KR102348437B1 - A pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip with bumpers by using a plurality of micro-holes and method for manufacturing the same - Google Patents

A pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip with bumpers by using a plurality of micro-holes and method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR102348437B1
KR102348437B1 KR1020210094210A KR20210094210A KR102348437B1 KR 102348437 B1 KR102348437 B1 KR 102348437B1 KR 1020210094210 A KR1020210094210 A KR 1020210094210A KR 20210094210 A KR20210094210 A KR 20210094210A KR 102348437 B1 KR102348437 B1 KR 102348437B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nozzle
semiconductor chip
bumper
cap
flow path
Prior art date
Application number
KR1020210094210A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
전상호
Original Assignee
시대테크 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시대테크 주식회사 filed Critical 시대테크 주식회사
Priority to KR1020210094210A priority Critical patent/KR102348437B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102348437B1 publication Critical patent/KR102348437B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H05K13/0404—Pick-and-place heads or apparatus, e.g. with jaws
    • H05K13/0408—Incorporating a pick-up tool
    • H05K13/0409—Sucking devices

Abstract

The present invention relates to a pickup device for uniformly sucking a semiconductor chip with bumpers by using a plurality of micro-holes. The pickup device comprises: a nozzle formed to be in contact with the bumper of a semiconductor chip to adsorb the bumper; a cap having an opened center part for inserting and fixing the nozzle; and a housing having the cap formed in its center and being detachable to a driving unit for transporting the semiconductor chip.

Description

다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치 및 그 제조방법{A pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip with bumpers by using a plurality of micro-holes and method for manufacturing the same}A pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip with bumpers by using a plurality of micro-holes and method for manufacturing the same}

본 발명은 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼에 형성된 반도체 칩을 픽업할 때 균일한 흡입력을 통해 칩 및 범퍼의 손상을 감소시킬 수 있는 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon by using a plurality of microholes and a method for manufacturing the same, and more particularly, through a uniform suction force when picking up a semiconductor chip formed on a wafer. The present invention relates to a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon using a plurality of micro-holes capable of reducing chip and bumper damage, and a method for manufacturing the same.

반도체 집적회로의 패키징 기술 중 3차원 적층 기술은 전자소자의 크기를 줄이는 동시에 실장 밀도를 높이며 그 성능을 향상시킬 수 있는 목표를 두고 개발되어 왔으며, 이러한 3차원 적층 패키지는 동일한 기억 용량의 칩을 복수개 적층한 패키지로서, 이를 통상 적층 칩 패키지(Stack Chip Package)라 한다.Among the packaging technologies of semiconductor integrated circuits, the three-dimensional stacking technology has been developed with the goal of reducing the size of electronic devices while increasing the mounting density and improving their performance. As a stacked package, this is usually referred to as a stack chip package.

적층 칩 패키지의 기술은 단순화된 공정으로 패키지의 제조 단가를 낮출 수 있으며, 또한 대량 생산 등의 이점이 있는 반면, 적층되는 칩의 수 및 크기 증가에 따른 패키지 내부의 전기적 연결을 위한 배선 공간이 부족하다는 단점이 있다.The stacked chip package technology can reduce the manufacturing cost of the package through a simplified process and has advantages such as mass production, but lack of wiring space for electrical connection inside the package due to the increase in the number and size of stacked chips There is a downside to that.

즉, 기존의 적층 칩 패키지는, 기판의 칩 부착영역에 복수의 칩이 부착된 상태에서, 각 칩의 본딩패드와 기판의 전도성 회로패턴 간에 와이어로 통전 가능하게 연결된 구조로 제조됨에 따라, 와이어 본딩을 위한 공간이 필요하고, 또한 와이어가 연결되는 기판의 회로패턴 면적이 필요하여, 결국 반도체 패키지의 크기가 증가되는 단점이 있다.That is, the conventional stacked chip package is manufactured in a structure in which a plurality of chips are attached to the chip attachment region of the substrate and electrically connected with a wire between the bonding pad of each chip and the conductive circuit pattern of the substrate. There is a disadvantage in that a space is required for this, and an area of a circuit pattern of a substrate to which a wire is connected is required, which results in an increase in the size of the semiconductor package.

최근에는 와이어를 이용해 칩을 연결했던 적층 기술인 와이어 본딩(wire bonding)을 대체하는 TSV(through silicon via, 실리콘 관통전극) 기술을 이용하고 있으며, 칩에 미세한 구멍(via)을 뚫은 후 범퍼를 형성시켜 상단 칩과 하단 칩이 범퍼로 연결하게 된다.Recently, TSV (through silicon via) technology is being used to replace wire bonding, which is a stacking technology that used wires to connect chips. The upper chip and the lower chip are connected by a bumper.

이는 추가적인 공간을 요구하지 않아 패키지 크기를 소형화할 수 있고, 칩 간의 상호접속(interconnection) 길이를 감소시킬 수 있다는 점에서 고집적도(high density)를 통한 전자부품의 소형화 및 빠른 신호전달, 고용량, 저전력에 유리하다.Since it does not require additional space, the package size can be miniaturized and the interconnection length between chips can be reduced in terms of miniaturization of electronic components and fast signal transmission, high capacity, and low power through high density. advantageous to

특히 TSV는 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)를 관통하는 미세 홀(via)을 형성한 후, 홀 내부에 전도성 물질(conductive materials)을 충전시켜 범퍼를 형성하게 되므로 칩 내부에 직접적인 전기적 연결 통로를 확보할 수 있게 된다.In particular, the TSV forms a micro-via through a silicon wafer and then fills the hole with conductive materials to form a bumper, so a direct electrical connection path inside the chip can be secured. there will be

칩 내부에 직접 연결 통로가 확보되기 때문에 다수의 칩을 수직으로 적층할 때 와이어 본딩을 이용한 3차원 패키징에서의 I/O(input/output unit) 수의 제한, 단락 접촉 불량과 같은 문제점을 해결할 수 있다.Since a direct connection path is secured inside the chip, problems such as limitation of the number of input/output units (I/O) in 3D packaging using wire bonding and poor short-circuit contact can be solved when multiple chips are vertically stacked. have.

그러나 이러한 TSV 기술의 경우 웨이퍼에서 반도체 칩을 픽업할 때 칩의 외면으로 돌출되어 있는 범퍼가 픽업장치에 의해 가압되기 때문에 범퍼가 파손되거나 칩의 표면에 스크래치가 발생되고 있으며, 심한 경우 칩이 휘어지면서 파손되는 문제점이 있었다.However, in the case of such TSV technology, when the semiconductor chip is picked up from the wafer, the bumper is damaged or the chip surface is scratched because the bumper protruding to the outer surface of the chip is pressed by the pickup device. There was a problem with breakage.

또한 종래의 픽업장치는 평평한 상태에서 반도체 칩의 외면을 가압한 후 흡착하기 때문에 가압력에 의한 파손이 발생되고, 흡착 균일도가 일정하지 않아 흡착이 강한 부위와 약한 부위가 발생되어 이송 중 칩이 떨어지거나 칩이 휘어진 상태로 이송되어 불량이 발생되는 문제점이 있었다.In addition, the conventional pickup device presses the outer surface of the semiconductor chip in a flat state and then adsorbs it, so damage due to the pressing force occurs. There was a problem in that the chip was transferred in a bent state and a defect occurred.

종래의 픽업장치에 대해 설명하면 기존의 반도체 칩은 크기가 크기 때문에 반도체 칩을 흡착하기 위한 픽업장치의 흡착홀 지름도 크게 형성될 수 있었으며, 이에 따라 흡착홀이 타공되는 깊이도 깊게 형성할 수 있어 흡착 노즐을 가공하기가 용이하였다.When explaining the conventional pickup device, since the size of the conventional semiconductor chip is large, the diameter of the suction hole of the pickup device for adsorbing the semiconductor chip can be formed to be large, and thus the depth of the suction hole can be formed deeply. The adsorption nozzle was easy to machine.

또한 반도체 칩과 접촉되는 면에는 실리콘과 같이 탄성력 있는 재질을 이용하여 반도체 칩과 접촉되는 면의 충격을 완화시키도록 구성되어 있다.In addition, the surface in contact with the semiconductor chip is configured to alleviate the impact of the surface in contact with the semiconductor chip by using an elastic material such as silicon.

그러나 최근에는 기술 발달로 인해 반도체 칩의 크기가 작아지고 있으며 1*2mm 이하의 크기의 초소형 반도체 칩이 생산되고 있어 종래의 픽업장치로는 이러한 초소형 반도체 칩을 픽업할 수 없다는 문제점이 있었다.However, in recent years, the size of the semiconductor chip is getting smaller due to technological development, and micro semiconductor chips having a size of 1*2 mm or less are being produced.

특히 반도체 칩의 크기가 작아짐에 따라 흡착 노즐의 크기 및 흡착홀의 크기도 작아지게 되는데, 흡착홀의 지름이 미세하게 형성됨에 따라 타공되는 깊이를 깊게 가공할 수 없게 되는 문제점이 있었고, 흡착홀이 타공된 상태를 확인할 수 있는 수단이 없다는 문제점이 있었다.In particular, as the size of the semiconductor chip decreases, the size of the suction nozzle and the size of the suction hole also become smaller. There was a problem that there was no means to check the status.

또한 각각의 흡착홀의 위치 및 거리에 따라 흡입력이 서로 달라 반도체 칩을 픽업할 때 흡착력이 균일하지 못하게 되는 문제점이 있었다.In addition, there is a problem in that the suction power is not uniform when picking up the semiconductor chip because the suction power is different depending on the position and distance of each suction hole.

또한 기존의 픽업장치는 충격을 흡수하기 위해 실리콘 재질과 같은 완충재를 흡착 노즐에 형성시키게 되는데, 흡착홀의 크기가 클 경우에는 완충재에 타공된 홀이 그대로 유지되나, 흡착홀이 미세하게 형성되는 경우에는 흡착력에 의해 오히려 완충재에 타공된 홀이 압축되면서 막혀 정상적인 픽업이 불가능하다는 문제점이 있었다.In addition, in the existing pickup device, a cushioning material such as silicon material is formed in the suction nozzle to absorb the impact. If the size of the suction hole is large, the hole perforated in the buffer material is maintained as it is, but if the suction hole is formed finely, There was a problem that normal pickup was impossible because the hole perforated in the cushioning material was compressed and blocked by the adsorption force.

한국실용신안 등록번호 제20-0463709호Korea Utility Model Registration No. 20-0463709

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 반도체 칩에 범퍼가 형성되어 있더라도 반도체 칩을 안정적으로 픽업할 수 있는 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention for solving the above problems is a pickup capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper by using a plurality of microholes capable of stably picking up a semiconductor chip even if a bumper is formed in the semiconductor chip. To provide an apparatus and a method for manufacturing the same.

또한 본 발명의 다른 목적은 반도체 칩을 픽업할 때 흡착되는 부위에서 발생하는 각각의 흡입력이 균일하게 발생되도록 하고 리크가 발생되지 않도록 하여 흡입력이 일정하게 유지될 수 있도록 하는 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention is to use a plurality of micro-holes so that each suction force generated at the adsorbed site is uniformly generated when the semiconductor chip is picked up, and the leakage is not generated so that the suction power can be maintained constant. An object of the present invention is to provide a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon, and a method for manufacturing the same.

또한 본 발명의 다른 목적은 반도체 칩을 픽업할 때 발생하는 손상을 방지하고 내마모성을 높이기 위해 전기적 특성이 없는 재질을 이용하여 장시간 사용할 수 있는 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention is to prevent damage that occurs when the semiconductor chip is picked up and to increase the abrasion resistance by using a material without electrical characteristics and using a plurality of micro-holes that can be used for a long time to uniformly uniformly spread the semiconductor chip in which the bumper is formed. It is to provide a pickup device capable of inhaling and a method for manufacturing the same.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치는 반도체 칩의 범퍼와 접촉되어 상기 범퍼를 흡착할 수 있도록 형성되는 노즐과, 상기 노즐이 내부에 삽입될 수 있도록 중앙이 개구되어 있고 상기 노즐을 고정시키는 캡과, 중앙에는 상기 캡이 형성되며 상기 반도체 칩을 이송시키기 위한 구동유닛에 탈부착될 수 있도록 형성되는 하우징으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.A pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon by using a plurality of microholes of the present invention for solving the above problems includes a nozzle formed so as to be in contact with the bumper of the semiconductor chip to adsorb the bumper; and a cap having an open center so that the nozzle can be inserted therein and fixing the nozzle, and a housing having the cap formed in the center and detachably attached to a driving unit for transporting the semiconductor chip. do it with

또한 본 발명의 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 상기 노즐은 상기 노즐의 일단에 형성되며 상기 범퍼의 중심축과 일치되는 위치에 외부 공기가 내부로 유입될 수 있도록 유로가 형성되어 있어 상기 범퍼와 접촉되면 흡입력을 이용하여 상기 범퍼를 흡착시키는 다수 개의 흡착유로와, 상기 노즐의 중단에 형성되며 상기 흡착유로와 연결되어 상기 흡착유로에 작용하는 흡입력을 균일하게 유지되도록 공동으로 형성되는 공동유로와, 상기 노즐의 타단에 형성되며 상기 공동유로와 상기 구동유닛을 연결시키고 상기 구동유닛에 의해 내부 공기를 배출하여 음압을 형성하는 음압유로로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the nozzle of the pickup device capable of uniformly sucking the semiconductor chip on which the bumper is formed by using the plurality of micro-holes of the present invention is formed at one end of the nozzle, and external air enters at a position coincident with the central axis of the bumper. a plurality of adsorption channels for adsorbing the bumper using a suction force when it comes into contact with the bumper, and a suction force that is formed at the middle of the nozzle and is connected to the adsorption channel and acts on the adsorption channel It characterized in that it consists of a common flow path formed in the cavity so as to maintain uniformity, and a negative pressure flow path formed at the other end of the nozzle, connecting the common flow path and the driving unit, and discharging internal air by the driving unit to form a negative pressure do it with

또한 본 발명의 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 상기 공동유로는 단면이 정사각형, 직사각형, 역삼각형, 원형, 타원 중 어느 하나로 이루어져 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the common flow path of the pickup device capable of uniformly sucking the semiconductor chip on which the bumper is formed by using the plurality of microholes of the present invention is characterized in that the cross section is made of any one of a square, a rectangle, an inverted triangle, a circle, and an ellipse. do.

또한 본 발명의 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 상기 노즐의 재질은 WC-Ni 계열의 비자성 초경합금으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the material of the nozzle of the pickup device capable of uniformly sucking the semiconductor chip on which the bumper is formed by using the plurality of micro-holes of the present invention is characterized in that it is made of WC-Ni series non-magnetic cemented carbide.

또한 본 발명의 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 상기 노즐의 외면과 상기 캡 내면 사이의 공간에는 접착제가 도포되어 상기 노즐과 상기 캡이 결합될 수 있도록 형성되고, 상기 노즐의 타단 외면에는 내측 방향으로 파여지는 접착홈이 형성되어 있어 상기 접착제가 접촉되는 면적을 증가시켜 접착강도 및 리크(LEAK)를 방지할 수 있는 것을 특징으로 한다.In addition, an adhesive is applied to the space between the outer surface of the nozzle and the inner surface of the cap of the pickup device capable of uniformly sucking the semiconductor chip on which the bumper is formed by using the plurality of microholes of the present invention so that the nozzle and the cap are coupled. It is formed in such a way that the nozzle has an adhesive groove digging inwardly formed on the outer surface of the other end of the nozzle to increase the area in contact with the adhesive, thereby preventing adhesive strength and leakage.

또한 본 발명의 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 상기 노즐의 일단은 칩 이송 및 본딩 공정시 간섭 상태에 따라 상기 캡의 일단에 일치되도록 삽입되거나 상기 캡의 일단보다 외면으로 돌출되는 것을 특징으로 한다.In addition, one end of the nozzle of the pickup device capable of uniformly sucking the semiconductor chip on which the bumper is formed by using the plurality of micro-holes of the present invention is inserted to match one end of the cap according to the interference state during chip transfer and bonding process, or It is characterized in that it protrudes outward from one end of the cap.

본 발명의 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 제조방법은 노즐의 중단 전면에서 배면을 향해 관통되도록 개구시켜 공동유로를 형성하는 제1유로 형성단계와, 반도체 칩을 흡착할 수 있도록 상기 노즐의 일단에서 상기 공동유로를 향해 내측으로 관통되는 다수의 흡착유로를 형성하는 제2유로 형성단계와, 흡입력을 부여할 수 있도록 상기 노즐의 타단에서 상기 공동유로를 향해 내측으로 관통되는 하나의 음압유로를 형성하는 제3유로 형성단계와, 상기 노즐을 중앙에 수용할 수 있도록 형성된 캡에 상기 흡착유로, 상기 공동유로, 상기 음압유로가 형성된 상기 노즐을 삽입하여 상기 공동유로의 개구된 면을 밀폐시키는 조립단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The method of manufacturing a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon by using a plurality of microholes according to the present invention is a first flow path forming step of forming a common flow path by opening a nozzle to penetrate from the front side to the rear side. and a second flow passage forming step of forming a plurality of adsorption passages passing inwardly toward the common passage from one end of the nozzle so as to adsorb the semiconductor chip; A third flow passage forming step of forming one negative pressure passage passing inward toward the passage, and inserting the nozzle in which the adsorption passage, the common passage, and the negative pressure passage are formed in a cap formed to accommodate the nozzle in the center It characterized in that it comprises an assembly step of sealing the open surface of the common flow path.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치 및 그 제조방법에 의하면, 반도체 칩에 범퍼가 형성되어 있더라도 반도체 칩을 안정적으로 픽업할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon using a plurality of micro-holes according to the present invention and a method for manufacturing the same, the semiconductor chip can be stably stored even when the bumper is formed on the semiconductor chip. It has the effect of being able to pick it up.

또한 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치 및 그 제조방법에 의하면, 반도체 칩을 픽업할 때 흡착되는 부위에서 발생하는 각각의 흡입력이 균일하게 발생되고 리크가 발생되지 않도록 하여 흡입력이 일정하게 유지될 수 있도록 하는 효과가 있다.In addition, according to the pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon using a plurality of microholes according to the present invention and a method for manufacturing the same, each suction force generated at the adsorbed portion when the semiconductor chip is picked up is uniform. It has the effect of keeping the suction power constant by preventing the occurrence of leaks.

또한 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치 및 그 제조방법에 의하면, 반도체 칩을 픽업할 때 발생하는 손상을 방지하고 내마모성을 높이기 위해 전기적 특성이 없는 재질을 이용하여 장시간 사용할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon using a plurality of microholes according to the present invention and a manufacturing method therefor, in order to prevent damage that occurs when the semiconductor chip is picked up and increase abrasion resistance, the electrical It has the effect of being able to use it for a long time by using a material without characteristics.

도 1은 범퍼가 형성된 반도체 칩을 나타낸 사시도.
도 2는 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 구조를 나타낸 사시도.
도 3은 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 노즐이 결합된 상태를 나타낸 사시도.
도 4는 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 노즐의 외형을 나타낸 저면도.
도 5는 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 노즐 내부 구조를 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 노즐의 타단 내부 구조를 나타낸 단면도.
도 7은 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 노즐이 캡 외부로 돌출된 모습을 나타낸 사시도.
도 8은 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 노즐이 캡 외부로 돌출된 상태를 나타낸 저면도.
도 9는 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 노즐이 캡 외부로 돌출된 상태의 내부 구조를 나타낸 단면도.
도 10은 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 제조방법을 나타낸 순서도.
도 11은 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 제조방법에서 가공되는 위치를 나타낸 조립도.
도 12는 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 외형을 나타낸 도면.
도 13은 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 제조방법에서 결합순서를 나타낸 참고도.1 is a perspective view showing a semiconductor chip on which a bumper is formed;
2 is a perspective view showing the structure of a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon using a plurality of microholes according to the present invention.
3 is a perspective view illustrating a state in which a nozzle of a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon using a plurality of fine holes according to the present invention is coupled thereto.
4 is a bottom view showing the outline of a nozzle of a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip on which a bumper is formed by using a plurality of micro-holes according to the present invention;
5 is a cross-sectional view showing the internal structure of a nozzle of a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip on which a bumper is formed using a plurality of micro-holes according to the present invention;
6 is a cross-sectional view illustrating an internal structure of the other end of a nozzle of a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon using a plurality of micro-holes according to the present invention;
7 is a perspective view illustrating a state in which a nozzle of a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip on which a bumper is formed by using a plurality of micro-holes according to the present invention protrudes out of a cap;
8 is a bottom view illustrating a state in which a nozzle of a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip on which a bumper is formed by using a plurality of micro-holes according to the present invention protrudes to the outside of the cap;
9 is a cross-sectional view illustrating the internal structure of a nozzle of a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip on which a bumper is formed by using a plurality of micro-holes according to the present invention protruding outside the cap;
10 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip on which a bumper is formed using a plurality of microholes according to the present invention.
11 is an assembly view showing a machining position in the method of manufacturing a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon using a plurality of micro-holes according to the present invention;
12 is a view showing the external appearance of a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon using a plurality of micro-holes according to the present invention.
13 is a reference view showing a coupling sequence in a method of manufacturing a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon using a plurality of micro-holes according to the present invention.

본 발명의 구체적 특징 및 이점들은 이하에서 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이에 앞서 본 발명에 관련된 기능 및 그 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 구체적인 설명을 생략하기로 한다.Specific features and advantages of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. Prior to this, when it is determined that a detailed description of a function and a configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.

본 발명은 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼에 형성된 반도체 칩을 픽업할 때 균일한 흡입력을 통해 칩 및 범퍼의 손상을 감소시킬 수 있는 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon by using a plurality of microholes and a method for manufacturing the same, and more particularly, through a uniform suction force when picking up a semiconductor chip formed on a wafer. The present invention relates to a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon using a plurality of micro-holes capable of reducing chip and bumper damage, and a method for manufacturing the same.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참고로 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 범퍼가 형성된 반도체 칩을 나타낸 사시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 구조를 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a semiconductor chip having a bumper formed thereon, and FIG. 2 is a perspective view illustrating a structure of a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon using a plurality of micro-holes according to the present invention.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치는 반도체 칩(1)의 범퍼(2)와 접촉되어 범퍼(2)를 흡착할 수 있도록 단일체로 형성되는 노즐(200)과, 노즐(200)이 내부에 삽입될 수 있도록 중앙이 개구되어 있고 노즐(200)을 고정시키는 캡(110)과, 중앙에는 캡(110)이 형성되며 반도체 칩(1)을 이송시키기 위한 구동유닛(도시되지 않음)에 탈부착될 수 있도록 형성되는 하우징(100)으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.As shown in FIGS. 1 and 2 , the pickup device capable of uniformly sucking the semiconductor chip on which the bumper is formed using a plurality of microholes according to the present invention is in contact with the bumper 2 of the semiconductor chip 1 . A nozzle 200 formed as a single body to adsorb the bumper 2, a cap 110 having an open center so that the nozzle 200 can be inserted therein, and fixing the nozzle 200, and at the center The cap 110 is formed and it is characterized in that it consists of a housing 100 formed to be detachably attached to a driving unit (not shown) for transporting the semiconductor chip 1 .

반도체 칩(1)은 도 1에 도시된 바와 같은 형태로 이루어져 있으며 하부는 평판으로 이루어져 있고 상부에는 전극을 연결하기 위한 반구형으로 된 다수 개의 범퍼(2)가 형성되어 있으며, 칩의 실제 크기는 1*2mm 이하의 매우 작은 형태로 이루어져 있고, 범퍼(2)의 크기는 이보다 매우 작은 0.1mm 이하의 지름으로 이루어져 있다.The semiconductor chip 1 has a shape as shown in FIG. 1, the lower part is made of a flat plate, and a plurality of hemispherical bumpers 2 for connecting electrodes are formed on the upper part, and the actual size of the chip is 1 * It consists of a very small shape of 2 mm or less, and the size of the bumper 2 is made of a diameter of 0.1 mm or less, which is much smaller than this.

노즐(200)은 반도체 칩(1)과 직접 접촉되어 흡입력에 의해 칩을 이송하기 위해 사용되는 것으로, 제조되는 칩의 크기 및 모델에 맞춰 형성되고 범퍼(2)의 위치에 따라 공기가 흡입되는 흡착유로(210)의 위치도 달라진다.The nozzle 200 is in direct contact with the semiconductor chip 1 and is used to transfer the chip by suction force, is formed according to the size and model of the chip to be manufactured, and the air is sucked according to the position of the bumper 2 . The position of the flow path 210 is also changed.

노즐(200)은 하우징(100)에 중앙에 형성된 캡(110)에 삽입되어 반도체 칩(1)을 하나씩 픽업하여 이송할 수 있게 되며, 캡(110)은 하우징(100)의 중앙에서 외면으로 돌출되어 있어 노즐(200)이 칩과 접촉될 때 하우징(100)이 픽업되는 주변의 칩과 접촉되지 않도록 방지할 수 있게 된다.The nozzle 200 is inserted into the cap 110 formed in the center of the housing 100 to pick up and transport the semiconductor chips 1 one by one, and the cap 110 protrudes from the center of the housing 100 to the outer surface. Thus, when the nozzle 200 comes into contact with the chip, it is possible to prevent the housing 100 from coming into contact with the surrounding chip to be picked up.

캡(110)은 중앙에 관통되는 홀이 형성되어 있어 노즐(200)이 내부로 삽입될 수 있도록 형성되며, 노즐(200)은 캡(110)에 의해 위치가 고정된 상태로 하우징(100)을 따라 이동할 수 있게 된다.The cap 110 has a hole in the center so that the nozzle 200 can be inserted therein, and the nozzle 200 holds the housing 100 in a state where the position is fixed by the cap 110 . can move along.

이때 노즐(200)의 모서리에 라운드가 형성되어 있는 경우에는 캡(110)의 중앙에 관통되는 홀의 모서리도 라운드 처리되는 것이 바람직하며, 노즐(200)의 모서리가 직각으로 형성되어 있는 경우에는 캡(110)의 중앙에 관통되는 홀의 모서리에 원형의 언더컷(111)이 형성되어 있는 것이 바람직하다. At this time, when a round is formed at the edge of the nozzle 200, it is preferable that the edge of the hole passing through the center of the cap 110 is also rounded, and when the edge of the nozzle 200 is formed at a right angle, the cap ( It is preferable that a circular undercut 111 is formed at the edge of the hole passing through the center of 110).

하우징(100)은 반도체 칩(1)을 픽업하기 위해 구동되는 구동유닛(도시되지 않음)에 탈부착될 수 있도록 형성되어 있어 제조되는 반도체 칩(1)의 크기나 형상, 모델에 맞춰 교체하여 사용할 수 있게 된다.The housing 100 is formed to be detachably attached to a driving unit (not shown) driven to pick up the semiconductor chip 1 , so it can be replaced and used according to the size, shape, or model of the semiconductor chip 1 to be manufactured. there will be

여기서 구동유닛(도시되지 않음)은 웨이퍼에 형성된 반도체 칩(1)을 픽업하기 위해 하우징(100)의 위치를 가변시키고 흡입력을 부여하기 위해 노즐(200) 내부의 공기를 흡입하여 진공압을 형성할 수 있는 것을 의미한다.Here, the driving unit (not shown) changes the position of the housing 100 to pick up the semiconductor chip 1 formed on the wafer and sucks air inside the nozzle 200 to apply a suction force to form a vacuum pressure. means you can

예를 들어 구동유닛(도시되지 않음)은 다축로봇으로 이루어질 수 있으며, 하우징(100)이 다축로봇에 장착된 후 다축로봇에 의해 이동 및 칩을 흡착하면서 반도체 칩(1)을 하나씩 이송시킬 수 있다.For example, the driving unit (not shown) may be formed of a multi-axis robot, and after the housing 100 is mounted on the multi-axis robot, the semiconductor chips 1 can be transported one by one while moving and adsorbing the chips by the multi-axis robot. .

또한 하우징(100)에는 구동유닛(도시되지 않음)에 결합할 수 있도록 다수 개의 체결홀(120)이 형성되어 있으며, 체결홀(120)은 구동유닛(도시되지 않음)에 하우징(100)이 장착될 때 장착 위치를 보정하기 위해 일측은 원형 타측은 모서리가 둥근 사각형 형태로 이루어져 있다.In addition, a plurality of fastening holes 120 are formed in the housing 100 to be coupled to the driving unit (not shown), and the fastening holes 120 are mounted on the housing 100 to the driving unit (not shown). In order to correct the mounting position when it is done, one side is round and the other side is made in the form of a rectangle with rounded corners.

따라서 구동유닛(도시되지 않음)에 하우징(100)을 장착할 때 일측과 타측의 체결홀(120)과 구동유닛(도시되지 않음)에 장착되는 부위가 일치되지 않은 경우 일측 체결홀(120)에 먼저 위치를 맞춘 후 타측 체결홀(120)을 통해 구동유닛(도시되지 않음)의 체결 부위에 맞춰 체결할 수 있게 된다.Therefore, when the housing 100 is mounted on the driving unit (not shown), when the fastening holes 120 of one side and the other side and the parts to be mounted on the driving unit (not shown) do not match, one side of the fastening hole 120 is First, after aligning the position, it can be fastened according to the fastening part of the driving unit (not shown) through the other fastening hole 120 .

도 3은 본 발명에 따른 균일한 흡착력을 이용하여 반도체 칩을 손상 없이 이송시킬 수 있는 픽업장치의 노즐(200)이 결합된 상태를 나타낸 사시도이고, 도 4는 본 발명에 따른 균일한 흡착력을 이용하여 반도체 칩을 손상 없이 이송시킬 수 있는 픽업장치의 노즐(200)의 외형을 나타낸 저면도이며, 도 5는 본 발명에 따른 균일한 흡착력을 이용하여 반도체 칩을 손상 없이 이송시킬 수 있는 픽업장치의 노즐(200) 내부 구조를 나타낸 단면도이다.3 is a perspective view showing a state in which a nozzle 200 of a pickup device capable of transferring a semiconductor chip without damage using a uniform suction force according to the present invention is coupled, and FIG. 4 is a uniform suction force according to the present invention. Thus, it is a bottom view showing the outer shape of the nozzle 200 of the pickup device capable of transporting semiconductor chips without damage, and FIG. 5 is a pickup device capable of transporting semiconductor chips without damage by using the uniform suction force according to the present invention. It is a cross-sectional view showing the internal structure of the nozzle 200.

도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 균일한 흡착력을 이용하여 반도체 칩을 손상 없이 이송시킬 수 있는 픽업장치의 노즐(200)은 노즐(200)의 일단에 형성되며 범퍼(2)의 중심축과 일치되는 위치에 외부 공기가 내부로 유입될 수 있도록 유로가 형성되어 있어 범퍼(2)와 접촉되면 흡입력을 이용하여 범퍼(2)를 흡착시키는 다수 개의 흡착유로(210)와, 노즐(200)의 중단에 형성되며 흡착유로(210)와 연결되어 흡착유로(210)에 작용하는 흡입력을 균일하게 유지되도록 공동으로 형성되는 공동유로(220)와, 노즐(200)의 타단에 형성되며 공동유로(220)와 구동유닛(도시되지 않음)을 연결시키고 구동유닛(도시되지 않음)에 의해 내부 공기를 배출하여 음압을 형성하는 음압유로(230)로 이루어지는 것을 특징으로 한다.3 to 5, the nozzle 200 of the pickup device capable of transporting semiconductor chips without damage by using a uniform adsorption force according to the present invention is formed at one end of the nozzle 200 and the bumper 2 ) at a position coincident with the central axis, a flow path is formed so that external air can be introduced into the inside, so that when it comes into contact with the bumper 2, a plurality of adsorption flow paths 210 for adsorbing the bumper 2 using suction force; A common flow path 220 formed in the middle of the nozzle 200 and connected to the suction flow path 210 so as to uniformly maintain the suction force acting on the suction flow path 210, and formed at the other end of the nozzle 200 and a negative pressure flow path 230 that connects the common flow path 220 and the driving unit (not shown) and discharges internal air by the driving unit (not shown) to form a negative pressure.

공동유로(220)는 단면이 정사각형, 직사각형, 역삼각형, 원형, 타원 중 어느 하나로 이루어져 있는 것을 특징으로 한다.The common flow path 220 is characterized in that the cross section consists of any one of a square, a rectangle, an inverted triangle, a circle, and an ellipse.

노즐(200)은 반도체 칩(1)의 범퍼(2)와 접촉되는 면에는 내부를 향해 관통되는 다수 개의 흡착유로(210)가 형성되어 있으며, 흡착유로(210)는 반구형으로 된 범퍼(2)의 중심축과 일치되는 위치에 형성되어 범퍼(2)와 접촉되면 범퍼(2)를 흡착하여 반도체 칩(1)을 이송할 수 있게 된다.The nozzle 200 is formed with a plurality of adsorption passages 210 penetrating toward the inside of the surface in contact with the bumper 2 of the semiconductor chip 1, and the adsorption passages 210 have a hemispherical bumper (2). When it is formed at a position coincident with the central axis of the bumper 2 and comes into contact with the bumper 2 , the semiconductor chip 1 can be transported by adsorbing the bumper 2 .

이때 흡착유로(210)의 개수는 4개 이상으로 형성되는 것이 좋으나, 흡착유로(210)는 범퍼(2)보다 많이 형성되어 있을수록 흡착될 수 있는 면적이 증가되므로 많이 형성될수록 흡입력을 증대시킬 수 있다.At this time, it is preferable that the number of the adsorption passages 210 be formed to be four or more, but the more the absorption passages 210 are formed than the bumper 2, the greater the area that can be adsorbed. have.

또한 흡착유로(210)는 범퍼(2)와 접촉되었을 때 범퍼(2)의 중앙에 위치되어 범퍼(2)에 밀착되어 흡착시킬 수 있는 것이 가장 좋으며, 흡착유로(210)가 범퍼(2)보다 많이 형성되어 있는 경우 범퍼(2)의 정중앙에 위치되지 않더라도 하나의 범퍼(2)에 다수 개의 흡착유로(210)가 접촉되기 때문에 흡착될 수 있는 면적을 증가시킬 수 있게 된다.In addition, when the adsorption channel 210 is in contact with the bumper 2 , it is best to be positioned in the center of the bumper 2 to be in close contact with the bumper 2 to be adsorbed, and the adsorption channel 210 is better than the bumper 2 . When a large number is formed, the area that can be adsorbed can be increased because the plurality of adsorption passages 210 are in contact with one bumper 2 even if they are not located in the exact center of the bumper 2 .

공동유로(220)는 노즐(200) 내부에 공동으로 형성된 공간으로 다수 개의 흡착유로(210)에서 흡입되는 공기가 공동유로(220)를 통해 음압유로(230)로 배출될 수 있도록 형성되어 있다.The common flow path 220 is a space formed in a cavity inside the nozzle 200 and is formed so that air sucked from the plurality of adsorption flow paths 210 can be discharged to the negative pressure flow path 230 through the common flow path 220 .

이때 각각의 흡착유로(210)에서 공동유로(220)까지 연결되는 거리가 모두 동일하기 때문에 음압유로(230)에서 음압을 형성하면 흡착유로(210)에서 발생되는 흡입력에 의해 각각의 흡착유로(210)에서 발생되는 흡입력을 균일하게 발생시킬 수 있다.At this time, since the distances from each adsorption channel 210 to the common channel 220 are all the same, when a negative pressure is formed in the negative pressure channel 230 , each adsorption channel 210 is generated by the suction force generated in the adsorption channel 210 . ), the suction force generated in the

이에 따라 반도체 칩(1)을 흡착할 때 특정 부위의 흡입력이 너무 강하거나 특정부위가 너무 약해 칩이 불안정하게 흡착되는 것을 방지할 수 있으며, 균일한 흡입력에 의해 안정적으로 칩을 파지하여 이송시킬 수 있게 된다.Accordingly, when the semiconductor chip 1 is adsorbed, it is possible to prevent the chip from being adsorbed in an unstable manner because the suction force of a specific area is too strong or the specific area is too weak, and the chip can be stably gripped and transported by the uniform suction force. there will be

공동유로(220)는 노즐(200)의 전면과 배면을 관통시켜 내부에 공동을 형성하게 되며, 이에 따라 공동유로(220)는 전면과 배면이 개구된 상태로 이루어져 있고 일측면과 타측면은 캡(110)과 결합되고 고정되게 된다.The common flow path 220 penetrates the front and back surfaces of the nozzle 200 to form a cavity therein. Accordingly, the common flow path 220 has an open front and back side, and one side and the other side are capped. (110) is coupled and fixed.

이때 공동유로(220)의 개구된 전면과 배면은 캡(110)에 밀폐되어 노즐(200) 내부에서 공기가 누출되거나 노즐(200) 외부로부터 유입되지 않도록 방지할 수 있게 된다.At this time, the open front and rear surfaces of the common flow path 220 are sealed with the cap 110 to prevent air from leaking from the inside of the nozzle 200 or from flowing from the outside of the nozzle 200 .

또한 공동유로(220)의 공동 형상은 단면이 정사각형, 직사각형, 역삼각형, 원형, 타원으로도 구성될 수 있으며, 흡입되는 공기가 공동유로(220)를 통해 동시에 유입될 수 있다면 어떤 형태로 구현되어도 좋다.In addition, the cavity shape of the common flow path 220 may be configured as a square, rectangular, inverted triangle, circle, or ellipse in cross section, and may be implemented in any shape as long as the sucked air can be simultaneously introduced through the common flow path 220 . good.

특히 공동유로(220)는 음압유로(230)에서 음압이 형성될 때 공기가 공동유로(220)로 이동된 후 음압유로(230)로 배출되면서 흡입력이 형성되므로 흡착유로(210)에서 발생되는 흡입력이 균일함은 물론 흡입력이 강화되어 안정적으로 반도체 칩(1)을 흡착할 수 있게 된다.In particular, in the common flow path 220 , when a negative pressure is formed in the negative pressure flow path 230 , the air is moved to the common flow path 220 and discharged to the negative pressure flow path 230 to form a suction force, so the suction force generated in the adsorption flow path 210 . This uniformity, as well as the enhanced suction power, makes it possible to stably adsorb the semiconductor chip 1 .

또한 공동유로(220)를 흡착유로(210)에서 흡입되는 공기가 한꺼번에 흡입할 수 있으므로 흡입력이 균일해지고, 흡착성이 향상될 수 있게 된다.In addition, since the air sucked in the common flow path 220 from the adsorption flow path 210 can be sucked at once, the suction power becomes uniform and the adsorption property can be improved.

이를 통해 반도체 칩(1)의 범퍼(2)를 접촉한 상태로 이송할 때 범퍼(2)가 균일한 힘을 받아 흡착되므로 안정적으로 고정될 수 있으며, 각각의 흡착유로(210)에서 발생된 흡입력이 불균일하게 형성되어 불안정하게 흡착되는 현상을 방지할 수 있게 된다.Through this, when the bumper 2 of the semiconductor chip 1 is transported in a contact state, the bumper 2 receives a uniform force and is adsorbed, so it can be stably fixed, and the suction force generated by each adsorption passage 210 This non-uniform formation can prevent unstable adsorption.

음압유로(230)는 공동유로(220)와 구동유닛(도시되지 않음) 사이를 연결하여 구동유닛(도시되지 않음)에서 발생하는 흡입력에 의해 음압을 형성하기 위한 것이다.The negative pressure flow path 230 connects between the common flow path 220 and the driving unit (not shown) to form a negative pressure by suction force generated from the driving unit (not shown).

이때 음압유로(230)는 공동유로(220)의 크기보다 작게 형성되어 있어 흡입되는 공기의 유속을 증가시키는 것이 바람직하며, 도 2의 하우징(100) 후면까지 음압유로(230)가 연장되어 있어 구동유닛(도시되지 않음)과 결합될 수 있도록 하는 것이 바람직하다.At this time, the negative pressure flow path 230 is formed smaller than the size of the common flow path 220, so it is preferable to increase the flow rate of the sucked air. It is desirable to be able to couple with a unit (not shown).

또한 음압유로(230)의 끝단에는 구동유닛(도시되지 않음)과 연결되기 위한 별도의 체결구(도시되지 않음)가 마련되어 있는 것이 바람직하며, 체결구(도시되지 않음)를 통해 원터치로 연결되어 음압유로(230)와 구동유닛(도시되지 않음) 사이에 리크(LEAK)가 발생되지 않도록 하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that a separate fastener (not shown) for connection to the driving unit (not shown) is provided at the end of the negative pressure flow path 230 , and is connected with one touch through the fastener (not shown) to provide negative pressure It is preferable not to generate a leak between the flow path 230 and the driving unit (not shown).

구동유닛(도시되지 않음)은 흡착유로(210) 외부의 공기를 흡입하여 공동유로(220) 및 음압유로(230)를 통해 외부로 배출시키게 되고, 흡착유닛이 반도체 칩(1)의 범퍼(2)와 접촉되면 흡입되는 공기에 의해 흡입력이 발생되어 범퍼(2)가 노즐(200)에 흡착된 상태로 이동될 수 있게 된다.The driving unit (not shown) sucks air from the outside of the adsorption channel 210 and discharges it to the outside through the common channel 220 and the negative pressure channel 230 , and the adsorption unit is the bumper 2 of the semiconductor chip 1 . ), suction force is generated by the sucked air, so that the bumper 2 can be moved while being adsorbed by the nozzle 200 .

흡착된 반도체 칩(1)은 구동유닛(도시되지 않음)이 정지됨에 따라 내부에 공동유로(220)에 공기가 유입되면서 노즐(200)로부터 분리될 수 있게 된다.The adsorbed semiconductor chip 1 can be separated from the nozzle 200 as air flows into the common flow path 220 as the driving unit (not shown) is stopped.

또한 공동유로(220)는 음압유로(230)와 연결되는 부위의 면적이 점진적으로 감소되는 테이퍼 형태로 이루어져 있어 배출되는 공기의 와류발생을 억제하는 것을 특징으로 한다.In addition, the common flow path 220 is formed in a tapered shape in which the area of the portion connected to the negative pressure flow path 230 is gradually reduced, so as to suppress the occurrence of a vortex of the discharged air.

공동유로(220)는 단면이 사각형 형태로 이루어져 있고, 음압유로(230)는 원형관으로 이루어져 있는데, 공동유로(220)와 음압유로(230)가 연결되는 부위의 가장자리에는 공기가 체류되거나 와류가 발생되게 된다.The common flow path 220 has a rectangular shape in cross section, and the negative pressure flow path 230 is made of a circular tube. will occur

흡입력이 발생되는 시간을 단축시키기 위해 음압유로(230)와 연결되는 부위의 공동유로(220)는 단면적이 점진적으로 감소되어 공동유로(220)와 연결되도록 하는 것이 바람직하다.In order to shorten the time for generating the suction force, it is preferable that the cross-sectional area of the common flow path 220 connected to the negative pressure flow path 230 is gradually reduced to be connected to the common flow path 220 .

즉, 연결부위에 공기가 체류하지 않도록 테이퍼 형태로 형성시켜 공기의 유동이 자연스럽게 배출되도록 할 수 있으며, 이를 통해 흡입력이 발생되는 시간을 단축시켜 반도체 칩(1)을 빠르게 픽업할 수 있게 된다.That is, it is formed in a tapered shape so that the air does not stay in the connection part so that the flow of air can be naturally discharged, thereby shortening the time for generating the suction force, so that the semiconductor chip 1 can be quickly picked up.

또한 노즐(200)의 재질은 WC-Ni 계열의 비자성 초경합금, 스틸(Steel), 서스(SUS) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the material of the nozzle 200 is characterized in that it is made of any one of WC-Ni series non-magnetic cemented carbide, steel, and SUS.

노즐(200)은 비자성 초경합금으로 이루어져 있어 전기적 특성이 없어 반도체 칩(1)과 접촉되었을 때 정전기로 인해 발생되는 칩의 손상을 방지할 수 있게 되고, 내마모성이 강화되어 장시간 사용으로 발생되는 노즐(200) 표면의 변형을 방지할 수 있게 된다.The nozzle 200 is made of non-magnetic cemented carbide, so it has no electrical properties, so it is possible to prevent damage to the chip caused by static electricity when it comes into contact with the semiconductor chip 1, and the nozzle ( 200) It becomes possible to prevent deformation of the surface.

비자성 초경합금의 세부 조성비는 탄화 텅스턴(WC), 니켈(Ni) 및 기타 첨가물로 이루어져 있으며, 탄화 텅스턴(WC)이 82~85%, 니켈(Ni)이 13~16%, 기타 첨가물이 1~3%로 구성되어 있다.The detailed composition ratio of non-magnetic cemented carbide consists of tungsten carbide (WC), nickel (Ni) and other additives, tungsten carbide (WC) is 82~85%, nickel (Ni) is 13~16%, and other additives are It is made up of 1-3%.

여기서 기타 첨가물은 바나듐(V), 실리콘(Si), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 망간(Mn), 구리(Cu) 중 어느 하나 이상이 포함될 수 있다.Here, other additives may include any one or more of vanadium (V), silicon (Si), chromium (Cr), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tin (Sn), manganese (Mn), and copper (Cu). have.

비자성 초경합금으로 제조된 노즐(200)은 내마모성이 높고, 분말형태로 파손되기 때문에 반도체 칩(1)을 픽업할 때 파손된 부위로 인해 반도체 칩(1)을 손상시키지 않을 수 있다.Since the nozzle 200 made of non-magnetic cemented carbide has high wear resistance and is broken in powder form, the semiconductor chip 1 may not be damaged due to the damaged portion when picking up the semiconductor chip 1 .

또한 노즐(200)은 반도체 칩(1)과 직접 접촉되기 때문에 전기적 특성이 좋은 재질이면 어떤 소재라도 이용이 가능하며, 바람직하게는 노즐(200)의 재질은 비자성 초경합금, 캡(110) 및 하우징(100)은 스틸 또는 서스 재질로 형성시켜 사용할 수 있다.In addition, since the nozzle 200 is in direct contact with the semiconductor chip 1, any material can be used as long as it has good electrical properties. Preferably, the material of the nozzle 200 is a non-magnetic cemented carbide, a cap 110 and a housing. (100) can be used by forming a steel or a suspension material.

필요에 따라 노즐(200)의 재질도 스틸이나 서스 재질로 형성시켜 반도체 칩(1)을 픽업할 수 있다.If necessary, the material of the nozzle 200 may also be made of steel or a suspension material to pick up the semiconductor chip 1 .

또한 노즐(200)의 외면과 캡(110) 내면 사이의 공간에는 접착제가 도포되어 노즐(200)과 캡(110)이 결합될 수 있도록 형성되어 있는데, 노즐(200)과 캡(110) 사이의 간격은 0.005~0.01mm의 매우 작은 공간으로 형성되며, 이 공간에 특수 경화 접착 본드가 도포됨으로써 노즐(200)과 캡(110)이 서로 결합될 수 있게 된다.In addition, an adhesive is applied to the space between the outer surface of the nozzle 200 and the inner surface of the cap 110 so that the nozzle 200 and the cap 110 can be coupled. The gap is formed in a very small space of 0.005 to 0.01 mm, and a special hardened adhesive bond is applied to this space so that the nozzle 200 and the cap 110 can be coupled to each other.

즉, 도 5에 도시된 접착부(300)는 두께가 크게 형성되어 있으나 이는 접착부(300)를 표현하기 위해 크게 나타낸 것일 뿐, 실질적으로 노즐(200)과 캡(110) 사이의 간격이 0.005~0.01mm이므로 틈새가 거의 없는 상태이다.That is, the adhesive part 300 shown in FIG. 5 is formed to have a large thickness, but this is only shown to be large to express the adhesive part 300 , and the gap between the nozzle 200 and the cap 110 is substantially 0.005 to 0.01 mm, so there is almost no gap.

또한 노즐(200)과 캡(110) 사이의 간격은 일단에서부터 점진적으로 간격이 증가되도록 형성되는데, 노즐(200) 캡(110)의 일단은 0.005mm로 형성되고 타단은 0.01mm로 형성되어 간격이 점진적으로 넓어질 수도 있다.In addition, the gap between the nozzle 200 and the cap 110 is formed such that the gap is gradually increased from one end, the nozzle 200, one end of the cap 110 is formed of 0.005 mm and the other end is formed of 0.01 mm, so that the gap is It may be progressively widened.

이때 접착제가 도포된 공간을 접착부(300)라고 표현하며, 접착부(300)는 노즐(200)의 외면을 따라 길이 방향으로 형성되어 캡(110)과 견고하게 결합된 상태로 유지시키는 것이 바람직하다.At this time, the space to which the adhesive is applied is referred to as the adhesive part 300 , and the adhesive part 300 is formed in the longitudinal direction along the outer surface of the nozzle 200 to maintain it firmly coupled to the cap 110 .

또한 반도체 칩(1)과 접촉되는 노즐(200)의 평탄도는 1~2 마이크로미터로 형성되어 있는 것이 바람직하며, 이를 통해 반도체 칩(1)과 접촉될 때 평행한 상태로 접촉될 수 있게 된다.In addition, the flatness of the nozzle 200 in contact with the semiconductor chip 1 is preferably formed to be 1 to 2 micrometers, and through this, when in contact with the semiconductor chip 1, the nozzle 200 can be in contact with the semiconductor chip 1 in a parallel state. .

도 6은 본 발명에 따른 균일한 흡착력을 이용하여 반도체 칩을 손상 없이 이송시킬 수 있는 픽업장치의 노즐(200)의 타단 내부 구조를 나타낸 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing the internal structure of the other end of the nozzle 200 of the pickup device capable of transferring a semiconductor chip without damage by using a uniform adsorption force according to the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 균일한 흡착력을 이용하여 반도체 칩을 손상 없이 이송시킬 수 있는 픽업장치의 노즐(200)의 외면과 캡(110) 내면 사이의 공간에는 접착제가 도포되어 노즐(200)과 캡(110)이 결합될 수 있도록 형성되고, 노즐(200)의 타단 외면에는 내측 방향으로 파여지는 접착홈(231)이 형성되어 있어 접착제가 접촉되는 면적을 증가시켜 접착강도 및 리크(LEAK)를 방지할 수 있는 것을 특징으로 한다.As shown in FIG. 6 , an adhesive is applied to the space between the outer surface of the nozzle 200 and the inner surface of the cap 110 of the pickup device capable of transporting semiconductor chips without damage by using the uniform adsorption force according to the present invention. It is formed so that the nozzle 200 and the cap 110 can be coupled, and an adhesive groove 231 digging inward is formed on the outer surface of the other end of the nozzle 200 to increase the area in contact with the adhesive to increase the adhesive strength and It is characterized in that it can prevent leakage.

노즐(200)과 캡(110) 사이의 공간에는 특수 경화 접착 본드가 도포되어 노즐(200)과 캡(110)이 화학적으로 결합되게 되는데, 노즐(200)의 타단에는 접착본드가 접촉될 수 있는 면적을 증가시키기 위해 다수 개의 접착홈(231)이 형성되어 있다.A special hardened adhesive bond is applied to the space between the nozzle 200 and the cap 110 to chemically bond the nozzle 200 and the cap 110, and the other end of the nozzle 200 may be in contact with the adhesive bond. A plurality of adhesive grooves 231 are formed to increase the area.

접착홈(231)은 노즐(200)의 외면에 형성되어 있으며, 내측을 향해 홈이 파여져 있는 형태로 이루어져 있어 접착제가 투입되면 노즐(200)과 캡(110)사이의 공간을 메우면서 접착홈(231)에 채워지게 된다.The adhesive groove 231 is formed on the outer surface of the nozzle 200, and has a shape in which the groove is cut inward. 231) is filled.

이때 접착홈(231)에 채워진 접착제는 노즐(200)과의 접촉면적이 증가되므로 노즐(200)과 결합되는 강도를 높일 수 있게 되고, 노즐(200)과 캡(110) 사이의 공간에서 발생되는 리크(LEAK)를 방지할 수 있게 된다.At this time, since the adhesive filled in the adhesive groove 231 increases the contact area with the nozzle 200 , it is possible to increase the strength combined with the nozzle 200 , and the adhesive generated in the space between the nozzle 200 and the cap 110 . Leak can be prevented.

또한 접착홈(231)은 노즐(200)에만 형성되는 것이 아니라 캡(110) 내면에도 형성될 수 있다.In addition, the adhesive groove 231 may be formed not only on the nozzle 200 but also on the inner surface of the cap 110 .

또한 노즐(200)과 캡(110) 사이의 간격은 0.005~0.01mm로 형성되어 있으나, 접착홈(231)이 형성된 부위의 간격은 0.05mm~0.1mm로 형성되어 있어 접착제가 접촉되는 면적을 증대시켜 접착강도를 높일 수 있게 된다.In addition, the interval between the nozzle 200 and the cap 110 is formed in a range of 0.005 to 0.01 mm, but the interval at the portion where the adhesive groove 231 is formed is formed in a range of 0.05 mm to 0.1 mm to increase the area in contact with the adhesive. This will increase the adhesive strength.

도 7은 본 발명에 따른 균일한 흡착력을 이용하여 반도체 칩을 손상 없이 이송시킬 수 있는 픽업장치의 노즐(200)이 캡(110) 외부로 돌출된 모습을 나타낸 사시도이고, 도 8은 본 발명에 따른 균일한 흡착력을 이용하여 반도체 칩을 손상 없이 이송시킬 수 있는 픽업장치의 노즐(200)이 캡(110) 외부로 돌출된 상태를 나타낸 저면도이며, 도 9는 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 노즐(200)이 캡(110) 외부로 돌출된 상태의 내부 구조를 나타낸 단면도이다.7 is a perspective view showing a state in which the nozzle 200 of the pickup device capable of transferring a semiconductor chip without damage by using a uniform suction force according to the present invention protrudes to the outside of the cap 110, and FIG. 8 is the present invention. It is a bottom view showing a state in which the nozzle 200 of the pickup device capable of transporting the semiconductor chip without damage by using the uniform adsorption force according to the present invention protrudes to the outside of the cap 110, and FIG. 9 is a plurality of microholes according to the present invention. It is a cross-sectional view showing the internal structure of the nozzle 200 of the pickup device capable of uniformly sucking the semiconductor chip on which the bumper is formed protruding out of the cap 110 by using the .

도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 균일한 흡착력을 이용하여 반도체 칩을 손상 없이 이송시킬 수 있는 픽업장치의 노즐(200) 일단은 칩 이송 및 본딩 공정시 간섭 상태에 따라 캡(110)의 일단에 일치되도록 삽입되거나 캡(110)의 일단보다 외면으로 돌출되는 것을 특징으로 한다.7 to 9, one end of the nozzle 200 of the pickup device capable of transporting semiconductor chips without damage using a uniform suction force according to the present invention is capped according to the interference state during chip transport and bonding process. It is characterized in that it is inserted to match one end of the (110) or protrudes outward from one end of the cap (110).

노즐(200) 일단은 반도체 칩(1)을 이송하거나 본딩 공정 중에 간섭이 발생유무에 따라 노즐(200)이 돌출되거나 또는 삽입된 상태로 사용될 수 있다.One end of the nozzle 200 may be used in a state in which the nozzle 200 is protruded or inserted depending on whether interference occurs during transport of the semiconductor chip 1 or during the bonding process.

반도체 칩(1)을 이송하거나 본딩 공정 중에 간섭이 발생할 경우에는 도 5와 같이 노즐(200)의 일단이 캡(110)의 일단과 동일한 위치에 형성되게 되며, 칩 이송 및 본딩시 간섭이 발생하지 않는 경우 도 9와 같이, 노즐(200) 일단은 캡(110)의 일단보다 외면으로 돌출되도록 하여 사용될 수 있게 된다.When the semiconductor chip 1 is transported or interference occurs during the bonding process, one end of the nozzle 200 is formed at the same position as the one end of the cap 110 as shown in FIG. 5 , and interference does not occur during chip transport and bonding. If not, as shown in FIG. 9 , one end of the nozzle 200 can be used by protruding outward from one end of the cap 110 .

노즐(200)이 돌출된 형태는 차이가 있으나 실질적인 내부 구조나 원리는 도 3 내지 6과 동일하므로 설명을 생략하기로 한다.Although there is a difference in the shape in which the nozzle 200 protrudes, the actual internal structure or principle is the same as that of FIGS. 3 to 6 , so a description thereof will be omitted.

도 10은 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼(2)가 형성된 반도체 칩(1)을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 제조방법을 나타낸 순서도이고, 도 11은 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼(2)가 형성된 반도체 칩(1)을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 제조방법에서 가공되는 위치를 나타낸 조립도이며, 도 12는 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩(1)을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 외형을 나타낸 도면이고, 도 13은 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼(2)가 형성된 반도체 칩(1)을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 제조방법에서 결합순서를 나타낸 참고도이다.10 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip 1 having a bumper 2 formed thereon using a plurality of micro-holes according to the present invention, and FIG. 11 is a plurality of micro-holes according to the present invention. It is an assembly view showing the machining position in the manufacturing method of a pickup device capable of uniformly sucking the semiconductor chip 1 on which the bumper 2 is formed using the micro-holes, and FIG. 12 is a plurality of micro-holes according to the present invention. It is a view showing the external appearance of a pickup device capable of uniformly sucking the semiconductor chip 1 having a bumper formed using 1) is a reference diagram showing the coupling sequence in the manufacturing method of a pickup device that can uniformly inhale.

도 10 내지 도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼(2)가 형성된 반도체 칩(1)을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 제조방법은 단일체로 된 노즐(200)의 중단 전면에서 배면을 향해 관통되도록 개구시켜 공동유로(220)를 형성하는 제1유로 형성단계(S10)와, 반도체 칩(1)을 흡착할 수 있도록 노즐(200)의 일단에서 공동유로(220)를 향해 내측으로 관통되는 다수의 흡착유로(210)를 형성하는 제2유로 형성단계(S20)와, 흡입력을 부여할 수 있도록 노즐(200)의 타단에서 공동유로(220)를 향해 내측으로 관통되는 하나의 음압유로(230)를 형성하는 제3유로 형성단계(S20)와, 노즐(200)을 중앙에 수용할 수 있도록 형성된 캡(110)에 흡착유로(210), 공동유로(220), 음압유로(230)가 형성된 노즐(200)을 삽입하여 공동유로(220)의 개구된 면을 밀폐시키는 조립단계(S40)를 포함하는 것을 특징으로 한다.10 to 13, the method of manufacturing a pickup device capable of uniformly sucking the semiconductor chip 1 on which the bumper 2 is formed using a plurality of fine holes according to the present invention is a single nozzle. A first flow passage forming step (S10) of forming a common flow path 220 by opening the middle section of 200 so as to penetrate from the front side toward the back side, and a cavity at one end of the nozzle 200 so that the semiconductor chip 1 can be adsorbed. A second flow passage forming step (S20) of forming a plurality of adsorption passages 210 penetrating inward toward the passage 220, and the other end of the nozzle 200 toward the common passage 220 so as to apply a suction force A third passage forming step (S20) of forming one negative pressure passage 230 penetrating inside, and an adsorption passage 210 in the cap 110 formed to accommodate the nozzle 200 in the center, and a common passage ( 220), inserting the nozzle 200 in which the negative pressure passage 230 is formed to seal the open surface of the common passage 220 (S40).

제1유로 형성단계(S10)는 단일체로 된 노즐(200)의 중단 전면에서 배면을 향해 관통시켜 노즐(200) 중단에 공동이 형성되도록 하기 위한 것으로, 노즐(200)의 전면에서 타면 방향으로 정사각형, 직사각형, 역삼각형, 원형, 타원 중 어느 하나의 형태로 관통시켜 공동유로(220)를 만들게 된다.The first flow path forming step (S10) is to penetrate from the front to the rear of the middle of the nozzle 200 as a single body so that a cavity is formed in the middle of the nozzle 200, and is square in the direction from the front of the nozzle 200 to the other surface. , a rectangle, an inverted triangle, a circle, and an ellipse to make the common flow path 220 through it.

이때 노즐(200)의 일측면과 타측면은 일단과 타단을 연결할 수 있도록 일정한 두께를 가지는 것이 바람직하며, 도 11에 형성된 것과 같이 노즐(200)은 중단 전면에서 배면을 향해 개구된 공동이 형성될 수 있게 된다.At this time, it is preferable that one side and the other side of the nozzle 200 have a constant thickness so that one end and the other end can be connected. be able to

제2유로 형성단계(S20)는 노즐(200)의 일단에 반도체 칩(1)을 흡착하기 위한 흡착유로(210)를 형성하기 위한 단계로, 흡착유로(210)는 반도체 칩(1)에 형성된 범퍼(2)의 중심축과 대응되는 위치에 흡착유로(210)를 형성시켜 범퍼(2)를 흡입력으로 흡착시키기 위해 사용된다.The second flow path forming step ( S20 ) is a step for forming an adsorption channel 210 for adsorbing the semiconductor chip 1 at one end of the nozzle 200 . The adsorption channel 210 is formed in the semiconductor chip 1 . It is used to form an adsorption passage 210 at a position corresponding to the central axis of the bumper 2 to adsorb the bumper 2 by suction force.

이때 흡착유로(210)의 개수는 4개 이상으로 이루어질 수 있으며, 흡착유로(210)의 개수가 많을수록 범퍼(2)와 접촉되는 면적이 증가시킬 수 있으므로 안정적으로 범퍼(2)를 흡착시켜 반도체 칩(1)을 이송시킬 수 있게 된다.At this time, the number of the adsorption passages 210 may be four or more, and as the number of the adsorption passages 210 increases, the area in contact with the bumper 2 may increase, so that the bumper 2 is stably adsorbed to the semiconductor chip. (1) can be transferred.

또한 흡착유로(210)를 형성할 때 드릴을 이용하여 공동유로(220)가 형성된 위치까지 관통하게 되는데, 공동유로(220)가 이미 형성되어 있기 때문에 흡착유로(210)를 가공한 후 공동유로(220)에 빛을 조사한 후 흡착유로(210)에서 빛을 확인함으로써 흡착유로(210)가 정상적으로 가공되었는지 확인할 수 있게 된다.In addition, when the adsorption channel 210 is formed, a drill is used to penetrate to the position where the common channel 220 is formed. Since the common channel 220 is already formed, after processing the adsorption channel 210, the common channel ( After irradiating light to 220 ), it is possible to check whether the adsorption passage 210 is normally processed by checking the light in the absorption passage 210 .

제3유로 형성단계(S20)는 음압을 발생시키는 구동유닛(도시되지 않음)과 연결되고 흡착유로(210) 및 공동유로(220)에 흡입력을 발생시키기 위한 음압유로(230)를 형성하는 것으로, 노즐(200)의 타단 중앙에서 내측방향으로 관통되어 공동유로(220)와 연결되게 된다.The third flow path forming step (S20) is connected to a driving unit (not shown) that generates a negative pressure and forms a negative pressure flow path 230 for generating suction force in the adsorption flow path 210 and the common flow path 220, The other end of the nozzle 200 penetrates inwardly from the center to be connected to the common flow path 220 .

이때 음압유로(230)는 외부 동력에 의해 흡입력을 발생시키게 되는데, 음압유로(230), 공동유로(220), 흡착유로(210) 순으로 공기를 흡입함으로써 흡착유로(210)에 접촉된 반도체 칩(1)의 버퍼가 흡착유로(210)에 흡착될 수 있게 한다.At this time, the negative pressure flow path 230 generates suction power by external power, and the negative pressure flow path 230 , the common flow path 220 , and the adsorption flow path 210 suck air in the order, so that the semiconductor chip in contact with the absorption flow path 210 . It allows the buffer of (1) to be adsorbed to the adsorption passage 210 .

또한 다수 개의 흡착유로(210)는 하나의 공동유로(220)를 통해 연결되어 있고, 공동유로(220)와 연결되는 거리가 모두 동일하기 때문에 음압유로(230)에서 흡입력이 발생되면 각각의 흡착유로(210)에서 한꺼번에 흡착되기 때문에 흡착유로(210)에서 발생되는 흡입력이 일정하게 되어 반도체 칩(1)을 안정적으로 흡착할 수 있게 된다.In addition, the plurality of adsorption channels 210 are connected through one common channel 220, and since the distances connected to the common channel 220 are all the same, when suction force is generated in the negative pressure channel 230, each adsorption channel Since they are adsorbed at once at 210 , the suction force generated in the adsorption passage 210 becomes constant, so that the semiconductor chip 1 can be stably adsorbed.

조립단계(S40)는 노즐(200)을 캡(110) 내부에 삽입하여 공동유로(220)의 개구된 전면과 배면을 밀폐시키기 위한 것으로, 캡(110)의 중앙에는 일단에서 타단방면으로 개구되어 있어 노즐(200)이 삽입될 수 있게 되며 노즐(200)이 삽입되면 캡(110)의 내면에 밀착되면서 공동유로(220)의 개구된 전면과 배면이 밀폐될 수 있게 된다.The assembling step (S40) is to insert the nozzle 200 into the cap 110 to seal the opened front and back surfaces of the common flow path 220, and the center of the cap 110 is opened from one end to the other end. Thus, the nozzle 200 can be inserted, and when the nozzle 200 is inserted, the open front and rear surfaces of the common flow path 220 can be sealed while being in close contact with the inner surface of the cap 110 .

이때 노즐(200)의 일단은 캡(110)의 일단과 동일한 높이로 형성되거나 노즐(200)의 일단이 캡(110)으로부터 돌출되도록 형성될 수 있으며, 이는 웨이퍼에서 반도체 칩(1)이 흡착될 때 간섭 유무에 따라 변경될 수 있다.At this time, one end of the nozzle 200 may be formed to have the same height as one end of the cap 110 , or one end of the nozzle 200 may be formed to protrude from the cap 110 , which is a wafer to which the semiconductor chip 1 is to be adsorbed. It may be changed depending on the presence or absence of interference.

또한 조립단계(S40)에서는 노즐(200)과 캡(110) 사이의 간극에서 발생되는 리크(LEAK)를 방지하고 노즐(200)과 캡(110)이 결합된 상태로 고정될 수 있도록 노즐(200)의 외면 또는 캡(110)의 내면에는 접착제가 도포되어 있는 것을 특징으로 한다.In addition, in the assembling step (S40), the nozzle 200 to prevent leakage (LEAK) generated in the gap between the nozzle 200 and the cap 110 and to fix the nozzle 200 and the cap 110 in a coupled state. ) or the inner surface of the cap 110 is characterized in that the adhesive is applied.

이때 노즐(200)과 캡(110) 사이의 간극은 0.005~0.01mm로 형성되어 있으며, 이러한 간극 사이로 공기가 유입되면서 흡착유로(210)에서 발생되는 흡입력이 감소될 수도 있게 된다.At this time, the gap between the nozzle 200 and the cap 110 is formed to be 0.005 to 0.01 mm, and as air flows through the gap, the suction force generated in the adsorption passage 210 may be reduced.

이를 위해 노즐(200)과 캡(110) 사이의 간극에는 접착제가 형성되어 층을 형성하게 되며, 접착제 성분으로 인해 노즐(200)과 캡(110) 사이의 간극이 메워지고 외부에서 공기가 공동유로(220)로 유입되지 않도록 방지할 수 있게 된다.To this end, an adhesive is formed in the gap between the nozzle 200 and the cap 110 to form a layer, and the gap between the nozzle 200 and the cap 110 is filled due to the adhesive component, and air from the outside flows through the common flow path. It is possible to prevent it from flowing into 220 .

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치에 의하면, 반도체 칩에 범퍼가 형성되어 있더라도 반도체 칩을 안정적으로 픽업할 수 있고, 반도체 칩을 픽업할 때 흡착되는 부위에서 발생하는 각각의 흡입력이 균일하게 발생되고 리크가 발생되지 않도록 하여 흡입력이 일정하게 유지될 수 있으며, 반도체 칩을 픽업할 때 발생하는 손상을 방지하고 내마모성을 높이기 위해 전기적 특성이 없는 재질을 이용하여 장시간 사용할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip having a bumper formed thereon using a plurality of micro-holes according to the present invention, even if a bumper is formed in the semiconductor chip, the semiconductor chip can be stably picked up and , When picking up the semiconductor chip, each suction force generated at the adsorbed site is uniformly generated and leakage is not generated, so that the suction power can be kept constant. There is an effect that it can be used for a long time by using a material without electrical characteristics to increase it.

이상과 같이 본 발명은, 바람직한 실시 예를 중심으로 설명하였지만 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다. 따라서 본 발명의 범주는 이러한 많은 변형의 예들을 포함하도록 기술된 청구범위에 의해서 해석되어야 한다.As described above, the present invention has been mainly described with reference to preferred embodiments, but those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains may vary the present invention within the scope that does not depart from the technical spirit and scope described in the claims of the present invention. It can be modified or modified in any way. Accordingly, the scope of the present invention should be construed by the appended claims to include examples of many such modifications.

1 : 반도체 칩 2 : 범퍼
100 : 하우징 110 : 캡
111 : 언더컷 120 : 체결홀
200 : 노즐 210 : 흡착유로
220 : 공동유로 230 : 음압유로
231 : 접착홈 300 : 접착부
S10 : 제1유로 형성단계 S20 : 제2유로 형성단계
S30 : 제3유로 형성단계 S40 : 조립단계1: semiconductor chip 2: bumper
100: housing 110: cap
111: undercut 120: fastening hole
200: nozzle 210: adsorption flow path
220: common flow path 230: negative pressure flow path
231: adhesive groove 300: adhesive part
S10: first flow passage forming step S20: second flow passage forming step
S30: third flow passage forming step S40: assembling step

Claims (6)

반도체 칩의 범퍼와 접촉되어 상기 범퍼를 흡착할 수 있도록 단일체로 형성되는 노즐과;
상기 노즐이 내부에 삽입될 수 있도록 중앙이 개구되어 있고 상기 노즐을 고정시키는 캡과;
중앙에는 상기 캡이 형성되며 상기 반도체 칩을 이송시키기 위한 구동유닛에 탈부착될 수 있도록 형성되는 하우징;을 포함하며,
상기 노즐은
상기 노즐의 일단에 형성되며 상기 범퍼의 중심축과 일치되는 위치에 외부 공기가 내부로 유입될 수 있도록 유로가 형성되어 있어 상기 범퍼와 접촉되면 흡입력을 이용하여 상기 범퍼를 흡착시키는 다수 개의 흡착유로와;
상기 노즐의 중단에서 전면과 배면을 관통시켜 내부에 공동을 형성하고, 상기 흡착유로와 연결되어 상기 흡착유로에 작용하는 흡입력을 균일하게 유지되도록 형성되는 공동유로와;
상기 노즐의 타단에 형성되며 상기 공동유로와 상기 구동유닛을 연결시키고 상기 구동유닛에 의해 내부 공기를 배출하여 음압을 형성하는 음압유로;로 이루어지며,
상기 노즐은 상기 공동유로에 의해 중단 전면과 배면이 개구된 상태로 형성되며, 상기 캡에 삽입되면 개구된 전면과 배면이 상기 캡에 의해 밀폐되는 것을 특징으로 하는
다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치.
a nozzle which is in contact with the bumper of the semiconductor chip and is formed as a single body to adsorb the bumper;
a cap having an open center so that the nozzle can be inserted therein and fixing the nozzle;
The cap is formed in the center and the housing is formed to be detachably attached to the driving unit for transporting the semiconductor chip;
the nozzle is
A plurality of adsorption channels formed at one end of the nozzle and formed at a position coincident with the central axis of the bumper so that external air can be introduced into the inside, so that when they come into contact with the bumper, the bumper is adsorbed using suction force; ;
a cavity passage formed in the middle of the nozzle to form a cavity therein by penetrating the front and rear surfaces, and connected to the adsorption passage to maintain a uniform suction force acting on the absorption passage;
A negative pressure flow path formed at the other end of the nozzle, connecting the common flow path and the driving unit, and discharging internal air by the driving unit to form a negative pressure;
The nozzle is formed with an open front and back surfaces by the common flow path, and when inserted into the cap, the opened front and rear surfaces are closed by the cap.
A pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip on which a bumper is formed by using a plurality of micro-holes.
 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 공동유로는 단면이 정사각형, 직사각형, 역삼각형, 원형, 타원 중 어느 하나로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는
다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치.
The method of claim 1,
The common flow passage, characterized in that the cross section is composed of any one of a square, a rectangle, an inverted triangle, a circle, an ellipse
A pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip on which a bumper is formed by using a plurality of micro-holes.
 제 1항에 있어서,
상기 노즐의 외면과 상기 캡 내면 사이의 공간에는 접착제가 도포되어 상기 노즐과 상기 캡이 결합될 수 있도록 형성되고,
상기 노즐의 타단 외면에는 내측 방향으로 파여지는 접착홈;이 형성되어 있어 상기 접착제가 접촉되는 면적을 증가시켜 접착강도 및 리크(LEAK)를 방지할 수 있는 것을 특징으로 하는
다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치.
The method of claim 1,
An adhesive is applied to a space between the outer surface of the nozzle and the inner surface of the cap, so that the nozzle and the cap can be coupled;
An adhesive groove digging inward is formed on the outer surface of the other end of the nozzle to increase the area in contact with the adhesive, thereby preventing adhesive strength and leakage
A pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip on which a bumper is formed by using a plurality of micro-holes.
 제 1항에 있어서,
상기 노즐의 일단은 칩 이송 및 본딩 공정시 간섭 상태에 따라 상기 캡의 일단에 일치되도록 삽입되거나 상기 캡의 일단보다 외면으로 돌출되는 것을 특징으로 하는
다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치.
The method of claim 1,
One end of the nozzle is inserted to match one end of the cap or protrudes outward from one end of the cap according to the interference state during chip transfer and bonding process
A pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip on which a bumper is formed by using a plurality of micro-holes.
 단일체로 된 노즐의 중단 전면에서 배면을 향해 관통되도록 개구시켜 공동유로를 형성하는 제1유로 형성단계와;
반도체 칩을 흡착할 수 있도록 상기 노즐의 일단에서 상기 공동유로를 향해 내측으로 관통되는 다수의 흡착유로를 형성하는 제2유로 형성단계와;
흡입력을 부여할 수 있도록 상기 노즐의 타단에서 상기 공동유로를 향해 내측으로 관통되는 하나의 음압유로를 형성하는 제3유로 형성단계와;
상기 노즐을 중앙에 수용할 수 있도록 형성된 캡에 상기 흡착유로, 상기 공동유로, 상기 음압유로가 형성된 상기 노즐을 삽입하여 상기 공동유로의 개구된 면을 밀폐시키는 조립단계;를 포함하며,
상기 조립단계는
상기 노즐과 상기 캡 사이의 간극에서 발생되는 리크를 방지하고 상기 노즐과 상기 캡이 결합된 상태로 고정될 수 있도록 상기 노즐의 외면 또는 상기 캡의 내면에는 접착제가 도포되는 것을 특징으로 하는
다수의 미세홀을 이용하여 범퍼가 형성된 반도체 칩을 균일하게 흡입할 수 있는 픽업장치의 제조방법.a first flow path forming step of forming a common flow path by opening the middle section of the nozzle as a single unit so as to penetrate from the front side toward the rear side;
a second flow passage forming step of forming a plurality of adsorption passages passing inwardly toward the common passage from one end of the nozzle so as to adsorb the semiconductor chip;
a third flow passage forming step of forming one negative pressure passage passing inwardly toward the common passage from the other end of the nozzle so as to apply a suction force;
An assembling step of sealing the open surface of the common flow path by inserting the nozzle in which the adsorption flow path, the common flow path, and the negative pressure flow path are formed in a cap formed to accommodate the nozzle in the center;
The assembling step is
An adhesive is applied to the outer surface of the nozzle or the inner surface of the cap to prevent leakage generated in the gap between the nozzle and the cap and to fix the nozzle and the cap in a coupled state
A method of manufacturing a pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip on which a bumper is formed by using a plurality of micro-holes.
KR1020210094210A 2021-07-19 2021-07-19 A pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip with bumpers by using a plurality of micro-holes and method for manufacturing the same KR102348437B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210094210A KR102348437B1 (en) 2021-07-19 2021-07-19 A pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip with bumpers by using a plurality of micro-holes and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210094210A KR102348437B1 (en) 2021-07-19 2021-07-19 A pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip with bumpers by using a plurality of micro-holes and method for manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102348437B1 true KR102348437B1 (en) 2022-01-07

Family

ID=79355211

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210094210A KR102348437B1 (en) 2021-07-19 2021-07-19 A pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip with bumpers by using a plurality of micro-holes and method for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102348437B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102560267B1 (en) * 2022-12-15 2023-07-26 김철호 A PCB component mounting method with increased production efficiency

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010038101A (en) * 1999-10-22 2001-05-15 윤종용 Die bonding apparatus comprising die collet having die contact part of porous material
KR100833597B1 (en) * 2007-03-15 2008-05-30 주식회사 하이닉스반도체 Bonding head and semiconductor chip attaching apparatus having the bonding head
KR20100006154A (en) * 2009-12-15 2010-01-18 조원준 Collet for transferring a semiconductor chip and apparatus including the same
JP2010287679A (en) * 2009-06-10 2010-12-24 Elpida Memory Inc Transfer tool
JP2012164951A (en) * 2011-01-21 2012-08-30 Elpida Memory Inc Device and method for peeling semiconductor chip
KR200463709Y1 (en) 2008-05-26 2012-11-21 세크론 주식회사 Apparatus for picking up a semiconductor device
KR20180102975A (en) * 2017-03-08 2018-09-18 (주)성진테크 Magnetic collet and manufacturing method thereof
KR20200114577A (en) * 2019-03-29 2020-10-07 (주)포인트엔지니어링 Micro element absorption picker

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010038101A (en) * 1999-10-22 2001-05-15 윤종용 Die bonding apparatus comprising die collet having die contact part of porous material
KR100833597B1 (en) * 2007-03-15 2008-05-30 주식회사 하이닉스반도체 Bonding head and semiconductor chip attaching apparatus having the bonding head
KR200463709Y1 (en) 2008-05-26 2012-11-21 세크론 주식회사 Apparatus for picking up a semiconductor device
JP2010287679A (en) * 2009-06-10 2010-12-24 Elpida Memory Inc Transfer tool
KR20100006154A (en) * 2009-12-15 2010-01-18 조원준 Collet for transferring a semiconductor chip and apparatus including the same
JP2012164951A (en) * 2011-01-21 2012-08-30 Elpida Memory Inc Device and method for peeling semiconductor chip
KR20180102975A (en) * 2017-03-08 2018-09-18 (주)성진테크 Magnetic collet and manufacturing method thereof
KR20200114577A (en) * 2019-03-29 2020-10-07 (주)포인트엔지니어링 Micro element absorption picker

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102560267B1 (en) * 2022-12-15 2023-07-26 김철호 A PCB component mounting method with increased production efficiency

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR200414775Y1 (en) apparatus for transfering die
KR200425068Y1 (en) apparatus for transfering die
US6176008B1 (en) Jig for mounting fine metal balls
KR102348437B1 (en) A pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip with bumpers by using a plurality of micro-holes and method for manufacturing the same
US20120079672A1 (en) Unit for removing foreign matter and apparatus and method for semiconductor packaging using the same
KR20100006154A (en) Collet for transferring a semiconductor chip and apparatus including the same
KR19990006556A (en) Solder ball arranging device
KR101566988B1 (en) Chuck table for processing semiconductor packages
JP3848606B2 (en) Collet and method for picking up chip parts using the same
JP6074734B2 (en) Suction head for semiconductor manufacturing apparatus, manufacturing method thereof, and suction method of semiconductor device
KR20170070720A (en) Pick-up tool for transforming semiconductor die
TW201742231A (en) Semiconductor device carrier and device handler having the same
KR20210095347A (en) Magnetic collet applicable to collet holder with flat contact surface
JP2017092181A (en) Semiconductor device
KR20030015109A (en) The multi-nozzle of solder ball attach equipment and the attach method of solder ball for BGA package
TWI803812B (en) Magnetic collet
KR102535165B1 (en) Magnetic pin block injector
KR102294124B1 (en) Magnetic collet with plastic plate
KR102294126B1 (en) Magnetic collet with attachable structure
JP2001298035A (en) Unit for mounting ball electrode
KR20010038101A (en) Die bonding apparatus comprising die collet having die contact part of porous material
US7169639B2 (en) Semiconductor device manufacturing method
KR20070082316A (en) Method for attaching solder ball using solder ball fixing plate
CN109411375B (en) Packaging auxiliary device and packaging method
KR101939117B1 (en) Ball tool cleaner for extra ball removal

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant