KR102377684B1 - Pattern film for transferring display pixel and method for manufacturing display using the same - Google Patents

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Abstract

본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름은, 기재; 및 상기 기재 상에 구비되고, 표면에 돌기 패턴을 포함하는 폴리디메틸실록산계 필름을 포함하고, 상기 돌기 패턴의 높이는 10㎛ 내지 50㎛ 이고, 상기 돌기 패턴의 상부 표면의 10점 평균 거칠기(ten point median height roughness, Rz)는 0.5㎛ 이하이며, 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 돌기 패턴이 구비되지 않은 표면의 10점 평균 거칠기는 1㎛ 이상이다.A pattern film for transferring display pixels according to an exemplary embodiment of the present application includes a base material; and a polydimethylsiloxane-based film provided on the substrate and including a protrusion pattern on the surface, wherein the height of the protrusion pattern is 10㎛ to 50㎛, and the upper surface of the protrusion pattern has a 10-point average roughness (ten point). The median height roughness (Rz) is 0.5 ㎛ or less, and the 10-point average roughness of the surface without the protrusion pattern of the polydimethylsiloxane-based film is 1 ㎛ or more.

Description

디스플레이 화소 전사용 패턴 필름 및 이를 이용한 디스플레이의 제조방법{PATTERN FILM FOR TRANSFERRING DISPLAY PIXEL AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY USING THE SAME}Pattern film for transferring display pixels and method of manufacturing displays using the same {PATTERN FILM FOR TRANSFERRING DISPLAY PIXEL AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY USING THE SAME}

본 출원은 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름 및 이를 이용한 디스플레이의 제조방법에 관한 것이다.This application relates to a pattern film for transferring display pixels and a method of manufacturing a display using the same.

최근 LED(Light Emitting Diode: 발광소자)로 구성된 조명기구 등은 기존의 백열등 또는 형광등에 비해 수명이 길고 상대적으로 저전력을 소비하며 제조공정에서 오염물질을 배출하지 않는 장점 등으로 인하여 수요가 폭발적으로 증가하고 있으며, LED는 발광을 이용한 표시 장치는 물론이고 조명장치나 LCD 표시장치의 백라이트 소자에도 응용되는 등 적용 영역이 점차 다양해지고 있다.Recently, the demand for lighting fixtures made of LED (Light Emitting Diode) has increased explosively due to the advantages of having a long lifespan compared to existing incandescent or fluorescent lights, consuming relatively low power, and not emitting pollutants during the manufacturing process. The application areas of LED are gradually becoming more diverse, including application to not only display devices using light emission but also backlight elements of lighting devices and LCD displays.

특히, LED는 비교적 낮은 전압으로 구동이 가능하면서도 높은 에너지 효율로 인해 발열이 낮고 수명이 긴 장점이 있으며, 종래에는 구현이 어려웠던 백색광을 고휘도로 제공할 수 있는 기술이 개발됨에 따라 현재 사용되고 있는 대부분의 광원 장치를 대체할 수 있을 것으로 기대하고 있다.In particular, LED has the advantage of low heat generation and long lifespan due to high energy efficiency while being able to be driven at a relatively low voltage. With the development of technology that can provide white light with high brightness, which was difficult to implement in the past, most currently used It is expected that it can replace light source devices.

대한민국 특허공개공보 제10-2015-0033169호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2015-0033169

본 출원은 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름 및 이를 이용한 디스플레이의 제조방법을 제공하고자 한다.The present application seeks to provide a pattern film for transferring display pixels and a method of manufacturing a display using the same.

본 출원의 일 실시상태는,One implementation state of this application is,

기재; 및write; and

상기 기재 상에 구비되고, 표면에 돌기 패턴을 포함하는 폴리디메틸실록산계 필름을 포함하고,A polydimethylsiloxane-based film provided on the substrate and including a protrusion pattern on the surface,

상기 돌기 패턴의 높이는 10㎛ 내지 50㎛ 이고,The height of the protrusion pattern is 10㎛ to 50㎛,

상기 돌기 패턴의 상부 표면의 10점 평균 거칠기(ten point median height roughness, Rz)는 0.5㎛ 이하이며,The ten point average height roughness (Rz) of the upper surface of the protrusion pattern is 0.5 μm or less,

상기 폴리디메틸실록산계 필름의 돌기 패턴이 구비되지 않은 표면의 10점 평균 거칠기는 1㎛ 이상인 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 제공한다.A pattern film for transfer of display pixels is provided, wherein the 10-point average roughness of the surface of the polydimethylsiloxane-based film without the protrusion pattern is 1㎛ or more.

또한, 본 출원의 다른 실시상태는,In addition, other embodiments of this application are:

상기 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 준비하는 단계;Preparing a pattern film for transferring the display pixels;

상기 돌기 패턴의 표면 상에 디스플레이 화소를 구비시키는 단계; 및providing display pixels on the surface of the protrusion pattern; and

상기 디스플레이 화소를 디스플레이용 전극 기판에 전사하는 단계Transferring the display pixels to a display electrode substrate

를 포함하는 디스플레이의 제조방법을 제공한다.Provides a method of manufacturing a display including.

본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 표면에 돌기 패턴이 형성되어 있으므로, 디스플레이 화소의 전사시 전극 표면과 폴리디메틸실록산계 필름의 접촉면을 줄일 수 있고, 상기 디스플레이 화소의 전사 이후에 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 이형 특성이 우수하다.According to an exemplary embodiment of the present application, since a protrusion pattern is formed on the surface of the polydimethylsiloxane-based film, the contact surface between the electrode surface and the polydimethylsiloxane-based film can be reduced when transferring the display pixel, and the transfer of the display pixel Afterwards, the polydimethylsiloxane-based film has excellent release properties.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 이용하는 경우에는, 웨이퍼 상에 형성된 발광소자 칩들 중에서 특정 간격의 발광소자 칩만이 선택적으로 접촉되므로, 상기 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 특징이 있다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present application, when using the pattern film for transferring display pixels, only light emitting device chips at specific intervals are selectively contacted among light emitting device chips formed on the wafer, thereby preventing contamination of the wafer. There are features that can be used.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 돌기 패턴의 상부 표면은 점착특성이 좋은 기존의 표면거칠기가 낮은 폴리디메틸실록산계 필름면으로 구성되나, 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 돌기 패턴이 구비되지 않은 표면에는 표면거칠기를 인위적으로 부가하여 불필요한 접촉이 발생될 경우에도 전극 기판의 손상없이 탈착/이형을 더욱 쉽게 할 수 있는 특징이 있다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present application, the upper surface of the protrusion pattern is composed of a polydimethylsiloxane-based film surface with good adhesion characteristics and low surface roughness, but the protrusion pattern of the polydimethylsiloxane-based film is not provided. Even when unnecessary contact occurs by artificially adding surface roughness to the surface, it has the feature of making it easier to attach/release without damaging the electrode substrate.

도 1 및 도 2는 본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 3은 본 출원의 일 실시상태로서, 돌기 패턴이 차지하는 면적 비율을 계산하는 방법을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 4는 본 출원의 실시예 1 및 비교예 1에서 제조한 적층체에 대한 표면거칠기(Rz)를 측정한 그래프를 나타낸 도이다.
1 and 2 are diagrams schematically showing a pattern film for transferring display pixels according to an exemplary embodiment of the present application.
Figure 3 is a diagram schematically showing a method of calculating the area ratio occupied by a protrusion pattern in an exemplary embodiment of the present application.
Figure 4 is a graph showing the surface roughness (Rz) measured for the laminate manufactured in Example 1 and Comparative Example 1 of the present application.

이하 본 출원에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, this application will be described in detail.

전사(transfer)란 단일 또는 다수의 마이크로 LED를 상대기판에 이송하는 일련의 행위이다. 기존 LED 단일 칩을 이송하는 방법으로는 Pick & Place 장비를 활용하여 패키징 공정에서 적용하여 왔으나, LED 크기가 수 마이크로까지 작아짐에 따라 고정밀도로 이송하는 기술이 필요하다. 이를 위해 현재까지는 직접전사와 인쇄전사 2가지 방법으로 기술 개발이 이루어지고 있다. 직접전사는 이송하고자 하는 재료 또는 박막을 목표기판에 직접 접합하는 기술이며, 인쇄전사는 정전 또는 접합 스탬프(stamp)와 같은 중간 매개체를 활용하는 기술로 정의할 수 있다. 직접전사와 인쇄전사 방식의 대표적인 기술은 다음과 같다.Transfer is a series of actions that transfer a single or multiple micro LEDs to a counterpart substrate. The existing method of transferring a single LED chip has been applied in the packaging process using Pick & Place equipment, but as the size of LEDs decreases to several microns, high-precision transfer technology is needed. To this end, technology has been developed in two ways: direct transfer and printing transfer. Direct transfer is a technology that directly bonds the material or thin film to be transferred to the target substrate, and print transfer can be defined as a technology that utilizes an intermediate medium such as an electrostatic or bonding stamp. Representative technologies for direct transfer and print transfer are as follows.

직접전사 방식은 p-type의 GaN를 식각 공정으로 수 마이크로 크기로 분리시킨 후에 CMOS와 같은 미세 스위칭 소자가 형성된 기판에 직접 접합하는 방식이다. 필요에 따라 성장기판으로 사용한 실리콘 또는 사파이어 기판이 제거될 수 있으며, 단일 크기로 분리된 수 마이크로 크기의 GaN 개별 소자는 스위칭 미세전자소자와 결합하여 동작 전류 조절이 용이하도록 제작할 수 있다. 이 방법의 경우 LED 제조 및 전사방법이 용이하다는 장점이 있으나 각 소자의 품질 관리가 매우 중요한 요소가 된다.The direct transfer method is a method of separating p-type GaN into several micro-sized pieces through an etching process and then directly bonding it to a substrate on which a fine switching device such as CMOS is formed. If necessary, the silicon or sapphire substrate used as the growth substrate can be removed, and individual GaN devices of several microns separated into a single size can be combined with a switching microelectronic device to make it easy to control the operating current. This method has the advantage of being easy to manufacture and transfer LEDs, but quality control of each device becomes a very important factor.

인쇄형 전사방법으로 현재까지 두 가지 방법이 있는 것으로 알려져 있다. 첫 번째 방법으로 미국의 Luxvue 사가 정전헤드(electrostatic head)를 이용하는 방법을 제안하였다. 실리콘 재질로 만들어진 헤드 부분에 전압을 인가함으로써 대전현상에 의해 마이크로 LED와 밀착력이 발생하게 하는 원리이다. 이 방법의 경우 원하는 영역 또는 단일 소자를 선택적으로 이송할 수 있는 장점이 있으나, 정전 유도시 헤드에 인가된 전압에 의해 대전 현상에 의한 마이크로 LED 손상에 대한 문제가 발생할 수 있다. 두 번째 방법으로 미국의 X-Celeprint 사가 개발한 방법으로서 전사 헤드를 탄성이 있는 고분자 물질로 적용하여 웨이퍼 상의 LED를 원하는 기판에 이송시키는 방법이다. 정전헤드 방식에 비해 LED 손상에 대한 문제점은 없으나, 전사 과정에서 목표기판의 접착력 대비 탄성전사 헤드의 접착력이 더 커야 안정적으로 마이크로 LED를 이송시킬 수 있으며, 전극 형성을 위한 추가 공정이 필요한 단점이 있다. 또한, 탄성 고분자 물질의 접착력을 지속적으로 유지하는 것도 매우 중요한 요소로 작용하게 된다.There are currently two known printing-type transfer methods. As a first method, Luxvue of the United States proposed a method using an electrostatic head. The principle is to apply voltage to the head made of silicone, thereby creating adhesion to the micro LED through an electrification phenomenon. This method has the advantage of being able to selectively transfer a desired area or a single element, but problems may arise regarding damage to the micro LED due to charging due to the voltage applied to the head during electrostatic induction. The second method, developed by X-Celeprint in the United States, uses a transfer head made of an elastic polymer material to transfer the LEDs on the wafer to the desired substrate. There is no problem with damage to the LED compared to the electrostatic head method, but the adhesive force of the elastic transfer head must be greater than that of the target substrate during the transfer process to transfer the micro LED stably. It has the disadvantage of requiring an additional process to form electrodes. . In addition, continuously maintaining the adhesion of the elastic polymer material also serves as a very important factor.

전사 공정을 위한 점착 재료로써, 종래의 마스터 몰드와 복제 특성이 뛰어난 PDMS를 이용할 경우, PDMS 표면의 자기 점착 특성 때문에 전극 기판과의 전사 이후에 이를 떼어내기가 매우 어렵다. 디스플레이 용도의 미세 화소 패턴의 정밀한 전사를 위해서는 평판 형태의 면대면 전사가 불가피하다.When using PDMS, which has excellent replication properties with conventional master molds, as an adhesive material for the transfer process, it is very difficult to remove it after transfer to the electrode substrate due to the self-adhesive nature of the PDMS surface. For precise transfer of fine pixel patterns for display purposes, face-to-face transfer in the form of a flat plate is inevitable.

상기 문제점을 해결하기 위하여, 특정 돌기 패턴 형태를 추가한 전사용 패턴 PDMS 필름을 이용하더라도 장비 정밀도나 패턴 필름의 두께 균일도 등에 따라 부분적으로 전사시 압력으로 인한 돌기부의 변형이 누적 발생될 수 있고, 이러한 변형으로 인해 바닥부 PDMS층과의 불필요한 접촉이 일어날 경우, 전극 기판과의 탈착이 어려울 수 있고, 탈착속도가 저하될 수 있으며, 택 타임(tack time)이 증가될 수 있다.In order to solve the above problem, even if a patterned PDMS film for transfer with a specific protrusion pattern shape is used, deformation of the protrusions due to pressure during transfer may partially occur depending on equipment precision or thickness uniformity of the pattern film. If unnecessary contact with the bottom PDMS layer occurs due to deformation, detachment from the electrode substrate may be difficult, detachment speed may decrease, and tack time may increase.

이에 본 출원에서는, 전사 특성이 우수한 디스플레이 화소 형성을 위한 전사용 패턴 필름을 제공하고자 한다.Accordingly, the present application seeks to provide a pattern film for transfer for forming display pixels with excellent transfer characteristics.

본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름은, 기재; 및 상기 기재 상에 구비되고, 표면에 돌기 패턴을 포함하는 폴리디메틸실록산계 필름을 포함하고, 상기 돌기 패턴의 높이는 10㎛ 내지 50㎛ 이고, 상기 돌기 패턴의 상부 표면의 10점 평균 거칠기(ten point median height roughness, Rz)는 0.5㎛ 이하이며, 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 돌기 패턴이 구비되지 않은 표면의 10점 평균 거칠기는 1㎛ 이상이다.A pattern film for transferring display pixels according to an exemplary embodiment of the present application includes a base material; and a polydimethylsiloxane-based film provided on the substrate and including a protrusion pattern on the surface, wherein the height of the protrusion pattern is 10㎛ to 50㎛, and the upper surface of the protrusion pattern has a 10-point average roughness (ten point). The median height roughness (Rz) is 0.5 ㎛ or less, and the 10-point average roughness of the surface without the protrusion pattern of the polydimethylsiloxane-based film is 1 ㎛ or more.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 디스플레이 화소는 발광소자 칩(LED CHIP) 일 수 있다. 상기 발광소자 칩의 크기는 가로, 세로의 크기가 각각 10㎛ 내지 100㎛ 일 수 있고, 25㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다.In an exemplary embodiment of the present application, the display pixel may be a light emitting device chip (LED CHIP). The size of the light emitting device chip may be 10 μm to 100 μm and 25 μm to 50 μm in width and height, respectively.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 기재는 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기재 또는 투명 플라스틱 기재가 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 전자 소자에 통상적으로 사용되는 투명 기재이면 제한되지 않는다. 구체적으로, 상기 투명 기재로는 유리; 폴리카보네이트계 수지; 우레탄 수지; 폴리이미드 수지; 폴리에스테르수지; (메타)아크릴레이트계 고분자 수지; 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지 등으로 이루어진 것이 될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present application, the substrate may be a glass substrate or a transparent plastic substrate with excellent transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness, but is not limited thereto, and is limited to any transparent substrate commonly used in electronic devices. It doesn't work. Specifically, the transparent substrate includes glass; polycarbonate-based resin; Urethane resin; polyimide resin; polyester resin; (meth)acrylate-based polymer resin; It may be made of polyolefin resin such as polyethylene or polypropylene.

상기 기재의 두께는 100㎛ 내지 1,000㎛ 일 수 있고, 300㎛ 내지 700㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The thickness of the substrate may be 100㎛ to 1,000㎛, 300㎛ to 700㎛, but is not limited thereto.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 상부면 전체를 기준으로, 상기 돌기 패턴이 차지하는 면적 비율은 5% 이하일 수 있고, 1% 내지 5% 일 수 있으며, 1% 내지 3.5% 일 수 있다. 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 상부면 전체를 기준으로, 상기 돌기 패턴이 차지하는 면적 비율이 5%를 초과하는 경우에는 전사 공정 중 전극 기판과의 탈착이 어려워질 수 있고, 1% 미만인 경우에는 돌기 상면에 발광소자 칩이 정위치에 안착할 수 있는 여유 공간이 부족하여 위치 얼라인 불량이 발생할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present application, based on the entire upper surface of the polydimethylsiloxane-based film, the area ratio occupied by the protrusion pattern may be 5% or less, 1% to 5%, and 1% to 3.5%. It may be %. If the area ratio occupied by the protrusion pattern exceeds 5% based on the entire upper surface of the polydimethylsiloxane-based film, detachment from the electrode substrate during the transfer process may become difficult, and if it is less than 1%, the upper surface of the protrusion may become difficult. Positional alignment defects may occur due to insufficient space for the light emitting device chip to be seated in the correct position.

상기 돌기 패턴이 차지하는 면적 비율은 하기 도 3 및 수학식 1로 계산될 수 있다.The area ratio occupied by the protrusion pattern can be calculated using Figure 3 and Equation 1 below.

[수학식 1][Equation 1]

돌기 패턴이 차지하는 면적 비율(%) = [(a × b) / Pitch2] × 100Area ratio occupied by the protrusion pattern (%) = [(a × b) / Pitch 2 ] × 100

상기 수학식 1에서,In Equation 1 above,

(a × b)는 돌기의 상부면적이고, Pitch는 돌기 패턴의 피치이다.(a × b) is the upper area of the protrusion, and Pitch is the pitch of the protrusion pattern.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 돌기 패턴의 상부 표면의 10점 평균 거칠기(ten point median height roughness, Rz)는 0.5㎛ 이하이며, 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 돌기 패턴이 구비되지 않은 표면의 10점 평균 거칠기는 1㎛ 이상인 것을 특징으로 한다. 상기 Rz는 Mitutoyo SJ301 측정장비로 측정할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present application, the ten point average height roughness (Rz) of the upper surface of the protrusion pattern is 0.5㎛ or less, and the surface of the polydimethylsiloxane-based film not provided with the protrusion pattern The 10-point average roughness is characterized as 1㎛ or more. The Rz can be measured with Mitutoyo SJ301 measuring equipment.

상기 돌기 패턴의 상부 표면의 10점 평균 거칠기(ten point median height roughness, Rz)가 0.5㎛를 초과하는 경우에는 낮은 점착 특성을 보이기 때문에 화소 chip 전사시 미전사 불량이나 chip 위치틀어짐 등의 불량을 야기할 수 있다. 상기 돌기 패턴의 상부 표면의 Rz 값은 낮으면 낮을수록 좋기 때문에 하한값 설정은 무의미하다.If the ten point average height roughness (Rz) of the upper surface of the protrusion pattern exceeds 0.5㎛, it shows low adhesion characteristics, causing defects such as non-transfer defects or chip misalignment when transferring to the pixel chip. can do. Since the lower the Rz value of the upper surface of the protrusion pattern, the better, setting a lower limit is meaningless.

상기 폴리디메틸실록산계 필름의 돌기 패턴이 구비되지 않은 표면의 10점 평균 거칠기는 1㎛ 이상인 것을 특징으로 하며, 적층체 전체 두께균일도 저하 문제가 없다면 상한값에 특별히 한정받지 않는다. 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 돌기 패턴이 구비되지 않은 표면의 10점 평균 거칠기가 1㎛ 미만인 경우에는 점착력이 높기 때문에 전사 공정시 탈착이 어려워 적합하지 않다.The 10-point average roughness of the surface without the protrusion pattern of the polydimethylsiloxane-based film is characterized as 1 ㎛ or more, and is not particularly limited to the upper limit if there is no problem of deterioration of the overall thickness uniformity of the laminate. If the 10-point average roughness of the surface of the polydimethylsiloxane-based film without the protrusion pattern is less than 1㎛, it is not suitable because the adhesion is high and desorption is difficult during the transfer process.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 돌기 패턴이 구비되지 않은 표면의 정지마찰계수 및 운동마찰계수는 10 이하일 수 있다.In an exemplary embodiment of the present application, the static friction coefficient and kinetic friction coefficient of the surface of the polydimethylsiloxane-based film without the protrusion pattern may be 10 or less.

마찰계수 측정이 가능하다는 것은 폴리디메틸실록산계 필름의 표면거칠기가 증가됨에 따라 표면의 점착력이 약해지는 것을 의미하며, 이로써 마찰계수 측정평가가 가능한 최소한의 슬립성이 확보된 것을 의미한다. 정지마찰계수 및 운동마찰계수가 10 이하인 상태 역시 폴리디메틸실록산계 필름의 점착력이 표면거칠기에 따라 상쇄된 상태로서 하한값인 0에 가까우면 가까울수록 유리할 수 있다.The fact that the friction coefficient can be measured means that the surface adhesion weakens as the surface roughness of the polydimethylsiloxane-based film increases, and this means that the minimum slip resistance that allows the friction coefficient measurement evaluation is secured. When the static friction coefficient and the kinetic friction coefficient are less than 10, the adhesion of the polydimethylsiloxane-based film is offset by the surface roughness, and the closer it is to the lower limit of 0, the more advantageous it can be.

상기 정지마찰계수 및 운동마찰계수는 Toyoseiki 사의 Friction tester(JIS K7125, -P8147, ISO 8295)으로 마찰력을 측정하는 방법을 이용하여 측정할 수 있다. 상기 마찰력 측정시 사용된 sled는 1.96N(200g)이며, 마찰계수 μ는 정지마찰계수(uS)과 운동마찰계수(uD)로 구분될 수 있다.The static friction coefficient and kinetic friction coefficient can be measured using a friction tester (JIS K7125, -P8147, ISO 8295) manufactured by Toyoseiki. The sled used to measure the friction force was 1.96N (200g), and the friction coefficient μ can be divided into the static friction coefficient (uS) and the kinetic friction coefficient (uD).

f = μN (f: 마찰력, μ: 마찰계수, N: 수직항력)f = μN (f: friction force, μ: friction coefficient, N: normal force)

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 돌기 패턴을 구성하는 돌기의 형태는 다각기둥 또는 원기둥 형태일 수 있다. 또한, 상기 돌기의 상부 표면은 플랫(flat)한 형태, 볼록한 형태, 오목한 형태, 이들의 형태가 조합된 형태 등일 수 있다.In an exemplary embodiment of the present application, the shape of the protrusions constituting the protrusion pattern may be in the form of a polygonal pillar or a cylinder. Additionally, the upper surface of the protrusion may be flat, convex, concave, or a combination of these shapes.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 돌기 패턴을 구성하는 돌기의 형태는 다각기둥 또는 원기둥 형태이고, 상기 돌기의 상부 표면은 플랫(flat)한 형태인 것을 특징으로 한다. 보다 구체적으로, 상기 돌기 패턴을 구성하는 돌기의 형태는 사각기둥, 원기둥 등의 기둥 형태일 수 있으며, 상기 돌기의 표면은 플랫(flat)한 형태라야 발광소자 칩의 파손 등의 위험을 줄일 수 있다. 본 출원에 있어서, 상기 "플랫한 형태"는 10점 표면 거칠기, Rz 기준으로 0.5㎛ 이하인 것을 의미하기로 한다. 상기 Rz는 Mitutoyo SJ301 측정장비로 측정할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present application, the shape of the protrusions constituting the protrusion pattern is in the form of a polygonal pillar or cylinder, and the upper surface of the protrusion is characterized in that it is in a flat shape. More specifically, the shape of the protrusions constituting the protrusion pattern may be in the form of a pillar such as a square pillar or cylinder, and the surface of the protrusion should be flat to reduce the risk of damage to the light emitting device chip. . In the present application, the “flat shape” means 0.5㎛ or less based on the 10-point surface roughness, Rz. The Rz can be measured with Mitutoyo SJ301 measuring equipment.

상기 돌기의 상부면적은 디스플레이 해상도 및 설계구조에 따라 상이할 수 있고, 보다 구체적으로 디스플레이 화소의 크기의 10배 내지 20배일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 돌기 패턴을 구성하는 돌기의 형태는 사각기둥일 수 있고, 이 때 상기 사각기둥의 상부면적은 100㎛ × 200㎛, 100㎛ × 150㎛ 등일 수 있다.The upper area of the protrusion may vary depending on the display resolution and design structure, and may be more specifically 10 to 20 times the size of the display pixel, but is not limited thereto. Additionally, the shape of the protrusions constituting the protrusion pattern may be a square pillar, and in this case, the upper area of the square pillar may be 100㎛ × 200㎛, 100㎛ × 150㎛, etc.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 돌기 패턴의 높이는 10㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다. 상기 돌기 패턴의 높이가 10㎛ 미만인 경우에는, 높이 단차가 충분하지 못하기 때문에 아주 약한 전사압력에 의해서도 폴리디메틸실록산계 필름의 변형을 유발시켜 전면적으로 접촉하게 되며, 50㎛를 초과하는 경우에는 패턴 복제 및 마스터 몰드 수급 등이 어려워지는 단점이 있다.In an exemplary embodiment of the present application, the height of the protrusion pattern may be 10㎛ to 50㎛. If the height of the protrusion pattern is less than 10㎛, the height difference is not sufficient, so even a very weak transfer pressure causes deformation of the polydimethylsiloxane-based film and causes full contact, and if it exceeds 50㎛, the pattern There is a disadvantage that replication and master mold supply become difficult.

또한, 상기 돌기 패턴 간의 간격, 즉 돌기 패턴의 피치는 디스플레이 해상도에 의해 결정될 수 있고, 수율 등을 고려한 서브픽셀의 반복 형태도 포함될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 돌기 패턴의 피치는 700㎛ 내지 900㎛ 일 수 있고, 약 800㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.Additionally, the spacing between the protrusion patterns, that is, the pitch of the protrusion patterns, may be determined by display resolution, and may also include a repeating form of subpixels considering yield, etc. More specifically, the pitch of the protrusion pattern may be 700㎛ to 900㎛, or about 800㎛, but is not limited thereto.

상기 돌기 패턴의 피치는 디스플레이 해상도에 따라 임의로 변경될 수 있으나, 돌기 피치가 일정 이하일 경우에는 전사시 접촉하는 면적이 상대적으로 많아질 수 있기 때문에 탈착에는 불리하게 된다. 따라서, 본 출원에 있어서, 발광소자 칩의 선택적인 전사를 위한 돌기 패턴의 피치는 700㎛ 내지 900㎛인 것이 바람직하다. 상기 돌기 패턴의 피치가 700㎛ 미만인 경우에는 전사하고자 하는 화소(픽셀)의 크기가 너무 작게 설계되는 등 적용이 어려운 단점이 있다.The pitch of the protrusion pattern can be arbitrarily changed depending on the display resolution, but if the protrusion pitch is below a certain level, the contact area during transfer may be relatively large, making attachment and detachment disadvantageous. Therefore, in the present application, it is preferable that the pitch of the protrusion pattern for selective transfer of the light emitting device chip is 700㎛ to 900㎛. When the pitch of the protrusion pattern is less than 700㎛, there is a disadvantage in that it is difficult to apply, such as the size of the pixel to be transferred is designed to be too small.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 돌기 패턴은 웨이퍼 상의 발광소자 칩(LED CHIP)을 특정 픽셀 피치만큼 떨어진 칩만을 선택적으로 전사하기 위한 것으로서, 특정 화소 칩들에 한해 선택적으로 접촉시켜 전사시킴으로써 불필요한 접촉, 오염 등을 방지할 수 있고, 발광소자 칩의 탈착이 용이할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present application, the protrusion pattern is used to selectively transfer only the chips that are separated by a specific pixel pitch from the light emitting device chips (LED CHIP) on the wafer. By selectively contacting and transferring only specific pixel chips, unnecessary contact is made. , contamination, etc. can be prevented, and the light emitting device chip can be easily attached and detached.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 표면에 돌기 패턴을 포함하는 폴리디메틸실록산계 필름은 상기 돌기 패턴에 대응되는 홈부 패턴을 포함하는 마스터 몰드로부터 제조될 수 있다. 특히, 본 출원의 일 실시상태에서는, 마스터몰드의 표면특성을 조절하여 상기 돌기 패턴의 상부 표면의 10점 평균 거칠기와 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 돌기 패턴이 구비되지 않은 표면의 10점 평균 거칠기가 서로 구분되도록 조절하였다. 상기 마스터몰드의 표면특성 조절은 미세 소자공정으로 이용되는 화학적 방법, 드라이 에칭 등을 이용하여 부여할 수 있고, 그 외 물리적인 폴리싱(polishing) 샌드블래스팅(sandblasting)이나 이종의 물질을 증착 또는 합지하는 방법을 이용할 수도 있다.In an exemplary embodiment of the present application, a polydimethylsiloxane-based film including a protrusion pattern on the surface may be manufactured from a master mold including a groove pattern corresponding to the protrusion pattern. In particular, in an exemplary embodiment of the present application, the surface characteristics of the master mold are adjusted to determine the 10-point average roughness of the upper surface of the protrusion pattern and the 10-point average roughness of the surface without the protrusion pattern of the polydimethylsiloxane-based film. It was adjusted to distinguish them from each other. The surface properties of the master mold can be adjusted using chemical methods used in micro device processes, dry etching, etc., and other methods include physical polishing, sandblasting, or deposition or lamination of different materials. You can also use this method.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름은 돌기부 표면에 거칠기가 부여된 마스터몰드를 준비하는 단계, 상기 마스터몰드에 PDMS를 코팅하고 경화시키는 단계, 및 상기 마스터몰드에서 PDMS를 이형시키는 단계를 포함하는 방법에 의하여 제조될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present application, the pattern film for transfer of display pixels includes preparing a master mold with roughness provided to the surface of the protrusion, coating and curing PDMS on the master mold, and applying PDMS on the master mold. It can be manufactured by a method including a mold release step.

상기 폴리디메틸실록산계 필름은 몰드 복제 및 이형성이 우수하므로, 본 출원에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름에 보다 효과적으로 적용될 수 있다. 종래의 복제 용도로 주로 이용되는 UV 경화형 폴리우레탄계 수지(PUA, Poly Urethane Acrylate)는 전사특성에 영향을 주는 적절한 경도 및 점착력 부여가 힘들다는 단점이 있다.Since the polydimethylsiloxane-based film has excellent mold replication and release properties, it can be more effectively applied to the pattern film for transfer of display pixels according to the present application. UV-curable polyurethane-based resin (PUA, Poly Urethane Acrylate), which is mainly used for conventional reproduction purposes, has the disadvantage of making it difficult to provide appropriate hardness and adhesiveness that affect transfer characteristics.

종래에는 폴리디메틸실록산계 필름 표면의 자기점착 특성 때문에, 원하는 전극 기판에 디스플레이 화소를 전사한 후 상기 폴리디메틸실록산계 필름을 이형시키는 것이 매우 어려웠다. 그러나, 본 출원에서는 폴리디메틸실록산계 필름의 표면에 특정 면적비율과 높이를 가지는 돌기 패턴을 형성함으로써, 디스플레이 화소의 전사시 전극 표면과 폴리디메틸실록산계 필름의 접촉면을 줄일 수 있고, 상기 디스플레이 화소의 전사 이후에 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 이형 특성이 우수한 장점이 있다.Conventionally, due to the self-adhesive nature of the surface of the polydimethylsiloxane-based film, it was very difficult to release the polydimethylsiloxane-based film after transferring the display pixels to the desired electrode substrate. However, in the present application, by forming a protrusion pattern with a specific area ratio and height on the surface of the polydimethylsiloxane-based film, the contact area between the electrode surface and the polydimethylsiloxane-based film can be reduced during the transfer of the display pixel, and the contact surface of the display pixel can be reduced. The polydimethylsiloxane-based film has the advantage of excellent release characteristics after transfer.

상기 폴리디메틸실록산계 필름의 두께는 200㎛ 내지 800㎛ 일 수 있고, 치수변형 등을 고려할 때 300㎛ 내지 600㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The thickness of the polydimethylsiloxane-based film may be 200㎛ to 800㎛, and when considering dimensional deformation, etc., it may be 300㎛ to 600㎛, but is not limited thereto.

본 출원에 있어서, 상기 돌기 패턴 표면의 점착력은 600 gf/cm2 이하일 수 있다. 상기 돌기 패턴 표면의 점착력은 상기 돌기 패턴 표면에 대해 1cm × 1cm 면적의 유리 기판을 1,000gf 하중으로 30초간 접촉시킨 후, 이형시킬 때 걸리는 최대 하중값이다. 또한, 상기 돌기 패턴 표면의 점착력은 300 gf/cm2 이상일 수 있다. 상기 돌기 패턴 표면의 점착력이 300 gf/cm2 미만인 경우에는 공정간 핸들링 시 충분하지 않은 점착력으로 인해 발광 소자 칩이 떨어져 소실되거나 불필요한 회전이 발생할 수 있다.In the present application, the adhesive force of the surface of the protrusion pattern may be 600 gf/cm 2 or less. The adhesive force of the surface of the protrusion pattern is the maximum load applied when a glass substrate with an area of 1 cm × 1 cm is brought into contact with the surface of the protrusion pattern for 30 seconds under a load of 1,000 gf and then released. Additionally, the adhesive force of the surface of the protrusion pattern may be 300 gf/cm 2 or more. If the adhesive force of the surface of the protrusion pattern is less than 300 gf/cm 2 , the light emitting device chip may fall and be lost or unnecessary rotation may occur due to insufficient adhesive force during handling between processes.

본 출원에 있어서, 상기 기재와 폴리디메틸실록산계 필름 사이에 접착층을 추가로 포함할 수 있다.In the present application, an adhesive layer may be additionally included between the substrate and the polydimethylsiloxane-based film.

상기 접착층은 당 기술분야에 알려진 재료를 이용할 수 있고, 보다 구체적으로 감압 접착제(PSA)를 이용할 수 있고, 아크릴계 접착제, 합성고무 접착제 등을 이용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 접착층은 양면 PSA를 이용할 수 있고, 이 때 상기 양면 PSA의 한 쪽 면에는 실리콘계 접착제를 포함하고, 다른 한 쪽 면에는 아크릴계 접착제를 포함할 수 있으며, 이에 의하여 이종물질에 대한 접착이 우수할 수 있다.The adhesive layer may use materials known in the art, and more specifically, pressure-sensitive adhesive (PSA), an acrylic adhesive, a synthetic rubber adhesive, etc. may be used, but is not limited thereto. In addition, in an exemplary embodiment of the present application, the adhesive layer may use a double-sided PSA, and in this case, one side of the double-sided PSA may include a silicone-based adhesive, and the other side may include an acrylic adhesive, As a result, adhesion to dissimilar materials can be excellent.

상기 접착층의 두께는 30㎛ 내지 300㎛ 일 수 있고, 50㎛ 내지 150㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The thickness of the adhesive layer may be 30㎛ to 300㎛, 50㎛ to 150㎛, but is not limited thereto.

본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 하기 도 1 및 도 2에 개략적으로 나타내었다.A pattern film for transferring display pixels according to an exemplary embodiment of the present application is schematically shown in Figures 1 and 2 below.

하기 도 1과 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름은, 기재(10); 및 상기 기재(10) 상에 구비되고, 표면에 돌기 패턴(20)을 포함하는 폴리디메틸실록산계 필름(30)을 포함한다. 이 때, 상기 돌기 패턴의 상부 표면(50)의 10점 평균 거칠기(ten point median height roughness, Rz)는 0.5㎛ 이하이며, 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 돌기 패턴이 구비되지 않은 표면(60)의 10점 평균 거칠기는 1㎛ 이상이다.As shown in FIG. 1 below, a pattern film for transferring display pixels according to an exemplary embodiment of the present application includes a substrate 10; and a polydimethylsiloxane-based film 30 provided on the substrate 10 and including a protrusion pattern 20 on the surface. At this time, the ten point average height roughness (Rz) of the upper surface 50 of the protrusion pattern is 0.5㎛ or less, and the surface 60 of the polydimethylsiloxane-based film without the protrusion pattern is The average roughness of 10 points is 1㎛ or more.

또한, 하기 도 2와 같이, 상기 기재(10)와 폴리디메틸실록산계 필름(30) 사이에 접착층(40)을 추가로 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 2 below, an adhesive layer 40 may be additionally included between the substrate 10 and the polydimethylsiloxane-based film 30.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이의 제조방법은, 상기 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 준비하는 단계; 상기 돌기 패턴의 표면 상에 디스플레이 화소를 구비시키는 단계; 및 상기 디스플레이 화소를 디스플레이용 전극 기판에 전사하는 단계를 포함한다.In addition, a method of manufacturing a display according to an exemplary embodiment of the present application includes preparing a pattern film for transferring the display pixels; providing display pixels on the surface of the protrusion pattern; and transferring the display pixels to a display electrode substrate.

상기 돌기 패턴의 표면 상에 디스플레이 화소를 구비시키는 단계는, 레이저를 이용한 리프트-오프(lift-off) 기술로 수행될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The step of providing display pixels on the surface of the protrusion pattern may be performed using a lift-off technology using a laser, but is not limited to this.

상기 디스플레이 화소를 디스플레이용 전극 기판에 전사하는 단계는, 적절한 전사 압력에 의해 점착기능이 부여된 전극 기판에 부착시키는 방법을 이용할 수 있다.The step of transferring the display pixels to the display electrode substrate can be done by attaching them to an electrode substrate provided with an adhesive function using appropriate transfer pressure.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 이용하는 경우에는, 웨이퍼 상에 형성된 발광소자 칩들 중에서 특정 간격의 발광소자 칩만이 선택적으로 접촉되므로, 상기 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 특징이 있다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present application, when using the pattern film for transferring display pixels, only light emitting device chips at specific intervals are selectively contacted among light emitting device chips formed on the wafer, thereby preventing contamination of the wafer. There are features that can be used.

이하, 실시예를 통하여 본 명세서에 기재된 실시상태를 예시한다. 그러나, 이하의 실시예에 의하여 상기 실시상태들의 범위가 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.Hereinafter, the embodiments described in this specification will be illustrated through examples. However, it is not intended that the scope of the above embodiments is limited by the following examples.

<< 실시예Example >>

<< 실시예Example 1> 1>

음각 패턴(가로 × 세로, 100㎛ × 200㎛)이 형성된 Si 웨이퍼(wafer) 식각몰드(단차 20㎛)를 폴리싱(polishing) 방법을 통해 양각부에 요철을 선택적으로 형성하였다. 요철의 정도가 10점 평균거칠기(Rz) 값으로 5㎛인 것을 특징으로 한다. 여기서, 10점 평균거칠기(Rz) 값은 단면곡선에서 가장 높은 봉우리 5개의 평균 높이와 가장 깊은 골짜기 5개의 평균 깊이의 차이를 의미한다. 이후, PDMS(shinetsu社)를 갭어플리케이터를 이용하여 400㎛ 두께로 코팅하고 24시간 상온경화(경도 30) 하였다.A Si wafer etching mold (step 20 ㎛) with an engraved pattern (width × height, 100㎛ × 200㎛) was selectively formed with irregularities on the embossed part through a polishing method. The degree of unevenness is characterized by a 10-point average roughness (Rz) value of 5㎛. Here, the 10-point average roughness (Rz) value means the difference between the average height of the five highest peaks and the average depth of the five deepest valleys in the cross-section curve. Afterwards, PDMS (shinetsu) was coated to a thickness of 400㎛ using a gap applicator and cured at room temperature for 24 hours (hardness 30).

경화된 PDMS면에 실리콘계 점착제(adhesive)를 100㎛ 두께로 코팅하고 건조 시킨 후, PC 기판(500㎛)을 롤합지하여 최종 적층체를 완성하였다.A 100㎛ thick silicone adhesive was coated on the cured PDMS surface and dried, followed by roll lamination with a PC board (500㎛) to complete the final laminate.

완성된 적층체를 웨이퍼(wafer) 몰드에서 이형시키면 돌기부는 플랫(flat)한 반면, 바닥부는 거친 표면이 복제된 형태로 남게 된다.When the finished laminate is released from the wafer mold, the protrusions are flat, while the rough surface of the bottom remains in a replicated form.

상기 제조된 적층체의 돌기 패턴의 높이는 20㎛ 이고, 피치는 800㎛ 이며, 상부 면적은 (100㎛ × 200㎛) 였다. 상기 수학식 1로 계산한 돌기 패턴이 차지하는 면적비율은 3.1% 였다.The height of the protrusion pattern of the manufactured laminate was 20㎛, the pitch was 800㎛, and the upper area was (100㎛×200㎛). The area ratio occupied by the protrusion pattern calculated using Equation 1 above was 3.1%.

<< 비교예Comparative example 1> 1>

실시예 1에서, 상기 Si 웨이퍼(wafer) 식각몰드의 양각부에 요철을 형성하지 않은 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.In Example 1, the same procedure as Example 1 was performed, except that unevenness was not formed on the embossed portion of the Si wafer etching mold.

<< 실험예Experiment example >>

상기 실시예 1 및 비교예 1에서 제조한 적층체에 대한 표면거칠기, 바닥부의 마찰계수 및 전사 후 탈착평가를 수행한 후 하기 표 1에 나타내었다. 또한, 상기 실시예 1 및 비교예 1에서 제조한 적층체에 대한 표면거칠기(Rz)를 측정한 그래프를 하기 도 4에 나타내었다.The surface roughness, friction coefficient of the bottom, and post-transfer desorption evaluation of the laminates prepared in Example 1 and Comparative Example 1 are shown in Table 1 below. In addition, a graph measuring the surface roughness (Rz) of the laminates manufactured in Example 1 and Comparative Example 1 is shown in Figure 4 below.

[표 1][Table 1]

Figure 112018068763429-pat00001
Figure 112018068763429-pat00001

돌기부: 돌기 패턴의 상부 표면Protrusions: Upper surface of the protrusion pattern.

바닥부: 폴리디메틸실록산계 필름의 돌기 패턴이 구비되지 않은 표면Bottom part: Surface without protrusion pattern of polydimethylsiloxane-based film

상기 정지마찰계수 및 운동마찰계수는 Toyoseiki 사의 Friction tester(JIS K7125, -P8147, ISO 8295)으로 마찰력을 측정하는 방법을 이용하여 측정하였다. 상기 마찰력 측정시 사용된 sled는 1.96N(200g)이며, 마찰계수 μ는 정지마찰계수(uS)과 운동마찰계수(uD)로 구분될 수 있다.The static friction coefficient and kinetic friction coefficient were measured using a friction tester (JIS K7125, -P8147, ISO 8295) manufactured by Toyoseiki. The sled used to measure the friction force was 1.96N (200g), and the friction coefficient μ can be divided into the static friction coefficient (uS) and the kinetic friction coefficient (uD).

f = μN (f: 마찰력, μ: 마찰계수, N: 수직항력)f = μN (f: friction force, μ: friction coefficient, N: normal force)

상기 점착력은 적층구조체 표면, 즉 돌기 패턴과 PDMS 동시접촉된 상태에서 측정되었으며, 1cm × 1cm 면적의 유리 기판을 1,000gf 하중으로 30초간 접촉시킨 후 이형시킬 때 걸리는 최대 하중값이다.The adhesion was measured when the surface of the laminated structure, i.e., the protrusion pattern, and PDMS were in simultaneous contact, and was the maximum load applied when a glass substrate with an area of 1 cm × 1 cm was brought into contact with a load of 1,000 gf for 30 seconds and then released.

전사장비를 이용한 전사공정 적합도 평가에서, 실시예 1의 경우 바닥부 PDMS의 점착력이 상대적으로 비교예 1보다 약하기 때문에 전사 후 탈착에 더 유리하였다. 점착력이 일정수준 이상일 경우 탈착시 택 타임(tact time)이 길어지거나 공정 중 장비에 부하가 발생하며, 디스플레이 기재의 손상을 유발시킬 수 있다.In evaluating the suitability of the transfer process using the transfer equipment, Example 1 was more advantageous for desorption after transfer because the adhesion of the bottom PDMS was relatively weaker than Comparative Example 1. If the adhesive strength is above a certain level, the tact time during desorption may become longer, a load may be placed on the equipment during the process, and damage to the display substrate may occur.

상기 결과와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 표면에 돌기 패턴이 형성되어 있으므로, 디스플레이 화소의 전사시 전극 표면과 폴리디메틸실록산계 필름의 접촉면을 줄일 수 있고, 상기 디스플레이 화소의 전사 이후에 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 이형 특성이 우수하다.As shown in the above results, according to an exemplary embodiment of the present application, a protrusion pattern is formed on the surface of the polydimethylsiloxane-based film, so that the contact surface between the electrode surface and the polydimethylsiloxane-based film can be reduced when transferring the display pixel, After transferring the display pixels, the polydimethylsiloxane-based film has excellent release characteristics.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 이용하는 경우에는, 웨이퍼 상에 형성된 발광소자 칩들 중에서 특정 간격의 발광소자 칩만이 선택적으로 접촉되므로, 상기 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 특징이 있다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present application, when using the pattern film for transferring display pixels, only light emitting device chips at specific intervals are selectively contacted among light emitting device chips formed on the wafer, thereby preventing contamination of the wafer. There are features that can be used.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 돌기 패턴의 상부 표면은 점착특성이 좋은 기존의 표면거칠기가 낮은 폴리디메틸실록산계 필름면으로 구성되나, 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 돌기 패턴이 구비되지 않은 표면에는 표면거칠기를 인위적으로 부가하여 불필요한 접촉이 발생될 경우에도 전극 기판의 손상없이 탈착/이형을 더욱 쉽게 할 수 있는 특징이 있다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present application, the upper surface of the protrusion pattern is composed of a polydimethylsiloxane-based film surface with good adhesion characteristics and low surface roughness, but the protrusion pattern of the polydimethylsiloxane-based film is not provided. Even when unnecessary contact occurs by artificially adding surface roughness to the surface, it has the feature of making it easier to attach/release without damaging the electrode substrate.

10: 기재
20: 돌기 패턴
30: 폴리디메틸실록산계 필름
40: 접착층
50: 돌기 패턴의 상부 표면
60: 폴리디메틸실록산계 필름의 돌기 패턴이 구비되지 않은 표면
10: Description
20: Protrusion pattern
30: Polydimethylsiloxane-based film
40: Adhesive layer
50: Upper surface of protrusion pattern
60: Surface without protrusion pattern of polydimethylsiloxane-based film

Claims (10)

기재; 및
상기 기재 상에 구비되고, 표면에 돌기 패턴을 포함하는 폴리디메틸실록산계 필름을 포함하고,
상기 돌기 패턴의 높이는 10㎛ 내지 50㎛ 이고,
상기 돌기 패턴의 상부 표면의 10점 평균 거칠기(ten point median height roughness, Rz)는 0.5㎛ 이하이며,
상기 폴리디메틸실록산계 필름의 돌기 패턴이 구비되지 않은 표면의 10점 평균 거칠기는 1㎛ 이상이고,
상기 돌기 패턴 표면의 점착력은 300 gf/cm2 내지 600 gf/cm2 인 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름.
write; and
A polydimethylsiloxane-based film provided on the substrate and including a protrusion pattern on the surface,
The height of the protrusion pattern is 10㎛ to 50㎛,
The ten point average height roughness (Rz) of the upper surface of the protrusion pattern is 0.5 μm or less,
The 10-point average roughness of the surface without the protrusion pattern of the polydimethylsiloxane-based film is 1㎛ or more,
A pattern film for display pixel transfer, wherein the adhesive force of the surface of the protrusion pattern is 300 gf/cm 2 to 600 gf/cm 2 .
청구항 1에 있어서, 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 돌기 패턴이 구비되지 않은 표면의 정지마찰계수 및 운동마찰계수는 10 이하인 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름.The pattern film for transfer of display pixels according to claim 1, wherein the static friction coefficient and the kinetic friction coefficient of the surface of the polydimethylsiloxane-based film without the protrusion pattern are 10 or less. 청구항 1에 있어서, 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 상부면 전체를 기준으로, 상기 돌기 패턴이 차지하는 면적 비율은 5% 이하인 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름.The pattern film for display pixel transfer according to claim 1, wherein an area ratio occupied by the protrusion pattern is 5% or less based on the entire upper surface of the polydimethylsiloxane-based film. 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 돌기 패턴의 피치는 700㎛ 내지 900㎛인 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름.The pattern film for display pixel transfer according to claim 1, wherein the pitch of the protrusion pattern is 700㎛ to 900㎛. 청구항 1에 있어서, 상기 폴리디메틸실록산계 필름의 두께는 200㎛ 내지 800㎛인 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름.The pattern film for display pixel transfer according to claim 1, wherein the polydimethylsiloxane-based film has a thickness of 200㎛ to 800㎛. 청구항 1에 있어서, 상기 디스플레이 화소는 발광소자 칩(LED CHIP)인 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름.The pattern film for display pixel transfer according to claim 1, wherein the display pixel is a light emitting device chip (LED CHIP). 청구항 1에 있어서, 상기 기재와 폴리디메틸실록산계 필름 사이에 접착층을 추가로 포함하는 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름.The pattern film for display pixel transfer according to claim 1, further comprising an adhesive layer between the substrate and the polydimethylsiloxane-based film. 청구항 1 내지 3, 및 5 내지 8 중 어느 한 항의 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 준비하는 단계;
상기 돌기 패턴의 표면 상에 디스플레이 화소를 구비시키는 단계; 및
상기 디스플레이 화소를 디스플레이용 전극 기판에 전사하는 단계
를 포함하는 디스플레이의 제조방법.
Preparing a pattern film for transfer of display pixels of any one of claims 1 to 3 and 5 to 8;
providing display pixels on the surface of the protrusion pattern; and
Transferring the display pixels to a display electrode substrate
A method of manufacturing a display comprising.
청구항 9에 있어서, 상기 디스플레이는 투명 발광소자 디스플레이인 것인 디스플레이의 제조방법.The method of claim 9, wherein the display is a transparent light emitting device display.
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