KR102282148B1 - A substrate processing method and a substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 상기 기판을 가열하는 가열 단계와; 상기 기판을 냉각하는 냉각 단계와; 상기 가열 단계에서 가열된 상기 기판의 휨 정도를 측정하는 측정 단계를 포함하되, 상기 냉각 단계는 상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도에 따라 상기 냉각 단계가 수행되는 시간을 조절할 수 있다.The present invention provides a method of processing a substrate. A method of processing a substrate, comprising: a heating step of heating the substrate; a cooling step of cooling the substrate; Including a measuring step of measuring the degree of warpage of the substrate heated in the heating step, wherein the cooling step can adjust the time during which the cooling step is performed according to the degree of warpage measured in the measuring step.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{A substrate processing method and a substrate processing apparatus}A substrate processing method and a substrate processing apparatus

본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 도포 공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행한다. A photo-lithography process among semiconductor manufacturing processes is a process of forming a desired pattern on a wafer. The photographic process is usually carried out in a spinner local facility that is connected to an exposure facility and continuously processes the coating process, the exposure process, and the developing process. Such a spinner facility sequentially performs a coating process, a baking process, and a developing process.

일반적으로 베이크 공정은 베이크 챔버 내에서 수행된다. 베이크 공정은 웨이퍼를 가열하는 가열 처리 공정과 웨이퍼를 냉각하는 냉각 처리 공정을 포함한다. 가열 처리 공정과 냉각 처리 공정은 순차적으로 수행된다. 가열 처리 공정은 웨이퍼가 가열 플레이트에 놓이고, 가열 플레이트가 웨이퍼에 온열을 전달하여 수행된다. 냉각 처리 공정은 웨이퍼가 냉각 플레이트에 놓이고, 냉각 플레이트가 웨이퍼에 냉열을 전달하여 수행된다. 냉각 처리 공정이 완료된 웨이퍼는 반송 로봇이 가지는 핸드에 의해 베이크 공정 외의 공정을 수행하는 챔버들 중 어느 하나로 반송된다. 그러나, 가열 처리 공정이 수행되면서 웨이퍼에는 휨 현상(Warpage)이 발생한다. 가열 처리 공정 이후에 수행되는 냉각 처리 공정은 정해진 레시피 대로 공정이 수행되기 때문에, 웨이퍼에 발생한 휨(Warpage) 현상을 적절히 제거하지 못한다. 이에, 냉각 처리 이후 웨이퍼가 반송시, 웨이퍼가 반송 로봇의 핸드에 적절히 안착되지 못한다. 이에, 웨이퍼를 반송하는 과정에서 웨이퍼가 반송 로봇으로부터 이탈될 수 있다. 또한, 웨이퍼를 반송하는 과정에서 웨이퍼가 반송 로봇의 핸드에서 진동하여 파티클을 발생시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼를 반송하는 과정에서 웨이퍼가 기판 처리 장치의 기타 구성들과 충돌하여 파손될 수 있다.In general, the baking process is performed in a bake chamber. The baking process includes a heating process of heating the wafer and a cooling process of cooling the wafer. The heat treatment process and the cooling treatment process are performed sequentially. The heat treatment process is performed by placing the wafer on a heating plate, and the heating plate transferring heat to the wafer. The cooling treatment process is performed by placing the wafer on a cooling plate, and the cooling plate transferring cooling heat to the wafer. The wafer on which the cooling process has been completed is transferred to one of the chambers performing processes other than the baking process by the hand of the transfer robot. However, as the heat treatment process is performed, warpage occurs in the wafer. In the cooling treatment process performed after the heat treatment process, since the process is performed according to a predetermined recipe, the warpage phenomenon occurring in the wafer cannot be properly removed. Accordingly, when the wafer is transferred after the cooling process, the wafer is not properly seated in the hand of the transfer robot. Accordingly, in the process of transferring the wafer, the wafer may be separated from the transfer robot. In addition, in the process of transferring the wafer, the wafer may vibrate in the hand of the transfer robot to generate particles. In addition, in the process of transporting the wafer, the wafer may collide with other components of the substrate processing apparatus and may be damaged.

본 발명은 기판에 발생된 휨 현상을 적절히 제거할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of properly removing a warpage phenomenon occurring in a substrate.

또한, 본 발명은 기판을 반송 유닛의 핸드에 적절히 안착시켜, 기판이 핸드에서 이탈되거나, 진동하는 것을 최소화 할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of properly seating the substrate in the hand of the transfer unit, thereby minimizing the separation or vibration of the substrate from the hand.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 상기 기판을 가열하는 가열 단계와; 상기 기판을 냉각하는 냉각 단계와; 상기 가열 단계에서 가열된 상기 기판의 휨 정도를 측정하는 측정 단계를 포함하되, 상기 냉각 단계는 상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도에 따라 상기 냉각 단계가 수행되는 시간을 조절할 수 있다.The present invention provides a method of processing a substrate. A method of processing a substrate, comprising: a heating step of heating the substrate; a cooling step of cooling the substrate; Including a measuring step of measuring the degree of warpage of the substrate heated in the heating step, wherein the cooling step can adjust the time during which the cooling step is performed according to the degree of warpage measured in the measuring step.

일 실시 예에 의하면, 상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도가 클수록 상기 냉각 단계가 수행되는 시간을 증가시킬 수 있다.According to an embodiment, as the degree of warpage measured in the measuring step increases, the time during which the cooling step is performed may be increased.

일 실시 예에 의하면, 상기 냉각 단계는, 상기 기판이 냉각 플레이트에 놓여지고, 상기 냉각 플레이트에 의해 상기 기판이 냉각 처리되어 수행될 수 있다.According to an embodiment, the cooling step may be performed by placing the substrate on a cooling plate and cooling the substrate by the cooling plate.

일 실시 예에 의하면, 상기 냉각 단계가 수행되는 동안 상기 냉각 플레이트의 온도는 일정하게 유지될 수 있다.According to an embodiment, the temperature of the cooling plate may be constantly maintained while the cooling step is performed.

일 실시 예에 의하면, 상기 가열 단계는, 상기 기판이 가열 플레이트에 놓여지고, 상기 가열 플레이트에 의해 상기 기판이 가열 처리되어 수행될 수 있다.According to an embodiment, the heating step may be performed by placing the substrate on a heating plate and heat-treating the substrate by the heating plate.

일 실시 예에 의하면, 상기 냉각 단계에는, 상기 기판을 냉각 시키는 가스를 공급하고, 상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도에 따라 상기 가스의 공급 출력을 조절할 수 있다.According to an embodiment, in the cooling step, a gas for cooling the substrate may be supplied, and the supply output of the gas may be adjusted according to the degree of warpage measured in the measuring step.

일 실시 예에 의하면, 상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도가 클수록 상기 가스의 공급 출력을 증가시킬 수 있다.According to an embodiment, as the degree of warpage measured in the measuring step increases, the gas supply output may be increased.

일 실시 예에 의하면, 상기 휨 정도는 상기 기판에 광 또는 음파를 조사하여 검출되는 검출값으로 측정될 수 있다.According to an embodiment, the degree of warpage may be measured as a detection value detected by irradiating light or sound waves to the substrate.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부 공간을 가지는 열 처리 챔버와; 상기 내부 공간에서 기판을 가열하는 가열 유닛과; 상기 내부 공간에서 기판을 냉각하는 냉각 유닛과; 상기 가열 유닛이 가열한 기판의 휨 정도를 측정하는 측정 유닛과; 상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값을 전달 받고, 상기 냉각 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값에 근거하여 상기 냉각 유닛이 기판을 냉각하는 시간을 조절하도록 상기 측정 유닛, 그리고 상기 냉각 유닛을 제어할 수 있다.The present invention also provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate, comprising: a thermal processing chamber having an interior space; a heating unit for heating the substrate in the inner space; a cooling unit for cooling the substrate in the inner space; a measuring unit for measuring the degree of warpage of the substrate heated by the heating unit; and a controller configured to receive the warpage degree value measured by the measurement unit and control the cooling unit, wherein the controller is configured to allow the cooling unit to cool the substrate based on the warpage degree value measured by the measurement unit The measuring unit and the cooling unit can be controlled to adjust the time.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값이 클수록 상기 냉각 유닛이 기판을 냉각하는 시간을 증가시키도록 상기 측정 유닛, 그리고 상기 냉각 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the measurement unit and the cooling unit to increase the time for the cooling unit to cool the substrate as the value of the degree of warpage measured by the measurement unit increases.

일 실시 예에 의하면, 상기 냉각 유닛은, 기판이 안착되고, 안착된 기판을 냉각시키는 냉각 플레이트를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 냉각 유닛이 기판을 냉각하는 동안 상기 냉각 플레이트의 온도를 일정하게 유지하도록 상기 냉각 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the cooling unit includes a cooling plate on which a substrate is seated and cooling the seated substrate, wherein the controller maintains a constant temperature of the cooling plate while the cooling unit cools the substrate. It is possible to control the cooling unit to do so.

일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 상기 내부 공간으로 온도가 조절된 가스를 공급하는 팬 유닛을 더 포함하되, 상기 제어기는, 상기 팬 유닛을 더 제어하고, 상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값에 따라 상기 가스의 공급 출력을 조절하도록 상기 측정 유닛, 그리고 상기 팬 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the apparatus further includes a fan unit for supplying the temperature-controlled gas to the internal space, wherein the controller further controls the fan unit, and the degree of bending measured by the measuring unit The measuring unit and the fan unit may be controlled to adjust the supply output of the gas according to the value.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값에 클수록 상기 가스의 공급 출력을 증가시키도록 상기 측정 유닛, 그리고 상기 팬 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the measuring unit and the fan unit to increase the supply output of the gas as the value of the degree of bending measured by the measuring unit is greater.

일 실시 예에 의하면, 상기 측정 유닛은, 광 또는 음파를 조사하는 조사부와; 상기 조사부에서 조사하는 상기 광 또는 상기 음파를 수신하는 수신부를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 가열 유닛이 가열한 기판에 상기 광 또는 상기 음파를 조사하고, 수신하도록 상기 측정 유닛을 제어할 수 있다.According to one embodiment, the measurement unit, the irradiation unit for irradiating light or sound waves; Including a receiving unit for receiving the light or the sound wave irradiated from the irradiation unit, the controller, irradiating the light or the sound wave to the substrate heated by the heating unit, and can control the measurement unit to receive.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 발생된 휨 현상을 적절히 제거할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to appropriately remove the warpage phenomenon occurring in the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 반송 유닛의 핸드에 적절히 안착시켜, 기판이 핸드에서 이탈되거나, 진동하는 것을 최소화 할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, by properly seating the substrate in the hand of the transfer unit, it is possible to minimize the deviation or vibration of the substrate from the hand.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 반송 유닛의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 실시 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 8은 도 7의 제1가열 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 9는 도 7의 제2가열 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 10은 도 7의 측정 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 11은 도 7의 냉각 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 1 .
3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
FIG. 4 is a view showing an example of a hand of the conveying unit of FIG. 3 .
FIG. 5 is a plan sectional view schematically illustrating an embodiment of the heat treatment chamber of FIG. 3 .
6 is a front cross-sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 5 .
7 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a view showing a substrate processing apparatus performing the first heating step of FIG. 7 .
FIG. 9 is a view showing a substrate processing apparatus performing a second heating step of FIG. 7 .
FIG. 10 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus performing the measurement step of FIG. 7 .
11 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus performing the cooling step of FIG. 7 .

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be embodied in various different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification is present, and includes one or more other features or It is to be understood that the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded in advance.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 1 , and FIG. 3 is the substrate processing apparatus of FIG. 1 is a plan view of

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.1 to 3 , the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20 , a processing module 30 , and an interface module 40 . According to an embodiment, the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are arranged is referred to as an X-axis direction 12 , and a direction perpendicular to the X-axis direction 12 when viewed from the top The Y-axis direction 14 is called, and the direction perpendicular to both the X-axis direction 12 and the Y-axis direction 14 is called the Z-axis direction 16 .

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is accommodated to the processing module 30 , and accommodates the processed substrate W in the container 10 . The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the Y-axis direction 14 . The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24 . With reference to the index frame 24 , the load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 . The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22 . A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the Y-axis direction 14 .

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a closed container 10 such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. Vessel 10 may be placed in loadport 22 by an operator or by a transfer means (not shown) such as an Overhead Transfer, Overhead Conveyor, or Automatic GuidedVehicle. there is.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An index robot 2200 is provided inside the index frame 24 . A guide rail 2300 having a longitudinal direction in the Y-axis direction 14 is provided in the index frame 24 , and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300 . The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the Z-axis direction 16, and performs the Z-axis direction 16. It may be provided to be movable along with it.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has an application block 30a and a developing block 30b. The application block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a development process on the substrate W. A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 3, two application blocks 30a are provided, and two development blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed below the developing blocks 30b. According to an example, the two application blocks 30a may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure. Also, the two developing blocks 30b may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure.

도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액 처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 3 , the application block 30a includes a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , a liquid processing chamber 3600 , and a buffer chamber 3800 . The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid treatment chamber 3600 in the application block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(3420)은 기판(W)이 놓이는 핸드(A)를 가지며, 핸드(A)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The transfer chamber 3400 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the X-axis direction 12 . The transfer chamber 3400 is provided with a transfer unit 3420 . The transfer unit 3420 transfers a substrate between the heat treatment chamber 3200 , the liquid processing chamber 3600 , and the buffer chamber 3800 . According to an example, the transfer unit 3420 has a hand A on which the substrate W is placed, and the hand A moves forward and backward, rotates about the Z-axis direction 16 , and the Z-axis direction. It may be provided movably along (16). A guide rail 3300 having a longitudinal direction parallel to the X-axis direction 12 is provided in the transfer chamber 3400 , and the transfer unit 3420 may be provided movably on the guide rail 3300 . .

도 4는 도 3의 반송 유닛의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 핸드(A)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.FIG. 4 is a view showing an example of a hand of the conveying unit of FIG. 3 . Referring to FIG. 4 , the hand A has a base 3428 and a support protrusion 3429 . The base 3428 may have an annular ring shape in which a portion of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter greater than the diameter of the substrate W. As shown in FIG. A support protrusion 3429 extends from the base 3428 inward thereof. A plurality of support protrusions 3429 are provided, and support an edge region of the substrate W. As shown in FIG. According to an example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

다시 도 2와 도 3을 참조하면, 열 처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열 처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열 처리 챔버(3200)들은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.Referring back to FIGS. 2 and 3 , a plurality of heat treatment chambers 3200 are provided. The heat treatment chambers 3200 are arranged in a row along the first direction 12 . The heat treatment chambers 3200 are located at one side of the transfer chamber 3400 .

도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 실시 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다. 열처리 챔버(3200)는 처리 용기(3201), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 측정 유닛(3240), 팬 유닛(3250), 그리고 제어기(3260)를 포함한다.FIG. 5 is a plan sectional view schematically illustrating an embodiment of the heat treatment chamber of FIG. 3 , and FIG. 6 is a front cross-sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 5 . The heat treatment chamber 3200 includes a processing vessel 3201 , a cooling unit 3220 , a heating unit 3230 , a measurement unit 3240 , a fan unit 3250 , and a controller 3260 .

처리 용기(3201)는 내부 공간(3202)을 가진다. 처리 용기(3201)는 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 처리 용기(3201)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(미도시)가 형성된다. 또한, 반입구를 개폐하도록 도어(미도시)가 제공될 수 있다. 반입구는 선택적으로 개방된 상태로 유지될 수 있다. 반입구는 냉각 유닛(3220)과 인접한 영역에 형성될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 측정 유닛(3240)은 처리 용기(3201)의 내부 공간(3202) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 Y축 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 처리 용기(3201)에는 배기 라인(3210)이 연결될 수 있다. 배기 라인(3210)은 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스를 처리 용기(3201)의 외부로 배기할 수 있다. 배기 라인(3210)은 처리 용기(3201)의 하부에 연결될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 배기 라인(3210)은 처리 용기(3201)의 측부 등에 연결될 수 있다.The processing vessel 3201 has an interior space 3202 . The processing vessel 3201 is provided in the shape of a substantially rectangular parallelepiped. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the processing container 3201 . In addition, a door (not shown) may be provided to open and close the inlet. The inlet may optionally remain open. The inlet may be formed in an area adjacent to the cooling unit 3220 . The cooling unit 3220 , the heating unit 3230 , and the measurement unit 3240 are provided in the inner space 3202 of the processing vessel 3201 . The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the Y-axis direction 14 . An exhaust line 3210 may be connected to the processing vessel 3201 . The exhaust line 3210 may exhaust the gas supplied by the fan unit 3250 to the outside of the processing vessel 3201 . The exhaust line 3210 may be connected to a lower portion of the processing vessel 3201 . However, the present invention is not limited thereto, and the exhaust line 3210 may be connected to the side of the processing vessel 3201 or the like.

냉각 유닛(3220)은 냉각 플레이트(3222)를 가진다. 냉각 플레이트(3222)에는 기판(W)이 안착될 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각 플레이트(3222)에는 냉각 부재(미도시)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 부재는 냉각 플레이트(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. 이에 냉각 플레이트(3222)는 기판(W)을 냉각시킬 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 기판(W)과 대응하는 직경을 가질 수 있다. 냉각 플레이트(3222)의 가장 자리에는 노치가 형성될 수 있다. 노치는 상술한 핸드(A)에 형성된 지지 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치는 핸드(A)에 형성된 지지 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 지지 돌기(3429)에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 핸드(A)와 냉각 플레이트(3222)의 상하 위치가 변경하면 핸드(A)와 냉각 플레이트(3222) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 냉각 플레이트(3222)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3224)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3224)은 냉각 플레이트(3222)의 끝단에서 냉각 플레이트(3222)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3224)은 그 길이 방향이 Y축 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3224)들은 X축 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3224)은 냉각 플레이트(3222)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 냉각 플레이트(3222)와 리프트 핀(3236)이 서로 간섭되는 것을 방지한다.The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222 . The substrate W may be seated on the cooling plate 3222 . The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from above. The cooling plate 3222 is provided with a cooling member (not shown). According to an example, the cooling member is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows. Accordingly, the cooling plate 3222 may cool the substrate W. The cooling plate 3222 may have a diameter corresponding to that of the substrate W. A notch may be formed at an edge of the cooling plate 3222 . The notch may have a shape corresponding to the support protrusion 3429 formed on the hand A described above. In addition, the notch may be provided in a number corresponding to the support protrusion 3429 formed on the hand A, and may be formed at a position corresponding to the support protrusion 3429 . When the upper and lower positions of the hand A and the cooling plate 3222 are changed, the substrate W is transferred between the hand A and the cooling plate 3222 . A plurality of slit-shaped guide grooves 3224 are provided in the cooling plate 3222 . The guide groove 3224 extends from the end of the cooling plate 3222 to the inside of the cooling plate 3222 . The guide grooves 3224 are provided along the Y-axis direction 14 in the longitudinal direction thereof, and the guide grooves 3224 are positioned to be spaced apart from each other along the X-axis direction 12 . The guide groove 3224 prevents the cooling plate 3222 and the lift pins 3236 from interfering with each other when the substrate W is transferred between the cooling plate 3222 and the heating unit 3230 .

냉각 플레이트(3222)는 지지 부재(3237)에 의해 지지될 수 있다. 지지 부재(3237)는 막대 형상의 제1지지 부재와 제1지지 부재의 중단에 결합되는 제2지지 부재를 포함할 수 있다. 제1지지 부재의 일단과 타단은 구동기(3226)와 결합된다. 구동기(3226)는 가이드 레일(3229) 상에 장착된다. 가이드 레일(3229)은 상부에서 바라볼 때, 그 길이 방향이 Y축 방향(14)이고 처리 용기(3201)의 양측에 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 가이드 레일(3229)에 장착되는 구동기(3226)에 의해 Y축 방향(14)을 따라 이동할 수 있다. The cooling plate 3222 may be supported by a support member 3237 . The support member 3237 may include a rod-shaped first support member and a second support member coupled to the middle of the first support member. One end and the other end of the first support member are coupled to the actuator 3226 . The actuator 3226 is mounted on the guide rail 3229 . The guide rails 3229 may be provided on both sides of the processing vessel 3201 with a longitudinal direction of the Y-axis direction 14 when viewed from above. The cooling plate 3222 may move along the Y-axis direction 14 by a driver 3226 mounted on the guide rail 3229 .

가열 유닛(3230)은 하우징(3232), 가열 플레이트(3234), 히터(3235), 리프트 핀(3236), 그리고 구동 부재(3238)를 포함할 수 있다. 하우징(3232)은 바디, 그리고 커버를 포함할 수 있다. 바디는 커버의 하부에 배치될 수 있다. 바디는 상부가 개방된 형상을 가질 수 있다. 바디는 상부가 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 커버는 바디의 상부를 덮을 수 있다. 커버는 하부가 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 이와 달리 커버는 바디의 상부를 덮는 판 형상을 가질 수도 있다. 바디와 커버는 서로 조합되어 처리 공간(3233)을 형성할 수 있다. 또한, 커버는 커버를 상하 방향으로 이동시키는 구동 부재(3238)와 연결될 수 있다. 이에, 커버는 상하 방향으로 이동하여 처리 공간(3233)을 개폐할 수 있다. 예컨대, 기판(W)이 처리 공간(3233)으로 반입 또는 반입되는 경우 커버는 상승하여, 처리 공간(3233)을 개방할 수 있다. 또한, 기판(W)이 처리 공간(3233)에서 처리되는 경우 커버를 하강하여 처리 공간(3233)을 폐쇄할 수 있다.The heating unit 3230 may include a housing 3232 , a heating plate 3234 , a heater 3235 , a lift pin 3236 , and a driving member 3238 . The housing 3232 may include a body and a cover. The body may be disposed under the cover. The body may have an open top shape. The body may have a cylindrical shape with an open top. The cover may cover the upper portion of the body. The cover may have a cylindrical shape with an open bottom. Alternatively, the cover may have a plate shape that covers the upper portion of the body. The body and the cover may be combined with each other to form the processing space 3233 . Also, the cover may be connected to a driving member 3238 that moves the cover in the vertical direction. Accordingly, the cover may move in the vertical direction to open and close the processing space 3233 . For example, when the substrate W is loaded or carried into the processing space 3233 , the cover may be raised to open the processing space 3233 . Also, when the substrate W is processed in the processing space 3233 , the processing space 3233 may be closed by lowering the cover.

가열 플레이트(3234)는 처리 공간(3233)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 가열 플레이트(3234)에는 기판(W)이 안착될 수 있다. 가열 플레이트(3234)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열 플레이트(3234)는 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열 플레이트(3234)에는 히터(3235)가 설치된다. 히터(3235)는 전류가 인가되는 발열 저항체로 제공될 수 있다. 이에 가열 플레이트(3234)는 기판(W)을 가열할 수 있다. 가열 플레이트(3234)에는 Z축 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3236)들이 제공된다. 리프트 핀(3236)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열 플레이트(3234) 상에 내려놓거나 가열 플레이트(3234)로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3236)은 3개가 제공될 수 있다. The heating plate 3234 may support the substrate W in the processing space 3233 . The substrate W may be seated on the heating plate 3234 . The heating plate 3234 has a generally circular shape when viewed from above. The heating plate 3234 has a larger diameter than the substrate W. A heater 3235 is installed on the heating plate 3234 . The heater 3235 may be provided as a heating resistor to which current is applied. Accordingly, the heating plate 3234 may heat the substrate W. The heating plate 3234 is provided with lift pins 3236 drivable in the vertical direction along the Z-axis direction 16 . The lift pin 3236 receives the substrate W from the transfer means outside the heating unit 3230 and puts it down on the heating plate 3234 or lifts the substrate W from the heating plate 3234 to the heating unit 3230 Handed over to an external transport means. According to an example, three lift pins 3236 may be provided.

측정 유닛(3240)은 기판(W)의 상태를 측정할 수 있다. 측정 유닛(3240)은 가열 유닛(3230)이 가열한 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있다. 측정 유닛(3240)은 냉각 플레이트(3222)의 상부에 배치될 수 있다. 측정 유닛(3240)은 냉각 플레이트(3222)에 기판(W)이 안착된 상태에서 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있다. 측정 유닛(3240)은 광을 조사하는 조사부와, 조사부에서 조사하는 광을 수신하는 수신부를 포함할 수 있다. 일 예로, 측정 유닛(3240)이 포함하는 조사부는 광을 조사하는 발광 부재일 수 있다. 발광 부재는 기판(W)을 향하여 광 소자를 발광할 수 있다. 기판(W)에 전달된 광 소자는 기판(W)으로부터 반사되어 수신부로 전달될 수 있다. 이에 기판(W)의 영역 별 거리를 측정하고 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있다. 또한, 측정 유닛(3240)은 기판(W)에 전달된 광 소자가 기판(W)으로부터 반사되는 반사각을 통해 휨 정도를 측정할 수도 있다. 측정 유닛(3240)은 측정한 기판(W)의 휨 정도 값을 제어기(3260)로 전달될 수 있다. 상술한 예에서는 조사부가 광을 조사하고, 수신부가 광을 수신하는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 조사부가 초음파를 조사하고, 기판(W)에 충돌하여 반사되는 초음파를 수신부가 수신하여 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있다.The measurement unit 3240 may measure the state of the substrate W. The measurement unit 3240 may measure the degree of warpage of the substrate W heated by the heating unit 3230 . The measurement unit 3240 may be disposed on the cooling plate 3222 . The measurement unit 3240 may measure the degree of warpage of the substrate W in a state in which the substrate W is seated on the cooling plate 3222 . The measurement unit 3240 may include an irradiator for irradiating light and a receiver for receiving the light irradiated from the irradiator. For example, the irradiator included in the measurement unit 3240 may be a light emitting member irradiating light. The light emitting member may emit light toward the substrate W. The optical device transmitted to the substrate W may be reflected from the substrate W and transmitted to the receiver. Accordingly, the distance for each area of the substrate W may be measured and the degree of warpage of the substrate W may be measured. In addition, the measurement unit 3240 may measure the degree of bending through the reflection angle at which the optical device transmitted to the substrate W is reflected from the substrate W. Referring to FIG. The measurement unit 3240 may transmit the measured value of the degree of warpage of the substrate W to the controller 3260 . In the above example, it has been described that the irradiator emits light and the receiver receives the light as an example, but is not limited thereto. For example, the irradiator may irradiate the ultrasonic wave, and the receiver may receive the ultrasonic wave reflected by colliding with the substrate W to measure the degree of warpage of the substrate W.

팬 유닛(3250)은 내부 공간(3202)으로 가스를 공급할 수 있다. 팬 유닛(3250)은 팬(3252)과 가스 공급 라인(3254)을 포함할 수 있다. 가스 공급 라인(3254)은 팬(3252)과 연결될 수 있다. 팬(3252)의 회전으로 팬 유닛(3250)이 내부 공간(3202)으로 공급하는 가스의 공급 출력을 조절할 수 있다. 예컨대, 팬(3252)의 단위 시간당 회전수가 증가하는 경우 내부 공간(3202)으로 공급되는 가스의 공급 출력은 증가 수 있다. 이와 반대로 팬(3252)의 단위 시간당 회전수가 감소하는 경우 내부 공간(3202)으로 공급되는 가스의 공급 출력은 감소할 수 있다.The fan unit 3250 may supply gas to the internal space 3202 . The fan unit 3250 may include a fan 3252 and a gas supply line 3254 . The gas supply line 3254 may be connected to the fan 3252 . By rotation of the fan 3252 , the supply output of the gas supplied by the fan unit 3250 to the internal space 3202 may be adjusted. For example, when the number of revolutions per unit time of the fan 3252 increases, the supply output of the gas supplied to the internal space 3202 may increase. Conversely, when the number of revolutions per unit time of the fan 3252 decreases, the supply output of the gas supplied to the internal space 3202 may decrease.

팬 유닛(3250)은 내부 공간(3202)으로 온도 및/또는 습도가 조절된 가스를 공급할 수 있다. 팬 유닛(3250)이 내부 공간(3202)으로 공급하는 가스는 CDA(Clean Dry Air)일 수 있다. 팬 유닛(3250)이 내부 공간(3202)으로 공급하는 가스는 배기 라인(3210)을 통해 처리 용기(3201)의 외부로 배기될 수 있다. 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스는 처리 용기(3201) 내의 파티클(Particle)을 외부로 배기할 수 있다. 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스는 기판(W)을 소정의 온도로 조절할 수 있다. 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스는 기판(W)을 냉각시킬 수 있다.The fan unit 3250 may supply gas whose temperature and/or humidity has been adjusted to the internal space 3202 . The gas supplied by the fan unit 3250 to the internal space 3202 may be clean dry air (CDA). The gas supplied by the fan unit 3250 to the internal space 3202 may be exhausted to the outside of the processing vessel 3201 through the exhaust line 3210 . The gas supplied by the fan unit 3250 may exhaust particles in the processing container 3201 to the outside. The gas supplied by the fan unit 3250 may control the substrate W to a predetermined temperature. The gas supplied by the fan unit 3250 may cool the substrate W.

제어기(3260)는 기판 처리 장치(1)를 제어할 수 있다. 제어기(3260)는 열 처리 챔버(3200)를 제어할 수 있다. 제어기(3260)는 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 측정 유닛(3240), 그리고 팬 유닛(3250)을 제어할 수 있다. 제어기(3260) 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행하도록 열 처리 챔버(3200)를 제어할 수 있다. 제어기(3260)는 측정 유닛(3240)이 측정하는 휨 정도 값을 전달 받을 수 있다. 제어기(3260)는 측정 유닛(3240)으로부터 휨 정도 값을 전달 받고, 이에 근거하여 냉각 유닛(3220)을 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(3260)는 측정 유닛(3240)이 측정한 휨 정도 값에 근거하여 냉각 유닛(3220)이 기판(W)을 냉각하는 시간을 조절하도록 측정 유닛(3240), 그리고 냉각 유닛(3220)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(3260)는 측정 유닛(3240)으로부터 휨 정도 값을 전달 받고, 이에 근거하여 팬 유닛(3250)을 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(3260)는 측정 유닛(3240)이 측정한 휨 정도 값에 근거하여 내부 공간(3202)으로 공급되는 가스의 공급 출력을 조절하도록 팬 유닛(3250)을 제어할 수 있다.The controller 3260 may control the substrate processing apparatus 1 . The controller 3260 may control the thermal processing chamber 3200 . The controller 3260 may control the cooling unit 3220 , the heating unit 3230 , the measurement unit 3240 , and the fan unit 3250 . The controller 3260 may control the thermal processing chamber 3200 to perform a substrate processing method described below. The controller 3260 may receive a bending degree value measured by the measurement unit 3240 . The controller 3260 may receive the bending degree value from the measurement unit 3240 and control the cooling unit 3220 based on the received value. For example, the controller 3260 may include a measurement unit 3240 and a cooling unit 3220 to adjust the time for the cooling unit 3220 to cool the substrate W based on the warpage degree value measured by the measurement unit 3240 . can be controlled. Also, the controller 3260 may receive the bending degree value from the measurement unit 3240 and control the fan unit 3250 based on the received value. For example, the controller 3260 may control the fan unit 3250 to adjust the supply output of the gas supplied to the inner space 3202 based on the bending degree value measured by the measurement unit 3240 .

이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 상세히 설명한다. 도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail. 7 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 가열 단계(S10), 측정 단계(S20), 그리고 냉각 단계(S30)를 포함할 수 있다. 가열 단계(S10)는 제1가열 단계(S11)와 제2가열 단계(S12)를 포함할 수 있다. 제1가열 단계(S11), 제2가열 단계(S12), 측정 단계(S20), 그리고 냉각 단계(S30)는 순차적으로 수행될 수 있다. 가열 단계(S10)는 기판(W)을 가열 처리하는 단계이다. 측정 단계(S20)는 가열 단계(S10)에서 가열된 기판(W)의 휨 정도를 측정하는 단계이다. 냉각 단계(S30)는 기판(W)을 냉각하는 단계이다.Referring to FIG. 7 , the substrate processing method according to an embodiment of the present invention may include a heating step S10 , a measuring step S20 , and a cooling step S30 . The heating step ( S10 ) may include a first heating step ( S11 ) and a second heating step ( S12 ). The first heating step (S11), the second heating step (S12), the measuring step (S20), and the cooling step (S30) may be sequentially performed. The heating step ( S10 ) is a step of heat-treating the substrate (W). The measuring step (S20) is a step of measuring the degree of warpage of the substrate (W) heated in the heating step (S10). The cooling step S30 is a step of cooling the substrate W.

도 8은 도 7의 제1가열 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 8을 참조하면, 제1가열 단계(S11)에는 가열 플레이트(3234)의 상부에 기판(W)이 놓여진 상태에서 기판(W)을 가열할 수 있다. 제1가열 단계(S11)에는 기판(W)과 가열 플레이트(3234) 사이의 거리가 제1간격(D1)일 수 있다. 제1가열 단계(S11)는 제1시간 동안 수행될 수 있다.FIG. 8 is a view showing a substrate processing apparatus performing the first heating step of FIG. 7 . Referring to FIG. 8 , in the first heating step S11 , the substrate W may be heated while the substrate W is placed on the heating plate 3234 . In the first heating step S11 , the distance between the substrate W and the heating plate 3234 may be a first interval D1 . The first heating step S11 may be performed for a first time.

도 9는 도 7의 제2가열 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 제2가열 단계(S12)는 가열 플레이트(3234)의 상부에 기판(W)이 놓여진 상태에서 기판(W)을 가열할 수 있다. 제2가열 단계(S12)에는 기판(W)과 가열 플레이트(3234) 사이의 거리가 제2간격(D2)일 수 있다. 제2간격(D2)은 제1간격(D1)보다 작은 간격일 수 있다. 기판(W)과 가열 플레이트(3234) 사이의 간격은 리프트 핀(3236)에 의해 조절될 수 있다. 제2가열 단계(S12)는 제2시간 동안 수행될 수 있다. 제2시간은 제1시간보다 긴 시간일 수 있다. 즉, 제1가열 단계(S11)에는 제2가열 단계(S12) 보다 기판(W)과 가열 플레이트(3234) 사이의 간격이 상대적으로 멀다. 제1가열 단계(S11)에서는 기판(W)과 가열 플레이트(3234) 사이의 간격을 크게하고, 제2가열 단계(S12)에서는 기판(W)과 가열 플레이트(3234) 사이의 간격을 좁힌다. 이에, 기판(W) 가열시 급격한 온도 변화로 기판(W)이 파손되는 위험을 최소화 할 수 있다. 또한, 제1가열 단계(S11)에서 가열 플레이트(3234) 온도와 제2가열 단계(S12)에서 가열 플레이트(3234)의 온도는 서로 같을 수 있다.FIG. 9 is a view showing a substrate processing apparatus performing a second heating step of FIG. 7 . Referring to FIG. 9 , in the second heating step S12 , the substrate W may be heated while the substrate W is placed on the heating plate 3234 . In the second heating step S12 , a distance between the substrate W and the heating plate 3234 may be a second interval D2 . The second interval D2 may be a smaller interval than the first interval D1 . A gap between the substrate W and the heating plate 3234 may be adjusted by a lift pin 3236 . The second heating step S12 may be performed for a second time. The second time period may be longer than the first time period. That is, in the first heating step (S11), the distance between the substrate (W) and the heating plate 3234 is relatively greater than that in the second heating step (S12). In the first heating step S11 , the gap between the substrate W and the heating plate 3234 is increased, and in the second heating step S12 , the gap between the substrate W and the heating plate 3234 is narrowed. Accordingly, it is possible to minimize the risk of damage to the substrate W due to a sudden temperature change when the substrate W is heated. In addition, the temperature of the heating plate 3234 in the first heating step (S11) and the temperature of the heating plate 3234 in the second heating step (S12) may be the same as each other.

제2가열 단계(S12)의 수행이 완료되면, 기판(W)은 냉각 유닛(3220)으로 전달될 수 있다. 제2가열 단계(S12)의 수행이 완료되면, 리프트 핀(3236)은 기판(W)을 위 방향으로 이동시킬 수 있다. 이후 하우징(3232)의 커버가 구동 부재(3238)에 의해 위 방향으로 이동될 수 있다. 이에 처리 공간(3233)은 개방된다. 이후 냉각 플레이트(3222)는 가이드 레일(3229)을 따라 가열 플레이트(3234)의 상부로 이동될 수 있다. 이때, 냉각 플레이트(3222)는 기판(W)과 가열 플레이트(3234)의 사이 공간으로 이동될 수 있다. 이후 리프트 핀(3236)은 하강하여 기판(W)을 냉각 플레이트(3222)에 안착시킬 수 있다. 이후, 냉각 플레이트(3222)는 측정 유닛(3240)의 하부로 이동될 수 있다.When the second heating step S12 is completed, the substrate W may be transferred to the cooling unit 3220 . When the second heating step S12 is completed, the lift pins 3236 may move the substrate W upward. Thereafter, the cover of the housing 3232 may be moved upward by the driving member 3238 . Accordingly, the processing space 3233 is opened. Thereafter, the cooling plate 3222 may be moved to an upper portion of the heating plate 3234 along the guide rail 3229 . In this case, the cooling plate 3222 may be moved to a space between the substrate W and the heating plate 3234 . Thereafter, the lift pins 3236 may descend to seat the substrate W on the cooling plate 3222 . Thereafter, the cooling plate 3222 may be moved to a lower portion of the measurement unit 3240 .

도 10은 도 7의 측정 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 측정 단계(S20)에는 가열 단계(S10)에서 가열된 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있다. 측정 단계(S20)에는 측정 유닛(3240)이 광 소자를 기판(W)으로 전달할 수 있다. 기판(W)에 전달된 광 소자가 측정 유닛(3240)의 수신부로 다시 전달되어 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있다. 측정 단계(S20)에서 측정된 휨 정도 값은 제어기(3260)으로 전달될 수 있다.FIG. 10 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus performing the measurement step of FIG. 7 . Referring to FIG. 10 , in the measuring step S20 , the degree of warpage of the substrate W heated in the heating step S10 may be measured. In the measuring step S20 , the measuring unit 3240 may transfer the optical device to the substrate W . The optical element transferred to the substrate W may be transferred back to the receiver of the measurement unit 3240 to measure the degree of warpage of the substrate W. The bending degree value measured in the measuring step S20 may be transmitted to the controller 3260 .

도 11은 도 7의 냉각 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 11을 참조하면, 냉각 단계(S30)에는 냉각 플레이트가 전달하는 냉열에 의해 기판(W)이 냉각될 수 있다. 냉각 단계(S30)는 측정 단계(S20)에서 측정된 기판(W)의 휨 정도에 따라 냉각 단계(S30)가 수행되는 시간을 조절할 수 있다. 예컨대, 측정 단계(S20)에서 측정된 기판(W)의 휨 정도가 클수록 냉각 단계(S30)가 수행되는 시간을 증가시킬 수 있다. 이와 반대로, 측정 단계(S20)에서 측정된 기판(W)의 휨 정도가 작을수록 냉각 단계(S30)가 수행되는 시간을 감소시킬 수 있다. 또한, 냉각 단계(S30)가 수행되는 동안 냉각 플레이트(3222)의 온도는 일정하게 유지될 수 있다. 이는 기판(W)의 휨 정도를 작게 하기 위해 냉각 플레이트(3222)의 온도를 변경하는 경우, 오히려 기판(W)에 대한 냉각 처리가 적절히 수행되지 않을 수 있기 때문이다. 냉각 플레이트(3222)는 열 전도성 재질로 제공될 수 있다. 즉, 냉각 플레이트(3222)의 온도는 즉각적으로 소정의 온도로 변경되기 어렵다. 이에, 냉각 플레이트(3222)의 온도를 변경하게 되면, 온도가 변경되는 과정에서 기판(W)의 냉각 처리가 적절히 수행되지 않을 수 있다. 이에, 냉각 단계(S30)에는 냉각 플레이트(3222)의 온도를 일정하게 유지한다.11 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus performing the cooling step of FIG. 7 . Referring to FIG. 11 , in the cooling step S30 , the substrate W may be cooled by the cooling heat transferred from the cooling plate. In the cooling step S30 , the time during which the cooling step S30 is performed may be adjusted according to the degree of warpage of the substrate W measured in the measurement step S20 . For example, as the degree of warpage of the substrate W measured in the measuring step S20 increases, the time for the cooling step S30 may be increased. On the contrary, as the degree of warpage of the substrate W measured in the measuring step S20 is smaller, the time for which the cooling step S30 is performed may be reduced. In addition, while the cooling step (S30) is performed, the temperature of the cooling plate 3222 may be constantly maintained. This is because, when the temperature of the cooling plate 3222 is changed to reduce the degree of warpage of the substrate W, the cooling treatment of the substrate W may not be properly performed. The cooling plate 3222 may be made of a thermally conductive material. That is, the temperature of the cooling plate 3222 is difficult to immediately change to a predetermined temperature. Accordingly, if the temperature of the cooling plate 3222 is changed, the cooling process of the substrate W may not be properly performed while the temperature is changed. Accordingly, in the cooling step ( S30 ), the temperature of the cooling plate 3222 is constantly maintained.

또한, 냉각 단계(S30)에는 기판(W)으로 기판(W)을 냉각 시키는 가스가 공급될 수 있다. 기판(W)을 냉각 시키는 가스는 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스일 수 있다. 냉각 단계(S30)에는 측정 단계(S20)에서 측정된 기판(W)의 휨 정도에 따라 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스의 공급 출력을 조절할 수 있다. 예컨대, 측정 단계(S20)에서 측정된 기판(W)의 휨 정도가 클 경우 팬 유닛(3250)에서 공급하는 가스의 공급 출력을 증가시킬 수 있다. 이와 반대로 측정 단계(S20)에서 측정된 기판(W)의 휨 정도가 작을 경우 팬 유닛(3250)에서 공급하는 가스의 공급 출력을 감소시킬 수 있다.In addition, in the cooling step ( S30 ), a gas for cooling the substrate W may be supplied to the substrate W . The gas for cooling the substrate W may be a gas supplied by the fan unit 3250 . In the cooling step S30 , the supply output of the gas supplied by the fan unit 3250 may be adjusted according to the degree of warpage of the substrate W measured in the measurement step S20 . For example, when the degree of warpage of the substrate W measured in the measurement step S20 is large, the supply output of the gas supplied from the fan unit 3250 may be increased. Conversely, when the degree of warpage of the substrate W measured in the measurement step S20 is small, the supply output of the gas supplied from the fan unit 3250 may be reduced.

또한, 냉각 단계(S30)에서 기판(W)의 휨 정도에 따라 냉각 플레이트(3222)가 기판(W)을 냉각 시키는 시간을 조절하고, 냉각 단계(S30)에서 기판(W)의 휨 정도에 따라 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스의 공급 출력을 조절하는 것은 서로 단독적으로 이용되거나, 서로 조합되어 이용될 수 있다.In addition, in the cooling step (S30), the cooling plate 3222 adjusts the time for cooling the substrate (W) according to the degree of bending of the substrate (W), and in the cooling step (S30) according to the degree of bending of the substrate (W) Controlling the supply output of the gas supplied by the fan unit 3250 may be used alone or in combination with each other.

일반적으로 가열 처리 공정이 수행되면서 기판에는 휨 현상(Warpage)이 발생한다. 가열 처리 공정 이후에 수행되는 냉각 처리 공정은 정해진 레시피 대로 공정이 수행되기 때문에, 웨이퍼에 발생한 휨(Warpage)을 적절히 제거하지 못한다. 이에, 냉각 처리 이후 웨이퍼가 반송시, 웨이퍼가 반송 로봇의 핸드에 적절히 안착되지 못한다. 그러나, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 가열 단계(S10)가 수행된 이후, 기판(W)의 휨 정도 값을 측정하고 이에 근거하여 냉각 단계(S30)를 수행한다. 이에, 기판(W)의 휨 현상을 최소화 할 수 있다. 기판(W)의 휨 현상이 최소화 되면 열 처리 챔버(3200)로부터 반송되는 기판(W)이 반송 유닛의 핸드(A)에 적절히 안착될 수 있다. 이에, 기판(W)이 핸드(A)에서 이탈되거나, 진동하는 것을 최소화 할 수 있다. 또한, 핸드(A)에 안착된 기판(W)이 기판 처리 장치(1)의 구성들과 충돌하여 기판(W)이 파손되는 것을 최소화 할 수 있다. In general, as a heat treatment process is performed, warpage occurs in the substrate. In the cooling treatment process performed after the heat treatment process, since the process is performed according to a predetermined recipe, it is not possible to properly remove the warpage generated on the wafer. Accordingly, when the wafer is transferred after the cooling process, the wafer is not properly seated in the hand of the transfer robot. However, according to an embodiment of the present invention, after the heating step (S10) is performed, a value of the degree of warpage of the substrate (W) is measured, and a cooling step (S30) is performed based on this. Accordingly, it is possible to minimize the warpage of the substrate (W). When the warpage of the substrate W is minimized, the substrate W transferred from the heat treatment chamber 3200 may be properly seated on the hand A of the transfer unit. Accordingly, it is possible to minimize the deviation or vibration of the substrate W from the hand A. In addition, it is possible to minimize damage to the substrate W as the substrate W seated on the hand A collides with the components of the substrate processing apparatus 1 .

다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 유닛(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 유닛(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIGS. 4 and 5 , a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400 . Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802 (front buffer). The front-end buffers 3802 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Another portion of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804 (rear buffer). The rear end buffers 3804 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Each of the front-end buffers 3802 and the back-end buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. As shown in FIG. The substrate W stored in the front end buffer 3802 is loaded or unloaded by the index robot 2200 and the transfer unit 3420 . The substrate W stored in the downstream buffer 3804 is carried in or carried out by the transfer unit 3420 and the first robot 4602 .

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , and a liquid treatment chamber 3600 . The heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the application block 30a . ) and is provided in a structure and arrangement substantially similar to those of the above, a description thereof will be omitted. However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as the developing chamber 3600 for processing the substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to the external exposure apparatus 50 . The interface module 40 includes an interface frame 4100 , an additional process chamber 4200 , an interface buffer 4400 , and a transfer member 4600 .

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit for forming a descending airflow therein may be provided at an upper end of the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 , the interface buffer 4400 , and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the application block 30a, is loaded into the exposure apparatus 50 . Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 50 , is loaded into the developing block 30b. According to an example, the additional process is an edge exposure process of exposing an edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a lower surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W can A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, the additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the transfer chamber 3400 along the lengthwise extension line, and the interface buffer 4400 may be disposed on the other side thereof.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The transfer member 4600 transfers the substrate W between the coating block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the conveying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606 . The first robot 4602 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 uses the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transfer the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which a substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the Z-axis direction 16, and Z It may be provided to be movable along the axial direction 16 .

상술한 예에서는 측정 유닛(3240)이 냉각 플레이트(3240)의 상부에 배치되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 측정 유닛(3240)은 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있도록 처리 용기(3201)의 다양한 위치에 배치될 수 있다. 예컨대, 측정 유닛(3240)은 하우징(3232)의 처리 공간(3233)에 배치될 수 있다. 또한 측정 유닛(3240)은 하우징(3232)의 내벽 중 측벽에 배치될 수 있다.In the above-described example, it has been described that the measurement unit 3240 is disposed on the cooling plate 3240 as an example, but is not limited thereto. The measurement unit 3240 may be disposed in various positions of the processing container 3201 to measure the degree of warpage of the substrate W. Referring to FIG. For example, the measurement unit 3240 may be disposed in the processing space 3233 of the housing 3232 . Also, the measurement unit 3240 may be disposed on a sidewall of the inner wall of the housing 3232 .

상술한 예에서는 측정 유닛(3240)이 기판(W)이 냉각 플레이트(3232)에 안착된 상태에서 기판(W)의 휨 정도를 측정하는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 측정 유닛(3240)의 위치는 다양하게 변형될 수 있으며, 측정 유닛(3240)의 휨 정도 측정은 가열 유닛(3230)의 가열 처리 이후, 냉각 유닛(3220)의 냉각 처리 이전에 수행될 수 있다. 예컨대, 측정 유닛(3240)은 가열 유닛(3230)의 가열 플레이트(3234)에 기판(W)이 안착된 상태에서 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있다. 또한, 측정 유닛(3240)은 냉각 플레이트(3222)에 의해 기판(W)이 반송되는 도중 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수도 있다.In the above-described example, the measurement unit 3240 measures the degree of warpage of the substrate W while the substrate W is seated on the cooling plate 3232 as an example, but is not limited thereto. The position of the measurement unit 3240 may be variously modified, and the measurement of the degree of bending of the measurement unit 3240 may be performed after the heating treatment of the heating unit 3230 and before the cooling treatment of the cooling unit 3220 . For example, the measurement unit 3240 may measure the degree of warpage of the substrate W in a state in which the substrate W is seated on the heating plate 3234 of the heating unit 3230 . Also, the measurement unit 3240 may measure the degree of warpage of the substrate W while the substrate W is being conveyed by the cooling plate 3222 .

상술한 예서는 측정 유닛(3240)이 광 소자를 전달하여 기판(W)의 휨 정도를 측정하는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 측정 유닛(3240)은 기판(W)으로 초음파를 전달하여 비접촉 방식으로 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있다. 또한, 측정 유닛(3240)은 기판(W)에 레이저를 조사하고, 기판(W)으로부터 반사되는 레이저 변위를 검출하여 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수도 있다. 또한, 측정 유닛(3240)은 2D 삼각 측정 방식으로 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수도 있다.In the above-described example, the measurement unit 3240 transmits the optical element to measure the degree of warpage of the substrate W as an example, but the present invention is not limited thereto. For example, the measurement unit 3240 may measure the degree of warpage of the substrate W in a non-contact manner by transmitting ultrasonic waves to the substrate W. Also, the measurement unit 3240 may measure the degree of warpage of the substrate W by irradiating a laser to the substrate W and detecting the displacement of the laser reflected from the substrate W. In addition, the measurement unit 3240 may measure the degree of warpage of the substrate W in a 2D triangulation method.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

열 처리 챔버: 3200
처리 용기 : 3201
냉각 유닛 : 3220
가열 유닛 : 3230
측정 유닛 : 3240
팬 유닛 : 3250
제어기 : 3260
가열 단계 ; S10
측정 단계 : S20
냉각 단계 : S30Heat treatment chamber: 3200
Processing vessel: 3201
Cooling unit: 3220
Heating unit: 3230
Measuring unit: 3240
Fan unit: 3250
Controller: 3260
heating step; S10
Measuring Step: S20
Cooling stage: S30

Claims (14)

기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판을 가열 플레이트 상에서 가열하는 가열 단계와;
상기 기판을 냉각하는 냉각 단계와;
상기 가열 단계에서 가열된 상기 기판의 휨 정도를 측정하는 측정 단계를 포함하되,
상기 냉각 단계는 상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도에 따라 상기 냉각 단계가 수행되는 시간을 조절하되,
상기 가열 단계는,
상기 가열 플레이트와 상기 기판 사이의 거리가 제1거리로 제공되며 제1시간 동안 수행되는 제1가열 단계와;
상기 가열 플레이트와 상기 기판 사이의 거리가 제2거리로 제공되며 제2시간 동안 수행되는 제2가열 단계를 포함하고,
상기 제1시간은 상기 제2시간 보다 짧은 시간으로 제공되고,
상기 제1거리는 상기 제2거리보다 먼 거리로 제공되는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate, comprising:
a heating step of heating the substrate on a heating plate;
a cooling step of cooling the substrate;
Comprising a measuring step of measuring the degree of warpage of the substrate heated in the heating step,
The cooling step adjusts the time during which the cooling step is performed according to the degree of bending measured in the measuring step,
The heating step is
a first heating step in which a distance between the heating plate and the substrate is provided as a first distance and performed for a first time;
A distance between the heating plate and the substrate is provided as a second distance and a second heating step is performed for a second time,
The first time is provided as a shorter time than the second time,
The first distance is provided as a distance greater than the second distance. 제1항에 있어서,
상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도가 클수록 상기 냉각 단계가 수행되는 시간을 증가시키는 기판 처리 방법.According to claim 1,
The method for processing a substrate to increase the time for which the cooling step is performed as the degree of warpage measured in the measuring step increases. 제1항에 있어서,
상기 냉각 단계는,
상기 기판이 냉각 플레이트에 놓여지고, 상기 냉각 플레이트에 의해 상기 기판이 냉각 처리되어 수행되는 기판 처리 방법.According to claim 1,
The cooling step is
A substrate processing method, wherein the substrate is placed on a cooling plate, and the substrate is cooled by the cooling plate. 제3항에 있어서,
상기 냉각 단계가 수행되는 동안 상기 냉각 플레이트의 온도는 일정하게 유지되는 기판 처리 방법.4. The method of claim 3,
While the cooling step is performed, the temperature of the cooling plate is maintained constant. 제3항에 있어서,
상기 가열 단계는,
상기 기판이 가열 플레이트에 놓여지고, 상기 가열 플레이트에 의해 상기 기판이 가열 처리되어 수행되는 기판 처리 방법.4. The method of claim 3,
The heating step is
A substrate processing method, wherein the substrate is placed on a heating plate, and the substrate is heat-treated by the heating plate. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 냉각 단계에는,
상기 기판을 냉각 시키는 가스를 공급하고,
상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도에 따라 상기 가스의 공급 출력을 조절하는 기판 처리 방법.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
In the cooling step,
supplying a gas for cooling the substrate,
A substrate processing method for controlling a supply output of the gas according to the degree of warpage measured in the measuring step. 제6항에 있어서,
상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도가 클수록 상기 가스의 공급 출력을 증가시키는 기판 처리 방법.7. The method of claim 6,
The substrate processing method of increasing the supply output of the gas as the degree of warpage measured in the measuring step increases. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 휨 정도는 상기 기판에 광 또는 음파를 조사하여 검출되는 검출값으로 측정되는 기판 처리 방법.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The degree of warpage is measured as a detection value detected by irradiating light or sound waves to the substrate. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부 공간을 가지는 열 처리 챔버와;
상기 내부 공간에서 기판을 가열하며 상기 기판이 놓이는 가열 플레이트를 가지는 가열 유닛과;
상기 내부 공간에서 기판을 냉각하는 냉각 유닛과;
상기 가열 유닛이 가열한 기판의 휨 정도를 측정하는 측정 유닛과;
상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값을 전달 받으며, 상기 가열 유닛 그리고 상기 냉각 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 기판이 상기 가열 플레이트 상에서 가열되되,
제1시간 동안 상기 가열 플레이트와 상기 기판 사이의 거리가 제1거리로 제공되도록 하고,
제2시간 동안 상기 가열 플레이트와 상기 기판 사이의 거리가 제2거리로 제공되도록 하고,
이후에 상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값에 근거하여 상기 냉각 유닛이 기판을 냉각하는 시간을 조절하도록 상기 가열 유닛, 상기 측정 유닛, 그리고 상기 냉각 유닛을 제어하되,
상기 제1시간은 상기 제2시간 보다 짧은 시간으로 제공되고,
상기 제1거리는 상기 제2거리보다 먼 거리로 제공되는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a thermal processing chamber having an interior space;
a heating unit which heats a substrate in the inner space and has a heating plate on which the substrate is placed;
a cooling unit for cooling the substrate in the inner space;
a measuring unit for measuring the degree of warpage of the substrate heated by the heating unit;
and a controller configured to receive the warpage value measured by the measurement unit and control the heating unit and the cooling unit,
The controller is
The substrate is heated on the heating plate,
A distance between the heating plate and the substrate for a first time is provided as a first distance,
A distance between the heating plate and the substrate for a second time is provided as a second distance,
Thereafter, the heating unit, the measuring unit, and the cooling unit are controlled to adjust the time for the cooling unit to cool the substrate based on the warpage value measured by the measuring unit,
The first time is provided as a shorter time than the second time,
The first distance is provided as a distance greater than the second distance. 제9항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값이 클수록 상기 냉각 유닛이 기판을 냉각하는 시간을 증가시키도록 상기 측정 유닛, 그리고 상기 냉각 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The controller is
and controlling the measuring unit and the cooling unit so that the cooling unit cools the substrate as the value of the degree of warpage measured by the measuring unit increases. 제10항에 있어서,
상기 냉각 유닛은,
기판이 안착되고, 안착된 기판을 냉각시키는 냉각 플레이트를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 냉각 유닛이 기판을 냉각하는 동안 상기 냉각 플레이트의 온도를 일정하게 유지하도록 상기 냉각 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
The cooling unit is
A cooling plate on which the substrate is seated, and a cooling plate for cooling the seated substrate,
The controller is
and controlling the cooling unit to maintain a constant temperature of the cooling plate while the cooling unit cools the substrate. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 장치는,
상기 내부 공간으로 온도가 조절된 가스를 공급하는 팬 유닛을 더 포함하되,
상기 제어기는,
상기 팬 유닛을 더 제어하고,
상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값에 따라 상기 가스의 공급 출력을 조절하도록 상기 측정 유닛, 그리고 상기 팬 유닛을 제어하는 기판 처리 장치. 12. The method according to any one of claims 9 to 11,
The device is
Further comprising a fan unit for supplying the temperature-controlled gas to the inner space,
The controller is
further control the fan unit,
and controlling the measuring unit and the fan unit to adjust a supply output of the gas according to the warpage degree value measured by the measuring unit. 제12항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값에 클수록 상기 가스의 공급 출력을 증가시키도록 상기 측정 유닛, 그리고 상기 팬 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
The controller is
and controlling the measuring unit and the fan unit to increase a supply output of the gas as the value of the degree of warpage measured by the measuring unit increases. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 측정 유닛은,
광 또는 음파를 조사하는 조사부와;
상기 조사부에서 조사하는 상기 광 또는 상기 음파를 수신하는 수신부를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 가열 유닛이 가열한 기판에 상기 광 또는 상기 음파를 조사하고, 수신하도록 상기 측정 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.


12. The method according to any one of claims 9 to 11,
The measuring unit is
an irradiation unit for irradiating light or sound waves;
Comprising a receiving unit for receiving the light or the sound wave irradiated by the irradiation unit,
The controller is
and controlling the measurement unit to irradiate and receive the light or the sound wave to the substrate heated by the heating unit.
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