KR102296787B1 - Method of driving display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 표시패널의 비표시영역에 위치하는 GIP 구조의 게이트구동회로로서, 다수의 게이트배선에 각각 연결되며, 풀업트랜지스터 및 풀다운트랜지스터와 상기 풀다운트랜지스터와 병렬로 연결되며 드레인단자는 로우전원배선과 연결되고 소스단자는 게이트출력단자와 연결되고 게이트단자는 블랭크리셋신호를 인가받는 보조트랜지스터를 포함하는 다수의 스테이지가 구성된 게이트구동회로를 포함하는 표시장치의 구동방법에 있어서, 상기 표시장치의 파워 오프 시에, 하이상태의 상기 블랭크리셋신호를 인가하고, 상기 로우전원배선에 게이트하이전압을 인가하는 단계를 포함하는 표시장치 구동방법을 제공한다. The present invention is a gate driving circuit of a GIP structure positioned in a non-display area of a display panel, each connected to a plurality of gate wirings, a pull-up transistor, a pull-down transistor, and the pull-down transistor connected in parallel with the pull-down transistor, and a drain terminal is connected to a low power wiring and A method of driving a display device comprising: a gate driving circuit configured with a plurality of stages connected to each other, a source terminal connected to a gate output terminal, and a gate terminal including an auxiliary transistor to which a blank reset signal is applied, wherein the display device is powered off , and applying the blank reset signal in a high state and applying a gate high voltage to the low power wiring.
Description
본 발명은 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, GIP(gate in panel) 구조의 표시장치에서 파워 오프(power off)시 GIP 회로 내부의 소자를 사용하여 화소 내의 전하를 방전시킬 수 있는 표시장치의 구동방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device capable of discharging electric charges in a pixel by using an element inside a GIP circuit when power is turned off in a display device having a gate in panel (GIP) structure. It relates to the driving method of
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD : liquid crystal display device), 플라즈마표시장치(PDP : plasma display panel), 유기발광소자(OLED : organic light emitting diode)와 같은 여러가지 평판표시장치(flat display device)가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for a display device for displaying an image is increasing in various forms, and in recent years, a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel (PDP), an organic Various flat display devices such as an organic light emitting diode (OLED) are being used.
이들 평판표시장치 중에서, 액정표시장치는 소형화, 경량화, 박형화, 저전력 구동의 장점을 가지고 있어 널리 사용되고 있다. Among these flat panel display devices, the liquid crystal display device is widely used because it has the advantages of miniaturization, light weight, thinness, and low power driving.
액정표시장치로서는, 매트릭스형태로 배치된 화소 각각에 스위칭트랜지스터를 형성한 액티브매트릭스 타입(active matrix type)의 액정표시장치가 현재 보편적으로 사용되고 있다.As a liquid crystal display device, an active matrix type liquid crystal display device in which switching transistors are formed in each pixel arranged in a matrix form is currently commonly used.
일반적으로 액티브매트릭스 타입의 액정표시장치는, 게이트배선 및 데이터배선이 구성된 표시패널과, 표시패널과 연결되며 게이트신호를 출력하는 게이트구동회로와 데이터신호를 출력하는 데이터구동회로를 사용하게 된다. In general, an active matrix type liquid crystal display device uses a display panel including gate wirings and data wirings, a gate driving circuit connected to the display panel for outputting a gate signal, and a data driving circuit for outputting a data signal.
한편, 최근에는 게이트 구동회로를 표시패널의 어레이기판에 직접 형성한 GIP(gate in panel) 구조의 액정표시장치가 사용되고 있다. Meanwhile, recently, a liquid crystal display device having a gate in panel (GIP) structure in which a gate driving circuit is directly formed on an array substrate of a display panel has been used.
종래의 GIP 구조 액정표시장치는 파워 오프(power off) 시 빠른 시간에 화면이 꺼짐 상태로 전환될 수 있도록 별도의 방전회로를 사용하게 되는데, 이와 관련하여 도 1 및 2를 참조하여 설명한다.The conventional GIP-structured liquid crystal display uses a separate discharge circuit so that the screen can be switched to the off state in a short time when the power is turned off, which will be described with reference to FIGS. 1 and 2 .
도 1은 종래의 GIP 구조의 액정표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2는 종래의 GIP 구조의 액정표시장치의 방전회로에 인가되는 신호 및 게이트배선에 인가되는 전압의 파형을 나타낸 타이밍도이다.1 is a diagram schematically showing a part of a liquid crystal display having a conventional GIP structure, and FIG. 2 is a diagram showing waveforms of a signal applied to a discharge circuit and a voltage applied to a gate wiring of a liquid crystal display of a conventional GIP structure. It's a timing diagram.
도 1을 참조하면, 종래의 GIP 구조의 액정표시장치에서는, 표시패널(10)의 표시영역(AA)에 스위칭트랜지스터(Ts)가 구비된 화소(P)가 형성되어 있다. 그리고, 비표시영역(NA)에는 쉬프트레지스터회로인 게이트구동회로(20)가 직접 형성되어 있다. 게이트구동회로(20)는 게이트배선(GL) 각각에 연결되어 게이트신호를 출력하는 스테이지(SR)로 구성된다. Referring to FIG. 1 , in a conventional liquid crystal display having a GIP structure, a pixel P having a switching transistor Ts is formed in the display area AA of the
게이트구동회로(20)의 외측에는, 게이트구동회로(20)와 방전회로(DSC)에 인가되는 각종 신호들을 전달하는 신호배선들이 형성된 신호배선영역(SA)이 위치한다.A signal wiring area SA in which signal wirings for transmitting various signals applied to the
한편, 게이트구동회로(20)의 내측에는 게이트배선(GL) 각각에 연결된 방전회로(DSC)가 형성되어 있다. Meanwhile, a discharge circuit DSC connected to each of the gate lines GL is formed inside the
방전회로(DSC)는 트랜지스터로 구성되며, 소스단자(S)가 게이트배선(GL)에 연결되고, 게이트단자 및 드레인단자(G, D)는 각각 방전게이트신호 및 방전드레인신호(DSC_G, DSC_D)를 인가받게 된다.The discharge circuit DSC is composed of a transistor, the source terminal S is connected to the gate wiring GL, and the gate and drain terminals G and D are respectively a discharge gate signal and a discharge drain signal DSC_G and DSC_D. will be authorized
방전회로(DSC)의 내측에는 공통전압을 전달하는 공통배선이 형성된 공통배선영역(CA)가 위치한다.A common wiring area CA in which a common wiring transmitting a common voltage is formed is positioned inside the discharge circuit DSC.
도 2를 참조하면, 표시패널(10)이 파워 온(power on) 상태로서 영상을 표시하는 경우에는, 스테이지(SR)는 정상적으로 동작하여 게이트하이전압(VGH)을 순차적으로 출력하게 된다. 이에 따라, 화소(P)는 게이트하이전압(VGH)에 의해 턴온되어 데이터배선(DL)을 통해 전달된 데이터전압을 인가받게 된다.Referring to FIG. 2 , when the
방전회로(DSC)는 파워 온 시에는 동작하지 않고 오프 상태가 된다. 즉, 로우전원전압(Vss) 상태의 방전게이트신호 및 방전드레인신호(DSC_G, DSC_D)가 게이트단자 및 드레인단자(G, D)에 인가된다. The discharge circuit DSC does not operate when the power is turned on and is turned off. That is, the discharge gate signal and the discharge drain signals DSC_G and DSC_D in the low power supply voltage Vss state are applied to the gate and drain terminals G and D.
표시패널(10)이 파워 오프가 되면, 스테이지(SR)의 동작은 오프되어 게이트배선(GL)에 전압을 출력하지 않게 된다.When the
한편, 방전회로(DSC)는 파워 오프 시에 동시에 모두 동작하게 된다. 즉, 하이전압 즉 게이트하이전압(VGH) 상태의 방전게이트신호 및 방전드레인신호(DSC_G, SC_D)가 게이트단자 및 드레인단자(G, D)에 인가된다. 이에 따라, 방전회로(DSC)는 소스단자(S)를 통해 게이트하이전압(VGH)을 게이트배선(GL)에 출력하게 되고, 이에 따라 화소(P)의 스위칭트랜지스터(Ts)는 턴온되어, 화소(P) 내에 충전된 전하가 방전된다.On the other hand, the discharge circuits DSC are all operated at the same time when the power is off. That is, the high voltage, that is, the discharge gate signal and the discharge drain signals DSC_G and SC_D in the state of the gate high voltage VGH are applied to the gate and drain terminals G and D. Accordingly, the discharge circuit DSC outputs the gate high voltage VGH to the gate wiring GL through the source terminal S, and accordingly, the switching transistor Ts of the pixel P is turned on, and the pixel The charge inside (P) is discharged.
위와 같이, 종래의 경우에는, 파워 오프 시의 전하 방전을 위한 용도로 별도의 방전회로(DSC)를 비표시영역(NA)에 형성하게 되며, 더욱이 방전회로(DSC)를 구동하기 위한 별도의 신호 배선을 비표시영역(NA)에 형성하게 된다. 이에 따라, 비표시영역(NA)의 폭이 증가하게 되어, 현재 추세인 내로우베젤(narrow bezel)을 구현하는 데 어려움이 있다.As described above, in the conventional case, a separate discharge circuit (DSC) is formed in the non-display area (NA) for the purpose of discharging charges during power-off, and further, a separate signal for driving the discharge circuit (DSC) is formed. A wiring is formed in the non-display area NA. Accordingly, the width of the non-display area NA increases, so that it is difficult to implement a narrow bezel, which is a current trend.
그리고, 표시패널(10)을 구동하는 신호를 출력하는 구동IC는 방전회로(DSC)를 구동하기 위한 신호 배선에 해당 신호를 출력하는 별도의 신호 출력핀(pin)을 필요로 하게 되므로, 이와 같은 신호 출력핀 증가에 따라 부품 비용이 증가하게 된다.In addition, since the driving IC for outputting a signal for driving the
또한, 방전회로(DSC) 형성에 따라 공통배선영역(CA)이 상대적으로 감소하게 되므로, 공통배선의 저항이 증가하게 된다. 이에 따라, 표시패널(10) 내부에서의 공통전압 편차가 발생하게 됨으로써, 공통전압 리플(ripple)이 발생하고 스미어(smear) 현상이 유발되어, 화질이 저하되는 문제가 발생한다.In addition, since the common wiring area CA is relatively decreased according to the formation of the discharge circuit DSC, the resistance of the common wiring is increased. Accordingly, a common voltage deviation occurs within the
한편, 위와 같은 문제점은, 액정표시장치 뿐만 아니라 GIP 구조를 사용한 다른 종류의 표시장치에서도 발생할 수 있다.
On the other hand, the above problem may occur not only in the liquid crystal display device but also in other types of display devices using the GIP structure.
본 발명은 GIP 구조의 표시장치에서 비표시영역의 폭을 감소시키고, 부품비용을 절감하며, 화질을 개선할 수 있는 방안을 제공하는 것에 과제가 있다.
An object of the present invention is to provide a method capable of reducing the width of a non-display area, reducing component cost, and improving image quality in a display device having a GIP structure.
전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 표시패널의 비표시영역에 위치하는 GIP 구조의 게이트구동회로로서, 다수의 게이트배선에 각각 연결되며, 풀업트랜지스터 및 풀다운트랜지스터와 상기 풀다운트랜지스터와 병렬로 연결되며 드레인단자는 로우전원배선과 연결되고 소스단자는 게이트출력단자와 연결되고 게이트단자는 블랭크리셋신호를 인가받는 보조트랜지스터를 포함하는 다수의 스테이지가 구성된 게이트구동회로를 포함하는 표시장치의 구동방법에 있어서, 상기 표시장치의 파워 오프 시에, 하이상태의 상기 블랭크리셋신호를 인가하고, 상기 로우전원배선에 게이트하이전압을 인가하는 단계를 포함하는 표시장치 구동방법을 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a gate driving circuit of a GIP structure located in a non-display area of a display panel, each connected to a plurality of gate wirings, and a pull-up transistor, a pull-down transistor, and the pull-down transistor are parallel to each other. driving a display device including a gate driving circuit configured with a plurality of stages including auxiliary transistors connected to the In the method, when the display device is powered off, the method includes applying the blank reset signal in a high state and applying a gate high voltage to the low power supply line.
여기서, 상기 표시장치의 파워 온 상태에서, 매 프레임 동안 로우상태의 상기 블랭크리셋신호를 인가하고, 이웃하는 프레임 사이의 블랭크구간에는 하이상태의 상기 블랭크리셋신호를 인가하며, 상기 로우전원배선에는 로우전원전압을 인가하는 단계를 포함할 수 있다. Here, in the power-on state of the display device, the blank reset signal in a low state is applied for every frame, the blank reset signal in a high state is applied to a blank section between adjacent frames, and a low state is applied to the low power wiring. It may include the step of applying a power voltage.
상기 스테이지는, 게이트단자가 상기 블랭크리셋신호를 인가받고 드레인단자가 상기 로우전원배선에 연결되고 소스단자가 상기 풀다운트랜지스터에 연결된 리셋트랜지스터를 포함할 수 있다. The stage may include a reset transistor having a gate terminal to which the blank reset signal is applied, a drain terminal connected to the low power line, and a source terminal connected to the pull-down transistor.
상기 스테이지는, 상기 풀업트랜지스터의 게이트단자와 연결된 Q출력단자와, 상기 풀다운트랜지스터의 게이트단자에 연결된 Qb출력단자를 구비한 플립플랍회로를 포함할 수 있다. The stage may include a flip-flop circuit having a Q output terminal connected to a gate terminal of the pull-up transistor and a Qb output terminal connected to a gate terminal of the pull-down transistor.
상기 표시패널은 액정패널이나 유기발광소자패널일 수 있다.
The display panel may be a liquid crystal panel or an organic light emitting device panel.
본 발명에서는, GIP 구조의 게이트구동회로 내에 구비된 보조트랜지스터를 파워 오프 시에 방전회로의 기능을 수행하도록 동작시키게 된다. 이에 따라, 종래와 같이 별도의 방전회로와 이를 구동하기 위한 별도의 신호배선을 구비할 필요가 없게 된다.In the present invention, the auxiliary transistor provided in the gate driving circuit of the GIP structure is operated to perform the function of the discharge circuit when the power is turned off. Accordingly, there is no need to provide a separate discharge circuit and a separate signal line for driving the discharge circuit as in the prior art.
따라서, 게이트구동회로가 형성된 비표시영역의 폭을 감소시킬 수 있어 내로우베젤을 용이하게 구현할 수 있게 된다. Accordingly, the width of the non-display area in which the gate driving circuit is formed can be reduced, so that a narrow bezel can be easily implemented.
그리고, 구동IC에는 별도의 방전회로 구동을 신호 출력핀을 구비할 필요가 없게 되어 부품비용이 절감될 수 있다. In addition, since the driving IC does not need to include a signal output pin for driving a separate discharge circuit, component costs can be reduced.
또한, 공통배선영역의 폭을 증가시킬 수 있게 되며, 이에 따라 공통배선의 저항이 감소될 수 있게 되므로, 공통전압 리플과 스미어 현상을 방지하여 화질을 개선할 수 있게 된다.
In addition, the width of the common wiring region can be increased, and thus the resistance of the common wiring can be reduced, thereby preventing common voltage ripple and smearing, thereby improving image quality.
도 1은 종래의 GIP 구조의 액정표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 종래의 GIP 구조의 액정표시장치의 방전회로에 인가되는 신호 및 게이트배선에 인가되는 전압의 타이밍도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치를 개략적으로 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 비표시영역 및 표시영역의 일부를 개략적으로 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 게이트구동회로의 스테이지의 구성을 개략적으로 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 스테이지의 보조트랜지스터에 인가되는 신호들과 게이트배선에 인가되는 전압의 파형을 나타낸 타이밍도.1 is a diagram schematically showing a part of a conventional liquid crystal display having a GIP structure.
2 is a timing diagram of a signal applied to a discharge circuit and a voltage applied to a gate wiring of a conventional liquid crystal display having a GIP structure;
3 is a diagram schematically illustrating a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram schematically illustrating a non-display area and a part of a display area of a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram schematically showing the configuration of a stage of a gate driving circuit according to an embodiment of the present invention.
6 is a timing diagram illustrating waveforms of signals applied to an auxiliary transistor of a stage and a voltage applied to a gate line according to an embodiment of the present invention;
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
본 발명의 실시예에 따른 표시장치로서는 GIP 구조를 갖는 모든 종류의 표시장치로서, 예를 들면, 액정표시장치, 유기발광소자표시장치, 플라즈마표시장치 등이 사용될 수 있다. 다만, 이하에서는, 설명의 편의를 위해, 액정표시장치를 예로 들어 설명한다.
As the display device according to the embodiment of the present invention, any type of display device having a GIP structure, for example, a liquid crystal display device, an organic light emitting device display device, a plasma display device, and the like may be used. However, hereinafter, for convenience of description, a liquid crystal display device will be described as an example.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 비표시영역 및 표시영역의 일부를 개략적으로 도시한 도면이다.3 is a diagram schematically illustrating a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram schematically illustrating a non-display area and a part of a display area of the liquid crystal display according to an embodiment of the present invention .
도 3 및 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(100)는 GIP 구조의 액정표시장치로서, 이는 표시패널(110)과, 구동IC(200)와, 구동보드(300)를 포함할 수 있다. 3 and 4 , the
표시패널(200)에는 다수의 화소(P)가 매트릭스 형태로 배치되어 영상을 표시하는 표시영역(AA)과, 표시영역(AA) 주변에 형성된 비표시영역(NA)이 구성된다. The
표시패널(200)은 서로 마주하는 두개의 기판으로서, 예를 들면, 어레이기판과 이에 대향하는 대향기판과, 이들 두 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함한다. The
표시패널(200)의 어레이기판에는, 제1방향으로서 행방향을 따라 연장된 다수의 게이트배선(GL)과, 제2방향으로 열방향을 따라 연장된 다수의 데이터배선(DL)이 형성된다. 이와 같이 서로 교차하는 게이트배선 및 데이터배선(GL, DL)에 의해, 매트릭스(matrix) 형태로 배치된 다수의 화소(P)가 정의된다. A plurality of gate lines GL extending along a row direction as a first direction and a plurality of data lines DL extending along a column direction in a second direction are formed on the array substrate of the
각 화소(P)에는, 게이트배선 및 데이터배선(GL, DL)과 연결된 스위칭트랜지스터(Ts)가 형성되어 있다. In each pixel P, a switching transistor Ts connected to the gate line and the data line GL and DL is formed.
한편, 구체적으로 도시하지는 않았지만, 스위칭트랜지스터(Ts)는 화소전극과 연결된다. 화소전극에 대응하여 공통전극이 형성되며, 이들 화소전극과 공통전극에 전압이 인가되면, 이들 사이에 전계가 형성되어 액정을 구동하게 된다. Meanwhile, although not specifically illustrated, the switching transistor Ts is connected to the pixel electrode. A common electrode is formed corresponding to the pixel electrode, and when a voltage is applied to the pixel electrode and the common electrode, an electric field is formed between them to drive the liquid crystal.
그리고, 화소전극과 공통전극 그리고 이들 전극 사이에 위치하는 액정은 액정커패시터를 구성하게 된다. 한편, 각 화소(P)에는, 스토리지커패시터가 더욱 구성되며, 이는 화소전극에 인가된 데이터신호를 다음 프레임까지 저장하는 역할을 하게 된다.In addition, the pixel electrode, the common electrode, and the liquid crystal positioned between these electrodes constitute the liquid crystal capacitor. Meanwhile, in each pixel P, a storage capacitor is further configured, which serves to store the data signal applied to the pixel electrode until the next frame.
한펴, 구체적으로 도시하지 않았지만, 액정표시장치(100)는 표시패널(200)에 빛을 공급하는 광원으로서 백라이트유닛을 포함할 수 있다. 백라이트유닛은 냉음극관형광램프(cold cathode fluorescent lamp: CCFL), 외부전극형광램프(external electrode fluorescent lamp: EEFL), 발광다이오드(light emitting diode: LED) 등을 사용할 수 있다.
Meanwhile, although not specifically illustrated, the
어레이기판의 일측 부분의 비표시영역(NA)에는 GIP회로인 게이트구동회로(120)가 형성될 수 있다. 한편, 경우에 따라, 어레이기판의 서로 마주보는 양측에 게이트구동회로(120)가 형성될 수도 있다. 본 발명의 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, 어레이기판의 일측에 게이트구동회로(120)가 형성된 경우를 예로 든다.A
게이트구동회로(120)가 형성된 비표시영역(NA)에 있어, 게이트구동회로(120)가 형성된 GIP영역인 제1영역(A1) 외측에는 게이트구동회로(120)를 구동하는 신호들을 전송하는 신호배선들이 형성된 신호배선영역인 제2영역(A2)이 위치할 수 있다. 그리고, 제1영역(A1) 내측에는 공통전압을 표시패널(110) 내부로 전달하는 공통배선이 형성된 공통배선영역인 제3영역(A3)이 위치할 수 있다. In the non-display area NA in which the
제1영역(A1)에 형성된 게이트구동회로(120)에는 다수의 게이트배선(GL) 각각에 연결되어 게이트신호를 출력하는 다수의 스테이지(SR)가 구성된다. The
다수의 스테이지(SR)는, 액정표시장치(100)의 파워 온 상태에서, 매 프레임 마다 행라인 단위로 순차적으로 게이트신호를 출력하게 된다. 즉, 각 스테이지(SR)는 해당 행라인의 수평주기 동안 게이트하이전압을 출력하게 되고, 나머지 시간 동안에는 게이트로우전압을 출력하게 된다.The plurality of stages SR sequentially output gate signals in row-line units in every frame in the power-on state of the
게이트하이전압이 출력되면, 해당 게이트배선(GL)에 연결된 화소(P)의 스위칭트랜지스터(Ts)는 턴온되고, 이에 동기하여 데이터배선(GL)을 통해 전달된 데이터신호가 해당 화소(P)에 인가되어 충전된다.When the gate high voltage is output, the switching transistor Ts of the pixel P connected to the corresponding gate line GL is turned on, and in synchronization with this, the data signal transmitted through the data line GL is transmitted to the corresponding pixel P. approved and charged.
한편, 이웃하는 프레임 사이의 블랭크구간(blank time; 도 6의 BT 참조)에는 다수의 스테이지(SR) 모두에 블랭크리셋신호(BRST)가 인가되고, 이에 따라 다수의 스테이지(SR)는 모두 동시에 리셋(reset)된다.Meanwhile, in a blank period (see BT of FIG. 6 ) between neighboring frames, the blank reset signal BRST is applied to all of the plurality of stages SR, and accordingly, all of the stages SR are reset at the same time. (reset)
그리고, 액정표시장치(100)가 파워 오프되면, 이에 응답하여 게이트구동회로(120)는 방전 동작을 수행하게 된다. 즉, 다수의 스테이지(SR) 모두는 동시에 게이트하이전압을 출력하게 된다. 이에 따라, 표시패널(110)에 구성된 모든 화소(P)내에 충전된 전하는 동시에 방전된다.And, when the liquid
특히, 파워 오프 시의 게이트구동회로(120)의 방전 동작은, 종래와 같이 별도의 방전회로를 이용하지 않고, 스테이지(SR) 내에 구성된 소자로서 블랭크리셋신호(BRST)를 인가받는 보조트랜지스터(도 5의 T7N 참조)를 이용하여 수행하게 된다. In particular, the discharging operation of the
이에 따라, 종래와 같이 별도의 방전회로 및 이를 구동하기 위한 별도의 신호배선을 구비할 필요가 없게 된다. Accordingly, there is no need to provide a separate discharge circuit and a separate signal line for driving the same as in the related art.
따라서, 게이트구동회로(120)가 형성된 비표시영역(NA)의 폭을 감소시킬 수 있어 내로우베젤을 용이하게 구현할 수 있게 된다. 그리고, 구동IC(300)에는 별도의 방전회로 구동을 신호 출력핀을 구비할 필요가 없게 되어 부품비용이 절감될 수 있다. 또한, 공통배선영역인 제3영역(A3)의 폭을 증가시킬 수 있게 되며, 이에 따라 공통배선의 저항이 감소될 수 있게 되므로, 공통전압 리플과 스미어 현상을 방지하여 화질을 개선할 수 있게 된다.Accordingly, the width of the non-display area NA in which the
이와 같은 기능을 수행하는 게이트구동회로(120)에 대해서는, 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.The
제1영역(A1)의 외측에 위치하는 제2영역(A2)에는 게이트구동회로(120)를 구동하기 위한 신호로서, 예를 들면, 서로 다른 위상의 다수의 클럭신호(CLK)와 게이트스타트신호(Vst)와 블랭크리셋신호(BRST)를 포함하는 게이트제어신호와, 로우전원전압(Vss)과 하이전원전압(Vdd)과 같은 전원전압을 전송하는 신호배선들이 형성될 수 있다. 더욱이, 제2영역(A2)에는 접지배선이 형성될 수 있다.
Signals for driving the
게이트구동회로(120)가 형성된 어레이기판의 일측에 인접한 어레이기판의 타측에는 구동IC(200)가 연결될 수 있다.The driving
구동IC(200)는 데이터배선(DL)에 데이터신호를 출력하는 데이터구동회로에 해당된다. 표시패널(200) 구동을 위해 적어도 하나의 구동IC(200)가 사용될 수 있는데, 설명의 편의를 위해, 3개의 구동IC(200)가 구비된 경우를 예로 든다. The driving
구동IC(200)는, 예를 들면, 배선패턴이 형성된 연성회로필름(210)에 실장될 수 있으며, 연성회로필름(210)에 실장된 상태로 표시패널(110)에 연결될 수 있다. 다른 예로서, 구동IC(200)는 COG 방식으로 표시패널(110)의 어레이기판에 직접 실장되도록 구성될 수도 있다. 본 발명의 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, 구동IC(200)가 연성회로필름(210)에 실장된 경우를 예로 든다.The driving
한편, 게이트구동회로(120)에 가까이 위치하는 구동IC(200)는, 게이트구동회로(120)를 구동하는 신호들을 출력하도록 구성될 수 있으며, 이들 신호를 출력하기 위한 신호 출력핀을 구비할 수 있다. On the other hand, the driving
이때, 앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면 별도의 방전회로가 사용되지 않게 되므로, 구동IC(200)는 방전회로를 구동하는 신호를 출력하기 위한 신호 출력핀이 구비될 필요가 없게 된다.
At this time, as described above, according to the embodiment of the present invention, since a separate discharge circuit is not used, the driving
구동IC(200)는 연성회로필름(310)을 통해 구동보드(300)와 연결된다. 구동보드(300)에는 표시패널(200)을 구동하기 위한 다수의 구동회로가 실장된다. 예를 들면, 구동보드(300)에는 타이밍컨트롤러(310)와 전원회로(320) 등이 실장될 수 있다.The driving
타이밍컨트롤러(310)는 외부의 시스템으로부터 영상데이터와 타이밍신호를 전달받고, 영상데이터를 정렬하여 구동IC(200)에 출력할 수 있다. The
전원회로(320)는 액정표시장치(100)를 구동하는 구동전원을 발생시키는 구성으로서, 공통전압(Vcom)과 하이전원전압(Vdd)과 로우전원전압(Vss) 등을 발생시킬 수 있다. The
한편, 전원회로(420)에는 레벨쉬프터(level shifter)가 구성될 수 있다. 레벨쉬프터는, 예를 들면, 타이밍컨트롤러(210)로부터 입력된 클럭신호를 레벨 쉬프팅(level shifting)하여 출력하게 된다.
Meanwhile, a level shifter may be configured in the power circuit 420 . The level shifter, for example, level-shifts the clock signal input from the
이하, 도 5 및 6을 더욱 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 게이트구동회로(120)와 이의 동작에 대해 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, with further reference to FIGS. 5 and 6 , the
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 게이트구동회로의 스테이지의 구성을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 스테이지의 보조트랜지스터에 인가되는 신호들과 게이트배선에 인가되는 전압의 파형을 나타낸 타이밍도이다. 여기서, 도 6에서는, 설명의 편의를 위해, n번째 및 n+1번째 게이트배선(GLn, GLn+1)에 인가되는 전압의 파형을 도시하였다.5 is a diagram schematically illustrating the configuration of a stage of a gate driving circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a view showing signals applied to the auxiliary transistor of the stage and the gate wiring according to the embodiment of the present invention. It is a timing diagram showing the waveform of the voltage. Here, in FIG. 6 , waveforms of voltages applied to the n-th and n+1-th gate lines GLn and GLn+1 are shown for convenience of explanation.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 게이트구동회로(120)의 스테이지(SR)는, 플립플랍(flip-flop)회로(FF)와 플업트랜지스터(Tpu)와 풀다운트랜지스터(Tpd)와 보조트랜지스터(T7N)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the stage SR of the
플립플랍회로(FF)는 다수의 트랜지스터를 포함하도록 구성되며, 풀업트랜지스터(Tpu)와 연결된 Q출력단자와, 풀다운트랜지스터(Tpd)와 연결된 Qb출력단자를 구비할 수 있다. The flip-flop circuit FF is configured to include a plurality of transistors, and may include a Q output terminal connected to the pull-up transistor Tpu and a Qb output terminal connected to the pull-down transistor Tpd.
Q출력단자와 Qb출력단자는 서로 반대되는 위상의 신호를 출력하도록 구성될 수 있다. 예를 들면, Q출력단자가 하이상태의 Q신호를 출력하게 되면, Qb출력단자는 로우상태의 Qb신호를 출력하게 된다.The Q output terminal and the Qb output terminal may be configured to output signals of opposite phases to each other. For example, when the Q output terminal outputs a high-state Q signal, the Qb output terminal outputs a low-state Qb signal.
플립플랍회로(FF)의 위와 같은 신호 출력에 의해, 풀업트랜지스터(Tpu)와 풀다운트랜지스터(Tpd)는 온/오프 상태가 서로 반대가 되도록 동작하게 된다. By the above signal output of the flip-flop circuit FF, the pull-up transistor Tpu and the pull-down transistor Tpd operate so that their on/off states are opposite to each other.
즉, 풀업트랜지스터(Tpu)가 턴온 상태가 되면 풀다운트랜지스터(Tpd)는 턴오프 상태가 되며, 풀업트랜지스터(Tpu)가 턴오프 상태가 되면 풀다운트랜지스터(Tpd)는 턴온 상태가 된다.That is, when the pull-up transistor Tpu is turned on, the pull-down transistor Tpd is turned off, and when the pull-up transistor Tpu is turned off, the pull-down transistor Tpd is turned on.
풀업트랜지스터(Tpu)의 소스단자에는 대응되는 클럭신호(CLK)가 인가되고, 드레인단자는 게이트배선(GL)에 게이트신호를 출력하는 게이트출력단자(Vout)에 연결된다. A corresponding clock signal CLK is applied to a source terminal of the pull-up transistor Tpu, and a drain terminal is connected to a gate output terminal Vout for outputting a gate signal to the gate line GL.
풀다운트랜지스터(Tpd)의 게이트단자는 플립플랍회로(FF)의 Qb출력단자와 연결된다. 풀다운트랜지스터(Tpd)의 소스단자는 로우전원배선(VssL)과 연결되고, 드레인단자는 게이트출력단자(Vout)에 연결된다. The gate terminal of the pull-down transistor Tpd is connected to the Qb output terminal of the flip-flop circuit FF. The source terminal of the pull-down transistor Tpd is connected to the low power line VssL, and the drain terminal is connected to the gate output terminal Vout.
여기서, 도 6을 참조하면, 로우전원배선(VssL)에는 액정표시장치(100)가 파워 온 상태인 경우에, 로우전원전압(Vss)이 지속적으로 인가된다. 반면에, 액정표시장치(100)가 파워 오프가 되면, 로우전원배선(VssL)에는 게이트하이전압(VGH)이 인가된다.Here, referring to FIG. 6 , the low power supply voltage Vss is continuously applied to the low power supply line VssL when the
액정표시장치(100)의 파워 온 상태에서는, 스테이지(SR)는 정상적으로 동작하게 되며, 매 프레임(Fi, Fi+1)마다 대응되는 수평주기에서 풀업트랜지스터(Tpu)는 하이상태의 Q신호에 응답하여 턴온되고 풀다운트랜지스터(Tpd)는 로우상태의 Qb신호에 응답하여 턴오프되고, 이에 따라 풀업트랜지스터(Tpu)를 통해 게이트하이전압(VGH) 상태의 클럭신호(CLK)가 게이트출력단자(Vout)로 출력된다. 이로 인해, 해당 게이트배선(GL)에는 게이트하이전압(VGH)이 인가된다.In the power-on state of the
이와 달리, 매 프레임(Fi, Fi+1)의 수평주기 이전과 이후에는, 풀업트랜지스터(Tpu)는 로우상태의 Q신호에 응답하여 턴오프되고 풀다운트랜지스터(Tpd)는 하이상태의 Qb신호에 응답하여 턴온되고, 이에 따라 풀다운트랜지스터(Tpd)를 통해 로우전원전압(Vss)이 게이트출력단자(Vout)로 출력된다. 즉, 로우전원배선(VssL)에는 로우전원전압(Vss)이 인가되고 있으므로, 풀다운트랜지스터(Tpd)의 턴온 상태에서 로우전원전압(Vss)이 게이트출력단자(Vout)으로 출력된다. 이로 인해, 해당 게이트배선(GL)에는 게이트로우전압에 해당되는 로우전원전압(Vss)이 인가된다.On the other hand, before and after the horizontal period of each frame (Fi, Fi+1), the pull-up transistor Tpu is turned off in response to the low-state Q signal, and the pull-down transistor Tpd responds to the high-state Qb signal. is turned on, and accordingly, the low power voltage Vss is output to the gate output terminal Vout through the pull-down transistor Tpd. That is, since the low power voltage Vss is applied to the low power wiring VssL, the low power voltage Vss is output to the gate output terminal Vout in the turn-on state of the pull-down transistor Tpd. Accordingly, the low power voltage Vss corresponding to the gate low voltage is applied to the corresponding gate line GL.
보조트랜지스터(T7N)는 풀다운트랜지스터(Tpd)와 병렬 연결 형태로 배치된다. 즉, 보조트랜지스터(T7N)의 소스단자는 게이트출력단(Vout)에 연결되고, 드레인단자는 로우전원배선(VssL)에 연결된다. 그리고, 보조트랜지스터(T7N)의 게이트단자는 블랭크리셋신호(BRST)를 인가받게 된다.The auxiliary transistor T7N is arranged in parallel with the pull-down transistor Tpd. That is, the source terminal of the auxiliary transistor T7N is connected to the gate output terminal Vout, and the drain terminal is connected to the low power supply line VssL. Then, the gate terminal of the auxiliary transistor T7N receives the blank reset signal BRST.
보조트랜지스터(T7N)는 풀다운트랜지스터(Tpd)의 정(+)바이어스(positive bias) 스트레스를 완화하는 기능을 하는 소자에 해당된다. 즉, 풀다운트랜지스터(Tpd)는 수평주기를 제외한 시간 동안 지속적으로 하이상태의 전압을 인가받아 로우전원전압(Vss)을 출력하게 되어 정(+)바이어스 스트레스가 유발되는데, 이를 완화시키기 위해 보조트랜지스터(T7N)가 스테이지(SR)에 구성된다.The auxiliary transistor T7N corresponds to a device having a function of alleviating positive bias stress of the pull-down transistor Tpd. That is, the pull-down transistor Tpd continuously receives a high-state voltage for a period of time except for the horizontal period and outputs a low power supply voltage Vss to induce positive (+) bias stress. In order to alleviate this, the auxiliary transistor ( T7N) is configured in the stage SR.
이와 같은 보조트랜지스터(T7N)는 각 프레임(Fi, Fi+1) 동안에는, 로우상태의 블랭크리셋신호(BRST)를 인가받고, 이에 따라 턴오프 상태를 유지하게 된다. The auxiliary transistor T7N receives the blank reset signal BRST in a low state during each frame Fi and Fi+1, and thus maintains a turned-off state.
한편, 이웃하는 프레임들(Fi, Fi+1) 사이의 블랭크구간(BT)에서 하이상태의 블랭크리셋신호(BRST)를 인가받고, 이에 응답하여 로우전원전압(Vss)을 게이트출력단자(Vout)에 출력하게 된다. Meanwhile, in the blank period BT between the neighboring frames Fi and Fi+1, the high-state blank reset signal BRST is applied, and in response, the low power supply voltage Vss is applied to the gate output terminal Vout. will be output to
이때, 풀다운트랜지스터(Tpd)는 턴오프 상태를 유지하여 게이트출력단자(Vout)로 신호를 출력하지 않게 된다. At this time, the pull-down transistor Tpd maintains a turned-off state and does not output a signal to the gate output terminal Vout.
이를 위해, 스테이지(SR)에는 블랭크구간(BT) 동안 풀다운트랜지스터(Tpd)를 턴오프하기 위한 리셋트랜지스터(Tre)가 구성될 수 있다. To this end, a reset transistor Tre for turning off the pull-down transistor Tpd during the blank period BT may be configured in the stage SR.
이와 같은 리셋트랜지스터(Tre)는 게이트단자가 블랭크리셋신호(BRST)를 인가받게 되고, 드레인단자는 로우전원배선(VssL)에 연결되며, 소스단자는 풀다운트랜지스터(Tpd)의 게이트단자에 연결되도록 구성될 수 있다. The reset transistor Tre is configured such that the gate terminal receives the blank reset signal BRST, the drain terminal is connected to the low power line VssL, and the source terminal is connected to the gate terminal of the pull-down transistor Tpd. can be
이에 따라, 블랭크구간(BT)에서 하이상태의 블랭크리셋신호(BRST)에 의해, 리셋트랜지스터(Tre)는 로우전원전압(Vss)을 풀다운트랜지스터(Tpd)의 게이트단자로 출력하게 되어, 풀다운트랜지스터(Tpd)는 오프 상태가 된다. Accordingly, by the blank reset signal BRST in the high state in the blank section BT, the reset transistor Tre outputs the low power voltage Vss to the gate terminal of the pull-down transistor Tpd, and the pull-down transistor ( Tpd) is turned off.
이처럼, 블랭크구간(BT)에서는, 풀다운트랜지스터(Tpd)를 대신하여 보조트랜지스터(T7N)가 로우전원전압(Vss)을 게이트출력단자(Vout)에 출력하도록 동작함으로써, 풀다운트랜지스터(Tpd)의 스트레스를 완화시킬 수 있게 된다.As such, in the blank section BT, the auxiliary transistor T7N operates to output the low power voltage Vss to the gate output terminal Vout instead of the pull-down transistor Tpd, thereby reducing the stress of the pull-down transistor Tpd. can be alleviated.
특히, 본 발명의 실시예에서는, 보조트랜지스터(T7N)가 액정표시장치(100)의 파워 오프 시에 방전회로와 같이 기능하도록 동작하게 된다. In particular, in the embodiment of the present invention, the auxiliary transistor T7N operates to function as a discharge circuit when the
즉, 파워 오프가 되면, 블랭크리셋신호(BRST)가 하이상태를 갖도록 하고 로우전원배선(VssL)에는 게이트하이전압(VGH)이 인가되도록 하여, 게이트구동회로(120)에 구성된 모든 스테이지(SR)가 동시에 게이트하이전압(VGH)을 출력하도록 구동하게 된다. 이에 따라, 표시패널(110) 내부의 모든 화소(P)의 스위칭트랜지스터(Ts)는 턴온되어, 화소(P) 내의 전하는 방전될 수 있게 된다.
That is, when the power is turned off, the blank reset signal BRST is in a high state and the gate high voltage VGH is applied to the low power wiring VssL, so that all stages SR configured in the
전술한 바와 같은 구성을 갖는 게이트구동회로(120)의 파워 온/오프 상태에서의 동작과 관련하여 도 6을 참조하여 설명한다. An operation in the power on/off state of the
먼저, 액정표시장치(100)의 파워 온 상태에서는, 로우전원배선(VssL)에는 로우전원전압(Vss)이 지속적으로 인가된다. 그리고, 블랭크리셋신호(BRST)는 매 프레임(Fi, Fi+1) 동안에는 로우상태를 유지하게 되고, 프레임들(Fi, Fi+1) 사이의 블랭크구간(BT)에서는 하이상태를 유지하게 된다. First, in the power-on state of the
이때, 매 프레임(Fi, Fi+1) 마다 스테이지(SR)에서는 해당 수평주기 동안 풀업트랜지스터(Tpu)가 온 상태가 되어 클럭신호(CLK)를 출력하게 되고, 이에 따라 게이트하이전압(VGH)이 해당 행라인의 게이트배선(GLn, GLn+1)에 출력된다. At this time, in the stage SR for every frame Fi, Fi+1, the pull-up transistor Tpu is turned on during the corresponding horizontal period to output the clock signal CLK, and accordingly, the gate high voltage VGH is It is output to the gate wirings GLn and GLn+1 of the corresponding row line.
그리고, 매 프레임(Fi, Fi+1) 중 수평주기 이외의 구간에서는 풀다운트랜지스터(Tpd)가 온 상태가 되어 로우전원전압(Vss)을 출력하게 되고, 이에 따라 게이트로우전압이 해당 행라인의 게이트배선(GLn, GLn+1)에 출력된다.And, in a section other than the horizontal period of every frame (Fi, Fi+1), the pull-down transistor Tpd is turned on to output the low power voltage Vss, and accordingly, the gate-low voltage is applied to the gate of the corresponding row line. It is output to the wirings GLn and GLn+1.
다음으로, 액정표시장치(100)가 파워 오프 되면, 로우전원배선(VssL)에는 게이트하이전압(VGH)이 인가된다. 그리고, 블랭크리셋신호(BRST)는 하이상태를 갖게 된다. Next, when the
이때, 보조트랜지스터(T7N)는 하이상태의 블랭크리셋신호(BRST)에 응답하여 온 상태가 된다. 이에 따라, 보조트랜지스터(T7N)를 통해 로우전원배선(VssL)에 인가된 게이트하이전압(VGH)이 게이트배선(GLn, GLn+1)으로 출력된다. 즉, 게이트구동회로(120)의 모든 스테이지(SR)는 동시에 게이트하이전압(VGH)을 대응되는 게이트배선(GL)에 출력하게 된다. At this time, the auxiliary transistor T7N is turned on in response to the high-state blank reset signal BRST. Accordingly, the gate high voltage VGH applied to the low power line VssL through the auxiliary transistor T7N is output to the gate lines GLn and GLn+1. That is, all stages SR of the
이로 인해, 표시패널(110) 내의 모든 화소(P)의 스위칭트랜지스터(Ts)는 온 상태가 되며, 이에 따라 화소(P) 내의 전하는 데이터배선(DL)을 통해 방전된다.
Accordingly, the switching transistors Ts of all the pixels P in the
전술한 바에서는, GIP 방식의 액정표시장치에 대해 설명하였다. 한편, GIP 방식으로 구동회로를 패널에 직접 형성할 수 있는 표시장치로서, 유기발광소자 표시장치나 플라즈마표시장치와 같은 표시장치에 대해, 전술한 본 발명의 실시예가 적용될 수 있음은 자명하다.
In the above bar, the GIP type liquid crystal display has been described. Meanwhile, it is obvious that the above-described embodiment of the present invention can be applied to a display device such as an organic light emitting diode display device or a plasma display device as a display device in which a driving circuit can be directly formed on a panel in the GIP method.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, GIP 구조의 게이트구동회로 내에 구비된 보조트랜지스터를 파워 오프 시에 방전회로의 기능을 수행하도록 동작시키게 된다. 이에 따라, 종래와 같이 별도의 방전회로와 이를 구동하기 위한 별도의 신호배선을 구비할 필요가 없게 된다.As described above, according to the embodiment of the present invention, the auxiliary transistor provided in the gate driving circuit of the GIP structure is operated to perform the function of the discharge circuit when the power is turned off. Accordingly, there is no need to provide a separate discharge circuit and a separate signal line for driving the discharge circuit as in the prior art.
따라서, 게이트구동회로가 형성된 비표시영역의 폭을 감소시킬 수 있어 내로우베젤을 용이하게 구현할 수 있게 된다. Accordingly, the width of the non-display area in which the gate driving circuit is formed can be reduced, so that a narrow bezel can be easily implemented.
그리고, 구동IC에는 별도의 방전회로 구동을 신호 출력핀을 구비할 필요가 없게 되어 부품비용이 절감될 수 있다. In addition, since the driving IC does not need to include a signal output pin for driving a separate discharge circuit, component costs can be reduced.
또한, 공통배선영역의 폭을 증가시킬 수 있게 되며, 이에 따라 공통배선의 저항이 감소될 수 있게 되므로, 공통전압 리플과 스미어 현상을 방지하여 화질을 개선할 수 있게 된다.
In addition, the width of the common wiring region can be increased, and thus the resistance of the common wiring can be reduced, thereby preventing common voltage ripple and smearing, thereby improving image quality.
전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
The above-described embodiment of the present invention is an example of the present invention, and free modifications are possible within the scope included in the spirit of the present invention. Accordingly, the present invention includes modifications of the present invention provided they come within the scope of the appended claims and their equivalents.
100: 액정표시장치 110: 표시패널
120: 게이트구동회로 200: 구동IC
210: 연성회로필름 300: 구동보드
310: 타이밍컨트롤러 320: 전원회로
Tpu: 풀업트랜지스터
Tpd: 풀다운트랜지스터
T7N: 보조트랜지스터
Tre: 리셋트랜지스터
BRST: 블랭크리셋신호
Vss: 로우전원전압
VGH: 게이트하이전압
BT: 블랭크구간100: liquid crystal display 110: display panel
120: gate driving circuit 200: driving IC
210: flexible circuit film 300: driving board
310: timing controller 320: power circuit
TPU: Pull-up transistor
Tpd: pull-down transistor
T7N: auxiliary transistor
Tre: reset transistor
BRST: Blank reset signal
Vss: Low power voltage
VGH: gate high voltage
BT: blank section
Claims (6)
상기 표시장치의 파워 오프 시에, 하이상태의 상기 블랭크리셋신호를 인가하고, 상기 로우전원배선에 게이트하이전압을 인가하는 단계와;
상기 표시장치의 파워 온 상태에서, 매 프레임 동안 로우상태의 상기 블랭크리셋신호를 인가하고, 이웃하는 프레임 사이의 블랭크구간 동안 하이상태의 상기 블랭크리셋신호를 인가하고, 상기 로우전원배선에 로우전원전압을 인가하는 단계
를 포함하고,
이웃하는 프레임 사이의 상기 블랭크구간 동안, 상기 보조트랜지스터는 상기 하이상태의 상기 블랭크리셋신호에 의하여 턴온 상태가 되고, 상기 로우전원배선의 상기 로우전원전압은 상기 턴온 상태의 상기 보조트랜지스터를 통하여 상기 다수의 스테이지 각각의 게이트출력단자로 출력되는 표시장치 구동방법.
A gate driving circuit having a GIP structure located in a non-display area of the display panel, each connected to a plurality of gate wirings, respectively connected to a pull-up transistor, a pull-down transistor, and the pull-down transistor in parallel, and a drain terminal connected to a low power wiring A method of driving a display device comprising a gate driving circuit comprising a plurality of stages comprising auxiliary transistors to which a source terminal is connected to a gate output terminal and a gate terminal is applied with a blank reset signal, the method comprising:
applying the blank reset signal in a high state and applying a gate high voltage to the low power wiring when the display device is powered off;
In the power-on state of the display device, the blank reset signal in a low state is applied during every frame, the blank reset signal in a high state is applied during a blank period between adjacent frames, and a low power supply voltage is applied to the low power wiring. step to authorize
including,
During the blank period between neighboring frames, the auxiliary transistor is turned on by the blank reset signal in the high state, and the low power supply voltage of the low power wiring is applied to the plurality of auxiliary transistors through the auxiliary transistor in the turned-on state. A method of driving a display device that is output to a gate output terminal of each of the stages.
상기 스테이지는, 게이트단자가 상기 블랭크리셋신호를 인가받고 드레인단자가 상기 로우전원배선에 연결되고 소스단자가 상기 풀다운트랜지스터의 게이트단자에 연결된 리셋트랜지스터를 포함하는
표시장치 구동방법.
The method of claim 1,
The stage includes a reset transistor having a gate terminal to which the blank reset signal is applied, a drain terminal connected to the low power wiring, and a source terminal connected to a gate terminal of the pull-down transistor.
Display device driving method.
상기 스테이지는, 상기 풀업트랜지스터의 게이트단자와 연결된 Q출력단자와, 상기 풀다운트랜지스터의 게이트단자에 연결된 Qb출력단자를 구비한 플립플랍회로를 포함하는
표시장치 구동방법.
The method of claim 1,
wherein the stage includes a flip-flop circuit having a Q output terminal connected to a gate terminal of the pull-up transistor and a Qb output terminal connected to a gate terminal of the pull-down transistor.
Display device driving method.
상기 표시패널은 액정패널이나 유기발광소자패널인
표시장치 구동방법. The method of claim 1,
The display panel is a liquid crystal panel or an organic light emitting device panel.
Display device driving method.
이웃하는 프레임 사이의 상기 블랭크구간 동안, 상기 리셋트랜지스터는 상기 하이상태의 상기 블랭크리셋신호에 의하여 턴온 상태가 되고, 상기 로우전원배선의 상기 로우전원전압은 상기 턴온 상태의 상기 리셋트랜지스터를 통하여 상기 풀다운트랜지스터의 게이트단자에 인가되고, 상기 풀다운트랜지스터는 상기 로우전원배선의 상기 로우전원전압에 의하여 턴오프 상태가 되는
표시장치 구동방법.
4. The method of claim 3,
During the blank period between neighboring frames, the reset transistor is turned on by the blank reset signal in the high state, and the low power voltage of the low power wiring is pulled down through the reset transistor in the turned-on state. is applied to the gate terminal of the transistor, and the pull-down transistor is turned off by the low power supply voltage of the low power wiring.
Display device driving method.
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