KR102262850B1 - 유기 반도체 디바이스의 패키징 방법 - Google Patents
유기 반도체 디바이스의 패키징 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102262850B1 KR102262850B1 KR1020197019191A KR20197019191A KR102262850B1 KR 102262850 B1 KR102262850 B1 KR 102262850B1 KR 1020197019191 A KR1020197019191 A KR 1020197019191A KR 20197019191 A KR20197019191 A KR 20197019191A KR 102262850 B1 KR102262850 B1 KR 102262850B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor device
- organic semiconductor
- layer
- organic
- packaging
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 61
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 49
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 16
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 5
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229940073561 hexamethyldisiloxane Drugs 0.000 claims description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 5
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 5
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 6
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H01L51/5253—
-
- H01L51/0018—
-
- H01L51/0097—
-
- H01L51/5256—
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
- H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H01L2251/303—
-
- H01L2251/5338—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 플렉서블 기판(110) 상에 유기 반도체 디바이스(120)를 제조 형성하는 단계; 플렉서블 기판(110) 상에 유기 반도체 디바이스(120)의 양측에 각각 위치하되 유기 반도체 디바이스(120)와 소정 간격을 유지하는 포토레지스트 블록(130a)을 제조 형성하는 단계; 포토레지스트 블록(130a), 유기 반도체 디바이스(120) 및 플렉서블 기판(110) 상에 무기층(140)을 증착시키는 단계; 포토레지스트 블록(130a) 및 포토레지스트 블록(130a) 상의 무기층(140)을 제거하는 단계; 및 유기 반도체 디바이스(120) 및 플렉서블 기판(110) 상의 무기층(140) 상에 유기층(150)을 증착시키는 단계를 포함하는 유기 반도체 디바이스(120)의 패키징 방법을 개시한다. 유기 반도체 디바이스(120)의 패키징 방법에서, 무기/유기 구조의 플렉서블 OLED 박막 패키지 구조가 형성되는데, 이러한 패키지 구조는 종래의 박막 패키징 공정에서 무기층의 증착에 필요한 증착 마스크를 생략할 수 있을 뿐만 아니라, OLED 디바이스의 수분 및 산소의 차단성을 효과적으로 향상시킴으로써, OLED 디바이스의 수명을 연장시킨다.
Description
본 발명은 디바이스 패키징 기술분야에 관한 것으로, 구체적으로, 유기 반도체 디바이스의 패키징 방법에 관한 것이다.
최근 몇 년 사이에, 유기 발광 다이오드(Organic Light-Emitting Diode, OLED)는 국내외에서 큰 인기를 얻고 있는 신흥 평면 디스플레이 제품이 되었다. 이는 OLED 디스플레이가 자체 발광, 넓은 시야각(175° 이상), 짧은 응답 시간(1 ㎲), 높은 발광 효율, 넓은 컬러 영역, 낮은 작동 전압 (3 ~ 10 V), 얇은 두께(1 mm보다 작을 수 있음), 대형 사이즈 및 유연한 패널을 제작 가능한 점, 제조 공정이 간단한 점 등의 특성을 구비하기 때문이며, 또한 저렴한 원가 잠재력을 구비하기 때문이다.
플렉서블 OLED 디스플레이에 있어서, 현재 발전을 제한하는 주요 과제 중 하나는 플렉서블 OLED 디스플레이의 패키징에 있다. 주지된 바와 같이, OLED를 제조하는 재료는 수분 및 산소에 매우 민감하므로 외부의 수분 및 산소가 OLED를 제조하는 재료를 손상시키는 것을 효과적으로 차단하지 못하면, 수명이 긴 OLED 디바이스를 실현할 수 없게 된다.
전술한 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 목적은 외부의 수분 및 산소를 효과적으로 차단할 수 있는 유기 반도체 디바이스의 패키징 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 플렉서블 기판 상에 유기 반도체 디바이스를 제조 형성하는 단계; 플렉서블 기판 상에 유기 반도체 디바이스의 양측에 각각 위치하되 유기 반도체 디바이스와 소정 간격을 유지하는 포토레지스트 블록을 제조 형성하는 단계; 포토레지스트 블록, 유기 반도체 디바이스 및 플렉서블 기판 상에 무기층을 증착시키는 단계; 포토레지스트 블록 및 포토레지스트 블록 상의 무기층을 제거하는 단계; 및 유기 반도체 디바이스 및 플렉서블 기판 상의 무기층 상에 유기층을 증착시키는 단계를 포함하는 유기 반도체 디바이스의 패키징 방법을 제공한다.
선택적으로, 상기 패키징 방법은, 유기층 상에 무기층 및 유기층을 교차적으로 제조하는 단계; 및 마지막 유기층 상에 무기층을 증착시키는 단계를 더 포함한다.
선택적으로, 상기 포토레지스트 블록을 제조하는 단계는, 플렉서블 기판 및 유기 반도체 디바이스 상에 포토레지스트층을 도포하는 단계; 소정의 포토마스크를 이용하여 포토레지스트층을 노광시키는 단계 - 상기 포토마스크는 차광부 및 상기 차광부의 양측에 각각 위치하는 투광부를 포함하고, 상기 차광부는 상기 유기 반도체 디바이스와 대향하되, 상기 차광부의 양측은 상기 유기 반도체 디바이스의 양측을 각각 초과함 - ; 및 노광된 포토레지스트층을 현상하여, 상기 차광부와 대향하는 포토레지스트층을 제거함으로써, 상기 포토레지스트 블록을 형성하는 단계를 포함한다.
선택적으로, 플라즈마 강화 화학 기상 증착법, 펄스 레이저 증착법 또는 스퍼터링 증착법에 의해 상기 무기층을 증착시킨다.
선택적으로, 상기 무기층은 Al2O3, TiO2, SiNx, SiCNx, SiOx, ZrO2 중의 적어도 하나를 포함한다.
선택적으로, 잉크젯 프린팅 성형법, 플라즈마 강화 화학 기상 증착법 또는 슬롯 다이 도포법에 의해 상기 유기층을 제조한다.
선택적으로, 상기 유기층은 아크릴레이트(acrylate), 헥사메틸 디실록산(hexamethyl disiloxane), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리카보네이트(polycarbonate) 및 폴리스티렌(polystyrene) 중의 적어도 하나를 포함한다.
선택적으로, 포토레지스트 블록 및 포토레지스트 블록 상의 무기층을 제거하는 구체적인 방법은, 유기 용매를 이용하여 소정의 시간 동안 침지시켜, 포토레지스트 블록을 플렉서블 기판으로부터 분리시키는 것이다.
본 발명은 하기와 같은 유리한 효과를 가진다. 본 발명의 유기 반도체 디바이스의 패키징 방법에 따르면, 무기/유기 구조의 플렉서블 OLED 박막 패키지 구조가 형성되는데, 이러한 패키지 구조는 종래의 박막 패키징 공정에서 무기층의 증착에 필요한 증착 마스크를 생략할 수 있을 뿐만 아니라, OLED 디바이스의 수분 및 산소에 대한 차단성을 효과적으로 향상시킴으로써, OLED 디바이스의 수명을 연장시킨다.
본 발명의 실시예의 전술한 양태 및 다른 양태, 특징 및 장점은 도면에 관련한 하기의 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다. 도면에서,
도 1a 내지 도 1g는 본 발명의 실시예에 따른 유기 반도체 디바이스의 패키징 방법의 패키징 흐름도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 반도체 디바이스의 패키징 방법의 패키징 흐름도이다.
도 1a 내지 도 1g는 본 발명의 실시예에 따른 유기 반도체 디바이스의 패키징 방법의 패키징 흐름도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 반도체 디바이스의 패키징 방법의 패키징 흐름도이다.
이하에서 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세하게 설명하도록 한다. 그러나 여러가지 상이한 형식으로 본 발명을 실시할 수 있고, 본 발명은 여기에 서술된 구체적인 실시예에 한정되어서는 아니됨을 이해하여야 한다. 반대로, 이러한 실시예를 제공하는 것은 본 발명의 원리 및 실제 응용을 설명함으로써, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 다양한 실시예 및 특정 예상되는 적용에 적합한 다양한 변형을 이해하도록 하기 위함이다.
도면에서, 디바이스를 명확하게 하기 위해 층과 영역의 두께를 과장시켰다. 전체 상세한 설명 및 도면에 걸쳐 동일한 구성 요소는 동일한 도면 부호로 표시한다.
도 1a 내지 도 1g는 본 발명의 실시예에 따른 유기 반도체 디바이스의 패키징 방법의 패키징 흐름도이다.
도 1a를 참조하면, 플렉서블 기판(110)에 유기 반도체 디바이스(120)를 제조 형성한다. 여기서, 플렉서블 기판(110)은 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 등 플렉서블 재료로 제조될 수 있다. 유기 반도체 디바이스(120)는 예를 들면 OLED 디바이스일 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 1b를 참조하면, 플렉서블 기판(110) 및 유기 반도체 디바이스(120)에 한 층의 포토레지스트층(130)을 도포한다. 구체적으로, 스핀 코터(spin-coater)에 의해 플렉서블 기판(110) 및 유기 반도체 디바이스(120) 상에 한 층의 불소 함유 폴리머 포토레지스트를 도포하고, 80 ℃의 온도에서 10 min 동안 건조시켜 포토레지스트층(130)을 형성한다.
도 1c를 참조하면, 소정의 포토마스크(200)를 이용하여 포토레지스트층(130)을 노광시킨다. 여기서, 포토마스크(200)는 차광부(210) 및 차광부(210)의 양측에 각각 위치하는 투광부(220)를 포함하고, 여기서 상기 차광부(210)는 유기 반도체 디바이스(120)와 대향하며, 차광부(210)의 양측은 유기 반도체 디바이스(120)의 양측을 각각 초과한다. 다시 말해, 유기 반도체 디바이스(120)의 차광부(210)에서의 투영은 전부 차광부(210) 내에 위치한다.
도 1d를 참조하면, 노광된 포토레지스트층(130)을 현상하여, 차광부(210)와 대향하는 포토레지스트층(130)을 제거함으로써, 포토레지스트 블록(130a)을 형성한다.
이상 도 1b 내지 도 1d의 방법의 단계를 통해 플렉서블 기판(110) 상에 유기 반도체 디바이스(120)의 양측에 각각 위치하되 유기 반도체 디바이스(120)와 소정 간격을 유지하는 포토레지스트 블록(130a)의 제조 형성을 완성하였다.
도 1e를 참조하면, 포토레지스트 블록(130a), 유기 반도체 디바이스(120) 및 플렉서블 기판(110) 상에 무기층(140)을 증착시킨다. 구체적으로, 플라즈마 강화 화학 기상 증착법(PECVD), 펄스 레이저 증착법(PLD) 또는 스퍼터링 증착법(Sputter)에 의해 포토레지스트 블록(130a), 유기 반도체 디바이스(120) 및 플렉서블 기판(110)을 덮는 한 층의 무기층(140)을 증착시킨다. 본 실시예에서, 무기층(140)은 Al2O3, TiO2, SiNx, SiCNx, SiOx, ZrO2 중의 적어도 하나에 의해 제조될 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들면 무기층(140)은 다른 높은 수분 및 산소 차단 효과를 구비하는 무기 재료에 의해 제조될 수도 있다.
도 1f를 참조하면, 포토레지스트 블록(130a) 및 포토레지스트 블록(130a) 상의 무기층(140)을 제거한다. 구체적으로, 유기 용매에 1 ~ 30 min 동안 침지시키는데, 이때 포토레지스트 블록(130a)은 플렉서블 기판(110)으로부터 분리되며, 다른 부재(예를 들면 유기 반도체 디바이스(120) 및 유기 반도체 디바이스(120) 상의 무기층(140), 플렉서블 기판(110) 상의 무기층(140) 등)는 유지됨으로써, 포토레지스트 블록(130a) 및 포토레지스트 블록(130a) 상의 무기층(140)을 제거한다.
도 1g를 참조하면, 유기 반도체 디바이스(120) 상의 무기층(140) 상에 유기층(150)을 증착시킨다. 구체적으로, 잉크젯 프린팅 성형법(IJP), 플라즈마 강화 화학 기상 증착법(PECVD) 또는 슬롯 다이 도포법(Slot Coating)에 의해 유기층(150)을 제조한다. 본 실시예에서, 유기층(150)은 아크릴레이트, 헥사메틸 디실록산, 폴리아크릴레이트, 폴리카보네이트 및 폴리스티렌 중의 적어도 하나에 의해 제조될 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들면 유기층(150)은, 디바이스가 구부러지고 접힐 때의 응력을 완충할 수 있고 미립자 오염 물질의 피복을 방지하는 유기 재료에 의해 제조될 수도 있다.
전술한 바를 종합해보면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 반도체 디바이스의 패키징 방법에서, 무기/유기 구조의 플렉서블 OLED 박막 패키지 구조가 형성되는데, 이러한 패키지 구조는 종래의 박막 패키징 공정에서 무기층의 증착에 필요한 증착 마스크를 생략할 수 있을 뿐만 아니라, OLED 디바이스의 수분 및 산소의 차단성을 효과적으로 향상시킴으로써, OLED 디바이스의 수명을 연장시킨다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 반도체 디바이스의 패키징 방법의 패키징 흐름도이다.
도 1a 내지 도 1g에 도시된 유기 반도체 디바이스의 패키징 방법이 수행된 후, 도 2a 내지 도 2c의 패키징 방법을 더 포함한다.
도 2a를 참조하면, 유기층(150) 상에 무기층(140a)을 증착시킨다. 구체적으로, 플라즈마 강화 화학 기상 증착법(PECVD), 펄스 레이저 증착법(PLD) 또는 스퍼터링 증착법(Sputter)에 의해 유기층(150) 위를 덮는 한 층의 무기층(140a)을 증착시킨다. 본 실시예에서, 무기층(140a)은 Al2O3, TiO2, SiNx, SiCNx, SiOx, ZrO2 중의 적어도 하나에 의해 제조될 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들면 무기층(140a)은 다른 높은 수분 및 산소 차단 효과를 구비하는 무기 재료에 의해 제조될 수도 있다.
도 2b를 참조하면, 무기층(140a) 상에 유기층(150a)을 증착시킨다. 구체적으로, 잉크젯 프린팅 성형법(IJP), 플라즈마 강화 화학 기상 증착법(PECVD) 또는 슬롯 다이 도포법(Slot Coating)에 의해 유기층(150a)을 제조한다. 본 실시예에서, 유기층(150a)은 아크릴레이트, 헥사메틸 디실록산, 폴리아크릴레이트, 폴리카보네이트 및 폴리스티렌 중의 적어도 하나에 의해 제조될 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들면 유기층(150a)은, 디바이스가 구부러지고 접힐 때의 응력을 완충할 수 있고 미립자 오염 물질의 피복을 방지하는 유기 재료에 의해 제조될 수도 있다.
도 2c를 참조하면, 유기층(150a) 상에 무기층(140b)을 증착시킨다. 구체적으로, 플라즈마 강화 화학 기상 증착법(PECVD), 펄스 레이저 증착법(PLD) 또는 스퍼터링 증착법(Sputter)에 의해 유기층(150a)의 위를 덮는 한 층의 무기층(140b)을 증착시킨다. 본 실시예에서, 무기층(140b)은 Al2O3, TiO2, SiNx, SiCNx, SiOx, ZrO2 중의 적어도 하나에 의해 제조될 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들면 무기층(140b)은 높은 수분 및 산소 차단 효과를 구비하는 다른 무기 재료에 의해 제조될 수도 있다.
도 2c에 도시된 단계를 수행하기 이전에, 실제 필요성에 따라 도 2a 및 도 2b에 도시된 단계를 반복하여 수행함으로써, 유기층(150) 상에 무기층 및 유기층을 교차적으로 제조할 수 있다는 점이 이해되어야 할 것이다.
본 발명은 특정 실시예를 참조하여 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 청구범위 및 그 등가물에 의해 한정된 본 발명의 요지 및 범위를 벗어나지 않는 전제 하에서 형식 및 세부 사항에서 다양한 변형이 이루어질 수 있음을 이해할 것이다.
Claims (14)
- 플렉서블 기판 상에 유기 반도체 디바이스를 제조 형성하는 단계;
상기 플렉서블 기판 상에, 상기 유기 반도체 디바이스의 양측에 각각 위치하되 상기 유기 반도체 디바이스와 소정 간격을 유지하는 포토레지스트 블록을 제조 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 블록, 상기 유기 반도체 디바이스 및 상기 플렉서블 기판 상에 무기층을 증착시키는 단계;
상기 포토레지스트 블록 및 상기 포토레지스트 블록 상의 상기 무기층을 제거하는 단계; 및
상기 유기 반도체 디바이스 및 상기 플렉서블 기판 상의 상기 무기층 상에 유기층을 증착시키는 단계를 포함하며,
상기 포토레지스트 블록을 제조하는 단계는,
상기 플렉서블 기판 및 상기 유기 반도체 디바이스 상에 포토레지스트층을 도포하는 단계;
소정의 포토마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계 - 상기 포토마스크는 차광부 및 상기 차광부의 양측에 각각 위치하는 투광부를 포함하고, 상기 차광부는 상기 유기 반도체 디바이스와 대향하며, 상기 차광부의 양측은 상기 유기 반도체 디바이스의 양측을 각각 초과함 - ; 및
노광된 상기 포토레지스트층을 현상하여, 상기 차광부와 대향하는 상기 포토레지스트층을 제거함으로써, 상기 포토레지스트 블록을 형성하는 단계를 포함하는
유기 반도체 디바이스의 패키징 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 유기층 상에 무기층 및 유기층을 교차적으로 제조하는 단계; 및
마지막 유기층 상에 무기층을 증착시키는 단계를 더 포함하는
유기 반도체 디바이스의 패키징 방법.
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
플라즈마 강화 화학 기상 증착법, 펄스 레이저 증착법 또는 스퍼터링 증착법에 의해 상기 무기층을 증착시키는
유기 반도체 디바이스의 패키징 방법.
- 제2항에 있어서,
플라즈마 강화 화학 기상 증착법, 펄스 레이저 증착법 또는 스퍼터링 증착법에 의해 상기 무기층을 증착시키는
유기 반도체 디바이스의 패키징 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 무기층은 Al2O3, TiO2, SiNx, SiCNx, SiOx, ZrO2 중의 적어도 하나를 포함하는
유기 반도체 디바이스의 패키징 방법.
- 제2항에 있어서,
상기 무기층은 Al2O3, TiO2, SiNx, SiCNx, SiOx, ZrO2 중의 적어도 하나를 포함하는
유기 반도체 디바이스의 패키징 방법.
- 제1항에 있어서,
잉크젯 프린팅 성형법, 플라즈마 강화 화학 기상 증착법 또는 슬롯 다이 도포법에 의해 상기 유기층을 제조하는
유기 반도체 디바이스의 패키징 방법.
- 제2항에 있어서,
잉크젯 프린팅 성형법, 플라즈마 강화 화학 기상 증착법 또는 슬롯 다이 도포법에 의해 상기 유기층을 제조하는
유기 반도체 디바이스의 패키징 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 유기층은 아크릴레이트(acrylate), 헥사메틸 디실록산(hexamethyl disiloxane), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리카보네이트(polycarbonate) 및 폴리스티렌(polystyrene) 중의 적어도 하나를 포함하는
유기 반도체 디바이스의 패키징 방법.
- 제2항에 있어서,
상기 유기층은 아크릴레이트, 헥사메틸 디실록산, 폴리아크릴레이트, 폴리카보네이트 및 폴리스티렌 중의 적어도 하나를 포함하는
유기 반도체 디바이스의 패키징 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 포토레지스트 블록 및 상기 포토레지스트 블록 상의 상기 무기층을 제거하는 것은, 유기 용매를 이용하여 소정 시간 침지시켜, 상기 포토레지스트 블록을 상기 플렉서블 기판으로부터 분리시키는 것을 포함하는
유기 반도체 디바이스의 패키징 방법.
- 제2항에 있어서,
상기 포토레지스트 블록 및 상기 포토레지스트 블록의 상기 무기층을 제거하는 것은, 유기 용매를 이용하여 소정 시간 침지시켜, 상기 포토레지스트 블록을 상기 플렉서블 기판으로부터 분리시키는 것을 포함하는
유기 반도체 디바이스의 패키징 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611096901.0 | 2016-12-02 | ||
| CN201611096901.0A CN106711354A (zh) | 2016-12-02 | 2016-12-02 | 有机半导体器件的封装方法 |
| PCT/CN2016/112173 WO2018098875A1 (zh) | 2016-12-02 | 2016-12-26 | 有机半导体器件的封装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190089058A KR20190089058A (ko) | 2019-07-29 |
| KR102262850B1 true KR102262850B1 (ko) | 2021-06-08 |
Family
ID=58935683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020197019191A KR102262850B1 (ko) | 2016-12-02 | 2016-12-26 | 유기 반도체 디바이스의 패키징 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10205123B2 (ko) |
| EP (1) | EP3550630B1 (ko) |
| JP (1) | JP2019536245A (ko) |
| KR (1) | KR102262850B1 (ko) |
| CN (1) | CN106711354A (ko) |
| WO (1) | WO2018098875A1 (ko) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107403877B (zh) * | 2017-06-19 | 2019-10-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled面板的封装方法 |
| US10724139B2 (en) | 2017-06-19 | 2020-07-28 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Encapsulation method for OLED Panel |
| CN107275515B (zh) | 2017-06-20 | 2019-12-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件封装方法、结构、oled器件及显示屏 |
| CN107482129A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-12-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机电致发光器件的封装方法、封装结构及显示装置 |
| CN107403883A (zh) * | 2017-09-13 | 2017-11-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板的封装方法 |
| CN108107060A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-06-01 | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 | 基于柔性薄膜封装的平板探测器及其制备方法 |
| CN108305954B (zh) * | 2018-01-24 | 2020-07-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件的薄膜封装方法及oled器件 |
| CN108336243B (zh) * | 2018-01-27 | 2020-02-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机半导体器件的封装方法 |
| US10673022B2 (en) | 2018-04-10 | 2020-06-02 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof |
| CN108565360A (zh) * | 2018-04-10 | 2018-09-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种oled显示装置及其制备方法 |
| CN108493225B (zh) * | 2018-04-24 | 2020-12-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示器件的封装方法、显示装置及其制作方法 |
| US10790472B2 (en) | 2018-08-03 | 2020-09-29 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing a thin film encapsulation layer and organic light emitting diode display device |
| CN109037482A (zh) * | 2018-08-03 | 2018-12-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜封装层的制备方法及oled显示装置 |
| CN110176479B (zh) * | 2019-05-30 | 2020-09-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN110718647A (zh) | 2019-09-25 | 2020-01-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜的制备方法及显示装置的制备方法 |
| CN110943182A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-03-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机电致发光器件 |
| KR20220021945A (ko) * | 2020-08-13 | 2022-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치와 그의 제조 방법 |
| WO2023011270A1 (zh) * | 2021-08-05 | 2023-02-09 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | 一种聚合物膜层及其制备方法和led产品 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070077849A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Chen Chieh J | Method of encapsulating an organic light emitting device |
| CN102867890A (zh) * | 2011-07-07 | 2013-01-09 | 山东华光光电子有限公司 | 一种蓝宝石图形衬底的制备方法 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5811177A (en) * | 1995-11-30 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
| TW439308B (en) * | 1998-12-16 | 2001-06-07 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| US6866901B2 (en) * | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| JP4324718B2 (ja) * | 2000-05-30 | 2009-09-02 | カシオ計算機株式会社 | 電界発光素子 |
| US6841266B2 (en) * | 2002-03-08 | 2005-01-11 | Industrial Technology Research Institute | Photosensitive insulating film of organic light emitting diode (OLED) |
| US20040229051A1 (en) | 2003-05-15 | 2004-11-18 | General Electric Company | Multilayer coating package on flexible substrates for electro-optical devices |
| TW582186B (en) * | 2003-01-29 | 2004-04-01 | Au Optronics Corp | Method of fabricating organic light emitting display with passivation structure |
| JP2005317476A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
| KR100832847B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2008-05-28 | (주)누리셀 | 평탄화 유기 박막 및 컨포멀 유기 박막을 포함하는 다층봉지막 |
| JP2009158249A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Rohm Co Ltd | 有機ｅｌ素子 |
| US20120225510A1 (en) * | 2008-01-03 | 2012-09-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for encapsulating a substrate and method for fabricating a light emitting diode device |
| TWI407535B (zh) * | 2009-09-15 | 2013-09-01 | Ind Tech Res Inst | 環境敏感電子元件之封裝體 |
| WO2013145139A1 (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-03 | パイオニア株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
| KR20150017991A (ko) * | 2013-08-08 | 2015-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 봉지막을 구비하는 표시장치 및 봉지막 검사 방법 |
| CN103490019B (zh) * | 2013-09-29 | 2016-02-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件的封装结构及封装方法、显示装置 |
| TWI620360B (zh) * | 2014-02-18 | 2018-04-01 | 緯創資通股份有限公司 | 電子元件封裝體及其製作方法 |
| TWI552282B (zh) * | 2014-11-03 | 2016-10-01 | 矽品精密工業股份有限公司 | 封裝結構及其製法 |
| CN104617234A (zh) * | 2015-02-13 | 2015-05-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 隔垫物、有机电致发光显示面板、制作方法及显示装置 |
| CN104900681B (zh) * | 2015-06-09 | 2019-02-05 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其形成方法 |
| CN105118933B (zh) * | 2015-09-02 | 2018-03-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜封装方法及有机发光装置 |
| CN105914224A (zh) * | 2016-05-04 | 2016-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN105957976A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-09-21 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 一种柔性oled器件及其制造方法 |
-
2016
- 2016-12-02 CN CN201611096901.0A patent/CN106711354A/zh active Pending
- 2016-12-26 EP EP16923065.3A patent/EP3550630B1/en active Active
- 2016-12-26 US US15/328,387 patent/US10205123B2/en active Active
- 2016-12-26 JP JP2019528660A patent/JP2019536245A/ja active Pending
- 2016-12-26 WO PCT/CN2016/112173 patent/WO2018098875A1/zh active Application Filing
- 2016-12-26 KR KR1020197019191A patent/KR102262850B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070077849A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Chen Chieh J | Method of encapsulating an organic light emitting device |
| CN102867890A (zh) * | 2011-07-07 | 2013-01-09 | 山东华光光电子有限公司 | 一种蓝宝石图形衬底的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10205123B2 (en) | 2019-02-12 |
| WO2018098875A1 (zh) | 2018-06-07 |
| CN106711354A (zh) | 2017-05-24 |
| KR20190089058A (ko) | 2019-07-29 |
| EP3550630B1 (en) | 2024-04-03 |
| US20180212187A1 (en) | 2018-07-26 |
| JP2019536245A (ja) | 2019-12-12 |
| EP3550630A1 (en) | 2019-10-09 |
| EP3550630A4 (en) | 2020-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102262850B1 (ko) | 유기 반도체 디바이스의 패키징 방법 | |
| US11081671B2 (en) | OLED encapsulation structure, display device and method for manufacturing OLED encapsulation structure | |
| TW201813153A (zh) | 有機發光顯示裝置 | |
| US10192933B2 (en) | Organic light emitting device and method for manufacturing the same | |
| WO2018232949A1 (zh) | Oled面板的封装方法 | |
| WO2016019638A1 (zh) | 像素单元及其制作方法、显示面板、显示装置 | |
| US9966572B2 (en) | Flexible organic light emitting diode display and method of fabricating the same | |
| US10090487B2 (en) | Thin film packaging structure, method for fabrication thereof and display device | |
| KR20140029439A (ko) | 유기 광전자 장치 및 그의 봉입 방법 | |
| US9299749B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| CN106450031A (zh) | 薄膜封装的oled器件以及oled器件的薄膜封装方法 | |
| US10453907B2 (en) | OLED device and method for fabricating the same | |
| CN107369776B (zh) | Oled器件的封装结构和oled器件 | |
| US10826016B2 (en) | Organic light-emitting diode package, display panel and method for manufacturing the same | |
| KR20070104158A (ko) | 전자소자용 보호막 및 그 제조방법 | |
| CN110391349B (zh) | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法 | |
| JP7404608B2 (ja) | 封止構造、封止方法及び表示装置 | |
| WO2015009059A1 (ko) | 초박형 유기발광소자 제조방법 | |
| KR20150046422A (ko) | 다기능성 봉지막을 갖는 플렉시블 ｏｌｅｄ | |
| US20190326554A1 (en) | Encapsulation structure of organic light emitting diode and encapsulating method | |
| US20190229299A1 (en) | Thin-film packaging method for an oled device and oled device | |
| KR20160077920A (ko) | 새도우 마스크 제조 방법 및 이를 이용한 oled 소자 제조 방법 | |
| US20210114363A1 (en) | Method for manufacturing hybrid moisture barrier layer | |
| TWI635635B (zh) | 元件構造體及元件構造體之製造方法 | |
| CN109686857B (zh) | 一种显示器件及其封装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |