KR102326979B1 - 파티클 진단 방법 및 파티클 진단 장치 - Google Patents

파티클 진단 방법 및 파티클 진단 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 효율이 좋은 청소로 파티클의 발생을 저감시키기 위해, 이온빔 조사 장치에서의 파티클의 발생 개소를 진단하는 것을 과제로 한다.
제1 기판을 미리 정해진 반송 라인(L1)을 통과시켜 이온빔(IB)의 조사 위치에 반송하고, 조사 위치에 반송된 제1 기판에 이온빔(IB)을 조사하는 반송ㆍ조사 단계 S1과, 반송ㆍ조사 단계 S1에서 이온빔(IB)이 조사된 제1 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하는 제1 판단 단계 S2와, 제1 판단 단계 S2에서 파티클이 많다고 판단한 경우에, 제2 기판을 반송 라인(L1)을 통과시켜 조사 위치에 반송하는 반송 단계 S3과, 반송 단계 S3에서 조사 위치에 반송된 제2 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하는 제2 판단 단계 S4를 구비하도록 했다.

Description

파티클 진단 방법 및 파티클 진단 장치{METHOD AND APPARATUS FOR DIAGNOSING PARTICLE}
본 발명은, 이온빔 조사 장치에서의 파티클의 발생 개소를 진단하기 위한 파티클 진단 방법 및 파티클 진단 장치에 관한 것이다.
예컨대 이온 주입 장치나 이온 도핑 장치 등의 이온빔 조사 장치에서는, 여러가지 요인으로 파티클이 발생하고, 그 발생량이 많아지면 주입 불량 등 여러가지 트러블을 초래한다.
따라서 특허문헌 1에는, 이온원을 구성하는 플라즈마 생성실 내에 수소 플라즈마를 발생시킴으로써, 그 열이나 스퍼터 등에 의해 플라즈마 생성실의 벽면에 부착된 부착물을 박리하는 클리닝 방법이 기재되어 있다.
그러나, 파티클의 발생 개소는, 이온원뿐만 아니라 기판을 반송하는 반송 기구에도 존재하고 있기 때문에, 특허문헌 1과 같이 장치의 일부분을 청소하는 것만으로는 파티클의 발생을 충분히 저감시킬 수는 없다.
그렇다고 해서, 파티클의 발생 개소가 될 수 있는 모든 곳을 청소하려 하면, 장치의 크기에 따라 달라지지만, 예컨대 일주일 정도 걸려 버려 장치의 가동율이 대폭 저하된다.
일본 특허 공개 평6-267475호 공보
따라서 본 발명은, 이온빔 조사 장치에서의 파티클의 발생 개소를 진단할 수 있도록 하여, 효율이 좋은 청소로 파티클의 발생을 저감시키는 것을 그 주요 과제로 하는 것이다.
본 발명에 관한 파티클 진단 방법은, 이온빔 조사 장치에서의 파티클의 발생 개소를 진단하기 위한 방법으로서, 제1 기판을 미리 정해진 반송 라인을 통과시켜 이온빔의 조사 위치에 반송하고, 상기 조사 위치에 반송된 상기 제1 기판에 이온빔을 조사하는 반송ㆍ조사 단계와, 상기 반송ㆍ조사 단계에서 이온빔이 조사된 상기 제1 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하는 제1 판단 단계와, 상기 제1 판단 단계에서 파티클이 많다고 판단한 경우에, 제2 기판을 상기 반송 라인을 통과시켜 상기 조사 위치에 반송하는 반송 단계와, 상기 반송 단계에서 상기 조사 위치에 반송된 상기 제2 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하는 제2 판단 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 방법이다.
이러한 파티클 진단 방법에 의하면, 우선은 제1 기판을 조사 위치에 반송하여 이온빔을 조사하고, 그 제1 기판에 부착되어 있는 파티클이 많다고 판단한 경우에는, 제2 기판을 조사 위치에 반송하여, 그 제2 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하고 있기 때문에, 제2 기판에 부착되어 있는 파티클이 적으면, 제1 기판에는 이온빔의 조사에 기인한 파티클이 부착되었다는 것을 알 수 있다. 한편, 제2 기판의 부착량이 많으면, 제1 기판에는 적어도 반송에 기인한 파티클이 부착되었다는 것을 알 수 있다.
이와 같이 본 발명에 의하면, 이온빔의 조사에 기인하여 파티클이 발생했다는 것이나, 기판의 반송에 기인하여 파티클이 발생했다는 것을 알 수 있기 때문에, 장치 전체 중에서 파티클의 발생 개소를 좁힐 수 있어, 효율이 좋은 청소로 파티클의 발생을 저감하는 것이 가능해진다.
상기 이온빔 조사 장치가, 상기 이온빔이 통과하는 빔라인을 형성하는 빔라인 형성 요소를 구비한 구성에 있어서, 상기 제2 판단 단계에서 파티클이 적다고 판단한 경우에, 상기 빔라인 형성 요소를 청소하는 빔라인 청소 단계를 더 구비하는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 이온빔의 조사에 기인하여 발생하는 파티클을 저감시킬 수 있다.
상기 반송 라인이, 복수의 영역에 걸쳐 형성되어 있는 구성에 있어서, 상기 제2 판단 단계에서 파티클이 많다고 판단한 경우에, 상기 반송ㆍ조사 단계에서 상기 제2 기판에 대하여 상기 각 영역에서 행해지는 영역별 작업을, 서로 다른 제3 기판에 대하여 행하는 영역별 반송 단계와, 상기 영역별 반송 단계에서 상기 각 영역별 작업을 행한 상기 제3 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하는 제3 판단 단계를 더 구비하는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 반송 라인에 기인하여 파티클이 발생했다는 것을 알 수 있는 경우에, 반송 라인을 형성하는 어느 영역에서 파티클이 발생했는지를 알 수 있어, 파티클의 발생 개소를 더욱 좁힐 수 있다.
반송 라인에 기인하여 발생하는 파티클을 저감시키기 위해서는, 상기 제3 판단 단계에서 파티클이 많다고 판단한 상기 제3 기판에 대응하는 상기 영역을 청소하는 반송 라인 청소 단계를 더 구비하는 것이 바람직하다.
반송 라인이, 예컨대 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역의 3개의 영역으로 형성되어 있고, 제3 기판이 각 영역을 이 순으로 통과하여 조사 위치에 반송되는 경우를 고려한다. 이 경우, 가령 제1 영역이 파티클의 발생 개소라고 하면, 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역에 반송되는 제3 기판은, 모두 제1 영역을 통과하기 때문에, 이들 제3 기판에 부착되어 있는 파티클의 양에는 차이가 나타나기 어렵고, 파티클의 발생 개소를 좁히기 어렵다.
따라서, 상기 영역별 반송 단계에서 상기 각 영역별 작업을 상기 제3 기판에 대하여 복수회 반복하는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 전술한 경우라 하더라도, 제1 영역의 영역별 작업을 복수회 반복하여 행한 제3 기판에 특히 파티클이 많이 부착되기 때문에, 파티클의 발생 개소를 보다 확실하게 좁힐 수 있다.
상기 빔라인 청소 단계에서 적어도 하나의 상기 영역을 청소하거나, 또는, 상기 영역별 반송 단계에서 상기 빔라인 형성 요소를 청소하는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 빔라인 형성 요소를 청소하고 있는 동안의 반송 라인의 비어 있는 시간이나, 반송 라인에 제3 기판을 통과시키고 있는 동안의 빔라인의 비어 있는 시간에, 예컨대 간이한 청소 방법에 의해 비어 있는 라인을 청소할 수 있다. 이 간이한 청소에 의해 파티클의 발생을 억제할 수 있으면, 다음 파티클 진단시에 반송 라인이나 빔라인이 파티클의 발생 개소가 되지 않을 가능성을 높일 수 있고, 이에 따라 메인터넌스 사이클을 연장시킴으로써, 장치의 가동율을 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명에 관한 파티클 진단 장치는, 이온빔 조사 장치에서의 파티클의 발생 개소를 진단하기 위한 장치로서, 기판에 부착되어 있는 파티클의 개수 또는 개수에 관련된 값을 나타내는 개수 데이터를 접수하는 개수 데이터 접수부와, 상기 개수 데이터 접수부에 의해 접수된 상기 개수 데이터에 기초하여, 상기 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하는 판단부를 구비하고, 상기 개수 데이터 접수부가, 미리 정해진 반송 라인을 통과시켜 이온빔의 조사 위치에 반송되어, 상기 조사 위치에서 이온빔이 조사된 제1 기판에 부착되어 있는 파티클의 제1 개수 데이터, 및, 상기 반송 라인을 통과시켜 상기 조사 위치에 반송된 제2 기판에 부착되어 있는 파티클의 제2 개수 데이터를 접수하고, 상기 판단부가, 상기 제1 개수 데이터에 기초하여 상기 제1 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하고, 상기 제2 개수 데이터에 기초하여 상기 제2 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하는 것을 특징으로 하는 것이다.
이러한 파티클 진단 장치에 의하면, 전술한 파티클 진단 방법에 의한 파티클의 발생 개소의 특정을 자동으로 행할 수 있다.
이와 같이 구성한 본 발명에 의하면, 이온빔 조사 장치에서의 파티클의 발생 개소를 진단할 수 있어, 효율이 좋은 청소로 파티클의 발생을 저감시키는 것이 가능해진다.
도 1은 본 실시형태의 이온빔 조사 장치의 구성을 나타내는 모식도.
도 2는 동실시형태의 파티클 진단 방법을 설명하는 플로우차트.
도 3은 동실시형태의 제1 영역별 작업을 설명하는 플로우차트.
도 4는 동실시형태의 제3 영역별 작업을 설명하는 플로우차트.
도 5는 동실시형태의 제5 영역별 작업을 설명하는 플로우차트.
도 6은 그 밖의 실시형태에서의 파티클 진단 장치의 기능을 나타내는 기능 블록도.
본 발명에 관한 파티클 진단 방법의 일실시형태에 관해 도면을 참조하여 설명한다.
본 실시형태의 파티클 진단 방법은, 예컨대 이온 주입 장치나 이온 도핑 장치 등의 이온빔 조사 장치(100)에서의 파티클의 발생 유무나 발생 개소를 진단하기 위한 방법이다.
우선, 이온빔 조사 장치(100)에 관해 설명한다.
이온빔 조사 장치(100)는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 이온빔(IB)의 조사 위치에 기판(W)(이하, 타겟(W)이라고 함)을 반송하여 이온빔(IB)을 조사하는 것이며, 타겟(W)이 반송되는 반송 라인(L1)과, 이온빔(IB)이 통과하는 빔라인(L2)이 형성되어 있다.
반송 라인(L1)은, 복수의 영역(방)에 걸쳐 형성되어 있고, 여기서는 타겟(W)을 저장하는 로드록실(R1)과, 로드록실(R1)에 인접된 반송실(R2)과, 로드록실(R1)로부터 반송실(R2)을 통해 반송된 타겟(W)에 이온빔(IB)을 조사하는 처리실(R3)로 형성되어 있다.
로드록실(R1)은, 타겟(W)이 외부로부터 반입 또는 외부로 반출되는 영역이며, 여기서는 2개의 로드록실(R1)(이하, 제1 로드록실(R1a), 제2 로드록실(R1b)이라고도 함)이 설치되어 있다. 제1 로드록실(R1a)과 외부는 제1 게이트 밸브(V1)에 의해 구획되어 있고, 제2 로드록실(R1b)과 외부는 제2 게이트 밸브(V2)에 의해 구획되어 있다.
반송실(R2)은, 로드록실(R1)과 처리실(R3) 사이에서 타겟(W)을 반송하는 영역이며, 예컨대 반송 로봇 등의 도시하지 않은 타겟 반송 기구가 설치되어 있다. 반송실(R2)과 제1 로드록실(R1a)은 제3 게이트 밸브(V3)에 의해 구획되어 있고, 반송실(R2)과 제2 로드록실(R1b)은 제4 게이트 밸브(V4)에 의해 구획되어 있고, 반송실(R2)과 처리실(R3)은 제5 게이트 밸브(V5)에 의해 구획되어 있고, 각 실(R1∼R3)을 진공 상태로 유지할 수 있도록 되어 있다.
처리실(R3)은, 반송실(R2)로부터 반송된 타겟(W)을 수취하고, 수취한 타겟(W)을 조사 위치로 이동시키는 영역이다. 이 처리실(R3)에는, 전술한 타겟 반송 기구로부터 타겟(W)을 수취하는 플래턴(P)이나, 플래턴(P)에 배치된 타겟(W)을 유지 또는 개방하는 도시하지 않은 클램프 기구나, 타겟(W)의 틸트각을 변경하는 도시하지 않은 틸트각 변경 기구나, 타겟(W)을 이온빔(IB)과 교차하는 방향으로 주사시키는 도시하지 않은 주사 기구 등이 설치되어 있다. 또, 이들 기구는 반드시 전부 설치되어 있을 필요는 없다.
다음으로, 빔라인(L2)에 관해 설명한다.
빔라인(L2)은, 이온원(1)으로부터 이온빔(IB)의 조사 위치에 걸쳐 형성되어 있고, 복수의 빔라인 형성 요소로 형성되어 있다. 여기서의 빔라인 형성 요소는, 내부에서 플라즈마가 생성되는 플라즈마 생성 용기(2), 플라즈마 생성 용기(2)로부터 이온빔(IB)을 인출하는 인출 전극(3), 및 이온빔(IB)의 질량 분석에 의해 원하는 도펀트 이온을 선별하여 도출하는 질량 분리기(4) 등을 들 수 있다. 또, 이온빔 조사 장치(100)가, 이온빔(IB)을 전계 또는 자계에 의해 왕복 주사하는 주사기나, 이 주사기로부터 도출된 이온빔(IB)을 평행 주사하는 빔평행화기 등을 구비하고 있으면, 이들도 빔형성 요소이다.
계속해서, 파티클 진단 방법에 관해 도 2∼도 5의 플로우차트를 참조하면서 설명한다.
또, 여기서 말하는 파티클이란, 예컨대 전술한 여러가지 기구의 가동부가 마찰하여 생기는 미립자나, 전술한 여러가지 빔라인 형성 요소의 내벽면 등에 부착된 부착물이 스퍼터되어 생기는 미립자 등, 예컨대 이온 주입의 불량 등이 요인이 되는 이물질이다.
우선 처음에, 예컨대 타겟(W)으로서 이용되는 유리판을 세정하거나 하여, 파티클 진단에 이용하는 진단용 기판을 1매 또는 복수매 준비한다.
본 실시형태에서는, 반송 라인(L1)이 복수의 경로로 타겟(W)을 조사 위치에 반송할 수 있도록 구성되어 있고, 우선은 그 경로수와 동일한 매수(이하, 필요 매수라고 함)의 진단용 기판(이하, 제1 기판이라고 함)을 준비한다. 이와 같이 필요 매수의 제1 기판을 준비해 놓음으로써, 타겟(W)이 조사 위치까지 통과할 수 있는 모든 경로, 즉 반송 라인(L1) 전체에 제1 기판을 통과시킬 수 있다. 또, 본 실시형태의 필요 매수는 12장이지만, 필요 매수는 반송 라인(L1)의 구성에 따라 적절하게 변경해도 상관없고, 필요 매수 이상의 제1 기판을 준비해도 좋다.
파티클 진단이 개시되면, 반송 라인(L1)을 통과시켜 제1 기판을 이온빔(IB)의 조사 위치에 반송하고, 조사 위치에 반송된 제1 기판에 이온빔(IB)을 조사한다(반송ㆍ조사 단계 S1).
여기서는, 타겟(W)이 조사 위치까지 통과할 수 있는 경로 각각에 제1 기판을 통과시키도록, 바꿔 말하면 필요 매수의 제1 기판 각각의 조사 위치에 이르는 경로가, 서로 다른 경로가 되도록 설정되어 있고, 조사 위치에 반송하여 이온빔(IB)을 조사하는 동작을 필요 매수의 제1 기판에 대하여 연속적으로 행한다.
다음으로, S1에서 이온빔(IB)이 조사된 제1 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단한다(제1 판단 단계 S2).
여기서는 오퍼레이터가 전술한 판단을 하도록 하고 있고, 판단 기준의 적어도 하나로서 S1에서 이온빔(IB)이 조사된 제1 기판에 부착되어 있는 파티클의 개수(이하, 조사후 개수라고 함)를 이용하고 있다. 구체적인 판단 방법으로는, 예컨대 S1의 전이자 제1 기판의 세정후에 제1 기판에 부착되어 있는 파티클의 개수(이하, 조사전 개수라고 함)를 카운트해 두고, 조사전 개수로부터 조사후 개수로의 증가분(증가수나 증가율)에 기초하여 판단하는 방법을 들 수 있다. 그 밖의 방법으로서, 조사후 개수와 미리 정한 임계치를 비교하여 판단해도 좋다.
또, 파티클의 개수의 카운트에는, 예컨대 미리 정해진 크기 이상의 파티클의 개수를 화상 처리 등을 이용하여 카운트하는 이물질 검사 장치 등을 이용할 수 있다.
S2에서 제1 기판에 부착되어 있는 파티클이 적다고 판단한 경우는, 파티클 진단을 종료한다.
한편, S2에서 제1 기판에 부착되어 있는 파티클이 많다고 판단한 경우는, 반송 라인(L1)을 통과시켜 제1 기판과는 별도의 진단용 기판(이하, 제2 기판이라고 함)을 조사 위치에 반송한다(반송 단계 S3).
제2 기판은 제1 기판과 마찬가지로, 예컨대 타겟(W)으로서 이용되는 유리판을 세정하거나 하여 1매 또는 복수매 준비하면 되며, S1과 동일한 이유로, 즉 타겟(W)이 조사 위치까지 통과할 수 있는 경로 각각에 제2 기판을 통과시키기 위해, 여기서는 필요 매수의 제2 기판을 이용하고 있다. 또, 필요 매수 이상의 제2 기판을 이용해도 좋다.
다음으로, S3에서 조사 위치에 반송되고 또한 이온빔(IB)이 조사되어 있지 않은 제2 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단한다(제2 판단 단계 S4).
여기서는, 이 판단도 오퍼레이터가 행하고 있고, 구체적인 판단 방법은 S2와 동일하다. 즉, 판단 기준의 적어도 하나로서 S3에서 조사 위치에 반송된 제2 기판에 부착되어 있는 파티클의 개수(이하, 반송후 개수라고 함)를 이용하고 있고, 구체적으로는, 예컨대 S3의 전이자 제2 기판의 세정후에 제2 기판에 부착되어 있는 파티클의 개수(이하, 반송전 개수라고 함)를 카운트해 두고, 반송전 개수로부터 반송후 개수로의 증가분(증가수나 증가율)에 기초하여 판단해도 좋고, 반송후 개수와 미리 정한 임계치를 비교하여 판단해도 좋다.
S4에서 제2 기판에 부착되어 있는 파티클이 적다고 판단한 경우, S1에서 제1 기판에 부착된 파티클은, 제1 기판에 이온빔(IB)을 조사하는 것에 기인하여 발생한 것이라고 할 수 있다.
이 경우, 본 실시형태에서는 빔라인 형성 요소를 청소한다(빔라인 청소 단계 S5). 전술한 바와 같이 빔라인(L2)은, 복수의 빔라인 형성 요소로 구성되어 있기 때문에, 이들 빔라인 형성 요소를 미리 결정해 놓은 순서로 자동적으로 청소하도록 해도 좋고, 오퍼레이터가 빔라인 형성 요소의 청소 방법이나 청소하는 순서 등을 적절하게 선택한 후에, 각 빔라인 형성 요소를 오퍼레이터가 수동으로 청소하도록 해도 좋다.
구체적인 청소 방법으로는, 예컨대 이온빔(IB)을 자계에 의해 주사하여 예컨대 질량 분리기(4) 등의 내벽면에 비춤으로써 내벽면에 부착되어 있는 부착물을 증발시키거나, 플라즈마 생성 용기(2) 내에 수소 플라즈마를 생성함으로써 플라즈마 생성 용기(2)의 내벽면에 부착되어 있는 부착물을 증발시키거나 하는 방법 등을 들 수 있다. 또, 이온빔(IB)의 주사에 의한 질량 분리기(4) 등의 청소 중에 이온원(1)이 오염될 가능성이 있기 때문에, 이온빔(IB)의 주사에 의한 청소는, 수소 플라즈마의 생성에 의한 플라즈마 생성 용기(2)의 청소보다 전에 행하는 것이 바람직하다.
본 실시형태에서는, S5가 한창일 때에 반송 라인(L1)에 생기는 빈 시간을 이용하여, 후술하는 반송 라인 청소 단계 S12보다 간이하게 행할 수 있는 청소 방법으로 반송 라인(L1)을 청소하도록 하고 있다.
구체적으로 간이하게 행할 수 있는 청소 방법으로는, 예컨대 로드록실(R1)의 진공 상태와 대기 개방을 반복하여 로드록실(R1)에 존재하고 있는 파티클을 제거하거나, 세정한 기판을 복수매(예컨대 100∼200매) 연속하여 조사 위치에 반송하여 이들 기판에 반송 라인(L1)에 존재하고 있는 파티클을 부착시켜 제거하는 방법 등을 들 수 있다. 또, 이 간이적인 청소는 반드시 행할 필요는 없다.
S5의 청소후에는, S1 및 S2와 마찬가지로, 반송 라인(L1)을 통과시켜 새로운 기판을 이온빔(IB)의 조사 위치에 반송하고, 조사 위치에 반송된 기판에 이온빔(IB)을 조사하고(반송ㆍ조사 단계 S6), 이온빔(IB)이 조사된 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단한다(판단 단계 S7). 여기서의 목적은, S5에서의 빔라인 형성 요소의 청소에 의해 파티클의 발생을 저감할 수 있는지 아닌지를 확인하는 것에 있기 때문에, S6 및 S7에서 이용하는 기판은 필요 매수보다 적어도 상관없다.
S7에서 진단용 기판에 부착되어 있는 파티클이 적다고 판단한 경우는, S5에서의 빔라인 형성 요소의 청소에 의해 파티클의 발생을 저감시킬 수 있다고 할 수 있기 때문에, 파티클 진단을 종료한다.
한편, S7에서 진단용 기판에 부착되어 있는 파티클이 여전히 많다고 판단한 경우는, 이온빔 조사 장치(100)에 메인터넌스가 필요한 시기라고 할 수 있기 때문에(S8), 필요에 따라서 메인터넌스를 실시한다(S9). 또, S9에서의 메인터넌스후에는 S1로 되돌아가도 좋다.
다음으로, S4에서 제2 기판에 부착되어 있는 파티클이 많다고 판단한 경우에 관해 설명한다.
이 경우는, 제2 기판에 부착된 파티클은, S3에서의 제2 기판의 반송에 기인하여 발생한 것이라고 할 수 있는 동시에, S1에서 제1 기판에 부착된 파티클에는, 적어도 제1 기판의 반송에 기인하여 발생한 것이 포함되어 있다고 할 수 있다. 또, 제1 기판에 부착된 파티클에는, 제1 기판에 이온빔(IB)을 조사하는 것에 기인하여 발생한 것이 포함되어 있을 가능성도 있다.
이 경우, 본 실시형태에서는 반송 라인(L1)을 형성하는 어느 영역에서 파티클이 발생했는지를 특정하기 위해, 각 영역에 제1 기판이나 제2 기판과는 별도의 진단용 기판(이하, 제3 기판이라고 함)을 반송한다(영역별 반송 단계 S10).
구체적으로는, 각 영역에 서로 다른 제3 기판을 반송하고, S3에서 제2 기판에 대하여 각 영역에서 행해지는 영역별 작업을, 서로 다른 제3 기판에 대하여 행한다.
또, 제3 기판은, 제1 기판이나 제2 기판과 마찬가지로, 예컨대 타겟(W)으로서 이용되는 유리판을 세정하거나 하여 준비하면 된다.
보다 구체적으로 설명하면, 영역별 작업이란, S3에서 제2 기판을 로드록실(R1)에 반입하고, 조사 위치에 반송하여, 로드록실(R1)로부터 회수하기까지의 동안에, 제2 기판에 대하여 각 영역에서 행해지는 작업이다.
본 실시형태의 영역별 작업은, 제1 로드록실(R1a)에서 행해지는 제1 영역별 작업, 제2 로드록실(R1b)에서 행해지는 제2 영역별 작업, 반송실(R2)을 통해 제1 로드록실(R1a)과 처리실(R3)의 사이를 왕복시킬 때에 행해지는 제3 영역별 작업, 반송실(R2)을 통해 제2 로드록실(R1b)과 처리실(R3)의 사이를 왕복시킬 때에 행해지는 제4 영역별 작업, 및 처리실(R3)에서 행해지는 제5 영역별 작업이며, S10에서는 각 영역별 작업에 포함되는 공정의 적어도 일부를, 서로 다른 제3 기판에 대하여 복수회 반복하여 행하도록 하고 있다.
이하, 도 3∼도 5의 플로우차트를 참조하면서, 제1∼제5 영역별 작업에 관해 설명하지만, 제1 영역별 작업과 제2 영역별 작업은 조작하는 게이트 밸브의 차이를 제외하면 그 외에는 동일한 작업이고, 제3 영역별 작업과 제4 영역별 작업은 조작하는 게이트 밸브의 차이를 제외하면 그 외에는 동일한 작업이기 때문에, 제2 영역별 작업 및 제4 영역별 작업의 상세한 것은 생략한다.
우선, 제1 영역별 작업에 관해서 도 3의 플로우차트를 참조하면서 설명한다.
제1 영역별 작업에서는, 우선 제1 게이트 밸브(V1)를 개방하고(Sa1), 제1 로드록실(R1a)에 제3 기판을 반입하고(Sa2), 제1 게이트 밸브(V1)를 폐쇄한다(Sa3).
다음으로, 제1 로드록실(R1a)을 진공 상태로 하고(Sa4), 그 후 대기 개방하고(Sa5), 제1 게이트 밸브(V1)를 개방한다(Sa6).
계속해서, Sa3∼Sa6까지의 공정이 미리 정해진 횟수(예컨대 10회) 반복하여 행해졌는지를 판단하고(Sa7), 미리 정해진 횟수 반복되지 않은 경우는, 미리 정해진 시간(예컨대 수십초) 대기한 후(Sa8), Sa3으로 되돌아간다. 한편, Sa3∼Sa6까지의 공정이 미리 정해진 횟수 반복된 경우는, 제1 로드록실(R1a)로부터 제3 기판을 회수하고(Sa9), 제1 영역별 작업을 종료한다.
또, 제2 영역별 작업에 관해서는, 제2 게이트 밸브(V2)를 제1 게이트 밸브(V1)와 동일하게 조작하면 된다.
다음으로, 제3 영역별 작업에 관해 도 4의 플로우차트를 참조하면서 설명한다.
제3 영역별 작업의 시작은, 제1 영역별 작업의 Sa1∼Sa4와 동일하다(Sb1∼Sb4).
이어서, 제3 게이트 밸브(V3)를 개방하고(Sb5), 제3 기판을 반송실(R2) 내의 반송 로봇 등의 타겟 반송 기구에 수취하게 하고(Sb6), 제3 게이트 밸브(V3)를 폐쇄한다(Sb7).
계속해서, 타겟 반송 기구에 의해 제3 기판을 제5 게이트 밸브(V5) 부근으로 이동시키고(Sb8), 제5 게이트 밸브(V5)를 개방하고(Sb9), 제3 기판을 처리실(R3) 내에 설치되어 있는 플래턴(P)에 배치하고(Sb10), 제5 게이트 밸브(V5)를 폐쇄한다(Sb11).
그 후, 제5 게이트 밸브(V5)를 다시 개방하고(Sb12), 반송실(R2) 내의 타겟 반송 기구에 수취하게 하고(Sb13), 제5 게이트 밸브(V5)를 폐쇄한다(Sb14).
계속해서, 타겟 반송 기구에 의해 제3 기판을 제3 게이트 밸브(V3) 부근으로 이동시키고(Sb15), 제3 게이트 밸브(V3)를 개방하고(Sb16), 제3 기판을 제1 로드록실(R1a)에 반입하고(Sb17), 제3 게이트 밸브(V3)를 폐쇄하고(Sb18), 제1 로드록실(R1a)을 대기 개방한다(Sb19).
그리고, Sb4∼Sb19까지의 공정이 미리 정해진 횟수(예컨대 10회) 반복하여 행해졌는지를 판단하고(Sb20), 미리 정해진 횟수 반복되지 않은 경우는 Sb4로 되돌아간다. 한편, Sb4∼Sb19까지의 공정이 미리 정해진 횟수 반복된 경우는, 제1 게이트 밸브(V1)를 개방하고(Sb21), 제1 로드록실(R1a)로부터 제3 기판을 회수하고(Sb22), 제3 영역별 작업을 종료한다.
또, 제4 영역별 작업에서는, 제2 게이트 밸브(V2)를 제1 게이트 밸브(V1)와 동일하게 조작하고, 제4 게이트 밸브(V4)를 제3 게이트 밸브(V3)와 동일하게 조작하면 된다.
계속해서, 제5 영역별 작업에 관해 도 5의 플로우차트를 참조하면서 설명한다.
제5 영역별 작업의 시작은, 제3 영역별 작업의 Sb1∼Sb11과 동일하다(Sc1∼Sc11).
이어서, 플래턴(P)에 배치된 제3 기판을 클램프 기구에 의해 유지(클램프)하고(Sc12), 틸트각 변경 기구에 의해 플래턴을 세워 제3 기판의 틸트각을 변경하고(Sc13), 주사 기구에 의해 제3 기판을 이온빔(IB)과 교차하는 방향으로 이온빔(IB)을 조사하지 않고 주사한다(Sc14).
그리고, 틸트각 변경 기구에 의해 플래턴을 눕혀 제3 기판의 틸트각을 되돌리고(Sc15), 클램프 기구에 의해 제3 기판을 개방(언클램프)한다(Sc16).
계속해서, Sc12∼Sc16까지의 공정이 미리 정해진 횟수(예컨대 10회) 반복하여 행해졌는지를 판단하고(Sc17), 미리 정해진 횟수 반복되지 않은 경우는 Sc12로 되돌아간다. 한편, Sc12∼Sc16까지의 공정이 미리 정해진 횟수 반복된 경우는, 제2 영역별 작업의 Sb12∼Sb19와 동일한 작업을 행하고(Sc18∼Sc25), 제1 게이트 밸브(V1)를 개방하고(Sc26), 로드록실(R1)로부터 제3 기판을 회수하고(Sc27), 제5 영역별 작업을 종료한다.
또, 제5 영역별 작업의 시작이나 끝은, 제4 영역별 작업과 동일하게 해도 좋다. 즉, 제5 영역별 작업은, 제3 기판을 제2 로드록실(R1b)에 반입하는 것부터 시작하여, 제2 로드록실(R1b)로부터 회수함으로써 종료해도 좋다.
본 실시형태에서는, S10에서, 제1 영역별 작업, 제2 영역별 작업, 제3 영역별 작업, 제4 영역별 작업 및 제5 영역별 작업을 이 순으로 행하도록 하고 있지만, 각 영역별 작업을 행하는 순서는 적절하게 변경해도 상관없다.
S10에서 각 영역별 작업을 행한 후, 회수한 제3 기판 중 어느 제3 기판에 파티클이 많이 부착되어 있는지를 확인함으로써, 파티클이 많이 부착되어 있는 제3 기판의 반송된 영역이 파티클의 발생 개소라고 특정한다(발생 개소 특정 단계 S11). 바꿔 말하면, 파티클이 많이 부착되어 있는 제3 기판에 대하여 행해진 영역별 작업을 파티클의 발생 요인으로 특정할 수 있다.
그리고, S11에서 파티클의 발생 개소라고 특정한 영역을 청소한다(반송 라인 청소 단계 S12).
구체적으로는, 제1 영역별 작업을 행한 제3 기판에 파티클이 많이 부착되어 있는 경우는, 제1 로드록실(R1a)이 파티클의 발생 개소이고, 제1 로드록실(R1a) 내의 청소, 제1 로드록실(R1a)의 진공 상태 및 대기 개방의 반복, 제1 게이트 밸브(V1)나 제3 게이트 밸브(V3)의 주변의 확인, 제1 로드록실(R1a)의 상벽에 설치된 덮개의 확인 등을 행한다.
제2 영역별 작업을 행한 제3 기판에 파티클이 많이 부착되어 있는 경우는, 제2 로드록실(R1b)이 파티클의 발생 개소이고, 제2 로드록실(R1b) 내의 청소, 제2 로드록실(R1b)의 진공 상태 및 대기 개방의 반복, 제2 게이트 밸브(V2)나 제4 게이트 밸브(V4)의 주변 확인, 제2 로드록실(R1b)의 상벽에 설치된 덮개의 확인 등을 행한다.
제3 영역별 작업을 행한 제3 기판에 파티클이 많이 부착되어 있고, 또한, 제4 영역별 작업을 행한 제3 기판에는 파티클이 많이 부착되지 않은 경우는, 제3 게이트 밸브(V3)가 파티클의 발생 개소이고, 제3 게이트 밸브(V3)의 주변 확인 등을 행한다.
제4 영역별 작업을 행한 제3 기판에 파티클이 많이 부착되어 있고, 또한, 제3 영역별 작업을 행한 제3 기판에는 파티클이 많이 부착되지 않은 경우는, 제4 게이트 밸브(V4)가 파티클의 발생 개소이고, 제4 게이트 밸브(V4)의 주변 확인 등을 행한다.
제3 영역별 작업을 행한 제3 기판과 제4 영역별 작업을 행한 제3 기판의 양쪽 모두에 파티클이 많이 부착되어 있는 경우는, 제3 게이트 밸브(V3) 및 제4 게이트 밸브(V4) 양쪽 모두, 제5 게이트 밸브(V5), 또는 제3 게이트 밸브(V3), 제4 게이트 밸브(V4) 및 제5 게이트 밸브(V5) 모두가 파티클의 발생 개소로서 생각되고, 제3 게이트 밸브(V3), 제4 게이트 밸브(V4) 및 제5 게이트 밸브(V5)의 주변 확인 등을 행한다.
제5 영역별 작업을 행한 제3 기판에 파티클이 많이 부착되어 있는 경우는, 처리실(R3)이 파티클의 발생 개소이고, 처리실(R3)에 설치되어 있는 클램프 기구나 틸트각 변경 기구나 주사 기구 등의 확인을 행한다.
S12의 청소후에는, 전술한 바와 같이 이온빔(IB)의 조사에 기인하여 파티클이 발생했을 가능성이 있기 때문에, 본 실시형태에서는 S1로 되돌아간다.
이러한 본 실시형태의 파티클 진단 방법에 의하면, 우선은 제1 기판을 조사 위치에 반송하여 이온빔(IB)을 조사하고, 그 제1 기판에 부착되어 있는 파티클이 많다고 판단한 경우에는, 제2 기판을 조사 위치에 반송하여, 그 제2 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하고 있기 때문에, 제2 기판에 부착되어 있는 파티클이 적으면, 제1 기판에는 이온빔(IB)의 조사에 기인한 파티클이 부착되었다는 것을 알 수 있다. 한편, 제2 기판의 부착량이 많으면, 제1 기판에는 적어도 반송에 기인한 파티클이 부착되었다는 것을 알 수 있다.
이와 같이 본 실시형태의 파티클 진단 방법에 의하면, 이온빔(IB)의 조사에 기인하여 파티클이 발생했다는 것이나, 기판의 반송에 기인하여 파티클이 발생했다는 것을 알 수 있기 때문에, 장치 전체 중에서 파티클의 발생 개소를 좁힐 수 있어, 효율이 좋은 청소로 파티클의 발생을 저감시키는 것이 가능해진다.
또한, 반송 라인(L1)에 기인하여 파티클이 발생했다는 것을 알게 된 경우에, 영역별 반송 단계(S10)나 발생 개소 특정 단계(S11)에서 반송 라인(L1)을 형성하는 어느 영역에서 파티클이 발생했는지를 특정하고 있기 때문에, 청소해야 할 개소를 더욱 좁힐 수 있다.
게다가, 각 영역별 작업에 포함되는 공정의 적어도 일부를, 서로 다른 제3 기판에 대하여 복수회 반복하여 행하기 때문에, 각 영역별 작업을 행한 후의 제3 기판을 확인하면, 어느 영역별 작업에 의해 파티클이 부착되었는지를 보다 정확하게 판단할 수 있다.
덧붙여, 빔라인 청소 단계 S5가 한창일 때에 반송 라인(L1)을 간이하게 청소하고 있기 때문에, 이 간이한 청소에 의해 기판의 반송에 기인하는 파티클의 발생을 억제할 수 있으면, 다음 파티클 진단시에도 반송 라인(L1)이 파티클의 발생 개소가 되지 않을 가능성을 높일 수 있다. 그렇게 하면, 메인터넌스 사이클을 연장시킬 수 있어, 장치의 가동율을 향상시킬 수 있다.
또, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니다.
예컨대, 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를, 상기 실시형태에서는 이물질 검사 장치 등에 의해 계측한 파티클의 개수에 기초하여 판단했지만, 이물질 검사 장치 등에 의해 얻어지는 파티클의 맵정보에 기초하여 판단해도 좋다.
기타, 자동 광학 검사 장치(AOI)에 의한 검사 결과에 기초하여, 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단해도 좋다.
또한, 각 영역별 작업 중 제3 기판에 대하여 반복하여 행하고 있는 공정은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 예컨대 제1 영역별 작업에서 진공 상태(Sa4) 및 대기 개방(Sa5)을 반복하여 행하도록 하거나, 제3 영역별 작업에서 제5 게이트 밸브(V5)로의 이동(Sb8)으로부터 제3 게이트 밸브(V3)로의 이동(Sb15)까지를 반복하여 행하도록 하거나, 제5 영역별 작업에서 클램프(Sc12) 및 언클램프(Sc16)만 또는 주사(Sc14)만을 반복하여 행하도록 하거나, 반복하는 공정은 적절하게 변경해도 상관없다. 또한, 반복 횟수는 적절하게 변경해도 상관없다.
이와 같이 반복하는 공정이나 반복 횟수를 적절하게 변경하는 것을 감안하면, 이온빔 조사 장치(100)는, 예컨대 터치패널 등의 입력 수단을 통해 오퍼레이터가 반복하는 공정이나 반복 횟수를 변경할 수 있도록 구성되어 있어도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는 빔라인 청소 단계(S5)가 한창일 때에 반송 라인(L1)을 청소하는 것을 설명했지만, 영역별 반송 단계(S10)가 한창일 때에 빔라인 형성 요소를 청소해도 좋다.
구체적으로는, 예컨대 처리실(R3)에서 이온빔(IB)이 입사하는 개구를 게이트 밸브 등으로 폐쇄해 두고, 그 상태로 영역별 반송 단계(S10)가 한창일 때에, 빔라인 청소 단계(S5)와 마찬가지로, 이온빔(IB)을 자계에 의해 주사하거나, 플라즈마 생성 용기(2) 내에 수소 플라즈마를 생성함으로써 빔라인 형성 요소를 청소하는 방법을 들 수 있다.
덧붙여, 상기 실시형태에서는 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 오퍼레이터가 판단했지만, 도 6에 나타낸 바와 같이, 파티클 진단 장치(200)가 자동적으로 판단하도록 해도 좋다.
구체적으로 파티클 진단 장치(200)는, CPU, 메모리, 입출력 인터페이스, AD 변환기 등을 구비한 범용 내지 전용 컴퓨터이며, 상기 메모리의 미리 정해진 영역에 기억시킨 미리 정해진 프로그램에 따라서 CPU나 주변 기기 등을 협동시킴으로써, 기판에 부착되어 있는 파티클의 개수 또는 개수에 관련된 값을 나타내는 개수 데이터를 접수하는 개수 데이터 접수부(21)와, 개수 데이터 접수부(21)에 의해 접수된 개수 데이터에 기초하여 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하는 판단부(22)로서의 기능을 발휘하는 것이다. 또, 「개수에 관련된 값」이란, 전술한 파티클의 맵정보 등이다.
보다 구체적으로 설명하면, 개수 데이터 접수부(21)는, 반송 라인(L1)을 통과시켜 이온빔(IB)의 조사 위치에 반송되어, 상기 조사 위치에서 이온빔(IB)이 조사된 제1 기판에 부착되어 있는 파티클의 제1 개수 데이터와, 반송 라인(L1)을 통과시켜 조사 위치에 반송된 제2 기판에 부착되어 있는 파티클의 제2 개수 데이터를, 예컨대 이물질 검사 장치 등으로부터 접수한다.
그리고, 판단부(22)는, 제1 개수 데이터에 기초하여 제1 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하고, 제2 개수 데이터에 기초하여 제2 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하고, 그 판단 결과를 예컨대 디스플레이 등에 출력한다.
전술한 구성에 의해, 판단부(22)에 의해, 제1 기판에 부착되어 있는 파티클이 많고, 또한, 제2 기판에 부착되어 있는 파티클이 적다고 판단된 경우에는, 기판에 이온빔(IB)을 조사하는 것에 기인하여 파티클이 발생했다는 것을 알 수 있다.
한편, 판단부(22)에 의해, 제2 기판에 부착되어 있는 파티클이 많다고 판단된 경우에는, 적어도 기판의 반송에 기인하여 파티클이 발생했다는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 전술한 파티클 진단 장치(200)에 의하면, 이온빔 조사 장치(100)에서의 파티클의 발생 개소를 자동으로 진단할 수 있다.
또, 개수 데이터 접수부(21)가 상기 실시형태에서의 영역별 작업을 행한 제3 기판에 부착되어 있는 파티클의 개수 데이터를 접수하고, 그 개수 데이터에 기초하여 판단부(22)가 각 제3 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하도록 구성하면, 반송 라인(L1)을 형성하는 어느 영역이 파티클의 발생 개소인지를 자동적으로 좁힐 수 있다.
기타, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 그 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지 변형이 가능한 것은 물론이다.
100 : 이온빔 조사 장치
IB : 이온빔
W : 타겟
L1 : 반송 라인
L2 : 빔라인
R1a : 제1 로드록실
R1b : 제2 로드록실
R2 : 반송실
R3 : 처리실

Claims (7)

  1. 이온빔 조사 장치에서의 파티클의 발생 개소를 진단하기 위한, 파티클의 발생 개소를 진단하는 방법으로서,
    제1 기판을 미리 정해진 반송 라인을 통과시켜 이온빔의 조사 위치에 반송하고, 상기 조사 위치에 반송된 상기 제1 기판에 이온빔을 조사하는 반송ㆍ조사 단계와,
    상기 반송ㆍ조사 단계에서 이온빔이 조사된 상기 제1 기판에 부착되어 있는 파티클을 장치에 의해 카운트하는 제1 카운트 단계와,
    상기 제1 카운트 단계에 의해 카운트된 파티클의 개수와, 상기 반송ㆍ조사 단계 전에 장치에 의해 카운트된 상기 제1 기판에 부착되어 있는 파티클의 개수 또는 미리 정한 임계치를 비교하여, 상기 반송ㆍ조사 단계에서 이온빔이 조사된 상기 제1 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하는 제1 판단 단계와,
    상기 제1 판단 단계에서 파티클이 많다고 판단한 경우에, 제2 기판을 상기 반송 라인을 통과시켜 상기 조사 위치에 반송하는 반송 단계와,
    상기 반송 단계에서 상기 조사 위치에 반송된 상기 제2 기판에 부착되어 있는 파티클을 장치에 의해 카운트하는 제2 카운트 단계와,
    상기 제2 카운트 단계에 의해 카운트된 파티클의 개수와, 상기 반송 단계 전에 장치에 의해 카운트된 상기 제2 기판에 부착되어 있는 파티클의 개수 또는 미리 정한 임계치를 비교하여, 상기 반송 단계에서 상기 조사 위치에 반송된 상기 제2 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하는 제2 판단 단계
    를 포함하는, 파티클의 발생 개소를 진단하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이온빔 조사 장치가, 상기 이온빔이 통과하는 빔라인을 형성하는 빔라인 형성 요소를 포함하고,
    상기 제2 판단 단계에서 파티클이 적다고 판단한 경우에, 상기 빔라인 형성 요소를 청소하는 빔라인 청소 단계를 더 포함하는, 파티클의 발생 개소를 진단하는 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 반송 라인이 복수의 영역에 걸쳐 형성되어 있고,
    상기 제2 판단 단계에서 파티클이 많다고 판단한 경우에, 상기 반송ㆍ조사 단계에서 상기 제2 기판에 대하여 상기 복수의 영역 각각에서 행해지는 영역별 작업을, 서로 다른 제3 기판에 대하여 행하는 영역별 반송 단계와,
    상기 영역별 반송 단계에서 상기 각 영역별 작업을 행한 상기 제3 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를, 상기 영역별 반송 단계에서 상기 각 영역에서 상기 영역별 작업이 행해진 상기 제3 기판에 부착되어 있는 파티클의 개수를 이용하여 판단하는 제3 판단 단계
    를 더 포함하는, 파티클의 발생 개소를 진단하는 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제3 판단 단계에서 파티클이 많다고 판단한 상기 제3 기판에 대응하는 상기 영역을 청소하는 반송 라인 청소 단계를 더 포함하는, 파티클의 발생 개소를 진단하는 방법.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 영역별 반송 단계에서 상기 각 영역별 작업을 상기 제3 기판에 대하여 복수회 반복하는, 파티클의 발생 개소를 진단하는 방법.
  6. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 빔라인 청소 단계에서 적어도 하나의 상기 영역을 청소하거나, 상기 영역별 반송 단계에서 상기 빔라인 형성 요소를 청소하는, 파티클의 발생 개소를 진단하는 방법.
  7. 이온빔 조사 장치에서의 파티클의 발생 개소를 진단하기 위한, 파티클의 발생 개소를 진단하는 장치로서,
    기판에 부착되어 있는 파티클의 개수 또는 개수에 관련된 값을 나타내는 개수 데이터를 접수하는 개수 데이터 접수부와,
    상기 개수 데이터 접수부에 의해 접수된 상기 개수 데이터에 기초하여, 상기 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하는 판단부
    를 포함하고,
    상기 개수 데이터 접수부가, 미리 정해진 반송 라인을 통과시켜 이온빔의 조사 위치에 반송되어, 상기 조사 위치에서 이온빔이 조사된 제1 기판에 부착되어 있는 파티클의 제1 개수 데이터, 및 상기 반송 라인을 통과시켜 상기 조사 위치에 반송된 제2 기판에 부착되어 있는 파티클의 제2 개수 데이터를 접수하며,
    상기 판단부가, 상기 제1 개수 데이터와, 상기 반송 및 조사 전에 장치에 의해 카운트된 상기 제1 기판에 부착되어 있는 파티클의 개수 또는 미리 정한 임계치를 비교하여 상기 제1 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하고, 상기 제2 개수 데이터와, 상기 반송 전에 장치에 의해 카운트된 상기 제2 기판에 부착되어 있는 파티클의 개수 또는 미리 정한 임계치를 비교하여 상기 제2 기판에 부착되어 있는 파티클이 많은지 적은지를 판단하는 것인, 파티클의 발생 개소를 진단하는 장치.
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