JP6268384B2

JP6268384B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP6268384B2
Application number: JP2014069094A
Authority: JP
Inventors: 佑道菅原
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2014-03-28
Filing date: 2014-03-28
Publication date: 2018-01-31
Anticipated expiration: 2034-03-28
Also published as: JP2015191819A

Description

本発明は、半導体または絶縁体からなる基板を処理する基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate made of a semiconductor or an insulator.

基板である半導体ウエハ（以下「ウエハ」と言う）は、熱処理装置などの各種の基板処理装置に搬送されて処理される。ウエハに形成されたデバイスの静電破壊を防ぐ目的及びウエハへのパーティクルの付着を防ぐ目的から、筐体により区画された領域であるウエハの搬送領域の除電が行われる。 A semiconductor wafer as a substrate (hereinafter referred to as “wafer”) is transferred to various substrate processing apparatuses such as a heat treatment apparatus for processing. In order to prevent electrostatic breakdown of devices formed on the wafer and to prevent particles from adhering to the wafer, static elimination is performed on the wafer transfer area, which is an area partitioned by the housing.

この除電は、例えば前記ウエハの搬送領域に不活性ガスを供給するファンフィルタユニット（ＦＦＵ）と、イオナイザーとにより行う場合がある。具体的にはイオナイザーを構成する電極に電圧を印加して放電を起こし、電極の周囲のガスから＋イオンと−イオンとを発生させ、これらイオンを前記ＦＦＵの不活性ガスの気流に乗せて、前記ウエハの搬送領域に供給して除電を行う。 This neutralization may be performed by, for example, a fan filter unit (FFU) that supplies an inert gas to the wafer transfer region and an ionizer. Specifically, a voltage is applied to the electrode constituting the ionizer to cause discharge, + ions and − ions are generated from the gas around the electrode, and these ions are placed on the inert gas flow of the FFU, Charge is supplied to the wafer transfer area.

前記電極は、ＦＦＵのガスの吹き出し口に設け、前記ＦＦＵからのガスを直接イオン化する場合があるが、当該電極に付着した異物や摩耗した電極自体がパーティクルとなって搬送領域に飛散することを防ぐために、ＦＦＵとは別体の区画された専用のユニット内に設ける傾向がある。その場合、当該専用ユニット（イオン供給ユニットとする）内に供給された不活性ガスから前記放電により発生させたイオンを、当該イオン供給ユニットに設けられるクリーン機構を介して、前記ＦＦＵの気流の流路に供給し、前記ウエハの搬送領域に流通させることになる。 The electrode is provided at the gas outlet of the FFU, and the gas from the FFU may be directly ionized, but the foreign matter attached to the electrode or the worn electrode itself is scattered as particles in the transport area. In order to prevent this, there is a tendency to provide in a dedicated unit that is separate from the FFU. In that case, the ions generated by the discharge from the inert gas supplied into the dedicated unit (referred to as an ion supply unit) are allowed to flow through the FFU airflow through a clean mechanism provided in the ion supply unit. This is supplied to the path and distributed to the wafer transfer area.

ところで半導体デバイスの配線の微細化が進み、それに伴って前記ウエハの搬送領域において、より微細なパーティクルの付着を抑える技術が求められている。それによって、当該搬送領域の電位をより低く抑えることができる技術が求められている。上記のようにイオン供給ユニット内でイオンを生成する場合は、当該ユニット内でイオンが消費されてしまい、ウエハ搬送領域に十分な量のイオンを供給できないおそれがある。また、前記−イオンは、放電によって生じる電子が前記イオン供給ユニット内の不活性ガスと衝突して生じるが、この電子は非常に軽いため、この衝突が起こらずに当該ユニットから飛散してしまい、結果として当該イオン供給ユニットからは、−イオンに対して＋イオンが多く、前記ウエハ搬送領域に供給されることが懸念される。従って、将来、ウエハ搬送領域の電位を要求される電位よりも低く下げられなくなるおそれがあった。 By the way, the miniaturization of the wiring of the semiconductor device has progressed, and accordingly, a technique for suppressing the adhesion of finer particles in the wafer transfer region is required. Accordingly, there is a demand for a technique that can keep the potential of the transfer region lower. When ions are generated in the ion supply unit as described above, the ions are consumed in the unit, and there is a possibility that a sufficient amount of ions cannot be supplied to the wafer transfer region. In addition, the − ions are generated when electrons generated by discharge collide with an inert gas in the ion supply unit, but since the electrons are very light, the collision occurs without causing the collision, As a result, there is a concern that the ion supply unit has more + ions than-ions and is supplied to the wafer transfer region. Therefore, there is a possibility that the potential of the wafer transfer area cannot be lowered below the required potential in the future.

特許文献１には、イオナイザーをウエハの移載機構に設け、当該イオナイザーによりキャリアガスからプラスイオンとマイナスイオンとを発生させ、これらイオンをキャリアガスと共にウエハの搬送領域に供給する装置について記載されている。しかし、このようにガスによりイオンを供給する装置は、上記のように搬送領域における電位を十分に下げられないおそれがある。また、特許文献２には軟Ｘ線を照射し、照射された雰囲気の気体をイオン化させるイオナイザーについて示されているが、このイオナイザーによりＸ線を照射できる範囲は限られている。このイオナイザーを複数個設けて、照射範囲を広くすることも考えられるが、当該イオナイザーはコストが高いので、そのように複数個設けることが困難であった。 Patent Document 1 describes an apparatus in which an ionizer is provided in a wafer transfer mechanism, positive ions and negative ions are generated from a carrier gas by the ionizer, and these ions are supplied together with the carrier gas to a wafer transfer region. Yes. However, such an apparatus that supplies ions by gas may not be able to sufficiently lower the potential in the transport region as described above. Patent Document 2 discloses an ionizer that irradiates soft X-rays and ionizes the gas in the irradiated atmosphere. However, the range in which X-rays can be irradiated by this ionizer is limited. Although it is conceivable to increase the irradiation range by providing a plurality of ionizers, it is difficult to provide a plurality of such ionizers because the cost of the ionizers is high.

特許第５２１７６６８号公報Japanese Patent No. 5217668 特表２００８−５３６２８４号公報Special table 2008-536284 gazette

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板が位置する雰囲気を十分に除電できると共に、装置の製造コストを抑えることができる技術を提供することである。 The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a technique capable of sufficiently removing the atmosphere in which the substrate is located and reducing the manufacturing cost of the apparatus.

本発明の基板処理装置は、半導体または絶縁体である基板を外部から搬入し、搬送機構により基板搬送領域を介して基板処理部に搬送して、前記基板処理部にて基板に対して処理を行う基板処理装置において、
基板が位置する雰囲気を区画する区画部材と、
前記区画部材内に清浄気体を供給するための清浄気体供給部と、
前記区画部材内を除電するために、波長が１ｐｍ〜１０ｎｍである軟Ｘ線を前記区画部材内に照射して前記清浄気体をイオン化するための軟Ｘ線照射源と、
前記軟Ｘ線照射源から照射された軟Ｘ線を反射するミラー部と、を備え、
前記ミラー部は、主として縦方向及び横方向の一方に軟Ｘ線を反射するように構成され、
前記軟Ｘ線照射源を、前記ミラー部における軟Ｘ線の主たる反射方向と交差する方向に移動させる移動機構を設けたことを特徴とする。
本発明の他の基板処理装置は、半導体または絶縁体である基板を外部から搬入し、搬送機構により基板搬送領域を介して基板処理部に搬送して、前記基板処理部にて基板に対して処理を行う基板処理装置において、
基板が位置する雰囲気を区画する区画部材と、
前記区画部材内に清浄気体を供給するための清浄気体供給部と、
前記区画部材内を除電するために、波長が１ｐｍ〜１０ｎｍである軟Ｘ線を前記区画部材内に照射して前記清浄気体をイオン化するための軟Ｘ線照射源と、
前記軟Ｘ線照射源から照射された軟Ｘ線を反射するミラー部と、を備え、
前記ミラー部は、軟Ｘ線照射源から見て左右に軟Ｘ線が分かれて反射されるように構成されると共に、互いに左右に分かれて形成される軟Ｘ線照射領域の間に前記搬送機構の駆動部が位置していることを特徴とする。
本発明のさらに他の基板処理装置は、半導体または絶縁体である基板を外部から搬入し、搬送機構により基板搬送領域を介して基板処理部に搬送して、前記基板処理部にて基板に対して処理を行う基板処理装置において、
基板が位置する雰囲気を区画する区画部材と、
前記区画部材内に清浄気体を供給するための清浄気体供給部と、
前記区画部材内を除電するために、波長が１ｐｍ〜１０ｎｍである軟Ｘ線を前記区画部材内に照射して前記清浄気体をイオン化するための軟Ｘ線照射源と、
前記軟Ｘ線照射源から照射された軟Ｘ線を反射するミラー部と、を備え、
前記ミラー部は、柱状または凹曲面状に形成されていることを特徴とする。
本発明のさらに他の基板処理装置は、半導体または絶縁体である基板を外部から搬入し、搬送機構により基板搬送領域を介して基板処理部に搬送して、前記基板処理部にて基板に対して処理を行う基板処理装置において、
基板が位置する雰囲気を区画する区画部材と、
前記区画部材内に清浄気体を供給するための清浄気体供給部と、
前記区画部材内を除電するために、波長が１ｐｍ〜１０ｎｍである軟Ｘ線を前記区画部材内に照射して前記清浄気体をイオン化するための軟Ｘ線照射源と、
前記軟Ｘ線照射源から照射された軟Ｘ線を反射するミラー部と、を備え、
前記ミラー部から反射される軟Ｘ線の照射領域を移動させるために、軟Ｘ線照射源に対して当該ミラー部を移動または回転させるためのミラー部移動機構を設けたことを特徴とする。
In the substrate processing apparatus of the present invention, a substrate, which is a semiconductor or an insulator, is carried in from the outside, transferred to a substrate processing unit through a substrate transfer region by a transfer mechanism, and processed on the substrate by the substrate processing unit. In the substrate processing apparatus to perform,
A partition member that partitions the atmosphere in which the substrate is located;
A clean gas supply unit for supplying clean gas into the partition member;
A soft X-ray irradiation source for ionizing the clean gas by irradiating the partition member with soft X-rays having a wavelength of 1 pm to 10 nm to neutralize the inside of the partition member;
And a mirror unit for reflecting the soft X-rays irradiated from the soft X-ray radiation source,
The mirror portion is configured to reflect soft X-rays mainly in one of a vertical direction and a horizontal direction,
A moving mechanism is provided that moves the soft X-ray irradiation source in a direction intersecting with a main reflection direction of the soft X-rays in the mirror section.
In another substrate processing apparatus of the present invention, a substrate, which is a semiconductor or an insulator, is carried in from the outside, and is transferred to a substrate processing unit through a substrate transfer region by a transfer mechanism, and is applied to the substrate by the substrate processing unit. In a substrate processing apparatus for processing,
A partition member that partitions the atmosphere in which the substrate is located;
A clean gas supply unit for supplying clean gas into the partition member;
A soft X-ray irradiation source for ionizing the clean gas by irradiating the partition member with soft X-rays having a wavelength of 1 pm to 10 nm to neutralize the inside of the partition member;
A mirror part for reflecting soft X-rays irradiated from the soft X-ray irradiation source,
The mirror unit is configured such that soft X-rays are divided and reflected to the left and right when viewed from the soft X-ray irradiation source, and the transport mechanism is provided between soft X-ray irradiation regions that are separately formed to the left and right. The drive unit is located.
Still another substrate processing apparatus of the present invention carries a substrate, which is a semiconductor or an insulator, from the outside, and transports it to a substrate processing unit through a substrate transport region by a transport mechanism, and the substrate processing unit applies it to the substrate. In a substrate processing apparatus that performs processing,
A partition member that partitions the atmosphere in which the substrate is located;
A clean gas supply unit for supplying clean gas into the partition member;
A soft X-ray irradiation source for ionizing the clean gas by irradiating the partition member with soft X-rays having a wavelength of 1 pm to 10 nm to neutralize the inside of the partition member;
A mirror part for reflecting soft X-rays irradiated from the soft X-ray irradiation source,
The mirror part is formed in a columnar shape or a concave curved surface shape.
Still another substrate processing apparatus of the present invention carries a substrate, which is a semiconductor or an insulator, from the outside, and transports it to a substrate processing unit through a substrate transport region by a transport mechanism, and the substrate processing unit applies it to the substrate. In a substrate processing apparatus that performs processing,
A partition member that partitions the atmosphere in which the substrate is located;
A clean gas supply unit for supplying clean gas into the partition member;
A soft X-ray irradiation source for ionizing the clean gas by irradiating the partition member with soft X-rays having a wavelength of 1 pm to 10 nm to neutralize the inside of the partition member;
A mirror part for reflecting soft X-rays irradiated from the soft X-ray irradiation source,
In order to move the soft X-ray irradiation region reflected from the mirror part, a mirror part moving mechanism for moving or rotating the mirror part with respect to the soft X-ray irradiation source is provided.

本発明によれば、基板が位置する区画された雰囲気に、軟Ｘ線照射源から照射された軟Ｘ線がミラー部により拡散されて照射される。そして、当該雰囲気に供給される清浄気体がイオン化され、当該雰囲気内が除電される。この構成によれば、背景技術の項目に記載したような、発生させたイオンを送風により前記雰囲気に供給する場合に比べて、確実に当該雰囲気に＋イオンと−イオンとを供給することができる。従って、当該雰囲気の電位をより小さく抑えることができる。さらに、前記雰囲気において、比較的広い範囲に軟Ｘ線を供給して前記イオン化を行うことができるので、前記軟Ｘ線照射源の設置数を抑えることができる。結果として装置の製造コストも抑えることができる。 According to the present invention, the soft X-rays irradiated from the soft X-ray irradiation source are diffused and irradiated to the partitioned atmosphere where the substrate is located. And the clean gas supplied to the said atmosphere is ionized, and the inside of the said atmosphere is neutralized. According to this configuration, it is possible to reliably supply + ions and − ions to the atmosphere as compared to the case where the generated ions are supplied to the atmosphere by blowing as described in the background art item. . Accordingly, the potential of the atmosphere can be further reduced. Furthermore, since the ionization can be performed by supplying soft X-rays in a relatively wide range in the atmosphere, the number of the soft X-ray irradiation sources installed can be suppressed. As a result, the manufacturing cost of the apparatus can be suppressed.

本発明に係る熱処理装置の縦断面側面図である。It is a longitudinal cross-sectional side view of the heat processing apparatus which concerns on this invention. 前記熱処理装置のウエハ搬送領域の横断平面図である。It is a cross-sectional top view of the wafer conveyance area | region of the said heat processing apparatus. 前記ウエハ搬送領域に設けられるウエハ移載機構の斜視図である。It is a perspective view of the wafer transfer mechanism provided in the wafer transfer area. 前記ウエハ移載機構のフォークの平面図である。It is a top view of the fork of the wafer transfer mechanism. 前記ウエハ移載機構の下面側斜視図である。It is a lower surface side perspective view of the wafer transfer mechanism. 前記ウエハ移載機構に設けられる軟Ｘ線照射源の平面図である。It is a top view of the soft X-ray irradiation source provided in the said wafer transfer mechanism. 前記ウエハ搬送領域における軟Ｘ線の照射範囲の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the soft X-ray irradiation range in the said wafer conveyance area | region. ウエハの移載と軟Ｘ線の照射状態を示すための説明図である。It is explanatory drawing for showing the transfer state of a wafer, and the irradiation state of a soft X ray. ウエハの移載と軟Ｘ線の照射状態を示すための説明図である。It is explanatory drawing for showing the transfer state of a wafer, and the irradiation state of a soft X ray. ウエハの移載と軟Ｘ線の照射状態を示すための説明図である。It is explanatory drawing for showing the transfer state of a wafer, and the irradiation state of a soft X ray. ウエハの移載と軟Ｘ線の照射状態を示すための説明図である。It is explanatory drawing for showing the transfer state of a wafer, and the irradiation state of a soft X ray. ウエハの移載と軟Ｘ線の照射状態を示すための説明図である。It is explanatory drawing for showing the transfer state of a wafer, and the irradiation state of a soft X ray. ウエハの移載と軟Ｘ線の照射状態を示すための説明図である。It is explanatory drawing for showing the transfer state of a wafer, and the irradiation state of a soft X ray. マッピングと軟Ｘ線の照射状態を示すための説明図である。It is explanatory drawing for showing the irradiation state of mapping and a soft X-ray. 他のウエハ移載機構の斜視図である。It is a perspective view of another wafer transfer mechanism. 前記ウエハ移載機構を備えるウエハ搬送領域の平面図である。It is a top view of a wafer conveyance area provided with the wafer transfer mechanism. 前記ウエハ移載機構を備えるウエハ搬送領域の側面図である。It is a side view of a wafer conveyance area provided with the wafer transfer mechanism. さらに他のウエハ移載機構を備えるウエハ搬送領域の平面図である。It is a top view of a wafer conveyance field provided with other wafer transfer mechanisms. さらに他のウエハ移載機構の斜視図である。FIG. 10 is a perspective view of still another wafer transfer mechanism. 前記ウエハ移載機構のミラー部の縦断側面図である。It is a vertical side view of the mirror part of the wafer transfer mechanism. 前記ウエハ移載機構を備えるウエハ搬送領域の平面図である。It is a top view of a wafer conveyance area provided with the wafer transfer mechanism. 前記軟Ｘ線照射源とミラー部との他の配置の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of other arrangement | positioning of the said soft X-ray irradiation source and a mirror part. 前記軟Ｘ線照射源とミラー部との他の配置の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of other arrangement | positioning of the said soft X-ray irradiation source and a mirror part. 評価試験で用いた装置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the apparatus used by the evaluation test. 評価試験の結果を示すグラフである。It is a graph which shows the result of an evaluation test. 評価試験の結果を示すグラフである。It is a graph which shows the result of an evaluation test.

（第１の実施形態）
本発明の基板処理装置に係る熱処理装置１について概略側面図である図１を参照しながら説明する。この熱処理装置１は、例えばシリコンからなる多数枚の半導体基板であるウエハＷを一括して加熱処理する。熱処理装置１は、例えばステンレス等より構成された、区画部材である筐体１１を備える。図中１２は、筐体１１内を前後方向に分割して区画する区画壁である。筐体１１内の前方側、後方側は、夫々キャリア搬送領域２１、ウエハ搬送領域２２として構成される。キャリア搬送領域２１においては、例えば２５枚のウエハＷを格納するＦＯＵＰ（front open unified pod）と呼ばれるキャリア２が搬送され、ウエハ搬送領域２２においては前記キャリア２から取り出されたウエハＷが搬送される。 (First embodiment)
A heat treatment apparatus 1 according to the substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. 1 which is a schematic side view. The heat treatment apparatus 1 collectively heats wafers W, which are a large number of semiconductor substrates made of, for example, silicon. The heat treatment apparatus 1 includes a housing 11 that is a partition member made of, for example, stainless steel. In the figure, reference numeral 12 denotes a partition wall that divides the interior of the housing 11 in the front-rear direction. The front side and the rear side in the housing 11 are configured as a carrier transfer area 21 and a wafer transfer area 22, respectively. In the carrier transfer area 21, for example, a carrier 2 called FOUP (front open unified pod) that stores 25 wafers W is transferred, and in the wafer transfer area 22, the wafer W taken out from the carrier 2 is transferred. .

熱処理装置１は、当該熱処理装置１の外部の搬送機構と当該熱処理装置１との間で、前記キャリア２の受け渡しを行うためのキャリア搬入出部１３を備えている。当該キャリア搬入出部１３には、キャリア２が載置されるキャリア搬入出用ステージ１４が設けられる。この搬入出用ステージ１４は、筐体１１に設けられる開口部１５を介して前後方向に移動自在に構成され、キャリア２を前記搬送機構による筐体１１の外部の受け渡し位置と、筐体１１の内部の前記キャリア搬送領域２１との間で移動させることができる。キャリア搬送領域２１には、図示しないガス供給部により清浄空気による下降気流が形成される。 The heat treatment apparatus 1 includes a carrier carry-in / out section 13 for transferring the carrier 2 between a transfer mechanism outside the heat treatment apparatus 1 and the heat treatment apparatus 1. The carrier carry-in / out section 13 is provided with a carrier carry-in / out stage 14 on which the carrier 2 is placed. The loading / unloading stage 14 is configured to be movable in the front-rear direction through an opening 15 provided in the housing 11, and the carrier 2 is moved to a position outside the housing 11 by the transport mechanism, and It can be moved between the carrier transport area 21 inside. In the carrier transport region 21, a downflow due to clean air is formed by a gas supply unit (not shown).

キャリア搬送領域２１には、棚状に形成されたストッカ１６と、第１のキャリア搬送機構１７と、第２のキャリア搬送機構１８と、ウエハ移載用ステージ１９とが設けられている。ウエハ移載用ステージ１９は、キャリア２内と前記ウエハ搬送領域２２との間でウエハＷを受け渡すために、当該キャリア２が載置されるステージである。第１のキャリア搬送機構１７は、ストッカ１６と筐体１１内に進入したキャリア搬入出用ステージ１４との間でキャリア２を受け渡し、第２のキャリア搬送機構１８は、第１のキャリア搬送機構１７とウエハ移載用ステージ１９との間でキャリア２を受け渡す。ストッカ１６は、ウエハＷを払い出していないキャリア２及び既にウエハＷを払い出し済みのキャリア２を待機させる役割を有する。図中２３はウエハ移載用ステージ１９に設けられるアクチュエータであり、前記ウエハ移載用ステージ１９に載置されたキャリア２を区画壁１２に押圧する。 The carrier transfer area 21 is provided with a stocker 16 formed in a shelf shape, a first carrier transfer mechanism 17, a second carrier transfer mechanism 18, and a wafer transfer stage 19. The wafer transfer stage 19 is a stage on which the carrier 2 is placed in order to deliver the wafer W between the carrier 2 and the wafer transfer region 22. The first carrier transport mechanism 17 delivers the carrier 2 between the stocker 16 and the carrier loading / unloading stage 14 that has entered the housing 11, and the second carrier transport mechanism 18 is the first carrier transport mechanism 17. And the carrier transfer stage 19 are delivered. The stocker 16 has a role of waiting for the carrier 2 that has not delivered the wafer W and the carrier 2 that has already delivered the wafer W. In the figure, reference numeral 23 denotes an actuator provided on the wafer transfer stage 19, which presses the carrier 2 placed on the wafer transfer stage 19 against the partition wall 12.

以降、ウエハ搬送領域２２の横断平面図である図２も参照しながら説明する。図中２４は、区画壁１２に設けられた開口部であり、ウエハＷの搬入出ポートを構成する。この開口部は、例えば昇降自在に構成された開閉ドア２５により、ウエハ搬送領域２２側から塞がれる。開閉ドア２５は、キャリア２の蓋体を着脱すると共に取り外した当該蓋体を保持する保持機構２６を備えている。前記区画壁１２に押圧された状態で前記蓋体が取り外されたキャリア２の内部は、前記開口部２４を介してウエハ搬送領域２２に連通すると共に、キャリア搬送領域２１から区画される。そのようにキャリア２内がキャリア搬送領域２１から区画された状態で、キャリア２内とウエハ搬送領域２２との間で、ウエハＷの移載が行われる。 Hereinafter, description will be made with reference to FIG. 2 which is a cross-sectional plan view of the wafer transfer region 22. In the figure, reference numeral 24 denotes an opening provided in the partition wall 12 and constitutes a carry-in / out port for the wafer W. The opening is closed from the wafer transfer region 22 side by an open / close door 25 configured to be movable up and down, for example. The opening / closing door 25 includes a holding mechanism 26 that attaches / detaches the lid of the carrier 2 and holds the removed lid. The inside of the carrier 2 from which the lid is removed while being pressed against the partition wall 12 communicates with the wafer transport region 22 through the opening 24 and is partitioned from the carrier transport region 21. In such a state where the inside of the carrier 2 is partitioned from the carrier transfer area 21, the wafer W is transferred between the carrier 2 and the wafer transfer area 22.

図中３１はウエハ搬送領域２２を上下に仕切る仕切り板である。この仕切り板３１の下方には、ウエハＷの保持具であるウエハボート３を載置するための移載用ボート載置台３２及び待機用ボート載置台３３が設けられる。前記ウエハボート３は、縦方向に１００〜１５０枚程度のウエハＷを棚状に保持し、ウエハ搬送領域２２内を移動自在に構成され、この例では２基のウエハボート３がウエハ搬送領域２２に設けられている。また、ウエハ搬送領域２２にはウエハ移載機構４が設けられ、ウエハ移載用ステージ１９上の前記キャリア２と当該移載用ボート載置台３２上のウエハボート３との間でウエハＷの移載を行う。ウエハ移載機構４の構成は、後に詳述する。 In the figure, reference numeral 31 denotes a partition plate that divides the wafer transfer region 22 vertically. Below the partition plate 31, a transfer boat mounting table 32 and a standby boat mounting table 33 for mounting the wafer boat 3, which is a holder for the wafer W, are provided. The wafer boat 3 is configured to hold about 100 to 150 wafers W in a vertical direction in a shelf shape and to be movable in the wafer transfer region 22. In this example, two wafer boats 3 include the wafer transfer region 22. Is provided. Further, a wafer transfer mechanism 4 is provided in the wafer transfer area 22, and the wafer W is transferred between the carrier 2 on the wafer transfer stage 19 and the wafer boat 3 on the transfer boat mounting table 32. To do. The configuration of the wafer transfer mechanism 4 will be described in detail later.

前記仕切り板３１の上方側に、縦型熱処理炉である処理ユニット３４が設けられている。この処理ユニット３４は、その下端に開口部３５を有すると共に有天井になされた石英製の円筒体よりなる処理容器３６を備え、当該処理容器３６の周囲にはヒーター３７が設けられている。処理容器３６内には図示しないガス供給部や排気口が設けられる。ウエハボート３に保持された状態で、前記処理容器３６に搬入されたウエハＷは、加熱されながらガス供給され、成膜、酸化あるいはアニール処理など各種の熱処理を受ける。この例では、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２（ジクロロシラン）ガスとＮＨ_３（アンモニア）ガスとが交互に繰り返し供給されるＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）処理が行われ、ウエハＷにＳｉＮ（窒化シリコン）膜が形成される。 A processing unit 34 which is a vertical heat treatment furnace is provided above the partition plate 31. The processing unit 34 includes a processing container 36 made of a quartz cylindrical body having an opening 35 at the lower end and a ceiling, and a heater 37 is provided around the processing container 36. A gas supply unit and an exhaust port (not shown) are provided in the processing container 36. The wafer W carried into the processing container 36 while being held by the wafer boat 3 is supplied with gas while being heated, and is subjected to various heat treatments such as film formation, oxidation or annealing. In this example, an ALD (Atomic Layer Deposition) process in which SiH ₂ Cl ₂ (dichlorosilane) gas and NH ₃ (ammonia) gas are alternately and repeatedly supplied is performed, and a SiN (silicon nitride) film is formed on the wafer W. Is done.

図中３８はボート昇降機構であり、ウエハボート３を昇降させて処理容器３６に対する当該ウエハボート３の搬入出を行う。またボート昇降機構３８は、当該ウエハボート３の処理容器３６への搬入時に、前記開口部３５を塞ぐキャップ３９を備えている。図中５１は、ウエハボート３を前記処理容器３６から搬出後、前記開口部３５を塞ぐように移動自在なシャッタである。図中５２は、ボート載置台３２、３３とボート昇降機構３８との間でウエハボート３の移載を行うボート移載機構である。 In the figure, reference numeral 38 denotes a boat raising / lowering mechanism that raises and lowers the wafer boat 3 to carry the wafer boat 3 into and out of the processing container 36. The boat elevating mechanism 38 includes a cap 39 that closes the opening 35 when the wafer boat 3 is loaded into the processing container 36. In the figure, reference numeral 51 denotes a shutter that is movable so as to close the opening 35 after the wafer boat 3 is unloaded from the processing container 36. In the figure, reference numeral 52 denotes a boat transfer mechanism for transferring the wafer boat 3 between the boat mounting tables 32 and 33 and the boat lifting mechanism 38.

ウエハ搬送領域２２を形成する筐体１１の内側壁において、キャリア搬送領域２１から見て左側には、清浄気体供給部であるファンフィルタユニット（ＦＦＵ）５３、５４が設けられ、右側には気体吸入部５５が設けられている。ＦＦＵ５３、５４はフィルタと気体送風用のファンとを備え、これらフィルタ及びファンは例えば樹脂により構成されている。そして、当該フィルタを介して清浄化した気体、例えば不活性ガスであるＮ_２ガスを水平方向へ供給する。気体吸入部５５は、前記不活性ガスを吸入できるように図示しないダクトに接続され、パーティクル捕集用の例えば樹脂からなるフィルタを備えている。 Fan filter units (FFU) 53 and 54, which are clean gas supply units, are provided on the left side when viewed from the carrier transfer region 21 on the inner wall of the casing 11 forming the wafer transfer region 22, and gas suction is provided on the right side. A portion 55 is provided. The FFUs 53 and 54 include a filter and a fan for blowing air, and these filters and fans are made of resin, for example. Then, supplies gas was cleaned through the filter, the N ₂ gas, for example inert gas in the horizontal direction. The gas suction part 55 is connected to a duct (not shown) so as to suck the inert gas, and includes a filter made of, for example, resin for collecting particles.

熱処理装置１の稼働中、ＦＦＵ５３、５４及び気体吸入部５５により、前記ガス供給及びガス吸入が常時行われ、ウエハ搬送領域２２には水平方向のガス流が形成される。このガス流により、ウエハ搬送領域２２が清浄に保たれると共に、当該ウエハ搬送領域２２の温度上昇が抑えられる。気体吸入部５５に吸入されたガスは、前記ダクトを介してＦＦＵ５３、５４へ供給され、再度これらＦＦＵ５３、５４のフィルタを介してウエハ搬送領域２２に供給される。 During operation of the heat treatment apparatus 1, the gas supply and gas suction are always performed by the FFUs 53 and 54 and the gas suction unit 55, and a horizontal gas flow is formed in the wafer transfer region 22. This gas flow keeps the wafer transfer area 22 clean and suppresses the temperature rise of the wafer transfer area 22. The gas sucked into the gas suction section 55 is supplied to the FFUs 53 and 54 through the duct, and is supplied again to the wafer transfer region 22 through the filters of the FFUs 53 and 54.

続いて、ウエハ移載機構４について図３の斜視図も参照しながら説明する。ウエハ移載機構４は、昇降機構４１により垂直に昇降自在な昇降台４２と、昇降台４２上に垂直軸回りに回転自在に設けられた旋回台４３と、旋回台４３上に当該旋回台４３を進退自在に設けられた進退部４４と、進退部４４から当該進退部４４の前進方向に伸びるフォーク４５とを備えている。フォーク４５はその先端が二股に分かれた水平板状に形成され、その上面にウエハＷを支持して搬送する。一度に５枚のウエハＷを移載できるように、フォーク４５は上下方向に５つ、互いに間隔をおいて重なるように設けられている。前記昇降機構４１は、垂直方向に伸びるボールねじ４６を備え、前記昇降台４２はこのボールねじ４６に螺合され、ボールねじ４６が軸周りに回転することによって昇降する。ボールねじ４６の表面にはグリスが塗布される。図中４７は、この昇降台４２の昇降をガイドするためのガイド部材であり、ボールねじ４６と共に昇降機構４１を構成する。 Next, the wafer transfer mechanism 4 will be described with reference to the perspective view of FIG. The wafer transfer mechanism 4 includes a lift 42 that can be vertically moved by a lift 41, a swivel 43 that is rotatably provided on the lift 42 around a vertical axis, and the swivel 43 on the swivel 43. And a fork 45 extending from the advance / retreat portion 44 in the forward direction of the advance / retreat portion 44. The fork 45 is formed in a horizontal plate shape whose front end is divided into two branches, and supports and transports the wafer W on the upper surface thereof. In order to be able to transfer five wafers W at a time, five forks 45 are provided in the vertical direction so as to overlap each other at intervals. The elevating mechanism 41 includes a ball screw 46 extending in the vertical direction, and the elevating base 42 is screwed to the ball screw 46 and moves up and down as the ball screw 46 rotates about its axis. Grease is applied to the surface of the ball screw 46. In the figure, reference numeral 47 denotes a guide member for guiding the raising / lowering of the lifting / lowering table 42, and constitutes the lifting / lowering mechanism 41 together with the ball screw 46.

図４は、前記フォーク４５のうち最下段のフォーク４５の平面図である。この最下段のフォーク４５の二股に分かれた各先端には、この図４に示すように水平に光を照射する投光部４８と、この光を受光する受光部４９とが各々設けられている。後述のようにウエハボート３にウエハＷを移載後、フォーク４５の前記各先端が、平面視ウエハＷの周縁部を挟む位置へ移動する。そして、前記投光部４８と受光部４９との間に光軸を形成しながら、前記昇降台４２の下降により当該フォーク４５が下降する。 FIG. 4 is a plan view of the lowermost fork 45 of the forks 45. As shown in FIG. 4, a light projecting section 48 for irradiating light horizontally and a light receiving section 49 for receiving this light are provided at the respective ends of the fork 45 at the lowest stage. . As described later, after the wafer W is transferred to the wafer boat 3, the tips of the forks 45 move to positions where the peripheral edge of the wafer W in plan view is sandwiched. Then, the fork 45 is lowered by the lowering of the lifting platform 42 while forming an optical axis between the light projecting unit 48 and the light receiving unit 49.

正常にウエハボート３にウエハＷが搭載されていれば、前記昇降台４２が下降中、所定の高さに位置するときに前記光軸がウエハＷに遮られることにより、受光部４９は投光部４８からの光を検出できなくなる。受光部４９は、投光部４８からの光を検出した状態と、検出しない状態とで異なる検出信号を後述の制御部１０に出力し、当該制御部１０が、この検出信号に基づいて、ウエハＷがウエハボート３に正常に載置されているか否かを判定する。この判定及び判定を行うために、上記のように昇降台４２が下降する動作をマッピングと記載する。 If the wafer W is normally mounted on the wafer boat 3, the light receiving unit 49 emits light by the optical axis being blocked by the wafer W when the lifting platform 42 is positioned at a predetermined height while being lowered. The light from the unit 48 cannot be detected. The light receiving unit 49 outputs a detection signal that is different between a state in which the light from the light projecting unit 48 is detected and a state in which the light is not detected to the control unit 10 to be described later, and the control unit 10 generates a wafer based on the detection signal. It is determined whether or not W is normally placed on the wafer boat 3. In order to perform this determination and determination, the operation in which the lifting platform 42 is lowered as described above is referred to as mapping.

前記昇降台４２には、支持部６１を介してイオナイザーである軟Ｘ線照射源６２が設けられている。この軟Ｘ線照射源６２は、その照射窓６３から、上方へ向けて波長が１ｐｍ〜１０ｎｍであり、物質に対する比較的透過力が弱い電磁波、つまり軟Ｘ線を照射する。後述のミラー部６５による反射がないものとした場合、この照射源６２からの軟Ｘ線の照射範囲６４は、照射窓６３から照射方向に見ると円形であり、図５に示すように平面で見ると概ね扇状である。図５中の扇の中心角θは例えば１３０°である。 The elevator 42 is provided with a soft X-ray irradiation source 62 that is an ionizer via a support 61. The soft X-ray irradiation source 62 irradiates an electromagnetic wave, that is, soft X-rays having a wavelength of 1 pm to 10 nm upward from the irradiation window 63 and having a relatively low transmission power with respect to a substance. When it is assumed that there is no reflection by a mirror unit 65 which will be described later, the soft X-ray irradiation range 64 from the irradiation source 62 is circular when viewed in the irradiation direction from the irradiation window 63, and is flat as shown in FIG. When viewed, it is generally fan-shaped. The central angle θ of the fan in FIG. 5 is, for example, 130 °.

図６は、ウエハ移載機構４の昇降台４２及び旋回台４３の下面側斜視図である。この図６に示すように、旋回台４３の裏面には下方に向けて膨んだ凸レンズ形状をなすミラー部６５が設けられている。ミラー部６５の表面は半球面をなし、上記の軟Ｘ線を反射できるように構成されている。このミラー部６５は、旋回台４３が所定の向きに位置するときに、前記軟Ｘ線照射源６２に重なるように設けられる。そのようにミラー部６５と軟Ｘ線照射源６２とが重なったときに、図６に点線の矢印で示すように前記照射源６２から照射された軟Ｘ線が、ミラー部６５によって反射され、当該ミラー部６５の下方及び水平に放射状に広がる。 FIG. 6 is a perspective view of the lower surface side of the lift table 42 and the swivel table 43 of the wafer transfer mechanism 4. As shown in FIG. 6, a mirror portion 65 having a convex lens shape bulging downward is provided on the back surface of the swivel base 43. The surface of the mirror portion 65 is a hemispherical surface and is configured to reflect the soft X-ray. The mirror unit 65 is provided so as to overlap the soft X-ray irradiation source 62 when the swivel base 43 is positioned in a predetermined direction. When the mirror unit 65 and the soft X-ray irradiation source 62 overlap with each other as described above, the soft X-rays irradiated from the irradiation source 62 are reflected by the mirror unit 65 as shown by dotted arrows in FIG. The mirror portion 65 spreads radially downward and horizontally.

軟Ｘ線照射源６２から直接軟Ｘ線が照射された領域及びミラー部６５による反射された軟Ｘ線（以下、反射軟Ｘ線と記載する場合がある）が照射された領域におけるＮ_２ガスの分子は、照射された軟Ｘ線のエネルギーを受けて＋イオンと電子とを生じ、電子は周囲のＮ_２ガスの分子に衝突することで−イオンを生じる。これによって、各照射領域に−イオンと＋イオンとが等量ないしは略等量生成する。そして、これらイオンによって、照射領域内が除電される。つまり、ミラー部６５は軟Ｘ線照射源６２からの軟Ｘ線をより広範囲に供給し、ウエハ搬送領域２２内におけるより広い範囲でイオンを発生させて、除電を行う役割を有している。 N ₂ gas in a region irradiated with soft X-rays directly from the soft X-ray irradiation source 62 and a region irradiated with soft X-rays reflected by the mirror unit 65 (hereinafter sometimes referred to as reflected soft X-rays). In response to the energy of the irradiated soft X-ray, + molecules and + ions are generated, and the electrons collide with surrounding N ₂ gas molecules to generate − ions. As a result, equal amounts or approximately equal amounts of − ions and + ions are generated in each irradiation region. And the inside of an irradiation area is neutralized by these ions. That is, the mirror unit 65 has a role of supplying static X-rays from the soft X-ray irradiation source 62 in a wider range, generating ions in a wider range in the wafer transfer region 22 and performing static elimination.

上記の熱処理装置１には制御部１０が設けられている。この制御部１０は例えばコンピュータからなり、プログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部を備えていて、前記プログラムには制御部１０から熱処理装置１の各部に制御信号を送り、当該装置１によるウエハＷの搬送及びウエハＷの処理を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。具体的には、軟Ｘ線照射源６２からの軟Ｘ線の給断、処理ユニット３４におけるガスの給断、ヒーター３７への供給電力、ボート移載機構５２によるウエハボート３の搬送、移載機構４によるウエハＷの移載、ステージ１４及びキャリア搬送機構１７、１８によるキャリア２の搬送などの各動作が前記プログラムによって制御される。前記プログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）等の記憶部に格納されて制御部１０にインストールされる。 The heat treatment apparatus 1 is provided with a control unit 10. The control unit 10 includes, for example, a computer and includes a data processing unit including a program, a memory, and a CPU. A control signal is sent from the control unit 10 to each unit of the heat treatment apparatus 1 to the program, and the wafer W by the apparatus 1 is transmitted. Instructions (each step) are incorporated so as to advance the transfer and the processing of the wafer W. Specifically, supply / disconnection of soft X-rays from the soft X-ray irradiation source 62, supply / disconnection of gas in the processing unit 34, supply power to the heater 37, transfer and transfer of the wafer boat 3 by the boat transfer mechanism 52 Operations such as the transfer of the wafer W by the mechanism 4 and the transfer of the carrier 2 by the stage 14 and the carrier transfer mechanisms 17 and 18 are controlled by the program. The program is stored in a storage unit such as a computer storage medium such as a flexible disk, a compact disk, a hard disk, or an MO (magneto-optical disk) and installed in the control unit 10.

続いて、上記の熱処理装置１の動作の一例について説明する。上記のように、キャリア２が熱処理装置１の外部からキャリア搬入出用ステージ１４に搬入され、第１のキャリア搬送機構１７→ストッカ１６→第２のキャリア搬送機構１８→ウエハ移載用ステージ１９の順で搬送される。そして、開閉ドア２５によりキャリア２の蓋体が取り外され、当該開閉ドア２５が開き、キャリア２内がウエハ搬送領域２２に連通する。このとき、２つのウエハボート３のうちの一つが移載用ボート載置台３２に載置されている。 Then, an example of operation | movement of said heat processing apparatus 1 is demonstrated. As described above, the carrier 2 is carried into the carrier carry-in / out stage 14 from the outside of the heat treatment apparatus 1, and the first carrier carrying mechanism 17 → the stocker 16 → the second carrier carrying mechanism 18 → the wafer transfer stage 19. It is conveyed in order. Then, the lid of the carrier 2 is removed by the opening / closing door 25, the opening / closing door 25 is opened, and the inside of the carrier 2 communicates with the wafer transfer region 22. At this time, one of the two wafer boats 3 is mounted on the transfer boat mounting table 32.

ウエハ移載機構４のフォーク４５の先端がキャリア２に向くように旋回台４３が旋回し、進退部４４の前進動作と昇降台４２の昇降動作との協働により各フォーク４５がウエハＷを受け取り、進退部４４が後退する。照射源６２からの軟Ｘ線照射が開始され、軟Ｘ線照射源６２とミラー部６５とが重なるように旋回台４３が旋回し、図６で説明したようにミラー部６５で反射した軟Ｘ線がミラー部６５から放射状に照射される。図７中、鎖線で囲む領域６６は、ミラー部６５で反射された軟Ｘ線が照射される範囲を示している。この反射軟Ｘ線照射領域６６内において、搬送領域２２内に供給されているＮ_２ガスから＋イオン及び−イオンが発生し、これらイオンによって反射軟Ｘ線照射領域６６内の除電が進行する。 The swivel 43 is swung so that the tip of the fork 45 of the wafer transfer mechanism 4 faces the carrier 2, and each fork 45 receives the wafer W by cooperation of the forward movement of the advance / retreat unit 44 and the lift of the lift 42. The advance / retreat unit 44 moves backward. Soft X-ray irradiation from the irradiation source 62 is started, the swivel base 43 turns so that the soft X-ray irradiation source 62 and the mirror unit 65 overlap, and the soft X reflected by the mirror unit 65 as described with reference to FIG. A line is irradiated radially from the mirror unit 65. In FIG. 7, a region 66 surrounded by a chain line indicates a range irradiated with soft X-rays reflected by the mirror unit 65. In the reflected soft X-ray irradiation region 66, + ions and − ions are generated from the N ₂ gas supplied in the transport region 22, and the static elimination in the reflected soft X-ray irradiation region 66 proceeds by these ions.

前記移載用ボート載置台３２に載置されたウエハボート３の上部側にウエハＷを移載するため、昇降台４２が上昇する。これによって、軟Ｘ線照射源６２と、ミラー部６５も上昇し、前記反射軟Ｘ線照射領域６６はウエハ搬送領域２２の上方側へと移動し、この移動した反射軟Ｘ線照射領域６６内においてイオンが発生し、除電が進行する（図８）。また、反射軟Ｘ線照射領域６６内で発生したイオンは、ウエハ搬送領域２２内の不活性ガスの気流により、照射領域６６の外部へと広がり、当該外部でも除電が進行する。 In order to transfer the wafer W onto the upper side of the wafer boat 3 mounted on the transfer boat mounting table 32, the lifting table 42 is raised. As a result, the soft X-ray irradiation source 62 and the mirror unit 65 are also raised, and the reflected soft X-ray irradiation region 66 moves to the upper side of the wafer transfer region 22, and within the moved reflected soft X-ray irradiation region 66. At this time, ions are generated and the charge removal proceeds (FIG. 8). Further, the ions generated in the reflected soft X-ray irradiation region 66 spread to the outside of the irradiation region 66 due to the flow of inert gas in the wafer transfer region 22, and static elimination proceeds outside the irradiation region 66.

昇降台４２の上昇が停止し、フォーク４５の先端が前記ウエハボート３に向くように旋回台４３が旋回して（図９）、進退部４４の前進動作と昇降台４２の昇降動作との協働により、フォーク４５がウエハＷをウエハボート３に受け渡す。然る後、旋回台４３が旋回し、再度ミラー部６５と軟Ｘ線照射源６２とが重なり、軟Ｘ線がミラー部６５により反射される。その状態で、キャリア２から次のウエハＷを受け取るために昇降台４２が下降し、反射軟Ｘ線照射領域６６が下方へ移動する。そして、先のウエハＷの移載時と同様に、フォーク４５はウエハＷを受け取り、ウエハボート３に受け渡す。このようにウエハ移載機構４によるウエハＷの移載が繰り返し行われ、ウエハボート３の上段側から下段側に向けてウエハＷが順に搭載されていく。 The ascending / descending stage 42 stops rising, and the swivel base 43 turns so that the tip of the fork 45 faces the wafer boat 3 (FIG. 9). As a result, the fork 45 delivers the wafer W to the wafer boat 3. Thereafter, the swivel base 43 turns, the mirror portion 65 and the soft X-ray irradiation source 62 overlap again, and the soft X-rays are reflected by the mirror portion 65. In this state, in order to receive the next wafer W from the carrier 2, the elevating table 42 is lowered, and the reflected soft X-ray irradiation region 66 is moved downward. The fork 45 receives the wafer W and transfers it to the wafer boat 3 in the same way as when the wafer W is transferred. In this way, the transfer of the wafer W by the wafer transfer mechanism 4 is repeatedly performed, and the wafers W are sequentially loaded from the upper stage side to the lower stage side of the wafer boat 3.

ウエハ移載用ステージ１９上のキャリア２における全てのウエハＷが、ウエハボート３に移載されて当該キャリア２が空になると、開閉ドア２５が一旦閉じられ、当該キャリア２はストッカ１６へ移される。そして、当該ストッカ１６から後続のキャリア２がウエハ移載用ステージ１９に搬送され、開閉ドア２５が再度開き、先行のキャリア２のウエハＷの移載と同様に、この後続のキャリア２のウエハＷの移載が行われる。 When all the wafers W in the carrier 2 on the wafer transfer stage 19 are transferred to the wafer boat 3 and the carrier 2 becomes empty, the opening / closing door 25 is temporarily closed, and the carrier 2 is transferred to the stocker 16. . Then, the subsequent carrier 2 is transported from the stocker 16 to the wafer transfer stage 19, and the opening / closing door 25 is opened again. Similarly to the transfer of the wafer W of the preceding carrier 2, the wafer W of the subsequent carrier 2 is opened. Is transferred.

図１０は、複数個目にウエハ移載用ステージ１９に載置されたキャリア２から最後のウエハＷを受け取ったウエハ移載機構４を示しており、上記のようにミラー部６５と軟Ｘ線照射源６２とが重なった状態で、ウエハボート３の下段側にウエハＷを受け渡すために昇降台４２が下降する。下方に移動する反射軟Ｘ線照射領域６６内でイオンが発生し、このイオンが気流に乗って流れ、搬送領域２２内の下方側で除電が進行する。そして、昇降台４２の下降が停止し、ウエハボート３の下段にウエハＷを受け渡し（図１１）、予め設定した枚数のウエハＷをウエハボート３に搭載し終え、例えば照射源６２からの軟Ｘ線の照射が一旦停止する。 FIG. 10 shows the wafer transfer mechanism 4 that has received the last wafer W from the carrier 2 placed on the wafer transfer stage 19 a plurality of times. As described above, the mirror unit 65 and the soft X-rays are shown. In a state where the irradiation source 62 is overlapped, the elevating table 42 is lowered to deliver the wafer W to the lower side of the wafer boat 3. Ions are generated in the reflected soft X-ray irradiation region 66 moving downward, and the ions flow on the air current, and the static elimination proceeds on the lower side in the transport region 22. Then, the descent of the lift 42 is stopped, the wafer W is transferred to the lower stage of the wafer boat 3 (FIG. 11), and a predetermined number of wafers W are mounted on the wafer boat 3, and the soft X from the irradiation source 62, for example, The irradiation of the line is temporarily stopped.

開閉ドア２５が閉じられ、ウエハ移載用ステージ１９上のキャリア２がストッカ１６に移される一方で、上記のマッピングが行われる。全てのウエハＷが正常にウエハボート３に搭載されていると判定されると、ウエハボート３は移載用ボート載置台３２からボート昇降機構３８に搬送され、処理ユニット３４に搬入される。そして、ウエハＷが加熱された状態で、ウエハＷに各ガスが供給されてＳｉＮ膜が形成される。この熱処理後、ウエハボート３はボート昇降機構３８→待機用ボート載置台３３→移載用ボート載置台３２の順で搬送され、ウエハ移載機構４は、キャリア２からウエハボート３へウエハＷを移載する場合と逆の動作で、ウエハボート３のウエハＷをキャリア２へ移載する。 The opening / closing door 25 is closed, and the carrier 2 on the wafer transfer stage 19 is moved to the stocker 16 while the above mapping is performed. When it is determined that all the wafers W are normally loaded on the wafer boat 3, the wafer boat 3 is transferred from the transfer boat mounting table 32 to the boat lifting mechanism 38 and loaded into the processing unit 34. Then, in a state where the wafer W is heated, each gas is supplied to the wafer W to form a SiN film. After this heat treatment, the wafer boat 3 is transported in the order of the boat lifting mechanism 38 → the standby boat mounting table 33 → the transfer boat mounting table 32, and the wafer transfer mechanism 4 transfers the wafer W from the carrier 2 to the wafer boat 3. The wafer W of the wafer boat 3 is transferred to the carrier 2 by the reverse operation to the case of transfer.

このキャリア２への移載が開始されると共に、例えば軟Ｘ線の照射が再度開始され、ウエハＷの移載動作に伴う昇降台４２の昇降によって、反射軟Ｘ線照射領域６６がウエハ搬送領域２２を上下方向に移動し、当該ウエハ搬送領域２２の上下方向における除電が進行する。図１２は、そのキャリア２への移載において、ウエハボート３の上段側に搭載されていたウエハＷをフォーク４５が受け取っており、当該ウエハＷをキャリア２に戻すために昇降台４２が下降する状態を示している。この昇降台４２の下降によって、反射軟Ｘ線照射領域６６が下降する。 When the transfer to the carrier 2 is started, the soft X-ray irradiation is started again, for example, and the reflection soft X-ray irradiation region 66 is moved to the wafer transfer region by the lifting and lowering of the lift 42 accompanying the transfer operation of the wafer W. 22 is moved in the vertical direction, and static elimination in the vertical direction of the wafer transfer region 22 proceeds. In FIG. 12, in the transfer to the carrier 2, the fork 45 receives the wafer W mounted on the upper side of the wafer boat 3, and the elevating platform 42 is lowered to return the wafer W to the carrier 2. Indicates the state. The reflected soft X-ray irradiation region 66 is lowered by the lowering of the lift 42.

図１３は、ウエハボート３の下段側に搭載されていたウエハＷをフォーク４５が受け取っており、当該ウエハＷをキャリア２に戻すために昇降台４２が上昇する状態を示している。昇降台４２の上昇によって反射軟Ｘ線照射領域６６が上昇する。従って、キャリア２からウエハボート３への移載時と同様に、このキャリア２への移載時においてもウエハ搬送領域２２内の上下方向の広い範囲においてイオンが発生して、除電が行われる。ウエハボート３の全てのウエハＷをキャリア２へ移載すると、例えば軟Ｘ線の照射が停止する。ウエハＷが移載されたキャリア２は、熱処理装置１への搬入時とは逆の経路を通って装置１から搬出される。 FIG. 13 shows a state in which the fork 45 receives the wafer W mounted on the lower side of the wafer boat 3, and the elevator 42 is raised to return the wafer W to the carrier 2. The reflected soft X-ray irradiation region 66 rises as the elevator 42 is raised. Therefore, similarly to the transfer from the carrier 2 to the wafer boat 3, the ions are generated in a wide range in the vertical direction in the wafer transfer region 22 during the transfer to the carrier 2, and the static elimination is performed. When all the wafers W of the wafer boat 3 are transferred to the carrier 2, for example, the soft X-ray irradiation is stopped. The carrier 2 on which the wafer W is transferred is unloaded from the apparatus 1 through a path opposite to that when the wafer W is loaded into the heat treatment apparatus 1.

この熱処理装置１によれば、軟Ｘ線照射源６２より照射される軟Ｘ線をミラー部６５により反射させて、ウエハ搬送領域２２内に照射している。反射して、拡散した軟Ｘ線が照射される照射領域６６内のＮ_２ガスがイオン化するため、背景技術の項目で述べたように、区画されたイオン供給ユニット内に発生したイオンを送風によりウエハ搬送領域２２に供給する手法に比べて、ウエハ搬送領域２２に到達するまでにイオンが消費されることが抑えられる。また、ウエハ搬送領域２２内で−イオンが生じるため、前記イオン供給ユニット内で−イオンを発生させる場合に比べてウエハ搬送領域２２内に供給される−イオンが＋イオンに対して少なくなることが防がれ、当該ウエハ搬送領域２２内における＋イオンと−イオンとのバランスが偏りにくい。そのため、ウエハ搬送領域２２内の除電を確実に行うことができる。結果として、ウエハＷに形成された半導体デバイスの静電破壊や当該ウエハＷへのパーティクルの付着を抑えることができ、前記半導体デバイスの歩留りの低下を抑えることができる。また、ミラー部６５により比較的広範囲に軟Ｘ線を供給することができるので、ウエハ搬送領域２２が広くても軟Ｘ線照射源６２を設ける個数を抑えることができる。従って、熱処理装置１の製造コストを抑えることができる。 According to the heat treatment apparatus 1, the soft X-rays irradiated from the soft X-ray irradiation source 62 are reflected by the mirror unit 65 and irradiated into the wafer transfer region 22. Since the N ₂ gas in the irradiation region 66 that is reflected and irradiated with the diffused soft X-rays is ionized, ions generated in the partitioned ion supply unit are blown out as described in the background art section. Compared to the method of supplying to the wafer transfer area 22, it is possible to suppress the consumption of ions until the wafer transfer area 22 is reached. Further, since − ions are generated in the wafer transfer region 22, − ions supplied into the wafer transfer region 22 may be less than + ions compared to the case where − ions are generated in the ion supply unit. This prevents the balance between + ions and − ions in the wafer transfer region 22 from being biased. Therefore, the charge removal in the wafer transfer region 22 can be performed reliably. As a result, electrostatic breakdown of the semiconductor device formed on the wafer W and adhesion of particles to the wafer W can be suppressed, and a decrease in yield of the semiconductor device can be suppressed. Further, since the soft X-rays can be supplied in a relatively wide range by the mirror unit 65, the number of the soft X-ray irradiation sources 62 provided can be suppressed even if the wafer transfer region 22 is wide. Therefore, the manufacturing cost of the heat treatment apparatus 1 can be suppressed.

さらに熱処理装置１では、軟Ｘ線照射源６２及びミラー部６５をウエハ移載機構４に設け、当該ウエハ移載機構４の昇降台４２の昇降動作を利用して、上下方向に軟Ｘ線の反射軟Ｘ線照射領域６６を移動させている。従って、搬送領域２２内においてイオンが発生する領域が、より広くなる。言い換えれば、除電を行うために必要な軟Ｘ線照射源６２の個数を、より確実に抑えることができる。そのように軟Ｘ線照射源６２及びミラー部６５を昇降させるために、専用の昇降機構を設けてもよいが、このようにウエハ移載機構４の昇降台４２の昇降を利用することで、そのような専用の昇降機構を設けるスペースやコストが不要になるため、有利である。また、ウエハ移載機構４によるキャリア２とウエハボート３との間のウエハＷの移載動作時に軟Ｘ線を照射している。除電を目的とするためだけに、軟Ｘ線照射を行いながら昇降台４２を昇降させてもよいが、このように除電と移載動作とを並行して行うようにすることで、スループットの向上を図ることができる。 Further, in the heat treatment apparatus 1, the soft X-ray irradiation source 62 and the mirror unit 65 are provided in the wafer transfer mechanism 4, and soft X-rays are emitted in the vertical direction using the lifting operation of the lifting platform 42 of the wafer transfer mechanism 4. The reflected soft X-ray irradiation area 66 is moved. Therefore, a region where ions are generated in the transport region 22 becomes wider. In other words, the number of soft X-ray irradiation sources 62 necessary for performing static elimination can be more reliably suppressed. In order to raise and lower the soft X-ray irradiation source 62 and the mirror unit 65 as described above, a dedicated lifting mechanism may be provided, but by using the lifting and lowering of the lifting platform 42 of the wafer transfer mechanism 4 in this way, This is advantageous because it eliminates the need for a space and cost for providing such a dedicated lifting mechanism. Further, soft X-rays are irradiated during the transfer operation of the wafer W between the carrier 2 and the wafer boat 3 by the wafer transfer mechanism 4. The lift 42 may be raised and lowered while performing soft X-ray irradiation only for the purpose of static elimination. However, by performing the static elimination and the transfer operation in parallel in this way, throughput is improved. Can be achieved.

また、軟Ｘ線を照射するタイミングはウエハＷの移載時に限られず、例えばマッピングを行うときであってもよい。具体的に説明すると、軟Ｘ線照射源６２は、上記のように移載用ボート載置台３２に保持されたウエハボート３にフォーク４５の先端が向いたときにミラー部６５に重なるように、昇降台４２に設けておくものとする。そして、ウエハＷを既述のようにキャリア２からウエハボート３に移載した後、図４で説明した投光部４８及び受光部４９を設けたフォーク４５をウエハボート３の最上段のウエハＷよりも上側に位置させる。投光部４８から受光部４９へ光を照射すると共に、軟Ｘ線照射源６２から軟Ｘ線を照射する。ミラー部６５により当該軟Ｘ線が反射し、拡散されて、ウエハ搬送領域２２の上部側に形成された反射軟Ｘ線照射領域６６内にイオンが生じる。このイオンは、ウエハ搬送領域２２内の気流により、ウエハ搬送領域２２内を横方向に拡散される。 Further, the timing of irradiating the soft X-ray is not limited to when the wafer W is transferred, and may be, for example, when mapping is performed. More specifically, the soft X-ray irradiation source 62 overlaps the mirror unit 65 when the tip of the fork 45 faces the wafer boat 3 held on the transfer boat mounting table 32 as described above. It is assumed that it is provided on the lifting platform 42. Then, after the wafer W is transferred from the carrier 2 to the wafer boat 3 as described above, the fork 45 provided with the light projecting unit 48 and the light receiving unit 49 described with reference to FIG. It is located on the upper side. Light is emitted from the light projecting unit 48 to the light receiving unit 49, and soft X-rays are emitted from the soft X-ray irradiation source 62. The soft X-rays are reflected and diffused by the mirror unit 65, and ions are generated in the reflected soft X-ray irradiation region 66 formed on the upper side of the wafer transfer region 22. The ions are diffused laterally in the wafer transfer region 22 by the airflow in the wafer transfer region 22.

その後、前記フォーク４５がウエハボート３の最下段のウエハＷよりも下側に位置するように昇降台４２を下降させ、既述のマッピングを行う（図１４）。この下降時に前記反射軟Ｘ線照射領域６６も下降し、ウエハ搬送領域２２の上下に比較的広い範囲で除電を行うことができる。例えばこのようにマッピングを行うために昇降台４２が下降するときを除いて、軟Ｘ線照射源６２からの軟Ｘ線の照射は停止する。このようなマッピング及び軟Ｘ線照射は、ウエハボート３からキャリア２へ、ウエハＷを移載する際に行ってもよい。 Thereafter, the lifting platform 42 is lowered so that the fork 45 is positioned below the lowermost wafer W of the wafer boat 3, and the above-described mapping is performed (FIG. 14). At the time of the lowering, the reflected soft X-ray irradiation area 66 is also lowered, and the static elimination can be performed in a relatively wide range above and below the wafer transfer area 22. For example, the soft X-ray irradiation from the soft X-ray irradiation source 62 is stopped except when the elevating table 42 is lowered to perform mapping in this way. Such mapping and soft X-ray irradiation may be performed when the wafer W is transferred from the wafer boat 3 to the carrier 2.

上記の各例では軟Ｘ線は、ウエハＷの移載時またはマッピング時にのみ照射しているが、熱処理装置１の稼働中において常時照射するようにしてもよい。ただし、ウエハ搬送領域２２内の各部品の劣化や装置の運用コストの低下を図るために、上記の各例のように照射と非照射とを切り替える方が有利である。 In each of the above examples, the soft X-ray is irradiated only when the wafer W is transferred or mapped, but may be always irradiated while the heat treatment apparatus 1 is in operation. However, it is advantageous to switch between irradiation and non-irradiation as in the above examples in order to reduce the components in the wafer transfer region 22 and reduce the operating cost of the apparatus.

（第２の実施形態）
ところで、上記のＦＦＵ５３、５４及び気体吸入部５５に軟Ｘ線の照射がされないようにすることで、これらＦＦＵ５３、５４及び気体吸入部５５を構成する樹脂の劣化を抑えることができ、これらＦＦＵ５３、５４及び気体吸入部５５の寿命を延ばして、交換する頻度を低減させることができる。また、前記昇降機構４１を構成するボールねじ４６の表面にはグリスが塗布されている。このグリスに軟Ｘ線が照射されないようにすることで、その交換あるいは補充を行う頻度を下げることができる。第２の実施形態においては、このようにＦＦＵ５３、５４、気体吸入部５５及び昇降機構４１に軟Ｘ線が照射されないように熱処理装置１が構成される。以下、第１の実施形態との差異点を中心に、第２の実施形態について説明する。 (Second Embodiment)
By the way, the above-mentioned FFUs 53 and 54 and the gas suction part 55 are prevented from being irradiated with soft X-rays, so that the deterioration of the resin constituting the FFU 53 and 54 and the gas suction part 55 can be suppressed. 54 and the gas suction part 55 can be extended in service life and the frequency of replacement can be reduced. Further, grease is applied to the surface of the ball screw 46 constituting the elevating mechanism 41. By preventing the grease from being irradiated with soft X-rays, the frequency of replacement or replenishment can be reduced. In the second embodiment, the heat treatment apparatus 1 is configured so that the soft X-rays are not irradiated to the FFUs 53 and 54, the gas suction unit 55, and the elevating mechanism 41 as described above. Hereinafter, the second embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment.

図１５は、この第２の実施形態の熱処理装置１のウエハ移載機構４の斜視図である。第２の実施形態においても、上記の軟Ｘ線照射源６２が支持部６１により昇降台４２に支持されるが、第１の実施形態と異なり、当該軟Ｘ線照射源６２は横方向に軟Ｘ線を照射するように支持される。そして、昇降台４２にはミラー部６５が設けられておらず、その代わりに支持部６１にミラー部７１が設けられている。ミラー部７１は、鉛直方向に伸びる三角柱状に形成され、図１６のウエハ搬送領域２２の平面図に示すように、平面視正三角形に構成されている。例えば軟Ｘ線照射源６２のＸ線の照射軸上に前記正三角形の頂点の一つが配置され、当該照射軸の延長線（図１６中、二点鎖線で表示）により前記正三角形が２等分されるように、ミラー部７１及び軟Ｘ線照射源６２が配置されている。 FIG. 15 is a perspective view of the wafer transfer mechanism 4 of the heat treatment apparatus 1 of the second embodiment. Also in the second embodiment, the soft X-ray irradiation source 62 is supported on the lift 42 by the support portion 61. However, unlike the first embodiment, the soft X-ray irradiation source 62 is soft in the lateral direction. Supported to irradiate X-rays. And the mirror part 65 is not provided in the lifting platform 42, but the mirror part 71 is provided in the support part 61 instead. The mirror unit 71 is formed in a triangular prism shape extending in the vertical direction, and is configured in a regular triangle in plan view as shown in the plan view of the wafer transfer region 22 in FIG. For example, one of the vertices of the equilateral triangle is arranged on the X-ray irradiation axis of the soft X-ray irradiation source 62, and the equilateral triangle becomes 2 etc. by an extension line of the irradiation axis (indicated by a two-dot chain line in FIG. 16). As shown, a mirror unit 71 and a soft X-ray irradiation source 62 are arranged.

ミラー部７１の側面は軟Ｘ線を反射できるように構成され、反射された軟Ｘ線はウエハ搬送領域２２内を前後方向に照射される。つまり、ミラー部７１は、軟Ｘ線照射源６２から見て、左右に軟Ｘ線が分かれて反射されるように構成されている。そして、このように左右に分かれて形成される反射軟Ｘ線照射領域７２、７２の間に、昇降機構４１が位置している。前記反射軟Ｘ線照射領域７２は、図１６、図１７に示すように、平面視、側面視共に扇状となる。図１７に示す、側面から見た照射領域７２の中心角θ１は例えば１３０°である。 The side surface of the mirror unit 71 is configured so as to be able to reflect soft X-rays, and the reflected soft X-rays are irradiated in the wafer transfer region 22 in the front-rear direction. In other words, the mirror unit 71 is configured such that the soft X-rays are divided and reflected to the left and right as viewed from the soft X-ray irradiation source 62. And the raising / lowering mechanism 41 is located between the reflection soft X-ray irradiation areas 72 and 72 formed by dividing into right and left in this way. As shown in FIGS. 16 and 17, the reflection soft X-ray irradiation region 72 has a fan shape in both a plan view and a side view. The central angle θ1 of the irradiation region 72 viewed from the side surface shown in FIG. 17 is, for example, 130 °.

前記図１６に示すように、前記反射軟Ｘ線照射領域７２は、ＦＦＵ５３、５４、気体吸入部５５及び昇降機構４１から外れている。従って、これらＦＦＵ５３、５４、気体吸入部５５を交換したり、昇降機構４１のボールねじ４６の表面の前記グリスの交換や補充を行ったりするために、熱処理装置１の動作を停止させる頻度を低下させることができる。結果として、熱処理装置１の生産性を高めることができる。 As shown in FIG. 16, the reflected soft X-ray irradiation region 72 is separated from the FFUs 53 and 54, the gas suction part 55, and the elevating mechanism 41. Accordingly, the frequency of stopping the operation of the heat treatment apparatus 1 is decreased in order to replace the FFUs 53 and 54 and the gas suction part 55 or to replace or replenish the grease on the surface of the ball screw 46 of the elevating mechanism 41. Can be made. As a result, the productivity of the heat treatment apparatus 1 can be increased.

この第２の実施形態の熱処理装置１としては、上記のようにミラー部７１及びＸ線照射源６２の構成が異なることを除いて、第１の実施形態の熱処理装置１と同様に構成される。また、軟Ｘ線を照射するタイミングについても、第１の実施形態で説明したような各タイミングで照射するようことができる。従って、この第２の実施形態においても、昇降台４２の昇降動作により、前記反射軟Ｘ線照射領域７２を上下に移動させて、ウエハ搬送領域２２内における広い範囲でイオンを発生させ、当該ウエハ搬送領域２２内の除電を確実に行うことができる。 The heat treatment apparatus 1 of the second embodiment is configured in the same manner as the heat treatment apparatus 1 of the first embodiment except that the configurations of the mirror unit 71 and the X-ray irradiation source 62 are different as described above. . Also, the timing of irradiating soft X-rays can be irradiated at each timing as described in the first embodiment. Accordingly, also in the second embodiment, the reflected soft X-ray irradiation region 72 is moved up and down by the lifting and lowering operation of the lifting platform 42 to generate ions in a wide range within the wafer transfer region 22, and the wafer The charge removal in the transfer area 22 can be reliably performed.

また、前記ミラー部７１を支持する支持部６１にミラー部移動機構を設け、軟Ｘ線照射源６２から軟Ｘ線を照射中に、ミラー部７１を例えば三角柱の中心軸まわりに回転するようにしてもよい。これによって、反射軟Ｘ線の照射領域７２の向きが変化し、ウエハ搬送領域２２の広い範囲に軟Ｘ線を照射することができる。この回転は、例えば前記ＦＦＵ５３、５４、気体吸入部５５及び昇降機構４１が、照射領域７２に入らないように行われる。また、ミラー部７１を前記ミラー部移動機構により軟Ｘ線照射源６２に対して水平方向に移動させて、照射領域７２のウエハ搬送領域２２内における位置を変化させてもよい。 In addition, a mirror unit moving mechanism is provided in the support unit 61 that supports the mirror unit 71, and the mirror unit 71 is rotated, for example, around the central axis of a triangular prism during soft X-ray irradiation from the soft X-ray irradiation source 62. May be. As a result, the direction of the reflection soft X-ray irradiation area 72 changes, and the wide area of the wafer transfer area 22 can be irradiated with soft X-rays. This rotation is performed so that, for example, the FFUs 53 and 54, the gas suction part 55, and the elevating mechanism 41 do not enter the irradiation region 72. Further, the position of the irradiation area 72 in the wafer transfer area 22 may be changed by moving the mirror section 71 in the horizontal direction with respect to the soft X-ray irradiation source 62 by the mirror movement mechanism.

ミラー部の構成としては上記の例に限られず、図１８のような構成であってもよい。図１８に示すミラー部７３は、平面で見て直角二等辺三角形に構成されることを除いて、ミラー部７３と同様に構成されている。図１８及び図１６に示すように、ミラー部の形状によって反射軟Ｘ線照射領域７２が変化する。所望の反射軟Ｘ線照射領域７２に応じてミラー部の形状は適宜設計される。 The configuration of the mirror unit is not limited to the above example, and a configuration as shown in FIG. 18 may be used. The mirror unit 73 shown in FIG. 18 is configured in the same manner as the mirror unit 73 except that the mirror unit 73 is configured as a right isosceles triangle when viewed in plan. As shown in FIGS. 18 and 16, the reflected soft X-ray irradiation region 72 changes depending on the shape of the mirror portion. The shape of the mirror portion is appropriately designed according to the desired reflection soft X-ray irradiation region 72.

ミラー部のさらに他の構成例を説明する。図１９はミラー部７４の斜視図である。また、図２０、図２１には、夫々ミラー部７４の縦断側面、横断平面を夫々示している。ミラー部７４は、下方に向かって尖頭するようにウエハ移載機構４の旋回台４３の下面から突出している。ミラー部７４の横断平面は、互いに向かい合う２つの面が曲面である凹レンズ状に形成され、ミラー部７４の側面は凹曲面をなす。このミラー部７４に軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線照射源６２は、第１の実施形態と同様に、上方に向けて軟Ｘ線を照射するように支持部６１を介して昇降台４２に設けられているが、煩雑化を避けるために図１９〜図２１ではこの支持部６１の図示を省略している。 Still another configuration example of the mirror unit will be described. FIG. 19 is a perspective view of the mirror portion 74. 20 and 21 show the longitudinal side surface and the transverse plane of the mirror portion 74, respectively. The mirror part 74 protrudes from the lower surface of the turntable 43 of the wafer transfer mechanism 4 so as to be pointed downward. The transverse plane of the mirror part 74 is formed in a concave lens shape in which two surfaces facing each other are curved surfaces, and the side surface of the mirror part 74 forms a concave curved surface. The soft X-ray irradiation source 62 for irradiating the mirror part 74 with soft X-rays is applied to the lifting platform 42 via the support part 61 so as to irradiate the soft X-rays upward as in the first embodiment. Although provided, in order to avoid complication, illustration of this support part 61 is abbreviate | omitted in FIGS.

図１９〜図２１では、照射された軟Ｘ線の経路を点線の矢印で示している。図２０に示すように、第１の実施形態と同様に、軟Ｘ線照射源６２から照射された軟Ｘ線は水平方向及び斜め下方へ向けて反射される。図２１に示すように平面で見ると、図１６に示したミラー部７１と同様に、反射軟Ｘ線の照射領域は扇状となる。ミラー部７１と同様に当該照射領域は、ＦＦＵ５３、５４、気体吸入部５５及び昇降機構４１から外れるように形成される。 19 to 21, the path of the irradiated soft X-ray is indicated by a dotted arrow. As shown in FIG. 20, the soft X-rays irradiated from the soft X-ray irradiation source 62 are reflected in the horizontal direction and obliquely downward as in the first embodiment. When viewed in plan as shown in FIG. 21, the irradiated area of the reflected soft X-ray has a fan-like shape, like the mirror unit 71 shown in FIG. Similar to the mirror unit 71, the irradiation region is formed so as to be separated from the FFUs 53 and 54, the gas suction unit 55, and the lifting mechanism 41.

（第３の実施形態）
ところで、この熱処理装置１では、ウエハＷがウエハボート３に上下方向に搭載されるため、ウエハＷの移動路は上下方向に比較的長い。そのため、第１、第２の実施形態では、反射した軟Ｘ線の照射領域を昇降させることで、その上下の移動路に軟Ｘ線を照射し、この移動路を通過する各ウエハＷの帯電が抑えられるように構成されているが、各ウエハＷの帯電を抑えることができればよいため、そのように軟Ｘ線の照射領域を移動させることには限られない。図２２には、第３の実施形態として上記のミラー部７１と軟Ｘ線照射源６２の他の配置例を示しており、この例ではこれらミラー部７１及び軟Ｘ線照射源６２は、ウエハ搬送領域２２に固定されて設けられている。軟Ｘ線照射源６２は上方向に軟Ｘ線を照射し、ミラー部７１は横方向に軟Ｘ線を反射して拡散させる。この反射した軟Ｘ線は、ボート昇降機構３８により昇降されるウエハボート３に照射される。例えばボート昇降機構３８の昇降時に、照射源６２から軟Ｘ線が照射され、ミラー部７１により、ウエハボート３に保持されたウエハＷに照射される。ウエハボート３が昇降しているため、全てのウエハＷに軟Ｘ線が照射され、除電を行うことができる。 (Third embodiment)
By the way, in this heat treatment apparatus 1, since the wafer W is mounted on the wafer boat 3 in the vertical direction, the moving path of the wafer W is relatively long in the vertical direction. Therefore, in the first and second embodiments, the reflected soft X-ray irradiation area is moved up and down to irradiate the upper and lower moving paths with soft X-rays and charge the wafers W passing through the moving path. However, since it is sufficient that charging of each wafer W can be suppressed, the soft X-ray irradiation region is not limited to such movement. FIG. 22 shows another arrangement example of the mirror unit 71 and the soft X-ray irradiation source 62 as a third embodiment. In this example, the mirror unit 71 and the soft X-ray irradiation source 62 are arranged on a wafer. It is fixed to the transfer area 22. The soft X-ray irradiation source 62 emits soft X-rays upward, and the mirror unit 71 reflects and diffuses soft X-rays in the lateral direction. The reflected soft X-rays are applied to the wafer boat 3 that is lifted and lowered by the boat lift mechanism 38. For example, when the boat elevating mechanism 38 is raised and lowered, soft X-rays are emitted from the irradiation source 62, and the wafer W held on the wafer boat 3 is irradiated by the mirror unit 71. Since the wafer boat 3 is moved up and down, all the wafers W are irradiated with soft X-rays, and static elimination can be performed.

ミラー部７１及び軟Ｘ線照射源６２は、上記のようにウエハ搬送領域２２に固定することに限られず、第２の実施形態と同様ミラー部７１及び軟Ｘ線照射源６２をウエハ移載機構４に設け、昇降台４２と共に移動するように構成してもよい。また、この第３の実施形態において、ボート昇降機構３８が昇降するときを除いて軟Ｘ線照射源６２からの照射を停止するようにしてもよいし、軟Ｘ線照射源６２から常時、照射を行うようにしてもよい。 The mirror unit 71 and the soft X-ray irradiation source 62 are not limited to being fixed to the wafer transfer region 22 as described above, and the mirror unit 71 and the soft X-ray irradiation source 62 are moved to the wafer transfer mechanism as in the second embodiment. 4 and may be configured to move together with the elevator 42. In the third embodiment, the irradiation from the soft X-ray irradiation source 62 may be stopped except when the boat elevating mechanism 38 moves up and down, or the irradiation from the soft X-ray irradiation source 62 is always performed. May be performed.

（第４の実施形態）
軟Ｘ線照射源６２及びこの軟Ｘ線を拡散させるためのミラー部は、搬送領域２２の外側に配置してもよい。図２３に示す例では、上記のミラー部７１及び軟Ｘ線照射源６２を搬送領域２２の外部に配置し、照射源６２からの軟Ｘ線をミラー部７１が上下方向に反射して拡散させている。そして、その反射した軟Ｘ線をミラー部７５、７６が横方向に反射させ、筐体１１の側壁に設けられた例えば石英からなる軟Ｘ線の透過部材７７を介して、ウエハ搬送領域２２に照射している。 (Fourth embodiment)
The soft X-ray irradiation source 62 and the mirror part for diffusing this soft X-ray may be arranged outside the transport region 22. In the example shown in FIG. 23, the mirror unit 71 and the soft X-ray irradiation source 62 described above are arranged outside the transport region 22, and the soft X-rays from the irradiation source 62 are reflected and diffused in the vertical direction by the mirror unit 71. ing. Then, the reflected soft X-rays are reflected by the mirror portions 75 and 76 in the lateral direction, and enter the wafer transfer region 22 via a soft X-ray transmission member 77 made of, for example, quartz provided on the side wall of the housing 11. Irradiating.

さらに他の実施形態として、軟Ｘ線照射源６２を横方向に軟Ｘ線を照射するようにウエハ搬送領域２２に設け、第２の実施形態で説明したミラー部７１を、この軟Ｘ線照射源６２からの軟Ｘ線を上下方向に反射するように配置する。そして、このミラー部７１及び軟Ｘ線照射源６２をミラー部７１の反射方向と交差する方向、つまり横方向に移動させるような移動機構を設け、反射軟Ｘ線照射領域７２を移動させ、ウエハ搬送領域２２内の広い範囲で除電を行うようにしてもよい。 As still another embodiment, the soft X-ray irradiation source 62 is provided in the wafer transfer region 22 so as to irradiate soft X-rays in the lateral direction, and the mirror unit 71 described in the second embodiment is provided with this soft X-ray irradiation. It arrange | positions so that the soft X-ray from the source 62 may be reflected in an up-down direction. Then, a moving mechanism for moving the mirror unit 71 and the soft X-ray irradiation source 62 in a direction intersecting with the reflection direction of the mirror unit 71, that is, in a lateral direction is provided to move the reflected soft X-ray irradiation region 72, and the wafer. You may make it perform static elimination in the wide range in the conveyance area | region 22. FIG.

上記の各実施形態は、互いに組み合わせることができる。本発明は、帯電する基板を搬送する基板処理装置に適用することができる。つまり、半導体であるウエハＷを処理することに限られず、ガラス基板などの絶縁体である基板に処理を行う装置にも適用することができる。また、本発明は熱処理を行う装置に適用することにも限られない。例えば筐体内に囲まれたカップ内にて、ウエハＷにレジスト塗布などの液処理を行うモジュールにおいて、当該筐体内にＸ線照射源６２と例えばミラー部７１とを設け、当該筐体内を除電してもよい。 The above embodiments can be combined with each other. The present invention can be applied to a substrate processing apparatus that transports a substrate to be charged. That is, the present invention is not limited to processing a wafer W that is a semiconductor, but can be applied to an apparatus that performs processing on a substrate that is an insulator such as a glass substrate. Further, the present invention is not limited to being applied to an apparatus that performs heat treatment. For example, in a module that performs liquid processing such as resist coating on the wafer W in a cup surrounded by the casing, an X-ray irradiation source 62 and, for example, a mirror unit 71 are provided in the casing, and the inside of the casing is neutralized. May be.

（評価試験）
上記の実施形態と略同様に構成された熱処理装置１を用いて行われた評価試験について説明する。この評価試験では、図２４に示すように、処理容器３６の開口部３５の下方にセンサヘッド８１を配置した。センサヘッド８１には表面電位計８２が接続されている。ウエハボート３が処理容器３６に搬入出されるにあたり、当該ウエハボート３に保持され、前記センサヘッド８１の正面に位置するウエハＷの電位が、表面電位計８２により計測できる。ウエハ搬送領域２２内には、上記の軟Ｘ線照射源６２が設けられ、この軟Ｘ線照射源６２からの軟Ｘ線は搬送領域２２内の所定の場所に照射される。この評価試験では、ミラー部により軟Ｘ線を反射させずに、ウエハ搬送領域２２に供給している。 (Evaluation test)
An evaluation test performed using the heat treatment apparatus 1 configured substantially in the same manner as the above embodiment will be described. In this evaluation test, as shown in FIG. 24, the sensor head 81 was disposed below the opening 35 of the processing container 36. A surface potential meter 82 is connected to the sensor head 81. When the wafer boat 3 is carried into and out of the processing container 36, the potential of the wafer W held on the wafer boat 3 and positioned in front of the sensor head 81 can be measured by the surface potential meter 82. The soft X-ray irradiation source 62 is provided in the wafer transfer region 22, and soft X-rays from the soft X-ray irradiation source 62 are irradiated to a predetermined place in the transfer region 22. In this evaluation test, soft X-rays are not reflected by the mirror part but supplied to the wafer transfer region 22.

評価試験１として、上記の軟Ｘ線を照射しない状態でキャリア２から移載用ボート載置台３２に載置したウエハボート３へ、上記実施形態で説明したようにウエハＷの移載を行い、移載後、当該ウエハボート３をボート昇降機構３８に搬送した。そして、当該ウエハボート３の昇降、下降を５回繰り返し行った後、ウエハボート３をボート昇降機構３８から移載用ボート載置台３２に搬送し、ウエハＷを移載用ボート載置台３２からキャリア２に移載した。このようにウエハボート３へウエハＷを移載してから、ウエハボート３からキャリア２にウエハＷを移載するまでの間、前記表面電位計８２により電位の測定を行った。また、評価試験２としては、このようにキャリア２から搬出されたウエハＷを当該キャリア２に戻すまでの間に、ウエハ搬送領域２２内に軟Ｘ線の照射を行った他は、評価試験１と同様に試験を行った。 As the evaluation test 1, the wafer W is transferred from the carrier 2 to the wafer boat 3 mounted on the transfer boat mounting table 32 without being irradiated with the soft X-ray as described in the above embodiment. After the transfer, the wafer boat 3 was transferred to the boat lifting mechanism 38. Then, after the wafer boat 3 is raised and lowered repeatedly 5 times, the wafer boat 3 is transferred from the boat lifting mechanism 38 to the transfer boat mounting table 32 and the wafer W is transferred from the transfer boat mounting table 32 to the carrier. 2 transferred. The surface potential meter 82 measured the potential after the wafer W was transferred to the wafer boat 3 in this way and before the wafer W was transferred from the wafer boat 3 to the carrier 2. As evaluation test 2, evaluation test 1 was performed except that soft X-ray irradiation was performed in the wafer transfer region 22 until the wafer W thus unloaded from the carrier 2 was returned to the carrier 2. The test was conducted in the same manner as above.

図２５のグラフは評価試験１の結果を示し、図２６のグラフは評価試験２の結果を示す。各グラフの横軸は時間を示し、各グラフに示したａ分〜ｂ分の間にウエハボート３の昇降が、再現性確認のため５回行われている。つまり、この間にウエハＷの周縁部の電位の測定が行われている。また、各グラフの縦軸は表面電位（単位ｋＶ）を示している。評価試験１、２においてａ分〜ｂ分の間に、最も０ｋＶから外れて計測された電位の値は夫々ｃｋＶ、ｄｋＶであり、ｄの絶対値は、ｃの絶対値よりも小さかった。従って、ウエハ搬送領域２２に軟Ｘ線を照射することで、ウエハＷの帯電を抑えることができることが確認された。各実施形態で説明したミラー部により、この軟Ｘ線を拡散させて照射した場合も、同様にウエハ搬送領域２２にイオンを発生させることができるので、この評価試験２の結果と同様に、ウエハＷの帯電を抑えられると推測される。 The graph of FIG. 25 shows the result of the evaluation test 1, and the graph of FIG. The horizontal axis of each graph indicates time, and the wafer boat 3 is moved up and down five times in order to confirm reproducibility between a and b shown in each graph. That is, during this time, the potential of the peripheral edge of the wafer W is measured. The vertical axis of each graph represents the surface potential (unit: kV). In evaluation tests 1 and 2, the value of the potential measured most deviating from 0 kV during a minutes to b minutes was ckV and dkV, respectively, and the absolute value of d was smaller than the absolute value of c. Therefore, it was confirmed that charging of the wafer W can be suppressed by irradiating the wafer transfer region 22 with soft X-rays. Even when the soft X-rays are diffused and irradiated by the mirror portion described in each embodiment, ions can be generated in the wafer transfer region 22 in the same manner. It is estimated that the charging of W can be suppressed.

Ｗウエハ
１熱処理装置
１０制御部
１１筐体
２キャリア
２２ウエハ搬送領域
３ウエハボート
４ウエハ移載機構
４１昇降機構
４２昇降台
４５フォーク
６２軟Ｘ線照射源
６５ミラー部
６６反射軟Ｘ線照射領域 W Wafer 1 Heat treatment apparatus 10 Control unit 11 Housing 2 Carrier 22 Wafer transfer area 3 Wafer boat 4 Wafer transfer mechanism 41 Lifting mechanism 42 Lifting table 45 Fork 62 Soft X-ray irradiation source 65 Mirror part 66 Reflected soft X-ray irradiation area

Claims

In a substrate processing apparatus for carrying in a substrate that is a semiconductor or an insulator from outside, transporting the substrate to a substrate processing unit through a substrate transport region by a transport mechanism, and processing the substrate in the substrate processing unit,
A partition member that partitions the atmosphere in which the substrate is located;
A clean gas supply unit for supplying clean gas into the partition member;
A soft X-ray irradiation source for ionizing the clean gas by irradiating the partition member with soft X-rays having a wavelength of 1 pm to 10 nm to neutralize the inside of the partition member;
And a mirror unit for reflecting the soft X-rays irradiated from the soft X-ray radiation source,
The mirror portion is configured to reflect soft X-rays mainly in one of a vertical direction and a horizontal direction,
A substrate processing apparatus, comprising: a moving mechanism that moves the soft X-ray irradiation source in a direction intersecting a main reflection direction of the soft X-rays in the mirror section.

The moving mechanism is a substrate processing apparatus according to claim 1, characterized in that it also serves the transport mechanism.

In a substrate processing apparatus for carrying in a substrate that is a semiconductor or an insulator from outside, transporting the substrate to a substrate processing unit through a substrate transport region by a transport mechanism, and processing the substrate in the substrate processing unit,
A partition member that partitions the atmosphere in which the substrate is located;
A clean gas supply unit for supplying clean gas into the partition member;
A soft X-ray irradiation source for ionizing the clean gas by irradiating the partition member with soft X-rays having a wavelength of 1 pm to 10 nm to neutralize the inside of the partition member;
And a mirror unit for reflecting the soft X-rays irradiated from the soft X-ray radiation source,
The mirror unit is configured such that soft X-rays are divided and reflected to the left and right when viewed from the soft X-ray irradiation source, and the transport mechanism is provided between soft X-ray irradiation regions that are separately formed to the left and right. The substrate processing apparatus is characterized in that the drive unit is located.

In a substrate processing apparatus for carrying in a substrate that is a semiconductor or an insulator from outside, transporting the substrate to a substrate processing unit through a substrate transport region by a transport mechanism, and processing the substrate in the substrate processing unit,
A partition member that partitions the atmosphere in which the substrate is located;
A clean gas supply unit for supplying clean gas into the partition member;
A soft X-ray irradiation source for ionizing the clean gas by irradiating the partition member with soft X-rays having a wavelength of 1 pm to 10 nm to neutralize the inside of the partition member;
And a mirror unit for reflecting the soft X-rays irradiated from the soft X-ray radiation source,
The substrate processing apparatus, wherein the mirror portion is formed in a columnar shape or a concave curved surface shape.

In a substrate processing apparatus for carrying in a substrate that is a semiconductor or an insulator from outside, transporting the substrate to a substrate processing unit through a substrate transport region by a transport mechanism, and processing the substrate in the substrate processing unit,
A partition member that partitions the atmosphere in which the substrate is located;
A clean gas supply unit for supplying clean gas into the partition member;
A soft X-ray irradiation source for ionizing the clean gas by irradiating the partition member with soft X-rays having a wavelength of 1 pm to 10 nm to neutralize the inside of the partition member;
And a mirror unit for reflecting the soft X-rays irradiated from the soft X-ray radiation source,
A substrate having a mirror part moving mechanism for moving or rotating the mirror part with respect to the soft X-ray irradiation source in order to move the soft X-ray irradiation region reflected from the mirror part. Processing equipment.

The soft X-ray radiation source and the mirror unit, the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, characterized in that provided in the partition member.