KR102555934B1 - Hollow silica particle, method of preparing the same, dispersion composition including the same, diffusion film for display and optical element for display - Google Patents

Hollow silica particle, method of preparing the same, dispersion composition including the same, diffusion film for display and optical element for display Download PDF

Info

Publication number
KR102555934B1
KR102555934B1 KR1020200175665A KR20200175665A KR102555934B1 KR 102555934 B1 KR102555934 B1 KR 102555934B1 KR 1020200175665 A KR1020200175665 A KR 1020200175665A KR 20200175665 A KR20200175665 A KR 20200175665A KR 102555934 B1 KR102555934 B1 KR 102555934B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
acid
preparing
core
hollow silica
shell
Prior art date
Application number
KR1020200175665A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20220085520A (en
Inventor
이후인
하승훈
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020200175665A priority Critical patent/KR102555934B1/en
Publication of KR20220085520A publication Critical patent/KR20220085520A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102555934B1 publication Critical patent/KR102555934B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/18Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F12/00Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F12/02Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F12/04Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F12/06Hydrocarbons
    • C08F12/08Styrene
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F8/00Chemical modification by after-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J3/00Processes of treating or compounding macromolecular substances
    • C08J3/12Powdering or granulating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/006Anti-reflective coatings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/02Emulsion paints including aerosols
    • C09D5/024Emulsion paints including aerosols characterised by the additives
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/02Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/0236Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
    • G02B5/0242Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of dispersed particles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12Surface area
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/16Pore diameter

Abstract

본 발명은 중공실리카 입자, 그의 제조방법, 그를 포함하는 디스플레이용 분산액 조성물, 확산 필름 및 디스플레이용 광학 부재에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 중공실리카 입자는, 양이온으로 개질된 중공의 코어; 및 상기 코어를 둘러싸는 실리카 쉘;을 포함한다.The present invention relates to a hollow silica particle, a method for preparing the same, a dispersion composition for a display including the same, a diffusion film, and an optical member for a display. The hollow silica particle according to an embodiment of the present invention is a hollow core modified with cations. ; and a silica shell surrounding the core.

Description

중공실리카 입자, 그의 제조방법, 그를 포함하는 디스플레이용 분산액 조성물, 확산 필름 및 디스플레이용 광학 부재{HOLLOW SILICA PARTICLE, METHOD OF PREPARING THE SAME, DISPERSION COMPOSITION INCLUDING THE SAME, DIFFUSION FILM FOR DISPLAY AND OPTICAL ELEMENT FOR DISPLAY}Hollow silica particles, manufacturing method thereof, dispersion composition for display including the same, diffusion film and optical member for display

본 발명은 중공실리카 입자, 그의 제조방법, 그를 포함하는 디스플레이용 분산액 조성물, 확산 필름 및 디스플레이용 광학 부재에 관한 것이다.The present invention relates to hollow silica particles, a method for preparing the same, a dispersion composition for a display including the same, a diffusion film, and an optical member for a display.

실리카는 다양한 응용분야에 사용되는 기반물질로, 코어 부분에 속 빈 공간이 존재하는 중공실리카 입자는 중공부분에 다양한 유용물질들을 담지할 수 있어 다양한 산업분야에 응용가능성이 높다. 실리카 쉘 안에 공기층을 내포하는 중공실리카 입자는 저굴절 소재로 디스플레이 최외각 층에 코팅하여 반사 방지, 눈부심 방지 효과를 낼 수 있다.Silica is a base material used in various application fields, and hollow silica particles having hollow spaces in the core portion can support various useful materials in the hollow portion, and thus have high applicability in various industrial fields. Hollow silica particles containing an air layer in the silica shell can be coated on the outermost layer of the display with a low refractive index material to achieve anti-reflection and anti-glare effects.

중공실리카 입자의 제조방법으로서 불화마그네슘이 실리카에 도핑된 중공 복합체로서, 평균 입경이 20 ~ 500 nm인 중공 복합체의 제조 방법이 있다. 이는, 졸겔법에 의해 실리카 입자의 코어와 쉘을 제조한 후 상기 코어를 제거하는 방법에 의해 중공입자를 제조하는 방법에 관한 것이다. As a method for producing hollow silica particles, there is a method for producing a hollow composite in which silica is doped with magnesium fluoride, and has an average particle diameter of 20 to 500 nm. This relates to a method of manufacturing hollow particles by preparing a core and a shell of silica particles by a sol-gel method and then removing the core.

또한, 폴리올 용매를 이용하여 은나노결정을 합성하는 단계와, 상기 은나노결정에 실리카를 코팅하여 은-실리카 코어-쉘 나노입자를 합성하는 단계 및 상기 은-실리카 코어-쉘 나노입자의 은코어를 에칭하는 단계로 구성되는 중공실리카 입자의 제조방법도 있다.In addition, synthesizing silver nanocrystals using a polyol solvent, coating silica on the silver nanocrystals to synthesize silver-silica core-shell nanoparticles, and etching the silver core of the silver-silica core-shell nanoparticles There is also a method for producing hollow silica particles consisting of the steps of.

중공실리카 입자는 저굴절 소재로 디스플레이 최외각 층에 코팅하여 반사 방지, 눈부심 방지 효과를 낼 수 있는데, 코팅면이 투명하고 반사율이 낮은 특성을 나타내기 위해 중공실리카 입자 크기 100 nm 이하가 요구되며, 실리카 쉘이 치밀해야 한다.Hollow silica particles are a low refractive index material that can be coated on the outermost layer of a display to produce antireflection and antiglare effects. In order to exhibit characteristics of transparent coating and low reflectance, hollow silica particle size of 100 nm or less is required, The silica shell must be dense.

그러나, 현재까지 알려진 중공실리카 입자 제조기술로는 실리카 쉘이 치밀하고, 나노미터(nm) 수준의 나노입자의 제조에 적합하지 않다.However, the currently known hollow silica particle manufacturing technology has a dense silica shell and is not suitable for manufacturing nanometer (nm) level nanoparticles.

이에, 실리카 쉘이 치밀하고, 나노미터 수준의 중공실리카 입자 제조의 개발이 필요한 실정이다.Accordingly, it is necessary to develop a method for producing nanometer-level hollow silica particles having a dense silica shell.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 실리카 쉘이 치밀하고, 나노미터 수준의 중공실리카 입자, 그의 제조방법, 그를 포함하는 디스플레이용 분산액 조성물, 확산 필름 및 디스플레이용 광학 부재를 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is a dense silica shell, a nanometer-level hollow silica particle, a manufacturing method thereof, a dispersion composition for a display comprising the same, a diffusion film, and an optical display for a display. to provide absence.

그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 해당 분야 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problem to be solved by the present invention is not limited to those mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명의 일 실시예에 따른 중공실리카 입자는, 양이온으로 개질된 중공의 코어; 및 상기 코어를 둘러싸는 실리카 쉘;을 포함한다.Hollow silica particles according to an embodiment of the present invention, the hollow core modified with cations; and a silica shell surrounding the core.

일 실시형태에 있어서, 상기 양이온으로 개질된 중공의 코어는, 양이온성 계면활성제 유래 양이온성기를 포함하는 것이고, 상기 양이온성 계면활성제는, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(CTAB), 세틸트리메틸암모늄 클로라이드(CTAC), 세틸피리디늄클로라이드(CPC), 도데실트리메틸암모늄 브로마이드(DTAB), 테트라데실트리메틸암모늄 브로마이드(TTAB), 테트라트리메틸암모늄 브로마이드(TMB), 디옥타데실디메틸암모늄브로마이드(DODAB) 및 디메틸디옥타데실암모늄클로라이드(DODMAC)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. In one embodiment, the hollow core modified with the cation includes a cationic group derived from a cationic surfactant, and the cationic surfactant is cetyltrimethylammonium bromide (CTAB), cetyltrimethylammonium chloride (CTAC) , cetylpyridinium chloride (CPC), dodecyltrimethylammonium bromide (DTAB), tetradecyltrimethylammonium bromide (TTAB), tetratrimethylammonium bromide (TMB), dioctadecyldimethylammonium bromide (DODAB) and dimethyldioctadecylammonium It may include at least one selected from the group consisting of chloride (DODMAC).

일 실시형태에 있어서, 상기 중공실리카 입자의 평균 직경은 30 nm 내지 100 nm인 것일 수 있다. In one embodiment, the average diameter of the hollow silica particles may be 30 nm to 100 nm.

일 실시형태에 있어서, 상기 코어의 평균 직경이 30 nm 내지 60 nm이고, 상기 실리카 쉘의 평균 두께가 1 nm 내지 20 nm인 것일 수 있다. In one embodiment, the core may have an average diameter of 30 nm to 60 nm, and the silica shell may have an average thickness of 1 nm to 20 nm.

일 실시형태에 있어서, 상기 실리카 쉘의 공극률은 40 % 내지 70 %인 것일 수 있다. In one embodiment, the porosity of the silica shell may be 40% to 70%.

일 실시형태에 있어서, 상기 중공실리카 입자의 비표면적은 320 m2/g 이상인 것일 수 있다. In one embodiment, the specific surface area of the hollow silica particles may be 320 m 2 /g or more.

본 발명의 다른 실시예에 따른 중공실리카 입자의 제조 방법은, 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자를 준비하는 단계; 상기 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자 상에 실리카 쉘을 형성하여 코어-쉘 입자를 준비하는 단계; 및 상기 코어-쉘 입자를 소성하여 코어를 제거하는 단계;를 포함한다.A method for producing hollow silica particles according to another embodiment of the present invention includes preparing polystyrene particles surface-modified with cations; Preparing core-shell particles by forming a silica shell on the surface-modified polystyrene particles with the cation; and removing the core by firing the core-shell particle.

일 실시형태에 있어서, 상기 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자를 준비하는 단계는, 증류수에 양이온성 계면활성제를 용해시켜 양이온성 계면활성제 용액을 준비하는 단계; 상기 양이온성 계면활성제 용액을 50 ℃ 내지 90 ℃의 온도 범위로 승온하면서 질소 분위기를 형성하는 단계; 스티렌 모노머를 정제하는 단계; 상기 양이온성 계면활성제 용액에 상기 정제된 스티렌 모노머를 질소분위기 하에 투입하여 교반하여 혼합물을 준비하는 단계; 상기 교반된 스티렌 모노머를 50 ℃ 내지 90 ℃의 온도 범위로 가열한 후 질소 분위기 하에서 중합개시제를 투입하는 단계; 상기 중합개시제가 투입된 상기 스티렌 모노머를 50 ℃ 내지 90 ℃의 온도 범위에서 밤새 반응시켜 중합 용액을 준비하는 단계; 및 상기 형성된 중합 용액을 유기용매로 수 회 세척하는 단계;를 포함할 수 있다. In one embodiment, the step of preparing the surface-modified polystyrene particles with cations, preparing a cationic surfactant solution by dissolving the cationic surfactant in distilled water; Forming a nitrogen atmosphere while raising the temperature of the cationic surfactant solution to a temperature range of 50 ℃ to 90 ℃; purifying the styrene monomer; preparing a mixture by adding the purified styrene monomer to the cationic surfactant solution under a nitrogen atmosphere and stirring; Injecting a polymerization initiator under a nitrogen atmosphere after heating the stirred styrene monomer to a temperature range of 50 ° C to 90 ° C; preparing a polymerization solution by reacting the styrene monomer into which the polymerization initiator was added overnight at a temperature range of 50 °C to 90 °C; and washing the formed polymerization solution several times with an organic solvent.

일 실시형태에 있어서, 상기 양이온성 계면활성제는, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(CTAB), 세틸트리메틸암모늄 클로라이드(CTAC), 세틸피리디늄클로라이드(CPC), 도데실트리메틸암모늄 브로마이드(DTAB), 테트라데실트리메틸암모늄 브로마이드(TTAB), 테트라트리메틸암모늄 브로마이드(TMB), 디옥타데실디메틸암모늄브로마이드(DODAB) 및 디메틸디옥타데실암모늄클로라이드(DODMAC)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. In one embodiment, the cationic surfactant is cetyltrimethylammonium bromide (CTAB), cetyltrimethylammonium chloride (CTAC), cetylpyridinium chloride (CPC), dodecyltrimethylammonium bromide (DTAB), tetradecyltrimethylammonium It may contain at least one selected from the group consisting of bromide (TTAB), tetratrimethylammonium bromide (TMB), dioctadecyldimethylammonium bromide (DODAB), and dimethyldioctadecylammonium chloride (DODMAC).

일 실시형태에 있어서, 상기 증류수에 양이온성 계면활성제를 용해시켜 양이온성 계면활성제 용액을 준비하는 단계는, 상기 양이온성 계면활성제를 상기 스티렌 모노머 대비 0.001 중량% 내지 50 중량% 포함하는 것일 수 있다. In one embodiment, the step of preparing a cationic surfactant solution by dissolving the cationic surfactant in the distilled water may include 0.001% to 50% by weight of the cationic surfactant compared to the styrene monomer.

일 실시형태에 있어서, 상기 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자 상에 실리카 쉘을 형성하여 코어-쉘 입자를 준비하는 단계는, 증류수에 상기 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자를 희석하여 분산액을 준비하는 단계; 상기 분산액에 산성 물질을 혼합하여 pH를 조절하는 단계; 상기 pH 조절된 분산액을 40 ℃ 내지 80 ℃의 온도 범위로 가열한 후 실란 화합물을 투입하여 코어-쉘 형성 용액을 준비하는 단계; 상기 코어-쉘 형성 용액을 40 ℃ 내지 80 ℃의 온도 범위에서 1 시간 내지 7 시간 반응시켜 코어-쉘 반응 용액을 준비하는 단계; 및 상기 코어-쉘 반응 용액을 건조하는 단계;를 포함할 수 있다. In one embodiment, preparing the core-shell particles by forming a silica shell on the polystyrene particles surface-modified with the cations includes preparing a dispersion by diluting the polystyrene particles surface-modified with the cations in distilled water; adjusting the pH by mixing an acidic substance with the dispersion; preparing a core-shell formation solution by heating the pH-adjusted dispersion to a temperature range of 40 °C to 80 °C and then introducing a silane compound; preparing a core-shell reaction solution by reacting the core-shell forming solution at a temperature range of 40 °C to 80 °C for 1 hour to 7 hours; and drying the core-shell reaction solution.

일 실시형태에 있어서, 상기 산성 물질은, 질산, 염산, 인산, 황산, 불산, 브롬산, 요오드산, 피멜린산, 말산, 말론산, 말레산, 아세트산, 아디프산, 옥살산, 숙신산, 타르타르산, 시트르산, 락트산, 글루타르산, 글리콜산, 포름산, 푸마르산, 프로피온산, 부티르산, 히드록시부티르산, 아스파르트산, 이타콘산, 트리카발산, 수베르산, 벤조산, 페닐아세트산, 나프토산, 만델산, 피콜린산, 니코틴산, 이소니코틴산, 퀴놀린산, 안트라닐산, 푸자르산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피리딘카르복실산, 살리실산, 글루타민산, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산 코폴리머 및 폴리술폰산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. In one embodiment, the acidic substance is nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, hydrobromic acid, iodic acid, pimelic acid, malic acid, malonic acid, maleic acid, acetic acid, adipic acid, oxalic acid, succinic acid, tartaric acid , citric acid, lactic acid, glutaric acid, glycolic acid, formic acid, fumaric acid, propionic acid, butyric acid, hydroxybutyric acid, aspartic acid, itaconic acid, tricarbalic acid, suberic acid, benzoic acid, phenylacetic acid, naphthoic acid, mandelic acid, blood selected from the group consisting of cholic acid, nicotinic acid, isonicotinic acid, quinolinic acid, anthranilic acid, fujaric acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, pyridinecarboxylic acid, salicylic acid, glutamic acid, polyacrylic acid, polyacrylic acid copolymer and polysulfonic acid It may contain at least any one.

일 실시형태에 있어서, 상기 분산액에 산성 물질을 혼합하여 pH를 조절하는 단계는, 상기 분산액의 pH 가 1 내지 6의 범위로 조절하는 것일 수 있다. In one embodiment, in the step of adjusting the pH by mixing an acidic material with the dispersion, the pH of the dispersion may be adjusted to a range of 1 to 6.

일 실시형태에 있어서, 상기 실란 화합물은, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란, 테트라이소부톡시실란, 테트라-sec-부톡시실란, 테트라-tert-부톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리프로폭시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 부틸트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, γ-글리시톡시프로필트리메톡시실란, γ-아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, γ-매타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 메틸페닐디메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 디비닐디메톡시실란, 디비닐디에톡시실란, 트리비닐메톡시실란 및 트리비닐에톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. In one embodiment, the silane compound is tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetra-n-butoxysilane, tetraisobutoxysilane, tetra- sec-butoxysilane, tetra-tert-butoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltripropoxysilane, methyltriisopropoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane , propyltriethoxysilane, butyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, γ-glycoxypropyltrimethoxysilane, γ-acryloyloxypropyltrimethoxysilane, γ- methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, methylphenyldimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, divinyldimethoxysilane, divinyldiethoxysilane, trivinylmethoxysilane And it may include at least one selected from the group consisting of trivinylethoxysilane.

일 실시형태에 있어서, 상기 코어-쉘 입자를 소성하여 코어를 제거하는 단계는, 상기 코어-쉘 입자를 300 ℃ 내지 800 ℃의 온도범위에서 1 시간 내지 10 시간 동안 수행하는 것일 수 있다. In one embodiment, the step of sintering the core-shell particles to remove the cores may be performed at a temperature range of 300 °C to 800 °C for 1 hour to 10 hours.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이용 분산액 조성물은, 본 발명의 일 실시예에 따른 중공실리카 입자 및 본 발명의 다른 실시예에 따른 중공실리카 입자의 제조방법에 의해 제조된 중공실리카 입자를 포함한다.A dispersion composition for display according to another embodiment of the present invention includes hollow silica particles according to an embodiment of the present invention and hollow silica particles prepared by a method for manufacturing hollow silica particles according to another embodiment of the present invention. do.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 확산 필름은, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이용 분산액 조성물의 경화체를 포함한다.A diffusion film according to another embodiment of the present invention includes a cured product of a dispersion composition for a display according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이용 광학 부재는, 본 발명의 일 실시예에 따른 확산 필름을 포함한다.An optical member for a display according to another embodiment of the present invention includes a diffusion film according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 중공실리카 입자는 100 nm 이하의 미립자로서 투명하고 반사율이 낮아 저굴절 소재로 응용하기에 적합할 수 있다.Hollow silica particles according to an embodiment of the present invention are fine particles of 100 nm or less and are transparent and have low reflectance, which may be suitable for application as a low refractive index material.

본 발명의 일 실시예에 따른 중공실리카 입자의 제조 방법은 중합 시 양이온성 계면활성제를 포함 및 적용하여 코어를 합성하고 100 nm 이하의 중공실리카 입자를 제조할 수 있다.In the method for producing hollow silica particles according to an embodiment of the present invention, a core may be synthesized by including and applying a cationic surfactant during polymerization, and hollow silica particles having a size of 100 nm or less may be prepared.

본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이용 분산액 조성물 및 그의 경화체를 포함하는 확산 필름은, 반사 방지, 눈부심 방지 효율을 나타냄으로써 광학적으로 우수한 특성을 구현할 수 있다.A dispersion composition for a display according to an embodiment of the present invention and a diffusion film including a cured product of the dispersion composition exhibit antireflection and antiglare efficiencies, thereby realizing excellent optical properties.

본 발명의 일 실시예에 따른 확산 필름 및 디스플레이용 광학 부재는, 휴대전화, 테블릿PC, PDP, 노트북, 모니터, TV의 백라이트 유닛에 들어가는 확산필름을 제조하는데 이용될 수 있다.A diffusion film and an optical member for a display according to an embodiment of the present invention can be used to manufacture a diffusion film for a backlight unit of a mobile phone, tablet PC, PDP, laptop computer, monitor, or TV.

도 1은 본 발명의 일 실시예예에 따른 중공실리카 입자의 모식도를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 중공실리카 입자의 제조 공정을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 3은 도 2의 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자 준비 단계의 세부 공정을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 4는 도 2의 코어-쉘 입자 준비 단계의 세부 공정을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 1 내지 4, 비교예 1 및 2에 따른 중공실리카 입자 및 이를 포함하는 디스플레이용 분산액 조성물의 TEM 이미지이다.
1 shows a schematic diagram of hollow silica particles according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart schematically showing a manufacturing process of hollow silica particles according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a flowchart schematically illustrating a detailed process of preparing the surface-modified polystyrene particles of FIG. 2 .
FIG. 4 is a flowchart schematically illustrating a detailed process of preparing the core-shell particle of FIG. 2 .
5 is a TEM image of the hollow silica particles according to Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 of the present invention and a dispersion composition for a display comprising the same.

이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 그러나, 실시예들에는 다양한 변경이 가해질 수 있어서 특허출원의 권리 범위가 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 실시예들에 대한 모든 변경, 균등물 내지 대체물이 권리 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, since various changes can be made to the embodiments, the scope of the patent application is not limited or limited by these embodiments. It should be understood that all changes, equivalents or substitutes to the embodiments are included within the scope of rights.

실시예에서 사용한 용어는 단지 설명을 목적으로 사용된 것으로, 한정하려는 의도로 해석되어서는 안된다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in the examples are used only for descriptive purposes and should not be construed as limiting. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as "include" or "have" are intended to designate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features It should be understood that the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the art to which the embodiment belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in the present application, they should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. don't

또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 실시예의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. In addition, in the description with reference to the accompanying drawings, the same reference numerals are given to the same components regardless of reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted. In describing the embodiment, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the gist of the embodiment, the detailed description will be omitted.

또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다.In addition, in describing the components of the embodiment, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, order, or order of the corresponding component is not limited by the term.

어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Components included in one embodiment and components having common functions will be described using the same names in other embodiments. Unless stated to the contrary, descriptions described in one embodiment may be applied to other embodiments, and detailed descriptions will be omitted to the extent of overlap.

본 발명의 일 실시예에 따른 중공실리카 입자는, 양이온으로 개질된 중공의 코어; 및 상기 코어를 둘러싸는 실리카 쉘;을 포함한다.Hollow silica particles according to an embodiment of the present invention, the hollow core modified with cations; and a silica shell surrounding the core.

본 발명에서 "중공실리카 입자"는, 코어의 속 빈 공간(중공)과 실리카 껍질을 포함하는 입자로서, 실리카의 다공성 껍질이, 그 내부 중공을 둘러싸고 있는 구조를 갖는다. 본 발명에서 실리카 껍질은 실리카 껍질벽 부분에 다수의 작은 구멍을 갖고 있으며, 따라서, 중공실리카 입자는 내부 코어 중공이 존재하며 실리카 껍질에 다수의 메조 기공이 분산되어 있다. 코어는 중공실리카 입자제조 시 양이온성 계면활성제로 개질되었던 코어 입자가 제거되었으므로, 일부 양이온성 계면활성제가 존재하며, 실리카 껍질 외부면, 내부면, 또는 실리카 껍질의 메조 기공의 빈 공간으로 분산되어 존재한다.In the present invention, "hollow silica particles" are particles including a hollow space (hollow) of a core and a silica shell, and have a structure in which a porous shell of silica surrounds the inner hollow. In the present invention, the silica shell has a plurality of small pores in the wall portion of the silica shell, and thus, the hollow silica particle has an inner core hollow and a plurality of mesopores are dispersed in the silica shell. Since the core particles modified with the cationic surfactant were removed during the manufacture of the hollow silica particles, some cationic surfactants exist and are dispersed in the outer surface of the silica shell, the inner surface, or the empty space of the mesopores of the silica shell. do.

도 1은 본 발명의 일 실시예예에 따른 중공실리카 입자의 모식도를 나타낸다.1 shows a schematic diagram of hollow silica particles according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예예에 따른 중공실리카 입자(100)는, 중공의 코어(110) 및 상기 코어(110)를 둘러싸는 실리카 쉘(120)을 포함하고, 상기 코어(110)는 양이온(130)으로 개질된 공간을 포함하고 있다. 코어(110)는 중공실리카 입자제조 시 양이온성 계면활성제로 개질되었던 코어 입자가 제거되었으므로, 완전히 다 제거되지 않고 일부 양이온성 계면활성제가 존재하는 것일 수 있다.Referring to FIG. 1, a hollow silica particle 100 according to an embodiment of the present invention includes a hollow core 110 and a silica shell 120 surrounding the core 110, and the core 110 ) includes spaces modified with cations 130. Since the core particles modified with the cationic surfactant are removed from the core 110 during preparation of the hollow silica particles, some cationic surfactant may be present without being completely removed.

일 실시형태에 있어서, 상기 양이온으로 개질된 중공의 코어(110)는, 양이온성 계면활성제 유래 양이온성기를 포함하는 것일 수 있다.In one embodiment, the hollow core 110 modified with the cation may include a cationic group derived from a cationic surfactant.

일 실시형태에 있어서, 상기 코어(110) 중 양이온성 계면활성제가 1 ppm 내지 500 ppm, 1 ppm 내지 450 ppm, 1 ppm 내지 400 ppm, 1 ppm 내지 350 ppm, 1 ppm 내지 300 ppm, 1 ppm 내지 250 ppm, 1 ppm 내지 200 ppm, 1 ppm 내지 150 ppm, 1 ppm 내지 100 ppm, 1 ppm 내지 50 ppm, 1 ppm 내지 30 ppm, 1 ppm 내지 10 ppm, 10 ppm 내지 500 ppm, 30 ppm 내지 500 ppm, 50 ppm 내지 500 ppm, 100 ppm 내지 500 ppm, 150 ppm 내지 500 ppm, 200 ppm 내지 500 ppm, 250 ppm 내지 500 ppm, 300 ppm 내지 500 ppm, 350 ppm 내지 500 ppm, 400 ppm 내지 500 ppm 또는 450 ppm 내지 500 ppm, 존재하는 것일 수 있다. In one embodiment, the cationic surfactant in the core 110 is 1 ppm to 500 ppm, 1 ppm to 450 ppm, 1 ppm to 400 ppm, 1 ppm to 350 ppm, 1 ppm to 300 ppm, 1 ppm to 400 ppm 250 ppm, 1 ppm to 200 ppm, 1 ppm to 150 ppm, 1 ppm to 100 ppm, 1 ppm to 50 ppm, 1 ppm to 30 ppm, 1 ppm to 10 ppm, 10 ppm to 500 ppm, 30 ppm to 500 ppm , 50 ppm to 500 ppm, 100 ppm to 500 ppm, 150 ppm to 500 ppm, 200 ppm to 500 ppm, 250 ppm to 500 ppm, 300 ppm to 500 ppm, 350 ppm to 500 ppm, 400 ppm to 500 ppm or 450 ppm to 500 ppm, which may be present.

일 실시형태에 있어서, 상기 양이온성 계면활성제는, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(CTAB), 세틸트리메틸암모늄 클로라이드(CTAC), 세틸피리디늄클로라이드(CPC), 도데실트리메틸암모늄 브로마이드(DTAB), 테트라데실트리메틸암모늄 브로마이드(TTAB), 테트라트리메틸암모늄 브로마이드(TMB), 디옥타데실디메틸암모늄브로마이드(DODAB) 및 디메틸디옥타데실암모늄클로라이드(DODMAC)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. In one embodiment, the cationic surfactant is cetyltrimethylammonium bromide (CTAB), cetyltrimethylammonium chloride (CTAC), cetylpyridinium chloride (CPC), dodecyltrimethylammonium bromide (DTAB), tetradecyltrimethylammonium It may contain at least one selected from the group consisting of bromide (TTAB), tetratrimethylammonium bromide (TMB), dioctadecyldimethylammonium bromide (DODAB), and dimethyldioctadecylammonium chloride (DODMAC).

일 실시형태에 있어서, 상기 중공실리카 입자의 평균 직경은 30 nm 내지 100 nm인 것일 수 있다. 바람직하게는, 상기 중공실리카 입자는 30 nm 내지 90 nm, 30 nm 내지 80 nm, 30 nm 내지 70 nm, 30 nm 내지 60 nm, 30 nm 내지 50 nm, 30 nm 내지 40 nm, 40 nm 내지 90 nm, 50 nm 내지 90 nm, 60 nm 내지 90 nm, 70 nm 내지 90 nm 또는 80 nm 내지 90 nm의 평균 직경을 갖는다.In one embodiment, the average diameter of the hollow silica particles may be 30 nm to 100 nm. Preferably, the hollow silica particles are 30 nm to 90 nm, 30 nm to 80 nm, 30 nm to 70 nm, 30 nm to 60 nm, 30 nm to 50 nm, 30 nm to 40 nm, 40 nm to 90 nm , 50 nm to 90 nm, 60 nm to 90 nm, 70 nm to 90 nm or 80 nm to 90 nm average diameter.

일 실시형태에 있어서, 상기 중공실리카 입자의 평균 직경이 30 nm 미만인 경우 중공실리카 입자의 굴절률이 높아지는 문제가 발생할 수 있고, 입자의 응집으로 인한 분산성 제어가 어려울 수 있다. 100 nm 초과인 경우 헤이즈(haze)가 높아져 투명성이 떨어지고, 실리카 쉘의 강도가 떨어져 필름에 충진 시 실리카 쉘이 깨질 우려가 있다. 일 실시형태에 있어서, 상기 코어의 평균 직경이 30 nm 내지 60 nm인 것일 수 있다. 바람직하게는, 상기 코어는 30 nm 내지 55 nm, 30 nm 내지 50 nm, 30 nm 내지 45 nm, 30 nm 내지 40 nm, 30 nm 내지 35 nm, 35 nm 내지 60 nm, 40 nm 내지 60 nm, 45 nm 내지 60 nm, 50 nm 내지 60 nm 또는 55 nm 내지 60 nm의 평균 직경을 갖는다.In one embodiment, when the average diameter of the hollow silica particles is less than 30 nm, the refractive index of the hollow silica particles may increase, and it may be difficult to control dispersibility due to aggregation of the particles. If it exceeds 100 nm, haze (haze) is increased, the transparency is lowered, and the strength of the silica shell is lowered, so there is a concern that the silica shell is broken when filling the film. In one embodiment, the core may have an average diameter of 30 nm to 60 nm. Preferably, the core has a thickness of 30 nm to 55 nm, 30 nm to 50 nm, 30 nm to 45 nm, 30 nm to 40 nm, 30 nm to 35 nm, 35 nm to 60 nm, 40 nm to 60 nm, 45 nm. nm to 60 nm, 50 nm to 60 nm or 55 nm to 60 nm average diameter.

일 실시형태에 있어서, 상기 코어의 평균 직경이 30 nm 미만인 경우 중공실리카 입자의 굴절률이 높아지는 문제가 발생할 수 있고, 입자의 응집으로 인한 분산성 제어가 어려울 수 있다. 60 nm 초과인 경우 haze가 높아져 투명성이 떨어지고 Shell의 강도가 떨어져 필름에 충진시 쉘이 깨질 우려가 있다. 코어의 평균 직경에 따라 최종적으로 제조되는 중공실리카의 평균 직경이 결정되며, 코어의 평균 직경을 제어하여 최종적으로 제조되는 중공실리카의 평균 직경을 제어할 수 있다.In one embodiment, when the average diameter of the core is less than 30 nm, the refractive index of the hollow silica particles may increase, and it may be difficult to control the dispersibility due to aggregation of the particles. If it exceeds 60 nm, the haze increases and the transparency decreases, and the strength of the shell decreases, so the shell may be broken when filling the film. The average diameter of the hollow silica to be finally manufactured is determined according to the average diameter of the core, and the average diameter of the hollow silica to be finally manufactured can be controlled by controlling the average diameter of the core.

일 실시형태에 있어서, 상기 실리카 쉘의 평균 두께가 1 nm 내지 20 nm인 것일 수 있다. 바람직하게는, 상기 실리카 쉘은 1 nm 내지 20 nm, 1 nm 내지 17 nm, 1 nm 내지 15 nm, 1 nm 내지 13 nm, 1 nm 내지 10 nm, 1 nm 내지 7 nm, 1 nm 내지 5 nm, 1 nm 내지 3 nm, 3 nm 내지 20 nm, 5 nm 내지 20 nm, 7 nm 내지 20 nm, 10 nm 내지 20 nm, 13 nm 내지 20 nm, 15 nm 내지 20 nm 또는 17 nm 내지 20 nm의 평균 두께를 갖는다. In one embodiment, the silica shell may have an average thickness of 1 nm to 20 nm. Preferably, the silica shell has a thickness of 1 nm to 20 nm, 1 nm to 17 nm, 1 nm to 15 nm, 1 nm to 13 nm, 1 nm to 10 nm, 1 nm to 7 nm, 1 nm to 5 nm, Average thickness of 1 nm to 3 nm, 3 nm to 20 nm, 5 nm to 20 nm, 7 nm to 20 nm, 10 nm to 20 nm, 13 nm to 20 nm, 15 nm to 20 nm or 17 nm to 20 nm have

일 실시형태에 있어서, 상기 실리카 쉘의 평균 두께가 1 nm 미만인 경우 중공실리카 입자 제조 시 코어가 제거됨에 따라 같이 제거되는 문제가 발생할 수 있고, 20 nm 초과인 경우 중공실리카 입자의 굴절률이 높아질 수 있다.In one embodiment, when the average thickness of the silica shell is less than 1 nm, a problem of being removed as the core is removed during manufacturing of the hollow silica particles may occur, and when the average thickness of the silica shell is greater than 20 nm, the refractive index of the hollow silica particles may increase. .

일 실시형태에 있어서, 상기 중공실리카 입자의 평균입자 직경은 모든 중공실리카 입자 내 모든 입자에 대해서 평균한 직경으로서 이해될 수 있다. 중공실리카 입자의 대표적인 샘플을 수집하고 주사전자현미경(SEM)으로 중공실리카 입자의 직경을 측정하는 것일 수 있다. 그리고 중공 부분의 내경은 투과 전자현미경 사진(TEM)으로 측정하는 것일 수 있다.In one embodiment, the average particle diameter of the hollow silica particles can be understood as the average diameter of all the particles in all the hollow silica particles. It may be to collect a representative sample of the hollow silica particles and measure the diameter of the hollow silica particles with a scanning electron microscope (SEM). In addition, the inner diameter of the hollow portion may be measured by transmission electron micrograph (TEM).

일 실시형태에 있어서, 상기 실리카 쉘의 공극률은 40 % 내지 70 % 인 것일 수 있다. 바람직하게는, 상기 실리카 쉘은 5O % 내지 65 %의 공극률을 갖는다.In one embodiment, the porosity of the silica shell may be 40% to 70%. Preferably, the silica shell has a porosity of 50% to 65%.

일 실시형태에 있어서, 상기 중공실리카 입자의 비표면적은 320 m2/g 이상인 것일 수 있다. 바람직하게는, 상기 중공실리카 입자의 비표면적은 320 m2/g 내지 500 m2/g인 것일 수 있다.In one embodiment, the specific surface area of the hollow silica particles may be 320 m 2 /g or more. Preferably, the specific surface area of the hollow silica particles may be 320 m 2 /g to 500 m 2 /g.

본 발명의 일 실시예에 따른 중공실리카 입자는 100 nm 이하의 미립자로서 투명하고 반사율이 낮아 저굴절 소재로 응용하기에 적합할 수 있다.Hollow silica particles according to an embodiment of the present invention are fine particles of 100 nm or less and are transparent and have low reflectance, which may be suitable for application as a low refractive index material.

본 발명의 다른 실시예에 따른 중공실리카 입자의 제조 방법은, 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자를 준비하는 단계; 상기 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자 상에 실리카 쉘을 형성하여 코어-쉘 입자를 준비하는 단계; 및 상기 코어-쉘 입자를 소성하여 코어를 제거하는 단계;를 포함한다.A method for producing hollow silica particles according to another embodiment of the present invention includes preparing polystyrene particles surface-modified with cations; Preparing core-shell particles by forming a silica shell on the surface-modified polystyrene particles with the cation; and removing the core by firing the core-shell particle.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 중공실리카 입자의 제조 공정을 개략적으로 나타낸 순서도이다.2 is a flowchart schematically showing a manufacturing process of hollow silica particles according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 중공실리카 입자의 제조 방법은, 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자 준비 단계 (210), 코어-쉘 입자 준비 단계 (220) 및 코어 제거 단계 (230)를 포함한다.Referring to FIG. 2 , the method for manufacturing hollow silica particles according to an embodiment of the present invention includes preparing polystyrene particles surface-modified with cations (210), preparing core-shell particles (220), and removing cores (230). ).

일 실시형태에 있어서, 상기 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자를 준비하는 단계는, 증류수에 양이온성 계면활성제를 용해시켜 양이온성 계면활성제 용액을 준비하는 단계; 상기 양이온성 계면활성제 용액을 50 ℃ 내지 90 ℃의 온도 범위로 승온하면서 질소 분위기를 형성하는 단계; 스티렌 모노머를 정제하는 단계; 상기 양이온성 계면활성제 용액에 상기 정제된 스티렌 모노머를 질소분위기 하에 투입하여 교반하여 혼합물을 준비하는 단계; 상기 교반된 스티렌 모노머를 50 ℃ 내지 90 ℃의 온도 범위로 가열한 후 질소 분위기 하에서 중합개시제를 투입하는 단계; 상기 중합개시제가 투입된 상기 스티렌 모노머를 50 ℃ 내지 90 ℃의 온도 범위에서 밤새 반응시켜 중합 용액을 준비하는 단계; 및 상기 형성된 중합 용액을 유기용매로 수 회 세척하는 단계;를 포함할 수 있다. In one embodiment, the step of preparing the surface-modified polystyrene particles with cations, preparing a cationic surfactant solution by dissolving the cationic surfactant in distilled water; Forming a nitrogen atmosphere while raising the temperature of the cationic surfactant solution to a temperature range of 50 ℃ to 90 ℃; purifying the styrene monomer; preparing a mixture by adding the purified styrene monomer to the cationic surfactant solution under a nitrogen atmosphere and stirring; Injecting a polymerization initiator under a nitrogen atmosphere after heating the stirred styrene monomer to a temperature range of 50 ° C to 90 ° C; preparing a polymerization solution by reacting the styrene monomer into which the polymerization initiator was added overnight at a temperature range of 50 °C to 90 °C; and washing the formed polymerization solution several times with an organic solvent.

도 3은 도 2의 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자 준비 단계의 세부 공정을 개략적으로 나타낸 순서도이다. FIG. 3 is a flowchart schematically illustrating a detailed process of preparing the surface-modified polystyrene particles of FIG. 2 .

도 3을 참조하면, 본 발명의 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자 준비 단계는, 양이온성 계면활성제 용액 준비 단계 (211), 승온 및 질소 분위기 형성 단계 (212), 스티렌 모노머 정제 단계 (213), 혼합물 준비 단계 (214), 중합개시제 투입 단계 (215) 및 중합 용액 준비 단계 (216) 및 세척 단계 (217)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the step of preparing the polystyrene particles surface-modified with cations of the present invention includes preparing a cationic surfactant solution (211), raising the temperature and forming a nitrogen atmosphere (212), purifying the styrene monomer (213), and mixing A preparation step (214), a polymerization initiator input step (215), a polymerization solution preparation step (216), and a washing step (217) are included.

일 실시형태에 있어서, 상기 양이온성 계면활성제 용액 준비 단계 (211)는, 증류수에 양이온성 계면활성제를 용해시켜 양이온성 계면활성제 용액을 준비하는 단계이다. In one embodiment, the cationic surfactant solution preparation step 211 is a step of preparing a cationic surfactant solution by dissolving the cationic surfactant in distilled water.

일 실시형태에 있어서, 상기 증류수에 양이온성 계면활성제를 용해시켜 양이온성 계면활성제 용액을 준비하는 단계는, 상기 양이온성 계면활성제를 상기 스티렌 모노머 대비 0.001 중량% 내지 50 중량% 포함하는 것일 수 있다. 바람직하게, 4 중량% 내지 26 중량%인 것일 수 있다. 상기 양이온성 계면활성제가 상기 스티렌 모노머 대비 0.001 중량% 미만인 경우 중공실리카 형상이 불균일할 수 있고, 50 중량% 초과인 경우 중합 용액의 고점도화를 야기할 수 있다.In one embodiment, the step of preparing a cationic surfactant solution by dissolving the cationic surfactant in the distilled water may include 0.001% to 50% by weight of the cationic surfactant compared to the styrene monomer. Preferably, it may be 4% by weight to 26% by weight. If the cationic surfactant is less than 0.001% by weight relative to the styrene monomer, the shape of the hollow silica may be non-uniform, and if it is greater than 50% by weight, it may cause high viscosity of the polymerization solution.

일 실시형태에 있어서, 상기 양이온성 계면활성제는, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(CTAB), 세틸트리메틸암모늄 클로라이드(CTAC), 세틸피리디늄클로라이드(CPC), 도데실트리메틸암모늄 브로마이드(DTAB), 테트라데실트리메틸암모늄 브로마이드(TTAB), 테트라트리메틸암모늄 브로마이드(TMB), 디옥타데실디메틸암모늄브로마이드(DODAB) 및 디메틸디옥타데실암모늄클로라이드(DODMAC)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. In one embodiment, the cationic surfactant is cetyltrimethylammonium bromide (CTAB), cetyltrimethylammonium chloride (CTAC), cetylpyridinium chloride (CPC), dodecyltrimethylammonium bromide (DTAB), tetradecyltrimethylammonium It may contain at least one selected from the group consisting of bromide (TTAB), tetratrimethylammonium bromide (TMB), dioctadecyldimethylammonium bromide (DODAB), and dimethyldioctadecylammonium chloride (DODMAC).

일 실시형태에 있어서, 상기 승온 및 질소 분위기 형성 단계 (212)는, 상기 양이온성 계면활성제 용액을 50 ℃ 내지 90 ℃의 온도 범위로 승온하면서(reflux) 질소 분위기를 형성하는 단계이다. 바람직하게는, 60 ℃ 내지 80 ℃의 온도 범위, 가장 바람직하게는, 70 ℃까지 승온하면서 질소 분위기를 형성할 수 있다.In one embodiment, the step of raising the temperature and forming a nitrogen atmosphere (212) is a step of forming a nitrogen atmosphere while raising the temperature of the cationic surfactant solution to a temperature range of 50 °C to 90 °C (reflux). Preferably, a nitrogen atmosphere may be formed while raising the temperature to a temperature range of 60 °C to 80 °C, most preferably, to 70 °C.

일 실시형태에 있어서, 상기 스티렌 모노머 정제 단계 (213)는, 스티렌 모노머를 정제하는 단계이다.In one embodiment, the styrene monomer purification step 213 is a step of purifying the styrene monomer.

일 실시형태에 있어서, 상기 혼합물 준비 단계 (214)는, 상기 양이온성 계면활성제 용액에 상기 정제된 스티렌 모노머를 질소분위기 하에 투입하여 교반하여 혼합물을 준비하는 단계이다.In one embodiment, the mixture preparation step 214 is a step of preparing a mixture by adding the purified styrene monomer to the cationic surfactant solution under a nitrogen atmosphere and stirring it.

일 실시형태에 있어서, 상기 중합개시제 투입 단계 (215)는, 상기 교반된 스티렌 모노머를 50 ℃ 내지 90 ℃의 온도 범위로 가열한 후 질소 분위기 하에서 중합개시제를 투입하는 단계이다. 바람직하게는, 60 ℃ 내지 80 ℃의 온도 범위, 가장 바람직하게는, 70 ℃ 도달 후 질소 분위기 하에서 중합개시제를 투입하는 것일 수 있다.In one embodiment, the polymerization initiator input step 215 is a step of heating the stirred styrene monomer to a temperature range of 50 °C to 90 °C and then introducing a polymerization initiator under a nitrogen atmosphere. Preferably, the temperature range of 60 ℃ to 80 ℃, most preferably, it may be to introduce a polymerization initiator under a nitrogen atmosphere after reaching 70 ℃.

일 실시형태에 있어서, 중합개시제는, 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온아미드)디하이드로클로라이드(2,2'-azobis(2-methylpropionamide)dihydrochloride; AIBA), N,N'-아조비스이소부티로니트릴(N,N'-azobisisobutyronitrile; AIBN), 2,2'-아조비스이소헵토니트릴(2,2'-azobisisoheptonitrile; ABVN), 2,2'-아조비스-2-메틸부티로니트릴(2,2'-azobis-2-methylbutyronitrile; AMBN), 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴)(1,1'-azobis(cyclohexane-1-carbonitrile); ACCN), 1-[시아노-1-메틸에틸)아조]포름아미드(1-[cyano-1-methylethyl)azo]formamide; CABN), 디메틸 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(dimethyl 2,2'-azobis(2-methylpropionate); AIBME), 2,2'-아조비스[2-(2-이미다졸린-2-일)프로판] 디하이드로클로라이드(2,2'-azobis [2-(2-imidazolin-2-yl)propane] dihydrochloride; AIBI), 벤조일 퍼옥사이드(benzoyl peroxide; BPO), 디큐밀 퍼옥사이드(dicumyl peroxide; DCP), 라우로일 퍼옥사이드(lauroyl peroxide; LPO), 메틸 에틸 케톤 퍼옥사이드(methyl ethyl ketone peroxide; MEKPO) 및 t-부틸 큐밀 퍼옥사이드(t-butyl cumyl peroxide; tBCP)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.In one embodiment, the polymerization initiator is 2,2'-azobis (2-methylpropionamide) dihydrochloride (2,2'-azobis (2-methylpropionamide) dihydrochloride; AIBA), N, N'-azo Bisisobutyronitrile (N,N'-azobisisobutyronitrile; AIBN), 2,2'-azobisisoheptonitrile (2,2'-azobisisoheptonitrile; ABVN), 2,2'-azobis-2-methylbutyro Nitrile (2,2'-azobis-2-methylbutyronitrile; AMBN), 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) (1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile); ACCN), 1-[cyano-1-methylethyl)azo]formamide; CABN), dimethyl 2,2'-azobis (2-methylpropionate) (dimethyl 2,2'-azobis (2-methylpropionate); AIBME), 2,2'-azobis [2- (2-imine Dazolin-2-yl)propane] dihydrochloride (2,2'-azobis [2-(2-imidazolin-2-yl)propane] dihydrochloride; AIBI), benzoyl peroxide (BPO), dicumyl Dicumyl peroxide (DCP), lauroyl peroxide (LPO), methyl ethyl ketone peroxide (MEKPO) and t-butyl cumyl peroxide (tBCP) It may include at least one selected from the group consisting of.

일 실시형태에 있어서, 상기 중합 용액 준비 단계 (216)는, 상기 중합개시제가 투입된 상기 스티렌 모노머를 50 ℃ 내지 90 ℃의 온도 범위에서 밤새 반응시켜 중합 용액을 준비하는 단계이다. 바람직하게는, 60 ℃ 내지 80 ℃의 온도 범위, 가장 바람직하게는, 70 ℃에서 밤새 반응시키는 것일 수 있다.In one embodiment, the polymerization solution preparation step 216 is a step of preparing a polymerization solution by reacting the styrene monomer into which the polymerization initiator is introduced at a temperature range of 50 °C to 90 °C overnight. Preferably, the temperature range of 60 ℃ to 80 ℃, most preferably, it may be to react overnight at 70 ℃.

일 실시형태에 있어서, 상기 세척 단계 (217)는 상기 형성된 중합 용액을 유기용매로 수 회 세척하는 단계이다. In one embodiment, the washing step 217 is a step of washing the formed polymerization solution several times with an organic solvent.

일 실시형태에 있어서, 상기 유기용매는, 에탄올, 메탄올, 클로로포름, 클로로메탄, 디클로로메탄, 트리클로로에탄 및 디메틸설폭시드로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. 바람직하게는, 에탄올로 중합 용액을 세척하여 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자를 수득하는 것일 수 있다.In one embodiment, the organic solvent may include at least one selected from the group consisting of ethanol, methanol, chloroform, chloromethane, dichloromethane, trichloroethane, and dimethylsulfoxide. Preferably, the polymerization solution may be washed with ethanol to obtain polystyrene particles surface-modified with cations.

일 실시형태에 있어서, 상기 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자 상에 실리카 쉘을 형성하여 코어-쉘 입자를 준비하는 단계는, 증류수에 상기 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자를 희석하여 분산액을 준비하는 단계; 상기 분산액에 산성 물질을 혼합하여 pH를 조절하는 단계; 상기 pH 조절된 분산액을 40 ℃ 내지 80 ℃의 온도 범위로 가열한 후 실란 화합물을 투입하여 코어-쉘 형성 용액을 준비하는 단계; 상기 코어-쉘 형성 용액을 40 ℃ 내지 80 ℃의 온도 범위에서 1 시간 내지 7 시간 반응시켜 코어-쉘 반응 용액을 준비하는 단계; 및 상기 코어-쉘 반응 용액을 건조하는 단계;를 포함할 수 있다. In one embodiment, preparing the core-shell particles by forming a silica shell on the polystyrene particles surface-modified with the cations includes preparing a dispersion by diluting the polystyrene particles surface-modified with the cations in distilled water; adjusting the pH by mixing an acidic substance with the dispersion; preparing a core-shell formation solution by heating the pH-adjusted dispersion to a temperature range of 40 °C to 80 °C and then introducing a silane compound; preparing a core-shell reaction solution by reacting the core-shell forming solution at a temperature range of 40 °C to 80 °C for 1 hour to 7 hours; and drying the core-shell reaction solution.

도 4는 도 2의 코어-쉘 입자 준비 단계의 세부 공정을 개략적으로 나타낸 순서도이다. FIG. 4 is a flowchart schematically illustrating a detailed process of preparing the core-shell particle of FIG. 2 .

도 4를 참조하면, 본 발명의 코어-쉘 입자 준비 단계는, 분산액 준비 단계 (221), pH 조절 단계 (222), 코어-쉘 형성 용액 준비 단계 (223), 코어-쉘 반응 용액 준비 단계 (224), 코어-쉘 반응 용액 건조 단계 (225)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the core-shell particle preparation step of the present invention includes a dispersion solution preparation step (221), a pH adjustment step (222), a core-shell forming solution preparation step (223), and a core-shell reaction solution preparation step ( 224), and drying the core-shell reaction solution (225).

일 실시형태에 있어서, 상기 분산액 준비 단계 (221)는, 증류수에 상기 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자를 희석하여 분산액을 준비하는 단계이다.In one embodiment, the dispersion preparation step 221 is a step of preparing a dispersion solution by diluting the polystyrene particles surface-modified with the cation in distilled water.

일 실시형태에 있어서, 상기 pH 조절 단계 (222)는, 상기 분산액에 산성 물질을 혼합하여 pH를 조절하는 단계이다.In one embodiment, the pH adjusting step 222 is a step of adjusting the pH by mixing an acidic material with the dispersion.

일 실시형태에 있어서, 상기 산성 물질은, 질산, 염산, 인산, 황산, 불산, 브롬산, 요오드산, 피멜린산, 말산, 말론산, 말레산, 아세트산, 아디프산, 옥살산, 숙신산, 타르타르산, 시트르산, 락트산, 글루타르산, 글리콜산, 포름산, 푸마르산, 프로피온산, 부티르산, 히드록시부티르산, 아스파르트산, 이타콘산, 트리카발산, 수베르산, 벤조산, 페닐아세트산, 나프토산, 만델산, 피콜린산, 니코틴산, 이소니코틴산, 퀴놀린산, 안트라닐산, 푸자르산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피리딘카르복실산, 살리실산, 글루타민산, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산 코폴리머 및 폴리술폰산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. In one embodiment, the acidic substance is nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, hydrobromic acid, iodic acid, pimelic acid, malic acid, malonic acid, maleic acid, acetic acid, adipic acid, oxalic acid, succinic acid, tartaric acid , citric acid, lactic acid, glutaric acid, glycolic acid, formic acid, fumaric acid, propionic acid, butyric acid, hydroxybutyric acid, aspartic acid, itaconic acid, tricarbalic acid, suberic acid, benzoic acid, phenylacetic acid, naphthoic acid, mandelic acid, blood selected from the group consisting of cholic acid, nicotinic acid, isonicotinic acid, quinolinic acid, anthranilic acid, fujaric acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, pyridinecarboxylic acid, salicylic acid, glutamic acid, polyacrylic acid, polyacrylic acid copolymer and polysulfonic acid It may contain at least any one.

일 실시형태에 있어서, 상기 분산액에 산성 물질을 혼합하여 pH를 조절하는 단계는, 상기 분산액의 pH 가 1 내지 6의 범위로 조절하는 것일 수 있다. 바람직하게는, 상기 분산액의 pH가 2 내지 5인 것일 수 있다.In one embodiment, in the step of adjusting the pH by mixing an acidic material with the dispersion, the pH of the dispersion may be adjusted to a range of 1 to 6. Preferably, the pH of the dispersion may be 2 to 5.

일 실시형태에 있어서, 상기 코어-쉘 형성 용액 준비 단계 (223)는, 상기 pH 조절된 분산액을 40 ℃ 내지 80 ℃의 온도 범위로 가열한 후 실란 화합물을 투입하여 코어-쉘 형성 용액을 준비하는 단계이다. 바람직하게는, 50 ℃ 내지 70 ℃의 온도 범위, 가장 바람직하게는, 60 ℃에 도달한 후 실란 화합물을 투입하는 것일 수 있다.In one embodiment, in the preparing of the core-shell forming solution (223), the pH-adjusted dispersion is heated to a temperature range of 40 ° C to 80 ° C, and then a silane compound is introduced to prepare a core-shell forming solution. It is a step. Preferably, the temperature range of 50 ℃ to 70 ℃, most preferably, it may be to inject the silane compound after reaching 60 ℃.

일 실시형태에 있어서, 상기 실란 화합물은, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란, 테트라이소부톡시실란, 테트라-sec-부톡시실란, 테트라-tert-부톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리프로폭시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 부틸트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, γ-글리시톡시프로필트리메톡시실란, γ-아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, γ-매타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 메틸페닐디메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 디비닐디메톡시실란, 디비닐디에톡시실란, 트리비닐메톡시실란 및 트리비닐에톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. In one embodiment, the silane compound is tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetra-n-butoxysilane, tetraisobutoxysilane, tetra- sec-butoxysilane, tetra-tert-butoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltripropoxysilane, methyltriisopropoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane , propyltriethoxysilane, butyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, γ-glycoxypropyltrimethoxysilane, γ-acryloyloxypropyltrimethoxysilane, γ- methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, methylphenyldimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, divinyldimethoxysilane, divinyldiethoxysilane, trivinylmethoxysilane And it may include at least one selected from the group consisting of trivinylethoxysilane.

일 실시형태에 있어서, 상기 코어-쉘 반응 용액 준비 단계 (224)는, 상기 코어-쉘 형성 용액을 40 ℃ 내지 80 ℃의 온도 범위에서 1 시간 내지 7 시간 반응시켜 코어-쉘 반응 용액을 준비하는 단계이다. 바람직하게는, 50 ℃ 내지 70 ℃의 온도 범위, 가장 바람직하게는, 60 ℃에서 3 시간 내지 6 시간 동안 반응시키는 것일 수 있다.In one embodiment, the core-shell reaction solution preparation step (224) prepares a core-shell reaction solution by reacting the core-shell forming solution at a temperature range of 40 ° C. to 80 ° C. for 1 hour to 7 hours. It is a step. Preferably, it may be to react at a temperature range of 50 ℃ to 70 ℃, most preferably, 60 ℃ for 3 hours to 6 hours.

일 실시형태에 있어서, 상기 코어-쉘 반응 용액 건조 단계 (225)는, 상기 코어-쉘 반응 용액을 건조하여 코어-쉘 입자를 수득하는 것일 수 있다.In one embodiment, the step of drying the core-shell reaction solution (225) may be to obtain core-shell particles by drying the core-shell reaction solution.

일 실시형태에 있어서, 상기 코어-쉘 입자를 소성하여 코어를 제거하는 단계 (230)는, 상기 코어-쉘 입자를 300 ℃ 내지 800 ℃의 온도범위에서 1 시간 내지 10 시간 동안 수행하는 것일 수 있다. 바람직하게는, 400 ℃ 내지 700 ℃의 온도 범위, 가장 바람직하게는, 600 ℃에서 3 시간 내지 6 시간 동안 반응시켜 코어가 제거된 중공실리카 입자를 수득하는 것일 수 있다.In one embodiment, the step 230 of removing the core by firing the core-shell particles may be performed for 1 hour to 10 hours at a temperature range of 300 ° C to 800 ° C. . Preferably, the reaction may be performed at a temperature range of 400 °C to 700 °C, most preferably at 600 °C for 3 hours to 6 hours to obtain hollow silica particles from which the core is removed.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이용 분산액 조성물은, 본 발명의 일 실시예에 따른 중공실리카 입자 및 본 발명의 다른 실시예에 따른 중공실리카 입자의 제조방법에 의해 제조된 중공실리카 입자를 포함한다.A dispersion composition for display according to another embodiment of the present invention includes hollow silica particles according to an embodiment of the present invention and hollow silica particles prepared by a method for manufacturing hollow silica particles according to another embodiment of the present invention. do.

본원에서 사용되는 "디스플레이용 분산액 조성물"은 기재에 적용 후 고체 필름으로 전환되는, 중공실리카를 포함하는 어떠한 액체, 액화가능 또는 매스틱(mastic) 조성물을 나타낸다. 상기 디스플레이용 분산액 조성물은 어떠한 구조물의 표면의 내부 또는 외부에 적용될 수 있다.As used herein, "dispersion composition for display" refers to any liquid, liquefiable or mastic composition comprising hollow silica that is converted to a solid film after application to a substrate. The dispersion composition for display may be applied to the inside or outside of the surface of any structure.

본 발명의 디스플레이용 분산액 조성물은 앞서 설명한 바와 같은 고투명, 저반사율, 눈부심 방지 효과를 가지는 중공실리카 입자와 레진, 유기용매 등을 혼합하여 제조할 수 있다.The dispersion composition for a display of the present invention may be prepared by mixing hollow silica particles having high transparency, low reflectivity, and anti-glare effects as described above with a resin, an organic solvent, and the like.

일 실시형태에 있어서, 상기 유기용매는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 사이클로헥사논 또는 에틸락테이트, 글리콜 에테르 유도체, 에틸 셀로솔브, 메틸셀로솔브, 프로필렌 글리콜모노메틸 에테르(PGME), 디에틸렌글리콜모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸 에테르, 디프로필렌글리콜디메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 또는 디에틸렌글리콜디메틸 에테르; 글리콜 에테르 에스테르 유도체, 에틸 셀로솔브 아세테이트, 메틸셀로솔브 아세테이트, 또는 프로필렌 글리콜모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA); 카르복실레이트, 에틸 아세테이트, n-부틸아세테이트 및 아밀 아세테이트; 2염기성 산의 카르복실레이트, 디에틸옥실레이트 및 디에틸말로네이트; 글리콜의디카르복실레이트, 에틸렌 글리콜디아세테이트 및 프로필렌 글리콜디아세테이트; 및 히드록시카르복실레이트, 메틸락테이트, 에틸 락테이트, 에틸 글리콜레이트, 및 에틸-3-히드록시 프로피오네이트; 케톤에스테르, 메틸피루베이트 또는 에틸 피루베이트; 알콕시카르복실산에스테르, 에컨대메틸3-메톡시프로피오네이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 에틸 2-히드록시-2-메틸프로피오네이트, 또는 메틸에톡시프로피오네이트; 케톤 유도체, 메틸 에틸 케톤, 아세틸 아세톤, 시클로펜탄온, 시클로헥산온 또는 2-헵탄온; 케톤 에테르 유도체, 디아세톤 알콜 메틸 에테르; 케톤 알콜 유도체, 아세톨 또는 디아세톤 알콜; 케탈 또는 아세탈, 1, 3-디옥살란 및 디에톡시프로판; 락톤, 부티로락톤 및 감마 발레로락톤; 아미드 유도체, 디메틸아세트아미드 또는 디메틸포름아미드, 아니솔; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것일 수 있다.In one embodiment, the organic solvent is propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), cyclohexanone or ethyl lactate, glycol ether derivatives, ethyl cellosolve, methyl cellosolve, propylene glycol monomethyl ether (PGME), diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, propylene glycol n-propyl ether, or diethylene glycol dimethyl ether; glycol ether ester derivatives, ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate, or propylene glycolmonomethyl ether acetate (PGMEA); carboxylates, ethyl acetate, n-butyl acetate and amyl acetate; carboxylates, diethyloxylates and diethylmalonates of dibasic acids; dicarboxylates of glycols, ethylene glycol diacetate and propylene glycol diacetate; and hydroxycarboxylates, methyl lactate, ethyl lactate, ethyl glycolate, and ethyl-3-hydroxy propionate; ketone esters, methyl pyruvate or ethyl pyruvate; alkoxycarboxylic acid esters such as methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, or methylethoxypropionate; ketone derivatives, methyl ethyl ketone, acetyl acetone, cyclopentanone, cyclohexanone or 2-heptanone; ketone ether derivatives, diacetone alcohol methyl ether; ketone alcohol derivatives, acetol or diacetone alcohol; ketals or acetals, 1, 3-dioxalane and diethoxypropane; lactones, butyrolactone and gamma valerolactone; amide derivatives, dimethylacetamide or dimethylformamide, anisole; And it may be any one selected from the group consisting of mixtures thereof.

일 실시형태에 있어서, 상기 디스플레이용 분산액 조성물 중 중공실리카 입자는 5 중량% 내지 20 중량%인 것일 수 있다. 상기 중공실리카 입자가 5 중량% 미만인 경우 반사 방지 및 눈부심 방지 효과를 충분히 달성할 수 없고, 20중량% 초과인 경우에는 투명성이 감소하며 레진의 함량이 적어져서 경화효율이 떨어질 수 있다.In one embodiment, the hollow silica particles in the display dispersion composition may be 5% to 20% by weight. When the amount of the hollow silica particles is less than 5% by weight, antireflection and antiglare effects cannot be sufficiently achieved, and when it is greater than 20% by weight, transparency is reduced and the content of the resin is reduced, so curing efficiency may be reduced.

일 실시형태에 있어서, 상기 디스플레이용 분산액 조성물 중 레진은 20 중량% 내지 70 중량%인 것일 수 있다. 상기 중공실리카 입자와의 굴절률을 조절하여 투명한 조성물을 만들기 위해서는 레진의 굴절률은 1.5 미만이 바람직하며, 바람직하게는 UV경화성 수지 중에서 중공 입자와 굴절률 유사한 수지를 선택하여 사용하는 것이 좋다.In one embodiment, the resin in the dispersion composition for display may be 20% by weight to 70% by weight. In order to make a transparent composition by adjusting the refractive index of the hollow silica particles, the refractive index of the resin is preferably less than 1.5, and it is preferable to select and use a resin having a refractive index similar to that of the hollow particles among UV curable resins.

일 실시형태에 있어서, 상기 UV 경화성 수지는, 우레탄 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지 및 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.In one embodiment, the UV curable resin may include at least one selected from the group consisting of a urethane resin, an acrylic resin, a polyester resin, and an epoxy resin.

일 실시형태에 있어서, 상기 디스플레이용 분산액 조성물에는 하드코팅제, UV 차단제, 또는 IR 차단제를 추가로 포함할 수 있으며, 상기 첨가제는 공지의 것을 사용하며 그 외에 필요한 경우 추가적 기능을 부여하는 첨가제를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the dispersion composition for display may further include a hard coating agent, a UV blocker, or an IR blocker, and the known additives are used, and if necessary, an additive providing additional functions is further included. can do.

일 실시형태에 있어서, 상기 디스플레이용 분산액 조성물은 어떠한 코팅 조성물일 수 있으며, 어떠한 기재에 적용될 수 있다.In one embodiment, the dispersion composition for display may be any coating composition and may be applied to any substrate.

본 발명의 디스플레이용 분산액 조성물은, 편광필름, 프리즘 시트, AR 시트 등의 디스플레이용 광학부재를 제조하는데 이용될 수 있다.The dispersion composition for a display of the present invention can be used to manufacture an optical member for a display such as a polarizing film, a prism sheet, or an AR sheet.

본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이용 분산액 조성물은, 반사 방지, 눈부심 방지 효율을 나타냄으로써 광학적으로 우수한 특성을 구현할 수 있다.The dispersion composition for a display according to an embodiment of the present invention can realize optically excellent properties by exhibiting antireflection and antiglare efficiencies.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 확산 필름은, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이용 분산액 조성물의 경화체를 포함한다.A diffusion film according to another embodiment of the present invention includes a cured product of a dispersion composition for a display according to an embodiment of the present invention.

일 실시형태에 있어서, 기재를 준비하고, 상기 기재에 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이용 분산액 조성물을 적층 또는 도포하여 UV 경화시켜서 코팅층을 형성함으로써 경화체를 제조할 수 있다. In one embodiment, a cured body may be prepared by preparing a substrate, laminating or applying the dispersion composition for display according to an embodiment of the present invention on the substrate, and UV curing to form a coating layer.

일 실시형태에 있어서, 상기 코팅 방법은, 그라비아 코팅, 오프셋 그라비아 코팅, 2 및 3개의 롤 가압 코팅(roll pressure coating),2개 및 3개의 롤리버스 코팅(roll reverse coating), 침지 코팅, 1 및 2개의 롤키스 코팅, 트레일링 블레이드 코팅(trailing balde coating), 니프 코팅(nip coating), 폴렉소그래픽 코팅(flexographic coating), 인버티드 나이프 코팅(inverted knife coating), 폴리싱 바 코팅(polishing bar coating) 및 선권 닥터 코팅(wire wound doctor coating)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. 코팅시킨 후 코팅층을 UV 광선으로 경화시키며 경화처리는 10초 내지 1 시간의 동안에 완결되는 것일 수 있다.In one embodiment, the coating method comprises gravure coating, offset gravure coating, 2 and 3 roll pressure coating, 2 and 3 roll reverse coating, dip coating, 1 and 3 roll pressure coating. 2 rollkiss coatings, trailing balde coating, nip coating, flexographic coating, inverted knife coating, polishing bar coating And it may include at least one selected from the group consisting of wire wound doctor coating. After coating, the coating layer is cured with UV rays, and the curing treatment may be completed for 10 seconds to 1 hour.

일 실시형태에 있어서, 상기 확산 필름의 두께는 0.1 ㎛ 내지 5 ㎛인 것일 수 있다. 0.1 ㎛ 미만인 경우 반사 방지 및 눈부심 방지 효과가 나타나지 않고, 5 ㎛ 초과인 경우 굴절율이 높아지는 문제가 발생할 수 있다.In one embodiment, the thickness of the diffusion film may be 0.1 μm to 5 μm. When the thickness is less than 0.1 μm, the anti-reflection and anti-glare effects do not appear, and when the thickness exceeds 5 μm, a problem in which the refractive index is increased may occur.

본 발명의 일 실시예에 따른 확산 필름은, 휴대전화, 테블릿PC, PDP, 노트북, 모니터, TV의 백라이트 유닛에 들어가는 확산필름을 제조하는데 이용될 수 있다.The diffusion film according to an embodiment of the present invention can be used to manufacture a diffusion film for a backlight unit of a mobile phone, tablet PC, PDP, laptop computer, monitor, or TV.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이용 광학 부재는, 본 발명의 일 실시예에 따른 확산 필름을 포함한다.An optical member for a display according to another embodiment of the present invention includes a diffusion film according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 확산 필름은, 휴대전화, 테블릿PC, PDP, 노트북, 모니터, TV의 백라이트 유닛에 들어가는 광학 부재로 적용될 수 있다.The diffusion film according to an embodiment of the present invention may be applied as an optical member for a backlight unit of a mobile phone, tablet PC, PDP, laptop computer, monitor, or TV.

이하, 실시예 및 비교예에 의하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by examples and comparative examples.

단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.However, the following examples are only for illustrating the present invention, and the content of the present invention is not limited to the following examples.

[제조예][Production Example]

폴리스티렌 입자의 제조Preparation of polystyrene particles

증류수에 양이온성 계면활성제를 교반하면서 용해시켰다. 70 ℃까지 승온하면서(reflux) 질소 분위기를 만들어 주었다. 이어서, 스티렌 모노머를 정제하였다. 질소 분위기 하에서 정제된 스티렌 모노머를 투입하였다. 스티렌 모노머가 잘 섞이도록 30 분 동안 교반하였다. 70 ℃에 도달 후 질소 분위기 하에서 중합개시제를 투입하였다. 70 ℃에서 밤새(overnight) 반응시켰다. 중합 용액을 에탄올로 수 회 세척하였다.The cationic surfactant was dissolved in distilled water with stirring. A nitrogen atmosphere was created while the temperature was raised to 70 °C (reflux). The styrene monomer was then purified. Purified styrene monomer was introduced under a nitrogen atmosphere. Styrene monomer was stirred for 30 minutes to mix well. After reaching 70 °C, a polymerization initiator was added under a nitrogen atmosphere. Reacted overnight at 70 °C. The polymerization solution was washed several times with ethanol.

스티렌 코어-실리카 쉘 제조Styrene core-silica shell fabrication

증류수에 폴리스티렌을 희석하였다. 아세트산을 사용하여 pH 4로 적정하였다. 60 ℃에 도달한 후 실리카 재료를 투입하였다. 60℃에서 5 시간 동안 반응시켰다.Polystyrene was diluted in distilled water. Titrate to pH 4 using acetic acid. After reaching 60 ℃, the silica material was added. Reacted at 60 °C for 5 hours.

코어-폴리스티렌 제거Core - polystyrene removal

코어-폴리스티렌, 쉘-실리카 형태의 반응 용액을 건조시켰다. 고체 상태의 코어-쉘 입자를 전기로에서 600 ℃에서, 5 시간 동안 열처리하여 코어를 제거하였다.The reaction solution in the form of core-polystyrene and shell-silica was dried. The core-shell particles in a solid state were heat-treated in an electric furnace at 600° C. for 5 hours to remove the core.

분산액 조성물 제조Dispersion composition preparation

100 mL 용량의 페인트쉐이커용 용기에 유기용매와 분말 대비 10 중량% 내지 30 중량% 실란 커플링제를 넣고 25 ℃의 온도 하에서 스터러바(stirrer bar)를 사용하여 10분 동안 혼합하였다. 상기 용액에 총량 대비 5 중량% 내지 20 중량% 중공실리카 분말을 넣고, 25 ℃의 온도 하에서 스터러바를 사용하여 30 분 동안 혼합액을 형성하였다. 상기 혼합액에 0.1 mm 지르코니아 비드 100 g을 넣고 페인트쉐이커를 이용하여 2 시간 동안 분산하여 중공실리카 분산액 조성물을 얻었다.An organic solvent and 10% to 30% by weight of a silane coupling agent compared to the powder were put in a 100 mL paint shaker container and mixed for 10 minutes using a stirrer bar at a temperature of 25 °C. 5% to 20% by weight of hollow silica powder was added to the solution, and a mixed solution was formed for 30 minutes using a stirrer bar at a temperature of 25 °C. 100 g of 0.1 mm zirconia beads were added to the mixture and dispersed for 2 hours using a paint shaker to obtain a hollow silica dispersion composition.

[실시예 1][Example 1]

양이온성 계면활성제를 상기 제조예에서 스티렌 모노머 대비 4.18 중량% 포함하여 중합한 폴리스티렌을 코어로 하여 제조된 중공실리카 입자 및 상기 중공실리카 입자를 포함하는 디스플레이용 분산액 조성물을 제조하였다Hollow silica particles prepared using polystyrene as a core polymerized by including 4.18% by weight of the cationic surfactant compared to the styrene monomer in the preparation example and a display dispersion composition containing the hollow silica particles were prepared

[실시예 2][Example 2]

실시예 1에서 양이온성 계면활성제를 스티렌 모노머 대비 8.36 중량% 포함한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 중공실리카 입자 및 상기 중공실리카 입자를 포함하는 분산액을 제조하였다.Hollow silica particles and a dispersion containing the hollow silica particles were prepared in the same manner as in Example 1, except that the cationic surfactant was included in 8.36% by weight of the styrene monomer in Example 1.

[실시예 3][Example 3]

실시예 1에서 양이온성 계면활성제를 스티렌 모노머 대비 16.72 중량% 포함한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 중공실리카 입자 및 상기 중공실리카 입자를 포함하는 분산액을 제조하였다.Hollow silica particles and a dispersion containing the hollow silica particles were prepared in the same manner as in Example 1, except that the cationic surfactant was included in 16.72% by weight of the styrene monomer in Example 1.

[실시예 4][Example 4]

실시예 1에서 양이온성 계면활성제를 스티렌 모노머 대비 25.08 중량% 포함한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 중공실리카 입자를 제조하였다.Hollow silica particles were prepared in the same manner as in Example 1, except that the cationic surfactant was included in 25.08% by weight of the styrene monomer in Example 1.

[비교예 1][Comparative Example 1]

실시예 1에서 양이온성 계면활성제 대신 비이온 계면활성제를 스티렌 모노머 대비 40 중량% 포함하여 중합한 폴리스티렌을 코어로 하여 제조한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 중공실리카 입자를 제조하였다.In Example 1, hollow silica particles were prepared in the same manner as in Example 1, except that the polystyrene polymerized by including 40% by weight of a nonionic surfactant relative to the styrene monomer was prepared as a core instead of a cationic surfactant.

[비교예 2][Comparative Example 2]

비교예 1에 적용된 계면활성제와 다른 종류의 비이온 계면활성제를 스티렌 모노머 대비 40 중량% 포함하여 중합한 폴리스티렌을 코어로 하여 제조한 것을 제외하고, 비교예 1과 동일하게 중공실리카 입자를 제조하였다.Hollow silica particles were prepared in the same manner as in Comparative Example 1, except that the polystyrene polymerized by including 40% by weight of a nonionic surfactant of a different type from the surfactant applied in Comparative Example 1 was used as a core.

중공실리카 입자 분석Hollow silica particle analysis

비표면적(BET) 분석: 중공실리카 분말 0.2 g 내지 0.3 g을 사용하여 질소가스가 시료의 표면 및 기공 내에 단분자층으로 흡착됐을 때의 흡착량을 측정하여 분석하였다.Specific surface area (BET) analysis: When nitrogen gas was adsorbed as a monomolecular layer on the surface and pores of the sample using 0.2 g to 0.3 g of hollow silica powder, the adsorption amount was measured and analyzed.

TEM 분석: 중공실리카 분말을 에탄올에 희석하여 각 배율별 이미지를 통해 입자 크기 및 쉘 두께 등을 분석하였다.TEM analysis: hollow silica powder was diluted in ethanol, and particle size and shell thickness were analyzed through images at each magnification.

도 5는 본 발명의 실시예 1 내지 4, 비교예 1 및 2에 따른 중공실리카 입자 및 이를 포함하는 디스플레이용 분산액 조성물의 TEM 이미지이고, 하기 표 1은 본 발명의 실시예 1 내지 4, 비교예 1 및 2에 따른 중공실리카 입자 및 이를 포함하는 디스플레이용 분산액 조성물의 물성을 나타낸 것이다.5 is a TEM image of hollow silica particles according to Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 of the present invention and a dispersion composition for a display comprising the same, and Table 1 below shows Examples 1 to 4 and Comparative Examples of the present invention It shows the physical properties of the hollow silica particles according to 1 and 2 and the display dispersion composition containing them.

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비표면적
(m2/g)
specific surface area
(m 2 /g)
323323 329329 332332 424424 457457 411411
코어평균
직경
(nm)
core average
diameter
(nm)
6060 5050 4040 3030 100100 100100
중공실리카평균 직경
(nm)
hollow silica mean diameter
(nm)
7070 6060 5050 4040 122122 --
분산액 입도 D50(nm)Dispersion particle size D 50 (nm) 235235 208208 185185 -- -- --

10 중량% Hollow SiO2 in PGMEA 분산액 입도도 5 및 표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 4의 결과, 양이온성 계면활성제를 사용함으로써 100 nm 이하의 중공실리카 입자 합성 가능하며, 이 입자의 비표면적은 320 m2/g 이상인 것을 확인할 수 있다. 10% by weight Hollow SiO 2 in PGMEA Dispersion Referring to particle size 5 and Table 1, as a result of Examples 1 to 4, it is possible to synthesize hollow silica particles of 100 nm or less by using a cationic surfactant, and the specific surface area of the particles It can be confirmed that is 320 m 2 /g or more.

양이온성 계면활성제 함량이 증가할수록 코어인 폴리스티렌 입자가 작게 합성되고 이를 적용한 중공실리카 입자 크기도 작게 구현되는 것을 확인할 수 있다. It can be seen that as the content of the cationic surfactant increases, the core polystyrene particles are synthesized in a smaller size, and the size of the hollow silica particles to which they are applied is also reduced.

또한, 중공실리카 1차 입자 크기가 작을수록 분산액 입도 D50 또한 작게 나타나는 것을 확인할 수 있다.In addition, it can be seen that the smaller the primary particle size of the hollow silica, the smaller the particle size D 50 of the dispersion.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기를 기초로 다양한 기술적 수정 및 변형을 적용할 수 있다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described with limited drawings, those skilled in the art can apply various technical modifications and variations based on the above. For example, the described techniques may be performed in an order different from the method described, and/or the components of the described system, structure, device, circuit, etc. may be combined or combined in a different form than the method described, or other components may be used. Or even if it is replaced or substituted by equivalents, appropriate results can be achieved.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents of the claims are within the scope of the following claims.

Claims (18)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자를 준비하는 단계;
상기 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자 상에 실리카 쉘을 형성하여 코어-쉘 입자를 준비하는 단계; 및
상기 코어-쉘 입자를 소성하여 코어를 제거하는 단계;
를 포함하고,
상기 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자를 준비하는 단계는,
양이온성 계면활성제 용액을 준비하는 단계;
상기 양이온성 계면활성제 용액에 스티렌 모노머를 투입하고 교반하여 혼합물을 준비하는 단계; 및
상기 스티렌 모노머를 투입하고 교반된 혼합물에 중합개시제를 투입한 후, 중합하는 단계;
를 포함하는,
중공실리카 입자의 제조방법.
preparing polystyrene particles surface-modified with cations;
Preparing core-shell particles by forming a silica shell on the surface-modified polystyrene particles with the cation; and
removing the core by firing the core-shell particle;
including,
Preparing the surface-modified polystyrene particles with the cation,
Preparing a cationic surfactant solution;
preparing a mixture by adding a styrene monomer to the cationic surfactant solution and stirring; and
Injecting the styrene monomer and adding a polymerization initiator to the stirred mixture, followed by polymerization;
including,
Manufacturing method of hollow silica particles.
제7항에 있어서,
상기 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자를 준비하는 단계는,
증류수에 양이온성 계면활성제를 용해시켜 양이온성 계면활성제 용액을 준비하는 단계;
상기 양이온성 계면활성제 용액을 50 ℃ 내지 90 ℃의 온도 범위로 승온하면서 질소 분위기를 형성하는 단계;
스티렌 모노머를 정제하는 단계;
상기 양이온성 계면활성제 용액에 상기 정제된 스티렌 모노머를 질소분위기 하에 투입하여 교반하여 혼합물을 준비하는 단계;
상기 교반된 스티렌 모노머를 50 ℃ 내지 90 ℃의 온도 범위로 가열한 후 질소 분위기 하에서 중합개시제를 투입하는 단계;
상기 중합개시제가 투입된 상기 스티렌 모노머를 50 ℃ 내지 90 ℃의 온도 범위에서 밤새 반응시켜 중합 용액을 준비하는 단계; 및
상기 형성된 중합 용액을 유기용매로 수 회 세척하는 단계;
를 포함하는,
중공실리카 입자의 제조방법.
According to claim 7,
Preparing the surface-modified polystyrene particles with the cation,
Preparing a cationic surfactant solution by dissolving a cationic surfactant in distilled water;
Forming a nitrogen atmosphere while raising the temperature of the cationic surfactant solution to a temperature range of 50 ℃ to 90 ℃;
purifying the styrene monomer;
preparing a mixture by adding the purified styrene monomer to the cationic surfactant solution under a nitrogen atmosphere and stirring;
Injecting a polymerization initiator under a nitrogen atmosphere after heating the stirred styrene monomer to a temperature range of 50 ° C to 90 ° C;
preparing a polymerization solution by reacting the styrene monomer into which the polymerization initiator was added overnight at a temperature range of 50 °C to 90 °C; and
washing the formed polymerization solution several times with an organic solvent;
including,
Manufacturing method of hollow silica particles.
제8항에 있어서,
상기 양이온성 계면활성제는, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(CTAB), 세틸트리메틸암모늄 클로라이드(CTAC), 세틸피리디늄클로라이드(CPC), 도데실트리메틸암모늄 브로마이드(DTAB), 테트라데실트리메틸암모늄 브로마이드(TTAB), 테트라트리메틸암모늄 브로마이드(TMB), 디옥타데실디메틸암모늄브로마이드(DODAB) 및 디메틸디옥타데실암모늄클로라이드(DODMAC)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,
중공실리카 입자의 제조방법.
According to claim 8,
The cationic surfactant is cetyltrimethylammonium bromide (CTAB), cetyltrimethylammonium chloride (CTAC), cetylpyridinium chloride (CPC), dodecyltrimethylammonium bromide (DTAB), tetradecyltrimethylammonium bromide (TTAB), tetra To include at least one selected from the group consisting of trimethylammonium bromide (TMB), dioctadecyldimethylammonium bromide (DODAB) and dimethyldioctadecylammonium chloride (DODMAC),
Manufacturing method of hollow silica particles.
제8항에 있어서,
상기 증류수에 양이온성 계면활성제를 용해시켜 양이온성 계면활성제 용액을 준비하는 단계는,
상기 양이온성 계면활성제를 상기 스티렌 모노머 대비 0.001 중량% 내지 50 중량% 포함하는 것인,
중공실리카 입자의 제조방법.
According to claim 8,
Preparing a cationic surfactant solution by dissolving the cationic surfactant in the distilled water,
It comprises 0.001% by weight to 50% by weight of the cationic surfactant relative to the styrene monomer,
Manufacturing method of hollow silica particles.
제7항에 있어서,
상기 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자 상에 실리카 쉘을 형성하여 코어-쉘 입자를 준비하는 단계는,
증류수에 상기 양이온으로 표면개질된 폴리스티렌 입자를 희석하여 분산액을 준비하는 단계;
상기 분산액에 산성 물질을 혼합하여 pH를 조절하는 단계;
상기 pH 조절된 분산액을 40 ℃ 내지 80 ℃의 온도 범위로 가열한 후 실란 화합물을 투입하여 코어-쉘 형성 용액을 준비하는 단계;
상기 코어-쉘 형성 용액을 40 ℃ 내지 80 ℃의 온도 범위에서 1 시간 내지 7 시간 반응시켜 코어-쉘 반응 용액을 준비하는 단계; 및
상기 코어-쉘 반응 용액을 건조하는 단계;
를 포함하는,
중공실리카 입자의 제조방법.
According to claim 7,
Preparing core-shell particles by forming a silica shell on the surface-modified polystyrene particles with the cation,
preparing a dispersion by diluting the surface-modified polystyrene particles with distilled water;
adjusting the pH by mixing an acidic substance with the dispersion;
preparing a core-shell forming solution by heating the pH-adjusted dispersion to a temperature range of 40° C. to 80° C. and then introducing a silane compound;
preparing a core-shell reaction solution by reacting the core-shell formation solution at a temperature range of 40 °C to 80 °C for 1 hour to 7 hours; and
drying the core-shell reaction solution;
including,
Manufacturing method of hollow silica particles.
제11항에 있어서,
상기 산성 물질은, 질산, 염산, 인산, 황산, 불산, 브롬산, 요오드산, 피멜린산, 말산, 말론산, 말레산, 아세트산, 아디프산, 옥살산, 숙신산, 타르타르산, 시트르산, 락트산, 글루타르산, 글리콜산, 포름산, 푸마르산, 프로피온산, 부티르산, 히드록시부티르산, 아스파르트산, 이타콘산, 트리카발산, 수베르산, 벤조산, 페닐아세트산, 나프토산, 만델산, 피콜린산, 니코틴산, 이소니코틴산, 퀴놀린산, 안트라닐산, 푸자르산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피리딘카르복실산, 살리실산, 글루타민산, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산 코폴리머 및 폴리술폰산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,
중공실리카 입자의 제조방법.
According to claim 11,
The acidic substance is nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, hydrobromic acid, iodic acid, pimelic acid, malic acid, malonic acid, maleic acid, acetic acid, adipic acid, oxalic acid, succinic acid, tartaric acid, citric acid, lactic acid, glue Taric acid, glycolic acid, formic acid, fumaric acid, propionic acid, butyric acid, hydroxybutyric acid, aspartic acid, itaconic acid, tricarbalic acid, suberic acid, benzoic acid, phenylacetic acid, naphthoic acid, mandelic acid, picolinic acid, nicotinic acid, iso Nicotinic acid, quinolinic acid, anthranilic acid, fujaric acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, pyridinecarboxylic acid, salicylic acid, glutamic acid, polyacrylic acid, polyacrylic acid copolymers, and polysulfonic acid containing at least one selected from the group consisting of will,
Manufacturing method of hollow silica particles.
제11항에 있어서,
상기 분산액에 산성 물질을 혼합하여 pH를 조절하는 단계는,
상기 분산액의 pH 가 1 내지 6의 범위로 조절하는 것인,
중공실리카 입자의 제조방법.
According to claim 11,
The step of adjusting the pH by mixing an acidic substance with the dispersion,
The pH of the dispersion is adjusted to the range of 1 to 6,
Manufacturing method of hollow silica particles.
제11항에 있어서,
상기 실란 화합물은,
테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란, 테트라이소부톡시실란, 테트라-sec-부톡시실란, 테트라-tert-부톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리프로폭시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 부틸트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, γ-글리시톡시프로필트리메톡시실란, γ-아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, γ-매타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 메틸페닐디메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 디비닐디메톡시실란, 디비닐디에톡시실란, 트리비닐메톡시실란 및 트리비닐에톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,
중공실리카 입자의 제조방법.
According to claim 11,
The silane compound,
tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetra-n-butoxysilane, tetraisobutoxysilane, tetra-sec-butoxysilane, tetra-tert-part Toxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltripropoxysilane, methyltriisopropoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, propyltriethoxysilane, butyltrimethoxy Silane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, γ-glycoxypropyltrimethoxysilane, γ-acryloyloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, selected from the group consisting of dimethyldimethoxysilane, methylphenyldimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, divinyldimethoxysilane, divinyldiethoxysilane, trivinylmethoxysilane and trivinylethoxysilane Which includes at least one that is,
Manufacturing method of hollow silica particles.
제7항에 있어서,
상기 코어-쉘 입자를 소성하여 코어를 제거하는 단계는,
상기 코어-쉘 입자를 300 ℃ 내지 800 ℃의 온도범위에서 1 시간 내지 10 시간 동안 수행하는 것인,
중공실리카 입자의 제조방법.
According to claim 7,
The step of removing the core by firing the core-shell particle,
Carrying out the core-shell particles in the temperature range of 300 ℃ to 800 ℃ for 1 hour to 10 hours,
Manufacturing method of hollow silica particles.
제7항에 의한 중공실리카 입자의 제조방법에 의해 제조된 중공실리카 입자를 포함하는 디스플레이용 분산액 조성물.
A display dispersion composition comprising hollow silica particles prepared by the method of manufacturing hollow silica particles according to claim 7.
제16항의 디스플레이용 분산액 조성물의 경화체를 포함하는 확산 필름.
A diffusion film comprising a cured product of the dispersion composition for display of claim 16.
제17항의 확산 필름을 포함하는 디스플레이용 광학 부재.
An optical member for a display comprising the diffusion film of claim 17.
KR1020200175665A 2020-12-15 2020-12-15 Hollow silica particle, method of preparing the same, dispersion composition including the same, diffusion film for display and optical element for display KR102555934B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200175665A KR102555934B1 (en) 2020-12-15 2020-12-15 Hollow silica particle, method of preparing the same, dispersion composition including the same, diffusion film for display and optical element for display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200175665A KR102555934B1 (en) 2020-12-15 2020-12-15 Hollow silica particle, method of preparing the same, dispersion composition including the same, diffusion film for display and optical element for display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220085520A KR20220085520A (en) 2022-06-22
KR102555934B1 true KR102555934B1 (en) 2023-07-18

Family

ID=82216387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200175665A KR102555934B1 (en) 2020-12-15 2020-12-15 Hollow silica particle, method of preparing the same, dispersion composition including the same, diffusion film for display and optical element for display

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102555934B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000500113A (en) 1996-04-22 2000-01-11 ロディア シミ Method for producing hollow silica particles

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101864767B1 (en) * 2011-09-29 2018-06-07 (주)석경에이티 Preparation method of hollow silica nano powder with high purity and low reflection coating membrane comprising the powder
KR20140115533A (en) * 2013-03-21 2014-10-01 인하대학교 산학협력단 Process for preparing multipurpose hollow mesoporous silica particle
KR102267506B1 (en) * 2017-12-22 2021-06-21 주식회사 엘지화학 Manufacturing method of optical member comprising low-refraction silica coating layer and optical member menufactured by the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000500113A (en) 1996-04-22 2000-01-11 ロディア シミ Method for producing hollow silica particles

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220085520A (en) 2022-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI314589B (en) Preparation of a mechanically durable single layer coating with anti-reflective properties
KR101256552B1 (en) Anti-reflection film and method for manufacturing the same
KR101092573B1 (en) Anti-reflective coating composition, anti-reflection film and method for manufacturing the same
KR101523819B1 (en) Anti-reflection coating composition containing siloxane compound, anti-reflection film using the same
KR101519497B1 (en) Anti-reflective film having improved scratch-resistant and manufacturing method thereof
JP4682368B2 (en) Spherical core-shell cerium oxide / polymer hybrid nanoparticle aggregate and method for producing the same
KR102555939B1 (en) Hollow silica particle and method of preparing the same
KR101523821B1 (en) Anti-reflection coating composition containing siloxane compound, anti-reflection film having controlled surface energy using the same
JP2011088787A (en) Composition for antireflection film, antireflection film, method for producing antireflection film, and substrate with antireflection film
KR101727326B1 (en) Anti-reflection film
JP2010072039A (en) Antireflection film and electronic image display using the same
KR20130082300A (en) Electroconductive coating composition for glass and preparation method thereof
KR102555934B1 (en) Hollow silica particle, method of preparing the same, dispersion composition including the same, diffusion film for display and optical element for display
US6410631B1 (en) Composition for production of silica glass using sol-gel process
KR101445437B1 (en) Anti-Reflection Film and Method of Producing The Same
KR102605838B1 (en) Hollow silica particle and method of preparing the same
KR102639164B1 (en) Manufacturing method of hollow-silica particle dispersion and hollow-silica particle dispersion prepared using the same
JP4340509B2 (en) Transparent antistatic triacetyl cellulose film for liquid crystal display
KR101981127B1 (en) Screen printable anti-reflective coating composition and manufacturing method of anti-reflective coating film using the coating composition
KR102644010B1 (en) Surface-modified hollow silica particle adn surface-modified hollow silica particle liquid dispersion
KR20240032538A (en) Hollow silica particle, preparing method of the same and hollow silica particle dispersion liquid
TWI480344B (en) White coating composition, and device employing a coating made of the composition
KR101494617B1 (en) Manufacturing method of low refractive anti-reflection film using poly ethylene glycol
KR101372652B1 (en) Resin composition for optical member
KR20220169054A (en) Hollow silica particle dispersion composition, method of preparing the same, optical film including the same and optical element for display

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant