KR102384676B1 - 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 - Google Patents

유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 Download PDF

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Abstract

화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
상기 화학식 1 및 화학식 2의 상세 내용은 명세서에서 정의한 바와 같다.

Description

유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치{COMPOUND FOR OPTOELECTRONIC DEVICE, ORGANIC OPTOELECTRONIC DEVICE AND DISPLAY DEVICE}
유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
유기 광전자 소자(organic optoelectronic diode)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이다.
유기 광전자 소자는 동작 원리에 따라 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광 에너지에 의해 형성된 엑시톤(exciton)이 전자와 정공으로 분리되고 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고, 다른 하나는 전극에 전압 또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광 소자이다.
유기 광전자 소자의 예로는 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼(organic photo conductor drum) 등을 들 수 있다.
이 중, 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)는 근래 평판 표시 장치(flat panel display device)의 수요 증가에 따라 크게 주목 받고 있다. 유기 발광 소자는 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서, 유기 발광 소자의 성능은 전극 사이에 위치하는 유기 재료에 의해 많은 영향을 받는다.
일 구현예는 고효율 및 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있는 유기 광전자 소자용 화합물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물을 제공한다.
[화학식 1] [화학식 2]
Figure 112021129737523-pat00001
Figure 112021129737523-pat00002
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
X는 O 또는 S이고,
Z는 수소, 중수소, C1 내지 C10 알킬기, 또는 페닐기이고,
L1 내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고,
화학식 1의 a* 또는 b*는 화학식 2의 c*와 연결되고,
화학식 2의 c*와 연결되지 않은 화학식 1의 a* 또는 b*, 그리고 R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다.
다른 구현예에 따르면, 서로 마주하는 양극과 음극, 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 상기 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
고효율 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있다.
도 1 및 도 2는 각각 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환"이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C6 내지 C30 아릴실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C3 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기, 시아노기, 또는 이들의 조합으로 치환된 것을 의미한다.
본 발명의 일 예에서, "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C6 내지 C30 아릴실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C3 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서, "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C20 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서, "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C5 알킬기, C6 내지 C18 아릴기, 시아노기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서, "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 메틸기, 에틸기, 프로판일기, 부틸기, 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 또는 나프틸기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "아릴(aryl)기"는 탄화수소 방향족 모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을 총괄하는 개념으로서, 탄화수소 방향족 모이어티의 모든 원소가 p-오비탈을 가지면서, 이들 p-오비탈이 공액(conjugation)을 형성하고 있는 형태, 예컨대 페닐기, 나프틸기 등을 포함하고, 2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 시그마 결합을 통하여 연결된 형태, 예컨대 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등을 포함하며, 2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 직접 또는 간접적으로 융합된 비방향족 융합 고리, 예컨대 플루오레닐기 등을 포함할 수 있다.
아릴기는 모노시클릭, 폴리시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
본 명세서에서 "헤테로고리기(heterocyclic group)"는 헤테로아릴기를 포함하는 상위 개념으로서, 아릴기, 시클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에 탄소 (C) 대신 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다.
일 예로 "헤테로아릴(heteroaryl)기"는 아릴기 내에 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 2 이상의 헤테로아릴기는 시그마 결합을 통하여 직접 연결되거나, 상기 헤테로아릴기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. 상기 헤테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기는, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 o-터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기는, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서, 정공 특성이란, 전기장(electric field)을 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수 있는 특성을 말하는 것으로, HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 전자 특성이란, 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 화합물은 하기 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현된다.
[화학식 1] [화학식 2]
Figure 112021129737523-pat00003
Figure 112021129737523-pat00004
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
X는 O 또는 S이고,
Z는 수소, 중수소, C1 내지 C10 알킬기, 또는 페닐기이고,
L1 내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고,
화학식 1의 a* 또는 b*는 화학식 2의 c*와 연결되고,
화학식 2의 c*와 연결되지 않은 화학식 1의 a* 또는 b*, 그리고 R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다.
화학식 1 및 2의 조합으로 표현되는 화합물은 디벤조퓨란 (또는 디벤조티오펜)이 연결된 트리아진 모이어티를 도입하여 재료의 안정성을 높였고, 동시에 카바졸 모이어티를 도입함으로써 바이폴라 특성을 통하여 추가적인 안정성을 얻고자 하였다. 카바졸 모이어티의 도입으로 분자량 대비 유리 전이 온도가 향상되는 효과가 있으므로, 내열성이 확보될 수 있다.
특히, 9번 위치로 치환되는 카바졸 모이어티를 동시에 2개 도입함으로써 부족한 정공 특성이 강화됨을 확인 할 수 있다. 1개의 카바졸이 도입된 구조보다 2개의 카바졸 모이어티를 도입하여 재료의 안정성을 추구하고 정공 특성이 향상된 재료를 만들 수 있으며 이런 정공 특성으로 인하여 좋은 특성의 소자 결과를 얻을 수 있다.
또한, 디벤조퓨란 (또는 디벤조티오펜)의 1번 위치에 페닐기가 치환됨으로써 전자의 이동성 향상에 따른 증착막 개선 효과로 인해 저구동 고효율 장수명의 소자 특성이 구현될 수 있다.
상기 화학식 1 및 2의 조합으로 표현되는 화합물에서, 화학식 1 및 2의 구체적인 연결 지점에 따라 예컨대 하기 화학식 1A 또는 화학식 1B로 표현될 수 있다.
[화학식 1A] [화학식 1B]
Figure 112021129737523-pat00005
Figure 112021129737523-pat00006
상기 화학식 1A 및 화학식 1B에서, X, Z, L1 내지 L3, Ra, Rb 및 R1 내지 R10은 전술한 바와 같다.
상기 화학식 1 및 2의 조합으로 표현되는 화합물에서, 디벤조퓨란 (또는 디벤조티오펜)이 L1을 통해 트리아진에 연결되는 구체적인 위치에 따라 예컨대 하기 화학식 1A-1 내지 화학식 1A-4 및 화학식 1B-1 내지 화학식 1B-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1A-1] [화학식 1A-2]
Figure 112021129737523-pat00007
Figure 112021129737523-pat00008
[화학식 1A-3] [화학식 1A-4]
Figure 112021129737523-pat00009
Figure 112021129737523-pat00010
[화학식 1B-1] [화학식 1B-2]
Figure 112021129737523-pat00011
Figure 112021129737523-pat00012
[화학식 1B-3]
Figure 112021129737523-pat00013
상기 화학식 1A-1 내지 화학식 1A-4 및 화학식 1B-1 내지 화학식 1B-3에서, X, Z, L1 내지 L3, Ra, Rb 및 R1 내지 R10은 전술한 바와 같다.
본 발명의 일 실시예에서 화학식 1 및 2의 조합으로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물은 상기 화학식 1A-3 또는 화학식 1B-2로 표현될 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1A-3은 R1 또는 R2의 구체적인 치환 위치에 따라 예컨대 하기 화학식 1A-3a 내지 1A-3c 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1A-3a] [화학식 1A-3b]
Figure 112021129737523-pat00014
Figure 112021129737523-pat00015
[화학식 1A-3c]
Figure 112021129737523-pat00016
상기 화학식 1A-3a 내지 화학식 1A-3c에서, X, Z, L1 내지 L3, 및 R1 내지 R10은 전술한 바와 같다.
구체적으로, 상기 화학식 1B-2는 R1 또는 R2의 구체적인 치환 위치에 따라 예컨대 하기 화학식 1B-2a 내지 화학식 1B-2c 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1B-2a] [화학식 1B-2b]
Figure 112021129737523-pat00017
Figure 112021129737523-pat00018
[화학식 1B-2c]
Figure 112021129737523-pat00019
상기 화학식 1B-2a 내지 화학식 1B-2c에서, X, Z, L1 내지 L2, 및 R1 내지 R10은 전술한 바와 같다.
예컨대, X는 O일 수 있다.
예컨대 Z는 수소, C1 내지 C5 알킬기 또는 페닐기일 수 있다.
예컨대 L1 내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기일 수 있고, 구체적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 m-페닐렌기일 수 있다.
구체적인 일 실시예에서 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-Ⅰ 내지 화학식 1-Ⅳ 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1-Ⅰ] [화학식 1-Ⅱ]
Figure 112021129737523-pat00020
Figure 112021129737523-pat00021
[화학식 1-Ⅲ] [화학식 1-Ⅳ]
Figure 112021129737523-pat00022
Figure 112021129737523-pat00023
상기 화학식 1-Ⅰ 내지 화학식 1-Ⅳ에서,
X는 O 또는 S이고,
Z는 수소, 중수소, C1 내지 C10 알킬기, 또는 페닐기이고,
Ra, Rb, Rc, Rd, Re, 및 R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
n1 내지 n3은 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이며,
n1 내지 n3 중 적어도 하나는 1의 정수이다.
예컨대 상기 Ra, Rb, Rc, Rd 및 Re는 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1 내지 C5 알킬기 또는 C6 내지 C12 아릴기일 수 있다.
구체적인 일 실시예에서 상기 Ra, Rb, Rc, Rd 및 Re는 모두 수소일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
예컨대 R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기일 수 있다.
구체적으로 상기 R1 및 R10은 각각 독립적으로 수소 또는 페닐기일 수 있다.
더욱 구체적으로 상기 R1 및 R2는 모두 수소이고, R3 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 또는 페닐기일 수 있다.
일 실시예에서 상기 화학식 1은 상기 화학식 1-Ⅰ 또는 화학식 화학식 1-Ⅲ으로 표현될 수 있다.
상기 화학식 1-Ⅰ은 디벤조퓨란(또는 디벤조티오펜)이 트리아진에 연결되는 구체적인 지점에 따라 예컨대 하기 화학식 1-Ⅰa, 화학식 1-Ⅰb, 화학식 1-Ⅰc 및 화학식 1-Ⅰd 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1-Ⅰa] [화학식 1-Ⅰb]
Figure 112021129737523-pat00024
Figure 112021129737523-pat00025
[화학식 1-Ⅰc] [화학식 1-Ⅰd]
Figure 112021129737523-pat00026
Figure 112021129737523-pat00027
또한, 상기 화학식 1-Ⅲ은 디벤조퓨란(또는 디벤조티오펜)이 트리아진에 연결되는 구체적인 지점에 따라 예컨대 하기 화학식 1-Ⅲa, 화학식 1-Ⅲb 및 화학식 1-Ⅲc 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1-Ⅲa] [화학식 1-Ⅲb]
Figure 112021129737523-pat00028
Figure 112021129737523-pat00029
[화학식 1-Ⅲc]
Figure 112021129737523-pat00030
상기 화학식 1-Ⅰa 내지 화학식 1-Ⅰd 및 화학식 1-Ⅲa 내지 화학식 1-Ⅲc에서, X, Z, Ra, Rb, 및 R1 내지 R10은 전술한 바와 같다.
구체적인 일 실시예에서 상기 화학식 1은 상기 화학식 1-Ⅰc 또는 화학식 1-Ⅲb로 표현될 수 있다.
예컨대 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물은 하기 그룹 1에 나열된 화합물에서 선택된 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 1]
[A-1] [A-2] [A-3] [A-4] [A-5]
Figure 112021129737523-pat00031
[A-6] [A-7] [A-8] [A-9] [A-10]
Figure 112021129737523-pat00032
[A-11] [A-12] [A-13] [A-14] [A-15]
Figure 112021129737523-pat00033
[A-16] [A-17] [A-18] [A-19] [A-20]
Figure 112021129737523-pat00034
[A-21] [A-22] [A-23] [A-24] [A-25]
Figure 112021129737523-pat00035
[A-26] [A-27] [A-28] [A-29] [A-30]
Figure 112021129737523-pat00036
[A-31] [A-32] [A-33] [A-34] [A-35]
Figure 112021129737523-pat00037
상기 유기 광전자 소자용 화합물은 조성물의 형태로 적용될 수 있다.
일 예로 전술한 유기 광전자 소자용 화합물은 호스트일 수 있다.
전술한 유기 광전자 소자용 화합물은 도펀트를 더 포함할 수 있다. 도펀트는 예컨대 인광 도펀트일 수 있고, 예컨대 적색, 녹색 또는 청색의 인광 도펀트일 수 있고, 예컨대 적색 또는 녹색의 인광 도펀트일 수 있다.
도펀트는 미량 혼합되어 발광을 일으키는 물질로, 일반적으로 삼중항 상태 이상으로 여기시키는 다중항 여기(multiple excitation)에 의해 발광하는 금속 착체(metal complex)와 같은 물질이 사용될 수 있다. 도펀트는 예컨대 무기, 유기, 유무기 화합물일 수 있으며, 1종 또는 2종 이상 포함될 수 있다.
도펀트의 일 예로 인광 도펀트를 들 수 있으며, 인광 도펀트의 예로는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd 또는 이들의 조합을 포함하는 유기 금속화합물을 들 수 있다. 인광 도펀트는 예컨대 하기 화학식 Z로 표현되는 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 Z]
L4MXA
상기 화학식 Z에서, M은 금속이고, L4 및 XA는 서로 같거나 다르며 M과 착화합물을 형성하는 리간드이다.
상기 M은 예컨대 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd 또는 이들의 조합일 수 있고, 상기 L4 및 X는 예컨대 바이덴테이트 리간드일 수 있다.
유기 광전자 소자용 화합물이나 유기 광전자 소자용 조성물은 화학기상증착과 같은 건식 성막법에 의해 형성될 수 있다.
이하 상술한 유기 광전자 소자용 화합물을 적용한 유기 광전자 소자를 설명한다.
유기 광전자 소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을 들 수 있다.
여기서는 유기 광전자 소자의 일 예인 유기 발광 소자를 도면을 참고하여 설명한다.
도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 발광 소자(100)는 서로 마주하는 양극(120)과 음극(110), 그리고 양극(120)과 음극(110) 사이에 위치하는 유기층(105)을 포함한다.
양극(120)은 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및/또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 양극(120)은 예컨대 니켈, 백금, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO와 Al 또는 SnO2와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리(3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜)(polyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
음극(110)은 예컨대 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및/또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 음극(110)은 예컨대 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
유기층(105)은 전술한 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 발광층(130)을 포함한다.
발광층(130)은 예컨대 전술한 유기 광전자 소자용 화합물을 포함할 수 있다.
도 2를 참고하면, 유기 발광 소자(200)는 발광층(130) 외에 정공 보조층(140)을 더 포함한다. 정공 보조층(140)은 양극(120)과 발광층(130) 사이의 정공 주입 및/또는 정공 이동성을 더욱 높이고 전자를 차단할 수 있다. 정공 보조층(140)은 예컨대 정공 수송층, 정공 주입층 및/또는 전자 차단층일 수 있으며, 적어도 1층을 포함할 수 있다.
상기 정공 보조층(140)은 예컨대 하기 그룹 A에 나열된 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
구체적으로 상기 정공 보조층(140)은 양극(120)과 발광층(130) 사이의 정공 수송층, 및 상기 발광층(130)과 상기 정공 수송층 사이의 정공 수송 보조층을 포함할 수 있고, 하기 그룹 A에 나열된 화합물 중 적어도 하나는 상기 정공 수송 보조층에 포함될 수 있다.
[그룹 A]
Figure 112021129737523-pat00038
Figure 112021129737523-pat00039
Figure 112021129737523-pat00040
Figure 112021129737523-pat00041
Figure 112021129737523-pat00042
Figure 112021129737523-pat00043
Figure 112021129737523-pat00044
Figure 112021129737523-pat00045
Figure 112021129737523-pat00046
Figure 112021129737523-pat00047
Figure 112021129737523-pat00048
Figure 112021129737523-pat00049
상기 정공 수송 보조층에는 전술한 화합물 외에도 US5061569A, JP1993-009471A, WO1995-009147A1, JP1995-126615A, JP1998-095972A 등에 기재된 공지의 화합물 및 이와 유사한 구조의 화합물도 사용될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 구현예에서는 도 1 또는 도 2에서 유기층(105)으로서 추가로 전자 수송층, 전자주입층, 정공주입층 등을 더 포함한 유기 발광 소자일 수도 있다.
유기 발광 소자(100, 200)는 기판 위에 양극 또는 음극을 형성한 후, 진공증착법(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성막법 등으로 유기층을 형성한 후, 그 위에 음극 또는 양극을 형성하여 제조할 수 있다.
상술한 유기 발광 소자는 유기 발광 표시 장치에 적용될 수 있다.
이하 실시예를 통하여 상술한 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 　다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 권리범위를 제한하는 것은 아니다.
이하, 실시예 및 합성예에서 사용된 출발물질 및 반응물질은 특별한 언급이 없는 한, Sigma-Aldrich 社, TCI 社, tokyo chemical industry 또는 P&H tech에서 구입하였거나, 공지된 방법을 통해 합성하였다.
(유기 광전자 소자용 화합물의 제조)
본 발명의 화합물의 보다 구체적인 예로서 제시된 화합물을 하기 단계를 통해 합성하였다.
(제1 화합물의 제조)
합성예 1: Core 1 ( Int - 6)의 합성
[반응식 1]
Figure 112021129737523-pat00050
단계 1: 중간체 Int -1의 합성
1-Bromo-4-chloro-2-fluorobenzene(61g, 291mmol), 2,6-Dimethoxyphenylboronic Acid(50.4g, 277mmol), K2CO3(60.4g, 437mmol) 그리고 Pd(PPh3)4(10.1g, 8.7mmol)을 환저플라스크에 넣고 THF(500ml)와 증류수(200ml)에 녹인 후 60℃에서 12시간 동안 환류 교반시킨다. 반응이 종료되면 물층을 제거한 후 컬럼크로마토그래피(Hexane:DCM(20%))를 이용하여 중간체 Int-1를 38g(51%) 수득하였다.
단계 2: 중간체 Int -2의 합성
중간체 Int-1(38g, 142mmol)와 Pyridine Hydrochloride(165g, 1425mmol) 을 환저플라스크에 넣고 200℃에서 24시간 동안 환류 교반시킨다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후 증류수에 천천히 붓고 1시간 동안 교반시킨다. 고형물을 필터하여 중간체 Int-2를 23g(68%) 수득하였다.
단계 3: 중간체 Int -3의 합성
중간체 Int-2(23g, 96mmol)와 K2CO3(20g, 144mmol)을 환저플라스크에 넣고 NMP(100ml)에 녹인 후 180℃에서 12시간 동안 환류 교반시킨다. 반응이 종료되면 과량의 증류수에 혼합물을 붓는다. 고형물을 필터한 후 에틸아세테이트에 녹인 후 MgSO4로 건조하고 유기층 감압 하에 제거한다. 컬럼크로마토그래피(Hexane : Ethyl Acetate(30%))를 이용하여 중간체 Int-3를 16g(76%) 수득하였다.
단계 4: 중간체 Int -4의 합성
중간체 Int-3(16g, 73mmol), Pyridine(12ml, 146mmol)을 환저플라스크에 넣고 DCM(200ml)에 녹인다. 온도를 0℃로 낮춘 후 Trifluoromethanesulfonic Anhydride(14.7ml, 88mmol)을 천천히 적가한다. 6시간 동안 교반한 후 반응이 종료되면 과량의 증류수를 넣어 30분간 교반한 후 DCM으로 추출한다. 유기용매를 감압 하에 제거하고 진공 건조하여 중간체 Int-4를 22.5g(88%) 수득하였다.
단계 5: 중간체 Int -5의 합성
중간체 Int-4(22.5g, 64mmol)와 Phenylboronic acid(7.8g, 64mmol), K2CO3(13.3g, 96mmol), 그리고 Pd(PPh3)4(3.7g, 3.2mmol)을 이용하여 합성예 1의 단계 1 과 같은 방법으로 합성하여 중간체 Int-5를 14.4g(81%) 수득하였다.
단계 6: 중간체 Int -6의 합성
중간체 Int-5(22.5g, 80mmol), Bis(pinacolato)diboron(24.6g, 97mmol), Pd(dppf)Cl2(2g, 2.4mmol), Tricyclohexylphosphine(3.9g, 16mmol), 그리고 Potassium acetate(16g, 161mmol)을 환저플라스크에 넣고 DMF(320ml)으로 녹인다. 혼합물을 120℃에서 10시간 동안 환류 교반한다. 반응이 종료되면 과량의 증류수에 혼합물을 붓고 1시간 동안 교반한다. 고형물을 필터한 후 DCM에 녹인다. MgSO4로 수분을 제거한 후 실리카겔 패드를 이용하여 유기용매를 필터한 후 감압 하에 제거한다. 고형물을 Ethyl Acetate와 Hexane으로 재결정하여 중간체 Int-6를 26.9g(90%) 수득하였다.
합성예 2: Core 2 ( Int - 13)의 합성
[반응식 2]
Figure 112021129737523-pat00051
단계 1: 중간체 Int -7의 합성
1-Chloro-3,5-dimethoxybenzene(70g, 406mmol)와 Pyridine Hydrochloride(468g, 4,055mmol)을 환저플라스크에 넣고 200℃에서 24시간 동안 환류 교반시킨다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후 증류수에 천천히 붓고 1시간 동안 교반시킨다. 고형물을 필터하여 중간체 Int-7를 51.6g(88%) 수득하였다.
단계 2: 중간체 Int -8의 합성
환저플라스크에 중간체 Int-7(51.6g, 357mmol), p-Toluenesulfonic acid monohydrate(6.8g, 36mmol)을 넣고 메탄올(500ml)에 녹인다. NBS(63.5g, 357mmol)을 메탄올(1L)에 녹인 용액을 0℃ 조건에서 30분 동안 천천히 적가한다. 1시간 동안 상온에서 교반한 후 반응이 완료되면 Sodium thiosulfate 포화용액을 혼합용액에 붓고 교반한다. DCM을 넣고 추출한 뒤 감압 하에 용매를 제거한다. Flash 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 중간체 Int-8를 72g(90%) 수득하였다.
단계 3: 중간체 Int -9의 합성
질소 조건에서 환저플라스크에 2-Fluorophenylboronic acid(45g, 322mmol), 중간체 Int-8(72g, 322mmol), K2CO3(97.8g, 708mmol) 그리고 Pd(PPh3)4(11.2g, 9.7mmol)을 이용하여 합성예 1의 단계 1과 같은 방법으로 합성하여 중간체 Int-9를 34.5g(45%) 수득하였다.
단계 4: 중간체 Int -10의 합성
중간체 Int-9(34.5g, 145mmol)와 K2CO3(26g, 188mmol)을 환저플라스크에 넣고 NMP(450ml)에 녹인 후 합성예 1의 단계 3과 같은 방법으로 합성하여 중간체 Int-10를 26.9g(85%) 수득하였다.
단계 5: 중간체 Int -11의 합성
중간체 Int-10(26.9g, 123mmol), Pyridine(20ml, 246mmol)을 환저플라스크에 넣고 DCM(300ml)에 녹인다. 온도를 0℃로 낮춘 후 Trifluoromethanesulfonic Anhydride(24.7ml, 148mmol)을 천천히 적가한다. 6시간 동안 교반한 후 반응이 종료되면 과량의 증류수를 넣어 30분간 교반한 후 DCM으로 추출한다. 유기용매를 감압 하에 제거하고 진공 건조하여 중간체 Int-11를 36.2g(84%) 수득하였다.
단계 6: 중간체 Int -12의 합성
중간체 Int-11(36.2g, 103mmol)와 Phenylboronic acid(12.6g, 103mmol), K2CO3(21.4g, 155mmol), 그리고 Pd(PPh3)4(5.9g, 5mmol)을 이용하여 합성예 1의 단계 1과 같은 방법으로 합성하여 중간체 Int-12를 25.9g(90%) 수득하였다.
단계 7: 중간체 Int -13의 합성
중간체 Int-12(25.9g, 93mmol), Bis(pinacolato)diboron(28.3g, 112mmol), Pd(dppf)Cl2(2.3g, 2.8mmol), Tricyclohexylphosphine(4.5g, 18.6mmol), 그리고 Potassium acetate(18.2g, 186mmol)을 환저플라스크에 넣고 DMF(350ml)으로 녹여서 합성예 1의 단계 6과 동일한 방법을 이용하여 중간체 Int-13를 25.8g(75%) 수득하였다.
합성예 3: 중간체 Int -14의 합성
[반응식 3]
Figure 112021129737523-pat00052
Cyanuric chloride(20g, 108.45mmol), carbazole(18.13g, 108.45mmol), Sodium tert-butoxide(10.42g, 108.45mmol)을 환저플라스크에 넣고 THF(400ml)으로 상온으로 12시간 교반하였다. 생성된 고체를 필터하여 물 층에 30분 교반하였다. 필터 후 건조하여 중간체 Int-14를 15.8g(46%) 수득하였다.
합성예 4: 중간체 Int -15의 합성
[반응식 4]
Figure 112021129737523-pat00053
중간체 Int-14(20g, 63.46mmol), carbazole(10.61g, 63.46mmol), Sodium tert-butoxide(6.10g, 63.46mmol)을 환저플라스크에 넣고 THF(200ml)으로 상온으로 12시간 교반하였다. 생성된 고체를 필터하여 물 층에 30분 교반하였다. 필터 후 건조하여 중간체 Int-15를 13.6g(48%) 수득하였다.
합성예 5: 중간체 Int -16의 합성
[반응식 5]
Figure 112021129737523-pat00054
중간체 Int-14(17g, 53.94mmol), (3-(carbazole-9H)Phenyl)Pinacol ester(14.71g, 51.24mmol), K2CO3(11.18g, 80.91mmol), 그리고 Pd(PPh3)4(3.12g, 2.7mmol)을 환저플라스크에 넣고 THF(100ml)와 증류수(30ml)에 녹인 후 60℃에서 12시간 동안 환류 교반시킨다. 반응이 종료되면 물층을 제거한 후 컬럼크로마토그래피(Hexane:DCM(30%))를 이용하여 중간체 Int-16를 18.3g(65%) 수득하였다.
합성예 6: 화합물 A-1의 합성
[반응식 6]
Figure 112021129737523-pat00055
중간체 Int-15(11g, 24.67mmol), 중간체 Int-6(9.59g, 25.90mmol), K2CO3(8.52g, 61.67mmol) 그리고 Pd(PPh3)4(1.43g, 1.23mmol)을 환저플라스크에 넣고 THF(100ml)와 증류수(40ml)에 녹인 후 70℃에서 12시간 동안 환류 교반시킨다. 반응이 종료되면 혼합물을 메탄올 500mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔/셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 화합물 A-1을 10.0g(62%) 수득하였다.
합성예 7: 화합물 A-9의 합성
[반응식 7]
Figure 112021129737523-pat00056
중간체 Int-15 대신 중간체 Int-16을 사용한 것을 제외하고, 상기 합성예 6과 동일한 합성 방법을 통하여 화합물 A-9(15.3g, 76%의 수율)를 수득하였다.
합성예 8: 화합물 A-16의 합성
[반응식 8]
Figure 112021129737523-pat00057
중간체 Int-6 대신 중간체 Int-13을 사용한 것을 제외하고 합성예 6과 동일한 합성 방법을 통하여 화합물 A-16(14.2g, 71%의 수율)을 수득하였다.
합성예 9: 화합물 A-24의 합성
[반응식 9]
Figure 112021129737523-pat00058
중간체 Int-15 대신 중간체 Int-16을 사용하고, 중간체 Int-6 대신 중간체 Int-13을 사용한 것을 제외하고 합성예 6과 동일한 합성 방법을 통하여 화합물 A-24(11.4g, 73%의 수율)를 수득하였다.
비교합성예 1: 화합물 H-1의 합성
Figure 112021129737523-pat00059
공지된 방법을 활용하여 화합물 H-1를 합성하였다.
비교합성예 2: 화합물 H-2의 합성
Figure 112021129737523-pat00060
공지된 방법을 활용하여 화합물 H-2를 합성하였다.
(유기 발광 소자의 제작)
실시예 1
ITO(Indium tin oxide)가 1,500Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 10분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극을 양극으로 사용하여 ITO 기판 상부에 화합물 A를 진공 증착하여 700Å 두께의 정공 주입층을 형성하고 상기 주입층 상부에 화합물 B를 50Å의 두께로 증착한 후, 화합물 C를 1,020Å의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 정공수송층 상부에 상기에서 합성예 20에서 얻은 화합물 A-1을 호스트로 사용하고 도판트로 PhGD를 7wt%로 도핑하여 진공 증착으로 400Å 두께의 발광층을 형성하였다. 이어서 상기 발광층 상부에 화합물 D와 Liq를 동시에 1:1 비율로 진공 증착하여 300Å 두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층 상부에 Liq 15Å과 Al 1,200Å을 순차적으로 진공 증착하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제작하였다.
상기 유기발광소자는 5층의 유기 박막층을 가지는 구조로 되어 있으며, 구체적으로 다음과 같다.
ITO/화합물A(700Å)/화합물B(50Å)/화합물C(1,020Å)/EML[화합물A-1: PhGD(7wt%)](400Å)/화합물D:Liq(300Å)/Liq(15Å)/Al(1,200Å)의 구조로 제작하였다.
화합물 A: N4,N4'-diphenyl-N4,N4'-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine
화합물 B: 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile (HAT-CN),
화합물 C: N-(biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluoren-2-amine
화합물 D: 8-(4-(4,6-di(naphthalen-2-yl)-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl)quinoline
Figure 112021129737523-pat00061
실시예 2 내지 4 및 비교예 1 내지 2
표 1에 기재된 조성으로 변경한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
평가
실시예 1 내지 4와 비교예 1 및 2에 따른 유기발광소자의 구동전압, 발광효율 및 수명특성을 평가하였다.
구체적인 측정방법은 하기와 같고, 그 결과는 표 1과 같다.
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 전류-전압계(Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 전력 효율 측정
상기(1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도(10mA/cm2)의 전력 효율(cd/A)을 계산하였다.
(4) 수명 측정
전력 효율을 24000cd/A로 유지하고 전력 효율(cd/A)이 95%로 감소하는 시간을 측정하여 결과를 얻었다.
(5) 구동전압 측정
전류-전압계(Keithley 2400)를 이용하여 15mA/cm2에서 각 소자의 구동전압을 측정하여 결과를 얻었다.
(6) T95 수명비(%) 계산
T95(h)의 상대 비교값을 나타낸다.
T95 수명비(%) = {[실시예 및 비교예의 T95(h) / [기준데이터(비교예 1)의 T95(h)]} X 100
(7) 구동전압비(%) 계산
구동전압의 상대 비교값을 나타낸다.
구동전압비(%) = {[실시예 및 비교예의 구동전압(V)] / [기준데이터(비교예 1)의 구동전압(V)]} X 100
(8) 전력효율비(%) 계산
전력효율의 상대 비교값을 나타낸다.
전력효율비(%) = {[실시예 및 비교예의 전력효율(cd/A)] / [기준데이터의 전력효율(cd/A)]} X 100
No. 호스트 색 구동 전압비
(%)		 전력
효율비
(%)		 T95
수명비
(%)
실시예 1 A-1 녹색 75% 129% 370%
실시예 2 A-9 녹색 77% 133% 340%
실시예 3 A-16 녹색 81% 131% 350%
실시예 4 A-24 녹색 83% 133% 335%
비교예 1(기준 데이터) H-1 녹색 100% 100% 100%
비교예 2 H-2 녹색 92% 107% 85%
표 1을 참고하면, 비교예 1 및 2에 사용된 구조들은 Carbazole, Dibenzofuran, Dibenzothiophene이 치환되었다는 점에서 본 발명의 구조와 유사성을 갖지만, Dibenzofuran, Dibenzothiophene의 1번 위치에 아릴을 치환한 본 발명의 재료는 분자의 물성 및 안정성이 크게 변화하여 수명이 큰 폭으로 증가함을 확인할 수 있다. 또한 비교예 1과 2의 결과를 보면 피리미딘이 치환된 구조 대비 본 발명의 트리아진을 갖는 구조는 전하 안정성 및 전자 수송 특성이 크게 향상된 재료로 구동전압을 향상시키고 수명 특성도 크게 개선됨을 확인할 수 있다.
마지막으로 본 발명에서 적어도 2개의 카바졸을 도입하여 정공 특성을 향상 시킨 재료로 장수명, 저구동에 유리한 소자 데이터를 얻을 수 있다.
실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100, 200: 유기 발광 소자
105: 유기층
110: 음극
120: 양극
130: 발광층
140: 정공 보조층

Claims (11)

  1. 하기 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물:
    [화학식 1] [화학식 2]
    Figure 112021129737523-pat00062
    Figure 112021129737523-pat00063

    상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
    X는 O 또는 S이고,
    Z는 수소, 중수소, C1 내지 C10 알킬기, 또는 페닐기이고,
    L1 내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이고,
    화학식 1의 a* 또는 b*는 화학식 2의 c*와 연결되고,
    화학식 2의 c*와 연결되지 않은 화학식 1의 a* 또는 b*, 그리고 R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 또는 페닐기이다.
  2. 제1항에 있어서,
    하기 화학식 1A 또는 화학식 1B로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물:
    [화학식 1A] [화학식 1B]
    Figure 112021129737523-pat00064
    Figure 112021129737523-pat00065

    상기 화학식 1A 및 화학식 1B에서,
    X는 O 또는 S이고,
    Z는 수소, 중수소, C1 내지 C10 알킬기, 또는 페닐기이고,
    L1 내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이고,
    Ra, Rb 및 R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 또는 페닐기이다.
  3. 제2항에 있어서,
    하기 화학식 1A-1 내지 화학식 1A-4 및 화학식 1B-1 내지 1B-3 중 어느 하나로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물:
    [화학식 1A-1] [화학식 1A-2]
    Figure 112021129737523-pat00066
    Figure 112021129737523-pat00067

    [화학식 1A-3] [화학식 1A-4]
    Figure 112021129737523-pat00068
    Figure 112021129737523-pat00069

    [화학식 1B-1] [화학식 1B-2]
    Figure 112021129737523-pat00070
    Figure 112021129737523-pat00071

    [화학식 1B-3]
    Figure 112021129737523-pat00072

    상기 화학식 1A-1 내지 화학식 1A-4 및 화학식 1B-1 내지 화학식 1B-3에서,
    X는 O 또는 S이고,
    Z는 수소, 중수소, C1 내지 C10 알킬기, 또는 페닐기이고,
    L1 내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이고,
    Ra, Rb 및 R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 또는 페닐기이다.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 화학식 1A-3 또는 상기 화학식 1B-2로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    하기 화학식 1-Ⅰ 내지 화학식 1-Ⅳ 중 어느 하나로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물:
    [화학식 1-Ⅰ] [화학식 1-Ⅱ]
    Figure 112021129737523-pat00073
    Figure 112021129737523-pat00074

    [화학식 1-Ⅲ] [화학식 1-Ⅳ]
    Figure 112021129737523-pat00075
    Figure 112021129737523-pat00076

    상기 화학식 1-Ⅰ 내지 화학식 1-Ⅳ에서,
    X는 O 또는 S이고,
    Z는 수소, 중수소, C1 내지 C10 알킬기, 또는 페닐기이고,
    Ra, Rb, Rc, Rd, Re, 및 R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 또는 페닐기이고,
    n1 내지 n3은 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이며,
    n1 내지 n3 중 적어도 하나는 1의 정수이다.
  7. 제6항에 있어서,
    하기 화학식 1-Ⅰc 또는 화학식 1-Ⅲb로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물:
    [화학식 1-Ⅰc] [화학식 1-Ⅲb]
    Figure 112021129737523-pat00077
    Figure 112021129737523-pat00078

    상기 화학식 1-Ⅰc 및 화학식 1-Ⅲb에서,
    X는 O 또는 S이고,
    Z는 수소, 중수소, C1 내지 C10 알킬기, 또는 페닐기이고,
    Ra, Rb 및 R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 또는 페닐기이다.
  8. 하기 그룹 1에 나열된 화합물 중에서 선택되는 하나인 유기 광전자 소자용 화합물:
    [그룹 1]
    [A-1] [A-2] [A-3] [A-4] [A-5]
    Figure 112021129737523-pat00079

    [A-6] [A-7] [A-8] [A-9] [A-10]
    Figure 112021129737523-pat00080

    [A-11] [A-12] [A-13] [A-14] [A-15]
    Figure 112021129737523-pat00081

    [A-16] [A-17] [A-18] [A-19] [A-20]
    Figure 112021129737523-pat00082

    [A-21] [A-22] [A-23] [A-24] [A-25]
    Figure 112021129737523-pat00083

    [A-26] [A-27] [A-28] [A-29] [A-30]
    Figure 112021129737523-pat00084

    [A-31] [A-32] [A-33] [A-34] [A-35]
    Figure 112021129737523-pat00085
    .
  9. 서로 마주하는 양극과 음극,
    상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을 포함하고,
    상기 유기층은 제1항 내지 제4항 및 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 유기층은 발광층을 포함하고,
    상기 발광층은 상기 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자.
  11. 제9항에 따른 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치.
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