KR102366893B1 - 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 방법 - Google Patents

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다쿠야 구보
송 윤 강
게이이치 시모다
데츠야 오이시
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

금속을 포함하는 막을 에칭하는 기판 처리 장치를 클리닝하는 방법으로서, 수소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 카본 함유 퇴적물을 제거하는 제 1 클리닝 공정과, 상기 제 1 클리닝 공정 후에 불활성 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 금속 함유 퇴적물을 제거하는 제 2 클리닝 공정과, 상기 제 2 클리닝 공정 후에 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 실리콘 함유 퇴적물을 제거하는 제 3 클리닝 공정을 갖는 클리닝 방법이 제공된다.

Description

클리닝 방법 및 플라즈마 처리 방법
본 발명은, 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다.
자성재를 포함하는 피가공체를, 산화성을 갖는 반응 가스를 이용하여 가공하고, 또한, 산화성을 갖는 반응 가스를 제거하여 양호한 자기 특성의 자기 기록 매체 등을 제조하는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허 문헌 1을 참조).
(선행 기술 문헌)
(특허 문헌)
(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 2005-56547호 공보
피가공체를 에칭하는 경우, 피가공체에 포함되는 금속 함유 퇴적물, 카본 함유 퇴적물, 및 금속막의 베이스막 또는 처리 용기 내의 파츠 등으로서 사용되는 실리콘 함유 퇴적물이라고 하는 상이한 종류의 퇴적물이 발생하는 일이 있다. 그렇지만, 특허 문헌 1에서는, 동일한 가스를 사용하여 복수 종류의 상이한 퇴적물을 클리닝하기 때문에, 퇴적물의 일부가 다 제거되지 않고 처리 용기의 내부에 잔류하는 일이 있다. 이러한 잔류물은, 에칭 레이트의 변동 및 파티클의 발생을 일으키고, 빈번한 파츠의 교환을 일으키게 하는 요인이 된다.
상기 과제에 대하여, 일 측면에서는, 본 발명은, 복수 종류의 퇴적물의 제거를 효과적으로 행하는 클리닝 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 일 태양에 의하면, 금속을 포함하는 막을 에칭하는 기판 처리 장치를 클리닝하는 방법으로서, 수소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 카본 함유 퇴적물을 제거하는 제 1 클리닝 공정과, 상기 제 1 클리닝 공정 후에, 불활성 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 금속 함유 퇴적물을 제거하는 제 2 클리닝 공정과, 상기 제 2 클리닝 공정 후에, 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 실리콘 함유 퇴적물을 제거하는 제 3 클리닝 공정을 갖는 클리닝 방법이 제공된다.
일 측면에 의하면, 복수 종류의 퇴적물의 제거를 효과적으로 행하는 클리닝 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시 형태와 관련되는 에칭 장치의 종단면의 일례를 나타내는 도면.
도 2는 일 실시 형태와 관련되는 MRAM 소자의 일례를 나타내는 도면.
도 3은 파티클 발생의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 4는 일 실시 형태와 관련되는 클리닝 처리의 일례를 나타내는 플로차트.
도 5는 일 실시 형태와 관련되는 클리닝과 파티클 발생의 억제를 설명하기 위한 도면.
도 6은 일 실시 형태와 관련되는 제 1 클리닝 공정의 종점 검출 결과의 일례를 나타내는 도면.
도 7은 일 실시 형태와 관련되는 제 2 클리닝 공정의 종점 검출 결과의 일례를 나타내는 도면.
도 8은 일 실시 형태와 관련되는 제 3 클리닝 공정의 종점 검출 결과의 일례를 나타내는 도면.
도 9는 일 실시 형태와 관련되는 클리닝에 의한 에칭 레이트의 변동 방지 결과의 일례를 나타내는 도면.
도 10은 일 실시 형태와 관련되는 에칭 및 클리닝시의 발광 강도의 계측 결과의 일례를 나타내는 도면.
도 11은 일 실시 형태와 관련되는 에칭 및 클리닝시의 발광 강도의 계측 결과의 일례를 나타내는 도면.
도 12는 일 실시 형태와 관련되는 클리닝 시간의 최적치의 일례를 나타내는 도면.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 붙이는 것에 의해 중복된 설명을 생략한다.
[에칭 장치의 전체 구성]
우선, 본 발명의 일 실시 형태와 관련되는 에칭 장치(1)에 대하여, 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 실시 형태와 관련되는 에칭 장치(1)의 종단면의 일례를 나타낸다. 본 실시 형태와 관련되는 에칭 장치(1)는, 처리 용기(10) 내에 탑재대(20)와 가스 샤워 헤드(25)를 대향 배치한 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치(용량 결합형 플라즈마 처리 장치)이다. 탑재대(20)는, 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 「웨이퍼 W」라고 한다.)를 유지하는 기능을 가짐과 아울러 하부 전극으로서 기능한다. 가스 샤워 헤드(25)는, 가스를 처리 용기(10) 내에 샤워 형상으로 공급하는 기능을 가짐과 아울러 상부 전극으로서 기능한다.
처리 용기(10)는, 예컨대 표면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지고, 원통형이다. 처리 용기(10)는, 전기적으로 접지되어 있다. 탑재대(20)는, 처리 용기(10)의 저부에 설치되고, 웨이퍼 W를 탑재한다. 웨이퍼 W는, 에칭 대상인 기판의 일례이고, 웨이퍼 W에는, MRAM 소자의 금속 적층막이 형성되어 있다.
탑재대(20)는, 예컨대 알루미늄(Al)이나 티타늄(Ti), 탄화규소(SiC) 등으로 형성되어 있다. 탑재대(20)의 상면에는, 기판을 정전 흡착하기 위한 정전 척(106)이 마련되어 있다. 정전 척(106)은, 절연체(106b)의 사이에 척 전극(106a)을 끼워 넣은 구조로 되어 있다.
척 전극(106a)에는 직류 전압원(112)이 접속되고, 직류 전압원(112)으로부터 척 전극(106a)에 직류 전류가 공급된다. 이것에 의해, 쿨롱력에 의해 웨이퍼 W가 정전 척(106)에 흡착된다.
정전 척(106)에는, 웨이퍼 W의 주연부를 둘러싸도록, 고리 형상의 포커스 링(103)이 탑재된다. 포커스 링(103)은, 도전성 부재, 예컨대, 실리콘으로 이루어지고, 처리 용기(10)의 내부에 있어서 플라즈마를 웨이퍼 W의 표면으로 향해 수속하고, 에칭의 효율을 향상시킨다.
탑재대(20)는, 지지체(104)에 의해 지지되어 있다. 지지체(104)의 내부에는, 냉매 유로(104a)가 형성되어 있다. 냉매 유로(104a)에는, 냉매 입구 배관(104b) 및 냉매 출구 배관(104c)이 접속되어 있다. 칠러(107)로부터 출력된 예컨대 냉각수나 브라인 등의 냉각 매체는, 냉매 입구 배관(104b), 냉매 유로(104a) 및 냉매 출구 배관(104c)을 순환한다. 이것에 의해, 탑재대(20) 및 정전 척(106)은 냉각된다.
전열 가스 공급원(85)은, 헬륨 가스(He)나 아르곤 가스(Ar) 등의 전열 가스를 가스 공급 라인(130)에 통과시켜 정전 척(106) 상의 웨이퍼 W의 이면에 공급한다. 이러한 구성에 의해, 정전 척(106)은, 냉매 유로(104a)에 순환시키는 냉각 매체와, 웨이퍼 W의 이면에 공급하는 전열 가스에 의해 온도 제어된다. 이 결과, 기판을 소정의 온도로 제어할 수 있다.
제 1 고주파 전원(34)은, 정합기(35)를 거쳐서 가스 샤워 헤드(25)에 전기적으로 접속된다. 제 1 고주파 전원(34)은, 예컨대, 60㎒의 플라즈마 여기용의 고주파 전력 HF를 가스 샤워 헤드(25)에 인가한다. 또, 본 실시 형태에서는, 고주파 전력 HF는 가스 샤워 헤드(25)에 인가되지만, 탑재대(20)에 인가되더라도 좋다. 제 2 고주파 전원(32)은, 정합기(33)를 거쳐서 탑재대(20)에 전기적으로 접속된다. 제 2 고주파 전원(32)은, 예컨대, 13.56㎒의 바이어스용의 고주파 전력 LF를 탑재대(20)에 인가한다.
정합기(35)는, 제 1 고주파 전원(34)의 내부(또는 출력) 임피던스에 부하 임피던스를 정합시킨다. 정합기(33)는, 제 2 고주파 전원(32)의 내부(또는 출력) 임피던스에 부하 임피던스를 정합시킨다. 정합기(35) 및 정합기(33)는, 처리 용기(10) 내에 플라즈마가 생성되고 있을 때에 제 1 고주파 전원(34) 및 제 2 고주파 전원(32)의 내부 임피던스와 부하 임피던스가 겉보기에 일치하도록 기능한다.
가스 샤워 헤드(25)는, 다수의 가스 공급 구멍(55)을 갖는 천정 전극판(41)과, 천정 전극판(41)을 탈착 가능하게 지지하는 쿨링 플레이트(42)를 갖는다. 가스 샤워 헤드(25)는, 그 주연부를 피복하는 실드 링(40)을 통해서 처리 용기(10)의 천정부의 개구를 폐색하도록 설치되어 있다. 가스 샤워 헤드(25)에는, 가스를 도입하는 가스 도입구(45)가 형성되어 있다. 가스 샤워 헤드(25)의 내부에는 가스 도입구(45)로부터 분기한 센터 쪽의 확산실(50a) 및 에지 쪽의 확산실(50b)이 마련되어 있다. 가스 공급원(15)으로부터 출력된 가스는, 가스 도입구(45)를 거쳐서 확산실(50a, 50b)에 공급되고, 각각의 확산실(50a, 50b)에서 확산되어 다수의 가스 공급 구멍(55)으로부터 탑재대(20)로 향해서 도입된다.
처리 용기(10)의 저면에는 배기구(60)가 형성되어 있고, 배기구(60)에 접속된 배기 장치(65)에 의해 처리 용기(10) 내가 배기된다. 이것에 의해, 처리 용기(10) 내를 소정의 진공도로 유지할 수 있다. 처리 용기(10)의 측벽에는 게이트 밸브 G가 마련되어 있다. 게이트 밸브 G의 개폐에 의해 처리 용기(10)로부터 웨이퍼 W의 반입 및 반출이 행해진다.
에칭 장치(1)에는, 석영창(109)을 통해서 처리 용기(10) 내의 플라즈마 중의 각 파장의 광의 강도를 측정 가능한 발광 센서(108)가 설치되어 있다.
에칭 장치(1)에는, 장치 전체의 동작을 제어하는 제어부(100)가 마련되어 있다. 제어부(100)는, CPU(Central Processing Unit)(105), ROM(Read Only Memory)(110) 및 RAM(Random Access Memory)(115)을 갖고 있다. CPU(105)는, 이러한 기억 영역에 저장된 각종 레시피에 따라, 에칭 처리 및 제전 처리 등의 소망하는 처리를 실행한다. 레시피에는 프로세스 조건에 대한 장치의 제어 정보인 프로세스 시간, 압력(가스의 배기), 고주파 전력이나 전압, 각종 가스 유량, 처리 용기(10) 내 온도(상부 전극 온도, 처리 용기의 측벽 온도, 정전 척 온도 등), 칠러(107)의 온도 등이 기재되어 있다. 또, 이러한 프로그램이나 처리 조건을 나타내는 레시피는, 하드 디스크나 반도체 메모리에 기억되더라도 좋다. 또한, 레시피는, CD-ROM, DVD 등의 가반성(portability)의 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 수용된 상태로 기억 영역의 소정 위치에 세트하도록 하더라도 좋다.
또한, 제어부(100)는, 발광 센서(108)가 검출한 검출치에 근거하여, 각 파장의 발광 스펙트럼을 측정하고, 후술되는 각 클리닝 공정의 종점 검출을 행한다.
에칭 처리시에는, 게이트 밸브 G의 개폐가 제어되고, 웨이퍼 W가 처리 용기(10)에 반입되고, 탑재대(20)에 탑재된다. 직류 전압원(112)으로부터 척 전극(106a)에 직류 전류가 공급되는 것에 의해, 쿨롱력에 의해 웨이퍼 W가 정전 척(106)에 흡착되고, 유지된다.
그 다음에, 에칭용의 가스, 플라즈마 여기용의 고주파 전력 HF 및 바이어스용의 고주파 전력 LF가 처리 용기(10) 내에 공급되고, 플라즈마가 생성된다. 생성된 플라즈마에 의해 웨이퍼 W에 플라즈마 에칭 처리가 실시된다.
에칭 처리 후, 직류 전압원(112)으로부터 척 전극(106a)에 웨이퍼 W의 흡착시와는 음양이 반대인 직류 전압 HV를 인가하여 웨이퍼 W의 전하를 제전하고, 웨이퍼 W를 정전 척(106)으로부터 뗀다. 게이트 밸브 G의 개폐가 제어되고, 웨이퍼 W가 처리 용기(10)로부터 반출된다.
[MRAM 소자]
본 실시 형태와 관련되는 에칭 장치(1)는, 웨이퍼 W 상의 MRAM 소자를 에칭한 후의 클리닝을 복수의 클리닝 공정으로 나누어 차례로 실행함으로써 에칭시에 처리 용기(10)의 내부에 퇴적된 금속, 카본, 실리콘이 함유된 반응 생성물을 효율적으로 제거한다.
본 실시 형태와 관련되는 클리닝 방법에 대하여 설명하기 전에, MRAM 소자(2)의 일례에 대하여, 도 2를 참조하면서 간단하게 설명한다. MRAM 소자는, 금속 적층막을 포함하는 다층막으로 형성된다. 금속 적층막으로서는, 예컨대, 코발트(Co), 철(Fe), 니켈(Ni), 붕소(B), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 망간(Mn), 지르코늄(Zr), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 탄탈럼(Ta), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag) 등이 포함되더라도 좋다. 또한, 상기 어느 하나의 금속을 포함하는 산화물 또는 질화물이 포함되더라도 좋다.
도 2는 MRAM 소자(2)의 단면의 일례를 나타낸다. MRAM 소자(2)는, 실리콘의 웨이퍼 W 상에 배치되어 있고, 아래로부터 차례로 하부 전극층(3), 핀 고정층(4), 제 2 자성층(5), 절연층(6), 제 1 자성층(7), 상부 전극층(8), 및 마스크(9)가 적층되어 있다. MRAM 소자(2)의 제 1 자성층(7), 상부 전극층(8), 및 마스크(9)의 측벽에는, 보호막(11)이 마련되어 있다. 이하에서는, 제 2 자성층(5), 절연층(6) 및 제 1 자성층(7)의 적층막을 금속 적층막(12)이라고도 부른다.
하부 전극층(3)은, 기판 상에 형성되는 전기 전도성을 갖는 전극 부재이다. 하부 전극층(3)의 두께는, 예컨대 약 5㎚이다. 핀 고정층(4)은, 하부 전극층(3) 및 제 2 자성층(5)의 사이에 배치된다. 핀 고정층(4)은, 반강자성체에 의한 핀 고정 효과에 의해 하부 전극층(3)의 자화의 방향을 고정한다. 핀 고정층(4)으로서는, 예컨대 IrMn(이리듐 망간), PtMn(백금 망간) 등의 반강자성체 재료가 이용되고, 그 두께는, 예컨대 약 7㎚이다.
제 2 자성층(5)은, 핀 고정층(4) 상에 배치되는 강자성체를 포함하는 층이다. 제 2 자성층(5)은, 핀 고정층(4)에 의한 핀 고정 효과에 의해, 자화의 방향이 외부 자계의 영향을 받지 않고 일정하게 유지되는 이른바 핀드층(pinned layer)으로서 기능한다. 제 2 자성층(5)으로서는, CoFeB가 이용되고, 그 두께는, 예컨대 약 2.5㎚이다.
절연층(6)은, 제 2 자성층(5) 및 제 1 자성층(7)의 사이에 있고, 자성 터널 접합(MTJ : Magnetic Tunnel junction)을 구성한다. 자성 터널 접합(MTJ)에서는, 제 2 자성층(5)과 제 1 자성층(7)의 사이에 절연층(6)이 개재되는 것에 의해, 제 2 자성층(5)과 제 1 자성층(7)의 사이에, 터널 자기 저항 효과(TMR : Tunnel magnetoresistance)가 생긴다. 즉, 제 2 자성층(5)과 제 1 자성층(7)의 사이에는, 제 2 자성층(5)의 자화 방향과 제 1 자성층(7)의 자화 방향의 상대 관계(평행 또는 반평행)에 따른 전기 저항이 생긴다. 절연층(6)으로서는, Al2O3나 MgO가 이용되고, 그 두께는, 예컨대 1.3㎚이다.
제 1 자성층(7)은, 절연층(6) 상에 배치되는 강자성체를 포함하는 층이다. 제 1 자성층(7)은, 자기 정보인 외부 자계에 자화의 방향이 추종하는, 이른바 프리층(free layer)으로서 기능한다. 제 1 자성층(7)으로서는, CoFeB가 이용되고, 그 두께는, 예컨대 약 2.5㎚이다.
상부 전극층(8)은, 제 1 자성층(7) 상에 형성되는 전기 전도성을 갖는 전극 부재이다. 상부 전극층(8)의 두께는, 예컨대 약 5㎚이다. 마스크(9)는, 상부 전극층(8) 상에 형성된다. 마스크(9)는, MRAM 소자(2)의 평면 형상에 따른 형상으로 형성된다. 마스크(9)로서는, 예컨대 Ta, TiN, SiO2, W, Ti 등이 이용되고, 그 두께는 예컨대 50㎚이다.
MRAM 소자(2)의 에칭시, 금속막에 포함되는 마그네슘(Mg) 등의 금속의 퇴적물, MRAM 소자(2)의 에칭 가스로서 이용되는 탄소 함유 가스의 반응 생성물 등으로부터 생기는 카본(C)의 퇴적물, 금속막의 베이스의 실리콘의 웨이퍼 W 또는 실리콘을 포함하는 처리 용기 내 파츠등이 에칭되는 것에 의해 생기는 실리콘(Si)의 퇴적물이라고 하는 상이한 종류의 퇴적물이 발생한다. 이러한 퇴적물 Dp는, 도 3의 「a」에 나타내는 바와 같이 가스 샤워 헤드(25)의 천정면에 부착된다. 퇴적물 Dp의 일부는, 도 3의 「b」에 나타내는 바와 같이 그 두께가 소정 이상이 되었을 때 등에 천정면으로부터 벗겨져, 웨이퍼 W 상이나 포커스 링(103) 상으로 날아와, 퇴적된다. 이것에 의해, 가스 샤워 헤드(25)의 천정면에는, 퇴적물 Dp가 부착된 채의 부분과 퇴적물 Dp가 이탈한 부분이 생기고, 퇴적물 Dp가 이탈한 부분은, 클리닝이나 에칭시에 스퍼터되어 깎이고, 천정부에는 예컨대 줄무늬 형상의 요철이 형성된다. 이 결과, 도 3의 「c」에 나타내는 바와 같이 천정면 A가 마이크로 마스크화하고, 예컨대 100미크론 정도의 통상보다 큰 파티클이 되어 웨이퍼 W 상에 떨어져 내린다.
금속 함유 퇴적물, 카본 함유 퇴적물, 실리콘 함유 퇴적물을 동일한 가스로 클리닝하면 퇴적물의 일부가 다 제거되지 않고 처리 용기의 내부에 잔류하여, 에칭 레이트를 변동시키거나, 파티클을 발생시키거나 하는 요인이 된다.
그래서, 본 실시 형태와 관련되는 클리닝 방법은, 금속 함유 퇴적물, 카본 함유 퇴적물, 실리콘 함유 퇴적물을, 각각의 클리닝 공정에 있어서 각각에 적합한 특정한 가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 제거한다. 이것에 의해, 금속 함유 퇴적물, 카본 함유 퇴적물, 실리콘 함유 퇴적물의 성분을 나누어 제거할 수 있고, 장기 운용시에 에칭 레이트의 안정화를 도모하고, 파티클의 발생을 억제하고, 파츠의 수명을 장기화할 수 있다.
[클리닝 방법]
본 실시 형태와 관련되는 클리닝 방법에 대하여, 도 4의 플로차트를 참조하면서 설명한다. 전제로서 본 클리닝 전에 스텝 S10~S14에 있어서 MRAM의 에칭이 실행된다. 구체적으로는, 스텝 S10에 있어서 제품용의 웨이퍼 W가 반입되고, 스텝 S12에 있어서 탄화수소 가스를 포함하는 에칭 가스에 의해 웨이퍼 W에 대하여 플라즈마 에칭이 실행되고, 스텝 S14에 있어서 에칭 후의 웨이퍼 W가 반출된다. 본 실시 형태와 관련되는 클리닝 방법은, 1매 또는 복수 매의 제품용의 웨이퍼 W에 대하여 에칭이 실행된 후의 에칭 장치(1)의 클리닝에 사용된다.
(제 1 클리닝 공정 : 카본 함유 퇴적물의 제거)
클리닝 공정에서는, 우선, 스텝 S16에서 더미 웨이퍼가 반입된다. 다음으로, 스텝 S18에서, 처리 용기(10) 내에 질소(N2) 가스 및 수소(H2) 가스를 포함하는 가스를 공급하고, 질소 가스 및 수소 가스를 주로 한 플라즈마가 생성된다. 생성한 플라즈마 중 주로 수소 라디칼의 작용에 의해 카본 함유 퇴적물을 제거할 수 있다. 또, 본 공정은, 수소 함유 가스를 포함하는 가스를 공급하고, 수소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 카본 함유 퇴적물을 제거하는 제 1 클리닝 공정의 일례이다.
제 1 클리닝 공정에서는, 수소 함유 가스 및 질소 함유 가스를 포함하는 가스를 공급하면 된다. 예컨대, 제 1 클리닝 공정에서는, 질소 가스, 수소 가스 및 아르곤 가스(Ar)를 공급하더라도 좋다. 또, 제 1 클리닝 공정에서는, 산소(O2) 가스 및 불소(F) 가스를 포함하는 가스는 공급하지 않는다. 다음 공정에서 제거하는 금속 함유 퇴적물이 산소 가스 및 불소 가스를 포함하는 가스에 의해 산화 및 불화되는 것을 방지하기 위해서이다.
제 1 클리닝 공정에서는 도 5의 「a」에 나타내는 「1. 카본 함유 퇴적물의 제거」를 완전하게 행하기 위해, 제어부(100)는, 발광 센서(108)의 검출치에 근거하여 387㎚의 CN(탄화질소)의 발광 강도를 측정하여 제 1 종점 검출을 행한 후에 다음의 클리닝 공정으로 진행된다.
종점 검출(EPD : Endpoint detection)은, 에칭 장치(1)에 설치된 발광 센서(108)를 이용하여 플라즈마 중의 각 파장의 광의 강도를 측정하는 것에 의해 행해진다. 제어부(100)는, 측정한 처리 용기(10) 내의 플라즈마 중의 발광 스펙트럼으로부터, 카본 함유 퇴적물과 플라즈마에 포함되는 질소 성분이 반응함으로써 발생하는 질화탄소(387㎚)의 발광 강도를 검출한다. 제어부(100)는, 이 질화탄소의 발광 강도의 시간에 대한 기울기가 0이 되었을 때에 제 1 종점 검출로 판정한다. 예컨대, 도 6은 7매의 더미 웨이퍼에 대한 제 1 종점 검출의 결과를 나타내고 있다. 도 6의 그래프의 가로축은 시간을 나타내고, 세로축은 질화 탄소(387㎚)의 발광 강도를 나타낸다. 질화 탄소(387㎚)의 발광 강도의 시간에 대한 기울기가 거의 0이 되었을 때, 처리 용기(10) 내의 카본 함유 퇴적물은 거의 없다고 판정할 수 있다.
이와 같이 본 실시 형태의 제어부(100)는, 질화 탄소의 발광 강도의 시간에 대한 기울기가 거의 0이 되었을 때를 제 1 종점 검출로 판정함으로써, 클리닝 시간을 실제로 카본 함유 퇴적물을 거의 완전하게 제거하는 시간으로 최적화할 수 있다. 이것에 의해, 카본 함유 퇴적물을 거의 완전하게 제거한 후에 다음의 제 2 클리닝 공정으로 이행할 수 있다.
(제 2 클리닝 공정 : 금속 함유 퇴적물의 제거)
도 4로 돌아와서, 스텝 S20에 있어서 제어부(100)가 제 1 종점을 검출한 경우, 스텝 S22로 진행되고, 제 2 클리닝 공정이 실행된다. 제 2 클리닝 공정에 있어서 처리 용기(10) 내에는 아르곤 가스가 공급되고, 아르곤 가스의 플라즈마의 주로 이온의 스퍼터의 작용에 의해 금속 함유 퇴적물이 떨어져 나와, 처리 용기(10) 밖으로 제거된다. 또, 본 공정은, 제 1 클리닝 공정 후에, 불활성 가스를 공급하고, 불활성 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 금속 함유 퇴적물을 제거하는 제 2 클리닝 공정의 일례이다.
본 실시 형태에서는, 제 2 클리닝 공정의 가스로서 아르곤 가스가 공급되지만, 제 2 클리닝 공정에서 공급되는 가스는 이것에 한하지 않고, 헬륨(He), 크립톤(Kr), 제논(Xe) 등의 다른 불활성 가스이더라도 좋다. 또, 제 2 클리닝 공정에서는, 산소 가스 및 불소 가스를 포함하는 가스는 공급하지 않는다. 금속 함유 퇴적물이 산소 가스 및 불소 가스를 포함하는 가스에 의해 산화 및 불화되는 것을 방지하기 위해서이다.
제 2 클리닝 공정에서는, 제어부(100)는, 발광 센서(108)가 측정한 처리 용기(10) 내의 플라즈마 중의 발광 스펙트럼으로부터, 아르곤 가스의 플라즈마에 의해 스퍼터된 금속 함유 퇴적물의 발광 강도를 검출한다. 측정 대상의 금속 함유 퇴적물에는, 백금(Pt), 마그네슘(Mg), 탄탈럼(Ta), 코발트(Co) 및 루테늄(Ru)이 포함되더라도 좋다. 측정 대상의 금속 함유 퇴적물에는, MRAM 소자(2)에 포함되는 코발트(Co), 철(Fe), 붕소(B), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 망간(Mn), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 및 베이스막의 탄탈럼(Ta)의 적어도 어느 하나가 포함되더라도 좋다. 또, 탄탈럼의 퇴적물은, 예컨대, MRAM 소자(2)에 포함되는 탄탈럼(Ta)으로 이루어지는 베이스막을 오버 에칭했을 때에 발생한다.
제어부(100)는, 이러한 금속 함유 퇴적물의 발광 강도의 시간에 대한 기울기가 0이 되었을 때에 제 2 종점 검출로 판정한다. 도 7은 7매의 더미 웨이퍼에 대한 제 2 종점 검출의 결과를 나타내고 있다. 예컨대, 도 7의 제 2 종점 검출의 대상은, 도 7의 「b-1」의 266㎚의 백금(Pt), 「b-2」의 285㎚의 마그네슘(Mg) 및 탄탈럼(Ta), 「b-3」의 345㎚의 코발트(Co) 및 「b-4」의 373㎚의 루테늄(Ru)이다. 각 금속의 발광 강도의 시간에 대한 기울기가 거의 0이 되었을 때, 처리 용기(10) 내의 각 금속 함유 퇴적물은 거의 없다고 판정할 수 있다.
이와 같이 본 실시 형태의 제어부(100)는, 소정의 금속의 발광 강도의 시간에 대한 기울기가 거의 0이 되었을 때를 제 2 종점 검출로 판정함으로써, 클리닝 시간을 실제로 금속 함유 퇴적물을 거의 완전하게 제거하는 시간으로 최적화할 수 있다. 이것에 의해, 금속 함유 퇴적물을 거의 완전하게 제거한 후에 다음의 제 3 클리닝 공정으로 이행할 수 있다.
도 4로 돌아와서, 스텝 S24에 있어서 제어부(100)가 제 2 종점을 검출한 경우, 스텝 S26에 있어서 더미 웨이퍼가 반출되고, 스텝 S28에 있어서 다른 더미 웨이퍼가 반입된다. 이것에 의해, 도 5의 「b」에 나타내는 바와 같이 특히 제 2 클리닝 공정 중에 스퍼터에 의해 천정부로부터 떨어져 더미 웨이퍼 상에 퇴적된 카본이나 금속의 반응 생성물을 처리 용기 밖으로 신속하게 배출할 수 있다. 그 후, 도 5의 「c」에 나타내는 SiO2나 SiC 등의 실리콘 함유 퇴적물의 제거를 실행하는 다음의 제 3 클리닝 공정이 개시된다. 단, 스텝 S26 및 S28의 더미 웨이퍼의 교체 처리는 생략할 수 있다. 또한, 스텝 S26의 더미 웨이퍼의 추출을 실행한 후, 스텝 S28에서 새로운 더미 웨이퍼를 반입하는 처리를 생략하더라도 좋다.
(제 3 클리닝 공정 : 실리콘 함유 퇴적물의 제거)
도 4로 돌아와서, 스텝 S30으로 진행되어, 제 3 클리닝 공정이 실행된다. 제 3 클리닝 공정에서는, 처리 용기(10) 내에 사불화탄소(CF4) 가스 및 산소 가스를 포함하는 가스가 공급되고, 사불화탄소 가스 및 산소 가스를 주로 한 플라즈마가 생성된다. 생성한 플라즈마 중 주로 불소계 라디칼의 작용에 의해 실리콘(실리콘 산화막을 포함한다)의 퇴적물이 제거된다. 또, 본 공정은, 제 2 클리닝 공정 후에, 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 포함하는 가스를 공급하고, 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 실리콘 함유 퇴적물을 제거하는 제 3 클리닝 공정의 일례이다.
제 3 클리닝 공정에서는, 불소 함유 가스의 다른 예로서 불소 가스(F2), 삼불화질소 가스(NF3) 및 육불화유황 가스(SF6)를 공급하더라도 좋다. 또한, 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스와 함께 불활성 가스를 도입하더라도 좋다.
제 3 클리닝 공정에 있어서 도 5의 「c」의 「3. 실리콘 함유 퇴적물의 제거」를 거의 완전하게 행하기 위해, 제어부(100)는 실리콘의 발광 강도를 측정하여 제 3 종점 검출을 행한다. 예컨대, 도 8에서는, 7매의 더미 웨이퍼에 대한 제 3 종점 검출의 결과의 일례가 나타내어지고 있다. 제어부(100)는, 실리콘의 발광 강도의 시간에 대한 기울기가 0이 되었을 때에 제 3 종점 검출로 판정한다. 제 3 종점 검출이 제 3 클리닝 공정마다 실행됨으로써, 클리닝 시간이 실제로 실리콘 함유 퇴적물을 완전하게 제거할 수 있는 시간으로 최적화된다. 이것에 의해, 실리콘 함유 퇴적물을 완전하게 제거할 수 있다.
(시즈닝 공정 : 처리 용기 내의 분위기를 조정한다)
도 4로 돌아와서, 스텝 S32에 있어서 제어부(100)가 제 3 종점을 검출한 경우, 스텝 S34로 진행되어, 질소 가스 및 수소 가스를 포함하는 가스를 공급하고, 제 3 클리닝 공정에서 발생한 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 처리 용기 밖으로 제거한다(시즈닝 공정). 이것에 의해, 처리 용기 내의 분위기를 조정하고, 본 처리를 종료한다.
시즈닝 공정에서는, 수소 함유 가스를 포함하는 가스를 공급하면 된다. 예컨대, 시즈닝 공정에서는, 질소 가스, 수소 가스 및 아르곤 가스(Ar)를 공급하더라도 좋다. 또한, 공급하는 가스에 수소 함유 가스가 포함되어 있으면, 질소 함유 가스가 포함되지 않더라도 좋다. 또, 본 공정은, 제 3 클리닝 공정 후에, 수소 함유 가스를 포함하는 가스를 공급하고, 그 수소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 제거하는 제 4 클리닝 공정의 일례이다.
본 실시 형태와 관련되는 클리닝하는 방법을 사용하여 클리닝 및 시즈닝을 행한 후의 에칭 장치(1)에서, MRAM 소자(2)의 에칭을 실행한 결과의 일례를 도 9에 나타낸다. 도 9에는, MRAM 소자(2)의 에칭시의 백금(Pt : 266㎚)의 플라즈마 중의 발광 스펙트럼의 시간적 변화가 나타내어지고 있다. 도 9에는, 7매의 제품 웨이퍼의 에칭에 있어서 발광 스펙트럼의 피크, 다시 말해, 7매의 제품 웨이퍼에 있어서 MRAM 소자(2)의 백금층(Pt)의 에칭이 행해지고 있는 시간에 편차가 없는 것이 나타내어지고 있다. 이것에 의해, 본 실시 형태와 관련되는 클리닝하는 방법에 의해 에칭 레이트의 변동을 방지할 수 있는 것을 알 수 있다.
또, 도 9에서는, 백금층(Pt)의 에칭에 주목했지만, MRAM 소자(2)의 다른 금속층의 발광 스펙트럼을 측정하더라도 마찬가지로 에칭이 행해지고 있는 시간에 편차가 없는 것은 용이하게 예상된다. 도 10은 MRAM 소자(2)의 에칭시에 측정된 발광 스펙트럼의 일례를 나타낸다. 도 11은 MRAM 소자(2)의 클리닝시에 측정된 발광 스펙트럼의 일례를 나타낸다. 이것에 의하면, 에칭이 개시되고 나서 발광 스펙트럼의 피크가 생기는 차례는, 도 10에 나타내는 바와 같이 루테늄(Ru)→마그네슘(Mg) 및 탄탈럼(Ta)→코발트(Co)→백금(Pt)의 순서이다.
이것에 비하여, 클리닝이 개시되고 나서 발광 스펙트럼의 피크가 생기는 차례는, 에칭과 반대가 되어, 도 11에 나타내는 바와 같이 백금(Pt)→코발트(Co)→마그네슘(Mg) 및 탄탈럼(Ta)→루테늄(Ru)의 순서이다. 따라서, 에칭시에 가장 새롭게 퇴적된 퇴적물로부터 차례로 클리닝에 의해 제거되고 있는 것을 알 수 있다.
이상, 본 실시 형태와 관련되는 클리닝하는 방법에 의하면, 클리닝 공정마다 특정한 가스를 공급하여 특정한 플라즈마에 의해 클리닝을 행한다. 또한, 클리닝 공정마다 발광 스펙트럼에 근거하는 종점 검출이 실행된다. 이것에 의해, 에칭이 되었을 때에 발생한 복수 종류의 상이한 적층막을 차례로 제거할 수 있다.
또, 상기의 종점 검출은, 질량 가스 분석계나 2차 이온 질량 분석(SIMS)계를 이용하더라도 좋고, 이러한 계측기와 동일한 이온 검출 원리의 분석계를 이용하더라도 좋다.
이상으로 설명한 바와 같이, 본 실시 형태와 관련되는 클리닝하는 방법에 의하면, MRAM 소자의 금속막을 에칭 후의 처리 용기(10) 내의 카본, 금속, 실리콘 함유 퇴적물을 효율적으로 제거할 수 있다. 이것에 의해, 처리 용기 내의 파츠 상에 금속 성분 및 카본 성분이 잔류하는 것에 의해 생기는 마이크로 마스크를 없앨 수 있고, 파츠 표면의 러프니스의 안정과 파티클의 발생을 효율적으로 억제하고, 파츠의 수명을 늘릴 수 있다. 또한, 본 실시 형태와 관련되는 클리닝하는 방법에 의하면, 1매 또는 복수 매의 제품 웨이퍼의 에칭 후에 카본, 금속, 실리콘의 성분을 각각의 클리닝 가스에 의해 각각 클리닝하는 공정을 마련하는 것에 의해 효율적으로 제거할 수 있다. 이 때문에, 에칭 레이트가 변동하지 않고, 장기 운용에 있어서의 안정된 에칭 컨디션을 유지할 수 있다.
또한, 제어부(100)가 발광 스펙트럼에 근거하는 종점 검출을 실행함으로써, 발광 센서(108)의 검출치에 따라 클리닝 시간의 최적치를 산출할 수 있다. 이것에 의해, 제 1~제 3 종점 검출의 시간에 근거하여, 클리닝 시간의 자동 제어를 행할 수 있다.
클리닝 시간의 최적화에 대하여, 도 12를 이용하여 간단하게 설명한다. 도 12에서는, 실리콘(Si : 252㎚), 백금(Pt : 266㎚), 마그네슘(Mg : 285㎚), 코발트(Co : 345㎚), 루테늄(Ru : 373㎚)의 발광 스펙트럼의 일례가 나타내어지고 있다. 본 예에서는, 제어부(100)는, 실리콘과 상기의 금속의 전부의 발광 강도의 시간에 대한 기울기가 거의 0이 되는 800초를 클리닝 시간의 최적치로서 산출하고, 제 2 및 제 3 클리닝 공정에 있어서의 클리닝 시간을 800초로 제어한다. 이것에 의해, 클리닝 시간의 자동 제어를 행할 수 있다.
이상, 클리닝 방법 및 그 클리닝 방법을 포함하는 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 방법을 상기 실시 형태에 의해 설명했지만, 본 발명과 관련되는 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 방법은 상기 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시 형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다.
예컨대, 상기 실시 형태에서는, 제 1 자성층과 제 2 자성층 사이에 절연층을 두고 적층된 금속을 포함하는 막의 MRAM을 에칭한 에칭 장치(1)의 처리 용기의 내부를 클리닝하는 방법에 대하여 설명했다. 그렇지만, 에칭 대상막은, MRAM으로 한정되지 않고, 금속을 포함하는 막 또는 금속막을 포함하는 다층막 재료이면 된다.
또한, 상기 실시 형태와 관련되는 클리닝 방법에서는, 제 1~제 4 클리닝 공정(시즈닝 공정을 포함한다)이 실행되었다. 그렇지만, 본 발명과 관련되는 클리닝 방법은 이것에 한하지 않고, 제 1 및 제 2 클리닝 공정이 실행되고, 제 3 및 제 4 클리닝 공정은 실행되지 않더라도 좋다.
이 경우, 수소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 카본 함유 퇴적물을 클리닝하는 제 1 클리닝 공정과, 제 1 클리닝 공정 후에, 불활성 가스를 공급하고, 그 불활성 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 금속 함유 퇴적물을 클리닝하는 제 2 클리닝 공정을 갖는 클리닝 방법이 실행된다. 제 1 클리닝 공정에 있어서 플라즈마 중의 주로 수소 라디칼의 화학 작용에 의해 카본 함유 퇴적물이 제거된다. 다음으로, 제 2 클리닝 공정에 있어서 플라즈마 중의 주로 아르곤 이온의 스퍼터에 의해 금속 함유 퇴적물이 물리적으로 떨어져 나와, 처리 용기(10) 밖으로 배출된다. 이와 같이 하여 종류가 상이한 퇴적물을 차례로 거의 완전하게 제거할 수 있고, 이것에 의해, 에칭 레이트의 변동, 파티클의 발생을 방지할 수 있고, 파츠의 수명을 늘릴 수 있다.
본 실시 형태와 관련되는 에칭 장치는, 본 발명과 관련되는 기판 처리 장치의 일례이다. 본 발명과 관련되는 기판 처리 장치에는, 용량 결합형 플라즈마(CCP : Capacitively Coupled Plasma) 장치뿐만이 아니라, 그 외의 기판 처리 장치를 적용할 수 있다. 그 외의 기판 처리 장치로서는, 유도 결합형 플라즈마(ICP : Inductively Coupled Plasma), 래디얼 라인 슬롯 안테나를 이용한 플라즈마 처리 장치, 헬리콘파 여기형 플라즈마(HWP : Helicon Wave Plasma) 장치, 전자 사이클로트론 공명 플라즈마(ECR : Electron Cyclotron Resonance Plasma) 장치 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명과 관련되는 기판 처리 장치에 의해 처리되는 기판은, 웨이퍼로 한정되지 않고, 예컨대, 플랫 패널 디스플레이(Flat Panel Display)용의 대형 기판, EL 소자 또는 태양 전지용의 기판이더라도 좋다.
또, MRAM 소자(2)의 에칭 가스로서 이용되는 탄소 함유 가스의 예에는, 메탄(CH4), 에틸렌(C2H4), 사불화탄소(CF4), 불화카보닐(COF2), 일산화탄소(CO), 메탄올(CH3OH), 에탄올(C2H5OH), 아세틸아세톤(C5H8O2), 헥사플루오로아세틸아세톤(C5H2F6O2), 아세트산(CH3COOH), 피리딘(C5H5N), 및/또는 포름산(HCOOH) 등이 있지만, 이것으로 한정되지 않는다.
본 국제 출원은, 2015년 5월 14일에 출원된 일본 특허 출원 2015-098867호에 근거하는 우선권을 주장하는 것이고, 그 전체 내용을 본 국제 출원에 원용한다.
1 : 에칭 장치
2 : MRAM 소자
3 : 하부 전극층
4 : 핀 고정층
5 : 제 2 자성층
6 : 절연층
7 : 제 1 자성층
8 : 상부 전극층
9 : 마스크
10 : 처리 용기
12 : 금속 적층막
15 : 가스 공급원
20 : 탑재대
25 : 가스 샤워 헤드
32 : 제 2 고주파 전원
34 : 제 1 고주파 전원
100 : 제어부
103 : 포커스 링
106 : 정전 척
108 : 발광 센서
Dp : 퇴적물
W : 실리콘 기판

Claims (10)

  1. 기판 상에 형성된 금속을 포함하는 막을 에칭하는 기판 처리 장치를 클리닝하는 방법으로서,
    수소 함유 가스를 포함하는 가스를 공급하고, 상기 수소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해, 상기 기판 처리 장치의 처리 용기 내에 형성된 카본 함유 퇴적물을 제거하는 제 1 클리닝 공정과,
    상기 제 1 클리닝 공정 후에, 불활성 가스를 공급하고, 상기 불활성 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해, 상기 처리 용기 내에 형성된 금속 함유 퇴적물을 제거하는 제 2 클리닝 공정과,
    상기 제 2 클리닝 공정 후에, 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 포함하는 가스를 공급하고, 상기 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해, 상기 처리 용기 내에 형성된 실리콘 함유 퇴적물을 제거하는 제 3 클리닝 공정
    을 갖는 클리닝 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 클리닝 공정 후에, 수소 함유 가스를 포함하는 가스를 공급하고, 상기 수소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 제거하는 제 4 클리닝 공정을 갖는 클리닝 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 클리닝 공정에 있어서 CN의 발광 강도에 근거하여 제 1 종점 검출을 행한 후에 상기 제 2 클리닝 공정을 개시하는 클리닝 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 클리닝 공정에 있어서 Pt, Mg, Ta, Co 및 Ru의 적어도 어느 하나의 발광 강도에 근거하여 제 2 종점 검출을 행한 후에 상기 제 3 클리닝 공정을 개시하는 클리닝 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 3 클리닝 공정에 있어서 Si의 발광 강도에 근거하여 제 3 종점 검출을 행한 후에 상기 제 4 클리닝 공정을 개시하는 클리닝 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 클리닝 공정에 있어서 CN의 발광 강도에 근거하여 행하는 제 1 종점 검출의 시간, 상기 제 2 클리닝 공정에 있어서 Pt, Mg, Ta, Co 및 Ru의 적어도 어느 하나의 발광 강도에 근거하여 행하는 제 2 종점 검출의 시간, 및 상기 제 3 클리닝 공정에 있어서 Si의 발광 강도에 근거하여 행하는 제 3 종점 검출의 시간에 근거하여, 클리닝 시간의 자동 제어를 행하는 클리닝 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 클리닝 공정 전에 더미 웨이퍼를 반입하고,
    상기 제 2 클리닝 공정 후에 상기 더미 웨이퍼를 반출하고 새로운 더미 웨이퍼를 반입하는
    클리닝 방법.
  8. 기판 상에 형성된 금속을 포함하는 막을 에칭하는 기판 처리 장치를 클리닝하는 방법으로서,
    수소 함유 가스를 포함하는 가스를 공급하고, 상기 수소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해, 상기 기판 처리 장치의 처리 용기 내에 형성된 카본 함유 퇴적물을 클리닝하는 제 1 클리닝 공정과,
    상기 제 1 클리닝 공정 후에, 불활성 가스를 공급하고, 상기 불활성 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해, 상기 처리 용기 내에 형성된 금속 함유 퇴적물을 클리닝하는 제 2 클리닝 공정
    을 갖는 클리닝 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 클리닝 공정에 있어서 CN의 발광 강도에 근거하여 제 1 종점 검출을 행한 후에 상기 제 2 클리닝 공정을 개시하는 클리닝 방법.
  10. 기판 처리 장치 내에서 에칭 가스에 의해, 기판 상에 형성된 금속을 포함하는 막을 에칭하는 공정과,
    상기 기판 처리 장치 내에 수소 함유 가스를 포함하는 가스를 공급하고, 상기 수소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해, 상기 기판 처리 장치의 처리 용기 내에 형성된 카본 함유 퇴적물을 제거하는 제 1 클리닝 공정과,
    상기 제 1 클리닝 공정 후에 상기 기판 처리 장치 내에 불활성 가스를 공급하고, 상기 불활성 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해, 상기 처리 용기 내에 형성된 금속 함유 퇴적물을 제거하는 제 2 클리닝 공정과,
    상기 제 2 클리닝 공정 후에 상기 기판 처리 장치 내에 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 포함하는 가스를 공급하고, 상기 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해, 상기 처리 용기 내에 형성된 실리콘 함유 퇴적물을 제거하는 제 3 클리닝 공정
    을 갖는 플라즈마 처리 방법.
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