KR102347456B1 - Semiconductor light emitting diode - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광 효율을 향상시키기 위한 전극 구조를 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a semiconductor light emitting device including an electrode structure for improving luminous efficiency.

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE}Semiconductor light emitting device {SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE}

본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광 효율을 향상시키기 위한 전극 구조를 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
The present invention relates to a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a semiconductor light emitting device including an electrode structure for improving luminous efficiency.

일반적으로 반도체 발광소자는 제1 도전형 반도체층(일반적으로, n형 반도체층)과 제2 도전형 반도체층(일반적으로, p형 반도체층) 사이에 활성층이 게재된 형태의 발광 구조체와 제1 도전형 반도체층에 전자를 주입하는 제1 전극(일반적으로, n 전극)과 제2 도전형 반도체층에 정공을 주입하는 제2 전극(일반적으로, p 전극)을 포함한다. In general, a semiconductor light emitting device includes a light emitting structure in which an active layer is disposed between a first conductivity type semiconductor layer (generally, an n-type semiconductor layer) and a second conductivity type semiconductor layer (typically a p-type semiconductor layer) and a first semiconductor light emitting device. A first electrode (generally, an n-electrode) for injecting electrons into the conductivity-type semiconductor layer and a second electrode (typically, a p-electrode) for injecting holes into the second conductivity-type semiconductor layer.

제1 도전형 반도체층을 통하여 공급되는 전자(electron)와 제2 도전형 반도체층에서 주입되는 정공(hole)이 활성층에서 재결합(recombination)하면서 광이 발생한다. As electrons supplied through the first conductivity type semiconductor layer and holes injected from the second conductivity type semiconductor layer recombine in the active layer, light is generated.

현재 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극이 도전성 기판의 형태로 형성된 반도체 발광소자가 등장하였다. Currently, a semiconductor light emitting device in which a first electrode electrically connected to a first conductivity type semiconductor layer is formed in the form of a conductive substrate has emerged.

다만, 상기와 같은 구조를 가지는 반도체 발광소자의 경우, 제1 전극 주위로 전류가 집중되는 문제점이 있다.However, in the case of the semiconductor light emitting device having the above structure, there is a problem in that the current is concentrated around the first electrode.

또한, 고출력화를 실현하기 위해서 각 전극의 형성이나 배치에 대해 다양한 연구가 진행되고 있는데, 동일한 면에 제1 전극과 제2 전극을 형성할 경우, 발광 영역 중 일부를 제거하여 전극을 형성하여야 하기 때문에 발광 면적이 감소하고 이에 따라 발광 효율도 저하되는 문제가 발생하였다.In addition, in order to realize high output, various studies are being conducted on the formation or arrangement of each electrode. For this reason, there was a problem in that the luminous area was reduced and thus the luminous efficiency was also reduced.

따라서, 상기와 같은 제한 사항을 해소하기 위한 새로운 구조를 가지는 반도체 발광소자의 개발이 필요한 실정이다.
Therefore, there is a need to develop a semiconductor light emitting device having a new structure to solve the above limitations.

본 발명의 목적은 발광 효율을 향상시키기 위해 발광 면적을 최대로 확보할 수 있는 전극 구조를 포함하는 반도체 발광소자를 제공하는 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor light emitting device including an electrode structure capable of maximally securing a light emitting area in order to improve light emitting efficiency.

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 측면에 따르면, 제2 도전형 반도체층, 활성층 및 제1 도전형 반도체층이 적층된 복수의 메사 영역들을 포함하는 발광 구조체를 포함하며, 상기 발광 구조체는 도전성 기판 상에 형성되되, 상기 도전성 기판과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 제1 전극층 및 절연층이 형성되며, 상기 제2 도전형 반도체층의 하부에는 제2 전극층이 형성되며, 상기 제1 전극층은 상기 절연층, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층의 내부까지 연장하는 복수의 홀 전극을 포함하며, 상기 홀 전극을 통해 상기 전극층과 상기 제1 도전형 반도체층이 전기적으로 연결되며, 상기 발광 구조체의 외곽을 따라 배치된 메사 영역들에 형성된 제2 전극층의 하부면 중 일부 영역과 일측을 커버하도록 커버 금속층이 형성되며, 종단면 상에서 하나의 홀 전극을 사이에 두고 양측에 구비된 두 제2 전극층 사이의 간격은 일측에 형성된 커버 금속층과 타측에 형성된 제2 전극층 사이의 간격보다 작은 반도체 발광소자가 제공될 수 있다.In order to solve the above technical problems, according to an aspect of the present invention, a light emitting structure including a plurality of mesa regions in which a second conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a first conductivity type semiconductor layer are stacked, the The light emitting structure is formed on a conductive substrate, a first electrode layer and an insulating layer are formed between the conductive substrate and the second conductivity type semiconductor layer, and a second electrode layer is formed under the second conductivity type semiconductor layer, The first electrode layer includes a plurality of hole electrodes extending through the insulating layer, the second conductivity type semiconductor layer, and the active layer to the inside of the first conductivity type semiconductor layer, and the electrode layer and the electrode layer through the hole electrode The first conductivity-type semiconductor layer is electrically connected, and a cover metal layer is formed to cover a portion and one side of the lower surface of the second electrode layer formed in the mesa regions disposed along the periphery of the light emitting structure, and one A semiconductor light emitting device may be provided in which the gap between the two second electrode layers provided on both sides with the hole electrode in between is smaller than the gap between the cover metal layer formed on one side and the second electrode layer formed on the other side.

상기 발광 구조체의 적어도 하나의 모서리와 인접한 영역에서 상기 커버 금속층의 상부면 중 일부 영역이 노출되며, 상기 커버 금속층의 노출된 영역 상에 전극 패드가 형성될 수 있다.A portion of the upper surface of the cover metal layer may be exposed in a region adjacent to at least one corner of the light emitting structure, and an electrode pad may be formed on the exposed region of the cover metal layer.

상기 발광 구조체의 외곽을 따라 배치된 메사 영역들에 의해 둘러싸인 다른 메사 영역들에 형성된 제2 전극층의 하부면에 커버 금속층이 형성되되, 상기 제2 전극층과 접하는 상기 커버 금속층의 상부면은 상기 제2 전극층의 하부면의 면적보다 좁게 형성될 수 있다.A cover metal layer is formed on a lower surface of the second electrode layer formed in other mesa regions surrounded by the mesa regions disposed along the periphery of the light emitting structure, and an upper surface of the cover metal layer in contact with the second electrode layer is the second It may be formed to be narrower than the area of the lower surface of the electrode layer.

횡단면 상에서 상기 제2 전극층의 개구부는 상기 커버 금속층의 개구부 내에 형성되며, 상기 커버 금속층의 개구부의 모서리를 형성하는 가상의 원호는 상기 제2 전극층의 개구부의 모서리를 형성하는 가상의 원호보다 큰 곡률 반경을 가질 수 있다.In a cross section, the opening of the second electrode layer is formed in the opening of the cover metal layer, and an imaginary arc forming a corner of the opening of the cover metal layer has a larger radius of curvature than an imaginary arc forming a corner of the opening of the second electrode layer. can have

횡단면 상에서 상기 홀 전극은 상기 절연층의 개구부 내에 형성되며, 상기 절연층의 개구부의 모서리를 형성하는 가상의 원호는 상기 홀 전극의 모서리를 형성하는 가상의 원호보다 큰 반직경을 가질 수 있다.In a cross-section, the hole electrode may be formed in the opening of the insulating layer, and the imaginary arc forming the edge of the opening of the insulating layer may have a larger radius than the imaginary arc forming the corner of the hole electrode.

상기 제1 도전형 반도체층의 상부에는 서로 다른 요철 패턴이 동시에 형성될 수 있다. Different concavo-convex patterns may be simultaneously formed on the first conductivity-type semiconductor layer.

상기 도전성 기판과 상기 제1 전극층 사이에 접합 금속층이 개재될 수 있다.
A bonding metal layer may be interposed between the conductive substrate and the first electrode layer.

본 발명에 따른 발광소자는 비아 홀이 배치된 위치에 따라 커버 금속층의 형태를 변경함으로써 발광 구조체로부터 생성된 광의 반사 면적을 보다 더 향상시킬 수 있으며, 이에 따라 반도체 발광소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
The light emitting device according to the present invention can further improve the reflective area of the light generated from the light emitting structure by changing the shape of the cover metal layer according to the position where the via hole is disposed, thereby improving the luminous efficiency of the semiconductor light emitting device. have.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2a는 도 1에 도시된 반도체 발광소자와 상기 반도체 발광소자에 배치된 홀 전극의 횡단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2b은 도 2a의 A-A 선을 따라 절취한 종단면도를 나타낸 것이다.
도 2c는 도 2a의 B-B 선을 따라 절취한 종단면도를 나타낸 것이다.
도 3a 내지 도 3c는 발광 구조체(특히, 제1 도전형 반도체층)의 상면에 요철 패턴을 형성하는 과정을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자를 조명 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자를 헤드 램프에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a perspective view schematically illustrating a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention.
2A is a schematic cross-sectional view of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 1 and a hole electrode disposed in the semiconductor light emitting device.
FIG. 2B is a longitudinal cross-sectional view taken along line AA of FIG. 2A .
FIG. 2c is a longitudinal cross-sectional view taken along line BB of FIG. 2a.
3A to 3C schematically show a process of forming a concave-convex pattern on the upper surface of the light emitting structure (particularly, the first conductivity type semiconductor layer).
4 is an exploded perspective view illustrating an example in which a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a lighting device.
5 is a cross-sectional view illustrating an example in which the semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.
6 is a cross-sectional view illustrating an example in which a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.
7 is a cross-sectional view for explaining an example in which the semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a head lamp.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be embodied in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광소자에 대하여 설명하도록 한다.
Hereinafter, a semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본원에서, 제1 도전형 반도체층은 n형 반도체층이고, 제2 도전형 반도체층은 p형 반도체층인 것으로 설명할 것이나, 본 발명은 이에 제한되지 않고, 제1 도전형 반도체층이 p형 반도체층이고, 제2 도전형 반도체층이 n형 반도체층으로 구성될 수도 있다.Herein, it will be described that the first conductivity type semiconductor layer is an n-type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer is a p-type semiconductor layer, but the present invention is not limited thereto, and the first conductivity type semiconductor layer is a p-type semiconductor layer. It is a semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer may be composed of an n-type semiconductor layer.

또한, 활성층은 전자와 정공의 재결합이 이루어지면서 광이 방출되는 층으로서, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층과 상이한 에너지 밴드 갭을 가지는, 바람직하게는 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층보다 작은 에너지 밴드 갭을 가지는 층으로 형성된다.
In addition, the active layer is a layer in which light is emitted while recombination of electrons and holes is made, and has an energy band gap different from that of the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, preferably the first conductivity type semiconductor layer and It is formed as a layer having an energy band gap smaller than that of the second conductivity type semiconductor layer.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자(100)를 개략적으로 나타낸 사시도이며, 도 2a는 도 1에 도시된 반도체 발광소자(100)와 상기 반도체 발광소자(100)에 배치된 홀 전극(110)의 횡단면도를 개략적으로 나타낸 것이다. 또한, 도 2b와 도 2c는 각각 도 2a의 A-A 선 및 B-B 선을 따라 절취한 종단면도를 나타낸 것이다.1 is a perspective view schematically showing a semiconductor light emitting device 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2A is the semiconductor light emitting device 100 shown in FIG. 1 and a hole disposed in the semiconductor light emitting device 100 . A cross-sectional view of the electrode 110 is schematically shown. Also, FIGS. 2B and 2C are longitudinal cross-sectional views taken along lines A-A and B-B of FIG. 2A, respectively.

상기 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자(100)의 구조를 개략적으로 설명하면, 반도체 발광소자는 도전성 기판(170), 제2 도전형 반도체층(104), 활성층(103) 및 제1 도전형 반도체층(102)이 적층된 발광 구조체(101)를 포함한다.When the structure of the semiconductor light emitting device 100 according to an embodiment of the present invention is schematically described with reference to the drawings, the semiconductor light emitting device includes a conductive substrate 170 , a second conductivity type semiconductor layer 104 , and an active layer 103 . ) and a light emitting structure 101 in which the first conductivity type semiconductor layer 102 is stacked.

도전성 기판(170)과 제2 도전형 반도체층(104) 사이에 제1 전극층(150)과 절연층(140)이 형성된다.A first electrode layer 150 and an insulating layer 140 are formed between the conductive substrate 170 and the second conductivity-type semiconductor layer 104 .

또한, 제2 도전형 반도체층(104)의 하부에는 제2 전극층(120)과 커버 금속층(130)이 형성된다.In addition, the second electrode layer 120 and the cover metal layer 130 are formed under the second conductivity type semiconductor layer 104 .

제1 전극층(150)은 절연층(140), 제2 도전형 반도체층(104)과 활성층(103)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(101)의 내부까지 연장하는 복수의 홀 전극(110)을 포함한다.The first electrode layer 150 includes a plurality of hole electrodes 110 penetrating the insulating layer 140 , the second conductivity type semiconductor layer 104 , and the active layer 103 and extending to the inside of the first conductivity type semiconductor layer 101 . ) is included.

홀 전극(100)을 통해 제1 전극층(150)과 제1 도전형 반도체층(101)이 전기적으로 연결된다.The first electrode layer 150 and the first conductivity-type semiconductor layer 101 are electrically connected to each other through the hall electrode 100 .

이어서, 반도체 발광소자(100)의 상부로 보호층(190)이 추가적으로 형성된다. 보호층(190)은 노출된 커버 금속층(130), 절연층(140) 및 발광 구조체(101)를 감싸도록 형성되며, 전극 패드(180)를 외부로 노출시킨다.
Next, a protective layer 190 is additionally formed on the semiconductor light emitting device 100 . The protective layer 190 is formed to surround the exposed cover metal layer 130 , the insulating layer 140 , and the light emitting structure 101 , and exposes the electrode pad 180 to the outside.

이하, 반도체 발광소자(100)의 구조를 보다 상세히 설명하도록 한다.
Hereinafter, the structure of the semiconductor light emitting device 100 will be described in more detail.

발광 구조체(101) 내 제2 도전형 반도체층(104), 활성층(103) 및 제1 도전형 반도체층(102)은 순차적으로 적층될 수 있으며, 발광 구조체(101)의 외곽을 따라 형성된 메사 영역들의 외측면은 광 추출 효율의 향상을 위해 포토레지스트 리플로우와 같은 기술을 통해 경사지게 형성될 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 104 , the active layer 103 , and the first conductivity type semiconductor layer 102 in the light emitting structure 101 may be sequentially stacked, and a mesa region formed along the periphery of the light emitting structure 101 . The outer surface of these can be formed to be inclined through a technique such as photoresist reflow to improve light extraction efficiency.

발광 구조체(101)는 도전성 기판(170) 상에 구비되며, 도전성 기판(170)과 제1 도전형 반도체층(102)을 전기적으로 연결하기 위해 도전성 기판(170)과 제2 도전형 반도체층(104) 사이에는 제1 전극층(150)이 개재된다.The light emitting structure 101 is provided on the conductive substrate 170, and in order to electrically connect the conductive substrate 170 and the first conductivity type semiconductor layer 102 to the conductive substrate 170 and the second conductivity type semiconductor layer ( The first electrode layer 150 is interposed between the 104 .

추가적으로, 제1 전극층(150)과 도전성 기판(170)은 Sn/Au 또는 Sn/Ag 등과 같은 금속으로 형성된 접합 금속층(160)에 의해 서로 접합될 수 있다.Additionally, the first electrode layer 150 and the conductive substrate 170 may be bonded to each other by a bonding metal layer 160 formed of a metal such as Sn/Au or Sn/Ag.

도전성 기판(170)은 예를 들어, Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se , CuW, CuMo 또는 GaAs 등과 같은 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다.The conductive substrate 170 may be formed of, for example, a conductive material such as Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se , CuW, CuMo, or GaAs.

제1 전극층(150)은 제1 도전형 반도체층(102)과 오믹 컨택을 형성할 수 있는 도전성 물질로 형성되며, 상기 도면들에 도시된 바와 같이 단일층으로 형성될 수 있으나, 다층 구조로도 형성될 수 있다.The first electrode layer 150 is formed of a conductive material capable of forming an ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer 102 , and may be formed as a single layer as shown in the drawings, but may also have a multilayer structure. can be formed.

제1 전극층(150)을 형성하는 도전성 물질로 Au, Ag, Cu, Zn, Al, In, Ti, Si, Ge, Sn, Mg, Ta, Cr, W, Ru, Rh, Ir, Ni, Pd 및 Pt 중 하나의 금속 또는 이들 중 하나 이상의 금속으로 형성된 합금이 사용될 수 있다.As a conductive material forming the first electrode layer 150, Au, Ag, Cu, Zn, Al, In, Ti, Si, Ge, Sn, Mg, Ta, Cr, W, Ru, Rh, Ir, Ni, Pd and One metal of Pt or an alloy formed of one or more of these metals may be used.

제1 전극층(150)은 도전성 기판(170) 상에 형성되되, 제1 전극층(150)의 일부는 상부로 소정의 높이만큼 연장되어 형성된다.The first electrode layer 150 is formed on the conductive substrate 170 , and a portion of the first electrode layer 150 extends upward by a predetermined height.

이 때, 제1 전극층(150)은 적어도 제2 도전형 반도체층(104), 바람직하게는 제1 도전형 반도체층(102)이 형성된 영역까지 연장됨으로써 제1 전극층(150)이 제1 도전형 반도체층(102)과 전기적으로 연결될 수 있도록 구성된다.At this time, the first electrode layer 150 extends to at least the second conductivity type semiconductor layer 104 , preferably the region where the first conductivity type semiconductor layer 102 is formed, so that the first electrode layer 150 is the first conductivity type semiconductor layer. It is configured to be electrically connected to the semiconductor layer 102 .

다만, 이 경우 제1 전극층(150)이 모두 제1 도전형 반도체층(102)이 형성된 영역까지 연장되는 것이 아니라, 제2 도전형 반도체층(104)과 활성층(103)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(102)의 내부까지 연장하도록 형성된 복수의 홀 전극(110)을 통해 제1 도전형 반도체층(102)과 전기적으로 연결된다.However, in this case, the first electrode layer 150 does not all extend to the region where the first conductivity type semiconductor layer 102 is formed, but passes through the second conductivity type semiconductor layer 104 and the active layer 103 to conduct the first conductivity. It is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 102 through the plurality of hole electrodes 110 formed to extend to the inside of the type semiconductor layer 102 .

홀 전극(110)은 가장 높이 연장된 제1 전극층(150) 상에 형성될 수 있다.The hall electrode 110 may be formed on the first electrode layer 150 extending the highest.

또한, 홀 전극(110)은 후술하는 절연층(140)의 개구부(140a)를 채우도록 형성된다.In addition, the hole electrode 110 is formed to fill the opening 140a of the insulating layer 140 to be described later.

홀 전극(110)은 제1 전극층(150)과 마찬가지로 Au, Ag, Cu, Zn, Al, In, Ti, Si, Ge, Sn, Mg, Ta, Cr, W, Ru, Rh, Ir, Ni, Pd 및 Pt 중 하나의 금속 또는 이들 중 두 개 이상의 금속으로 형성된 합금과 같은 도전성 물질로 형성될 수 있다.The hall electrode 110, like the first electrode layer 150, Au, Ag, Cu, Zn, Al, In, Ti, Si, Ge, Sn, Mg, Ta, Cr, W, Ru, Rh, Ir, Ni, It may be formed of a conductive material such as a metal of one of Pd and Pt or an alloy formed of two or more of these metals.

또한, 홀 전극(110)은 단일 공정 내에서 제1 전극층(150)과 일체로 형성될 수 있다.Also, the hall electrode 110 may be integrally formed with the first electrode layer 150 within a single process.

도 2a를 참조하면, 홀 전극(110)의 확대된 횡단면을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 2A , an enlarged cross-section of the hall electrode 110 can be seen.

발광 영역에 존재하는 홀 전극의 크기가 클수록 발광 면적이 감소하기 때문에 홀 전극의 크기를 수 내지 수십 마이크로미터 단위로 형성하는 것이 바람직하다.Since the emission area decreases as the size of the hole electrode present in the emission region increases, it is preferable to form the size of the hole electrode in units of several to several tens of micrometers.

다만, 수 내지 수십 마이크로미터 단위의 홀 전극을 원형으로 형성시, 불규칙한 외곽 라인을 가지는 홀 전극이 형성될 경우, 특히 홀 전극의 불규칙한 부분을 중심으로 주입된 전류가 밀집되는 현상이 발생할 가능성이 높다.However, when the hall electrodes of several to tens of micrometers are formed in a circular shape, when the hall electrodes having irregular outer lines are formed, there is a high possibility that the current injected around the irregular portions of the hall electrodes is concentrated. .

따라서, 도 2a에 도시된 바와 같이, 횡단면 상에서 홀 전극(110)의 대각선 방향으로 대향하는 두 모서리를 가상의 원의 일부 또는 소정의 중심각을 가지는 가상의 원호를 따라 형성될 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 2A , two diagonally opposite corners of the hall electrode 110 may be formed along a part of a virtual circle or a virtual arc having a predetermined central angle on the cross section.

즉, 횡단면 상에서 가상의 원은 홀 전극(110)의 대각선 방향으로 대향하는 두 모서리에 내접함으로써, 두 모서리는 소정의 곡률 반경(r1)을 가지도록 형성될 수 있다.That is, the imaginary circle in the cross section is inscribed at two diagonally opposite corners of the hall electrode 110 , so that the two corners may be formed to have a predetermined radius of curvature r1 .

또한, 횡단면 상에서 홀 전극(110)의 폭 방향으로 이웃한 두 모서리 역시 가상의 원의 일부 또는 소정의 중심각을 가지는 가상의 원의 원호를 따라 형성될 수 있다.In addition, two corners adjacent to each other in the width direction of the hall electrode 110 in the cross section may also be formed along a part of the virtual circle or the arc of the virtual circle having a predetermined central angle.

이 때, 가상의 원의 원호의 중심각은 90도 이하일 수 있다.In this case, the central angle of the arc of the virtual circle may be less than or equal to 90 degrees.

도 2a를 참조하면, 홀 전극(110)은 모든 모서리가 가상의 원을 따라 형성되며, 모서리들이 직선에 의해 연결된 횡단면을 가질 수 있다.Referring to FIG. 2A , all corners of the hall electrode 110 are formed along an imaginary circle, and the corners may have a cross-section connected by straight lines.

횡단면 상에서 홀 전극(110)의 모서리의 수가 증가할수록 홀 전극(110)의 횡단면은 상대적으로 원형에 가까운 다각형으로 형성될 수 있으나, 다각형의 모서리의 수가 증가할수록 공정 난이도 및 공정 비용도 같이 증가하기 때문에, 홀 전극(110)이 적어도 사각형의 횡단면을 가지도록 형성하는 것이 공정 비용 대비 가장 효율적이라 할 수 있다.As the number of corners of the hall electrode 110 increases in the cross section, the cross section of the hall electrode 110 may be formed in a polygon that is relatively circular. , it can be said that it is most efficient to form the hole electrode 110 to have at least a rectangular cross-section compared to the cost of the process.

여기서, 홀 전극(110)의 각지거나 불규칙한 부분을 중심으로 전류가 밀집될 수 있기 때문에 홀 전극(110)의 횡단면은 모서리가 각진 형태를 가지지 않도록 형성되는 것이 바람직하다.Here, the cross section of the hall electrode 110 is preferably formed so that the corners do not have an angled shape because the current can be concentrated around the angular or irregular portion of the hall electrode 110 .

즉, 홀 전극(110)의 모서리를 형성하는 가상의 원의 직경은 모두 동일한 것이 바람직하다.That is, it is preferable that all diameters of the imaginary circles forming the corners of the hall electrodes 110 are the same.

이에 따라, 수 내지 수십 마이크로미터 단위의 홀 전극(110)을 정확히 원형으로 형성하는 것보다 간편하고 용이한 방법으로 홀 전극(110)을 형성하는 것이 가능하며, 홀 전극(110)의 모서리가 가상의 원의 일부 또는 소정의 중심각을 가지는 가상의 원의 원호를 따라 형성됨에 따라 홀 전극(110)에서 전류가 밀집되는 현상을 방지할 수 있으므로 발광 효율을 향상시킬 수 있다.Accordingly, it is possible to form the hall electrode 110 in a simpler and easier method than forming the hall electrode 110 in units of several to tens of micrometers in an exact circular shape, and the corner of the hall electrode 110 is virtual. As it is formed along a part of a circle or an arc of an imaginary circle having a predetermined central angle, a phenomenon in which current is concentrated in the hall electrode 110 can be prevented, so that luminous efficiency can be improved.

일 실시예에 따르면, 횡단면 상에서 홀 전극(110)의 대각선 방향으로 대향하는 두 모서리를 형성하는 가상의 원의 직경의 합은 두 모서리 사이의 거리(d1)보다 작게 설계될 수 있다. 또한, 다른 실시예에 따르면, 횡단면 상에서 홀 전극(110)의 폭 방향으로 대향하는 두 직선 사이의 거리(W1)는 폭 방향으로 이웃한 두 모서리를 형성하는 가상의 원의 직경의 합보다 작게 설계될 수 있다.According to an embodiment, the sum of the diameters of the imaginary circles forming two diagonally opposite corners of the hall electrode 110 in a cross section may be designed to be smaller than the distance d1 between the two corners. In addition, according to another embodiment, the distance W1 between two straight lines facing in the width direction of the hall electrode 110 on the cross section is designed to be smaller than the sum of the diameters of imaginary circles forming two adjacent edges in the width direction. can be

이 때, 홀 전극(110)의 모서리를 형성하는 가상의 원은 대각선 방향으로는 서로 겹치지 않으나, 폭 방향(또는 높이 방향)으로는 서로 겹칠 수 있다.In this case, the imaginary circles forming the corner of the hall electrode 110 do not overlap each other in the diagonal direction, but may overlap each other in the width direction (or height direction).

상술한 바와 같은 홀 전극(110)의 설계치는 홀 전극(110)의 크기를 수 내지 수십 마이크로미터 단위로 형성할 때, 홀 전극(110)에 각지거나 불규칙한 부분이 생기지 않도록 함과 동시에 최대한의 전극 면적을 확보하는 것이 가능하도록 한다.The design value of the hall electrode 110 as described above prevents angular or irregular portions from being formed in the hall electrode 110 when the size of the hall electrode 110 is formed in units of several to several tens of micrometers, and at the same time maximizes the electrode size. Make it possible to secure an area.

횡단면 상에서 홀 전극(110)과 홀 전극(110)을 노출시키는 개구부들을 바라보면, 홀 전극(110)은 절연층(140)의 개구부(140a)를 통해 노출되며, 절연층(140)의 개구부(140a)는 제2 도전형 반도체층(104)의 개구부(104a) 내에 형성된다.When looking at the hole electrode 110 and the openings exposing the hole electrode 110 in the cross section, the hole electrode 110 is exposed through the opening 140a of the insulating layer 140, and the opening ( 140a) is formed in the opening 104a of the second conductivity type semiconductor layer 104 .

절연층(140)의 개구부(140a)를 통해 노출된 홀 전극(110)은 제1 도전형 반도체층(102)과 접촉하며, 이에 따라 제1 전극층(150)과 제1 도전형 반도체층(102)은 전기적으로 연결될 수 있다.The hole electrode 110 exposed through the opening 140a of the insulating layer 140 contacts the first conductivity type semiconductor layer 102 , and accordingly, the first electrode layer 150 and the first conductivity type semiconductor layer 102 . ) can be electrically connected.

여기서, 개구부(104a)는 홀 전극(110)과 마찬가지로 적어도 하나의 모서리가 가상의 원의 일부를 따라 형성된다. 이 때, 개구부(104a)의 적어도 하나의 모서리를 형성하는 가상의 원의 반직경(r2)은 홀 전극(110)의 모서리를 형성하는 가상의 원의 반직경(r1)보다 클 수 있다.Here, at least one corner of the opening 104a is formed along a part of the virtual circle, similar to the hall electrode 110 . In this case, the radius r2 of the virtual circle forming at least one corner of the opening 104a may be greater than the radius r1 of the virtual circle forming the corner of the hall electrode 110 .

또한, 개구부(104a)의 폭(W2)은 홀 전극(110)의 폭(W1)보다 크며, 홀 전극(110)은 개구부(104a) 내에 소정의 마진 거리를 두고 배치된다.In addition, the width W2 of the opening 104a is greater than the width W1 of the hall electrode 110 , and the hall electrode 110 is disposed within the opening 104a at a predetermined margin distance.

이 때, 제1 전극층(150) 또는 홀 전극(110)을 형성하는 도전성 물질이 활성층(103) 또는 제2 도전형 반도체층(104)이 형성된 높이에서 노출되지 않도록 절연층(140)의 개구부(140a)는 제1 도전형 반도체층(102)이 존재하는 영역에 형성되는 것이 바람직하다.At this time, the openings ( ( 140a) is preferably formed in a region where the first conductivity type semiconductor layer 102 is present.

또한, 제2 도전형 반도체층(104)의 개구부(104a)는 제2 전극층(120)의 개구부(120a) 내에 형성되며, 개구부(104a)의 적어도 하나의 모서리를 형성하는 가상의 원의 반직경(r2)은 제2 전극층(120)의 개구부(120a)의 적어도 하나의 모서리를 형성하는 가상의 원의 반직경(r3)보다 작다.In addition, the opening 104a of the second conductivity type semiconductor layer 104 is formed in the opening 120a of the second electrode layer 120 , and a radius of an imaginary circle forming at least one corner of the opening 104a . (r2) is smaller than the radius r3 of the imaginary circle forming at least one corner of the opening 120a of the second electrode layer 120 .

그리고, 개구부(120a)의 폭(W3)은 개구부(104a)의 폭(W2)보다 크며, 개구부(104a)는 개구부(120a) 내에 소정의 마진 거리를 두고 배치된다.In addition, the width W3 of the opening 120a is greater than the width W2 of the opening 104a, and the opening 104a is disposed within the opening 120a at a predetermined margin.

마찬가지로, 제2 전극층(120)의 개구부(120a)는 커버 금속층(130)의 개구부(130a) 내에 형성되며, 개구부(120a)의 적어도 하나의 모서리를 형성하는 가상의 원의 반직경(r3)은 커버 금속층(130)의 개구부(130a)의 적어도 하나의 모서리를 형성하는 가상의 원의 반직경(r4)보다 작다.Similarly, the opening 120a of the second electrode layer 120 is formed in the opening 130a of the cover metal layer 130 , and the radius r3 of the imaginary circle forming at least one corner of the opening 120a is It is smaller than the radius r4 of the imaginary circle forming at least one corner of the opening 130a of the cover metal layer 130 .

그리고, 개구부(130a)의 폭(W4)은 개구부(120a)의 폭(W3)보다 크며, 개구부(120a)는 개구부(130a) 내에 소정의 마진 거리를 두고 배치된다.In addition, the width W4 of the opening 130a is greater than the width W3 of the opening 120a, and the opening 120a is disposed within the opening 130a at a predetermined margin distance.

상술한 바와 같이, 홀 전극(110)과 홀 전극(110)을 노출시키기 위한 개구부들을 형성함으로써 수 내지 수십 마이크로미터 크기로 원형의 홀 전극을 형성할 때, 홀 전극(110)이 다른 반도체층과 접촉하여 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 홀 전극(110)에 각지거나 불규칙한 부분이 생기지 않도록 함과 동시에 최대한의 전극 면적을 확보하는 것이 가능하도록 한다.As described above, when a circular hole electrode having a size of several to several tens of micrometers is formed by forming openings for exposing the hole electrode 110 and the hole electrode 110, the hole electrode 110 and the other semiconductor layer are formed. It is possible to prevent a defect from coming into contact with each other, and it is possible to prevent angular or irregular portions from being formed on the hall electrode 110 and to secure the maximum electrode area at the same time.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자(100)는 원형의 홀 전극을 형성하는 것보다 홀 전극의 모서리가 소정의 곡률 반경을 가지도록 형성함으로써 규칙적인 형상을 가지는 홀 전극을 용이하고 정확하게 형성하는 것이 가능하며, 이에 따라 홀 전극에서 전류가 밀집되는 현상을 방지할 수 있으므로 발광 효율을 향상시킬 수 있다.Therefore, in the light emitting device 100 according to an embodiment of the present invention, a hole electrode having a regular shape can be easily and accurately formed by forming the corner of the hole electrode to have a predetermined radius of curvature rather than forming a circular hole electrode. It is possible to form it, and accordingly, it is possible to prevent a phenomenon in which current is concentrated in the hall electrode, so that luminous efficiency can be improved.

또한, 상술한 바와 같이 원형의 홀 전극보다 더 작은 크기의 홀 전극을 형성하더라도 최대한의 전극 면적을 확보할 수 있으므로, 전류 분산 및 발광 면적의 손실을 최소화할 수 있다.In addition, as described above, even if the hole electrode having a size smaller than that of the circular hole electrode is formed, the maximum electrode area can be secured, so that current dispersion and loss of the light emitting area can be minimized.

제1 전극층(150) 상에는 제1 전극층(150)이 도전성 기판(170)과 제1 도전형 반도체층(102)을 제외한 다른 반도체층(예를 들어, 활성층(103), 제2 도전형 반도체층(104))과 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위한 절연층(140)이 형성된다.On the first electrode layer 150 , the first electrode layer 150 is formed of other semiconductor layers (eg, the active layer 103 and the second conductivity type semiconductor layer) except for the conductive substrate 170 and the first conductivity type semiconductor layer 102 . (104)) and the insulating layer 140 for preventing the electrical connection is formed.

절연층(140)은 제1 전극층(150)의 상부면뿐만 아니라 소정의 높이만큼 연장되어 형성된 제1 전극층(150)의 측면(또는 경사진 측면)에 모두 형성될 수 있다.The insulating layer 140 may be formed not only on the upper surface of the first electrode layer 150 , but also on the side surface (or inclined side surface) of the first electrode layer 150 extending by a predetermined height.

상술한 바와 같이, 복수의 홀 전극(110)은 절연층(140)을 관통하도록 형성되며, 노출된 홀 전극(110)과 제1 도전형 반도체층(102)이 전기적으로 연결된다.As described above, the plurality of hole electrodes 110 are formed to pass through the insulating layer 140 , and the exposed hole electrodes 110 and the first conductivity-type semiconductor layer 102 are electrically connected to each other.

제2 전극층(120)은 제2 도전형 반도체층(104)의 하부에 형성된다.The second electrode layer 120 is formed under the second conductivity type semiconductor layer 104 .

제2 전극층(120)은 전기전도성 및 반사 특성이 우수한 Ag, Al, Pt 또는 Ni 등과 같은 물질로 구성될 수 있다. 또는, Ni/Ag, NiZn/Ag 또는 TiO/Ag 등과 같은 적층 구조로 구성될 수 있다.The second electrode layer 120 may be made of a material such as Ag, Al, Pt, or Ni having excellent electrical conductivity and reflective properties. Alternatively, it may be configured in a stacked structure such as Ni/Ag, NiZn/Ag, or TiO/Ag.

이 때, 제2 전극층(120)은 제2 도전형 반도체층(104)과 대면하는 상부면의 면적이 제2 도전형 반도체층(104)의 하부면의 면적과 같거나 좁게 형성될 수 있으며, 제2 전극층(120)은 상부면 및 측면은 외부로 노출되지 않는다.At this time, the area of the upper surface of the second electrode layer 120 facing the second conductivity-type semiconductor layer 104 may be the same as or smaller than the area of the lower surface of the second conductivity-type semiconductor layer 104, The top and side surfaces of the second electrode layer 120 are not exposed to the outside.

다만, 제2 전극층(120)의 형성시 제2 전극층(120)을 형성하는 금속 중 일부가 제1 도전형 반도체층(102) 또는 활성층(103)과 접촉하여 단락이 발생하는 것을 방지하고 커버 금속층(130)을 형성하기 위한 공정 마진을 제공하기 위해 제2 전극층(120)은 제2 도전형 반도체층(104)과 대면하는 상부면의 면적이 제2 도전형 반도체층(104)의 하부면의 면적보다 약간 좁게 형성하는 것이 바람직하다.However, when the second electrode layer 120 is formed, a part of the metal forming the second electrode layer 120 comes into contact with the first conductivity-type semiconductor layer 102 or the active layer 103 to prevent a short circuit from occurring, and to prevent the cover metal layer from occurring. In order to provide a process margin for forming the second electrode layer 120 , the area of the upper surface facing the second conductivity type semiconductor layer 104 is that of the lower surface of the second conductivity type semiconductor layer 104 . It is preferable to form slightly narrower than the area.

제2 전극층(120)의 하부에는 커버 금속층(130)이 형성된다.A cover metal layer 130 is formed under the second electrode layer 120 .

커버 금속층(130)은 전기전도성이 우수하고, 식각정지막 역할을 할 수 있도록, Cr, Ni, Ru, Os, Ir, V, Nb, Ta, Co, Fe, W 및 Ti 중 하나의 금속 또는 이들 중 두 개 이상의 금속으로 형성된 합금과 같은 도전성 물질로 형성될 수 있다. 커버 금속층(130)은 상기 도면들에 도시된 바와 같이 단일층으로 형성될 수 있으나, 다층 구조로도 형성될 수 있다.The cover metal layer 130 has excellent electrical conductivity and serves as an etch stop layer, so that one of Cr, Ni, Ru, Os, Ir, V, Nb, Ta, Co, Fe, W, and Ti metal or these It may be formed of a conductive material such as an alloy formed of two or more metals. The cover metal layer 130 may be formed in a single layer as shown in the drawings, but may also be formed in a multilayer structure.

커버 금속층(130)은 전극 패드(180)를 형성하기 위한 반도체 식각 공정에서 식각 정지막(etching stopper)으로서 작용할 수도 있으며, 제2 전극층(120)의 금속 물질이 확산되거나 오염되는 것을 방지할 수 있다.The cover metal layer 130 may act as an etch stopper in the semiconductor etching process for forming the electrode pad 180 , and may prevent diffusion or contamination of the metal material of the second electrode layer 120 . .

일반적으로, 모든 메사 영역 내에서 커버 금속층은 제2 전극층의 하부면과 양측면을 모두 커버하도록 형성되며, 이 때, 커버 금속층의 일부는 제2 도전형 반도체층과 접촉한다.In general, in all the mesa regions, the cover metal layer is formed to cover both the lower surface and both sides of the second electrode layer, and in this case, a portion of the cover metal layer is in contact with the second conductivity type semiconductor layer.

즉, 커버 금속층이 제2 전극층의 하부면과 양측면을 모두 커버하도록 형성되기 위해서는 제2 도전형 반도체층의 하부에 제2 전극층이 형성되기 위한 영역뿐만 아니라 커버 금속층이 접촉하기 위한 영역도 동시에 존재해야만 한다.That is, in order for the cover metal layer to be formed to cover both the lower surface and both sides of the second electrode layer, not only a region for forming the second electrode layer under the second conductivity type semiconductor layer but also a region for contacting the cover metal layer must be present at the same time. do.

이에 따라, 커버 금속층을 형성할 때 커버 금속층을 이루는 도전성 물질 중 일부가 제1 도전형 반도체층 또는 활성층과 접촉하여 단락이 발생하는 것을 방지하기 위해 제2 도전형 반도체층의 하부에는 추가인 마진이 확보되어야 한다.Accordingly, when forming the cover metal layer, an additional margin is provided at the bottom of the second conductivity type semiconductor layer in order to prevent a short circuit from occurring when a part of the conductive material constituting the cover metal layer comes into contact with the first conductivity type semiconductor layer or the active layer. should be secured

결국, 커버 금속층이 형성되기 위한 공정 마진만큼 제2 전극층이 형성되기 위한 면적은 상대적으로 줄어들 수 밖에 없으며, 이는 발광 구조체로부터 생성되는 광의 반사 면적의 감소, 즉 발광 효율의 감소를 야기하게 된다.As a result, the area for forming the second electrode layer must be relatively reduced as much as the process margin for forming the cover metal layer, which causes a reduction in the reflective area of light generated from the light emitting structure, that is, a reduction in luminous efficiency.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자(100)는 커버 금속층(130)에 의해 커버되는 제2 전극층(120)의 영역에 제2 전극층(120)이 구비되는 메사의 위치에 따라 달라질 수 있도록 구성된다.Accordingly, the semiconductor light emitting device 100 according to an embodiment of the present invention may vary depending on the location of the mesa in which the second electrode layer 120 is provided in the region of the second electrode layer 120 covered by the cover metal layer 130 . configured to be able to

예를 들어, 본 발명에 따른 반도체 발광소자(110)의 종단면도를 나타낸 도 2b 및 도 2c를 참조하면, 발광 구조체(101)의 외곽을 따라 배치된 메사 영역들에서는 제2 전극층(120)의 하부면 중 일부 영역과 일측을 커버하도록 커버 금속층(130)이 형성될 수 있다. 즉, 커버 금속층(130)은 제2 전극층(120)의 외곽을 따라 제2 전극층(120)의 일부를 감싸는 형태로 형성된다.For example, referring to FIGS. 2B and 2C showing longitudinal cross-sectional views of the semiconductor light emitting device 110 according to the present invention, in the mesa regions disposed along the periphery of the light emitting structure 101 , the second electrode layer 120 is A cover metal layer 130 may be formed to cover a partial region and one side of the lower surface. That is, the cover metal layer 130 is formed to surround a portion of the second electrode layer 120 along the outer edge of the second electrode layer 120 .

반면, 발광 구조체(101)의 외곽을 따라 배치된 메사 영역들에 의해 둘러싸인 다른 메사 영역들에서는 제2 전극층(120)의 하부면에만 커버 금속층이 형성될 수 있다. 이 때, 제2 전극층(120)과 접하는 커버 금속층(130)의 상부면은 제2 전극층(120)의 하부면의 면적보다 좁게 형성된다.On the other hand, in other mesa regions surrounded by the mesa regions disposed along the periphery of the light emitting structure 101 , the cover metal layer may be formed only on the lower surface of the second electrode layer 120 . In this case, the upper surface of the cover metal layer 130 in contact with the second electrode layer 120 is formed to be narrower than the area of the lower surface of the second electrode layer 120 .

도 2c를 참조하면, 종단면 상에서 하나의 홀 전극(110)을 사이에 두고 양측에 구비된 두 제2 전극층(120) 사이의 간격(W3)은 일측에 구비된 제2 전극층(120)과 타측에 구비된 커버 금속층(130) 사이의 간격(d2)보다 작게 형성된다.Referring to FIG. 2C , the gap W3 between the two second electrode layers 120 provided on both sides with one hole electrode 110 therebetween on the longitudinal cross-section is the second electrode layer 120 provided on one side and the second electrode layer 120 provided on the other side. It is formed to be smaller than the interval d2 between the provided cover metal layers 130 .

즉, 발광 구조체(100)의 외곽을 따라 배치된 메사 영역들에서는 커버 금속층(130)이 제2 전극층(120)의 하부면 중 일부 영역과 일 측면만을 커버하도록 형성됨으로써, 커버 금속층(130)이 제2 전극층(120)의 나머지 측면을 커버하기 위해 제2 도전형 반도체층(104)의 하부에 확보되어야 할 마진만큼 제2 전극층(120)이 형성되는 면적을 증가시킬 수 있다.That is, in the mesa regions disposed along the periphery of the light emitting structure 100 , the cover metal layer 130 is formed to cover only a partial region and one side of the lower surface of the second electrode layer 120 , so that the cover metal layer 130 is formed. In order to cover the remaining side surface of the second electrode layer 120 , the area in which the second electrode layer 120 is formed may be increased by a margin to be secured under the second conductivity-type semiconductor layer 104 .

또한, 발광 구조체(101)의 외곽을 따라 배치된 메사 영역들에 의해 둘러싸인 다른 메사 영역들에서는 제2 전극층(120)의 하부면에만 커버 금속층이 형성됨으로써, 커버 금속층(130)이 제2 전극층(120)의 양측면을 커버하기 위해 제2 도전형 반도체층(104)의 하부에 확보되어야 할 마진만큼 제2 전극층(120)이 형성되는 면적을 증가시킬 수 있다.In addition, in the other mesa regions surrounded by the mesa regions disposed along the periphery of the light emitting structure 101, the cover metal layer is formed only on the lower surface of the second electrode layer 120, so that the cover metal layer 130 is formed with the second electrode layer ( In order to cover both sides of the second electrode layer 120 , the area in which the second electrode layer 120 is formed may be increased by a margin to be secured under the second conductivity type semiconductor layer 104 .

이에 따라, 커버 금속층이 제2 전극층의 하부면과 양측면을 모두 커버하도록 형성되는 경우보다, 제2 도전형 반도체층(104)의 하부면에 형성된 제2 전극층(120)의 면적이 증가하기 때문에 발광 구조체(101)로부터 생성된 광의 반사 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.Accordingly, since the area of the second electrode layer 120 formed on the lower surface of the second conductivity-type semiconductor layer 104 increases, compared to the case where the cover metal layer is formed to cover both the lower surface and both sides of the second electrode layer, light is emitted. Reflection efficiency of light generated from the structure 101 may be further improved.

여기서, 커버 금속층(130)에 의해 커버되지 않은 제2 전극층(120)의 영역은 경우, 절연층(140)에 의해 커버되며, 커버 금속층(130)과 동일하게 절연층(140)은 제2 전극층(120)의 금속 물질이 확산되거나 오염되는 것을 방지할 수 있다.Here, the area of the second electrode layer 120 that is not covered by the cover metal layer 130 is covered by the insulating layer 140 , and the insulating layer 140 is the second electrode layer in the same way as the cover metal layer 130 . It is possible to prevent diffusion or contamination of the metallic material of 120 .

추가적으로, 커버 금속층(130)은 개구부(130a)를 포함하며, 개구부(130a)를 통해 제1 전극층(150)의 일부가 상부를 향해 소정의 높이만큼 연장될 수 있다.Additionally, the cover metal layer 130 may include an opening 130a, and a portion of the first electrode layer 150 may extend upward by a predetermined height through the opening 130a.

이 때, 커버 금속층(130)과 제1 전극층(150)은 제1 전극층(150)을 따라 동일하게 상부를 향해 연장되는 절연층(140)에 의해 서로 전기적으로 절연된다.At this time, the cover metal layer 130 and the first electrode layer 150 are electrically insulated from each other by the insulating layer 140 extending upwardly along the first electrode layer 150 .

발광 구조체(101)의 적어도 하나의 모서리 또는 발광 구조체(101)의 동일한 변 내에 존재하는 양쪽 모서리와 인접한 영역에서 커버 금속층(130)의 상부면 중 일부 영역이 노출되며, 커버 금속층(130)의 노출된 일부 영역 상에 전극 패드(180)가 형성된다.At least one corner of the light emitting structure 101 or an area adjacent to both corners existing within the same side of the light emitting structure 101 , a partial area of the upper surface of the cover metal layer 130 is exposed, and the cover metal layer 130 is exposed. The electrode pad 180 is formed on the partial region.

예를 들어, 도 1 및 도 2a에 도시된 바와 같이, 발광 구조체(101)의 동일한 변 내에 존재하는 양쪽 모서리에 커버 금속층(130)이 노출되며, 여기에 두 개의 전극 패드(180)가 형성된다.For example, as shown in FIGS. 1 and 2A , the cover metal layer 130 is exposed at both corners existing within the same side of the light emitting structure 101 , and two electrode pads 180 are formed therein. .

이와 같이, 전극 패드(180)가 발광면에 해당하는 제1 도전형 반도체층(102)의 상부면에 형성되어 있지 않으므로, 발광 면적의 손실을 최소화할 수 있다.As such, since the electrode pad 180 is not formed on the upper surface of the first conductivity-type semiconductor layer 102 corresponding to the light emitting surface, loss of the light emitting area can be minimized.

전극 패드(180)는 외부 전원으로부터 전원을 공급받아 반도체 발광소자(100)로 이를 전달하기 위한 구성으로서, 외부 전원으로부터 공급받은 전원을 반도체 발광소자(100)로 제공하기 위해 전극 패드(180)는 제2 전극층(120)과 전기적으로 연결되어야 한다.The electrode pad 180 is configured to receive power from an external power source and deliver it to the semiconductor light emitting device 100 . In order to provide the power supplied from the external power source to the semiconductor light emitting device 100 , the electrode pad 180 is It should be electrically connected to the second electrode layer 120 .

따라서, 커버 금속층(130)의 노출된 일부 영역 상에 형성된 전극 패드(180)는 커버 금속층(130)에 의하여 제2 전극층(120)과 전기적으로 연결된다.Accordingly, the electrode pad 180 formed on the exposed partial region of the cover metal layer 130 is electrically connected to the second electrode layer 120 by the cover metal layer 130 .

결국, 전극 패드(180)가 형성되는 커버 금속층(130)은 제2 전극층(120)과 전극 패드(180)에 동시에 접촉하도록 형성된다.As a result, the cover metal layer 130 on which the electrode pad 180 is formed is formed to contact the second electrode layer 120 and the electrode pad 180 at the same time.

추가적으로, 제1 도전형 반도체층(102) 상부면에는 요철이 형성될 수 있다.Additionally, irregularities may be formed on the upper surface of the first conductivity-type semiconductor layer 102 .

요철은 통상적으로 사용되는 다양한 기술에 의해 도입될 수 있으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 요철의 형성 과정은 도 3a 내지 도 3c에 도시되어 있다.The unevenness may be introduced by various commonly used techniques, but the formation process of the unevenness according to an embodiment of the present invention is illustrated in FIGS. 3A to 3C .

도 3a에 도시된 바와 같이 일차적으로 요철 패턴이 구비된 지지 기판(200) 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 적층된 발광 구조체(101)를 성장시킨다. 이 때, 제1 도전형 반도체층의 상부면에 요철을 형성하기 위해서는 제1 도전형 반도체층을 지지 기판(200) 상에 먼저 성장시킨 후 활성층과 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 성장시킨다.As shown in FIG. 3A , a light emitting structure 101 in which a first conductivity-type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity-type semiconductor layer are stacked is primarily grown on a support substrate 200 having an uneven pattern. At this time, in order to form the unevenness on the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer, the first conductivity type semiconductor layer is first grown on the support substrate 200 , and then the active layer and the second conductivity type semiconductor layer are sequentially grown.

도 3b에 도시된 바와 같이, 발광 구조체(101)로부터 지지 기판(200)을 분리시킬 경우, 발광 구조체(101)의 일면에는 지지 기판(200)에 구비된 요철 패턴에 대응되는 제1 요철 패턴이 노출된다.As shown in FIG. 3B , when the support substrate 200 is separated from the light emitting structure 101 , a first concave-convex pattern corresponding to the concave-convex pattern provided on the support substrate 200 is formed on one surface of the light emitting structure 101 . exposed

이어서, 도 3c에 도시된 바와 같이, 제1 요철 패턴이 노출된 발광 구조체(101)의 일면에 PEC 에칭을 수행함으로써 제1 요철 패턴과는 상이한 제2 요철 패턴을 도입하는 것이 가능하다.Subsequently, as shown in FIG. 3C , it is possible to introduce a second concave-convex pattern different from the first concave-convex pattern by performing PEC etching on one surface of the light emitting structure 101 to which the first concave-convex pattern is exposed.

이와 같이, 발광 구조체(101), 보다 구체적으로 제1 도전형 반도체층(102)의 상부면에는 서로 상이한 요철 패턴이 도입됨에 따라 발광 구조체(101)로부터 생성된 광의 상부로의 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.As described above, as different uneven patterns are introduced to the upper surface of the light emitting structure 101 , more specifically, the first conductivity type semiconductor layer 102 , the extraction efficiency of the light generated from the light emitting structure 101 to the upper portion is further improved. can do it

반도체 발광소자(100)의 상부에 형성되는 보호층(190)은 예를 들어, SiO2 등의 산화막, SiNx 등의 질화막 또는 SiON 및 MgF2 등의 절연막이 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
The protective layer 190 formed on the semiconductor light emitting device 100 is, for example, an oxide film such as SiO 2 , a nitride film such as SiN x , or an insulating film such as SiON and MgF 2 It can be formed as a single layer or multiple layers. have.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자를 조명 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도이다.4 is an exploded perspective view illustrating an example in which a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a lighting device.

도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 조명 장치는, 확산 커버(1010), 반도체 발광소자 모듈(1020) 및 바디부(1030)를 포함한다. Referring to FIG. 4 , the lighting device according to the present embodiment includes a diffusion cover 1010 , a semiconductor light emitting device module 1020 , and a body portion 1030 .

바디부(1030)는 반도체 발광소자 모듈(1020)을 수용할 수 있고, 확산 커버(1010)는 반도체 발광소자 모듈(1020)의 상부를 커버할 수 있도록 바디부(1030) 상에 배치될 수 있다.The body 1030 may accommodate the semiconductor light emitting device module 1020 , and the diffusion cover 1010 may be disposed on the body 1030 to cover the upper portion of the semiconductor light emitting device module 1020 . .

바디부(1030)는 반도체 발광소자 모듈(1020)을 수용 및 지지하여, 반도체 발광소자 모듈(1020)에 전기적 전원을 공급할 수 있는 형태이면 제한되지 않는다. 예를 들어, 도시된 바와 같이, 바디부(1030)는 바디 케이스(1031), 전원 공급 장치(1033), 전원 케이스(1035), 및 전원 접속부(1037)를 포함할 수 있다. The body portion 1030 is not limited as long as it can accommodate and support the semiconductor light emitting device module 1020 and supply electrical power to the semiconductor light emitting device module 1020 . For example, as illustrated, the body 1030 may include a body case 1031 , a power supply device 1033 , a power case 1035 , and a power connection unit 1037 .

전원 공급 장치(1033)는 전원 케이스(1035) 내에 수용되어 반도체 발광소자 모듈(1020)과 전기적으로 연결되며, 적어도 하나의 IC칩을 포함할 수 있다. The power supply device 1033 is accommodated in the power case 1035 , is electrically connected to the semiconductor light emitting device module 1020 , and may include at least one IC chip.

IC칩은 반도체 발광소자 모듈(1020)로 공급되는 전원의 특성을 조절, 변환 또는 제어할 수 있다. The IC chip may adjust, convert, or control characteristics of power supplied to the semiconductor light emitting device module 1020 .

전원 케이스(1035)는 전원 공급 장치(1033)를 수용하여 지지할 수 있고, 전원 공급 장치(1033)가 그 내부에 고정된 전원 케이스(1035)는 바디 케이스(1031)의 내부에 위치할 수 있다. The power case 1035 may receive and support the power supply 1033 , and the power case 1035 to which the power supply 1033 is fixed therein may be located inside the body case 1031 . .

전원 접속부(115)는 전원 케이스(1035)의 하단에 배치되어, 전원 케이스(1035)와 결속될 수 있다. 이에 따라, 전원 접속부(115)는 전원 케이스(1035) 내부의 전원 공급 장치(1033)와 전기적으로 연결되어, 외부 전원이 전원 공급 장치(1033)에 공급될 수 있는 통로 역할을 할 수 있다.The power connection unit 115 may be disposed at the lower end of the power case 1035 to be coupled to the power case 1035 . Accordingly, the power connection unit 115 may be electrically connected to the power supply device 1033 inside the power case 1035 , and may serve as a passage through which external power may be supplied to the power supply device 1033 .

반도체 발광소자 모듈(1020)은 기판(1023) 및 기판(1023) 상에 배치된 반도체 발광소자(1021)를 포함한다. The semiconductor light emitting device module 1020 includes a substrate 1023 and a semiconductor light emitting device 1021 disposed on the substrate 1023 .

반도체 발광소자 모듈(1020)은 바디 케이스(1031) 상부에 마련되어 전원 공급 장치(1033)에 전기적으로 연결될 수 있다.The semiconductor light emitting device module 1020 may be provided on the body case 1031 and electrically connected to the power supply 1033 .

기판(1023)은 반도체 발광소자(1021)를 지지할 수 있는 기판이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 배선을 포함하는 인쇄회로기판일 수 있다. 기판(1023)은 바디 케이스(1031)에 안정적으로 고정될 수 있도록, 바디 케이스(1031) 상부의 고정부에 대응하는 형태를 가질 수 있다. The substrate 1023 is not limited as long as it is a substrate capable of supporting the semiconductor light emitting device 1021 , and may be, for example, a printed circuit board including wiring. The substrate 1023 may have a shape corresponding to the fixing portion of the upper portion of the body case 1031 so as to be stably fixed to the body case 1031 .

반도체 발광소자(1021)는 상술한 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 반도체 발광소자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The semiconductor light emitting device 1021 may include at least one of the above-described semiconductor light emitting devices according to various embodiments of the present disclosure.

확산 커버(1010)는 반도체 발광소자(1021) 상에 배치되되, 바디 케이스(1031)에 고정되어 반도체 발광소자(1021)를 커버할 수 있다. The diffusion cover 1010 may be disposed on the semiconductor light emitting device 1021 , and may be fixed to the body case 1031 to cover the semiconductor light emitting device 1021 .

확산 커버(1010)는 투광성 재질을 가질 수 있으며, 확산 커버(1010)의 형태 및 광 투과성을 조절하여 조명 장치의 지향 특성을 조절할 수 있다. 따라서 확산 커버(1010)는 조명 장치의 이용 목적 및 적용 태양에 따라 다양한 형태로 변형될 수 있다.
The diffusion cover 1010 may have a light-transmitting material, and by adjusting the shape and light transmittance of the diffusion cover 1010 , the directivity characteristics of the lighting device may be adjusted. Accordingly, the diffusion cover 1010 may be modified in various forms according to the purpose of use of the lighting device and the application aspect.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다. 5 is a cross-sectional view illustrating an example in which the semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.

본 실시예의 디스플레이 장치는 표시패널(2110), 표시패널(2110)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU1) 및 표시패널(2110)의 하부 가장자리를 지지하는 패널 가이드(2100)를 포함한다.The display device of the present embodiment includes a display panel 2110 , a backlight unit BLU1 providing light to the display panel 2110 , and a panel guide 2100 supporting a lower edge of the display panel 2110 .

표시패널(2110)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 액정층을 포함하는 액정표시패널일 수 있다. 표시패널(2110)의 가장자리에는 상기 게이트 라인으로 구동신호를 공급하는 게이트 구동 PCB가 더 위치할 수 있다. The display panel 2110 is not particularly limited and may be, for example, a liquid crystal display panel including a liquid crystal layer. A gate driving PCB for supplying a driving signal to the gate line may be further positioned at an edge of the display panel 2110 .

여기서, 게이트 구동 PCB(2112, 2113)는 별도의 PCB에 구성되지 않고, 박막 트랜지스터 기판상에 형성될 수도 있다.Here, the gate driving PCBs 2112 and 2113 are not formed on a separate PCB, but may be formed on a thin film transistor substrate.

백라이트 유닛(BLU1)은 적어도 하나의 기판(2150) 및 복수의 반도체 발광소자(2160)를 포함하는 광원 모듈을 포함한다. 나아가, 백라이트 유닛(BLU1)은 바텀커버(2180), 반사 시트(2170), 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 더 포함할 수 있다.The backlight unit BLU1 includes a light source module including at least one substrate 2150 and a plurality of semiconductor light emitting devices 2160 . Furthermore, the backlight unit BLU1 may further include a bottom cover 2180 , a reflective sheet 2170 , a diffusion plate 2131 , and optical sheets 2130 .

바텀커버(2180)는 상부로 개구되어, 기판(2150), 반도체 발광소자(2160), 반사 시트(2170), 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 수납할 수 있다. The bottom cover 2180 is opened upward to accommodate the substrate 2150 , the semiconductor light emitting device 2160 , the reflective sheet 2170 , the diffusion plate 2131 , and the optical sheets 2130 .

또한, 바텀커버(2180)는 패널 가이드(2100)와 결합될 수 있다. 기판(2150)은 반사 시트(2170)의 하부에 위치하여, 반사 시트(2170)에 둘러싸인 형태로 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 반사 물질이 표면에 코팅된 경우에는 반사 시트(2170) 상에 위치할 수도 있다. Also, the bottom cover 2180 may be coupled to the panel guide 2100 . The substrate 2150 may be disposed under the reflective sheet 2170 to be surrounded by the reflective sheet 2170 . However, the present invention is not limited thereto, and when the reflective material is coated on the surface, it may be positioned on the reflective sheet 2170 .

또한, 기판(2150)은 복수로 형성되어, 복수의 기판(2150)들이 나란히 배치된 형태로 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 단일의 기판(2150)으로 형성될 수도 있다.In addition, a plurality of substrates 2150 may be formed so that the plurality of substrates 2150 are arranged side by side, but is not limited thereto, and may be formed of a single substrate 2150 .

반도체 발광소자(2160)는 상술한 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 반도체 발광소자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The semiconductor light emitting device 2160 may include at least one of the above-described semiconductor light emitting devices according to various embodiments of the present disclosure.

반도체 발광소자(2160)들은 기판(2150) 상에 일정한 패턴으로 규칙적으로 배열될 수 있다. The semiconductor light emitting devices 2160 may be regularly arranged in a predetermined pattern on the substrate 2150 .

또한, 각각의 반도체 발광소자(2160) 상에는 렌즈(2210)가 배치되어, 복수의 반도체 발광소자(2160)들로부터 방출되는 광을 균일성을 향상시킬 수 있다.In addition, a lens 2210 is disposed on each semiconductor light emitting device 2160 to improve uniformity of light emitted from the plurality of semiconductor light emitting devices 2160 .

확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)은 반도체 발광소자(2160) 상에 위치한다. 반도체 발광소자(2160)로부터 방출된 광은 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 거쳐 면 광원 형태로 표시패널(2110)로 공급될 수 있다. The diffusion plate 2131 and the optical sheets 2130 are positioned on the semiconductor light emitting device 2160 . Light emitted from the semiconductor light emitting device 2160 may be supplied to the display panel 2110 in the form of a surface light source through the diffusion plate 2131 and the optical sheets 2130 .

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 발광소자는 본 실시예와 같은 직하형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
In this way, the semiconductor light emitting device according to the embodiments of the present invention can be applied to the direct type display device as in the present embodiment.

도 6은 일 실시예에 따른 반도체 발광소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다. 6 is a cross-sectional view illustrating an example in which the semiconductor light emitting device according to an embodiment is applied to a display device.

본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 구비된 디스플레이 장치는 영상이 디스플레이되는 표시패널(3210), 표시패널(3210)의 배면에 배치되어 광을 조사하는 백라이트 유닛(BLU2)을 포함한다. The display device provided with the backlight unit according to the present embodiment includes a display panel 3210 on which an image is displayed, and a backlight unit BLU2 disposed on the rear surface of the display panel 3210 to irradiate light.

나아가, 상기 디스플레이 장치는, 표시패널(3210)을 지지하고 백라이트 유닛(BLU2)이 수납되는 프레임(240) 및 상기 표시패널(3210)을 감싸는 커버(3240, 3280)를 포함한다.Furthermore, the display device includes a frame 240 supporting the display panel 3210 and accommodating the backlight unit BLU2 , and covers 3240 and 3280 surrounding the display panel 3210 .

표시패널(3210)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 액정층을 포함하는 액정표시패널일 수 있다. 표시패널(3210)의 가장자리에는 상기 게이트 라인으로 구동신호를 공급하는 게이트 구동 PCB가 더 위치할 수 있다. The display panel 3210 is not particularly limited, and may be, for example, a liquid crystal display panel including a liquid crystal layer. A gate driving PCB for supplying a driving signal to the gate line may be further positioned at an edge of the display panel 3210 .

여기서, 게이트 구동 PCB는 별도의 PCB에 구성되지 않고, 박막 트랜지스터 기판상에 형성될 수도 있다. Here, the gate driving PCB is not formed on a separate PCB, but may be formed on the thin film transistor substrate.

표시패널(3210)은 그 상하부에 위치하는 커버(3240, 3280)에 의해 고정되며, 하부에 위치하는 커버(3280)는 백라이트 유닛(BLU2)과 결속될 수 있다.The display panel 3210 is fixed by covers 3240 and 3280 positioned at upper and lower portions thereof, and the lower cover 3280 may be coupled to the backlight unit BLU2 .

표시패널(3210)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU2)은 상면의 일부가 개구된 하부 커버(3270), 하부 커버(3270)의 내부 일 측에 배치된 광원 모듈 및 상기 광원 모듈과 나란하게 위치되어 점광을 면광으로 변환하는 도광판(3250)을 포함한다. The backlight unit BLU2 providing light to the display panel 3210 includes a lower cover 3270 having a partially opened upper surface, a light source module disposed on one side of the inner side of the lower cover 3270, and positioned in parallel with the light source module. and a light guide plate 3250 for converting point light into surface light.

또한, 본 실시예의 백라이트 유닛(BLU2)은 도광판(3250) 상에 위치되어 광을 확산 및 집광시키는 광학 시트들(3230), 도광판(3250)의 하부에 배치되어 도광판(3250)의 하부방향으로 진행하는 광을 표시패널(3210) 방향으로 반사시키는 반사시트(3260)를 더 포함할 수 있다.In addition, the backlight unit BLU2 of the present embodiment is disposed on the light guide plate 3250 to diffuse and condense the optical sheets 3230, and is disposed under the light guide plate 3250 and proceeds in the lower direction of the light guide plate 3250 . It may further include a reflective sheet 3260 for reflecting the light to the display panel 3210 direction.

광원 모듈은 기판(3220) 및 상기 기판(3220)의 일면에 일정 간격으로 이격되어 배치된 복수의 반도체 발광소자(3110)를 포함한다. The light source module includes a substrate 3220 and a plurality of semiconductor light emitting devices 3110 spaced apart from each other at regular intervals on one surface of the substrate 3220 .

기판(3220)은 반도체 발광소자(3110)를 지지하고 반도체 발광소자(3110)에 전기적으로 연결된 것이면 제한되지 않으며, 예컨대, 인쇄회로기판일 수 있다. The substrate 3220 is not limited as long as it supports the semiconductor light emitting device 3110 and is electrically connected to the semiconductor light emitting device 3110 , and may be, for example, a printed circuit board.

반도체 발광소자(3110)는 상술한 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 반도체 발광소자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The semiconductor light emitting device 3110 may include at least one of the above-described semiconductor light emitting devices according to various embodiments of the present disclosure.

광원 모듈로부터 방출된 광은 도광판(3250)으로 입사되어 광학 시트들(3230)을 통해 표시패널(3210)로 공급된다. 도광판(3250) 및 광학 시트들(3230)을 통해, 반도체 발광소자(3110)들로부터 방출된 점 광원이 면 광원으로 변형될 수 있다.The light emitted from the light source module is incident on the light guide plate 3250 and is supplied to the display panel 3210 through the optical sheets 3230 . The point light source emitted from the semiconductor light emitting devices 3110 may be transformed into a planar light source through the light guide plate 3250 and the optical sheets 3230 .

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 발광소자는 본 실시예와 같은 에지형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
In this way, the semiconductor light emitting device according to the embodiments of the present invention can be applied to the edge type display device as in the present embodiment.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자를 헤드 램프에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.7 is a cross-sectional view for explaining an example in which the semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a head lamp.

도 7을 참조하면, 상기 헤드 램프는, 램프 바디(4070), 기판(4020), 반도체 발광소자(4010) 및 커버 렌즈(4050)를 포함한다. Referring to FIG. 7 , the head lamp includes a lamp body 4070 , a substrate 4020 , a semiconductor light emitting device 4010 , and a cover lens 4050 .

나아가, 상기 헤드 램프는, 방열부(4030), 지지랙(4060) 및 연결 부재(4040)를 더 포함할 수 있다.Furthermore, the head lamp may further include a heat dissipation unit 4030 , a support rack 4060 , and a connection member 4040 .

기판(4020)은 지지랙(4060)에 의해 고정되어 램프 바디(4070) 상에 이격 배치된다. The substrate 4020 is fixed by the support rack 4060 and spaced apart from the lamp body 4070 .

기판(4020)은 반도체 발광소자(4010)를 지지할 수 있는 기판이면 제한되지 않으며, 예컨대, 인쇄회로기판과 같은 도전 패턴을 갖는 기판일 수 있다. 반도체 발광소자(4010)는 기판(4020) 상에 위치하며, 기판(4020)에 의해 지지 및 고정될 수 있다. The substrate 4020 is not limited as long as it is a substrate capable of supporting the semiconductor light emitting device 4010 , and may be, for example, a substrate having a conductive pattern such as a printed circuit board. The semiconductor light emitting device 4010 is positioned on the substrate 4020 , and may be supported and fixed by the substrate 4020 .

또한, 기판(4020)의 도전 패턴을 통해 반도체 발광소자(4010)는 외부의 전원과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 반도체 발광소자(4010)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 발광소자를 적어도 하나 포함할 수 있다. Also, the semiconductor light emitting device 4010 may be electrically connected to an external power source through the conductive pattern of the substrate 4020 . In addition, the semiconductor light emitting device 4010 may include at least one semiconductor light emitting device according to the above-described embodiments of the present invention.

커버 렌즈(4050)는 반도체 발광소자(4010)로부터 방출되는 광이 이동하는 경로 상에 위치한다. The cover lens 4050 is positioned on a path through which light emitted from the semiconductor light emitting device 4010 travels.

예컨대, 도시된 바와 같이, 커버 렌즈(4050)는 연결 부재(4040)에 의해 반도체 발광소자(4010)로부터 이격되어 배치될 수 있고, 반도체 발광소자(4010)로부터 방출된 광을 제공하고자하는 방향에 배치될 수 있다. For example, as shown, the cover lens 4050 may be disposed to be spaced apart from the semiconductor light emitting device 4010 by the connecting member 4040 and located in a direction in which the light emitted from the semiconductor light emitting device 4010 is to be provided. can be placed.

커버 렌즈(4050)에 의해 헤드 램프로부터 외부로 방출되는 광의 지향각 및/또는 색상이 조절될 수 있다. A beam angle and/or color of light emitted from the headlamp to the outside may be adjusted by the cover lens 4050 .

한편, 연결 부재(4040)는 커버 렌즈(4050)를 기판(4020)과 고정시킴과 아울러, 반도체 발광소자(4010)를 둘러싸도록 배치되어 발광 경로(4045)를 제공하는 광 가이드 역할을 할 수도 있다. Meanwhile, the connection member 4040 may serve as a light guide for fixing the cover lens 4050 to the substrate 4020 and also surrounding the semiconductor light emitting device 4010 to provide a light emitting path 4045 . .

이 때, 연결 부재(4040)는 광 반사성 물질로 형성되거나, 광 반사성 물질로 코팅될 수 있다. 한편, 방열부(4030)는 방열핀(4031) 및/또는 방열팬(4033)을 포함할 수 있고, 반도체 발광소자(4010) 구동 시 발생하는 열을 외부로 방출시킨다.In this case, the connecting member 4040 may be formed of a light reflective material or coated with a light reflective material. Meanwhile, the heat dissipation unit 4030 may include a heat dissipation fin 4031 and/or a heat dissipation fan 4033 , and radiates heat generated when the semiconductor light emitting device 4010 is driven to the outside.

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 발광소자는 본 실시예와 같은 헤드 램프, 특히, 차량용 헤드 램프에 적용될 수 있다.
In this way, the semiconductor light emitting device according to the embodiments of the present invention may be applied to the head lamp as in the present embodiment, particularly, the head lamp for a vehicle.

이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
Although the above description has been focused on the embodiments of the present invention, various changes or modifications can be made at the level of those skilled in the art. As long as such changes and modifications do not depart from the scope of the present invention, it can be said that they belong to the present invention. Accordingly, the scope of the present invention should be judged by the claims described below.

102 : 제1 도전형 반도체층 103 : 활성층
104 : 제2 도전형 반도체층 110 : 홀 전극
120 : 제2 전극층 130 : 커버 금속층
140 : 절연층 150 : 제1 전극층
160 : 접합 금속층 170 : 도전성 기판
180 : 전극 패드 190 : 보호층102: first conductivity type semiconductor layer 103: active layer
104: second conductivity type semiconductor layer 110: hole electrode
120: second electrode layer 130: cover metal layer
140: insulating layer 150: first electrode layer
160: bonding metal layer 170: conductive substrate
180: electrode pad 190: protective layer

Claims (7)

제2 도전형 반도체층, 활성층 및 제1 도전형 반도체층이 적층된 복수의 메사 영역들을 포함하는 발광 구조체를 포함하며,
상기 발광 구조체는 도전성 기판 상에 형성되되,
상기 도전성 기판과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 제1 전극층 및 절연층이 형성되며,
상기 제2 도전형 반도체층의 하부에는 제2 전극층이 형성되며,
상기 제1 전극층은 상기 절연층, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층의 내부까지 연장하는 복수의 홀 전극을 포함하며,
상기 홀 전극을 통해 상기 제1 전극층과 상기 제1 도전형 반도체층이 전기적으로 연결되며,
상기 복수의 홀 전극의 바깥쪽에서 상기 발광 구조체의 외곽을 따라 상기 제2 도전형 반도체층의 하부에 형성된 제2 전극층의 하부면 중 일부 영역과 일측을 커버하도록 커버 금속층이 형성되며,
종단면 상에서 하나의 홀 전극을 사이에 두고 양측에 구비된 두 제2 전극층 사이의 간격은 일측에 형성된 커버 금속층과 타측에 형성된 제2 전극층 사이의 간격보다 작은,
반도체 발광소자.
A light emitting structure including a plurality of mesa regions in which a second conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a first conductivity type semiconductor layer are stacked,
The light emitting structure is formed on a conductive substrate,
A first electrode layer and an insulating layer are formed between the conductive substrate and the second conductivity type semiconductor layer,
A second electrode layer is formed under the second conductivity type semiconductor layer,
The first electrode layer includes a plurality of hole electrodes extending through the insulating layer, the second conductivity-type semiconductor layer, and the active layer to the inside of the first conductivity-type semiconductor layer,
The first electrode layer and the first conductivity-type semiconductor layer are electrically connected through the hole electrode,
A cover metal layer is formed to cover a portion and one side of the lower surface of the second electrode layer formed under the second conductivity-type semiconductor layer along the outer side of the light emitting structure from the outside of the plurality of hole electrodes,
The distance between the two second electrode layers provided on both sides with one hole electrode interposed therebetween on the longitudinal section is smaller than the distance between the cover metal layer formed on one side and the second electrode layer formed on the other side,
semiconductor light emitting device.
 제1항에 있어서,
상기 발광 구조체의 적어도 하나의 모서리와 인접한 영역에서 상기 커버 금속층의 상부면 중 일부 영역이 노출되며,
상기 커버 금속층의 노출된 영역 상에 전극 패드가 형성되는,
반도체 발광소자.
According to claim 1,
A portion of the upper surface of the cover metal layer is exposed in a region adjacent to at least one corner of the light emitting structure,
An electrode pad is formed on the exposed region of the cover metal layer,
semiconductor light emitting device.
 제1항에 있어서,
상기 홀 전극들 사이의 상기 제2 도전형 반도체층 하부에 형성된 제2 전극층의 하부면에 커버 금속층이 더 형성되되, 상기 제2 전극층과 접하는 상기 커버 금속층의 상부면은 상기 제2 전극층의 하부면의 면적보다 좁게 형성되는,
반도체 발광소자.
According to claim 1,
A cover metal layer is further formed on a lower surface of the second electrode layer formed under the second conductivity-type semiconductor layer between the hole electrodes, and an upper surface of the cover metal layer in contact with the second electrode layer is a lower surface of the second electrode layer. formed narrower than the area of
semiconductor light emitting device.
 제3항에 있어서,
횡단면 상에서 상기 제2 전극층의 개구부는 상기 커버 금속층의 개구부 내에 형성되며,
상기 커버 금속층의 개구부의 모서리를 형성하는 가상의 원호는 상기 제2 전극층의 개구부의 모서리를 형성하는 가상의 원호보다 큰 곡률 반경을 가지는,
반도체 발광소자.
4. The method of claim 3,
The opening of the second electrode layer is formed in the opening of the cover metal layer in the cross section,
An imaginary arc forming a corner of the opening of the cover metal layer has a larger radius of curvature than an imaginary arc forming a corner of the opening of the second electrode layer,
semiconductor light emitting device.
 제1항에 있어서,
횡단면 상에서 상기 홀 전극은 상기 절연층의 개구부 내에 형성되며,
상기 절연층의 개구부의 모서리를 형성하는 가상의 원호는 상기 홀 전극의 모서리를 형성하는 가상의 원호보다 큰 반직경을 가지는,
반도체 발광소자.
According to claim 1,
In a cross section, the hole electrode is formed in the opening of the insulating layer,
The virtual arc forming the corner of the opening of the insulating layer has a larger radius than the virtual arc forming the corner of the hole electrode,
semiconductor light emitting device.
 제1항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층의 상부에는 서로 다른 요철 패턴이 동시에 형성된,
반도체 발광소자.
According to claim 1,
Different concavo-convex patterns are simultaneously formed on the first conductivity-type semiconductor layer,
semiconductor light emitting device.
 제1항에 있어서,
상기 도전성 기판과 상기 제1 전극층 사이에 접합 금속층이 개재된,
반도체 발광소자.According to claim 1,
A bonding metal layer is interposed between the conductive substrate and the first electrode layer,
semiconductor light emitting device.
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