JP2020181910A - Manufacturing method and manufacturing device of transfer member, chip substrate, and manufacturing method of light emitting substrate - Google Patents

Manufacturing method and manufacturing device of transfer member, chip substrate, and manufacturing method of light emitting substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2020181910A
JP2020181910A JP2019084566A JP2019084566A JP2020181910A JP 2020181910 A JP2020181910 A JP 2020181910A JP 2019084566 A JP2019084566 A JP 2019084566A JP 2019084566 A JP2019084566 A JP 2019084566A JP 2020181910 A JP2020181910 A JP 2020181910A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
chip
holding
adhesive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019084566A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
直信 喜
Naonobu Yoshi
直信 喜
健児 舛田
Kenji Masuda
健児 舛田
正 古川
Tadashi Furukawa
正 古川
松浦 大輔
Daisuke Matsuura
大輔 松浦
修司 川口
Shuji Kawaguchi
修司 川口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2019084566A priority Critical patent/JP2020181910A/en
Publication of JP2020181910A publication Critical patent/JP2020181910A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

To increase the productivity of a light emitting substrate on which a plurality of micro light emitting diode chips are arranged.SOLUTION: A manufacturing method of a transfer member 20 includes the steps of: preparing a holding member 30 which has a plurality of protrusion holding portions 32 that are regularly two-dimensionally arranged on one surface of a plate-shaped base material 31, and each of which holds a light emitting diode chip 50, and in which a first adhesive layer 35 is provided at the tip; preparing a chip substrate 40 having a second adhesive layer 42 which is less adhesive than the first adhesive layer 35 laminated on one surface of a plate-shaped chip base material 41, and a plurality of light emitting diode chips 50 regularly two-dimensionally arranged on the second adhesive layer 42; and bringing the light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40 and the protruding holding portion 32 of the holding member 30 into contact with each other, then separating the chip substrate 40 and the holding member 30 from each other, and causing the protruding holding portion 32 to hold the light emitting diode chip 50.SELECTED DRAWING: Figure 15C

Description

本発明は、発光ダイオードチップの転写部材の製造方法及び製造装置、それに用いられるチップ基板、並びに、発光基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing a transfer member of a light emitting diode chip, a chip substrate used therein, and a method for manufacturing a light emitting substrate.

近年、回路を有する回路基板に複数のマイクロ発光ダイオード(LED)チップを配置した発光基板を用いた表示装置、いわゆるマイクロLEDディスプレイが開発されている。マイクロLEDディスプレイは、液晶ディスプレイ等に比べて、輝度、消費電力、応答速度、信頼性等の面で優れており、次世代の軽量且つ薄型のディスプレイとして注目されている。 In recent years, a display device using a light emitting board in which a plurality of micro light emitting diode (LED) chips are arranged on a circuit board having a circuit, a so-called micro LED display, has been developed. Micro LED displays are superior to liquid crystal displays and the like in terms of brightness, power consumption, response speed, reliability, etc., and are attracting attention as next-generation lightweight and thin displays.

従来、マイクロLEDディスプレイに用いられる発光基板を製造する際に、ウエハをダイシングして形成された複数のマイクロ発光ダイオードチップを、ピックアンドプレイス工程により、1つずつ回路基板に配置していた。このような発光基板の製造方法では、ピックアンドプレイス工程を数百万回以上繰り返すことになるため、回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを配置する工程に時間がかかり、それに伴って製造コストが上昇してしまう。すなわち、低い生産性でしか発光基板を製造することができない。 Conventionally, when manufacturing a light emitting substrate used for a micro LED display, a plurality of micro light emitting diode chips formed by dicing a wafer have been arranged one by one on a circuit board by a pick and place process. In such a method for manufacturing a light emitting board, the pick-and-place process is repeated millions of times or more, so that the process of arranging the micro light emitting diode chip on the circuit board takes time, and the manufacturing cost increases accordingly. It ends up. That is, the light emitting substrate can be manufactured only with low productivity.

そこで、特許文献1のように、粘着スタンプによって、ウエハから回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを配置することが考えられた。特許文献1の粘着スタンプは、複数のマイクロ発光ダイオードチップを保持することができるため、1回のピックアンドプレイス工程で複数のマイクロ発光ダイオードチップを回路基板に配置することができる。したがって、回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを配置する工程に要する時間を短縮し、製造コストを削減することができる。 Therefore, as in Patent Document 1, it has been considered to arrange the micro light emitting diode chip from the wafer to the circuit board by the adhesive stamp. Since the adhesive stamp of Patent Document 1 can hold a plurality of micro light emitting diode chips, a plurality of micro light emitting diode chips can be arranged on the circuit board in one pick and place step. Therefore, the time required for the process of arranging the micro light emitting diode chip on the circuit board can be shortened, and the manufacturing cost can be reduced.

特表2017−531915号公報Special Table 2017-531915

ところで、特許文献1の粘着スタンプは、ピックアンドプレイス工程を繰り返し行うと、粘着性が低下してしまう。粘着スタンプの粘着性が低下すると、ピックアンドプレイス工程を行う際に粘着スタンプがマイクロ発光ダイオードチップを保持する確実性が低下してしまう。このため、粘着スタンプに粘着性を付与する工程や、粘着スタンプを交換する工程を要することになり、発光基板の製造の生産性を高めにくい。 By the way, the adhesive stamp of Patent Document 1 loses its adhesiveness when the pick-and-place process is repeated. When the adhesiveness of the adhesive stamp is reduced, the certainty that the adhesive stamp holds the micro light emitting diode chip during the pick-and-place process is reduced. Therefore, a step of imparting adhesiveness to the adhesive stamp and a step of exchanging the adhesive stamp are required, and it is difficult to increase the productivity of manufacturing the light emitting substrate.

そこで、本件発明者らは検討を行い、ピックアンドプレイス工程を繰り返し行うことなく、ウエハから回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを配置することを可能とする、さらには回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを一括で配置することを可能とする、マイクロ発光ダイオードチップを保持する保持部材、当該保持部材を有するマイクロ発光ダイオードチップの転写部材、当該転写部材の製造方法、及び当該転写部材を用いた発光基板の製造方法を知見した。すなわち、本発明は、複数のマイクロ発光ダイオードチップが配置された発光基板の生産性を高めることを目的とする。 Therefore, the present inventors have studied and made it possible to arrange the micro light emitting diode chips from the wafer to the circuit board without repeating the pick and place process, and further, the micro light emitting diode chips are collectively put on the circuit board. A holding member for holding a micro light emitting diode chip, a transfer member for a micro light emitting diode chip having the holding member, a method for manufacturing the transfer member, and a light emitting substrate using the transfer member. I found the method. That is, an object of the present invention is to increase the productivity of a light emitting substrate on which a plurality of micro light emitting diode chips are arranged.

上記課題を解決するために、本発明の転写部材の製造方法は、板状の基材と、前記基材の一方の面上に規則的に二次元配列され、それぞれが1つの発光ダイオードチップを保持するための、先端部に第1粘着層が設けられた複数の突出保持部と、を有する保持部材を用意する工程と、板状のチップ基材と、前記チップ基材の一方の面上に積層され、前記第1粘着層よりも粘着性の低い第2粘着層と、前記第2粘着層の上に規則的に二次元配列された複数の発光ダイオードチップと、を有するチップ基板を用意する工程と、前記チップ基板の前記発光ダイオードチップと前記保持部材の前記突出保持部とを接触させた後、前記チップ基板と前記保持部材とを互いから離間させて、前記発光ダイオードチップを前記突出保持部に保持させる工程と、を備える。 In order to solve the above problems, in the method for manufacturing a transfer member of the present invention, a plate-shaped base material and a light emitting diode chip each of which is regularly arranged two-dimensionally on one surface of the base material are provided. A step of preparing a holding member having a plurality of protruding holding portions provided with a first adhesive layer at the tip portion for holding, a plate-shaped chip base material, and one surface of the chip base material. Prepare a chip substrate having a second adhesive layer which is laminated on the first adhesive layer and has a lower adhesiveness than the first adhesive layer, and a plurality of light emitting diode chips regularly arranged two-dimensionally on the second adhesive layer. After bringing the light emitting diode chip of the chip substrate into contact with the protruding holding portion of the holding member, the chip substrate and the holding member are separated from each other, and the light emitting diode chip is projected. It includes a step of holding the holding portion.

また、本発明の転写部材の製造方法は、板状の基材と、前記基材の一方の面上に規則的に二次元配列され、それぞれが1つの発光ダイオードチップを保持するための、先端部に第1粘着層が設けられた複数の突出保持部と、を有する保持部材を用意する工程と、板状のチップ基材と、前記チップ基材の一方の面上に積層され、紫外線照射、加熱又は冷却によって粘着性が前記第1粘着層よりも低くなる第2粘着層と、前記第2粘着層の上に規則的に二次元配列された複数の発光ダイオードチップと、を有するチップ基板を用意する工程と、前記チップ基板の前記第2粘着層の粘着性を、紫外線照射、加熱又は冷却によって前記第1粘着層よりも低くする工程と、前記チップ基板の前記発光ダイオードチップと前記保持部材の前記突出保持部とを接触させた後、前記チップ基板と前記保持部材とを互いから離間させて、前記発光ダイオードチップを前記突出保持部に保持させる工程と、を備える。 Further, in the method for manufacturing a transfer member of the present invention, a plate-shaped base material and a tip for regularly two-dimensionally arranging on one surface of the base material and each holding one light emitting diode chip. A step of preparing a holding member having a plurality of protruding holding portions provided with a first adhesive layer in the portions, and a plate-shaped chip base material laminated on one surface of the chip base material and irradiated with ultraviolet rays. A chip substrate having a second adhesive layer whose adhesiveness is lower than that of the first adhesive layer by heating or cooling, and a plurality of light emitting diode chips regularly arranged two-dimensionally on the second adhesive layer. A step of lowering the adhesiveness of the second adhesive layer of the chip substrate to be lower than that of the first adhesive layer by ultraviolet irradiation, heating or cooling, and the light emitting diode chip and the holding of the chip substrate. After contacting the protruding holding portion of the member, the chip substrate and the holding member are separated from each other to hold the light emitting diode chip in the protruding holding portion.

また、本発明の転写部材の製造方法は、複数の前記発光ダイオードチップを前記保持部材の第1領域内の複数の前記突出保持部に保持させる工程と、前記チップ基板に対して前記保持部材を相対移動させる工程と、前記複数の前記発光ダイオードチップとは異なる他の複数の前記発光ダイオードチップを前記保持部材の前記第1領域とは異なる第2領域内の複数の前記突出保持部に保持させる工程と、を備えてもよい。前記チップ基板の前記発光ダイオードチップの配列のピッチの整数倍が、前記保持部材の前記突出保持部の配列のピッチとなっていてもよい。 Further, the method for manufacturing a transfer member of the present invention includes a step of holding a plurality of the light emitting diode chips by a plurality of the protruding holding portions in the first region of the holding member, and the holding member with respect to the chip substrate. The step of relative movement and the plurality of other light emitting diode chips different from the plurality of light emitting diode chips are held by the plurality of protruding holding portions in a second region different from the first region of the holding member. It may be provided with a process. An integral multiple of the pitch of the arrangement of the light emitting diode chips on the chip substrate may be the pitch of the arrangement of the protruding holding portions of the holding member.

本発明の転写部材の製造装置は、板状の基材と、前記基材の一方の面上に規則的に二次元配列され、それぞれが1つの発光ダイオードチップを保持するための、先端部に第1粘着層が設けられた複数の突出保持部と、を有する保持部材を保持する保持部材保持部と、板状のチップ基材と、前記チップ基材の一方の面上に積層され、前記第1粘着層よりも粘着性の低い第2粘着層と、前記第2粘着層の上に規則的に二次元配列された複数の前記発光ダイオードチップと、を有するチップ基板を保持するチップ基板保持部と、前記保持部材保持部及び前記チップ基板保持部に保持された前記保持部材及び前記チップ基板を観察するカメラと、前記保持部材保持部、前記チップ基板保持部及び前記カメラを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記カメラによる前記保持部材及び前記チップ基板の観察結果を用いて、前記保持部材保持部及び前記チップ基板保持部を制御し、前記保持部材と前記チップ基板との位置決めを行う。 The transfer member manufacturing apparatus of the present invention is regularly arranged in two dimensions on one surface of a plate-shaped base material and the base material, and each has a tip portion for holding one light emitting diode chip. A plurality of protruding holding portions provided with a first adhesive layer, a holding member holding portion for holding a holding member having the first adhesive layer, a plate-shaped chip base material, and the chip base material are laminated on one surface of the chip base material. A chip substrate holding a chip substrate having a second adhesive layer having a lower adhesiveness than the first adhesive layer and a plurality of the light emitting diode chips regularly arranged two-dimensionally on the second adhesive layer. A unit, a camera for observing the holding member and the chip substrate held by the holding member holding portion and the chip substrate holding portion, and a control unit for controlling the holding member holding portion, the chip substrate holding portion, and the camera. The control unit controls the holding member holding unit and the chip substrate holding unit by using the observation results of the holding member and the chip substrate by the camera, and the holding member and the chip substrate. Positioning.

本発明のチップ基板は、板状の基材と、前記基材の一方の面上に規則的に二次元配列され、それぞれが1つの発光ダイオードチップを保持するための、先端部に第1粘着層が設けられた複数の突出保持部と、を有する保持部材に前記発光ダイオードチップを保持させるために用いるチップ基板であって、板状のチップ基材と、前記チップ基材の一方の面上に積層された第2粘着層と、前記第2粘着層の上に規則的に二次元配列された複数の前記発光ダイオードチップと、を備え、前記第2粘着層は、前記保持部材の前記第1粘着層よりも粘着性が低い。前記チップ基板の前記発光ダイオードチップの配列のピッチの整数倍が、前記保持部材の前記突出保持部の配列のピッチとなっていてもよい。 The chip substrate of the present invention is regularly two-dimensionally arranged on one surface of a plate-shaped substrate and the substrate, and each of them has a first adhesion to the tip for holding one light emitting diode chip. A chip substrate used for holding the light emitting diode chip on a holding member having a plurality of protruding holding portions provided with layers, which is on one surface of a plate-shaped chip base material and the chip base material. The second adhesive layer is provided with a second adhesive layer laminated on the surface and a plurality of the light emitting diode chips regularly arranged two-dimensionally on the second adhesive layer, and the second adhesive layer is the first of the holding members. 1 Adhesiveness is lower than that of the adhesive layer. An integral multiple of the pitch of the arrangement of the light emitting diode chips on the chip substrate may be the pitch of the arrangement of the protruding holding portions of the holding member.

本発明のチップ基板は、板状の基材と、前記基材の一方の面上に規則的に二次元配列され、それぞれが1つの発光ダイオードチップを保持するための、先端部に第1粘着層が設けられた複数の突出保持部と、を有する保持部材に前記発光ダイオードチップを保持させるために用いるチップ基板であって、板状のチップ基材と、前記チップ基材の一方の面上に積層された第2粘着層と、前記第2粘着層の上に規則的に二次元配列された複数の前記発光ダイオードチップと、を備え、前記第2粘着層は、紫外線照射、加熱又は冷却によって粘着性が前記保持部材の前記第1粘着層よりも低くなるものである。前記チップ基板の前記発光ダイオードチップの配列のピッチの整数倍が、前記保持部材の前記突出保持部の配列のピッチとなっていてもよい。 The chip substrate of the present invention is regularly two-dimensionally arranged on one surface of a plate-shaped substrate and the substrate, and each of them has a first adhesion to the tip for holding one light emitting diode chip. A chip substrate used for holding the light emitting diode chip on a holding member having a plurality of protruding holding portions provided with layers, which is on one surface of a plate-shaped chip base material and the chip base material. The second adhesive layer is provided with a second adhesive layer laminated on the surface and a plurality of the light emitting diode chips regularly arranged two-dimensionally on the second adhesive layer, and the second adhesive layer is irradiated with ultraviolet rays, heated or cooled. The adhesiveness is lower than that of the first adhesive layer of the holding member. An integral multiple of the pitch of the arrangement of the light emitting diode chips on the chip substrate may be the pitch of the arrangement of the protruding holding portions of the holding member.

本発明の発光基板の製造方法は、前記転写部材の製造方法により製造された転写部材の複数の前記発光ダイオードチップを、前記転写部材の前記保持部材から前記回路基板に一括で転写する工程を有する。 The method for manufacturing a light emitting substrate of the present invention includes a step of collectively transferring a plurality of the light emitting diode chips of the transfer member manufactured by the method for manufacturing the transfer member from the holding member of the transfer member to the circuit board. ..

本発明によれば、複数の発光ダイオードチップが配置された発光基板の生産性を高めることができる。 According to the present invention, it is possible to increase the productivity of a light emitting substrate on which a plurality of light emitting diode chips are arranged.

マイクロ発光ダイオードチップを有する発光基板を用いた表示装置を示す分解斜視図である。It is an exploded perspective view which shows the display device which used the light emitting substrate which has a micro light emitting diode chip. マイクロ発光ダイオードチップを有する発光基板の平面図である。It is a top view of the light emitting substrate which has a micro light emitting diode chip. 発光基板の一部を拡大して示す平面図であり、図2のA領域を示している。It is the top view which shows the part of the light emitting substrate enlarged, and shows the region A of FIG. 発光基板のマイクロ発光ダイオードチップの周辺部を拡大して示す平面図であり、図3のB領域を示している。It is an enlarged plan view which shows the peripheral part of the micro light emitting diode chip of a light emitting substrate, and shows the region B of FIG. マイクロ発光ダイオードチップを有する発光基板の一部を拡大して示す縦断面図であり、図3のC−C断面を示している。It is a vertical sectional view which shows the part of the light emitting substrate which has a micro light emitting diode chip enlarged, and shows the CC cross section of FIG. 保持部材の平面図である。It is a top view of the holding member. 保持部材の一部を拡大して示す平面図であり、図6のD領域を示している。It is the top view which shows the part of the holding member enlarged, and shows the D region of FIG. 保持部材の一部を拡大して示す縦断面図であり、図7のE−E断面を示している。It is a vertical cross-sectional view which shows a part of the holding member enlarged, and shows the EE cross section of FIG. 転写部材の一部を拡大して示す平面図である。It is a top view which shows the part of the transfer member enlarged. 転写部材の一部を拡大して示す縦断面図であり、図9のF−F断面を示している。It is a vertical cross-sectional view which shows a part of the transfer member enlarged, and shows the FF cross section of FIG. 転写部材から回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを転写する工程を示す縦断面図である。It is a vertical sectional view which shows the process of transferring a micro light emitting diode chip from a transfer member to a circuit board. ダイシングされたマイクロ発光ダイオードチップを有するチップ基板を示す平面図である。It is a top view which shows the chip substrate which has the diced micro light emitting diode chip. ダイシングされたマイクロ発光ダイオードチップを有するチップ基板を示す縦断面図であり、図12のG−G断面を示している。It is a vertical sectional view which shows the chip substrate which has a diced micro light emitting diode chip, and shows the GG cross section of FIG. 保持部材にマイクロ発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the process of making a holding member hold a micro light emitting diode chip. 保持部材にマイクロ発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための縦断面図である。It is a vertical sectional view for demonstrating the process of having a holding member hold a micro light emitting diode chip. 保持部材にマイクロ発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための縦断面図である。It is a vertical sectional view for demonstrating the process of having a holding member hold a micro light emitting diode chip. 保持部材にマイクロ発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための縦断面図である。It is a vertical sectional view for demonstrating the process of having a holding member hold a micro light emitting diode chip. 保持部材にマイクロ発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための縦断面図である。It is a vertical sectional view for demonstrating the process of having a holding member hold a micro light emitting diode chip. 保持部材の第1領域R1に第1発光ダイオードチップを保持させる工程を経た後のチップ基板を示す平面図である。It is a top view which shows the chip substrate after undergoing the step of holding a 1st light emitting diode chip in the 1st region R1 of a holding member. 保持部材の第1領域R2に第1発光ダイオードチップを保持させる工程を経た後のチップ基板を示す平面図である。It is a top view which shows the chip substrate after undergoing the step of holding a 1st light emitting diode chip in the 1st region R2 of a holding member. 本実施形態の転写部材の製造装置の一例を概略に示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the manufacturing apparatus of the transfer member of this embodiment schematicly. 転写部材から回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを転写する工程を説明するための縦断面図である。It is a vertical sectional view for demonstrating the process of transferring a micro light emitting diode chip from a transfer member to a circuit board. 転写部材から回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを転写する工程を説明するための縦断面図である。It is a vertical sectional view for demonstrating the process of transferring a micro light emitting diode chip from a transfer member to a circuit board. 転写部材から回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを転写する工程を説明するための縦断面図である。It is a vertical sectional view for demonstrating the process of transferring a micro light emitting diode chip from a transfer member to a circuit board. 保持部材の一変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating one modification of the holding member.

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings attached to the present specification, the scale, aspect ratio, etc. are appropriately changed from those of the actual product and exaggerated for the convenience of illustration and comprehension.

本明細書において、「板」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」は「シート」や「フィルム」と呼ばれ得るような部材をも含む概念である。また、「板面(シート面、フィルム面)」とは、対象となる板状(シート状、フィルム状)の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となる板状部材(シート状部材、フィルム状部材)の平面方向と一致する面のことを指す。 In the present specification, the terms "board", "sheet", and "film" are not distinguished from each other based solely on the difference in designation. For example, "board" is a concept that includes members that can be called "sheets" or "films". Further, the "plate surface (sheet surface, film surface)" is a plate-like member (sheet-like) that is a target when the target plate-like (sheet-like, film-like) member is viewed as a whole and from a broad perspective. A surface that coincides with the plane direction of a member or film-like member).

さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件ならびにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。 Furthermore, as used in the present specification, the terms such as "parallel", "orthogonal", and "identical" and the values of length and angle, etc., which specify the shape and geometric conditions and their degrees, are strictly referred to. Without being bound by the meaning, we will interpret it including the range where similar functions can be expected.

図1は、マイクロ発光ダイオードチップ50を有する発光基板10を用いた表示装置1を概略的に示す分解斜視図である。表示装置1は、表示面5に画像等を表示する。図1に示す例において、表示装置1は、発光基板10と、発光基板10に対向して配置された拡散層7と、を有している。拡散層7の発光基板10に対向する側とは逆側の面が、表示装置1の表示面5となっている。表示装置1は、1つ又は複数の発光ダイオードから発光した光を1つの画素として用いている、いわゆるマイクロLEDディスプレイである。図示された例において、発光基板10で発光した光を拡散層7で拡散している。ただし、拡散層7は省略することができる。 FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing a display device 1 using a light emitting substrate 10 having a micro light emitting diode chip 50. The display device 1 displays an image or the like on the display surface 5. In the example shown in FIG. 1, the display device 1 has a light emitting substrate 10 and a diffusion layer 7 arranged so as to face the light emitting substrate 10. The surface of the diffusion layer 7 opposite to the side facing the light emitting substrate 10 is the display surface 5 of the display device 1. The display device 1 is a so-called micro LED display that uses light emitted from one or a plurality of light emitting diodes as one pixel. In the illustrated example, the light emitted by the light emitting substrate 10 is diffused by the diffusion layer 7. However, the diffusion layer 7 can be omitted.

図2は、マイクロ発光ダイオードチップ50を有する発光基板10の平面図である。図3は、発光基板10の一部を拡大して示す平面図であり、図2のA領域を示している。図4は、発光基板10のマイクロ発光ダイオードチップ50の周辺部を拡大して示す平面図であり、図3のB領域を示している。図5は、マイクロ発光ダイオードチップ50を有する発光基板10の一部を拡大して示す縦断面図であり、図3のC−C断面を示している。 FIG. 2 is a plan view of a light emitting substrate 10 having a micro light emitting diode chip 50. FIG. 3 is a plan view showing a part of the light emitting substrate 10 in an enlarged manner, and shows a region A in FIG. FIG. 4 is an enlarged plan view showing a peripheral portion of the micro light emitting diode chip 50 of the light emitting substrate 10, and shows a region B in FIG. FIG. 5 is an enlarged vertical cross-sectional view of a part of the light emitting substrate 10 having the micro light emitting diode chip 50, and shows the CC cross section of FIG.

発光基板10は、表示面5に表示する画像を形成する光を発光する。図2及び図3に示すように、発光基板10は、回路基板11と、回路基板11上に規則的に二次元配列された複数のマイクロ発光ダイオードチップ(単に「発光ダイオードチップ」とも呼ぶ)50と、を有している。 The light emitting substrate 10 emits light that forms an image to be displayed on the display surface 5. As shown in FIGS. 2 and 3, the light emitting substrate 10 includes a circuit board 11 and a plurality of micro light emitting diode chips (also simply referred to as “light emitting diode chips”) 50 which are regularly arranged two-dimensionally on the circuit board 11. And have.

回路基板11は、後述する転写部材20からマイクロ発光ダイオードチップ50を転写される工程において、マイクロ発光ダイオードチップ50を有する転写部材20と位置決めするための位置決め手段を有している。図2及び図3に示す例では、位置決め手段は、十字型の複数の位置決めマークM1である。ただし、十字型の位置決めマークM1は例示に過ぎず、例えば四角形、三角形、丸等の種々の位置決めマークM1を用いることができる。 The circuit board 11 has a positioning means for positioning with the transfer member 20 having the micro light emitting diode chip 50 in the step of transferring the micro light emitting diode chip 50 from the transfer member 20 described later. In the examples shown in FIGS. 2 and 3, the positioning means is a plurality of cross-shaped positioning marks M1. However, the cross-shaped positioning mark M1 is merely an example, and various positioning marks M1 such as a quadrangle, a triangle, and a circle can be used.

また、図4に示すように、回路基板11は、回路13を有している。さらに、図5に示すように、各マイクロ発光ダイオードチップ50は、2つの電極51を有している。マイクロ発光ダイオードチップ50は、電極51を介して、回路13に電気的に接続している。回路13に流れる電流を制御して2つの電極51の間に電圧を印加することで、任意のマイクロ発光ダイオードチップ50を発光させることができる。マイクロ発光ダイオードチップ50の発光の組み合わせにより、表示装置1が表示する画像を形成することができる。 Further, as shown in FIG. 4, the circuit board 11 has a circuit 13. Further, as shown in FIG. 5, each micro light emitting diode chip 50 has two electrodes 51. The micro light emitting diode chip 50 is electrically connected to the circuit 13 via the electrode 51. By controlling the current flowing through the circuit 13 and applying a voltage between the two electrodes 51, any micro light emitting diode chip 50 can emit light. The image displayed by the display device 1 can be formed by combining the light emission of the micro light emitting diode chip 50.

マイクロ発光ダイオードチップ50から発光する光の波長は、マイクロ発光ダイオードチップ50を構成する半導体材料等によって決定される。マイクロ発光ダイオードチップ50は、例えばGaAs系化合物半導体、InP系化合物半導体、GaN系化合物半導体等を含んでいる。平面視におけるマイクロ発光ダイオードチップ50の寸法は、例えば1辺が3μm以上1000μm以下の矩形形状とすることができ、より好ましくは3μm以上500μm以下とすることができ、マイクロ発光ダイオードチップ50の厚さは、例えば10μm以上500μm以下、より好ましくは10μm以上200μm以下とすることができる。 The wavelength of the light emitted from the micro light emitting diode chip 50 is determined by the semiconductor material or the like constituting the micro light emitting diode chip 50. The micro light emitting diode chip 50 includes, for example, a GaAs-based compound semiconductor, an InP-based compound semiconductor, a GaN-based compound semiconductor, and the like. The dimensions of the micro light emitting diode chip 50 in a plan view can be, for example, a rectangular shape having a side of 3 μm or more and 1000 μm or less, more preferably 3 μm or more and 500 μm or less, and the thickness of the micro light emitting diode chip 50. Can be, for example, 10 μm or more and 500 μm or less, more preferably 10 μm or more and 200 μm or less.

図示された例では、マイクロ発光ダイオードチップ50は、波長域620nm〜680nmの赤色の光を発光する第1発光ダイオードチップ50Rと、波長域530nm〜570nmの緑色の光を発光する第2発光ダイオードチップ50Gと、波長域440nm〜480nmの青色の光を発光する第3発光ダイオードチップ50Bと、を含んでいる。互いの近傍に配置された第1発光ダイオードチップ50R、第2発光ダイオードチップ50G及び第3発光ダイオードチップ50Bが、表示装置1の1つの画素を形成している。このため、発光基板10は、フルカラーで表示する画像を形成する光を発光することができる。 In the illustrated example, the micro light emitting diode chip 50 includes a first light emitting diode chip 50R that emits red light having a wavelength range of 620 nm to 680 nm and a second light emitting diode chip that emits green light having a wavelength range of 530 nm to 570 nm. It includes 50G and a third light emitting diode chip 50B that emits blue light in a wavelength range of 440 nm to 480 nm. The first light emitting diode chip 50R, the second light emitting diode chip 50G, and the third light emitting diode chip 50B arranged in the vicinity of each other form one pixel of the display device 1. Therefore, the light emitting substrate 10 can emit light that forms an image to be displayed in full color.

発光基板10は、回路基板11の回路13が形成された位置にマイクロ発光ダイオードチップ50を配置することで製造される。複数のマイクロ発光ダイオードチップ50が配置された発光基板10を高い生産性で製造するために、図6から図11に示すような、保持部材30及び保持部材30を有する転写部材20が用いられる。 The light emitting board 10 is manufactured by arranging the micro light emitting diode chip 50 at a position where the circuit 13 of the circuit board 11 is formed. In order to manufacture the light emitting substrate 10 on which the plurality of micro light emitting diode chips 50 are arranged with high productivity, a holding member 30 and a transfer member 20 having the holding member 30 as shown in FIGS. 6 to 11 are used.

以下、本実施形態の保持部材30及び保持部材30を有する転写部材20について、図6から図11を参照しつつ説明する。 Hereinafter, the holding member 30 of the present embodiment and the transfer member 20 having the holding member 30 will be described with reference to FIGS. 6 to 11.

図6は、保持部材30の平面図である。図7は、保持部材30の一部を拡大して示す平面図であり、図6のD領域を示している。図8は、保持部材30の一部を拡大して示す縦断面図であり、図7のE−E断面を示している。 FIG. 6 is a plan view of the holding member 30. FIG. 7 is an enlarged plan view showing a part of the holding member 30, and shows the D region of FIG. FIG. 8 is an enlarged vertical sectional view showing a part of the holding member 30, and shows an EE cross section of FIG. 7.

保持部材30は、複数のマイクロ発光ダイオードチップ50を保持することができる部材である。図6、図7及び図8に示すように、保持部材30は、基材31と、基材31の一方の面上に設けられた複数の突出保持部32と、を有している。突出保持部32は、突出保持部32の本体である突出構造体33と、突出構造体33の先端に設けられた粘着層35と、を有している。 The holding member 30 is a member capable of holding a plurality of micro light emitting diode chips 50. As shown in FIGS. 6, 7 and 8, the holding member 30 has a base material 31 and a plurality of protruding holding portions 32 provided on one surface of the base material 31. The protruding holding portion 32 has a protruding structure 33 which is the main body of the protruding holding portion 32, and an adhesive layer 35 provided at the tip of the protruding structure 33.

基材31は、複数の突出保持部32を適切に支持する板状の部材である。基材31は、後述する保持部材30にマイクロ発光ダイオードチップ50を保持させる工程において、マイクロ発光ダイオードチップ50を有するチップ基板40と保持部材30との位置決めに用いられる位置決め手段を有している。図6及び図7に示す例では、位置決め手段は、十字型の位置決めマークM2である。ただし、十字型の位置決めマークM2は例示に過ぎず、例えば四角形、三角形、丸等の種々の位置決めマークM2を用いることができる。位置決めマークM2は、図6に示すように、保持部材30を一定の間隔で区画する領域ごとに基材31の一方の面上に複数設けられている。また、位置決めマークM2の観察を容易にするために、基材31は、透明であることが好ましい。 The base material 31 is a plate-shaped member that appropriately supports the plurality of projecting holding portions 32. The base material 31 has a positioning means used for positioning the chip substrate 40 having the micro light emitting diode chip 50 and the holding member 30 in the step of causing the holding member 30 described later to hold the micro light emitting diode chip 50. In the examples shown in FIGS. 6 and 7, the positioning means is a cross-shaped positioning mark M2. However, the cross-shaped positioning mark M2 is merely an example, and various positioning marks M2 such as a quadrangle, a triangle, and a circle can be used. As shown in FIG. 6, a plurality of positioning marks M2 are provided on one surface of the base material 31 for each region in which the holding members 30 are partitioned at regular intervals. Further, in order to facilitate observation of the positioning mark M2, the base material 31 is preferably transparent.

なお、透明とは、当該基材を介して当該基材の一方の側から他方の側を透視し得る程度の透明性を有していることを意味しており、例えば、30%以上、より好ましくは70%以上の可視光透過率を有していることを意味する。可視光透過率は、分光光度計((株)島津製作所製「UV−3100PC」、JIS K 0115準拠品)を用いて測定波長380nm〜780nmの範囲内で測定したときの、各波長における透過率の平均値として特定される。 In addition, "transparency" means having transparency to the extent that one side of the base material can be seen through the base material, for example, 30% or more. It preferably means that it has a visible light transmittance of 70% or more. Visible light transmittance is the transmittance at each wavelength when measured within the measurement wavelength range of 380 nm to 780 nm using a spectrophotometer (“UV-3100PC” manufactured by Shimadzu Corporation, JIS K 0115 compliant product). Is specified as the average value of.

基材31の平面視における面積は、後述する複数のマイクロ発光ダイオードチップ50を有するチップ基板40より大きくなっている。具体的には、基材31の平面視における面積は、70cm以上となっていることが好ましい。また、転写部材20の平面視における寸法が回路基板11の平面視における寸法以上となるよう、基材31の平面視における寸法は、回路基板11の平面視における寸法以上であることが好ましい。 The area of the base material 31 in a plan view is larger than that of the chip substrate 40 having a plurality of micro light emitting diode chips 50 described later. Specifically, the area of the base material 31 in a plan view is preferably 70 cm 2 or more. Further, the dimension of the base material 31 in the plan view is preferably equal to or larger than the dimension in the plan view of the circuit board 11 so that the dimension of the transfer member 20 in the plan view is equal to or larger than the dimension in the plan view of the circuit board 11.

基材31の厚さは、透明性や、突出構造体33の適切な支持性等を考慮すると、0.5mm以上3mm以下の厚みを有していることが好ましい。また、後述する発光基板10の製造工程において基材31の変形を防止するために、基材31の剛性が高いことが好ましい。また、基材31は、熱によって変形しにくいことが好ましい。具体的には、基材31の線膨張係数が10×10−5/K以下であることが好ましく、5×10−5/K以下であることがより好ましい。このような基材31の材料としては、例えばアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂、ガラスを挙げることができる。 The thickness of the base material 31 is preferably 0.5 mm or more and 3 mm or less in consideration of transparency, appropriate supportability of the protruding structure 33, and the like. Further, in order to prevent deformation of the base material 31 in the manufacturing process of the light emitting substrate 10 described later, it is preferable that the base material 31 has high rigidity. Further, it is preferable that the base material 31 is not easily deformed by heat. Specifically, it is preferable that the linear expansion coefficient of the substrate 31 is not more than 10 × 10 -5 / K, more preferably not more than 5 × 10 -5 / K. Examples of the material of such a base material 31 include acrylic resin, polycarbonate resin, and glass.

突出保持部32は、マイクロ発光ダイオードチップ50を保持する部分である。突出保持部32は、基材31上において保持部材30がマイクロ発光ダイオードチップ50を保持する位置に設けられている。すなわち、突出保持部32は、回路基板11のマイクロ発光ダイオードチップ50が配置される位置に対応した位置に設けられている。図示された例では、突出保持部32の平面視における寸法は、マイクロ発光ダイオードチップ50の寸法に等しくなっている。 The protrusion holding portion 32 is a portion that holds the micro light emitting diode chip 50. The protrusion holding portion 32 is provided at a position on the base material 31 where the holding member 30 holds the micro light emitting diode chip 50. That is, the protrusion holding portion 32 is provided at a position corresponding to the position where the micro light emitting diode chip 50 of the circuit board 11 is arranged. In the illustrated example, the dimensions of the protrusion holding portion 32 in a plan view are equal to the dimensions of the micro light emitting diode chip 50.

突出保持部32は、基材31の一方の面上に、規則的に二次元配列されている。突出保持部32の規則的な二次元配列は、回路基板11上に規則的に二次元配列される複数のマイクロ発光ダイオードチップ50に対応している。言い換えると、突出保持部32の配列間隔及び配列パターンは、回路基板11上で配列されるべきそれぞれの種類の複数のマイクロ発光ダイオードチップ50の配列間隔及び配列パターンと同一となっている。図示された例では、突出保持部32の配列間隔及び配列パターンは、第1発光ダイオードチップ50Rの配列間隔及び配列パターンと同一となっている。突出保持部32は、第1方向d1にピッチpa1で配列されており、第1方向d1に非平行な第2方向d2にピッチpa2で配列されている。なお、図示された例において、第1方向d1と第2方向d2は、互いに直交している。ピッチpa1、pa2は、例えば、10μm以上、1000μm以下である。 The protrusion holding portions 32 are regularly arranged two-dimensionally on one surface of the base material 31. The regular two-dimensional arrangement of the protrusion holding portions 32 corresponds to a plurality of micro light emitting diode chips 50 that are regularly arranged two-dimensionally on the circuit board 11. In other words, the arrangement spacing and arrangement pattern of the protrusion holding portion 32 are the same as the arrangement spacing and arrangement pattern of the plurality of types of micro light emitting diode chips 50 to be arranged on the circuit board 11. In the illustrated example, the arrangement interval and arrangement pattern of the protrusion holding portion 32 are the same as the arrangement interval and arrangement pattern of the first light emitting diode chip 50R. The protrusion holding portions 32 are arranged at a pitch pa1 in the first direction d1 and are arranged at a pitch pa2 in the second direction d2 which is non-parallel to the first direction d1. In the illustrated example, the first direction d1 and the second direction d2 are orthogonal to each other. The pitches pa1 and pa2 are, for example, 10 μm or more and 1000 μm or less.

突出保持部32の本体である突出構造体33は、基材31の板面の法線方向に突出している。突出構造体33が基材31から突出している長さは、マイクロ発光ダイオードチップ50の厚さより大きいことが好ましく、例えば、0.1μm以上、100μm以下である。また、突出構造体33は、柔軟性を有している。具体的には、突出構造体33のヤング率は、10GPa以下であることが好ましく、5GPa以下であることがより好ましい。このような突出構造体33は、例えばアクリル樹脂からなり、フォトリソグラフィ技術やインプリント技術を利用して、形成することができる。 The projecting structure 33, which is the main body of the projecting holding portion 32, projects in the normal direction of the plate surface of the base material 31. The length of the protruding structure 33 protruding from the base material 31 is preferably larger than the thickness of the micro light emitting diode chip 50, and is, for example, 0.1 μm or more and 100 μm or less. Further, the protruding structure 33 has flexibility. Specifically, the Young's modulus of the protruding structure 33 is preferably 10 GPa or less, and more preferably 5 GPa or less. Such a protruding structure 33 is made of, for example, an acrylic resin, and can be formed by using a photolithography technique or an imprinting technique.

粘着層35は、突出保持部32にマイクロ発光ダイオードチップ50を保持させることができるよう、突出構造体33の先端に設けられている。粘着層35は、粘着性を有している。粘着層35の粘着性は、例えば加熱、冷却又は紫外線照射によって、低下させることができる。なお、本明細書において、粘着性とは、粘り着く性質のことであり、接着性と区別しない。粘着層35の材料としては、例えばアクリル系粘着剤が用いられる。粘着層35の厚さは、例えば、0.1μm以上、100μm以下である。 The adhesive layer 35 is provided at the tip of the protruding structure 33 so that the protruding holding portion 32 can hold the micro light emitting diode chip 50. The adhesive layer 35 has adhesiveness. The adhesiveness of the adhesive layer 35 can be reduced by, for example, heating, cooling or irradiation with ultraviolet rays. In addition, in this specification, adhesiveness is a property of stickiness and is not distinguished from adhesiveness. As the material of the adhesive layer 35, for example, an acrylic adhesive is used. The thickness of the adhesive layer 35 is, for example, 0.1 μm or more and 100 μm or less.

図9は、転写部材20の一部を拡大して示す平面図である。図10は、転写部材20の一部を拡大して示す縦断面図であり、図9のF−F断面を示している。 FIG. 9 is an enlarged plan view showing a part of the transfer member 20. FIG. 10 is an enlarged vertical cross-sectional view showing a part of the transfer member 20, and shows the FF cross section of FIG.

転写部材20は、保持部材30と、保持部材30に保持された複数のマイクロ発光ダイオードチップ50と、を有している。複数のマイクロ発光ダイオードチップ50は、転写部材20において、当該マイクロ発光ダイオードチップ50が転写される回路基板11のマイクロ発光ダイオードチップ50が配置される位置に対応した位置に保持されるよう、配置されている。言い換えると、複数のマイクロ発光ダイオードチップ50の転写部材20における配列間隔及び配列パターンは、当該複数のマイクロ発光ダイオードチップ50が回路基板11上で配列されるべき配列間隔及び配列パターンと同一となっている。図示された例では、マイクロ発光ダイオードチップ50として、第1発光ダイオードチップ50Rが、保持部材30に保持されている。 The transfer member 20 has a holding member 30 and a plurality of micro light emitting diode chips 50 held by the holding member 30. The plurality of micro light emitting diode chips 50 are arranged so as to be held in the transfer member 20 at a position corresponding to the position where the micro light emitting diode chip 50 is arranged on the circuit board 11 to which the micro light emitting diode chip 50 is transferred. ing. In other words, the arrangement spacing and arrangement pattern of the transfer member 20 of the plurality of micro light emitting diode chips 50 are the same as the arrangement spacing and arrangement pattern in which the plurality of micro light emitting diode chips 50 should be arranged on the circuit board 11. There is. In the illustrated example, the first light emitting diode chip 50R is held by the holding member 30 as the micro light emitting diode chip 50.

図11は、転写部材20から回路基板11にマイクロ発光ダイオードチップ50を転写する工程を示す縦断面図である。転写部材20は、複数のマイクロ発光ダイオードチップ50を一括で回路基板11の回路13上に転写することができるように構成されている。1回の転写のみで回路基板11の全体にマイクロ発光ダイオードチップ50を配置することができるよう、転写部材20の平面視における寸法は、回路基板11の平面視における寸法以上であることが好ましい。図示された例では、転写部材20は、複数の第1発光ダイオードチップ50Rを一括で回路基板11の回路13上に転写することができるように構成されている。第2発光ダイオードチップ50Gを保持する転写部材20と第3発光ダイオードチップ50Bを保持する転写部材20とを用いて同様の工程を行うことにより、回路基板11に3種のマイクロ発光ダイオードチップ50が配置された発光基板10が製造されることになる。 FIG. 11 is a vertical cross-sectional view showing a process of transferring the micro light emitting diode chip 50 from the transfer member 20 to the circuit board 11. The transfer member 20 is configured so that a plurality of micro light emitting diode chips 50 can be collectively transferred onto the circuit 13 of the circuit board 11. The dimensions of the transfer member 20 in the plan view are preferably equal to or larger than the dimensions in the plan view of the circuit board 11 so that the micro light emitting diode chip 50 can be arranged on the entire circuit board 11 with only one transfer. In the illustrated example, the transfer member 20 is configured so that a plurality of first light emitting diode chips 50R can be collectively transferred onto the circuit 13 of the circuit board 11. By performing the same process using the transfer member 20 holding the second light emitting diode chip 50G and the transfer member 20 holding the third light emitting diode chip 50B, three types of micro light emitting diode chips 50 are formed on the circuit board 11. The arranged light emitting substrate 10 will be manufactured.

次に、保持部材30にマイクロ発光ダイオードチップ50を保持させる方法、すなわち転写部材20の製造方法について、図12から図17を参照しつつ説明する。 Next, a method of causing the holding member 30 to hold the micro light emitting diode chip 50, that is, a method of manufacturing the transfer member 20, will be described with reference to FIGS. 12 to 17.

図12は、ダイシングされたマイクロ発光ダイオードチップ50を有するチップ基板40を示す平面図である。図13は、ダイシングされたマイクロ発光ダイオードチップ50を有するチップ基板40を示す縦断面図であり、図12のG−G断面を示している。 FIG. 12 is a plan view showing a chip substrate 40 having a diced micro light emitting diode chip 50. FIG. 13 is a vertical cross-sectional view showing a chip substrate 40 having a diced micro light emitting diode chip 50, and shows a GG cross section of FIG.

まず、図12及び図13に示すように、一方の面上にダイシングされた複数のマイクロ発光ダイオードチップ50を有するチップ基板40を用意する。このチップ基板40は、第1発光ダイオードチップ50R、第2発光ダイオードチップ50G及び第3発光ダイオードチップ50Bのそれぞれについて用意される。つまり、第1発光ダイオードチップ50Rを有するチップ基板40と、第2発光ダイオードチップ50Gを有するチップ基板40と、第3発光ダイオードチップ50Bを有するチップ基板と、の3種類のチップ基板40が用意される。 First, as shown in FIGS. 12 and 13, a chip substrate 40 having a plurality of micro light emitting diode chips 50 diced on one surface is prepared. The chip substrate 40 is prepared for each of the first light emitting diode chip 50R, the second light emitting diode chip 50G, and the third light emitting diode chip 50B. That is, three types of chip substrates 40 are prepared: a chip substrate 40 having a first light emitting diode chip 50R, a chip substrate 40 having a second light emitting diode chip 50G, and a chip substrate having a third light emitting diode chip 50B. LED.

図示された例では、チップ基板40は、ダイシングされたウエハからマイクロ発光ダイオードチップ50を仮転写した基板として構成されている。チップ基板40は、チップ基材41と、チップ基材41上に積層された粘着層42と、粘着層42上に配置された複数のマイクロ発光ダイオードチップ50と、を有している。 In the illustrated example, the chip substrate 40 is configured as a substrate on which a micro light emitting diode chip 50 is temporarily transferred from a diced wafer. The chip substrate 40 has a chip base material 41, an adhesive layer 42 laminated on the chip base material 41, and a plurality of micro light emitting diode chips 50 arranged on the adhesive layer 42.

チップ基材41は、粘着層42を介して、マイクロ発光ダイオードチップ50を保持する板状の部材である。チップ基材41は、保持部材30との位置決めするための位置決め手段を有している。図12に示す例では、位置決め手段は、十字型の複数の位置決めマークM3である。ただし、十字型の位置決めマークM3は例示に過ぎず、例えば四角形、三角形、丸等の種々の位置決めマークM3を用いることができる。 The chip base material 41 is a plate-shaped member that holds the micro light emitting diode chip 50 via the adhesive layer 42. The chip base material 41 has a positioning means for positioning with the holding member 30. In the example shown in FIG. 12, the positioning means is a plurality of cross-shaped positioning marks M3. However, the cross-shaped positioning mark M3 is merely an example, and various positioning marks M3 such as a quadrangle, a triangle, and a circle can be used.

チップ基材41の材料としては、限定されず、例えば、ウエハガラス又はアクリルが用いられる。チップ基材41の平面視における面積は、特に限定されないが、例えば、10〜800cm程度のものが考えられる。チップ基材41の厚さは、マイクロ発光ダイオードチップ50の適切な保持性等を考慮すると、0.1mm以上、5mm以下の厚みを有していることが好ましい。 The material of the chip base material 41 is not limited, and for example, wafer glass or acrylic is used. The area of the chip base material 41 in a plan view is not particularly limited, but for example, an area of about 10 to 800 cm 2 can be considered. The thickness of the chip base material 41 is preferably 0.1 mm or more and 5 mm or less in consideration of appropriate retention of the micro light emitting diode chip 50 and the like.

チップ基板40の粘着層42は、保持部材30の粘着層35よりも低い粘着性を有するものである。粘着層42の粘着性は、マイクロ発光ダイオードチップ50を保持部材30に確実に保持させる観点から、工程中に落ちない限りにおいて、できるだけ弱いものがよい。 The adhesive layer 42 of the chip substrate 40 has a lower adhesiveness than the adhesive layer 35 of the holding member 30. The adhesiveness of the adhesive layer 42 should be as weak as possible from the viewpoint of reliably holding the micro light emitting diode chip 50 on the holding member 30 as long as it does not fall off during the process.

また、チップ基板40の粘着層42は、紫外線照射、加熱又は冷却により、保持部材30の粘着層35よりも低い粘着性を有するものとなるものであってもよい。このような粘着層42は、取扱い時におけるマイクロ発光ダイオードチップ50のチップ基板40からの剥落を抑えることができ、チップ基板40の取扱いが容易になるとの利点がある。 Further, the adhesive layer 42 of the chip substrate 40 may have a lower adhesiveness than the adhesive layer 35 of the holding member 30 by irradiation with ultraviolet rays, heating or cooling. Such an adhesive layer 42 has an advantage that the micro light emitting diode chip 50 can be prevented from peeling off from the chip substrate 40 during handling, and the chip substrate 40 can be easily handled.

チップ基板40の粘着層42の材料としては、例えば、アクリル系粘着剤が用いられる。チップ基板40の粘着層42の厚さは、例えば、0.1μm以上、100μm以下である。 As the material of the adhesive layer 42 of the chip substrate 40, for example, an acrylic adhesive is used. The thickness of the adhesive layer 42 of the chip substrate 40 is, for example, 0.1 μm or more and 100 μm or less.

各マイクロ発光ダイオードチップ50は、チップ基材41の側に設けられた2つの電極51を有している。また、マイクロ発光ダイオードチップ50は、チップ基材41上において、第1方向d1にピッチpb1で配列されており、第1方向d1に非平行な第2方向d2にピッチpb2で配列されている。すなわち、マイクロ発光ダイオードチップ50は、ウエハを第1方向d1及び第2方向d2にダイシングすることで形成されている。なお、図示された例において、第1方向d1と第2方向d2は、互いに直交している。ピッチpb1、pb2は、例えば、3μm以上、1000μm以下である。 Each micro light emitting diode chip 50 has two electrodes 51 provided on the side of the chip base material 41. Further, the micro light emitting diode chips 50 are arranged on the chip base material 41 at a pitch pb1 in the first direction d1 and at a pitch pb2 in the second direction d2 nonparallel to the first direction d1. That is, the micro light emitting diode chip 50 is formed by dicing the wafer in the first direction d1 and the second direction d2. In the illustrated example, the first direction d1 and the second direction d2 are orthogonal to each other. The pitches pb1 and pb2 are, for example, 3 μm or more and 1000 μm or less.

ここで、チップ基板40のマイクロ発光ダイオードチップ50の第1方向d1における配列のピッチpb1の整数倍(図示された例では、9倍)が、保持部材30の複数の突出保持部32の第1方向d1における配列のピッチpa1となっている。同様に、チップ基板40のマイクロ発光ダイオードチップ50の第2方向d2における配列のピッチpb2の整数倍(図示された例では、9倍)が、保持部材30の複数の突出保持部32の第2方向d2における配列のピッチpa2となっている。 Here, an integral multiple (9 times in the illustrated example) of the pitch pb1 of the arrangement in the first direction d1 of the micro light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40 is the first of the plurality of protruding holding portions 32 of the holding member 30. It is the pitch pa1 of the array in the direction d1. Similarly, an integral multiple (9 times in the illustrated example) of the pitch pb2 of the arrangement in the second direction d2 of the micro light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40 is the second of the plurality of protruding holding portions 32 of the holding member 30. The pitch pa2 of the array in the direction d2.

前述のとおり、保持部材30の突出保持部32の配列間隔及び配列パターンは、回路基板11上で配列されるそれぞれの種類の複数のマイクロ発光ダイオードチップ50の配列間隔及び配列パターンと同一となっている。そのため、チップ基板40のマイクロ発光ダイオードチップ50の第1方向d1における配列のピッチpb1の整数倍が、回路基板11のあるマイクロ発光ダイオードチップ50(第1発光ダイオードチップ50R)の第1方向d1における配列のピッチとなっており、第2方向d2における配列のピッチpb2の整数倍が、回路基板11のあるマイクロ発光ダイオードチップ50(第1発光ダイオードチップ50R)の第2方向d2における配列のピッチとなっている。 As described above, the arrangement spacing and arrangement pattern of the protruding holding portions 32 of the holding member 30 are the same as the arrangement spacing and arrangement pattern of the plurality of micro light emitting diode chips 50 of each type arranged on the circuit board 11. There is. Therefore, an integral multiple of the pitch pb1 of the arrangement in the first direction d1 of the micro light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40 is in the first direction d1 of the micro light emitting diode chip 50 (first light emitting diode chip 50R) having the circuit board 11. It is the pitch of the array, and the integral multiple of the pitch pb2 of the array in the second direction d2 is the pitch of the array in the second direction d2 of the micro light emitting diode chip 50 (first light emitting diode chip 50R) having the circuit board 11. It has become.

図14は、保持部材30にマイクロ発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための平面図である。この工程では、チップ基板40のマイクロ発光ダイオードチップ50と保持部材30の突出保持部32とを接触させた後、チップ基板40と保持部材30とを互いから離間させて、マイクロ発光ダイオードチップ50を突出保持部32に保持させる。 FIG. 14 is a plan view for explaining a step of causing the holding member 30 to hold the micro light emitting diode chip. In this step, after the micro light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40 and the protruding holding portion 32 of the holding member 30 are brought into contact with each other, the chip substrate 40 and the holding member 30 are separated from each other to form the micro light emitting diode chip 50. It is held by the protruding holding portion 32.

保持部材30は、第1方向d1及び第2方向d2に配列された複数の領域を有している。各領域の形状及び面積は、チップ基板40におけるマイクロ発光ダイオードチップ50が配列されている領域の形状及び面積と同程度となっている。図示された例では、保持部材は、第1領域R1から第15領域R15の15の領域を有している。 The holding member 30 has a plurality of regions arranged in the first direction d1 and the second direction d2. The shape and area of each region are similar to the shape and area of the region in which the micro light emitting diode chips 50 are arranged in the chip substrate 40. In the illustrated example, the holding member has 15 regions from the first region R1 to the fifteenth region R15.

保持部材30にマイクロ発光ダイオードチップ50を保持させる工程は、マイクロ発光ダイオードチップ50を有するチップ基板40を保持部材30の第1領域R1に接触させる工程と、当該チップ基板40を保持部材30から離間させて、マイクロ発光ダイオードチップ50を突出保持部32に保持させる工程と、当該チップ基板40に対して保持部材30を相対移動させ、当該チップ基板40を保持部材30の第2領域R2に接触させる工程と、それに続く、第1領域R1における工程と同様の工程を繰り返す工程と、を有する。 The step of causing the holding member 30 to hold the micro light emitting diode chip 50 is a step of bringing the chip substrate 40 having the micro light emitting diode chip 50 into contact with the first region R1 of the holding member 30 and separating the chip substrate 40 from the holding member 30. The step of holding the micro light emitting diode chip 50 in the protruding holding portion 32 and the holding member 30 being relatively moved with respect to the chip substrate 40 to bring the chip substrate 40 into contact with the second region R2 of the holding member 30. It has a step and a subsequent step of repeating a step similar to the step in the first region R1.

次に、保持部材30にマイクロ発光ダイオードチップ50を保持させる工程についてより詳細に説明する。 Next, the step of causing the holding member 30 to hold the micro light emitting diode chip 50 will be described in more detail.

図15Aから図15Dは、保持部材30にマイクロ発光ダイオードチップ50を保持させる工程を説明するための縦断面図である。 15A to 15D are vertical cross-sectional views for explaining a step of causing the holding member 30 to hold the micro light emitting diode chip 50.

まず、チップ基板40の粘着層42が、紫外線照射、加熱又は冷却により、保持部材30の粘着層35よりも低い粘着性を有するものとなるものである場合には、紫外線照射、加熱又は冷却により、チップ基板40の粘着層42の粘着力を保持部材の粘着層35よりも低くする。なお、この紫外線照射、加熱又は冷却は、後述のチップ基板40と保持部材30とが接触したとき、つまり、図15Bに示す状態のときに行ってもよい。 First, when the adhesive layer 42 of the chip substrate 40 has a lower adhesiveness than the adhesive layer 35 of the holding member 30 by ultraviolet irradiation, heating or cooling, it is subjected to ultraviolet irradiation, heating or cooling. The adhesive strength of the adhesive layer 42 of the chip substrate 40 is made lower than that of the adhesive layer 35 of the holding member. The ultraviolet irradiation, heating, or cooling may be performed when the chip substrate 40 and the holding member 30, which will be described later, come into contact with each other, that is, in the state shown in FIG. 15B.

次に、図15Aに示すように、チップ基板40のマイクロ発光ダイオードチップ50が配置された側の面と、保持部材30の突出保持部32が配列された側の面の第1領域R1と、を対面させる。その後、チップ基板40と保持部材30との位置決めを行う。位置決めは、保持部材30の基材31が有する位置決め手段と、チップ基板40が有する位置決め手段と、に基づいて行われる。具体的な例として、図14に示すように、保持部材30の第1領域R1において基材31が有する位置決めマークM2と、チップ基板40が有する位置決めマークM3とを一致させることで、位置決めが行われる。位置決めマークM2とM3とが一致していることは、例えば、保持部材30の突出保持部32が配列された面とは逆側に配置されたカメラ80によって、確認することができる。基材31が透明であるため、保持部材30の突出保持部32が配列された面とは逆側から、基材31を介して、位置決めマークM2及びM3を確認することが可能である。 Next, as shown in FIG. 15A, the first region R1 of the surface of the chip substrate 40 on the side where the micro light emitting diode chip 50 is arranged and the surface of the holding member 30 on the side where the protruding holding portions 32 are arranged. To face each other. After that, the chip substrate 40 and the holding member 30 are positioned. Positioning is performed based on the positioning means included in the base material 31 of the holding member 30 and the positioning means included in the chip substrate 40. As a specific example, as shown in FIG. 14, positioning is performed by matching the positioning mark M2 of the base material 31 with the positioning mark M3 of the chip substrate 40 in the first region R1 of the holding member 30. Will be. The coincidence of the positioning marks M2 and M3 can be confirmed, for example, by the camera 80 arranged on the side opposite to the surface on which the protruding holding portions 32 of the holding member 30 are arranged. Since the base material 31 is transparent, the positioning marks M2 and M3 can be confirmed via the base material 31 from the side opposite to the surface on which the protruding holding portions 32 of the holding member 30 are arranged.

なお、チップ基板40と保持部材30との位置決めは、保持部材30の基材31が有する位置決め手段及びチップ基板40が有する位置決め手段のいずれか一方のみによって行われてもよい。また、チップ基板40と保持部材30との位置決めは、位置決めマークM2、M3を用いずに、カメラ80によるチップ基板40及び保持部材30の観察のみによって行われてもよい。 The positioning of the chip substrate 40 and the holding member 30 may be performed by only one of the positioning means included in the base material 31 of the holding member 30 and the positioning means included in the chip substrate 40. Further, the positioning of the chip substrate 40 and the holding member 30 may be performed only by observing the chip substrate 40 and the holding member 30 with the camera 80 without using the positioning marks M2 and M3.

次に、図15Bに示すように、チップ基板40と保持部材30とを接近させて、チップ基板40を保持部材30に所定の接触圧力で接触させる。チップ基板40が保持部材30に接触すると、チップ基板40の第1発光ダイオードチップ50Rが、保持部材30の第1領域R1内の複数の突出保持部32先端の粘着層35に接触する。 Next, as shown in FIG. 15B, the chip substrate 40 and the holding member 30 are brought close to each other, and the chip substrate 40 is brought into contact with the holding member 30 at a predetermined contact pressure. When the chip substrate 40 comes into contact with the holding member 30, the first light emitting diode chip 50R of the chip substrate 40 comes into contact with the adhesive layers 35 at the tips of the plurality of protruding holding portions 32 in the first region R1 of the holding member 30.

ここで、突出保持部32の本体である突出構造体33がある程度の柔軟性を有しているため、チップ基板40が保持部材30に接触すると、保持部材30の突出保持部32がチップ基板40と突出保持部32との接触面に垂直な方向に変形し得る。このため、チップ基板40を突出保持部32に接触させる接触圧力は、チップ基板40と接触している各突出保持部32に均一にかかる。言い換えると、突出保持部32の一部が高い接触圧力でチップ基板40のマイクロ発光ダイオードチップ50と接触することを回避することができる。突出保持部32の一部が高い接触圧力でマイクロ発光ダイオードチップ50と接触すると、当該突出保持部32とマイクロ発光ダイオードチップ50との粘着性が、他の突出保持部32と他のマイクロ発光ダイオードチップ50との粘着性と異なるようになり、製造される転写部材20の取り扱いに不具合が生じたり、高い接触圧力によってマイクロ発光ダイオードチップ50が破壊されたりし得る。このため、突出保持部32の一部が高い接触圧力でマイクロ発光ダイオードチップ50と接触することは、回避されていることが好ましい。 Here, since the protruding structure 33, which is the main body of the protruding holding portion 32, has a certain degree of flexibility, when the chip substrate 40 comes into contact with the holding member 30, the protruding holding portion 32 of the holding member 30 changes to the chip substrate 40. Can be deformed in a direction perpendicular to the contact surface between the and the protrusion holding portion 32. Therefore, the contact pressure for bringing the chip substrate 40 into contact with the protrusion holding portion 32 is uniformly applied to each protrusion holding portion 32 in contact with the chip substrate 40. In other words, it is possible to prevent a part of the protrusion holding portion 32 from coming into contact with the micro light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40 at a high contact pressure. When a part of the protruding holding portion 32 comes into contact with the micro light emitting diode chip 50 at a high contact pressure, the adhesiveness between the protruding holding portion 32 and the micro light emitting diode chip 50 becomes increased between the other protruding holding portion 32 and the other micro light emitting diode. The adhesiveness to the chip 50 will be different, and the handling of the manufactured transfer member 20 may be defective, or the micro light emitting diode chip 50 may be destroyed by the high contact pressure. Therefore, it is preferable that a part of the protruding holding portion 32 does not come into contact with the micro light emitting diode chip 50 at a high contact pressure.

次に、図15Cに示すように、チップ基板40と保持部材30とを離間させる。このとき、チップ基板40の粘着層42が、保持部材30の粘着層35よりも低い粘着性を有するものとなっていることから、突出保持部32の粘着層35に、マイクロ発光ダイオードチップ50が、貼着されたまま残ることとなる。 Next, as shown in FIG. 15C, the chip substrate 40 and the holding member 30 are separated from each other. At this time, since the adhesive layer 42 of the chip substrate 40 has lower adhesiveness than the adhesive layer 35 of the holding member 30, the micro light emitting diode chip 50 is attached to the adhesive layer 35 of the protruding holding portion 32. , Will remain stuck.

このように、突出保持部32の粘着層35にマイクロ発光ダイオードチップ50が粘着されることで、複数の突出保持部32がマイクロ発光ダイオードチップ50を保持する。すなわち、マイクロ発光ダイオードチップ50が、チップ基板40から、保持部材30の第1領域R1内の複数の突出保持部32上に保持される。 In this way, the micro light emitting diode chips 50 are adhered to the adhesive layer 35 of the protruding holding portions 32, so that the plurality of protruding holding portions 32 hold the micro light emitting diode chips 50. That is, the micro light emitting diode chip 50 is held from the chip substrate 40 on a plurality of protruding holding portions 32 in the first region R1 of the holding member 30.

次に、図15D及び図14に示すように、チップ基板40に対して保持部材30を相対移動させて、チップ基板40のチップ基材41のマイクロ発光ダイオードチップ50が配置された側の面と、保持部材30の基材31の突出保持部32が配列された面の第2領域R2と、を対面させる。以後は、第1領域R1における工程と同様の工程を繰り返すことで、第2領域R2内の複数の突出保持部32上にマイクロ発光ダイオードチップ50を保持する。さらにその後に、保持部材30の全ての領域(第3領域R3から第15領域R15)について、第1領域R1における工程と同様の工程を繰り返し、複数の突出保持部32上にマイクロ発光ダイオードチップ50を保持していく。 Next, as shown in FIGS. 15D and 14, the holding member 30 is relatively moved with respect to the chip substrate 40, and the surface of the chip substrate 40 on the side where the micro light emitting diode chip 50 is arranged is arranged. , The second region R2 of the surface on which the protruding holding portion 32 of the base material 31 of the holding member 30 is arranged faces. After that, the micro light emitting diode chip 50 is held on the plurality of projecting holding portions 32 in the second region R2 by repeating the same process as the step in the first region R1. After that, the same steps as those in the first region R1 are repeated for all the regions (third region R3 to 15th region R15) of the holding member 30, and the micro light emitting diode chips 50 are placed on the plurality of protruding holding portions 32. Keep going.

保持部材30の第1領域R1に第1発光ダイオードチップ50Rを保持させる工程を経た後の保持部材30の第1領域R1内においては、図9に示すように、すべての突出保持部32がマイクロ発光ダイオードチップ50を保持した状態となっている。 As shown in FIG. 9, in the first region R1 of the holding member 30 after the step of holding the first light emitting diode chip 50R in the first region R1 of the holding member 30, all the protruding holding portions 32 are microscopic. It is in a state of holding the light emitting diode chip 50.

チップ基板40と保持部材30とが位置決めされていること、及び、突出保持部32の平面視における寸法がマイクロ発光ダイオードチップ50の寸法に等しくなっていることで、第1領域R1内においてマイクロ発光ダイオードチップ50を保持するための突出保持部32の1つに対して1つのマイクロ発光ダイオードチップ50を保持させることができる。 Since the chip substrate 40 and the holding member 30 are positioned and the dimensions of the protruding holding portion 32 in the plan view are equal to the dimensions of the micro light emitting diode chip 50, micro light emission is performed in the first region R1. One micro light emitting diode chip 50 can be held by one of the protruding holding portions 32 for holding the diode chip 50.

さらに、前述のとおり、保持部材30の突出保持部32の第1方向d1における配列のピッチpa1がチップ基板40のマイクロ発光ダイオードチップ50Rの第1方向d1における配列のピッチpb1の整数倍(図示された例では9倍)であることから、第1方向d1において、第1領域R1内における第1突出保持部32Rの全てに対してそれぞれ1つの第1発光ダイオードチップ50Rを保持させることができる。 Further, as described above, the pitch pa1 of the arrangement in the first direction d1 of the protruding holding portion 32 of the holding member 30 is an integral multiple of the pitch pb1 of the arrangement in the first direction d1 of the micro light emitting diode chip 50R of the chip substrate 40 (not shown). In the example, it is 9 times), so that one first light emitting diode chip 50R can be held for all of the first protruding holding portions 32R in the first region R1 in the first direction d1.

同様に、保持部材30の複数の突出保持部32の第2方向d2における配列のピッチpa2がチップ基板40のマイクロ発光ダイオードチップ50の第2方向d2における配列のピッチpb2の整数倍(図示された例では9倍)であることから、第2方向d2において、第1領域R1内における第1突出保持部32Rの全てに対してそれぞれ1つのマイクロ発光ダイオードチップ50を保持させることができる。 Similarly, the pitch pa2 of the arrangement in the second direction d2 of the plurality of protruding holding portions 32 of the holding member 30 is an integral multiple of the pitch pb2 of the arrangement in the second direction d2 of the micro light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40 (illustrated). Since it is 9 times in the example), one micro light emitting diode chip 50 can be held for all of the first protruding holding portions 32R in the first region R1 in the second direction d2.

図16Aは、保持部材30の第1領域R1に第1発光ダイオードチップ50Rを保持させる工程を経た後のチップ基板40を示す平面図である。図16Bは、保持部材30の第2領域R2に第1発光ダイオードチップ50Rを保持させる工程を経た後のチップ基板40を示す平面図である。 FIG. 16A is a plan view showing a chip substrate 40 after undergoing a step of holding the first light emitting diode chip 50R in the first region R1 of the holding member 30. FIG. 16B is a plan view showing a chip substrate 40 after undergoing a step of holding the first light emitting diode chip 50R in the second region R2 of the holding member 30.

図16Aに示すように、保持部材30の第1領域R1に第1発光ダイオードチップ50Rを保持させる工程を経た後のチップ基板40は、当該工程を経て保持部材30に保持されることになった第1発光ダイオードチップ50Rが抜けた領域である空き領域45を有する状態となる。このチップ基板40の空き領域45の配置パターンは、保持部材30の突出保持部32の配置パターンに対応している。 As shown in FIG. 16A, the chip substrate 40 after undergoing the step of holding the first light emitting diode chip 50R in the first region R1 of the holding member 30 is held by the holding member 30 through the step. It is in a state of having an empty area 45 which is an area where the first light emitting diode chip 50R is removed. The arrangement pattern of the empty area 45 of the chip substrate 40 corresponds to the arrangement pattern of the protruding holding portion 32 of the holding member 30.

保持部材30の第1領域R1に続く第2領域R2内において突出保持部32の粘着層35に接触するマイクロ発光ダイオードチップ50は、第1領域R1内において突出保持部32の粘着層35に保持されたマイクロ発光ダイオードチップ50とは異なる。 The micro light emitting diode chip 50 that contacts the adhesive layer 35 of the protruding holding portion 32 in the second region R2 following the first region R1 of the holding member 30 is held by the adhesive layer 35 of the protruding holding portion 32 in the first region R1. It is different from the micro light emitting diode chip 50.

チップ基板40と保持部材30とが位置決めされていること、突出保持部32の平面視における寸法がマイクロ発光ダイオードチップ50の寸法に等しくなっていること、及び、保持部材30の突出保持部32の配列のピッチpa1、pa2がチップ基板40のマイクロ発光ダイオードチップ50Rの配列のピッチpb1、pb2の整数倍であることから、第2領域R2内の第1発光ダイオードチップ50Rを保持するため突出保持部32の全てに対してそれぞれ1つの第1発光ダイオードチップ50Rを保持させることができる。 The chip substrate 40 and the holding member 30 are positioned, the dimensions of the protruding holding portion 32 in a plan view are equal to the dimensions of the micro light emitting diode chip 50, and the protruding holding portion 32 of the holding member 30. Since the pitches pa1 and pa2 of the arrangement are integral multiples of the pitches pb1 and pb2 of the arrangement of the micro light emitting diode chips 50R of the chip substrate 40, the protruding holding portion for holding the first light emitting diode chips 50R in the second region R2. One first light emitting diode chip 50R can be held for each of the 32.

そのため、保持部材30の第2領域R2に第1発光ダイオードチップ50Rを保持させる工程を経た後のチップ基板40は、図16Bに示すように、第1領域R1にマイクロ発光ダイオードチップ50を保持させる工程により生じた空き領域45とは異なる領域に、新たに空き領域45を有することになる。 Therefore, as shown in FIG. 16B, the chip substrate 40 after the step of holding the first light emitting diode chip 50R in the second region R2 of the holding member 30 holds the micro light emitting diode chip 50 in the first region R1. A new free area 45 will be provided in a region different from the free area 45 generated by the process.

以上のように、チップ基板40に対して保持部材30を相対移動させる工程と、ある領域の突出保持部32にマイクロ発光ダイオードチップ50を保持させる工程と、を繰り返すことで、保持部材30の複数の領域のそれぞれの突出保持部32にマイクロ発光ダイオードチップ50を保持させることができる。図14に示すように、チップ基板40に対して保持部材30を、第1方向d1及び第2方向d2に相対移動させることで、保持部材30の全領域に亘って突出保持部32にマイクロ発光ダイオードチップ50を保持させることができる。 As described above, by repeating the step of moving the holding member 30 relative to the chip substrate 40 and the step of holding the micro light emitting diode chip 50 in the protruding holding portion 32 in a certain region, a plurality of holding members 30 are formed. The micro light emitting diode chip 50 can be held in each of the projecting holding portions 32 in the region. As shown in FIG. 14, by moving the holding member 30 relative to the chip substrate 40 in the first direction d1 and the second direction d2, the protruding holding portion 32 emits micro light emission over the entire region of the holding member 30. The diode chip 50 can be held.

以上の工程により、図9及び図10に示すような、保持部材30と、複数のマイクロ発光ダイオードチップ50と、を有する転写部材20が製造される。 Through the above steps, a transfer member 20 having a holding member 30 and a plurality of micro light emitting diode chips 50 as shown in FIGS. 9 and 10 is manufactured.

上述した例では、マイクロ発光ダイオードチップ50として、第1発光ダイオードチップ50Rを保持部材30に保持させる方法について説明したが、第2発光ダイオードチップ50G及び第3発光ダイオードチップ50Bも、同様の工程によってそれぞれ別の保持部材30に保持させることができる。 In the above example, a method of holding the first light emitting diode chip 50R on the holding member 30 as the micro light emitting diode chip 50 has been described, but the second light emitting diode chip 50G and the third light emitting diode chip 50B are also subjected to the same step. Each can be held by different holding members 30.

図17は、本実施形態の転写部材20の製造装置90の一例を概略に示す模式図である。 FIG. 17 is a schematic view schematically showing an example of the manufacturing apparatus 90 of the transfer member 20 of the present embodiment.

本実施形態の転写部材20の製造装置90は、例えば、制御部91と、保持部材30を保持する保持部材保持部92と、チップ基板40を保持するチップ基板保持部93と、カメラ80と、を有する。 The manufacturing apparatus 90 of the transfer member 20 of the present embodiment includes, for example, a control unit 91, a holding member holding unit 92 for holding the holding member 30, a chip substrate holding unit 93 for holding the chip substrate 40, a camera 80, and the like. Has.

保持部材保持部92及びチップ基板保持部93は、保持部材30又はチップ基板40を、その板面が第1方向d1及び第2方向d2に平行となるように、保持するとともに、それぞれが独立して、第1方向d1、第2方向d2及び第3方向d3に移動できるように構成されている。カメラ80は、保持部材30及びチップ基板40の位置決めのために、保持部材保持部92及びチップ基板保持部93に保持された保持部材30及びチップ基板40、または、それらの位置決めマークM2〜M3を観察するカメラであり、第1方向d1及び第2方向d2に移動可能に構成されている。 The holding member holding portion 92 and the chip substrate holding portion 93 hold the holding member 30 or the chip substrate 40 so that their plate surfaces are parallel to the first direction d1 and the second direction d2, and are independent of each other. Therefore, it is configured to be able to move in the first direction d1, the second direction d2, and the third direction d3. The camera 80 uses the holding member 30 and the chip substrate 40 held by the holding member holding portion 92 and the chip substrate holding portion 93, or their positioning marks M2 to M3 for positioning the holding member 30 and the chip substrate 40. It is a camera for observing, and is configured to be movable in the first direction d1 and the second direction d2.

制御部91は、前述の本実施形態の転写部材20の製造方法におけるそれぞれの工程を行うように、保持部材保持部92、チップ基板保持部93及びカメラ80を制御する。また、制御部91は、カメラ80による保持部材30及びチップ基板40の観察結果を用いて、保持部材30とチップ基板40との位置決めを行う。 The control unit 91 controls the holding member holding unit 92, the chip substrate holding unit 93, and the camera 80 so as to perform each step in the manufacturing method of the transfer member 20 of the present embodiment described above. Further, the control unit 91 positions the holding member 30 and the chip substrate 40 by using the observation results of the holding member 30 and the chip substrate 40 by the camera 80.

以上の転写部材20の製造装置90により、転写部材20の生産性を高めることができる。 With the above-mentioned manufacturing apparatus 90 of the transfer member 20, the productivity of the transfer member 20 can be increased.

次に、転写部材20を用いて回路基板11にマイクロ発光ダイオードチップ50を配置する方法、すなわち発光基板10の製造方法について、図18A、図18B及び図18Cを参照しつつ説明する。 Next, a method of arranging the micro light emitting diode chip 50 on the circuit board 11 using the transfer member 20, that is, a method of manufacturing the light emitting board 10 will be described with reference to FIGS. 18A, 18B, and 18C.

図18A、図18B及び図18Cは、転写部材20から回路基板11にマイクロ発光ダイオードチップ50を転写する工程を説明するための縦断面図である。 18A, 18B, and 18C are vertical cross-sectional views for explaining a process of transferring the micro light emitting diode chip 50 from the transfer member 20 to the circuit board 11.

まず、図18Aに示すように、回路基板11の回路13が形成された側の面と、転写部材20のマイクロ発光ダイオードチップ50が保持された側の面と、を対面させる。その後、回路基板11と転写部材20との位置決めを行う。位置決めは、例えば回路基板11が有する位置決め手段と、転写部材20が有する位置決め手段と、に基づいて行われる。具体的な一例として、位置決めは、回路基板11が有する位置決めマークM1と、転写部材20の基材31が有する位置決めマークM2とを一致させることで、行われる。位置決めマークM1,M2が一致していることは、転写部材20のマイクロ発光ダイオードチップ50が保持された面とは逆側に配置されたカメラ80によって、確認することができる。基材31が透明であるため、転写部材20のマイクロ発光ダイオードチップ50が保持された面とは逆側から、基材31を介して、位置決めマークM1,M2を確認することができる。 First, as shown in FIG. 18A, the surface of the circuit board 11 on which the circuit 13 is formed and the surface of the transfer member 20 on which the micro light emitting diode chip 50 is held are made to face each other. After that, the circuit board 11 and the transfer member 20 are positioned. Positioning is performed based on, for example, a positioning means included in the circuit board 11 and a positioning means included in the transfer member 20. As a specific example, positioning is performed by matching the positioning mark M1 of the circuit board 11 with the positioning mark M2 of the base material 31 of the transfer member 20. The coincidence of the positioning marks M1 and M2 can be confirmed by the camera 80 arranged on the side opposite to the surface on which the micro light emitting diode chip 50 of the transfer member 20 is held. Since the base material 31 is transparent, the positioning marks M1 and M2 can be confirmed via the base material 31 from the side opposite to the surface of the transfer member 20 where the micro light emitting diode chip 50 is held.

なお、回路基板11と転写部材20との位置決めに用いられる基材31が有する位置決めマークM2は、チップ基板40と保持部材30との位置決めに用いられた位置決めマークと同一であってもよいし、チップ基板40と保持部材30との位置決めに用いられた位置決めマークとは異なる位置決めマークであってもよい。 The positioning mark M2 included in the base material 31 used for positioning the circuit board 11 and the transfer member 20 may be the same as the positioning mark used for positioning the chip substrate 40 and the holding member 30. The positioning mark may be different from the positioning mark used for positioning the chip substrate 40 and the holding member 30.

次に、図18Bに示すように、転写部材20を回路基板11に押圧する。回路基板11と転写部材20とが位置決めされているため、回路基板11の回路13が設けられた位置にマイクロ発光ダイオードチップ50を押圧して、回路基板11の回路13にマイクロ発光ダイオードチップ50を電気的に接続させることができる。回路基板11のマイクロ発光ダイオードチップ50が配置される位置には、マイクロ発光ダイオードチップ50を回路基板11に接着するための異方性導電性接着層(図示せず)が形成されている。 Next, as shown in FIG. 18B, the transfer member 20 is pressed against the circuit board 11. Since the circuit board 11 and the transfer member 20 are positioned, the micro light emitting diode chip 50 is pressed at the position where the circuit 13 of the circuit board 11 is provided, and the micro light emitting diode chip 50 is inserted into the circuit 13 of the circuit board 11. Can be electrically connected. An anisotropic conductive adhesive layer (not shown) for adhering the micro light emitting diode chip 50 to the circuit board 11 is formed at a position on the circuit board 11 where the micro light emitting diode chip 50 is arranged.

ここで、突出保持部32の本体である突出構造体33がある程度の柔軟性を有しているため、転写部材20を回路基板11に押圧すると、保持部材30の突出保持部32が回路基板11と突出保持部32との押圧面に垂直な方向に変形し得る。このため、転写部材20を回路基板11に押圧する圧力は、回路基板11に押圧されている各突出保持部32に均一にかかる。言い換えると、突出保持部32の一部に保持されたマイクロ発光ダイオードチップ50が高い圧力で回路基板11に押圧されることを回避することができる。突出保持部32の一部に保持されたマイクロ発光ダイオードチップ50が高い圧力で回路基板11に押圧されると、高い圧力によってマイクロ発光ダイオードチップ50が破壊されたりし得る。このため、突出保持部32の一部に保持されたマイクロ発光ダイオードチップ50が高い圧力で回路基板11に押圧されることは、回避されていることが好ましい。 Here, since the protruding structure 33, which is the main body of the protruding holding portion 32, has a certain degree of flexibility, when the transfer member 20 is pressed against the circuit board 11, the protruding holding portion 32 of the holding member 30 becomes the circuit board 11. And the protrusion holding portion 32 can be deformed in a direction perpendicular to the pressing surface. Therefore, the pressure for pressing the transfer member 20 against the circuit board 11 is uniformly applied to the protruding holding portions 32 pressed against the circuit board 11. In other words, it is possible to prevent the micro light emitting diode chip 50 held by a part of the protrusion holding portion 32 from being pressed against the circuit board 11 with a high pressure. When the micro light emitting diode chip 50 held by a part of the protrusion holding portion 32 is pressed against the circuit board 11 with a high pressure, the micro light emitting diode chip 50 may be destroyed by the high pressure. Therefore, it is preferable that the micro light emitting diode chip 50 held by a part of the protruding holding portion 32 is not pressed against the circuit board 11 with a high pressure.

転写部材20を回路基板11に押圧している状態で、異方性導電性接着層を加熱する。異方性導電性接着層が加熱されることで、回路基板11とマイクロ発光ダイオードチップ50とが接着される。また、異方性導電性接着層によれば、押圧方向に導電性を発現することができる。したがって、マイクロ発光ダイオードチップ50の各電極51を、押圧方向に対向する回路13と電気的に接続することができる。 The anisotropic conductive adhesive layer is heated while the transfer member 20 is pressed against the circuit board 11. By heating the anisotropic conductive adhesive layer, the circuit board 11 and the micro light emitting diode chip 50 are adhered to each other. Further, according to the anisotropic conductive adhesive layer, conductivity can be exhibited in the pressing direction. Therefore, each electrode 51 of the micro light emitting diode chip 50 can be electrically connected to the circuit 13 facing the pressing direction.

ここで、転写部材20の基材31が熱によって変形しにくいため、具体的には基材31の線膨張率が10×10−5/K以下、より好ましくは5×10−5/K以下であるため、異方性導電性接着層が加熱される際に転写部材20が加熱されたとしても、回路基板11と転写部材20との位置決めがずれにくい。すなわち、転写部材20から回路基板11へマイクロ発光ダイオードチップ50を精度よく転写することができる。 Here, since the base material 31 of the transfer member 20 is not easily deformed by heat, specifically, the linear expansion coefficient of the base material 31 is 10 × 10-5 / K or less, more preferably 5 × 10-5 / K or less. Therefore, even if the transfer member 20 is heated when the anisotropic conductive adhesive layer is heated, the positioning of the circuit board 11 and the transfer member 20 is unlikely to shift. That is, the micro light emitting diode chip 50 can be accurately transferred from the transfer member 20 to the circuit board 11.

また、転写部材20を回路基板11に押圧している状態で、粘着層35の粘着性を低下させる。すなわち、粘着層35に加熱する、冷却する又は紫外線を照射する。なお、加熱により粘着層35の粘着性を低下させる場合、上述した異方性導電性接着層を加熱する際の熱を利用してもよい。粘着層35の粘着性を低下させることで、マイクロ発光ダイオードチップ50を粘着層35から容易に剥離させることができる。 Further, the adhesiveness of the adhesive layer 35 is reduced while the transfer member 20 is pressed against the circuit board 11. That is, the adhesive layer 35 is heated, cooled, or irradiated with ultraviolet rays. When the adhesiveness of the adhesive layer 35 is lowered by heating, the heat generated when the above-mentioned anisotropic conductive adhesive layer is heated may be used. By reducing the adhesiveness of the adhesive layer 35, the micro light emitting diode chip 50 can be easily peeled off from the adhesive layer 35.

その後、図18Cに示すように、保持部材30を回路基板11から離間させて、保持部材30を除去する。以上の工程によって、転写部材20の保持部材30が保持する複数のマイクロ発光ダイオードチップ50が、回路基板11の回路13に電気的に接続するようにして、転写部材20の保持部材30から回路基板11に一括で転写、すなわちまとめて転写される。 After that, as shown in FIG. 18C, the holding member 30 is separated from the circuit board 11 to remove the holding member 30. Through the above steps, the plurality of micro light emitting diode chips 50 held by the holding member 30 of the transfer member 20 are electrically connected to the circuit 13 of the circuit board 11, and the holding member 30 of the transfer member 20 is connected to the circuit board. Transferred to 11 at once, that is, transferred collectively.

なお、本実施形態の発光基板10の製造方法では、マイクロ発光ダイオードチップ50を回路基板10に接着するために、異方性導電性接着層が用いられている。しかし、本発明の発光基板10の製造方法は、これに限定されず、はんだ又は導電性接着剤などの導電性接着層が用いられてもよい。接着の方法も、押圧及び加熱によるものに限定されず、導電性接着層の種類に応じて、加熱のみによるものであってもよい。また、この押圧又は加熱のタイミングについても、導電性接着層の種類に応じて、例えば、導電性接着層がマイクロ発光ダイオードチップ50を保持できる程度の粘着性を有している場合には、保持部材30を回路基板10から離間させた後に、導電性接着層の押圧又は加熱がなされるものであってもよい。 In the method for manufacturing the light emitting substrate 10 of the present embodiment, an anisotropic conductive adhesive layer is used to bond the micro light emitting diode chip 50 to the circuit board 10. However, the method for manufacturing the light emitting substrate 10 of the present invention is not limited to this, and a conductive adhesive layer such as solder or a conductive adhesive may be used. The bonding method is not limited to pressing and heating, and may be bonding only, depending on the type of the conductive adhesive layer. Further, the timing of pressing or heating is also held depending on the type of the conductive adhesive layer, for example, when the conductive adhesive layer has sufficient adhesiveness to hold the micro light emitting diode chip 50. The conductive adhesive layer may be pressed or heated after the member 30 is separated from the circuit board 10.

上述した例では、マイクロ発光ダイオードチップ50として、第1発光ダイオードチップ50Rを回路基板11に一括で転写する方法について説明した。この工程と同様の工程を、第2発光ダイオードチップ50Gを保持する別の保持部材30及び第3発光ダイオードチップ50Bを保持するさらに別の保持部材30についても行うことで、回路基板11に3種のマイクロ発光ダイオードチップ50を配置された発光基板10が製造される。すなわち、フルカラーで発光することができる発光基板10を得ることができる。 In the above-mentioned example, a method of collectively transferring the first light emitting diode chip 50R to the circuit board 11 as the micro light emitting diode chip 50 has been described. By performing the same step as this step for another holding member 30 for holding the second light emitting diode chip 50G and another holding member 30 for holding the third light emitting diode chip 50B, three types are applied to the circuit board 11. A light emitting substrate 10 on which the micro light emitting diode chip 50 of the above is arranged is manufactured. That is, it is possible to obtain a light emitting substrate 10 capable of emitting light in full color.

ところで、上述したように、特許文献1の粘着スタンプは、発光基板の製造工程において、ウエハから回路基板へのピックアンドプレイス工程に繰り返し使用されることで、粘着性が低下してしまうため、マイクロ発光ダイオードチップを回路基板に配置して発光基板を製造する生産性を高めにくい。一方、本実施の形態の保持部材30によれば、ウエハからマイクロ発光ダイオードチップを仮転写した基板であるチップ基板40から、保持部材30の複数の領域に、マイクロ発光ダイオードチップ50を保持させることができる。そして、保持部材30にマイクロ発光ダイオードチップ50を保持させた転写部材20を回路基板11に押圧することで、回路基板11にマイクロ発光ダイオードチップ50を転写することができる。このように、発光基板10の製造工程において、保持部材の粘着層35を介したマイクロ発光ダイオードチップ50の保持及び剥離は、1回のみ行われる。このため、粘着層35の粘着性が発光基板の製造中に低下することにはならないため、高い生産性で発光基板10を製造することができる。さらには、回路基板11にマイクロ発光ダイオードチップ50を一括で転写することができるため、発光基板10を簡易に製造することができ、発光基板10の生産性を高めることができる。 By the way, as described above, the adhesive stamp of Patent Document 1 is repeatedly used in the pick-and-place process from the wafer to the circuit board in the manufacturing process of the light emitting substrate, so that the adhesiveness is lowered. It is difficult to increase the productivity of manufacturing a light emitting board by arranging the light emitting diode chip on the circuit board. On the other hand, according to the holding member 30 of the present embodiment, the micro light emitting diode chip 50 is held in a plurality of regions of the holding member 30 from the chip substrate 40 which is a substrate obtained by temporarily transferring the micro light emitting diode chip from the wafer. Can be done. Then, by pressing the transfer member 20 having the micro light emitting diode chip 50 held by the holding member 30 against the circuit board 11, the micro light emitting diode chip 50 can be transferred to the circuit board 11. As described above, in the manufacturing process of the light emitting substrate 10, the holding and peeling of the micro light emitting diode chip 50 via the adhesive layer 35 of the holding member is performed only once. Therefore, since the adhesiveness of the adhesive layer 35 does not decrease during the production of the light emitting substrate, the light emitting substrate 10 can be manufactured with high productivity. Furthermore, since the micro light emitting diode chips 50 can be collectively transferred to the circuit board 11, the light emitting board 10 can be easily manufactured, and the productivity of the light emitting board 10 can be increased.

また、特許文献1の粘着スタンプを用いてピックアンドプレイス工程を繰り返すことは、粘着スタンプをウエハと回路基板との間で往復させることになるため、発光基板の生産に時間がかかり、生産性が低くなってしまう。一方、本実施形態の転写部材20の製造方法及び発光基板10の製造方法によれば、チップ基板40に対して保持部材30を相対移動させることによって保持部材30にマイクロ発光ダイオードチップ50を保持させ、マイクロ発光ダイオードチップ50を保持した転写部材20を回路基板11に押圧することで、発光基板10を製造することができる。チップ基板40に対する保持部材30の相対移動は、粘着スタンプのウエハと回路基板との間の往復に比べて微小である。したがって、本実施の形態の転写部材20の製造方法及び発光基板10の製造方法によれば、発光基板10を製造する時間を短くすることができる。すなわち、高い生産性で発光基板10を製造することができる。 Further, repeating the pick-and-place process using the adhesive stamp of Patent Document 1 causes the adhesive stamp to reciprocate between the wafer and the circuit board, so that it takes time to produce the light emitting substrate and the productivity is improved. It will be low. On the other hand, according to the method for manufacturing the transfer member 20 and the method for manufacturing the light emitting substrate 10 of the present embodiment, the holding member 30 is made to hold the micro light emitting diode chip 50 by moving the holding member 30 relative to the chip substrate 40. The light emitting board 10 can be manufactured by pressing the transfer member 20 holding the micro light emitting diode chip 50 against the circuit board 11. The relative movement of the holding member 30 with respect to the chip substrate 40 is smaller than the reciprocation between the wafer of the adhesive stamp and the circuit board. Therefore, according to the method for manufacturing the transfer member 20 and the method for manufacturing the light emitting substrate 10 of the present embodiment, the time for manufacturing the light emitting substrate 10 can be shortened. That is, the light emitting substrate 10 can be manufactured with high productivity.

さらに、本実施の形態の保持部材30において、基材31は、位置決めマークM2を有している。この位置決めマークM2とチップ基板40が有する位置決めマークM3とによって、保持部材30へマイクロ発光ダイオードチップ50を高精度で保持させることができる。また、位置決めマークM2と回路基板11が有する位置決めマークM1とによって、転写部材20から回路基板11へマイクロ発光ダイオードチップ50を高精度で転写することができる。すなわち、高い生産性で発光基板10を製造することができる。 Further, in the holding member 30 of the present embodiment, the base material 31 has a positioning mark M2. The positioning mark M2 and the positioning mark M3 included in the chip substrate 40 allow the holding member 30 to hold the micro light emitting diode chip 50 with high accuracy. Further, the positioning mark M2 and the positioning mark M1 included in the circuit board 11 can transfer the micro light emitting diode chip 50 from the transfer member 20 to the circuit board 11 with high accuracy. That is, the light emitting substrate 10 can be manufactured with high productivity.

また、本実施の形態では、保持部材30の突出保持部32の配列のピッチpa1、pa2がチップ基板40のマイクロ発光ダイオードチップ50の配列のピッチpb1、pb2の整数倍となっている。このため、チップ基板40と保持部材30とが位置決めされることで、保持部材30の各突出保持部32に1つのマイクロ発光ダイオードチップ50を高精度で配置した転写部材20を製造することができる。この転写部材20を用いることで、高い生産性で発光基板10を製造することができる。 Further, in the present embodiment, the pitches pa1 and pa2 of the arrangement of the protruding holding portions 32 of the holding member 30 are integral multiples of the pitches pb1 and pb2 of the arrangement of the micro light emitting diode chips 50 of the chip substrate 40. Therefore, by positioning the chip substrate 40 and the holding member 30, it is possible to manufacture the transfer member 20 in which one micro light emitting diode chip 50 is arranged with high accuracy on each protruding holding portion 32 of the holding member 30. .. By using the transfer member 20, the light emitting substrate 10 can be manufactured with high productivity.

さらに、本実施の形態の保持部材30において、基材31の線膨張率が10×10−5/K以下、より好ましくは5×10−5/K以下である。基材31に熱による変形が生じにくいため、発光基板10の製造工程において、転写部材20が加熱されたとしても、回路基板11と転写部材20との位置決めがずれにくい。転写部材20から回路基板11へマイクロ発光ダイオードチップ50を精度よく転写することができる。すなわち、高い生産性で発光基板10を製造することができる。 Further, in the holding member 30 of the present embodiment, the linear expansion coefficient of the base material 31 is 10 × 10 -5 / K or less, more preferably 5 × 10 -5 / K or less. Since the base material 31 is less likely to be deformed by heat, the circuit board 11 and the transfer member 20 are less likely to be misaligned even if the transfer member 20 is heated in the manufacturing process of the light emitting substrate 10. The micro light emitting diode chip 50 can be accurately transferred from the transfer member 20 to the circuit board 11. That is, the light emitting substrate 10 can be manufactured with high productivity.

また、本実施の形態の保持部材30において、突出保持部32の本体である突出構造体のヤング率が10GPa以下、より好ましくは5GPa以下である。突出構造体33が柔軟性を有しているため、転写部材20の製造工程においてチップ基板40が突出保持部32に接触する際、突出保持部32の一部が高い接触圧力でマイクロ発光ダイオードチップ50と接触してしまい、マイクロ発光ダイオードチップ50が破壊されることを回避することができる。また、発光基板10の製造工程において転写部材20を回路基板11に押圧する際、突出保持部32の一部が高い圧力でマイクロ発光ダイオードチップ50に押圧されてしまい、マイクロ発光ダイオードチップ50が破壊されることを回避することができる。すなわち、高い生産性で転写部材20及び発光基板10を製造することができる。 Further, in the holding member 30 of the present embodiment, the Young's modulus of the protruding structure, which is the main body of the protruding holding portion 32, is 10 GPa or less, more preferably 5 GPa or less. Since the protruding structure 33 has flexibility, when the chip substrate 40 comes into contact with the protruding holding portion 32 in the manufacturing process of the transfer member 20, a part of the protruding holding portion 32 is a micro light emitting diode chip with a high contact pressure. It is possible to prevent the micro light emitting diode chip 50 from being destroyed due to contact with the 50. Further, when the transfer member 20 is pressed against the circuit board 11 in the manufacturing process of the light emitting substrate 10, a part of the protruding holding portion 32 is pressed by the micro light emitting diode chip 50 with high pressure, and the micro light emitting diode chip 50 is destroyed. It is possible to avoid being done. That is, the transfer member 20 and the light emitting substrate 10 can be manufactured with high productivity.

以上のように、本実施の形態の保持部材30は、複数のマイクロ発光ダイオードチップ50を保持する保持部材であって、基材31と、基材31の一方の面上に規則的に二次元配列された複数の突出保持部32と、を備え、突出保持部32は、粘着性を有する粘着層35を有する。このような保持部材30によれば、転写部材20の製造工程において、各突出保持部32の粘着層35は、マイクロ発光ダイオードチップ50を1回のみ保持する。また、発光基板10の製造工程において、各突出保持部32の粘着層35は、マイクロ発光ダイオードチップ50を1回のみ剥離される。このため、粘着層35の粘着性が転写部材20の製造時及び発光基板10の製造中に低下して、転写部材20の生産性及び発光基板10の生産性を低下させることになりにくい。すなわち、保持部材30にマイクロ発光ダイオードチップ50を配置された転写部材20を高い生産性で製造することができ、さらに、回路基板11にマイクロ発光ダイオードチップ50を配置された発光基板10を高い生産性で製造することができる。 As described above, the holding member 30 of the present embodiment is a holding member that holds a plurality of micro light emitting diode chips 50, and is regularly two-dimensionally placed on one surface of the base material 31 and the base material 31. The protrusion holding portion 32 is provided with a plurality of arranged protrusion holding portions 32, and the protrusion holding portion 32 has an adhesive layer 35 having adhesiveness. According to such a holding member 30, in the manufacturing process of the transfer member 20, the adhesive layer 35 of each protruding holding portion 32 holds the micro light emitting diode chip 50 only once. Further, in the manufacturing process of the light emitting substrate 10, the adhesive layer 35 of each protrusion holding portion 32 is peeled off from the micro light emitting diode chip 50 only once. Therefore, the adhesiveness of the adhesive layer 35 is unlikely to decrease during the production of the transfer member 20 and the light emitting substrate 10, and the productivity of the transfer member 20 and the productivity of the light emitting substrate 10 are unlikely to decrease. That is, the transfer member 20 in which the micro light emitting diode chip 50 is arranged on the holding member 30 can be manufactured with high productivity, and the light emitting substrate 10 in which the micro light emitting diode chip 50 is arranged on the circuit board 11 can be manufactured with high productivity. Can be manufactured by sex.

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。 It is possible to make various changes to the above-described embodiment.

本実施形態の発光基板10は、第1発光ダイオードチップ50R、第2発光ダイオードチップ50G及び第3発光ダイオードチップ50Bの3種類のマイクロ発光ダイオードチップ50を有するものであるが、本発明の発光基板10は、これに限定されず、2種類以下又は4種類以上のマイクロ発光ダイオードチップ50を有するものであってもよい。 The light emitting substrate 10 of the present embodiment has three types of micro light emitting diode chips 50, that is, a first light emitting diode chip 50R, a second light emitting diode chip 50G, and a third light emitting diode chip 50B. 10 is not limited to this, and may have two or less types or four or more types of micro light emitting diode chips 50.

また、図19に示すように、保持部材30の突出保持部32の突出構造体33は、基部33aと、基部33a上に支持された複数の微細延出部33bと、を含んでいてもよい。図示されているように、各微細延出部33bは、基部33aより微細になっている。微細延出部33bは、基部33a上に二次元配列されている。各微細延出部33bが屈曲することができるため、微細延出部33bは、基部33aより高い柔軟性を有している。突出構造体33がこのような構成を有することで、突出構造体33は、より高い柔軟性を有することができる。このため、保持部材30にマイクロ発光ダイオードチップ50を保持させる際に、突出保持部32の一部が高い接触圧力でチップ基板40のマイクロ発光ダイオードチップ50と接触することを、より効果的に回避することができる。また、転写部材20を用いて回路基板11にマイクロ発光ダイオードチップ50を配置する際に、突出保持部32の一部に保持されたマイクロ発光ダイオードチップ50が高い圧力で回路基板11に押圧されることを、より効果的に回避することができる。すなわち、マイクロ発光ダイオードチップ50が破壊されることが、より効果的に回避される。 Further, as shown in FIG. 19, the protruding structure 33 of the protruding holding portion 32 of the holding member 30 may include a base portion 33a and a plurality of fine extending portions 33b supported on the base portion 33a. .. As shown, each fine extending portion 33b is finer than the base portion 33a. The fine extending portions 33b are two-dimensionally arranged on the base portion 33a. Since each fine extending portion 33b can be bent, the fine extending portion 33b has higher flexibility than the base portion 33a. By having the projecting structure 33 having such a configuration, the projecting structure 33 can have higher flexibility. Therefore, when the holding member 30 holds the micro light emitting diode chip 50, it is more effectively prevented that a part of the protruding holding portion 32 comes into contact with the micro light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40 at a high contact pressure. can do. Further, when the micro light emitting diode chip 50 is arranged on the circuit board 11 by using the transfer member 20, the micro light emitting diode chip 50 held by a part of the protrusion holding portion 32 is pressed against the circuit board 11 with a high pressure. This can be avoided more effectively. That is, the destruction of the micro light emitting diode chip 50 is more effectively avoided.

また、上述した実施の形態では、突出構造体33は、基材31上にフォトリソグラフィ技術やインプリント技術を利用して、形成されていた。しかしながら、突出構造体33は、基材31と一体的に形成されていてもよい。突出構造体33は、基材31を形成する材料をドライエッチングすることや、基材31と同一の材料で基材31上にインプリントすることで、基材31と一体的に形成することができる。突出構造体33が基材31と一体的に形成される場合、突出構造体33と基材31との間に界面が形成されないため、突出構造体33と基材31との剥離を効果的に抑制することができる。また、突出構造体33を基材31と一括で形成することができるため、突出構造体33を形成するコストを削減することができる。 Further, in the above-described embodiment, the protruding structure 33 is formed on the base material 31 by using a photolithography technique or an imprint technique. However, the protruding structure 33 may be integrally formed with the base material 31. The protruding structure 33 can be integrally formed with the base material 31 by dry etching the material forming the base material 31 or imprinting the same material as the base material 31 on the base material 31. it can. When the projecting structure 33 is integrally formed with the base material 31, an interface is not formed between the projecting structure 33 and the base material 31, so that the protruding structure 33 and the base material 31 can be effectively separated from each other. It can be suppressed. Further, since the protruding structure 33 can be formed together with the base material 31, the cost of forming the protruding structure 33 can be reduced.

また、粘着層35は、突出構造体33の先端のみでなく、突出構造体33の間にも設けられていてもよい。さらには、粘着層35は、保持部材30の突出構造体33が形成された側の面の全体に設けられていてもよい。この場合、例えば保持部材30の突出構造体33が形成された側の面にコーティングすることによって、粘着層35を容易に設けることができる。 Further, the adhesive layer 35 may be provided not only at the tip of the protruding structure 33 but also between the protruding structures 33. Further, the adhesive layer 35 may be provided on the entire surface of the holding member 30 on the side where the protruding structure 33 is formed. In this case, the adhesive layer 35 can be easily provided, for example, by coating the surface of the holding member 30 on the side where the protruding structure 33 is formed.

なお、上述した発光基板10は、表示装置1以外にも、例えば照明装置に用いられてもよい。 The light emitting substrate 10 described above may be used not only for the display device 1 but also for, for example, a lighting device.

1 表示装置
5 表示面
7 拡散層
10 発光基板
11 回路基板
13 回路
20 転写部材
30 保持部材
31 基材
32 突出保持部
33 突出構造体
35 粘着層(第1粘着層)
40 チップ基板
41 チップ基材
42 粘着層(第2粘着層)
45 空き領域
50 マイクロ発光ダイオードチップ
50R 第1発光ダイオードチップ
50G 第2発光ダイオードチップ
50B 第3発光ダイオードチップ
51 電極
80 カメラ
90 転写部材の製造装置
91 制御部
92 保持部材保持部
93 チップ基板保持部
R1〜R15 第1領域〜第15領域
M1、M2、M3 位置決めマーク
Pa1、Pa2、Pb1、Pb2 ピッチ
1 Display device 5 Display surface 7 Diffusion layer 10 Light emitting board 11 Circuit board 13 Circuit 20 Transfer member 30 Holding member 31 Base material 32 Protruding holding part 33 Protruding structure 35 Adhesive layer (first adhesive layer)
40 Chip substrate 41 Chip substrate 42 Adhesive layer (second adhesive layer)
45 Free space 50 Micro light emitting diode chip 50R 1st light emitting diode chip 50G 2nd light emitting diode chip 50B 3rd light emitting diode chip 51 Electrode 80 Camera 90 Transfer member manufacturing equipment 91 Control unit 92 Holding member holding unit 93 Chip substrate holding unit R1 ~ R15 1st area ~ 15th area M1, M2, M3 Positioning marks Pa1, Pa2, Pb1, Pb2 Pitch

Claims (9)

板状の基材と、前記基材の一方の面上に規則的に二次元配列され、それぞれが1つの発光ダイオードチップを保持するための、先端部に第1粘着層が設けられた複数の突出保持部と、を有する保持部材を用意する工程と、
板状のチップ基材と、前記チップ基材の一方の面上に積層され、前記第1粘着層よりも粘着性の低い第2粘着層と、前記第2粘着層の上に規則的に二次元配列された複数の発光ダイオードチップと、を有するチップ基板を用意する工程と、
前記チップ基板の前記発光ダイオードチップと前記保持部材の前記突出保持部とを接触させた後、前記チップ基板と前記保持部材とを互いから離間させて、前記発光ダイオードチップを前記突出保持部に保持させる工程と、を備える
転写部材の製造方法。
A plate-shaped base material and a plurality of plates regularly arranged two-dimensionally on one surface of the base material and each provided with a first adhesive layer at the tip for holding one light emitting diode chip. A process of preparing a holding member having a protruding holding portion, and
A plate-shaped chip base material, a second adhesive layer laminated on one surface of the chip base material and having a lower adhesiveness than the first adhesive layer, and two regularly on the second adhesive layer. A process of preparing a chip substrate having a plurality of three-dimensionally arranged light emitting diode chips, and
After the light emitting diode chip of the chip substrate is brought into contact with the protruding holding portion of the holding member, the chip substrate and the holding member are separated from each other to hold the light emitting diode chip in the protruding holding portion. A method for manufacturing a transfer member, comprising a step of making the transfer member.
板状の基材と、前記基材の一方の面上に規則的に二次元配列され、それぞれが1つの発光ダイオードチップを保持するための、先端部に第1粘着層が設けられた複数の突出保持部と、を有する保持部材を用意する工程と、
板状のチップ基材と、前記チップ基材の一方の面上に積層され、紫外線照射、加熱又は冷却によって粘着性が前記第1粘着層よりも低くなる第2粘着層と、前記第2粘着層の上に規則的に二次元配列された複数の発光ダイオードチップと、を有するチップ基板を用意する工程と、
前記チップ基板の前記第2粘着層の粘着性を、紫外線照射、加熱又は冷却によって前記第1粘着層よりも低くする工程と、
前記チップ基板の前記発光ダイオードチップと前記保持部材の前記突出保持部とを接触させた後、前記チップ基板と前記保持部材とを互いから離間させて、前記発光ダイオードチップを前記突出保持部に保持させる工程と、を備える
転写部材の製造方法。
A plate-shaped base material and a plurality of plates regularly arranged two-dimensionally on one surface of the base material and each provided with a first adhesive layer at the tip for holding one light emitting diode chip. A process of preparing a holding member having a protruding holding portion, and
A plate-shaped chip base material, a second adhesive layer laminated on one surface of the chip base material, and having a lower adhesiveness than the first adhesive layer by ultraviolet irradiation, heating, or cooling, and the second adhesive layer. A process of preparing a chip substrate having a plurality of light emitting diode chips regularly arranged two-dimensionally on a layer, and
A step of lowering the adhesiveness of the second adhesive layer of the chip substrate to be lower than that of the first adhesive layer by ultraviolet irradiation, heating or cooling.
After the light emitting diode chip of the chip substrate is brought into contact with the protruding holding portion of the holding member, the chip substrate and the holding member are separated from each other to hold the light emitting diode chip in the protruding holding portion. A method for manufacturing a transfer member, comprising a step of making the transfer member.
請求項1又は2に記載の転写部材の製造方法であって、
複数の前記発光ダイオードチップを前記保持部材の第1領域内の複数の前記突出保持部に保持させる工程と、
前記チップ基板に対して前記保持部材を相対移動させる工程と、
前記複数の前記発光ダイオードチップとは異なる他の複数の前記発光ダイオードチップを前記保持部材の前記第1領域とは異なる第2領域内の複数の前記突出保持部に保持させる工程と、を備える、
転写部材の製造方法。
The method for manufacturing a transfer member according to claim 1 or 2.
A step of holding the plurality of the light emitting diode chips by the plurality of protruding holding portions in the first region of the holding member, and
The step of moving the holding member relative to the chip substrate and
The step includes a step of holding a plurality of other light emitting diode chips different from the plurality of light emitting diode chips by a plurality of the protruding holding portions in a second region different from the first region of the holding member.
Manufacturing method of transfer member.
請求項1から3のいずれか1つに記載の転写部材の製造方法であって、
前記チップ基板の前記発光ダイオードチップの配列のピッチの整数倍が、前記保持部材の前記突出保持部の配列のピッチとなっている転写部材の製造方法。
The method for manufacturing a transfer member according to any one of claims 1 to 3.
A method for manufacturing a transfer member, wherein an integral multiple of the pitch of the arrangement of the light emitting diode chips on the chip substrate is the pitch of the arrangement of the protruding holding portions of the holding member.
板状の基材と、前記基材の一方の面上に規則的に二次元配列され、それぞれが1つの発光ダイオードチップを保持するための、先端部に第1粘着層が設けられた複数の突出保持部と、を有する保持部材を保持する保持部材保持部と、
板状のチップ基材と、前記チップ基材の一方の面上に積層され、前記第1粘着層よりも粘着性の低い第2粘着層と、前記第2粘着層の上に規則的に二次元配列された複数の前記発光ダイオードチップと、を有するチップ基板を保持するチップ基板保持部と、
前記保持部材保持部及び前記チップ基板保持部に保持された前記保持部材及び前記チップ基板を観察するカメラと、
前記保持部材保持部、前記チップ基板保持部及び前記カメラを制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記カメラによる前記保持部材及び前記チップ基板の観察結果を用いて、前記保持部材保持部及び前記チップ基板保持部を制御し、前記保持部材と前記チップ基板との位置決めを行う
転写部材の製造装置。
A plate-shaped base material and a plurality of plates regularly arranged two-dimensionally on one surface of the base material and each provided with a first adhesive layer at the tip for holding one light emitting diode chip. A holding member holding portion that holds a holding member having a protruding holding portion,
A plate-shaped chip base material, a second adhesive layer laminated on one surface of the chip base material and having a lower adhesiveness than the first adhesive layer, and two regularly on the second adhesive layer. A chip substrate holding portion that holds a plurality of the light emitting diode chips arranged in a dimension, and a chip substrate having the light emitting diode chips.
A camera for observing the holding member and the chip substrate held by the holding member holding portion and the chip substrate holding portion, and a camera for observing the holding member and the chip substrate.
A holding member holding unit, a chip substrate holding unit, and a control unit for controlling the camera are provided.
The control unit controls the holding member holding portion and the chip substrate holding portion by using the observation results of the holding member and the chip substrate by the camera, and positions the holding member and the chip substrate. Parts manufacturing equipment.
板状の基材と、前記基材の一方の面上に規則的に二次元配列され、それぞれが1つの発光ダイオードチップを保持するための、先端部に第1粘着層が設けられた複数の突出保持部と、を有する保持部材に前記発光ダイオードチップを保持させるために用いるチップ基板であって、
板状のチップ基材と、
前記チップ基材の一方の面上に積層された第2粘着層と、
前記第2粘着層の上に規則的に二次元配列された複数の前記発光ダイオードチップと、を備え、
前記第2粘着層は、前記保持部材の前記第1粘着層よりも粘着性が低い
チップ基板。
A plurality of plate-shaped substrates and a plurality of plates regularly arranged two-dimensionally on one surface of the substrate, each of which is provided with a first adhesive layer at the tip for holding one light emitting diode chip. A chip substrate used to hold the light emitting diode chip in a holding member having a protruding holding portion.
Plate-shaped chip base material and
A second adhesive layer laminated on one surface of the chip base material and
A plurality of the light emitting diode chips regularly arranged two-dimensionally on the second adhesive layer are provided.
The second adhesive layer is a chip substrate having a lower adhesiveness than the first adhesive layer of the holding member.
板状の基材と、前記基材の一方の面上に規則的に二次元配列され、それぞれが1つの発光ダイオードチップを保持するための、先端部に第1粘着層が設けられた複数の突出保持部と、を有する保持部材に前記発光ダイオードチップを保持させるために用いるチップ基板であって、
板状のチップ基材と、
前記チップ基材の一方の面上に積層された第2粘着層と、
前記第2粘着層の上に規則的に二次元配列された複数の前記発光ダイオードチップと、を備え、
前記第2粘着層は、紫外線照射、加熱又は冷却によって粘着性が前記保持部材の前記第1粘着層よりも低くなる
チップ基板。
A plurality of plate-shaped substrates and a plurality of plates regularly arranged two-dimensionally on one surface of the substrate, each of which is provided with a first adhesive layer at the tip for holding one light emitting diode chip. A chip substrate used to hold the light emitting diode chip in a holding member having a protruding holding portion.
Plate-shaped chip base material and
A second adhesive layer laminated on one surface of the chip base material and
A plurality of the light emitting diode chips regularly arranged two-dimensionally on the second adhesive layer are provided.
The second adhesive layer is a chip substrate whose adhesiveness becomes lower than that of the first adhesive layer of the holding member by irradiation with ultraviolet rays, heating or cooling.
請求項6又は7に記載のチップ基板であって、
前記チップ基板の前記発光ダイオードチップの配列のピッチの整数倍が、前記保持部材の前記突出保持部の配列のピッチとなっているチップ基板。
The chip substrate according to claim 6 or 7.
A chip substrate in which an integral multiple of the pitch of the arrangement of the light emitting diode chips of the chip substrate is the pitch of the arrangement of the protruding holding portions of the holding member.
請求項1から4のいずれか1つに記載の転写部材の製造方法により製造された転写部材の複数の前記発光ダイオードチップを、前記転写部材の前記保持部材から前記回路基板に一括で転写する工程を有する発光基板の製造方法。 A step of collectively transferring a plurality of the light emitting diode chips of the transfer member manufactured by the method for manufacturing a transfer member according to any one of claims 1 to 4 from the holding member of the transfer member to the circuit board. A method for manufacturing a light emitting substrate having a light emitting substrate.
JP2019084566A 2019-04-25 2019-04-25 Manufacturing method and manufacturing device of transfer member, chip substrate, and manufacturing method of light emitting substrate Pending JP2020181910A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019084566A JP2020181910A (en) 2019-04-25 2019-04-25 Manufacturing method and manufacturing device of transfer member, chip substrate, and manufacturing method of light emitting substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019084566A JP2020181910A (en) 2019-04-25 2019-04-25 Manufacturing method and manufacturing device of transfer member, chip substrate, and manufacturing method of light emitting substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2020181910A true JP2020181910A (en) 2020-11-05

Family

ID=73023533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019084566A Pending JP2020181910A (en) 2019-04-25 2019-04-25 Manufacturing method and manufacturing device of transfer member, chip substrate, and manufacturing method of light emitting substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2020181910A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023027387A1 (en) * 2021-08-25 2023-03-02 레이저쎌 주식회사 Micro-led chip rework device and rework method using transfer method

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003209346A (en) * 2002-01-16 2003-07-25 Sony Corp Method for mounting component and electronic device
JP2009295853A (en) * 2008-06-06 2009-12-17 Sony Corp Element transfer device, element transfer method, and method of manufacturing display device
JP2010251360A (en) * 2009-04-10 2010-11-04 Sony Corp Method of manufacturing display and display
WO2018077961A1 (en) * 2016-10-28 2018-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for transferring semiconductor chips and transfer tool
US20180277524A1 (en) * 2015-08-26 2018-09-27 Lg Electronics Inc. Transfer head and transfer system for semiconductor light-emitting device and method for transferring semiconductor light-emitting device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003209346A (en) * 2002-01-16 2003-07-25 Sony Corp Method for mounting component and electronic device
JP2009295853A (en) * 2008-06-06 2009-12-17 Sony Corp Element transfer device, element transfer method, and method of manufacturing display device
JP2010251360A (en) * 2009-04-10 2010-11-04 Sony Corp Method of manufacturing display and display
US20180277524A1 (en) * 2015-08-26 2018-09-27 Lg Electronics Inc. Transfer head and transfer system for semiconductor light-emitting device and method for transferring semiconductor light-emitting device
WO2018077961A1 (en) * 2016-10-28 2018-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for transferring semiconductor chips and transfer tool

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023027387A1 (en) * 2021-08-25 2023-03-02 레이저쎌 주식회사 Micro-led chip rework device and rework method using transfer method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10916465B1 (en) Inorganic light emitting diode (ILED) assembly via direct bonding
JP7223318B2 (en) Holding member, positioning sheet, transfer member with positioned light emitting diode chip, method for manufacturing transfer member with positioned light emitting diode chip, method for manufacturing light emitting substrate, and light emitting substrate
JP7250690B2 (en) Element transfer method and transfer plate used therefor
KR20190109078A (en) Led transfer tool
TW202135279A (en) Method and system for assembly of micro-leds onto a substrate
JP4100203B2 (en) Element transfer method
JP2020043209A (en) Method of manufacturing micro LED array, method of manufacturing micro LED display, and micro LED array, and micro LED display
JP7228130B2 (en) Holding member, transfer member, method for manufacturing transfer member, and method for manufacturing light-emitting substrate
JP4840371B2 (en) Element transfer method
JP7257187B2 (en) Chip transfer plate, chip transfer method, image display device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method
JP2020181910A (en) Manufacturing method and manufacturing device of transfer member, chip substrate, and manufacturing method of light emitting substrate
JP7223310B2 (en) Holding member, transfer member, method for manufacturing transfer member, and method for manufacturing light-emitting substrate
JP2002314053A (en) Chip part transfer method, element arraying method using the same, and manufacturing method of image display device
JP2022014690A (en) Holding member, transfer member, transfer member manufacturing method, and light emitting substrate manufacturing method
JP2020194089A (en) Transfer member, method for manufacturing transfer member, and method for manufacturing light-emitting substrate
CN112424958B (en) Method and system for transferring large quantity of micro light-emitting diode
JP7269548B2 (en) Holding member, transfer member, chip substrate, transfer member manufacturing method and manufacturing apparatus, light emitting substrate manufacturing method
JP2021118274A (en) Transfer substrate
JP2020191419A (en) Chip substrate, light emitting diode laminate, transfer member, light emitting substrate, and method of manufacturing them
TWI688076B (en) Pattern film for transferring display pixel and method for manufacturing display using the same
JP2020191423A (en) Holding member, transfer member and method for manufacturing transfer member and light emitting substrate
JP7272078B2 (en) Holding member, transfer member, method for manufacturing holding member, method for manufacturing transfer member, and method for manufacturing light emitting substrate
JP2022014693A (en) Holding member, transfer member, transfer member manufacturing method, and light emitting substrate manufacturing method
CN115513244A (en) Temporary substrate, transfer method of light emitting diode chip and display assembly
JP2020188244A (en) Light-emitting substrate, display device, and manufacturing method of light-emitting substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220225

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20221012

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221125

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20230519