KR102315301B1 - Conveying pad and method for conveying wafer - Google Patents
Conveying pad and method for conveying wafer Download PDFInfo
- Publication number
- KR102315301B1 KR102315301B1 KR1020170123523A KR20170123523A KR102315301B1 KR 102315301 B1 KR102315301 B1 KR 102315301B1 KR 1020170123523 A KR1020170123523 A KR 1020170123523A KR 20170123523 A KR20170123523 A KR 20170123523A KR 102315301 B1 KR102315301 B1 KR 102315301B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- air
- wafer
- flow rate
- groove
- holding surface
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
- H01L21/6779—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks the workpieces being stored in a carrier, involving loading and unloading
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Manipulator (AREA)
Abstract
본 발명은 반송 패드로 웨이퍼를 반송하는 경우에, 반송 패드 및 에어가 흐르는 배관 경로를 변경하는 일없이, 반송 패드에 의한 웨이퍼의 접촉 유지와 비접촉 유지를 가능하게 하는 것을 과제로 한다.
유지면(10b)에 형성되어 유지면(10b)을 따라 에어를 분출하는 에어 분출구(100)와, 에어 분출구(100)로부터 분출된 에어를 유지면(10b)의 바깥 둘레 가장자리를 향하여 직선형으로 흐르게 하는 홈(101)을 구비하고, 홈(101)에 에어를 흐르게 함으로써 홈(101)의 주위에 발생되는 부압의 강약을 홈(101)에 흐르게 하는 에어의 유량으로 조정하여 유지면(10b)에서 웨이퍼를 유지하는 반송 패드(1)이다.An object of the present invention is to enable contact and non-contact holding of the wafer by the transfer pad without changing the transfer pad and the piping path through which air flows when the wafer is transferred by the transfer pad.
The air outlet 100 formed on the holding surface 10b and ejecting air along the holding surface 10b, and the air ejected from the air outlet 100 flows in a straight line toward the outer periphery of the holding surface 10b. the groove 101 is provided, and the strength and weakness of negative pressure generated around the groove 101 by flowing air through the groove 101 is adjusted to the flow rate of the air flowing in the groove 101, and the holding surface 10b A transfer pad 1 holding a wafer.
Description
본 발명은 웨이퍼를 유지하는 판형의 반송 패드 및 반송 패드를 이용한 웨이퍼의 반송 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a plate-shaped transfer pad for holding a wafer and a wafer transfer method using the transfer pad.
반도체 웨이퍼 등을 가공하는 절삭 장치나 연삭 장치 등에 있어서는, 예컨대, 웨이퍼의 가공 전에, 가공 장치의 위치 결정 기구에 배치된 웨이퍼를 유지 테이블 상에 반송하거나, 웨이퍼의 가공 후에, 유지 테이블 상의 가공이 실시된 웨이퍼를 웨이퍼 세정 기구의 스피너 테이블에 반송하거나 하고 있다. 그리고, 가공 장치에는, 웨이퍼를 반송하는 반송 패드가 배치되어 있고, 이 반송 패드는, 예컨대, 웨이퍼에 접촉시켜 흡인 유지를 행하는 유지면을 구비하고 있다. 이 유지면은, 예컨대, 다공성 부재로 구성되어 있거나, 또는 복수의 흡인 구멍이 형성되어 있거나 하여, 진공 발생 장치 등으로 구성되는 흡인원과 압축기 등으로 구성되는 에어 공급원에 에어의 유로를 전환 가능하게 연통하고 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).In a cutting device or grinding device for processing semiconductor wafers, etc., for example, before processing the wafer, the wafer disposed in the positioning mechanism of the processing device is transported on a holding table, or after processing of the wafer, processing on the holding table is performed The processed wafers are conveyed to the spinner table of the wafer cleaning mechanism. In the processing apparatus, a transport pad for transporting a wafer is disposed, and the transport pad has, for example, a holding surface that is brought into contact with the wafer to perform suction holding. This holding surface is made of, for example, a porous member or a plurality of suction holes are formed, so that the flow path of air can be switched between a suction source composed of a vacuum generator or the like and an air supply source composed of a compressor or the like. It communicates (for example, refer patent document 1).
반송 패드의 유지면을 웨이퍼에 접촉시킨 상태로, 흡인원이 흡인함으로써 생겨난 흡인력이 에어의 유로를 통해 유지면 상에 전달됨으로써, 반송 패드는 웨이퍼를 흡인 유지할 수 있다. 반송 패드의 유지면으로부터 웨이퍼를 이탈시킬 때는, 흡인원과 유지면이 연통하고 있는 상태를 에어 공급원과 유지면이 연통하고 있는 상태로 전환하여, 에어 공급원으로부터 에어를 유지면에 대하여 공급하여 유지면으로부터 소량의 에어를 분출시킨다. 그리고, 에어의 분사 압력에 의해 유지면과 웨이퍼 사이의 진공 흡착력을 파괴하여, 웨이퍼를 유지면으로부터 이탈시키고 있다.With the holding surface of the conveying pad in contact with the wafer, the suction force generated by the suction of the suction source is transmitted to the holding surface through the air passage, so that the conveying pad can suction and hold the wafer. When the wafer is removed from the holding surface of the transfer pad, the state in which the suction source and the holding surface are in communication is switched to the state in which the air supply source and the holding surface are in communication, and air is supplied from the air supply source to the holding surface to the holding surface. A small amount of air is ejected from the Then, the vacuum suction force between the holding surface and the wafer is broken by the jet pressure of the air, and the wafer is detached from the holding surface.
가공 장치에 있어서, 반송 패드로 웨이퍼를 비접촉 상태로 유지하고자 하는 경우에는, 상기 접촉식으로 흡인 유지를 행하는 반송 패드를, 베르누이 효과를 이용하여 부압을 만들어 내어 비접촉으로 웨이퍼를 흡인 유지하는 반송 패드로 교체한다. 그리고, 에어 공급원과 비접촉식의 반송 패드의 유지면을 연통시켜, 에어 공급원으로부터 에어를 유지면에 대하여 공급하고, 유지면으로부터 미리 정해진량의 에어를 분출하여, 유지면을 따라 에어를 흐르게 한다. 이 에어의 흐름(예컨대, 선회류)에 의해 유지면 상에 부압이 발생하기 때문에, 반송 패드가 웨이퍼를 비접촉으로 유지한다.In the processing apparatus, when the wafer is to be held in a non-contact state with the transfer pad, the transfer pad that performs suction and hold in a contact manner is used as a transfer pad that creates negative pressure using the Bernoulli effect to attract and hold the wafer in a non-contact manner. Replace. Then, the air supply source and the holding surface of the non-contact type transfer pad are communicated, air is supplied from the air supply source to the holding surface, and a predetermined amount of air is blown out from the holding surface, so that the air flows along the holding surface. Since negative pressure is generated on the holding surface by this flow of air (eg, swirling flow), the transfer pad holds the wafer in a non-contact manner.
그러나, 반송 패드의 교체에 따라, 접촉식 반송 패드에 공급하여야 하는 에어의 유량(예컨대, 웨이퍼 이탈 시에 반송 패드에 공급하여야 하는 에어 유량)과 비접촉식 반송 패드에 공급하여야 하는 에어의 유량은 상이해져 가는데, 즉, 비접촉식 반송 패드에 공급하여야 하는 에어의 유량은 보다 많아진다. 그 때문에, 반송 패드에 에어를 공급하는 배관의 관직경도 굵게 하는데, 즉, 가공 장치 내 등을 통과하여 반송 패드에 연결되는 배관 경로를 미리 복수 구비해 두는 등에 의해, 배관 경로를 반송 패드를 교체하면서 변경할 필요가 생긴다. 그러나, 반송 패드 때문에 복수의 배관 경로를 구비하는 장치 구성은 복잡하고, 또한, 장치 구성이 커져 버린다고 하는 문제가 있다.However, depending on the replacement of the transfer pad, the flow rate of air to be supplied to the contact transfer pad (eg, the air flow rate to be supplied to the transfer pad when the wafer is detached) and the flow rate of air to be supplied to the non-contact transfer pad are different. In other words, the flow rate of air that must be supplied to the non-contact type conveying pad becomes larger. For this reason, the pipe diameter of the pipe for supplying air to the conveying pad is also increased, that is, by providing a plurality of pipe paths in advance that pass through the inside of the processing apparatus and connect to the conveying pad, etc., while replacing the conveying pad with the piping path need to change However, there is a problem that the device configuration having a plurality of piping paths is complicated because of the transfer pad, and the device configuration becomes large.
따라서, 반송 패드로 웨이퍼를 반송하는 경우에 있어서는, 반송 패드 및 배관 경로를 변경하는 일없이, 반송 패드에 의한 웨이퍼의 접촉 유지와 비접촉 유지를 가능하게 한다고 하는 과제가 있다.Therefore, when conveying a wafer by a conveyance pad, there exists a subject that the contact holding|maintenance and non-contact holding|maintenance of a wafer by a conveyance pad are possible without changing a conveyance pad and a piping path|route.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 유지면에서 웨이퍼를 유지하는 판형의 반송 패드로서, 상기 유지면에 형성되어 상기 유지면을 따라 에어를 분출하는 에어 분출구와, 상기 에어 분출구로부터 분출된 에어를 상기 유지면의 바깥 둘레 가장자리를 향하여 직선형으로 흐르게 하는 홈을 구비하고, 상기 홈에 에어를 흐르게 함으로써 상기 홈의 주위에 발생되는 부압의 강약을 상기 홈에 흐르게 하는 에어의 유량으로 조정하여 상기 유지면에서 웨이퍼를 유지하는 반송 패드이다.The present invention for solving the above problems is a plate-shaped transfer pad for holding a wafer on a holding surface, an air jet formed on the holding surface and blowing air along the holding surface, and the air blown from the air jet A groove is provided for flowing in a straight line toward the outer periphery of the holding surface, and the negative pressure generated around the groove is adjusted to the flow rate of the air flowing in the groove by flowing air through the groove. It is the transfer pad that holds the wafer in place.
또한, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 상기 반송 패드를 이용한 웨이퍼의 반송 방법으로서, 상기 반송 패드에는, 상기 에어 분출구로부터 분출시켜 상기 홈에 흐르게 하는 에어의 유량을 제1 에어 유량과 상기 제1 에어 유량보다 많은 유량의 제2 에어 유량으로 조절 가능한 유량 조절부가 접속되고, 상기 반송 패드는, 상기 유지면에 의해 웨이퍼를 비접촉으로 유지할 때에는, 상기 제1 에어 유량의 에어를 상기 홈에 흐르게 하고, 상기 유지면에 웨이퍼를 접촉시켜 상기 유지면에 의해 웨이퍼를 유지할 때에는, 상기 제2 에어 유량의 에어를 상기 홈에 흐르게 함으로써, 웨이퍼의 비접촉 유지와 접촉 유지를 선택적으로 행하는 웨이퍼의 반송 방법이다.In addition, the present invention for solving the above problems is a wafer transfer method using the transfer pad, wherein the transfer pad has a flow rate of air blown out from the air outlet to flow into the groove, the first air flow rate and the second A flow rate adjusting unit capable of being adjusted to a second air flow rate of a flow rate greater than one air flow rate is connected, and the transfer pad causes air of the first air flow rate to flow into the groove when the wafer is held in a non-contact manner by the holding surface. , a wafer transfer method in which non-contact holding and contact holding of the wafer are selectively performed by allowing air of the second air flow rate to flow through the groove when the wafer is held by the holding face by bringing the wafer into contact with the holding face.
본 발명에 따른 반송 패드는, 유지면에 형성되어 유지면을 따라 에어를 분출하는 에어 분출구와, 에어 분출구로부터 분출된 에어를 유지면의 바깥 둘레 가장자리를 향하여 직선형으로 흐르게 하는 홈을 구비하고, 홈에 에어를 흐르게 함으로써 홈의 주위에 발생되는 부압의 강약을 홈에 흐르게 하는 에어의 유량으로 조정하여 유지면에서 웨이퍼를 유지할 수 있기 때문에, 에어의 유량을 조절하는 것만으로, 웨이퍼의 접촉 유지와 비접촉 유지를 선택적으로 행할 수 있다.The conveying pad according to the present invention includes an air jet port formed on a holding surface to blow air along the holding surface, and a groove for allowing air blown out from the air jet port to flow in a straight line toward the outer periphery of the holding surface, Since the wafer can be held on the holding surface by adjusting the strength and weakness of negative pressure generated around the groove to the flow rate of the air flowing through the groove by flowing air to the Maintenance can be performed selectively.
본 발명에 따른 웨이퍼의 반송 방법에 있어서는, 본 발명에 따른 반송 패드에는, 에어 분출구로부터 분출시켜 홈에 흐르게 하는 에어의 유량을 제1 에어 유량과 제1 에어 유량보다 많은 유량의 제2 에어 유량으로 조절 가능한 유량 조절부가 접속되고, 반송 패드는, 유지면에 의해 웨이퍼를 비접촉으로 유지할 때에는, 제1 에어 유량의 에어를 홈에 흐르게 하고, 유지면에 웨이퍼를 접촉시켜 유지면에 의해 웨이퍼를 유지할 때에는, 제2 에어 유량의 에어를 홈에 흐르게 함으로써, 웨이퍼의 비접촉 유지와 접촉 유지를 선택적으로 행할 수 있다. 즉, 반송 패드로 웨이퍼를 반송하는 경우에 있어서, 반송 패드 및 에어가 흐르는 배관 경로를 변경하는 일없이, 에어의 유량을 조절하는 것만으로 반송 패드에 의한 웨이퍼의 접촉 유지와 비접촉 유지를 선택적으로 행할 수 있다. 또한, 반송 패드에 흡인원을 접속시킬 필요가 없어지기 때문에, 장치 구성을 복잡한 것으로 하지 않아도 되게 된다.In the wafer transfer method according to the present invention, in the transfer pad according to the present invention, the flow rate of air blown out from the air outlet to flow into the groove is set to a first air flow rate and a second air flow rate greater than the first air flow rate. An adjustable flow rate control unit is connected, and the transfer pad, when holding the wafer in non-contact by the holding surface, causes air of the first air flow rate to flow into the groove, and in contact with the holding surface to hold the wafer by the holding surface. , by allowing air of the second air flow rate to flow through the grooves, non-contact holding and contact holding of the wafer can be selectively performed. That is, in the case of transferring a wafer to the transfer pad, the transfer pad can selectively perform contact and non-contact holding of the wafer by the transfer pad only by adjusting the flow rate of air without changing the transfer pad and the piping path through which air flows. can In addition, since it is not necessary to connect the suction source to the transfer pad, it is not necessary to make the device configuration complicated.
도 1은 유지면을 상측을 향하게 한 상태의 반송 패드의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2는 반송 패드로 웨이퍼를 반송하는 상태의 일례를 나타내는 사시도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view which shows an example of the conveyance pad with the holding surface facing upward.
Fig. 2 is a perspective view showing an example of a state in which a wafer is transported by a transport pad.
반도체 웨이퍼 등을 유지하는 도 1에 나타내는 반송 패드(1)는, 예컨대, 아크릴이나 폴리카보네이트, PBT 수지 등의 엔지니어링 플라스틱 또는 스테인리스강 등으로 이루어지며 외형이 원판형인 본체부(10)를 구비하고 있다. 도 1에 있어서는 상측을 향하고 있는 본체부(10)의 유지면(10b)은, 웨이퍼를 유지하는 면이 되고, 예컨대, 표면이 평활하게 마무리되어 있고, 또한, 본체부(10)가 웨이퍼에 접촉하여 버린 경우에, 웨이퍼가 손상되지 않도록 유지면(10b)의 단부(능선)에는 모따기가 실시되어 있어도 좋다. 본체부(10)의 외형은, 대략 원형상에 한정되는 것이 아니며, 원형의 일부를 부분적으로 절결한 삼각 십자형 등으로 형성되어 있어도 좋다.The transfer pad 1 shown in FIG. 1 for holding a semiconductor wafer or the like is made of, for example, engineering plastic such as acrylic, polycarbonate, PBT resin, or stainless steel, and has a
예컨대 본체부(10)에는, 유지면(10b)에 형성되어 유지면(10b)을 따라 에어를 분출하는 에어 분출구(100)와, 에어 분출구(100)로부터 분출된 에어를 유지면(10b)의 바깥 둘레 가장자리를 향하여 직선형으로 흐르게 하는 홈(101)을 구비하고 있다.For example, in the
홈(101)은, 예컨대, 유지면(10b)의 중심으로부터 직경 방향 외측을 향하여 3방향에 균등한 각도(예컨대 120도)로 방사형으로 연장되어 있고, 유지면(10b)으로부터 본체부(10)의 두께 방향(Z축 방향)의 중간부에 이를 정도의 깊이를 구비하고 있다. 각 홈(101)의 폭 및 깊이는 동일 치수인 일정 단면을 가지고 있다. 또한, 홈(101)의 형성 개수는, 본 실시형태에 있어서의 개수에 한정되는 것이 아니며, 유지면(10b)에 둘레 방향에 균등한 간격으로 4개 이상 방사형으로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 홈(101)의 폭을 일부만 좁힘으로써, 이 좁혀진 부분에서 홈(101) 내를 통과하는 에어가 가속되는 것으로 하여도 좋다. 각 홈(101)의 한쪽의 단부(101a)는, 유지부(10)의 바깥 둘레 가장자리에 있어서 개구하고 있고, 각 홈(101)의 다른쪽의 단부(101b)는, 유지면(10b)의 중앙에 형성된 각 에어 분출구(100)와 연통하고 있다.The
각 에어 분출구(100)는, 각각 유지면(10b)의 직경 방향 외측을 향하여 개구하고 있고, 각 홈(101)의 다른쪽의 단부(101b)로부터 한쪽의 단부(101a)를 향하여 에어를 수평으로 분출한다. 예컨대, 에어 분출구(100)의 단면적은 홈(101)의 단면적보다 커져 있어, 에어 분출구(100)로부터 홈(101)으로 에어가 이동할 때에, 에어가 가속되도록 되어 있어도 좋다. 또한, 각 에어 분출구(100)는, 본체부(10)의 중앙 영역의 내부로부터 유지면(10b)의 반대측의 면인 아암부 접속면(10a)을 향하여 형성되어 아암부 접속면(10a) 상에서 개구하는 접속구(102)와 연통하고 있다. 또한, 본 실시형태와 같이 에어 분출구(100)를 유지면(10b)에 형성하는 것이 아니라, 예컨대, 본체부(10)의 유지면(10b)에 제거 가능한 노즐 패드를 배치하는 것으로 하고, 이 노즐 패드에 에어 분출구(100)를 형성하는 것으로 하여도 좋다. 또한, 예컨대, 본체부(10)의 바깥 둘레 가장자리에는, 웨이퍼가 본체부(10)의 면방향으로 이동하는 것(즉, 웨이퍼의 사이드 슬립)을 마찰력 또는 웨이퍼를 바깥 둘레면으로부터 누르는 힘에 의해 제한하는 가이드부(109)를 마련하여도 좋다. 이 가이드부(109)는, 예컨대, 고무 또는 스펀지 등으로 구성되어 있고, 본체부(10)의 바깥 둘레 가장자리에, 둘레 방향으로 일정한 간격을 두고 홈(101)의 한쪽의 단(101a)과 어긋나도록 하여 복수(예컨대 120도 간격으로 3개) 고정된다.Each of the
이하에, 도 1, 2에 나타내는 반송 패드(1)를 이용하여 본 발명에 따른 웨이퍼의 반송 방법을 실시하는 경우의, 반송 패드(1)의 동작에 대해서 설명한다.Hereinafter, the operation of the transfer pad 1 in the case of carrying out the wafer transfer method according to the present invention using the transfer pad 1 shown in FIGS. 1 and 2 will be described.
반송 패드(1)가 도 2에 나타내는 웨이퍼(W)를 반송하는 경우에는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 반송 패드(1)는, 아암부(20)에 접속된 상태가 된다. 즉, 예컨대, 아암부 접속면(10a)의 중앙 영역에 연결 부재(21)가 고정되고, 이 연결 부재(21)를 통해 반송 패드(1)는 아암부(20)의 일단의 하면측에 고정된 상태가 된다. 아암부(20)의 다른쪽의 단부에는, 이동 수단(3)이 접속되어 있고, 이동 수단(3)은, 아암부(20)를 수평면 상에 있어서 평행 이동 가능 또는 선회 이동 가능하게 하고, 또한, Z축 방향으로 상하 이동 가능하게 하고 있다. 이동 수단(3)은, 예컨대, 아암부(20)를 공기압에 의해 Z축 방향으로 상하 이동시키는 에어 실린더나, 모터에 의해 볼나사를 회동시킴으로써 아암부(20)를 평행 이동시키는 볼나사 기구 등으로 구성되어 있다.When the transfer pad 1 transfers the wafer W shown in FIG. 2 , as shown in FIG. 2 , the transfer pad 1 is in a state connected to the
연결 부재(21)는, 예컨대, 로터리 조인트 등으로 구성되어 있고, 아암부(20)에 접속됨으로써, 아암부(20) 및 연결 부재(21)의 두께 방향(Z축 방향)으로 연장되는 유로(21a)가 형성된다. 유로(21a)의 일단은, 반송 패드(1)의 접속구(102)에 연통하고 있고, 유로(21a)의 또 다른 일단은, 가요성을 갖는 수지 튜브 또는 금속 배관 등으로 구성되는 에어 공급로(23)의 일단에 연통한다. 또한, 유로(21a) 상에, 유로(21a) 내를 통과하는 에어를 가속시키는 오리피스 구멍 등이 형성되어 있어도 좋다.The connecting
에어 공급로(23)의 또 다른 일단에는, 압축기 등으로 이루어지는 에어 공급원(24)이 연통하고 있다. 또한, 에어 공급로(23) 상에는, 예컨대, 에어 공급원(24)이 반송 패드(1)에 공급하여 에어 분출구(100)로부터 분출시켜 홈(101)에 흐르게 하는 에어의 유량을 제1 에어 유량(F1)과 제1 에어 유량(F1)보다 많은 유량의 제2 에어 유량(F2)으로 조절 가능한 유량 조절부(25)가 배치되어 있다. 유량 조절부(25)는, 예컨대, 스로틀 밸브이고, 밸브 내부의 에어의 통과 유량을 파악 가능하게 하는 유량계를 구비하고 있다.At another end of the
도 2에 나타내는 웨이퍼(W)는, 예컨대, 외형이 원형 판형인 반도체 웨이퍼이고, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에는 복수의 디바이스가 형성되어 있고, 예컨대, 표면(Wa)은 도시하지 않는 보호 테이프가 점착되어 보호되어 있다. 웨이퍼(W)의 이면(Wb)은, 예컨대 연삭 가공 등이 실시되는 피가공면으로 된다.The wafer W shown in FIG. 2 is, for example, a semiconductor wafer having a circular plate shape in appearance, and a plurality of devices are formed on the surface Wa of the wafer W. For example, the surface Wa is protected (not shown). The tape is adhesive and protected. The back surface Wb of the wafer W becomes a to-be-processed surface to which grinding processing etc. are given, for example.
먼저, 도 2에 나타내는 이동 수단(3)이, 반송 패드(1)를 수평 방향으로 이동시켜, 도시하지 않는 웨이퍼 카세트 등에 수용되어 있는 웨이퍼(W)의 이면(Wb)과 반송 패드(1)의 유지면(10b)이 대향하고, 또한, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 중심과 반송 패드(1)의 중심이 대략 합치하도록, 반송 패드(1)를 웨이퍼(W)의 상방에 위치 부여한다.First, the moving means 3 shown in FIG. 2 moves the transfer pad 1 in the horizontal direction, and the rear surface Wb of the wafer W and the transfer pad 1 accommodated in a wafer cassette or the like not shown. Positioning the transfer pad 1 above the wafer W so that the holding
계속해서, 예컨대, 반송 패드(1)의 유지면(10b)과 웨이퍼(W)의 이면(Wb)이 접촉하지 않을 정도의 높이 위치까지, 이동 수단(3)이 반송 패드(1)를 -Z 방향을 향하여 강하시켜 위치 부여한다. 이 상태에서, 에어 공급원(24)이, 미리 정해진 압력의 에어를 에어 공급로(23)에 공급한다. 예컨대, 유량 조절부(25)는, 유량 조절부(25)를 통과하여 반송 패드(1)에 도달하여 에어 분출구(100)로부터 분출되어 홈(101)을 흐르는 에어의 유량이, 제2 에어 유량(F2)이 되도록, 밸브 내부가 미리 크게 개방된 상태로 되어 있고, 에어 공급원(24)으로부터 에어 공급로(23)에 공급된 에어는, 크게 개방된 상태의 유량 조절부(25)를 통과하고, 더욱, 유로(21a) 및 접속구(102)를 통과하여, 반송 패드(1)의 에어 분출구(100)로부터 분출된다.Then, for example, the moving means 3 moves the transfer pad 1 to -Z to a position high enough that the holding
에어 분출구(100)로부터 분사된 에어는, 유지면(10b)에 형성된 각 홈(101) 내를 방사 방향을 향하여 직선형으로 제2 에어 유량(F2)으로 유통됨으로써, 베르누이 효과에 의해 홈(101)의 양편의 주위의 공기가 홈(101) 내부에 인입되어, 홈(101) 근변에 부압이 생겨, 웨이퍼(W)에 대한 흡착력이 생긴다. 여기서, 각 홈(101)의 한쪽의 단부(101a)가 유지부(10)의 바깥 둘레 가장자리에 있어서 개구하고 있기 때문에, 에어의 홈(101) 내에서의 흐름이 저해되지 않고, 또한, 홈(101) 내의 에어의 에어 유량은, 비교적 큰 제2 에어 유량(F2)으로 되어 있기 때문에, 유지면(10b)에 강력한 흡착력이 생긴다. 이와 같이 하여 강력한 흡착력으로 웨이퍼(W)를 반송 패드(1)의 유지면(10b)에 끌어당기면, 유지면(10b)이 웨이퍼(W)에 접촉한 상태로, 반송 패드(1)가 웨이퍼(W)를 흡착 유지한다.The air injected from the
반송 패드(1)가 흡착 유지한 웨이퍼(W)를 도시하지 않는 가배치 테이블로부터 반출하여, 도 2에 나타내는 유지 테이블(T) 상까지 반송한다. 도 2에 나타내는 유지 테이블(T)은, 예컨대, 그 외형이 원형상이고, 포러스 부재 등으로 이루어져 웨이퍼(W)를 흡인 유지하는 유지부(T1)와, 유지부(T1)를 지지하는 프레임(T2)을 구비한다. 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 흡인 유지하고 있는 반송 패드(1)가, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)이 상측이 되도록 하여, 웨이퍼(W)를 유지 테이블(T) 상에 접촉시킨다. 유지부(T1)는 도시하지 않는 흡인원에 연통하고 있고, 흡인원이 흡인함으로써 생겨난 흡인력이 유지면(T1a)에 전달됨으로써, 유지 테이블(T)은 유지면(T1a) 상에서 웨이퍼(W)를 흡인 유지한다. 또한, 에어 공급원(24)에 의한 반송 패드(1)에 대한 에어의 공급을 정지시킨다. 또는, 유량을 적게 하여 반송 패드(1)의 유지면(10b) 상의 흡착력을 소실시켜, 웨이퍼(W)를 반송 패드(1)의 유지면(10b)으로부터 이탈시킨다. 그리고, 반송 패드(1)가, 웨이퍼(W)를 흡인 유지하고 있는 유지 테이블(T) 상으로부터 후퇴한다.The wafer W adsorbed and held by the transfer pad 1 is unloaded from a temporary placement table (not shown), and transferred up to the holding table T shown in FIG. 2 . The holding table T shown in FIG. 2 has, for example, a circular external shape, a holding part T1 made of a porous member, etc., for holding the wafer W by suction, and a frame T2 for supporting the holding part T1. ) is provided. The transfer pad 1 holding the back surface Wb of the wafer W by suction causes the back surface Wb of the wafer W to be on the upper side, and the wafer W is brought into contact with the holding table T. . The holding part T1 communicates with a suction source (not shown), and the suction force generated by the suction source's suction is transmitted to the holding surface T1a, so that the holding table T holds the wafer W on the holding surface T1a. keep aspiration Moreover, the supply of air to the conveyance pad 1 by the
이면(Wb)이 상측을 향한 상태로 유지 테이블(T)에 의해 흡인 유지된 웨이퍼(W)는, 예컨대 도시하지 않는 연삭 수단에 의해, 이면(Wb)측으로부터 연삭되어 미리 정해진 두께까지 박화된다. 연삭 가공이 완료한 웨이퍼(W)는, 유지 테이블(T)로부터 반송 패드(1)에 의해 반출된다.The wafer W sucked and held by the holding table T with the back surface Wb facing upward is ground from the back surface Wb side by, for example, a grinding means (not shown) and thinned to a predetermined thickness. The wafer W on which the grinding process has been completed is carried out from the holding table T by the transfer pad 1 .
웨이퍼(W)를 유지 테이블(T)로부터 반출하는 데 있어서는, 도 2에 나타내는 이동 수단(3)이, 반송 패드(1)를 수평 방향으로 이동시켜, 유지 테이블(T)에 의해 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 이면(Wb)과 반송 패드(1)의 유지면(10b)이 대향하고, 또한, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 중심과 반송 패드(1)의 중심이 대략 합치하도록, 반송 패드(1)를 웨이퍼(W)의 상방에 위치 부여한다.In carrying out the wafer W from the holding table T, the moving means 3 shown in FIG. 2 moves the transfer pad 1 in the horizontal direction, and the wafer is held by the holding table T. So that the back surface Wb of (W) and the holding
계속해서, 이동 수단(3)이, 반송 패드(1)의 유지면(10b)과 웨이퍼(W)의 이면(Wb)이 접촉하지 않을 정도의 높이 위치까지, 반송 패드(1)를 -Z 방향을 향하여 강하시킨다. 그리고, 에어 공급원(24)이, 미리 정해진 압력의 에어를 에어 공급로(23)에 공급한다. 예컨대, 유량 조절부(25)는, 유량 조절부(25)를 통과하여 반송 패드(1)에 도달하여 에어 분출구(100)로부터 분출되어 홈(101)을 흐르는 에어의 유량이, 제2 에어 유량(F2)보다 적은 유량의 제1 에어 유량(F1)이 되도록, 밸브 내부의 유로가 좁혀진 상태로 전환된다. 그 때문에, 에어 공급원(24)으로부터 에어 공급로(23)에 공급된 에어는, 유량 조절부(25)를 통과할 때에 유량이 줄고, 더욱, 유로(21a) 및 접속구(102)를 통과하여, 반송 패드(1)의 에어 분출구(100)로부터 분출된다.Then, the moving means 3 moves the transfer pad 1 in the -Z direction to a position high enough that the holding
에어 분출구(100)로부터 분사된 에어는, 유지면(10b)에 형성된 각 홈(101) 내를 방사 방향을 향하여 직선형으로 제1 에어 유량(F1)으로 유통됨으로써, 베르누이 효과에 의해 홈(101)의 양편의 주위의 공기가 홈(101) 내부에 인입되고, 홈(101) 근변에 부압이 생겨, 웨이퍼(W)에 대한 흡착력이 생긴다. 홈(101) 내의 에어의 유량은, 제2 에어 유량(F2)보다 적은 유량의 제1 에어 유량(F1)으로 조절되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)와 유지면(10b) 사이에 약간의 간극이 형성된 상태, 즉, 반송 패드(1)가 유지면(10b)에서 비접촉 상태로 웨이퍼(W)를 흡착 유지한다.The air blown from the
반송 패드(1)가 웨이퍼(W)를 비접촉으로 흡착 유지한 후, 유지 테이블(T)에 의한 웨이퍼(W)의 흡인 유지가 해제된다. 또한, 반송 패드(1)가 +Z 방향으로 상승함으로써, 웨이퍼(W)가 유지 테이블(T)로부터 반출된다. 이동 수단(3)에 의해, 가공 후의 웨이퍼(W)를 비접촉으로 흡착 유지한 반송 패드(1)가 수평 이동하여, 가공 후의 웨이퍼(W)가 예컨대 웨이퍼 세정 장치 등에 반송된다.After the transfer pad 1 suction-holds the wafer W in a non-contact manner, the suction-holding of the wafer W by the holding table T is released. Further, when the transfer pad 1 rises in the +Z direction, the wafer W is unloaded from the holding table T. By the moving
이와 같이, 본 발명에 따른 반송 패드(1)는, 유지면(10b)에 형성되어 유지면(10b)을 따라 에어를 분출하는 에어 분출구(100)와, 에어 분출구(100)로부터 분출된 에어를 유지면(10b)의 바깥 둘레 가장자리를 향하여 직선형으로 흐르게 하는 홈(101)을 구비하고, 홈(101)에 에어를 흐르게 함으로써 홈(101)의 주위에 발생되는 부압의 강약을 홈(101)에 흐르게 하는 에어의 유량으로 조정하여 유지면(10b)에서 웨이퍼(W)를 유지할 수 있기 때문에, 에어의 유량을 조절하는 것만으로, 웨이퍼(W)의 접촉 유지와 비접촉 유지를 선택적으로 행할 수 있다.As described above, the conveying pad 1 according to the present invention includes an
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼의 반송 방법에 있어서는, 반송 패드(1)에, 에어 분출구(100)로부터 분출시켜 홈(101)에 흐르게 하는 에어의 유량을 제1 에어 유량(F1)과 제1 에어 유량(F1)보다 많은 유량의 제2 에어 유량(F2)으로 조절 가능한 유량 조절부(25)가 접속되고, 반송 패드(1)는, 유지면(10b)에 의해 웨이퍼(W)를 비접촉으로 유지할 때에는, 제1 에어 유량(F1)의 에어를 홈(101)에 흐르게 하고, 유지면(10b)에 웨이퍼(W)를 접촉시켜 유지면(10b)에 의해 웨이퍼(W)를 유지할 때에는, 제2 에어 유량(F2)의 에어를 홈(101)에 흐르게 함으로써, 웨이퍼(W)의 비접촉 유지와 접촉 유지를 선택적으로 행할 수 있다. 즉, 반송 패드 및 에어가 흐르는 배관 경로를 변경하는 일없이, 에어의 유량을 조절하는 것만으로 반송 패드(1)에 의한 웨이퍼(W)의 접촉 유지와 비접촉 유지를 선택적으로 행할 수 있다. 또한, 반송 패드(1)에 흡인원을 접속시킬 필요가 없어지기 때문에, 장치 구성을 복잡한 것으로 하지 않아도 되게 된다.Further, in the wafer transport method according to the present invention, the flow rate of air blown out from the
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼의 반송 방법은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 또한, 첨부 도면에 도시되어 있는 반송 패드(1)의 각 구성의 형상 등에 대해서도, 이에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘할 수 있는 범위 내에서 적절하게 변경 가능하다. 예컨대, 휨이 있는 웨이퍼 또는 표면에 요철이 형성되는 웨이퍼를 반송 패드(1)에 의해 흡착 유지할 때에는 제2 에어 유량보다 적게 유지면(10b)이 웨이퍼에 접촉하지 않을 정도의 흡착력을 만들어 내는 유량의 에어를 홈(101)에 흐르게 하여, 비접촉으로 흡착 유지하고, 그 웨이퍼가 연삭된 후는 제1 에어 유량을 홈(101)에 흐르게 하여, 비접촉으로 흡착 유지한다고 하는 것 같이, 홈(101)에 흐르게 하는 에어 유량을 바꾸지만 비접촉으로 유지하여도 좋다.In addition, the wafer conveyance method which concerns on this invention is not limited to the said embodiment, Moreover, also about the shape etc. of each structure of the conveyance pad 1 shown in an accompanying drawing, it is not limited to this, The effect of this invention It can be appropriately changed within the range that can exert For example, when the transfer pad 1 adsorbs and holds a warped wafer or a wafer with irregularities on its surface, the flow rate that produces an adsorption force that is less than the second air flow rate so that the holding
1: 반송 패드 10: 본체부 10b: 유지면 10a: 아암부 접속면
100: 에어 분출구 101: 홈 101a: 한쪽의 단부 101b: 홈의 다른쪽의 단부
102: 접속구 109: 가이드부
20: 아암부 21: 연결 부재 21a: 유로
23: 에어 공급로 24: 에어 공급원 25: 유량 조절부
3: 이동 수단
W: 웨이퍼 Wa: 웨이퍼의 표면 Wb: 웨이퍼의 이면
T: 유지 테이블 T1: 흡착부 T1a: 유지면 T2: 프레임DESCRIPTION OF SYMBOLS 1: Carrying pad 10:
100: air outlet 101:
102: connection port 109: guide part
20: arm portion 21: connecting
23: air supply path 24: air supply source 25: flow rate control unit
3: means of transportation
W: wafer Wa: surface of wafer Wb: back surface of wafer
T: holding table T1: suction part T1a: holding surface T2: frame
Claims (2)
상기 반송 패드는, 상기 유지면에 형성되어 상기 유지면을 따라 에어를 분출하는 에어 분출구와, 상기 에어 분출구로부터 분출된 에어를 상기 유지면의 바깥 둘레 가장자리를 향하여 직선형으로 흐르게 하는 홈을 구비하고,
상기 홈에 에어를 흐르게 함으로써 상기 홈의 주위에 발생되는 부압의 강약을 상기 홈에 흐르게 하는 에어의 유량으로 조정하여 상기 유지면에서 웨이퍼를 유지 가능하고,
상기 반송 패드에는, 상기 에어 분출구로부터 분출시켜 상기 홈에 흐르게 하는 에어의 유량을 제1 에어 유량과 상기 제1 에어 유량보다 많은 유량의 제2 에어 유량으로 조절 가능한 유량 조절부가 접속되고, 상기 유량 조절부는 스로틀 밸브로서, 밸브 내부의 에어의 통과 유량을 파악 가능하게 하는 유량계를 구비하며,
상기 반송 패드는, 상기 유지면에 의해 웨이퍼를 비접촉으로 유지할 때에는, 상기 제1 에어 유량의 에어를 상기 홈에 흐르게 하고, 상기 유지면에 웨이퍼를 접촉시켜 상기 유지면에 의해 웨이퍼를 유지할 때에는, 상기 제2 에어 유량의 에어를 상기 홈에 흐르게 함으로써, 웨이퍼의 비접촉 유지와 접촉 유지를 선택적으로 행하는 웨이퍼의 반송 방법.A method of transferring a wafer using a plate-shaped transfer pad that holds the wafer on a holding surface, comprising:
The conveying pad includes an air outlet formed on the holding surface to eject air along the holding surface, and a groove for allowing air blown out from the air outlet to flow in a straight line toward the outer periphery of the holding surface,
The wafer can be held on the holding surface by adjusting the strength of the negative pressure generated around the groove to the flow rate of the air flowing through the groove by flowing air through the groove,
A flow rate adjusting unit capable of adjusting a flow rate of air ejected from the air outlet and flowing into the groove to a first air flow rate and a second air flow rate greater than the first air flow rate is connected to the transfer pad, and the flow rate control is provided. The part is a throttle valve, and includes a flow meter that enables to grasp the flow rate of air inside the valve,
The transfer pad, when holding the wafer by the holding surface in a non-contact manner, causes air of the first air flow rate to flow into the groove, and when the wafer is held by the holding surface by contacting the holding surface with the transfer pad, A wafer transport method for selectively performing non-contact holding and contact holding of the wafer by flowing air of a second air flow rate through the groove.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2016-196281 | 2016-10-04 | ||
JP2016196281A JP6814009B2 (en) | 2016-10-04 | 2016-10-04 | Transport method for transport pads and wafers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180037576A KR20180037576A (en) | 2018-04-12 |
KR102315301B1 true KR102315301B1 (en) | 2021-10-19 |
Family
ID=61803497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170123523A KR102315301B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-09-25 | Conveying pad and method for conveying wafer |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6814009B2 (en) |
KR (1) | KR102315301B1 (en) |
CN (1) | CN107895708B (en) |
TW (1) | TWI723212B (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020032476A (en) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | リンク・パワー株式会社 | Non-contact holding device, non-contact holding system, non-contact conveying system and non-contact holding method |
CN109300832A (en) * | 2018-08-28 | 2019-02-01 | 湖州景盛新能源有限公司 | Suction means is used in a kind of production of solar battery sheet |
KR102594542B1 (en) * | 2018-10-31 | 2023-10-26 | 세메스 주식회사 | Die ejecting apparatus |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100859835B1 (en) * | 2008-05-13 | 2008-09-23 | 한국뉴매틱(주) | Non-contact vacuum pads |
KR101289973B1 (en) | 2012-01-26 | 2013-07-26 | 금오공과대학교 산학협력단 | Transfer uprising device using pueumatic system |
US20150306774A1 (en) | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Non-contact transfer hand |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5067762A (en) * | 1985-06-18 | 1991-11-26 | Hiroshi Akashi | Non-contact conveying device |
JPH08203984A (en) * | 1995-01-25 | 1996-08-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Bernoulli chuck and conveying method of wafer using the same |
JP4342331B2 (en) * | 2004-02-09 | 2009-10-14 | 株式会社コガネイ | Non-contact transfer device |
JP2009032744A (en) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Fluoro Mechanic Kk | Bernoulli chuck |
JP2009032981A (en) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Ihi Corp | Non-contact carrier |
JP2010253567A (en) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | Seiko Epson Corp | Suction hold hand, suction hold method, and transfer device |
JP5877005B2 (en) * | 2011-07-29 | 2016-03-02 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus, substrate holding apparatus, and substrate holding method |
JP2014204089A (en) | 2013-04-09 | 2014-10-27 | 株式会社ディスコ | Wafer transfer mechanism and wafer processing method |
JP6250435B2 (en) * | 2014-02-26 | 2017-12-20 | 光洋機械工業株式会社 | Double-head surface grinding method |
JP5908136B1 (en) * | 2015-03-03 | 2016-04-26 | 株式会社ハーモテック | Suction device |
-
2016
- 2016-10-04 JP JP2016196281A patent/JP6814009B2/en active Active
-
2017
- 2017-09-05 TW TW106130305A patent/TWI723212B/en active
- 2017-09-22 CN CN201710864989.4A patent/CN107895708B/en active Active
- 2017-09-25 KR KR1020170123523A patent/KR102315301B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100859835B1 (en) * | 2008-05-13 | 2008-09-23 | 한국뉴매틱(주) | Non-contact vacuum pads |
KR101289973B1 (en) | 2012-01-26 | 2013-07-26 | 금오공과대학교 산학협력단 | Transfer uprising device using pueumatic system |
US20150306774A1 (en) | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Non-contact transfer hand |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180037576A (en) | 2018-04-12 |
CN107895708B (en) | 2023-07-25 |
TWI723212B (en) | 2021-04-01 |
JP6814009B2 (en) | 2021-01-13 |
CN107895708A (en) | 2018-04-10 |
JP2018060881A (en) | 2018-04-12 |
TW201816919A (en) | 2018-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4491340B2 (en) | Transport device | |
KR102258464B1 (en) | Robot hand and transporting robot | |
KR102315301B1 (en) | Conveying pad and method for conveying wafer | |
CN105789102B (en) | Conveying device | |
JP2009028862A (en) | Non-contact carrier | |
JP6622140B2 (en) | Chuck table mechanism and transfer method | |
JP2009032981A (en) | Non-contact carrier | |
TWI697978B (en) | Transferring method and transporter | |
JP2013145776A (en) | Transferring method | |
JP6172997B2 (en) | Plate-shaped material transfer device | |
JP2007214529A (en) | Bernoulli chuck | |
JP3292639B2 (en) | Rotation holding device and method | |
CN107611070B (en) | Conveying unit | |
JP5384305B2 (en) | Work transfer device | |
JPH10583A (en) | Work holding device | |
KR101261313B1 (en) | Apparatus for aligning and pick up transporting of moving object | |
JP3443375B2 (en) | Transfer device | |
JP2014150206A (en) | Conveyance device of plate-like material | |
JP2017112255A (en) | Transport device | |
JP7202131B2 (en) | Transfer device and transfer method for plate-shaped work | |
JP5422680B2 (en) | Substrate holding device | |
JP7143024B2 (en) | Chuck table and wafer processing method | |
JP2014047020A (en) | Levitation device | |
JP2024026194A (en) | Wafer transport device | |
KR20230169847A (en) | Carrying unit and processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |