KR102267506B1 - Manufacturing method of optical member comprising low-refraction silica coating layer and optical member menufactured by the same - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법에 관한 것이다.The present specification relates to a method of manufacturing an optical member including a low refractive silica coating layer.

Description

저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 광학 부재{MANUFACTURING METHOD OF OPTICAL MEMBER COMPRISING LOW-REFRACTION SILICA COATING LAYER AND OPTICAL MEMBER MENUFACTURED BY THE SAME}Manufacturing method of an optical member including a low-refractive silica coating layer, and an optical member manufactured using the same

본 명세서는 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 광학 부재에 관한 것이다.The present specification relates to a method of manufacturing an optical member including a low refractive silica coating layer and an optical member manufactured using the same.

최근 디스플레이 시장은 전통적인 수요처인 TV, 모니터, 노트북 패널뿐만 아니라, 스마트폰으로 대표되는 모바일 기기, 자동차의 계기판에 이르기까지 급격히 성장하고 있다. 계속 발전하는 디스플레이 기술 중 고객의 만족도에 큰 영향을 주는 스펙으로서, 표면의 반사율을 들 수 있다. 디스플레이의 최외곽에 도입되는 필름의 경우, 일반적으로 프레넬 반사에 의해 4% 내외의 반사율을 가지게 되고, 이와 같은 높은 반사율은 주광 및 조명빛에 노출된 환경에서 디스플레이의 시인성에 악영향을 미치게 된다. 이를 해결하기 위하여 AG(anti-glare) 또는 AR(anti-reflection) 등의 코팅이 도입되고 있으나, AG 코팅의 경우 반사광뿐만 아니라 디스플레이에서 나오는 빛도 분산시키므로, 시인성이 떨어지는 문제가 있으며, AR 코팅은 증착 공정으로 제조되기 때문에 대형화가 어렵고 단가가 높은 단점을 가지고 있다. In recent years, the display market is rapidly growing not only for TVs, monitors, and laptop panels, which are traditional consumers, but also for mobile devices represented by smartphones and automobile dashboards. Among the continuously developing display technologies, one of the specifications that greatly affects customer satisfaction is the reflectance of the surface. In the case of a film introduced to the outermost part of the display, it generally has a reflectance of about 4% due to Fresnel reflection, and such a high reflectance adversely affects the visibility of the display in an environment exposed to daylight and illumination light. To solve this, coatings such as AG (anti-glare) or AR (anti-reflection) are being introduced, but in the case of AG coating, not only reflected light but also light emitted from the display is dispersed, so there is a problem of poor visibility, and AR coating is Since it is manufactured through a deposition process, it has a disadvantage that it is difficult to enlarge it and the unit cost is high.

이에, 낮은 반사율을 가지며, 낮은 가격으로 생산할 수 있는 코팅층에 대한 개발이 필요하다. Accordingly, it is necessary to develop a coating layer that has a low reflectance and can be produced at a low price.

한국 공개 공보: KR 10-2011-0112222 AKorean Publication: KR 10-2011-0112222 A

본 명세서는 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 광학 부재를 제공한다.The present specification provides a method of manufacturing an optical member including a low-refractive silica coating layer and an optical member manufactured using the same.

다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 하기의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시상태는, 용매 및 알콕시 실란을 포함하는 실리카 전구체 분산액을 준비하는 단계; 상기 실리카 전구체 분산액에 산성 촉매를 첨가하여, 실리카 전구체 졸을 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 형성하는 단계; 상기 실리카 전구체 졸 용액과 중공 실리카 입자를 혼합하는 단계; 상기 중공 실리카 입자를 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 기재 상에 도포하는 단계; 상기 기재 상에 도포된 실리카 전구체 졸 용액을 건조시켜 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계; 및 상기 실리카 전구체 졸 층을 염기 촉매에 접촉시켜, 상기 실리카 전구체 졸 층이 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계;를 포함하고, An exemplary embodiment of the present invention comprises the steps of preparing a silica precursor dispersion comprising a solvent and an alkoxy silane; adding an acidic catalyst to the silica precursor dispersion to form a silica precursor sol solution comprising a silica precursor sol; mixing the silica precursor sol solution and hollow silica particles; applying a silica precursor sol solution including the hollow silica particles on a substrate; drying the silica precursor sol solution applied on the substrate to form a silica precursor sol layer; and contacting the silica precursor sol layer with a base catalyst to form the silica precursor sol layer as a low refractive silica coating layer;

상기 모든 공정은 120 ℃ 이하의 분위기에서 수행되는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법을 제공한다. All of the above processes provide a method of manufacturing an optical member including a low-refractive silica coating layer that is performed in an atmosphere of 120° C. or less.

본 발명의 일 실시상태는, 상기 제조방법으로 제조된 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재를 제공한다.An exemplary embodiment of the present invention provides an optical member including a low-refractive silica coating layer prepared by the above manufacturing method.

본 발명의 일 실시상태에 따른 제조방법은 간편하고, 저렴한 방법으로 우수한 성능의 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재를 제조할 수 있다. The manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention can manufacture an optical member including a low-refractive silica coating layer having excellent performance in a simple and inexpensive method.

본 발명의 일 실시상태에 따른 제조방법은 간단한 화학적 처리만을 이용하여, 고온의 열처리 공정이 필요하지 않은 장점이 있다. The manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention has the advantage of not requiring a high-temperature heat treatment process using only a simple chemical treatment.

본 발명의 일 실시상태에 따른 제조방법은 낮은 온도에서 수행되므로, 고분자 기재 상에 직접 저굴절 코팅층이 형성된 광학 부재를 제조할 수 있는 장점이 있다. Since the manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention is performed at a low temperature, there is an advantage in that an optical member having a low refractive index coating layer formed directly on a polymer substrate can be manufactured.

본 발명의 일 실시상태에 따른 제조방법은 코팅 공정을 통하여 수행되므로, 롤투롤 연속 공정을 이용하여 대량 생산이 가능한 이점이 있다. 또한, 본 발명의 일 실시상태에 따른 제조방법은 고온 소성 공정을 이용하지 않고, 모든 공정이 120 ℃ 이하의 분위기에서 수행되므로, 유연한 고분자 기재를 적용하여 롤투롤 연속 공정으로 수행될 수 있다.Since the manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention is performed through a coating process, there is an advantage that mass production is possible using a roll-to-roll continuous process. In addition, the manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention does not use a high-temperature firing process, and since all processes are performed in an atmosphere of 120° C. or less, a flexible polymer substrate may be applied to perform a roll-to-roll continuous process.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member is present between the two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout this specification, when a part "includes" a component, it means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.

본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B"의 기재는, "A 또는 B, 또는 A 및 B"를 의미한다.Throughout this specification, reference to “A and/or B” means “A or B, or A and B”.

본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.The term “step of” or “step of” to the extent used throughout this specification does not mean “step for”.

본 명세서에서 단위 "중량부"는 각 성분간의 중량의 비율을 의미할 수 있다.In the present specification, the unit “parts by weight” may mean a ratio of weight between each component.

본 명세서에 있어서, 입자의 크기는 입도 분석기를 통하여 측정될 수 있다. 나아가, 광학 장비를 이용하여, 입자를 관찰하여 입도 분석기를 통하여 측정된 결과가 올바른지 확인할 수 있다. In the present specification, the size of the particles may be measured through a particle size analyzer. Furthermore, by using optical equipment, it is possible to observe the particles and check whether the results measured through the particle size analyzer are correct.

본 발명자들은 중공 실리카 나노입자와 바인더 수지를 이용하여 저굴절 코팅층을 제조하는 경우, 충분한 저굴절 물성을 달성하기 위하여 중공 실리카 나노입자를 다량 함유시켜야 하여, 물성 테스트 시 중공 실리카 나노입자가 코팅층에서 탈락하는 문제점 및 고분자 매트릭스 대비 중공 실리카 입자의 함량이 과다하여 코팅층 자체의 물성 확보가 곤란한 문제점 등이 있었다. 나아가, 기계적 물성을 향상시키기 위하여 무기 저굴절층을 제조하는 경우 고온의 소성 공정이 수반되어 고분자 기재 상에 직접 저굴절 코팅층을 형성하기 곤란하거나, 고가의 레이저 또는 전자빔 조사 장치, 증착 장치 등을 이용하여 제조 비용이 지나치게 상승하는 문제점을 인식하여, 이를 해결하고자, 본 발명을 개발하기에 이르렀다. The present inventors have found that, when preparing a low-refractive coating layer using hollow silica nanoparticles and a binder resin, a large amount of hollow silica nanoparticles must be contained in order to achieve sufficient low-refractive properties, so that when testing physical properties, the hollow silica nanoparticles fall out of the coating layer There was a problem that it was difficult to secure the physical properties of the coating layer itself due to the excessive content of hollow silica particles compared to the polymer matrix. Furthermore, when an inorganic low refractive index layer is manufactured to improve mechanical properties, it is difficult to form a low refractive index coating layer directly on a polymer substrate due to a high-temperature firing process, or an expensive laser or electron beam irradiation device, vapor deposition device, etc. are used. Recognizing the problem of excessively increasing the manufacturing cost, in order to solve the problem, the present invention was developed.

구체적으로, 본 발명은 고온의 소성 과정을 거치지 않고, 간단한 화학적 처리만으로 중공 실리카 입자를 포함하는 저굴절 실리카 코팅층을 제조할 수 있다. 나아가, 저굴절 실리카 코팅층을 이루는 매트릭스는 중공 실리카 입자와 동종의 실리카 매트릭스이므로, 중공 실리카 입자와 매트릭스와의 결합력이 우수하여 중공 실리카 입자의 탈락을 최소화할 수 있다. 나아가, 본 발명은 고온의 소성 공정을 거치지 않고, 화학적 처리만으로 저굴절 실리카 코팅층을 형성할 수 있으므로, 고분자 기재 상에 직접 저굴절 실리카 코팅층을 형성할 수 있는 큰 장점이 있다.Specifically, according to the present invention, a low-refractive silica coating layer including hollow silica particles can be prepared by simple chemical treatment without a high-temperature sintering process. Furthermore, since the matrix constituting the low-refractive silica coating layer is a silica matrix of the same type as the hollow silica particles, the bonding strength between the hollow silica particles and the matrix is excellent, and thus the separation of the hollow silica particles can be minimized. Furthermore, since the present invention can form a low-refractive silica coating layer only by chemical treatment without a high-temperature sintering process, there is a great advantage in being able to directly form a low-refractive silica coating layer on a polymer substrate.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present specification will be described in more detail.

본 발명의 일 실시상태는, 용매 및 알콕시 실란을 포함하는 실리카 전구체 분산액을 준비하는 단계; 상기 실리카 전구체 분산액에 산성 촉매를 첨가하여, 실리카 전구체 졸을 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 형성하는 단계; 상기 실리카 전구체 졸 용액과 중공 실리카 입자를 혼합하는 단계; 상기 중공 실리카 입자를 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 기재 상에 도포하는 단계; 상기 기재 상에 도포된 실리카 전구체 졸 용액을 건조시켜 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계; 및 상기 실리카 전구체 졸 층을 염기 촉매에 접촉시켜, 상기 실리카 전구체 졸 층이 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계;를 포함하고, An exemplary embodiment of the present invention comprises the steps of preparing a silica precursor dispersion comprising a solvent and an alkoxy silane; adding an acidic catalyst to the silica precursor dispersion to form a silica precursor sol solution comprising a silica precursor sol; mixing the silica precursor sol solution and hollow silica particles; applying a silica precursor sol solution including the hollow silica particles on a substrate; drying the silica precursor sol solution applied on the substrate to form a silica precursor sol layer; and contacting the silica precursor sol layer with a base catalyst to form the silica precursor sol layer as a low refractive silica coating layer;

상기 모든 공정은 120 ℃ 이하의 분위기에서 수행되는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법을 제공한다. All of the above processes provide a method of manufacturing an optical member including a low-refractive silica coating layer that is performed in an atmosphere of 120° C. or less.

실리카 전구체 분산액을 준비하는 단계Preparing a silica precursor dispersion

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 용매 및 알콕시 실란을 포함하는 실리카 전구체 분산액을 준비하는 단계를 포함한다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the method of manufacturing an optical member including the low refractive silica coating layer includes preparing a silica precursor dispersion solution including a solvent and an alkoxy silane.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알콕시 실란의 알콕시기는 탄소수 1 내지 10 이하의 알콕시기인 것일 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알콕시 실란은 테트라에톡시실란(TEOS), 테트라메톡시실란(TMOS), 메톡시트리에톡시실란(MTEOS), 메틸트리메톡시실란(MTMS), 메틸트리에톡시실란(MTES), 트리메톡시페닐실란(TMPS), 트리에톡시페닐실란(TEPS), 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 3-(아크릴로일옥시)프로필트리메톡시실란, 1,2-비스(트리에톡시실란)에탄, 및 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알콕시 실란은 테트라에톡시실란(TEOS)일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the alkoxy group of the alkoxy silane may be an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms or less. Specifically, according to an exemplary embodiment of the present invention, the alkoxy silane is tetraethoxysilane (TEOS), tetramethoxysilane (TMOS), methoxyethoxysilane (MTEOS), methyltrimethoxysilane (MTMS) , methyltriethoxysilane (MTES), trimethoxyphenylsilane (TMPS), triethoxyphenylsilane (TEPS), 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxy Propyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, 3-(acryloyloxy)propyltrimethoxysilane, 1,2-bis(triethoxysilane)ethane, and 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane may include at least one of More specifically, according to an exemplary embodiment of the present invention, the alkoxy silane may be tetraethoxysilane (TEOS).

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 용매는 유기 용매를 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 용매는 끓는점이 50 ℃ 내지 150 ℃인 유기 용매를 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 용매는 물 및 유기 용매를 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the solvent may include an organic solvent. Specifically, according to an exemplary embodiment of the present invention, the organic solvent may include an organic solvent having a boiling point of 50 °C to 150 °C. Specifically, according to an exemplary embodiment of the present invention, the solvent may include water and an organic solvent.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 용매는 알코올계 용매; 케톤계 용매; 및 아세테이트계 용매 중 적어도 1종을 포함하는 유기 용매를 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the solvent is an alcohol-based solvent; ketone solvents; and an organic solvent including at least one of an acetate-based solvent.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알코올계 용매는 에틸알코올, n-프로필알코올, i-프로필알코올, i-부틸알코올, n-부틸알코올 및 t-부틸알코올 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the alcohol-based solvent may include at least one of ethyl alcohol, n-propyl alcohol, i-propyl alcohol, i-butyl alcohol, n-butyl alcohol and t-butyl alcohol.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 케톤계 용매는 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 디메틸 케톤, 메틸이소프로필케톤, 및 아세틸아세톤 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the ketone-based solvent may include at least one of acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, dimethyl ketone, methyl isopropyl ketone, and acetylacetone.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 아세테이트계 용매는 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 프로필아세테이트 및 부틸아세테이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the acetate-based solvent may include at least one of methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, and butyl acetate.

상기 유기 용매는 상기 실리카 전구체 졸의 안정성을 향상시킬 수 있다. 나아가, 상기 유기 용매의 함량은 상기 알콕시 실란의 몰수 대비 2 내지 8배의 몰수로 상기 실리카 전구체 분산액에 포함될 수 있다. The organic solvent may improve the stability of the silica precursor sol. Furthermore, the content of the organic solvent may be included in the silica precursor dispersion in the number of moles 2 to 8 times the number of moles of the alkoxy silane.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 용매는 물과 유기 용매의 혼합 용매일 수 있다. 구체적으로, 상기 용매는 물과 알코올계 용매의 혼합 용매일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the solvent may be a mixed solvent of water and an organic solvent. Specifically, the solvent may be a mixed solvent of water and an alcohol-based solvent.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 분산액은 필요에 따라 실리카, 세리아, 티타니아 및 지르코니아 중 적어도 하나를 포함하는 나노입자를 더 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the silica precursor dispersion may further include nanoparticles including at least one of silica, ceria, titania, and zirconia, if necessary.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 분산액은 필요에 따라 불소계 슬립제(slip agent) 및/또는 실리콘계 슬립제(slip agent)를 더 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the silica precursor dispersion may further include a fluorine-based slip agent and/or a silicone-based slip agent, if necessary.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 분산액은 필요에 따라 건조 지연제를 더 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the silica precursor dispersion may further include a drying retardant if necessary.

실리카 전구체 졸 용액을 형성하는 단계forming a silica precursor sol solution;

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 상기 실리카 전구체 분산액에 산성 촉매를 첨가하여, 실리카 전구체 졸을 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 형성하는 단계를 포함한다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the method for manufacturing an optical member including the low refractive silica coating layer includes the step of adding an acidic catalyst to the silica precursor dispersion to form a silica precursor sol solution including the silica precursor sol do.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸을 형성하는 단계는, 상기 실리카 전구체 분산액의 pH를 0 내지 5로 조절하는 것을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 실리카 전구체 분산액의 pH를 0 내지 5로 조절하여, 실리카 전구체 졸을 형성할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the forming of the silica precursor sol may include adjusting the pH of the silica precursor dispersion to 0 to 5. Specifically, by adjusting the pH of the silica precursor dispersion to 0 to 5, a silica precursor sol may be formed.

구체적으로, 상기 산성 촉매는 상기 실리카 전구체 분산액의 pH를 조절하여, 상기 실리카 전구체 분산액에 포함된 알콕시 실란을 비롯한 실리카 전구체를 졸화 시킬 수 있다. Specifically, the acid catalyst may adjust the pH of the silica precursor dispersion to solize the silica precursor including the alkoxy silane included in the silica precursor dispersion.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 산성 촉매는 염산, 황산, 플루오르황산, 질산, 인산, 아세트산, 헥사플루오르인산, p-톨루엔설폰산 및 트리플루오로메탄술폰산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the acid catalyst may include at least one of hydrochloric acid, sulfuric acid, fluorosulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, hexafluorophosphoric acid, p-toluenesulfonic acid, and trifluoromethanesulfonic acid.

상기 산성 촉매의 함량은 상기 실리카 전구체 분산액의 pH가 0 내지 5가 되도록 적절히 조절하여 첨가될 수 있다. The content of the acid catalyst may be added by appropriately adjusting the pH of the silica precursor dispersion to be 0 to 5.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 산성 촉매는 상기 실리카 전구체를 가수분해하여 하기 일반식 1로 표시되는 실리카 전구체 졸을 형성할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the acid catalyst may hydrolyze the silica precursor to form a silica precursor sol represented by the following general formula (1).

[일반식 1] [General formula 1]

Figure 112017128453702-pat00001
Figure 112017128453702-pat00001

상기 일반식 1의 n은 복수의 정수이며, n의 값은 실리카 전구체 졸이 만들어진 이후의 시간, 온도, 습도 등에 따라 변할 수 있으므로, n의 값은 변할 수 있다. 예를 들어, 상기 일반식 1의 n 값은 2 내지 1000만 이하의 정수일 수 있다. In Formula 1, n is a plurality of integers, and since the value of n may change depending on time, temperature, humidity, etc. after the silica precursor sol is made, the value of n may change. For example, the value of n in Formula 1 may be an integer of 2 to 10 million or less.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸을 형성하는 단계는 80 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 실리카 전구체 졸을 형성하는 단계는 상온(25 ℃) 내지 80 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the step of forming the silica precursor sol may be performed at a temperature of 80° C. or less. Specifically, the step of forming the silica precursor sol may be performed at room temperature (25 ℃) to 80 ℃ or less.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸 용액의 실리카 전구체 졸의 함량은 5 wt% 이상 40 wt%일 수 있다. 구체적으로, 상기 실리카 전구체 졸 용액의 실리카 전구체 졸의 함량은 8 wt% 이상 20 wt% 이하, 또는 10 wt% 이상 15 wt% 이하일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the silica precursor sol in the silica precursor sol solution may be 5 wt% or more and 40 wt%. Specifically, the content of the silica precursor sol in the silica precursor sol solution may be 8 wt% or more and 20 wt% or less, or 10 wt% or more and 15 wt% or less.

본 명세서에 있어서, 상기 실리카 전구체 졸의 함량은 실리카 전구체 졸 용액을 80 ℃에서 1시간 동안 건조한 후, 200 ℃에서 24시간 동안 탈수 반응을 진행시킨 후의 잔류하는 고형분을 통하여 용액 내의 실리카 전구체 졸의 함량을 측정할 수 있으며, 또한, 상기 실리카 전구체 졸 용액 내에 포함된 실리카 전구체가 100 % 반응하여 졸화되는 양을 계산하여 용액 내의 실리카 전구체 졸의 함량을 계산할 수 있다. In the present specification, the content of the silica precursor sol is the content of the silica precursor sol in the solution through the remaining solids after drying the silica precursor sol solution at 80 ° C. for 1 hour and then dehydrating the silica precursor sol solution at 200 ° C. for 24 hours. can be measured, and the content of the silica precursor sol in the solution can be calculated by calculating the amount of the silica precursor contained in the silica precursor sol solution reacting 100% to sol.

상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸의 함량이 상기 범위 내인 경우, 상기 실리카 전구체 졸 용액의 점도가 적절하게 조절되어 코팅 시 핸들링을 용이하게 할 수 있다. 나아가, 상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸의 함량이 상기 범위 내인 경우, 상기 실리카 전구체 졸 용액의 도포 후 건조 시간을 단축하여 상기 저굴절 실리카 코팅층에 발생할 수 있는 얼룩을 방지할 수 있으며, 상기 저굴절 실리카 코팅층의 두께를 균일하게 구현할 수 있다.When the content of the silica precursor sol in the silica precursor sol solution is within the above range, the viscosity of the silica precursor sol solution may be appropriately adjusted to facilitate handling during coating. Furthermore, when the content of the silica precursor sol in the silica precursor sol solution is within the above range, it is possible to reduce the drying time after application of the silica precursor sol solution to prevent staining that may occur in the low refractive silica coating layer, The thickness of the refractive silica coating layer may be uniformly implemented.

상기 실리카 전구체 졸 용액과 중공 실리카 입자를 혼합하는 단계mixing the silica precursor sol solution and hollow silica particles

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 상기 실리카 전구체 졸 용액과 중공 실리카 입자를 혼합하는 단계를 포함한다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the method of manufacturing an optical member including the low refractive silica coating layer includes mixing the silica precursor sol solution and the hollow silica particles.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 중공 실리카 입자는 상기 중공 실리카 입자가 용매에 분산되어 있는 중공 실리카 분산액으로 준비되어, 상기 실리카 전구체 졸 용액과 혼합될 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the hollow silica particles may be prepared as a hollow silica dispersion in which the hollow silica particles are dispersed in a solvent, and mixed with the silica precursor sol solution.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 중공 실리카 분산액의 용매는 전술한 유기 용매와 동일할 수 있다. 구체적으로, 상기 중공 실리카 분산액은 알코올계 용매에 중공 실리카 입자가 분산되어 있는 것일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the solvent of the hollow silica dispersion may be the same as the organic solvent described above. Specifically, the hollow silica dispersion may be one in which hollow silica particles are dispersed in an alcohol-based solvent.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 중공 실리카 입자의 평균 외경은 20 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 중공 실리카 입자의 평균 외경은 20 ㎚ 이상 70 ㎚ 이하, 40 ㎚ 이상 70 ㎚ 이하, 또는 30 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the average outer diameter of the hollow silica particles may be 20 nm or more and 100 nm or less. Specifically, the average outer diameter of the hollow silica particles may be 20 nm or more and 70 nm or less, 40 nm or more and 70 nm or less, or 30 nm or more and 60 nm or less.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 중공 실리카 입자의 쉘부의 두께는 5 ㎚ 이상 15 ㎚ 이하, 또는 5 ㎚ 이상 10 ㎚ 이하일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the thickness of the shell portion of the hollow silica particles may be 5 nm or more and 15 nm or less, or 5 nm or more and 10 nm or less.

상기 중공 실리카 입자의 쉘부는 상기 중공 실리카 입자의 외경과 중공 입경의 차이로 측정될 수 있다. The shell portion of the hollow silica particles may be measured as a difference between the outer diameter and the hollow particle diameter of the hollow silica particles.

상기 중공 실리카 입자의 평균 외경이 상기 범위 이내인 경우, 상기 저굴절 실리카 코팅층 내에 잘 분산될 수 있다. 또한, 상기 중공 실리카 입자의 쉘부의 두께가 상기 범위 내인 경우, 상기 중공 실리카 입자의 굴절률이 지나치게 높아지는 것을 방지하고, 중공 실리카 입자의 강도를 확보할 수 있다. 이를 통하여, 상기 저굴절 실리카 코팅층은 물리적 강도 및 광굴절률을 최적화할 수 있다. When the average outer diameter of the hollow silica particles is within the above range, they may be well dispersed in the low refractive silica coating layer. In addition, when the thickness of the shell portion of the hollow silica particles is within the above range, it is possible to prevent the refractive index of the hollow silica particles from becoming too high, and to secure the strength of the hollow silica particles. Through this, the low refractive silica coating layer can optimize physical strength and optical refractive index.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 중량비는 8:2 내지 2:8일 수 있다. 구체적으로, 상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 중량비는 7:3 내지 5:5 또는 7:3 내지 6:4일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the weight ratio of the silica precursor sol and the hollow silica particles in the silica precursor sol solution may be 8:2 to 2:8. Specifically, the weight ratio of the silica precursor sol and the hollow silica particles in the silica precursor sol solution may be 7:3 to 5:5 or 7:3 to 6:4.

상기 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 중량비가 상기 범위 내인 경우, 상기 저굴절 실리카 코팅층의 표면 강도를 적절한 수준으로 유지하며, 낮은 광반사율을 구현할 수 있으며, 이에 따라 상기 광학 부재의 낮은 광반사율이 구현될 수 있다. When the weight ratio of the silica precursor sol and the hollow silica particles is within the above range, the surface strength of the low-refractive silica coating layer is maintained at an appropriate level, and low light reflectance can be realized, and thus low light reflectance of the optical member is realized. can be

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 총함량은 1 wt% 이상 15 wt% 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 총함량은 1 wt% 이상 13 wt% 이하, 4 wt% 이상 13 wt% 이하, 또는 5 wt% 이상 12 wt% 이하일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the total content of the silica precursor sol and the hollow silica particles in the silica precursor sol solution may be 1 wt% or more and 15 wt% or less. Specifically, the total content of the silica precursor sol and the hollow silica particles in the silica precursor sol solution may be 1 wt% or more and 13 wt% or less, 4 wt% or more and 13 wt% or less, or 5 wt% or more and 12 wt% or less.

상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 총함량이 상기 범위 내인 경우, 상기 실리카 전구체 졸 용액의 점도가 적절하게 조절되어 코팅 시 핸들링을 용이하게 할 수 있다. 나아가, 상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 총함량이 상기 범위 내인 경우, 상기 실리카 전구체 졸 용액의 도포 후 건조 시간을 단축하여 상기 저굴절 실리카 코팅층에 발생할 수 있는 얼룩을 방지할 수 있으며, 상기 저굴절 실리카 코팅층의 두께를 균일하게 구현할 수 있다.When the total content of the silica precursor sol and the hollow silica particles in the silica precursor sol solution is within the above range, the viscosity of the silica precursor sol solution may be appropriately adjusted to facilitate handling during coating. Furthermore, when the total content of the silica precursor sol and the hollow silica particles in the silica precursor sol solution is within the above range, the drying time after application of the silica precursor sol solution is shortened to prevent stains that may occur in the low refractive silica coating layer. and the thickness of the low-refractive silica coating layer may be uniformly implemented.

중공 실리카 입자를 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 A silica precursor sol solution containing hollow silica particles 기재 상에on the substrate 도포하는 단계 step of applying

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 상기 중공 실리카 입자를 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 기재 상에 도포하는 단계를 포함한다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the method of manufacturing an optical member including the low refractive silica coating layer includes applying a silica precursor sol solution including the hollow silica particles on a substrate.

상기 실리카 전구체 졸 용액의 도포는 바코팅, 스핀코팅 등 당업계에서 일반적으로 알려진 도포법을 제한 없이 이용할 수 있다. The silica precursor sol solution may be applied without limitation by a coating method generally known in the art, such as bar coating or spin coating.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 상기 저굴절 실리카 코팅층이 구비되는 광학 필름일 수 있다. 구체적으로, 상기 기재는 편광 필름, 휘도 향상 필름 또는 위상차 필름일 수 있다. 또한, 상기 기재는 디스플레이 패널 또는 터치 패널일 수도 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the substrate may be an optical film provided with the low refractive silica coating layer. Specifically, the substrate may be a polarizing film, a brightness enhancing film, or a retardation film. In addition, the substrate may be a display panel or a touch panel.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 일면 상에 고굴절층, 하드 코팅층 및 반사방지층 중 적어도 1종의 기능성층을 구비한 광학 필름일 수 있다. 구체적으로, 상기 저굴절 실리카 코팅층은 상기 기재의 기능성층 상에 형성될 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the substrate may be an optical film having at least one functional layer of a high refractive index layer, a hard coating layer, and an antireflection layer on one surface. Specifically, the low refractive silica coating layer may be formed on the functional layer of the substrate.

본 발명에 따른 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 고온의 소성 과정을 거치지 않으므로, 상기 기재는 코팅층을 형성한 후 코팅층과 떼어내는 라이너가 아닌, 광학 필름일 수 있으며, 구체적으로, 편광판과 같은 디스플레이용 고분자 기재가 될 수 있다. Since the method for manufacturing an optical member including a low refractive silica coating layer according to the present invention does not undergo a high-temperature firing process, the substrate may be an optical film, not a liner that is separated from the coating layer after forming the coating layer, specifically, It may be a polymer substrate for a display, such as a polarizing plate.

또한, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 고분자 기재일 수 있다. 구체적으로, 상기 고분자 기재는 PET(polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), PEEK(Polyether ether ketone) 및 PI(Polyimide) 등의 필름이 단층 또는 복층의 형태로 포함될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것이 아니고, 고분자 소재의 필름 이라면 제한 없이 적용될 수 있다.Further, according to an exemplary embodiment of the present invention, the substrate may be a polymer substrate. Specifically, the polymer substrate may include films such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyether ether ketone (PEEK), and polyimide (PI) in the form of a single layer or a multilayer. However, the present invention is not limited thereto, and any film made of a polymer material may be applied without limitation.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸 용액의 도포 두께는 상기 저굴절 실리카 코팅층의 용도에 따라 조절할 수 있으며, 예를 들어 200 ㎚ 내지 2 ㎛ 두께로 도포될 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the coating thickness of the silica precursor sol solution may be adjusted according to the use of the low refractive silica coating layer, for example, it may be applied to a thickness of 200 nm to 2 μm.

기재 상에on the substrate 도포된 실리카 전구체 졸 용액을 The applied silica precursor sol solution 건조시켜dry 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계 forming a silica precursor sol layer;

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 상기 기재 상에 도포된 실리카 전구체 졸 용액을 건조시켜 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계를 포함한다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the method of manufacturing an optical member including the low refractive index silica coating layer includes drying the silica precursor sol solution applied on the substrate to form a silica precursor sol layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계는, 120 ℃ 이하의 온도에서 상기 도포된 실리카 전구체 졸을 건조하여 용매를 제거하는 것일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the forming of the silica precursor sol layer may include drying the applied silica precursor sol at a temperature of 120° C. or less to remove the solvent.

상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계를 통하여, 상기 실리카 전구체 졸은 상기 기재 상에 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계를 통하여, 상기 일반식 1로 표시되는 실리카 전구체 졸이 상기 기재 상에 고르게 분포할 수 있다. Through the step of forming the silica precursor sol layer, the silica precursor sol may be provided on the substrate. Specifically, through the step of forming the silica precursor sol layer, the silica precursor sol represented by Formula 1 may be evenly distributed on the substrate.

또한, 상기 용매는 낮은 온도에서 증발될 수 있으므로, 120 ℃ 이하, 100 ℃ 이하, 또는 80 ℃ 이하의 온도에서 건조함으로써 용매를 제거할 수 있다. In addition, since the solvent may be evaporated at a low temperature, the solvent may be removed by drying at a temperature of 120 °C or less, 100 °C or less, or 80 °C or less.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계는 50 ℃ 이상 120 ℃ 이하, 60 ℃ 이상 100 ℃ 이하, 또는 60 ℃ 이상 80 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the step of forming the silica precursor sol layer may be performed at a temperature of 50 °C or more and 120 °C or less, 60 °C or more and 100 °C or less, or 60 °C or more and 80 °C or less.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계는 50 ℃ 이상 120 ℃ 이하, 60 ℃ 이상 100 ℃ 이하, 또는 60 ℃ 이상 80 ℃ 이하의 온도에서 30초 내지 5분 동안 수행되는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계는 60 ℃ 내지 80 ℃ 의 온도에서 30초 내지 2분 동안 수행되는 것일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the step of forming the silica precursor sol layer is performed at a temperature of 50 ℃ or more and 120 ℃ or less, 60 ℃ or more and 100 ℃ or less, or 60 ℃ or more and 80 ℃ or less for 30 seconds to 5 minutes. it may be Specifically, the step of forming the silica precursor sol layer may be performed at a temperature of 60 °C to 80 °C for 30 seconds to 2 minutes.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층의 제조방법은 상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계 이후, 플라즈마 처리를 이용하여 표면 개질하는 단계를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 표면 개질하는 단계는 상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계 이후 실시하는 것일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the method for manufacturing the low refractive index silica coating layer may further include a step of surface-modifying the silica precursor sol layer by using plasma treatment after the step of forming the silica precursor sol layer. Specifically, according to an exemplary embodiment of the present invention, the step of surface modification may be performed after the step of forming the silica precursor sol layer.

상기 플라즈마 처리는 대기압 플라즈마를 사용하여 직접법 또는 간접법으로 처리하는 것일 수 있다. The plasma treatment may be performed by a direct method or an indirect method using atmospheric pressure plasma.

상기 표면 개질하는 단계는 이후의 공정에서 아민계 염기 촉매 및 인산계 염기 촉매 중 적어도 1종을 포함하는 염기 촉매와의 접촉을 높일 수 있으며, 아민계 염기 촉매 및 인산계 염기 촉매 중 적어도 1종을 포함하는 염기 촉매 처리시의 효과를 증대시켜 저굴절 실리카 코팅층의 강도 등을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. The surface-modifying step may increase contact with a base catalyst including at least one of an amine-based base catalyst and a phosphoric acid-based base catalyst in a subsequent process, and at least one of an amine-based base catalyst and a phosphoric acid-based base catalyst There is an advantage in that the strength of the low-refractive silica coating layer can be improved by increasing the effect during the treatment of the base catalyst including

상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계는 실리카 전구체 졸 용액 내의 용매를 전부 제거하는 것뿐만 아니라, 일부의 용매를 제거하는 것을 포함할 수 있다. Forming the silica precursor sol layer may include not only removing all of the solvent in the silica precursor sol solution, but also removing a part of the solvent.

저굴절low refraction 실리카 코팅층으로 형성되는 단계 Formed into a silica coating layer

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 상기 실리카 전구체 졸 층을 염기 촉매에 접촉시켜, 상기 실리카 전구체 졸 층이 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계를 포함한다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the method for manufacturing an optical member including the low refractive index silica coating layer comprises the steps of contacting the silica precursor sol layer with a base catalyst to form the silica precursor sol layer as a low refractive silica coating layer. include

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 상기 기재 상의 실리카 전구체 졸을 경화시키는 역할을 할 수 있다. 구체적으로, 상기 염기 촉매는 상기 일반식 1로 표시되는 실리카 전구체 졸을 포함하는 실리카 전구체 졸 층을 실리카 막으로 경화시킬 수 있다. 상기 실리카 막은 저굴절 실리카 코팅층의 매트릭스를 형성하고, 상기 중공 실리카 입자와 동종의 물질로서 매트릭스 내에 상기 중공 실리카 입자와 강한 결합력을 구현할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the base catalyst may serve to cure the silica precursor sol on the substrate. Specifically, the base catalyst may cure the silica precursor sol layer including the silica precursor sol represented by Formula 1 into a silica film. The silica film forms a matrix of the low-refractive silica coating layer, and as a material of the same type as the hollow silica particles, a strong bonding force with the hollow silica particles can be implemented in the matrix.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 끓는점이 80 ℃ 이상 500 ℃ 이하인 것일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the base catalyst may have a boiling point of 80 ℃ or more and 500 ℃ or less.

또한, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 상온(25 ℃)에서의 증기압이 10,000 Pa 이하, 또는 5,000 Pa 이하, 또는 1 Pa 이하인 것일 수 있다.Further, according to an exemplary embodiment of the present invention, the base catalyst may have a vapor pressure of 10,000 Pa or less, or 5,000 Pa or less, or 1 Pa or less at room temperature (25° C.).

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 끓는점이 80 ℃ 이상의 무수물일 수 있다. 구체적으로, 상기 염기 촉매는 수분을 함유하고 있지 않으므로, 상기 실리카 전구체 졸을 효과적으로 탈수하여 치밀한 가교 구조를 형성할 수 있게 할 수 있다. 구체적으로, 상기 염기 촉매는 끓는점이 80 ℃ 이상의 액상의 무수물일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the base catalyst may be an anhydride having a boiling point of 80° C. or higher. Specifically, since the base catalyst does not contain moisture, it is possible to effectively dehydrate the silica precursor sol to form a dense cross-linked structure. Specifically, the base catalyst may be a liquid anhydride having a boiling point of 80° C. or higher.

상기 일반식 1로 표시되는 실리카 전구체 졸이 상기 염기 촉매에 의하여 실리카로 경화되는 반응은 물이 제거되는 반응을 수반하며, 경화시 물이 존재하는 경우, 반응속도가 현저하게 저하되는 문제가 있다. 이를 방지하기 위하여, 상기 기재 상에 실리카 코팅층을 형성하는 단계는 수분을 포함하지 않는 상기 염기 촉매 중 적어도 1종을 포함하는 염기 촉매를 이용하여 상기 실리카 전구체 졸의 경화를 빠르게 진행시킬 수 있다. The reaction in which the silica precursor sol represented by Formula 1 is cured to silica by the base catalyst involves a reaction in which water is removed, and when water is present during curing, there is a problem in that the reaction rate is significantly reduced. In order to prevent this, in the step of forming the silica coating layer on the substrate, curing of the silica precursor sol may be rapidly progressed using a base catalyst including at least one of the base catalysts that does not contain moisture.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 끓는점 및 인화점이 높아, 열적으로 안정하고, 공정시 화재의 위험이 현저하게 낮은 장점이 있다. 나아가, 상기 염기 촉매는 증기압이 낮아 냄새가 적고 폭발의 위험성이 매우 낮은 장점이 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the base catalyst has a high boiling point and a high flash point, is thermally stable, and has the advantage of remarkably low risk of fire during the process. Furthermore, the base catalyst has an advantage that the vapor pressure is low, the odor is small, and the risk of explosion is very low.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 120 ℃ 이하의 온도에서 액상일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the base catalyst may be in a liquid phase at a temperature of 120 °C or less.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 유기 용매를 포함할 수 있다. 상기 염기 촉매가 120 ℃ 이하의 온도에서 고상인 경우, 유기 용매에 용해되어 사용될 수 있다. 이를 통하여, 상기 염기 촉매는 120 ℃ 이하의 온도에서 액상일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the base catalyst may include an organic solvent. When the base catalyst is in a solid state at a temperature of 120° C. or less, it may be dissolved in an organic solvent and used. Through this, the base catalyst may be in a liquid phase at a temperature of 120 °C or less.

상기 염기 촉매에 포함될 수 있는 유기 용매는 N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸피롤리돈(NMP), N,N-디메틸포름아미드(DMF), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, N,N-디에틸아세트아미드(DEAc), N,N-디메틸메톡시아세트아미드, 디메틸술폭사이드, 피리딘, 디메틸술폰, 헥사메틸포스포아미드, 테트라메틸우레아, N-메틸카프로락탐, 테트라히드로퓨란, m-디옥산, P-디옥산, 1,2-디메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸)에테르, 1,2-비스(2-메톡시에톡시)에탄,비스[2-(2-메톡시에톡시)]에테르, 폴리(에틸렌글리콜)메타크릴레이트(PEGMA), 감마-부티로락톤(GBL), 및 에크아미드(Equamide M100, Idemitsu Kosan Co., Ltd) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The organic solvent that may be included in the base catalyst is N,N-dimethylacetamide (DMAc), N-methylpyrrolidone (NMP), N,N-dimethylformamide (DMF), 1,3-dimethyl-2- Imidazolidinone, N,N-diethylacetamide (DEAc), N,N-dimethylmethoxyacetamide, dimethylsulfoxide, pyridine, dimethylsulfone, hexamethylphosphoamide, tetramethylurea, N-methylcapro Lactam, tetrahydrofuran, m-dioxane, P-dioxane, 1,2-dimethoxyethane, bis(2-methoxyethyl)ether, 1,2-bis(2-methoxyethoxy)ethane, bis In [2-(2-methoxyethoxy)]ether, poly(ethylene glycol)methacrylate (PEGMA), gamma-butyrolactone (GBL), and equaamide (Equamide M100, Idemitsu Kosan Co., Ltd) It may include at least one.

상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는 상기 염기 촉매를 이용하여 상기 실리카 전구체 졸을 경화하는 것으로서, 고온의 소결 과정을 거치지 않고 화학적 방법을 이용하여 공정을 간편하게 수행할 수 있는 장점이 있다. 또한, 상기 염기 촉매는 상기 실리카 전구체 졸의 경화 시 물에 접촉하여 물성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 나아가, 상기 염기 촉매는 높은 끓는점과 낮은 증기압을 가지므로, 작업 시 유독 가스에 노출되거나 휘발성에 따른 화재의 위험성을 크게 낮추어 작업 환경 개선에 도움을 줄 수 있다. The step of forming the low-refractive silica coating layer is to cure the silica precursor sol using the base catalyst, and there is an advantage that the process can be conveniently performed using a chemical method without going through a high-temperature sintering process. In addition, the base catalyst may prevent deterioration of physical properties by contact with water during curing of the silica precursor sol. Furthermore, since the base catalyst has a high boiling point and a low vapor pressure, it can help improve the working environment by greatly reducing the risk of fire due to exposure to toxic gas or volatility during work.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는, 침지법, 코팅법 또는 분사법을 이용하는 것일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the step of forming the low refractive silica coating layer may be using a dipping method, a coating method, or a spraying method.

구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재 상에 구비된 실리카 전구체 졸을 상기 염기 촉매에 접촉시키는 것은 스핀 코팅, 딥 코팅, 분무 코팅 등의 액상 물질의 퇴적 방법을 이용할 수 있다. Specifically, according to an exemplary embodiment of the present invention, contacting the silica precursor sol provided on the substrate with the base catalyst may use a liquid material deposition method such as spin coating, dip coating, or spray coating.

구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재 상에 구비된 실리카 전구체 졸 층을 상기 염기 촉매에 접촉시키는 것은, 상기 실리카 전구체 졸 층이 일면 상에 구비된 상기 기재를 상기 염기 촉매에 침지시키는 것일 수 있다. 상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는 상기 일반식 1로 표시되는 실리카 전구체 졸이 일면 상에 구비된 기재를 상기 염기 촉매에 침지시키는 것일 수 있다. Specifically, according to an exemplary embodiment of the present invention, in contacting the silica precursor sol layer provided on the substrate with the base catalyst, the substrate provided on one surface of the silica precursor sol layer is immersed in the base catalyst. it may be to do The step of forming the low-refractive silica coating layer may be immersing a substrate having the silica precursor sol represented by General Formula 1 on one surface in the base catalyst.

상기 침지 방법을 이용하여 상기 실리카 전구체 졸 층과 상기 염기 촉매를 접촉시키는 경우, 매우 간편하게 공정을 수행할 수 있으며, 생산 설비를 최소화할 수 있는 장점이 있다.When the silica precursor sol layer and the base catalyst are brought into contact using the immersion method, the process can be performed very simply, and the production equipment can be minimized.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 아민계 염기 촉매, 인산계 염기 촉매 및 이미다졸계 염기 촉매 중 적어도 1종을 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the base catalyst may include at least one of an amine-based base catalyst, a phosphoric acid-based base catalyst, and an imidazole-based base catalyst.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는 아민계 염기 촉매를 이용할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 코팅층을 형성하는 단계는 아민계 염기 촉매로서, 트리옥틸아민(TOA)을 사용할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the forming of the low refractive silica coating layer may use an amine-based base catalyst. Specifically, according to an exemplary embodiment of the present invention, in the step of forming the silica coating layer, trioctylamine (TOA) may be used as an amine-based base catalyst.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 하기 화학식 1 내지 화학식 10으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the base catalyst may include at least one of compounds represented by the following Chemical Formulas 1 to 10.

[화학식 1] [Formula 1]

Figure 112017128453702-pat00002
Figure 112017128453702-pat00002

[화학식 2] [Formula 2]

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Figure 112017128453702-pat00003

[화학식 3] [Formula 3]

Figure 112017128453702-pat00004
Figure 112017128453702-pat00004

[화학식 4] [Formula 4]

Figure 112017128453702-pat00005
Figure 112017128453702-pat00005

[화학식 5][Formula 5]

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Figure 112017128453702-pat00006

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112017128453702-pat00007
Figure 112017128453702-pat00007

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112017128453702-pat00008
Figure 112017128453702-pat00008

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112017128453702-pat00009
Figure 112017128453702-pat00009

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112017128453702-pat00010
Figure 112017128453702-pat00010

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112017128453702-pat00011
Figure 112017128453702-pat00011

상기 화학식 1 내지 화학식 10에 있어서, In Formulas 1 to 10,

R1 내지 R32는 각각 독립적으로, 수소; 또는 탄소수 1 내지 40의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 50의 아릴기;이고, R1 to R32 are each independently hydrogen; or a linear or branched alkyl group having 1 to 40 carbon atoms; Or an aryl group having 6 to 50 carbon atoms;

n 및 x는 1 내지 3 중 어느 하나의 정수이며, o 내지 q는 1 내지 4 중 어느 하나의 정수이고, m 및 r 내지 w는 1 내지 5 중 어느 하나의 정수이며, n and x are any one integer from 1 to 3, o to q are any one integer from 1 to 4, m and r to w are any one integer from 1 to 5,

n 이 2 이상인 경우 R6은 동일 또는 상이할 수 있고, m이 2 이상인 경우 R7은 동일 또는 상이할 수 있으며, o가 2 이상인 경우 R16은 동일 또는 상이할 수 있고, p가 2 이상인 경우 R17은 동일 또는 상이할 수 있으며, q가 2 이상인 경우 R18은 동일 또는 상이할 수 있고, r이 2 이상인 경우 R19는 동일 또는 상이할 수 있으며, s가 2 이상인 경우 R20은 동일 또는 상이할 수 있고, t가 2 이상인 경우 R21은 동일 또는 상이할 수 있으며, u가 2 이상인 경우 R22는 동일 또는 상이할 수 있고, v가 2 이상인 경우 R23은 동일 또는 상이할 수 있으며, w가 2 이상인 경우 R25는 동일 또는 상이할 수 있고, x가 2 이상인 경우 R32는 동일 또는 상이할 수 있다.When n is 2 or more, R6 can be the same or different, when m is 2 or more, R7 can be the same or different, when o is 2 or more, R16 can be the same or different, and when p is 2 or more, R17 is the same or may be different, and when q is 2 or more, R18 may be the same or different, if r is 2 or more, R19 may be the same or different, and when s is 2 or more, R20 may be the same or different, and t is When u is 2 or more, R21 can be the same or different, when u is 2 or more, R22 can be the same or different, when v is 2 or more, R23 can be the same or different, and when w is 2 or more, R25 is the same or different , and when x is 2 or more, R32 may be the same or different.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 치환 또는 비치환된 것일 수 있으며, 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be substituted or unsubstituted, may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. Specific examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n-pentyl , isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n -Heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethyl heptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like.

본 명세서에 있어서, "치환"은 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.As used herein, "substitution" means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of a compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, a position where the substituent is substitutable, is not limited, and two or more substitutions are made. In this case, two or more substituents may be the same as or different from each other.

본 명세서에 있어서, "치환 또는 비치환된"은 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 알킬기; 시클로알킬기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 알케닐기; 실릴기; 붕소기; 포스핀옥사이드기; 아민기; 아릴아민기; 아릴기; 및 N, O, S, Se 및 Si 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.In the present specification, "substituted or unsubstituted" means deuterium; halogen group; nitrile group; nitro group; hydroxyl group; carbonyl group; ester group; imid; amino group; an alkyl group; cycloalkyl group; alkoxy group; aryloxy group; alkyl thiooxy group; arylthioxy group; an alkyl sulfoxy group; alkenyl group; silyl group; boron group; phosphine oxide group; amine group; arylamine group; aryl group; and one or more substituents selected from the group consisting of a heteroaryl group containing at least one of N, O, S, Se and Si atoms, or is substituted with a substituent to which two or more of the above exemplified substituents are linked, or any It means that it does not have a substituent.

본 명세서에 있어서, 상기 아릴기는 치환 또는 비치환된 것일 수 있으며, 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group may be substituted or unsubstituted, and when the aryl group is a monocyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited, but preferably 6 to 50 carbon atoms. Specifically, the monocyclic aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a quaterphenyl group, and the like, but is not limited thereto. When the aryl group is a polycyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited. It is preferable that it has 10-40 carbon atoms. Specifically, the polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.

구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 하기 화학식 1-1 내지 화학식 10-3으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. Specifically, according to an exemplary embodiment of the present invention, the base catalyst may include at least one of compounds represented by the following Chemical Formulas 1-1 to 10-3.

[화학식 1-1] [Formula 1-1]

Figure 112017128453702-pat00012
Figure 112017128453702-pat00012

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure 112017128453702-pat00013
Figure 112017128453702-pat00013

[화학식 3-1][Formula 3-1]

Figure 112017128453702-pat00014
Figure 112017128453702-pat00014

[화학식 4-1][Formula 4-1]

Figure 112017128453702-pat00015
Figure 112017128453702-pat00015

[화학식 5-1] [Formula 5-1]

Figure 112017128453702-pat00016
Figure 112017128453702-pat00016

[화학식 6-1][Formula 6-1]

Figure 112017128453702-pat00017
Figure 112017128453702-pat00017

[화학식 7-1][Formula 7-1]

Figure 112017128453702-pat00018
Figure 112017128453702-pat00018

[화학식 8-1][Formula 8-1]

Figure 112017128453702-pat00019
Figure 112017128453702-pat00019

[화학식 9-1][Formula 9-1]

Figure 112017128453702-pat00020
Figure 112017128453702-pat00020

[화학식 10-1][Formula 10-1]

Figure 112017128453702-pat00021
Figure 112017128453702-pat00021

[화학식 10-2][Formula 10-2]

Figure 112017128453702-pat00022
Figure 112017128453702-pat00022

[화학식 10-3][Formula 10-3]

Figure 112017128453702-pat00023
Figure 112017128453702-pat00023

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는, 60 ℃ 내지 120 ℃의 온도의 상기 염기 촉매에 상기 기재 상에 구비된 실리카 전구체 졸 층을 접촉시키는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는, 60 ℃ 내지 100 ℃, 또는 70 ℃ 내지 90 ℃의 온도에서 수행될 수 있다. 구체적으로, 상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는 상기 실리카 전구체 졸 층이 일면 상에 구비된 상기 기재를 60 ℃ 내지 120 ℃, 60 ℃ 내지 100 ℃, 70 ℃ 내지 90 ℃, 또는 70 ℃ 내지 80 ℃로 조절된 상기 염기 촉매에 침지시키는 것일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the forming of the low refractive silica coating layer may include contacting the silica precursor sol layer provided on the substrate with the base catalyst at a temperature of 60°C to 120°C. Specifically, the step of forming the low refractive silica coating layer may be performed at a temperature of 60 °C to 100 °C, or 70 °C to 90 °C. Specifically, in the step of forming the low refractive silica coating layer, the substrate provided with the silica precursor sol layer on one surface is subjected to 60 °C to 120 °C, 60 °C to 100 °C, 70 °C to 90 °C, or 70 °C to 80 °C. It may be immersed in the base catalyst adjusted to °C.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는, 1분 내지 20분, 또는 3분 내지 10분 동안 수행되는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는, 70 ℃ 내지 90 ℃의 온도에서 3분 내지 7분 동안 수행되는 것일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the forming of the low refractive silica coating layer may be performed for 1 minute to 20 minutes, or 3 minutes to 10 minutes. Specifically, the step of forming the low-refractive silica coating layer may be performed at a temperature of 70° C. to 90° C. for 3 minutes to 7 minutes.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층의 두께는 50 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 저굴절 실리카 코팅층의 두께는 100 ㎚ 이상 150 ㎚ 이하일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the thickness of the low refractive silica coating layer may be 50 nm or more and 200 nm or less. Specifically, the thickness of the low refractive silica coating layer may be 100 nm or more and 150 nm or less.

상기 저굴절 실리카 코팅층의 두께가 상기 범위 내인 경우, 상기 광학 부재는 저굴절 실리카 코팅층 표면에서 반사되는 빛과 저굴절 실리카 코팅층과 상기 기재의 계면에서 반사되는 빛의 상쇄 간섭을 적절히 조절할 수 있으며, 상기 광학 부재의 낮은 광반사율을 구현할 수 있다.When the thickness of the low-refractive silica coating layer is within the above range, the optical member may appropriately control destructive interference between light reflected from the surface of the low-refractive silica coating layer and light reflected from the interface between the low-refractive silica coating layer and the substrate. It is possible to implement a low light reflectance of the optical member.

본 발명의 일 실시상태에 따른 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 120 ℃ 이하의 낮은 온도에서 수행되므로, 고분자 기재 상에 직접 저굴절 실리카 코팅층을 형성할 수 있는 장점이 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따른 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 전 공정이 120 ℃ 이하, 100 ℃ 이하, 또는 80 ℃ 이하의 온도에서 수행되므로, 고분자 기재의 열변형을 방지할 수 있는 장점이 있으며, 이를 이용하여, 고분자 기재 상에 직접 저굴절 실리카 코팅층을 형성할 수 있다. Since the manufacturing method of the optical member including the low refractive silica coating layer according to an exemplary embodiment of the present invention is performed at a low temperature of 120° C. or less, there is an advantage in that the low refractive silica coating layer can be directly formed on the polymer substrate. Specifically, in the method for manufacturing an optical member including a low refractive silica coating layer according to an exemplary embodiment of the present invention, since the entire process is performed at a temperature of 120 ℃ or less, 100 ℃ or less, or 80 ℃ or less, thermal deformation of the polymer substrate There is an advantage of preventing , and by using this, it is possible to form a low refractive silica coating layer directly on the polymer substrate.

나아가, 상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법으로 제조된 저굴절 실리카 코팅층은 고온의 소성 공정을 수행하지 않더라도 500 ℃ 이상의 고온 소성 공정을 거치는 실리카 코팅층과 동등 또는 그 이상의 높은 강성을 구현할 수 있다. 나아가, 본 발명에 따른 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 고분자 바인더를 통하여 중공 실리카 입자를 고정하는 것이 아니므로, 코팅층 제조 후 중공 실리카 입자가 탈락하는 현상도 발생하지 않는 장점이 있다. Furthermore, the low-refractive silica coating layer manufactured by the method for manufacturing an optical member including the low-refractive silica coating layer achieves high rigidity equal to or higher than that of the silica coating layer that undergoes a high-temperature firing process of 500 ° C. can Furthermore, since the method for manufacturing an optical member including a low refractive silica coating layer according to the present invention does not fix the hollow silica particles through a polymer binder, there is an advantage that the hollow silica particles do not fall off after the coating layer is prepared. .

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재는 롤투롤 연속 공정으로 제조될 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the optical member including the low-refractive silica coating layer may be manufactured by a roll-to-roll continuous process.

본 발명의 일 실시상태에 따른 제조방법은 증착 공정이 아닌 용액 공정으로 수행되므로, 롤투롤 연속 공정을 통한 대량 생산에 매우 적합한 장점이 있다. 나아가, 본 발명의 일 실시상태에 따른 제조방법은 고온의 소성 공정이 필요 없으므로, 내열성이 낮은 유연한 고분자 기재를 적용할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 일 실시상태에 따른 제조방법은 롤투롤 연속 공정을 이용하여, 유연한 고분자 기재에 저굴절 실리카 코팅층을 직접 형성할 수 있다. Since the manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention is performed as a solution process rather than a deposition process, it has the advantage of being very suitable for mass production through a continuous roll-to-roll process. Furthermore, since the manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention does not require a high-temperature firing process, a flexible polymer substrate having low heat resistance can be applied. Therefore, the manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention can directly form a low refractive silica coating layer on a flexible polymer substrate by using a roll-to-roll continuous process.

본 발명의 일 실시상태는, 상기 제조방법으로 제조된 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재를 제공한다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태는, 기재의 일면 상에 상기 제조방법에 의하여 제조된 저굴절 실리카 코팅층이 구비된 광학 부재를 제공한다. An exemplary embodiment of the present invention provides an optical member including a low-refractive silica coating layer prepared by the above manufacturing method. Specifically, an exemplary embodiment of the present invention provides an optical member provided with a low refractive silica coating layer prepared by the above manufacturing method on one surface of a substrate.

구체적으로, 상기 저굴절 실리카 코팅층은 우수한 표면 강도 및 낮은 광굴절율을 가지므로, 디스플레이 소자의 저반사 코팅층으로 적용될 수 있다.Specifically, since the low refractive silica coating layer has excellent surface strength and low refractive index, it can be applied as a low reflection coating layer of a display device.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 편광 필름, 휘도 향상 필름 또는 위상차 필름일 수 있다. 구체적으로, 상기 광학 부재는 상기 저굴절 실리카 코팅층이 구비된 편광판일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the substrate may be a polarizing film, a brightness enhancing film, or a retardation film. Specifically, the optical member may be a polarizing plate provided with the low refractive silica coating layer.

본 발명의 일 실시상태는 상기 광학부재를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. One embodiment of the present invention provides a display device including the optical member.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, examples will be given to describe the present invention in detail. However, the embodiments according to the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not to be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present specification are provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art.

[[ 실시예Example 1 내지 1 to 실시예Example 5] 5]

에탄올에 TEOS를 혼합하여 실리카 전구체 분산액을 제조하였다. 제조된 실리카 전구체 분산액을 교반하며, 염산 수용액을 적가하여 실리카 전구체 졸 용액을 제조하였다. 상기 실리카 전구체 졸 용액의 제조 시의 TEOS, 에탄올, 물, 염산의 몰비는 1:4:4:0.2 였다. A silica precursor dispersion was prepared by mixing TEOS with ethanol. The prepared silica precursor dispersion was stirred, and an aqueous hydrochloric acid solution was added dropwise to prepare a silica precursor sol solution. The molar ratio of TEOS, ethanol, water, and hydrochloric acid in the preparation of the silica precursor sol solution was 1:4:4:0.2.

상기 TEOS가 100 % 반응된 것으로 가정하는 경우의 실리카 전구체 졸 용액의 실리카 고형분의 함량은 약 11 wt% 로 계산된다. 즉, 상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸의 함량은 약 11 wt%이다. Assuming that the TEOS is 100% reacted, the silica solid content of the silica precursor sol solution is calculated to be about 11 wt%. That is, the content of the silica precursor sol in the silica precursor sol solution is about 11 wt%.

나아가, 40 ㎚ 내지 70 ㎚ 외경, 및 5 ㎚ 내지 10 ㎚ 내경의 중공 실리카 입자가 20 wt%의 함량으로 이소프로필 알코올에 분산된 중공 실리카 분산액(LG CHEM, Ltd.)을 준비하였다. Furthermore, a hollow silica dispersion (LG CHEM, Ltd.) in which hollow silica particles having an outer diameter of 40 nm to 70 nm and an inner diameter of 5 nm to 10 nm were dispersed in isopropyl alcohol at a content of 20 wt% was prepared.

실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 중량비를 하기 표 1과 같이 조절되도록, 1 wt% 농도의 실리카 전구체 졸 용액을 제조하였다. 상기 실리카 전구체 졸 용액의 농도는 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸 및 중공 실리카 입자의 총함량으로서, 이소프로필 알코올을 이용하여 실리카 전구체 졸 용액의 농도를 조절하였다. A silica precursor sol solution having a concentration of 1 wt% was prepared so that the weight ratio of the silica precursor sol and the hollow silica particles was adjusted as shown in Table 1 below. The concentration of the silica precursor sol solution was the total content of the silica precursor sol and the hollow silica particles in the silica precursor sol solution, and the concentration of the silica precursor sol solution was adjusted using isopropyl alcohol.

바코팅을 이용하여 상기 실리카 전구체 졸 용액을 하드코팅된 트리아세틸 셀룰로오즈(TAC) 기재 상에 코팅하여 코팅층을 형성한 후, 80 ℃의 대류 오븐(convection oven)에서 1 분간 건조하였다. 나아가, 코팅층이 형성된 기재를 80 ℃의 트리옥틸 아민(TOA) 에 5분간 침치시킨 후 꺼내어, 40 ℃의 증류수로 세척하였다. 이후, 물기를 제거하고, 80 ℃의 대류 오븐(convection oven)에서 2 분간 건조하여, 기재 상에 저굴절 실리카 코팅층이 구비된 광학 부재를 제조하였다. The silica precursor sol solution was coated on a hard-coated triacetyl cellulose (TAC) substrate using bar coating to form a coating layer, and then dried in a convection oven at 80° C. for 1 minute. Furthermore, the substrate on which the coating layer was formed was immersed in trioctyl amine (TOA) at 80° C. for 5 minutes and then taken out and washed with distilled water at 40° C. Thereafter, the water was removed and dried in a convection oven at 80° C. for 2 minutes to prepare an optical member having a low refractive silica coating layer on the substrate.

[ [ 비교예comparative example 1] One]

중공 실리카 분산액을 혼합하지 않은 실리카 전구체 졸 용액을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다.An optical member was prepared in the same manner as in Example 1, except that the silica precursor sol solution without mixing the hollow silica dispersion was used.

실시예 1 내지 실시예 5, 및 비교예 1의 평균 두께 및 평균 광굴절율은 하기 표 1과 같다.Examples 1 to 5 and the average thickness and average optical refractive index of Comparative Example 1 are shown in Table 1 below.

실리카 전구체 졸 : 중공 실리카 입자
(중량비)
Silica Precursor Sol: Hollow Silica Particles
(weight ratio)
광굴절율
(%, @550㎚)
light refractive index
(%, @550nm)
두께
(㎚)
thickness
(nm)
비교예 1Comparative Example 1 1:0 1:0 1.4511.451 4343 실시예 1Example 1 5:25:2 1.3431.343 9696 실시예 2Example 2 5:35:3 1.3411.341 121121 실시예 3Example 3 5:45:4 1.3071.307 120120 실시예 4Example 4 5:55:5 1.2931.293 134134 실시예 5Example 5 7:137:13 1.2491.249 124124

본 명세서에서, 광굴절율은 엘립소미터(J.A. Woollam 사, M-2000UI)를 이용하여 시료의 파장에 따른 광굴절율 및 두께를 측정하였으며, 광굴절율 및 두께는 시료의 임의의 10점에서 광굴절율 및 두께를 측정한 값의 평균 값을 취하였다. In the present specification, the optical refractive index was measured using an ellipsometer (JA Woollam, M-2000UI) according to the wavelength of the sample, and the optical refractive index and thickness were measured at 10 arbitrary points of the sample. The average value of the thickness measurements was taken.

본 명세서에서, 광반사율은 시료를 블랙 PET에 부착한 후, 분광 측색계(Konica Minolta, CM-2600d)를 이용하여 정반사광을 포함한 파장별 광반사율을 측정하였으며, 구체적으로, 상기 광반사율은 상기 광굴절율을 측정한 10점에서의 광반사율을 측정한 값의 평균 값을 취하였다. In the present specification, the light reflectance is measured by using a spectrophotometer (Konica Minolta, CM-2600d) after attaching the sample to the black PET, and measuring the light reflectance for each wavelength including the specular light. Specifically, the light reflectance is the The average value of the measured values of the light reflectance at 10 points where the light refractive index was measured was taken.

표 1에 따르면, 중공 실리카 입자를 포함하지 않은 비교예 1의 광굴절율에 비하여, 중공 실리카 입자를 포함하는 실시예 1 내지 실시예 4는 낮은 광굴절율을 구현하는 것을 확인할 수 있다. 나아가, 실시예 5와 같이, 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 중량비가 7:13인 경우, 매우 우수한 광굴절율을 구현할 수 있었다. According to Table 1, compared to the optical refractive index of Comparative Example 1 not including the hollow silica particles, Examples 1 to 4 including the hollow silica particles can be confirmed to implement a low optical refractive index. Furthermore, as in Example 5, when the weight ratio of the silica precursor sol and the hollow silica particles was 7:13, a very good refractive index could be realized.

[[ 실시예Example 6 및 6 and 실시예Example 7] 7]

실리카 전구체 졸 용액의 농도를 하기 표 2와 같이 조절한 것을 제외하고, 실시예 5와 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다.An optical member was manufactured in the same manner as in Example 5, except that the concentration of the silica precursor sol solution was adjusted as shown in Table 2 below.

실리카 전구체 졸 용액의 농도
(wt%)
Concentration of silica precursor sol solution
(wt%)
평균 두께
(㎚)
average thickness
(nm)
평균 광굴절율
(%, @550㎚)
average refractive index
(%, @550nm)
평균 광반사율
(%, @550㎚)
Average light reflectance
(%, @550nm)
실시예 6Example 6 6.66.6 6969 1.2551.255 1.81.8 실시예 7Example 7 9.49.4 129129 1.2581.258 0.70.7

표 2에 따르면, 본원 발명에 따른 저굴절 실리카 코팅층은 낮은 광반사율을 구현할 수 있음을 알 수 있으며, 특히, 실시예 7의 경우, 최소 광반사율이 550 ㎚ 파장에서 0.39 %까지 나타나며, 매우 낮은 광굴절율을 구현할 수 있는 것을 확인하였다. According to Table 2, it can be seen that the low refractive silica coating layer according to the present invention can implement low light reflectance, and in particular, in the case of Example 7, the minimum light reflectance is 0.39% at a wavelength of 550 nm, and very low light It was confirmed that the refractive index can be implemented.

[[ 실시예Example 8 내지 8 to 실시예Example 13] 13]

실리카 전구체 졸 용액의 농도를 9.4 wt%로 조절하고, 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 중량비를 하기 표 3과 같이 조절한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다.An optical member was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the concentration of the silica precursor sol solution was adjusted to 9.4 wt% and the weight ratio of the silica precursor sol and the hollow silica particles was adjusted as shown in Table 3 below.

[[ 비교예comparative example 2] 2]

중공 실리카 분산액을 혼합하지 않은 실리카 전구체 졸 용액을 실리카 전구체 졸 용액으로 사용하고, 실리카 전구체 졸 용액의 농도를 9.4 wt%로 조절한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다.An optical member was prepared in the same manner as in Example 1, except that a silica precursor sol solution in which the hollow silica dispersion was not mixed was used as the silica precursor sol solution, and the concentration of the silica precursor sol solution was adjusted to 9.4 wt%.

[[ 비교예comparative example 3] 3]

바인더 수지로서 아크릴레이트 단량체를 사용하고, 아크릴레이트 단량체와 중공 실리카 입자의 중량비를 7:3으로 포함하는 수지 조성물을 트리아세틸 셀룰로오즈(TAC) 기재 상에 코팅하여 코팅층을 형성한 후, 이를 광경화하여 저굴절 코팅층이 구비된 광학 부재를 제조하였다. Using an acrylate monomer as a binder resin, a resin composition containing an acrylate monomer and a hollow silica particle in a weight ratio of 7:3 is coated on a triacetyl cellulose (TAC) substrate to form a coating layer, which is then photocured. An optical member provided with a low refractive index coating layer was manufactured.

실시예 8 내지 실시예 12, 및 비교예 2의 평균 광반사율 및 스틸 울 경도는 하기 표 3과 같다.The average light reflectance and steel wool hardness of Examples 8 to 12 and Comparative Example 2 are shown in Table 3 below.

실리카 전구체 졸 : 중공 실리카 입자
(중량비)
Silica Precursor Sol: Hollow Silica Particles
(weight ratio)
평균 광반사율
(%, @550㎚)
Average light reflectance
(%, @550nm)
스틸 울 경도steel wool hardness
비교예 2Comparative Example 2 1:0 1:0 2.62.6 1.4 kg OK1.4 kg OK 실시예 8Example 8 8:28:2 1.71.7 1.1 kg OK1.1 kg OK 실시예 9Example 9 7:37:3 1.41.4 1.1 kg OK1.1 kg OK 실시예 10Example 10 6:46:4 1.11.1 600 g OK600 g OK 실시예 11Example 11 5:55:5 0.80.8 500 g OK500 g OK 실시예 12Example 12 4:64:6 0.80.8 300 g OK300 g OK 실시예 13Example 13 3.5:6.53.5:6.5 0.40.4 250g OK250g OK 비교예 3Comparative Example 3 -- 1.41.4 500 g OK500 g OK

본 명세서에서, 스틸 울 경도는 마모시험기(기배이앤티, KP-M4360)를 이용하여, 시료 표면에 하중을 가하며 25 cpm(cycle per minute)으로 10회 반복하여 표면의 손상 여부를 육안으로 확인하는 방법으로 측정하였다. In this specification, the steel wool hardness is measured by using an abrasion tester (Gibei E&T, KP-M4360), applying a load to the sample surface and repeating 10 times at 25 cpm (cycle per minute) to visually check whether the surface is damaged. method was measured.

표 3에 따르면, 중공 실리카 입자를 포함하지 않은 비교예 2의 광반사율에 비하여, 중공 실리카 입자를 포함하는 실시예 8 내지 실시예 13은 낮은 광반사율을 구현하는 것을 확인할 수 있다. 중공 실리카 입자의 함량이 증가할수록 스틸 울 경도는 낮아지지만, 실시예 8 및 9의 경우에는 1 kg 이상의 스틸 울 경도를 구현하여 매우 우수한 표면 경도를 구현함을 확인할 수 있다. 구체적으로, 실시예에 따른 저굴절 실리카 코팅층은 기존의 중공 실리카 입자를 포함하는 저굴절 코팅층과는 달리 중공 실리카 입자의 탈락이 쉽게 발생하지 않는 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다. 이는, 실시예에 따른 저굴절 코팅층은 실리카 전구체 졸을 이용하여 실리카 막을 형성하므로, 기존의 고분자 매트릭스 내에 중공 실리카 입자가 분산된 저굴절 코팅층과는 차별화된 표면 강도를 나타낼 수 있다. 나아가, 기존의 고분자 매트릭스 내에 중공 실리카 입자를 포함하는 저굴절 코팅층에 비하여, 실시예에 따른 저굴절 실리카 코팅층은 중공 실리카 입자의 탈락이 쉽지 않은 특성을 구현할 수 있다. According to Table 3, compared to the light reflectivity of Comparative Example 2 not including the hollow silica particles, Examples 8 to 13 including the hollow silica particles can be confirmed to implement low light reflectance. As the content of the hollow silica particles increases, the steel wool hardness decreases, but in the case of Examples 8 and 9, it can be confirmed that the steel wool hardness of 1 kg or more is realized, thereby realizing very good surface hardness. Specifically, it can be seen that the low-refractive silica coating layer according to the embodiment exhibits a characteristic that the hollow silica particles do not easily fall off, unlike the conventional low-refractive coating layer including hollow silica particles. This is because the low-refractive coating layer according to the embodiment forms a silica film using a silica precursor sol, it can exhibit a surface strength differentiated from the low-refractive coating layer in which hollow silica particles are dispersed in an existing polymer matrix. Furthermore, compared to the low refractive index coating layer including the hollow silica particles in the existing polymer matrix, the low refractive silica coating layer according to the embodiment may implement a characteristic in which the hollow silica particles are not easily removed.

Claims (16)

용매 및 알콕시 실란을 포함하는 실리카 전구체 분산액을 준비하는 단계;
상기 실리카 전구체 분산액에 산성 촉매를 첨가하여, 실리카 전구체 졸을 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 형성하는 단계;
상기 실리카 전구체 졸 용액과 중공 실리카 입자를 혼합하는 단계;
상기 중공 실리카 입자를 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 기재 상에 도포하는 단계;
상기 기재 상에 도포된 실리카 전구체 졸 용액을 건조시켜 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계; 및
상기 실리카 전구체 졸 층을 염기 촉매에 접촉시켜, 상기 실리카 전구체 졸 층이 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계;를 포함하고,
상기 모든 공정은 120 ℃ 이하의 분위기에서 수행되는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.
preparing a silica precursor dispersion comprising a solvent and an alkoxy silane;
adding an acidic catalyst to the silica precursor dispersion to form a silica precursor sol solution comprising a silica precursor sol;
mixing the silica precursor sol solution and hollow silica particles;
applying a silica precursor sol solution including the hollow silica particles on a substrate;
drying the silica precursor sol solution applied on the substrate to form a silica precursor sol layer; and
contacting the silica precursor sol layer with a base catalyst to form the silica precursor sol layer as a low refractive silica coating layer;
All of the above processes are a method of manufacturing an optical member comprising a low-refractive silica coating layer that is carried out in an atmosphere of 120 ℃ or less.
청구항 1에 있어서,
상기 실리카 전구체 졸 용액의 실리카 전구체 졸의 함량은 5 wt% 이상 40 wt% 이하인 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.
The method according to claim 1,
The content of the silica precursor sol in the silica precursor sol solution is 5 wt% or more and 40 wt% or less.
청구항 1에 있어서,
상기 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 중량비는 8:2 내지 2:8인 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.
The method according to claim 1,
A weight ratio of the silica precursor sol and the hollow silica particles is 8:2 to 2:8. A method of manufacturing an optical member comprising a low refractive silica coating layer.
청구항 1에 있어서,
상기 중공 실리카 입자의 평균 외경은 20 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하인 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.
The method according to claim 1,
An average outer diameter of the hollow silica particles is 20 nm or more and 100 nm or less. A method of manufacturing an optical member comprising a low refractive silica coating layer.
청구항 1에 있어서,
상기 염기 촉매는 끓는점이 80 ℃ 이상의 무수물인 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.
The method according to claim 1,
The base catalyst is an anhydride having a boiling point of 80° C. or more. A method of manufacturing an optical member comprising a low refractive silica coating layer.
청구항 1에 있어서,
상기 염기 촉매는 아민계 염기 촉매, 인산계 염기 촉매 및 이미다졸계 염기 촉매 중 적어도 1종을 포함하는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.
The method according to claim 1,
The base catalyst is a method of manufacturing an optical member comprising a low refractive index silica coating layer comprising at least one of an amine-based base catalyst, a phosphoric acid-based base catalyst, and an imidazole-based base catalyst.
청구항 1에 있어서,
상기 염기 촉매는 하기 화학식 1 내지 화학식 10으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법:
[화학식 1]
Figure 112017128453702-pat00024

[화학식 2]
Figure 112017128453702-pat00025

[화학식 3]
Figure 112017128453702-pat00026

[화학식 4]
Figure 112017128453702-pat00027

[화학식 5]
Figure 112017128453702-pat00028

[화학식 6]
Figure 112017128453702-pat00029

[화학식 7]
Figure 112017128453702-pat00030

[화학식 8]
Figure 112017128453702-pat00031

[화학식 9]
Figure 112017128453702-pat00032

[화학식 10]
Figure 112017128453702-pat00033

상기 화학식 1 내지 화학식 10에 있어서,
R1 내지 R32는 각각 독립적으로, 수소; 또는 탄소수 1 내지 40의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 50의 아릴기;이고,
n 및 x는 1 내지 3 중 어느 하나의 정수이며, o 내지 q는 1 내지 4 중 어느 하나의 정수이고, m 및 r 내지 w는 1 내지 5 중 어느 하나의 정수이며,
n 이 2 이상인 경우 R6은 동일 또는 상이할 수 있고, m이 2 이상인 경우 R7은 동일 또는 상이할 수 있으며, o가 2 이상인 경우 R16은 동일 또는 상이할 수 있고, p가 2 이상인 경우 R17은 동일 또는 상이할 수 있으며, q가 2 이상인 경우 R18은 동일 또는 상이할 수 있고, r이 2 이상인 경우 R19는 동일 또는 상이할 수 있으며, s가 2 이상인 경우 R20은 동일 또는 상이할 수 있고, t가 2 이상인 경우 R21은 동일 또는 상이할 수 있으며, u가 2 이상인 경우 R22는 동일 또는 상이할 수 있고, v가 2 이상인 경우 R23은 동일 또는 상이할 수 있으며, w가 2 이상인 경우 R25는 동일 또는 상이할 수 있고, x가 2 이상인 경우 R32는 동일 또는 상이할 수 있다.
The method according to claim 1,
The base catalyst is a method of manufacturing an optical member comprising a low refractive silica coating layer comprising at least one of the compounds represented by the following Chemical Formulas 1 to 10:
[Formula 1]
Figure 112017128453702-pat00024

[Formula 2]
Figure 112017128453702-pat00025

[Formula 3]
Figure 112017128453702-pat00026

[Formula 4]
Figure 112017128453702-pat00027

[Formula 5]
Figure 112017128453702-pat00028

[Formula 6]
Figure 112017128453702-pat00029

[Formula 7]
Figure 112017128453702-pat00030

[Formula 8]
Figure 112017128453702-pat00031

[Formula 9]
Figure 112017128453702-pat00032

[Formula 10]
Figure 112017128453702-pat00033

In Formulas 1 to 10,
R1 to R32 are each independently hydrogen; or a linear or branched alkyl group having 1 to 40 carbon atoms; Or an aryl group having 6 to 50 carbon atoms;
n and x are any one integer from 1 to 3, o to q are any one integer from 1 to 4, m and r to w are any one integer from 1 to 5,
When n is 2 or more, R6 can be the same or different, when m is 2 or more, R7 can be the same or different, when o is 2 or more, R16 can be the same or different, and when p is 2 or more, R17 is the same or may be different, and when q is 2 or more, R18 may be the same or different, if r is 2 or more, R19 may be the same or different, and when s is 2 or more, R20 may be the same or different, and t is When u is 2 or more, R21 can be the same or different, when u is 2 or more, R22 can be the same or different, when v is 2 or more, R23 can be the same or different, and when w is 2 or more, R25 is the same or different , and when x is 2 or more, R32 may be the same or different.
청구항 1에 있어서,
상기 용매는 알코올계 용매; 케톤계 용매; 및 아세테이트계 용매 중 적어도 1종을 포함하는 유기 용매를 포함하는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.
The method according to claim 1,
The solvent is an alcohol-based solvent; ketone solvents; and an organic solvent including at least one of acetate-based solvents.
청구항 1에 있어서,
상기 알콕시 실란은 테트라에톡시실란, 테트라메톡시실란, 메톡시트리에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 트리메톡시페닐실란, 트리에톡시페닐실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 3-(아크릴로일옥시)프로필트리메톡시실란, 1,2-비스(트리에톡시실란)에탄, 및 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 중 적어도 하나를 포함하는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.
The method according to claim 1,
The alkoxy silane is tetraethoxysilane, tetramethoxysilane, methoxyethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, trimethoxyphenylsilane, triethoxyphenylsilane, 2-(3, 4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, 3-(acryloyloxy)propyltrimethoxysilane, 1,2-bis(tri Ethoxysilane) ethane, and 3-methacryloxypropyl trimethoxysilane method of manufacturing an optical member comprising a low refractive index silica coating layer comprising at least one.
청구항 1에 있어서,
상기 실리카 전구체 졸 용액을 형성하는 단계는, 상기 실리카 전구체 분산액의 pH를 0 내지 5로 조절하는 것을 포함하는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.
The method according to claim 1,
The forming of the silica precursor sol solution includes adjusting the pH of the silica precursor dispersion to 0 to 5. A method of manufacturing an optical member including a low refractive silica coating layer.
청구항 1에 있어서,
상기 산성 촉매는 염산, 황산, 플루오르황산, 질산, 인산, 아세트산, 헥사플루오르인산, p-톨루엔설폰산 및 트리플루오로메탄술폰산 중 적어도 하나를 포함하는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.
The method according to claim 1,
The acid catalyst includes at least one of hydrochloric acid, sulfuric acid, fluorosulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, hexafluorophosphoric acid, p-toluenesulfonic acid, and trifluoromethanesulfonic acid. manufacturing method.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는, 60 ℃ 내지 120 ℃의 온도의 상기 염기 촉매에 상기 기재 상에 구비된 실리카 전구체 졸 층을 접촉시키는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.
The method according to claim 1,
The step of forming the low-refractive silica coating layer is a method of manufacturing an optical member comprising a low-refractive silica coating layer in which the silica precursor sol layer provided on the substrate is brought into contact with the base catalyst at a temperature of 60° C. to 120° C. .
청구항 1에 있어서,
상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재는 롤투롤 연속 공정으로 제조되는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.
The method according to claim 1,
The optical member including the low-refractive silica coating layer is a method of manufacturing an optical member comprising a low-refractive silica coating layer that is manufactured by a roll-to-roll continuous process.
청구항 1에 따른 제조방법으로 제조된 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재.An optical member comprising a low-refractive silica coating layer manufactured by the manufacturing method according to claim 1 . 청구항 15에 있어서,
상기 기재는 편광 필름, 휘도 향상 필름 또는 위상차 필름인 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재.
16. The method of claim 15,
The substrate is an optical member including a low refractive index silica coating layer that is a polarizing film, a brightness enhancing film, or a retardation film.
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