KR20210048216A - Pattern film for transferring display pixel and method for manufacturing thereof - Google Patents

Pattern film for transferring display pixel and method for manufacturing thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20210048216A
KR20210048216A KR1020190132201A KR20190132201A KR20210048216A KR 20210048216 A KR20210048216 A KR 20210048216A KR 1020190132201 A KR1020190132201 A KR 1020190132201A KR 20190132201 A KR20190132201 A KR 20190132201A KR 20210048216 A KR20210048216 A KR 20210048216A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polydimethylsiloxane
based coating
pattern
coating layer
display pixel
Prior art date
Application number
KR1020190132201A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102708229B1 (en
Inventor
구범모
박영진
이승헌
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020190132201A priority Critical patent/KR102708229B1/en
Priority claimed from KR1020190132201A external-priority patent/KR102708229B1/en
Publication of KR20210048216A publication Critical patent/KR20210048216A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102708229B1 publication Critical patent/KR102708229B1/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/20Making multilayered or multicoloured articles
    • B29C43/203Making multilayered articles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/003Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor characterised by the choice of material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/32Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C43/52Heating or cooling
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04Polysiloxanes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29LINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2007/00Flat articles, e.g. films or sheets
    • B29L2007/008Wide strips, e.g. films, webs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03Manufacturing methods
    • H01L2224/034Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area
    • H01L2224/0343Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area in solid form
    • H01L2224/03436Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
    • H01L2224/0344Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer by transfer printing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

A method for manufacturing a pattern film for display pixel transfer according to an exemplary embodiment of the present application includes the steps of: preparing a master mold having a groove pattern; forming a polydimethylsiloxane-based coating layer and a base layer on the master mold; and removing the master mold. The step of forming the polydimethylsiloxane-based coating layer and the base layer on the master mold is performed in a roll-to-roll process.

Description

디스플레이 화소 전사용 패턴 필름 및 이의 제조방법{PATTERN FILM FOR TRANSFERRING DISPLAY PIXEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}Pattern film for display pixel transfer and its manufacturing method {PATTERN FILM FOR TRANSFERRING DISPLAY PIXEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}

본 출원은 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present application relates to a pattern film for transferring a display pixel and a method of manufacturing the same.

최근 LED(Light Emitting Diode: 발광소자)로 구성된 조명기구 등은 기존의 백열등 또는 형광등에 비해 수명이 길고 상대적으로 저전력을 소비하며 제조공정에서 오염물질을 배출하지 않는 장점 등으로 인하여 수요가 폭발적으로 증가하고 있으며, LED는 발광을 이용한 표시 장치는 물론이고 조명장치나 LCD 표시장치의 백라이트 소자에도 응용되는 등 적용 영역이 점차 다양해지고 있다.Recently, lighting equipment composed of LED (Light Emitting Diode) has a longer lifespan, relatively low power consumption, and does not emit pollutants in the manufacturing process compared to conventional incandescent or fluorescent lamps, and the demand has exploded. In addition, LEDs are applied not only to display devices using light emission, but also to backlight devices of lighting devices or LCD display devices.

특히, LED는 비교적 낮은 전압으로 구동이 가능하면서도 높은 에너지 효율로 인해 발열이 낮고 수명이 긴 장점이 있으며, 종래에는 구현이 어려웠던 백색광을 고휘도로 제공할 수 있는 기술이 개발됨에 따라 현재 사용되고 있는 대부분의 광원 장치를 대체할 수 있을 것으로 기대하고 있다.In particular, LEDs can be driven with a relatively low voltage, but have low heat generation and long lifespan due to high energy efficiency. As a technology capable of providing white light with high luminance, which was difficult to implement in the past, has been developed, most of the currently used It is expected to be able to replace the light source device.

대한민국 특허공개공보 제10-2015-0033169호Korean Patent Publication No. 10-2015-0033169

본 출원은 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.The present application is to provide a pattern film for display pixel transfer and a method of manufacturing the same.

본 출원의 일 실시상태는,An exemplary embodiment of the present application,

홈부 패턴이 구비된 마스터 몰드(master mold)를 준비하는 단계;Preparing a master mold having a groove pattern;

상기 마스터 몰드 상에 폴리디메틸실록산계 코팅층 및 기재층을 형성하는 단계; 및Forming a polydimethylsiloxane-based coating layer and a base layer on the master mold; And

상기 마스터 몰드를 제거하는 단계를 포함하고,Including the step of removing the master mold,

상기 마스터 몰드 상에 폴리디메틸실록산계 코팅층 및 기재층을 형성하는 단계는 롤투롤(roll-to-roll) 공정으로 수행되는 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름의 제조방법을 제공한다.The step of forming the polydimethylsiloxane-based coating layer and the base layer on the master mold is performed by a roll-to-roll process, providing a method of manufacturing a pattern film for display pixel transfer.

또한, 본 출원의 다른 실시상태는,In addition, another exemplary embodiment of the present application,

상기 제조방법에 따라 제조되고,It is manufactured according to the above manufacturing method,

기재층; 및 상기 기재층 상에 구비되고, 표면에 돌기 패턴을 포함하는 폴리디메틸실록산계 코팅층을 포함하는 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 제공한다.Base layer; And a polydimethylsiloxane-based coating layer provided on the substrate layer and including a protrusion pattern on a surface thereof.

또한, 본 출원의 다른 실시상태는,In addition, another exemplary embodiment of the present application,

상기 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 준비하는 단계;Preparing a pattern film for transferring the display pixels;

상기 돌기 패턴의 표면 상에 디스플레이 화소를 구비시키는 단계; 및Providing a display pixel on the surface of the protruding pattern; And

상기 디스플레이 화소를 디스플레이용 전극 기판에 전사하는 단계Transferring the display pixel to an electrode substrate for a display

를 포함하는 디스플레이의 제조방법을 제공한다.It provides a method of manufacturing a display comprising a.

본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 폴리디메틸실록산계 코팅층의 표면에 돌기 패턴이 형성되어 있으므로, 디스플레이 화소의 전사시 전극 표면과 폴리디메틸실록산계 코팅층의 접촉면을 줄일 수 있고, 상기 디스플레이 화소의 전사 이후에 상기 폴리디메틸실록산계 코팅층의 이형 특성이 우수하다.According to an exemplary embodiment of the present application, since the protrusion pattern is formed on the surface of the polydimethylsiloxane-based coating layer, the contact surface between the electrode surface and the polydimethylsiloxane-based coating layer can be reduced when transferring the display pixel, and transfer of the display pixel After that, the release property of the polydimethylsiloxane-based coating layer is excellent.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 이용하는 경우에는, 웨이퍼 상에 형성된 발광소자 칩들 중에서 특정 간격의 발광소자 칩만이 선택적으로 접촉되므로, 상기 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 특징이 있다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present application, in the case of using the display pixel transfer pattern film, only light emitting device chips having a specific interval are selectively contacted among the light emitting device chips formed on the wafer, thereby preventing contamination of the wafer. There are features that can be used.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 폴리디메틸실록산계 코팅층 및 기재층이 서로 직접 접하여 구비되도록 롤투롤(roll-to-roll) 공정으로 형성함으로써, 종래에 기재와 폴리디메틸실록산계 필름 사이에 구비되는 접착층(PSA층 등)을 제외시킬 수 있다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present application, by forming a roll-to-roll process so that the polydimethylsiloxane-based coating layer and the substrate layer are provided in direct contact with each other, conventionally, between the substrate and the polydimethylsiloxane-based film. An adhesive layer (such as a PSA layer) provided in the can be excluded.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름의 치수 정밀도 및 경시 안정성 등을 개선할 수 있는 특징이 있다.In addition, according to the exemplary embodiment of the present application, there is a feature capable of improving dimensional accuracy and stability over time of the display pixel transfer pattern film.

도 1은 본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 2는 본 출원의 일 실시상태로서, 실시예 2에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 3은 본 출원의 일 실시상태로서, 돌기 패턴이 차지하는 면적 비율을 계산하는 방법을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 4는 본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 5는 본 출원의 비교예 1에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 개략적으로 나타낸 도이다.
1 is a diagram schematically illustrating a method of manufacturing a pattern film for transferring a display pixel according to an exemplary embodiment of the present application.
2 is a diagram schematically illustrating a pattern film for transferring a display pixel according to a second embodiment, as an exemplary embodiment of the present application.
3 is a diagram schematically illustrating a method of calculating an area ratio occupied by a protruding pattern as an exemplary embodiment of the present application.
4 is a schematic diagram illustrating a pattern film for transferring a display pixel according to an exemplary embodiment of the present application.
5 is a diagram schematically illustrating a pattern film for transferring a display pixel according to Comparative Example 1 of the present application.

이하 본 출원에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present application will be described in detail.

전사(transfer)란 단일 또는 다수의 마이크로 LED를 상대기판에 이송하는 일련의 행위이다. 기존 LED 단일 칩을 이송하는 방법으로는 Pick & Place 장비를 활용하여 패키징 공정에서 적용하여 왔으나, LED 크기가 수 마이크로까지 작아짐에 따라 고정밀도로 이송하는 기술이 필요하다. 이를 위해 현재까지는 직접전사와 인쇄전사 2가지 방법으로 기술 개발이 이루어지고 있다. 직접전사는 이송하고자 하는 재료 또는 박막을 목표기판에 직접 접합하는 기술이며, 인쇄전사는 정전 또는 접합 스탬프(stamp)와 같은 중간 매개체를 활용하는 기술로 정의할 수 있다. 직접전사와 인쇄전사 방식의 대표적인 기술은 다음과 같다.Transfer is a series of actions that transfer single or multiple micro LEDs to a counter substrate. As a method of transferring a single chip of an existing LED, it has been applied in the packaging process using Pick & Place equipment, but as the size of the LED is reduced to several microns, a technology to transfer it with high precision is required. To this end, technology has been developed in two ways, direct transfer and print transfer. Direct transfer is a technology that directly bonds a material or thin film to be transferred to a target substrate, and print transfer can be defined as a technique that utilizes an intermediate medium such as electrostatic or bonding stamp. Representative technologies of direct transfer and print transfer are as follows.

직접전사 방식은 p-type의 GaN를 식각 공정으로 수 마이크로 크기로 분리시킨 후에 CMOS와 같은 미세 스위칭 소자가 형성된 기판에 직접 접합하는 방식이다. 필요에 따라 성장기판으로 사용한 실리콘 또는 사파이어 기판이 제거될 수 있으며, 단일 크기로 분리된 수 마이크로 크기의 GaN 개별 소자는 스위칭 미세전자소자와 결합하여 동작 전류 조절이 용이하도록 제작할 수 있다. 이 방법의 경우 LED 제조 및 전사방법이 용이하다는 장점이 있으나 각 소자의 품질 관리가 매우 중요한 요소가 된다.The direct transfer method is a method in which p-type GaN is separated into several microns by an etching process and then directly bonded to a substrate on which a fine switching device such as CMOS is formed. If necessary, a silicon or sapphire substrate used as a growth substrate may be removed, and individual GaN devices with a size of several microns separated into a single size may be combined with a switching microelectronic device to facilitate operation current control. This method has the advantage of easy LED manufacturing and transfer, but quality control of each device becomes a very important factor.

인쇄형 전사방법으로 현재까지 두 가지 방법이 있는 것으로 알려져 있다. 첫 번째 방법으로 미국의 Luxvue 사가 정전헤드(electrostatic head)를 이용하는 방법을 제안하였다. 실리콘 재질로 만들어진 헤드 부분에 전압을 인가함으로써 대전현상에 의해 마이크로 LED와 밀착력이 발생하게 하는 원리이다. 이 방법의 경우 원하는 영역 또는 단일 소자를 선택적으로 이송할 수 있는 장점이 있으나, 정전 유도시 헤드에 인가된 전압에 의해 대전 현상에 의한 마이크로 LED 손상에 대한 문제가 발생할 수 있다. 두 번째 방법으로 미국의 X-Celeprint 사가 개발한 방법으로서 전사 헤드를 탄성이 있는 고분자 물질로 적용하여 웨이퍼 상의 LED를 원하는 기판에 이송시키는 방법이다. 정전헤드 방식에 비해 LED 손상에 대한 문제점은 없으나, 전사 과정에서 목표기판의 접착력 대비 탄성전사 헤드의 접착력이 더 커야 안정적으로 마이크로 LED를 이송시킬 수 있으며, 전극 형성을 위한 추가 공정이 필요한 단점이 있다. 또한, 탄성 고분자 물질의 접착력을 지속적으로 유지하는 것도 매우 중요한 요소로 작용하게 된다.It is known that there are two methods of printing type transfer until now. As the first method, Luxvue of the United States proposed a method using an electrostatic head. It is a principle that the contact force with the micro LED is generated by the charging phenomenon by applying a voltage to the head made of silicon material. Although this method has the advantage of being able to selectively transfer a desired area or a single element, there may be a problem of damage to the micro LED due to charging due to a voltage applied to the head during induction of a power outage. The second method, developed by X-Celeprint of the United States, is a method of transferring the LED on the wafer to a desired substrate by applying a transfer head with an elastic polymer material. Compared to the electrostatic head method, there is no problem for damage to the LED, but in the transfer process, the micro LED can be stably transferred when the adhesive force of the elastic transfer head is greater than that of the target substrate, and there is a disadvantage that an additional process for forming an electrode is required. . In addition, maintaining the adhesive force of the elastic polymer material continuously acts as a very important factor.

전사 공정을 위한 점착 재료로써, 종래의 마스터 몰드와 복제 특성이 뛰어난 PDMS를 이용할 경우, PDMS 표면의 자기 점착 특성 때문에 전극 기판과의 전사 이후에 이를 떼어내기가 매우 어렵다. 디스플레이 용도의 미세 화소 패턴의 정밀한 전사를 위해서는 평판 형태의 면대면 전사가 불가피하다.As the adhesive material for the transfer process, when a conventional master mold and PDMS having excellent replication properties are used, it is very difficult to remove them after transfer to the electrode substrate due to the self-adhesive properties of the surface of the PDMS. In order to accurately transfer a fine pixel pattern for display purposes, a flat plate type face-to-face transfer is inevitable.

상기 문제점을 해결하기 위하여, 특정 돌기 패턴 형태를 추가한 전사용 패턴 PDMS 필름을 이용하더라도 장비 정밀도나 패턴 필름의 두께 균일도 등에 따라 부분적으로 전사시 압력으로 인한 돌기부의 변형이 누적 발생될 수 있고, 이러한 변형으로 인해 바닥부 PDMS층과의 불필요한 접촉이 일어날 경우, 전극 기판과의 탈착이 어려울 수 있고, 탈착속도가 저하될 수 있으며, 택 타임(tack time)이 증가될 수 있다.In order to solve the above problem, even if a transfer pattern PDMS film to which a specific protrusion pattern shape is added is used, deformation of the protrusion due to pressure during partial transfer may be accumulated depending on equipment precision or thickness uniformity of the pattern film. When unnecessary contact with the bottom PDMS layer occurs due to deformation, it may be difficult to detach the electrode substrate, the detachment speed may be lowered, and the tack time may increase.

PDMS 등을 이용하여 특정 패턴의 복제 및 전사용 구조체를 형성할 경우, 각각의 층간 합지방법, 구조 등에 따라 치수 틀어짐이 쉽게 발생할 수 있다. 상기 전사용 패턴 필름의 치수 틀어짐이 심할 경우에는, 디스플레이 화소 전극과 배선 전극 간 연결 위치 편차로 인하여 화소 점등 불량을 유발시킬 수 있다.When a structure for copying and transferring a specific pattern is formed using PDMS, etc., dimensional distortion may easily occur depending on the lamination method and structure of each layer. When the size of the transfer pattern film is severely distorted, a pixel lighting failure may be caused due to a difference in connection position between the display pixel electrode and the wiring electrode.

이에 본 출원에서는, 치수 정밀도 및 경시 안정성 등을 개선할 수 있는 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 제공하고자 한다.Accordingly, in the present application, it is intended to provide a pattern film for display pixel transfer, which can improve dimensional accuracy and stability over time.

본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름의 제조방법은, 홈부 패턴이 구비된 마스터 몰드(master mold)를 준비하는 단계; 상기 마스터 몰드 상에 폴리디메틸실록산계 코팅층 및 기재층을 형성하는 단계; 및 상기 마스터 몰드를 제거하는 단계를 포함하고, 상기 마스터 몰드 상에 폴리디메틸실록산계 코팅층 및 기재층을 형성하는 단계는 롤투롤(roll-to-roll) 공정으로 수행된다.A method of manufacturing a pattern film for display pixel transfer according to an exemplary embodiment of the present application includes: preparing a master mold having a groove pattern; Forming a polydimethylsiloxane-based coating layer and a base layer on the master mold; And removing the master mold, wherein the forming of the polydimethylsiloxane-based coating layer and the base layer on the master mold is performed in a roll-to-roll process.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름은, 상기 제조방법에 따라 제조되고, 기재층; 및 상기 기재층 상에 구비되고, 표면에 돌기 패턴을 포함하는 폴리디메틸실록산계 코팅층을 포함한다.In addition, the display pixel transfer pattern film according to the exemplary embodiment of the present application is manufactured according to the above manufacturing method, and includes a substrate layer; And a polydimethylsiloxane-based coating layer provided on the base layer and including a protrusion pattern on a surface.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 표면에 돌기 패턴을 포함하는 폴리디메틸실록산계 코팅층은 상기 돌기 패턴에 대응되는 홈부 패턴을 포함하는 마스터 몰드로부터 제조될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the polydimethylsiloxane-based coating layer including a protrusion pattern on the surface may be manufactured from a master mold including a groove pattern corresponding to the protrusion pattern.

상기 폴리디메틸실록산계 코팅층은 몰드 복제 및 이형성이 우수하므로, 본 출원에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름에 보다 효과적으로 적용될 수 있다. 종래의 복제 용도로 주로 이용되는 UV 경화형 폴리우레탄계 수지(PUA, Poly Urethane Acrylate)는 전사특성에 영향을 주는 적절한 경도 및 점착력 부여가 힘들다는 단점이 있다.Since the polydimethylsiloxane-based coating layer has excellent mold replication and releasability, it can be more effectively applied to the pattern film for display pixel transfer according to the present application. The conventional UV-curable polyurethane-based resin (PUA, Poly Urethane Acrylate), which is mainly used for replication, has a disadvantage in that it is difficult to impart proper hardness and adhesion that affect the transfer characteristics.

종래에는 폴리디메틸실록산계 코팅층 표면의 자기점착 특성 때문에, 원하는 전극 기판에 디스플레이 화소를 전사한 후 상기 폴리디메틸실록산계 코팅층을 이형시키는 것이 매우 어려웠다. 그러나, 본 출원에서는 폴리디메틸실록산계 코팅층의 표면에 특정 면적비율과 높이를 가지는 돌기 패턴을 형성함으로써, 디스플레이 화소의 전사시 전극 표면과 폴리디메틸실록산계 코팅층의 접촉면을 줄일 수 있고, 상기 디스플레이 화소의 전사 이후에 상기 폴리디메틸실록산계 코팅층의 이형 특성이 우수한 장점이 있다.Conventionally, due to the self-adhesive property of the surface of the polydimethylsiloxane-based coating layer, it has been very difficult to release the polydimethylsiloxane-based coating layer after transferring a display pixel to a desired electrode substrate. However, in the present application, by forming a protrusion pattern having a specific area ratio and height on the surface of the polydimethylsiloxane-based coating layer, the contact surface between the electrode surface and the polydimethylsiloxane-based coating layer can be reduced when the display pixel is transferred. After transfer, the polydimethylsiloxane-based coating layer has an advantage of excellent release characteristics.

상기 폴리디메틸실록산계 코팅층의 두께는 100㎛ 내지 500㎛ 일 수 있고, 치수변형 등을 고려할 때 100㎛ 내지 200㎛ 일 수 있다. 상기 폴리디메틸실록산계 코팅층의 두께가 100㎛ 미만인 경우에는 마이크로 LED 디스플레이 화소가 충격에 파손될 위험이 있다. 또한, 상기 폴리디메틸실록산계 코팅층의 두께가 500㎛를 초과하는 경우에는 상대적으로 경도가 낮은 폴리디메틸실록산계 코팅층의 변형으로 인하여 돌기 패턴의 두께(높이) 균일도 및 치수 정밀도가 저하될 수 있다.The thickness of the polydimethylsiloxane-based coating layer may range from 100 µm to 500 µm, and may range from 100 µm to 200 µm in consideration of dimensional deformation and the like. When the thickness of the polydimethylsiloxane-based coating layer is less than 100 μm, there is a risk of damage to the micro LED display pixel by impact. In addition, when the thickness of the polydimethylsiloxane-based coating layer exceeds 500 μm, the thickness (height) uniformity and dimensional accuracy of the protrusion pattern may be deteriorated due to deformation of the polydimethylsiloxane-based coating layer having a relatively low hardness.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 폴리디메틸실록산계 코팅층은 UV 경화형 폴리디메틸실록산계 코팅층일 수 있다. 본 출원에서는 UV 경화형 폴리디메틸실록산계 코팅층을 적용함으로써, 종래의 상온 경화 대비하여 폴리디메틸실록산계 코팅층의 경시 안정성을 개선할 수 있다. 또한, 상기 마스터 몰드 상에 폴리디메틸실록산계 코팅층 및 기재층을 형성하는 단계에서, 폴리디메틸실록산계 물질의 코팅공정과 경화공정을 하기 도 1과 같이 일괄적으로 수행할 수 있으므로, 제조공정시 이물 유입 등의 문제점을 개선할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the polydimethylsiloxane-based coating layer may be a UV-curable polydimethylsiloxane-based coating layer. In the present application, by applying a UV-curable polydimethylsiloxane-based coating layer, it is possible to improve the aging stability of the polydimethylsiloxane-based coating layer compared to conventional room temperature curing. In addition, in the step of forming the polydimethylsiloxane-based coating layer and the base layer on the master mold, the coating process and the curing process of the polydimethylsiloxane-based material can be performed collectively as shown in FIG. Problems such as inflow can be improved.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 디스플레이 화소는 발광소자 칩(LED CHIP) 일 수 있다. 상기 발광소자 칩의 크기는 가로, 세로의 크기가 각각 10㎛ 내지 100㎛ 일 수 있고, 25㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the display pixel may be a light emitting device chip (LED CHIP). The size of the light emitting device chip may be 10 μm to 100 μm in width and length, respectively, and may be 25 μm to 50 μm.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 기재층은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기재 또는 투명 플라스틱 기재가 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 전자 소자에 통상적으로 사용되는 투명 기재이면 제한되지 않는다. 구체적으로, 상기 투명 기재로는 유리; 폴리카보네이트계 수지; 우레탄 수지; 폴리이미드 수지; 폴리에스테르수지; (메타)아크릴레이트계 고분자 수지; 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지 등으로 이루어진 것이 될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the substrate layer may be a glass substrate or a transparent plastic substrate having excellent transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness, but is not limited thereto, and any transparent substrate commonly used in electronic devices Not limited. Specifically, as the transparent substrate, glass; Polycarbonate resin; Urethane resin; Polyimide resin; Polyester resin; (Meth)acrylate-based polymer resin; It may be made of a polyolefin resin such as polyethylene or polypropylene.

상기 기재의 두께는 100㎛ 내지 1,000㎛ 일 수 있고, 300㎛ 내지 700㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 기재의 두께가 100㎛ 미만인 경우에는 인장에 의한 치수 편차가 발생할 수 있으며, 1,000㎛를 초과하는 경우에는 롤투롤 제조공정이 불가능할 수 있다.The thickness of the substrate may be 100 μm to 1,000 μm, and may be 300 μm to 700 μm, but is not limited thereto. When the thickness of the substrate is less than 100 μm, dimensional deviation may occur due to tension, and when it exceeds 1,000 μm, the roll-to-roll manufacturing process may not be possible.

특히, 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 기재층은 120℃ 내지 180℃의 온도에서 10분 내지 1시간동안 열처리 공정이 수행된 기재층일 수 있고, 130℃ 내지 170℃의 온도에서 20분 내지 40분동안 열처리 공정이 수행된 기재층일 수 있다. 상기 기재층이 전술한 열처리 공정이 수행된 기재층인 경우에는, 폴리디메틸실록산계 코팅층의 경화공정에서 열수축 및 치수변형을 방지할 수 있는 특징이 있다.In particular, in the exemplary embodiment of the present application, the base layer may be a base layer subjected to a heat treatment process at a temperature of 120°C to 180°C for 10 minutes to 1 hour, and at a temperature of 130°C to 170°C for 20 minutes to It may be a substrate layer subjected to a heat treatment process for 40 minutes. When the substrate layer is a substrate layer subjected to the above-described heat treatment process, heat shrinkage and dimensional deformation can be prevented in the curing process of the polydimethylsiloxane-based coating layer.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 폴리디메틸실록산계 코팅층의 상부면 전체를 기준으로, 상기 돌기 패턴이 차지하는 면적 비율은 5% 이하일 수 있고, 1% 내지 5% 일 수 있으며, 1% 내지 3.5% 일 수 있다. 상기 폴리디메틸실록산계 코팅층의 상부면 전체를 기준으로, 상기 돌기 패턴이 차지하는 면적 비율이 5%를 초과하는 경우에는 전사 공정 중 전극 기판과의 탈착이 어려워질 수 있고, 1% 미만인 경우에는 돌기 상면에 발광소자 칩이 정위치에 안착할 수 있는 여유 공간이 부족하여 위치 얼라인 불량이 발생할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present application, based on the entire upper surface of the polydimethylsiloxane-based coating layer, the area ratio occupied by the protrusion pattern may be 5% or less, 1% to 5%, and 1% to 3.5 It can be %. Based on the entire upper surface of the polydimethylsiloxane-based coating layer, if the area ratio occupied by the protrusion pattern exceeds 5%, it may be difficult to detach it from the electrode substrate during the transfer process, and if it is less than 1%, the upper surface of the protrusion On the other hand, a positional alignment defect may occur due to insufficient free space in which the light emitting device chip can be seated in the correct position.

상기 돌기 패턴이 차지하는 면적 비율은 하기 도 3 및 수학식 1로 계산될 수 있다.The ratio of the area occupied by the protrusion pattern may be calculated by the following FIG. 3 and Equation 1.

[수학식 1][Equation 1]

돌기 패턴이 차지하는 면적 비율(%) = [(a × b) / Pitch2] × 100The percentage of the area occupied by the protrusion pattern (%) = [(a × b) / Pitch 2 ] × 100

상기 수학식 1에서,In Equation 1,

(a × b)는 돌기의 상부면적이고, Pitch는 돌기 패턴의 피치이다.(a × b) is the upper area of the protrusion, and Pitch is the pitch of the protrusion pattern.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 돌기 패턴을 구성하는 돌기의 형태는 다각기둥 또는 원기둥 형태일 수 있다. 또한, 상기 돌기의 상부 표면은 플랫(flat)한 형태, 볼록한 형태, 오목한 형태, 이들의 형태가 조합된 형태 등일 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the shape of the protrusion constituting the protrusion pattern may be a polygonal column or a cylindrical shape. In addition, the upper surface of the protrusion may have a flat shape, a convex shape, a concave shape, a combination of these shapes, or the like.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 돌기 패턴을 구성하는 돌기의 형태는 다각기둥 또는 원기둥 형태이고, 상기 돌기의 상부 표면은 플랫(flat)한 형태인 것을 특징으로 한다. 보다 구체적으로, 상기 돌기 패턴을 구성하는 돌기의 형태는 사각기둥, 원기둥 등의 기둥 형태일 수 있으며, 상기 돌기의 표면은 플랫(flat)한 형태라야 발광소자 칩의 파손 등의 위험을 줄일 수 있다. 본 출원에 있어서, 상기 "플랫한 형태"는 10점 표면 거칠기, Rz 기준으로 0.5㎛ 이하인 것을 의미하기로 한다. 상기 Rz는 Mitutoyo SJ301 측정장비로 측정할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the shape of the protrusion constituting the protrusion pattern is a polygonal column or a cylindrical shape, and the upper surface of the protrusion is a flat shape. More specifically, the shape of the protrusion constituting the protrusion pattern may be a pillar shape such as a square pillar or a cylinder, and the surface of the protrusion has a flat shape to reduce the risk of damage to the light emitting device chip. . In the present application, the "flat shape" shall mean that the surface roughness of 10 points is 0.5 μm or less based on Rz. The Rz can be measured with a Mitutoyo SJ301 measuring device.

상기 돌기의 상부면적은 디스플레이 해상도 및 설계구조에 따라 상이할 수 있고, 보다 구체적으로 디스플레이 화소의 크기의 10배 내지 20배일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 돌기 패턴을 구성하는 돌기의 형태는 사각기둥일 수 있고, 이 때 상기 사각기둥의 상부면적은 100㎛ × 200㎛, 100㎛ × 150㎛ 등일 수 있다.The upper area of the protrusion may vary depending on the display resolution and design structure, and more specifically, may be 10 to 20 times the size of the display pixel, but is not limited thereto. In addition, the shape of the protrusion constituting the protrusion pattern may be a square pillar, and in this case, the upper area of the square pillar may be 100 μm × 200 μm, 100 μm × 150 μm, or the like.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 돌기 패턴의 높이는 10㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다. 상기 돌기 패턴의 높이가 10㎛ 미만인 경우에는, 높이 단차가 충분하지 못하기 때문에 아주 약한 전사압력에 의해서도 폴리디메틸실록산계 코팅층의 변형을 유발시켜 전면적으로 접촉하게 되며, 50㎛를 초과하는 경우에는 패턴 복제 및 마스터 몰드 수급 등이 어려워지는 단점이 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the height of the protrusion pattern may be 10 μm to 50 μm. If the height of the protrusion pattern is less than 10 μm, the height difference is not sufficient, so even a very weak transfer pressure causes the deformation of the polydimethylsiloxane-based coating layer to make full contact, and if it exceeds 50 μm, the pattern There is a disadvantage that it becomes difficult to duplicate and supply and demand a master mold.

또한, 상기 돌기 패턴 간의 간격, 즉 돌기 패턴의 피치는 디스플레이 해상도에 의해 결정될 수 있고, 수율 등을 고려한 서브픽셀의 반복 형태도 포함될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 돌기 패턴의 피치는 700㎛ 내지 900㎛ 일 수 있고, 약 800㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In addition, the spacing between the protruding patterns, that is, the pitch of the protruding patterns, may be determined by display resolution, and a repetition type of subpixels in consideration of a yield and the like may be included. More specifically, the pitch of the protrusion pattern may be 700 μm to 900 μm, and may be about 800 μm, but is not limited thereto.

상기 돌기 패턴의 피치는 디스플레이 해상도에 따라 임의로 변경될 수 있으나, 돌기 피치가 일정 이하일 경우에는 전사시 접촉하는 면적이 상대적으로 많아질 수 있기 때문에 탈착에는 불리하게 된다. 따라서, 본 출원에 있어서, 발광소자 칩의 선택적인 전사를 위한 돌기 패턴의 피치는 700㎛ 내지 900㎛인 것이 바람직하다. 상기 돌기 패턴의 피치가 700㎛ 미만인 경우에는 전사하고자 하는 화소(픽셀)의 크기가 너무 작게 설계되는 등 적용이 어려운 단점이 있다.The pitch of the protrusion pattern may be arbitrarily changed according to the display resolution, but if the protrusion pitch is less than a certain amount, the contact area during transfer may be relatively increased, which is disadvantageous for detachment. Therefore, in the present application, it is preferable that the pitch of the protrusion pattern for selective transfer of the light emitting device chip is 700 μm to 900 μm. When the pitch of the protrusion pattern is less than 700 μm, there is a disadvantage that it is difficult to apply, such as the size of the pixel (pixel) to be transferred is designed to be too small.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 돌기 패턴은 웨이퍼 상의 발광소자 칩(LED CHIP)을 특정 픽셀 피치만큼 떨어진 칩만을 선택적으로 전사하기 위한 것으로서, 특정 화소 칩들에 한해 선택적으로 접촉시켜 전사시킴으로써 불필요한 접촉, 오염 등을 방지할 수 있고, 발광소자 칩의 탈착이 용이할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the protrusion pattern is for selectively transferring the LED chip on the wafer by a specific pixel pitch, and by selectively contacting and transferring only specific pixel chips, unnecessary contact , Contamination, etc. can be prevented, and the light emitting device chip can be easily detached.

본 출원에 있어서, 상기 돌기 패턴 표면의 점착력은 600 gf/cm2 이하일 수 있다. 상기 돌기 패턴 표면의 점착력은 상기 돌기 패턴 표면에 대해 1cm × 1cm 면적의 유리 기판을 1,000gf 하중으로 30초간 접촉시킨 후, 이형시킬 때 걸리는 최대 하중값이다. 또한, 상기 돌기 패턴 표면의 점착력은 300 gf/cm2 이상일 수 있다. 상기 돌기 패턴 표면의 점착력이 300 gf/cm2 미만인 경우에는 공정간 핸들링 시 충분하지 않은 점착력으로 인해 발광 소자 칩이 떨어져 소실되거나 불필요한 회전이 발생할 수 있다.In the present application, the adhesive force of the surface of the protrusion pattern may be 600 gf/cm 2 or less. The adhesive force of the protruding pattern surface is the maximum load applied when the glass substrate having an area of 1 cm x 1 cm is brought into contact with the protruding pattern surface for 30 seconds under a load of 1,000 gf for 30 seconds and then released. In addition, the adhesive force of the protrusion pattern surface may be 300 gf/cm 2 or more. When the adhesive force of the protrusion pattern surface is less than 300 gf/cm 2 , the light emitting device chip may fall off due to insufficient adhesive force during handling between processes, or unnecessary rotation may occur.

본 출원에 있어서, 상기 기재층과 폴리디메틸실록산계 코팅층은 서로 직접 접하여 구비될 수 있다. 즉, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재층과 폴리디메틸실록산계 코팅층 사이에 별도의 접착층이 구비되지 않으므로, 제조공정이 단순화 될 수 있고, 패턴 치수 정밀도를 개선할 수 있다.In the present application, the base layer and the polydimethylsiloxane-based coating layer may be provided in direct contact with each other. That is, according to the exemplary embodiment of the present application, since a separate adhesive layer is not provided between the base layer and the polydimethylsiloxane-based coating layer, the manufacturing process can be simplified and pattern dimensional accuracy can be improved.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 마스터 몰드 상에 폴리디메틸실록산계 코팅층 및 기재층을 형성하는 단계 이후에, 상기 기재층 상에 쿠션층 및 제2 기재층을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, after forming the polydimethylsiloxane-based coating layer and the base layer on the master mold, the step of forming a cushion layer and a second base layer on the base layer may be further included. I can.

상기 제2 기재층은 전술한 기재층의 재료와 동일한 재료를 적용할 수 있다.The second base layer may be formed of the same material as the material of the base layer.

상기 쿠션층의 재료는 상기 폴리디메틸실록산계 코팅층의 재료와 동일한 것이 바람직하며, 적절한 쿠션성능을 위해 경도 및 두께를 조절할 수도 있다. 상기 쿠션층의 쇼어A 고무경도는 20 내지 50 일 수 있고, 두께는 200㎛ 내지 500㎛ 일 수 있다.The material of the cushion layer is preferably the same as the material of the polydimethylsiloxane-based coating layer, and hardness and thickness may be adjusted for appropriate cushioning performance. The Shore A rubber hardness of the cushion layer may be 20 to 50, and the thickness may be 200 μm to 500 μm.

본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 하기 도 1 및 도 4에 개략적으로 나타내었다.A pattern film for transferring a display pixel according to an exemplary embodiment of the present application is schematically illustrated in FIGS. 1 and 4 below.

하기 도 1과 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름은, 기재층; 및 상기 기재층 상에 구비되고, 표면에 돌기 패턴을 포함하는 폴리디메틸실록산계 코팅층을 포함한다. 또한, 하기 도 4와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름은, 쿠션층 및 제2 기재층을 추가로 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, a pattern film for display pixel transfer according to an exemplary embodiment of the present application includes: a base layer; And a polydimethylsiloxane-based coating layer provided on the base layer and including a protrusion pattern on a surface. In addition, as shown in FIG. 4 below, the pattern film for display pixel transfer according to an exemplary embodiment of the present application may further include a cushion layer and a second base layer.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름의 제조방법을 하기 도 1에 개략적으로 나타내었다.In addition, a method of manufacturing a pattern film for transferring a display pixel according to an exemplary embodiment of the present application is schematically illustrated in FIG. 1 below.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이의 제조방법은, 상기 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 준비하는 단계; 상기 돌기 패턴의 표면 상에 디스플레이 화소를 구비시키는 단계; 및 상기 디스플레이 화소를 디스플레이용 전극 기판에 전사하는 단계를 포함한다.In addition, a method of manufacturing a display according to an exemplary embodiment of the present application includes: preparing a pattern film for transferring the display pixels; Providing a display pixel on the surface of the protruding pattern; And transferring the display pixel to an electrode substrate for a display.

상기 돌기 패턴의 표면 상에 디스플레이 화소를 구비시키는 단계는, 레이저를 이용한 리프트-오프(lift-off) 기술로 수행될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The step of providing the display pixel on the surface of the protrusion pattern may be performed by a lift-off technique using a laser, but is not limited thereto.

상기 디스플레이 화소를 디스플레이용 전극 기판에 전사하는 단계는, 적절한 전사 압력에 의해 점착기능이 부여된 전극 기판에 부착시키는 방법을 이용할 수 있다.In the step of transferring the display pixels to an electrode substrate for a display, a method of attaching the display pixels to an electrode substrate to which an adhesive function is imparted by an appropriate transfer pressure may be used.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 이용하는 경우에는, 웨이퍼 상에 형성된 발광소자 칩들 중에서 특정 간격의 발광소자 칩만이 선택적으로 접촉되므로, 상기 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 특징이 있다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present application, in the case of using the display pixel transfer pattern film, only light emitting device chips having a specific interval are selectively contacted among the light emitting device chips formed on the wafer, thereby preventing contamination of the wafer. There are features that can be used.

이하, 실시예를 통하여 본 명세서에 기재된 실시상태를 예시한다. 그러나, 이하의 실시예에 의하여 상기 실시상태들의 범위가 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.Hereinafter, exemplary embodiments described in the present specification are illustrated through examples. However, it is not intended to limit the scope of the embodiments by the following embodiments.

<< 실시예Example >>

<< 실시예Example 1> 1>

마스터몰드 위로 일정량의 PDMS(Shinetsu 社, UV 경화형)를 균일하게 코팅함과 동시에 PC(polycarbonate) 기재를 접착제(PSA) 없이 라미네이션하고, UV를 조사하여 PDMS를 경화시켰다(표준 경화 조건: 365nm LED 램프(100 mW/cm2), 80초). 이 때, 제조된 PDMS 두께는 400㎛로 설정되었고, 기재는 500㎛ 두께의 폴리카보네이트를 사용하였다.A certain amount of PDMS (Shinetsu, UV curable) was evenly coated on the master mold, and at the same time, a PC (polycarbonate) substrate was laminated without an adhesive (PSA), and the PDMS was cured by irradiation with UV (standard curing condition: 365nm LED lamp. (100 mW/cm 2 ), 80 sec). At this time, the prepared PDMS thickness was set to 400 μm, and a polycarbonate having a thickness of 500 μm was used as the substrate.

또한, 제조된 PDMS의 표면에 구비된 돌기 패턴의 높이는 20㎛ 이고, 피치는 800㎛ 이며, 상부 면적은 (100㎛ × 200㎛) 였다. 상기 수학식 1로 계산한 돌기 패턴이 차지하는 면적비율은 3.1% 였다.In addition, the height of the protrusion pattern provided on the surface of the prepared PDMS was 20 μm, the pitch was 800 μm, and the upper area was (100 μm×200 μm). The area ratio occupied by the protrusion pattern calculated by Equation 1 was 3.1%.

<< 실시예Example 2> 2>

PDMS의 두께를 150㎛로 조절하고, 기재를 250㎛ 두께의 PET를 이용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.The same was performed as in Example 1, except that the thickness of the PDMS was adjusted to 150 μm and the substrate was used as a PET having a thickness of 250 μm.

상기 실시예 2에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 하기 도 2에 개략적으로 나타었다.The pattern film for display pixel transfer according to the second embodiment is schematically shown in FIG. 2 below.

<< 실시예Example 3> 3>

기재로 사용된 PET를 열처리(표준 열처리 조건: 150℃, 30분)하여 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 2와 동일하게 수행하였다.It was carried out in the same manner as in Example 2, except that PET used as a substrate was heat-treated (standard heat treatment conditions: 150° C., 30 minutes).

<< 비교예Comparative example 1> 1>

마스터몰드 위로 일정량의 PDMS(Shinetsu 社, 상온 경화형)를 균일하게 코팅하고, 이를 상온 경화(25℃, 24시간)시킨 후, 양면 PSA(pressure sensitive adhesive)와 PC 기재를 순차적으로 라미네이션하였다. PDMS, PSA 및 PC 기재의 두께는 각각 400㎛, 100㎛ 및 500㎛로 제조하였다.A certain amount of PDMS (Shinetsu, room temperature curing type) was uniformly coated on the master mold, and after curing it at room temperature (25° C., 24 hours), double-sided pressure sensitive adhesive (PSA) and PC substrate were sequentially laminated. The thicknesses of the PDMS, PSA and PC substrates were prepared at 400 μm, 100 μm and 500 μm, respectively.

또한, 제조된 PDMS의 표면에 구비된 돌기 패턴의 높이는 20㎛ 이고, 피치는 800㎛ 이며, 상부 면적은 (100㎛ × 200㎛) 였다. 상기 수학식 1로 계산한 돌기 패턴이 차지하는 면적비율은 3.1% 였다.In addition, the height of the protrusion pattern provided on the surface of the prepared PDMS was 20 μm, the pitch was 800 μm, and the upper area was (100 μm×200 μm). The area ratio occupied by the protrusion pattern calculated by Equation 1 was 3.1%.

상기 비교예 1에 따른 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 하기 도 5에 개략적으로 나타내었다.A pattern film for display pixel transfer according to Comparative Example 1 is schematically shown in FIG. 5 below.

<< 실험예Experimental example >>

상기 실시예 1 ~ 3 및 비교예 1에서 제조된 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름의 치수 변동 편차를 측정하여 하기 표 1에 나타내었다. 보다 구체적으로, 상기 치수 변동 편차는 설계치 기준으로 7일간 설계값 대비 치수 변동 편차를 측정하였고, 불량율은 외관을 평가하여 이물 등의 유무로 평가하였다.The dimensional variations of the pattern films for display pixel transfer prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were measured and shown in Table 1 below. More specifically, the dimensional variation deviation was measured for the dimensional variation deviation compared to the design value for 7 days based on the design value, and the defective rate was evaluated by evaluating the appearance and the presence or absence of foreign matter.

[표 1][Table 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 결과와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 폴리디메틸실록산계 코팅층 및 기재층이 서로 직접 접하여 구비되도록 롤투롤(roll-to-roll) 공정으로 형성함으로써, 종래에 기재와 폴리디메틸실록산계 필름 사이에 구비되는 접착층(PSA층 등)을 제외시킬 수 있다.As described above, according to an exemplary embodiment of the present application, by forming the polydimethylsiloxane-based coating layer and the substrate layer in direct contact with each other by a roll-to-roll process, the conventional substrate and the polydimethylsiloxane An adhesive layer (such as a PSA layer) provided between the acid-based films can be excluded.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름의 치수 정밀도 및 경시 안정성 등을 개선할 수 있는 특징이 있다.In addition, according to the exemplary embodiment of the present application, there is a feature capable of improving dimensional accuracy and stability over time of the display pixel transfer pattern film.

Claims (11)

홈부 패턴이 구비된 마스터 몰드(master mold)를 준비하는 단계;
상기 마스터 몰드 상에 폴리디메틸실록산계 코팅층 및 기재층을 형성하는 단계; 및
상기 마스터 몰드를 제거하는 단계를 포함하고,
상기 마스터 몰드 상에 폴리디메틸실록산계 코팅층 및 기재층을 형성하는 단계는 롤투롤(roll-to-roll) 공정으로 수행되는 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름의 제조방법.
Preparing a master mold having a groove pattern;
Forming a polydimethylsiloxane-based coating layer and a base layer on the master mold; And
Including the step of removing the master mold,
The step of forming the polydimethylsiloxane-based coating layer and the base layer on the master mold is performed by a roll-to-roll process.
청구항 1에 있어서, 상기 폴리디메틸실록산계 코팅층은 UV 경화형 폴리디메틸실록산계 코팅층인 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름의 제조방법.The method of claim 1, wherein the polydimethylsiloxane-based coating layer is a UV-curable polydimethylsiloxane-based coating layer. 청구항 1에 있어서, 상기 폴리디메틸실록산계 코팅층은 상기 홈부 패턴에 대응되는 돌기 패턴을 포함하고,
상기 돌기 패턴의 높이는 10㎛ 내지 50㎛인 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름의 제조방법.
The method according to claim 1, wherein the polydimethylsiloxane-based coating layer comprises a protrusion pattern corresponding to the groove pattern,
The height of the protrusion pattern is 10㎛ to 50㎛ method of manufacturing a pattern film for display pixel transfer.
청구항 1에 있어서, 상기 폴리디메틸실록산계 코팅층의 두께는 100㎛ 내지 500㎛인 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름의 제조방법.The method of claim 1, wherein the polydimethylsiloxane-based coating layer has a thickness of 100 μm to 500 μm. 청구항 1에 있어서, 상기 기재층과 폴리디메틸실록산계 코팅층은 서로 직접 접하여 구비되는 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름의 제조방법.The method of claim 1, wherein the base layer and the polydimethylsiloxane-based coating layer are provided in direct contact with each other. 청구항 1에 있어서, 상기 기재층은 120℃ 내지 180℃의 온도에서 10분 내지 1시간동안 열처리 공정이 수행된 기재층인 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름의 제조방법.The method of claim 1, wherein the base layer is a base layer subjected to a heat treatment process at a temperature of 120°C to 180°C for 10 minutes to 1 hour. 청구항 1에 있어서, 상기 마스터 몰드 상에 폴리디메틸실록산계 코팅층 및 기재층을 형성하는 단계 이후에,
상기 기재층 상에 쿠션층 및 제2 기재층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름의 제조방법.
The method according to claim 1, after the step of forming a polydimethylsiloxane-based coating layer and a base layer on the master mold,
The method of manufacturing a pattern film for display pixel transfer further comprising the step of forming a cushion layer and a second base layer on the base layer.
청구항 1에 있어서, 상기 디스플레이 화소는 발광소자 칩(LED CHIP)인 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름의 제조방법.The method of claim 1, wherein the display pixel is a light emitting device chip (LED CHIP). 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 따라 제조되고,
기재층; 및 상기 기재층 상에 구비되고, 표면에 돌기 패턴을 포함하는 폴리디메틸실록산계 코팅층을 포함하는 것인 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름.
It is prepared according to any one of claims 1 to 8,
Base layer; And a polydimethylsiloxane-based coating layer provided on the base layer and including a protrusion pattern on a surface of the substrate layer.
청구항 9의 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름을 준비하는 단계;
상기 돌기 패턴의 표면 상에 디스플레이 화소를 구비시키는 단계; 및
상기 디스플레이 화소를 디스플레이용 전극 기판에 전사하는 단계
를 포함하는 디스플레이의 제조방법.
Preparing a pattern film for display pixel transfer of claim 9;
Providing a display pixel on the surface of the protruding pattern; And
Transferring the display pixel to an electrode substrate for a display
A method of manufacturing a display comprising a.
청구항 10에 있어서, 상기 디스플레이는 투명 발광소자 디스플레이인 것인 디스플레이의 제조방법.The method of claim 10, wherein the display is a transparent light emitting device display.
KR1020190132201A 2019-10-23 Pattern film for transferring display pixel and method for manufacturing thereof KR102708229B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190132201A KR102708229B1 (en) 2019-10-23 Pattern film for transferring display pixel and method for manufacturing thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190132201A KR102708229B1 (en) 2019-10-23 Pattern film for transferring display pixel and method for manufacturing thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210048216A true KR20210048216A (en) 2021-05-03
KR102708229B1 KR102708229B1 (en) 2024-09-20

Family

ID=

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150033169A (en) 2013-09-23 2015-04-01 엘지디스플레이 주식회사 Light emitting diode package and liquid crystal display device using the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150033169A (en) 2013-09-23 2015-04-01 엘지디스플레이 주식회사 Light emitting diode package and liquid crystal display device using the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110998822B (en) Micro device transfer device and method
CN109841734B (en) Preparation method of flexible display panel, flexible display panel and display device
CN109427838B (en) micro-LED display device and manufacturing method thereof
US20170203471A1 (en) Imprint template and method for producing the same
US9470380B2 (en) Lighting device with electrostatically adhered scattering particles and method of manufacture
TW202135279A (en) Method and system for assembly of micro-leds onto a substrate
KR102166018B1 (en) Pattern film for transferring display pixel and method for manufacturing display using the same
CN116490351A (en) Substrate for micro-LED and microelectronic transmission
KR20210048216A (en) Pattern film for transferring display pixel and method for manufacturing thereof
US11322485B2 (en) Mass transfer method for light-emitting unit, array substrate, and display device with electro-curable adhesive
KR102708229B1 (en) Pattern film for transferring display pixel and method for manufacturing thereof
JP2020017580A (en) Holding member, transfer member, transfer member manufacturing method, and light emitting substrate manufacturing method
CN103715364A (en) Display device, and manufacture method for the same by layered soft element
KR102166017B1 (en) Pattern film for transferring display pixel and method for manufacturing display using the same
CN111383967A (en) Micro light-emitting diode transfer printing assembly adopting piezoelectric material and transfer printing method
KR102377684B1 (en) Pattern film for transferring display pixel and method for manufacturing display using the same
KR20210048213A (en) Pattern film for transferring display pixel and method for manufacturing thereof
KR20200007205A (en) Pattern film for transferring display pixel and method for manufacturing display using the same
KR102334577B1 (en) Method of transferring device and method of manufacturing electric panel using the same
KR20200007203A (en) Pattern film laminate for transferring display pixel and method for manufacturing the same
CN110408334B (en) Adhesive film
JP2022014690A (en) Holding member, transfer member, transfer member manufacturing method, and light emitting substrate manufacturing method
JP2010205506A (en) El element
JP2020181910A (en) Manufacturing method and manufacturing device of transfer member, chip substrate, and manufacturing method of light emitting substrate
KR101551772B1 (en) Replica stamp for SCIL process and manufacturing method for thereof

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right