KR102323079B1 - 케이블 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치 - Google Patents

케이블 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치에 제공되는 케이블 어셈블리는 전기적으로 연결되는 전선, 상기 전선을 감싸며, 내부에 보호 공간을 가지는 보호 튜브, 상기 보호 공간에 비활성 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 포함한다. 이에 따라 전선들의 잉여 공간에 잔류되는 대기 성분 및 불순물을 제거할 수 있다.

Description

케이블 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치{Cable assembly and Apparatus for treating substrate with th assembly}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
최근에는 휴대 전화기, 휴대형 컴퓨터 등의 전자 기기의 표시부에 액정 표시 장치가 널리 이용되고 있다. 이러한 액정 표시 장치는 블랙 매트릭스, 컬러 필터, 공통 전극 및 배향막이 형성된 컬러 필터 기판, 박막트랜지스터(TFT), 화소 전극 및 배향막이 형성된 어레이 기판 사이의 공간에 액정을 주입하여, 액정의 이방성에 따른 빛의 굴절률의 차이를 이용해 영상 효과를 얻는다.
이 같이 컬러 필터 기판과 어레이 기판 상에 배향액이나 액정과 같은 처리액을 도포하는 장치로는 잉크젯 방식의 도포 장치가 사용되고 있다. 특히 액정 표시 장치 중 오엘이디(OLED) 장치에 사용되는 처리액은 대기와 민감하게 반응된다. 이에 따라 기판 상에 처리액을 공급하는 과정에는 공정 챔버의 내부 공간을 대기 분위기와 상이한 비활성 분위기로 유지시켜야 한다.
일반적으로 처리액 도포 장치는 지지 유닛, 액 공급 유닛, 그리고 구동기를 포함한다. 지지 유닛은 기판을 지지하고, 액 공급 유닛은 기판 상에 처리액을 공급한다. 구동기는 지지 유닛 및 액 공급 유닛이 동작되도록 각 유닛에 구동력을 제공한다.
일반적으로 구동기는 전기적으로 연결된 전선들로부터 전력을 제공받는다. 이러한 전선들은 그 크기를 최소화하기 위해 서로 밀착되게 위치된다. 도 1은 처리액 도포 장치에 사용되는 일반적인 전선들을 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 전선들(2)을 원통 형상을 가지며, 적어도 3 개 이상의 전선들이 밀착될 시 잉여 공간이 발생된다. 그러나 잉여 공간에는 대기 분위기의 수분과 같은 불순물이 잔류하게 된다. 이에 따라 그 불순물은 전선들과 함께 공정 챔버 내에 반입되고, 공정 챔버의 내부 공간을 비활성 분위기로 전환시키는 공정이 수행된다. 그러나 그 잉여 공간에 잔류된 불순물들은 쉽게 제거되지 않으며, 기판 처리 과정 중에 전선(2)으로부터 분리되어 공정 불량의 원인이 될 수 있다.
본 발명은 처리액과 반응하는 대기 성분 및 불순물이 공정 챔버 내에 유입되는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 복수 개의 전선들의 잉여 공간에 잔류된 대기 성분 및 불순물을 제거할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치에 제공되는 케이블 어셈블리는 전기적으로 연결되는 전선, 상기 전선을 감싸며, 내부에 보호 공간을 가지는 보호 튜브, 상기 보호 공간에 비활성 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 포함한다.
상기 보호 공간에 제공된 비활성 가스를 배기하는 가스 배기 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 보호 튜브는 상기 보호 공간을 가지며, 공급홀 및 배기홀이 형성되는 몸통관을 포함하되, 상기 가스 공급 부재는 상기 공급홀에 연결되고, 상기 가스 배기 부재는 상기 배기홀에 연결될 수 있다. 상기 전선은 복수 개로 제공되며, 각각의 전선은 서로 밀착되게 위치되고, 전선들 사이에는 잉여 공간이 형성될 수 있다.
기판 처리 장치는 내부에 밀폐된 처리 공간을 가지는 공정 챔버, 상기 처리 공간을 대기 분위기와 상이한 공정 분위기로 조절하는 분위기 조절 유닛, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 토출 헤드를 가지는 액 공급 유닛, 상기 기판 지지 유닛 및 상기 액 공급 유닛 각각을 구동시키는 구동 부재, 그리고 전력 공급부로부터 제공된 전력을 상기 구동 부재를 공급하는 케이블 어셈블리를 포함하되, 상기 케이블 어셈블리는 상기 처리 공간에 위치되며, 상기 전력 공급부 및 상기 구동 부재를 서로 연결하는 전선, 상기 전선을 감싸며, 내부에 보호 공간을 가지는 보호 튜브, 그리고 상기 보호 공간에 비활성 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 포함한다.
상기 보호 공간에 제공된 비활성 가스를 배기하는 가스 배기 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 보호 튜브는 상기 보호 공간을 가지며, 공급홀 및 배기홀이 형성되는 몸통관을 포함하되, 상기 가스 공급 부재는 상기 공급홀에 연결되고, 상기 가스 배기 부재는 상기 배기홀에 연결될 수 있다. 상기 기판 처리 장치는 상기 처리 공간을 비활성 분위기로 제공하는 분위기 형성 유닛을 더 포함하되, 상기 분위기 형성 유닛은 상기 처리 공간에 분위기 가스를 공급하는 가스 공급 라인 및 상기 처리 공간에 분위기를 배기하는 가스 배기 라인을 포함할 수 있다. 상기 전선은 복수 개로 제공되며, 각각의 전선은 서로 밀착되게 위치되고, 전선들 사이에는 잉여 공간이 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 보호 튜브는 복수 개의 전선들을 감싸고, 보호 튜브의 내부 공간으로 비활성 가스를 공급 및 배기한다. 이에 따라 전선들의 잉여 공간에 잔류되는 대기 성분 및 불순물을 제거할 수 있다.
도 1은 처리액 도포 장치에 사용되는 일반적인 전선들을 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3의 헤드 이동 유닛의 측면을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 2의 케이블 어셈블리를 제1방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 2의 케이블 어셈블리를 제2방향에서 바라본 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도 2 내지 도 6을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 사시도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1000)는 반입 모듈(20), 공정 모듈(40), 반출 모듈(60), 그리고 버퍼 모듈을 포함한다. 반입 모듈(20), 공정 모듈(40), 그리고 반출 모듈(60) 각각은 직육면체 형상을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 반입 모듈(20), 공정 모듈(40), 그리고 반출 모듈(60) 각각은 제 1 방향(I)으로 설정된 폭을 가지고, 그 길이방향이 제 1 방향(I)과 수직한 제 2 방향(14)을 향하는 직사각의 형상을 가진다. 반입 모듈(20), 공정 모듈(40), 그리고 반출 모듈(60)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배열된다. 반입 모듈(20), 공정 모듈(40), 그리고 반출 모듈(60)은 서로 간에 인접하게 위치된다. 공정 모듈(40)을 내부에 기판(S)을 처리하는 처리 공간을 제공한다. 처리 공간은 대기 분위기와 상이한 분위기를 가지도록 제공된다. 처리 공간은 비활성 분위기를 가지도록 제공된다. 반입 모듈(20)은 공정 모듈(40)에 기판(S)이 반입되는 입구로 기능하고, 반출 모듈(60)은 공정 모듈(40)로부터 기판(S)이 반출되는 출구로 기능한다. 각각의 모듈(20,40,60)의 내부 공간은 서로 연통되며, 서로 차단 가능하다. 따라서 각각의 모듈(20,40,60)에는 기판(S)을 제 2 방향(14)으로 반송하는 기판 지지 유닛(200)이 제공되며, 반입 모듈(20) 및 반출 모듈(60)의 내부 분위기들은 대기 분위기 및 비활성 분위기로 전환 가능하다. 버퍼 모듈(80)은 공정 모듈(40)의 일측에 위치된다. 버퍼 모듈(80)은 제1방향(I)을 향하는 공정 모듈(40)의 일측에 위치된다. 버퍼 모듈(80)은 내부에 버퍼 공간을 가지며, 이와 다른 모듈(20,40,60)과 같이 대기 분위기 및 비활성 분위기로 전환 가능하다. 버퍼 공간은 공정 모듈(40) 내에 위치된 장비들을 메인터넌스 시 그 외부로 반출입하기 위한 공간으로 제공된다.
공정 모듈(40)은 기판(W) 상에 처리액을 공급하는 기판 처리 장치로 제공된다. 도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 사시도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치는 공정 모듈(40)은 공정 챔버(100), 분위기 형성 유닛(120), 기판 지지 유닛(200), 액 공급 유닛(300), 세정 유닛(700), 검사 유닛(800), 그리고 케이블 어셈블리(900)를 포함한다.
공정 챔버(100)는 내부에 기판(S)을 처리하는 처리 공간(102)을 제공한다. 공정 챔버(100)는 직육면체 형상을 가지도록 제공되며, 전단 및 후단 각각에 반입 모듈(20) 및 반출 모듈(60)과 연통되는 입출구가 형성된다. 일 예에 의하면, 챔버(100)의 입출구는 각각 개폐될 수 있다. 일 예에 의하면, 처리 공간은 대기 분위기와 상이한 비활성 분위기로 제공될 수 있다.
분위기 형성 유닛(120)은 처리 공간(102)을 공정 챔버(100)의 외부 공간인 대기 분위기와 상이한 공정 분위기로 형성한다. 분위기 형성 유닛(120)은 처리 공간(102)을 비활성 분위기로 형성한다. 분위기 형성 유닛(120)은 처리 공간(102)에 분위기 가스를 공급한다. 분위기 형성 유닛(120)은 가스 공급 라인(122) 및 가스 배기 라인(124)을 포함한다. 가스 공급 라인(122)은 처리 공간(102)에 분위기 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(122)은 챔버(100)에 연결된다. 가스 배기 라인(124)은 처리 공간(102)에 공급된 분위기 가스를 배기한다. 가스 배기 라인(124)은 처리 공간(102)에 제공된 분위기 가스를 배기하는 동시에 처리 공간의 압력을 제어한다. 일 예에 의하면, 분위기 가스는 비활성 가스일 수 있다. 비활성 가스는 질소 가스(N2)일 수 있다.
기판 지지 유닛(200)은 처리 공간(102)에서 기판(S)을 제 2 방향(14)으로 반송한다. 기판 지지 유닛(200)은 반송용 레일(210), 지지판(250), 그리고 회전 부재(230)를 포함한다. 반송용 레일(210)은 그 길이방향이 제 2 방향(Ⅱ)을 향하도록 제공된다. 반송용 레일(210)은 기판(S)이 제 2 방향(Ⅱ)으로 이동되도록 그 이동 방향을 안내한다. 지지판(250)은 기판(S)을 지지한다. 지지판(250)은 직사각의 판 형상을 가지도록 제공된다. 회전 부재(230)는 수직축을 중심으로 지지판(250)을 회전시킨다. 회전 부재(230)는 지지판(250)의 아래에서 지지판(250)과 반송용 레일(210)을 서로 연결한다. 이에 따라 지지판(250)에 지지된 기판(W)은 반송용 레일(210)을 따라 제 2 방향(Ⅱ)으로 이동 가능하며, 회전 부재(230)에 의해 회전될 수 있다. 예컨대, 기판(S) 상에 형성된 셀의 장변의 방향이 제1방향(I)을 향하는 경우, 기판(S)은 회전 부재(230)에 의해 그 셀의 장변이 제1방향(I)을 향하도록 회전될 수 있다.
액 공급 유닛(300)은 기판 지지 유닛(200)에 의해 지지된 기판(S) 상에 액정과 같은 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(300)은 갠트리(310), 헤드 유닛(400), 헤드 이동 유닛(500), 그리고 헤드 제어 유닛(600)을 포함한다. 갠트리(310)는 처리 공간에서 기판(S)의 반송 경로의 상부에 제공된다. 갠트리(310)는 길이 방향이 제 1 방향(I)을 향하는 바 형상을 가진다. 갠트리(310)는 제 1 방향(I)을 향하는 길이가 지지판(250)에 비해 길게 제공된다. 갠트리(310)의 양측 가장자리는 지지축들(320)이 위치되고, 각각의 지지축(320)은 갠트리(310)를 지지한다. 따라서 갠트리(310)는 그 위치가 고정된다. 일 예에 의하면, 공정 모듈(40)을 제 1 방향(I)으로 바라볼 때, 갠트리(310)는 버퍼 모듈(80)과 중첩되게 위치될 수 있다.
선택적으로, 갠트리(310)의 양측 가장자리는 가이드 레일을 포함하는 갠트리 이동 유닛에 의해 지지될 수 있다. 이러한 가이드 레일은 그 길이방향이 제 2 방향(Ⅱ)을 향하며, 갠트리(310)는 제 2 방향(Ⅱ)을 따라 직선 이동될 수 있다.
헤드 유닛(400)은 기판(S) 상에 처리액을 토출한다. 헤드 유닛(400)은 갠트리(310)에 결합된다. 헤드 유닛(400)은 헤드 이동 유닛(500)에 의해 갠트리(310)의 길이 방향, 즉 제 1 방향(I)으로 직선 이동하고, 제 3 방향(Ⅲ)으로 직선 이동될 수 있다. 헤드 유닛(400)은 제 1 방향(I)으로 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동 가능하다. 여기서 공정 위치는 헤드 유닛(400)이 기판과 대향되는 위치이고, 대기위치는 헤드 유닛(400)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 일 예에 의하면, 대기 위치는 토출 헤드(402)가 세정 유닛(700) 및 검사 유닛(800)에 대향된 위치일 수 있다.
헤드 유닛(400)은 복수 개의 노즐들(미도시)을 가지는 토출 헤드(402) 포함한다. 토출 헤드(402)의 하단은 처리액이 토출되는 토출단으로 제공된다. 예컨대, 토출 헤드(402) 각각에는 128 개 또는 256 개의 노즐들(미도시)이 제공될 수 있다. 노즐들(미도시)은 일정 피치의 간격으로 일렬로 배치될 수 있다. 노즐들(미도시)은 μg 단위의 양으로 액정을 토출할 수 있다. 헤드 유닛(400)에는 노즐들(미도시)에 대응하는 수만큼의 압전 소자가 제공될 수 있으며, 노즐들(미도시)의 액적 토출 량은 압전 소자들에 인가되는 전압의 제어에 의해 각기 독립적으로 조절될 수 있다.
헤드 이동 유닛(500)은 헤드 유닛(400)을 제 1 방향(I) 및 제 3 방향(16)으로 직선 이동시킨다. 도 4는 도 3의 헤드 이동 유닛의 측면을 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 헤드 이동 유닛(500)은 제 1 이동 유닛(520) 및 제 2 이동 유닛(540)를 포함한다. 제 1 이동 유닛(520)은 헤드 유닛(400)을 갠트리(310)의 길이 방향, 즉 제 1 방향(I)으로 직선 이동시키고, 제 2 이동 유닛(540)은 헤드 유닛(400)을 제 3 방향(Ⅲ)으로 직선 이동시킨다.
제 1 이동 유닛(520)은 가이드 레일들(522a,522b), 슬라이더들(524a, 524b), 그리고 이동 플레이트(526)를 포함한다. 가이드 레일들(522a,522b)은 제 1 방향(I)으로 길게 연장되며, 갠트리(310)의 전면에 제 3 방향(Ⅲ)으로 이격 설치될 수 있다. 가이드 레일들(522a,522b)에는 슬라이더들(524a, 524b)이 이동 가능하게 결합되며, 슬라이더들(524a, 524b)에는 직선 구동기가 내장될 수 있다. 예컨대, 직선 구동기는 리니어 모터(미도시)일 수 있다. 이동 플레이트(526)는 슬라이더들(524a, 524b)에 결합된다. 이동 플레이트(526)의 상부 영역은 상부에 위치한 슬라이더(524a)에 결합되고, 이동 플레이트(526)의 하부 영역은 하부에 위치한 슬라이더(524b)에 결합된다. 이동 플레이트(526)는 리니어 모터(미도시)의 구동력에 의해 가이드 레일들(522a,522b)을 따라 제 1 방향(I)으로 직선 이동한다.
제 2 이동 유닛(540)은 가이드 부재(542) 및 슬라이더(544)를 포함한다. 가이드 부재(542)는 제 1 이동 유닛(520)의 이동 플레이트(526)에 결합되며, 슬라이더(544)의 제 3 방향(Ⅲ) 직선 이동을 안내한다. 슬라이더(544)는 가이드 부재(542)에 직선 이동 가능하게 결합되며, 슬라이더(544)에는 직선 구동기가 내장된다. 예컨대, 직성 구동기는 리니어 모터(미도시)일 수 있다. 헤드(400)는 슬라이더(544)에 결합되며, 슬라이더(544)의 제 3 방향(Ⅲ) 직선 이동에 의해 제 3 방향(Ⅲ)으로 이동된다.
헤드 제어 유닛(600)은 헤드 유닛(400)의 처리액 토출을 제어한다. 헤드 제어 유닛(600)은 갠트리(310)의 상단에 배치될 수 있다. 본 실시 예에서는 헤드 제어 유닛(600)이 갠트리(310)의 상단에 배치된 경우를 예로 들어 설명하지만, 헤드 제어 유닛(600)의 위치는 이에 한정되는 것은 아니다. 헤드 제어 유닛(600)은 각각의 헤드 유닛(400)에 전기적으로 연결되고, 헤드 유닛(400)로 제어 신호를 인가한다. 헤드 유닛(400)에는 처리액 노즐들(미도시)에 대응하는 수의 압전 소자(미도시)가 제공될 수 있으며, 헤드 제어 유닛(600)은 압전 소자들에 인가되는 전압을 제어하여 노즐들(미도시)의 액정 토출 량을 조절할 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 세정 유닛(700)은 토출 헤드(402)의 토출단을 세정 처리한다. 세정 유닛(700)은 토출 헤드(402)의 토출단에 잔류된 처리액을 세정 처리 한다. 세정 유닛(700)은 헤드 유닛(400)이 제 1 방향(I)으로 이동되는 경로 상에 위치된다. 일 예에 의하면, 세정 유닛(700)은 토출단에 음압을 제공하여 처리액을 흡입 제거할 수 있다.
검사 유닛(800)은 광학 검사를 통해 헤드 유닛(400)에 제공된 처리액 노즐들의 이상 유무를 확인한다. 검사 유닛(800)은 처리액 노즐들 각각에 대한 토출 유량을 각각 검사하여 그 이상 유무를 확인할 수 있다.
케이블 어셈블리(900)는 전기적으로 연결되어 동작 가능한 장치(이하, 구동 부재)에 전력을 제공한다. 케이블 어셈블리(900)는 각 구동 부재를 외부에 위치된 전력 공급부(미도시)에 연결한다. 일 예에 의하면, 구동 부재는 기판 지지 유닛(200)의 회전 부재(230), 헤드 유닛(400), 헤드 제어 유닛(600), 헤드 이동 유닛(500), 세정 유닛(700), 그리고 검사 유닛(800) 등 다양하게 적용될 수 있다.
도 5는 도 2의 케이블 어셈블리를 제 1 방향에서 바라본 단면도이고, 도 6은 도 2의 케이블 어셈블리를 제 2 방향에서 바라본 단면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 케이블 어셈블리(900)는 전선(910), 보호 튜브(920), 가스 공급 부재(940), 그리고 가스 배기 부재(960)를 포함한다. 전선(910)은 복수 개로 제공된다. 복수 개의 전선(910)들은 서로 밀착되게 위치된다. 복수 개의 전선들(910)은 처리 공간(102)에 위치되며, 공정 챔버(100)의 일벽에 제공된 전력 커넥터(미도시)에 연결된다. 전력 커넥터는 전력 공급부에 연결되게 제공된다.
보호 튜브(920)는 복수 개의 전선(910)들을 보호한다. 보호 튜브(920)의 내부에 보호 공간(922)을 가지는 몸통관(920)으로 제공된다. 보호 공간(922)에는 복수 개의 전선(910)들이 위치된다. 따라서 보호 튜브(920)는 서로 밀착된 전선(910)들을 감싸도록 제공된다. 일 예에 의하면, 보호 튜브(920)의 일단은 전력 커넥터의 둘레를 감싸도록 공정 챔버(100)의 일벽에 밀착되게 위치될 수 있다. 보호 튜브(910)의 일단은 공정 챔버(100)의 일벽에 의해 실링될 수 있다. 보호 튜브(920)에는 공급홀(924) 및 배기홀(926)이 형성된다. 공급홀(924)은 보호 튜브(920)의 일단이 인접하게 위치되고, 배기홀(926)은 보호 튜브(920)의 타단에 인접하게 위치될 수 있다. 예컨대, 보호 튜브(920)는 폴리머 재질로 제공될 수 있다.
가스 공급 부재(940)는 보호 튜브(920)의 공급홀(924)에 연결된다. 가스 공급 부재(940)는 보호 공간(922)에 비활성 가스를 공급한다. 여기서 가스 공급 부재(940)로부터 공급되는 비활성 가스는 분위기 가스와 동일한 종류의 가스일 수 있다. 가스 배기 부재(960)는 보호 튜브(920)의 배기홀(926)에 연결된다. 가스 배기 부재(960)는 보호 공간(922)에 제공된 비활성 가스를 배기한다.
다음은 상술한 기판 처리 장치의 처리 공간(102)을 비활성 분위기로 전환하는 과정을 설명한다. 기판(S)의 액 처리 공정이 수행되기 앞서, 처리 공간(102)을 대기 분위기에서 비활성 분위기로 전환시키는 공정이 수행된다. 분위기 형성 유닛(120)은 가스 공급 라인(122)을 통해 처리 공간(102)에 분위기 가스를 공급하고, 가스 배기 라인(124)을 통해 처리 공간(102)에 잔류되는 수분 및 산소와 같은 대기 성분을 배기한다. 이와 동시에 가스 공급 부재(940)는 보호 공간(922)에 비활성 가스를 공급하여 전선(910)들의 잉여 공간에 잔류하는 불순물을 제거하고, 가스 배기 부재(960)는 그 불순물을 배기한다. 처리 공간(102)에 잔류된 대기 성분이 센서(미도시)에 의해 기준치보다 낮게 측정되면, 기판(S)의 액 처리 공정이 수행된다. 이러한 비활성 가스는 기판(S)의 액 처리 공정이 수행되는 중에 계속적으로 공급 및 배기될 수 있다.
상술한 실시예에는 보호 튜브(920)가 폴리머 재질로 제공되는 것으로 설명하였으나, 스틸 재질로 제공될 수 있다.
또한 본 실시예에는 처리 공간(102)과 보호 공간(922)에 대해 잔류되는 대기 성분을 각각 독립적으로 수행한다. 이에 따라 대기 분위기를 비활성 분위기로 전환시키는 소요 시간을 단축할 수 있다.
또한 처리 공간(102)은 분위기 형성 유닛(120)에 의해 잔류된 대기 성분을 제거하고, 보호 공간(922)은 가스 공급 부재(940)에 의해 잔류된 대기 성분을 제거하는 것으로 설명하였다. 그러나 분위기 형성 유닛(120)의 가스 공급 라인(122) 및 가스 배기 라인(124)은 처리 공간(102) 및 보호 공간(922) 각각에 연결될 수 있다. 처리 공간(102) 및 보호 공간(922) 각각은 분위기 형성 유닛에 의해 잔류된 대기 성분을 제거할 수 있다.
또한 보호 튜브(920)는 복수 개의 전선(910)들을 감싸는 것으로 설명하였으나, 각 전선(910)들과 일대일 대응되게 제공될 수 있다.
또한 보호 튜브(920)는 전기적으로 연결되는 전선(910)을 감싸는 것으로 설명하였으나, 토출 헤드(402)에 처리액이 공급되는 공급 라인을 감싸도록 제공될 수 있다.
910: 전선 920: 보호 튜브
922: 보호 공간 924: 공급홀
926: 배기홀 940: 가스 공급 부재
960: 가스 배기 부재

Claims (9)

  1. 내부에 밀폐된 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
    상기 처리 공간을 대기 분위기와 상이한 공정 분위기로 전환하는 분위기 형성 유닛과;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 토출 헤드를 가지는 액 공급 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛 및 상기 액 공급 유닛 각각을 구동시키는 구동 부재와;전력 공급부로부터 제공된 전력을 상기 구동 부재를 공급하는 케이블 어셈블리를 포함하되,
    상기 케이블 어셈블리는,
    상기 처리 공간에 위치되며, 상기 전력 공급부 및 상기 구동 부재를 서로 연결하는 전선과;
    상기 전선을 감싸며, 내부에 보호 공간을 가지는 보호 튜브와;
    상기 보호 공간에 비활성 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 포함하고,
    상기 분위기 형성 유닛은,
    상기 처리 공간에 분위기 가스를 공급하는 가스 공급 라인과;
    상기 처리 공간에 분위기를 배기하는 가스 배기 라인을 포함하고,
    상기 분위기 형성 유닛이 상기 처리 공간에 공급하는 상기 분위기 가스는 상기 가스 공급 부재가 상기 보호 공간에 공급하는 상기 비활성 가스와 동일하고,
    상기 분위기 형성 유닛은 상기 처리 공간에서 상기 기판의 처리 공정이 수행되기 전에 상기 처리 공간으로 상기 비활성 가스를 공급하여 상기 처리 공간의 분위기를 비활성 분위기로 전환하고,
    상기 가스 공급 부재는 상기 보호 공간에 상기 비활성 가스를 공급하여 상기 보호 공간에 잔류하는 불순물을 제거하되,
    상기 분위기 형성 유닛에 의한 상기 처리 공간의 분위기 전환과 상기 가스 공급 부재에 의한 상기 보호 공간의 불순물 제거는 동시에 이루어지는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보호 공간에 제공된 비활성 가스를 배기하는 가스 배기 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 보호 튜브는,
    상기 보호 공간을 가지며, 공급홀 및 배기홀이 형성되는 몸통관을 포함하되,
    상기 가스 공급 부재는 상기 공급홀에 연결되고,
    상기 가스 배기 부재는 상기 배기홀에 연결되는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전선은 복수 개로 제공되며, 각각의 전선은 서로 밀착되게 위치되고, 전선들 사이에는 잉여 공간이 형성되는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 가스 공급 부재는 상기 보호 공간에 상기 비활성 가스를 공급하여 상기 잉여 공간에 잔류하는 불순물을 제거하는 기판 처리 장치.
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