 탄산 가스를 급기함으로써, 탄산 가스를 순수 중에 용해시킨다. 처리 유닛 (2) 에서는, 순수에 탄산 가스가 용해된 처리액 (탄산수) 으로 웨이퍼 (W) 를 처리 (린스 처리) 함으로써, 웨이퍼 (W) 의 대전을 저감시킨다.The dissolution module 30 is an apparatus for generating carbonated water in which carbon dioxide gas (CO 2 ) and pure water (DIW), which is a stock solution of a treatment liquid, are mixed. To the dissolution module 30 , while pure water is supplied from a pure water source, carbon dioxide gas is supplied from a carbon dioxide gas source (such as a cylinder). Supply of pure water is implemented by the pump 35 provided in the piping which connects a pure water source and the dissolution module 30. As shown in FIG. Moreover, supply of carbon dioxide gas is controlled by the air supply valve 36 interposed in the piping which connects the dissolution module 30 and a carbon dioxide source. The dissolution module 30 is provided with a hollow fiber membrane, for example, The carbon dioxide gas is dissolved in pure water by supplying carbon dioxide gas to pure water through the hollow fiber membrane. In the processing unit 2, the charging of the wafer W is reduced by treating (rinsing process) the wafer W with a processing liquid (carbonated water) in which carbon dioxide gas is dissolved in pure water.

필터 (31a ∼ 31d) 는, 처리 유닛 (2) 각각에 공급되는 처리액을 여과한다. 필터 (31a ∼ 31d) 는, 예를 들어, 무수한 포어공을 구비하고 있어, 처리 유닛 (2) 에 공급되는 처리액을 여과하여, 처리액으로부터 파티클을 제거한다.The filters 31a to 31d filter the processing liquid supplied to each of the processing units 2 . The filters 31a to 31d, for example, are provided with countless pores, filter the processing liquid supplied to the processing unit 2, and remove particles from the processing liquid.

1 차측 공급 배관 (32) 은, 처리액의 유로를 형성하고 있다. 1 차측 공급 배관 (32) 의 일단은 용해 모듈 (30) 에 접속되어 있다. 또, 1 차측 공급 배관 (32) 의 타단측은, 도중의 분기부 (D1) 에서 복수의 분기 배관 (320a ∼ 320d) 으로 분기되어 있다. 분기 배관 (320a ∼ 320d) 은, 필터 (31a ∼ 31d) 각각에 접속되어 있다.The primary side supply pipe 32 forms a flow path for the processing liquid. One end of the primary side supply pipe 32 is connected to the dissolution module 30 . Moreover, the other end side of the primary side supply piping 32 is branched into several branch piping 320a-320d from the branch part D1 on the way. The branch pipes 320a to 320d are connected to each of the filters 31a to 31d.

공급 밸브 (33) 는, 1 차측 공급 배관 (32) 에 개재 장착되어 있다. 보다 상세하게는, 공급 밸브 (33) 는, 용해 모듈 (30) 과 분기부 (D1) 사이에 형성되어 있다. 공급 밸브 (33) 는, 1 차측 공급 배관 (32) 이 형성하는 유로를 개폐함으로써, 용해 모듈 (30) 로부터 필터 (31a ∼ 31d) 로의 처리액 공급의 온 오프를 제어한다.The supply valve 33 is interposed in the primary side supply pipe 32 . In more detail, the supply valve 33 is formed between the dissolution module 30 and the branch part D1. The supply valve 33 controls ON/OFF of supply of the processing liquid from the dissolution module 30 to the filters 31a to 31d by opening and closing the flow path formed by the primary side supply pipe 32 .

2 차측 공급 배관 (34a) 은, 일단이 필터 (31a) 에 접속되어 있고, 타단이 복수의 처리 유닛 (2) 중 1 개의 노즐 (5) 에 접속되어 있다. 다른 2 차측 공급 배관 (34b ∼ 34d) 에 대해서도, 일단이 필터 (31b ∼ 31d) 의 1 개에 접속되어 있고, 타단이 복수의 처리 유닛 (2) 중 1 개의 노즐 (5) 에 접속되어 있다. 2 차측 공급 배관 (34a ∼ 34d) 은, 각각에 접속된 필터 (31a ∼ 31d) 에 의해 여과된 처리액을, 처리 유닛 (2) 의 노즐 (5) 에 공급한다.The secondary-side supply pipe 34a has one end connected to the filter 31a and the other end connected to one nozzle 5 among the plurality of processing units 2 . Also about the other secondary side supply piping 34b-34d, one end is connected to one of the filters 31b-31d, and the other end is connected to the nozzle 5 of one of the several processing units 2 . The secondary-side supply pipes 34a to 34d supply the processing liquid filtered by the filters 31a to 31d connected thereto to the nozzle 5 of the processing unit 2 .

2 차측 공급 배관 (34a ∼ 34d) 각각에는, 토출 밸브 (53a ∼ 53d) 가 각각 개재 장착되어 있다. 토출 밸브 (53a ∼ 53d) 는, 2 차측 공급 배관 (34a ∼ 34d) 이 형성하는 처리액의 유로를 개폐함으로써, 노즐 (5) 각각으로부터의 처리액의 토출의 온 오프를 제어한다. 또한, 토출 밸브 (53a ∼ 53d) 는, 2 차측 공급 배관 (34a ∼ 34d) 의 유로의 개도를 조정 가능하게 구성해도 된다. 이 개도 조정에 의해, 노즐 (5) 각각으로부터의 처리액의 단위 시간당 토출량이 제어 가능하게 될 수 있다.Discharge valves 53a to 53d are interposed in each of the secondary side supply pipes 34a to 34d, respectively. The discharge valves 53a to 53d control the on/off of discharge of the processing liquid from each of the nozzles 5 by opening and closing the flow path of the processing liquid formed by the secondary side supply pipes 34a to 34d. In addition, the discharge valves 53a-53d may be comprised so that the opening degree of the flow path of the secondary side supply piping 34a-34d is adjustable. By adjusting the opening degree, the discharge amount per unit time of the processing liquid from each of the nozzles 5 can be controlled.

배액 배관 (41) 은, 1 차측 공급 배관 (32) 의 공급 밸브 (33) 의 1 차측의 분기부 (D2) 로부터 분기되어, 배액 탱크 (90) 에 접속되어 있다. 배액 탱크 (90) 는, 처리액 공급 유닛 (3) 으로부터 배출된 처리액을 모아 두기 위해 형성되어 있다. 배액 탱크 (90) 에 모인 처리액은, 배출 배관 (92) 을 통해 기판 처리 장치 (1) 의 기외로 배액된다.The drain pipe 41 is branched from the branch D2 on the primary side of the supply valve 33 of the primary side supply pipe 32 , and is connected to the drain tank 90 . The drain tank 90 is formed to store the processing liquid discharged from the processing liquid supply unit 3 . The processing liquid collected in the drainage tank 90 is drained to the outside of the substrate processing apparatus 1 through the discharge pipe 92 .

배액 밸브 (42) 는, 배액 배관 (41) 에 개재 장착되어 있다. 배액 밸브 (42) 는, 배액 배관 (41) 이 형성하는 유로를 개폐함으로써, 1 차측 공급 배관 (32) 내로부터 배액 탱크 (90) 를 향한 처리액 배출의 온 오프를 제어한다.The drain valve 42 is interposed in the drain pipe 41 . The drain valve 42 controls ON/OFF of discharging the processing liquid from the inside of the primary supply pipe 32 toward the drain tank 90 by opening and closing the flow path formed by the drain pipe 41 .

공급 밸브 (33) 및 배액 밸브 (42) 는, 1 차측 공급 배관 (32) 에 형성되고, 용해 모듈 (30) 과 필터 (31a ∼ 31d) 가 연통되는 상태와, 용해 모듈 (30) 과 배액 탱크 (90) (배액부) 가 연통되는 상태 사이에서 전환하는 전환부의 일례이다.The supply valve 33 and the drain valve 42 are formed in the primary side supply pipe 32, and the state in which the dissolution module 30 and the filters 31a-31d communicate, and the dissolution module 30 and the drain tank (90) (drainage part) is an example of a switching part which switches between the communicating states.

파티클 측정부 (51) 는, 1 차측 공급 배관 (32) 을 통과하는 처리액 중의 파티클량을 측정한다. 파티클 측정부 (51) 는, 예를 들어, 처리액 중에 존재하는 파티클 (먼지나 미립자, 불순물 등) 을 계수하는 계측기 (파티클 카운터) 이다. 파티클 측정부 (51) 는, 예를 들어, 파티클로부터의 광의 산란의 강도를 측정하고, 그 파티클의 크기에 비례한 광 강도를 전기 신호로서 취출함으로써 파티클량을 측정한다.The particle measuring unit 51 measures the amount of particles in the processing liquid passing through the primary supply pipe 32 . The particle measuring unit 51 is, for example, a measuring instrument (particle counter) that counts particles (dust, fine particles, impurities, etc.) present in the processing liquid. The particle measurement unit 51 measures the amount of particles by, for example, measuring the intensity of scattering of light from the particles and extracting the light intensity proportional to the size of the particles as an electrical signal.

파티클 측정부 (51) 는, 1 차측 공급 배관 (32) 에 있어서의 용해 모듈 (30) 로부터 분기부 (D2) 까지의 사이의 배관 부분 (322) 을 통과하는 처리액 중의 파티클량을 측정한다. 여기서는, 파티클 측정부 (51) 는, 이 배관 부분 (322) 을 바이패스하는 샘플링 배관 (510) 을 갖는다. 샘플링 배관 (510) 은, 1 차측 공급 배관 (32) 보다 소직경으로 된다. 파티클 측정부 (51) 는, 샘플링 배관 (510) 을 통과하는 파티클량을 측정함으로써, 배관 부분 (322) 을 통과하는 처리액 중의 파티클량을 측정한다.The particle measurement unit 51 measures the amount of particles in the processing liquid passing through the piping portion 322 between the dissolution module 30 and the branching portion D2 in the primary supply piping 32 . Here, the particle measuring unit 51 has a sampling pipe 510 that bypasses the pipe portion 322 . The sampling pipe 510 has a smaller diameter than the primary side supply pipe 32 . The particle measurement unit 51 measures the amount of particles in the processing liquid passing through the pipe portion 322 by measuring the amount of particles passing through the sampling pipe 510 .

도 2 는, 기판 처리 장치 (1) 의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 제어부 (52) 는, 마이크로컴퓨터를 구비하고 있고, 소정의 제어 프로그램에 따라, 기판 처리 장치 (1) 에 구비된 제어 대상을 제어한다. 특히, 제어부 (52) 는, 펌프 (35), 급기 밸브 (36), 공급 밸브 (33), 배액 밸브 (42) 및 토출 밸브 (53a ∼ 53d) 를 제어한다. 제어부 (52) 에는, 파티클 측정부 (51) 가 접속되어 있다. 또한, 펌프 (35) 및 급기 밸브 (36) 를 제어부 (52) 에 의해 제어하는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 펌프 (35) 는, 처리액 공급 유닛 (3) 의 기동시에는 상시 구동함으로써, 순수원으로부터 순수를 상시 퍼내도록 해도 된다.FIG. 2 is a block diagram for explaining the electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus 1 . The control unit 52 includes a microcomputer, and controls a control target provided in the substrate processing apparatus 1 according to a predetermined control program. In particular, the control unit 52 controls the pump 35 , the air supply valve 36 , the supply valve 33 , the drain valve 42 , and the discharge valves 53a to 53d . A particle measuring unit 51 is connected to the control unit 52 . In addition, it is not essential to control the pump 35 and the air supply valve 36 by the control part 52. For example, the pump 35 may be constantly driven when the processing liquid supply unit 3 is started to constantly pump out pure water from the pure water source.

또, 제어부 (52) 에는, 기억부 (94) 가 접속되어 있다. 기억부 (94) 에는, 레시피 (940) 가 보존되어 있다. 레시피 (940) 에는, 처리 유닛 (2) 에 있어서 웨이퍼 (W) 에 대해 실시되어야 하는 처리의 조건이 소정의 데이터 형식으로 기술되어 있다. 구체적으로는, 처리 순서 또는 처리 내용 (처리 시간, 온도, 압력 또는 공급량) 등이 기술되어 있다. 제어부 (52) 는, 기억부 (94) 에 액세스하여 레시피 (940) 를 적절히 판독 출력 가능하게 되어 있다.Moreover, the memory|storage part 94 is connected to the control part 52. As shown in FIG. A recipe 940 is stored in the storage unit 94 . In the recipe 940 , the conditions of the processing to be performed on the wafer W in the processing unit 2 are described in a predetermined data format. Specifically, the treatment sequence or treatment content (treatment time, temperature, pressure or supply amount) and the like are described. The control unit 52 accesses the storage unit 94 so that the recipe 940 can be read and output appropriately.

제어부 (52) 는, 파티클 측정부 (51) 에 의해 측정된, 1 차측 공급 배관 (32) 을 통과하는 처리액 중의 파티클량에 기초하여, 필터 (31a ∼ 31d) 에 대한 처리액의 공급 또는 정지하는 판단을 한다. 상세하게는, 제어부 (52) 는, 파티클량이 소정의 배액 기준치를 초과한 경우에, 공급 밸브 (33) 및 배액 밸브 (42) 의 개폐를 제어함으로써, 용해 모듈 (30) 및 1 차측 공급 배관 (32) 내의 처리액을 배출하는 배액 처리를 실시한다. 제어부 (52) 는, 배액 처리를 실시하는 경우, 공급 밸브 (33) 를 폐쇄하고, 배액 밸브 (42) 를 개방한다. 이 상태에서, 펌프 (35) 에 의해 용해 모듈 (30) 에 보내진 처리액이, 용해 모듈 (30) 및 1 차측 공급 배관 (32) 을 지나, 배액 배관 (41) 에 유입되고, 그리고 배액된다. 이로써, 용해 모듈 (30) 이나 1 차측 공급 배관 (32) 등에 축적되어 있던 파티클이, 처리액에 의해 적절히 씻겨내진다.The control unit 52 is configured to supply or stop the processing liquid to the filters 31a to 31d based on the amount of particles in the processing liquid passing through the primary supply pipe 32 measured by the particle measuring unit 51 . make a judgment Specifically, the control unit 52 controls the opening and closing of the supply valve 33 and the drainage valve 42 when the amount of particles exceeds a predetermined drainage reference value, thereby controlling the dissolution module 30 and the primary side supply pipe ( 32) A drainage treatment for discharging the internal treatment liquid is performed. The control unit 52 closes the supply valve 33 and opens the drain valve 42 when performing the drainage process. In this state, the processing liquid sent to the dissolution module 30 by the pump 35 passes through the dissolution module 30 and the primary-side supply pipe 32 , flows into the drainage pipe 41 , and is drained. Thereby, the particles accumulated in the dissolution module 30 , the primary side supply pipe 32 , etc. are appropriately washed away by the processing liquid.

배액 처리시에 있어서는, 급기 밸브 (36) 를 폐쇄함으로써, 이산화탄소를 함유하지 않는 순수만이 용해 모듈 (30) 및 1 차측 공급 배관 (32) 을 통과한다. 이 경우, 주로 순수에 의해, 용해 모듈 (30) 및 1 차측 공급 배관 (32) 의 내부가 정화된다. 단, 배액 처리시에 용해 모듈 (30) 에 탄산 가스를 공급함으로써, 이산화탄소를 함유하는 처리액이 1 차측 공급 배관 (32) 을 통과하게 해도 된다.At the time of the drainage treatment, by closing the air supply valve 36 , only pure water containing no carbon dioxide passes through the dissolution module 30 and the primary side supply pipe 32 . In this case, the inside of the dissolution module 30 and the primary side supply pipe 32 is mainly purified by pure water. However, by supplying carbon dioxide gas to the dissolution module 30 at the time of a drainage process, you may make the process liquid containing a carbon dioxide pass through the primary side supply pipe 32 .

<처리액 공급 유닛 (3) 의 동작 설명> <Explanation of operation of processing liquid supply unit 3>

제어부 (52) 는, 처리 유닛 (2) 각각에 처리액을 공급하는 경우, 펌프 (35) 를 구동함과 함께, 급기 밸브 (36) 를 개방한다. 이로써, 용해 모듈 (30) 에 있어서, 처리액 (탄산수) 이 생성된다. 그리고, 제어부 (52) 는, 공급 밸브 (33) 를 개방 상태로 하고, 배액 밸브 (42) 를 폐쇄 상태로 하여, 용해 모듈 (30) 에서 생성된 처리액을, 1 차측 공급 배관 (32) 을 통해 필터 (31a ∼ 31d) 에 공급한다 (공급 공정). 그러면, 필터 (31a ∼ 31d) 각각을 처리액이 통과함으로써, 처리액이 여과된다 (여과 공정). 이 여과에 의해 파티클이 제거된 처리액이, 처리 유닛 (2) 각각에 보내지면, 각 처리 유닛 (2) 의 노즐 (5) 로부터 웨이퍼 (W) 에 공급되어, 웨이퍼 (W) 가 처리된다.When supplying the processing liquid to each of the processing units 2 , the control unit 52 drives the pump 35 and opens the air supply valve 36 . Thereby, in the dissolution module 30, a processing liquid (carbonated water) is produced|generated. Then, the control unit 52 puts the supply valve 33 in the open state and the drain valve 42 in the closed state, and transfers the processing liquid generated in the dissolution module 30 to the primary side supply pipe 32 . It is supplied to the filters 31a to 31d through the passage (supply process). Then, the processing liquid passes through each of the filters 31a to 31d, whereby the processing liquid is filtered (filtration step). When the processing liquid from which particles have been removed by this filtration is sent to each of the processing units 2 , it is supplied to the wafer W from the nozzle 5 of each processing unit 2 , and the wafer W is processed.

도 3 은, 처리액 공급 유닛 (3) 의 배액 처리시의 동작을 설명하기 위한 플로 차트이다. 도 4 는, 제어부 (52) 에 의한 배액 처리시의 제어 내용을 설명하기 위한 타임 차트이다.3 is a flowchart for explaining the operation of the processing liquid supply unit 3 during drainage processing. 4 is a time chart for explaining the contents of the control by the control unit 52 at the time of drainage processing.

도 3 에 나타내는 바와 같이, 처리액 공급 유닛 (3) 에 있어서의 배액 처리의 동작에는, 제어부 (52) 가, 소정의 판단 기준에 기초하여, 배액 처리의 필요 여부를 판단하는 스텝 S1 을 포함한다. 이 스텝 S1 에서는, 상기 서술한 바와 같이, 파티클량을 판단 기준으로 한다.As shown in FIG. 3 , the operation of the drainage processing in the processing liquid supply unit 3 includes a step S1 in which the control unit 52 determines whether the drainage processing is necessary based on a predetermined criterion. . In this step S1, as described above, the amount of particles is used as a criterion for judgment.

구체적으로는, 파티클 측정부 (51) 가 파티클량을 측정한다 (파티클량 측정 공정). 그리고, 제어부 (52) 는, 그 측정 결과인 파티클량의 정보를 수취하면, 그 파티클량이 소정의 배액 기준치를 초과하는지 여부를 판단한다. 초과하지 않는 경우 (스텝 S1 에서 No), 스텝 S1 이 다시 실행된다. 또한, 이 경우, 스텝 S1 의 판단은, 파티클 측정부 (51) 가 파티클량을 측정하는 사이클마다 실시되면 된다. 파티클량이 배액 기준치를 초과한 경우 (스텝 S1 에 있어서 Yes), 제어부 (52) 는, 다음의 스텝 S2 를 실행한다.Specifically, the particle measurement unit 51 measures the amount of particles (particle amount measurement step). Then, upon receiving the information on the amount of particles that is the measurement result, the control unit 52 determines whether the amount of particles exceeds a predetermined drainage reference value. If not exceeded (No in step S1), step S1 is executed again. In this case, the determination of step S1 should just be performed for each cycle in which the particle measurement unit 51 measures the amount of particles. When the amount of particles exceeds the drainage standard value (Yes in step S1), the control unit 52 executes the next step S2.

스텝 S2 에서는, 제어부 (52) 가, 공급 밸브 (33) 를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 한다. 도 4 에 나타내는 바와 같이, 공급 밸브 (33) 가 폐쇄되면, 처리액이 필터 (31a ∼ 31d) 에 공급되는 상태로부터, 정지되는 상태가 된다.In step S2, the control part 52 sets the supply valve 33 from an open state to a closed state. As shown in FIG. 4 , when the supply valve 33 is closed, the processing liquid is supplied to the filters 31a to 31d to a stopped state.

제어부 (52) 는, 공급 밸브 (33) 를 폐쇄하면, 그보다 약간 늦게, 혹은, 그것과 거의 동시의 타이밍에서, 배액 밸브 (42) 를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 한다 (도 3 의 스텝 S3, 도 4 참조). 이로써, 용해 모듈 (30), 1 차측 공급 배관 (32) (상세하게는, 배관 부분 (322)) 및 배액 배관 (41) 이, 배액 탱크 (90) 에 연통되는 상태가 된다. 이 때, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 펌프 (35) 는 가동 상태이다. 또, 급기 밸브 (36) 가 폐쇄된다. 이 때문에, 이산화탄소를 함유하지 않는 처리액의 원액 (순수) 이, 용해 모듈 (30) 로부터 1 차측 공급 배관 (32) 을 지나 배액 배관 (41) 에 유입되고, 배액 탱크 (90) 를 향해 배출된다 (배액 공정). 또한, 상기 서술한 바와 같이, 배액 공정에 있어서는, 급기 밸브 (36) 를 폐쇄하는 것은 필수는 아니다. 즉, 이산화탄소를 함유하는 처리액을 배액하도록 해도 된다.When the supply valve 33 is closed, the control unit 52 sets the drain valve 42 from the closed state to the open state at a slightly later or substantially the same timing as that (step S3 in Fig. 3 , Fig. 3 ). see 4). Thereby, the dissolution module 30 , the primary side supply pipe 32 (in detail, the pipe part 322 ), and the drain pipe 41 are in a state in which the drain tank 90 communicates. At this time, as shown in FIG. 4, the pump 35 is in an operating state. Further, the air supply valve 36 is closed. For this reason, the stock solution (pure water) of the treatment liquid not containing carbon dioxide flows from the dissolution module 30 through the primary side supply pipe 32 into the drainage pipe 41 , and is discharged toward the drainage tank 90 . (drainage process). In addition, as mentioned above, it is not essential to close the air supply valve 36 in a drainage process. That is, you may make it drain the process liquid containing carbon dioxide.

도 4 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 배액 공정에서는, 배액 밸브 (42) 를 개방한 후, 공급 밸브 (33) 는 폐쇄한 채로, 배액 밸브 (42) 를 소정 시간 T1 분만큼 폐쇄로 하고 다시 소정 시간 분만큼 개방하는 사이클 제어를 복수 회 (여기서는 4 회) 실시하고 있다. 이와 같이, 배액 밸브 (42) 를 정기적으로 폐쇄함으로써, 용해 모듈 (30) 및 1 차측 공급 배관 (32) 내의 처리액의 흐름을 간헐적으로 정지시킬 수 있다. 이하, 이와 같은 배액 처리를 「플래시 배액 처리」라고 부른다. 플래시 배액 처리에 의하면, 처리액의 흐름에 완급을 부여할 수 있기 때문에, 용해 모듈 (30) 및 1 차측 공급 배관 (32) 의 내부에 부착되어 있던 파티클이 떨어지기 쉬워지므로, 파티클 제거 효율의 향상을 기대할 수 있다.As shown in FIG. 4 , in the draining step of the present embodiment, after the draining valve 42 is opened, the draining valve 42 is closed for a predetermined period of time T1 minutes while the supplying valve 33 is closed, and then again Cycle control to open for a predetermined amount of time is performed a plurality of times (in this case, 4 times). In this way, by periodically closing the drain valve 42 , it is possible to intermittently stop the flow of the processing liquid in the dissolution module 30 and the primary-side supply pipe 32 . Hereinafter, such a draining process is called "flash draining process". According to the flash drainage treatment, since it is possible to provide a slow rate to the flow of the treatment liquid, the particles adhering to the inside of the dissolution module 30 and the primary side supply pipe 32 are easily removed, so that the particle removal efficiency is improved can be expected

또한, 제어부 (52) 가, 플래시 배액 처리에 있어서, 배액 밸브 (42) 를 개폐 제어할 때에, 도 4 중 파선으로 나타내는 바와 같이, 펌프 (35) 의 구동을 온 오프 제어해도 된다. 즉, 배액 밸브 (42) 를 폐쇄하는 타이밍에 맞추어 펌프 (35) 를 정지시키고, 배액 밸브 (42) 를 개방하는 타이밍에 맞추어 펌프 (35) 를 구동시켜도 된다. 이로써, 배액 밸브 (42) 의 폐쇄시에 용해 모듈 (30) 또는 1 차측 공급 배관 (32) 의 내부의 압력 상승을 억제할 수 있다. 따라서, 용해 모듈 (30) 이나 펌프 (35) 에 가해지는 부담을 경감시킬 수 있다.In addition, when the control part 52 controls opening/closing of the drain valve 42 in the flash drainage process, as shown by the broken line in FIG. 4, you may control the drive of the pump 35 on-off. That is, the pump 35 may be stopped according to the timing of closing the drain valve 42 , and the pump 35 may be driven according to the timing of opening the drain valve 42 . Thereby, when the drain valve 42 is closed, the pressure rise inside the dissolution module 30 or the primary side supply pipe 32 can be suppressed. Therefore, the load applied to the dissolution module 30 or the pump 35 can be reduced.

또, 배액 공정 동안, 배액 밸브 (42) 를 상시 개방하고, 펌프 (35) 의 구동을 온 오프 제어해도 된다. 이 경우에 있어서도, 플래시 배액 처리를 실행하는 것이 가능하다. 또, 플래시 배액 처리를 실행하는 것은 필수는 아니다. 요컨대, 배액 공정에 있어서, 펌프 (35) 를 상시 구동함과 함께, 배액 밸브 (42) 를 상시 개방해도 된다.In addition, during the draining process, the drain valve 42 may be always opened, and the driving of the pump 35 may be controlled on/off. Also in this case, it is possible to execute the flash draining process. In addition, it is not essential to perform the flash drainage process. That is, in the draining step, the pump 35 may be constantly driven and the drain valve 42 may be always opened.

또, 배액 공정에 있어서, 제어부 (52) 가 특정 조건을 만족하는 것으로 판단하였을 때에, 플래시 배액 처리가 실시되도록 해도 된다. 「특정 조건」이란, 예를 들어, 파티클 측정부 (51) 에 의해 측정된 파티클량이 소정의 임계치를 초과하는 이상치일 때이다.In addition, in the draining step, when the control section 52 determines that a specific condition is satisfied, the flash draining process may be performed. The "specific condition" is, for example, when the amount of particles measured by the particle measurement unit 51 is an abnormal value exceeding a predetermined threshold.

스텝 S3 에 있어서, 배액 밸브 (42) 가 개방된 후, 제어부 (52) 는, 파티클 측정부 (51) 에 의해 측정되는 파티클량이 소정의 허용치 이하가 되었는지 여부를 판단한다 (스텝 S4). 처리액의 배출에 의해 용해 모듈 (30) 및 1 차측 공급 배관 (32) 내부의 파티클이 제거된 경우에는, 파티클량이 감소할 것으로 기대된다. 이 때문에, 스텝 S5 에 있어서, 파티클량을 감시함으로써, 배액을 계속할지 여부가 판단된다.In step S3, after the drain valve 42 is opened, the control unit 52 determines whether or not the amount of particles measured by the particle measuring unit 51 has become equal to or less than a predetermined allowable value (step S4). When the particles in the dissolution module 30 and the primary side supply pipe 32 are removed by discharging the treatment liquid, the amount of particles is expected to decrease. For this reason, in step S5, by monitoring the amount of particles, it is determined whether or not to continue draining.

파티클량이 소정의 허용치를 초과한 경우 (스텝 S4 에 있어서 No), 스텝 S3 으로 되돌아가, 처리액의 배출이 계속해서 실시된다. 한편, 처리액의 배출에 의해 파티클량이 소정의 허용치 이하가 된 경우 (스텝 S4 에 있어서 Yes), 제어부 (52) 는, 배액 밸브 (42) 를 폐쇄 상태로 한다 (도 3 의 스텝 S5, 도 4 참조). 배액 밸브 (42) 가 폐쇄됨으로써, 처리액의 배출이 정지된다. 이와 같이, 제어부 (52) 가 파티클량을 감시하여 배액 처리를 실시함으로써, 배액 처리가 필요 이상으로 실시되는 것을 억제할 수 있다.When the amount of particles exceeds the predetermined allowable value (No in step S4), the flow returns to step S3 and the processing liquid is continuously discharged. On the other hand, when the amount of particles becomes less than or equal to the predetermined allowable value due to discharging of the processing liquid (Yes in step S4), the control unit 52 sets the drain valve 42 to a closed state (steps S5 in FIG. 3, FIG. 4 ). Reference). When the drain valve 42 is closed, the discharge of the processing liquid is stopped. In this way, when the control unit 52 monitors the amount of particles and performs the draining process, it is possible to suppress the draining process from being performed more than necessary.

또한, 스텝 S4 에 있어서, 파티클 측정부 (51) 가 측정하는 파티클량에 따라, 제어부 (52) 가 출력 장치 (표시 장치, 인쇄 장치 또는 램프 등) 에 의해 외부로 통지를 출력해도 된다. 예를 들어, 배액 처리의 계속 시간 (또는, 처리액의 배출량) 에 관하여, 미리 기준치를 정하는 것을 생각할 수 있다. 즉, 스텝 S4 에 있어서, 배액 처리의 계속 시간 (또는, 처리액의 배출량) 이 기준치를 초과해도, 파티클량이 허용치를 하회하지 않는 경우, 제어부 (52) 가 출력 장치에 의해 외부로 통지를 출력하면 된다. 이 통지에 의해, 작업자는, 처리액 공급 유닛 (3) 의 이상을 인지할 수 있기 때문에, 용해 모듈 (30) 등의 파츠의 보수·교환 시기를 적절히 인지할 수 있다.In addition, in step S4, the control part 52 may output a notification to the outside by an output device (a display device, a printing device, a lamp, etc.) according to the particle amount measured by the particle measuring part 51. FIG. For example, it is conceivable to set a reference value in advance with respect to the duration of the drainage treatment (or the discharge amount of the treatment liquid). That is, in step S4, if the amount of particles does not fall below the allowable value even if the duration of the drainage processing (or the amount of the processing liquid) exceeds the reference value, the control unit 52 outputs a notification to the outside by the output device do. By this notification, the operator can recognize the abnormality of the processing liquid supply unit 3 , and therefore can appropriately recognize the maintenance/replacement timing of parts such as the dissolution module 30 .

제어부 (52) 는, 배액 밸브 (42) 를 폐쇄 상태로 하면, 그보다 약간 늦게, 혹은, 그것과 거의 동시의 타이밍에서, 공급 밸브 (33) 를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 한다 (도 3 의 스텝 S6, 도 4 참조). 또, 급기 밸브 (36) 가 개방됨으로써, 용해 모듈 (30) 에 대해 탄산 가스가 공급된다. 이로써, 이산화탄소를 함유하는 처리액이 다시 1 차측 공급 배관 (32) 내를 흘러, 필터 (31a ∼ 31d) 각각에 공급되는 상태가 된다 (도 4 참조). 즉, 처리액 공급 유닛 (3) 이 처리 유닛 (2) 에 대해 처리액 공급 가능한 상태가 된다.When the drain valve 42 is placed in the closed state, the control unit 52 changes the supply valve 33 from the closed state to the open state at a slightly later or substantially the same timing as that (step S6 in FIG. 3 ). , see Fig. 4). In addition, when the air supply valve 36 is opened, carbon dioxide gas is supplied to the dissolution module 30 . As a result, the processing liquid containing carbon dioxide flows again in the primary side supply pipe 32 and is supplied to each of the filters 31a to 31d (refer to FIG. 4 ). That is, the processing liquid supply unit 3 is in a state capable of supplying the processing liquid to the processing unit 2 .

이상과 같이, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 에 의하면, 처리액 공급 유닛 (3) 에 있어서, 공급 밸브 (33) 가 폐쇄되고 (스텝 S2), 배액 밸브 (42) 가 개방된다 (스텝 S3). 이로써, 용해 모듈 (30) 을 통과한 처리액 중의 파티클량을 저감시킬 수 있다. 또, 필터 (31a ∼ 31d) 보다 1 차측 (즉, 처리액의 공급원측) 에 있어서, 처리액을 배출할 수 있다. 따라서, 용해 모듈 (30), 1 차측 공급 배관 (32) 또는 그 이외의 발진원 (發塵源) 에서 발생한 파티클이, 필터 (31a ∼ 31d) 를 통하지 않고, 외부로 배출된다. 이 경우, 필터 (31a ∼ 31d) 의 1 차측에서 발생한 파티클을 많이 포함하는 처리액이, 필터 (31a ∼ 31d) 를 통과하는 것을 저감시킬 수 있다. 이로써, 필터 (31a ∼ 31d) 의 장수명화를 도모할 수 있다.As described above, according to the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, in the processing liquid supply unit 3 , the supply valve 33 is closed (step S2 ) and the drain valve 42 is opened (step S2 ). S3). Thereby, the amount of particles in the processing liquid that has passed through the dissolution module 30 can be reduced. In addition, the processing liquid can be discharged from the primary side (ie, the processing liquid supply source side) rather than the filters 31a to 31d. Accordingly, particles generated from the dissolution module 30 , the primary side supply pipe 32 , or other oscillation sources are discharged to the outside without passing through the filters 31a to 31d . In this case, the passage of the processing liquid containing many particles generated on the primary side of the filters 31a to 31d through the filters 31a to 31d can be reduced. Thereby, lifetime improvement of the filters 31a-31d can be achieved.

또, 필터 (31a ∼ 31d) 의 1 차측에서 많은 파티클을 포함하는 처리액을 배출할 수 있기 때문에, 그 파티클을 포함하는 처리액이, 필터 (31a ∼ 31d) 의 2 차측으로 확산될 리스크를 저감시킬 수 있다.In addition, since the processing liquid containing many particles can be discharged from the primary side of the filters 31a to 31d, the risk that the processing liquid containing the particles diffuses to the secondary side of the filters 31a to 31d is reduced can do it

또, 파티클 측정부 (51) 에 의해 측정되는 파티클량에 기초하여 배액 처리를 실시하는 경우에는, 고농도의 파티클을 포함하는 처리액이 필터 (31a ∼ 31d) 를 통과하는 것을 적절히 억제할 수 있다. 또, 파티클을 많이 포함하는 처리액이 웨이퍼 (W) 의 처리에 사용되는 것을 억제할 수 있다. 또, 배액 처리가 불필요하게 실시되는 것을 억제할 수 있다.In addition, when the drainage treatment is performed based on the amount of particles measured by the particle measuring unit 51 , it is possible to appropriately suppress the processing liquid containing high-concentration particles from passing through the filters 31a to 31d. In addition, it is possible to suppress that the processing liquid containing many particles is used for processing the wafer W. Moreover, it can suppress that a drainage process is performed unnecessarily.

<2. 변형예> <2. Modifications>

이상, 실시형태에 대해 설명해 왔지만, 본 발명은 상기와 같은 것으로 한정되는 것은 아니고, 다양한 변형이 가능하다.As mentioned above, although embodiment has been described, this invention is not limited to the above, and various deformation|transformation is possible.

예를 들어, 파티클 측정부 (51) 가 측정하는 파티클량에 대해, 미리, 용해 모듈 (30) 등의 파츠를 보수·교환하는 기준이 되는 메인터넌스 기준치가 설정되어도 된다. 구체적으로는, 파티클량이 소정의 메인터넌스 기준치를 초과한 경우, 제어부 (52) 가, 출력 장치 (표시 장치, 인쇄 장치 또는 램프 등) 에 의해 외부로 통지를 출력하도록 해도 된다. 외부로 통지가 이루어짐으로써, 작업자는, 용해 모듈 (30) 등의 파츠의 보수·교환 시기를 적절히 인지할 수 있다.For example, with respect to the amount of particles measured by the particle measuring unit 51 , a maintenance standard value serving as a standard for repairing/replacing parts such as the dissolution module 30 may be set in advance. Specifically, when the amount of particles exceeds a predetermined maintenance reference value, the control unit 52 may output a notification to the outside by an output device (display device, printing device, lamp, etc.). When the notification is made externally, the operator can appropriately recognize the repair/exchange timing of parts such as the dissolution module 30 .

또, 공급 밸브 (33) 및 배액 밸브 (42) 는, 상기 실시형태와 같이, 제어부 (52) 의 제어하에서 전동 개폐 가능하게 구성되어도 되지만, 적어도 일방을 수동으로 개폐 가능하게 구성되어도 된다. 단, 자동으로 개폐 제어함으로써, 작업자 부담을 경감시킬 수 있다.Moreover, although the supply valve 33 and the drain valve 42 may be comprised so that electric opening and closing is possible under the control of the control part 52 like the said embodiment, at least one may be comprised so that opening and closing is possible manually. However, by automatically opening/closing control, the burden on the operator can be reduced.

또, 전환부로서 공급 밸브 (33) 및 배액 밸브 (42) 를 1 차측 공급 배관 (32) 에 개재 장착하는 대신에, 이것들의 기능을 겸비하는 3 방 밸브를 이용하는 것도 생각할 수 있다. 이 경우, 1 차측 공급 배관 (32) 에 있어서의 배액 배관 (41) 에 연결되는 분기부 (D2) 에 3 방 밸브를 형성하면 된다.Moreover, instead of interposing the supply valve 33 and the drain valve 42 to the primary side supply piping 32 as a switching part, it is also conceivable to use the 3-way valve which has these functions. In this case, what is necessary is just to provide a three-way valve in the branch part D2 connected to the drain pipe 41 in the primary side supply pipe 32. As shown in FIG.

처리액 공급 유닛 (3) 이 공급하는 처리액은, 탄소 가스를 용해시킨 것에 한정되지 않고, 예를 들어 질소 가스 등의 다른 종류의 가스를 용해시킨 것으로 해도 된다. 또, 탄산수 또는 질소 가스 등의 다른 종류의 가스를 용해시킨 액체에, 약액 등의 다른 액체를 혼합시킨 것을 처리액으로 해도 된다.The processing liquid supplied by the processing liquid supply unit 3 is not limited to one in which carbon gas is dissolved, and for example, another type of gas such as nitrogen gas may be dissolved in the processing liquid. Moreover, it is good also considering what mixed other liquids, such as a chemical|medical solution, with the liquid in which carbonated water or another type of gas, such as nitrogen gas, was dissolved as a processing liquid.

상기 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 는, 처리 유닛 (2) 에서 웨이퍼 (W) 를 1 장씩 처리액으로 처리하는 매엽식의 장치이다. 그러나, 본 발명은, 동시에 복수 장의 웨이퍼 (W) 를 처리액으로 처리하는 배치식의 처리 유닛을 구비한 기판 처리 장치에도 적용 가능하다.The substrate processing apparatus 1 of the above embodiment is a single-wafer type apparatus that processes the wafers W one by one with a processing liquid in the processing unit 2 . However, the present invention is also applicable to a substrate processing apparatus provided with a batch-type processing unit that simultaneously processes a plurality of wafers W with a processing liquid.

또, 전술한 실시형태에서는, 처리 대상이 되는 기판으로서 웨이퍼 (W) 를 채택하였지만, 웨이퍼 (W) 에 한정되지 않고, 예를 들어, 액정 표시 장치용 유리 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등의 다른 종류의 기판이 처리 대상으로 되어도 된다.Moreover, in the above-mentioned embodiment, although the wafer W was adopted as the substrate to be processed, it is not limited to the wafer W, for example, a glass substrate for a liquid crystal display device, a substrate for a plasma display, and a substrate for an FED. , substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, substrates for magneto-optical disks, substrates for photomasks, ceramic substrates, substrates for solar cells, and the like may be processed.

본 발명은 상세하게 설명되었지만, 상기의 설명은, 모든 국면에 있어서 예시로서, 본 발명이 그것에 한정되는 것은 아니다. 예시되어 있지 않은 무수한 변형예가, 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 상정될 수 있는 것으로 해석된다. 상기 각 실시형태 및 각 변형예에서 설명한 각 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적절히 조합하거나 생략하거나 할 수 있다.Although the present invention has been described in detail, the above description is illustrative in all aspects, and the present invention is not limited thereto. It is to be understood that numerous modifications not illustrated can be made without departing from the scope of the present invention. Each structure demonstrated in each said embodiment and each modified example can be combined or abbreviate|omitted suitably unless it contradicts each other.

1 : 기판 처리 장치
2 : 처리 유닛 (처리부)
3 : 처리액 공급 유닛 (처리액 공급 장치)
30 : 용해 모듈
31a ∼ 31d : 필터
32 : 1 차측 공급 배관
320a ∼ 320d : 분기 배관
33 : 공급 밸브
34a ∼ 34d : 2 차측 공급 배관
35 : 펌프
41 : 배액 배관
42 : 배액 밸브
51 : 파티클 측정부
52 : 제어부
90 : 배액 탱크 (배액부)
92 : 배출 배관
D1, D2 : 분기부 (접속 부분)
W : 웨이퍼
1: Substrate processing device
2: processing unit (processing unit)
3: processing liquid supply unit (processing liquid supply device)
30: melting module
31a ~ 31d: filter
32: primary supply piping
320a ~ 320d: branch piping
33: supply valve
34a ~ 34d : Secondary side supply pipe
35: pump
41: drain pipe
42: drain valve
51: particle measurement unit
52: control unit
90: drain tank (drainage part)
92: exhaust pipe
D1, D2: branch (connection part)
W: Wafer

Claims (7)

처리액을 공급하는 처리액 공급 장치로서,
처리액의 원액에 기체를 용해시키는 용해 모듈과,
그 일방단이 상기 용해 모듈의 2 차측에 접속되어 있는 1 차측 공급 배관과,
상기 1 차측 공급 배관의 타방단에 접속되고, 상기 처리액을 여과하는 필터와,
상기 필터의 2 차측에 접속되고, 상기 필터를 통과한 상기 처리액이 통과하는 유로를 형성하는 2 차측 공급 배관과,
상기 1 차측 공급 배관에 접속되어 있고, 상기 처리액을 배액부에 보내는 배액 배관과,
상기 1 차측 공급 배관에 형성되고, 상기 용해 모듈과 상기 필터가 연통되는 상태와, 상기 용해 모듈과 상기 배액부가 연통되는 상태 사이에서 전환하는 전환부와,
상기 전환부의 1 차측에 형성되고, 상기 1 차측 공급 배관을 통과하는 상기 처리액 중의 파티클량을 측정하는 파티클 측정부와,
상기 파티클 측정부에 의해 측정된 상기 파티클량에 따라, 상기 전환부에 의한 전환 동작을 제어하는 제어부를 구비하는, 처리액 공급 장치.
A processing liquid supply device for supplying a processing liquid, comprising:
A dissolution module for dissolving gas in the stock solution of the treatment solution;
a primary side supply pipe whose one end is connected to the secondary side of the dissolution module;
a filter connected to the other end of the primary supply pipe and filtering the treatment liquid;
a secondary supply pipe connected to the secondary side of the filter and forming a flow path through which the processing liquid that has passed through the filter passes;
a drainage pipe connected to the primary side supply pipe and sending the processing liquid to a drainage unit;
a switching unit formed in the primary side supply pipe and switching between a state in which the dissolution module and the filter are in communication and a state in which the dissolution module and the drain unit are in communication;
a particle measuring unit formed on the primary side of the conversion unit and measuring the amount of particles in the processing liquid passing through the primary side supply pipe;
and a control unit controlling a switching operation by the switching unit according to the amount of particles measured by the particle measuring unit.
제 1 항에 있어서,
상기 파티클 측정부는, 상기 1 차측 공급 배관에 있어서의 상기 배액 배관이 접속된 부분보다 1 차측에 있는 배관 부분을 바이패스하는 샘플링 배관을 갖고, 당해 샘플링 배관을 통과하는 파티클량을 측정함으로써, 상기 배관 부분을 통과하는 상기 처리액 중의 상기 파티클량을 측정하는, 처리액 공급 장치.
The method of claim 1,
The particle measuring unit has a sampling pipe that bypasses a piping portion on the primary side of the primary side supply piping to which the drain piping is connected, and measures the amount of particles passing through the sampling piping to measure the amount of particles passing through the piping. A processing liquid supply device for measuring the amount of particles in the processing liquid passing through the portion.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 전환부는,
상기 1 차측 공급 배관에 개재 장착되고, 상기 1 차측 공급 배관 내의 유로를 개폐하는 공급 밸브와,
상기 배액 배관에 개재 장착되고, 상기 배액 배관 내의 유로를 개폐하는 배액 밸브를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 공급 밸브 및 상기 배액 밸브의 개폐 동작을 제어하는, 처리액 공급 장치.
3. The method of claim 1 or 2,
The conversion unit,
a supply valve interposed in the primary supply pipe and configured to open and close a flow path in the primary supply pipe;
and a drain valve interposed in the drain pipe and configured to open and close a flow path in the drain pipe,
The control unit controls opening and closing operations of the supply valve and the drain valve.
제 3 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 공급 밸브를 폐쇄하며 또한 상기 배액 밸브를 개방한 상태에서, 상기 파티클 측정부에 의해 측정되는 상기 파티클량에 따라, 출력 장치에 의해 외부로 통지를 출력하는, 처리액 공급 장치.
4. The method of claim 3,
wherein the control unit outputs a notification to the outside by an output device according to the amount of particles measured by the particle measuring unit in a state in which the supply valve is closed and the drain valve is opened.
제 3 항에 있어서,
상기 1 차측 공급 배관은 상기 전환부의 2 차측에 있어서 복수의 분기 배관으로 분기되어 있고, 그 복수의 분기 배관 각각에 1 개의 상기 필터가 각각 접속되어 있는, 처리액 공급 장치.
4. The method of claim 3,
The processing liquid supply apparatus, wherein the primary supply pipe is branched into a plurality of branch pipes on a secondary side of the switching unit, and one filter is connected to each of the plurality of branch pipes.
기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
제 1 항 또는 제 2 항의 처리액 공급 장치와,
상기 처리액 공급 장치의 상기 필터에 의해 여과된 상기 처리액으로 기판을 처리하는 처리부를 구비하는, 기판 처리 장치.
A substrate processing apparatus for processing a substrate, comprising:
The processing liquid supply device of claim 1 or 2;
and a processing unit configured to process a substrate with the processing liquid filtered by the filter of the processing liquid supply apparatus.
처리액을 공급하는 처리액 공급 방법으로서,
(a) 용해 모듈에 의해 처리액의 원액에 기체를 용해시키는 공정과,
(b) 상기 기체가 용해된 상기 처리액을 상기 용해 모듈로부터 1 차측 공급 배관에 공급하는 공정과,
(c) 상기 1 차측 공급 배관을 통과한 상기 처리액을 상기 1 차측 공급 배관에 접속된 필터로 여과하는 공정과,
(d) 상기 1 차측 공급 배관을 통과하는 상기 처리액 중의 파티클량을 측정하는 공정과,
(e) 상기 공정 (d) 에서 측정된 상기 파티클량에 따라, 상기 공정 (c) 에 있어서의 상기 필터에 대한 상기 처리액의 공급을 정지함과 함께, 상기 용해 모듈을 통과한 상기 처리액을 상기 1 차측 공급 배관으로부터 분기되는 배액 배관을 통해 배액부에 보내는 공정을 포함하는, 처리액 공급 방법.
As a treatment liquid supply method for supplying a treatment liquid,
(a) dissolving the gas in the stock solution of the treatment solution by the dissolution module;
(b) supplying the treatment liquid in which the gas is dissolved from the dissolution module to a primary supply pipe;
(c) filtering the treatment liquid that has passed through the primary supply pipe through a filter connected to the primary supply pipe;
(d) measuring the amount of particles in the treatment liquid passing through the primary supply pipe;
(e) according to the amount of particles measured in the step (d), the supply of the treatment liquid to the filter in the step (c) is stopped and the treatment liquid that has passed through the dissolution module and sending to a drainage unit through a drainage piping branching from the primary supply piping.
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