KR20190076596A - Manufacturing method of optical member comprising low-refraction silica coating layer and optical member menufactured by the same - Google Patents

Manufacturing method of optical member comprising low-refraction silica coating layer and optical member menufactured by the same Download PDF

Info

Publication number
KR20190076596A
KR20190076596A KR1020170178517A KR20170178517A KR20190076596A KR 20190076596 A KR20190076596 A KR 20190076596A KR 1020170178517 A KR1020170178517 A KR 1020170178517A KR 20170178517 A KR20170178517 A KR 20170178517A KR 20190076596 A KR20190076596 A KR 20190076596A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silica
silica precursor
precursor sol
coating layer
present
Prior art date
Application number
KR1020170178517A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102267506B1 (en
Inventor
신창훈
오현택
박광승
박문수
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020170178517A priority Critical patent/KR102267506B1/en
Publication of KR20190076596A publication Critical patent/KR20190076596A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102267506B1 publication Critical patent/KR102267506B1/en

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/06—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain multicolour or other optical effects
    • B05D5/061—Special surface effect
    • B05D5/063—Reflective effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
    • B01J27/06—Halogens; Compounds thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J31/00—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds
    • B01J31/02—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides
    • B01J31/0234—Nitrogen-, phosphorus-, arsenic- or antimony-containing compounds
    • B01J31/0235—Nitrogen containing compounds
    • B01J31/0244—Nitrogen containing compounds with nitrogen contained as ring member in aromatic compounds or moieties, e.g. pyridine
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J31/00—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds
    • B01J31/02—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides
    • B01J31/0234—Nitrogen-, phosphorus-, arsenic- or antimony-containing compounds
    • B01J31/0235—Nitrogen containing compounds
    • B01J31/0245—Nitrogen containing compounds being derivatives of carboxylic or carbonic acids
    • B01J31/0251—Guanidides (R2N-C(=NR)-NR2)
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J31/00—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds
    • B01J31/02—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides
    • B01J31/0234—Nitrogen-, phosphorus-, arsenic- or antimony-containing compounds
    • B01J31/0255—Phosphorus containing compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/02—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by baking
    • B05D3/0254—After-treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/24—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials for applying particular liquids or other fluent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing an optical member comprising a low-refraction silica coating layer. The method comprises: preparing silica precursor dispersion; forming a silica precursor sol solution; mixing the silica precursor sol solution with hollow silica particles; applying the solution onto a substrate; forming a silica precursor sol layer; and forming the silica precursor sol layer into a low-refraction silica coating layer. According to the present invention, an optical member comprising a low-refraction silica coating layer with excellent performance can be manufactured with an easy and inexpensive method.

Description

저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 광학 부재{MANUFACTURING METHOD OF OPTICAL MEMBER COMPRISING LOW-REFRACTION SILICA COATING LAYER AND OPTICAL MEMBER MENUFACTURED BY THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing an optical member including a low-refractive-index silica coating layer and an optical member manufactured using the same. BACKGROUND ART [0002]

본 명세서는 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 광학 부재에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an optical member including a low refractive silica coating layer and an optical member manufactured using the same.

최근 디스플레이 시장은 전통적인 수요처인 TV, 모니터, 노트북 패널뿐만 아니라, 스마트폰으로 대표되는 모바일 기기, 자동차의 계기판에 이르기까지 급격히 성장하고 있다. 계속 발전하는 디스플레이 기술 중 고객의 만족도에 큰 영향을 주는 스펙으로서, 표면의 반사율을 들 수 있다. 디스플레이의 최외곽에 도입되는 필름의 경우, 일반적으로 프레넬 반사에 의해 4% 내외의 반사율을 가지게 되고, 이와 같은 높은 반사율은 주광 및 조명빛에 노출된 환경에서 디스플레이의 시인성에 악영향을 미치게 된다. 이를 해결하기 위하여 AG(anti-glare) 또는 AR(anti-reflection) 등의 코팅이 도입되고 있으나, AG 코팅의 경우 반사광뿐만 아니라 디스플레이에서 나오는 빛도 분산시키므로, 시인성이 떨어지는 문제가 있으며, AR 코팅은 증착 공정으로 제조되기 때문에 대형화가 어렵고 단가가 높은 단점을 가지고 있다. Recently, the display market is rapidly growing not only in the traditional demand for TVs, monitors, and notebook panels but also in the mobile devices and automobile displays represented by smartphones. Among the continuously evolving display technologies, the specifications that greatly affect the customer's satisfaction are the reflectance of the surface. In the case of a film introduced into the outermost portion of a display, generally, the Fresnel reflection has a reflectance of about 4%, and such a high reflectance adversely affects the visibility of the display in an environment exposed to daylight and illumination light. In order to solve this problem, a coating such as AG (anti-glare) or AR (anti-reflection) has been introduced. However, since the AG coating disperses not only reflected light but also light emitted from the display, It is difficult to enlarge it because it is manufactured by a deposition process and has a disadvantage of high unit cost.

이에, 낮은 반사율을 가지며, 낮은 가격으로 생산할 수 있는 코팅층에 대한 개발이 필요하다. Therefore, it is necessary to develop a coating layer having a low reflectance and capable of being produced at a low price.

한국 공개 공보: KR 10-2011-0112222 AKorea Open Publication: KR 10-2011-0112222 A

본 명세서는 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 광학 부재를 제공한다.The present invention provides a method of manufacturing an optical member including a low refractive silica coating layer and an optical member manufactured using the method.

다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 하기의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It should be understood, however, that the present invention is not limited to the above-mentioned problems and other problems which are not mentioned can be understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시상태는, 용매 및 알콕시 실란을 포함하는 실리카 전구체 분산액을 준비하는 단계; 상기 실리카 전구체 분산액에 산성 촉매를 첨가하여, 실리카 전구체 졸을 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 형성하는 단계; 상기 실리카 전구체 졸 용액과 중공 실리카 입자를 혼합하는 단계; 상기 중공 실리카 입자를 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 기재 상에 도포하는 단계; 상기 기재 상에 도포된 실리카 전구체 졸 용액을 건조시켜 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계; 및 상기 실리카 전구체 졸 층을 염기 촉매에 접촉시켜, 상기 실리카 전구체 졸 층이 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계;를 포함하고, One embodiment of the present invention is a process for preparing a silica precursor dispersion comprising: preparing a silica precursor dispersion comprising a solvent and an alkoxysilane; Adding an acidic catalyst to the silica precursor dispersion to form a silica precursor sol solution comprising a silica precursor sol; Mixing the silica precursor sol solution with the hollow silica particles; Applying a silica precursor sol solution comprising the hollow silica particles onto a substrate; Drying a silica precursor sol solution applied on the substrate to form a silica precursor sol layer; And contacting the silica precursor sol layer with a base catalyst to form the silica precursor sol layer into a low refractive silica coating layer,

상기 모든 공정은 120 ℃ 이하의 분위기에서 수행되는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법을 제공한다. Wherein all the steps are carried out in an atmosphere of 120 DEG C or less.

본 발명의 일 실시상태는, 상기 제조방법으로 제조된 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재를 제공한다.An embodiment of the present invention provides an optical member comprising a low refraction silica coating layer produced by the above manufacturing method.

본 발명의 일 실시상태에 따른 제조방법은 간편하고, 저렴한 방법으로 우수한 성능의 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재를 제조할 수 있다. The manufacturing method according to one embodiment of the present invention can produce an optical member including a low refractive silica coating layer with excellent performance in a simple and inexpensive method.

본 발명의 일 실시상태에 따른 제조방법은 간단한 화학적 처리만을 이용하여, 고온의 열처리 공정이 필요하지 않은 장점이 있다. The manufacturing method according to an embodiment of the present invention is advantageous in that a high-temperature heat treatment process is not required using only a simple chemical treatment.

본 발명의 일 실시상태에 따른 제조방법은 낮은 온도에서 수행되므로, 고분자 기재 상에 직접 저굴절 코팅층이 형성된 광학 부재를 제조할 수 있는 장점이 있다. Since the manufacturing method according to one embodiment of the present invention is performed at a low temperature, there is an advantage that an optical member having a low refraction coating layer formed directly on a polymer substrate can be manufactured.

본 발명의 일 실시상태에 따른 제조방법은 코팅 공정을 통하여 수행되므로, 롤투롤 연속 공정을 이용하여 대량 생산이 가능한 이점이 있다. 또한, 본 발명의 일 실시상태에 따른 제조방법은 고온 소성 공정을 이용하지 않고, 모든 공정이 120 ℃ 이하의 분위기에서 수행되므로, 유연한 고분자 기재를 적용하여 롤투롤 연속 공정으로 수행될 수 있다.Since the manufacturing method according to one embodiment of the present invention is performed through a coating process, there is an advantage that mass production can be performed using a continuous roll-to-roll process. In addition, the manufacturing method according to one embodiment of the present invention can be performed in a continuous roll-to-roll process by applying a flexible polymer substrate since all processes are performed in an atmosphere of 120 ° C or less without using a high-temperature firing process.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is "on " another member, it includes not only when the member is in contact with the other member, but also when there is another member between the two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout this specification, when an element is referred to as "including " an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise.

본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B"의 기재는, "A 또는 B, 또는 A 및 B"를 의미한다.Throughout this specification, the description of "A and / or B" means "A or B, or A and B".

본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.The word " step (or step) "or" step "used to the extent that it is used throughout the specification does not mean" step for.

본 명세서에서 단위 "중량부"는 각 성분간의 중량의 비율을 의미할 수 있다.As used herein, the unit "weight" may refer to the ratio of the weight between each component.

본 명세서에 있어서, 입자의 크기는 입도 분석기를 통하여 측정될 수 있다. 나아가, 광학 장비를 이용하여, 입자를 관찰하여 입도 분석기를 통하여 측정된 결과가 올바른지 확인할 수 있다. In this specification, the particle size can be measured through a particle size analyzer. Further, by observing the particles using optical equipment, it is possible to confirm whether the measured result is correct through the particle size analyzer.

본 발명자들은 중공 실리카 나노입자와 바인더 수지를 이용하여 저굴절 코팅층을 제조하는 경우, 충분한 저굴절 물성을 달성하기 위하여 중공 실리카 나노입자를 다량 함유시켜야 하여, 물성 테스트 시 중공 실리카 나노입자가 코팅층에서 탈락하는 문제점 및 고분자 매트릭스 대비 중공 실리카 입자의 함량이 과다하여 코팅층 자체의 물성 확보가 곤란한 문제점 등이 있었다. 나아가, 기계적 물성을 향상시키기 위하여 무기 저굴절층을 제조하는 경우 고온의 소성 공정이 수반되어 고분자 기재 상에 직접 저굴절 코팅층을 형성하기 곤란하거나, 고가의 레이저 또는 전자빔 조사 장치, 증착 장치 등을 이용하여 제조 비용이 지나치게 상승하는 문제점을 인식하여, 이를 해결하고자, 본 발명을 개발하기에 이르렀다. The present inventors have found that when a low refraction coating layer is prepared using hollow silica nanoparticles and a binder resin, a large amount of hollow silica nanoparticles must be contained in order to attain sufficient low refractive index properties, so that the hollow silica nanoparticles are removed from the coating layer And that the content of the hollow silica particles as compared with the polymer matrix is too large to secure the physical properties of the coating layer itself. Further, when an inorganic low refractive layer is manufactured to improve mechanical properties, it is difficult to form a low refractive coating directly on a polymer substrate accompanied by a high-temperature firing process, or an expensive laser, an electron beam irradiating device, The present inventors have developed the present invention in order to solve the problem that the manufacturing cost is excessively increased.

구체적으로, 본 발명은 고온의 소성 과정을 거치지 않고, 간단한 화학적 처리만으로 중공 실리카 입자를 포함하는 저굴절 실리카 코팅층을 제조할 수 있다. 나아가, 저굴절 실리카 코팅층을 이루는 매트릭스는 중공 실리카 입자와 동종의 실리카 매트릭스이므로, 중공 실리카 입자와 매트릭스와의 결합력이 우수하여 중공 실리카 입자의 탈락을 최소화할 수 있다. 나아가, 본 발명은 고온의 소성 공정을 거치지 않고, 화학적 처리만으로 저굴절 실리카 코팅층을 형성할 수 있으므로, 고분자 기재 상에 직접 저굴절 실리카 코팅층을 형성할 수 있는 큰 장점이 있다.Specifically, the present invention can produce a low refractive silica coating layer containing hollow silica particles by a simple chemical treatment, without undergoing a high-temperature firing process. Furthermore, since the matrix constituting the low refraction silica coating layer is a silica matrix of the same kind as the hollow silica particles, the bonding strength between the hollow silica particles and the matrix is excellent, so that dropout of the hollow silica particles can be minimized. Furthermore, since the present invention can form a low refractive silica coating layer only by chemical treatment without being subjected to a high temperature firing step, there is a great advantage that a low refractive silica coating layer can be directly formed on a polymer substrate.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명의 일 실시상태는, 용매 및 알콕시 실란을 포함하는 실리카 전구체 분산액을 준비하는 단계; 상기 실리카 전구체 분산액에 산성 촉매를 첨가하여, 실리카 전구체 졸을 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 형성하는 단계; 상기 실리카 전구체 졸 용액과 중공 실리카 입자를 혼합하는 단계; 상기 중공 실리카 입자를 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 기재 상에 도포하는 단계; 상기 기재 상에 도포된 실리카 전구체 졸 용액을 건조시켜 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계; 및 상기 실리카 전구체 졸 층을 염기 촉매에 접촉시켜, 상기 실리카 전구체 졸 층이 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계;를 포함하고, One embodiment of the present invention is a process for preparing a silica precursor dispersion comprising: preparing a silica precursor dispersion comprising a solvent and an alkoxysilane; Adding an acidic catalyst to the silica precursor dispersion to form a silica precursor sol solution comprising a silica precursor sol; Mixing the silica precursor sol solution with the hollow silica particles; Applying a silica precursor sol solution comprising the hollow silica particles onto a substrate; Drying a silica precursor sol solution applied on the substrate to form a silica precursor sol layer; And contacting the silica precursor sol layer with a base catalyst to form the silica precursor sol layer into a low refractive silica coating layer,

상기 모든 공정은 120 ℃ 이하의 분위기에서 수행되는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법을 제공한다. Wherein all the steps are carried out in an atmosphere of 120 DEG C or less.

실리카 전구체 분산액을 준비하는 단계Preparing a silica precursor dispersion

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 용매 및 알콕시 실란을 포함하는 실리카 전구체 분산액을 준비하는 단계를 포함한다. According to an embodiment of the present invention, a manufacturing method of an optical member including the low refraction silica coating layer includes preparing a silica precursor dispersion including a solvent and an alkoxysilane.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알콕시 실란의 알콕시기는 탄소수 1 내지 10 이하의 알콕시기인 것일 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알콕시 실란은 테트라에톡시실란(TEOS), 테트라메톡시실란(TMOS), 메톡시트리에톡시실란(MTEOS), 메틸트리메톡시실란(MTMS), 메틸트리에톡시실란(MTES), 트리메톡시페닐실란(TMPS), 트리에톡시페닐실란(TEPS), 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 3-(아크릴로일옥시)프로필트리메톡시실란, 1,2-비스(트리에톡시실란)에탄, 및 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알콕시 실란은 테트라에톡시실란(TEOS)일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the alkoxy group of the alkoxysilane may be an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the alkoxysilane is at least one selected from the group consisting of tetraethoxysilane (TEOS), tetramethoxysilane (TMOS), methoxytriethoxysilane (MTEOS), methyltrimethoxysilane (MTMS) , Trimethoxyphenylsilane (TMPS), triethoxyphenylsilane (TEPS), 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxy Propyltrimethoxysilane, 1,2-bis (triethoxysilane) ethane, and 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, Or the like. More specifically, according to one embodiment of the present invention, the alkoxysilane may be tetraethoxysilane (TEOS).

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 용매는 유기 용매를 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 용매는 끓는점이 50 ℃ 내지 150 ℃인 유기 용매를 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 용매는 물 및 유기 용매를 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the solvent may comprise an organic solvent. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the organic solvent may include an organic solvent having a boiling point of 50 ° C to 150 ° C. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the solvent may comprise water and an organic solvent.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 용매는 알코올계 용매; 케톤계 용매; 및 아세테이트계 용매 중 적어도 1종을 포함하는 유기 용매를 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the solvent is an alcohol-based solvent; Ketone solvents; And an organic solvent including at least one of acetate-based solvents.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알코올계 용매는 에틸알코올, n-프로필알코올, i-프로필알코올, i-부틸알코올, n-부틸알코올 및 t-부틸알코올 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the alcoholic solvent may include at least one of ethyl alcohol, n-propyl alcohol, i-propyl alcohol, i-butyl alcohol, n-butyl alcohol and t-butyl alcohol.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 케톤계 용매는 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 디메틸 케톤, 메틸이소프로필케톤, 및 아세틸아세톤 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the ketone-based solvent may include at least one of acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, dimethyl ketone, methyl isopropyl ketone, and acetylacetone.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 아세테이트계 용매는 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 프로필아세테이트 및 부틸아세테이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the acetate-based solvent may include at least one of methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate and butyl acetate.

상기 유기 용매는 상기 실리카 전구체 졸의 안정성을 향상시킬 수 있다. 나아가, 상기 유기 용매의 함량은 상기 알콕시 실란의 몰수 대비 2 내지 8배의 몰수로 상기 실리카 전구체 분산액에 포함될 수 있다. The organic solvent can improve the stability of the silica precursor sol. Furthermore, the content of the organic solvent may be included in the silica precursor dispersion in a molar ratio of 2 to 8 times the number of moles of the alkoxysilane.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 용매는 물과 유기 용매의 혼합 용매일 수 있다. 구체적으로, 상기 용매는 물과 알코올계 용매의 혼합 용매일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the solvent can be used for mixing water and an organic solvent. Specifically, the solvent can be used for mixing water and an alcohol-based solvent.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 분산액은 필요에 따라 실리카, 세리아, 티타니아 및 지르코니아 중 적어도 하나를 포함하는 나노입자를 더 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the silica precursor dispersion may further include nanoparticles containing at least one of silica, ceria, titania and zirconia as necessary.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 분산액은 필요에 따라 불소계 슬립제(slip agent) 및/또는 실리콘계 슬립제(slip agent)를 더 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the silica precursor dispersion may further include a fluorine-based slip agent and / or a silicon based slip agent, if necessary.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 분산액은 필요에 따라 건조 지연제를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the silica precursor dispersion may further include a drying retarder if necessary.

실리카 전구체 졸 용액을 형성하는 단계Step of forming a silica precursor sol solution

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 상기 실리카 전구체 분산액에 산성 촉매를 첨가하여, 실리카 전구체 졸을 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 형성하는 단계를 포함한다. According to an embodiment of the present invention, the method of manufacturing an optical member including the low refraction silica coating layer includes the step of adding an acidic catalyst to the silica precursor dispersion to form a silica precursor sol solution including a silica precursor sol do.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸을 형성하는 단계는, 상기 실리카 전구체 분산액의 pH를 0 내지 5로 조절하는 것을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 실리카 전구체 분산액의 pH를 0 내지 5로 조절하여, 실리카 전구체 졸을 형성할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the step of forming the silica precursor sol may comprise adjusting the pH of the silica precursor dispersion to 0 to 5. Specifically, the silica precursor sol can be formed by adjusting the pH of the silica precursor dispersion to 0 to 5.

구체적으로, 상기 산성 촉매는 상기 실리카 전구체 분산액의 pH를 조절하여, 상기 실리카 전구체 분산액에 포함된 알콕시 실란을 비롯한 실리카 전구체를 졸화 시킬 수 있다. Specifically, the acidic catalyst can hydrate the silica precursor including the alkoxysilane contained in the silica precursor dispersion by adjusting the pH of the silica precursor dispersion.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 산성 촉매는 염산, 황산, 플루오르황산, 질산, 인산, 아세트산, 헥사플루오르인산, p-톨루엔설폰산 및 트리플루오로메탄술폰산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the acidic catalyst may include at least one of hydrochloric acid, sulfuric acid, fluoric sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, hexafluorophosphoric acid, p- toluenesulfonic acid and trifluoromethanesulfonic acid.

상기 산성 촉매의 함량은 상기 실리카 전구체 분산액의 pH가 0 내지 5가 되도록 적절히 조절하여 첨가될 수 있다. The content of the acidic catalyst may be adjusted by appropriately adjusting the pH of the silica precursor dispersion to be 0 to 5.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 산성 촉매는 상기 실리카 전구체를 가수분해하여 하기 일반식 1로 표시되는 실리카 전구체 졸을 형성할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the acid catalyst may hydrolyze the silica precursor to form a silica precursor sol represented by the following general formula (1).

[일반식 1] [Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 일반식 1의 n은 복수의 정수이며, n의 값은 실리카 전구체 졸이 만들어진 이후의 시간, 온도, 습도 등에 따라 변할 수 있으므로, n의 값은 변할 수 있다. 예를 들어, 상기 일반식 1의 n 값은 2 내지 1000만 이하의 정수일 수 있다. In the general formula 1, n is a plurality of integers, and the value of n may vary depending on the time, temperature, humidity, etc. after the silica precursor sol is produced, and therefore the value of n may vary. For example, the n value in the general formula 1 may be an integer of 2 to 10 million.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸을 형성하는 단계는 80 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 실리카 전구체 졸을 형성하는 단계는 상온(25 ℃) 내지 80 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the step of forming the silica precursor sol may be performed at a temperature of 80 DEG C or lower. Specifically, the step of forming the silica precursor sol may be performed at a temperature of room temperature (25 ° C) to 80 ° C or less.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸 용액의 실리카 전구체 졸의 함량은 5 wt% 이상 40 wt%일 수 있다. 구체적으로, 상기 실리카 전구체 졸 용액의 실리카 전구체 졸의 함량은 8 wt% 이상 20 wt% 이하, 또는 10 wt% 이상 15 wt% 이하일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the content of the silica precursor sol in the silica precursor sol solution may be 5 wt% to 40 wt%. Specifically, the content of the silica precursor sol in the silica precursor sol solution may be 8 wt% or more and 20 wt% or less, or 10 wt% or more and 15 wt% or less.

본 명세서에 있어서, 상기 실리카 전구체 졸의 함량은 실리카 전구체 졸 용액을 80 ℃에서 1시간 동안 건조한 후, 200 ℃에서 24시간 동안 탈수 반응을 진행시킨 후의 잔류하는 고형분을 통하여 용액 내의 실리카 전구체 졸의 함량을 측정할 수 있으며, 또한, 상기 실리카 전구체 졸 용액 내에 포함된 실리카 전구체가 100 % 반응하여 졸화되는 양을 계산하여 용액 내의 실리카 전구체 졸의 함량을 계산할 수 있다. In the present specification, the content of the silica precursor sol is determined by drying the silica precursor sol solution at 80 캜 for 1 hour, then dehydrating the silica precursor sol at 200 캜 for 24 hours, And the content of the silica precursor sol in the solution can be calculated by calculating the amount by which the silica precursor contained in the silica precursor sol solution is reacted with 100% to be solubilized.

상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸의 함량이 상기 범위 내인 경우, 상기 실리카 전구체 졸 용액의 점도가 적절하게 조절되어 코팅 시 핸들링을 용이하게 할 수 있다. 나아가, 상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸의 함량이 상기 범위 내인 경우, 상기 실리카 전구체 졸 용액의 도포 후 건조 시간을 단축하여 상기 저굴절 실리카 코팅층에 발생할 수 있는 얼룩을 방지할 수 있으며, 상기 저굴절 실리카 코팅층의 두께를 균일하게 구현할 수 있다.When the content of the silica precursor sol in the silica precursor sol solution is within the above range, the viscosity of the silica precursor sol solution can be appropriately controlled to facilitate handling during coating. Furthermore, when the content of the silica precursor sol in the silica precursor sol solution is within the above range, it is possible to shorten the drying time after application of the silica precursor sol solution to prevent staining occurring in the low refractive silica coating layer, The thickness of the refractive silica coating layer can be uniformly realized.

상기 실리카 전구체 졸 용액과 중공 실리카 입자를 혼합하는 단계Mixing the silica precursor sol solution with the hollow silica particles

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 상기 실리카 전구체 졸 용액과 중공 실리카 입자를 혼합하는 단계를 포함한다. According to an embodiment of the present invention, the manufacturing method of the optical member including the low refraction silica coating layer includes mixing the silica precursor sol solution and the hollow silica particles.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 중공 실리카 입자는 상기 중공 실리카 입자가 용매에 분산되어 있는 중공 실리카 분산액으로 준비되어, 상기 실리카 전구체 졸 용액과 혼합될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the hollow silica particles may be prepared as a hollow silica dispersion in which the hollow silica particles are dispersed in a solvent, and may be mixed with the silica precursor sol solution.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 중공 실리카 분산액의 용매는 전술한 유기 용매와 동일할 수 있다. 구체적으로, 상기 중공 실리카 분산액은 알코올계 용매에 중공 실리카 입자가 분산되어 있는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the solvent of the hollow silica dispersion may be the same as the above-mentioned organic solvent. Specifically, the hollow silica dispersion may be one in which hollow silica particles are dispersed in an alcohol-based solvent.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 중공 실리카 입자의 평균 외경은 20 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 중공 실리카 입자의 평균 외경은 20 ㎚ 이상 70 ㎚ 이하, 40 ㎚ 이상 70 ㎚ 이하, 또는 30 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the average diameter of the hollow silica particles may be 20 nm or more and 100 nm or less. Specifically, the average diameter of the hollow silica particles may be 20 nm or more and 70 nm or less, 40 nm or more and 70 nm or less, or 30 nm or more and 60 nm or less.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 중공 실리카 입자의 쉘부의 두께는 5 ㎚ 이상 15 ㎚ 이하, 또는 5 ㎚ 이상 10 ㎚ 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the thickness of the shell portion of the hollow silica particles may be 5 nm or more and 15 nm or less, or 5 nm or more and 10 nm or less.

상기 중공 실리카 입자의 쉘부는 상기 중공 실리카 입자의 외경과 중공 입경의 차이로 측정될 수 있다. The shell portion of the hollow silica particles can be measured by the difference between the outer diameter and the hollow particle diameter of the hollow silica particles.

상기 중공 실리카 입자의 평균 외경이 상기 범위 이내인 경우, 상기 저굴절 실리카 코팅층 내에 잘 분산될 수 있다. 또한, 상기 중공 실리카 입자의 쉘부의 두께가 상기 범위 내인 경우, 상기 중공 실리카 입자의 굴절률이 지나치게 높아지는 것을 방지하고, 중공 실리카 입자의 강도를 확보할 수 있다. 이를 통하여, 상기 저굴절 실리카 코팅층은 물리적 강도 및 광굴절률을 최적화할 수 있다. When the average diameter of the hollow silica particles is within the above range, it can be well dispersed in the low refractive silica coating layer. When the thickness of the shell portion of the hollow silica particles is within the above range, the refractive index of the hollow silica particles can be prevented from becoming excessively high, and the strength of the hollow silica particles can be secured. Through this, the low refractive silica coating layer can optimize physical strength and optical refractive index.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 중량비는 8:2 내지 2:8일 수 있다. 구체적으로, 상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 중량비는 7:3 내지 5:5 또는 7:3 내지 6:4일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the weight ratio of the silica precursor sol and the hollow silica particles in the silica precursor sol solution may be from 8: 2 to 2: 8. Specifically, the weight ratio of the silica precursor sol and the hollow silica particles in the silica precursor sol solution may be 7: 3 to 5: 5 or 7: 3 to 6: 4.

상기 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 중량비가 상기 범위 내인 경우, 상기 저굴절 실리카 코팅층의 표면 강도를 적절한 수준으로 유지하며, 낮은 광반사율을 구현할 수 있으며, 이에 따라 상기 광학 부재의 낮은 광반사율이 구현될 수 있다. When the weight ratio of the silica precursor sol to the hollow silica particles is within the above range, the surface hardness of the low refractive silica coating layer is maintained at a proper level and a low light reflectance can be realized, .

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 총함량은 1 wt% 이상 15 wt% 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 총함량은 1 wt% 이상 13 wt% 이하, 4 wt% 이상 13 wt% 이하, 또는 5 wt% 이상 12 wt% 이하일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the total content of the silica precursor sol and the hollow silica particles in the silica precursor sol solution may be 1 wt% or more and 15 wt% or less. Specifically, the total content of the silica precursor sol and the hollow silica particles in the silica precursor sol solution may be 1 wt% or more and 13 wt% or less, 4 wt% or more and 13 wt% or less, or 5 wt% or more and 12 wt% or less.

상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 총함량이 상기 범위 내인 경우, 상기 실리카 전구체 졸 용액의 점도가 적절하게 조절되어 코팅 시 핸들링을 용이하게 할 수 있다. 나아가, 상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 총함량이 상기 범위 내인 경우, 상기 실리카 전구체 졸 용액의 도포 후 건조 시간을 단축하여 상기 저굴절 실리카 코팅층에 발생할 수 있는 얼룩을 방지할 수 있으며, 상기 저굴절 실리카 코팅층의 두께를 균일하게 구현할 수 있다.When the total content of the silica precursor sol and the hollow silica particles in the silica precursor sol solution is within the above range, the viscosity of the silica precursor sol solution can be appropriately controlled to facilitate handling during coating. Further, when the total content of the silica precursor sol and the hollow silica particles in the silica precursor sol solution is within the above range, the drying time after application of the silica precursor sol solution is shortened to prevent staining occurring in the low refractive silica coating layer And the thickness of the low refraction silica coating layer can be uniformly realized.

중공 실리카 입자를 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 A silica precursor sol solution containing hollow silica particles 기재 상에On the substrate 도포하는 단계 Applying step

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 상기 중공 실리카 입자를 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 기재 상에 도포하는 단계를 포함한다. According to an embodiment of the present invention, the manufacturing method of the optical member including the low refractive silica coating layer includes a step of applying a silica precursor sol solution containing the hollow silica particles onto the substrate.

상기 실리카 전구체 졸 용액의 도포는 바코팅, 스핀코팅 등 당업계에서 일반적으로 알려진 도포법을 제한 없이 이용할 수 있다. The application of the silica precursor sol solution may be carried out by any method known in the art, such as bar coating or spin coating, without limitation.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 상기 저굴절 실리카 코팅층이 구비되는 광학 필름일 수 있다. 구체적으로, 상기 기재는 편광 필름, 휘도 향상 필름 또는 위상차 필름일 수 있다. 또한, 상기 기재는 디스플레이 패널 또는 터치 패널일 수도 있다. According to one embodiment of the present invention, the substrate may be an optical film on which the low refraction silica coating layer is provided. Specifically, the substrate may be a polarizing film, a brightness enhancement film, or a retardation film. Further, the substrate may be a display panel or a touch panel.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 일면 상에 고굴절층, 하드 코팅층 및 반사방지층 중 적어도 1종의 기능성층을 구비한 광학 필름일 수 있다. 구체적으로, 상기 저굴절 실리카 코팅층은 상기 기재의 기능성층 상에 형성될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the substrate may be an optical film having at least one functional layer of a high refractive index layer, a hard coating layer and an antireflection layer on one surface. Specifically, the low refraction silica coating layer may be formed on the functional layer of the substrate.

본 발명에 따른 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 고온의 소성 과정을 거치지 않으므로, 상기 기재는 코팅층을 형성한 후 코팅층과 떼어내는 라이너가 아닌, 광학 필름일 수 있으며, 구체적으로, 편광판과 같은 디스플레이용 고분자 기재가 될 수 있다. Since the method of manufacturing the optical member including the low refraction silica coating layer according to the present invention is not subjected to a high-temperature baking process, the substrate may be an optical film other than a liner separating from the coating layer after forming the coating layer, Or a polymer substrate for a display such as a polarizing plate.

또한, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 고분자 기재일 수 있다. 구체적으로, 상기 고분자 기재는 PET(polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), PEEK(Polyether ether ketone) 및 PI(Polyimide) 등의 필름이 단층 또는 복층의 형태로 포함될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것이 아니고, 고분자 소재의 필름 이라면 제한 없이 적용될 수 있다.Further, according to one embodiment of the present invention, the substrate may be a polymer substrate. Specifically, the polymer substrate may include films such as PET (polyethylene terephthalate), PEN (polyethylene naphthalate), PEEK (polyether ether ketone), and PI (polyimide) in the form of a single layer or a multilayer. However, the present invention is not limited thereto, and any film made of a polymer material may be used without limitation.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸 용액의 도포 두께는 상기 저굴절 실리카 코팅층의 용도에 따라 조절할 수 있으며, 예를 들어 200 ㎚ 내지 2 ㎛ 두께로 도포될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the coating thickness of the silica precursor sol solution can be adjusted depending on the use of the low refraction silica coating layer, and can be applied, for example, in a thickness of 200 nm to 2 탆.

기재 상에On the substrate 도포된 실리카 전구체 졸 용액을  The applied silica precursor sol solution 건조시켜Dry 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계 Step of forming a silica precursor sol layer

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 상기 기재 상에 도포된 실리카 전구체 졸 용액을 건조시켜 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계를 포함한다. According to an embodiment of the present invention, a method of manufacturing an optical member including the low refractive silica coating layer includes drying a silica precursor sol solution applied on the substrate to form a silica precursor sol layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계는, 120 ℃ 이하의 온도에서 상기 도포된 실리카 전구체 졸을 건조하여 용매를 제거하는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the step of forming the silica precursor sol layer may include drying the applied silica precursor sol at a temperature of 120 ° C or lower to remove the solvent.

상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계를 통하여, 상기 실리카 전구체 졸은 상기 기재 상에 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계를 통하여, 상기 일반식 1로 표시되는 실리카 전구체 졸이 상기 기재 상에 고르게 분포할 수 있다. Through the step of forming the silica precursor sol layer, the silica precursor sol may be provided on the substrate. Specifically, through the step of forming the silica precursor sol layer, the silica precursor sol represented by the general formula 1 can be evenly distributed on the substrate.

또한, 상기 용매는 낮은 온도에서 증발될 수 있으므로, 120 ℃ 이하, 100 ℃ 이하, 또는 80 ℃ 이하의 온도에서 건조함으로써 용매를 제거할 수 있다. In addition, since the solvent can be evaporated at a low temperature, the solvent can be removed by drying at 120 ° C or less, 100 ° C or less, or 80 ° C or less.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계는 50 ℃ 이상 120 ℃ 이하, 60 ℃ 이상 100 ℃ 이하, 또는 60 ℃ 이상 80 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the step of forming the silica precursor sol layer may be performed at a temperature of 50 ° C or more and 120 ° C or less, 60 ° C or more and 100 ° C or less, or 60 ° C or more and 80 ° C or less.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계는 50 ℃ 이상 120 ℃ 이하, 60 ℃ 이상 100 ℃ 이하, 또는 60 ℃ 이상 80 ℃ 이하의 온도에서 30초 내지 5분 동안 수행되는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계는 60 ℃ 내지 80 ℃ 의 온도에서 30초 내지 2분 동안 수행되는 것일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the step of forming the silica precursor sol layer is performed at a temperature of 50 ° C or more and 120 ° C or less, 60 ° C or more and 100 ° C or less, or 60 ° C or more and 80 ° C or less and 30 seconds to 5 minutes . Specifically, the step of forming the silica precursor sol layer may be performed at a temperature of 60 ° C to 80 ° C for 30 seconds to 2 minutes.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층의 제조방법은 상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계 이후, 플라즈마 처리를 이용하여 표면 개질하는 단계를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 표면 개질하는 단계는 상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계 이후 실시하는 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the method of fabricating the low refraction silica coating layer may further include a step of modifying the surface using the plasma treatment after the step of forming the silica precursor sol layer. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the surface modification step may be performed after the step of forming the silica precursor sol layer.

상기 플라즈마 처리는 대기압 플라즈마를 사용하여 직접법 또는 간접법으로 처리하는 것일 수 있다. The plasma treatment may be a direct treatment or an indirect treatment using an atmospheric plasma.

상기 표면 개질하는 단계는 이후의 공정에서 아민계 염기 촉매 및 인산계 염기 촉매 중 적어도 1종을 포함하는 염기 촉매와의 접촉을 높일 수 있으며, 아민계 염기 촉매 및 인산계 염기 촉매 중 적어도 1종을 포함하는 염기 촉매 처리시의 효과를 증대시켜 저굴절 실리카 코팅층의 강도 등을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. The surface modification step may increase the contact with the base catalyst comprising at least one of an amine base catalyst and a phosphoric acid base catalyst in a subsequent step, and may include at least one of an amine base catalyst and a phosphoric acid base catalyst And the strength of the low refractive silica coating layer can be improved by increasing the effect of the base catalyst treatment.

상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계는 실리카 전구체 졸 용액 내의 용매를 전부 제거하는 것뿐만 아니라, 일부의 용매를 제거하는 것을 포함할 수 있다. The step of forming the silica precursor sol layer may include not only removing all of the solvent in the silica precursor sol solution but also removing some of the solvent.

저굴절Low refractive 실리카 코팅층으로 형성되는 단계 The step of forming a silica coating layer

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 상기 실리카 전구체 졸 층을 염기 촉매에 접촉시켜, 상기 실리카 전구체 졸 층이 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계를 포함한다. According to an embodiment of the present invention, the manufacturing method of the optical member including the low refraction silica coating layer includes the steps of contacting the silica precursor sol layer with a base catalyst to form the silica precursor sol layer into a low refractive silica coating layer .

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 상기 기재 상의 실리카 전구체 졸을 경화시키는 역할을 할 수 있다. 구체적으로, 상기 염기 촉매는 상기 일반식 1로 표시되는 실리카 전구체 졸을 포함하는 실리카 전구체 졸 층을 실리카 막으로 경화시킬 수 있다. 상기 실리카 막은 저굴절 실리카 코팅층의 매트릭스를 형성하고, 상기 중공 실리카 입자와 동종의 물질로서 매트릭스 내에 상기 중공 실리카 입자와 강한 결합력을 구현할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the base catalyst may serve to cure the silica precursor sol on the substrate. Specifically, the base catalyst can cure the silica precursor sol layer containing the silica precursor sol represented by the general formula 1 with a silica film. The silica film forms a matrix of a low refractive silica coating layer and can form a strong bonding force with the hollow silica particles in the matrix as a material similar to the hollow silica particles.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 끓는점이 80 ℃ 이상 500 ℃ 이하인 것일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the base catalyst may have a boiling point of 80 ° C or higher and 500 ° C or lower.

또한, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 상온(25 ℃)에서의 증기압이 10,000 Pa 이하, 또는 5,000 Pa 이하, 또는 1 Pa 이하인 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the base catalyst may have a vapor pressure at room temperature (25 ° C) of 10,000 Pa or less, or 5,000 Pa or less, or 1 Pa or less.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 끓는점이 80 ℃ 이상의 무수물일 수 있다. 구체적으로, 상기 염기 촉매는 수분을 함유하고 있지 않으므로, 상기 실리카 전구체 졸을 효과적으로 탈수하여 치밀한 가교 구조를 형성할 수 있게 할 수 있다. 구체적으로, 상기 염기 촉매는 끓는점이 80 ℃ 이상의 액상의 무수물일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the base catalyst may be an anhydride having a boiling point of 80 ° C or higher. Specifically, since the base catalyst does not contain moisture, it is possible to effectively dewater the silica precursor sol to form a dense crosslinked structure. Specifically, the base catalyst may be a liquid anhydride having a boiling point of 80 ° C or higher.

상기 일반식 1로 표시되는 실리카 전구체 졸이 상기 염기 촉매에 의하여 실리카로 경화되는 반응은 물이 제거되는 반응을 수반하며, 경화시 물이 존재하는 경우, 반응속도가 현저하게 저하되는 문제가 있다. 이를 방지하기 위하여, 상기 기재 상에 실리카 코팅층을 형성하는 단계는 수분을 포함하지 않는 상기 염기 촉매 중 적어도 1종을 포함하는 염기 촉매를 이용하여 상기 실리카 전구체 졸의 경화를 빠르게 진행시킬 수 있다. The reaction of the silica precursor sol represented by the general formula (1) to the silica by the base catalyst involves a reaction to remove water, and when the water is present during the curing, the reaction rate is remarkably lowered. In order to prevent this, the step of forming a silica coating layer on the base material can rapidly accelerate the curing of the silica precursor sol using a base catalyst containing at least one of the base catalysts not containing water.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 끓는점 및 인화점이 높아, 열적으로 안정하고, 공정시 화재의 위험이 현저하게 낮은 장점이 있다. 나아가, 상기 염기 촉매는 증기압이 낮아 냄새가 적고 폭발의 위험성이 매우 낮은 장점이 있다. According to one embodiment of the present invention, the base catalyst has a high boiling point and a high flash point, is thermally stable, and has a remarkably low risk of fire in the process. Further, the base catalyst has a low vapor pressure and thus has a small odor and an extremely low risk of explosion.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 120 ℃ 이하의 온도에서 액상일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the base catalyst may be in a liquid state at a temperature of 120 ° C or lower.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 유기 용매를 포함할 수 있다. 상기 염기 촉매가 120 ℃ 이하의 온도에서 고상인 경우, 유기 용매에 용해되어 사용될 수 있다. 이를 통하여, 상기 염기 촉매는 120 ℃ 이하의 온도에서 액상일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the base catalyst may comprise an organic solvent. When the base catalyst is in a solid phase at a temperature of 120 ° C or lower, it can be used by being dissolved in an organic solvent. Accordingly, the base catalyst may be in a liquid state at a temperature of 120 ° C or lower.

상기 염기 촉매에 포함될 수 있는 유기 용매는 N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸피롤리돈(NMP), N,N-디메틸포름아미드(DMF), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, N,N-디에틸아세트아미드(DEAc), N,N-디메틸메톡시아세트아미드, 디메틸술폭사이드, 피리딘, 디메틸술폰, 헥사메틸포스포아미드, 테트라메틸우레아, N-메틸카프로락탐, 테트라히드로퓨란, m-디옥산, P-디옥산, 1,2-디메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸)에테르, 1,2-비스(2-메톡시에톡시)에탄,비스[2-(2-메톡시에톡시)]에테르, 폴리(에틸렌글리콜)메타크릴레이트(PEGMA), 감마-부티로락톤(GBL), 및 에크아미드(Equamide M100, Idemitsu Kosan Co., Ltd) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The organic solvent that can be included in the base catalyst may include N, N-dimethylacetamide (DMAc), N-methylpyrrolidone (NMP), N, N-dimethylformamide (DMF) N-dimethylacetamide (DEAc), N, N-dimethylmethoxyacetamide, dimethylsulfoxide, pyridine, dimethylsulfone, hexamethylphosphoramide, tetramethylurea, N-methylcapro (2-methoxyethoxy) ethane, 1,2-bis (2-methoxyethoxy) ethane, bis (2-methoxyethoxy) (Ethylene glycol) methacrylate (PEGMA), gamma-butyrolactone (GBL), and eqamide (Equamide M100, Idemitsu Kosan Co., Ltd.) And may include at least one.

상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는 상기 염기 촉매를 이용하여 상기 실리카 전구체 졸을 경화하는 것으로서, 고온의 소결 과정을 거치지 않고 화학적 방법을 이용하여 공정을 간편하게 수행할 수 있는 장점이 있다. 또한, 상기 염기 촉매는 상기 실리카 전구체 졸의 경화 시 물에 접촉하여 물성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 나아가, 상기 염기 촉매는 높은 끓는점과 낮은 증기압을 가지므로, 작업 시 유독 가스에 노출되거나 휘발성에 따른 화재의 위험성을 크게 낮추어 작업 환경 개선에 도움을 줄 수 있다. The step of forming the low refraction silica coating layer is advantageous in that the silica precursor sol is cured using the base catalyst, and the process can be easily performed using a chemical method without a high temperature sintering process. In addition, the base catalyst can prevent the physical properties of the silica precursor sol from being lowered by contacting with the water during the curing of the silica precursor sol. Further, since the base catalyst has a high boiling point and a low vapor pressure, the risk of fire due to toxic gas exposure or volatility is greatly reduced during operation, which can help improve the working environment.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는, 침지법, 코팅법 또는 분사법을 이용하는 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the step of forming the low refraction silica coating layer may be a dipping method, a coating method, or a spraying method.

구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재 상에 구비된 실리카 전구체 졸을 상기 염기 촉매에 접촉시키는 것은 스핀 코팅, 딥 코팅, 분무 코팅 등의 액상 물질의 퇴적 방법을 이용할 수 있다. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the contact of the silica precursor sol provided on the substrate with the base catalyst can be performed by a method of depositing a liquid material such as spin coating, dip coating, spray coating and the like.

구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재 상에 구비된 실리카 전구체 졸 층을 상기 염기 촉매에 접촉시키는 것은, 상기 실리카 전구체 졸 층이 일면 상에 구비된 상기 기재를 상기 염기 촉매에 침지시키는 것일 수 있다. 상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는 상기 일반식 1로 표시되는 실리카 전구체 졸이 일면 상에 구비된 기재를 상기 염기 촉매에 침지시키는 것일 수 있다. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the step of bringing the silica precursor sol layer provided on the substrate into contact with the base catalyst may be carried out by immersing the substrate having the silica precursor sol layer on one surface thereof in the base catalyst It can be done. The step of forming the low refraction silica coating layer may be performed by immersing the substrate provided on one side of the silica precursor sol represented by the general formula 1 with the base catalyst.

상기 침지 방법을 이용하여 상기 실리카 전구체 졸 층과 상기 염기 촉매를 접촉시키는 경우, 매우 간편하게 공정을 수행할 수 있으며, 생산 설비를 최소화할 수 있는 장점이 있다.When the silica precursor sol layer and the base catalyst are brought into contact with each other using the immersion method, the process can be performed very easily, and production facilities can be minimized.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 아민계 염기 촉매, 인산계 염기 촉매 및 이미다졸계 염기 촉매 중 적어도 1종을 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the base catalyst may include at least one of an amine base catalyst, a phosphoric acid base catalyst, and an imidazole base catalyst.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는 아민계 염기 촉매를 이용할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실리카 코팅층을 형성하는 단계는 아민계 염기 촉매로서, 트리옥틸아민(TOA)을 사용할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the step of forming the low refraction silica coating layer may use an amine base catalyst. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the step of forming the silica coating layer may use trioctylamine (TOA) as an amine base catalyst.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 하기 화학식 1 내지 화학식 10으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the base catalyst may include at least one of the compounds represented by Chemical Formulas 1 to 10 below.

[화학식 1] [Chemical Formula 1]

Figure pat00002
Figure pat00002

[화학식 2] (2)

Figure pat00003
Figure pat00003

[화학식 3] (3)

Figure pat00004
Figure pat00004

[화학식 4] [Chemical Formula 4]

Figure pat00005
Figure pat00005

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pat00006
Figure pat00006

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure pat00007
Figure pat00007

[화학식 7](7)

Figure pat00008
Figure pat00008

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure pat00009
Figure pat00009

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure pat00010
Figure pat00010

[화학식 10][Chemical formula 10]

Figure pat00011
Figure pat00011

상기 화학식 1 내지 화학식 10에 있어서, In the above Chemical Formulas 1 to 10,

R1 내지 R32는 각각 독립적으로, 수소; 또는 탄소수 1 내지 40의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 50의 아릴기;이고, R1 to R32 each independently represent hydrogen; Or a straight or branched alkyl group having 1 to 40 carbon atoms; Or an aryl group having 6 to 50 carbon atoms,

n 및 x는 1 내지 3 중 어느 하나의 정수이며, o 내지 q는 1 내지 4 중 어느 하나의 정수이고, m 및 r 내지 w는 1 내지 5 중 어느 하나의 정수이며, n and x are any of integers from 1 to 3, o to q are any integers from 1 to 4, m and r to w are integers from 1 to 5,

n 이 2 이상인 경우 R6은 동일 또는 상이할 수 있고, m이 2 이상인 경우 R7은 동일 또는 상이할 수 있으며, o가 2 이상인 경우 R16은 동일 또는 상이할 수 있고, p가 2 이상인 경우 R17은 동일 또는 상이할 수 있으며, q가 2 이상인 경우 R18은 동일 또는 상이할 수 있고, r이 2 이상인 경우 R19는 동일 또는 상이할 수 있으며, s가 2 이상인 경우 R20은 동일 또는 상이할 수 있고, t가 2 이상인 경우 R21은 동일 또는 상이할 수 있으며, u가 2 이상인 경우 R22는 동일 또는 상이할 수 있고, v가 2 이상인 경우 R23은 동일 또는 상이할 수 있으며, w가 2 이상인 경우 R25는 동일 또는 상이할 수 있고, x가 2 이상인 경우 R32는 동일 또는 상이할 수 있다.When n is 2 or more, R6 may be the same or different. When m is 2 or more, R7 may be the same or different. When o is 2 or more, R16 may be the same or different. When p is 2 or more, And when q is 2 or more, R18 may be the same or different, and when r is 2 or more, R19 may be the same or different, and when s is 2 or more, R20 may be the same or different and t is R21 may be the same or different when u is 2 or more and R22 may be the same or different when v is 2 or more and R23 may be the same or different when v is 2 or more and when w is 2 or more, And when x is 2 or more, R32 may be the same or different.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 치환 또는 비치환된 것일 수 있으며, 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be substituted or unsubstituted, and may be linear or branched. The number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. Specific examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec- N-pentyl, 3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n-hexyl, Cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethyl Heptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl and the like.

본 명세서에 있어서, "치환"은 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.As used herein, the term "substituted" means that the hydrogen atom bonded to the carbon atom of the compound is replaced with another substituent, and the substituted position is not limited as long as the substituent is a substitutable position, , Two or more substituents may be the same as or different from each other.

본 명세서에 있어서, "치환 또는 비치환된"은 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 알킬기; 시클로알킬기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 알케닐기; 실릴기; 붕소기; 포스핀옥사이드기; 아민기; 아릴아민기; 아릴기; 및 N, O, S, Se 및 Si 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.As used herein, "substituted or unsubstituted" means deuterium; A halogen group; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A carbonyl group; An ester group; Imide; An amino group; An alkyl group; A cycloalkyl group; An alkoxy group; An aryloxy group; An alkyloxy group; Arylthioxy group; An alkylsulfoxy group; An alkenyl group; Silyl group; Boron group; Phosphine oxide groups; An amine group; An arylamine group; An aryl group; And a heteroaryl group containing at least one of N, O, S, Se and Si atoms, or wherein at least two of the substituents exemplified above are substituted with a substituent to which they are connected, Quot; means < / RTI >

본 명세서에 있어서, 상기 아릴기는 치환 또는 비치환된 것일 수 있으며, 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group may be substituted or unsubstituted. When the aryl group is a monocyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 6 to 50 carbon atoms. Specific examples of the monocyclic aryl group include, but are not limited to, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a quaterphenyl group, and the like. When the aryl group is a polycyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited. And preferably has 10 to 40 carbon atoms. Specific examples of the polycyclic aryl group include naphthyl, anthracenyl, phenanthryl, pyrenyl, perylenyl, klychenyl, fluorenyl, and the like.

구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 염기 촉매는 하기 화학식 1-1 내지 화학식 10-3으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the base catalyst may include at least one of the compounds represented by the following formulas (1-1) to (10-3).

[화학식 1-1] [Formula 1-1]

Figure pat00012
Figure pat00012

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure pat00013
Figure pat00013

[화학식 3-1][Formula 3-1]

Figure pat00014
Figure pat00014

[화학식 4-1][Formula 4-1]

Figure pat00015
Figure pat00015

[화학식 5-1] [Formula 5-1]

Figure pat00016
Figure pat00016

[화학식 6-1][Formula 6-1]

Figure pat00017
Figure pat00017

[화학식 7-1][Formula 7-1]

Figure pat00018
Figure pat00018

[화학식 8-1][Formula 8-1]

Figure pat00019
Figure pat00019

[화학식 9-1][Formula 9-1]

Figure pat00020
Figure pat00020

[화학식 10-1][Formula 10-1]

Figure pat00021
Figure pat00021

[화학식 10-2][Formula 10-2]

Figure pat00022
Figure pat00022

[화학식 10-3][Formula 10-3]

Figure pat00023
Figure pat00023

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는, 60 ℃ 내지 120 ℃의 온도의 상기 염기 촉매에 상기 기재 상에 구비된 실리카 전구체 졸 층을 접촉시키는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는, 60 ℃ 내지 100 ℃, 또는 70 ℃ 내지 90 ℃의 온도에서 수행될 수 있다. 구체적으로, 상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는 상기 실리카 전구체 졸 층이 일면 상에 구비된 상기 기재를 60 ℃ 내지 120 ℃, 60 ℃ 내지 100 ℃, 70 ℃ 내지 90 ℃, 또는 70 ℃ 내지 80 ℃로 조절된 상기 염기 촉매에 침지시키는 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the step of forming the low refractive silica coating layer may be a step of bringing the silica precursor sol layer provided on the substrate into contact with the base catalyst at a temperature of 60 ° C to 120 ° C. Specifically, the step of forming the low refraction silica coating layer may be performed at a temperature of 60 ° C to 100 ° C, or 70 ° C to 90 ° C. Specifically, in the step of forming the low refraction silica coating layer, the substrate having the silica precursor sol layer on one surface is heated at a temperature of 60 to 120 DEG C, 60 to 100 DEG C, 70 DEG C to 90 DEG C, Lt; RTI ID = 0.0 > C, < / RTI >

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는, 1분 내지 20분, 또는 3분 내지 10분 동안 수행되는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는, 70 ℃ 내지 90 ℃의 온도에서 3분 내지 7분 동안 수행되는 것일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the step of forming the low refraction silica coating layer may be performed for 1 minute to 20 minutes, or 3 minutes to 10 minutes. Specifically, the step of forming the low refraction silica coating layer may be performed at a temperature of 70 ° C to 90 ° C for 3 minutes to 7 minutes.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층의 두께는 50 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 저굴절 실리카 코팅층의 두께는 100 ㎚ 이상 150 ㎚ 이하일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the thickness of the low refraction silica coating layer may be 50 nm or more and 200 nm or less. Specifically, the thickness of the low refraction silica coating layer may be 100 nm or more and 150 nm or less.

상기 저굴절 실리카 코팅층의 두께가 상기 범위 내인 경우, 상기 광학 부재는 저굴절 실리카 코팅층 표면에서 반사되는 빛과 저굴절 실리카 코팅층과 상기 기재의 계면에서 반사되는 빛의 상쇄 간섭을 적절히 조절할 수 있으며, 상기 광학 부재의 낮은 광반사율을 구현할 수 있다.When the thickness of the low refractive silica coating layer is within the above range, the optical member can appropriately control destructive interference between light reflected at the surface of the low refractive silica coating layer and light reflected at the interface between the low refractive silica coating layer and the substrate, A low light reflectance of the optical member can be realized.

본 발명의 일 실시상태에 따른 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 120 ℃ 이하의 낮은 온도에서 수행되므로, 고분자 기재 상에 직접 저굴절 실리카 코팅층을 형성할 수 있는 장점이 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따른 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 전 공정이 120 ℃ 이하, 100 ℃ 이하, 또는 80 ℃ 이하의 온도에서 수행되므로, 고분자 기재의 열변형을 방지할 수 있는 장점이 있으며, 이를 이용하여, 고분자 기재 상에 직접 저굴절 실리카 코팅층을 형성할 수 있다. The method of manufacturing an optical member including a low refraction silica coating layer according to an embodiment of the present invention is performed at a low temperature of 120 ° C or less, so that a low refractive silica coating layer can be directly formed on a polymer substrate. Specifically, in the method of manufacturing an optical member including a low refraction silica coating layer according to an embodiment of the present invention, since the entire process is performed at a temperature of 120 ° C. or less, 100 ° C. or less, or 80 ° C. or less, It is possible to form a low refractive silica coating layer directly on the polymer substrate.

나아가, 상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법으로 제조된 저굴절 실리카 코팅층은 고온의 소성 공정을 수행하지 않더라도 500 ℃ 이상의 고온 소성 공정을 거치는 실리카 코팅층과 동등 또는 그 이상의 높은 강성을 구현할 수 있다. 나아가, 본 발명에 따른 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법은 고분자 바인더를 통하여 중공 실리카 입자를 고정하는 것이 아니므로, 코팅층 제조 후 중공 실리카 입자가 탈락하는 현상도 발생하지 않는 장점이 있다. Further, the low refractive silica coating layer produced by the method of manufacturing the optical member including the low refractive silica coating layer may have a high rigidity equal to or higher than that of the silica coating layer subjected to the high temperature sintering process at 500 ° C or higher without performing the high temperature sintering process . Further, since the hollow silica particles are not fixed through the polymer binder, the method of manufacturing the optical member including the low refraction silica coating layer according to the present invention is advantageous in that the hollow silica particles do not fall off after the coating layer is formed .

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재는 롤투롤 연속 공정으로 제조될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the optical member including the low refraction silica coating layer may be manufactured by a roll-to-roll continuous process.

본 발명의 일 실시상태에 따른 제조방법은 증착 공정이 아닌 용액 공정으로 수행되므로, 롤투롤 연속 공정을 통한 대량 생산에 매우 적합한 장점이 있다. 나아가, 본 발명의 일 실시상태에 따른 제조방법은 고온의 소성 공정이 필요 없으므로, 내열성이 낮은 유연한 고분자 기재를 적용할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 일 실시상태에 따른 제조방법은 롤투롤 연속 공정을 이용하여, 유연한 고분자 기재에 저굴절 실리카 코팅층을 직접 형성할 수 있다. Since the manufacturing method according to one embodiment of the present invention is performed by a solution process rather than a deposition process, it is advantageous for mass production through a continuous roll-to-roll process. Furthermore, since the manufacturing method according to one embodiment of the present invention does not require a high-temperature sintering process, a flexible polymer substrate having low heat resistance can be applied. Therefore, the manufacturing method according to one embodiment of the present invention can directly form a low refractive silica coating layer on a flexible polymer substrate using a roll-to-roll continuous process.

본 발명의 일 실시상태는, 상기 제조방법으로 제조된 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재를 제공한다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태는, 기재의 일면 상에 상기 제조방법에 의하여 제조된 저굴절 실리카 코팅층이 구비된 광학 부재를 제공한다. An embodiment of the present invention provides an optical member comprising a low refraction silica coating layer produced by the above manufacturing method. Specifically, one embodiment of the present invention provides an optical member provided with a low refraction silica coating layer produced by the above manufacturing method on one surface of a substrate.

구체적으로, 상기 저굴절 실리카 코팅층은 우수한 표면 강도 및 낮은 광굴절율을 가지므로, 디스플레이 소자의 저반사 코팅층으로 적용될 수 있다.Specifically, the low refraction silica coating layer has excellent surface strength and low refractive index, and therefore can be applied as a low reflection coating layer of a display device.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 편광 필름, 휘도 향상 필름 또는 위상차 필름일 수 있다. 구체적으로, 상기 광학 부재는 상기 저굴절 실리카 코팅층이 구비된 편광판일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the substrate may be a polarizing film, a brightness enhancement film or a retardation film. Specifically, the optical member may be a polarizing plate having the low refraction silica coating layer.

본 발명의 일 실시상태는 상기 광학부재를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. An embodiment of the present invention provides a display device including the optical member.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples. However, the embodiments according to the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present disclosure are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention.

[[ 실시예Example 1 내지  1 to 실시예Example 5]  5]

에탄올에 TEOS를 혼합하여 실리카 전구체 분산액을 제조하였다. 제조된 실리카 전구체 분산액을 교반하며, 염산 수용액을 적가하여 실리카 전구체 졸 용액을 제조하였다. 상기 실리카 전구체 졸 용액의 제조 시의 TEOS, 에탄올, 물, 염산의 몰비는 1:4:4:0.2 였다. TEOS was mixed with ethanol to prepare a silica precursor dispersion. The prepared silica precursor dispersion was stirred, and a hydrochloric acid aqueous solution was added dropwise to prepare a silica precursor sol solution. The molar ratio of TEOS, ethanol, water, and hydrochloric acid in the preparation of the silica precursor sol solution was 1: 4: 4: 0.2.

상기 TEOS가 100 % 반응된 것으로 가정하는 경우의 실리카 전구체 졸 용액의 실리카 고형분의 함량은 약 11 wt% 로 계산된다. 즉, 상기 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸의 함량은 약 11 wt%이다. Assuming that the TEOS is 100% reacted, the silica solids content of the silica precursor sol solution is calculated to be about 11 wt%. That is, the content of the silica precursor sol in the silica precursor sol solution is about 11 wt%.

나아가, 40 ㎚ 내지 70 ㎚ 외경, 및 5 ㎚ 내지 10 ㎚ 내경의 중공 실리카 입자가 20 wt%의 함량으로 이소프로필 알코올에 분산된 중공 실리카 분산액(LG CHEM, Ltd.)을 준비하였다. Further, a hollow silica dispersion (LG CHEM, Ltd.) in which hollow silica particles having an outer diameter of 40 nm to 70 nm and an inner diameter of 5 nm to 10 nm was dispersed in isopropyl alcohol in an amount of 20 wt% was prepared.

실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 중량비를 하기 표 1과 같이 조절되도록, 1 wt% 농도의 실리카 전구체 졸 용액을 제조하였다. 상기 실리카 전구체 졸 용액의 농도는 실리카 전구체 졸 용액 내의 실리카 전구체 졸 및 중공 실리카 입자의 총함량으로서, 이소프로필 알코올을 이용하여 실리카 전구체 졸 용액의 농도를 조절하였다. A silica precursor sol solution having a concentration of 1 wt% was prepared so that the weight ratio of the silica precursor sol and the hollow silica particles was controlled as shown in Table 1 below. The concentration of the silica precursor sol solution was the total content of the silica precursor sol and the hollow silica particles in the silica precursor sol solution, and the concentration of the silica precursor sol solution was adjusted using isopropyl alcohol.

바코팅을 이용하여 상기 실리카 전구체 졸 용액을 하드코팅된 트리아세틸 셀룰로오즈(TAC) 기재 상에 코팅하여 코팅층을 형성한 후, 80 ℃의 대류 오븐(convection oven)에서 1 분간 건조하였다. 나아가, 코팅층이 형성된 기재를 80 ℃의 트리옥틸 아민(TOA) 에 5분간 침치시킨 후 꺼내어, 40 ℃의 증류수로 세척하였다. 이후, 물기를 제거하고, 80 ℃의 대류 오븐(convection oven)에서 2 분간 건조하여, 기재 상에 저굴절 실리카 코팅층이 구비된 광학 부재를 제조하였다. The silica precursor sol solution was coated on hard coated triacetylcellulose (TAC) substrate using a bar coating to form a coating layer, followed by drying in a convection oven at 80 캜 for one minute. Further, the substrate having the coating layer formed was immersed in trioctylamine (TOA) at 80 DEG C for 5 minutes, removed, and washed with 40 DEG C distilled water. Thereafter, the water was removed and dried in a convection oven at 80 캜 for 2 minutes to prepare an optical member having a low refractive silica coating layer on the substrate.

[ [ 비교예Comparative Example 1] One]

중공 실리카 분산액을 혼합하지 않은 실리카 전구체 졸 용액을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다.An optical member was prepared in the same manner as in Example 1, except that a silica precursor sol solution not containing a hollow silica dispersion was used.

실시예 1 내지 실시예 5, 및 비교예 1의 평균 두께 및 평균 광굴절율은 하기 표 1과 같다.The average thickness and the average optical refractive index of Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 are shown in Table 1 below.

실리카 전구체 졸 : 중공 실리카 입자
(중량비)Silica precursor sol: hollow silica particles
(Weight ratio) 광굴절율
(%, @550㎚)Light refractive index
(%, @ 550 nm) 두께
(㎚)thickness
(Nm) 비교예 1Comparative Example 1 1:0 1: 0 1.4511.451 4343 실시예 1Example 1 5:25: 2 1.3431.343 9696 실시예 2Example 2 5:35: 3 1.3411.341 121121 실시예 3Example 3 5:45: 4 1.3071.307 120120 실시예 4Example 4 5:55: 5 1.2931.293 134134 실시예 5Example 5 7:137:13 1.2491.249 124124

본 명세서에서, 광굴절율은 엘립소미터(J.A. Woollam 사, M-2000UI)를 이용하여 시료의 파장에 따른 광굴절율 및 두께를 측정하였으며, 광굴절율 및 두께는 시료의 임의의 10점에서 광굴절율 및 두께를 측정한 값의 평균 값을 취하였다. In the present specification, the optical refraction index and the thickness according to the wavelength of the sample were measured using an ellipsometer (JA Woollam, M-2000UI), and the optical refraction index and thickness were measured at arbitrary 10 points of the sample, The average value of the measured thickness was taken.

본 명세서에서, 광반사율은 시료를 블랙 PET에 부착한 후, 분광 측색계(Konica Minolta, CM-2600d)를 이용하여 정반사광을 포함한 파장별 광반사율을 측정하였으며, 구체적으로, 상기 광반사율은 상기 광굴절율을 측정한 10점에서의 광반사율을 측정한 값의 평균 값을 취하였다. In the present specification, the light reflectance was measured by attaching a sample to black PET and measuring the light reflectance for each wavelength including specularly reflected light using a spectrocolorimeter (Konica Minolta, CM-2600d). Specifically, The average value of the values obtained by measuring the light reflectance at 10 points where the light refractive index was measured was taken.

표 1에 따르면, 중공 실리카 입자를 포함하지 않은 비교예 1의 광굴절율에 비하여, 중공 실리카 입자를 포함하는 실시예 1 내지 실시예 4는 낮은 광굴절율을 구현하는 것을 확인할 수 있다. 나아가, 실시예 5와 같이, 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 중량비가 7:13인 경우, 매우 우수한 광굴절율을 구현할 수 있었다. According to Table 1, it can be seen that Examples 1 to 4 including the hollow silica particles implement a low photorefractive index as compared with the photorefractive index of Comparative Example 1 which does not include the hollow silica particles. Furthermore, as in Example 5, when the weight ratio of the silica precursor sol to the hollow silica particles was 7:13, a very excellent optical refractive index could be realized.

[[ 실시예Example 6 및  6 and 실시예Example 7]  7]

실리카 전구체 졸 용액의 농도를 하기 표 2와 같이 조절한 것을 제외하고, 실시예 5와 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다.An optical member was prepared in the same manner as in Example 5, except that the concentration of the silica precursor sol solution was adjusted as shown in Table 2 below.

실리카 전구체 졸 용액의 농도
(wt%)Concentration of silica precursor sol solution
(wt%) 평균 두께
(㎚)Average thickness
(Nm) 평균 광굴절율
(%, @550㎚)Average light refractive index
(%, @ 550 nm) 평균 광반사율
(%, @550㎚)Average light reflectance
(%, @ 550 nm) 실시예 6Example 6 6.66.6 6969 1.2551.255 1.81.8 실시예 7Example 7 9.49.4 129129 1.2581.258 0.70.7

표 2에 따르면, 본원 발명에 따른 저굴절 실리카 코팅층은 낮은 광반사율을 구현할 수 있음을 알 수 있으며, 특히, 실시예 7의 경우, 최소 광반사율이 550 ㎚ 파장에서 0.39 %까지 나타나며, 매우 낮은 광굴절율을 구현할 수 있는 것을 확인하였다. Table 2 shows that the low refraction silica coating layer according to the present invention can realize a low light reflectance. Particularly, in the case of Example 7, the minimum light reflectance shows up to 0.39% at a wavelength of 550 nm, It is confirmed that the refractive index can be realized.

[[ 실시예Example 8 내지  8 - 실시예Example 13]  13]

실리카 전구체 졸 용액의 농도를 9.4 wt%로 조절하고, 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 중량비를 하기 표 3과 같이 조절한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다.The optical member was prepared in the same manner as in Example 1, except that the concentration of the silica precursor sol solution was adjusted to 9.4 wt%, and the weight ratio of the silica precursor sol to the hollow silica particles was adjusted as shown in Table 3 below.

[[ 비교예Comparative Example 2] 2]

중공 실리카 분산액을 혼합하지 않은 실리카 전구체 졸 용액을 실리카 전구체 졸 용액으로 사용하고, 실리카 전구체 졸 용액의 농도를 9.4 wt%로 조절한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다.An optical member was prepared in the same manner as in Example 1, except that the silica precursor sol solution not containing the hollow silica dispersion was used as the silica precursor sol solution and the concentration of the silica precursor sol solution was adjusted to 9.4 wt%.

[[ 비교예Comparative Example 3] 3]

바인더 수지로서 아크릴레이트 단량체를 사용하고, 아크릴레이트 단량체와 중공 실리카 입자의 중량비를 7:3으로 포함하는 수지 조성물을 트리아세틸 셀룰로오즈(TAC) 기재 상에 코팅하여 코팅층을 형성한 후, 이를 광경화하여 저굴절 코팅층이 구비된 광학 부재를 제조하였다. A resin composition containing an acrylate monomer as a binder resin and a weight ratio of an acrylate monomer and a hollow silica particle of 7: 3 was coated on a triacetylcellulose (TAC) substrate to form a coating layer, An optical member having a low refraction coating layer was prepared.

실시예 8 내지 실시예 12, 및 비교예 2의 평균 광반사율 및 스틸 울 경도는 하기 표 3과 같다.The average optical reflectance and the steel wool hardness of Examples 8 to 12 and Comparative Example 2 are shown in Table 3 below.

실리카 전구체 졸 : 중공 실리카 입자
(중량비)Silica precursor sol: hollow silica particles
(Weight ratio) 평균 광반사율
(%, @550㎚)Average light reflectance
(%, @ 550 nm) 스틸 울 경도Steel Wool Hardness 비교예 2Comparative Example 2 1:0 1: 0 2.62.6 1.4 kg OK1.4 kg OK 실시예 8Example 8 8:28: 2 1.71.7 1.1 kg OK1.1 kg OK 실시예 9Example 9 7:37: 3 1.41.4 1.1 kg OK1.1 kg OK 실시예 10Example 10 6:46: 4 1.11.1 600 g OK600 g OK 실시예 11Example 11 5:55: 5 0.80.8 500 g OK500 g OK 실시예 12Example 12 4:64: 6 0.80.8 300 g OK300 g OK 실시예 13Example 13 3.5:6.53.5: 6.5 0.40.4 250g OK250g OK 비교예 3Comparative Example 3 -- 1.41.4 500 g OK500 g OK

본 명세서에서, 스틸 울 경도는 마모시험기(기배이앤티, KP-M4360)를 이용하여, 시료 표면에 하중을 가하며 25 cpm(cycle per minute)으로 10회 반복하여 표면의 손상 여부를 육안으로 확인하는 방법으로 측정하였다. In the present specification, the hardness of the steel wool is determined by visually checking whether the surface is damaged by applying a load to the surface of the sample using a wear tester (KUBA ANTI, KP-M4360) at 25 cpm (cycle per minute) .

표 3에 따르면, 중공 실리카 입자를 포함하지 않은 비교예 2의 광반사율에 비하여, 중공 실리카 입자를 포함하는 실시예 8 내지 실시예 13은 낮은 광반사율을 구현하는 것을 확인할 수 있다. 중공 실리카 입자의 함량이 증가할수록 스틸 울 경도는 낮아지지만, 실시예 8 및 9의 경우에는 1 kg 이상의 스틸 울 경도를 구현하여 매우 우수한 표면 경도를 구현함을 확인할 수 있다. 구체적으로, 실시예에 따른 저굴절 실리카 코팅층은 기존의 중공 실리카 입자를 포함하는 저굴절 코팅층과는 달리 중공 실리카 입자의 탈락이 쉽게 발생하지 않는 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다. 이는, 실시예에 따른 저굴절 코팅층은 실리카 전구체 졸을 이용하여 실리카 막을 형성하므로, 기존의 고분자 매트릭스 내에 중공 실리카 입자가 분산된 저굴절 코팅층과는 차별화된 표면 강도를 나타낼 수 있다. 나아가, 기존의 고분자 매트릭스 내에 중공 실리카 입자를 포함하는 저굴절 코팅층에 비하여, 실시예에 따른 저굴절 실리카 코팅층은 중공 실리카 입자의 탈락이 쉽지 않은 특성을 구현할 수 있다. According to Table 3, it can be confirmed that Examples 8 to 13 including hollow silica particles implement a lower light reflectance than the light reflectance of Comparative Example 2 which does not include hollow silica particles. It can be confirmed that the steel wool hardness is lowered as the content of the hollow silica particles is increased, but in the case of Examples 8 and 9, the steel wool hardness of 1 kg or more is realized and the surface hardness is very excellent. In particular, the low refraction silica coating layer according to the embodiment shows that the hollow silica particles do not easily fall off unlike the low refraction coating layer including the conventional hollow silica particles. This is because the low refraction coating layer according to the embodiment forms a silica film using a silica precursor sol, and thus can exhibit differentiated surface strength from a low refraction coating layer in which hollow silica particles are dispersed in a conventional polymer matrix. Further, the low refractive silica coating layer according to the embodiment can provide a characteristic that the hollow silica particles can not easily fall off, compared with the low refractive coating layer including the hollow silica particles in the existing polymer matrix.

Claims (16)

용매 및 알콕시 실란을 포함하는 실리카 전구체 분산액을 준비하는 단계;
상기 실리카 전구체 분산액에 산성 촉매를 첨가하여, 실리카 전구체 졸을 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 형성하는 단계;
상기 실리카 전구체 졸 용액과 중공 실리카 입자를 혼합하는 단계;
상기 중공 실리카 입자를 포함하는 실리카 전구체 졸 용액을 기재 상에 도포하는 단계;
상기 기재 상에 도포된 실리카 전구체 졸 용액을 건조시켜 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계; 및
상기 실리카 전구체 졸 층을 염기 촉매에 접촉시켜, 상기 실리카 전구체 졸 층이 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계;를 포함하고,
상기 모든 공정은 120 ℃ 이하의 분위기에서 수행되는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.Preparing a silica precursor dispersion comprising a solvent and an alkoxysilane;
Adding an acidic catalyst to the silica precursor dispersion to form a silica precursor sol solution comprising a silica precursor sol;
Mixing the silica precursor sol solution with the hollow silica particles;
Applying a silica precursor sol solution comprising the hollow silica particles onto a substrate;
Drying a silica precursor sol solution applied on the substrate to form a silica precursor sol layer; And
Contacting the silica precursor sol layer with a base catalyst to form the silica precursor sol layer into a low refractive silica coating layer,
Wherein all the steps are performed in an atmosphere of 120 DEG C or less. 청구항 1에 있어서,
상기 실리카 전구체 졸 용액의 실리카 전구체 졸의 함량은 5 wt% 이상 40 wt% 이하인 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the content of the silica precursor sol in the silica precursor sol solution is 5 wt% or more and 40 wt% or less. 청구항 1에 있어서,
상기 실리카 전구체 졸과 중공 실리카 입자의 중량비는 8:2 내지 2:8인 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the weight ratio of the silica precursor sol to the hollow silica particles is from 8: 2 to 2: 8. 청구항 1에 있어서,
상기 중공 실리카 입자의 평균 외경은 20 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하인 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the hollow silica particles have an average outer diameter of 20 nm or more and 100 nm or less. 청구항 1에 있어서,
상기 염기 촉매는 끓는점이 80 ℃ 이상의 무수물인 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the base catalyst is an anhydride having a boiling point of 80 占 폚 or higher. 청구항 1에 있어서,
상기 염기 촉매는 아민계 염기 촉매, 인산계 염기 촉매 및 이미다졸계 염기 촉매 중 적어도 1종을 포함하는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the base catalyst comprises at least one of an amine base catalyst, a phosphoric acid base catalyst and an imidazole base catalyst. 청구항 1에 있어서,
상기 염기 촉매는 하기 화학식 1 내지 화학식 10으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법:
[화학식 1]
Figure pat00024

[화학식 2]
Figure pat00025

[화학식 3]
Figure pat00026

[화학식 4]
Figure pat00027

[화학식 5]
Figure pat00028

[화학식 6]
Figure pat00029

[화학식 7]
Figure pat00030

[화학식 8]
Figure pat00031

[화학식 9]
Figure pat00032

[화학식 10]
Figure pat00033

상기 화학식 1 내지 화학식 10에 있어서,
R1 내지 R32는 각각 독립적으로, 수소; 또는 탄소수 1 내지 40의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 50의 아릴기;이고,
n 및 x는 1 내지 3 중 어느 하나의 정수이며, o 내지 q는 1 내지 4 중 어느 하나의 정수이고, m 및 r 내지 w는 1 내지 5 중 어느 하나의 정수이며,
n 이 2 이상인 경우 R6은 동일 또는 상이할 수 있고, m이 2 이상인 경우 R7은 동일 또는 상이할 수 있으며, o가 2 이상인 경우 R16은 동일 또는 상이할 수 있고, p가 2 이상인 경우 R17은 동일 또는 상이할 수 있으며, q가 2 이상인 경우 R18은 동일 또는 상이할 수 있고, r이 2 이상인 경우 R19는 동일 또는 상이할 수 있으며, s가 2 이상인 경우 R20은 동일 또는 상이할 수 있고, t가 2 이상인 경우 R21은 동일 또는 상이할 수 있으며, u가 2 이상인 경우 R22는 동일 또는 상이할 수 있고, v가 2 이상인 경우 R23은 동일 또는 상이할 수 있으며, w가 2 이상인 경우 R25는 동일 또는 상이할 수 있고, x가 2 이상인 경우 R32는 동일 또는 상이할 수 있다. The method according to claim 1,
Wherein the base catalyst comprises at least one of compounds represented by the following Chemical Formulas 1 to 10:
[Chemical Formula 1]
Figure pat00024

(2)
Figure pat00025

(3)
Figure pat00026

[Chemical Formula 4]
Figure pat00027

[Chemical Formula 5]
Figure pat00028

[Chemical Formula 6]
Figure pat00029

(7)
Figure pat00030

[Chemical Formula 8]
Figure pat00031

[Chemical Formula 9]
Figure pat00032

[Chemical formula 10]
Figure pat00033

In the above Chemical Formulas 1 to 10,
R1 to R32 each independently represent hydrogen; Or a straight or branched alkyl group having 1 to 40 carbon atoms; Or an aryl group having 6 to 50 carbon atoms,
n and x are any of integers from 1 to 3, o to q are any integers from 1 to 4, m and r to w are integers from 1 to 5,
When n is 2 or more, R6 may be the same or different. When m is 2 or more, R7 may be the same or different. When o is 2 or more, R16 may be the same or different. When p is 2 or more, And when q is 2 or more, R18 may be the same or different, and when r is 2 or more, R19 may be the same or different, and when s is 2 or more, R20 may be the same or different and t is R21 may be the same or different when u is 2 or more and R22 may be the same or different when v is 2 or more and R23 may be the same or different when v is 2 or more and when w is 2 or more, And when x is 2 or more, R32 may be the same or different. 청구항 1에 있어서,
상기 용매는 알코올계 용매; 케톤계 용매; 및 아세테이트계 용매 중 적어도 1종을 포함하는 유기 용매를 포함하는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.The method according to claim 1,
The solvent may be an alcohol-based solvent; Ketone solvents; And an organic solvent comprising at least one of an organic solvent and an acetate solvent. 청구항 1에 있어서,
상기 알콕시 실란은 테트라에톡시실란, 테트라메톡시실란, 메톡시트리에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 트리메톡시페닐실란, 트리에톡시페닐실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 3-(아크릴로일옥시)프로필트리메톡시실란, 1,2-비스(트리에톡시실란)에탄, 및 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 중 적어도 하나를 포함하는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.The method according to claim 1,
The alkoxysilane may be selected from the group consisting of tetraethoxysilane, tetramethoxysilane, methoxytriethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, trimethoxyphenylsilane, triethoxyphenylsilane, 2- (3, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, 3- (acryloyloxy) propyltrimethoxysilane, 1,2-bis (tri (meth) Ethoxysilane) ethane, and 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane. The method of manufacturing an optical member according to claim 1, 청구항 1에 있어서,
상기 실리카 전구체 졸 용액을 형성하는 단계는, 상기 실리카 전구체 분산액의 pH를 0 내지 5로 조절하는 것을 포함하는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the silica precursor sol solution comprises adjusting the pH of the silica precursor dispersion to 0-5. 청구항 1에 있어서,
상기 산성 촉매는 염산, 황산, 플루오르황산, 질산, 인산, 아세트산, 헥사플루오르인산, p-톨루엔설폰산 및 트리플루오로메탄술폰산 중 적어도 하나를 포함하는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the acidic catalyst comprises at least one of hydrochloric acid, sulfuric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, hexafluorophosphoric acid, p-toluenesulfonic acid and trifluoromethanesulfonic acid. Gt; 청구항 1에 있어서,
상기 실리카 전구체 졸 층을 형성하는 단계는, 120 ℃ 이하의 온도에서 상기 도포된 실리카 전구체 졸 용액을 건조하여 용매를 제거하는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the silica precursor sol layer comprises drying the applied silica precursor sol solution at a temperature of 120 DEG C or lower to remove the solvent. 청구항 1에 있어서,
상기 저굴절 실리카 코팅층으로 형성되는 단계는, 60 ℃ 내지 120 ℃의 온도의 상기 염기 촉매에 상기 기재 상에 구비된 실리카 전구체 졸 층을 접촉시키는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the low refraction silica coating layer comprises bringing a silica precursor sol layer provided on the substrate into contact with the base catalyst at a temperature of 60 ° C to 120 ° C, . 청구항 1에 있어서,
상기 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재는 롤투롤 연속 공정으로 제조되는 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the optical member including the low refraction silica coating layer is manufactured by a roll-to-roll continuous process. 청구항 1에 따른 제조방법으로 제조된 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재.An optical member comprising a low refractive silica coating layer produced by the manufacturing method according to claim 1. 청구항 15에 있어서,
상기 기재는 편광 필름, 휘도 향상 필름 또는 위상차 필름인 것인 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재.16. The method of claim 15,
Wherein the base material is a polarizing film, a brightness enhancement film, or a phase difference film.
KR1020170178517A 2017-12-22 2017-12-22 Manufacturing method of optical member comprising low-refraction silica coating layer and optical member menufactured by the same KR102267506B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170178517A KR102267506B1 (en) 2017-12-22 2017-12-22 Manufacturing method of optical member comprising low-refraction silica coating layer and optical member menufactured by the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170178517A KR102267506B1 (en) 2017-12-22 2017-12-22 Manufacturing method of optical member comprising low-refraction silica coating layer and optical member menufactured by the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190076596A true KR20190076596A (en) 2019-07-02
KR102267506B1 KR102267506B1 (en) 2021-06-21

Family

ID=67258096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170178517A KR102267506B1 (en) 2017-12-22 2017-12-22 Manufacturing method of optical member comprising low-refraction silica coating layer and optical member menufactured by the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102267506B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220084808A (en) * 2020-12-14 2022-06-21 주식회사 케이씨텍 Hollow silica particle and method of preparing the same
KR20220085520A (en) * 2020-12-15 2022-06-22 주식회사 케이씨텍 Hollow silica particle, method of preparing the same, dispersion composition including the same, diffusion film for display and optical element for display
KR20230000504A (en) * 2021-06-24 2023-01-03 주식회사 케이씨텍 Hollow silica particle and method of preparing the same

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000266908A (en) * 1999-03-18 2000-09-29 Konica Corp Manufacture of anti-reflection film and anti-reflection film
JP2008040171A (en) * 2006-08-07 2008-02-21 Pentax Corp Optical element with antireflection film having self-cleaning effect and method for manufacturing the same
KR20090023207A (en) * 2007-08-28 2009-03-04 호야 가부시키가이샤 Production method of silica aerogel film, anti-reflection coating and optical element
KR20090087285A (en) * 2008-02-12 2009-08-17 주식회사 하이코 Coating composition for anti-reflection, method of preparing the composition, and anti-reflection film composed of the composition
KR20090094751A (en) * 2008-03-03 2009-09-08 각고호우징 게이오기주크 Anti-reflection coating and its production method
KR20090102658A (en) * 2008-03-25 2009-09-30 호야 가부시키가이샤 Method for forming anti-reflection coating and optical element
KR20100125339A (en) * 2008-03-03 2010-11-30 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. Nanoparticle sol-gel composite hybride transparent coating materials
KR20110112222A (en) 2010-04-06 2011-10-12 주식회사 엘지화학 Anti-reflective coating composition, anti-reflection film and method for manufacturing the same
WO2013051620A1 (en) * 2011-10-03 2013-04-11 旭硝子株式会社 Method of manufacturing object with low reflection film
KR101526649B1 (en) * 2012-11-21 2015-06-05 (주)엘지하우시스 Antireflection film with excellent optical characteristics having a hard coating layer
JP2017058429A (en) * 2015-09-15 2017-03-23 リコーイメージング株式会社 Method for manufacturing antireflection film

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000266908A (en) * 1999-03-18 2000-09-29 Konica Corp Manufacture of anti-reflection film and anti-reflection film
JP2008040171A (en) * 2006-08-07 2008-02-21 Pentax Corp Optical element with antireflection film having self-cleaning effect and method for manufacturing the same
KR20090023207A (en) * 2007-08-28 2009-03-04 호야 가부시키가이샤 Production method of silica aerogel film, anti-reflection coating and optical element
KR20090087285A (en) * 2008-02-12 2009-08-17 주식회사 하이코 Coating composition for anti-reflection, method of preparing the composition, and anti-reflection film composed of the composition
KR20090094751A (en) * 2008-03-03 2009-09-08 각고호우징 게이오기주크 Anti-reflection coating and its production method
KR20100125339A (en) * 2008-03-03 2010-11-30 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. Nanoparticle sol-gel composite hybride transparent coating materials
KR20090102658A (en) * 2008-03-25 2009-09-30 호야 가부시키가이샤 Method for forming anti-reflection coating and optical element
KR20110112222A (en) 2010-04-06 2011-10-12 주식회사 엘지화학 Anti-reflective coating composition, anti-reflection film and method for manufacturing the same
WO2013051620A1 (en) * 2011-10-03 2013-04-11 旭硝子株式会社 Method of manufacturing object with low reflection film
KR101526649B1 (en) * 2012-11-21 2015-06-05 (주)엘지하우시스 Antireflection film with excellent optical characteristics having a hard coating layer
JP2017058429A (en) * 2015-09-15 2017-03-23 リコーイメージング株式会社 Method for manufacturing antireflection film

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220084808A (en) * 2020-12-14 2022-06-21 주식회사 케이씨텍 Hollow silica particle and method of preparing the same
KR20220085520A (en) * 2020-12-15 2022-06-22 주식회사 케이씨텍 Hollow silica particle, method of preparing the same, dispersion composition including the same, diffusion film for display and optical element for display
KR20230000504A (en) * 2021-06-24 2023-01-03 주식회사 케이씨텍 Hollow silica particle and method of preparing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102267506B1 (en) 2021-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102267506B1 (en) Manufacturing method of optical member comprising low-refraction silica coating layer and optical member menufactured by the same
KR20150131960A (en) Thermosetting compositions
KR20140076058A (en) Transparent Polyimide Substrate and method for producing the same
KR101876524B1 (en) Polyimide film
WO2007135909A1 (en) Thermosetting resin composition and cured product thereof
JP6949413B2 (en) Silica film manufacturing method
KR102267504B1 (en) Manufacturing method of optical member comprising mesoporous silica coating layer and optical member menufactured by the same
KR102267503B1 (en) Manufacturing method of optical member comprising low-reflection silica coating layer and optical member menufactured by the same
US20180201816A1 (en) Adhesive composition for photocurable interface and surface modification method of substrate using the same
KR102171280B1 (en) Manufacturing method of optical member comprising multi layered low-reflection coating layer and optical member menufactured by the same
US10364372B2 (en) Composition and method of producing siliceous film
TWI556962B (en) Polyimide substrate and display substrate module including the same
TW201925370A (en) Transparent conductive film, coating composition for forming transparent conductive film, and manufacturing method of transparent conductive film wherein the transparent conductive film is excellent in heat and humidity resistance and weather resistance
TW201809173A (en) Thermosetting compositions, cured film, and color filter preferably used for electronic parts and has excellent flatness and scratch resistance
TWI480344B (en) White coating composition, and device employing a coating made of the composition
JP7353703B2 (en) silica glass membrane
TWI747082B (en) Glass-like film
KR102411605B1 (en) Silica Sol Composition
TW201912708A (en) Thermosetting composition, cured film, and color filter
JP2019056063A (en) Siloxane-based liquid antistatic agent composition
WO2017011221A1 (en) Anti-reflective coating for sapphire
KR101929862B1 (en) Thermosetting composition
TW201910430A (en) Thermosetting composition, cured film, and color filter
KR20160080656A (en) Hard coat composition, hard coat film and method the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant