KR102287188B9 - 비선형성을 나타내는 강유전체 터널 접합 메모리 소자 및 이를 구비하는 크로스포인트 어레이 - Google Patents
비선형성을 나타내는 강유전체 터널 접합 메모리 소자 및 이를 구비하는 크로스포인트 어레이Info
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020200014606A KR102287188B1 (ko) | 2020-02-07 | 2020-02-07 | 비선형성을 나타내는 강유전체 터널 접합 메모리 소자 및 이를 구비하는 크로스포인트 어레이 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication Number | Publication Date |
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| KR102287188B1 KR102287188B1 (ko) | 2021-08-06 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020200014606A KR102287188B1 (ko) | 2020-02-07 | 2020-02-07 | 비선형성을 나타내는 강유전체 터널 접합 메모리 소자 및 이를 구비하는 크로스포인트 어레이 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR102287188B1 (ko) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110072921A (ko) | 2009-12-23 | 2011-06-29 | 삼성전자주식회사 | 메모리소자 및 그 동작방법 |
| KR20160142424A (ko) * | 2015-06-02 | 2016-12-13 | 연세대학교 산학협력단 | 크로스바 어레이 구조의 저항변화 메모리에 적용가능한 다층 박막 구조 및 상기 다층 박막 구조를 이용한 저항 변화 메모리 |
| KR20180105530A (ko) * | 2017-03-15 | 2018-09-28 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 강유전성 메모리 소자 및 이를 포함하는 크로스 포인트 어레이 장치 |
| KR20180134121A (ko) * | 2017-06-08 | 2018-12-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 저항 변화 메모리 소자 |
| KR20190001455A (ko) * | 2017-06-27 | 2019-01-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 강유전성 메모리 장치 |
| KR102211410B1 (ko) * | 2018-03-30 | 2021-02-03 | 세종대학교산학협력단 | 자가-정류 강유전체 터널 접합 메모리 소자 및 이를 구비하는 크로스포인트 어레이 |
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