KR102290808B1 - 약하게 착색되는 설폰 산 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 요지는 1 ppm 과 200 ppm 사이의 클로라이드/설폰 산 몰비로, 그리고 200 ppm 과 6000 ppm 사이의, 한계들을 포함한, 아질산염/설폰 산 몰비로 클로라이드 및 아질산염을 포함하고, APHA 색상 지수가 20 미만인, 약하게 부식성 및 약하게 착색되는 술폰산이다.

Description

약하게 착색되는 설폰 산
본 발명은 설폰 산의 분야에 관한 것이고, 그리고 보다 구체적으로는 약하게 착색되는 설폰 산의 분야에 관한 것이고, 그리고 또한 이의 제조 방법에 관한 것이다.
설폰 산, 그리고 특히, 예를 들어 메탄설폰 산 (MSA), para-톨루엔설폰 산 (PTSA), 벤젠설폰 산 (BS) 또는 트리플루오로메탄 설폰 산과 같은 유기로 지칭되는 설폰 산은 수많은 응용에서, 특히 촉매반응에서 그리고 표면 처리, 이를테면 주된 예만 인용하자면, 갈바노플라스티 (galvanoplasty), 스트리핑 (stripping), 세정 (cleaning) 또는 디스케일링 (descaling) 에서, 널리 사용되는 강산이며, 이들에 한정되지 않는다.
그러나, 이러한 설폰 산의 수용액은 금속을 부식시키며, 부식 속도는 산 농도, 온도 및 금속의 성질에 동시에 의존한다는 것이 관찰되었다. 예를 들어, 주변 온도에서, 304L 또는 1.4307 유형의 스테인리스 강은 수중 5 중량 %를 초과하는 MSA 농도에서 부식될 수 있다. 이러한 부식 위험은 많은 응용들에서 받아들여질 수 없고, 특히 주로 이들 산이 수용액에 있을 때 이들의 저장에 대하여 받아들여질 수 없다.
설폰 산을 금속에 대해, 그리고 특히 스테인레스 강에 대해 부식성이 적거나, 또는 심지어 비부식성으로 만들기 위해, 수 많은 연구가 이미 수행되어 왔으며, 그 중 만족스러운 결과를 보인 하나의 기술은 질산염을 상기 산에 첨가하는 것으로 이루어진다. 이 방법은 특히, 제 2 철 이온 또는 질산염의 첨가가 다양한 강에 대하여 MSA 에 의한 부식에 억제 효과를 낳는 것을 가능하게 한다는 것을 보여준 B. Gaur 및 H. S. Srinivasan (“British Corrosion Journal”, 34 (1), (1999), 63-66) 에 의해 설명된다.
다른 해법들이 연구되어 왔으며, 그 중에서도, 예를 들어 출원 EP 0 931 854 호에 기술된 것이 언급될 수도 있는데, 이는 세륨(IV) 의, 철(III) 의, 몰리브덴 (VI) 의, 바나듐 (V) 의, 아질산염 및 과황산염의 염 또는 산화물로부터 선택된 적어도 하나의 산화제를 첨가함으로써, 유기설폰 산 매질에서 스테인리스 강의 부식을 억제하는 것을 제안한다.
아질산염이 첨가된 설폰 산은 금속 및 특히 스테인리스 강에 대해 매우 부식성이 아닌 그들의 상당히 특별한 성질로 인해 가장 특히 유리하다. 이들 약하게 부식성 ("저 부식성"이라고도 함) 산은 불행하게도 설폰 산의 성질, 사용된 아질산염의 성질, 및 상기 설폰 산에서 아질산염 농도에 따라, 다소 빠르게 착색되는 단점이 있다.
이러한 착색은 특히 설폰 산이 세정제로서, 고 부가 가치를 갖는 제품을 생산하기 위한 반응용 촉매 등로서 사용될 때, 예상되는 용용들에 대해, 장애가 될 수 있다. 또한, 착색은 설폰 산을 오염시키고 예상되는 이용에 부적합하게 만드는 것 외에도, 적어도 상업적 사양에 부적합하게 만드는 불순물의 존재로부터 비롯되는 것으로 고려될 수 있다.
따라서, 이 착색은 "저 부식성" 설폰 산에 대해, 즉, 특히 철, 니켈, 티타늄, 구리, 알루미늄, 몰리브덴, 망간, 납 및 이들의 합금에 기초하여 부동태화될 수 있는 금속 및 합금, 및 또한 접촉 (크림핑, 리벳팅, 볼팅, 용접, 용접, 브레이징) 에 의해 얻어지는 이들 금속 또는 합금의 쌍에 대하여, 특히 스테인레스 강, 그리고 특히 (예를 들어, AISI 304L 및 AISI 316L 유형의) 일반 스테인레스 강뿐만 아니라, 더 일반적으로 표준 NF EN 10088-1 에 정의된 임의의 스테인레스 강에 대하여 약하게 부식성으로 만들기 위한 아질산염을 포함하는 설폰 산에 대하여 주된 단점을 나타낸다.
이제 본 출원인은 "저 부식성" 설폰 산의 착색이 특히 상기 설폰 산에서 클로라이드 이온의 존재에 기인한다는 것을 발견하였다.
본 발명에서, 설폰 산은 그의 APHA 색상이 엄밀히 20 보다 클 때 "착색된" 것으로 고려된다. 반대로, 본 발명의 목적을 위해, 약하게 착색되는 설폰 산은 APHA 색상이 20 미만, 바람직하게는 15 미만, 보다 특히 10 미만, 가장 특히 5 미만인 설폰 산이다.
APHA 색상은 American Public Health Association 의 이름을 따서 명명되고 표준 ASTM D1209, 그리고 보다 정확하게는 ASTM D1209-05(2011) 에 의해 정의된 색상 표준이다. APHA 색상은 때때로“황변 지수” (yellowing index) 라고도 하는 색상 스케일로, 색상이 창백 내지 노르스름한 액체의 품질을 평가할 수 있게 한다. APHA 색상은 표준 범위가 0 내지 200 APHA 인 색도계를 사용하여 측정된다.
본 발명에서, 용어 "저 부식성 설폰 산"은, 아래 "저 부식성" 검증 테스트 프로토콜에 설명된 바처럼, 1 분간, -800　μA.cm-2 의 전류량을 인가한 다음, 이 전류의 인가를 중단한 후, 전위가 사실상 동일한 수준으로 유지되고 다시 상승하지 않는 설폰 산을 의미하는 것으로 의도된다.
다시 말해서, 본 발명에 따른 저 부식성 설폰 산은, 1 분간 -800　μA.cm-2 의 전류의 인가 후 부동 상태 (passive state) 로 유지되는 반면에, 본 발명에 따르지 않는 (부식성) 설폰 산은 1 분간, 상기 -800　μA.cm-2 의 전류량의 인가에 의한 탈부동태화 (depassivation) 후에 활성 상태 (부식) 으로 복귀된다.
본 발명의 저 부식성 설폰 산은 통상적인 설폰 산에 적어도 하나의 아질산염이 첨가된 것이고, 이의 아질산염/설폰 산 몰비는 200 ppm 과 6000 ppm 사이, 바람직하게는 400 ppm 과 2000 ppm 사이, 특히 500 ppm 과 1900 ppm 사이이다.
사실, 통상적인 설폰 산은 다소 상당한 양의 클로라이드 이온을 함유할 수 있다. 통상적인 설폰 산에서의 클로라이드 이온의 존재 및 양은 많은 요인들로부터 비롯될 수 있으며, 그 중에서도, 비한정적인 방식으로, 상기 통상적인 설폰 산 자체의 제조 방법에 사용되는 염소화 유도체(들), 예상되는 응용에서 이의 처리, 이의 이용 및 이의 유효성을 촉진하기 위하여 상기 설폰 산을 제형화하도록 의도된 다양한 용매, 첨가제, 보조물, 충전제에 존재하는 클로라이드 또는 염소화 유도체 등이 언급될 수도 있다.
이론에 구애됨이 없이, 클로라이드 이온의 존재는 비부식성 또는 약한 부식성을 부여하기 위해 아질산염 이온이 첨가된 설폰 산의 착색에 이른다는 것이 확립되었다.
이제, 상기 산이 클로라이드 이온, 및 비 부식성 또는 약한 부식성을 부여하기 위해 첨가된 아질산염 이온을 포함하는 경우에도, 약하게 착색되는 설폰 산을 제공할 수 있음을 발견하였다.
따라서, 그리고 제 1 양태에 따라, 본 발명은 설폰 산으로서
- 1 ppm 과 200 ppm 사이, 바람직하게는 5 ppm 과 200 ppm 사이, 보다 바람직하게는 10 ppm 과 200 ppm 사이, 보다 우선적으로는 10 ppm 과 190 ppm 사이의, 한계들을 포함한, 클로라이드/설폰 산 몰비, 및
- 200 ppm 과 6000 ppm 사이, 바람직하게는 400 ppm 과 2000 ppm 사이, 특히 500 ppm 과 1900 ppm 사이의, 한계들을 포함한, 아질산염/ 설폰 산 몰비
를 포함하고,
APHA 색상이 20 미만, 바람직하게는 15 미만, 보다 특히 10 미만, 가장 특히 5 미만인, 설폰 산에 관한 것이다.
본 발명에서, 용어 "설폰 산" 은 당업자에게 알려져 있는 임의의 설폰 산을 의미하고 보다 구체적으로는 식 R-SO3H 의 설폰 산을 의미하도록 의도되고, 식중 R 은, 할로겐 (이를테면, 불소, 염소 또는 브롬) 원자 , 1 내지 6 개의 탄소 원자를 함유하는 알킬 라디칼 및 6 또는 10 개의 고리 멤버들을 포함하는 아릴 및 헤테로아릴 라디칼로부터 선택된 하나 이상의 라디칼 및/또는 원자로 치환되거나 비치환되는, 1 내지 12 개의 탄소 원자를 포함하는 선형, 분지형 또는 환형, 포화 또는 불포화 탄화수소계 사슬을 나타낸다.
용어 "알킬" 은 선형 또는 분지형, 포화 탄화수소계 라디칼을 의미하는 것으로 의도된다. 용어 "아릴" 은 방향족 라디칼, 바람직하게는 페닐 또는 나프틸 라디칼, 보다 바람직하게는 페닐 라디칼을 의미하는 것으로 의도된다. 용어 "헤테로아릴" 은 산소, 질소 및 황으로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 갖는 방향족 라디칼을 의미하도록 의도된다.
바람직하게는, R 은 1 내지 6 개의 탄소 원자를 포함하는 탄화수소계 사슬을 나타내고, 보다 특히 메틸, 에틸, n-프로필, iso-프로필, n-부틸, iso-부틸, sec-부틸, tert-부틸, 선형 또는 분지형 펜틸 라디칼, 선형 또는 분지형 헥실 라디칼, 및 페닐 및 나프틸 라디칼로부터 선택된다.
따라서, 그리고 비한정적인 방식으로, 본 발명의 문맥에 포함된 설폰 산은 바람직하게, 메탄설폰 산, 에탄설폰 산, n-프로판설폰 산, iso-프로판설폰 산, n-부탄설폰 산, iso-부탄설폰 산, sec-부탄설폰산, tert-부탄설폰 산, 트리플루오로메탄설폰 산, para-톨루엔설폰 산, 벤젠설폰 산, 나프탈렌설폰 산 및 임의의 비율의 이들 중 둘 이상의 혼합물로부터 선택된다.
하나의 가장 특히 바람직한 실시형태에 따르면, 본 발명의 문맥에서 사용되는 설폰 산은 메탄설폰 산, 에탄설폰 산, 트리플루오로메탄설폰 산 또는 para-톨루엔설폰 산이며; 전적으로 바람직하게는, 설폰 산은 메탄설폰 산이다.
본 발명의 문맥에서 사용된 설폰 산은 설폰 산 단독 또는 선택적으로 용매 매질 (solvented medium) 에서, 둘 이상의 설폰 산의 혼합물로서 그리고 선택적으로 당업자에게 잘 알려져 있는 하나 이상의 첨가제 및/또는 충전제와의 혼합물로서일 수도 있다.
따라서, 설폰 산(들) 은 용매 매질에 있을 수도 있으며, 상기 용매는 가능하게는 물 또는 유기 용매 또는 유기 용매들의 혼합물이거나, 또는 그렇지 않으면 하나 이상의 다른 유기 용매와의 혼합물로서 물일 수도 있다. 일반적으로, 용매(들) 중 설폰 산(들) 의 농도는 용매 매질 중 설폰 산(들)의 총량에 대한 설폰 산(들) 의 중량 기준으로, 0.01% 과 100% 사이이며, 한계들을 포함하고, 농도가 100% 일 때, 용매의 양은 0 이거나 또는 무시할 수 있거나 또는 검출할 수 없는 것으로 이해된다. 바람직하게는, 이 농도는 용매 매질 중 설폰 산(들) 의 총 중량에 대한 설폰 산(들) 의 중량을 기준으로, 0.01 % 과 99.99 % 사이, 바람직하게는 0.1 % 내지 99.9 % 사이, 더욱 바람직하게는 0.5 % 와 75 % 사이이며, 한계들을 포함한다.
위에 나타낸 그리고 설폰 산(들) 을 녹이는데 사용될 수 있는 유기 용매들은 당업자에게 알려진 임의의 유형일 수도 있으며, 바람직하게는 알코올, 술폭사이드, 미네랄 또는 유기산과 같은 수용성 유기 용매, 보다 우선적으로 메탄올, 에탄올, 디메틸 술폭사이드, 황산을 가장 일반적인 것들로 그리고 이들 중 가장 잘 알려진 것들로 들 수도 있다.
설폰 산과의 혼합물로서 존재할 수도 있는 첨가제 및 충전제는 예를 들어, 비한정적인 방식으로, 점도 또는 유동성 개질제, 발포제, 소포제, 계면 활성제, 소독제, 살생물제, 안정화제, 산화제, 효소, 안료, 염료, 방화제 (fire retardant), 난연제 (flame retardant), 항료, 방향제 등으로부터 선택된 하나 이상의 첨가제 및/또는 충전제일 수도 있다.
이들 다양한 첨가제 및 충전제는 당업자에게 잘 알려진 양으로 존재하며, 이는 원하는 효과, 사용된 설폰 산의 성질 및 사용된 상기 설폰 산에 대해 고려되는 응용에 따라 달라질 수 있다.
앞서 나타낸 비율들로 아질산염을 첨가하는 것은 당업자에게 알려진 임의의 방법에 따라, 특히 하나 이상의 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 아질산염(들) 을 고체 형태 또는 물과 같은 용매에 용해된 형태로 첨가함으로써 수행될 수 있다. 아질산염이 첨가된 이러한 설폰 산은 예를 들어 출원 EP 0 931 854 에 기재되어 있다.
설폰 산에 존재하는 클로라이드의 양은 설폰 산 자체의 제조 방법의 성질 및 그의 순도에 따라 용이하게 제어 및 조절될 수 있으며, 이는 증류, 재결정화 등과 같은 당업자에게 알려져 있는 기술들 중 하나 이상에 따라 개선될 수 있다.
또한, 설폰 산에 존재하는 클로라이드의 양은 그에 첨가되는 선택적인 용매(들), 첨가제(들) 및 충전제(들) 의 성질에 따라 용이하게 제어 및 조절될 수 있다. 당업자는 클로라이드 함량이 낮은 설폰 산이 예를 들어, 물에 상기 술폰 산을 고농도의 클로라이드로 희석시키거나 또는 클로라이드 함유 염과 같은 충전제를 첨가하는 것으로 결정되면 이 함량이 증가됨을 겪게 될 것이라는 것을 쉽게 이해할 것이다.
따라서, 본 발명에 따른 저 부식성 설폰 산은 20 미만, 바람직하게는 15 미만, 보다 특히 10 미만, 가장 특히 5 미만의 APHA 색상, 즉 색상의 부재 또는 사실상 부재를 가지며, 이는 매우 많은 수의 응용 분야에서, 대부분의 또는 심지어 모든 상업적 사양에 대응하는 저 부식성 설폰 산을 갖는 것을 가능하게 만든다.
본 발명은 또한 위에 정의된 바와 같은 적어도 하나의 설폰 산, 위에 정의된 바와 같은 용매, 바람직하게는 물, 및 선택적으로 위에 정의된 바와 같은 하나 이상의 첨가제(들) 및/또는 충전제(들) 을 포함하는 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 하기 실시예에 의해 보다 명확하게 이해될 것이며, 상기 실시예는 어떠한 방식으로도 제한적이지 않으며 본 발명을 설명하는 역할을 할 뿐이다.
실시예
70 % (즉, 물에서 70 중량% 로 희석됨) 의 메탄설폰 산 135g 을 20 ℃에서 교반 (400rpm) 하면서 250ml 3 구 둥근 바닥 플라스크에 도입한다. 얻어진 용액은 27 ppm 과 동일한 클로라이드/MSA 몰비를 함유한다.
다양한 클로라이드/MSA 몰비를 함유하는 3 개의 상이한 샘플이 이미 27 ppm의 클로라이드/MSA 비를 함유하는 이 메탄 설폰 산 (MSA) 으로부터 준비된다. 이를 위해, 0.1 N 염산 형태의 클로라이드 용액을 출발 메탄설폰 산 용액에 첨가한다.
다양한 클로라이드 함량을 가진 4개의 샘플이 얻어진다:
- 샘플 1 : 27 ppm 과 동일한 클로라이드/MSA 몰비 (클로라이드 첨가되지 않음)
- 샘플 2 : 66 ppm 과 동일한 클로라이드/MSA 몰비
- 샘플 3 : 100 ppm 과 동일한 클로라이드/MSA 몰비
- 샘플 4 : 220 ppm 과 동일한 클로라이드/MSA 몰비
다음으로, 자동 피펫을 사용하여, 0.24 ml (즉, 0.30375 g) 의 40 % (즉, 물에서 40 중량 %로 희석됨) NaNO2 (즉, 순수 NaNO 0.1215 g) 를 1 분 동안 각 샘플에 첨가한다. NaNO2/MSA 몰비는 1800 ppm 이다.
둥근 바닥 플라스크를 즉시 밀폐하고 20 ℃에서 1 시간 동안 전체를 교반 (400rpm) 한다. 이어서, 질소를 360 분 동안 용액에 살포한다 (유량 10　ml.min-1)
다음으로, 각 샘플의 색상은, 0 내지 200 APHA 표준 범위를 갖는, Hach 사의 LICO 620 색도계를 사용하여 측정된다. 이 디바이스는 0 내지 200 APHA 범위의 표준 용액들로 사전 교정된다. 색상을 결정하길 원하는 용액의 4 ml 샘플을 Hach에 의해 공급된 큐벳에 도입하고 색상을 디바이스 상에서 자동으로 판독한다.
결과는 하기 표 1 에 정리되어 있다.
Figure 112020020823517-pct00001
측정된 APHA 색상 값이 20 미만인 경우 착색이 부재하는 것으로 간주된다. 따라서, 클로라이드/MSA 비가 200 ppm 이하인 경우, MSA/억제제 혼합물은 무색인 반면, 클로라이드/MSA 비가 220 ppm 과 동일한 경우, APHA 값은 20 보다 크고 메탄설폰 산은 착색되어 있음이 나타난다.
따라서, 아질산염 형태의 부식 억제제를 함유하는 설폰 산에서의 클로라이드 함량간에 상관 관계가 있다; 클로라이드 함량이 낮을수록, 용액은 덜 착색되거나, 또는 용액이 심지어 많은 상업적 사양에서 무색인 것으로 간주될 수 있다.
설폰 산에서의 클로라이드의 측정:
설폰 산에 존재하는 클로라이드의 양은 레퍼런스 6.0404.100 하에 Metrohm AG 사에 의해 판매되는 은 설파이드 전극이 장착된 전위차계를 사용하여 은적정법 (argentometry) 에 의해 측정된다.
정확하게 35 g 의 설폰 산을 전극을 침지시킬 수 있기에 충분한 아세톤을 함유하는 비이커에 칭량하고, 아세트 산 중 0.005 N 질산은 용액으로 적정을 수행한다. (중량 ppm 단위의) 클로라이드의 양 (QCl) 은 하기 식으로 표현된다:
Figure 112020020823517-pct00002
설폰 산에서의 아질산염의 측정:
아질산염은 당업자에게 알려진 임의의 방법에 따라 그리고 예를 들어 이온 크로마토그래피에 의해 정량적으로 결정될 수 있다.
테스트할 샘플을 약 150 배 희석하고 (0.6 g 의 샘플 다음으로 초순수로 100 ml 로 만들어짐), Dionex™ 사의 ICS5000 기기에 대해 보내진다. 검출 모드는 전도측정법이며 결과는 사전 설정된 교정 곡선에 상대적으로 판독된다.
교정 범위는 아질산염 표준으로부터 그리고 MSA 매트릭스로부터 준비된다. 상업적 아질산염 표준의 용액들 (수중 1000 mg.l-1, 공급업체 CPA) 은 초순수에 이들을 희석하여 1, 10 및 100　mg.l-1 에서 준비된다.
MSA 매트릭스는 초순수에 희석된 70 % (Sigma-Aldrich) 의 MSA 상업적 용액으로부터 제조된다. 이를 위해, 0.6 g 의 70% MSA 을 100 ml 부피 플라스크에 칭량한 다음, 그 부피는 초순수로 만들어진다.
“저 부식성” 검증 테스트 프로토콜
설폰 산의, 본 발명의 의미 내에서, "저 부식성" 품질을 확인하기 위해, 생물학적 VMP3 포텐시오스태트에 연결된 3 개의 전극의 어셈블리를 사용하여 전기화학 테스트를 수행한다:
1) 기준 전극 : 포화 칼로멜 전극 또는 "SCE"
2) 작업 전극 : 304L 스테인리스 강, 1 cm2 크기의 테스트 시료, 및
3) 백금 상대 전극.
테스트될 재료의 테스트 시편을 P400 연마지로 연마한 다음, 주변 온도에서 10 % 질산 용액에서 1 시간 동안 부동태화시켰다. 이것은 모든 테스트에 대해 동일한 시작 상태를 가능하게 한다. 테스트 온도는 20℃　±　2℃ 에서 자동 온도 조절된다.
적용되는 프로토콜은 다음 3개 단계를 포함한다:
a) 본 발명의 방법에 따라 첨가제 부가 (additivate) 된 설폰 산에서 작업 전극 (304L) 의 휴지 전위, 즉 30 분 동안 시간의 함수로서 용액 중의 재료의 전위의 측정,
b) 3 전극 시스템을 표준 (즉, 비 첨가제 부가된) 설폰 산 용액에 침지한 다음, 부식 범위에서 전위를 고정시키는 것에 의해 인위적으로 재료를 탈부동태화시키기 위해 1 분간 -800　μA.cm-2 의 전류를 작업 전극에 인가,
c) 본 발명의 방법에 따라 첨가제 부가된 설폰 산 용액에 3 전극 시스템을 다시 침지시키고, 작업 전극의 휴지 전위를 안정화될 때까지 다시 모니터링.
검증 테스트의 결과
수중 70 중량 %의 용액에서의 표준, 즉 비 첨가제 부가된, 메탄설폰 산의 경우에, -800　μA.cm-2 의 전류량의 인가 후에, 작업 전극 (304L 스테인레스 강의 테스트 시료) 의 전위는 약 -350 mV 로 떨어지고, 이는 304L 스테인레스 강이 활성 상태가 되는 것에 대응한다. 전류의 인가가 중단될 때, 재료의 전위는 사실상 동일한 수준으로 유지되고 다시 상승하지 않는다. 304L 스테인리스 강은 활성 상태로 유지되고 부식된다.
그 거동은 아질산염 첨가제 부가된 메탄설폰 산의 수중 70 중량 %의 용액에서 완전히 상이하다.
30 분 후 약 750mV 의 304L 스테인리스 강의 휴지 전위가 우선 나타난다. -800　μA.cm-2 의 전류의 인가 동안, 재료의 전위는 약 -200　mV 으로 떨어진다 (304L 스테인리스 강이 활성 상태가 됨). 전류의 인가가 중단되면, 재료의 전위가 매우 빠르게 다시 상승한다. 그것은 전위를 2 시간 동안 모니터링한 후 780mV 이며 부식의 전체 부재가 나타난다.
모든 경우 (위의 샘플 1, 2, 3 및 4) 에서, 아질산 나트륨 첨가제 부가된 메탄설폰 산은 본 발명의 의미 내에서 저 부식성 메탄 설폰 산이다.

Claims (7)

  1. 설폰 산으로서,
    - 1 ppm 과 200 ppm 사이, 또는 5 ppm 과 200 ppm 사이, 또는 10 ppm 과 200 ppm 사이, 또는 10 ppm 과 190 ppm 사이의, 한계들을 포함한, 클로라이드/설폰 산 몰비, 및
    - 200 ppm 과 6000 ppm 사이, 또는 400 ppm 과 2000 ppm 사이, 또는 500 ppm 과 1900 ppm 사이의, 한계들을 포함한, 아질산염/설폰 산 몰비
    를 포함하고,
    APHA 색상이 20 미만, 또는 15 미만, 또는 10 미만, 또는 5 미만인, 설폰 산.
  2. 제 1 항에 있어서,
    식 R-SO3H 의 설폰 산으로부터 선택되고, 식중 R 은, 할로겐 원자, 1 내지 6 개의 탄소 원자를 함유하는 알킬 라디칼 및 6 또는 10 개의 고리 멤버들을 포함하는 아릴 및 헤테로아릴 라디칼로부터 선택된 하나 이상의 라디칼 및/또는 원자로 치환되거나 비치환되는, 1 내지 12 개의 탄소 원자를 포함하는 선형, 분지형 또는 환형, 포화 또는 불포화 탄화수소계 사슬을 나타내는, 설폰 산.
  3. 제 1 항에 있어서,
    메탄설폰 산, 에탄설폰 산, n-프로판설폰 산, iso-프로판설폰 산, n-부탄설폰 산, iso-부탄설폰 산, sec-부탄설폰산, tert-부탄설폰 산, 트리플루오로메탄설폰 산, para-톨루엔설폰 산, 벤젠설폰 산, 나프탈렌설폰 산 및 임의의 비율의 이들중 둘 이상의 혼합물로부터 선택되는, 설폰 산.
  4. 제 1 항에 있어서,
    메탄설폰 산, 에탄설폰 산, 트리플루오로메탄설폰 산 및 para-톨루엔설폰 산으로부터 선택되며, 또는 상기 설폰 산은 메탄설폰 산인, 설폰 산.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    용매 매질에서, 상기 용매는 가능하게는 물 또는 유기 용매 또는 유기 용매들의 혼합물이거나, 또는 하나 이상의 다른 유기 용매와의 혼합물로서 물인, 설폰 산.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    점도 또는 유동성 개질제, 발포제, 소포제, 계면 활성제, 소독제, 살 생물제, 안정화제, 산화제, 효소, 안료, 염료, 방화제, 난연제, 향료 및 방향제로부터 선택된 하나 이상의 첨가제 및/또는 충전제와의 혼합물로서의, 설폰 산.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 설폰 산, 용매 및 선택적으로 하나 이상의 첨가제(들) 및/또는 충전제(들) 을 포함하는 조성물.
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